KR101966280B1 - Novel organometallic compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 신규한 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자를 제공한다. The present invention provides a novel organometallic compound and an organic light emitting device using the same.

Description

신규한 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자{Novel organometallic compound and organic light emitting device comprising the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel organometallic compound and an organic light emitting device using the same.

본 발명은 신규한 유기금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a novel organometallic compound and an organic light emitting device comprising the same.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. The organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, excellent characteristics of luminance, driving voltage and response speed, and much research has been conducted.

유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물 층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물 층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물 층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. The organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode, and an organic layer between the anode and the cathode. The organic material layer may have a multilayer structure composed of different materials in order to improve the efficiency and stability of the organic light emitting device. For example, the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. When a voltage is applied between two electrodes in the structure of such an organic light emitting device, holes are injected in the anode, electrons are injected into the organic layer in the cathode, excitons are formed when injected holes and electrons meet, When it falls back to the ground state, the light comes out.

상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.There is a continuing need for the development of new materials for the organic materials used in such organic light emitting devices.

한국특허 공개번호 제10-2000-0051826호Korean Patent Publication No. 10-2000-0051826

본 발명은 신규한 유기금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a novel organometallic compound and an organic light emitting device comprising the same.

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 제공한다.The present invention provides an organometallic compound represented by the following general formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112017081634970-pat00001
Figure 112017081634970-pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 또는 하프늄(Hf)이고,M is iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), titanium (Ti), zirconium (Zr), or hafnium

R1 내지 R3 및 R11 내지 R13은 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 니트로; 아미노; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; C1-60 할로알킬; 치환 또는 비치환된 C1-60 알콕시; 치환 또는 비치환된 C1-60 할로알콕시; 치환 또는 비치환된 C3-60 사이클로알킬; 치환 또는 비치환된 C2-60 알케닐; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴옥시; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 C1-60 헤테로고리기이고,R 1 to R 3 and R 11 to R 13 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Cyano; Nitro; Amino; Substituted or unsubstituted C 1-6 alkyl; C 1-60 haloalkyl; Substituted or unsubstituted C 1-60 alkoxy; Substituted or unsubstituted C 1-60 haloalkoxy; Substituted or unsubstituted C 3-60 cycloalkyl; Substituted or unsubstituted C 2-60 alkenyl; Substituted or unsubstituted C 6-60 aryl; Substituted or unsubstituted C 6-60 aryloxy; Or a substituted or unsubstituted C 1-60 heterocyclic group containing at least one heteroatom selected from the group consisting of N, O and S,

a1은 0 내지 7의 정수이고,a1 is an integer of 0 to 7,

a2 및 a3는 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이고, a2 and a3 are each independently an integer of 0 to 4,

b는 1 내지 8의 정수이고,b is an integer of 1 to 8,

a1+b는 8 이하이고,a1 + b is 8 or less,

n은 1, 2, 또는 3이다.n is 1, 2, or 3;

또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물 층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.The present invention also provides a plasma display panel comprising: a first electrode; A second electrode facing the first electrode; And at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers includes an organic electroluminescent Device.

상술한 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 유기 발광 소자의 유기물 층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 발광층에 포함되어 인광 도펀트로 사용될 수 있다. The organometallic compound represented by Formula 1 can be used as a material of an organic material layer of an organic light emitting device and can improve the efficiency, the driving voltage and / or the lifetime of the organic light emitting device. In particular, the organometallic compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer and used as a phosphorescent dopant.

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
Fig. 1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3 and a cathode 4. Fig.
2 shows an example of an organic light emitting element comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injecting layer 5, a hole transporting layer 6, a light emitting layer 7, an electron transporting layer 8 and a cathode 4 It is.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail in order to facilitate understanding of the present invention.

본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 제공한다. The present invention provides an organometallic compound represented by the above formula (1).

본 명세서에서,

Figure 112017081634970-pat00002
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다. In the present specification,
Figure 112017081634970-pat00002
Quot; means a bond connected to another substituent.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"가 비페닐기인 경우, 비페닐기는 1개의 페닐기로 치환된 아릴기이거나, 또는 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.As used herein, the term " substituted or unsubstituted " A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carbonyl group; An ester group; Imide; An amino group; Phosphine oxide groups; An alkoxy group; An aryloxy group; An alkyloxy group; Arylthioxy group; An alkylsulfoxy group; Arylsulfoxy group; Silyl group; Boron group; An alkyl group; Cycloalkyl groups; An alkenyl group; An aryl group; Aralkyl groups; An aralkenyl group; An alkylaryl group; An alkylamine group; An aralkylamine group; A heteroarylamine group; An arylamine group; Arylphosphine groups; Or a heterocyclic group containing at least one heteroatom selected from the group consisting of N, O and S, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having at least two heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S, Or unsubstituted. For example, when the "substituent group to which two or more substituents are connected" is a biphenyl group, the biphenyl group may be an aryl group substituted with one phenyl group, or may be interpreted as a substituent group in which two phenyl groups are connected.

본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the carbon number of the carbonyl group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure 112017081634970-pat00003
Figure 112017081634970-pat00003

본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the ester group may be substituted with a straight-chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms in the ester group. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.

Figure 112017081634970-pat00004
Figure 112017081634970-pat00004

본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but is preferably 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure 112017081634970-pat00005
Figure 112017081634970-pat00005

본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, But are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group specifically includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a t-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, and a phenylboron group.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸, 사이클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to one embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, But are not limited to, pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, But are not limited to, dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl and 5-methylhexyl.

본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be straight-chain or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to one embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, Butenyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, (Diphenyl-1-yl) vinyl-1-yl, stilbenyl, stilenyl, and the like.

본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms. According to one embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specific examples include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3- 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms. The aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group or the like as the monocyclic aryl group, but is not limited thereto. Examples of the polycyclic aryl group include, but are not limited to, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a klycenyl group and a fluorenyl group.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure 112017081634970-pat00006
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, a fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure. When the fluorenyl group is substituted,
Figure 112017081634970-pat00006
And the like. However, the present invention is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a hetero ring group containing at least one of O, N, Si and S as a hetero atom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms. Examples of the heterocyclic group include a thiophene group, a furane group, a furyl group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, A pyridazinyl group, a pyrazinopyrazinyl group, an isoquinoline group, a pyrazinyl group, a pyrazinyl group, a pyrazinyl group, a pyrazinyl group, a quinolinyl group, a quinazolinyl group, a quinoxalinyl group, a phthalazinyl group, a pyridopyrimidinyl group, , An indole group, a carbazole group, a benzoxazole group, a benzoimidazole group, a benzothiazole group, a benzocarbazole group, a benzothiophene group, a dibenzothiophene group, a benzofuranyl group, a phenanthroline, An isoxazolyl group, an oxadiazolyl group, a thiadiazolyl group, a benzothiazolyl group, a phenothiazinyl group, and a dibenzofuranyl group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the aryl group in the aralkyl group, the aralkenyl group, the alkylaryl group and the arylamine group is the same as the aforementioned aryl group. In the present specification, the alkyl group in the aralkyl group, the alkylaryl group, and the alkylamine group is the same as the alkyl group described above. In the present specification, the heteroaryl among the heteroarylamines can be applied to the aforementioned heterocyclic group. In the present specification, the alkenyl group in the aralkenyl group is the same as the above-mentioned alkenyl group. In the present specification, the description of the aryl group described above can be applied except that arylene is a divalent group. In the present specification, the description of the above-mentioned heterocyclic group can be applied except that the heteroarylene is a divalent group. In the present specification, the description of the above-mentioned aryl group or cycloalkyl group can be applied except that the hydrocarbon ring is not a monovalent group and two substituents are bonded to each other. In the present specification, the description of the above-mentioned heterocyclic group can be applied except that the heterocyclic ring is not a monovalent group and two substituents are bonded to each other.

한편, 상기 화학식 1에서, M은 이리듐(Ir)일 수 있다.In the above formula (1), M may be iridium (Ir).

상기 화학식 1에서, R1 내지 R3는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 니트로; 아미노; 치환 또는 비치환된 C1-10 알킬; 또는 치환 또는 비치환된 C6-10 아릴일 수 있다.In Formula 1, R 1 to R 3 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Cyano; Nitro; Amino; Substituted or unsubstituted C 1-10 alkyl; Or substituted or unsubstituted C 6-10 aryl.

예를 들어, R1 내지 R3는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 니트로, 아미노, 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 페닐, 바이페닐, 터페닐, 또는 나프틸일 수 있다.For example, R 1 to R 3 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, halogen, cyano, nitro, amino, methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, Butyl, sec-butyl, phenyl, biphenyl, terphenyl, or naphthyl.

구체적으로 예를 들어, R1은 수소일 수 있다. Specifically, for example, R 1 may be hydrogen.

구체적으로 예를 들어, R2 및 R3은 각각 독립적으로, 수소, 메틸, 에틸 또는 페닐일 수 있다.Specifically, for example, R 2 and R 3 may each independently be hydrogen, methyl, ethyl or phenyl.

상기 화학식 1에서, a1 내지 a3는 각각 독립적으로, 0, 1, 2, 또는 3일 수 있다. 예를 들어, a1 내지 a3는 각각 독립적으로, 0 또는 1일 수 있다. In formula (1), a1 to a3 may each independently be 0, 1, 2, or 3. For example, a1 to a3 may each independently be 0 or 1.

상기 화학식 1에서, R11 내지 R13은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-10 알킬일 수 있다.In the above formula (1), R 11 to R 13 may each independently be substituted or unsubstituted C 1-10 alkyl.

예를 들어, R11 내지 R13은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 니트로, 아미노, 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, 또는 sec-부틸일 수 있다.For example, R 11 to R 13 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, halogen, cyano, nitro, amino, methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, -Butyl, or sec-butyl.

구체적으로 예를 들어, R11 내지 R13은 메틸일 수 있다.Specifically, for example, R 11 to R 13 may be methyl.

상기 화학식 1에서, b는 1, 2, 또는 3일 수 있다. 예를 들어, b는 1일 수 있다. In Formula 1, b may be 1, 2, or 3. For example, b may be one.

이때, a1은 R1의 개수를 나타낸 것으로서, a1이 2 이상일 경우, 2 이상의 R1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. a2 및 a3에 대한 설명은 상기 a1에 대한 설명 및 화학식 1의 구조를 참조하여 이해될 수 있다.Here, a1 represents the number of R 1 , and when a 1 is 2 or more, two or more R 1 s may be the same or different from each other. a2 and a3 can be understood with reference to the description of a1 and the structure of the formula (1).

또한, b는 SiR11R12R13의 개수를 나타낸 것으로서, b가 2 이상일 경우, 2 이상의 SiR11R12R13은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.B represents SiR 11 R 12 R 13 , and when b is 2 or more, two or more SiR 11 R 12 R 13 may be the same or different from each other.

한편, 상기 유기금속 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-8로 표시되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:On the other hand, the organometallic compound may be any one selected from the group consisting of the following formulas (1-1) to (1-8)

Figure 112017081634970-pat00007
Figure 112017081634970-pat00007

Figure 112017081634970-pat00008
Figure 112017081634970-pat00008

상기 화학식 1-1 내지 1-8에서,In the above formulas 1-1 to 1-8,

R1 내지 R3 및 R11 내지 R13, a1 내지 a3 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.R 1 to R 3 and R 11 to R 13 , a 1 to a 3 and n are the same as defined in the above formula (1).

예를 들어, 상기 유기금속 화합물은, 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다. For example, the organometallic compound may be selected from the group consisting of the following compounds.

Figure 112017081634970-pat00009
Figure 112017081634970-pat00009

Figure 112017081634970-pat00010
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Figure 112017081634970-pat00015
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Figure 112017081634970-pat00022
Figure 112017081634970-pat00022

상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은, 리간드로 하나 이상의 실릴기를 갖는 벤조퀴놀린을 포함하여, 이를 이용한 유기 발광 소자는 수명 특성이 향상되어 장수명을 나타낼 수 있다. The organometallic compound represented by Formula 1 includes benzoquinoline having at least one silyl group as a ligand, and the life characteristics of the organic light emitting device using the same can be prolonged.

이때, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 일례로 하기 반응식 1 내지 3과 같은 리간드 교환반응을 통해 제조될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다. Here, the organometallic compound represented by Formula 1 may be prepared through a ligand exchange reaction as shown in Schemes 1 to 3 below, but is not limited thereto. The above production method can be more specific in the production example to be described later.

[반응식 1][Reaction Scheme 1]

Figure 112017081634970-pat00023
Figure 112017081634970-pat00023

[반응식 2][Reaction Scheme 2]

Figure 112017081634970-pat00024
Figure 112017081634970-pat00024

[반응식 3][Reaction Scheme 3]

Figure 112017081634970-pat00025
Figure 112017081634970-pat00025

상기 반응은 극성 용매 중에서 수행될 수 있으며, 구체적으로는 메탄올, 에탄올 등과 같은 알코올계 용매 중에서 수행될 수 있다. The reaction can be carried out in a polar solvent, specifically, in an alcoholic solvent such as methanol, ethanol and the like.

상기 반응식 1 내지 3 및 화학식 1의 구조를 참고하여 출발 물질을 적절히 대체함으로써 제조하고자 하는 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물의 제조가 가능하다. It is possible to prepare the organometallic compound represented by the above formula (1) to be prepared by appropriately substituting the starting materials with reference to the structures of the above Schemes (1) to (3) and (1).

또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물 층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다. Also, the present invention provides an organic light-emitting device comprising the organometallic compound represented by Formula 1. In one embodiment, the present invention provides a liquid crystal display comprising: a first electrode; A second electrode facing the first electrode; And at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers includes an organic electroluminescent Device.

또한, 상기 유기물 층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 포함할 수 있다. 상기 발광층에서 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 도펀트 역할을 할 수 있다. In addition, the organic layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer may include an organic metal compound represented by the general formula (1). In the light emitting layer, the organometallic compound represented by Formula 1 may serve as a dopant.

구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 상기 발광층의 인광 도펀트로서 포함될 수 있다. Specifically, the organometallic compound represented by Formula 1 may be included as a phosphorescent dopant in the light emitting layer.

이때, 상기 발광층은 공지의 호스트를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 발광층에서 상기 호스트와 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물의 중량비는 99:1 내지 80:20일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. At this time, the light emitting layer may further include a known host. Specifically, the weight ratio of the host to the organometallic compound represented by Formula 1 in the light emitting layer may be 99: 1 to 80:20, but is not limited thereto.

본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물 층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 발광층 이외에, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이의 정공 주입층 및 정공 수송층, 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이의 전자 수송층 및 전자 주입층을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, in the organic light emitting device of the present invention, in addition to the light emitting layer as the organic material layer, a hole injecting layer and a hole transporting layer between the first electrode and the light emitting layer, and an electron transporting layer and an electron injecting layer between the light emitting layer and the second electrode are further included . ≪ / RTI > However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include fewer or more organic layers.

한편, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.Meanwhile, the organic light emitting device according to the present invention may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate. In addition, the organic light emitting device according to the present invention may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, at least one organic material layer, and an anode are sequentially stacked on a substrate. For example, the structure of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention is illustrated in FIGS.

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 발광층에 포함될 수 있다. Fig. 1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3 and a cathode 4. Fig. In this structure, the organic metal compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer.

도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다. 바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 발광층에 포함될 수 있다.2 shows an example of an organic light emitting element comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injecting layer 5, a hole transporting layer 6, a light emitting layer 7, an electron transporting layer 8 and a cathode 4 It is. In such a structure, the organic metal compound represented by Formula 1 may be included in at least one of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer. Preferably, the organometallic compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물 층을 포함하는 경우, 상기 유기물 층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. The organic light emitting device according to the present invention may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers contains an organometallic compound represented by the above formula (1). In addition, when the organic light emitting diode includes a plurality of organic layers, the organic layers may be formed of the same material or different materials.

예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물 층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물 층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device according to the present invention can be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic layer, and a second electrode on a substrate. At this time, a metal or a metal oxide having conductivity or an alloy thereof is deposited on the substrate using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation to form an anode Forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting layer and an electron transporting layer thereon, and then depositing a material usable as a cathode on the organic material layer. In addition to such a method, an organic light emitting device can be formed by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the organic metal compound represented by Formula 1 may be formed into an organic layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method in the production of an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating and the like, but is not limited thereto.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물 층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to such a method, an organic light emitting device can be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and a cathode material on a substrate from a cathode material (WO 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.

일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.In one example, the first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, or the first electrode is a cathode and the second electrode is a cathode.

상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is preferably used so that hole injection can be smoothly conducted to the organic material layer. Specific examples of the positive electrode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SNO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline.

상기 음극 물질로는 통상 유기물 층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but are not limited thereto.

상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injecting layer is a layer for injecting holes from an electrode. The hole injecting material has a hole injecting effect, and has a hole injecting effect on the light emitting layer or a light emitting material. A compound which prevents the migration of excitons to the electron injecting layer or the electron injecting material and is also excellent in the thin film forming ability is preferable. It is preferred that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injecting material be between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injecting material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic materials, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic materials, quinacridone-based organic materials, and perylene- , Anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but the present invention is not limited thereto.

상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer is a layer that transports holes from the hole injection layer to the light emitting layer and transports holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer by using a hole transport material. Is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Polymers of poly (p-phenylenevinylene) (PPV) series; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

상기 발광층은 상술한 바와 같이 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The light emitting layer may include a host material and a dopant material as described above. The host material is a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound. Specific examples of the condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds. Examples of the heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

도펀트 재료로는 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물 이외에 추가적으로 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등을 더 포함할 수 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The dopant material may further include an aromatic amine derivative, a styrylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, a metal complex, and the like in addition to the organometallic compound represented by the formula (1). Specific examples of the aromatic amine derivatives include condensed aromatic ring derivatives having substituted or unsubstituted arylamino groups, and examples thereof include pyrene, anthracene, chrysene, and peripherrhene having an arylamino group. Examples of the styrylamine compound include substituted or unsubstituted Wherein at least one aryl vinyl group is substituted with at least one aryl vinyl group, and at least one substituent selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group is substituted or unsubstituted. Specific examples thereof include, but are not limited to, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like. Examples of the metal complex include iridium complex, platinum complex, and the like, but are not limited thereto.

상기 전자 수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transporting layer is a layer that receives electrons from the electron injecting layer and transports electrons to the light emitting layer. The electron transporting material is a material capable of transferring electrons from the cathode well to the light emitting layer. Do. Specific examples include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The electron transporting layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art. In particular, an example of a suitable cathode material is a conventional material having a low work function followed by an aluminum layer or a silver layer. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, in each case followed by an aluminum layer or a silver layer.

상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer for injecting electrons from the electrode. The electron injection layer has an ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, and has an excellent electron injection effect with respect to the light emitting layer or the light emitting material. A compound which prevents migration to a layer and is excellent in a thin film forming ability is preferable. Specific examples thereof include fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, A nitrogen-containing 5-membered ring derivative, and the like, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8- Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8- hydroxyquinolinato) gallium, bis (10- Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8- quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtholato) gallium, and the like, But is not limited thereto.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.The organic metal compound represented by Formula 1 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to the organic light emitting device.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The preparation of the compound represented by Formula 1 and the organic light emitting device comprising the same will be described in detail in the following examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.

[제조예][Manufacturing Example]

제조예 1-1: 중간체 A1 및 B1 의 화합물 합성Production Example 1-1 Synthesis of Intermediates A1 and B1

Figure 112017081634970-pat00026
Figure 112017081634970-pat00026

(1) 중간체 1-1a의 제조(1) Preparation of intermediate 1-1a

3-Bromobenzo[h]quinoline (54.0 g, 0.21 mol), 4,4,5,5-tetramethyl-[1, 3, 2]-dioxaboralane (58.5 g, 0.23 mol), Pd(dppf) Cl2 (1.53 g, 2.09 mmol), KOAc (61.6 g, 0.62 mol)을 다이옥세인(dioxane) 830 mL에 넣고 환류 조건에서 8시간 동안 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 용매를 감압 농축하였다. 이 농축액을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 생성물이 녹아있는 용액을 감압 농축하고 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하였다. 중간체 1-1a을 얻었다(52.8 g, 수율 82%, MS:[M+H]+= 306).(54.0 g, 0.21 mol), 4,4,5,5-tetramethyl- [1,3,2] dioxaborane (58.5 g, 0.23 mol), Pd (dppf) Cl 2 (1.53 g, 2.09 mmol) and KOAc (61.6 g, 0.62 mol) were added to 830 mL of dioxane and the mixture was stirred at reflux for 8 hours. The temperature was lowered to room temperature and the solvent was concentrated under reduced pressure. The concentrate was completely dissolved in CHCl 3 and washed with water. The solution in which the product was dissolved was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography. Intermediate 1-1a was obtained (52.8 g, yield 82%, MS: [M + H] < + > = 306).

(2) 중간체 A1의 제조(2) Preparation of intermediate A1

질소 분위기에서 중간체 1-1a (52.8g, 173 mmol)와 chlorotrimethylsilane (20.6 g, 190 mmol)를 테트라하이드로퓨란 600 mL에 녹인후 2M 탄산칼륨수용액 (250ml)를 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐 (3.8 g, 3.46 mmol)를 넣은 후 14 시간 동안 환류조건에서 교반을 진행하였다. 반응 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. CHCl3 를 사용해 녹인 후 물로 씻어주고 황산마그네슘과 산성백토를 넣고 교반 후 여과하여 감압농축시켰다. 이 후 헥산 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 A1을 제조하였다. (35.0 g, 수율 80%, MS:[M+H]+= 252).Intermediate 1-1a (52.8 g, 173 mmol) and chlorotrimethylsilane (20.6 g, 190 mmol) were dissolved in 600 mL of tetrahydrofuran under a nitrogen atmosphere, followed by addition of a 2M aqueous potassium carbonate solution (250 mL) and tetrakis- Palladium (3.8 g, 3.46 mmol) was added thereto, followed by stirring at reflux for 14 hours. After the completion of the reaction, the temperature was lowered, and the aqueous layer was separated and the organic layer was removed. After dissolving it with CHCl 3 , it was washed with water. Magnesium sulfate and acidic clay were added and stirred, followed by filtration and concentration under reduced pressure. Thereafter, the compound A1 was isolated by column chromatography under the hexane condition. (35.0 g, 80% yield, MS: [M + H] < + > = 252).

(3) 중간체 1-1b의 제조(3) Preparation of intermediate 1-1b

둥근바닥 플라스크에 이리듐클로라이드 (12 g, 40.2 mmol)과 화합물 A1(25.3g, 0.10mmol)를 2-에톡시에탄올 1000 ml 및 증류수 330ml 에 넣고 18 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 에탄올 3L 로 wash 해주어 고체 화합물 1-1b 를 제조하였다(30.7 g, 수율 52%).Iodide chloride (12 g, 40.2 mmol) and Compound A1 (25.3 g, 0.10 mmol) were dissolved in 1000 ml of 2-ethoxyethanol and 330 ml of distilled water, and the mixture was heated and stirred for 18 hours. The temperature was lowered to room temperature, filtered, and washed with 3 L of ethanol to prepare solid compound 1-1b (30.7 g, yield 52%).

..

(4) 중간체 B1의 제조(4) Preparation of intermediate B1

중간체 1-1b (30.7 g, 0.021 mol)와 메틸렌클로라이드 800 ml 를 넣은 AgOTf(14.6 g, 0.057 mol)를 메탄올 400 ml 에 녹여 넣어준 뒤, 빛을 차단한 상태로 상온 교반하였다. 24 시간 뒤 필터한 후 걸러진 여액의 용매를 날리고 Toluene 침전하여 추가정제 없이 화합물 B1(수율 91%)을 얻었다.AgOTf (14.6 g, 0.057 mol) in which Intermediate 1-1b (30.7 g, 0.021 mol) and methylene chloride (800 ml) were dissolved was dissolved in 400 ml of methanol, and the mixture was stirred at room temperature while blocking light. After filtration after 24 hours, the filtered filtrate was blown off and Toluene precipitated to obtain Compound B1 (yield: 91%) without further purification.

제조예 1-2: 중간체 A2 및 B2 의 화합물 합성Production Example 1-2: Synthesis of Compound of Intermediate A2 and B2

Figure 112017081634970-pat00027
Figure 112017081634970-pat00027

(1) 중간체 1-1c 의 제조(1) Preparation of intermediate 1-1c

3-Bromobenzo[h]quinoline 대신 6-bromobenzo[h]quinoline (50.0 g)을 사용한 것을 제외하고 중간체1-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-1c를 제조하였다(47.3 g, 수율 80%, MS:[M+H]+= 306).The compound 1-1c was prepared in the same manner as Intermediate 1-1a except that 6-bromobenzo [h] quinoline (50.0 g) was used instead of 3-bromobenzo [h] quinoline (47.3 g, yield 80 %, MS: [M + H] < + > = 306).

(2) 중간체 A2 의 제조(2) Preparation of intermediate A2

중간체1-1a 대신 중간체 1-1c 를 사용한 것을 제외하고 중간체 A1 을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 A2 를 제조하였다 (30.1 g, 수율 77%, MS:[M+H]+= 252).(30.1 g, yield 77%, MS: [M + H] < + > = 252) was prepared in the same manner as Intermediate A1 except that Intermediate 1-1c was used instead of Intermediate 1-1a.

(3) 중간체 1-1d 의 제조(3) Preparation of intermediate 1-1d

중간체A1 대신 중간체 A2 를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1b 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1d 를 제조하였다(28.8 g, 수율 49%).Intermediate 1-1d was prepared in the same manner as Intermediate 1-1b except that Intermediate A2 was used instead of Intermediate A1 (28.8 g, yield 49%).

(4) 중간체 B2 의 제조(4) Preparation of intermediate B2

중간체 1-1b 대신 중간체 1-1d 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B2 (수율 90%)를 제조하였다Intermediate B2 (90% yield) was prepared in the same manner as Intermediate B1, except that Intermediate 1-1d was used instead of Intermediate 1-1b

제조예 1-3: 중간체 A3 및 B3 의 화합물 합성Production Example 1-3: Synthesis of Compound A3 and Compound B3

Figure 112017081634970-pat00028
Figure 112017081634970-pat00028

(1) 중간체 1-1e 의 제조(1) Preparation of intermediate 1-1e

3-Bromobenzo[h]quinoline 대신 7-bromobenzo[h]quinoline (50.0 g)을 사용한 것을 제외하고 중간체1-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-1c를 제조하였다(46.5 g, 수율 79%, MS:[M+H]+= 306).The compound 1-1c was prepared in the same manner as Intermediate 1-1a except that 7-bromobenzo [h] quinoline (50.0 g) was used instead of 3-bromobenzo [h] quinoline (46.5 g, yield 79 %, MS: [M + H] < + > = 306).

(2) 중간체 A3 의 제조(2) Preparation of intermediate A3

중간체1-1a 대신 중간체 1-1e 를 사용한 것을 제외하고 중간체 A1 을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 A3 를 제조하였다 (29.5 g, 수율 77%, MS:[M+H]+= 252).(29.5 g, yield 77%, MS: [M + H] < + > = 252) was prepared in the same manner as Intermediate A3 except for using Intermediate 1-1e instead of Intermediate 1-1a.

(3) 중간체 1-1f 의 제조(3) Preparation of intermediate 1-1f

중간체A1 대신 중간체 A3을 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1b 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1f 를 제조하였다(26.1 g, 수율 48%).Intermediate 1-1f was prepared in the same manner as Intermediate 1-1b except that Intermediate A3 was used instead of Intermediate A1 (26.1 g, yield 48%).

(4) 중간체 B3 의 제조(4) Preparation of intermediate B3

중간체 1-1b 대신 중간체 1-1f 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B3 (수율 92%)을 제조하였다Intermediate B3 (yield 92%) was prepared in the same manner as Intermediate B1, except that Intermediate 1-1f was used instead of Intermediate 1-1b

제조예 1-4: 중간체 A4 및 B4 의 화합물 합성Production Example 1-4: Synthesis of Compound of Intermediate A4 and B4

Figure 112017081634970-pat00029
Figure 112017081634970-pat00029

(1) 중간체 1-1g 의 제조(1) Preparation of Intermediate 1-1g

3-Bromobenzo[h]quinoline 대신 8-bromobenzo[h]quinoline (50.0 g)을 사용한 것을 제외하고 중간체1-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-1g를 제조하였다(47.1 g, 수율 80%, MS:[M+H]+= 306).Compound 1-1g was prepared in the same manner as Intermediate 1-1a except that 8-bromobenzo [h] quinoline (50.0 g) was used instead of 3-Bromobenzo [h] quinoline (47.1 g, yield 80 %, MS: [M + H] < + > = 306).

(2) 중간체 A4 의 제조(2) Preparation of intermediate A4

중간체1-1a 대신 중간체 1-1g 를 사용한 것을 제외하고 중간체 A1 을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 A4를 제조하였다 (30.3 g, 수율 78%, MS:[M+H]+= 252).Intermediate A4 was prepared (30.3 g, yield 78%, MS: [M + H] + = 252) in the same manner as Intermediate A1 except that Intermediate 1-1a was used instead of Intermediate 1-1a.

(3) 중간체 1-1h 의 제조(3) Preparation of intermediate 1-1h

중간체 A1 대신 중간체 A3을 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1b를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1-1h를 제조하였다(30.2 g, 수율 46%).Intermediate 1-1h was prepared in the same manner as Intermediate 1-1b except that Intermediate A3 was used instead of Intermediate A1 (30.2 g, yield 46%).

(4) 중간체 B4 의 제조(4) Preparation of intermediate B4

중간체 1-1b 대신 중간체 1-1h 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 B4 (수율 91%)를 제조하였다Intermediate B4 (yield 91%) was prepared in the same manner as Intermediate B1, except that Intermediate 1-1h was used instead of Intermediate 1-1b

제조예 2Production Example 2

제조예 2-1: 중간체 D1 의 화합물 합성Production example 2-1: Synthesis of compound of intermediate D1

Figure 112017081634970-pat00030
Figure 112017081634970-pat00030

(1) 중간체 2-1b 의 제조(1) Preparation of intermediate 2-1b

중간체 A1 대신 2-phenylpyridine(화합물 C1)을 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1b 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1b 를 제조하였다(20.1 g, 수율 50%).Intermediate 2-1b was prepared (20.1 g, yield 50%) in the same manner as Intermediate 1-1b except that 2-phenylpyridine (Compound C1) was used instead of Intermediate A1.

(2) 중간체 D1 의 제조(2) Preparation of intermediate D1

중간체 1-1b 대신 중간체 2-1b 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D1(14.2 g)을 제조하였다Intermediate D1 (14.2 g) was prepared in the same manner as Intermediate B1, except that Intermediate 2-1b was used instead of Intermediate 1-1b

제조예 2-2: 중간체 C2 및 D2 의 화합물 합성Production example 2-2: Synthesis of compound of intermediate C2 and D2

Figure 112017081634970-pat00031
Figure 112017081634970-pat00031

(1) 중간체 3-1a 의 제조(1) Preparation of intermediate 3-1a

질소 분위기에서 2,4-dibromopyridine (35.0 g, 0.15 mol)과 페닐 보론산 (phenylboronic acid) (20.20 g, 0.16 mol)을 테트라하이드로퓨란 300 mL에 녹인 후 1.5M 탄산칼륨수용액(150 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐 (3.44 g, 2.98 mmol)을 넣은 후 11 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 분리하여 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 컬럼크로마토그래피를 이용하여 재결정화시켜 건조하여 상기 중간체 3-1a를 제조하였다(29.1 g, 수율 84%, MS:[M+H]+= 233).After dissolving 2,4-dibromopyridine (35.0 g, 0.15 mol) and phenylboronic acid (20.20 g, 0.16 mol) in 300 mL of tetrahydrofuran in a nitrogen atmosphere, 1.5 M aqueous potassium carbonate solution (150 mL) was added And tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (3.44 g, 2.98 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 11 hours. The intermediate 3-1a was prepared (29.1 g, yield 84%, MS: < RTI ID = 0.0 > [M + H] < + > = 233).

(2) 중간체 C2 의 제조(2) Preparation of intermediate C2

2,4-dibromopyridine 대신 중간체 C2를 사용한 것을 제외하고 중간체 3-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C2를 제조하였다(23.8 g, 수율 83%, MS:[M+H]+= 232).(23.8 g, yield 83%, MS: [M + H] < + > = 232) was prepared in the same manner as Intermediate 3-1a except that Intermediate C2 was used in place of 2,4-dibromopyridine. .

(3) 중간체 3-1b 의 제조(3) Preparation of intermediate 3-1b

중간체 A1 대신 중간체 C2 (15.8 g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1b 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 3-1b 를 제조하였다(19.1 g, 수율 55%).Intermediate 3-1b was prepared (19.1 g, yield 55%) in the same manner as Intermediate 1-1b, except that Intermediate C2 (15.8 g) was used instead of Intermediate Al.

(4) 중간체 D2의 제조(4) Preparation of intermediate D2

중간체 1-1b 대신 중간체 3-1b 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D2(11.1 g)를 제조하였다Intermediate D2 (11.1 g) was prepared in the same manner as Intermediate B1 except for using Intermediate 3-1b instead of Intermediate 1-1b

제조예 2-3: 중간체 C3 및 D3 의 화합물 합성Production Example 2-3: Synthesis of Compound of Intermediate C3 and D3

Figure 112017081634970-pat00032
Figure 112017081634970-pat00032

(1) 중간체 C3 의 제조(1) Preparation of intermediate C3

2,4-dibromopyridine 대신 2-bromo-4-methylpyridine 를 사용한 것을 제외하고 중간체 3-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C3 를 제조하였다(51.0 g, 수율 86%, MS:[M+H]+= 170).(51.0 g, yield 86%, MS: [M + H 2]) was prepared in the same manner as Intermediate 3-1a except that 2-bromo-4-methylpyridine was used instead of 2,4-dibromopyridine ] + = 170).

(2) 중간체 4-1b 의 제조(2) Preparation of intermediate 4-1b

중간체 A1 대신 중간체 C3 (26.4 g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1b 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 4-1b를 제조하였다(32.1 g, 수율 50%).Intermediate 4-1b was prepared in the same manner as Intermediate 1-1b except that Intermediate C3 (26.4 g) was used instead of Intermediate Al (32.1 g, yield 50%).

(3) 중간체 D3의 제조(3) Preparation of intermediate D3

중간체 1-1b 대신 중간체 4-1b 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D3(20.0 g)를 제조하였다Intermediate D3 (20.0 g) was prepared in the same manner as Intermediate B1 except for using Intermediate 4-1b instead of Intermediate 1-1b

제조예 2-4: 중간체 C4 및 D4 의 화합물 합성Production Example 2-4: Synthesis of Intermediates C4 and D4

Figure 112017081634970-pat00033
Figure 112017081634970-pat00033

(1) 중간체 4-1a 의 제조(1) Preparation of intermediate 4-1a

2,4-dibromopyridine 대신 2,5-dibromopyridine를 사용한 것을 제외하고 중간체 3-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 4-1a를 제조하였다(30.1 g, 수율 87%, MS:[M+H]+= 234).Intermediate 4-1a was prepared in the same manner as Intermediate 3-1a except that 2,5-dibromopyridine was used instead of 2,4-dibromopyridine (30.1 g, yield 87%, MS: [M + H ] + = 234).

(2) 중간체 C4의 제조(2) Preparation of intermediate C4

2,4-dibromopyridine 대신 중간체 4-1a를 사용한 것을 제외하고 중간체 3-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C4를 제조하였다(24.9 g, 수율 83%, MS:[M+H]+= 232).(24.9 g, yield 83%, MS: [M + H] < + >) was prepared in the same manner as Intermediate 3-1a, except that Intermediate 4-1a was used instead of 2,4-dibromopyridine. 232).

(2) 중간체 5-1b의 제조(2) Preparation of intermediate 5-1b

중간체 A1 대신 중간체 C4 (15.0 g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1b를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 5-1b를 제조하였다(17.8 g, 수율 49%).Intermediate 5-1b was prepared in the same manner as Intermediate 1-1b except that Intermediate C4 (15.0 g) was used instead of Intermediate Al (17.8 g, yield 49%).

(4) 중간체 D4 의 제조(4) Preparation of intermediate D4

중간체 1-1b 대신 중간체 5-1b 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D4(10.3 g)를 제조하였다Intermediate D4 (10.3 g) was prepared in the same manner as Intermediate B1 except that Intermediate 5-1b was used instead of Intermediate 1-1b

제조예 2-5: 중간체 C5 및 D5 의 화합물 합성Production example 2-5: Synthesis of compound of intermediate C5 and D5

Figure 112017081634970-pat00034
Figure 112017081634970-pat00034

(1) 중간체 5-1a 의 제조(1) Preparation of intermediate 5-1a

2,4-dibromopyridine 대신 2,5-dibromo-4-methylpyridine를 사용한 것을 제외하고 중간체 3-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 5-1a 를 제조하였다(30.4 g, 수율 88%, MS:[M+H]+= 248).Intermediate 5-1a was prepared in the same manner as Intermediate 3-1a except that 2,5-dibromo-4-methylpyridine was used instead of 2,4-dibromopyridine (30.4 g, yield 88%, MS: [M + H] < + > = 248).

(2) 중간체 C5 의 제조(2) Preparation of intermediate C5

2,4-dibromopyridine 대신 중간체 5-1a를 사용한 것을 제외하고 중간체 3-1a를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C5를 제조하였다(24.2 g, 수율 81%, MS:[M+H]+= 246).The compound C5 was prepared in the same manner as Intermediate 3-1a except that Intermediate 5-1a was used instead of 2,4-dibromopyridine (24.2 g, yield 81%, MS: [M + H] + = 246).

(3) 중간체 6-1b 의 제조(3) Preparation of intermediate 6-1b

중간체 A1 대신 중간체 C5 (15.0 g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1b를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 6-1b를 제조하였다(16.5 g, 수율 48%).Intermediate 6-1b was prepared (16.5 g, yield 48%) in the same manner as Intermediate 1-1b except for using Intermediate C5 (15.0 g) instead of Intermediate Al.

(4) 중간체 D5 의 제조(4) Preparation of intermediate D5

중간체 1-1b 대신 중간체 6-1b를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D5(9.8 g)를 제조하였다Intermediate D5 (9.8 g) was prepared in the same manner as Intermediate B1, except that Intermediate 6-1b was used instead of Intermediate 1-1b

제조예 2-6: 중간체 C6 및 D6 의 화합물 합성Production Example 2-6: Synthesis of Compound C6 and D6

Figure 112017081634970-pat00035
Figure 112017081634970-pat00035

(1) 중간체 C6 의 제조(1) Preparation of intermediate C6

2,4-dibromopyridine과 페닐보론산 대신 2-bromopyridine과 [1,1'-biphenyl]-4-ylboronic acid를 사용한 것을 제외하고 중간체 3-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C6를 제조하였다(36.2 g, 수율 82%, MS:[M+H]+= 232).Compound C6 was prepared in the same manner as Intermediate 3-1a except that 2-bromopyridine and [1,1'-biphenyl] -4-ylboronic acid were used instead of 2,4-dibromopyridine and phenylboronic acid (36.2 g, yield 82%, MS: [M + H] < + > = 232).

(2) 중간체 7-1b 의 제조(2) Preparation of intermediate 7-1b

중간체 A1 대신 중간체 C6 (15.5 g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1b 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 7-1b를 제조하였다(19.0 g, 수율 51%).Intermediate 7-1b was prepared in the same manner as Intermediate 1-1b except that Intermediate C6 (15.5 g) was used instead of Intermediate A1 (19.0 g, yield 51%).

(3) 중간체 D6의 제조(3) Preparation of intermediate D6

중간체 1-1b 대신 중간체 7-1b를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D6(11.2 g)를 제조하였다Intermediate D6 (11.2 g) was prepared in the same manner as Intermediate B1, except that Intermediate 7-1b was used instead of Intermediate 1-1b

제조예 2-7: 중간체 C7 및 D7 의 화합물 합성Preparation Example 2-7: Synthesis of the compounds of Intermediates C7 and D7

Figure 112017081634970-pat00036
Figure 112017081634970-pat00036

(1) 중간체 C7 의 제조(1) Preparation of intermediate C7

2,4-dibromopyridine과 페닐보론산 대신 2-bromopyridine과 [1,1'-biphenyl]-3-ylboronic acid 를 사용한 것을 제외하고 중간체 3-1a 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C7를 제조하였다(37.5 g, 수율 85%, MS:[M+H]+= 232).Compound C7 was prepared in the same manner as Intermediate 3-1a except that 2-bromopyridine and [1,1'-biphenyl] -3-ylboronic acid were used instead of 2,4-dibromopyridine and phenylboronic acid (37.5 g, 85% yield, MS: [M + H] < + > = 232).

(2) 중간체 8-1b 의 제조(2) Preparation of Intermediate 8-1b

중간체 A1 대신 중간체 C7 (14.6 g)를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1b 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 8-1b를 제조하였다(18.4 g, 수율 53%).Intermediate 8-1b was prepared (18.4 g, yield 53%) in the same manner as Intermediate 1-1b except that Intermediate C7 (14.6 g) was used instead of Intermediate Al.

(3) 중간체 D7 의 제조(3) Preparation of intermediate D7

중간체 1-1b 대신 중간체 8-1b 를 사용한 것을 제외하고 중간체 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 D7(10.2 g)를 제조하였다Intermediate D7 (10.2 g) was prepared in the same manner as Intermediate B1, except that Intermediate 8-1b was used instead of Intermediate 1-1b

제조예 3-1: 화합물 1 의 화합물 합성Production Example 3-1: Synthesis of Compound 1 Compound

Figure 112017081634970-pat00037
Figure 112017081634970-pat00037

질소 분위기에서 화합물 B1 (8.5 g, 9.40mmol)과 화합물 C1 (3.6 g, 23.5mmol), MeOH 55ml, EtOH 55ml를 넣고 반응온도 90℃에서 48시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 필터하고 에틸아세테이트: 헥산 = 1:6 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 1(수율 41%)을 제조하였다.The compound B1 (8.5 g, 9.40 mmol), the compound C1 (3.6 g, 23.5 mmol), 55 ml of MeOH and 55 ml of EtOH were placed in a nitrogen atmosphere and stirred at a reaction temperature of 90 ° C for 48 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was filtered and purified by column chromatography under the conditions of ethyl acetate: hexane = 1: 6 to prepare Compound 1 (yield 41%).

제조예 3-2: 화합물 2 의 화합물 합성Production Example 3-2: Synthesis of Compound 2 Compound

Figure 112017081634970-pat00038
Figure 112017081634970-pat00038

중간체 C1 대신 중간체 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2(수율 39%)를 제조하였다.Compound 2 (yield 39%) was prepared in the same manner as Compound 1 except that Intermediate C5 was used instead of Intermediate C1.

제조예 3-3: 화합물 3 의 화합물 합성Production Example 3-3: Synthesis of Compound 3 Compound

Figure 112017081634970-pat00039
Figure 112017081634970-pat00039

중간체 C1 대신 중간체 C7를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 3(수율 42%)을 제조하였다.Compound 3 (yield 42%) was prepared in the same manner as Compound 1 except that Intermediate C7 was used instead of Intermediate C1.

제조예 3-4: 화합물 4 의 화합물 합성Production Example 3-4: Synthesis of Compound 4 Compound

Figure 112017081634970-pat00040
Figure 112017081634970-pat00040

중간체 B1과 중간체 C1 대신 중간체 B2와 중간체 C2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 4(수율 37%)를 제조하였다.Compound 4 (yield: 37%) was prepared in the same manner as Compound 1 except for using Intermediate B2 and Intermediate C2 instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-5: 화합물 5 의 화합물 합성Production Example 3-5: Synthesis of Compound 5 Compound

Figure 112017081634970-pat00041
Figure 112017081634970-pat00041

중간체 B1과 중간체 C1 대신 중간체 B3와 중간체 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 5(수율 39%)를 제조하였다.Compound 5 (yield 39%) was prepared in the same manner as Compound 1 except that Intermediate B3 and Intermediate C4 were used instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-6: 화합물 6 의 화합물 합성Production Example 3-6: Synthesis of Compound 6 Compound

Figure 112017081634970-pat00042
Figure 112017081634970-pat00042

중간체 B1과 중간체 C1 대신 중간체 B4와 중간체 C3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 6(수율 38%)을 제조하였다.Compound 6 (yield: 38%) was prepared in the same manner as in the preparation of compound 1, except for using intermediate B4 and intermediate C3 instead of intermediate B1 and intermediate C1.

제조예 3-7: 화합물 7 의 화합물 합성Production Example 3-7: Synthesis of Compound 7 Compound

Figure 112017081634970-pat00043
Figure 112017081634970-pat00043

중간체 B1과 중간체 C1 대신 중간체 D1과 중간체 A1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 7(수율 37%)를 제조하였다.Compound 7 (yield: 37%) was prepared in the same manner as Compound 1 except for using Intermediate D1 and Intermediate A1 instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-8: 화합물 8 의 화합물 합성Production Example 3-8: Synthesis of Compound 8 Compound

Figure 112017081634970-pat00044
Figure 112017081634970-pat00044

중간체 B1 과 중간체 C1 대신 중간체 D2 와 중간체 A1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 8(수율 40%)을 제조하였다.Compound 8 (yield 40%) was prepared in the same manner as compound 1 except for using intermediate D2 and intermediate A1 instead of intermediate B1 and intermediate C1.

제조예 3-9: 화합물 9 의 화합물 합성Production Example 3-9: Synthesis of Compound 9 Compound

Figure 112017081634970-pat00045
Figure 112017081634970-pat00045

중간체 B1 과 중간체 C1 대신 중간체 D3 와 중간체 A1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 9(수율 38%)를 제조하였다.Compound 9 (yield 38%) was prepared in the same manner as in the preparation of compound 1, except for using Intermediate D3 and Intermediate A1 instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-10: 화합물 10 의 화합물 합성Production Example 3-10: Synthesis of Compound 10 Compound

Figure 112017081634970-pat00046
Figure 112017081634970-pat00046

중간체 B1 과 중간체 C1 대신 중간체 D4 와 중간체 A1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 10(수율 42%)을 제조하였다.Compound 10 (42% yield) was prepared in the same manner as Compound 1 except that Intermediate D4 and Intermediate Al were used instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-11: 화합물 11 의 화합물 합성Production Example 3-11: Synthesis of Compound 11 Compound

Figure 112017081634970-pat00047
Figure 112017081634970-pat00047

중간체 B1 과 중간체 C1 대신 중간체 D2와 중간체 A2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 11(수율 40%)을 제조하였다.Compound 11 (yield 40%) was prepared in the same manner as compound 1 except for using Intermediate D2 and Intermediate A2 instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-12: 화합물 12 의 화합물 합성Production Example 3-12: Synthesis of Compound 12 Compound

Figure 112017081634970-pat00048
Figure 112017081634970-pat00048

중간체 B1 과 중간체 C1 대신 중간체 D5와 중간체 A2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 12(수율 42%)를 제조하였다.Compound 12 (yield 42%) was prepared in the same manner as Compound 1 except that Intermediate D5 and Intermediate A2 were used instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-13: 화합물 13 의 화합물 합성Production Example 3-13: Synthesis of Compound 13 Compound

Figure 112017081634970-pat00049
Figure 112017081634970-pat00049

중간체 B1과 중간체 C1 대신 중간체 D6와 중간체 A2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 13(수율 40%)를 제조하였다.Compound (13) (yield 40%) was prepared in the same manner as Compound 1 except for using Intermediate D6 and Intermediate A2 instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-14: 화합물 14 의 화합물 합성Production Example 3-14: Synthesis of Compound 14 Compound

Figure 112017081634970-pat00050
Figure 112017081634970-pat00050

중간체 B1 과 중간체 C1 대신 중간체 D3와 중간체 A3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 14(수율 37%)를 제조하였다.Compound 14 (yield: 37%) was prepared in the same manner as compound 1 except for using Intermediate D3 and Intermediate A3 instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-15: 화합물 15 의 화합물 합성Production Example 3-15: Synthesis of Compound 15 Compound

Figure 112017081634970-pat00051
Figure 112017081634970-pat00051

중간체 B1과 중간체 C1 대신 중간체 D5와 중간체 A3을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 15(수율 39%)를 제조하였다.Compound 15 (yield 39%) was prepared in the same manner as Compound 1 except that Intermediate D5 and Intermediate A3 were used instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-16: 화합물 16 의 화합물 합성Production Example 3-16: Synthesis of Compound 16 Compound

Figure 112017081634970-pat00052
Figure 112017081634970-pat00052

중간체 B1과 중간체 C1 대신 중간체 D7과 중간체 A3을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 16(수율 38%)를 제조하였다.Compound 16 (yield 38%) was prepared in the same manner as Compound 1 except for using Intermediate D7 and Intermediate A3 instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-17: 화합물 17 의 화합물 합성Production Example 3-17: Synthesis of Compound 17 Compound

Figure 112017081634970-pat00053
Figure 112017081634970-pat00053

중간체 B1과 중간체 C1 대신 중간체 D1과 중간체 A4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 17(수율 35%)를 제조하였다.Compound (17) (yield 35%) was prepared in the same manner as Compound 1 except that Intermediate D1 and Intermediate A4 were used instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-18: 화합물 18 의 화합물 합성Production Example 3-18: Synthesis of Compound 18 Compound

Figure 112017081634970-pat00054
Figure 112017081634970-pat00054

중간체 B1과 중간체 C1 대신 중간체 D4와 중간체 A4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 18(수율 39%)을 제조하였다.Compound 18 (yield 39%) was prepared in the same manner as Compound 1 except that Intermediate D4 and Intermediate A4 were used instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

제조예 3-19: 화합물 19 의 화합물 합성Production Example 3-19: Synthesis of Compound 19 Compound

Figure 112017081634970-pat00055
Figure 112017081634970-pat00055

중간체 C1 대신 중간체 A1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 19(수율 43%)를 제조하였다.Compound 19 (43% yield) was prepared in the same manner as Compound 1 except that Intermediate Al was used instead of Intermediate C1.

제조예 3-20: 화합물 20 의 화합물 합성Production Example 3-20: Synthesis of Compound 20 Compound

Figure 112017081634970-pat00056
Figure 112017081634970-pat00056

중간체 B1과 중간체 C1 대신 중간체 B3과 중간체 A3을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 20(수율 44%)을 제조하였다.Compound 20 (44% yield) was prepared in the same manner as Compound 1 except that Intermediate B3 and Intermediate A3 were used instead of Intermediate B1 and Intermediate C1.

실시예 1Example 1

ITO(indium tin oxide)가 1,300Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A thin glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) at a thickness of 1,300 Å was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. At this time, a Fischer Co. product was used as a detergent, and distilled water, which was filtered with a filter of Millipore Co., was used as distilled water. The ITO was washed for 30 minutes and then washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. Further, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.

상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene; HAT) 화합물을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 4-4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB; HT-1)을 250Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하고, HT-1 증착막 위에 HT-2 화합물을 50Å 두께로 진공 증착하여 전자 저지층을 형성하였다. 이어서, 상기 HT-2 증착막 위에 호스트로서 화합물 H1과 H2, 그리고 제조예 3-1에서 제조한 인광 도펀트인 화합물 1을 44:44:12의 중량비로 공증착하여 400Å 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 ET-1 물질을 250Å의 두께로 진공 증착하고, 추가로 ET-2 물질을 100Å 두께로 2% 중량비의 Li과 공증착하여 전자 수송층 및 전자 주입층을 형성하였다. 상기 전자 주입층 위에 1000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. The following hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) compound was thermally vacuum deposited on the prepared ITO transparent electrode to a thickness of 50 Å to form a hole injection layer. N-phenylamino] biphenyl (NPB; HT-1), which is a material for transporting holes, was thermally vacuum deposited to a thickness of 250 Å to form a hole transport layer And an HT-2 compound was vacuum deposited on the HT-1 vapor deposition layer to a thickness of 50 Å to form an electron blocking layer. Compound H1 and H2 as a host and compound 1 as a phosphorescent dopant prepared in Production Example 3-1 were co-deposited on the HT-2 deposited film at a weight ratio of 44:44:12 to form a 400Å thick light emitting layer. An ET-1 material was vacuum deposited on the light-emitting layer to a thickness of 250 ANGSTROM and an ET-2 material was co-deposited with a 2% weight ratio Li to a thickness of 100 ANGSTROM to form an electron transport layer and an electron injection layer. Aluminum was deposited on the electron injecting layer to a thickness of 1000 to form a cathode.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å / sec, the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å / sec, and the vacuum degree during deposition was maintained at 1 × 10 -7 to 5 × 10 -8 torr Thus, an organic light emitting device was fabricated.

Figure 112017081634970-pat00057
Figure 112017081634970-pat00057

실시예 2 내지 9Examples 2 to 9

발광층 형성시 인광 도판트로서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 각각 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 실시예 2 내지 9의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다. The organic light emitting devices of Examples 2 to 9 were fabricated in the same manner as in Example 1, except that the compound described in Table 1 was used instead of Compound 1 as the phosphorescent dopant.

비교예 1 내지 3Comparative Examples 1 to 3

발광층 형성시 도판트로서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 비교예 1 내지 3의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다.Organic light-emitting devices of Comparative Examples 1 to 3 were fabricated in the same manner as in Example 1, except that the compound described in Table 1 was used instead of Compound 1 as a dopant.

Figure 112017081634970-pat00058
Figure 112017081634970-pat00058

실험예 1Experimental Example 1

상기 실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 3에서 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하여, 전압, 효율, 색좌표, 및 수명을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. The voltage, efficiency, color coordinates, and lifetime were measured by applying current to the organic light emitting devices fabricated in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 3, and the results are shown in Table 1 below.

T95는 휘도가 초기 휘도에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.T95 means the time required for the luminance to be reduced to 95% from the initial luminance.

도펀트
물질
Dopant
matter
전압
(V
@10mA/cm2)
Voltage
(V
@ 10 mA / cm 2 )
효율
(cd/A
@10mA/cm2)
efficiency
(cd / A
@ 10 mA / cm 2 )
색좌표
(x,y)
Color coordinates
(x, y)
수명
(T95, h,
@50mA/cm2)
life span
(T95, h,
@ 50 mA / cm 2 )
실시예 1Example 1 1One 3.33.3 8080 (0.443, 0.520)(0.443, 0.520) 151151 실시예 2Example 2 22 3.13.1 8181 (0.420, 0.534)(0.420, 0.534) 221221 실시예 3Example 3 33 3.053.05 7979 (0.386, 0.539)(0.386, 0.539) 237237 실시예 4Example 4 44 3.093.09 7979 (0.422, 0.530)(0.422, 0.530) 201201 실시예 5Example 5 66 3.23.2 8080 (0.445, 0.518)(0.445, 0.518) 176176 실시예 6Example 6 77 3.13.1 8080 (0.446, 0.515)(0.446, 0.515) 230230 실시예 7Example 7 99 3.33.3 7878 (0.352, 0.531)(0.352, 0.531) 170170 실시예 8Example 8 1313 3.23.2 8080 (0.358, 0.520)(0.358, 0.520) 208208 실시예 9Example 9 1919 3.33.3 8383 (0.445, 0.511)(0.445, 0.511) 183183 비교예 1Comparative Example 1 YGDYGD 3.533.53 6767 (0.45, 0.54)(0.45, 0.54) 140140 비교예 2Comparative Example 2 E1E1 3.443.44 7171 (0.44, 0.54)(0.44, 0.54) 100100 비교예 3Comparative Example 3 E2E2 3.523.52 7575 (0.44, 0.55)(0.44, 0.55) 112112

상기 표 1 에서 알 수 있듯이, 본 발명의 화합물을 인광 도판트 물질로 사용한 경우, E1과 E2의 화합물을 사용한 비교예에 비해 수명 측면에서 우수한 특성을 나타내는 것을 확인하였다. 이를 통해 TMS 치환기가 수명에 영향을 미치는 것을 확인할 수 있었다. 또, 실시예 2 내지 4, 6 및 8의 경우 비교예 2와 비교하여 약 2배 이상 수명특성이 증가하였다. 이 같은 결과로부터 실릴 치환기의 유무 및 치환 위치에 따라 수명 차이가 현저함을 확인할 수 있다.As can be seen from the above Table 1, when the compound of the present invention was used as a phosphorescent dopant, it was confirmed that the phosphorescent dopant exhibited excellent lifetime characteristics in comparison with the comparative example using the compounds of E1 and E2. It was confirmed that the TMS substituent affects the lifetime. In the case of Examples 2 to 4, 6 and 8, the life characteristics were improved by about two times or more as compared with Comparative Example 2. From these results, it can be seen that the life time difference is remarkable depending on the presence or absence of the silyl substituent and the substitution position.

1: 기판 2: 양극
3: 발광층 4: 음극
5: 정공주입층 6: 정공수송층
7: 발광층 8: 전자수송층
1: substrate 2: anode
3: light emitting layer 4: cathode
5: Hole injection layer 6: Hole transport layer
7: light emitting layer 8: electron transporting layer

Claims (9)

하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물:
[화학식 1]
Figure 112019023698518-pat00059


상기 화학식 1에서,
M은 이리듐(Ir)이고,
R1은 수소이고,
R2 및 R3은 각각 독립적으로, 수소, 메틸, 에틸 또는 페닐이고,
R11 내지 R13은 메틸이고,
a1은 0 내지 7의 정수이고,
a2 및 a3는 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이고,
b는 1이고,
a1+b는 8 이하이고,
n은 1, 2, 또는 3이다.
An organometallic compound represented by the following formula (1):
[Chemical Formula 1]
Figure 112019023698518-pat00059


In Formula 1,
M is iridium (Ir)
R < 1 > is hydrogen,
R 2 and R 3 are each independently hydrogen, methyl, ethyl or phenyl,
R 11 to R 13 are methyl,
a1 is an integer of 0 to 7,
a2 and a3 are each independently an integer of 0 to 4,
b is 1,
a1 + b is 8 or less,
n is 1, 2, or 3;
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-8로 표시되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 유기금속 화합물:
Figure 112017081634970-pat00060

Figure 112017081634970-pat00061

상기 화학식 1-1 내지 1-8에서,
R1 내지 R3 및 R11 내지 R13, a1 내지 a3 및 n은 제1항에서 정의한 바와 같다.
The method according to claim 1,
Wherein said compound is any one selected from the group consisting of the following chemical formulas 1-1 to 1-8:
Figure 112017081634970-pat00060

Figure 112017081634970-pat00061

In the above formulas 1-1 to 1-8,
R 1 to R 3 and R 11 to R 13 , a 1 to a 3 and n are as defined in claim 1.
제1항에 있어서,
상기 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 유기금속 화합물:
Figure 112017081634970-pat00062

Figure 112017081634970-pat00063

Figure 112017081634970-pat00064

Figure 112017081634970-pat00065

Figure 112017081634970-pat00066

Figure 112017081634970-pat00067

Figure 112017081634970-pat00068

Figure 112017081634970-pat00069

Figure 112017081634970-pat00070

Figure 112017081634970-pat00071

Figure 112017081634970-pat00072

Figure 112017081634970-pat00073

Figure 112017081634970-pat00074

Figure 112017081634970-pat00075

The method according to claim 1,
Wherein the compound is any one selected from the group consisting of the following compounds:
Figure 112017081634970-pat00062

Figure 112017081634970-pat00063

Figure 112017081634970-pat00064

Figure 112017081634970-pat00065

Figure 112017081634970-pat00066

Figure 112017081634970-pat00067

Figure 112017081634970-pat00068

Figure 112017081634970-pat00069

Figure 112017081634970-pat00070

Figure 112017081634970-pat00071

Figure 112017081634970-pat00072

Figure 112017081634970-pat00073

Figure 112017081634970-pat00074

Figure 112017081634970-pat00075

제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물 층 중 1층 이상은 제1항, 제6항 및 제7항 중 어느 하나의 항에 따른 유기금속 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
A first electrode; A second electrode facing the first electrode; And at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes at least one of the organic material layers of any one of claims 1, 6, and 7 Wherein the organic metal compound is an organic metal compound.
제8항에 있어서,
상기 유기물 층은 발광층을 포함하고,
상기 유기금속 화합물은 상기 발광층의 인광 도펀트로서 포함되는, 유기 발광 소자.
9. The method of claim 8,
Wherein the organic layer includes a light emitting layer,
Wherein the organic metal compound is included as a phosphorescent dopant of the light emitting layer.
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