KR101954221B1 - Organic light emitting diode display and method for repairing organic light emitting diode display - Google Patents

Organic light emitting diode display and method for repairing organic light emitting diode display Download PDF

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Abstract

유기 발광층이 위치하는 발광 영역 및 상기 발광 영역과 이웃하는 비발광 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치는 상기 발광 영역에 위치하며 상기 발광 영역을 가로지르는 가상의 커팅선을 따라 분할된 복수의 분할 영역을 포함하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 상기 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2 전극, 상기 제1 전극에 연결된 구동 박막 트랜지스터, 및 상기 비발광 영역에 위치하며 상기 복수의 분할 영역 각각과 상기 구동 박막 트랜지스터 사이를 연결하는 복수의 인입단을 포함한다.An organic light emitting display including a light emitting region in which an organic light emitting layer is disposed and a non-light emitting region adjacent to the light emitting region includes a plurality of divided regions that are located in the light emitting region and are divided along a virtual cutting line crossing the light emitting region A second electrode located on the organic light emitting layer, a driving thin film transistor connected to the first electrode, and a second thin film transistor located in the non-light emitting region, And a plurality of inlets for connecting the respective divided regions to the driving thin film transistor.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY AND METHOD FOR REPAIRING ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and an OLED display device,

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 리페어가 용이한 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display and a method for repairing an OLED display, and more particularly, to an OLED display and a repair method thereof.

표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)가 주목 받고 있다.BACKGROUND ART [0002] A display device is an apparatus for displaying an image. Recently, an organic light emitting diode (OLED) display has attracted attention.

유기 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.The OLED display has a self-emission characteristic, and unlike a liquid crystal display device, a separate light source is not required, so that the thickness and weight can be reduced. Further, the organic light emitting display device exhibits high-quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high reaction speed.

종래의 유기 발광 표시 장치는 제1 전극, 제1 전극 상에 위치하는 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함한다.A conventional OLED display includes a first electrode, a second electrode disposed on the first electrode, and an organic light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode.

그런데, 종래의 유기 발광 표시 장치는 제조 공정 중 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극 각각에 의도치 않은 파티클(particle)이 위치할 경우, 제1 전극과 제2 전극이 단락(short circuit)되어 유기 발광층이 발광되지 않는 문제점이 있었다.However, in a conventional organic light emitting diode display device, when unintentional particles are located in each of the first electrode, the organic light emitting layer, and the second electrode during the manufacturing process, the first electrode and the second electrode are short-circuited There is a problem that the organic light emitting layer does not emit light.

본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 제조 공정 중 의도치 않은 파티클에 의해 제1 전극과 제2 전극이 단락되더라도 유기 발광층이 발광되는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법을 제공하고자 한다.An embodiment of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device and an organic light emitting display device in which an organic light emitting layer emits light even if a first electrode and a second electrode are short- We want to provide a repair method.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제1 측면은 유기 발광층이 위치하는 발광 영역 및 상기 발광 영역과 이웃하는 비발광 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 발광 영역에 위치하며, 상기 발광 영역을 가로지르는 가상의 커팅선을 따라 분할된 복수의 분할 영역을 포함하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 상기 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2 전극, 상기 제1 전극에 연결된 구동 박막 트랜지스터, 및 상기 비발광 영역에 위치하며, 상기 복수의 분할 영역 각각과 상기 구동 박막 트랜지스터 사이를 연결하는 복수의 인입단을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.According to a first aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including a light emitting region in which an organic light emitting layer is disposed and a non-emitting region adjacent to the light emitting region, A first electrode including a plurality of divided regions divided along a virtual cutting line across the light emitting region, the organic light emitting layer located on the first electrode, the second electrode located on the organic light emitting layer, A driving thin film transistor connected to the electrode, and a plurality of inlets for connecting the plurality of divided regions to the driving thin film transistor, the plurality of inlets being located in the non-emission region.

상기 제1 전극 및 상기 유기 발광층은 상기 가상의 커팅선을 따라 레이저에 의해 절단된 상태일 수 있다.The first electrode and the organic light emitting layer may be cut by a laser along the imaginary cutting line.

상기 복수의 분할 영역 중 하나의 분할 영역에 대응하는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 단락(short circuit)된 상태일 수 있다.The first electrode and the second electrode corresponding to one of the plurality of divided regions may be short-circuited.

상기 복수의 인입단과 상기 제1 전극은 일체일 수 있다.The plurality of input terminals and the first electrode may be integrated.

상기 복수의 인입단과 상기 제1 전극은 서로 다른 재료로 형성될 수 있다.The plurality of input terminals and the first electrode may be formed of different materials.

상기 제2 전극은 광반사형 전극일 수 있다.The second electrode may be a light reflective electrode.

상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 전극이 상측에 위치하는 광투과성 기판을 포함할 수 있다.The OLED display may include a light-transmissive substrate on which the first electrode is disposed.

상기 광투과성 기판과 상기 제1 전극 사이에는 광투과성 절연층만이 위치할 수 있다.Only the light-transmitting insulating layer may be disposed between the light-transmitting substrate and the first electrode.

또한, 본 발명의 제2 측면은 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치를 제공하는 단계, 및 레이저를 이용해 상기 가상의 커팅선을 따라 상기 제1 전극 및 상기 유기 발광층을 절단하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법을 제공한다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a repair method for an organic light emitting display, comprising: providing the organic light emitting display; cutting the first electrode and the organic light emitting layer along a virtual cutting line using a laser; The method comprising the steps of:

상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 전극이 상측에 위치하는 광투과성 기판을 포함하며, 상기 제1 전극 및 상기 유기 발광층을 절단하는 단계는 상기 기판으로 상기 레이저를 조사하여 수행할 수 있다.The organic light emitting diode display may include a light transmitting substrate having the first electrode located on the upper side, and the step of cutting the first electrode and the organic light emitting layer may be performed by irradiating the substrate with the laser.

상기 레이저는 Nd:YAG UV 레이저이며, 30nm 내지 200nm의 파장 범위를 가질 수 있다.The laser is an Nd: YAG UV laser and may have a wavelength range of 30 nm to 200 nm.

상기 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법은 상기 유기 발광층의 발광을 확인하는 단계를 더 포함할 수 있다.The repairing method of the organic light emitting display may further include confirming light emission of the organic light emitting layer.

상술한 본 발명의 과제 해결 수단의 일부 실시예 중 하나에 의하면, 제조 공정 중 의도치 않은 파티클에 의해 제1 전극과 제2 전극이 단락되더라도 유기 발광층이 발광되는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법이 제공된다.According to one embodiment of the present invention, an organic light emitting display device in which an organic light emitting layer emits light even when a first electrode and a second electrode are short-circuited by unintentional particles during a manufacturing process, Repair method is provided.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 나타낸 배치도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view illustrating an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention.
2 is a layout diagram showing part A of Fig.
3 is a sectional view taken along the line III-III in Fig.
4 is a flowchart illustrating a repair method of an OLED display according to a second embodiment of the present invention.
5 to 7 are views for explaining a repair method of an OLED display according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In addition, since the sizes and thicknesses of the respective components shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 또는 "상측에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. In the drawings, for the convenience of explanation, the thicknesses of some layers and regions are exaggerated. It will be understood that when a layer, film, region, plate, or other portion is referred to as being "on" or "on" another portion, .

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에" 또는 "~상측에" 라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.Also, throughout the specification, when an element is referred to as "including" an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise. Also, throughout the specification, the term " on "or" above " means located above or below the object portion and does not necessarily mean that the object is located on the image side with respect to the gravitational direction .

또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.In the accompanying drawings, an active matrix (AM) organic light emitting display device having a 2Tr-1Cap structure having two thin film transistors (TFT) and one capacitor in one pixel However, the present invention is not limited thereto. Therefore, the organic light emitting display device may have three or more thin film transistors and two or more charge accumulating elements in one pixel, or may be formed to have various structures by forming additional wiring lines. Here, the pixel is a minimum unit for displaying an image, and the organic light emitting display displays an image through a plurality of pixels.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다.Hereinafter, an OLED display according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(SUB), 게이트 구동부(GD), 게이트 배선들(GW), 데이터 구동부(DD), 데이터 배선들(DW) 및 화소(PE)를 포함한다. 여기서, 화소(PE)는 이미지(iamge)을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소(PE)를 통해 이미지를 표시한다.1, an OLED display according to a first exemplary embodiment of the present invention includes a substrate SUB, a gate driver GD, gate lines GW, a data driver DD, DW and a pixel PE. Here, the pixel PE refers to a minimum unit for displaying an image (iamge), and the organic light emitting display displays an image through a plurality of pixels PE.

기판(SUB)은 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등으로 이루어진 투명한 광투과성 기판으로 형성된다. 그러나 본 발명의 제1 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(SUB)이 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다. 또한, 기판(SUB)이 플라스틱 등으로 만들어질 경우 유기 발광 표시 장치는 플렉서블(flexible)한 특성 또는 롤러블(rollable)한 특성을 가질 수 있다.The substrate SUB is formed of a transparent light-transmissive substrate made of glass, quartz, ceramics, plastic, or the like. However, the first embodiment of the present invention is not limited thereto, and the substrate SUB may be formed of a metallic substrate made of stainless steel or the like. Further, when the substrate SUB is made of plastic or the like, the OLED display device may have a flexible characteristic or a rollable characteristic.

게이트 구동부(GD)는 도시되지 않은 외부의 제어회로, 예컨대 타이밍 제어부 등으로부터 공급되는 제어신호에 대응하여 게이트 배선들(GW)에 스캔 신호를 순차적으로 공급한다. 그러면, 화소(PE)는 스캔 신호에 의해 선택되어 순차적으로 데이터 신호를 공급받는다.The gate driver GD sequentially supplies the scan signals to the gate lines GW in response to a control signal supplied from an external control circuit (not shown) such as a timing controller. Then, the pixel PE is selected by the scan signal and sequentially supplied with the data signal.

게이트 배선들(GW)은 후술할 제1 절연층(140)(도 3에 도시됨)을 사이에 두고 기판(SUB) 상에 위치하며, 제1 방향으로 연장되어 있다. 게이트 배선들(GW)은 스캔 라인(S1~Sn)을 포함하며, 이 스캔 라인(Sn)은 게이트 구동부(GD)와 연결되어 게이트 구동부(GD)로부터 스캔 신호를 공급받는다.The gate wirings GW are located on the substrate SUB with a first insulating layer 140 (shown in Fig. 3) interposed therebetween, and extend in the first direction. The gate lines GW include scan lines S1 to Sn which are connected to the gate driver GD and receive a scan signal from the gate driver GD.

한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 배선들(GW)이 스캔 라인(Sn)을 포함하나, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 배선들이 추가적인 스캔 라인, 초기화 전원 라인, 발광 제어 라인 등을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치는 6Tr-2Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 유기 발광 표시 장치일 수 있다.In the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention, the gate lines GW include the scan lines Sn, Line, an initialization power line, an emission control line, and the like. In this case, the organic light emitting display may be an active matrix (AM) organic light emitting organic light emitting display having a 6Tr-2Cap structure.

데이터 구동부(DD)는 타이밍 제어부 등의 외부로부터 공급되는 제어신호에 대응하여 데이터 배선들(DW) 중 데이터 라인(Dm)으로 데이터 신호를 공급한다. 데이터 라인(Dm)으로 공급된 데이터 신호는 스캔 라인(Sn)으로 스캔 신호가 공급될 때마다 스캔 신호에 의해 선택된 화소(PE)로 공급된다. 그러면, 화소(PE)는 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전하고 이에 대응하는 휘도로 발광한다.The data driver DD supplies a data signal to the data line Dm among the data lines DW in response to a control signal supplied from the outside such as a timing controller. The data signal supplied to the data line Dm is supplied to the pixel PE selected by the scan signal whenever the scan signal is supplied to the scan line Sn. Then, the pixel PE charges the voltage corresponding to the data signal and emits light at the luminance corresponding thereto.

데이터 배선들(DW)은 후술할 제2 절연층(170)(도 3에 도시됨)을 사이에 두고 게이트 배선들(GW) 상에 위치하며, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 있다. 데이터 배선들(DW)은 데이터 라인(D1~Dm) 및 구동 전원 라인(Un)을 포함한다. 데이터 라인(Dm)은 데이터 구동부(DD)와 연결되어 있으며, 데이터 구동부(DD)로부터 데이터 신호를 공급받는다. 구동 전원 라인(Un)은 외부의 제1 전원(ELVDD)과 연결되어 있으며, 제1 전원(ELVDD)으로부터 구동 전원을 공급받는다.The data lines DW are located on the gate lines GW with a second insulating layer 170 (shown in Fig. 3) interposed therebetween, and extend in a second direction intersecting the first direction have. The data lines DW include data lines D1 to Dm and driving power lines Un. The data line Dm is connected to the data driver DD and receives a data signal from the data driver DD. The driving power supply line Un is connected to an external first power supply ELVDD and receives driving power from the first power supply ELVDD.

화소(PE)는 게이트 배선들(GW) 및 데이터 배선들(DW)이 교차하는 영역에 위치하여 게이트 배선들(GW) 및 데이터 배선들(DW)과 연결되어 있다. 화소(PE)는 제1 전원(ELVDD), 게이트 배선들(GW) 및 데이터 배선들(DW)과 연결된 박막 트랜지스터와 캐패시터 및 박막 트랜지스터와 제2 전원(ELVSS) 사이에 연결된 유기 발광 소자를 포함한다. 화소(PE)는 스캔 라인(Sn)을 통해 스캔 신호가 공급될 때 선택되어, 데이터 라인(Dm)을 통해 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전하고, 충전된 전압에 대응하여 소정 휘도의 빛을 발광한다. 화소(PE)의 자세한 배치에 대해서는 후술한다.The pixel PE is located in a region where the gate wirings GW and the data wirings DW intersect and is connected to the gate wirings GW and the data wirings DW. The pixel PE includes a thin film transistor connected to the first power source ELVDD, the gate lines GW and the data lines DW, and an organic light emitting element connected between the capacitor and the thin film transistor and the second power source ELVSS . The pixel PE is selected when a scan signal is supplied through the scan line Sn to charge a voltage corresponding to the data signal through the data line Dm and emit light of a predetermined luminance corresponding to the charged voltage do. The detailed arrangement of the pixels PE will be described later.

이하, 우선 도 2를 참조하여 화소(PE)의 배치에 대하여 자세히 설명한다.Hereinafter, the arrangement of the pixels PE will be described in detail with reference to FIG.

도 2는 도 1의 A 부분을 나타낸 배치도이다.2 is a layout diagram showing part A of Fig.

도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 화소(PE)는 유기 발광 소자(organic light emitting diode)(70), 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)들(10, 20), 그리고 하나의 캐패시터(90)가 배치된 2Tr-1Cap 구조를 갖는다. 하지만, 본 발명의 다른 실시예에서는 하나의 화소가 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 캐패시터가 배치된 구조를 가질 수 있다. 또한, 화소(PE)는 유기 발광층(720)이 위치하는 발광 영역(EA) 및 발광 영역(EA)과 이웃하는 비발광 영역(NEA)을 포함한다.As shown in FIG. 2, one pixel PE includes an organic light emitting diode 70, two thin film transistors (TFTs) 10 and 20, Lt; RTI ID = 0.0 > 2Tr-1Cap < / RTI > However, in another embodiment of the present invention, one pixel may have a structure in which three or more thin film transistors and two or more capacitors are arranged. The pixel PE includes a light emitting region EA where the organic light emitting layer 720 is located and a non-light emitting region NEA adjacent to the light emitting region EA.

구체적으로, 본 발명의 제1 실시예에서, 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소(PE)마다 각각 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(10)와 구동 박막 트랜지스터(20)를 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(10) 및 구동 박막 트랜지스터(20)는 각각 게이트 전극(153, 156), 액티브층(133, 136), 소스 전극(184, 187), 및 드레인 전극(185, 188)을 포함한다.Specifically, in the first embodiment of the present invention, the organic light emitting display includes a switching thin film transistor 10 and a driving thin film transistor 20 formed for each pixel PE. The switching thin film transistor 10 and the driving thin film transistor 20 include gate electrodes 153 and 156, active layers 133 and 136, source electrodes 184 and 187, and drain electrodes 185 and 188, respectively .

데이터 라인(Dm)에는 스위칭 박막 트랜지스터(10)의 소스 전극(184)이 연결되고, 스캔 라인(Sn)에는 스위칭 박막 트랜지스터(10)의 게이트 전극(153)이 연결된다. 그리고 스위칭 박막 트랜지스터(10)의 드레인 전극(185)과 캐패시터(90) 사이에 노드가 형성되어 스위칭 박막 트랜지스터(10)의 드레인 전극(185)은 캐패시터(90)의 제1 캐패시터 전극(139)과 연결된다. 또한, 스위칭 박막 트랜지스터(10)의 드레인 전극(185)은 구동 박막 트랜지스터(20)의 게이트 전극(156)이 연결된다. 그리고 구동 박막 트랜지스터(20)의 소스 전극(187)에는 구동 전원 라인(Un)이 연결되며, 드레인 전극(188)에는 복수의 인입단(740)을 통해 유기 발광 소자(70)의 애노드 전극인 제1 전극(710)이 연결된다.A source electrode 184 of the switching thin film transistor 10 is connected to the data line Dm and a gate electrode 153 of the switching thin film transistor 10 is connected to the scan line Sn. A node is formed between the drain electrode 185 and the capacitor 90 of the switching thin film transistor 10 so that the drain electrode 185 of the switching thin film transistor 10 is connected to the first capacitor electrode 139 of the capacitor 90 . The drain electrode 185 of the switching thin film transistor 10 is connected to the gate electrode 156 of the driving thin film transistor 20. The driving power line Un is connected to the source electrode 187 of the driving thin film transistor 20 and the drain electrode 188 is connected to the anode electrode of the organic light emitting element 70 through a plurality of lead- One electrode 710 is connected.

스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소(PE)을 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 박막 트랜지스터(10)가 순간적으로 턴 온되면 캐패시터(90)는 축전되고, 이때 축전되는 전하량은 데이터 라인(Dm)으로부터 인가되는 전압에 비례한다. 그리고 스위칭 박막 트랜지스터(10)가 턴 오프된 상태에서 구동 박막 트랜지스터(20)의 게이트 전위는 캐패시터(90)에 축전된 전위를 따라서 상승한다. 그리고 구동 박막 트랜지스터(20)는 게이트 전위가 문턱 전압을 넘으면 턴온된다. 그러면 구동 전원 라인(Un)에 인가되던 전압이 구동 박막 트랜지스터(20)를 통하여 유기 발광 소자(70)에 인가되고, 유기 발광 소자(70)는 발광된다.The switching thin film transistor 10 is used as a switching element for selecting a pixel PE to emit light. When the switching thin film transistor 10 is momentarily turned on, the capacitor 90 is charged, and the amount of charge stored at this time is proportional to the voltage applied from the data line Dm. When the switching thin film transistor 10 is turned off, the gate potential of the driving thin film transistor 20 rises along the potential stored in the capacitor 90. The driving thin film transistor 20 is turned on when the gate potential exceeds the threshold voltage. Then, the voltage applied to the driving power supply line (Un) is applied to the organic light emitting element (70) through the driving thin film transistor (20), and the organic light emitting element (70) emits light.

유기 발광 소자(70)는 정공 주입 전극으로서 기능하는 애노드(anode) 전극인 제1 전극(710)과, 전자 주입 전극으로서 기능하는 캐소드(cathode) 전극인 제2 전극(730), 제1 전극(710)과 제2 전극(730) 사이에 배치된 유기 발광층(720), 및 구동 박막 트랜지스터(20)와 제1 전극(710) 사이를 연결하는 복수의 인입단(740)을 포함한다.The organic light emitting diode 70 includes a first electrode 710 serving as an anode electrode functioning as a hole injecting electrode, a second electrode 730 serving as a cathode electrode serving as an electron injecting electrode, An organic light emitting layer 720 disposed between the first electrode 710 and the second electrode 730 and a plurality of inlets 740 connecting between the first electrode 710 and the driving thin film transistor 20.

제1 전극(710)은 유기 발광층(720)과 대응하여 발광 영역(EA)에 위치하며, 발광 영역(EA)을 가로지르는 가상의 커팅선(CL)을 따라 분할된 복수의 분할 영역(DA)을 포함한다. 제1 전극(710)은 광 투과성 또는 광 반투과성 전극이며, 유기 발광층(720)에서 발광된 빛은 제1 전극(710)을 거쳐 기판(SUB)을 통해 외부로 시인된다.The first electrode 710 is located in the light emitting region EA corresponding to the organic light emitting layer 720 and includes a plurality of divided regions DA divided along a virtual cutting line CL crossing the light emitting region EA, . The first electrode 710 is a light transmissive or light semi-transmissive electrode, and the light emitted from the organic light emitting layer 720 is visible through the substrate SUB via the first electrode 710.

유기 발광층(720)은 제1 전극(710)과 제2 전극(730) 사이에 위치하며, 상술한 바와 같이 발광되는 부분이다.The organic light emitting layer 720 is located between the first electrode 710 and the second electrode 730 and is a light emitting portion as described above.

제2 전극(730)은 유기 발광층(720) 상에 위치하며, 도 1에 도시된 바와 같이 판 형상으로 유기 발광 표시 장치의 전면에 걸쳐서 위치하고 있다. 제2 전극(730)은 광 반사성 전극이며, 유기 발광층(720)에서 발광된 빛은 제2 전극(730)에 의해 반사되어 제1 전극(710) 측으로 조사되어 기판(SUB)을 통해 외부로 시인된다. 즉, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 배면 발광 구조이다.The second electrode 730 is disposed on the organic light emitting layer 720 and is positioned over the front surface of the organic light emitting display as a plate as shown in FIG. The second electrode 730 is a light reflective electrode and the light emitted from the organic light emitting layer 720 is reflected by the second electrode 730 and irradiated toward the first electrode 710 to be visually recognized through the substrate SUB do. That is, the OLED display according to the first embodiment of the present invention is a bottom emission structure.

복수의 인입단(740)은 비발광 영역(NEA)에 위치하며, 제1 전극(710)에 포함된 복수의 분할 영역(DA) 각각과 구동 박막 트랜지스터(20)의 드레인 전극(188) 사이를 연결하고 있다. 복수의 인입단(740)은 제1 전극(710)과 일체로 형성되어 있으며, 제1 전극(710)과 동시에 형성될 수 있다. 즉, 한번의 포토리소그래피(photolithography) 공정 등의 멤스 공정을 통해 제1 전극(710)을 형성할 때, 복수의 인입단(740)을 형성하여 인입단(740)을 형성하기 위한 전체적인 제조 공정을 간소화할 수 있다.The plurality of lead-in terminals 740 are located in the non-emission area NEA, and a plurality of lead-in terminals 740 are formed between each of the plurality of divided areas DA included in the first electrode 710 and the drain electrode 188 of the drive thin film transistor 20 It is connected. The plurality of lead-in terminals 740 are integrally formed with the first electrode 710 and may be formed simultaneously with the first electrode 710. That is, when the first electrode 710 is formed through a MEMS process such as a single photolithography process, the entire manufacturing process for forming the lead-in end 740 by forming a plurality of lead-in ends 740 It can be simplified.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 복수의 인입단은 제1 전극(710)과 서로 다른 재료로 형성될 수 있으며, 이 경우 제1 전극(710)과 복수의 인입단은 서로 다른 공정에 의해 형성되어 서로 다른 층에 위치할 수 있다.Meanwhile, in the organic light emitting display according to another embodiment of the present invention, the plurality of lead-in terminals may be formed of different materials from the first electrode 710. In this case, the first electrode 710 and the plurality of lead- They may be formed by different processes and located in different layers.

도 2에 도시된 2개의 화소(PE) 중 좌측의 화소(PE)의 제1 전극(710) 및 유기 발광층(720)은 가상의 커팅선(CL)을 따라 레이저에 의해 절단된 상태이다. 레이저에 의해 절단된 제1 전극(710)의 분할 영역(DA) 중 하나의 분할 영역(DA)에 대응하는 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)은 상호 단락(short circuit)된 상태이며, 이 단락된 분할 영역(DA)에 위치하는 유기 발광층(720)은 발광하지 않으며, 단락되지 않은 분할 영역(DA)에 위치하는 유기 발광층(720)은 발광한다. 가상의 커팅선(CL)은 전체 발광 영역(EA)을 둘로 나누도록 전체 발광 영역(EA)의 중심을 가로지를 수 있다.The first electrode 710 and the organic light emitting layer 720 of the left pixel PE among the two pixels PE shown in FIG. 2 are cut along the imaginary cutting line CL by the laser. The first electrode 710 and the second electrode 730 corresponding to one of the divided areas DA of the first electrode 710 cut by the laser are short-circuited And the organic light emitting layer 720 located in the shorted parting area DA does not emit light and the organic light emitting layer 720 located in the shorted parting area DA emits light. The imaginary cutting line CL may intersect the center of the entire luminescent area EA so as to divide the whole luminescent area EA into two.

이하, 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(PE) 중 커팅선(CL)을 따라 레이저에 의해 절단된 화소(PE)의 구조를 적층 순서에 따라 상세히 설명한다.3, a structure of a pixel PE cut along a cutting line CL of a pixel PE of an organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention is shown in detail in a stacking order Explain.

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이다.3 is a sectional view taken along the line III-III in Fig.

도 3에 도시된 바와 같이, 기판(SUB) 상에는 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition)법 또는 물리적 기상 증착(physical vapor deposition)법을 이용하여 산화규소막 및 질화규소막 등과 같은 절연막들을 하나 이상 포함하는 단층 또는 복층 구조로 형성된다. 버퍼층(120)은 광투과성 절연층이다.As shown in FIG. 3, a buffer layer 120 is formed on the substrate SUB. The buffer layer 120 is formed of a single layer or a multi-layer structure including at least one insulating film such as a silicon oxide film and a silicon nitride film by using a chemical vapor deposition method or a physical vapor deposition method. The buffer layer 120 is a light-transmitting insulating layer.

버퍼층(120)은 기판(SUB)에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산 및 침투를 방지하고, 표면을 평탄화하며, 액티브층을 형성하기 위한 결정화 공정에서 열의 전달 속도를 조절하여 결정화가 잘 이루어질 수 있도록 돕는 역할을 한다.The buffer layer 120 prevents the diffusion and penetration of moisture or impurities generated in the substrate SUB, smoothes the surface, controls the heat transfer rate in the crystallization process for forming the active layer, It plays a role.

버퍼층(120)은 기판(SUB)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.The buffer layer 120 may be omitted depending on the type of the substrate SUB and the process conditions.

버퍼층(120) 상에는 액티브층(133, 136) 및 제1 캐패시터 전극(139)이 형성된다. 액티브층(133, 136) 및 제1 캐패시터 전극(139)은 버퍼층(120) 상에 비정질 규소막을 형성하고 이를 결정화하여 다결정 규소막을 형성한 후 패터닝하여 형성된다. 하지만, 본 발명의 제1 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 경우에 따라, 제1 캐패시터 전극(139)은 액티브층(133, 136)과 다른 소재로 형성될 수도 있다.On the buffer layer 120, active layers 133 and 136 and a first capacitor electrode 139 are formed. The active layers 133 and 136 and the first capacitor electrode 139 are formed by forming an amorphous silicon film on the buffer layer 120 and crystallizing the amorphous silicon film to form a polycrystalline silicon film and then patterning. However, the first embodiment of the present invention is not limited thereto. Optionally, the first capacitor electrode 139 may be formed of a different material from the active layers 133 and 136.

액티브층(133, 136) 및 제1 캐패시터 전극(139) 상에는 제1 절연층(140)이 형성된다. 구체적으로, 제1 절연층(140)은 버퍼층(120) 상에서 액티브층(133, 136) 및 제1 캐패시터 전극(139)을 덮도록 형성된다. 제1 절연층(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화규소(SiNx), 및 산화규소(SiO2) 등과 같이 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 절연 물질 중 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있다. 제1 절연층(140)은 광투과성 절연층이다.A first insulating layer 140 is formed on the active layers 133 and 136 and the first capacitor electrode 139. Specifically, the first insulating layer 140 is formed to cover the active layers 133 and 136 and the first capacitor electrode 139 on the buffer layer 120. The first insulating layer 140 is a silane (tetra ethyl ortho silicate, TEOS), silicon nitride (SiNx), and silicon oxide (SiO 2) one or more of a variety of insulating materials known to practitioners in the art, such as the tetra As shown in FIG. The first insulating layer 140 is a light-transmitting insulating layer.

상술한 버퍼층(120) 및 제1 절연층(140)은 기판(SUB)과 제1 전극(710) 사이에도 위치하며, 이로 인해 기판(SUB)과 제1 전극(710) 사이에는 광투과성 절연층만이 위치한다.The buffer layer 120 and the first insulating layer 140 are also located between the substrate SUB and the first electrode 710 so that only a light transmitting insulating layer is formed between the substrate SUB and the first electrode 710 .

제1 절연층(140) 상에는 게이트 배선들(GW)인 스캔 라인(S1 내지 Sn)과 동일한 층에 동일한 재료로 형성되는 게이트 전극(153, 156) 및 제1 전극(710)이 형성된다. 게이트 전극(153, 156)은 액티브층(133, 136)의 채널 영역(1333, 1366)과 중첩되도록 액티브층(133, 136) 상에 형성된다. 액티브층(133, 136)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(1333, 1366)과, 채널 영역(1333, 1366)의 양측에 각각 배치되어 불순물이 도핑된 소스 영역(1334, 1367) 및 드레인 영역(1335, 1368)으로 구분된다. 게이트 전극(153, 156)은 불순물을 도핑하여 소스 영역(1334, 1367) 및 드레인 영역(1335, 1368)을 형성하는 과정에서 채널 영역(1333, 1366)에 불순물이 도핑되는 것을 차단하는 역할을 할 수 있다. 또한, 액티브층(133, 136)의 소스 영역(1333, 1366) 및 드레인 영역에 불순물을 도핑하는 과정에서 제1 캐패시터 전극(139)에도 불순물이 함께 도핑될 수 있다.Gate electrodes 153 and 156 and a first electrode 710 formed of the same material are formed on the same layer as the scan lines S1 to Sn as the gate lines GW on the first insulating layer 140. [ The gate electrodes 153 and 156 are formed on the active layers 133 and 136 so as to overlap with the channel regions 1333 and 1366 of the active layers 133 and 136. The active layers 133 and 136 are provided with channel regions 1333 and 1366 which are not doped with impurities and source regions 1334 and 1367 and drain regions 1336 and 1367 doped with impurities respectively disposed on both sides of the channel regions 1333 and 1366 1335, 1368). The gate electrodes 153 and 156 serve to prevent impurities from being doped into the channel regions 1333 and 1366 in the process of forming the source regions 1334 and 1367 and the drain regions 1335 and 1368 by doping impurities . In addition, impurities may also be doped in the first capacitor electrode 139 in the process of doping impurities into the source regions 1333 and 1366 and the drain region of the active layers 133 and 136.

또한, 게이트 전극(153, 156)은 게이트 투명층과 게이트 투명층 상에 형성된 게이트 금속층을 포함하는 이중층으로 형성된다. 게이트 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 은(Ag), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 및 텅스텐(W) 등과 같이 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 금속 물질 중 하나 이상을 포함하여 형성된다. 게이트 투명층은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZITO (Zinc Indium Tin Oxide), GITO(Gallium Indium Tin Oxide), In2O3(Indium Oxide), ZnO(Zinc Oxide), GIZO(Gallium Indium Zinc Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), FTO(Fluorine Tin Oxide), 및 AZO(Aluminum-Doped Zinc Oxide) 등과 같은 투명 도전층들 중 하나 이상을 포함한다.Further, the gate electrodes 153 and 156 are formed as a double layer including a gate metal layer formed on the gate transparent layer and the gate transparent layer. The gate metal layer may comprise a variety of metals known to those skilled in the art such as molybdenum (Mo), chromium (Cr), aluminum (Al), silver (Ag), titanium (Ti), tantalum (Ta), and tungsten ≪ / RTI > material. The gate transparent layer may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc indium tin oxide (ZITO), gallium indium tin oxide (GITO), indium oxide (In2O3), zinc oxide (ZnO) And transparent conductive layers such as Al2O3, GZO (Gallium Zinc Oxide), FTO (Fluorine Tin Oxide), and Aluminum-Doped Zinc Oxide (AZO).

제1 전극(710)은 게이트 전극(153,156)의 게이트 투명층과 동일한 소재로 동일한 층에 형성된다.The first electrode 710 is formed on the same layer of the same material as the gate transparent layer of the gate electrodes 153 and 156.

게이트 전극(153, 156) 상에는 무기 절연층(160)이 형성된다. 무기 절연층(160)은 질화규소막 및 산화규소막 중 하나 이상을 포함한다. 즉, 무기 절연층(160)은 질화규소막 또는 산화규소막으로 형성된 단층으로 형성되거나, 질화규소막과 산화규소막이 적층된 복층으로 형성될 수 있다. 또한, 무기 절연층(160)은 수소를 함유할 수 있다. 특히, 질화규소막이 공정 조건 상 용이하게 수소를 함유할 수 있다. 무기 절연층(160)은 절연 기능 이외에 액티브층(133, 136)을 어닐링(annealing)하는 과정에서 액티브층(133, 136)에 수소를 공급하여 어닐링이 원활하게 진행될 수 있도록 돕는 역할도 할 수 있다.An inorganic insulating layer 160 is formed on the gate electrodes 153 and 156. The inorganic insulating layer 160 includes at least one of a silicon nitride film and a silicon oxide film. That is, the inorganic insulating layer 160 may be formed as a single layer formed of a silicon nitride film or a silicon oxide film, or may be formed as a multilayer including a silicon nitride film and a silicon oxide film. Further, the inorganic insulating layer 160 may contain hydrogen. In particular, the silicon nitride film can easily contain hydrogen under process conditions. The inorganic insulating layer 160 may also serve to help the annealing to proceed smoothly by supplying hydrogen to the active layers 133 and 136 in the process of annealing the active layers 133 and 136 in addition to the insulating function .

하지만, 본 발명의 제1 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 무기 절연층(160)은 생략될 수도 있다. 즉, 후술할 제2 절연층(170)이 게이트 전극(153, 156) 상에 바로 형성될 수도 있다.However, the first embodiment of the present invention is not limited thereto. Accordingly, the inorganic insulating layer 160 may be omitted. That is, a second insulating layer 170 to be described later may be directly formed on the gate electrodes 153 and 156.

또한, 무기 절연층(160)은 제1 전극(710) 상에는 형성되지 않는다. 즉, 무기 절연층(160)은 제1 전극(710)을 드러내도록 형성된다.In addition, the inorganic insulating layer 160 is not formed on the first electrode 710. That is, the inorganic insulating layer 160 is formed to expose the first electrode 710.

무기 절연층(160) 상에는 제2 절연층(170)이 형성된다. 제2 절연층(170)은 무기 절연층(160)보다 상대적으로 두꺼운 두께로 형성하기 용이하다. 따라서, 제2 절연층(170)은 안정적인 층간 절연을 확보할 수 있도록 충분히 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 일례로, 제2 절연층(170)은 3㎛(마이크로미터) 내외의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.A second insulating layer 170 is formed on the inorganic insulating layer 160. The second insulating layer 170 is formed to have a relatively thicker thickness than the inorganic insulating layer 160. Therefore, the second insulating layer 170 can be formed to have a sufficiently thick thickness to ensure stable interlayer insulation. For example, the second insulating layer 170 may be formed to have a thickness of about 3 mu m (micrometer).

제2 절연층(170)은 제1 절연층(140) 대비 두께가 두꺼우며, 이로 인해 제1 절연층(140)은 제2 절연층(170) 대비 두께가 얇다.The thickness of the second insulating layer 170 is thicker than that of the first insulating layer 140 so that the thickness of the first insulating layer 140 is smaller than that of the second insulating layer 170.

또한, 제2 절연층(170)은, 무기 절연층(160)과 마찬가지로, 제1 전극(710) 상에는 형성되지 않는다. 즉, 제2 절연층(170)도 제1 전극(710)을 드러내도록 형성된다.The second insulating layer 170 is not formed on the first electrode 710, similarly to the inorganic insulating layer 160. That is, the second insulating layer 170 is also formed to expose the first electrode 710.

제2 절연층(170) 상에는 데이터 배선들(DW)인 데이터 라인(D1 내지 Dm)과 동일한 층에 동일한 재료로 형성되는 복수의 도전 배선들(184, 185, 187, 188, 189)이 형성된다. 복수의 도전 배선들은 소스 전극(184, 187), 드레인 전극(185, 188), 및 제2 캐패시터 전극(189)을 포함한다. 그리고 복수의 도전 배선들은 데이터 라인(Dm) 및 구동 전원 라인(Un)을 더 포함할 수 있다.A plurality of conductive wirings 184, 185, 187, 188 and 189 are formed on the second insulating layer 170, which are formed of the same material in the same layer as the data lines D1 to Dm which are the data wirings DW . The plurality of conductive wirings includes source electrodes 184 and 187, drain electrodes 185 and 188, and a second capacitor electrode 189. The plurality of conductive wirings may further include a data line Dm and a driving power supply line Un.

또한, 복수의 도전 배선들(184, 185, 187, 188, 189)은 게이트 전극(153, 156)과 마찬가지로, 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 금속 물질 중 하나 이상을 포함하여 만들어질 수 있다.The plurality of conductive wirings 184, 185, 187, 188 and 189 may be made of one or more of the various metal materials known to those skilled in the art, as well as the gate electrodes 153 and 156 .

소스 전극(184, 187) 및 드레인 전극(185, 188)은 무기 절연층(160) 및 제2 절연층(170)에 형성된 접촉구를 통해 액티브층(133, 136)의 소스 영역(1334, 1367) 및 드레인 영역(1335, 1368)과 접촉된다.The source electrodes 184 and 187 and the drain electrodes 185 and 188 are connected to the source regions 1334 and 1367 of the active layers 133 and 136 through contact holes formed in the inorganic insulating layer 160 and the second insulating layer 170. [ And drain regions 1335 and 1368, respectively.

또한, 제2 캐패시터 전극(189)이 소스 전극(184, 187) 및 드레인 전극(185, 188)과 동일한 위치에 형성되었으나, 본 발명의 제1 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제2 캐패시터 전극(189)은 게이트 전극(153, 156)과 동일한 층에 형성될 수도 있다.Although the second capacitor electrode 189 is formed at the same position as the source electrodes 184 and 187 and the drain electrodes 185 and 188, the first embodiment of the present invention is not limited thereto. Therefore, the second capacitor electrode 189 may be formed in the same layer as the gate electrodes 153 and 156. [

복수의 도전 배선들(184, 185, 187, 188, 189) 상에는 화소 정의층(190)이 형성된다. 즉, 화소 정의층(190)은 데이터 라인(D1 내지 Dm) 상에 위치한다. 화소 정의층(190)은 제1 전극(710)의 일부를 드러내는 화소 개구부(195)를 포함한다. 화소 정의층(190)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 유기 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의층(190)은 감광성 유기층으로 패터닝된 후, 열경화 또는 광경화되어 형성될 수 있다.A pixel defining layer 190 is formed on the plurality of conductive wirings 184, 185, 187, 188, and 189. That is, the pixel defining layer 190 is located on the data lines D1 to Dm. The pixel defining layer 190 includes a pixel opening 195 that exposes a portion of the first electrode 710. The pixel defining layer 190 may be formed of various organic materials known to those skilled in the art. For example, the pixel defining layer 190 may be formed by patterning with a photosensitive organic layer and then thermosetting or photo-curing.

유기 발광층(720)은 제1 전극(710) 상에 형성되고, 제2 전극(730)은 유기 발광층(720) 상에 형성된다. 제1 전극(710), 유기 발광층(720), 및 제2 전극(730)은 유기 발광 소자(70)가 된다. 그리고, 제1 전극(710), 유기 발광층(720), 및 제2 전극(730)이 차례로 적층되는 화소 정의층(190)의 화소 개구부(195)는 유기 발광층(720)이 위치하는 유기 발광 소자(70)의 발광 영역(EA)이 되며, 발광 영역(EA)과 이웃하여 비발광 영역(NEA)이 위치한다.The organic light emitting layer 720 is formed on the first electrode 710 and the second electrode 730 is formed on the organic light emitting layer 720. The first electrode 710, the organic light emitting layer 720, and the second electrode 730 are organic light emitting devices 70. The pixel opening portion 195 of the pixel defining layer 190 in which the first electrode 710, the organic light emitting layer 720 and the second electrode 730 are sequentially stacked is formed on the organic light emitting layer 720, Emitting region EA of the light-emitting region 70 and the non-emitting region NEA adjacent to the light-emitting region EA.

레이저에 의해 절단된 제1 전극(710)의 분할 영역(DA) 중 도 3에서 우측에 위치하는 분할 영역(DA)에 대응하는 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)은 상호 단락(short circuit)된 상태이다. 우측에 위치하는 분할 영역(DA)에 대응하는 유기 발광층(720)은 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)이 단락됨으로써 발광하지 않는 반면, 좌측에 위치하는 분할 영역(DA)에 대응하는 유기 발광층(720)은 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)이 이격됨으로써 발광한다. 상술한 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)의 단락은 제조 과정 중 의도치 않게 제1 전극(710), 제2 전극(730) 및 유기 발광층(720) 중 어느 하나 이상에 위치하는 파티클(particle)에 의해 발생되거나, 또는 제조 과정의 오류로 인해 발생될 수 있다.The first electrode 710 and the second electrode 730 corresponding to the division area DA located on the right side in Fig. 3 among the division areas DA of the first electrode 710 cut by the laser are short-circuited short circuit. The organic light emitting layer 720 corresponding to the divided region DA located on the right side does not emit light due to the shorting of the first electrode 710 and the second electrode 730 but corresponds to the divided region DA located on the left side The organic light emitting layer 720 emits light when the first electrode 710 and the second electrode 730 are separated from each other. The short circuit of the first electrode 710 and the second electrode 730 may be unintentionally located in at least one of the first electrode 710, the second electrode 730 and the organic light emitting layer 720 during the manufacturing process It can be caused by particles or due to errors in the manufacturing process.

한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 제1 전극(710)은 2개의 분할 영역(DA) 및 각 분할 영역(DA)과 구동 박막 트랜지스터(20) 사이를 연결하는 2개의 인입단(740)을 포함하나, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 제1 전극은 3개 이상의 분할 영역(DA) 및 각 분할 영역(DA)과 구동 박막 트랜지스터(20) 사이를 연결하는 3개 이상의 인입단을 포함할 수 있다.One first electrode 710 of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention includes two divided regions DA and each of the divided regions DA and the driving thin film transistor 20 One first electrode of the OLED display according to another embodiment of the present invention includes three or more divided regions DA and each of the divided regions DA and a driving thin film transistor 20, which are connected to each other.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 배면 발광 구조이나, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전면 발광 구조일 수 있다. 이 경우 제1 전극은 광 반사성 전극으로 형성되고, 제2 전극은 광 투과성 또는 광 반투과성 전극으로 형성된다.In addition, the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention may have a bottom emission structure, and the organic light emitting display according to another embodiment of the present invention may have a top emission structure. In this case, the first electrode is formed as a light reflective electrode, and the second electrode is formed as a light transmissive or light semi-transmissive electrode.

이상과 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제조 과정 중 어느 화소(PE)의 제1 전극(710), 제2 전극(730) 및 유기 발광층(720) 중 어느 하나 이상에 의도치 않게 파티클(particle)이 발생되어 제1 전극(710)과 제2 전극(730) 사이에 단락이 발생되더라도, 가상의 커팅선(CL)을 따라 분할된 제1 전극(710)의 복수의 분할 영역(DA) 각각이 복수의 인입단(740) 각각에 의해 구동 박막 트랜지스터(20)에 연결되어 있음으로써, 단락이 발생된 화소(PE)의 유기 발광층(720) 및 제1 전극(710)을 레이저를 이용해 절단하여 단락이 발생되지 않은 제1 전극(710)의 분할 영역(DA)에 대응하는 유기 발광층(720)을 발광시킬 수 있다. 이는 전체적인 제조 수율이 향상되는 요인으로서 작용된다. 즉, 제조 공정 중 의도치 않은 파티클에 의해 제1 전극(710)과 제2 전극(730)이 단락되더라도 제1 전극(710)의 복수의 분할 영역(DA)이 서로 레이저에 의해 절단됨으로써, 파티클이 위치하지 않는 제1 전극(710)의 분할 영역(DA)에 대응하는 유기 발광층(720)이 발광되는 유기 발광 표시 장치가 제공된다.As described above, the organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment of the present invention may include at least one of the first electrode 710, the second electrode 730, and the organic light emitting layer 720 of a certain pixel (PE) Even if a short circuit occurs between the first electrode 710 and the second electrode 730 due to the generation of particles unintentionally in the first electrode 710 and a plurality of first electrodes 710 divided along the virtual cutting line CL The organic light emitting layer 720 and the first electrode 710 of the pixel PE in which the short circuit is generated are connected to the driving thin film transistor 20 by the plurality of input terminals 740, May be cut by using a laser to emit the organic light emitting layer 720 corresponding to the divided region DA of the first electrode 710 in which no short circuit occurs. This serves as a factor for improving the overall manufacturing yield. That is, even if the first electrode 710 and the second electrode 730 are short-circuited by unintentional particles in the manufacturing process, the plurality of divided regions DA of the first electrode 710 are cut by the laser, The organic light emitting layer 720 corresponding to the divided region DA of the first electrode 710 which is not positioned is emitted.

이하, 도 4 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a repair method of the OLED display according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법을 나타낸 순서도이다. 도 5 내지 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 7의 도 6의 Ⅶ-Ⅶ을 따른 단면도이다.4 is a flowchart illustrating a repair method of an OLED display according to a second embodiment of the present invention. 5 to 7 are views for explaining a repair method of an OLED display according to a second embodiment of the present invention. 7 is a cross-sectional view taken along VII-VII of Fig.

우선, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상술한 유기 발광 표시 장치를 제공한다(S100).First, as shown in FIGS. 4 and 5, the organic light emitting display device described above is provided (S100).

구체적으로, 제공되는 상술한 유기 발광 표시 장치는 전체 화소(PE) 중 어떠한 화소(PE)도 가상의 커팅선(CL)을 따라 제1 전극(710)이 절단되지 않은 유기 발광 표시 장치이다.Specifically, the organic light emitting display device described above is an organic light emitting display device in which no pixel PE among all the pixels PE is cut along the imaginary cutting line CL.

다음, 유기 발광층(720)의 발광을 확인한다(S200).Next, the emission of the organic light emitting layer 720 is confirmed (S200).

구체적으로, 유기 발광층(720)의 발광을 확인하기 위해 점등 검사를 수행한다. 유기 발광층(720)의 발광을 확인하기 위한 점등 검사는 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 제1 전원을 제1 전극(710)에 공급하고, 제2 전원에 제2 전극(730)에 공급하여 수행한다. 이때, 파티클 등에 의해 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 간의 단락이 발생된 화소(PE)의 유기 발광층(720)은 발광하지 않게 된다. Specifically, a lighting test is performed to confirm the light emission of the organic light emitting layer 720. The lighting test for confirming the emission of the organic light emitting layer 720 is performed by supplying a first power source to the first electrode 710 through the driving thin film transistor 20 and supplying the first power source to the second power source 730 do. At this time, the organic light emitting layer 720 of the pixel PE in which a short between the first electrode 710 and the second electrode 730 is generated due to particles or the like does not emit light.

다음, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 레이저를 이용해 제1 전극(710) 및 유기 발광층(720)을 절단한다(S300).Next, as shown in FIGS. 6 and 7, the first electrode 710 and the organic light emitting layer 720 are cut using a laser (S300).

구체적으로, 유기 발광층(720)이 발광하지 않는 화소(PE)에 대응하여 기판(SUB)으로 레이저(laser)를 조사하여 가상의 커팅선(CL)을 따라 제1 전극(710) 및 유기 발광층(720)을 절단한다. 이러한 레이저를 이용한 절단에 의해 제1 전극(710)의 분할 영역(DA)은 절단되며, 발광하지 않는 화소(PE)의 유기 발광층(720) 전체 중 단락이 발생되지 않는 제1 전극(710)의 분할 영역(DA)에 대응하는 유기 발광층(720)은 발광하게 된다. 여기서, 레이저는 Nd:YAG UV 레이저일 수 있으며, 30nm 내지 200nm의 파장 범위를 가질 수 있다.Specifically, a laser is irradiated to the substrate SUB corresponding to the pixel PE in which the organic light emitting layer 720 does not emit light, thereby forming the first electrode 710 and the organic light emitting layer 710 along the imaginary cutting line CL 720). The division area DA of the first electrode 710 is cut by the laser cutting so that the first electrode 710 having no short circuit among the entire organic light emitting layer 720 of the pixel PE The organic light emitting layer 720 corresponding to the divided region DA emits light. Here, the laser may be an Nd: YAG UV laser, and may have a wavelength range of 30 nm to 200 nm.

한편, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법은 배면 발광 구조인 상술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 리페어하는 방법이나, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법은 전면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치를 리페어할 수 있다. 이 경우, 레이저는 제2 전극의 상측에 위치하는 기판측으로 조사되어 가상의 절단선을 따라 제2 전극, 유기 발광층 및 제1 전극을 동시에 절단할 수 있다.Meanwhile, the repair method of the OLED display according to the second embodiment of the present invention is a method of repairing the OLED display according to the first embodiment of the present invention, which is a bottom emission structure, The repairing method of the organic light emitting display according to the example may repair the organic light emitting display of the front light emitting structure. In this case, the laser is irradiated to the substrate side located above the second electrode, and the second electrode, the organic light emitting layer and the first electrode can be simultaneously cut along the imaginary cut line.

이상과 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법은 제조 과정 중 어느 화소(PE)의 제1 전극(710), 제2 전극(730) 및 유기 발광층(720) 중 어느 하나 이상에 의도치 않게 파티클(particle)이 발생되어 제1 전극(710)과 제2 전극(730) 사이에 단락이 발생되더라도, 가상의 커팅선(CL)을 따라 분할된 제1 전극(710)의 복수의 분할 영역(DA) 각각이 복수의 인입단(740) 각각에 의해 구동 박막 트랜지스터(20)에 연결되어 있음으로써, 단락이 발생된 화소(PE)의 유기 발광층(720) 및 제1 전극(710)을 레이저를 이용해 절단하여 단락이 발생되지 않은 제1 전극(710)의 분할 영역(DA)에 대응하는 유기 발광층(720)을 용이하게 발광시킬 수 있다. 이는 전체적인 제조 수율이 향상되는 요인으로서 작용된다.As described above, the repair method of the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention is a repair method of the organic light emitting display in which the first electrode 710, the second electrode 730 and the organic light emitting layer 720 of a certain pixel (PE) Even if a particle is generated unintentionally on any one or more of the first electrode 710 and the second electrode 730 and a short circuit occurs between the first electrode 710 and the second electrode 730, Is connected to the driving thin film transistor 20 by each of the plurality of lead-in terminals 740, the organic light-emitting layer 720 of the short-circuited pixel PE and the first The electrode 710 can be cut using a laser to easily emit the organic light emitting layer 720 corresponding to the divided region DA of the first electrode 710 in which the short circuit does not occur. This serves as a factor for improving the overall manufacturing yield.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법은 제1 전극(710)이 상측에 위치하는 기판(SUB)으로 레이저를 조사하여 제1 전극(710)을 분할하여 단락이 발생된 화소(PE)를 리페어함으로써, 최종적으로 유기 발광 표시 장치를 봉지하는 봉지 공정이 완료된 후에도 리페어 공정을 용이하게 수행할 수 있다. 이는 전체적인 유기 발광 표시 장치의 제조 신뢰성을 향상시키는 요인으로서 작용되는 동시에 리페어 공정에 의해 유기 발광 표시 장치에 불량이 발생되는 것이 억제되는 요인으로서 작용된다.In the repairing method of the OLED display according to the second embodiment of the present invention, the first electrode 710 is divided by irradiating a laser beam onto the substrate SUB on which the first electrode 710 is located, By repairing the generated pixels PE, the repair process can be easily performed even after the sealing process of sealing the organic light emitting display device finally is completed. This serves as a factor for improving the manufacturing reliability of the organic light emitting display device as a whole, and at the same time acts as a factor for suppressing the occurrence of defects in the organic light emitting display device due to the repair process.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법은 단순히 레이저를 이용해 유기 발광층(720)이 위치하는 발광 영역(EA)을 가로지르는 가상의 커팅선(CL)을 따라 제1 전극(710) 및 유기 발광층(720)을 절단하여 단락이 발생되지 않은 제1 전극(710)의 분할 영역(DA)에 대응하는 유기 발광층(720)을 발광시킴으로써, 전체적인 리페어 공정이 단순화가 구현된다. 이는 유기 발광 표시 장치의 제조 시간 및 제조 비용을 절감하는 요인으로서 작용된다.The repairing method of the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention is a method of repairing an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention, The electrode 710 and the organic light emitting layer 720 are cut so that the organic light emitting layer 720 corresponding to the divided region DA of the first electrode 710 in which the short circuit does not occur is lighted to simplify the entire repair process . This serves as a factor to reduce manufacturing time and manufacturing cost of the organic light emitting display device.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법은 제1 전극(710)과 제2 전극(730) 간을 단락을 유발하는 파티클 또는 제조 공정의 오류를 검사하여 리페어를 수행하는 방법이 아니라, 단순히 발광하지 않는 유기 발광층(720)에 대응하는 제1 전극(710)의 분할 영역(DA)을 분할하는 설정된 가상의 커팅선(CL)을 따라 유기 발광층(720) 및 제1 전극(710)을 절단하여 발광하지 않는 유기 발광층(720)의 일부를 다시 발광시켜 리페어를 수행하는 방법으로서, 오류를 발생시키는 요인을 검사하기 위한 시간 및 비용을 절약할 수 있는 방법이다.Also, the repair method of the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention checks whether the particles causing the short circuit between the first electrode 710 and the second electrode 730 or the manufacturing process are defective and performs repair The organic light emitting layer 720 and the first organic light emitting layer 720 are formed along the set virtual cutting line CL dividing the divided region DA of the first electrode 710 corresponding to the organic light emitting layer 720 that does not emit light, A method of performing repair by emitting a part of the organic light emitting layer 720 that does not emit light by cutting the electrode 710 is a method that can save time and cost for inspecting factors causing an error.

본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the following claims. Those who are engaged in the technology field will understand easily.

발광 영역(EA), 비발광 영역(NEA), 제1 전극(710), 유기 발광층(720), 제2 전극(730), 구동 박막 트랜지스터(20), 인입단(740)The first electrode 710, the organic light emitting layer 720, the second electrode 730, the driving thin film transistor 20, the receiving end 740, the light emitting region EA, the non-emitting region NEA,

Claims (9)

유기 발광층이 위치하는 발광 영역 및 상기 발광 영역과 이웃하는 비발광 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서,
상기 발광 영역에 위치하며, 상기 발광 영역을 가로지르는 가상의 커팅선을 따라 분할된 복수의 분할 영역을 포함하는 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 위치하는 상기 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2 전극;
상기 제1 전극에 연결된 구동 박막 트랜지스터; 및
상기 비발광 영역에 위치하며, 상기 제1 전극으로부터 연장되어 상기 복수의 분할 영역 각각과 상기 구동 박막 트랜지스터 사이를 연결하는 복수의 인입단
을 포함하며,
상기 구동 박막 트랜지스터는 게이트 전극을 포함하고,
상기 게이트 전극은 게이트 투명층과 상기 게이트 투명층 상에 위치하는 게이트 금속층을 포함하고,
상기 제1 전극과 상기 복수의 인입단은 상기 게이트 투명층과 동일한 층에 위치하고,
상기 제1 전극 및 상기 유기 발광층은 상기 가상의 커팅선을 따라 레이저에 의해 절단된 상태이며,
상기 복수의 인입단과 상기 제1 전극은 일체이고,
상기 복수의 인입단 중 적어도 하나의 인입단은 상기 구동 박막 트랜지스터와 상기 비발광 영역에서 접촉하여 연결되는 유기 발광 표시 장치.An organic light emitting display including a light emitting region in which an organic light emitting layer is disposed, and a non-light emitting region adjacent to the light emitting region,
A first electrode located in the light emitting region and including a plurality of divided regions divided along a virtual cutting line crossing the light emitting region;
The organic light emitting layer positioned on the first electrode;
A second electrode located on the organic light emitting layer;
A driving thin film transistor connected to the first electrode; And
A plurality of inductors extending from the first electrode and connecting the plurality of divided regions to the driving thin film transistor,
/ RTI >
Wherein the driving thin film transistor includes a gate electrode,
Wherein the gate electrode comprises a gate transparent layer and a gate metal layer located on the gate transparent layer,
Wherein the first electrode and the plurality of inlets are located in the same layer as the gate transparent layer,
Wherein the first electrode and the organic light emitting layer are cut by a laser along the imaginary cutting line,
Wherein the plurality of input terminals and the first electrode are integral,
Wherein at least one of the plurality of input terminals is connected to the driving thin film transistor in the non-emission region. 제1항에서,
상기 복수의 분할 영역 중 하나의 분할 영역에 대응하는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 단락(short circuit)된 상태인 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
Wherein the first electrode and the second electrode corresponding to one of the plurality of divided regions are short-circuited. 제1항에서,
상기 제2 전극은 광반사형 전극인 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
And the second electrode is a light reflection type electrode. 제3항에서,
상기 제1 전극이 상측에 위치하는 광투과성 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치.4. The method of claim 3,
And a light-transmitting substrate on which the first electrode is disposed. 제4항에서,
상기 광투과성 기판과 상기 제1 전극 사이에는 광투과성 절연층만이 위치하는 유기 발광 표시 장치.5. The method of claim 4,
Wherein only the light-transmitting insulating layer is disposed between the light-transmitting substrate and the first electrode. 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법에 있어서,
상기 유기 발광 표시 장치를 제공하는 단계; 및
레이저를 이용해 가상의 커팅선을 따라 상기 유기 발광 표시 장치의 제1 전극 및 유기 발광층을 절단하는 단계를 포함하고,
상기 유기 발광 표시 장치는,
상기 유기 발광층이 위치하는 발광 영역 및 상기 발광 영역과 이웃하는 비발광 영역;
상기 발광 영역에 위치하며, 상기 발광 영역을 가로지르는 상기 가상의 커팅선을 따라 분할된 복수의 분할 영역을 포함하는 상기 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 위치하는 상기 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2 전극;
상기 제1 전극에 연결된 구동 박막 트랜지스터; 및
상기 비발광 영역에 위치하며, 상기 제1 전극으로부터 연장되어 상기 복수의 분할 영역 각각과 상기 구동 박막 트랜지스터 사이를 연결하는 복수의 인입단을 포함하며,
상기 구동 박막 트랜지스터는 게이트 전극을 포함하고,
상기 게이트 전극은 게이트 투명층과 상기 게이트 투명층 상에 위치하는 게이트 금속층을 포함하고,
상기 제1 전극과 상기 복수의 인입단은 상기 게이트 투명층과 동일한 층에 위치하고,
상기 복수의 인입단과 상기 제1 전극은 일체이고,
상기 복수의 인입단 중 적어도 하나의 인입단은 상기 구동 박막 트랜지스터와 상기 비발광 영역에서 접촉하여 연결되는 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법.A repair method for an organic light emitting display device,
Providing the OLED display; And
And cutting the first electrode and the organic light emitting layer of the organic light emitting display device along a virtual cutting line using a laser,
The organic light emitting display includes:
A light emitting region where the organic light emitting layer is located and a non-light emitting region adjacent to the light emitting region;
The first electrode being located in the light emitting region and including a plurality of divided regions divided along the imaginary cutting line crossing the light emitting region;
The organic light emitting layer positioned on the first electrode;
A second electrode located on the organic light emitting layer;
A driving thin film transistor connected to the first electrode; And
And a plurality of input terminals which are located in the non-emission region and which extend from the first electrode and connect the driving thin film transistor to each of the plurality of division regions,
Wherein the driving thin film transistor includes a gate electrode,
Wherein the gate electrode comprises a gate transparent layer and a gate metal layer located on the gate transparent layer,
Wherein the first electrode and the plurality of inlets are located in the same layer as the gate transparent layer,
Wherein the plurality of input terminals and the first electrode are integral,
Wherein at least one of the plurality of lead-in terminals is connected to the driving thin film transistor in the non-emission region. 제6항에서,
상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 전극이 상측에 위치하는 광투과성 기판을 포함하며,
상기 제1 전극 및 상기 유기 발광층을 절단하는 단계는 상기 광투과성 기판으로 상기 레이저를 조사하여 수행하는 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법.The method of claim 6,
Wherein the organic light emitting display includes a light transmitting substrate on which the first electrode is located,
Wherein the cutting of the first electrode and the organic light emitting layer is performed by irradiating the laser to the light transmitting substrate. 제7항에서,
상기 레이저는 Nd:YAG UV 레이저이며, 30nm 내지 200nm의 파장 범위를 가지는 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the laser is a Nd: YAG UV laser and has a wavelength range of 30 nm to 200 nm. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에서,
상기 유기 발광층의 발광을 확인하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법.9. The method according to any one of claims 6 to 8,
Further comprising the step of confirming the emission of the organic light emitting layer.
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