KR101950414B1 - 저온 플라즈마 수처리 발생 장치 - Google Patents

저온 플라즈마 수처리 발생 장치 Download PDF

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KR101950414B1
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홍용철
김강일
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한국기초과학지원연구원
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Abstract

플라즈마 형성공간의 상부에 위치하는 전극을 이용하여 전극의 마모 및 전극물질의 오염을 미연에 방지할 수 있으며, 피처리수와 대향하며 위치하는 유전체를 이용하여 플라즈마를 피처리수에 대면적으로 제공하고자 한다. 본 발명의 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치는 소스 가스가 주입되는 본체부, 본체부의 내부에 위치하고 소스 가스가 통과하는 유전체, 유전체의 하부에 위치하고 피처리수와 접지된 파워전극, 파워전극의 하부에 위치하고 피처리수의 상부에 위치하고 외면에 공급홀을 포함하는 접지전극, 파워전극과 접지전극의 사이에 위치하고 유전체를 통과한 소스 가스에 의해 플라즈마가 발생되는 생성부를 포함하고, 플라즈마는 공급홀을 통과하여 피처리수를 정화할 수 있다.

Description

저온 플라즈마 수처리 발생 장치{LOW-TEMPERATURE WATER TREATMENT PLASMA GENERATION DEVICE}
저온 플라즈마 수처리 발생 장치가 제공된다.
플라즈마(Plasma) 장치는 표면 처리, 오염수의 정화, 토양의 복원, 식품 살균 등의 분야에서 이용되고 있다. 일반적으로 수중 플라즈마 장치는 플라즈마에 의해 수중에 존재하는 각종 유해물질과 반응하여 산화 및 분해시킴으로써 오폐수를 정화할 수 있다.
한국공개특허 2017-0121425는 "플라즈마 수처리 장치"에 대한 것으로, 수처리를 위한 수중 플라즈마를 개시한다. 그러나, 플라즈마 수처리 장치는 플라즈마가 피처리수에 부분적으로 접촉되는 구조이기 때문에 피처리수를 대면적으로 처리하기 어려울 수 있으며, 이에 따라 수처리 효율이 낮을 수 있다.
본 발명의 한 실시예는 플라즈마를 피처리수에 대면적으로 직접 접촉할 수 있으며 플라즈마 부산물인 오존, UV 그리고 미세기포 등의 효과를 동시에 제공하여 수처리 효율을 높이기 위한 것이다.
본 발명의 한 실시예는 전극의 마모 및 전극물질의 오염을 미연에 방지하기 위한 것이다.
상기 과제 이외에도 구체적으로 언급되지 않은 다른 과제를 달성하는 데 본 발명에 따른 실시예가 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치는 소스 가스가 주입되는 본체부, 본체부의 내부에 위치하고 소스 가스가 통과하는 유전체, 유전체의 하부에 위치하고 피처리수와 접지된 파워전극, 파워전극의 하부에 위치하고 피처리수의 상부에 위치하고 외면에 공급홀을 포함하는 접지전극, 파워전극과 접지전극의 사이에 위치하고 유전체를 통과한 소스 가스에 의해 플라즈마가 발생되는 생성부를 포함하고, 플라즈마는 공급홀을 통과하여 피처리수를 정화할 수 있다.
접지전극은 접지전극의 하단면이 피처리수와 대향하는 판형 형상을 가지고 플라즈마가 피처리수를 전면적으로 정화할 수 있다. 파워전극은 피처리수와 대향하는 판형 형상을 가질 수 있다.
파워전극은 본체부의 일측과 연결되는 제1 전극, 본체부의 타측과 연결되는 제2 전극을 포함하고, 제1 전극과 제2 전극은 상호 이격되어 위치할 수 있다. 본체부로 주입된 소스 가스는 제1 전극과 제2 전극의 사이에 위치하는 이격공간을 통과할 수 있다. 파워전극은 피처리수와 대향하는 원통형 형상을 가지는 제3 전극을 포함할 수 있다.
파워전극은 삼각기둥형 형상을 가지는 제4 전극을 포함할 수 있다. 제4 전극은 삼각형의 꼭짓점 단부가 공급홀과 대향하며 위치할 수 있다. 제4 전극은 꼭짓점 단부에 톱니부를 포함할 수 있다. 유전체는 소스 가스가 주입되고 외면에 주입홀을 포함하고 소스 가스가 주입홀을 통과할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 플라즈마 형성공간의 상부에 위치하는 전극을 이용하여 전극의 마모 및 전극물질의 오염을 미연에 방지할 수 있으며, 피처리수와 대향하며 위치하는 접지전극을 이용하여 플라즈마를 피처리수에 대면적으로 제공할 수 있다. 또한 플라즈마 부산물인 오존, UV 그리고 미세기포 등의 효과를 동시에 제공하여 수처리 효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치의 사용예를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 3는 본 발명의 한 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4은 본 발명의 한 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 5 내지 도 6는 본 발명의 한 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치를 나타내는 개략적인 사시도이다.
여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
다르게 정의하지는 않았지만, 여기에 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 보통 사용되는 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)의 단면도를 나타낸다. 도 1의 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)의 구조는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)의 구조를 다른 형태로도 변형할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)는 피처리수(W)와 직접적으로 접촉할 수 있다. 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)는 본체부(10), 유전체(20), 파워전극(30), 접지전극(40) 그리고 생성부(50)를 포함할 수 있다.
본체부(10)는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 본체부(10)는 피처리수(W)의 상부에 위치할 수 있다. 본체부(10)는 가스공급부(11)와 연결될 수 있다. 가스공급부(11)는 본체부(10)의 내부로 소스 가스를 공급할 수 있다. 본체부(10)에 소스 가스가 주입될 경우, 소스 가스는 화살표 방향을 따라 유전체(20)를 통과할 수 있다.
소스 가스는 이산화탄소, 질소, 산소, 공기, 불활성가스, 또는 이들을 하나 이상 혼합한 가스일 수 있다. 가스공급부(11)는 액체 상태의 과산화수소수를 분사할 수도 있다. 가스공급부(11)는 비상발전기(미도시)와 연결될 수 있다. 비상발전기는 가스공급부(11)와 연결되어 가스 공급이 중단될 경우, 가스공급부(11)에 전원을 공급할 수 있다. 이에, 갑작스럽게 메인 전원이 오프 되더라도 비상발전기가 가동되어 소스 가스를 본체부(10)에 계속해서 공급할 수 있으므로, 안정적으로 수처리 공정을 진행할 수 있다.
유전체(20)는 본체부(10)의 내부에 위치할 수 있다. 본체부(10)로 주입된 소스 가스는 유전체(20)의 측면을 통과하고 화살표 방향을 따라 유전체(20)의 하부로 이동할 수 있다.
파워전극(30)은 유전체(20)의 하부에 위치할 수 있다. 파워전극(30)은 본체부(10)의 내부에 위치할 수 있다. 이 경우, 파워전극(30)은 피처리수(W)와 직접적으로 닿지 않을 수 있으므로 파워전극(30)의 마모 또는 전극 물질의 오염 등을 미연에 방지할 수 있다.
파워전극(30)은 제1 전극(31)과 제2 전극(32)을 포함할 수 있다. 제1 전극(31)은 본체부(10)의 일측과 연결될 수 있다. 제2 전극(32)은 본체부(10)의 타측과 연결될 수 있다. 제1 전극(31)과 제2 전극(32)은 상호 이격되어 위치할 수 있다. 이격공간(36)은 제1 전극(31)과 제2 전극(32)은 사이에 위치할 수 있다. 본체부(10)로 주입된 소스 가스는 화살표 방향을 따라 유전체(20)의 하부로 이동되고 이격공간(36)을 통과하여 파워전극(30)의 하부로 이동할 수 있다.
접지전극(40)는 파워전극(30)의 하부에 위치할 수 있다. 접지전극(40)는 판형 형상을 가질 수 있다. 접지전극(40)는 관통홀(41)을 포함할 수 있다. 관통홀(41)은 접지전극(40)의 관통하는 홀 형상일 수 있다. 관통홀(41)은 접지전극(40)에 복수개로 형성될 수 있다. 접지전극(40)은 피처리수(W)와 접지하여 회로를 구성할 수 있다. 이 경우, 피처리수(W)는 전극의 역할을 수행할 수 있다. 접지전극(40)은 금속 전극, 유전체 또는 애노다이징 된 알루미늄 등을 포함할 수 있다.
생성부(50)는 파워전극(30)과 접지전극(40)의 사이에 위치할 수 있다. 파워전극(30)에 외부 전원이 인가되면, 파워전극(30)과 파워전극(30)의 하부로 이동한 소스 가스는 생성부(50)에서 방전이 되어 소스 가스의 이온화가 이루어져 플라즈마(P)가 형성될 수 있다. 플라즈마(P)는 저온(Low-Temperature) 플라즈마일 수 있다. 생성부(50)에서 생성된 플라즈마(P)는 접지전극(40)에서 피처리수(W)를 향한 방향으로 발생되어 관통홀(41)을 통과하고 피처리수(W)를 정화할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)의 사용예를 나타내는 개략적인 단면도이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)는 피처리수(W)의 상부에 복수개로 위치할 수 있다. 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)는 피처리수(W)가 흐르는 피처리수(W)의 통로에 복수개로 설치할 수 있다. 이 경우, 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)가 흐르는 피처리수(W)에 플라즈마(P)를 발생시키면서 정화할 수 있으므로 효율성을 높일 수 있다.
도 3는 본 발명의 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)의 단면도를 나타낸다. 도 3에서는 가스공급부(11)와 유전체(20)를 제외하고는 도 1의 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)와 유사하므로, 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 가스공급부(11)는 유전체(20)의 내부로 소스 가스를 공급할 수 있다. 유전체(20)는 본체부(10)의 내부에 위치할 수 있다. 유전체(20)의 양측 단부는 본체부(10)와 연결될 수 있다.
유전체(20)는 주입홀(21)을 포함할 수 있다. 주입홀(21)은 유전체(20)의 외면에 복수개로 형성된 홀 형상일 수 있다. 복수개로 형성될 수 있다. 가스공급부(11)에서 유전체(20)로 공급된 소스 가스는 주입홀(21)을 통과하고 화살표 방향을 따라 이격공간(36)을 지나 생성부(50)로 이동할 수 있다. 생성부(50)에서 생성된 플라즈마(P)는 관통홀(41)을 통과하여 피처리수(W)를 정화할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)의 사시도를 나타낸다. 소스 가스는 본체부(10)에 주입될 수 있다. 소스 가스는 본체부(10)에 직접 주입되어 유전체(20)를 통과하여 본체부(10)의 하부로 이동할 수 있다. 소스 가스는 유전체(20)에 주입되어 주입홀(21)을 통과하여 본체부(10)의 하부로 이동할 수도 있다.
소스 가스는 화살표 방향을 따라 이격공간(36)을 통과하여 파워전극(30)의 하부로 이동할 수 있다. 소스 가스와 파워전극(30)에 의해 생성된 플라즈마(P)는 접지전극(40)에서 피처리수(W)를 향한 방향으로 발생되어 관통홀(41)을 통과하고 피처리수(W)를 정화할 수 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 접지전극(40)는 판형 형상을 가질 수 있다. 접지전극(40)는 피처리수(W)의 상부 전면에 걸쳐 위치할 수 있다. 관통홀(41)은 복수개로 행과 열을 이루며 접지전극(40)를 관통할 수 있다.
저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)는 피처리수(W)와 플라즈마(P)의 접촉면적이 커질 수 있으므로 수처리 효율을 높일 수 있다. 또한 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)는 플라즈마(P)가 피처리수(W)를 대면적으로 정화 할 수 있으므로 플라즈마 부산물인 오존, UV 그리고 미세기포 등의 효과를 동시에 제공하여 수처리 효율을 높일 수 있다. 접지전극(40)는 피처리수(W)의 양에 따라 소형 내지 대형으로 그 크기를 달리하여 구성할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)의 단면도를 나타낸다. 도 5에서는 파워전극(30)을 제외하고는 도 1의 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)와 유사하므로, 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 파워전극(30)은 제3 전극(33)을 포함할 수 있다. 제3 전극(33)은 피처리수(W)와 대향하며 위치할 수 있다. 제3 전극(33)은 피처리수(W)와 접지하여 회로를 구성할 수 있다. 제3 전극(33)은 고전압 전극일 수 있다.
제3 전극(33)은 유전체(20)의 하부에 위치할 수 있다. 제3 전극(33)은 접지전극(40)의 상부에 위치할 수 있다. 제3 전극(33)의 상부는 유전체(20)와 대향하며 위치하고, 하부는 접지전극(40)와 대향하며 위치할 수 있다.
제3 전극(33)은 원통형 형상을 가질 수 있다. 제3 전극(33)은 복수개로 상호 이격하며 위치할 수 있다. 이 경우, 제3 전극(33)의 하부는 각각 복수개의 관통홀(41)과 대향하며 위치할 수 있다. 제3 전극(33)에 외부 전원이 인가되고 소스 가스가 유전체(20)를 통과하여 본체부(10) 내부로 주입되면, 소스 가스와 제3 전극(33)에 의해 생성부(50)에서 플라즈마(P)가 발생될 수 있다.
제3 전극(33)이 원통형 형상일 경우, 플라즈마(P)는 제3 전극(33)의 외측 원호(Circular Arc)를 따라 발생될 수 있으므로 방전 면적이 넓어 플라즈마(P)의 발생량이 커질 수 있으므로 피처리수(W)가 대량일 경우에도 정화 시간을 단축하여 피처리수(W)의 정화 효율을 높일 수 있다.
또한 제3 전극(33)은 외부 전원에서 제3 전극(33)의 전체 범위에서 균일한 전원을 인가 받을 수 있으므로 생성부(50)에서 플라즈마(P)가 균일하게 생성될 수 있다. 제3 전극(33)은 단일 원통형 형상일 수도 있다. 이 경우, 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)는 전체 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
도 6는 본 발명의 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)의 단면도를 나타낸다. 도 6에서는 파워전극(30)을 제외하고는 도 1의 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)와 유사하므로, 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 파워전극(30)은 제4 전극(34)을 포함할 수 있다. 제4 전극(34)은 피처리수(W)와 대향하며 위치할 수 있다. 제4 전극(34)은 피처리수(W)와 접지하여 회로를 구성할 수 있다. 제4 전극(34)은 고전압 전극일 수 있다.
제4 전극(34)은 삼각기둥형 형상을 가질 수 있다. 제4 전극(34)은 복수개로 상호 이격하며 위치할 수 있다. 제4 전극(34)은 유전체(20)의 하부에 위치할 수 있다. 제4 전극(34)은 접지전극(40)의 상부에 위치할 수 있다.
제4 전극(34)의 삼각형 형상의 단면 모서리는 유전체(20)와 대향하며 위치하고, 제4 전극(34)의 삼각형 형상의 꼭짓점은 접지전극(40)와 대향하며 위치할 수 있다. 제4 전극(34)의 삼각형 형상의 꼭짓점 단부는 각각 복수개의 관통홀(41)과 대향하며 위치할 수 있다.
제4 전극(34)에 외부 전원이 인가되고 소스 가스가 유전체(20)를 통과하여 본체부(10) 내부로 주입되면, 소스 가스와 제4 전극(34)에 의해 생성부(50)에서 플라즈마(P)가 발생될 수 있다.
제4 전극(34)이 삼각기둥형 형상일 경우, 발생된 플라즈마(P)가 제4 전극(34)의 양측 모서리를 타고 관통홀(41)과 대향하는 꼭짓점 단부로 이동되어 꼭짓점 단부에 집중될 수 있으므로 플라즈마(P)가 관통홀(41)을 바로 통과하여 피처리수(W)를 정화시킬 수 있다. 이에, 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)는 피처리수(W)의 오염농도가 높은 피처리수(W)를 집중적으로 정화할 수 있다. 제4 전극(34)은 단일 삼각기둥형 형상일 수도 있다.
도 7는 본 발명의 실시예에 따른 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)의 제4 전극(34)의 사시도를 나타낸다. 도 7에서는 제4 전극(34)을 제외하고는 도 6의 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)와 유사하므로, 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 7에 도시한 바와 같이, 제4 전극(34)은 톱니부(37)를 포함할 수 있다. 톱니부(37)는 제4 전극(34)의 꼭짓점 단부(35)에 위치할 수 있다. 톱니부(37)는 꼭짓점 단부(35)의 외측 방향으로 돌출된 톱니 형상을 가질 수 있다.
제4 전극(34)이 톱니부(37)를 포함할 경우, 꼭짓점 단부(35)가 손상되는 것을 미연에 방지할 수 있다. 이에, 저온 플라즈마 수처리 발생 장치(1)는 생성부(50)의 불용 방전을 감소시킬 수 있으며 플라즈마의 발생 효율을 높일 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10. 본체부 11. 가스공급부
20. 유전체 21. 주입홀
30. 파워전극 31. 제1 전극
32. 제2 전극 33. 제3 전극
34. 제4 전극 35. 단부
36. 이격공간 37. 톱니부
40. 접지전극 41. 공급홀
50. 생성부 W. 피처리수
P. 플라즈마

Claims (10)

  1. 소스 가스가 주입되는 본체부,
    상기 본체부의 내부에 위치하고 상기 소스 가스가 통과하는 유전체,
    상기 유전체의 하부에 위치하고 전원이 인가되는 파워전극,
    상기 파워전극의 하부에 위치하고 피처리수의 상부에 위치하고 외면에 공급홀을 포함하고 상기 피처리수와 접지된 접지전극,
    상기 파워전극과 상기 접지전극의 사이에 위치하고 상기 유전체를 통과한 상기 소스 가스에 의해 플라즈마가 발생되는 생성부,
    를 포함하고,
    상기 플라즈마는 상기 공급홀을 통과하여 상기 피처리수를 정화하고,
    상기 접지전극은 상기 피처리수와 접촉하고 상기 생성부에서 발생된 플라즈마를 통과시켜 상기 피처리수를 정화하고,
    상기 피처리수는 전극이고 상기 접지전극은 상기 피처리수와 회로를 구성하고 ,
    상기 접지전극은 상기 피처리수와 접지되어 상기 유전체를 통과한 소스 가스에 의해 발생된 상기 플라즈마는 상기 공급홀을 통과하여 상기 피처리수를 정화하고,
    상기 파워전극은 삼각기둥형 형상을 가지는 제4 전극을 포함하고, 상기 제4 전극은 삼각형의 꼭짓점 단부가 상기 공급홀과 대향하며 위치하고,
    상기 소스 가스와 상기 제4 전극의 삼면이 맞닿으며 상기 생성부에서 플라즈마가 발생되어 상기 제4 전극의 양측 모서리를 타고 상기 꼭짓점 단부로 이동되고,
    상기 제4 전극은 상기 꼭짓점 단부에 위치하고, 상기 꼭짓점 단부의 외측 방향으로 돌출된 톱니부를 포함하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 접지전극은 상기 접지전극의 하단면이 상기 피처리수와 대향하는 판형 형상을 가지고 상기 플라즈마가 상기 피처리수를 전면적으로 정화하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 파워전극은 상기 피처리수와 대향하는 판형 형상을 가지는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 파워전극은 상기 본체부의 일측과 연결되는 제1 전극, 상기 본체부의 타측과 연결되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상호 이격되어 위치하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 본체부로 주입된 상기 소스 가스는 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 위치하는 이격공간을 통과하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 파워전극은 상기 피처리수와 대향하는 원통형 형상을 가지는 제3 전극을 포함하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제1항에서,
    상기 유전체는 소스 가스가 주입되고 외면에 주입홀을 포함하고 상기 소스 가스가 상기 주입홀을 통과하는 저온 플라즈마 수처리 발생 장치.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008006336A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Toshiba Corp 水浄化装置
KR100988291B1 (ko) * 2008-01-25 2010-10-18 주식회사 셈테크놀러지 평행 평판형 전극 구조를 구비하는 대기압 플라즈마 표면처리 장치
KR101804561B1 (ko) * 2016-03-24 2017-12-06 주식회사 플라즈맵 높은 공간 선택성을 가지는 선형 플라즈마 발생 장치

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