KR101932943B1 - Material deposition system and method for depositing material in a material deposition system - Google Patents
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Abstract
기판(121) 상에 재료를 증착하기 위한 진공 증착 시스템(300; 400; 500)이 설명된다. 진공 증착 시스템(300; 400; 500)은 챔버 볼륨을 갖는 진공 챔버(110); 및 증착될 재료를 제공하기 위한 재료 증착 어레인지먼트(100)를 포함하고, 재료 증착 어레인지먼트(100)는 증착 동안에 진공 챔버(110) 내에 위치된다. 진공 증착 시스템은 진공 챔버(110) 내에서 기판 사이즈를 갖는 기판(121)을 지지하기 위한 기판 지지부(126; 600)를 더 포함한다. 챔버 볼륨 대 기판 사이즈의 비율은 15 m 또는 그 미만이다. 추가로, 진공 증착 시스템(300; 400; 500)에서 기판(121) 상에 재료를 증착하기 위한 방법이 설명된다.A vacuum deposition system 300 (400; 500) for depositing material on a substrate 121 is described. A vacuum deposition system (300; 400; 500) includes a vacuum chamber (110) having a chamber volume; And a material deposition arrangement (100) for providing a material to be deposited, wherein the material deposition arrangement (100) is located in the vacuum chamber (110) during deposition. The vacuum deposition system further includes a substrate support (126; 600) for supporting a substrate (121) having a substrate size within the vacuum chamber (110). The ratio of chamber volume to substrate size is 15 m or less. In addition, a method for depositing material on a substrate 121 in a vacuum deposition system 300 (400; 500) is described.
Description
[0001] 본 발명의 실시예들은 진공 증착 시스템 및 재료를 증착하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들은 특히, 진공 챔버에서의 재료 증착 어레인지먼트를 갖는 진공 증착 시스템, 및 진공 챔버에서 기판 상에 재료를 증착하기 위한 방법에 관한 것이다.[0001] Embodiments of the present invention are directed to vacuum deposition systems and methods for depositing materials. Embodiments of the present invention are particularly directed to a vacuum deposition system having a material deposition arrangement in a vacuum chamber, and a method for depositing material on a substrate in a vacuum chamber.
[0002] 유기 증발기(organic evaporator)들은 유기 발광 다이오드(OLED)들의 생산을 위한 툴이다. OLED들은 방출 층이 특정한 유기 화합물들의 박막을 포함하는 특수한 타입의 발광 다이오드들이다. 유기 발광 다이오드(OLED)들은 정보를 디스플레이하기 위한, 텔레비전 스크린들, 컴퓨터 모니터들, 모바일 폰들, 다른 핸드-헬드 디바이스들 등의 제조에서 사용된다. OLED들은 또한, 일반적인 공간 조명을 위해 사용될 수 있다. OLED 디스플레이들을 이용하여 가능한 컬러들, 휘도, 및 시야각들의 범위는 종래의 LCD 디스플레이들의 컬러들, 휘도, 및 시야각들의 범위보다 더 크고, 이는 OLED 픽셀들이 직접적으로 발광하고, 백 라이트를 사용하지 않기 때문이다. 따라서, OLED 디스플레이들의 에너지 소비는 종래의 LCD 디스플레이들의 에너지 소비보다 상당히 더 적다. 추가로, OLED들이 가요성 기판들 상에 제조될 수 있다는 사실은 추가적인 애플리케이션들을 발생시킨다. 전형적인 OLED 디스플레이는, 예컨대, 개별적으로 에너자이징 가능한(energizable) 픽셀들을 갖는 매트릭스 디스플레이 패널을 형성하기 위한 방식으로 기판 상에 모두 증착된, 2개의 전극들 사이에 위치된 유기 재료의 층들을 포함할 수 있다. OLED는 일반적으로, 2개의 유리 패널들 사이에 배치되고, 유리 패널들의 에지들은 그 내부에 OLED를 봉지(encapsulate)하도록 밀봉된다.Organic evaporators are tools for the production of organic light emitting diodes (OLEDs). OLEDs are special types of light emitting diodes in which the emissive layer comprises a thin film of certain organic compounds. Organic light emitting diodes (OLEDs) are used in the manufacture of television screens, computer monitors, mobile phones, other hand-held devices, etc. for displaying information. OLEDs can also be used for general spatial illumination. The range of possible colors, brightness, and viewing angles using OLED displays is greater than the range of colors, brightness, and viewing angles of conventional LCD displays because OLED pixels emit directly and do not use backlight to be. Thus, the energy consumption of OLED displays is significantly less than the energy consumption of conventional LCD displays. In addition, the fact that OLEDs can be fabricated on flexible substrates creates additional applications. A typical OLED display can include layers of organic material positioned between two electrodes, all deposited on a substrate, for example, to form a matrix display panel having individually energizable pixels . The OLED is typically disposed between two glass panels, and the edges of the glass panels are sealed to encapsulate the OLED therein.
[0003] 그러한 디스플레이 디바이스들의 제조에서 조우되는 다수의 난제들이 존재한다. OLED 디스플레이들 또는 OLED 라이팅(lighting) 애플리케이션들은, 예컨대 진공에서 증발되는 수개의 유기 재료들의 스택(stack)을 포함한다. 유기 재료들은 섀도우 마스크들을 통해 연속되는(subsequent) 방식으로 증착된다. 고 효율의 OLED 스택들의 제작을 위해, 혼합된/도핑된 층들을 발생시키는, 2개 또는 그 초과의 재료들, 예컨대 호스트(host) 및 도펀트(dopant)의 동시-증착 또는 동시-증발이 요구된다. 추가로, 매우 민감한 유기 재료들의 증발을 위해 수개의 프로세스 조건들이 존재한다는 것이 고려되어야만 한다.[0003] There are a number of challenges encountered in the manufacture of such display devices. OLED displays or OLED lighting applications include, for example, a stack of several organic materials evaporated in a vacuum. The organic materials are deposited in a subsequent manner through the shadow masks. For the fabrication of high efficiency OLED stacks, simultaneous-evaporation or co-evaporation of two or more materials, such as host and dopant, which produce mixed / doped layers is required . In addition, it should be considered that there are several process conditions for the evaporation of highly sensitive organic materials.
[0004] 커스토머 요구들 및 증가되는 CoO(cost of ownership)를 고려하면, 증착 시스템들의 설계는 점점 더 고려되어야 하는 주제가 되고 있다. 예컨대, 고 프로세스 가동시간은 커스토머들에 대해 유익하고, 따라서, 증착 시스템들에 대한 판매 인수(sales argument)이다. 그러나, 종종, 복잡한 프로세스들은 커스토머의 요구들을 만족시키는 것을 어렵게 한다.[0004] Considering consumer demands and increased cost of ownership (CoO), the design of deposition systems is becoming a subject that needs to be considered more and more. For example, high process uptime is beneficial to the customers and, therefore, is a sales argument for deposition systems. However, often complicated processes make it difficult to satisfy the needs of the consumer.
[0005] 상기된 바를 고려하면, 본원에서 설명되는 실시예들의 목적은, 본 기술분야에서의 문제들 중 적어도 일부를 극복하는, 진공 증착 시스템 및 기판 상에 재료를 증착하기 위한 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION [0005] In view of the foregoing, it is an object of embodiments described herein to provide a vacuum deposition system that overcomes at least some of the problems in the art, and a method for depositing material on a substrate .
[0006] 상기된 바를 고려하면, 독립 청구항들에 따른, 재료 증착 어레인지먼트(들), 진공 증착 시스템, 및 기판 상에 재료를 증착하기 위한 방법이 제공된다. 본 발명의 추가적인 양상들, 이점들, 및 특징들은 종속 청구항들, 설명, 및 첨부 도면들로부터 명백하게 된다.[0006] In view of the foregoing, there is provided, in accordance with the independent claims, a material deposition arrangement (s), a vacuum deposition system, and a method for depositing material on a substrate. Additional aspects, advantages, and features of the present invention will become apparent from the dependent claims, the description, and the accompanying drawings.
[0007] 일 실시예에 따르면, 기판 상에 재료를 증착하기 위한 진공 증착 시스템이 제공된다. 진공 증착 시스템은 챔버 볼륨(chamber volume)을 갖는 진공 챔버, 및 증착될 재료를 제공하기 위한 재료 증착 어레인지먼트를 포함한다. 재료 증착 어레인지먼트는 증착 동안에 진공 챔버 내에 위치된다. 진공 증착 시스템은 진공 챔버 내에서 가핀 사이즈를 갖는 기판을 지지하기 위한 기판 지지부를 더 포함한다. 챔버 볼륨 대 기판 사이즈의 비율은 15 m 또는 그 미만, 특히, 10 m 또는 그 미만이다.[0007] According to one embodiment, a vacuum deposition system for depositing a material on a substrate is provided. The vacuum deposition system includes a vacuum chamber having a chamber volume, and a material deposition arrangement for providing a material to be deposited. The material deposition arrangement is located in the vacuum chamber during deposition. The vacuum deposition system further includes a substrate support for supporting a substrate having a bipinnite size in a vacuum chamber. The ratio of chamber volume to substrate size is 15 m or less, especially 10 m or less.
[0008] 다른 실시예에 따르면, 수직으로 배향된 기판 상에 재료를 증착하기 위한 진공 증착 시스템이 제공된다. 진공 증착 시스템은 챔버 볼륨을 갖는 진공 챔버를 포함하고, 여기에서, 진공 챔버는 10-5 내지 10-7 mbar의 압력 레벨을 제공한다. 진공 증착 시스템은 증착될 재료를 제공하기 위한 재료 증착 어레인지먼트를 더 포함한다. 재료 증착 어레인지먼트는 증착 동안에 진공 챔버 내에 위치되고, 재료를 증발시키기 위한 도가니(crucible), 도가니와 유체 소통하는 선형 분배 파이프를 포함한다. 분배 파이프는 진공 챔버에서 증발된 재료를 가이딩하기 위한 배출구들을 제공한다. 재료 증착 어레인지먼트는 진공 챔버 내에서 이동가능하고, 특히, 회전가능하다. 진공 증착 시스템은 진공 챔버 내에서 기판 사이즈를 갖는 기판을 지지하기 위한 기판 지지부를 더 포함한다. 챔버 볼륨 대 기판 사이즈의 비율은 15 m 또는 그 미만, 특히, 10 m 또는 그 미만이다.[0008] According to another embodiment, a vacuum deposition system for depositing a material on a vertically oriented substrate is provided. The vacuum deposition system includes a vacuum chamber having a chamber volume, wherein the vacuum chamber provides a pressure level of 10 -5 to 10 -7 mbar. The vacuum deposition system further includes a material deposition arrangement for providing a material to be deposited. The material deposition arrangement is located in the vacuum chamber during deposition and includes a crucible for evaporating material, and a linear distribution pipe in fluid communication with the crucible. The dispensing pipe provides outlets for guiding the evaporated material in the vacuum chamber. The material deposition arrangement is movable, and in particular rotatable, within the vacuum chamber. The vacuum deposition system further includes a substrate support for supporting a substrate having a substrate size within the vacuum chamber. The ratio of chamber volume to substrate size is 15 m or less, especially 10 m or less.
[0009] 추가적인 실시예에 따르면, 진공 증착 시스템에서 기판 상에 재료를 증착하기 위한 방법이 제공된다. 진공 증착 시스템은 챔버 볼륨을 갖는 진공 챔버 및 재료 증착 어레인지먼트를 포함한다. 방법은 진공 챔버에 기판 사이즈를 갖는 프로세싱될 기판을 제공하는 단계를 포함하고, 여기에서, 기판은 15 m 또는 그 미만, 특히, 10 m 또는 그 미만의 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 갖는 진공 챔버에 제공된다. 방법은 재료 증착 어레인지먼트에서 재료를 증발시키는 단계; 및 기판으로 증발된 재료를 가이딩하는 단계를 더 포함한다.[0009] According to a further embodiment, a method for depositing material on a substrate in a vacuum deposition system is provided. A vacuum deposition system includes a vacuum chamber having a chamber volume and a material deposition arrangement. The method includes providing a vacuum chamber with a substrate to be processed having a substrate size, wherein the substrate has a chamber volume to substrate size ratio of 15 m or less, in particular 10 m or less / RTI > The method includes evaporating material in a material deposition arrangement; And guiding the vaporized material to the substrate.
[0010] 실시예들은 또한, 개시되는 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이고, 각각의 설명된 방법 단계를 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 방법 단계들은 하드웨어 컴포넌트들, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터, 이들 둘의 임의의 조합, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 발명에 따른 실시예들은 또한, 설명된 장치를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 이는 장치의 모든 각각의 기능을 수행하기 위한 방법 단계들을 포함한다.[0010] Embodiments also relate to apparatus for performing the disclosed methods and apparatus portions for performing each of the described method steps. The method steps may be performed in hardware components, a computer programmed by appropriate software, any combination of the two, or any other method. In addition, embodiments in accordance with the present invention also relate to methods for operating the described apparatus. This includes method steps for performing all the respective functions of the device.
[0011] 본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 발명의 실시예들과 관련되고, 다음에서 설명된다.
도 1a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템의 개략도를 도시한다.
도 1b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템을 위한 기판 홀딩(holding) 디바이스 및 기판의 개략도를 도시한다.
도 2는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템의 개략도를 도시한다.
도 3은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템의 개략적인 측 단면도를 도시한다.
도 4a 및 도 4b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 증착 시스템을 위한 재료 증착 어레인지먼트의 개략도, 및 재료 증착 어레인지먼트의 부분적이고 더 상세한 도면을 도시한다.
도 5a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템을 위한 재료 증착 어레인지먼트를 도시한다.
도 5b는 알려져 있는 바와 같은 증착 시스템을 도시한다.
도 6a 내지 도 6c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템을 위한 재료 증착 어레인지먼트의 분배 파이프들의 개략도들을 도시한다.
도 7은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판 상에 재료를 증착하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.[0011] In the manner in which the above-recited features of the present invention can be understood in detail, a more particular description of the invention, briefly summarized above, may be had by reference to embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present invention and are described below.
IA shows a schematic diagram of a vacuum deposition system according to embodiments described herein.
1B shows a schematic view of a substrate holding device and substrate for a vacuum deposition system according to embodiments described herein.
Figure 2 shows a schematic view of a vacuum deposition system in accordance with the embodiments described herein.
Figure 3 shows a schematic side cross-sectional view of a vacuum deposition system in accordance with the embodiments described herein.
Figures 4A and 4B show a schematic view of a material deposition arrangement for a vacuum deposition system and a partial and more detailed view of a material deposition arrangement, in accordance with the embodiments described herein.
Figure 5A illustrates a material deposition arrangement for a vacuum deposition system in accordance with embodiments described herein.
Figure 5b shows a deposition system as is known.
Figures 6A-6C illustrate schematic diagrams of distribution pipes of a material deposition arrangement for a vacuum deposition system in accordance with embodiments described herein.
Figure 7 shows a flow diagram of a method for depositing material on a substrate, in accordance with embodiments described herein.
[0012] 이제, 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이고, 그러한 다양한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들이 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 설명을 통해 제공되고, 제한으로서 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 부분으로서 예시 또는 설명되는 특징들이, 또한 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 그러한 변형들 및 변동들을 포함하도록 의도된다.[0012] Reference will now be made in detail to various embodiments, and one or more examples of such various embodiments are illustrated in the drawings. In the following description of the drawings, like reference numerals refer to like components. In general, only differences for the individual embodiments are described. Each example is provided by way of illustration and is not intended as a limitation. In addition, features illustrated or described as part of one embodiment may also be used in conjunction with other embodiments or with other embodiments to produce further embodiments. The description is intended to cover such modifications and variations.
[0013] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 진공 챔버는 진공으로 진공배기 가능한(evacuable) 챔버인 것으로서 이해될 수 있다. 예컨대, 본원에서 지칭되는 바와 같은 진공 챔버는 약 10-2 mbar 내지 약 10-7 mbar 또는 10-8 mbar의 진공으로 진공배기 가능할 수 있다. 일 예에서, 진공 챔버는 약 10-5 mbar 내지 약 10-7 mbar의 진공으로 진공배기 가능할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 챔버에서 진공을 보장하고 유지하기 위해, 각각의 진공 펌프들, 필터들, 밀봉부, 슬루스(sluice)들, 입자 트랩들, 각각 장비된 챔버 벽들 등이 진공 챔버에 제공될 수 있다. "진공 챔버 볼륨" 또는 챔버 볼륨"(본원에서 동의어로 사용될 수 있음)이라는 용어는 진공 챔버의 진공배기 가능한 볼륨인 것으로서 이해될 수 있다. 예컨대, 진공 챔버 볼륨 또는 챔버 볼륨은 진공 기밀(vacuum tight) 챔버 벽들 및 슬루스들에 의해 정의될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 진공 챔버 볼륨은 기판 지지부 및 재료 증착 어레인지먼트를 하우징하는 것을 허용하는 볼륨일 수 있다.[0013] According to the embodiments described herein, the vacuum chamber can be understood as being a vacuum evacuable chamber. For example, a vacuum chamber as referred to herein can be vacuum evacuated to a vacuum of about 10 -2 mbar to about 10 -7 mbar or 10 -8 mbar. In one example, the vacuum chamber may be vacuum evacuable to a vacuum of about 10 -5 mbar to about 10 -7 mbar. According to some embodiments, each of the vacuum pumps, filters, seals, sluices, particle traps, chamber walls each equipped with, etc., are provided in a vacuum chamber to ensure and maintain a vacuum in the vacuum chamber. As shown in FIG. Vacuum chamber volume "or " chamber volume" (which may be used as a synonym here) can be understood as being a vacuum evacuable volume of a vacuum chamber. In some embodiments, the volume of the vacuum chamber may be a volume that allows the substrate support and the material deposition arrangement to be housed.
[0014] 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지부는, 특히, 증착 동안에, 진공 증착 챔버와 같은 진공 챔버에서 기판을 지지할 수 있는 디바이스인 것으로서 이해될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 본원에서 지칭되는 바와 같은 기판 지지부는 기판 캐리어와 같은 기판 홀딩 디바이스를 지지하는 것이 가능할 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 기판 지지부는 기판 또는 기판 홀딩 디바이스를 지지하기 위한, 레일들, 롤러 시스템들, 자기 디바이스들, 클램프 디바이스들, 포지셔닝 디바이스들, 및/또는 가이딩 디바이스들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지부는 정의된 사이즈를 갖는 기판을 지지하도록 적응될 수 있거나 또는 그러한 기판을 지지하는데 적합할 수 있다. 예컨대, 기판 지지부의 치수들은 진공 프로세싱 챔버와 같은 프로세싱 챔버에서 프로세싱될 기판의 사이즈에 대해 적응될 수 있다. 일 예에서, 적어도 하나의 방향에서의 기판 지지부의 치수는 기판 사이즈의 최고 30 %만큼 기판 사이즈를 초과한다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에서, 기판은 실질적으로 수직인 배향으로 홀딩된 상태로 프로세싱될 수 있고, 여기에서, 기판 지지부의 사이즈는 기판 사이즈의 최고 30 %만큼 수직 방향으로 기판의 사이즈를 초과한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지부 사이즈는 기판의 제 1 측을 지지하는 제 1 측으로부터 기판의 제 2 측을 지지하는 제 2 측까지의 기판 지지부의 치수에 대응하는 것으로서 이해될 수 있다.[0014] According to some embodiments described herein, the substrate support can be understood as being a device capable of supporting a substrate in a vacuum chamber, such as a vacuum deposition chamber, in particular during deposition. In some embodiments, a substrate support as referred to herein may be capable of supporting a substrate holding device, such as a substrate carrier. For example, the substrate support in accordance with the embodiments described herein may include rails, roller systems, magnetic devices, clamping devices, positioning devices, and / or guiding devices for supporting a substrate or substrate holding device . According to some embodiments, the substrate support may be adapted to support a substrate having a defined size, or may be adapted to support such a substrate. For example, the dimensions of the substrate support can be adapted to the size of the substrate to be processed in a processing chamber, such as a vacuum processing chamber. In one example, the dimensions of the substrate support in at least one direction exceed the substrate size by up to 30% of the substrate size. In some embodiments described herein, the substrate can be processed in a state of being held in a substantially vertical orientation, wherein the size of the substrate support exceeds the size of the substrate in the vertical direction by up to 30% of the substrate size do. According to some embodiments, the substrate support size can be understood as corresponding to the dimension of the substrate support from the first side supporting the first side of the substrate to the second side supporting the second side of the substrate.
[0015] 본원에서 사용되는 바와 같은 기판 사이즈라는 용어는 기판의 면적, 특히, 증착 시스템 내에 배열되어 있는 경우에, 재료 증착 장치를 향하는 기판의 면적으로서 이해될 수 있다. 일 예에서, 기판 사이즈는 증착 시스템에서 재료로 코팅될 면적에 대응하는 것으로서 이해될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 사이즈의 일부는 캐리어와 같은 기판 홀딩 디바이스 또는 기판 지지부에 의해 덮일 수 있다. 일 예에서, 기판 사이즈는 실질적으로 직사각형 또는 실질적으로 정사각형인 기판의 면적이고, 여기에서, 두께는 무시가능할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 지칭되는 바와 같은 진공 증착 시스템에서의 기판 사이즈는 진공 챔버 내에 동시에 제공될 수 있는 2개 또는 그 초과의 기판들의 사이즈에 의해 형성될 수 있다.[0015] The term substrate size as used herein can be understood as the area of the substrate, particularly the area of the substrate facing the material deposition apparatus, when arranged in a deposition system. In one example, the substrate size can be understood as corresponding to the area to be coated with the material in the deposition system. According to some embodiments, a portion of the substrate size may be covered by a substrate holding device, such as a carrier, or a substrate support. In one example, the substrate size is the area of the substrate that is substantially rectangular or substantially square, wherein the thickness may be negligible. According to some embodiments, the substrate size in a vacuum deposition system as referred to herein may be formed by the size of two or more substrates that may be simultaneously provided in a vacuum chamber.
[0016] 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 증착 시스템이 도 1a에서 예시적으로 도시된 바와 같이 설명된다. 진공 증착 시스템(400)은 개략적으로, 진공 챔버(110), 및 진공 챔버(110) 내의 기판 지지부(600)를 포함하는 것으로 도시된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지부(600)는 진공 챔버(110)를 통해 연장될 수 있다. 기판 지지부(600)는 기판이 진공 챔버(110) 내로 그리고 진공 챔버(110) 밖으로 가이딩되게 허용할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(600)는 동일한 측에서 진공 챔버 내로 그리고 밖으로 기판을 가이딩하는 것을 허용할 수 있거나, 또는 대안적으로, 진공 챔버의 상이한 측들에서 진공 챔버 내로 그리고 밖으로 기판을 가이딩하는 것을 허용할 수 있다. 도 1a는 진공 챔버(110) 내에 삽입될 기판(121)을 도시한다. 더 나은 전체상(overview)을 위해, 재료 증착 어레인지먼트는 진공 챔버(110) 내에 도시되지 않는다.[0016] According to some embodiments, a vacuum deposition system is illustrated as exemplarily shown in FIG. 1A. The
[0017] 도 1a에서 도시된 예에서, 기판 지지부(600)는 제 1 측(601) 및 제 2 측(602)을 제공한다. 제 1 측(601) 및 제 2 측(602) 각각은 기판(121)의 하나의 에지 또는 기판 홀딩 디바이스의 하나의 에지를 지지하도록 구성된다. 도 1a는 2개의 측들을 갖는 기판 지지부(600)를 예시적으로 도시한다. 그러나, 당업자는 다른 실시예들에서 기판 지지부가 하나의 측만을 포함할 수 있거나 또는 2개 초과의 측들을 포함할 수 있다는 것을 이해할 수 있다. 또한, 당업자는 기판 지지부의 각각의 측들 및 기판의 실질적으로 수직인 배향이 단지 예일 뿐이라는 것을 이해할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템들에서 다른 또는 추가적인 구성들(예컨대, 각각 적응된 기판 지지부들에 대한 각도를 이루는 배향 또는 수평 배향)이 사용될 수 있다.[0017] In the example shown in FIG. 1A, a
[0018] 도 1a의 예에서 도시된 기판이 기판 지지부(600)에 의해 직접적으로 가이딩될 수 있는 한편, 도 1b는 기판(121)이 기판 홀딩 디바이스(610) 또는 캐리어(610)에 의해 홀딩되는 것을 도시한다. 예컨대, 기판 홀딩 디바이스(610)는 기판(121)을 운반하는 프레임의 종류일 수 있다. 도 1b에서 예시적으로 도시된 기판 홀딩 디바이스(610)는 기판 홀딩 디바이스(610)에 기판을 부착시키기 위한 클램프들(611)을 포함한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 홀딩 디바이스는 레일들, 추가적인 클램프들, 자기장 또는 전기장, 핀들 등과 같은, 기판을 운반하기 위한 추가적인 또는 다른 기법들을 사용할 수 있다. 일 실시예에서, 기판 홀딩 디바이스는 E-척일 수 있다.1A can be directly guided by the
[0019] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판 상에 재료를 증착하기 위한 진공 증착 시스템이 제공된다. 진공 증착 시스템은 챔버 볼륨을 갖는 진공 챔버를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 진공 증착 시스템의 진공 챔버는 기판 상의 재료의 증착이 발생하는 프로세싱 챔버이다. 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세스 챔버는 기판 상에 유기 재료를 증착하도록 적응된 프로세스 챔버일 수 있다. 진공 증착 시스템은 기판 상에 증착될 재료를 제공하기 위한 재료 증착 어레인지먼트를 더 포함한다. 전형적으로, 재료 증착 어레인지먼트, 또는 재료 증착 어레인지먼트의 적어도 일부는 증착 동안에 진공 챔버 내에 위치된다. 진공 증착 시스템은 진공 챔버 내에서 기판 사이즈를 갖는 기판을 지지하기 위한 기판 지지부를 더 포함한다. 전형적으로, 기판 사이즈를 갖는 기판은 재료 증착 어레인지먼트에 의해 코팅될 기판이다. 챔버 볼륨 대 기판 사이즈의 비율은 15 m 또는 그 미만, 특히, 10 m 또는 그 미만이다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판 사이즈는 m2 단위로 측정될 수 있고, 챔버 볼륨은 m3 단위로 측정될 수 있다.[0019] According to embodiments described herein, a vacuum deposition system for depositing a material on a substrate is provided. The vacuum deposition system includes a vacuum chamber having a chamber volume. In some embodiments, the vacuum chamber of the vacuum deposition system is a processing chamber in which deposition of material on the substrate occurs. According to some embodiments, the process chamber may be a process chamber adapted to deposit an organic material on a substrate. The vacuum deposition system further includes a material deposition arrangement for providing a material to be deposited on the substrate. Typically, at least a portion of the material deposition arrangement, or material deposition arrangement, is located in the vacuum chamber during deposition. The vacuum deposition system further includes a substrate support for supporting a substrate having a substrate size within the vacuum chamber. Typically, a substrate having a substrate size is a substrate to be coated by material deposition arrangement. The ratio of chamber volume to substrate size is 15 m or less, especially 10 m or less. According to the embodiments described herein, the substrate size can be measured in m 2 , and the chamber volume can be measured in m 3 .
[0020] 본원에서 설명되는 실시예들은 특히, 진공 증착 시스템에서의 재료들의 증발, 예컨대, 대면적 기판들 상의 OLED 디스플레이 제조를 위한 유기 재료들의 증발에 관한 것이다. 몇몇 실시예들에 따르면, 대면적 기판들, 또는 하나 또는 그 초과의 기판들을 지지하는 기판 홀딩 디바이스들, 즉 대면적 캐리어들은 적어도 0.174 m2의 사이즈를 가질 수 있다. 다른 예들에서, 진공 증착 시스템은 약 1.4 m2 기판들(1.1 m x 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2 기판들(1.95 m x 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m x 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 약 8.7 m2 기판들(2.85 m × 3.05 m)에 대응하는 GEN 10의 기판들을 프로세싱하도록 적응될 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 한층 더 큰 세대(generation)들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. 일 실시예에서, 기판 지지부는 약 3 m x 약 3 m의 사이즈를 갖는 기판을 지지하도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 사이즈(즉, 기판 면적)는 15 m2까지, 예컨대, 전형적으로는 약 1 m2 내지 약 12 m2, 더 전형적으로는 약 1 m2 내지 약 10 m2, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 2 m2 내지 약 10 m2의 기판 사이즈까지 도달할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 기판 두께는 0.1 내지 1.8 mm일 수 있고, 기판을 위한 홀딩 어레인지먼트는 그러한 기판 두께들에 대해 적응될 수 있다. 그러나, 특히, 기판 두께는 약 0.9 mm 또는 그 미만, 예컨대 0.5 mm 또는 0.3 mm일 수 있고, 홀딩 어레인지먼트는 그러한 기판 두께들에 대해 적응된다.[0020] Embodiments described herein are particularly directed to evaporation of materials in a vacuum deposition system, such as evaporation of organic materials for manufacturing OLED displays on large area substrates. According to some embodiments, large area substrates, or substrate holding devices supporting one or more substrates, i.e., large area carriers, may have a size of at least 0.174 m 2 . In other examples, the vacuum deposition system has GEN 5 corresponding to about 1.4 m 2 substrates (1.1 mx 1.3 m), GEN 7.5 corresponding to about 4.29 m 2 substrates (1.95 mx 2.2 m), about 5.7 m 2 substrates (2.8 m x 3.05 m), or even about 8.7 m 2 substrates (2.85 m x 3.05 m). Larger generations, such as GEN 11 and GEN 12, and corresponding substrate areas can similarly be implemented. In one embodiment, the substrate support can be configured to support a substrate having a size of about 3 mx about 3 m. According to some embodiments, the substrate size (i.e., substrate area) may be up to 15 m 2 , such as typically from about 1 m 2 to about 12 m 2 , more typically from about 1 m 2 to about 10 m 2 , And even more typically up to a substrate size of about 2 m 2 to about 10 m 2 . According to exemplary embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the substrate thickness may be 0.1 to 1.8 mm, and the holding arrangement for the substrate may be adapted for such substrate thicknesses. However, in particular, the substrate thickness may be about 0.9 mm or less, such as 0.5 mm or 0.3 mm, and the holding arrangement is adapted for such substrate thicknesses.
[0021] 몇몇 실시예들에 따르면, 챔버 볼륨 대 기판 사이즈는 전형적으로는 약 0.3 m 내지 약 15 m, 더 전형적으로는 약 1 m 내지 약 10 m, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 2 m 내지 약 10 m일 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율은 전형적으로는 15 m 또는 10 m 미만, 더 전형적으로는 5 m 미만, 그리고 한층 더 전형적으로는 3 m 미만이다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 재료 증착 어레인지먼트의 챔버 볼륨은 전형적으로는 약 3 m3 내지 약 100 m3, 더 전형적으로는 약 3 m3 내지 약 50 m3, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 5m3 내지 약 30 m3일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 챔버 볼륨은 10 m3 내지 15 m3, 예컨대 약 12 m3 내지 13 m3일 수 있다.[0021] According to some embodiments, the chamber volume to substrate size is typically from about 0.3 m to about 15 m, more typically from about 1 m to about 10 m, and even more typically from about 2 m to about 10 m 10 m. According to some embodiments, the chamber volume to substrate size ratio is typically less than 15 m or less than 10 m, more typically less than 5 m, and even more typically less than 3 m. According to some embodiments described herein, the chamber volume of the material deposition arrangement is typically from about 3 m 3 to about 100 m 3 , more typically from about 3 m 3 to about 50 m 3 , and even more typically, Can be from about 5 m 3 to about 30 m 3 . In some embodiments, the chamber volume may be between 10 m 3 and 15 m 3 , such as between about 12 m 3 and 13 m 3 .
[0022] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 재료 증착 시스템은 CoO에 관하여, 특히, 생산 라인에서 재료 증착 시스템을 위해 사용되는 공간에 관하여 유익하다. 예컨대, 15 m 미만의 프로세스 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율은 더 작은 공간이 재료 증착 시스템에 의해 점유되게 한다. 재료 증착 시스템에 의해 점유되는 더 작은 공간은 알려져 있는 시스템들이 허용하는 것보다 생산 라인에 더 많은 재료 증착 시스템들을 배열하는 것을 허용할 수 있다. 생산 라인에 더 많은 재료 증착 시스템들을 제공하는 것은 생산을 더 유연하게 하고, 더 높은 처리량을 가능하게 한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 재료 증착 시스템에 의해 제공되는 더 높은 유연성은 제공되는 제품들의 스펙트럼을 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 코팅된 기판들의 처리량을 증가시키는 것은 생산의 효율을 증가시킬 수 있다. 설명되는 효과들은 추가로, 단일 제품의 적응된, 말하자면 감소된 비용을 야기할 수 있어서, 클라이언트들에게 더 낮은 비용들을 제공하는 것을 허용할 수 있다.[0022] According to the embodiments described herein, a material deposition system as described herein is beneficial with respect to CoO, particularly with regard to the space used for material deposition systems in the production line. For example, a process chamber volume to substrate size ratio of less than 15 m allows smaller spaces to be occupied by the material deposition system. The smaller space occupied by the material deposition system may allow arranging more material deposition systems in the production line than known systems allow. Providing more material deposition systems to the production line makes production more flexible and enables higher throughput. The higher flexibility provided by the material deposition system according to the embodiments described herein can be used to increase the spectrum of the products provided. Increasing the throughput of coated substrates can increase the efficiency of production. The effects described can additionally cause an adapted, say, reduced cost of a single product, allowing to provide clients with lower costs.
[0023] 복수의 피처들이 위에서 설명된 효과들을 실현하거나 또는 증가시키는데 유용할 수 있다. 예컨대, 진공 챔버로의 2개의 기판들의 동시 제공, 그리고 특히, 실질적으로 수직으로 배향된 기판 상의 증착은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 재료 증착 시스템의 효과들을 증가시킬 수 있다. 추가로, 아래에서 상세히 설명될 바와 같은, 진공 챔버 내에서 이동가능(예컨대, 병진, 회전, 또는 양자 모두)할 수 있는 이동가능한 재료 소스 어레인지먼트는 본원에서 설명되는 진공 증착 시스템을 실현하는데 유용할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지부와 재료 증착 어레인지먼트(예컨대, 재료 소스) 사이의 최적화된 거리는 본원에서 설명되는 바와 같은 진공 증착 시스템의 소유자가 위에서 설명된 효과들로부터 이익을 얻을 수 있게 할 수 있다. 예컨대, 최적화된 노즐 설계는 증착되는 재료의 균일성 및 품질에서의 손실들 없이 기판 지지부와 재료 소스 사이의 거리를 감소시키는 것을 허용할 수 있다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 증착될 증발되는 재료의 명확히 지향되는 플룸(plume)은 최적화된 방식으로 기판 사이즈에 대해 진공 챔버를 적응시키는 것, 및 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 최소화하는 것을 허용한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템에서 유익하게 사용될 수 있는, 진공 증착 시스템의 피처들의 추가적인 또는 다른 예들이 아래에서 설명된다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 증착 시스템의 본원에서 설명되는 복수의 피처들 중 전형적으로는 2개, 더 전형적으로는 3개가 15 m 또는 그 미만, 특히, 10 m 또는 그 미만의 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율의 한층 더 나은 실현을 위해 사용될 수 있다.[0023] A plurality of features may be useful for realizing or increasing the effects described above. For example, simultaneous provision of two substrates to a vacuum chamber, and in particular deposition on a substantially vertically oriented substrate, can increase the effects of the material deposition system according to the embodiments described herein. Additionally, a movable material source arrangement that can be moved (e.g., translational, rotational, or both) within a vacuum chamber, as will be described in detail below, may be useful for realizing the vacuum deposition system described herein have. According to some embodiments, an optimized distance between a substrate support and a material deposition arrangement (e.g., a material source) may enable the owner of a vacuum deposition system as described herein to benefit from the effects described above . For example, an optimized nozzle design may allow reducing the distance between the substrate support and the source of material without losses in the uniformity and quality of the deposited material. According to some embodiments described herein, a clearly directed plume of evaporated material to be deposited may be adapted to adapt the vacuum chamber to the substrate size in an optimized manner and to minimize the chamber volume to substrate size ratio . Additional or other examples of features of a vacuum deposition system, which may be advantageously used in a vacuum deposition system according to embodiments described herein, are described below. According to some embodiments described herein, typically two, and more typically three, of the plurality of features described herein for a vacuum deposition system is 15 m or less, in particular 10 m or less Can be used for an even better realization of the chamber volume to substrate size ratio.
[0024] 아래에서 나타낸 진공 증착 시스템들은 15 m 또는 그 미만의 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 제공할 수 있는 시스템의 예들이다. 도 2는 설명되는 실시예들에 따른 진공 증착 시스템을 도시한다. 도 2의 증착 시스템(300)은 진공 챔버(110)에서 적소에 있는 재료 증착 어레인지먼트(100)를 포함한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 재료 증착 어레인지먼트는 병진 이동 및/또는 축을 중심으로 하는 회전을 위해 구성된다. 재료 증착 어레인지먼트(100)는 하나 또는 그 초과의 증발 도가니들(104) 및 하나 또는 그 초과의 분배 파이프들(106)을 포함할 수 있다. 2개의 증발 도가니들 및 2개의 분배 파이프들이 도 2에서 도시된다. 도 2에서 도시된 실시예에서, 2개의 기판들(121)이 진공 챔버(110)에 예시적으로 제공된다. 전형적으로, 기판 상의 층 증착의 마스킹을 위한 마스크(132)가 기판과 재료 증착 어레인지먼트(100) 사이에 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 마스크는 픽셀 마스크, 예컨대, 전형적으로는 약 10 μm 내지 약 50 μm, 더 전형적으로는 약 15 μm 내지 40 μm, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 15 μm 내지 약 30 μm의 사이즈(예컨대, 단면의 직경 또는 최소 치수)를 갖는 개구들을 갖는 픽셀 마스크일 수 있다. 일 예에서, 마스크 개구들의 사이즈는 약 20 μm이다. 다른 예에서, 마스크 개구들은 약 50 μm x 50 μm의 연장(extension)을 갖는다. 유기 재료가 분배 파이프들(106)로부터 증발된다. 분배 파이프는 분배 파이프에서의 압력이 분배 파이프 외부의 압력보다 예컨대 적어도 하나의 자릿수만큼 더 높게 되도록 개구들을 갖는 인클로저(enclosure)를 포함하는 것으로 본원에서 이해될 수 있다. 일 예에서, 분배 파이프에서의 압력은 약 10-2 내지 약 10-3 mbar일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 진공 챔버에서의 압력은 10-5 mbar 내지 10-7 mbar일 수 있다.[0024] The vacuum deposition systems shown below are examples of systems that can provide a chamber volume to substrate size ratio of 15 m or less. Figure 2 illustrates a vacuum deposition system in accordance with the described embodiments. The
[0025] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판들은 본질적으로 수직인 포지션에서 유기 재료로 코팅될 수 있다. 도 2에서 도시된 도면은 재료 증착 어레인지먼트(100)를 포함하는 장치의 평면도이다. 전형적으로, 분배 파이프는 선형 증기 분배 샤워헤드이다. 몇몇 실시예들에 따르면, 분배 파이프는 본질적으로 수직으로 연장되는 라인 소스를 제공한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 본질적으로 수직인 것은, 특히, 기판 배향을 지칭하는 경우에, 20° 또는 그 미만, 예컨대 10° 또는 그 미만의 수직 방향으로부터의 편차를 허용하는 것으로 이해된다. 편차는, 예컨대, 수직 배향으로부터 약간의 편차를 갖는 기판 지지부가 더 안정적인 기판 포지션을 야기할 수 있기 때문에 제공될 수 있다. 또한, 유기 재료의 증착 동안의 기판 배향이 본질적으로 수직인 것으로 고려되고, 이는 수평 기판 배향과 상이한 것으로 고려된다. 다른 실시예들에 따르면, 진공 증착 시스템은 본질적으로 수평으로 배향된 기판 상에 재료를 증착하기 위한 진공 증착 시스템일 수 있다. 예컨대, 진공 증착 시스템에서의 기판의 코팅은 상방 또는 하방으로 수행될 수 있다.[0025] According to embodiments described herein, substrates may be coated with an organic material in an essentially vertical position. 2 is a plan view of an apparatus including a
[0026] 도 2는 진공 챔버(110)에서 유기 재료를 증착하기 위한 진공 증착 시스템(300)의 실시예를 예시한다. 재료 소스(100)는 진공 챔버(110)에서 이동가능하도록, 특히, 회전가능하도록 제공되고, 그리고/또는 트랙, 예컨대 루프형 트랙 또는 선형 가이드(320) 상에 제공된다. 트랙 또는 선형 가이드(320)는 재료 소스(100)의 병진 이동을 위해 구성된다. 몇몇 실시예들에서, 재료 증착 어레인지먼트는 회전가능하도록, 특히, 재료 증착 어레인지먼트의 축을 중심으로 회전가능하도록 적응될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 회전 또는 병진 이동을 위한 구동기(drive)가 재료 소스(100)에, 진공 챔버(110) 내에, 또는 이들의 조합으로 제공될 수 있다. 도 2는 예컨대 게이트 밸브와 같은 밸브(205)를 도시한다. 밸브(205)는 인접한 진공 챔버(도 2에서는 도시되지 않음)에 대한 진공 밀봉을 허용한다. 밸브는 진공 챔버(110) 내로의 또는 진공 챔버(110) 밖으로의 기판(121) 또는 마스크(132)의 운송을 위해 개방될 수 있다.[0026] FIG. 2 illustrates an embodiment of a
[0027] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 유지보수 진공 챔버(210)와 같은 추가적인 진공 챔버가 진공 챔버(110) 근처에 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 진공 챔버(110) 및 유지보수 진공 챔버(210)는 밸브(207)로 연결된다. 밸브(207)는 진공 챔버(110)와 유지보수 진공 챔버(210) 사이의 진공 밀봉을 개방 및 폐쇄하도록 구성된다. 재료 증착 어레인지먼트(100)는 밸브(207)가 개방된 상태에 있는 동안에 유지보수 진공 챔버(210)로 이송될 수 있다. 다른(예컨대, 새로운(fresh) 또는 완전히 채워진) 재료 증착 어레인지먼트, 예컨대 재료 소스가 밸브(207)를 통해 (예컨대, 유지보수 진공 챔버(210)로부터) 진공 챔버(110)로 가이딩될 수 있다. 그 후에, 밸브는 진공 챔버(110)와 유지보수 진공 챔버(210) 사이에 진공 밀봉을 제공하도록 폐쇄될 수 있다. 밸브(207)가 폐쇄되는 경우에, 유지보수 진공 챔버(210)는, 진공 챔버(110)에서의 진공을 파괴시키지 않으면서, 재료 증착 어레인지먼트(100)의 유지보수를 위해 통기(vent) 및 개방될 수 있다. 높은 프로세스 가동시간이 그 결과일 수 있다. 진공 챔버 및 유지보수 챔버의 어레인지먼트는 15 m 또는 그 미만의 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율에 기여할 수 있다.[0027] According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, additional vacuum chambers, such as
[0028] 도 2에서 예시적으로 도시된 실시예에서, 2개의 기판들(121)이 도 2에서 도시된 실시예에서 진공 챔버(110) 내의 각각의 운송 트랙들 상에 지지된다. 몇몇 실시예들에서, 마스크들을 위한 운송 트랙들(131)이 제공된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 지지부와 분배 파이프들 중 적어도 하나 사이의 거리는 250 mm 미만이다. 도 2에서, 거리는 재료 증착 어레인지먼트 또는 재료 소스(100)의 분배 파이프(106)의 배출구 또는 노즐과 기판 지지부(126) 사이의 거리(101)에 의해 표시된다. 추가로, 마스크들(132)을 위에 제공하기 위한 2개의 트랙들이 제공된다. 기판들(121)의 코팅은 각각의 마스크들(132)에 의해 마스킹될 수 있다. 전형적인 실시예들에 따르면, 마스크들(132), 즉, 제 1 기판(121)에 대응하는 제 1 마스크(132) 및 제 2 기판(121)에 대응하는 제 2 마스크(132)는 미리 결정된 포지션으로 마스크(132)를 홀딩하기 위해 마스크 프레임(131)에 제공된다.[0028] In the embodiment illustrated in FIG. 2, two
[0029] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판(121)은 정렬 유닛(112)에 연결된 기판 지지부(126)에 의해 지지될 수 있다. 기판(121)과 마스크(132) 사이의 포지션을 서로에 관하여 조정하도록 구성된 정렬 유닛들(112)은 증착 프로세스 동안의 마스킹의 적절한 정렬을 허용하고, 이는 우수한 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율, 그리고 동시에, 예컨대 LED 디스플레이 제조 또는 OLED 디스플레이 제조의 높은 품질에 대해 유익하다.[0029] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the
[0030] 본원에서 설명되는 바와 같은 재료 증착 시스템은 다양한 애플리케이션들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 다양한 애플리케이션들은 하나, 2개, 또는 그 초과의 유기 재료들이 동시에 증발되는 프로세싱 단계들을 포함하는 OLED 디바이스 제조를 포함할 수 있다. 도 2에서 도시된 예의 경우에, 2개의 분배 파이프들 및 대응하는 증발 도가니들이 서로 바로 옆에 제공될 수 있다. 따라서, 재료 증착 어레인지먼트(100)는 또한, 재료 증착 어레인지먼트 어레이라고 지칭될 수 있고, 예컨대, 여기에서, 하나 초과의 종류의 유기 재료가 동시에 증발된다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 재료 증착 어레인지먼트 어레이 그 자체는 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 위한 재료 소스라고 지칭될 수 있고, 예컨대, 재료 증착 어레인지먼트 어레이는 3개의 재료들을 증발시키고 하나의 기판 상에 증착하도록 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 재료 증착 어레인지먼트 어레이는 상이한 재료 소스들로부터 동일한 재료를 동시에 제공하도록 구성될 수 있다.[0030] Material deposition systems as described herein can be used in a variety of applications. For example, various applications may include OLED device fabrication including processing steps in which one, two, or more organic materials are evaporated simultaneously. In the case of the example shown in Figure 2, two distribution pipes and corresponding evaporation crucibles can be provided next to each other. Thus, the
[0031] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 재료 증착 어레인지먼트의 분배 파이프 또는 증발 튜브는, 분배 파이프의 개구들 또는 노즐들이 서로에 대해 가능한 근접하게 되게 하는 것이 가능하도록, 삼각형 형상으로 설계될 수 있다. 분배 파이프의 개구들 또는 노즐들이 서로에 대해 가능한 근접하게 되게 하는 것은, 예컨대, 예를 들어 2개, 3개, 또는 한층 더 많은 상이한 유기 재료들의 동시-증발의 경우에 대해, 상이한 유기 재료들의 개선된 혼합을 달성하는 것을 허용한다. 동시에, 아래에서 상세히 설명될 삼각형 형상은 또한, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 재료 증착 시스템에 의해 제공되는 바와 같은, 개선된 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율에 기여할 수 있다.[0031] According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the distribution pipe or evaporation tube of the material deposition arrangement may be configured such that the openings or nozzles of the distribution pipe are as close as possible It can be designed in a triangular shape. Making the apertures or nozzles of the dispensing pipe as close to each other as possible is advantageous in that, for example, for the simultaneous evaporation of two, three, or even more different organic materials, Lt; / RTI > mixing. At the same time, the triangular shape to be described in detail below can also contribute to an improved chamber volume to substrate size ratio, as provided by the material deposition system according to the embodiments described herein.
[0032] 도 2에서 도시된 실시예가 이동가능한 소스를 갖는 증착 장치를 제공하지만, 당업자는 위에서 설명된 실시예들이 또한, 프로세싱 동안에 기판이 이동되는 증착 장치들에 적용될 수 있다는 것을 이해할 수 있다. 예컨대, 코팅될 기판들은 정지된 재료 소스들을 따라 가이딩 및 구동될 수 있다.While the embodiment shown in FIG. 2 provides a deposition apparatus with a movable source, those skilled in the art will appreciate that the embodiments described above can also be applied to deposition apparatuses in which the substrate is moved during processing. For example, substrates to be coated may be guided and driven along stationary material sources.
[0033] 도 3은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 재료 증착 시스템(500)의 개략적인 측 단면도를 도시한다. 재료 증착 시스템(500)은 진공 챔버(110)를 포함한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 챔버(110) 내에 도시된 기판(121)은 롤러들(403 및 424)을 갖는 기판 지지부에 의해 지지될 수 있다. 도 3에서 도시된 실시예는 진공 챔버(110)에 제공된 2개의 기판들(121)을 나타낸다. 또한, 특히, 진공 챔버에 수개의 재료 증착 어레인지먼트(100)를 포함하는 실시예들에 대해, 적어도 3개의 기판들 또는 적어도 4개의 기판들이 제공될 수 있다. 기판의 교환, 즉, 진공 챔버 내로의 새로운 기판의 운송 및 진공 챔버 밖으로의 프로세싱된 기판의 운송을 위한 충분한 시간이, 더 많은 수의 재료 증착 어레인지먼트들, 그리고 따라서, 더 높은 처리량을 갖는 재료 증착 시스템(500)에 대해서도 제공될 수 있다.[0033] FIG. 3 shows a schematic side cross-sectional view of a
[0034] 도 3은 제 1 기판(121)을 위한 제 1 운송 트랙 및 제 2 기판(121)을 위한 제 2 운송 트랙을 도시한다. 제 1 롤러 어셈블리가 진공 챔버(110)의 하나의 측 상에 도시된다. 제 1 롤러 어셈블리는 롤러들(424)을 포함한다. 추가로, 운송 시스템은 자기 가이딩 엘리먼트(524)를 포함한다. 유사하게, 롤러들 및 자기 가이딩 엘리먼트를 갖는 제 2 운송 시스템이 진공 챔버의 반대 측 상에 제공된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 도 1a에서 예시적으로 표시된 바와 같이, 롤러들은 기판 지지부의 제 1 측(601)에 제공될 수 있고, 자기 가이딩 엘리먼트들은 기판 지지부의 제 2 측(602)에 제공될 수 있다. 도 3에서 도시된 예에서, 기판(121)은 기판 홀딩 디바이스(421) 또는 캐리어(421)에 의해 홀딩된다. 캐리어들(421)의 상측 부분들은 자기 가이딩 엘리먼트들(524)에 의해 가이딩된다. 유사하게, 몇몇 실시예들에 따르면, 마스크 프레임들(131)은 롤러들(402) 및 자기 가이딩 엘리먼트들(503)에 의해 지지될 수 있다. 2개의 재료 증발기들(102a 및 102b)이 추가로 도 3에서 도시된다.[0034] FIG. 3 shows a first transport track for the
[0035] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 도 2 및/또는 도 3에 대하여 설명된 복수의 피처들이 15 m 또는 그 미만의 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 제공하는 것에 기여할 수 있다. 예컨대, 재료 소스로서 또한 표시될 수 있는 회전 재료 증착 어레인지먼트는 챔버 볼륨 대 기판 사이즈의 비율을 감소시키는 것을 돕는다. 부가적으로 또는 대안적으로, 하나의 재료 소스 어레인지먼트를 사이에 갖는, 진공 챔버에 존재하는 2개의 기판들이, 설명된 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율에 기여할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 챔버 볼륨 대 기판 사이즈의 비율은, 2개 또는 그 초과의 기판들이 진공 증착 챔버에 존재하여 함께 기판 사이즈를 형성하는 경우에, 더 감소될 수 있다. 추가로, 진공 챔버 내에서 최소의 공간을 점유하는 기판 지지부 뿐만 아니라 진공 챔버에서의 기판의 결과적인 전달 또는 운송은 15 m 또는 그 미만의 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 달성하는데 유용하다.[0035] According to the embodiments described herein, the plurality of features described with respect to FIG. 2 and / or FIG. 3 may contribute to providing a chamber volume to substrate size ratio of 15 m or less. For example, rotating material deposition arrangements, which may also be displayed as a material source, help reduce the ratio of chamber volume to substrate size. Additionally or alternatively, two substrates in a vacuum chamber, with one material source arrangement in between, can contribute to the chamber volume to substrate ratio ratio described. According to some embodiments, the ratio of chamber volume to substrate size can be further reduced if two or more substrates are present in the vacuum deposition chamber to form a substrate size together. In addition, the resulting transfer or transport of the substrate in the vacuum chamber as well as the substrate support occupying the minimum space within the vacuum chamber is useful for achieving a chamber volume to substrate size ratio of 15 m or less.
[0036] 도 4a는 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 개선하는 것을 돕는 복수의 피처들의 추가적인 피처를 도시한다. 도 4a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 재료 증착 시스템을 위한 재료 증착 어레인지먼트(100)의 측면도를 도시한다. 도 4a에서 도시된 바와 같은 재료 증착 어레인지먼트의 실시예는 제 1 재료 증발기(102a)를 갖는 제 1 재료 소스, 제 2 재료 증발기(102b)를 갖는 제 2 재료 소스, 및 제 3 재료 증발기(102c)를 갖는 제 3 재료 소스를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 재료 증발기들(102a, 102b, 및 102c) 각각은 상이한 재료를 제공할 수 있다. 다른 실시예에서, 재료 증발기들 각각이 동일한 재료를 제공할 수 있거나, 또는 재료 증발기들의 일부가 동일한 재료를 제공할 수 있는 반면에, 재료 증발기들 중 다른 부분은 상이한 재료를 제공한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 재료 증발기들(102a, 102b, 및 102c)은 기판 상에 증착될 재료를 증발시키도록 구성된 도가니들일 수 있다. 재료 증발기들(102a, 102b, 및 102c)은 각각 분배 파이프들(106a, 106b, 및 106c)과 유체 소통하고 있다. 재료 증발기들 중 하나에 의해 증발된 재료는 재료 증발기로부터 방출될 수 있고, 각각의 분배 파이프 내로 유동할 수 있다.[0036] FIG. 4A illustrates additional features of a plurality of features that help improve the chamber volume-to-substrate size ratio. FIG. 4A illustrates a side view of a
[0037] 도 4a에서 볼 수 있는 바와 같이, 분배 파이프들(106a, 106b, 및 106c) 각각은 복수의 노즐들(712)을 포함한다. 복수의 노즐들을 통해, 증발된 재료가 방출되고, 코팅될 기판(미도시)으로 가이딩된다. 도 4b는 도 4a에서 도시된 제 3 분배 파이프(106c)의 섹션(A)의 확대도를 도시한다. 도 4b에서 도시된 부분적인 도면은 분배 파이프(106c), 및 분배 파이프(106c)의 복수의 노즐들 중 하나의 노즐(712)을 도시한다. 노즐(712)은 개구(713) 또는 통로를 제공하고, 증발된 재료가 그러한 개구(713) 또는 통로를 통과할 수 있다. 도 4b에서 도시된 바와 같이, 노즐(712)의 개구(713)는 개구 길이(714)를 제공한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 개구 길이(714)는 노즐의 길이방향 또는 길이 축을 따라, 특히, 노즐에서 빠져나가는 평균 유체 방향에 대응하는 방향에서 측정될 수 있다. 일 실시예에서, 노즐의 개구 길이(714)는 분배 파이프의 길이(또는 선형) 방향에 대해 실질적으로 수직적일 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 분배 파이프들의 각각의 노즐이 2:1 또는 그보다 더 큰(예컨대, 또는 2.5:1, 3:1, 5:1 또는 심지어 5:1 초과와 같이 더 큰) 개구 길이 대 사이즈 비율을 가질 수 있거나, 또는 분배 파이프들의 노즐들의 일부만이 언급된 길이 대 사이즈 비율을 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 노즐(또는 노즐 개구)의 사이즈는 노즐의 단면의 최소 치수로서 설명될 수 있다. 예컨대, 노즐이 실질적으로 원형인 단면을 갖는 경우에, 노즐의 사이즈는 노즐 개구의 직경에 대응할 수 있다.[0037] As can be seen in FIG. 4A, each of the
[0038] "실질적으로 수직적인"이라는 용어는 최고 15°만큼의 정확한 수직적인 어레인지먼트로부터의 편차를 포함하는 것으로서 이해될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 아래의 설명에서 "실질적으로"로 나타내어 있는 추가적인 용어들은 표시된 각도 어레인지먼트로부터의 최고 15°의 편차, 또는 하나의 치수의 약 15 %의 편차를 포함할 수 있다.[0038] The term "substantially vertical" can be understood as including deviations from accurate vertical alignment by as much as 15 degrees. According to some embodiments, additional terms indicated as " substantially "in the following description may include deviations of up to 15 [deg.] From the indicated angular arrangement, or deviations of about 15% of one dimension.
[0039] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 지칭되는 분배 파이프들 또는 재료 증착 어레인지먼트의 노즐들은 cosn 형 형상의 프로파일을 갖는 플룸을 형성하도록 설계될 수 있고, 여기에서, n은 특히, 4보다 더 크다. 일 예에서, 노즐은 cos6 형 형상의 프로파일을 갖는 플룸을 형성하도록 설계된다. 증발된 재료의 cosn 형성 플룸을 달성하는 노즐은, 플룸의 좁은 형상이 요구되는 경우에, 유용할 수 있다. 예컨대, 작은 개구들(예컨대, 약 20 μm의 사이즈를 갖는 개구들)을 갖는, 기판을 위한 마스크들을 포함하는 증착 프로세스는 좁은 cos6 형상의 플룸으로부터 이익을 얻을 수 있고, 증발된 재료의 플룸이 마스크 상에 확산되지 않고 마스크의 개구들을 통과하므로 재료 활용이 증가될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 노즐은 노즐의 길이와 노즐의 통로의 직경의 관계가 2:1 또는 그 초과와 같은 정의된 관계에 있도록 설계될 수 있다. 부가적인 또는 대안적인 실시예들에 따르면, 노즐의 통로는 유익한 플룸 형상을 달성하기 위해 스텝들, 경사도들, 콜리메이터 구조(들), 및/또는 압력 스테이지들을 포함할 수 있다. 본원에서의 실시예들에서 설명되는 바와 같은 노즐 설계에 의해 제공되는 증기 플룸의 개선된 방향성은 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 더 감소시키는 것을 허용할 수 있다.[0039] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the nozzles of the distribution pipes or material deposition arrangements referred to herein are designed to form a plume having a profile of a cos n shape Where n is, in particular, greater than four. In one example, the nozzle is designed to form a plume with a profile of a cos 6 shape. The nozzles that achieve the cos n forming plume of the evaporated material may be useful if a narrow shape of the plume is desired. For example, a deposition process comprising masks for a substrate with small openings (e.g., openings having a size of about 20 [mu] m) can benefit from a plume of narrow cos 6 geometry, Material utilization can be increased by passing through the openings of the mask without diffusing on the mask. According to some embodiments, the nozzle may be designed such that the relationship between the length of the nozzle and the diameter of the passage of the nozzle is in a defined relationship such as 2: 1 or more. According to additional or alternative embodiments, the passage of the nozzle may include steps, slopes, collimator structure (s), and / or pressure stages to achieve a beneficial flume shape. The improved directionality of the vapor plume provided by the nozzle design as described in the embodiments herein may allow to further reduce the chamber volume to substrate size ratio.
[0040] 도 5a는 3개의 재료 증착 어레인지먼트들(100a, 100b, 및 100c)을 예시적으로 포함하는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 재료 증착 어레인지먼트를 도시한다. 재료 증착 어레인지먼트는 본원에서의 실시예들에서 설명되는 바와 같은 재료 증착 어레인지먼트일 수 있다. 도 5a의 증착 시스템은 추가로, 증발된 재료로 코팅될 기판(121) 및 기판(121)을 마스킹하기 위한 마스크(132)를 도시한다. 도 5a는 증발된 재료(802)가 재료 증착 어레인지먼트들(100a, 100b, 및 100c), 특히, 재료 증착 어레인지먼트들의 노즐들에서 어떻게 빠져나가고 떠나는지를 개략적으로 도시한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 증발된 재료(802)는 재료 증착 어레인지먼트에서 떠나고 증착 챔버의 진공 볼륨에 진입하는 경우에 확산된다. 2:1 또는 그 초과의 길이 대 사이즈 비율을 갖는 노즐들은, 예컨대, 약 30° 또는 그 미만의 각도를 포함함으로써, 증발된 재료의 제한된 확산을 갖는 것을 허용한다. 도 5b에서, 알려져 있는 바와 같은 증착 시스템과의 비교는 증발된 재료(803)가 약 60°의 각도를 포함하는 것을 나타낸다.[0040] FIG. 5A illustrates a material deposition arrangement according to embodiments described herein, which illustratively includes three
[0041] 도 5a 및 도 5b에서 도시된 예들에 의해 볼 수 있는 바와 같이, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 재료 증착 어레인지먼트는 증발된 재료의 더 작은 분포 확산을 제공할 수 있고, 높은 정밀도로 기판을 코팅하기 위해, 증발된 재료를 기판으로 더 정밀하게, 그리고 특히, 마스크 개구들로 더 정밀하게 가이딩하는 것을 허용한다. 당업자는 재료 증착의 높은 정밀도가 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 감소시키는 것, 예컨대, 15 m 또는 그 미만, 특히, 10 m 또는 그 미만에 이르기까지 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 감소시키는 것을 허용할 수 있다는 것을 이해할 수 있다.[0041] As can be seen by the examples shown in FIGS. 5A and 5B, the material deposition arrangement according to the embodiments described herein can provide a smaller distribution spread of the evaporated material, To coat the substrate, it allows the vaporized material to be more precisely guided to the substrate, and more specifically, to the mask openings. Those skilled in the art will appreciate that the high accuracy of the material deposition may allow to reduce the chamber volume to substrate size ratio to a reduction in the chamber volume to substrate size ratio, for example, to 15 m or less, especially 10 m or less .
[0042] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 분배 파이프들(106a, 106b) 사이의 그리고/또는 분배 파이프들(106b 및 106c) 사이의 거리는 전형적으로는 50 mm 미만, 더 전형적으로는 30 mm 미만, 그리고 한층 더 전형적으로는 25 mm 미만일 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 상이한 분배 파이프들(106a, 106b, 및 106c) 사이의 거리는 각각의 분배 파이프의 노즐의 개구의 중심 포인트로부터 다른 분배 파이프의 노즐의 개구의 중심 포인트까지 측정될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 분배 파이프들의 노즐들 사이의 거리(200)는 실질적으로 수평인 거리일 수 있다.[0042] According to the embodiments described herein, the distance between the
[0043] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 재료 증착 어레인지먼트들 또는 재료 소스들은 노즐들로부터 방출되는 증기 플룸의 분배 방향(예컨대, 평균 분배 방향)이 실질적으로 평행하도록 배열될 수 있다. 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 노즐의 평균 분배 방향은 코팅될 기판과 노즐 배출구 사이에서, 특히, 코팅될 기판과 노즐의 길이 축 또는 길이방향 축 상에 놓인 노즐 배출구의 포인트 사이에서 최소 거리를 갖는 라인을 따라 이어지는 것으로서 설명될 수 있다.[0043] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, material deposition arrangements or material sources may be configured such that the direction of distribution of the vapor plume (e.g., the average distribution direction) As shown in FIG. According to further embodiments, the average direction of dispensing of the nozzles has a minimum distance between the substrate to be coated and the nozzle outlet, in particular between the substrate to be coated and the point of the nozzle outlet situated on the longitudinal axis or longitudinal axis of the nozzle Can be described as following along the line.
[0044] 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 상이한 노즐들의 분배 방향들의 평행한 어레인지먼트를 사용하는 것, 그리고 특히 부가적으로, 2:1 또는 그 초과의 길이 대 사이즈 비율을 갖는 노즐을 사용하는 것은, 노즐로부터 방출되는 경우에, 증발된 재료의 거동의 균일성 및 예측성을 개선하는 것을 도울 수 있다. 예컨대, 증발된 재료의 방향이 다른 또는 인접한 증발된 재료의 방향에 대해 실질적으로 평행한 것은, 마스크 및/또는 기판 상의 증발된 재료의 규칙적이고 균일한 충돌을 갖는 것을 허용할 수 있다. 일 예에서, 상이한 분배 파이프들의 상이한 컴포넌트들은 마스크 및/또는 기판 상의 실질적으로 동일한 충돌 각도, 특히, 마스크 및/또는 기판 상의 실질적으로 수직적인 충돌 각도를 가질 수 있다. 하나 또는 그 초과의 컴포넌트들의 코팅의 생성은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 재료 증착 어레인지먼트로 더 정밀한 방식으로 수행될 수 있다. 추가로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 분배 방향들의 위에서 설명된 평행한 어레인지먼트를 포함하는 재료 증착 어레인지먼트는, 상이한 재료 소스들에서 상이한 컴포넌트들이 사용되는 경우에, 상이한 컴포넌트들의 균일한 혼합을 발생시킬 수 있다. 위에서 명시된 바와 같이, 더 정밀하고 더 균일한 증착은, 균일한 증착을 달성하기 위해 더 작은 공간이 사용될 필요가 있기 때문에, 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 감소시키는 것을 허용할 수 있다. 알려진 시스템에서, 기판 상의 재료의 균일한 증착 또는 상이한 재료들의 균일한 혼합은 기판과 재료 증착 어레인지먼트 사이에 큰 공간을 제공하는 것에 의해서만 가능하게 된다.[0044] In accordance with the embodiments described herein, it is possible to use parallel arrangements of dispensing directions of different nozzles, and in particular to use nozzles having a length to size ratio of 2: 1 or more This can help to improve the uniformity and predictability of the behavior of the evaporated material when discharged from the nozzle. For example, the direction of the evaporated material may be substantially parallel to the direction of another or adjacent evaporated material to allow for regular and uniform collision of the evaporated material on the mask and / or the substrate. In one example, different components of different dispense pipes may have substantially the same impingement angle on the mask and / or substrate, particularly a substantially vertical impingement angle on the mask and / or the substrate. The creation of a coating of one or more components can be performed in a more precise manner with the material deposition arrangement according to the embodiments described herein. Additionally, material deposition arrangements including the parallel arrangements described above of dispensing directions, in accordance with the embodiments described herein, can be used to provide a uniform mixture of different components, when different components are used in different material sources . As noted above, finer and more uniform deposition may allow to reduce the chamber volume to substrate size ratio, since smaller spaces need to be used to achieve uniform deposition. In known systems, uniform deposition of material on a substrate or uniform mixing of different materials is only possible by providing a large space between the substrate and the material deposition arrangement.
[0045] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 분배 파이프는 실질적으로 삼각형인 단면을 가질 수 있고, 이는 15 m 또는 그 미만의 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 제공하는 것을 돕는 추가적인 피처로서 고려될 수 있다. 도 6a는 분배 파이프(106)의 단면의 예를 도시한다. 분배 파이프(106)는 내측 중공 공간(710)을 둘러싸는 벽들(322, 326, 및 324)을 갖는다. 벽(322)은 노즐들(712)이 제공되는, 재료 소스의 배출구 측에 제공된다. 분배 파이프의 단면은 본질적으로 삼각형인 것으로서 설명될 수 있고, 즉, 분배 파이프의 주 섹션이 삼각형의 일부에 대응하고, 그리고/또는 분배 파이프의 단면은 둥근 코너들 또는 컷-오프(cut-off)된 코너들을 갖는 삼각형일 수 있다. 도 6a에서 도시된 바와 같이, 예컨대, 배출구 측에서의 삼각형의 코너는 컷 오프된다.[0045] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the dispensing pipe may have a substantially triangular cross-section, which has a chamber volume to substrate size ratio of 15 m or less As well as providing additional features that help to provide. 6A shows an example of a cross section of the
[0046] 부가적으로 또는 대안적으로, 재료 소스의 삼각형 형상을 고려하면, 마스크를 향하여 방사되는 영역이 감소된다.[0046] Additionally or alternatively, in consideration of the triangular shape of the material source, the area irradiated toward the mask is reduced.
[0047] 분배 파이프의 배출구 측의 폭, 예컨대, 도 6a에서 도시된 단면에서의 벽(322)의 치수가 화살표(352)에 의해 표시된다. 추가로, 분배 파이프(106)의 단면의 다른 치수들이 화살표들(354 및 355)에 의해 표시된다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 분배 파이프의 배출구 측의 폭은 단면의 최대 치수의 30 % 또는 그 미만, 예컨대, 화살표들(354 및 355)에 의해 표시된 치수들 중 더 큰 치수의 30 %이다. 분배 파이프의 형상 및 치수들을 고려하면, 이웃하는 분배 파이프들(106)의 노즐들(712)이 더 작은 거리로 제공될 수 있다. 더 작은 거리는 서로 바로 옆에서 증발되는 유기 재료들의 혼합을 개선한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 삼각형 분배 파이프들에 의해 제공되는 개선된 혼합은 기판 지지부(또는 증착 동안의 기판)와 재료 소스 또는 재료 증착 어레인지먼트 사이의 거리를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 기판 지지부와 재료 소스 사이의 감소된 거리는 차례로, 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 개선하기 위해 사용될 수 있다.The width of the discharge pipe side of the distribution pipe, for example, the dimension of the
[0048] 도 6b는 2개의 분배 파이프들이 서로 바로 옆에서 제공되는 실시예를 도시한다. 따라서, 도 6b에서 도시된 바와 같은 2개의 분배 파이프들을 갖는 재료 증착 어레인지먼트는 2개의 유기 재료들을 서로 바로 옆에서 증발시킬 수 있다. 도 6b에서 도시된 바와 같이, 분배 파이프들(106)의 단면의 형상은 이웃하는 분배 파이프들의 노즐들을 서로에 대해 근접하게 배치하는 것을 허용한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 분배 파이프의 제 1 노즐과 제 2 분배 파이프의 제 2 노즐은 30 mm 또는 그 미만, 예컨대 5 mm 내지 25 mm의 거리를 가질 수 있다. 더 구체적으로, 제 1 배출구 또는 노즐 대 제 2 배출구 또는 노즐의 거리는 10 mm 또는 그 미만일 수 있다.[0048] FIG. 6b shows an embodiment in which two distribution pipes are provided next to each other. Thus, a material deposition arrangement having two distribution pipes as shown in Figure 6b can evaporate two organic materials next to each other. As shown in FIG. 6B, the shape of the cross-section of the
[0049] 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 분배 파이프의 제 1 노즐과 제 2 분배 파이프의 제 2 노즐 사이의 거리는 각각의 노즐들의 길이방향 축들 사이의 최소의 거리로서 측정될 수 있다. 일 예에서, 각각의 노즐들의 길이방향 축들 사이의 최소의 거리는 노즐들의 배출구(즉, 증발된 재료가 노즐에서 떠나는 포지션)에서 측정된다. 도 6c는 도 6b에서 도시된 어레인지먼트의 부분적인 도면(C)을 도시한다. 도 6c에서 확대된 부분적인 도면(C)은 분배 파이프들(106a 및 106b)의 2개의 노즐들의 예를 도시하고, 여기에서, 노즐들 사이의 거리(200)는, 각각의 노즐들의 배출구에서, 제 1 분배 파이프(106a)의 제 1 노즐의 길이방향 축(201)과 제 2 분배 파이프(106b)의 제 2 노즐의 길이방향 축(202) 사이에서 측정된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 지칭되는 바와 같은 노즐의 길이방향 축은 노즐의 길이방향을 따라 이어진다.[0049] According to some embodiments described herein, the distance between the first nozzle of the first distribution pipe and the second nozzle of the second distribution pipe may be measured as the smallest distance between the longitudinal axes of the respective nozzles have. In one example, the minimum distance between the longitudinal axes of each of the nozzles is measured at the outlet of the nozzles (i.e., the position at which the vaporized material leaves the nozzle). Figure 6C shows a partial view (C) of the arrangement shown in Figure 6B. 6C shows an example of two nozzles of the
[0050] 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 코팅될 기판에 도달하기 위해 증발된 재료가 증발 프로세스 동안에 유동하는 노즐의 개구 또는 통로는 전형적으로는 약 1 mm 내지 약 10 mm, 더 전형적으로는 약 1 mm 내지 약 6 mm, 그리고 한층 더 전형적으로는 2 mm 내지 약 5 mm의 사이즈를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 통로 또는 개구의 치수는 단면의 최소 치수, 예컨대, 통로 또는 개구의 직경을 지칭할 수 있다. 일 실시예에서, 개구 또는 통로의 사이즈는 노즐의 배출구에서 측정된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 개구 또는 통로는 허용오차 구역(H7)에서 생성될 수 있고, 예컨대, 약 10 μm 내지 약 18 μm의 허용오차로 생성될 수 있다.[0050] According to some embodiments described herein, the opening or passage of the nozzle through which the evaporated material flows during the evaporation process to reach the substrate to be coated is typically from about 1 mm to about 10 mm, more typically May have a size of from about 1 mm to about 6 mm, and even more typically from 2 mm to about 5 mm. According to some embodiments, the dimensions of the passageway or opening may refer to the smallest dimension of the cross-section, e.g., the diameter of the passageway or opening. In one embodiment, the size of the opening or passage is measured at the outlet of the nozzle. According to some embodiments described herein, which may be combined with other embodiments described herein, an opening or passage may be created in the tolerance zone H7, for example, from about 10 [mu] m to about 18 [ Can be generated.
[0051] 몇몇 실시예들에서, 재료 증착 어레인지먼트 또는 재료 소스는 증발기 또는 증발 도가니일 수 있다. 증발 도가니는 증발될 유기 재료를 수용하고 유기 재료를 증발시키도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 증발될 재료는 ITO, NPD, Alq3, 퀴나크리돈(Quinacridone), Mg/AG, 스타버스트(starburst) 재료들 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.[0051] In some embodiments, the material deposition arrangement or material source may be an evaporator or an evaporation furnace. The evaporation crucible may be configured to receive the organic material to be evaporated and to evaporate the organic material. According to some embodiments, the material to be evaporated may comprise at least one of ITO, NPD, Alq 3 , Quinacridone, Mg / AG, starburst materials, and the like.
[0052] 전형적으로, 기판은 재료 증착에 대해 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은 유리(예컨대, 소다-석회 유리, 붕규산 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다.[0052] Typically, the substrate may be made of any material suitable for material deposition. For example, the substrate may be formed of any material or combination of materials that can be coated by a deposition process, such as glass (e.g., soda-lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, compound materials, ≪ / RTI > and the like.
[0053] 몇몇 실시예들에 따르면, 수직으로 배향된 기판 상에 재료를 증착하기 위한 진공 증착 시스템이 제공된다. 진공 증착 시스템은 챔버 볼륨을 갖는 진공 챔버를 포함한다. 전형적으로, 진공 챔버는, 예컨대, 진공 펌프들 또는 입자 트랩들 등에 의해, 약 10-5 내지 약 10-7 mbar의 압력 레벨을 제공한다. 진공 증착 시스템은 증착될 재료를 제공하기 위한 재료 증착 어레인지먼트(또는 재료 소스)를 더 포함한다. 재료 증착 어레인지먼트는 진공 챔버 내에 위치될 수 있고, 재료를 증발시키기 위한 도가니를 포함할 수 있다. 재료 증착 어레인지먼트는 도가니와 유체 소통하고 있는 선형 분배 파이프를 더 포함할 수 있다. 분배 파이프는 전형적으로, 진공 챔버에서 증발된 재료를 가이딩하기 위한 배출구들(또는 노즐들)을 제공한다. 몇몇 실시예들에서, 재료 증착 어레인지먼트는 진공 챔버 내에서 이동가능할 수 있다. 재료 증착 시스템은 진공 챔버 내에서 기판 사이즈를 갖는 기판을 지지하기 위한 기판 지지부를 더 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 챔버 볼륨 대 기판 사이즈의 비율은 15 m 또는 그 미만이다.[0053] According to some embodiments, a vacuum deposition system is provided for depositing material on a vertically oriented substrate. The vacuum deposition system includes a vacuum chamber having a chamber volume. Typically, the vacuum chamber provides a pressure level of about 10 -5 to about 10 -7 mbar, for example, by vacuum pumps or particle traps. The vacuum deposition system further includes a material deposition arrangement (or material source) for providing the material to be deposited. The material deposition arrangement may be located within the vacuum chamber and may include a crucible for evaporating the material. The material deposition arrangement may further include a linear distribution pipe in fluid communication with the crucible. The dispensing pipe typically provides outlets (or nozzles) for guiding the vaporized material in the vacuum chamber. In some embodiments, the material deposition arrangement may be movable within a vacuum chamber. The material deposition system may further include a substrate support for supporting a substrate having a substrate size within the vacuum chamber. According to the embodiments described herein, the ratio of chamber volume to substrate size is 15 m or less.
[0054] 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 증착 시스템에서 기판 상에 재료를 증착하기 위한 방법이 제공된다. 진공 증착 시스템은 챔버 볼륨을 갖는 진공 챔버 및 재료 증착 어레인지먼트를 포함할 수 있다. 도 7은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 방법(700)의 흐름도를 도시한다. 몇몇 실시예들에서, 방법에서 언급되는 진공 증착 시스템은 위에서 설명된 바와 같은 진공 증착 시스템일 수 있고, 특히, 도 1 내지 도 6에 대하여 설명된 피처들 중 하나 또는 그 초과를 포함하는 진공 증착 시스템일 수 있다.[0054] According to some embodiments, a method for depositing material on a substrate in a vacuum deposition system is provided. The vacuum deposition system may include a vacuum chamber having a chamber volume and a material deposition arrangement. FIG. 7 shows a flow diagram of a
[0055] 박스(710)에서, 방법(700)은 진공 챔버에 기판 사이즈를 갖는 프로세싱될 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 기판은 전형적으로, 15 m 또는 그 미만의 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 갖는 진공 챔버에 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판은 실질적으로 수직인 배향으로 코팅되도록 제공될 수 있다. 박스(720)에서, 방법(700)은 재료 증착 어레인지먼트에서 재료를 증발시키는 단계를 포함한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 상이한 재료들이 동시에 증발될 수 있다. 일 예에서, 재료를 증발시키는 것은 OLED 제품을 생성하기 위해 재료를 증발시키는 것을 포함할 수 있다. 예컨대, 재료 증착 어레인지먼트는 기판 상에 증착될 재료를 증발시키기 위해 약 100 ℃ 내지 약 600 ℃의 온도로 가열될 수 있는 도가니를 포함할 수 있다. 박스(730)에서, 증발된 재료가 기판으로 가이딩된다. 예컨대, 상이한 재료 증착 어레인지먼트들로부터 방출될 재료들의 우수한 혼합을 허용하고 기판 지지부와 재료 소스 또는 재료 증착 어레인지먼트 사이의 거리를 감소시키는 것을 허용하는 복수의 노즐들을 통해, 증발된 재료가 가이딩될 수 있다.[0055] At
[0056] 몇몇 실시예들에 따르면, 방법은 진공 챔버 내에서 재료 증착 어레인지먼트를 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 재료 증착 어레인지먼트는 병진 이동, 회전 이동, 또는 병진 이동과 회전 이동의 조합으로 이동될 수 있다. 일 실시예에서, 재료 소스는 재료 소스의 각도 포지션에서의 변화가 병진 이동에 의해 달성되도록 휘어진 코스를 갖는 트랙을 따라 병진 이동으로 이동된다.[0056] According to some embodiments, the method may further comprise moving the material deposition arrangement within the vacuum chamber. For example, the material deposition arrangement may be translated, translational, or a combination of translational and rotational movement. In one embodiment, the material source is moved in translation along a track having a curved course such that the change in angular position of the material source is achieved by translational movement.
[0057] 일 예에서, 방법은 하나의 진공 증착 챔버 내에 2개의 기판들을 제공하고, 진공 챔버에서 2개의 기판들을 코팅하기 위해 하나 또는 2개의 재료 증착 어레인지먼트들로부터 재료를 증발시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 하나의 재료 증착 소스가 진공 챔버 내에 이동가능하게 배열될 수 있고, 교대로, 2개의 기판들 중 하나로 증발된 재료를 가이딩하는 것을 허용한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 2개의 기판(들)을 제공하는 것은 기판 지지부에 하나 또는 2개의 기판(들)을 제공하는 것을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부는 약 250 mm 또는 그 미만의 재료 증착 어레인지먼트의 배출구(또는 노즐들)로부터의 거리 내에 배열된다.[0057] In one example, the method further comprises providing two substrates in one vacuum deposition chamber and evaporating the material from one or two material deposition arrangements to coat the two substrates in the vacuum chamber . For example, one material deposition source may be movably arranged in a vacuum chamber, and alternately allows the evaporated material to be guided to one of the two substrates. According to some embodiments, providing one or two substrate (s) may comprise providing one or two substrate (s) to a substrate support. In some embodiments, the substrate support is arranged within a distance from the outlet (or nozzles) of the material deposition arrangement of about 250 mm or less.
[0058] 몇몇 실시예들에서, 증발된 재료의 증기 플룸은 cosn 형 형상을 가질 수 있고, 여기에서, n은 특히, 4보다 더 크고, 예컨대 6이다. 증착 어레인지먼트의 노즐들은 cos6 형 플룸 형상을 허용하도록 설계될 수 있다. 예컨대, 노즐들은 약 2:1 또는 그 초과의 개구 길이 대 개구 사이즈 비율을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들이 제공되고, 여기에서, 2개의 인접한 분배 파이프들 사이의 거리는 약 30 mm 또는 그 미만이다. 몇몇 실시예들에 따르면, 상이한 분배 파이프들의 노즐들은 실질적으로 평행한 평균 분배 방향을 제공할 수 있다.[0058] In some embodiments, the vapor plume of vaporized material may have a cos n -type shape, where n is, in particular, greater than 4, such as 6. The nozzles of the deposition arrangement may be designed to allow a cos 6 -plane flume shape. For example, the nozzles may have an opening length to opening size ratio of about 2: 1 or more. In one embodiment, two or more distribution pipes are provided, wherein the distance between two adjacent distribution pipes is about 30 mm or less. According to some embodiments, the nozzles of the different dispense pipes may provide a substantially parallel, average dispensing direction.
[0059] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 재료 증착 시스템의 사용이 제공된다. 특히, 재료 증착 시스템은 수개의 증착 시스템들, 유지보수 챔버들, 로드 락 챔버들, 마스크 제공 유닛들, 조정 유닛들 등을 위한 클러스터 시스템에서 사용될 수 있다.[0059] According to some embodiments, the use of a material deposition system as described herein is provided. In particular, a material deposition system may be used in a cluster system for several deposition systems, maintenance chambers, load lock chambers, mask providing units, coordination units, and the like.
[0060] 진공 증착 시스템을 위한 복수의 피처들이 위에서 설명되었다. 복수의 피처들 중에서(그러나, 피처들을 제한하는 것은 아님), 동시에 2개의 기판들을 하우징하기 위한(또는 2개의 기판들에 대해 2개의 기판 지지부들을 갖는) 진공 챔버, 재료 증착 어레인지먼트와 기판 지지부 사이의 정의된 거리(예컨대, 250 mm 미만임), (노즐 개구 길이 대 개구 사이즈 비율, 상이한 분배 파이프들의 노즐들 사이의 거리, 및 분배 방향들의 평행한 어레인지먼트를 포함하는) 개선된 노즐 설계, 이동가능한 재료 증착 어레인지먼트 또는 재료 소스, 및 증착 동안의 수직으로 배열된 기판이 설명되었다. 당업자는 복수의 피처들로부터 2개 또는 3개의 피처들을 선택하는 것이 15 m 또는 그 미만, 특히, 10 m 또는 그 미만이 되도록, 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율에 기여할 수 있고, 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 개선할 수 있다는 것을 이해할 수 있다.[0060] A plurality of features for a vacuum deposition system have been described above. (But not limiting features), a vacuum chamber for housing two substrates simultaneously (or having two substrate supports for two substrates), a vacuum chamber between the material deposition arrangement and the substrate support (Including, for example, a defined distance (e.g., less than 250 mm), a nozzle aperture length to aperture size ratio, a distance between nozzles of different dispense pipes, and a parallel arrangement of dispensing directions) Deposition arrangements or material sources, and vertically aligned substrates during deposition have been described. Those skilled in the art will appreciate that the choice of two or three features from a plurality of features can contribute to a chamber volume to substrate size ratio to be 15 m or less, especially 10 m or less, Can be improved.
[0061] 전술한 바가 몇몇 실시예들에 관한 것이지만, 다른 및 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 발명의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.[0061] While the foregoing is directed to some embodiments, other and further embodiments may be devised without departing from the basic scope thereof, and the scope of the present invention is determined by the claims that follow.
Claims (20)
챔버 볼륨(chamber volume)을 갖는 진공 챔버(110);
증착될 재료를 제공하기 위한 그리고 증착 동안에 상기 진공 챔버(110) 내에 위치된 재료 증착 어레인지먼트(arrangement)(100); 및
상기 진공 챔버(110) 내에서 2개 또는 그 초과의 기판들의 사이즈에 의해 형성된 기판 사이즈를 갖는 기판들(121)을 지지하기 위한 2개의 기판 지지부들(126; 600);
을 포함하며,
상기 챔버 볼륨 대 상기 기판 사이즈의 비율은 15 m 또는 그 미만이고,
상기 재료 증착 어레인지먼트(100)는 2개 또는 그 초과의 도가니(crucible)들(102a, 102b, 102c), 및 상기 도가니들(102a, 102b, 102c)과 유체 소통하고 있고 서로 바로 옆에 제공되는 2개 또는 그 초과의 선형 분배 파이프들(106a, 106b, 106c)을 포함하며,
상기 재료 증착 어레인지먼트(100)와 상기 2개의 기판 지지부들(126; 600) 중 적어도 하나의 기판 지지부 사이의 거리는 250 mm 미만이고, 그리고
상기 2개 또는 그 초과의 선형 분배 파이프들(106a, 106b, 106c) 중 제 1 분배 파이프의 제 1 노즐과 상기 2개 또는 그 초과의 선형 분배 파이프들(106a, 106b, 106c) 중 제 2 분배 파이프의 제 2 노즐 사이의 거리는 50 mm 미만인,
진공 증착 시스템.A vacuum deposition system (300; 400; 500) for depositing material on substrates (121)
A vacuum chamber 110 having a chamber volume;
A material deposition arrangement (100) positioned within the vacuum chamber (110) to provide a material to be deposited and during deposition; And
Two substrate supports (126, 120) for supporting substrates (121) having a substrate size formed by the size of two or more substrates in the vacuum chamber (110);
/ RTI >
Wherein the ratio of the chamber volume to the substrate size is 15 m or less,
The material deposition arrangement 100 comprises two or more crucibles 102a, 102b and 102c and a plurality of crucibles 102a, 102b and 102c in fluid communication with the crucibles 102a, Or more linear distribution pipes 106a, 106b, 106c,
Wherein a distance between the material deposition arrangement 100 and the substrate support of at least one of the two substrate supports 126 is less than 250 mm,
Wherein a first one of the two or more linear distribution pipes (106a, 106b, 106c) and a second one of the two or more linear distribution pipes (106a, 106b, 106c) The distance between the second nozzles of the pipe is less than 50 mm,
Vacuum deposition system.
상기 진공 증착 시스템(300; 400; 500)은 진공 증발 시스템(vacuum evaporation system)이고, 상기 재료 증착 어레인지먼트는 상기 기판들(121) 상에 증착될 재료를 증발시키기 위한 증발기(102a, 102b; 102c)를 포함하는,
진공 증착 시스템.The method according to claim 1,
The vacuum deposition system 300 is a vacuum evaporation system and the material deposition arrangement includes evaporators 102a, 102b, and 102c for evaporating materials to be deposited on the substrates 121, / RTI >
Vacuum deposition system.
상기 기판 지지부들(126; 600)은 각각, 상기 기판 사이즈의 최고 30 %만큼 상기 기판 사이즈를 초과하는 기판 홀딩 디바이스(substrate holding device)(610)를 홀딩(holding) 또는 가이딩하는 것을 허용하는,
진공 증착 시스템.The method according to claim 1,
The substrate supports 126 and 600 may each be configured to allow holding or guiding a substrate holding device 610 that exceeds the substrate size by at most 30%
Vacuum deposition system.
상기 기판 지지부들(126; 600)은 각각, 상기 기판 사이즈의 최대 30 %만큼 상기 기판 사이즈를 초과하는 기판 홀딩 디바이스(substrate holding device)(610)를 홀딩(holding) 또는 가이딩하는 것을 허용하는,
진공 증착 시스템.3. The method of claim 2,
The substrate supports 126 and 600 may each be configured to allow holding or guiding a substrate holding device 610 that exceeds the substrate size by at most 30%
Vacuum deposition system.
상기 기판 사이즈는 상기 재료 증착 어레인지먼트(100)를 향하는 2개 또는 그 초과의 기판들의 기판 면적들인,
진공 증착 시스템.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The substrate size being substrate areas of two or more substrates facing the material deposition arrangement 100,
Vacuum deposition system.
상기 챔버 볼륨은 상기 진공 챔버(110)의 진공배기 가능한(evacuable) 볼륨에 의해 정의되는,
진공 증착 시스템.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the chamber volume is defined by a vacuum evacuable volume of the vacuum chamber (110)
Vacuum deposition system.
상기 기판 지지부들(126; 600)은 각각, 기판 홀딩 디바이스(610)를 홀딩 또는 가이딩하는 것을 허용하는,
진공 증착 시스템.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Each of the substrate supports 126,600 may include a substrate holding device 610 that allows holding or guiding the substrate holding device 610,
Vacuum deposition system.
상기 기판 홀딩 디바이스는 E-척인,
진공 증착 시스템.8. The method of claim 7,
Wherein the substrate holding device is an E-
Vacuum deposition system.
상기 진공 증착 시스템(300; 400; 500)은 수직으로 배열된 2개 또는 그 초과의 기판들(121) 상에 재료를 증착하도록 구성되는,
진공 증착 시스템.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The vacuum deposition system (300; 400; 500) is configured to deposit material on two or more vertically aligned substrates (121)
Vacuum deposition system.
상기 재료 증착 어레인지먼트(100)는 2개 또는 그 초과의 유기 재료들을 위한 재료 소스가 되는 재료 증착 어레인지먼트 어레이인,
진공 증착 시스템.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the material deposition arrangement 100 is a material deposition arrangement array that is a material source for two or more organic materials,
Vacuum deposition system.
상기 재료의 분배 파이프(106a, 106b, 106c)에서의 하나 또는 그 초과의 노즐들(712)을 더 포함하며, 적어도 하나의 노즐(712)은 개구 길이 및 개구 사이즈를 갖는 개구를 갖고, 상기 노즐은 2:1 또는 그 초과의 노즐 길이 대 노즐 사이즈 비율을 제공하는,
진공 증착 시스템.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Further comprising one or more nozzles (712) in the distribution pipes (106a, 106b, 106c) of the material, wherein at least one nozzle (712) has an opening having an opening length and an opening size, Provides a nozzle length to nozzle size ratio of 2: 1 or greater,
Vacuum deposition system.
상기 재료 증착 어레인지먼트(100)는 상기 진공 챔버(110) 내에서 이동가능한,
진공 증착 시스템.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The material deposition arrangement 100 is movable within the vacuum chamber 110,
Vacuum deposition system.
상기 재료 증착 어레인지먼트(100)는 상기 진공 챔버(110) 내에서 회전가능한,
진공 증착 시스템.13. The method of claim 12,
The material deposition arrangement 100 is rotatable within the vacuum chamber 110,
Vacuum deposition system.
상기 2개의 기판 지지부들은 최대 3 m x 3 m의 사이즈를 갖는 상기 기판들(121)을 지지하도록 구성되는,
진공 증착 시스템.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The two substrate supports are configured to support the substrates 121 having a size of up to 3 m by 3 m.
Vacuum deposition system.
2개의 마스킹 스테이션들을 더 포함하는,
진공 증착 시스템.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Further comprising two masking stations,
Vacuum deposition system.
상기 진공 증착 시스템은 수직으로 배향된 기판들(121)상에 재료를 증착하도록 구성되고,
상기 진공 챔버(110)는 10-5 내지 10-7 mbar의 압력 레벨을 제공하고,
상기 선형 분배 파이프들(106a, 106b, 106c)은 상기 진공 챔버(110)에서 증발된 재료를 가이딩하기 위한 배출구들을 제공하며, 그리고
상기 재료 증착 어레인지먼트(100)는 상기 진공 챔버 내에서 이동가능한,
진공 증착 시스템.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The vacuum deposition system is configured to deposit material on vertically oriented substrates 121,
The vacuum chamber 110 provides a pressure level of 10 -5 to 10 -7 mbar,
The linear distribution pipes 106a, 106b, 106c provide outlets for guiding the evaporated material in the vacuum chamber 110,
The material deposition arrangement (100) is movable within the vacuum chamber,
Vacuum deposition system.
챔버 볼륨을 갖는 진공 챔버(110) ― 상기 진공 챔버(110)는 10-5 내지 10-7 mbar의 압력 레벨을 제공함 ―;
증착될 재료를 제공하기 위한 재료 증착 어레인지먼트(100) ― 상기 재료 증착 어레인지먼트(100)는 증착 동안에 상기 진공 챔버(110) 내에 위치되고, 재료를 증발시키기 위한 2개 또는 그 초과의 도가니들(102a, 102b, 102c), 상기 도가니들과 유체 소통하고 있고 서로 바로 옆에 제공되며 상기 진공 챔버(110)에서 증발된 재료를 가이딩하기 위한 배출구들을 제공하는 2개 또는 그 초과의 선형 분배 파이프들(106a, 106b, 106c)을 포함하고, 상기 재료 증착 어레인지먼트(100)는 상기 진공 챔버 내에서 이동가능함 ―; 및
상기 진공 챔버(110) 내에서 2개 또는 그 초과의 기판들의 사이즈에 의해 형성된 기판 사이즈를 갖는 기판들(121)을 지지하기 위한 2개의 기판 지지부들(126; 600)
을 포함하며,
상기 챔버 볼륨 대 상기 기판 사이즈의 비율은 15 m 또는 그 미만이고,
상기 재료 증착 어레인지먼트(100)와 상기 2개의 기판 지지부들(126; 600) 중 적어도 하나의 기판 지지부 사이의 거리는 250 mm 미만이며, 그리고
상기 2개 또는 그 초과의 선형 분배 파이프들(106a, 106b, 106c) 중 제 1 분배 파이프의 제 1 노즐과 상기 2개 또는 그 초과의 선형 분배 파이프들(106a, 106b, 106c) 중 제 2 분배 파이프의 제 2 노즐 사이의 거리는 50 mm 미만인,
진공 증착 시스템.A vacuum deposition system (300; 400; 500) for depositing material on vertically oriented substrates (121)
A vacuum chamber (110) having a chamber volume, said vacuum chamber (110) providing a pressure level of 10 -5 to 10 -7 mbar;
A material deposition arrangement (100) for providing a material to be deposited, the material deposition arrangement (100) being located in the vacuum chamber (110) during deposition and comprising two or more crucibles (102a, 102b, 102c), two or more linear distribution pipes 106a (106a, 102b, 102c) that are in fluid communication with the crucibles and are provided next to each other and provide vents for guiding the vaporized material in the vacuum chamber , 106b, 106c), the material deposition arrangement (100) being movable within the vacuum chamber; And
Two substrate supports 126 and 600 for supporting substrates 121 having a substrate size formed by the size of two or more substrates in the vacuum chamber 110,
/ RTI >
Wherein the ratio of the chamber volume to the substrate size is 15 m or less,
Wherein a distance between the material deposition arrangement 100 and the substrate support of at least one of the two substrate supports 126 is less than 250 mm,
Wherein a first one of the two or more linear distribution pipes (106a, 106b, 106c) and a second one of the two or more linear distribution pipes (106a, 106b, 106c) The distance between the second nozzles of the pipe is less than 50 mm,
Vacuum deposition system.
상기 진공 챔버(110)에 2개 또는 그 초과의 기판들의 사이즈에 의해 형성된 기판 사이즈를 갖는 프로세싱될 기판들(121)을 제공하는 단계 ― 상기 기판들(121)은 15 m 또는 그 미만의 챔버 볼륨 대 기판 사이즈 비율을 갖는 진공 챔버(110)에 제공됨 ―;
상기 재료 증착 어레인지먼트(100)에서 재료를 증발시키는 단계; 및
상기 기판들(121)로 증발된 재료(802)를 가이딩하는 단계
를 포함하고,
상기 재료 증착 어레인지먼트(100)는 2개 또는 그 초과의 도가니들(102a, 102b, 102c), 및 상기 도가니들(102a, 102b, 102c)과 유체 소통하고 있고 서로 바로 옆에 제공되는 2개 또는 그 초과의 선형 분배 파이프들(106a, 106b, 106c)을 포함하며,
상기 재료 증착 어레인지먼트(100)와 2개의 기판 지지부들(126; 600) 중 적어도 하나의 기판 지지부 사이의 거리는 250 mm 미만이고, 그리고
상기 2개 또는 그 초과의 선형 분배 파이프들(106a, 106b, 106c) 중 제 1 분배 파이프의 제 1 노즐과 상기 2개 또는 그 초과의 선형 분배 파이프들(106a, 106b, 106c) 중 제 2 분배 파이프의 제 2 노즐 사이의 거리는 50 mm 미만인,
재료를 증착하기 위한 방법.CLAIMS 1. A method for depositing material on substrates in a vacuum deposition system (300; 400; 500) comprising a vacuum chamber (110) having a chamber volume and a material deposition arrangement (100)
Providing substrates (121) to be processed having a substrate size formed by the size of two or more substrates in the vacuum chamber (110), the substrates (121) having a chamber volume of 15 m or less Provided in a vacuum chamber (110) having a ratio of substrate to size;
Evaporating material in the material deposition arrangement (100); And
The step of guiding the evaporated material 802 to the substrates 121
Lt; / RTI >
The material deposition arrangement 100 includes two or more crucibles 102a, 102b, 102c and two or more crucibles 102a, 102b, 102c in fluid communication with the crucibles 102a, And more than the linear distribution pipes 106a, 106b, 106c,
The distance between the material deposition arrangement 100 and the substrate support of at least one of the two substrate supports 126, 600 is less than 250 mm, and
Wherein a first one of the two or more linear distribution pipes (106a, 106b, 106c) and a second one of the two or more linear distribution pipes (106a, 106b, 106c) The distance between the second nozzles of the pipe is less than 50 mm,
A method for depositing a material.
상기 진공 챔버(110) 내에서 상기 재료 증착 어레인지먼트(100)를 이동시키는 단계를 더 포함하는,
재료를 증착하기 위한 방법.20. The method of claim 19,
Further comprising moving the material deposition arrangement (100) within the vacuum chamber (110)
A method for depositing a material.
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