KR101930074B1 - Photo-curable metal oxide precursor composition based metal acetate and method for manufactruing three-dimensional nanostructure by using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속아세테이트계 화합물을 함유하는 광경화성 금속산화물 전구체 조성물과, 상기 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 이용하여 3차원의 나노구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 금속 이온을 함유하는 아세테이트계 기반의 금속산화물 전구체 조성물을 제공하여 광경화성 레지스트를 합성하고, 이를 액상 전이 임프린트 리소그래피(Liquid Transfer Imprint Lithography) 공정에 적용하여 3차원의 나노구조체를 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photo-curable metal oxide precursor composition containing a metal acetate compound and a method for producing a three-dimensional nanostructure using the photo-curable metal oxide precursor composition. More particularly, the present invention relates to a process for preparing a photo-curable resist by providing an acetate based metal oxide precursor composition containing metal ions, and applying the photo-curable resist to a liquid transfer imprint lithography process to form a three-dimensional nanostructure ≪ / RTI >
Description
본 발명은 금속아세테이트계 화합물을 함유하는 광경화성 금속산화물 전구체 조성물과, 상기 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 이용하여 3차원의 나노구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 금속 이온을 함유하는 아세테이트계 기반의 금속산화물 전구체 조성물을 제공하여 광경화성 레지스트를 합성하고, 이를 액상 전이 임프린트 리소그래피(Liquid Transfer Imprint Lithography) 공정에 적용하여 3차원의 나노구조체를 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photo-curable metal oxide precursor composition containing a metal acetate compound and a method for producing a three-dimensional nanostructure using the photo-curable metal oxide precursor composition. More particularly, the present invention relates to a process for preparing a photo-curable resist by providing an acetate based metal oxide precursor composition containing metal ions, and applying the photo-curable resist to a liquid transfer imprint lithography process to form a three-dimensional nanostructure ≪ / RTI >
나노 임프린트 리소그래피(nanoimprint lithography)는 압축몰딩(compression molding) 및 패턴전이(pattern transfer)를 응용한 것으로, 나노크기의 형상이 구현된 금속 박막 제조 기술이다. 미세 패턴이 각인된 스탬프 또는 몰드를 이용하여 기판 위에 도포된 수지를 가압한 후 광(UV)이나 열을 가하여 전사된 미세 패턴을 경화시킴으로써, 수백 나노에서 수 나노에 이르는 나노 단위의 미세 패턴의 형성이 가능한 기술이다.Nanoimprint lithography is an application of compression molding and pattern transfer, and is a metal thin film manufacturing technology in which nano-sized shapes are realized. The formation of a nano-unit fine pattern from a few hundred nanometers to a few nanometers can be achieved by pressing a resin coated on a substrate using a stamp or mold imprinted with a fine pattern and then curing the transferred fine pattern by applying light (UV) This is a possible technology.
하지만, 나노 임프린트 공정은 열 또는 광을 이용하여 다양한 패턴을 형성할 수 있으나, 사용되는 수지의 사용 범위가 제한적이며, 또한 무기물을 기반으로 하는 물질을 수지로 이용한 패턴 기술에 대한 연구는 미비한 수준이다. 또한, 비용이 높고, 공정 시간이 길며, 광원의 회절에 의한 분해능의 한계 등을 갖고 있다. However, although the nanoimprint process can form various patterns using heat or light, the range of resins used is limited, and research on pattern technology using a material based on an inorganic material as a resin is insufficient . Further, the cost is high, the processing time is long, and the resolution is limited by the diffraction of the light source.
더구나, 나노 임프린트를 이용한 미세 패턴 형성 방법에 따른 결과물은 전사된 미세 패턴의 형태 이외에 패턴 사이에 불필요한 잔류층이 남아 있으므로, 이러한 잔류층을 제거하기 위한 별도의 식각 공정 등이 필요하다. 이러한 식각 공정과 같은 추가 공정은 패턴에 결점을 생성시킬 우려가 있다. 이에, 이러한 패턴 사이의 잔류층을 제거하기 위한 별도의 식각 공정을 필요로 하지 않으며, 간단한 공정으로 생산성을 높일 수 있는 제조 방법에 대한 연구 개발이 필요하다. In addition, since the unnecessary residual layer remains between the patterns in addition to the pattern of the transferred fine pattern, the result of the fine pattern formation method using the nanoimprint requires a separate etching process for removing the residual layer. Additional processing, such as this etching process, can create defects in the pattern. Therefore, there is no need for a separate etching process for removing the residual layer between the patterns, and a research and development of a manufacturing method that can increase the productivity by a simple process is required.
본 발명은 미세 패턴 사이에 잔여물이 없는 나노구조체 형성이 가능하여 별도의 식각 공정을 필요로 하지 않는 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다 .It is an object of the present invention to provide a photocurable metal oxide precursor composition which can form a nanostructure without any residue between fine patterns and thus does not require a separate etching process.
또한, 본 발명은 상기의 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 액상 전이 임프린트 리소그래피 공정에 적용하여 정밀한 미세 패턴을 형성하고, 공정을 단축시켜 생산성을 획기적으로 향상시킬 수 있는 3차원 나노구조체를 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention also provides a method for forming a three-dimensional nanostructure that can precisely improve the productivity by forming a precise fine pattern by applying the photocurable metal oxide precursor composition to a liquid phase transfer imprint lithography process The purpose is to provide.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, In order to achieve the above object,
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 아세테이트계 금속산화물, 유기용매 및 광개시제를 포함하는 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 제공한다. The present invention provides a photocurable metal oxide precursor composition comprising an acetate-based metal oxide represented by the following general formula (1), an organic solvent, and a photoinitiator.
[화학식 1][Chemical Formula 1]
Mn+(RCOO)n - M n + (RCOO) n -
(상기 화학식 1에서, R은 (C1-C5)알킬이며, M은 금속이고, n은 M의 산화수이다.)(Wherein R is (C1-C5) alkyl, M is a metal, and n is an oxidation number of M).
본 발명의 일 실시예에 따른 광경화성 전구체 조성물에 있어서, 상기 아세테이트계 금속산화물은 아연아세테이트, 구리아세테이트, 니켈아세테이트, 코발트아세테이트, 철아세테이트 및 망간아세테이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것일 수 있다. In the photocurable precursor composition according to an embodiment of the present invention, the acetate metal oxide may be at least one selected from the group consisting of zinc acetate, copper acetate, nickel acetate, cobalt acetate, iron acetate and manganese acetate .
본 발명의 일 실시예에 따른 광경화성 전구체 조성물에 있어서, 상기 유기용매는 2-메톡시에탄올, 메틸이소부틸케톤, 메틸에틸케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 디메틸설폭사이드, 디메틸포름아마이드, 아세톤 및 테트라히드로퓨란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것일 수 있다. In the photocurable precursor composition according to an embodiment of the present invention, the organic solvent is at least one selected from the group consisting of 2-methoxyethanol, methylisobutylketone, methylethylketone, water, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, dimethylsulfoxide, Dimethylformamide, acetone, and tetrahydrofuran.
본 발명의 일 실시예에 따른 광경화성 전구체 조성물은 아세테이트계 금속산화물이 유기용매에 대하여 0.1 내지 0.5M 혼합되는 것일 수 있다. The photocurable precursor composition according to an embodiment of the present invention may be one in which the acetate metal oxide is mixed with 0.1 to 0.5 M of the organic solvent.
본 발명의 일 실시예에 따른 광경화성 전구체 조성물에 있어서, 상기 광개시제는 1-히드록시 시클로헥실-페닐케톤, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸-1-원, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 및 2,2-디에톡시-1,2-아페닐에타논으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것일 수 있다. In the photocurable precursor composition according to one embodiment of the present invention, the photoinitiator is 1-hydroxycyclohexyl-phenylketone, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy- , 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, and 2,2-diethoxy-1,2-diphenylethanone.
또한, 본 발명은 제1기판 상에 아세테이트계 금속산화물, 유기용매 및 광개시제를 포함하는 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 단계, 상기 수지층 위에 패턴이 형성된 스탬프를 압축성형하여 상기 스탬프 내부 패턴에 조성물을 채우는 단계, 상기 조성물이 패턴에 채워진 스탬프를 제2기판에 올려놓은 후 광경화하는 단계 및 스탬프를 제거하는 단계를 포함하는 나노구조체 형성방법을 제공한다. The present invention also provides a method of manufacturing a photoresist composition comprising the steps of: applying a photocurable metal oxide precursor composition comprising an acetate-based metal oxide, an organic solvent and a photoinitiator onto a first substrate to form a resin layer; A step of filling the composition with the stamp internal pattern, a step of placing the stamp filled with the pattern on the second substrate and then photocuring the stamp, and removing the stamp.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 형성방법에 있어서, 상기 스탬프는 패턴이 형성된 마스터 몰드 표면에 유기분자막을 코팅한 다음, 폴리디메틸실록산 용액을 넣어 경화시킨 후 상기 마스터 몰드를 분리하여 제조된 것일 수 있다. In the method of forming a nanostructure according to an embodiment of the present invention, the stamp may be formed by coating a dielectric film on the surface of a master mold on which a pattern is formed, then curing the polydimethylsiloxane solution, Lt; / RTI >
본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 형성방법은 상기 전사된 패턴 위에 적어도 한 층 이상의 패턴을 전사하는 것을 포함할 수 있다.The method of forming a nanostructure according to an embodiment of the present invention may include transferring at least one pattern onto the transferred pattern.
본 발명에 따른 광경화성 금속산화물 전구체 조성물은 패턴 사이에 잔여물이 없어 별도의 식각 공정을 필요로 하지 않도록 하며, 액상 전이 임프린트 리소그래피 공정에 적용하여 정밀한 미세 패턴을 형성할 수 있는 이점이 있다. The photocurable metal oxide precursor composition according to the present invention is advantageous in that it does not require a separate etching process because there are no residues between the patterns and can be applied to a liquid phase transfer imprint lithography process to form a precise fine pattern.
또한, 본 발명은 아세테이트계 기반의 금속산화물 전구체 조성물을 이용한 3차원 나노구조체 형성 방법을 제공하여, 실리콘, 유리, 플라스틱 등의 다양한 기판에 적용할 수 있으며, 간단한 공정으로 신속하게 나노구조체를 형성할 수 있고, 나아가 적층에 따른 층 수 조절이 용이하고, 각 층마다 상이한 금속산화물의 패턴이 가능하여 하이브리드 3차원 나노구조체를 형성할 수 있는 이점이 있다.In addition, the present invention provides a method for forming a three-dimensional nanostructure using an acetate based metal oxide precursor composition, and can be applied to various substrates such as silicon, glass, and plastic, and a nanostructure can be formed quickly by a simple process Moreover, it is easy to control the number of layers according to the lamination, and it is possible to form a pattern of different metal oxide for each layer, which is an advantage that a hybrid three-dimensional nanostructure can be formed.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 아세테이트계 기반의 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 이용하여 3차원의 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법의 개략도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 PDMS 스탬프의 제작 방법을 나타낸 개략도를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 300nm 미세 선 패턴의 주사전자현미경 사진을 나타낸 것이다.
도 4는 실시예 2에 따라 제작된 2개의 층으로 이루어진 적층구조의 ZnO 패턴의 주사전자 현미경 사진을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예 3에 따라 제작된 300nm 미세 선 패턴의 주사전자현미경 사진을 나타낸 것이다.
도 6은 실시예 4에 따라 제작된 2개의 층으로 이루어진 적층구조의 NiO 패턴의 주사전자 현미경 사진을 나타낸 것이다.FIG. 1 is a schematic view of a method of forming a three-dimensional metal oxide nanostructure using an acetate-based photocurable metal oxide precursor composition according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing a method of manufacturing a PDMS stamp according to the present invention.
3 is a scanning electron micrograph of a 300 nm fine line pattern prepared according to Example 1 of the present invention.
4 is a scanning electron microscope (SEM) image of a ZnO pattern having a laminate structure composed of two layers fabricated according to Example 2. Fig.
5 is a scanning electron micrograph of a 300 nm fine line pattern fabricated according to Example 3 of the present invention.
6 is a scanning electron microscope (SEM) image of a NiO pattern having a laminate structure composed of two layers fabricated according to Example 4. Fig.
이하, 본 발명의 광경화성 금속산화물 전구체조성물을 이용한 3차원 금속산화물 나노구조체 형성 방법을 상세히 설명한다. 본 발명은 하기의 실시예에 의해 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이고, 첨부된 특허 청구범위에 의해 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다. 이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어는 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가진다. Hereinafter, a method for forming a three-dimensional metal oxide nanostructure using the photocurable metal oxide precursor composition of the present invention will be described in detail. The present invention may be better understood by the following examples, which are for the purpose of illustration only and are not intended to limit the scope of protection defined by the appended claims. The technical terms and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless otherwise defined.
본 발명의 발명자들은 액상 전이 나노 임프린트 리소그래피를 이용하여 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법에 대하여 연구한 결과, 특정의 금속 아세테이트를 기반으로 하는 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 이용하여 미세 패턴 사이에 잔여물이 없도록 함으로써 별도의 식각 공정을 생략할 수 있어 공정 생산성을 획기적으로 향상시킬 수 있으며 동시에 다양한 종류의 기판에 대한 패턴 형성이 탁월하고 적층이 용이하여 3차원 나노구조체의 가공 성능이 우수함을 발견하여 본 발명을 완성하게 되었다. The inventors of the present invention have studied a method of forming a metal oxide nanostructure using liquid phase transfer nanoimprint lithography and have found that the use of a photo-curable metal oxide precursor composition based on a specific metal acetate, It is possible to omit a separate etching process, thereby remarkably improving the productivity of the process. At the same time, it has been found that the patterning of various kinds of substrates is excellent and the lamination is easy, Thereby completing the invention.
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명의 일 양태는 아세테이트계 금속산화물, 유기용매 및 광개시제를 포함하는 광경화성 금속산화물 전구체 조성물에 관한 것이다. One aspect of the present invention relates to a photo-curable metal oxide precursor composition comprising an acetate-based metal oxide, an organic solvent, and a photoinitiator.
본 발명에 따른 광경화성 금속산화물 전구체 조성물은 그 적용범위가 제한되는 것은 아니지만, 바람직하게는 나노 임프린트 공정에 적용이 가능하다. 일예로, 패턴이 형성된 평판 또는 롤 스탬프를 이용하여 기판 상에 패턴을 전사시킬 수 있다. 전사된 패턴에 광을 조사하여 기판 상에 패턴을 형성할 수 있으며, 미세 패턴 형성에 더욱 용이하다. The photocurable metal oxide precursor composition according to the present invention is not limited in its application range but is preferably applicable to a nanoimprint process. For example, a pattern can be transferred onto a substrate using a patterned flat plate or roll stamp. A pattern can be formed on the substrate by irradiating the transferred pattern with light, and it is easier to form a fine pattern.
본 발명에서 상기 아세테이트계 금속산화물은 광경화 반응으로 유기물이 분해되고, 금속 분자 간 응집을 통해 패턴을 형성할 수 있도록 한다. 특히, 상기 아세테이트계 금속산화물은 조성물 내 유기용매 및 광개시제와의 조합으로 반응속도를 향상시킬 수 있다. 나아가 표면 특성이 우수하며, 미세 패턴 형성 시 잔류층이 남지 않아 더욱 좋다. 또한, 흐름성이 뛰어나 몰드 내 형성된 패턴 사이로 조성물의 충진 속도가 탁월하다. In the present invention, the acetate-based metal oxide decomposes organic matter by photo-curing reaction and forms a pattern through agglomeration between metal molecules. In particular, the acetate-based metal oxide can improve the reaction rate in combination with an organic solvent and a photoinitiator in the composition. Furthermore, it has excellent surface characteristics and is more preferable because no residual layer is left when fine patterns are formed. Further, the flowability is excellent, and the filling speed of the composition is excellent between the patterns formed in the mold.
본 발명에서 상기 아세테이트계 금속산화물은 금속 원소와 유기화합물이 리간드로 이루어진 아세테이트계 화합물로, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 한다. In the present invention, the acetate-based metal oxide is an acetate-based compound having a metal element and an organic compound as ligands, and is a compound represented by the following formula (1).
[화학식 1][Chemical Formula 1]
Mn+(RCOO)n - M n + (RCOO) n -
(상기 화학식 1에서, R은 (C1-C5)알킬이며, M은 금속이고, n은 M의 산화수이다.)(Wherein R is (C1-C5) alkyl, M is a metal, and n is an oxidation number of M).
상기 화학식 1에서 상기 금속은 크게 제한되는 것은 아니나, 바람직하게는 아연, 구리, 니켈, 코발트, 철 및 망간 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. In the above formula (1), the metal may be any one selected from among zinc, copper, nickel, cobalt, iron and manganese although it is not particularly limited.
본 발명에서 상기 아세테이트계 금속산화물은 신속한 패턴 성형, 패턴 표면 특성 및 잔유물 방지 측면에서, 바람직하게는 아연아세테이트, 구리아세테이트, 니켈아세테이트, 코발트아세테이트, 철아세테이트 및 망간아세테이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것일 수 있다. 보다 바람직하게는 아연 아세테이트를 사용하는 것이 다른 종류의 아세테이트계 금속산화물에 비하여 적은 함량으로도 본 발명이 목적하는 효과를 달성하기에 더욱 좋다. In the present invention, the acetate metal oxide is preferably selected from the group consisting of zinc acetate, copper acetate, nickel acetate, cobalt acetate, iron acetate and manganese acetate in view of rapid pattern formation, pattern surface characteristics, Or more. More preferably, the use of zinc acetate is preferable to achieve the intended effect of the present invention even when the content of zinc acetate is smaller than that of other kinds of acetate-based metal oxides.
상기 아세테이트계 금속산화물을 함유하는 광경화성 금속산화물은 반응성을 보다 향상시킬 수 있으며, 경화에 의한 금속산화물 기반의 레지스트 합성 시 에피택시 효과로 인해 잔류층이 발생하는 것을 방지하는 것과 동시에 형성된 패턴 균일성이 우수하다.The photo-curable metal oxide containing the acetate-based metal oxide can further improve the reactivity and prevent the occurrence of the residual layer due to the epitaxial effect during the synthesis of the metal oxide-based resist by curing, Is excellent.
본 발명에 따른 광경화성 전구체 조성물은 상기의 아세테이트계 금속산화물을 유기용매에 혼합한다. 이때, 유기용매는 2-메톡시에탄올, 메틸이소부틸케톤, 메틸에틸케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 디메틸설폭사이드, 디메틸포름아마이드, 아세톤 및 테트라히드로퓨란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.The photocurable precursor composition according to the present invention is prepared by mixing the above acetate metal oxide with an organic solvent. The organic solvent may be selected from the group consisting of 2-methoxyethanol, methylisobutylketone, methylethylketone, water, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, dimethylsulfoxide, dimethylformamide, acetone and tetrahydrofuran And the present invention is not limited thereto.
상기 유기용매는 보다 바람직하게는 2-메톡시에탄올을 사용하는 것이 정밀한 미세 패턴을 형성하는 데 보다 용이하고, 기판으로의 본 발명에 따른 전구체 조성물의 코팅성을 좋게 하며, 이와 동시에 패턴 형성 후 잔여물이 발생하는 것을 방지할 수 있어 더욱 좋다. 이에, 본 발명에 따른 일 실시예의 광경화성 금속산화물 전구체 조성물은 2-메톡시에탄올에 희석되어 있는 금속 이온을 함유한 아세테이트계 용액을 사용하는 것이 좋다. 또한, 상기 유기용매는 에탄올아민을 더 포함할 수 있다. 이는 조성물의 안정화를 위하여 더욱 좋으며, 함량은 조성물 내 용매 몰수 기준으로 0.1 내지 0.5M, 바람직하게는 0.2 내지 0.4M 포함될 수 있다. 또한, 조성물 내 아세테이트계 금속산화물 몰수 대비 1 내지 3배인 것이 본 발명의 목적하는 효과를 달성하기에 좋다. The use of 2-methoxyethanol as the organic solvent is preferable because it is easier to form a precise fine pattern and improves the coating property of the precursor composition according to the present invention to the substrate, It is better to prevent water from being generated. Thus, the photo-curable metal oxide precursor composition of one embodiment of the present invention is preferably an acetate-based solution containing a metal ion diluted in 2-methoxyethanol. In addition, the organic solvent may further include ethanolamine. This is better for stabilizing the composition, and the content may be 0.1 to 0.5 M, preferably 0.2 to 0.4 M, based on the molar amount of the solvent in the composition. Also, it is preferable that 1 to 3 times the number of moles of the acetate-based metal oxide in the composition is to achieve the desired effect of the present invention.
이때, 상기 유기용매는 본 발명의 목적을 달성하는 범위 내에서 조성물 내 함량이 크게 제한되는 것은 아니나, 바람직하게는 전구체 조성물 전체 중량에 대하여 70 내지 95중량%, 바람직하게는 80 내지 90중량%가 함유되는 것이 정밀한 미세 패턴 형성 및 잔여물 생성 방지 측면에서 더욱 좋다. In this case, the content of the organic solvent in the composition is not particularly limited within the range of attaining the object of the present invention, but it is preferably 70 to 95% by weight, preferably 80 to 90% by weight based on the total weight of the precursor composition Is better in terms of precise fine pattern formation and prevention of residue formation.
본 발명에서 광경화성 금속산화물 전구체 조성물은 광개시제를 포함한다. 상기 광개시제는 본 발명의 목적을 달성하는 범위 내에서 그 종류가 제한되는 것은 아니지만, 바람직하게는 1-히드록시 시클로헥실-페닐케톤(1-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl ketone), 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸-1-원([1-(4-Isopropyl phenyl)-2-hydroxy-2-methyl-1-one]), 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(2,2-demethoxy-2-phenyl acetophenone) 및 2,2-디에톡시-1,2-아페닐에타논(2,2-diethoxy-1,2-diphenylethanone)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있다. In the present invention, the photo-curable metal oxide precursor composition includes a photoinitiator. The type of the photoinitiator is not limited within the scope of attaining the object of the present invention, but preferably 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl ketone, 1- (4-iso Propylphenyl) -2-hydroxy-2-methyl-1-one), 2,2-dimethoxy-2- 2,2-diethoxy-2-phenyl acetophenone and 2,2-diethoxy-1,2-diphenylethanone. It can be any one or more.
상기 광개시제는 아세토페논계, 벤조페논계 및 트리아진계 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 화합물을 더 포함하여 사용할 수 있다. 일 구체예로, 아세토페논계 화합물로는 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논)((2-Benzyl-2-(dimethylamino)-1-[4-(4-morpholinyl)phenyl]-1-butanone), α,α-디메톡시-α-페닐아세토페논(α, α-dimethoxy-α-phenylacetopheone), 1-벤조일시클로-헥사놀(1-Benzoylcyclohexanol), 2,2'-디메톡시-2-페닐-아세토페논(2,2'-Dimethoxy-2-phenyl-acetophenone), 2,2-디에톡시아세토페논(2,2-diethoxyacetophenone), 4-메틸메르캅토-α,α-디메틸-모르폴리노 아세토페논(4-Methylmercapto-α,α-dimethyl-morpholino acetophenone) 등이 있으며, 벤조페논계 화합물로는 벤조페논 및 이의 유도체, 예를 들어, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-0-벤조일옥심(1-Phenyl-1,2-Propanedione-2-O-benzoyloxime), 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-O-아세틸옥심 등을 들 수 있으며, 트리아진계 화합물로는 3-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피온산 등을 들 수 있다. 바람직하게는 상기 1-히드록시 시클로헥실-페닐케톤과 벤조페논의 혼합 광개시제를 사용하는 것이 신속하게 광경화가 이루어지면서 동시에 잔류층이 발생하지 않고 형성된 패턴의 표면특성이 우수하여 더욱 좋다. The photoinitiator may further include at least one compound selected from the group consisting of acetophenone, benzophenone, and triazine. In one embodiment, the acetophenone-based compound includes 2-benzyl-2- (dimethylamino) -1- [4- (4-morpholinyl) phenyl] (4-morpholinyl) phenyl] -1-butanone,?,? 2-phenyl-acetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone (2,2-diethoxyacetophenone), 2,2'-dimethoxy- 4-methylmercapto-α, 4-methylmercapto-α, and 4-methyl-morpholino acetophenone. Examples of the benzophenone compound include benzophenone and derivatives thereof , For example 1-phenyl-1,2-propanedione-2-O-benzoyloxime, 1- [9-ethyl- 3-yl] -1-O-acetyloxime, and triazine type compounds include 3- {4- [2,4-bis (trichloromethyl) s-triazin-6-yl] Thio} propionic acid, etc. Preferably, the above-mentioned 1-hydroxycyclohexyl-phenyl ketone and benzophenone mixed photoinitiator is used to rapidly cure the photo-curing agent, Is better.
상기 광개시제는 본 발명의 목적을 달성하는 범위 내에서 조성물 함량이 크게 제한되는 것은 아니지만, 바람직하게는 조성물 전체 중량에 대하여 5중량% 이하, 보다 바람직하게는 1 내지 3중량%인 것이 더욱 좋다. 상기 범위를 만족하는 경우 경화 반응 효율이 좋고, 다른 성분과의 조합으로 잔류층 발생 방지 및 정밀한 미세 패턴 형성에 더욱 좋다. The content of the photoinitiator is not particularly limited within the range of achieving the object of the present invention, but it is preferably 5% by weight or less, more preferably 1 to 3% by weight based on the total weight of the composition. When the above-mentioned range is satisfied, the curing reaction efficiency is good, and it is better in combination with other components to prevent the formation of the residual layer and to form a precise fine pattern.
본 발명은 상술한 바와 같은 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 이용하여 나노구조체, 좋게는 2층 이상의 적층구조를 통한 3차원의 나노구조체를 형성하는 방법을 제공할 수 있다. The present invention can provide a method of forming a three-dimensional nanostructure through a nanostructure, preferably a laminate structure of two or more layers, using the photocurable metal oxide precursor composition as described above.
본 발명에 따른 나노구조체 형성방법의 일 양태는,In one aspect of the method of forming a nanostructure according to the present invention,
제1기판 상에 아세테이트계 금속산화물, 유기용매 및 광개시제를 포함하는 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 단계(S100), A step (S100) of forming a resin layer by applying a photocurable metal oxide precursor composition comprising an acetate metal oxide, an organic solvent and a photoinitiator on a first substrate,
상기 수지층 위에 패턴이 형성된 스탬프를 압축성형하여 상기 스탬프 내부 패턴에 조성물을 채우는 단계(S200), A step S200 of compressing a stamp having a pattern formed on the resin layer to fill the stamp internal pattern with the composition,
상기 조성물이 패턴에 채워진 스탬프를 제2기판에 올려놓은 후 광경화하는 단계(S300) 및A step S300 of placing a stamp filled with the composition on the second substrate and then photo-curing the stamp;
상기 스탬프를 제거하는 단계(S400)를 포함한다. And removing the stamp (S400).
상기 스탬프는 본 발명의 목적을 달성하는 범위 내에서 크게 제한되는 것은 아니지만, 바람직하게는 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 스탬프일 수 있다. 상기 PDMS 스탬프는 미리 제작된 것을 사용할 수 있으나, 정밀하게 미세 패턴 형태가 형성된 PDMS 스탬프를 제작하기 위하여, 패턴이 형성된 마스터 몰드 표면에 유기분자막을 코팅한 다음, 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 용액을 넣어 경화시킨 후 상기 마스터 몰드를 분리하여 제조된 것일 수 있다. 이때, 상기 유기분자막은 크게 제한되는 것은 아니지만, 바람직하게는 퍼플루오로실란(perfluorosilane)일 수 있다. The stamp may be a polydimethylsiloxane (PDMS) stamp, although it is not limited to a great extent to achieve the object of the present invention. The PDMS stamp may be prepared in advance, but in order to produce a PDMS stamp having a finely patterned pattern, a dielectric film is coated on the surface of the master mold on which the pattern is formed, and then a polydimethylsiloxane (PDMS) solution And then curing the master mold and separating the master mold. At this time, the organic molecular film is not particularly limited, but may be preferably perfluorosilane.
상기 스탬프는 상술한 광경화성 금속산화물 전구체 조성물과의 조합으로 잔유물을 발생시키지 않을 뿐만 아니라, 균일한 패턴과 우수한 표면 특성, 공정을 신속하게 진행시켜 생산성을 향상시킬 수 있어 더욱 좋다. The stamp not only does not generate residues in combination with the photocurable metal oxide precursor composition described above, but also promotes uniform pattern, excellent surface characteristics, and process, thereby improving productivity.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 형성방법은 상술한 바와 같이 제2기판 상에 패턴을 전사하는 공정을 단위 공정으로 하여, 적어도 한 층 이상의 패턴을 상기 전사된 패턴 위에 형성하여 2층 이상의 적층 구조를 갖는 3차원의 나노구조체를 형성할 수 있다. In the method of forming a nanostructure according to an embodiment of the present invention, a process of transferring a pattern onto a second substrate is a unit process, and at least one pattern is formed on the transferred pattern, A three-dimensional nanostructure having the above laminated structure can be formed.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 아세테이트계 기반의 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 이용하여 무잔류층 패턴 전사 방법을 반복 실시한 것으로, 2층 이상의 적층구조를 갖는 3차원의 나노구조체 형성 방법을 개략적으로 나타낸 것이다.FIG. 1 is a view illustrating a method of forming a three-dimensional nanostructure having a laminated structure of two or more layers by repeating the method of transferring a residue free layer using an acetate based photocurable metal oxide precursor composition according to an embodiment of the present invention. FIG.
구체적으로, 본 발명에 따른 3차원 나노구조체 형성 방법은 상술한 무잔류층 패턴 형성 방법인 나노구조체 형성방법을 2회 이상 반복 실시하여 2층 이상의 패턴 구조물을 제조하는 것이다. 상기 무잔류층 패턴 형성방법은 기판(300) 상에 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 도포하여 수지층(11)을 형성하는 단계를 실시한다(S100). More specifically, the method for forming a three-dimensional nanostructure according to the present invention is a method for forming a pattern structure of two or more layers by repeating the above-described method of forming a nanostructure, which is a method of forming a residual layer pattern, two or more times. In the method for forming a residue free layer pattern, a step of forming a resin layer 11 by applying a photocurable metal oxide precursor composition on a substrate 300 is performed (S100).
상기 기판은 반도체, 디스플레이, 태양전지 등에 적용되는 통상의 기판을 사용할 수 있으며, 크게 제한되는 것은 아니지만, 실리콘, 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), 실리카, 사파이어, 석영, 유리 기판와 같은 무기물질 또는 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이드, 폴리비닐알콜, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르셀폰과 같은 폴리머 등을 사용할 수 있다. The substrate may be a conventional substrate to be applied to a semiconductor, a display, a solar cell, or the like. The substrate may be formed of a material such as silicon, gallium arsenide (GaAs), gallium arsenide (GaP), gallium arsenide (GaAsP) , Quartz, glass substrates, or polymers such as polycarbonate, polyethylene naphthalate, polynorbornene, polyacrylate, polyvinyl alcohol, polyimide, polyethylene terephthalate, and polyether cellphone.
상기 도포는 통상의 코팅 방법으로 실시할 수 있으며, 바람직하게는 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(deep coating), 스프레이 코팅(spray coating), 용액 적하(dropping), 디스펜싱(dispensing) 등의 방법을 사용할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. The application may be carried out by a conventional coating method, and preferably, a coating method such as spin coating, deep coating, spray coating, solution dropping, dispensing, etc. Method, but is not limited thereto.
본 발명에서 기판 상에 수지층을 형성함에 있어서, 금속산화물 전구체 조성물 내 금속 아세테이트와 유기용매와의 혼합비는 본 발명의 목적을 달성하는 범위 내에서 크게 제한되는 것은 아니지만, 바람직하게는 몰수를 기준으로 상기 금속 아세테이트는 유기용매에 대하여 0.1M 내지 0.5M, 보다 바람직하게는 0.1M 내지 0.3M의 범위로 포함될 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우 코팅성 및 균일성 뿐만 아니라 잔류층이 없는 패턴 형성에 더욱 좋다. 이때, 금속 아세테이트 중 아연 아세테이트의 경우는 다른 금속 아세테이트에 비하여 잔류층이 없는 미세 패턴 형성에 더욱 유리하다. 아연 이외의 다른 금속 아세테이트의 경우에는 유기용매와의 혼합비가 0.2M 내지 0.5M인 것이 잔류층이 없는 패턴을 형성하는데 더욱 좋다. In the present invention, in forming the resin layer on the substrate, the mixing ratio of the metal acetate and the organic solvent in the metal oxide precursor composition is not particularly limited within the scope of achieving the object of the present invention, The metal acetate may be included in the range of 0.1M to 0.5M, more preferably 0.1M to 0.3M with respect to the organic solvent. When the above range is satisfied, it is preferable to form a pattern having no residual layer as well as coating property and uniformity. In this case, the zinc acetate in the metal acetate is more advantageous for forming the fine pattern without the residual layer than the other metal acetate. In the case of metal acetates other than zinc, a mixing ratio of 0.2M to 0.5M with an organic solvent is better for forming a pattern having no residual layer.
기판 상에 수지층이 형성되면, 패턴이 형성된 스탬프를 상기 수지층 위에 올려놓아 수지층을 이루는 금속산화물 전구체 조성물이 스탬프에 형성된 패턴 사이를 채워지도록 하는 단계를 실시한다(S200). 이때, 금속산화물 전구체 조성물은 점도에 따라 스탬프 내 패턴에 채워진 다음 다른 스탬프로 옮겨가는 과정에서 추가로 전구체 조성물에 의해 잔류층을 형성할 수 있으므로, 앞서 상술한 바와 같은 금속 아세테이트와 유기용매의 혼합비의 범위를 만족하는 전구체 조성물을 사용하는 것이 더욱 좋다. When a resin layer is formed on the substrate, a step of placing a patterned stamp on the resin layer is performed so that the metal oxide precursor composition forming the resin layer is filled between the patterns formed on the stamp (S200). At this time, since the metal oxide precursor composition is filled with the pattern in the stamp according to the viscosity and then transferred to another stamp, the residual layer can be further formed by the precursor composition, so that the mixing ratio of the metal acetate and the organic solvent It is more preferable to use a precursor composition which satisfies the above range.
다음으로, 금속산화물 전구체 조성물이 채워진 스탬프를 다른 기판으로 옮긴 후 광경화하는 단계를 실시한다(S300). 이때, 다른 기판은 실질적으로 통상적으로 소자로 이용되는 것으로 크게 제한되는 것은 아니지만, 실리콘, 실리콘 옥사이드, 유리 기판, 세라믹 기판 등을 사용할 수 있으며, 이들 기판 위에 직접적으로 미세 패턴을 형성할 수 있어 더욱 좋다. Next, a step of transferring the stamp filled with the metal oxide precursor composition to another substrate and then photo-curing is performed (S300). The other substrate may be silicon, silicon oxide, glass substrate, ceramic substrate, or the like, and may be formed directly on the substrate. .
상기 광경화는 패턴에 채워진 금속산화물 전구체 조성물을 광중합에 의해 경화하는 것으로, 자외선 또는 전자선 등의 에너지선을 조사하여 실시할 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이때, 조사는 본 발명의 목적을 달성하는 범위 내에서 방법이나 조건이 크게 제한은 없으나, 바람직하게는 자외선 조사로 실시할 수 있으며, 일예로, 365nm 파장을 이용하여 실시할 수 있다. 조사시간은 1 내지 30분, 바람직하게는 5 내지 10분일 수 있다. The photo-curing can be performed by irradiating energy rays such as ultraviolet rays or electron rays by curing the patterned metal oxide precursor composition by photopolymerization and is not necessarily limited thereto. At this time, although the method and condition are not limited within the scope of attaining the object of the present invention, it is preferable to carry out irradiation by ultraviolet irradiation. For example, the irradiation can be carried out by using a wavelength of 365 nm. The irradiation time may be 1 to 30 minutes, preferably 5 to 10 minutes.
상기 광경화 공정은 광 조사에 의하여 스탬프 내부에 레지스트를 형성하고, 이것이 패턴을 이룰 수 있도록 한다. 이후, 스탬프를 제거하여 원하는 기판 상에 패턴을 전사하게 된다. 이렇게 형성된 패턴 위에 상기 패턴 전사 방법을 반복하여 새로운 층의 패턴을 형성하면 3차원 나노구조체를 형성하게 된다.The photo-curing step forms a resist inside the stamp by light irradiation, and this makes it possible to form a pattern. Thereafter, the stamp is removed to transfer the pattern onto the desired substrate. When the pattern transferring method is repeated on the pattern thus formed to form a new layer pattern, a three-dimensional nanostructure is formed.
이하, 본 발명에 따른 광경화성 금속산화물 전구체 조성물을 이용하여 적층구조의 3차원 나노구조체 형성 방법에 대하여 바람직한 실시형태를 나타내고자 한다. Hereinafter, preferred embodiments of a method of forming a three-dimensional nanostructure having a laminated structure using the photocurable metal oxide precursor composition according to the present invention will be described.
(실시예 1)(Example 1)
2-메톡시에탄올을 용매로 사용하고, 상기 2-메톡시에탄올 10ml을 기준으로 아연 아세테이트(Zn acetate) 0.2M과 에탄올아민 0.4M을 혼합하였다. 상기 에탄올아민은 안정제 역할을 위하여 사용하였다. 이후, 1-하이드록시 시클로헥실-페닐케톤(1-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone)과 벤조페논(Benzopenone)을 혼합한 광개시제를 100㎕을 넣고 충분히 혼합하여 아세테이트계 광경화성 전구체 조성물을 제조하였다. 상기 광경화성 전구체 조성물을 실리콘 기판의 상부면에 스핀 코팅(3,000rpm, 30초)하여 도포하여 수지층을 형성하였다. 이때, 수지층은 경화 전의 조성물 막이다. 수지층이 형성된 기판 상부면에 PDMS 스탬프를 올려놓아 상기 전구체 조성물이 PDMS 스탬프의 패턴 사이로 이동되도록 하였다. 상기 PDMS 스탬프 패턴에 전구체 조성물이 채워지면 다른 기판인 실리콘 기판의 상부면에 올려놓은 다음, 365nm 파장의 자외선을 3분 동안 조사하여 광중합에 의해 전구체 조성물이 경화되도록 하였다. 경화가 완료되면 PDMS 스탬프를 분리하여 제거하였다. Methoxyethanol was used as a solvent, and 0.2M of zinc acetate (Zn acetate) and 0.4M of ethanolamine were mixed based on 10ml of the above-mentioned 2-methoxyethanol. The ethanolamine was used to serve as a stabilizer. Thereafter, 100 μl of a photoinitiator in which 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone and benzophenone were mixed was thoroughly mixed to prepare an acetate-based photo-curable precursor composition. The photocurable precursor composition was spin-coated on the upper surface of the silicon substrate at 3,000 rpm for 30 seconds to form a resin layer. At this time, the resin layer is a composition film before curing. A PDMS stamp was placed on the top surface of the substrate where the resin layer was formed to allow the precursor composition to move between the patterns of the PDMS stamp. When the PDMS stamp pattern was filled with the precursor composition, the PDMS stamp pattern was placed on the upper surface of the silicon substrate, which was another substrate, and ultraviolet rays of 365 nm wavelength were irradiated for 3 minutes to cure the precursor composition by photopolymerization. When the curing was completed, the PDMS stamp was removed and removed.
(실시예 2)(Example 2)
실시예 1에서 형성된 패턴 위에 실시예 １의 동일한 방법을 실시하여 2번째 층의 패턴을 형성하였다. A pattern of the second layer was formed on the pattern formed in Example 1 by the same method as in Example 1.
(실시예 3)(Example 3)
아연 아세테이트를 니켈 아세테이트(Ni acetate, Ni(OCOCH3)2·4H2O)로 변경하고 0.2M로 변경하여 실시예 1과 실시예 2와 동일한 방법으로 실시하였다. Zinc acetate was changed to nickel acetate (Ni acetate, Ni (OCOCH 3 ) 2 .4H 2 O), and the amount of zinc acetate was changed to 0.2 M in the same manner as in Example 1 and Example 2.
(실시예 4)(Example 4)
아연 아세테이트를 실시예 1과 동일한 방법으로 실시한 후 니켈 아세테이로 변경하여 실시예 2와 동일한 방법으로 실시하였다.Zinc acetate was changed to nickelacetate in the same manner as in Example 1 and the same procedure as in Example 2 was conducted.
도 3 및 4는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 미세 선 패턴의 주사전자현미경 사진을 나타낸 것이며, 도 4는 실시예 2에 따라 제조된 2층 적층구조를 갖는 3차원 나노구조체의 주사현미경 사진을 나타낸 것이다. 또한, 도 5는 실시예 3에 따라 제작된 미세 선 패턴의 주사전자현미경 사진을 나타낸 것으로 이며, 도 6은 실시예 4에 따라 제작된 2층의 3차원 나노구조체의 주사전자현미경의 사진을 나타낸 것으로, 3차원 하이브리드 나노구조체를 형성할 수 있음을 확인할 수 있었다. 이들은 잔류층이 없는 미세 패턴을 형성하고 있음을 확인할 수 있었다. 3 and 4 are SEM micrographs of a fine line pattern prepared according to Example 1 of the present invention. Fig. 4 is a scanning electron microscope (SEM) image of a three-dimensional nanostructure having a two- It is a photograph. 5 is a scanning electron micrograph of a fine line pattern fabricated according to Example 3, and FIG. 6 is a photograph of a scanning electron microscope of a two-layered three-dimensional nanostructure fabricated according to Example 4 As a result, it was confirmed that a three-dimensional hybrid nanostructure can be formed. It can be seen that they form a fine pattern without residual layer.
이상과 같이 본 발명에서는 한정된 실시예에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Various modifications and variations are possible in light of the above teachings.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Accordingly, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, belong to the scope of the present invention .
10 : 광경화성 전구체 조성물
100 : 제2기판
200 : PDMS 스탬프
300 : 제1기판
310 : 유기분자막
320 : 별도의 구조물
400 : 마스터몰드10: Photocurable precursor composition
100: second substrate
200: PDMS stamp
300: first substrate
310: Oil content subtitle
320: Separate structure
400: master mold
Claims (8)
1-히드록시 시클로헥실-페닐케톤, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸-1-원, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 및 2,2-디에톡시-1,2-아페닐에타논으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 광개시제 및
유기용매를 포함하는 광경화성 금속산화물 전구체 조성물.
Zinc acetate, copper acetate, nickel acetate, cobalt acetate, iron acetate and manganese acetate,
1-hydroxycyclohexyl-phenyl ketone, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methyl-1-one, 2,2- Diethoxy-1, 2-diphenylethanone, and at least one photoinitiator selected from the group consisting of
A photocurable metal oxide precursor composition comprising an organic solvent.
상기 유기용매는 2-메톡시에탄올, 메틸이소부틸케톤, 메틸에틸케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 디메틸설폭사이드, 디메틸포름아마이드, 아세톤 및 테트라히드로퓨란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 광경화성 금속산화물 전구체 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the organic solvent is selected from the group consisting of 2-methoxyethanol, methylisobutylketone, methylethylketone, water, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, dimethylsulfoxide, dimethylformamide, acetone and tetrahydrofuran At least one photo-curable metal oxide precursor composition.
상기 전구체 조성물은 아세테이트계 금속산화물이 유기용매에 대하여 0.1 내지 0.5M 혼합되는 것인 광경화성 금속산화물 전구체 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the precursor composition is prepared by mixing 0.1 to 0.5 M of an acetate metal oxide with respect to an organic solvent.
상기 수지층 위에 패턴이 형성된 스탬프를 압축성형하여 상기 스탬프 내부 패턴에 조성물을 채우는 단계,
상기 조성물이 패턴에 채워진 스탬프를 제2기판에 올려놓은 후 광경화하는 단계 및
스탬프를 제거하는 단계
를 포함하는 나노구조체 형성방법.
An acetate-based metal oxide, an organic solvent and an organic solvent selected from the group consisting of zinc acetate, copper acetate, nickel acetate, cobalt acetate, iron acetate and manganese acetate, organic solvent and 1-hydroxycyclohexyl- - (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methyl-1-one, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone and 2,2-diethoxy- A photo-curable metal oxide precursor composition comprising at least one photo-initiator selected from the group consisting of a photo-
Compressing a stamp having a pattern formed on the resin layer to fill the internal pattern of the stamp with the composition,
Placing the stamp filled with the composition on the pattern onto a second substrate, and then photo-curing the stamp;
Steps to Remove Stamp
≪ / RTI >
상기 스탬프는 패턴이 형성된 마스터 몰드 표면에 유기분자막을 코팅한 다음, 폴리디메틸실록산 용액을 넣어 경화시킨 후 상기 마스터 몰드를 분리하여 제조된 것인 나노구조체 형성방법.
The method according to claim 6,
Wherein the stamp is formed by coating a dielectric film on a surface of a master mold on which a pattern is formed, then curing the polydimethylsiloxane solution, and then separating the master mold.
상기 전사된 패턴 위에 적어도 한 층 이상의 패턴을 전사하는 것을 포함하는 나노구조체 형성방법. The method according to claim 6,
And transferring at least one pattern onto the transferred pattern.
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