KR101927918B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 처리 공간이 형성된 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되는 안테나 유닛과; 상기 안테나 유닛에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛을 포함하되, 상기 안테나 유닛은, 상기 공정 챔버의 상벽의 하부에 제공되는 지파판과; 상기 지파판의 하부에 제공되고, 마이크로파가 인가되는 안테나와; 상기 안테나의 하부에 제공되는 유전판;을 포함하되, 상기 안테나는 상기 지파판과 독립적으로 상기 기판 처리 장치에 탈부착된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate using a plasma. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a processing chamber having a processing space in which a substrate is processed; A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space; An antenna unit disposed on the substrate supporting unit; And a microwave application unit for applying a microwave to the antenna unit, wherein the antenna unit comprises: a wave plate provided at a lower portion of a top wall of the process chamber; An antenna provided at a lower portion of the wave plate and to which a microwave is applied; And a dielectric plate provided under the antenna, wherein the antenna is detachably attached to the substrate processing apparatus independently of the wave plate.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for processing a substrate using plasma.

플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정에서는 플라즈마를 사용하여 다양한 공정을 수행한다. 일 예로 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma is an ionized gas state that is generated by a very high temperature, a strong electric field, or RF electromagnetic fields, and consists of ions, electrons, and radicals. In the semiconductor device manufacturing process, various processes are performed using plasma. For example, the etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치(1)를 보여주는 단면도이다. 도 2는 도 1의 a영역을 확대한 확대도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치(1)는 안테나(2) 및 지파판(3)을 포함한다. 안테나(2)에는 마이크로파가 인가된다. 안테나(2)에 인가된 마이크로파는 공정 챔버(5)의 내부로 전파된다. 지파판(3)은 일반적으로 안테나(2)의 상부에 위치하며, 마이크로파를 파장을 압축하여 반경 방향으로 전파한다.Fig. 1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus 1. Fig. Fig. 2 is an enlarged view of the area a in Fig. 1; Fig. Referring to Figs. 1 and 2, a general substrate processing apparatus 1 includes an antenna 2 and a chop panel 3. Microwave is applied to the antenna 2. The microwave applied to the antenna 2 is propagated to the inside of the process chamber 5. The wave plate 3 is generally located on the top of the antenna 2 and propagates in the radial direction by compressing the microwaves.

지파판(3)은 기능 상 안테나(2)의 상부에 안테나(2)와 접촉하여 제공된다. 따라서, 일반적으로 안테나(2)는 안테나 결합 부재(4)에 의해 공정 챔버(5)에 결합되고, 지파판(3)은 안테나(2)의 상면에 지지되어 공정 챔버(5)에 결합되는 구조로 제공된다. 따라서, 지파판(3)에 비해 교체 빈도가 높은 안테나(2)의 교체를 위한 안테나(2) 분리 시, 안테나(2)뿐 아니라 지파판(3) 또한 공정 챔버(5)로부터 분리된다.The wave plate 3 is provided in contact with the antenna 2 on the upper part of the functional antenna 2. The antenna 2 is coupled to the process chamber 5 by the antenna coupling member 4 and the wave plate 3 is supported on the upper surface of the antenna 2 and coupled to the process chamber 5. [ . Therefore, not only the antenna 2 but also the wave plate 3 are separated from the process chamber 5 when the antenna 2 for replacement of the antenna 2 having a higher replacement frequency than the wave plate 3 is removed.

따라서, 안테나(2)를 분리 후 재결합시킨 경우, 지파판(3)의 위치가 정위치에서 이탈될 수 있다. 이러한 지파판(3)의 정위치에서의 이탈은 안테나(2)의 정위치에서의 이탈을 유발하고, 지파판(3)과 안테나(2)의 정위치에서의 이탈은 공정 중 영역별 플라스마 밀도의 불균일과 아킹(Arcing)을 유발할 수 있다. 플라스마 밀도의 불균일 및 아킹은 기판 처리 공정에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 분리된 지파판(3)은 파손 가능성이 높아진다. Therefore, when the antenna 2 is separated and recombined, the position of the wave plate 3 can be deviated from the correct position. This departure from the correct position of the wave plate 3 causes the antenna 2 to deviate from the correct position and the deviation of the wave plate 3 and the antenna 2 from the correct position causes the plasma density And can cause arcing. Non-uniformity of plasma density and arcing can affect the substrate processing process. In addition, the separated paperboard 3 has a high possibility of breakage.

본 발명은 안테나를 지파판과 독립적으로 장치에 탈부착시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of attaching and detaching an antenna to and from a device independent of a tear plate.

또한, 본 발명은 지파판 및 안테나의 정위치에서의 이탈을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing separation of a chopper plate and an antenna from a predetermined position.

또한, 본 발명은 플라스마의 영역별 밀도의 불균일 및 아킹을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing unevenness and arcing of density of each region of the plasma.

또한, 본 발명은 지파판의 파손 가능성을 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus capable of reducing the possibility of breakage of the chipping plate.

본 발명은 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 처리 공간이 형성된 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되는 안테나 유닛과; 상기 안테나 유닛에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛을 포함하되, 상기 안테나 유닛은, 상기 공정 챔버의 상벽의 하부에 제공되는 지파판과; 상기 지파판의 하부에 제공되고, 마이크로파가 인가되는 안테나와; 상기 안테나의 하부에 제공되는 유전판;을 포함하되, 상기 안테나는 상기 지파판과 독립적으로 상기 기판 처리 장치에 탈부착 가능하게 제공된다.The present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate using a plasma. According to one embodiment, the substrate processing apparatus includes: a processing chamber having a processing space in which a substrate is processed; A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space; An antenna unit disposed on the substrate supporting unit; And a microwave application unit for applying a microwave to the antenna unit, wherein the antenna unit comprises: a wave plate provided at a lower portion of a top wall of the process chamber; An antenna provided at a lower portion of the wave plate and to which a microwave is applied; And a dielectric plate provided under the antenna, wherein the antenna is detachably provided to the substrate processing apparatus independently of the trench plate.

상기 안테나 유닛은, 상기 지파판을 상기 공정 챔버에 결합시키는 지파판 결합 부재와; 상기 안테나를 상기 공정 챔버에 결합시키는 안테나 결합 부재를 포함할 수 있다.The antenna unit comprising: a wave plate joining member for coupling the wave plate to the process chamber; And an antenna coupling member coupling the antenna to the process chamber.

상기 지파판 결합 부재는, 상면이 상기 상벽의 가장자리 영역에 연결되고, 상기 지파판의 측면의 하단부를 둘러싸는 링 형상으로 제공되며, 상기 상면의 내측 영역이 상기 지파판의 가장자리 영역과 중첩되고, 상기 지파판의 측면의 하단부는 상기 지파판 결합 부재의 내측면과 맞물리도록 내측으로 만입될 수 있다.Wherein the tapered plate coupling member is provided in a ring shape having an upper surface connected to an edge region of the upper wall and surrounding a lower end of the side surface of the tapered plate and an inner region of the upper surface overlaps an edge region of the tapered plate, And the lower end of the side surface of the tapered plate may be recessed inwardly to engage with the inner surface of the tapered plate engaging member.

상기 안테나 결합 부재는, 상면이 상기 안테나의 저면의 가장자리 영역을 지지하고, 상기 안테나와 동심인 링 형상으로 제공되며, 상기 공정 챔버에 결합되도록 제공될 수 있다.The antenna coupling member may be provided to be coupled to the process chamber, the upper surface of which supports an edge region of the bottom surface of the antenna, and is provided in a ring shape concentric with the antenna.

상기 지파판 결합 부재는 나사에 의해 상기 공정 챔버에 결합될 수 있다.The tapered plate engaging member can be coupled to the process chamber by a screw.

상기 안테나 결합 부재는 나사에 의해 상기 공정 챔버에 결합될 수 있다.The antenna coupling member may be coupled to the process chamber by a screw.

상기 지파판 결합 부재 및 상기 안테나 결합 부재는 서로 대향되게 배치될 수 있다.The tongue plate coupling member and the antenna coupling member may be disposed to face each other.

상기 지파판은 용접에 의해 상기 공정 챔버에 결합될 수 있다.The tear board may be coupled to the process chamber by welding.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 안테나를 지파판과 독립적으로 장치에 탈부착시킬 수 있다.The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can attach and detach the antenna to the apparatus independently of the tine plate.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 지파판 및 안테나의 정위치에서의 이탈을 방지할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can prevent the separation of the wave plate and the antenna from the correct position.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 플라스마의 영역별 밀도의 불균일 및 아킹을 방지할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can prevent unevenness and arcing of density of each region of the plasma.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 지파판의 파손 가능성을 감소시킬 수 있다.Further, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can reduce the possibility of breakage of the wave plates.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 a영역을 확대한 확대도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 1의 안테나의 저면을 보여주는 저면도이다.
도 5는 도 3의 안테나의 저면을 보여주는 저면도이다.
도 6은 도 3의 지파판 결합 부재의 저면을 보여주는 저면도이다.
도 7은 도 3의 지파판의 저면을 보여주는 저면도이다.
도 8 및 도 9는 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지파판 결합 부재의 저면 및 지파판의 저면을 보여주는 도면들이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 지파판 결합 부재의 저면을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 3의 안테나 결합 부재를 보여주는 사시도이다.1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus.
Fig. 2 is an enlarged view of the area a in Fig. 1; Fig.
3 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a bottom view showing the bottom of the antenna of Fig.
5 is a bottom view showing the bottom of the antenna of Fig.
Fig. 6 is a bottom view showing the bottom surface of the separator plate coupling member of Fig. 3;
FIG. 7 is a bottom view showing the bottom of the chopping board of FIG. 3;
8 and 9 are views showing the bottom surface of the tapered plate coupling member and the bottom surface of the tapered plate according to another embodiment of the present invention, respectively.
10 is a bottom view of a tongue-and-groove mating member according to another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a perspective view showing the antenna coupling member of FIG. 3. FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 공정 수행 시의 모습(10)을 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)에 대하여 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 마이크로파 인가 유닛(400), 안테나 유닛(500)을 포함한다.FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 10 performs processing on the substrate W using a plasma. The substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a substrate support unit 200, a gas supply unit 300, a microwave application unit 400, and an antenna unit 500.

공정 챔버(100)는 내부에 처리 공간(101)이 형성되며, 처리 공간(101)은 기판 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 공정 챔버(100)는 바디(110)와 커버(120)를 포함한다. The processing chamber 100 is formed with a processing space 101 therein, and the processing space 101 is provided with a space in which a substrate processing process is performed. The process chamber 100 includes a body 110 and a cover 120.

바디(110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. The upper surface of the body 110 is opened and a space is formed therein.

커버(120)는 바디(110)의 상단에 놓이며, 바디(110)의 개방된 상면을 밀폐한다. 커버(120)는 상부 공간이 하부 공간보다 더 큰 반경을 갖도록 하단부 내측이 단차진다.The cover 120 is placed on top of the body 110 and seals the open top surface of the body 110. The cover 120 is stepped inside the lower end so that the upper space has a larger radius than the lower space.

공정 챔버(100)의 일 측벽에는 기판 유입구가 형성될 수 있다. 기판 유입구는 기판(W)이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 기판 유입구는 도어 등 개폐 부재에 의해 개폐된다.A substrate inlet may be formed in one side wall of the process chamber 100. The substrate inlet is provided as a passage through which the substrate W can enter and exit the process chamber 100. The substrate inlet is opened and closed by an opening and closing member such as a door.

공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(131)과 연결된다. 배기 라인(131)을 통한 배기로, 공정 챔버(100)의 내부는 상압보다 낮은 압력으로 유지될 수 있다. 예를 들면, 배기 라인(131)은 펌프(미도시)에 연결되고, 펌프의 펌핑 작업에 의해 공정 챔버(100)의 내부는 진공압까지 감압되고, 진공압을 유지할 수 있다. 따라서, 공정 챔버(100)는 진공 상태에서 기판(W)이 처리되는 진공 챔버로 제공될 수 있다. 그리고, 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 처리 공간(101) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(131)을 통해 외부로 배출될 수 있다.An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the process chamber 100. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 131. With the exhaust through the exhaust line 131, the interior of the process chamber 100 can be maintained at a pressure lower than normal pressure. For example, the exhaust line 131 is connected to a pump (not shown), and by the pumping operation of the pump, the interior of the process chamber 100 is depressurized to the vacuum pressure and can maintain vacuum pressure. Accordingly, the process chamber 100 can be provided with a vacuum chamber in which the substrate W is processed in a vacuum state. The reaction byproducts generated in the process and the gas staying in the process space 101 may be discharged to the outside through the exhaust line 131.

기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(101) 내에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지 플레이트(210), 리프트 핀(미도시), 히터(220), 지지축(230)을 포함한다.The substrate supporting unit 200 supports the substrate W in the processing space 101. The substrate support unit 200 includes a support plate 210, a lift pin (not shown), a heater 220, and a support shaft 230.

지지 플레이트(210)는 소정의 두께를 가지며, 기판(W) 보다 큰 반경을 갖는 원판으로 제공된다. 지지 플레이트(210)의 상면에는 기판(W)이 놓이는 기판 제공홈이 형성될 수 있다. 실시 예에 의하면, 지지 플레이트(210)에는 기판(W)을 고정하는 구성이 제공되지 않으며, 기판(W)은 지지 플레이트(210)에 놓인 상태로 공정에 제공된다. 이와 달리, 지지 플레이트(210)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 고정시키는 정전 척으로 제공되거나, 기계적 클램핑 방식으로 기판(W)을 고정시키는 척으로 제공될 수 있다.The support plate 210 has a predetermined thickness and is provided with an original plate having a larger radius than the substrate W. [ A substrate providing groove on which the substrate W is placed may be formed on the upper surface of the support plate 210. According to the embodiment, the support plate 210 is not provided with a structure for fixing the substrate W, and the substrate W is provided to the process while being placed on the support plate 210. Alternatively, the support plate 210 may be provided as an electrostatic chuck for fixing the substrate W using electrostatic force, or may be provided as a chuck for fixing the substrate W in a mechanical clamping manner.

리프트 핀은 복수 개 제공되며, 지지 플레이트(210)에 형성된 핀 홀(미도시)들 각각에 위치한다. 리프트 핀들은 핀 홀들을 따라 상하방향으로 이동하며, 기판(W)을 지지 플레이트(210)에 로딩하거나 지지 플레이트(210)에 놓인 기판(W)을 언로딩한다.A plurality of lift pins are provided and located in each of the pin holes (not shown) formed in the support plate 210. The lift pins move up and down along the pin holes to load the substrate W onto the support plate 210 or unload the substrate W placed on the support plate 210. [

히터(220)는 지지 플레이트(210)의 내부에 제공된다. 히터(220)는 나선 형상의 코일로 제공되며, 균일한 간격으로 지지 플레이트(210) 내부에 매설될 수 있다. 히터(220)는 외부 전원(미도시)과 연결되며, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지 플레이트(210)를 거쳐 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 소정 온도로 가열한다.The heater 220 is provided inside the support plate 210. The heater 220 is provided as a helical coil and can be embedded in the support plate 210 at uniform intervals. The heater 220 is connected to an external power source (not shown) and generates heat by resistance to a current applied from an external power source. The generated heat is transferred to the substrate W via the support plate 210, and the substrate W is heated to a predetermined temperature.

지지축(230)은 지지 플레이트(210)의 하부에 위치하며, 지지 플레이트(210)를 지지한다. 지지 플레이트(210)는 구동 부재(미도시)에 의해 상하 이동 가능하도록 제공될 수 있다.The support shaft 230 is positioned below the support plate 210 and supports the support plate 210. The support plate 210 can be provided to be movable up and down by a driving member (not shown).

가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 처리 공간(101) 내로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 가스 공급홀(105)을 통해 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급홀(105)은 복수개로 제공될 수 있다.The gas supply unit 300 supplies the process gas into the process space 101 of the process chamber 100. The gas supply unit 300 may supply the process gas into the process chamber 100 through the gas supply hole 105 formed in the side wall of the process chamber 100. A plurality of gas supply holes 105 may be provided.

마이크로파 인가 유닛(400)은 안테나 유닛(500)으로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파 인가 유닛(400)은 마이크로파 발생기(410), 제1도파관(420), 제2도파관(430), 위상 변환기(440), 그리고 매칭 네트워크(450)를 포함한다.The microwave applying unit 400 applies microwaves to the antenna unit 500. The microwave application unit 400 includes a microwave generator 410, a first waveguide 420, a second waveguide 430, a phase shifter 440, and a matching network 450.

마이크로파 발생기(410)는 마이크로파를 발생시킨다. The microwave generator 410 generates a microwave.

제1도파관(420)은 마이크로파 발생기(410)와 연결되며, 내부에 통로가 형성된다. 마이크로파 발생기(410)에서 발생된 마이크로파는 제1도파관(420)을 따라 위상 변환기(440) 측으로 전달된다.The first waveguide 420 is connected to the microwave generator 410 and a passageway is formed therein. The microwave generated by the microwave generator 410 is transmitted to the phase converter 440 along the first waveguide 420.

제2도파관(430)은 외부 도체(432) 및 내부 도체(434)를 포함한다.The second waveguide 430 includes an outer conductor 432 and an inner conductor 434.

외부 도체(432)는 제 1 도파관(420)의 끝단에서 수직한 방향으로 아래로 연장되며, 내부에 통로가 형성된다. 외부 도체(432)의 상단은 제 1 도파관(420)의 하단에 연결되고, 외부 도체(432)의 하단은 커버(120)의 상단에 연결된다.The outer conductor 432 extends downward in the vertical direction at the end of the first waveguide 420, and a passageway is formed therein. The upper end of the outer conductor 432 is connected to the lower end of the first waveguide 420 and the lower end of the outer conductor 432 is connected to the upper end of the cover 120.

내부 도체(434)는 외부 도체(432) 내에 위치한다. 내부 도체(434)는 원기둥 형상의 로드(rod)로 제공되며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 내부 도체(434)의 상단은 위상 변환기(440)의 하단부에 삽입 고정된다. 내부 도체(434)는 아래 방향으로 연장되어 그 하단이 공정 챔버(100)의 내부에 위치한다. 내부 도체(434)의 하단은 안테나(520)의 중심에 고정 결합된다. 내부 도체(434)는 안테나(520)의 상면에 수직하게 배치된다. 내부 도체(434)는 구리 재질의 로드에 제1도금막과 제2도금막이 순차적으로 코팅되어 제공될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 제1도금막은 니켈(Ni) 재질이고, 제2도금막은 금(Au) 재질로 제공될 수 있다. 마이크로파는 주로 제1도금막을 통해 안테나(520)로 전파된다.The inner conductor 434 is located in the outer conductor 432. The inner conductor 434 is provided as a rod in the shape of a cylinder, and its longitudinal direction is arranged in parallel with the up-and-down direction. The upper end of the inner conductor 434 is inserted and fixed to the lower end of the phase shifter 440. The inner conductor 434 extends downward and its lower end is located inside the process chamber 100. The lower end of the inner conductor 434 is fixedly coupled to the center of the antenna 520. The inner conductor 434 is disposed perpendicularly to the upper surface of the antenna 520. The inner conductor 434 may be provided by sequentially coating a first plated film and a second plated film on a copper rod. According to one embodiment, the first plating film may be made of nickel (Ni), and the second plating film may be provided of gold (Au). The microwave is propagated mainly to the antenna 520 through the first plated film.

위상 변환기(440)에서 위상이 변환된 마이크로파는 제2도파관(430)를 따라 안테나(520) 측으로 전달된다.The microwave whose phase is converted in the phase converter 440 is transmitted to the antenna 520 side along the second waveguide 430.

위상 변환기(440)는 제1도파관(420)과 제2도파관(430)이 접속되는 지점에 제공되며, 마이크로파의 위상을 변화시킨다. 위상 변환기(440)는 아래가 뾰족한 콘 형상으로 제공될 수 있다. 위상 변환기(440)는 제1도파관(420)으로부터 전달된 마이크로파를 모드가 변환된 상태로 제2도파관(430)에 전파한다. 위상 변환기(440)는 마이크로파를 TE 모드에서 TEM 모드로 변환시킬 수 있다.The phase shifter 440 is provided at a point where the first waveguide 420 and the second waveguide 430 are connected to change the phase of the microwave. The phase shifter 440 may be provided in the shape of a pointed cone. The phase shifter 440 propagates the microwave transmitted from the first waveguide 420 to the second waveguide 430 in a mode-converted state. The phase converter 440 may convert the microwave into TE mode to TEM mode.

매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)에 제공된다. 매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)을 통해 전파되는 마이크로파를 소정 주파수로 매칭시킨다.The matching network 450 is provided in the first waveguide 420. The matching network 450 matches the microwave propagated through the first waveguide 420 to a predetermined frequency.

도 4는 도 3의 b영역을 확대한 확대도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 안테나 유닛(500)은 마이크로파 인가 유닛(400)으로부터 인가된 마이크로파를 처리 공간(101)으로 전달한다. 안테나 유닛(500)은 기판 지지 유닛(200)의 상부에 배치된다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 유닛(500)은 지파판(510), 안테나(520), 유전판(530), 지파판 결합 부재(540) 및 안테나 결합 부재(550)를 포함한다.4 is an enlarged view of the area b in Fig. 3 and 4, the antenna unit 500 transfers the microwave applied from the microwave applying unit 400 to the processing space 101. [ The antenna unit 500 is disposed on the top of the substrate supporting unit 200. According to one embodiment, the antenna unit 500 includes a wave plate 510, an antenna 520, a dielectric plate 530, a wave plate coupling member 540, and an antenna coupling member 550.

도 5는 도 3의 안테나(520)의 저면을 보여주는 저면도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 안테나(520)은 플레이트 형상으로 제공된다. 안테나(520)는 기판 지지 유닛(220)의 상부에 배치된다. 일 예로, 안테나(520)는 두께가 얇은 원판으로 제공될 수 있다. 안테나(520)는 지지 플레이트(210)에 대향되도록 배치된다. 안테나(520)에는 복수의 슬롯(501)들이 형성된다. 슬롯(501)들은 'x'자 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 슬롯들의 형상 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 슬롯(501)들은 복수개가 서로 조합되어 복수개의 링 형상으로 배치된다. 이하, 슬롯(501)들이 형성된 안테나(520) 의 영역을 제1영역(A1, A2, A3)이라 하고, 슬롯(501)들이 형성되지 않은 안테나(520)의 영역을 제2영역(B1, B2, B3)이라 한다. 제1영역(A1, A2, A3)과 제2영역(B1, B2, B3)은 각각 링 형상을 가진다. 제1영역(A1, A2, A3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제1영역(A1, A2, A3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나(520)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치 된다. 제2영역(B1, B2, B3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제2영역(B1, B2, B3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나(520)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1영역(A1, A2, A3)은 인접한 제2영역(B1, B2, B3)들 사이에 각각 위치한다. 안테나(520)의 중심부에는 홀(502)이 형성된다. 내부 도체(434)는 그 하단이 홀(502)를 관통하여 안테나(520)과 결합된다. 마이크로파는 슬롯(501)들을 투과하여 유전판(530)으로 전달된다. 안테나(520)는 이하 설명될 지파판(510)과 독립적으로 기판 처리 장치(10)에 탈부착 가능하게 제공된다. 안테나(520)의 측면에는 안테나 결합 부재(550)의 돌출부(552)가 삽입되도록 내측으로 만입된 만입부(521)가 형성될 수 있다. 만입부(521)는 안테나(520)의 원주 방향을 따라 복수개가 서로 이격되어 제공될 수 있다. 만입부(521)와 돌출부(552)는 서로 일대일로 대응되게 제공될 수 있다.5 is a bottom view showing the bottom surface of the antenna 520 of FIG. 3 and 4, the antenna 520 is provided in a plate shape. An antenna 520 is disposed on top of the substrate support unit 220. In one example, the antenna 520 may be provided as a thin disc. The antenna 520 is disposed to face the support plate 210. A plurality of slots 501 are formed in the antenna 520. The slots 501 may be provided in an 'x' shape. Alternatively, the shape and arrangement of the slots may be varied. A plurality of slots 501 are arranged in a plurality of ring shapes in combination with each other. The area of the antenna 520 in which the slots 501 are formed is referred to as a first area A1 and the area of the antenna 520 in which the slots 501 are not formed is referred to as a second area B1, , B3). The first areas A1, A2, and A3 and the second areas B1, B2, and B3 each have a ring shape. A plurality of first regions A1, A2, and A3 are provided and have different radii from each other. The first areas A1, A2, and A3 have the same center and are disposed apart from each other in the radial direction of the antenna 520. [ A plurality of second regions B1, B2, and B3 are provided and have different radii from each other. The second regions B1, B2, and B3 have the same center and are disposed apart from each other in the radial direction of the antenna 520. [ The first areas A1, A2, and A3 are located between the adjacent second areas B1, B2, and B3, respectively. A hole 502 is formed in the center of the antenna 520. The lower end of the inner conductor 434 passes through the hole 502 and is coupled to the antenna 520. The microwaves are transmitted through the slots 501 to the dielectric plate 530. The antenna 520 is detachably provided to the substrate processing apparatus 10 independently of the wave plate 510 to be described below. A depressed portion 521 recessed inwardly to insert the protruding portion 552 of the antenna coupling member 550 may be formed on the side surface of the antenna 520. [ A plurality of indentations 521 may be provided along the circumferential direction of the antenna 520 so as to be spaced apart from each other. The depressed portion 521 and the protruding portion 552 may be provided corresponding to each other on a one-to-one basis.

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 지파판(510)은 안테나(520)의 상부와 공정 챔버(100)의 상벽의 하부의 사이에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 지파판(510)은 커버(120)의 내측에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 지파판(510)은 알루미나, 석영 등의 유전체로 제공된다. 내부 도체(434)를 통해 수직 방향으로 전파된 마이크로파는 지파판(510)의 반경 방향으로 전파된다. 지파판(510)에 전파된 마이크로파는 파장이 압축되며, 공진된다.Referring again to Figures 3 and 4, the tine plate 510 is positioned between the top of the antenna 520 and the bottom of the top wall of the process chamber 100 and is provided with a disc having a predetermined thickness. The finger plate 510 may have a radius corresponding to the inside of the cover 120. The wave plate 510 is provided with a dielectric such as alumina, quartz, or the like. The microwaves propagated in the vertical direction through the inner conductor 434 propagate in the radial direction of the wave plate 510. The wavelength of the microwave propagated to the wave plate 510 is compressed and resonated.

유전판(530)은 마이크로파를 안테나(520)로부터 처리 공간(101)으로 전달한다. 유전판(530)은 처리 공간(101)의 상면에 제공된다. 즉, 유전판(530)은 안테나(520)의 하부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 유전판(530)은 쿼츠 등의 유전체로 제공된다. 유전판(530)의 저면은 내측으로 만입된 오목면으로 제공된다. 유전판(530)은 저면이 커버(120)의 하단과 동일 높이에 위치할 수 있다. 유전판(530)의 측부는 상단이 하단보다 큰 반경을 갖도록 단차진다. 유전판(530)의 상단은 커버(120)의 단차진 하단부에 놓인다. 유전판(530)의 하단은 커버(120)의 하단부보다 작은 반경을 가지며, 커버(120)의 하단부와 소정 간격을 유지한다. 마이크로파는 유전판(530)을 거쳐 공정 챔버(100) 내부로 방사된다. 방사된 마이크로파의 전계에 의하여 공정 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스는 플라스마 상태로 변환된다. 지파판(510), 안테나(520) 그리고 유전판(530)은 서로 밀착되게 제공될 수 있다.The dielectric plate 530 transfers the microwave from the antenna 520 to the processing space 101. The dielectric plate 530 is provided on the upper surface of the processing space 101. That is, the dielectric plate 530 is disposed below the antenna 520 and is provided as a disk having a predetermined thickness. The dielectric plate 530 is provided as a dielectric such as quartz. The bottom surface of the dielectric plate 530 is provided with a concave surface recessed inward. The dielectric plate 530 may be positioned at the same height as the lower end of the cover 120. The side of the dielectric plate 530 is stepped so that the upper end has a larger radius than the lower end. The upper end of the dielectric plate 530 is placed at the stepped lower end of the cover 120. The lower end of the dielectric plate 530 has a smaller radius than the lower end of the cover 120 and maintains a predetermined distance from the lower end of the cover 120. The microwave is radiated into the process chamber 100 through the dielectric plate 530. The process gas supplied into the process chamber 100 by the electric field of the radiated microwaves is converted into a plasma state. The wave plate 510, the antenna 520, and the dielectric plate 530 may be provided in close contact with each other.

도 6은 도 3의 지파판 결합 부재(540)의 저면을 보여주는 저면도이다. 도 7은 도 3의 지파판(510)의 저면을 보여주는 저면도이다. 도 4, 도 6 및 도 7을 참조하면, 지파판 결합 부재(540)는 지파판(510)을 공정 챔버(100)에 결합시킨다. 일 실시 예에 따르면, 지파판 결합 부재(540)는 지파판(510)의 측면의 하단부를 둘러싸는 링 형상으로 제공된다. 지파판 결합 부재(540)는 상면이 공정 챔버(100)의 상벽의 가장자리 영역에 연결되도록 제공된다. 지파판 결합 부재(540)는 상면의 내측 영역(541)이 지파판(510)의 가장자리 영역과 중첩되고, 지파판(510)의 측면의 하단부(511)는 지파판 결합 부재(540)의 내측면과 맞물리도록 내측으로 만입되게 제공된다. 따라서, 지파판(510)은 공정 챔버(100)에 결합된 지파판 결합 부재(540)의 상면의 내측 영역(541)에 지지된다. 지파판 결합 부재(540)는 나사에 의해 공정 챔버(100)에 결합될 수 있다. 예를 들면, 지파판 결합 부재(540)에는 상면 및 하면을 관통하는 제 1 나사홀(543)이 복수개 제공될 수 있다. 나사는 제 1 나사홀(543) 및 공정 챔버(100)의 상벽의 가장자리 영역을 관통하여 지파판 결합 부재(540)를 공정 챔버(100)에 고정시킬 수 있다. 이와 달리, 지파판(510)은 다양한 방식으로 공정 챔버(100)에 결합될 수 있다. 예를 들면, 지파판(510)은 용접에 의해 공정 챔버(100)에 결합될 수 있다. 6 is a bottom view showing the bottom surface of the tongue plate engaging member 540 of Fig. 7 is a bottom view showing the bottom surface of the wave plate 510 of Fig. 4, 6 and 7, a tapered plate engaging member 540 engages the tine plate 510 with the process chamber 100. According to one embodiment, the tapered plate engaging member 540 is provided in the form of a ring surrounding the lower end of the side surface of the tine plate 510. The tapered plate engaging member 540 is provided so that the upper surface thereof is connected to the edge region of the upper wall of the process chamber 100. The lower edge portion 511 of the side surface of the tine panel 510 overlaps the edge area of the tine panel 510 and the lower edge portion 511 of the tine panel 510 engages with the inner edge of the edge of the tine pin joining member 540, And is provided so as to be meshed with the side surface. Thus, the tine plate 510 is supported in the inner region 541 of the upper surface of the tine coupling member 540 coupled to the process chamber 100. The tapered plate engaging member 540 can be coupled to the process chamber 100 by a screw. For example, a plurality of first screw holes 543 penetrating the top and bottom surfaces of the tine coupling member 540 may be provided. The screw may secure the tine coupling member 540 to the process chamber 100 through the first threaded hole 543 and the edge region of the top wall of the process chamber 100. Alternatively, the tampon plate 510 may be coupled to the process chamber 100 in a variety of ways. For example, the tine plate 510 may be coupled to the process chamber 100 by welding.

도 8 및 도 9는 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지파판 결합 부재(540a)의 저면 및 지파판(510a)의 저면을 보여주는 도면들이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 도 6 및 도 7의 경우와 달리, 지파판 결합 부재(840a)의 지파판(810a)의 가장자리 영역과 중첩되는 영역은 내측면으로부터 내측면을 따라 이격된 복수개의 돌출된 영역(541a)으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지파판(510a)의 측면의 하단부의 복수개의 일부 영역(511a)이 지파판 결합 부재(840a)의 돌출된 영역(541a)과 맞물리도록 내측으로 만입되게 제공될 수 있다.8 and 9 are views showing the bottom surface of the tapered plate engaging member 540a and the bottom surface of the tapered plate 510a according to another embodiment of the present invention, respectively. Referring to Figs. 8 and 9, unlike the case of Figs. 6 and 7, a region overlapping with the edge region of the tine plate 810a of the tine pin joining member 840a is a plurality May be provided as protruding regions 541a. In this case, a plurality of partial areas 511a at the lower end of the side surface of the tine plate 510a may be provided inwardly to engage with the projected area 541a of the tine coupling member 840a.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 지파판 결합 부재(540b)의 저면을 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 지파판 결합 부재(540b)는 도 7의 지파판 결합 부재(540)를 원주 방향에 따른 일부 영역을 절단한 형상으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지파판은 도 9의 지파판(510a)과 동일한 형상으로 제공될 수 있고, 지파판 결합 부재(540b)는 복수개가 지파판(510a)의 만입된 영역(511a)과 일대일로 대응되도록 제공될 수 있다. 이 경우, 공정 챔버(100)의 상벽의 저면의 가장자리 영역에는 지파판 결합 부재(540b)가 만입되는 홈이 형성될 수 있다.10 is a bottom view of the tapered plate engaging member 540b according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 10, the tapered plate engaging member 540b may be provided in a shape in which a partial area along the circumferential direction of the tapered plate engaging member 540 of FIG. 7 is cut. In this case, the tongue plate may be provided in the same shape as the tongue plate 510a of Fig. 9, and the tongue plate joining member 540b may be provided so as to correspond one-to-one with the indented area 511a of the plurality of tongue plates 510a Can be provided. In this case, a groove may be formed in the edge region of the bottom surface of the upper wall of the process chamber 100, in which the tongue plate engaging member 540b is recessed.

도 11은 도 3의 안테나 결합 부재(550)를 보여주는 사시도이다. 도 3, 도 4 및 도 11을 참조하면, 안테나 결합 부재(550)는 안테나(520)를 공정 챔버(100)에 결합시킨다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 결합 부재(550)는 안테나(520)와 동심인 링 형상으로 제공된다. 안테나 결합 부재(550)는 상면이 안테나(520)의 저면의 가장자리 영역을 지지하고, 공정 챔버(100)에 결합되도록 제공된다. 예를 들면, 안테나 결합 부재(550)는 나사에 의해 의해 공정 챔버(100)에 결합된다. 안테나 결합 부재(550)에는 상면으로부터 돌출된 돌출부(552)가 제공된다. 돌출부(552)에는 상하 방향으로 관통된 제 2 나사홀(551)이 형성된다. 나사는 제 2 나사홀(551)을 관통하여 공정 챔버에 결합된다. 안테나 결합 부재(550) 및 지파판 결합 부재(540)는 상부에서 바라볼 때 서로 대향되게 배치될 수 있다. 따라서, 돌출부(552)의 상면은 지파판 결합 부재(540)의 저면에 접하게 제공되고, 제 2 나사홀(551)을 관통한 나사는 지파판 결합 부재(540)를 관통하여 공정 챔버(100)에 결합될 수 있다. 11 is a perspective view showing the antenna coupling member 550 of FIG. 3, 4 and 11, the antenna coupling member 550 couples the antenna 520 to the process chamber 100. According to one embodiment, the antenna coupling member 550 is provided in a ring shape that is concentric with the antenna 520. The antenna coupling member 550 is provided so that the upper surface thereof supports the edge region of the bottom surface of the antenna 520 and is coupled to the process chamber 100. For example, the antenna coupling member 550 is coupled to the process chamber 100 by a screw. The antenna coupling member 550 is provided with a protrusion 552 projecting from the upper surface. The projecting portion 552 is formed with a second screw hole 551 penetrating in the vertical direction. The thread passes through the second threaded hole 551 and is coupled to the process chamber. The antenna coupling member 550 and the wave plate coupling member 540 may be disposed facing each other when viewed from above. The upper surface of the projection 552 is provided in abutment with the bottom surface of the tongue plate engaging member 540 and the screw penetrating through the second screw hole 551 passes through the tongue plate engaging member 540 to the processing chamber 100, Lt; / RTI >

상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치는 안테나를 지파판과 독립적으로 기판 처리 장치에 탈부착 가능하게 제공됨으로써, 안테나 교체시 지파판의 재조립에 의한 지파판 및 안테나의 정위치에서의 이탈을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 플라스마의 영역별 밀도의 불균일 및 아킹을 방지할 수 있고, 지파판이 불필요하게 분리되는 것을 방지함으로써 지파판의 파손 가능성을 감소시킬 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus of the present invention, since the antenna is detachably attached to the substrate processing apparatus independently of the tine plate, when the antenna is replaced, the tine plate and the antenna are separated from each other . Therefore, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can prevent unevenness and arcing of density of the plasma region and prevent the tear plate from unnecessarily separating, thereby reducing the possibility of breakage of the tear plate.

W: 기판 10; 기판 처리 장치
100: 공정 챔버 200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛 400: 마이크로파 인가 유닛
500: 안테나 유닛 510: 지파판
520: 안테나 530: 유전판
540: 지파판 결합 부재 550: 안테나 결합 부재W: substrate 10; Substrate processing apparatus
100: process chamber 200: substrate support unit
300: gas supply unit 400: microwave application unit
500: antenna unit 510:
520: antenna 530: dielectric plate
540: tine plate joining member 550: antenna coupling member

Claims (8)

플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
내부에 기판이 처리되는 처리 공간이 형성된 공정 챔버와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되는 안테나 유닛과;
상기 안테나 유닛에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛을 포함하되,
상기 안테나 유닛은,
상기 공정 챔버의 상벽의 하부에 제공되는 지파판과;
상기 지파판의 하부에 제공되고, 마이크로파가 인가되는 안테나와;
상기 안테나의 하부에 제공되는 유전판;을 포함하되,
상기 안테나는 상기 지파판과 독립적으로 상기 기판 처리 장치에 탈부착 가능하게 제공되며,
상기 안테나 유닛은,
상기 지파판을 상기 공정 챔버에 결합시키는 지파판 결합 부재와;
상기 안테나를 상기 공정 챔버에 결합시키는 안테나 결합 부재를 포함하고,
상기 지파판 결합 부재는, 상면이 상기 상벽의 가장자리 영역에 연결되고, 상기 지파판의 측면의 하단부를 둘러싸는 링 형상으로 제공되며, 상기 상면의 내측 영역이 상기 지파판의 가장자리 영역과 중첩되고,
상기 지파판의 측면의 하단부는 상기 지파판 결합 부재의 내측면과 맞물리도록 내측으로 만입된 기판 처리 장치.1. A substrate processing apparatus for processing a substrate by using plasma,
A process chamber in which a processing space in which a substrate is processed is formed;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
An antenna unit disposed on the substrate supporting unit;
And a microwave applying unit for applying a microwave to the antenna unit,
The antenna unit includes:
A ground wave plate provided below the upper wall of the process chamber;
An antenna provided at a lower portion of the wave plate and to which a microwave is applied;
And a dielectric plate provided under the antenna,
Wherein the antenna is detachably provided to the substrate processing apparatus independently of the trench plate,
The antenna unit includes:
A wafers coupling member for coupling the trench plate to the process chamber;
And an antenna coupling member coupling the antenna to the process chamber,
Wherein the tapered plate coupling member is provided in a ring shape having an upper surface connected to an edge region of the upper wall and surrounding a lower end of the side surface of the tapered plate and an inner region of the upper surface overlaps an edge region of the tapered plate,
And the lower end of the side surface of the tear board is recessed inward to engage with the inner surface of the tear board. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 안테나 결합 부재는, 상면이 상기 안테나의 저면의 가장자리 영역을 지지하고, 상기 안테나와 동심인 링 형상으로 제공되며, 상기 공정 챔버에 결합되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the antenna coupling member is coupled to the process chamber, the upper surface of the antenna coupling member supporting an edge region of the bottom surface of the antenna and provided in a ring shape concentric with the antenna. 제 1 항에 있어서,
상기 지파판 결합 부재는 나사에 의해 상기 공정 챔버에 결합되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the tapered plate engaging member is coupled to the process chamber by a screw. 제 4 항에 있어서,
상기 안테나 결합 부재는 나사에 의해 상기 공정 챔버에 결합되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the antenna coupling member is coupled to the process chamber by a screw. 제 4 항에 있어서,
상기 지파판 결합 부재 및 상기 안테나 결합 부재는 서로 대향되게 배치되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the tongue plate coupling member and the antenna coupling member are disposed opposite to each other. 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2000286095A (en) * 1999-03-30 2000-10-13 Rohm Co Ltd Structure of radial line slot antenna in plasma surface treatment device for semiconductor base
JP2005175460A (en) * 2003-11-19 2005-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treatment apparatus
JP2008235288A (en) * 2001-03-28 2008-10-02 Tadahiro Omi Device for plasma processing, and wave retardation plate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000286095A (en) * 1999-03-30 2000-10-13 Rohm Co Ltd Structure of radial line slot antenna in plasma surface treatment device for semiconductor base
JP2008235288A (en) * 2001-03-28 2008-10-02 Tadahiro Omi Device for plasma processing, and wave retardation plate
JP2005175460A (en) * 2003-11-19 2005-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treatment apparatus

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