KR101921170B1 - A manufacturing method of substrate formed patterns and patterning substrate using thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 패턴이 형성된 기재의 제조방법 및 이를 이용한 패턴이 형성된 기재에 관한 것으로, 상세하게는 다양한 기재의 표면에 프라이머층, 패턴층, 하드코팅층 및 발수층을 차례로 형성함으로써, 평상시에는 어떠한 무늬나 패턴이 관찰되지 않다가 입김이나 습기, 김서림 등에 의해 패턴이 나타나는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 패턴이 형성된 기재에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method for producing a patterned substrate and a substrate on which a pattern is formed using the patterned substrate. More specifically, A pattern is formed on the surface of the substrate, the pattern is not observed, but a pattern is formed by lubrication, moisture, fogging or the like, and a substrate on which a pattern is formed by using the method.
안경용 플라스틱 렌즈를 포함하는 광학 제품과 투명 플라스틱 등에는 자사 상품과 타사 상품의 식별을 위해, 혹은 제품번호, 규격, 특정 위치의 지시, 또는 심미감을 주기 위해 해당 제품와 관련되는 정보 또는 일정한 형태를 갖는 무늬 등을 부여하는 것이 행해지고 있다. 이 중 안경용 렌즈에 마크를 부여하는 경우에는 그 상품의 성질상, 마크가 가능한 한 눈에 띄지 않는 것이 요구된다. 그 때문에, 통상은 육안으로 인식하는 것이 어려우며, 필요에 따라서 예를 들면, 특정한 각도로부터 관찰함으로써 인식하는 것이 가능한, 이른바 은폐 마크의 부여가 이루어진 경우가 많다.Optical products including plastic lenses for spectacles, transparent plastic, and the like may be used to identify their own products and other products, or to provide product numbers, specifications, instructions of specific locations, And so on. When a mark is given to the lens for spectacles, it is required that the mark is as inconspicuous as possible due to the nature of the product. Therefore, in many cases, so-called hiding marks are given in many cases, which are difficult to recognize with the naked eye in general, and can be recognized, for example, by observation from a specific angle as necessary.
이와 같은 마크를 렌즈에 부여하는 방법으로는 다이아몬드 등의 경질 재료로 이루어진 바늘에 의해 조각하는 방법이나, 레이저에 의해 마킹하는 방법, 렌즈 성형 시에 성형틀에 형성된 요철(凹凸)을 전사하는 방법 등이 있다. 레이저 마킹 방법은 플라스틱 렌즈에 레이저광을 조사하여 마크를 부여하는 것이다. 이 방법은 조작이 용이하고 자동화도 용이하기 때문에, 최근 사용하게 되었다.Examples of the method of applying such a mark to the lens include a method of carving the lens with a needle made of a hard material such as diamond, a method of marking with a laser, a method of transferring irregularities formed on a molding die . A laser marking method is to irradiate a plastic lens with a laser beam to give a mark. This method has recently been used because it is easy to operate and easy to automate.
그러나 통상 안경용 플라스틱 렌즈의 표면에는 반사 방지막 등의 박막이 코팅된다. 따라서 반사 방지막 형성 후에 상기 바늘이나 레이저로 마킹하면, 반사 방지막이 손상되고, 이 마크 부분으로부터 박막이 박리해 버릴 우려가 있다. 또, 마킹에 의해 박막이 손상된 부분은 수분 등이 침투하기 쉬워져 렌즈를 열화시킬 우려도 있다.Usually, however, a thin film such as an antireflection film is coated on the surface of a plastic lens for spectacles. Therefore, if the mark is struck by the needle or the laser after forming the antireflection film, the antireflection film may be damaged, and the thin film may peel off from the mark portion. In addition, the portion where the thin film is damaged by the marking is liable to penetrate moisture and the like, which may cause deterioration of the lens.
한편, 상기 성형틀에 의해 마크를 전사하는 경우와 같이 렌즈 성형 시에 렌즈 기재 자체에 요철부를 부여하는 경우는 렌즈 컷 형상이 정해지기 전에 마킹하게 되므로 렌즈 컷 형상 내의 소정의 위치에 마크를 설정할 수 없다.On the other hand, when concave / convex portions are provided on the lens base material itself at the time of lens molding as in the case of transferring marks by the above-described molding die, marking is performed before the shape of the lens cut is determined. Therefore, marks can be set at predetermined positions in the lens cut shape none.
이 때문에, 렌즈 표면의 반사 방지막 등의 박막을 손상시키지 않고 레이저 마킹하는 방법이 몇 가지 제안되어 있다. 예를 들면, 안경 렌즈의 내부에 레이저광을 집속(集束)시켜서, 안경 렌즈의 내부에 마크를 부여하는 레이저 마킹 방법이나, 안경 렌즈의 렌즈 기재의 표면 근방에 레이저광을 집속시켜서, 안경 렌즈의 내부에 마크를 부여하는 마킹 방법이 제안되어 있다.Therefore, several methods for laser marking without damaging the thin film of the antireflection film or the like on the surface of the lens have been proposed. For example, there are a laser marking method in which laser light is focused inside a spectacle lens to give a mark to the inside of the spectacle lens and a laser marking method in which laser light is focused near the surface of the lens base of the spectacle lens, There has been proposed a marking method for giving a mark inside.
그러나 이러한 방법 또한 렌즈에 집속되는 레이저의 에너지량이나 집속점의 조정을 정밀하게 행하지 않으면 안될뿐더러, 시인성을 양호하게 하기 위해 레이저의 출력과 조사 시간을 보다 크게 하여야 한다. 또한 마크가 안경 자체의 굴절률에 영향을 줄 수 있어 기능상 지장이 생길 우려도 있다. However, this method must also precisely adjust the energy amount of the laser focused on the lens or the focal point, and the output and irradiation time of the laser must be made larger in order to improve the visibility. In addition, the mark may affect the refraction index of the glasses themselves, which may cause a malfunction.
또, 렌즈 기재에 오목부를 설치한 후에 하드 코트막을 형성하고, 그 위에 반사 방지막을 증착하는 방법도 생각할 수 있으나, 하드 코트막의 원료액이 오목부에 들어가서 경화하기 때문에, 마크가 선명하지 않게 되어 버리는 경우가 있다. 또 반사 방지막을 증착할 때에는 렌즈를 가열할 필요가 있기 때문에, 이 열의 영향에 의해 하드 코트막의 표면이 평활화(平滑化)하여 마크가 선명하지 않게 되는 경우도 있다.It is also conceivable to form a hard coat film on the lens base material and then deposit an antireflection film thereon. However, since the raw material liquid of the hard coat film enters the concave portion and hardens, the mark becomes unclear There is a case. In addition, when the antireflection film is deposited, it is necessary to heat the lens. Therefore, the surface of the hard coat film may be smoothed due to the influence of this heat, and the mark may not be clear.
상기한 바와 같이 종래의 렌즈는 렌즈 자체에 상품의 출처를 나타내는 표시를 만들기 어려워 제품의 구분이 곤란하며, 레이저를 이용한 각인을 한다 하여도 각인이 사용자의 시각을 방해하는 결점이 있으나, 이를 완전히 해소할 수 있는 기술은 아직까지 나오지 않은 실정이다. As described above, in the conventional lens, it is difficult to distinguish the product from the lens itself and it is difficult to distinguish the product from the lens itself. Even if the laser is used to engrave the mark, the markers interfere with the user's vision. Technology that can be done is not yet available.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 반사 방지막 등의 박막을 손상시키지 않고 시인성 및 심미감, 다른 제품과의 식별력을 확보하기 위한 것으로, 평상시에는 기재 상에 마크나 무늬가 나타나지 않아 사용자의 시아 확보에 방해를 주지 않으면서도 입김이나 습기, 김서림 등에 의해 각인된 패턴이나 마크가 드러나는 패턴이 형성된 기재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 기재의 제공을 목적으로 한다.DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an antireflection film or the like which does not damage a thin film thereof and ensures visibility, aesthetics and discrimination from other products. Normally, The present invention also provides a method for producing a base material and a base material produced by using the base material, in which a pattern or a mark formed by bending, moisture, fogging, or the like is exposed without interfering with the user's safety.
본 발명은 패턴이 형성된 기재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 패턴이 형성된 기재에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a patterned substrate and a substrate on which a pattern is formed using the method.
본 발명의 일 양태는,According to an aspect of the present invention,
a) 기재를 준비하는 단계;a) preparing a substrate;
b) 상기 기재 상에 프라이머 조성물을 증착하는 프라이머층 형성 단계;b) a primer layer forming step of depositing a primer composition on the substrate;
c) 상기 프라이머층 표면에 소정의 패턴 슬롯이 형성된 마스크를 밀착되도록 장착한 후, 패턴형성 조성물을 증착하는 패턴층 형성 단계;c) depositing a mask having a predetermined pattern slot on the surface of the primer layer so as to closely adhere thereto, and then depositing a pattern forming composition;
d) 상기 패턴층 및 프라이머층 표면에 하드코팅 조성물을 증착하는 하드코팅층 형성 단계; 및d) forming a hard coat layer on the surface of the pattern layer and the primer layer; And
e) 상기 하드코팅 층 표면에 발수코팅 조성물을 증착하는 발수층 형성단계;e) forming a water repellent coating composition on the surface of the hard coating layer;
를 포함하며, 상기 프라이머 조성물, 패턴형성 조성물 및 하드코팅 조성물 중 어느 하나 또는 복수는 티타늄화합물, 알루미늄화합물, 규소화합물, 지르코늄화합물, 크롬화합물, 몰리브덴화합물, 철화합물, 세륨화합물, 텅스텐화합물, 안티몬화합물, 아연화합물, 베릴륨화합물 및 인듐주석화합물에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 무기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기재의 제조방법에 관한 것이다.Wherein at least one of the primer composition, the pattern forming composition and the hard coating composition is at least one selected from the group consisting of a titanium compound, an aluminum compound, a silicon compound, a zirconium compound, a chromium compound, a molybdenum compound, an iron compound, a cerium compound, a tungsten compound, , A zinc compound, a beryllium compound, and an indium tin compound. The present invention also relates to a method for producing a patterned substrate.
본 발명에서 상기 프라이머 조성물은 규소화합물 및 지르코늄화합물을 포함하는 것을 특징으로 하며, 더욱 상세하게 상기 b) 단계는,In the present invention, the primer composition is characterized by containing a silicon compound and a zirconium compound. More specifically, the step b)
b1) 상기 기재 상에 이산화규소를 2,000 내지 3,000Å 두께로 증착하는 제1이산화규소층 형성 단계; 및b1) forming a first silicon dioxide layer on the substrate to deposit silicon dioxide in a thickness of 2,000 to 3,000 Å; And
b) 상기 제1이산화규소층 표면에 이산화지르코늄을 100 내지 500Å 두께로 증착하는 제1이산화지르코늄층 형성 단계;b) forming a first zirconium dioxide layer on the surface of the first silicon dioxide layer to deposit zirconium dioxide in a thickness of 100 to 500 Å;
를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a control unit.
본 발명의 다른 양태는Another aspect of the present invention is
a) 기재를 준비하는 단계;a) preparing a substrate;
b) 상기 기재 상에 프라이머 조성물을 증착하는 프라이머층 형성 단계;b) a primer layer forming step of depositing a primer composition on the substrate;
c) 상기 프라이머층 표면에 중간층 조성물을 증착하여 중간층을 형성하는 중간층 형성 단계;c) depositing an intermediate layer composition on the surface of the primer layer to form an intermediate layer;
d) 상기 중간층 표면에 하드코팅 조성물을 증착하는 하드코팅층 형성 단계; 및d) forming a hard coat layer on the surface of the intermediate layer to deposit a hard coat composition; And
e) 상기 하드코팅 층 표면에 소정의 패턴 슬롯이 형성된 마스크를 밀착되도록 장착한 후, 발수코팅 조성물을 증착하는 패턴 발수층 형성단계;(e) a pattern water repellent layer forming step of depositing a water repellent coating composition on the surface of the hard coating layer so that a mask having a predetermined pattern slot is closely attached thereto;
를 포함하며, 상기 프라이머 조성물, 중간층 조성물 및 하드코팅 조성물 중 어느 하나 또는 복수는 티타늄화합물, 알루미늄화합물, 규소화합물, 지르코늄화합물, 크롬화합물, 몰리브덴화합물, 철화합물, 세륨화합물, 텅스텐화합물, 안티몬화합물, 아연화합물, 베릴륨화합물 및 인듐주석화합물에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 무기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기재의 제조방법에 관한 것이다.Wherein at least one of the primer composition, the intermediate layer composition, and the hard coating composition is a titanium compound, an aluminum compound, a silicon compound, a zirconium compound, a chromium compound, a molybdenum compound, an iron compound, a cerium compound, a tungsten compound, A zinc compound, a beryllium compound, and an indium tin compound. The present invention also relates to a method for producing a patterned substrate.
본 발명에서 상기 하드코팅 조성물은 지르코늄화합물 및 크롬화합물을 포함하는 것을 특징으로 하며, 더욱 상세하게 상기 d) 단계는, The hard coating composition of the present invention is characterized in that it comprises a zirconium compound and a chromium compound. More specifically, the step d)
d1) 상기 패턴층 및 프라이머층의 표면에 이산화지르코늄을 500 내지 1,000 Å의 두께로 증착하는 제2이산화지르코늄층 형성 단계; 및d1) forming a second zirconium dioxide layer on the surface of the pattern layer and the primer layer by depositing zirconium dioxide to a thickness of 500 to 1,000 Å; And
d2) 상기 제2이산화지르코늄층 표면에 크롬을 500 내지 1,000 Å의 두께로 증착하는 크롬층 형성 단계;d2) forming a chromium layer on the surface of the second zirconium dioxide layer to deposit chromium at a thickness of 500 to 1,000 angstroms;
를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a control unit.
또한 상기 발수코팅 조성물은 할로겐화 실란 0.5 내지 1 중량%, 할로겐화 에테르 5 내지 12 중량% 및 전이금속 87 내지 94 중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다.The water-repellent coating composition may further include 0.5 to 1 wt% of halogenated silane, 5 to 12 wt% of halogenated ether, and 87 to 94 wt% of transition metal.
또한 본 발명에서 상기 증착은 진공 조건에서 전자빔증착에 의한 것을 특징으로 하며, 필요에 따라 상기 제조방법은 상기 e) 단계 이후,Further, in the present invention, the deposition is characterized by electron beam evaporation under vacuum conditions, and if necessary,
f) 상기 기재에 염색가공, 방오코팅가공 및 자외선차단코팅가공에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 후가공을 진행하는 후가공 단계;f) finishing any one or more of the post-processing selected from dyeing, antifouling coating and UV-blocking coating on the substrate;
를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And further comprising:
본 발명의 또 다른 양태는 상기 제조방법으로 제조된 패턴이 형성된 기재에 관한 것이다.Another aspect of the present invention relates to a substrate formed with the pattern produced by the above manufacturing method.
본 발명에 따른 패턴이 형성된 기재는 통상의 사용 시에는 기재에 아무런 표시가 나타나지 않으므로 렌즈, 핸드폰 액정, 거울 등의 투명성이 요구되는 제품에 사용하여도 사용자의 시아를 전혀 방해하지 않으며, 입김을 불어주거나 김서림이 발생할 때에만 제품의 마크나 무늬, 패턴이 나타나므로 필요 시에 심미감을 주는 효과가 있을 뿐만 아니라 상표 등이 각인된 경우에도 도용을 방지하여 소비자를 보호하는 장점이 있다.Since the substrate on which the pattern according to the present invention is formed is free of signs on the substrate in normal use, even if it is used for a product such as a lens, a mobile phone liquid crystal, or a mirror requiring transparency, it does not disturb the user's sheath at all, Since the mark, pattern, and pattern of the product are displayed only when the product is given or fogged, the product has an effect of providing aesthetics when needed, and also protects the consumer by preventing theft when a trademark or the like is imprinted.
또한 기재의 표면에 요철을 형성하거나 레이저를 조사하는 방식이 아닌, 금속 산화물을 이용한 표면 증착으로 패턴을 형성하는 것이므로 요철의 노출에 따른 미감을 해치거나 굴절률에 영향을 주지 않으며, 증착이 가능한 모든 물체에 해당 방법을 적용할 수 있으므로 유리, 금속, 플라스틱과 같은 다양한 재질의 기재를 사용할 수 있다.Further, since the pattern is formed by surface deposition using a metal oxide, not by a method of forming irregularities on the surface of the substrate or by irradiating a laser beam, all objects capable of deposition It is possible to use various materials such as glass, metal, and plastic.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 패턴이 형성된 기재가 사용된 선글라스를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴이 형성된 기재의 제조공정도를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴이 형성된 기재의 제조공정도를 도시한 것이다.
도 4는 도 2의 제조공정에 따라 제조된 렌즈의 단면도를 도시한 것이다.
도 5는 도 3의 제조공정에 따라 제조된 렌즈의 단면도를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 렌즈의 통상 상태와 입김을 불었을 때의 상태를 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 비교예 1에 따라 제조된 렌즈의 통상 상태와 입김을 불었을 때의 상태를 도시한 것이다.FIG. 1 illustrates a sunglass using a patterned substrate manufactured according to an embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating a manufacturing process of a patterned substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 illustrates a manufacturing process of a patterned substrate according to another embodiment of the present invention.
Fig. 4 shows a cross-sectional view of a lens manufactured according to the manufacturing process of Fig. 2. Fig.
Figure 5 shows a cross-sectional view of a lens made according to the manufacturing process of Figure 3;
Fig. 6 shows a normal state of the lens manufactured according to the first embodiment of the present invention and a state when the lens is blown.
Fig. 7 shows a normal state of the lens manufactured according to Comparative Example 1 of the present invention and a state when the lens is blown.
이하 구체예들을 참조하여 본 발명에 따른 패턴이 형성된 기재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 패턴이 형성된 기재를 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 구체예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다.Hereinafter, a method for manufacturing a substrate having a pattern according to the present invention and a substrate having a pattern formed using the method will be described in detail with reference to specific embodiments. The following specific embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention.
따라서 본 발명은 이하 제시되는 구체예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있으며, 이하 제시되는 구체예들은 본 발명의 사상을 명확히 하기 위해 기재된 것일 뿐, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments shown below, but may be embodied in other forms. The embodiments shown below are only for clarifying the spirit of the present invention, and the present invention is not limited thereto.
이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.Here, unless otherwise defined, technical terms and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In the following description, the gist of the present invention is unnecessarily blurred And a description of the known function and configuration will be omitted.
또한 다음에 소개되는 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 제시되는 도면들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있으며, 이하 제시되는 도면들은 본 발명의 사상을 명확히 하기 위해 과장되어 도시될 수 있다. 또한 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.In addition, the following drawings are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the following drawings, but may be embodied in other forms, and the drawings presented below may be exaggerated in order to clarify the spirit of the present invention. Also, throughout the specification, like reference numerals designate like elements.
또한 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 사용되는 단수 형태는 문맥에서 특별한 지시가 없는 한 복수 형태도 포함하는 것으로 의도할 수 있다.Also, the singular forms as used in the specification and the appended claims are intended to include the plural forms as well, unless the context clearly indicates otherwise.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected to or connected to the other component, It should be understood that an element may be "connected," "coupled," or "connected."
본 발명에 따른 패턴이 형성된 기재의 제조방법은, A method of manufacturing a substrate on which a pattern according to the present invention is formed,
a) 기재를 준비하는 단계;a) preparing a substrate;
b) 상기 기재 상에 프라이머 조성물을 증착하는 프라이머층 형성 단계;b) a primer layer forming step of depositing a primer composition on the substrate;
c) 상기 프라이머층 표면에 소정의 패턴 슬롯이 형성된 마스크를 밀착되도록 장착한 후, 패턴형성 조성물을 증착하는 패턴층 형성 단계;c) depositing a mask having a predetermined pattern slot on the surface of the primer layer so as to closely adhere thereto, and then depositing a pattern forming composition;
d) 상기 패턴층 및 프라이머층 표면에 하드코팅 조성물을 증착하는 하드코팅층 형성 단계; 및d) forming a hard coat layer on the surface of the pattern layer and the primer layer; And
e) 상기 하드코팅 층 표면에 발수코팅 조성물을 증착하는 발수층 형성단계;e) forming a water repellent coating composition on the surface of the hard coating layer;
를 포함하여 진행하거나,, ≪ / RTI >
a) 기재를 준비하는 단계;a) preparing a substrate;
b) 상기 기재 상에 프라이머 조성물을 증착하는 프라이머층 형성 단계;b) a primer layer forming step of depositing a primer composition on the substrate;
c) 상기 프라이머층 표면에 중간층 조성물을 증착하여 중간층을 형성하는 중간층 형성 단계;c) depositing an intermediate layer composition on the surface of the primer layer to form an intermediate layer;
d) 상기 중간층 표면에 하드코팅 조성물을 증착하는 하드코팅층 형성 단계; 및d) forming a hard coat layer on the surface of the intermediate layer to deposit a hard coat composition; And
e) 상기 하드코팅 층 표면에 소정의 패턴 슬롯이 형성된 마스크를 밀착되도록 장착한 후, 발수코팅 조성물을 증착하는 패턴 발수층 형성단계;(e) a pattern water repellent layer forming step of depositing a water repellent coating composition on the surface of the hard coating layer so that a mask having a predetermined pattern slot is closely attached thereto;
진행할 수 있다. You can proceed.
즉, 본 발명에 따른 패턴이 형성된 기재의 제조방법은 복수의 코팅층에서 패턴을 가지는 코팅층의 위치에 따라 달라지며, 본 명세서에서는 복수의 코팅층 중간에 패턴층을 형성하는 방법을 중심으로 설명하도록 하겠다.That is, the method of manufacturing a substrate having a pattern according to the present invention is different depending on the position of a coating layer having a pattern in a plurality of coating layers. In the present specification, a method of forming a pattern layer in the middle of a plurality of coating layers will be described.
먼저 첫 번째 단계로, 패턴의 피착체인 기재를 준비한다.As a first step, prepare a substrate description of the pattern.
본 발명에서 상기 기재는 후술할 금속산화물이 증착 가능한 재질을 갖는 것이라면 종류에 한정치 않으며, 형태, 두께, 크기 또한 한정하지 않는다.In the present invention, the substrate is not limited to the type as long as it has a material capable of depositing a metal oxide to be described later, and its shape, thickness and size are not limited.
상기 기재의 재질로 예를 들면, 금속, 세라믹, 유기 폴리머, 유리 등을 들 수 있으며, 이외에도 동물이나 식물의 생체 조직까지 포함될 수 있다. 이들 중 세라믹이나 유기 폴리머, 유리 등을 사용하는 것이 투명성을 유지하면서도 필요 시에 무늬나 패턴이 선명하게 발현되어 바람직하다.Examples of the material of the substrate include metals, ceramics, organic polymers, glass, and the like, and may include living bodies of animals and plants. Of these, it is preferable to use ceramics, organic polymers, glass, or the like because the patterns and patterns are clearly expressed when necessary while maintaining transparency.
특히 상기 기재로는 투명성이 높은 유기 폴리머나 유리 재질인 것이 바람직한데, 이는 도 1과 같이 기재를 선글라스나 안경의 렌즈에 적용할 수 있는데, 일반적으로 사용할 때에는 시아에 방해를 주지 않도록 패턴이 발현되지 않다가 필요 시에 렌즈에 입김을 불어주는 것으로 패턴이 발현되어 렌즈의 상표나 정보를 확인하거나 심미감을 줄 수 있도록 하기 위함이다.In particular, it is preferable that the base material is an organic polymer or a glass material having high transparency. The base material can be applied to a lens of sunglasses or eyeglasses as shown in Fig. 1. In general, when the base material is used, If not, the pattern is developed by blowing on the lens so that the brand or information of the lens can be confirmed or aesthetics can be given.
상기 기재의 재질로 더욱 바람직하게는 메틸 메타크릴레이트 단독 중합체, 메틸 메타크릴레이트와 1종 이상의 다른 모노머와의 공중합체, 디에틸렌 글리콜 비스알릴 카보네이트 단독 중합체, 디에틸렌 글리콜 비스알릴 카보네이트와 1종 이상의 다른 모노머와의 공중합체, 유황 함유 공중합체, 할로겐 공중합체, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 불포화 폴리에스테르, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리우레탄, 폴리티오우레탄, 에피티오기를 갖는 화합물 등을 들 수 있으며, 이들 중 황을 함유하는 중합체, 특히 에피티오기를 갖는 화합물을 사용하는 것이 후술할 프라이머층과의 접착 특성이 우수하여 바람직하다.More preferably, the material of the substrate is a copolymer of methyl methacrylate homopolymer, methyl methacrylate and at least one other monomer, diethylene glycol bisallylcarbonate homopolymer, diethylene glycol bisallyl carbonate, and at least one There may be mentioned copolymers with other monomers, sulfur-containing copolymers, halogen copolymers, polycarbonates, polystyrenes, polyvinyl chlorides, unsaturated polyesters, polyethylene terephthalates, polyurethanes, polythiourethanes and compounds having epithio groups , It is preferable to use a sulfur-containing polymer, particularly an epithio group-containing compound, because of its excellent adhesion property with a primer layer to be described later.
상기 에피티오기를 갖는 화합물의 예로서는 비스(β-에피티오프로필티오)메탄, 1,2-비스(β-에피티오프로필티오)에탄, 1,3-비스(β-에피티오프로필티오)프로판, 1,2-비스(β-에피티오프로필티오)프로판, 1-(β-에피티오프로필티오)-2-(β-에피티 오프로필티오메틸)프로판, 1,4-비스(β-에피티오프로필티오)부탄, 1,3-비스(β-에피티오프로필티오)부탄, 1-(β-에피티오프로필티오)-3-(β-에피티오프로필티오메틸)부탄, 1,5-비스(β-에피티오프로필티오)펜탄, 1-(β-에피티오프로필티오)-4-(β-에피티오프로필티오메틸)펜탄, 1,6-비스(β-에피티오프로필티오)헥산, 1-(β-에피티오프로필티오)-5-(β-에피티오프로필티오메틸)헥산, 1-(β-에피티오프로필티오)-2-[(2-β-에피티오프로필티오에틸)티오]에탄 및 1-(β-에피티오프로필티오)-2-[[2-(2-β-에피티오프로필티오에틸)티오에틸]티오]에탄 등의 사슬형 유기화합물 등을 들 수 있다.Examples of the compound having an epithio group include bis (β-epithiopropylthio) methane, 1,2-bis (β-epithiopropylthio) ethane, 1,3- (Β-epithiopropylthio) propane, 1- (β-epithiopropylthio) -2- (β-epithiopropylthiomethyl) propane, 1,4- (Β-epithiopropylthio) -3- (β-epithiopropylthiomethyl) butane, 1,5-bis (β (Epithiopropylthio) pentane, 1- (β-epithiopropylthio) -4- (β-epithiopropylthiomethyl) pentane, 1,6- 1- (β-epithiopropylthio) -2 - [(2 -? - epithiopropylthioethyl) thio] ethane and 1- (β-epithiopropylthio) -2 - [[2- (2-β-epithiopropylthioethyl) thioethyl] thio] And the like, and the like.
또한, 테트라키스(β-에피티오프로필티오메틸)메탄, 1,1,1-트리스(β-에피티오프로필티오메틸)프로판, 1,5-비스(β-에피티오프로필티오)-2-(β-에피티오프로필티오메틸)-3-티아펜탄, l,5-비스(β-에피티오프로필티오)-2,4-비스(β-에피티오프로필티오메틸)-3-티아펜탄, 1-(β-에피티오프로필티오)-2,2-비스(β-에피티오프로필티오메틸)-4-티아헥산, 1,5,6-트리스(β-에피티오프로필티오)-4-(β-에피티오프로필티오메틸)-3-티아헥산, 1,8-비스(β-에피티오프로필티오)-4-(β-에피티오프로필티오메틸)-3,6-디티아옥탄, 1,8-비스(β-에피티오프로필티오)-4,5-비스(β-에피티오프로필티오메틸)-3,6-디티아옥탄, 1,8-비스(β-에피티오프로필티오)-4,4-비스(β-에피티오프로필티오메틸)-3,6-디티아옥탄, 1,8-비스(β-에피티오프로필티오)-2,4,5-트리스(β-에피티오프로필티오메틸)-3,6-디티아옥탄, 1,8-비스(β-에피티오프로필티오)-2,5-비스(β-에피티오프로필티오메틸)-3,6-디티아옥탄, 1,9-비스(β-에피티오프로필티오)-5-(β-에피티오프로필티오메틸)-5-[(2-β-에피티오프로필티오 에틸)티오메틸]-3,7-디티아노난, 1,10-비스(β-에피티오프로필티오)-5,6-비스[(2-β-에피티오프로필티오에틸)티오]-3,6,9-트리티아데칸, 1,11-비스(β-에피티오프로필티오)-4,8-비스(β-에피티오프로필티오메틸)-3,6,9-트리티아운데칸, 1,11-비스(β-에피티오프로필티오)-5,7-비스(β-에피티오프로필티오메틸)-3,6,9-트리티아운데칸, 1,11-비스(β-에피티오프로필티오)-5,7-[(2-β-에피티오프로필티오에틸)티오메틸]-3,6,9-트리티아운데칸, 1,11-비스(β-에피티오프로필티오-4,7-비스(β-에피티오프로필티오메틸)-3,6,9-트리티아운데칸 등의 분기형 유기화합물 및 이들 화합물 중의 에피설파이드기의 수소의 적어도 1개가 메틸기로 치환된 화합물을 들 수 있다.Further, it is also possible to use tetrakis (β-epithiopropylthiomethyl) methane, 1,1,1-tris (β-epithiopropylthiomethyl) propane, 1,5- bis (? - epithiopropylthiomethyl) -3-thiapentane, 1- (5-epithiopropylthio) (β-epithiopropylthio) -4- (β-epithiopropylthio) -2,2-bis (β-epithiopropylthiomethyl) -4-thiahexane, 1,5,6- Epithiopropylthiomethyl) -3,6-dithiaoctane, 1,8-bis (? - epithiopropylthio) -4- Bis (β-epithiopropylthio) -4,5-bis (β-epithiopropylthiomethyl) -3,6-dithiaoctane, 1,8-bis (β-epithiopropylthio) Bis (β-epithiopropylthio) -2,4,5-tris (β-epithiopropylthiomethyl) -3,6-dithiaoctane, 1,8- -3,6-dithiaoctane, 1,8- Bis (β-epithiopropylthio) -2,5-bis (β-epithiopropylthiomethyl) -3,6-dithiaoctane, 1,9-bis (β-epithiopropylthio) (3-epithiopropylthio) -5 - [(2 -? - epithiopropylthioethyl) thiomethyl] -3,7-dithianone, 1,10- , 6-bis [(2-β-epithiopropylthioethyl) thio] -3,6,9-trithiadecane, 1,11-bis (β-epithiopropylthio) -Epithiopropylthiomethyl) -3,6,9-trithiandecane, 1,11-bis (? -Epithiopropylthio) -5,7-bis (? (6-epithiopropylthio) -5,7 - [(2 -? - epithiopropylthioethyl) thiomethyl] -3,6,9-tri Branched organic compounds such as thiodecane, 1,11-bis (β-epithiopropylthio-4,7-bis (β-epithiopropylthiomethyl) -3,6,9- A small amount of hydrogen of the episulfide group in the compound 1 dog may be mentioned a compound substituted with a methyl group.
여기에 1,3- 및 1,4-비스(β-에피티오프로필티오)시클로헥산, 1,3- 및 1,4-비스(β-에피티오프로필티오메틸)시클로헥산, 비스[4-(β-에피티오프로필티오)시클로로헥실]메탄, 2,2-비스[4-(β-에피티오프로필티오)시클로헥실]프로판, 비스[4-(β-에피티오프로필티오)시클로헥실]설파이드, 2,5-비스(β-에피티오프로필티오메틸)-1,4-디티안, 2,5-비스(β-에피티오프로필티오에틸티오메틸)-1,4-디티안 등의 고리형 지방족 유기화합물 및 이들 화합물의 에피설파이드기의 수소의 적어도 1개가 메틸기로 치환된 화합물, 및 1,3- 및 1,4-비스(β-에피티오프로필티오)벤젠, 1,3- 및 1,4-비스(β-에피티오프로필티오메틸)벤젠, 비스[4-(β-에피티오프로필티오)페닐]메탄, 2,2-비스[4-(β-에피티오프로필티오)페닐]프로판, 비스[4-(β-에피티오프로필티오)페닐]설파이드, 비스[4-(β-에피티오프로필티오)페닐]술폰, 4,4'-비스(β-에피티오프로필티오)비페닐 등의 방향족 유기화합물 및 이들 화합물의 에 피설파이드기의 수소 중 적어도 1개가 메틸기로 치환된 화합물 등을 포함할 수도 있다. (? - epithiopropylthio) cyclohexane, 1,3- and 1,4-bis (? -Epithiopropylthiomethyl) cyclohexane, bis [4- (β-epithiopropylthio) cyclohexyl] methane, 2,2-bis [4- (β-epithiopropylthio) cyclohexyl] propane, bis [4- , 2,5-bis (β-epithiopropylthiomethyl) -1,4-dithiane, 2,5-bis (β-epithiopropylthioethylthiomethyl) Aliphatic organic compounds and compounds in which at least one hydrogen of the episulfide group of these compounds is substituted with a methyl group, and 1,3- and 1,4-bis (? - epithiopropylthio) benzene, 1,3- and 1, Bis [4- (β-epithiopropylthio) phenyl] propane, bis [4- (β-epithiopropylthio) Bis [4- (β-epithiopropylthio) phenyl] sulfide, bis [4- (β-epithiopropyl (Phenyl) sulfone, 4,4'-bis (? - epithiopropylthio) biphenyl, and compounds in which at least one hydrogen of the episulfide group of these compounds is substituted with a methyl group It is possible.
상기 기재는 표면에 무기 화합물을 증착하여야 하므로, 다수의 세척공정을 통해 표면에 이물질을 확실하게 제거하는 것이 바람직하다. 이때 세척공정은 본 발명에서 한정하지 않으며, 세척액으로 수회 세척한 후, 열풍 또는 자연건조를 통해 표면의 세척액을 제거하는 것이 좋다. 또한 필요에 따라 기재 표면에 알칼리처리, 산처리, 계면활성제 처리, 무기 또는 유기 미립자에 의한 박리/ 연마 처리, 플라즈마 처리 등을 더 행하여도 무방하다.Since it is necessary to deposit an inorganic compound on the surface of the substrate, it is desirable to reliably remove foreign matter on the surface through a plurality of cleaning processes. In this case, the washing process is not limited to the present invention, and it is preferable to wash the surface of the washing solution by hot air or natural drying after washing with the washing solution several times. If necessary, the surface of the substrate may further be subjected to an alkali treatment, an acid treatment, a surfactant treatment, a peeling / polishing treatment with an inorganic or organic fine particle, a plasma treatment, and the like.
다음으로 상기와 같이 기재 표면에 프라이머층을 형성할 수 있다.Next, a primer layer may be formed on the substrate surface as described above.
상기 프라이머층은 기재 표면에 형성되는 것으로, 기재와 후술하는 패턴층의 양쪽 계면 사이에 위치하여 렌즈 기재와 패턴층 양쪽으로의 밀착성을 가지며, 프라패턴층, 하드코팅층 및 발수층을 포함하는 증착 코팅층 전체의 내구성을 향상시키는 역할을 수행한다. 또한 외부로부터의 충격을 흡수하는 흡수층으로서의 성질도 가져 코팅층 전체의 내충격성을 높이는 성질과 그 자체로 색상을 가져 안료(顔料)로 작용하는 역할을 수행할 수 있다.The primer layer is formed on the surface of the base material. The primer layer is disposed between both interfaces of the base material and a pattern layer to be described later, and has adhesion to both the lens base material and the pattern layer. The primer layer includes a platemaking layer, Thereby improving the durability of the whole. In addition, it also has a property as an absorbent layer for absorbing impact from the outside, thereby enhancing the impact resistance of the entire coating layer, and can have a hue as a color and can act as a pigment.
상기 프라이머층은 하나 또는 복수의 무기 화합물을 포함할 수 있으며, 이들의 예로는 티타늄화합물, 알루미늄화합물, 규소화합물, 지르코늄화합물, 크롬화합물, 몰리브덴화합물, 철화합물, 세륨화합물, 텅스텐화합물, 안티몬화합물, 아연화합물, 베릴륨화합물 및 인듐주석화합물에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 무기 화합물을 들 수 있다.The primer layer may include one or a plurality of inorganic compounds. Examples of the primer layer include titanium compounds, aluminum compounds, silicon compounds, zirconium compounds, chromium compounds, molybdenum compounds, iron compounds, cerium compounds, tungsten compounds, antimony compounds, A zinc compound, a beryllium compound, and an indium tin compound.
상기 무기 화합물은 상기 프라이머층을 형성하는 조성물에 미립자 형태로 함유될 수 있다. 이들의 바람직한 예로는 이산화규소(SiO2), 이산화지르코늄(ZrO2), 이산화세륨(CeO2), 이산화티탄(TiO2) 등을 들 수 있다. 이때 상기 무기 화합물 미립자는 크기를 한정하지 않으나, 바람직하게는 1 내지 200㎚의 직경을 가질 수 있다. 또한 이들은 물 또는 유기 용매 중에 콜로이드 상의 분산물 형태로 첨가될 수 있다.The inorganic compound may be contained in the composition for forming the primer layer in the form of fine particles. Preferable examples thereof include silicon dioxide (SiO 2 ), zirconium dioxide (ZrO 2 ), cerium dioxide (CeO 2 ), titanium dioxide (TiO 2 ) and the like. At this time, the inorganic fine particles are not limited in size, but may preferably have a diameter of 1 to 200 nm. They may also be added in the form of a colloidal dispersion in water or an organic solvent.
상기 무기 화합물은 출발원료로서 상기 금속 또는 이들의 산화물을 사용하며, 이를 소정의 비율로 혼합하고 얻어지는 혼합물 분체를 조립(造粒)하여 1 내지 10㎜의 직경을 갖는 성형체로 제조한 후, 아르곤 또는 질소 등의 불활성기체 중에서 800 내지 2,000℃의 온도로 소결함으로써 제조할 수 있다.The inorganic compound is prepared by mixing the metal or oxides thereof as a starting material, mixing the mixture in a predetermined ratio, granulating the obtained mixture powder into a compact having a diameter of 1 to 10 mm, In an inert gas such as nitrogen at a temperature of 800 to 2,000 占 폚.
상기 무기화합물 미립자의 첨가량은 전체 프라이머층 조성물 100 중량%를 기준으로 40 내지 70 중량%인 것이 바람직하다. 40 중량% 미만 첨가되는 경우 패턴층과 기재 간의 접착 특성이 제대로 발현되지 않으며, 70 중량% 초과 첨가되는 경우 크래킹에 취약해질 수 있다.The amount of the inorganic fine particles to be added is preferably 40 to 70% by weight based on 100% by weight of the entire primer layer composition. If it is added in an amount of less than 40% by weight, the adhesion property between the pattern layer and the substrate is not properly developed, and when it is added in an amount exceeding 70% by weight, it may be vulnerable to cracking.
상기 프라이머층 형성을 위한 무기 화합물은 예시한 물질과 적층 순서에 제한을 두는 것은 아니며, 예를 들어 이산화규소와 이산화지르코늄을 교번하여 증착하는 것으로 진행할 수도 있으며, 이산화규소와 이산화지르코늄을 혼합한 상태에서 직접 적층하여도 무방하다. The inorganic compound for forming the primer layer is not limited to the above-described materials and the order of lamination. For example, silicon dioxide and zirconium dioxide may alternatively be deposited by vapor deposition. In a state where silicon dioxide and zirconium dioxide are mixed It may be directly laminated.
더욱 상세하게는 상기 프라이머층을 구성하는 조성물은 규소화합물과 지르코늄화합물을 포함할 수 있으며, 상기 b) 단계로 더욱 상세하게는,More specifically, the composition of the primer layer may include a silicon compound and a zirconium compound. In step b), more specifically,
b1) 상기 기재 상에 이산화규소를 2,000 내지 3,000Å 두께로 증착하는 제1이산화규소층 형성 단계; 및b1) forming a first silicon dioxide layer on the substrate to deposit silicon dioxide in a thickness of 2,000 to 3,000 Å; And
b2) 상기 제1이산화규소층 표면에 이산화지르코늄을 100 내지 500Å 두께로 증착하는 제1이산화지르코늄층 형성 단계;b2) forming a first zirconium dioxide layer on the surface of the first silicon dioxide layer by depositing zirconium dioxide to a thickness of 100 to 500 Å;
를 포함할 수 있다.. ≪ / RTI >
상기 b1) 단계 및 b2) 단계를 진행하기 위해 다양한 증착 방법을 적용할 수 있다. 구체적으로 디핑법, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 롤 코트법 또는 플로우 코트법에 의해 코팅용 조성물을 도포하거나, 입자가 분산된 진공 환경에서 전자빔에 의한 증착을 진행하여도 좋다.Various deposition methods may be applied to proceed to steps b1) and b2). Specifically, the coating composition may be coated by a dipping method, a spin coating method, a spray coating method, a roll coating method, or a flow coating method, or the deposition by electron beam may be conducted in a vacuum environment in which particles are dispersed.
상기 b1) 및 b2) 단계를 진행하기 위한 증착 방법으로 더욱 상세하게는 진공 조건에서 전자빔 증착에 의한 것이 바람직하다. The deposition method for proceeding to steps b1) and b2) is more preferably performed by electron beam evaporation under a vacuum condition.
일반적으로 금속 화합물의 박막을 제조하는 방법으로는 전자빔 증착법, 스퍼터링법 및 화학기상증착법(chemical vapor deposition) 등 여러 가지 방법들이 연구되고 있으나, 변수 조작이 용이한 전자빔 증착법 등의 물리기상증착법(physical vapor deposition)이 가장 효율적인 것으로 알려져 있다.In general, various methods such as electron beam deposition, sputtering, and chemical vapor deposition have been studied as a method for producing a thin film of a metal compound. However, physical vapor deposition methods such as electron beam deposition, deposition is known to be the most efficient.
상기 전자빔 증착법은 피착체를 챔버 내에 수용한 후, 챔버 내부의 산소를 일정 기압 이하로 유지한 상태에서 레이저빔을 조사하여 박막의 결정성장 및 결정방향성 증대와 기판 주위의 산소를 활성화함으로써 별도의 후처리 공정이 필요 없는 그 상태 그대로의 성장(in-situ growth)에 의해 미세한 두께의 박막을 제조하는 방법이다.In the electron beam evaporation method, an adherend is accommodated in a chamber, and then a laser beam is irradiated in a state in which oxygen in the chamber is maintained at a constant atmospheric pressure or less to increase the crystal growth direction and crystallization direction of the thin film and oxygen around the substrate, Is a method for producing a thin film having a minute thickness by in-situ growth in a state in which a treatment process is not required.
상기 전자빔 증착법은 연속적인 전자빔 에너지를 조절함으로써 화학기상증착법의 단점을 보완하여 정확한 증착 속도와 박막 두께를 조절할 수 있으며, 박막의 균일성이 증가하는 장점이 있다.The electron beam deposition method can improve the uniform deposition rate and thin film thickness by compensating the disadvantage of the chemical vapor deposition method by controlling the electron beam energy continuously, and the uniformity of the thin film is increased.
본 발명에서 상기 전자빔 증착법은 하나 또는 복수의 펄스가 구비된 챔버를 10-4 torr 이하의 고 진공 상태로 유지한 다음, 챔버 내부로 증착에 필요한 가스를 주입하여 챔버 내부의 압력을 400m torr 내외로 유지시킨다. 증착에 필요한 가스로는 무기화합물과 반응하여 무기화합물을 원자 또는 분자상태로 만들기 위한 불활성 가스와 기판에 박막을 형성하기 위한 반응성 스퍼터 가스이다. 불활성 가스는 질소 또는 아르곤이며, 반응성 스퍼터 가스는 산소를 이용할 수 있다.In the electron beam evaporation method of the present invention, a chamber having one or more pulses is maintained in a high vacuum state of 10 -4 torr or less, and then a gas necessary for deposition is injected into the chamber to increase the pressure inside the chamber to about 400 mtorr . The gas required for the deposition is an inert gas for reacting with the inorganic compound to make the inorganic compound into an atomic or molecular state, and a reactive sputter gas for forming a thin film on the substrate. The inert gas may be nitrogen or argon, and the reactive sputter gas may utilize oxygen.
이때 챔버 내부로 주입되는 가스는 불활성 가스와 스퍼터 가스의 부피를 조절하면서 주입하는 것이 바람직하다. 이례로 전체 주입되는 가스를 10이라 할 때, 불활성 가스는 9 내지 9.5 부피비로, 반응성 스퍼터 가스는 0.5 내지 1 부피비로 조절하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable to inject the gas injected into the chamber while controlling the volume of the inert gas and the sputter gas. For example, when the total gas to be injected is 10, it is preferable to control the inert gas to 9 to 9.5 volume ratio and the reactive sputter gas to 0.5 to 1 volume ratio.
다음으로 상기 펄스에 증착 대상인 금속 산화물 또는 무기 화합물을 장입하고, 피착체를 회전시키면서 전자빔에 전압을 가속함으로써 진행될 수 있다. 이때 피착체의 회전속도를 한정하는 것은 아니나, 1 내지 50 rpm의 속도가 바람직하며, 전자빔의 가속 전압을 1 내지 10 KV로 할 수 있으나, 본 발명이 이를 제한하는 것은 아니다. 또한 필요에 따라 전압을 가속하여 플라즈마를 형성한 후에 무기 화합물 표면의 불순물을 제거하기 위해 20분 내외로 프리 스퍼터링(pre sputtering)을 진행할 수도 있다.Next, a metal oxide or an inorganic compound to be deposited may be charged into the pulse, and the voltage may be accelerated by the electron beam while rotating the adherend. In this case, although the rotation speed of the adherend is not limited, a speed of 1 to 50 rpm is preferable, and an acceleration voltage of the electron beam may be 1 to 10 KV, but the present invention is not limited thereto. If necessary, the plasma may be formed by accelerating the voltage, and then pre-sputtering may be performed for about 20 minutes to remove impurities on the surface of the inorganic compound.
본 발명에서 상기 b1) 단계는 상기와 같이 전자빔에 의한 증착을 통해 이산화규소를 2,000 내지 3,000Å 두께로 증착할 수 있다. 이때 상기 이산화규소가 2,000Å 미만의 두께로 증착하는 경우 프라이머층의 접착 특성 및 내충격성이 크게 떨어질 수 있으며, 3,000Å 초과 증착하는 경우 광학 제품으로 사용 시 굴절율이 변화하여 일부 파장에서 피크 반사율이 증가할 수 있다.In the step b1) of the present invention, the silicon dioxide may be deposited to a thickness of 2,000 to 3,000 Å through deposition by electron beam as described above. In this case, when the silicon dioxide is deposited to a thickness of less than 2,000 ANGSTROM, the adhesion property and impact resistance of the primer layer may be greatly deteriorated. When the deposition exceeds 3,000 ANGSTROM, the refractive index changes when used as an optical product, can do.
또한 상기 b1) 단계는 증착시간에 따라 증착되는 무기 화합물의 두께가 결정되므로 증착시간을 한정하지 않으나 10 내지 400초간 진행할 수 있으며, 기재가 폴리머인 경우 작업 중에 열에 의한 변형이 발생할 수 있으므로 비교적 저온 50 내지 80℃에서 진행하는 것이 바람직하다.In addition, since the thickness of the inorganic compound deposited in the step b1) is determined according to the deposition time, the deposition time is not limited, but may be 10 to 400 seconds. When the substrate is a polymer, deformation due to heat may occur during the operation. Deg.] C to 80 [deg.] C.
상기 b1) 단계와 같이 이산화규소를 증착하여 제1이산화규소층을 형성하면, 다음으로 b2) 단계로 제1이산화규소층 표면에 이산화지르코늄을 증착하여 제1이산화지르코늄층을 형성할 수 있다.If the first silicon dioxide layer is formed by depositing silicon dioxide as in step b1), then the zirconium dioxide layer may be formed by depositing zirconium dioxide on the surface of the first silicon dioxide layer in step b2).
상기 이산화지르코늄은 후술할 패턴층과의 밀착성을 향상시키기 위해 구비되는 것으로, 패턴층이 박막 형태로 형성될 때 패턴층에 포함되는 무기 화합물과 촉매 반응이 진행되어 박막의 형성이 빨라지고 더욱 우수한 강도를 갖게 된다. The zirconium dioxide is provided to improve adhesion with a pattern layer to be described later. When the pattern layer is formed in the form of a thin film, the catalytic reaction proceeds with the inorganic compound contained in the pattern layer, .
상기 이산화지르코늄층은 b1) 단계의 제1이산화규소층과 동일한 방법으로 증착할 수 있다. 더욱 상세하기는 이산화규소의 증착이 끝난 후에 전압을 가속하여 플라즈마를 형성한 후에 무기 화합물 표면의 불순물을 제거하기 위해 20분 내외로 프리 스퍼터링(pre sputtering)을 진행한 후, 50 내지 80℃에서 10 내지 400초간 진행할 수 있다. The zirconium dioxide layer may be deposited in the same manner as the first silicon dioxide layer in step b1). More specifically, after the deposition of silicon dioxide is completed, the voltage is accelerated to form a plasma. After the plasma is formed, pre-sputtering is performed for about 20 minutes to remove impurities on the surface of the inorganic compound, To 400 seconds.
상기 이산화지르코늄층은 100 내지 500Å 두께로 증착하는 것이 바람직하다. 100Å 미만의 두께로 증착되는 경우 패턴층의 접착력과 기계적 특성이 하락할 수 있으며, 500Å 초과의 두께로 증착되는 경우 금속 색상의 발현이 두드러져 광학용 제품으로 사용하기 부적당하다.The zirconium dioxide layer is preferably deposited to a thickness of 100 to 500 Å. When the thickness is less than 100 ANGSTROM, the adhesion and the mechanical properties of the pattern layer may be lowered. When the thickness of the layer is more than 500 ANGSTROM, the color of the metal may be remarkable.
상기와 같이 프라이머층을 형성한 후에는 c) 단계와 같이 상기 프라이머층 표면에 패턴 슬롯이 형성된 마스크를 상기 프라이머층 표면에 접합하여 구비한 후, 무기화합물을 증착하여 패턴층을 형성할 수 있다.After forming the primer layer as described above, a mask having a pattern slot formed on the surface of the primer layer may be bonded to the surface of the primer layer as in step c), and then the inorganic compound may be deposited to form a pattern layer.
상기 마스크는 일종의 포토레지스트로, 패턴이 형성된 후, 무기 화합물을 증착할 때 전자빔을 가이드하는 역할을 수행하는 것이며, 종래에 알려진 어떠한 종류의 포토레지스트를 사용하여도 무방하다. 구체적으로 상기 포토레지스트의 예를 들면 AZ5206, AZ5214, PR2035, PR9260, DNR, GXR, SU-8 등이 있으며, 이들은 단독으로 또는 복수를 혼합하여 사용하여도 무방하다. The mask is a kind of photoresist, which serves to guide an electron beam when depositing an inorganic compound after a pattern is formed, and any kind of conventionally known photoresist may be used. Specific examples of the photoresist include AZ5206, AZ5214, PR2035, PR9260, DNR, GXR, and SU-8. These photoresists may be used singly or in combination.
상기 마스크는 프라이머층 표면에 도포한 후, 프라이머층과의 접착도를 높이기 위해 일정 온도에서 가열한 후, 노광(exposure)하여 패턴층이 적층되어야 할 부분에 존재하는 마스크를 제거하는 방법으로 패턴을 가질 수 있다. 다만, 마스크의 두께가 너무 두꺼운 경우, 패턴층의 재료인 무기 화합물이 증착되지 않는 음영부분이 형성될 수 있으므로 가능한 한 얇은 두께로 형성되는 것이 좋으며, 패턴층을 형성하기 위해 전자빔 증착을 진행할 때에도 상기 기재 또는 증착 장비를 회전시켜 증착하는 방식으로 증착 영역을 최대한 넓게 형성하는 것이 더욱 선명한 패턴을 발현할 수 있어 바람직하다.The mask is applied to the surface of the primer layer, and then heated to a predetermined temperature to increase adhesion with the primer layer. Thereafter, the mask is removed by exposure to remove the mask existing at the portion where the pattern layer is to be laminated. Lt; / RTI > However, when the thickness of the mask is too thick, it may be formed as thin as possible, since a shaded portion in which the inorganic compound as the material of the pattern layer is not deposited may be formed. When the electron beam deposition is performed to form the pattern layer, It is preferable to form the deposition region as wide as possible by rotating the substrate or the deposition equipment by rotating the deposition material.
또한 상기와 같은 이유로 마스크의 패턴이 형성된 측면과 프라이머층이 이루는 경사각이 최대한 작게 형성되도록 조절하는 것이 좋다. 경사각이 작은 경우에는 마스크에 의해 형성되는 음영부분이 줄어들게 되어 자연스럽게 패턴층의 증착 영역이 넓어지게 되며, 경사각이 증가하게 되면 마스크에 의해 형성되는 음영부분이 증가하여 증착영역이 좁아지게 된다. Also, it is preferable to adjust the inclination angle formed by the side of the mask pattern formed with the primer layer to be as small as possible. When the inclination angle is small, the shaded portion formed by the mask is reduced, and the deposition region of the pattern layer is widened naturally. When the inclination angle is increased, the shaded portion formed by the mask is increased to narrow the deposition region.
마스크가 형성되면, 상기 마스크 표면에 패턴형성 조성물을 증착하여 패턴층을 형성할 수 있다. 상기 패턴층은 상기 마스크의 패턴 슬롯 부분에만 증착되게 되므로, 상기 프라이머층을 전부 도포하는 형태가 아닌 일부분만을 도포하는 형태로 증착하게 된다. 즉, 상기 패턴층이 형성되면 프라이머층 상에 패턴층이 있는 영역과 없는 영역이 소정의 패턴으로 구획되고, 여기서 프라이머층, 더 상세하게는 제1이산화지르코늄층과 하드코팅층은 후술할 내용과 같이 동종의 코팅층일 수 있으므로, 패턴층이 있는 영역은 그렇지 않은 영역보다 전체 코팅층의 두께가 두꺼워진다. 따라서 패턴을 육안으로 쉽게 식별할 수 없음을 물론 평상 시 패턴이 드러니지 않으면서도 핀홀 효과에 의해 빛의 산란을 방지할 수 있다.When a mask is formed, a pattern forming composition may be deposited on the mask surface to form a pattern layer. Since the pattern layer is deposited only in the pattern slot portion of the mask, the primer layer is deposited in a form of coating only a part of the primer layer, not the entire coating layer. That is, when the pattern layer is formed, the primer layer and the hard coat layer are divided into a predetermined pattern and a non-patterned region on the primer layer, wherein the primer layer, more specifically, the first zirconium dioxide layer and the hard coat layer, Since the coating layer may be a homogeneous coating, the thickness of the entire coating layer is thicker than that of the region where the pattern layer is present. Therefore, the pattern can not be easily distinguished by the naked eye, and the light scattering can be prevented by the pinhole effect without revealing the normal pattern.
본 발명에서 상기 패턴층은 완성되는 기재에 김서림이 발생하는 경우, 패턴층이 형성된 부분에는 김서림이 발생하지 않아 자연스럽게 패턴이 발현되는 형태를 갖도록 하기 위한 것으로, 상기 패턴층을 이루는 무기 화합물은 상기 프라이머층의 표면을 형성하는 무기 화합물 및 상기 패턴층의 표면에 적층되는 하드코팅층을 형성하는 무기 화합물보다 낮은 굴절률을 갖는 친수성 무기 화합물인 것이 바람직하다.In the present invention, the pattern layer is formed so as not to generate fogging at the portion where the pattern layer is formed when fading occurs in the finished substrate, and the pattern is naturally expressed. The inorganic compound forming the pattern layer is the primer It is preferable that the inorganic compound is a hydrophilic inorganic compound having a refractive index lower than that of the inorganic compound forming the surface of the layer and the hard coat layer laminated on the surface of the pattern layer.
일반적으로 기재에 김서림이 발생하지 않는 원인은 여러 가지가 있으나, 대부분 표면에 친수성층이 형성된 경우가 많다. 예를 들어 초기의 유리 표면은 Si-OH나 Si-O-Si 등의 친수성 층을 형성한다. 그러나 대기 중에 노출되면 대기 중에 쌍극성을 갖는 유기분자가 흡착되어 소수성으로 표면의 성질이 바뀌게 된다. 따라서 이러한 유기 분자의 흡착을 방해함으로써 표면에 얇은 수막층을 형성하여 초친수성 표면으로 만드는 것이 중요하다.Generally, there are many reasons why fogging does not occur on a substrate, but a hydrophilic layer is often formed on the surface in many cases. For example, the initial glass surface forms a hydrophilic layer such as Si-OH or Si-O-Si. However, when exposed to the atmosphere, organic molecules having bipolar polarity are adsorbed in the atmosphere and the properties of the surface are changed by hydrophobicity. Therefore, it is important to prevent the adsorption of such organic molecules, thereby forming a thin water film layer on the surface to obtain a superhydrophilic surface.
상기 초친수성 표면은 다양한 형태로 구비될 수 있다. 예를 들어 표면에 형성된 친수성기와 부착된 소수성 분자를 광촉매 과정을 통해 제거시킴으로써 분자 레벨의 수분막을 형성하거나, 산소와 수산기가 교환되어 2차원적인 모세관 현상을 발생시킴으로써 발현할 수 있다. 이때상기 패턴층이 친수성이 강한 무기 화합물을 포함하도록 함으로써 상기 친수성기의 광촉매 과정이나 모세관 현상의 발현을 촉진할 수 있다.The superhydrophilic surface can be provided in various forms. For example, a hydrophilic group and an attached hydrophobic molecule formed on the surface may be removed through a photocatalytic process to form a molecular-level water film, or oxygen and hydroxyl groups may be exchanged to generate a two-dimensional capillary phenomenon. At this time, the photocatalytic process of the hydrophilic group or the capillary phenomenon can be promoted by making the pattern layer contain an inorganic compound having high hydrophilicity.
또한 상기 패턴층을 형성하는 무기 화합물은 상기 패턴의 시인성을 향상시키기 위해 굴절률을 조절하는 효과를 가진다. 상세하게는 프라이머층 또는 하드코팅층을 형성하는 무기 화합물에 비해 저굴절률을 갖는 무기 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에 따른 패턴이 형성된 기재는 고굴절률의 프라이머층 및 하드코팅층 사이에 저굴절률의 패턴층이 구비됨으로써, 패턴층이 형성된 부분에는 외광 반사가 억제되어 시인성이 향상되는 반면에, 패턴층이 형성되지 않은 부분에는 프라이머층과 하드코팅층이 직접 맞닿아 구비되는 구조를 가짐으로써 김서림이 발생하였을 때 패턴층이 형성된 부분에 비해 외광의 반사가 두드러지게 되어 사용자가 패턴을 더욱 명확하게 확인할 수 있다.The inorganic compound forming the pattern layer has an effect of adjusting the refractive index to improve the visibility of the pattern. Specifically, it is preferable to use an inorganic compound having a lower refractive index than an inorganic compound forming a primer layer or a hard coat layer. That is, since the substrate having the pattern according to the present invention is provided with the pattern layer having a low refractive index between the primer layer and the hard coat layer of high refractive index, the reflection of external light is suppressed at the portion where the pattern layer is formed, The primer layer and the hard coat layer are directly contacted with each other at the portions where the pattern layer is not formed, so that when the fogging occurs, the reflection of the external light becomes prominent as compared with the portion where the pattern layer is formed, .
상기 패턴층을 형성하는 무기 화합물로 더욱 바람직하게는 이산화규소인 것이 좋다. 상기 이산화규소는 굴절률(1.5)이 프라이머층을 이루는 산화지르코늄(2.2), 크롬(2.5)이나 티타늄(2.4), 철(2.23), 아연(2.03), 니켈(2.1), 구리(2.7), 망간(2.3) 등에 비해 훨씬 낮으므로, 김서림이 발생하였을 때 패턴층이 형성된 부분은 그렇지 않은 부분에 비해 광반사가 감소되어 패턴의 시인성을 증가시킬 수 있다.The inorganic compound forming the pattern layer is more preferably silicon dioxide. The silicon dioxide may be at least one selected from the group consisting of zirconium oxide (2.2), chromium (2.5), titanium (2.4), iron (2.23), zinc (2.03), nickel (2.3). Therefore, when the fogging occurs, the portion where the pattern layer is formed has a reduced light reflection compared to the portion where the fogging occurs, so that the visibility of the pattern can be increased.
본 발명에서 상기 패턴층은 상기 프라이머층과 유사하게 전자빔 증착을 통해 패턴 슬롯이 형성된 마스크가 구비된 프라이머층 표면에 이산화규소를 50 내지 150 Å 두께로 증착하여 형성할 수 있다. 이때 상기 패턴층이 50Å 미만의 두께로 증착되는 경우 후술할 하드코팅층 표면에 친수성질이 제대로 발현되지 않아 김서림 후에도 패턴을 확인하기 어려우며, 150Å 초과의 두께로 증착되는 경우 너무 두꺼워 다른 부분과의 단차가 발생하고 기계적 강도가 하락하는 원인으로 작용할 수 있다.In the present invention, the pattern layer may be formed by depositing silicon dioxide to a thickness of 50 to 150 Å on the surface of a primer layer having a mask having a pattern slot formed through electron beam evaporation similar to the primer layer. At this time, when the pattern layer is deposited to a thickness of less than 50 angstroms, the hydrophilic property is not properly developed on the surface of the hard coat layer, which will be described later, so that it is difficult to confirm the pattern even after fogging. When the pattern layer is deposited to a thickness exceeding 150 angstroms, And may cause the mechanical strength to decrease.
상기와 같이 패턴층을 형성한 이후에는 상기 기재로부터 마스크를 제거하고, 상기 d) 단계와 같이 상기 패턴층 및 프라이머층 표면에 하드코팅층을 형성할 수 있다. After the pattern layer is formed as described above, the mask is removed from the substrate, and a hard coating layer may be formed on the surface of the pattern layer and the primer layer as in step d).
상기 하드코팅층은 상기 프라이머층 및 패턴층을 외부의 충격으로부터 보호하기 위한 것으로, 상기 무기 화합물이 단층 또는 2층 이상의 복층으로 증착된 구조를 가질 수 있다.The hard coating layer is for protecting the primer layer and the pattern layer from external impact, and may have a structure in which the inorganic compound is deposited as a single layer or a multilayer of two or more layers.
더욱 상세하게 상기 하드코팅층은 지르코늄화합물 및 크롬화합물을 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 d) 단계는,More specifically, the hard coat layer is characterized by containing a zirconium compound and a chromium compound, and the step d)
d1) 상기 패턴층 및 프라이머층의 표면에 이산화지르코늄을 500 내지 1,000 Å의 두께로 증착하는 제2이산화지르코늄층 형성 단계; 및d1) forming a second zirconium dioxide layer on the surface of the pattern layer and the primer layer by depositing zirconium dioxide to a thickness of 500 to 1,000 Å; And
d2) 상기 제2이산화지르코늄층 표면에 크롬을 500 내지 1,000 Å의 두께로 증착하는 크롬층 형성 단계;d2) forming a chromium layer on the surface of the second zirconium dioxide layer to deposit chromium at a thickness of 500 to 1,000 angstroms;
를 포함하여 진행할 수 있다.. ≪ / RTI >
상기 d1) 단계는 상기 b1) 단계와 유사하게 상기 패턴층 또는 프라이머층, 더욱 상세하게는 제1이산화지르코늄층과 후술할 크롬층과의 접착 특성을 향상시키기 위해 구비되는 것으로, 상기 제1이산화지르코늄층과 동일 또는 유사한 공정을 통해 제조될 수 있다.The step d1) is provided to improve the adhesion between the pattern layer or the primer layer, more specifically, the first zirconium dioxide layer and the chromium layer, which will be described later, similarly to the step b1). The first zirconium dioxide Lt; RTI ID = 0.0 > and / or < / RTI >
상기 d1) 단계는 전자빔 증착법을 통해 상기 이산화지르코늄을 500 내지 1,000 Å의 두께로 증착하여 제2이산화지르코늄층을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 이산화지르코늄이 500 Å 미만의 두께로 증착되는 경우 접착력 하락으로 전체 코팅층의 기계적 물성이 하락할 수 있으며, 1,000 Å 초과 증착되는 경우 금속 색상의 발현으로 인해 광학제품의 기재에 사용하기 어려울 수 있다. 또한 상기 d1) 단계는 증착 시간 및 온도를 한정하는 것은 아니나, 50 내지 80℃에서 10 내지 400초간 진행할 수 있다. In the step d1), it is preferable that the zirconium dioxide is deposited by electron beam evaporation to a thickness of 500 to 1,000 Å to form a second zirconium dioxide layer. When the zirconium dioxide is deposited to a thickness of less than 500 Å, the mechanical properties of the entire coating layer may be deteriorated due to a decrease in the adhesive strength. If the zirconium dioxide is deposited in a thickness of more than 1,000 Å, In addition, although the deposition time and temperature are not limited, d1) may be performed at 50 to 80 DEG C for 10 to 400 seconds.
다음으로 상기 d2) 단계는 제2이산화지르코늄층 표면에 크롬층을 증착하는 것으로, 상기 크롬층은 충격, 마모 및 부식에 강하여 상기 제2이산화지르코늄층을 포함하는 전체 코팅층을 보호하는 역할을 수행하며, 그 자체로도 빛의 반사율이 높아 상기 기재가 마치 거울과 같은 외관을 갖도록 만들어준다. 또한 빛의 투과도를 낮춰 이를 증착한 기재는 선글라스와 같은 광학 제품에 사용될 수 있다.Next, the step d2) deposits a chromium layer on the surface of the second zirconium dioxide layer. The chromium layer is resistant to impact, abrasion, and corrosion, thereby protecting the entire coating layer including the second zirconium dioxide layer , The reflectance of the light itself is high so that the substrate has a mirror-like appearance. In addition, the substrate on which the light transmittance is lowered can be used for optical products such as sunglasses.
상기 크롬층은 전자빔 증착법을 통해 상기 크롬 또는 이의 산화물 등을 500 내지 1,000 Å의 두께로 증착하는 것이 바람직하다. 상기 크롬층이 500 Å 미만의 두께로 증착되는 경우, 전체 코팅층의 기계적 물성이 크게 하락할 수 있으며, 1,000 Å 초과의 두께로 증착되는 경우 빛의 투과율이 지나치게 떨어져 광학제품의 기재에 사용하기 어려울 수 있다. 또한 상기 d1) 단계와 마찬가지로 상기 d2) 단계는는 증착 시간 및 온도를 한정하는 것은 아니나, 50 내지 80℃에서 10 내지 400초간 진행할 수 있다. Preferably, the chromium layer is deposited by electron beam evaporation to a thickness of 500 to 1,000 angstroms. When the chromium layer is deposited to a thickness of less than 500 ANGSTROM, the mechanical properties of the entire coating layer may be significantly reduced. When the chromium layer is deposited to a thickness of more than 1,000 ANGSTROM, the transmittance of light may be excessively low, . Also, like step d1), the step d2) does not limit the deposition time and the temperature, but may proceed at 50 to 80 ° C for 10 to 400 seconds.
상기와 같이 하드코팅층을 형성하면, 상기 하드코팅층, 더 상세하게는 상기 크롬층의 일면에 발수층 조성물을 증착할 수 있다.When the hard coating layer is formed as described above, the water repellent layer composition may be deposited on the hard coating layer, more specifically, on one side of the chromium layer.
상기 발수층은 오염물질, 먼지, 물기 및 기타 물질들이 기재 표면에 부착되는 것을 막기 위한 것으로, 하나 이상의 할로겐화 실란 화합물과 하나 이상 할로겐화 에테르를 포함하는 불소 화합물 및 이들을 담지하는 전이금속이 포함될 수 있다.The water-repellent layer is for preventing contaminants, dust, moisture and other substances from adhering to the surface of the substrate, and may include a fluorine compound containing at least one halogenated silane compound and at least one halogenated ether, and a transition metal carrying them.
상기 불소 화합물은 마찰계수가 낮고 내열성이 높으며, 비점착성, 비유성 등의 특성을 가지나, 유기 용매에 대해 저항성이 낮고 내후성이 부족하기 때문에 기재의 표면에 사용되기엔 적당하지 않다. 다만 극성 작용기를 가져 다른 화합물과 복합 소재를 형성할 수도 있으므로, 기계적인 물성을 확보하기 위해 실란 화합물의 측쇄에 할로겐기를 도입하고, 여기에 하나 이상의 할로겐화 에테르를 혼합함으로써 이를 달성할 수 있다.The fluorine compound has low friction coefficient, high heat resistance, non-tackiness, and inelastic properties but is not suitable for use on the surface of a substrate because of low resistance to organic solvents and insufficient weather resistance. However, since it is possible to form a composite material with another compound having a polar functional group, this can be achieved by introducing a halogen group into the side chain of the silane compound and mixing at least one halogenated ether thereto to secure mechanical properties.
상기 실란 화합물에 도입되는 할로겐기는 일반적으로 사용되는 할로겐 원소라면 종류에 한정치 않으며, 바람직하게는 플루오르(F)를 도입하는 것이 바람직하다.The halogen group to be introduced into the silane compound is not limited to any kind of halogen element which is generally used, and it is preferable to introduce fluorine (F).
상기 할로겐화 실란으로는 플루오로실란(fluorosilane), 클로로실란(chlorosilane), 브로모실란(bromosilane), 아이오도실란(iodosilane) 등을 들 수 있으며, 상기 실란의 주쇄에 할로겐 대신 알킬기나 알콕시기가 더 치환되어도 무방하다.Examples of the halogenated silane include fluorosilane, chlorosilane, bromosilane and iodosilane. When the alkyl group or the alkoxy group is substituted for the main chain of the silane in place of the halogen It is acceptable.
상기 할로겐화 에테르는 상기 할로겐화실란 및 전이금속과의 혼화를 통해 발수층의 기계적 물성을 높이고, 그 자체로도 할로겐기를 가져 발수특성을 갖는 것으로, 바람직하게는 하기 화학식 1로 표시되는 불소화 에테르 화합물이 사용될 수 있다.The halogenated ether increases the mechanical properties of the water-repellent layer by mixing with the halogenated silane and the transition metal, and has a water-repellent property by itself having a halogen group. Preferably, the fluorinated ether compound represented by the following formula .
[화학식 1][Chemical Formula 1]
CnH2n+1OCmF2m+1 C n H 2n + 1 OC m F 2m + 1
(상기 화학식 1에서 n은 1 내지 4의 정수, m은 3 내지 6의 정수이다.)(Wherein n is an integer of 1 to 4 and m is an integer of 3 to 6.)
상기 불소화 에테르 화합물의 보다 구체적인 예로는 메틸 노나플루오로부틸 에테르, 에틸 노나플루오로부틸 에테르, 에틸 노나플루오로이소부틸 에테르, 프로필 노나플루오로부틸 에테르, 메틸 헵타플루오로프로필 에테르, 에틸 헵타플루오로프로필 에테르 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 복수를 혼합하여 사용하여도 무방하다.More specific examples of the fluorinated ether compound include methyl nonafluorobutyl ether, ethyl nonafluorobutyl ether, ethyl nonafluoroisobutyl ether, propyl nonafluorobutyl ether, methyl heptafluoropropyl ether, ethyl heptafluoropropyl Ether, etc. These may be used singly or in combination of two or more.
상기 전이금속은 상기 할로겐화 에테르 및 할로겐화 실란을 담지하고, 발수층의 물리적인 수명을 결정하는 역할을 가지는 것으로, 이외에도 금속 성분 특유의 광반사 성질로 인해 가시광 파장 전반에 걸쳐 반사율을 증가시킬 수 있다. 또한 상기 프라이머층, 하드코팅층과 유사한 방법인 물리적 증착 방법으로 표면 증착이 가능하여 더욱 균일한 두께를 갖도록 증착할 수 있다.The transition metal has the role of supporting the halogenated ether and the halogenated silane and determining the physical lifetime of the water repellent layer. In addition, the reflectance can be increased over the entire wavelength of the visible light due to the light reflecting property peculiar to the metal component. Also, the surface can be deposited by a physical vapor deposition method which is similar to the primer layer and the hard coat layer, so that a more uniform thickness can be deposited.
상기 전이금속으로 예를 들면, 철(Fe), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo) 등이 있으며, 이들은 단독으로 또는 둘 이상 복수를 혼합하여 사용하여도 무방하다.Examples of the transition metal include iron (Fe), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), manganese (Mn), and molybdenum (Mo). These transition metals may be used singly or as a mixture of two or more It may be used.
상기 발수코팅 조성물은 할로겐화 실란 0.5 내지 1 중량%, 할로겐화 에테르 5 내지 12 중량% 및 전이금속 87 내지 94 중량%를 포함할 수 있다. 상기 할로겐화 실란 또는 할로겐화 에테르의 함량이 상기 범위 미만인 경우 발수 특성이 전혀 발현되지 않으며, 상기 범위를 초과하는 경우 발수층의 기계적 물성이 하락할 수 있다. 또한 상기 전이금속의 함량이 상기 범위 미만인 경우 기계적 물성 하락 및 가시광선의 반사율이 저하될 수 있으며, 상기 범위를 초과하여 첨가되는 경우 발수특성과 광투과율이 하락하여 상기 기재를 광학용을 사용하기 부적당하다.The water-repellent coating composition may comprise 0.5 to 1 wt% of a halogenated silane, 5 to 12 wt% of a halogenated ether, and 87 to 94 wt% of a transition metal. If the content of the halogenated silane or the halogenated ether is less than the above range, water repellency is not exhibited at all, and if it exceeds the above range, the mechanical properties of the water repellent layer may be deteriorated. If the content of the transition metal is less than the above range, the mechanical properties may deteriorate and the reflectance of the visible light may be lowered. If the content exceeds the above range, the water repellency and the light transmittance are lowered, .
상기 발수층은 상기 프라이머층, 패턴층, 중간층 또는 하드코팅층과 유사하게 상기 발수코팅 조성물을 전자빔 증착하여 형성할 수 있다. 이때 증착조건을 한정하는 것은 아니나, 다른 코팅층과 유사하게 50 내지 80℃의 온도에서 10 내지 400초간 진행하여 50 내지 300Å의 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 특히 상기 발수층의 두께가 300Å을 초과하게 되면 상술한 바와 같이 광투과율이 하락하여 광학용 기재로 사용하기 부적당하므로 상기 조건을 만족하는 것이 바람직하다.The water-repellent layer may be formed by electron-beam evaporation of the water-repellent coating composition similarly to the primer layer, the pattern layer, the intermediate layer, or the hard coating layer. In this case, the deposition conditions are not limited, but may be formed to have a thickness of 50 to 300 angstroms at a temperature of 50 to 80 DEG C for 10 to 400 seconds similarly to other coating layers. Particularly, when the thickness of the water-repellent layer exceeds 300 ANGSTROM, the light transmittance is lowered as described above, which is unsuitable for use as an optical substrate.
또한 상기 발수층은 상기 프라이머층과 상기 하드코팅층 사이에 형성되는 중간층에 패턴을 형성하지 않는 경우, 상기 발수층에 직접 패턴을 형성할 수도 있다. 이때 상기 발수층을 형성하는 방법으로 상세하게는 상기 하드코팅층, 더 상세하게는 상기 크롬층 표면에 패턴 슬롯이 형성된 마스크를 상기 크롬층 표면에 접합하여 구비한 후, 상술한 발수코팅 조성물을 전자빔 증착하여 패턴층을 형성할 수 있다.The water repellent layer may directly form a pattern on the water repellent layer when a pattern is not formed on the intermediate layer formed between the primer layer and the hard coating layer. In detail, the hard coating layer, more specifically, a mask having a pattern slot formed on the surface of the chromium layer is bonded to the surface of the chromium layer, and then the water repellent coating composition is subjected to electron beam evaporation So that a pattern layer can be formed.
상기 패턴 슬롯이 형성된 마스크는 상기 패턴층과 유사하게 하드코팅층과의 접착도를 높이기 위해 일정 온도에서 가열한 후, 노광(exposure)하여 패턴층이 적층되어야 할 부분에 존재하는 마스크를 제거하는 방법으로 패턴을 가질 수 있다. 슬롯이 형성된 마스크가 적층되면, 상기 패턴형성 조성물과 유사하게 상기 발수코팅 조성물을 전자빔 증착하여 형성할 수 있다. 이때도 증착조건을 한정하는 것은 아니나, 50 내지 80℃의 온도에서 10 내지 400초간 진행하여 50 내지 300Å의 두께를 갖도록 형성할 수 있다.Similar to the pattern layer, the mask having the pattern slots is heated at a predetermined temperature to increase adhesion with the hard coating layer, and then exposed to remove the mask existing in a portion where the pattern layer is to be laminated Pattern. When the mask in which the slots are formed is laminated, the water-repellent coating composition may be formed by electron beam evaporation similarly to the pattern-forming composition. At this time, the deposition conditions are not limited, but the deposition may be performed at a temperature of 50 to 80 캜 for 10 to 400 seconds to have a thickness of 50 to 300 Å.
본 발명에 따른 패턴을 갖는 기재는 상기 코팅층 이외에도 하나 또는 복수의 후가공을 진행할 수도 있다. 상기 후가공은 발수 효과 이외에 상기 기재의 기타 특성을 발현하기 위한 것으로, 염색가공, 방오코팅가공 및 자외선차단코팅가공 등에서 선택되는 어느 하나 또는 복수를 들 수 있다.The substrate having the pattern according to the present invention may be subjected to one or more post-processes in addition to the coating layer. The post-processing is to express other characteristics of the base material in addition to the water repellency effect, and may include one or more selected from dyeing, antifouling coating and ultraviolet barrier coating.
상기 염색가공은 당업계에서 통상적으로 적용하는 방법이라면 한정하지 않는다. 예를 들면 유기고분자로 제조된 기재의 경우 염색착색법, 진공증착착색법, 침투착색법, 융착착색법, 용융착색법 등이 있으며, 유리로 제조된 기재의 경우 색상에 따라 철화합물, 산화세륨, 산화아연, 산화티탄, 코발트, 니켈, 크롬, 구리, 은, 네오디뮴, 세륨 등의 금속 성분을 용융된 유리 성분에 적정량 첨가하여 착색할 수 있다.The dyeing process is not limited as long as it is a commonly used method in the art. For example, in the case of a substrate made of an organic polymer, there are a dyeing coloring method, a vacuum vapor deposition coloring method, an impregnation coloring method, a fusion coloring method and a melt coloring method. In the case of a substrate made of glass, , A metal oxide such as zinc oxide, titanium oxide, cobalt, nickel, chromium, copper, silver, neodymium and cerium may be added to the molten glass component in an appropriate amount.
상기 방오코팅가공은 지문, 피지, 땀, 화장품 등의 오염물이 부착되는 것을 방지하기 위한 것으로, 주쇄에 트리플루오로메틸기나 플루오린기를 하나 이상 가지는 과불소 폴리에테르 변성 화합물을 주성분으로 하는 코팅액을 적용하는 것이 바람직하다.The antifouling coating process is to prevent adhesion of contaminants such as fingerprints, sebum, sweat, and cosmetics, and is applied to a coating liquid containing a perfluoropolyether-modified compound having at least one trifluoromethyl group or fluorine group in its main chain as a main component .
본 발명에서 상기 자외선차단코팅가공은 자외선 흡수제를 포함하는 코팅액을 도포하여 진행하는 것이 좋으며, 상기 자외선 흡수제의 예를 들면 옥사닐라이드(oxanilides), 벤조페논(benzophenones), 디하드록시벤조페논(dihydroxybenzophenones), 벤조트리아졸(benzotriazoles), 벤조에이트(benzoates), 페닐 벤조에이트(phenylbenzoates), 벤즈이미다졸(benzimidazoles), 하이드록시페닐 트리아진(hydroxyphenyl triazines), 입체 장애아민(sterically hindered amines; HALS) 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 들 수 있다.In the present invention, the ultraviolet barrier coating process is preferably carried out by applying a coating solution containing an ultraviolet absorber. Examples of the ultraviolet absorber include oxanilides, benzophenones, dihydroxybenzophenones ), Benzotriazoles, benzoates, phenylbenzoates, benzimidazoles, hydroxyphenyl triazines, sterically hindered amines (HALS), and the like. One or two or more selected.
본 발명에 따른 제조방법으로 제조된 패턴을 갖는 기재는 기재의 표면에 요철을 형성하거나 레이저를 조사하는 방식이 아닌, 금속 산화물을 이용한 표면 증착으로 패턴을 형성하는 것이므로 요철의 노출에 따른 미감을 해치거나 굴절률에 영향을 주지 않으며, 증착이 가능한 모든 물체에 해당 방법을 적용할 수 있으므로 유리, 금속, 플라스틱과 같은 다양한 재질의 기재를 사용할 수 있다.The substrate having the pattern produced by the manufacturing method according to the present invention is not a method of forming irregularities on the surface of the substrate or irradiating a laser but a pattern is formed by surface deposition using a metal oxide, Or refractive index, and the method can be applied to all objects capable of being deposited, so that substrates of various materials such as glass, metal, and plastic can be used.
또한 통상의 사용 시에는 기재에 아무런 표시가 나타나지 않으므로 렌즈, 핸드폰 액정, 거울 등의 투명성이 요구되는 제품에 사용하여도 사용자의 시아를 전혀 방해하지 않으며, 입김을 불어주거나 김서림이 발생할 때에만 제품의 마크나 무늬, 패턴이 나타나므로 필요 시에 심미감을 주는 효과가 있을 뿐만 아니라 상표 등이 각인된 경우에도 도용을 방지하여 소비자를 보호하는 장점이 있어 선글라스용 렌즈, 핸드폰 액정 및 액정보호필름, 강화유리, 거울, 기타 광학 제품 등에 널리 사용될 수 있다.In addition, since no indication appears on the substrate during normal use, even if it is used in a product requiring transparency such as a lens, a mobile phone liquid crystal, or a mirror, it does not interfere with the user's sheath at all. Since the mark, pattern, and pattern are displayed, it has the effect of providing aesthetics when needed, and also has the advantage of protecting the consumer by preventing theft even when the trademark is imprinted. The lens for sunglasses, the liquid crystal and protective film for mobile phone, , Mirrors, and other optical products.
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 더욱 상세히 설명하기 위한 하나의 예시일 뿐, 본 발명이 하기 실시예 및 비교예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the following examples and comparative examples are merely examples for explaining the present invention in more detail, and the present invention is not limited by the following examples and comparative examples.
실시예 및 비교예를 통해 제조된 시편의 물성을 하기와 같이 측정하였다.The physical properties of the specimens prepared through Examples and Comparative Examples were measured as follows.
(패턴 형성 여부)(Whether or not the pattern is formed)
제조된 시편에 550㎚ 파장에서의 투과 모드 및 반사 모드로 L*, a* 및 b* 값을 UV 분광계(UV spectrometer, CM-3500d, Minolta사)를 이용하여 측정하여, ΔE*값(ΔE*2=ΔL*2+Δa*2+Δb*)을 구하고 다음과 같은 범주로 분류하여 패턴의 비시인성을 평가하였다. 이때 평가 대상은 각각 일반적인 상태에서와, 김서림 상태였으며, 김서림 상태는 실시예 및 비교예를 통해 제조된 시편을 10℃로 냉각한 후, 상기 시편을 25℃, 상대습도 80%로 조절된 챔버에 투입하여 시편에 김서림을 부여하였다. The prepared specimens were measured for L *, a * and b * values in a transmission mode and a reflection mode at a wavelength of 550 nm using a UV spectrometer (UV spectrometer, CM-3500d, Minolta) 2 = ΔL * 2 + Δa * 2 + Δb *) were obtained and classified into the following categories to evaluate the non-visibility of the pattern. The specimens prepared in Examples and Comparative Examples were cooled to 10 ° C, and the specimens were placed in a chamber controlled at 25 ° C. and 80% relative humidity. The test specimens were given fogging.
a. 일반상태a. Normal state
ΔE* ≤ 0.5 : 양호 (패턴이 보이지 않음)? E *? 0.5: good (no pattern is seen)
0.5 < ΔE* ≤ 1 : 보통 (패턴이 어느 정도 보임)0.5 < DELTA E * < = 1: Normal (pattern is seen to some extent)
1 < ΔE* : 불량 (패턴이 매우 잘 보임)1 <ΔE *: Bad (pattern is very visible)
b. 김서림상태b. Fogging state
3 < ΔE* : 양호 (패턴이 잘 보임)3 <ΔE *: Good (pattern is visible)
2 < ΔE* ≤ 3 : 보통 (패턴이 어느 정도 보임)2 <? E *? 3: Normal (pattern shows some degree)
ΔE* ≤ 2 : 불량 (패턴이 잘 보이지 않음)ΔE * ≤ 2: Bad (pattern not visible)
(실시예 1)(Example 1)
증착 재료로 이산화규소(SiO2), 이산화지르코늄(ZrO2), 크롬(Cr) 및 초발수제(fb800, fluorosilane 0.3 중량%, ethyl nonafluorobutyl ether 4 중량%, ethyl nonafluoroisobutyl ether 3.7 중량%, 철(Fe) 92 중량%)를 진공증착장치 내 하스라이너에 장입하고, 중량평균분자량 50,000의 폴리메틸메타크릴레이트 시편(5㎝×5㎝×0.5㎝)을 세팅한 후, 장치 내를 1.0×10-3 Pa가 될 때까지 배기한 후, 다시 전체 압력이 10×10-2 Pa가 될 때까지 산소를 도입하였다. 그리고 용융된 증착 재료에 전자빔을 조사하여 증기화한 다음 65℃로 조절된 시편에 성막하여 다층 코팅층을 형성하였다. 이때 증착 재료의 증착순서는 이산화규소-이산화지르코늄-이산화규소-이산화지르코늄-크롬-초발수제의 순이고, 각 증착 재료별로 조사시간 및 코팅막의 두께는 하기 표 1과 같으며, 제2이산화규소층은 마스킹 후 작업하여 패턴을 형성하였다. 제조된 시편의 물성을 측정하여 하기 표 1에 기재하였다.0.3 wt% of fluorosilane, 4 wt% of ethyl nonafluorobutyl ether, 3.7 wt% of ethyl nonafluoroisobutyl ether, and iron (Fe) were added as the evaporation material, and a mixture of silicon dioxide (SiO 2 ), zirconium dioxide (ZrO 2 ), chromium (Cr) charged with 92% by weight) within the liner Haas vacuum evaporator, and after setting the polymethyl methacrylate samples (5㎝ × 5㎝ × 0.5㎝) having a weight average molecular weight of 50,000, a device within 1.0 × 10 -3 Pa Deg.] C, and oxygen was introduced again until the total pressure reached 10 10 -2 Pa. Then, the melted evaporation material was irradiated with an electron beam to be vaporized and then formed into a specimen controlled at 65 ° C to form a multilayer coating layer. In this case, the order of deposition of the evaporation material is in the order of silicon dioxide-zirconium dioxide-silicon dioxide-zirconium dioxide-chromium-super water repellent, and the irradiation time and thickness of each coating material are shown in Table 1 below. Were patterned by working after masking. The properties of the prepared specimens were measured and are shown in Table 1 below.
(실시예 2)(Example 2)
상기 실시예 1에서 패턴 형성 시 제2이산화규소층이 아닌 초발수층에 마스킹하여 패턴을 형성한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다. 제조된 시편의 물성을 측정하여 하기 표 1에 기재하였다.A pattern was formed in the super-water-repellent layer, not the second silicon dioxide layer, by patterning in Example 1, and the pattern was formed in the same manner as in Example 1. The properties of the prepared specimens were measured and are shown in Table 1 below.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
상기 실시예 1에서 제2산화규소층에 패턴을 형성하지 않은 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하였다. 제조된 시편의 물성을 측정하여 하기 표 1에 기재하였다.Except that a pattern was not formed on the second silicon oxide layer in Example 1. The properties of the prepared specimens were measured and are shown in Table 1 below.
(비교예 2 내지 5)(Comparative Examples 2 to 5)
상기 실시예 1에서 각 증착 재료별로 조사시간 및 코팅막의 두께를 표 1과 같이 한 것을 제외하고 동일한 방법으로 시편을 제조하였다. 제조된 시편의 물성을 측정하여 하기 표 1에 기재하였다.The specimens were prepared in the same manner as in Example 1 except that the irradiation time and the thickness of the coating film were changed as shown in Table 1 for each evaporation material. The properties of the prepared specimens were measured and are shown in Table 1 below.
[표 1][Table 1]
상기 표 1, 도 6과 같이 본 발명에 따른 패턴이 형성된 기재는 일반 상태에서는 패턴이 보이지 않으나, 김서림 등이 부여되면 자연스럽게 패턴이 드러나는 것을 알 수 있다. 이와는 대조적으로 패턴이 형성되지 않은 비교예 1은 물론 패턴층의 증착 두께가 범위보다 작은 비교예 2는 도 7과 같이 김서림 상태에서도 패턴이 드러나지 않았으며, 패턴층의 증착 두께가 범위보다 큰 비교예 3은 코팅층 전체 굴절률의 과도한 변화로 인해 김서림이 부여되지 않은 상태에서도 패턴이 드러남을 알 수 있었다. 이 밖에도 하드코팅층의 두께가 과도하게 부여된 비교예 4, 5의 경우에도 일반 상태에서는 패턴이 드러나지 않았으나 김서림 상태에서도 마찬가지로 패턴이 형성되지 않음을 알 수 있었다.As shown in Table 1 and FIG. 6, the pattern formed on the substrate according to the present invention does not show a pattern in a normal state, but it can be seen that a pattern is naturally exposed when fogging or the like is applied. In contrast, in Comparative Example 2 in which the thickness of the pattern layer was smaller than that in Comparative Example 1 in which the pattern was not formed, the pattern was not revealed even in the fogged state as shown in FIG. 7, 3 shows that the pattern is exposed even when no fogging is given due to an excessive change in the refractive index of the entire coating layer. In addition, even in the case of Comparative Examples 4 and 5 in which the thickness of the hard coating layer was excessively applied, the pattern was not revealed in the normal state, but the pattern was not formed in the fogging state.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments and the comparative examples, those skilled in the art will appreciate that various modifications, substitutions, and alterations can be made hereto without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims It will be understood that the invention may be modified and varied without departing from the scope of the invention.
100 : 기재
200 : 프라이머층
210 : 제1이산화규소층
220 : 제1이산화지르코늄층
300 : 제2이산화규소층
310 : 패턴층
320 : 중간층
400 : 하드코팅층
410 : 제2이산화지르코늄층
420 : 크롬층
500 : 발수층100: substrate
200: primer layer
210: a first silicon dioxide layer
220: a first zirconium dioxide layer
300: second silicon dioxide layer
310: pattern layer
320: middle layer
400: hard coat layer
410: second zirconium dioxide layer
420: chrome layer
500: water repellent layer
Claims (10)
b) 상기 기재 상에 프라이머 조성물을 증착하는 프라이머층 형성 단계;
c) 상기 프라이머층 표면에 소정의 패턴 슬롯이 형성된 마스크를 밀착되도록 장착한 후, 패턴형성 조성물을 증착하는 패턴층 형성 단계;
d) 상기 패턴층 및 프라이머층 표면에 하드코팅 조성물을 증착하는 하드코팅층 형성 단계; 및
e) 상기 하드코팅층 표면에 발수코팅 조성물을 증착하는 발수층 형성단계;
를 포함하며, 상기 b) 단계는,
b1) 상기 기재 상에 이산화규소를 2,000 내지 3,000Å 두께로 증착하는 제1이산화규소층 형성 단계; 및
b2) 상기 제1이산화규소층 표면에 이산화지르코늄을 100 내지 500Å 두께로 증착하는 제1이산화지르코늄층 형성 단계;
를 포함하며, 상기 d) 단계는,
d1) 상기 패턴층 및 프라이머층의 표면에 이산화지르코늄을 500 내지 1,000Å의 두께로 증착하는 제2이산화지르코늄층 형성 단계; 및
d2) 상기 제2이산화지르코늄층 표면에 크롬을 500 내지 1,000 Å의 두께로 증착하는 크롬층 형성 단계;
상기 패턴형성 조성물은 티타늄화합물, 알루미늄화합물, 규소화합물, 지르코늄화합물, 크롬화합물, 몰리브덴화합물, 철화합물, 세륨화합물, 텅스텐화합물, 안티몬화합물, 아연화합물, 베릴륨화합물 및 인듐주석화합물에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 무기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기재의 제조방법.
a) preparing a substrate;
b) a primer layer forming step of depositing a primer composition on the substrate;
c) depositing a mask having a predetermined pattern slot on the surface of the primer layer so as to closely adhere thereto, and then depositing a pattern forming composition;
d) forming a hard coat layer on the surface of the pattern layer and the primer layer; And
e) forming a water repellent coating composition on the surface of the hard coating layer;
Wherein the step b) comprises:
b1) forming a first silicon dioxide layer on the substrate to deposit silicon dioxide in a thickness of 2,000 to 3,000 Å; And
b2) forming a first zirconium dioxide layer on the surface of the first silicon dioxide layer by depositing zirconium dioxide to a thickness of 100 to 500 Å;
Wherein the step d)
d1) forming a second zirconium dioxide layer on the surface of the pattern layer and the primer layer to deposit zirconium dioxide in a thickness of 500 to 1,000 Å; And
d2) forming a chromium layer on the surface of the second zirconium dioxide layer to deposit chromium at a thickness of 500 to 1,000 angstroms;
Wherein the pattern forming composition is any one selected from the group consisting of titanium compounds, aluminum compounds, silicon compounds, zirconium compounds, chromium compounds, molybdenum compounds, iron compounds, cerium compounds, tungsten compounds, antimony compounds, zinc compounds, beryllium compounds, A method for producing a patterned substrate, which comprises a plurality of inorganic compounds.
b) 상기 기재 상에 프라이머 조성물을 증착하는 프라이머층 형성 단계;
c) 상기 프라이머층 표면에 중간층 조성물을 증착하여 중간층을 형성하는 중간층 형성 단계;
d) 상기 중간층 표면에 하드코팅 조성물을 증착하는 하드코팅층 형성 단계; 및
e) 상기 하드코팅 층 표면에 소정의 패턴 슬롯이 형성된 마스크를 밀착되도록 장착한 후, 발수코팅 조성물을 증착하는 패턴 발수층 형성단계;
를 포함하며, 상기 b) 단계는,
b1) 상기 기재 상에 이산화규소를 2,000 내지 3,000Å 두께로 증착하는 제1이산화규소층 형성 단계; 및
b2) 상기 제1이산화규소층 표면에 이산화지르코늄을 100 내지 500Å 두께로 증착하는 제1이산화지르코늄층 형성 단계;
를 포함하며, 상기 d) 단계는,
d1) 상기 중간층의 표면에 이산화지르코늄을 500 내지 1,000Å의 두께로 증착하는 제2이산화지르코늄층 형성 단계; 및
d2) 상기 제2이산화지르코늄층 표면에 크롬을 500 내지 1,000 Å의 두께로 증착하는 크롬층 형성 단계;
를 포함하며, 상기 중간층 조성물은 티타늄화합물, 알루미늄화합물, 규소화합물, 지르코늄화합물, 크롬화합물, 몰리브덴화합물, 철화합물, 세륨화합물, 텅스텐화합물, 안티몬화합물, 아연화합물, 베릴륨화합물 및 인듐주석화합물에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 무기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기재의 제조방법.
a) preparing a substrate;
b) a primer layer forming step of depositing a primer composition on the substrate;
c) depositing an intermediate layer composition on the surface of the primer layer to form an intermediate layer;
d) forming a hard coat layer on the surface of the intermediate layer to deposit a hard coat composition; And
(e) a pattern water repellent layer forming step of depositing a water repellent coating composition on the surface of the hard coating layer so that a mask having a predetermined pattern slot is closely attached thereto;
Wherein the step b) comprises:
b1) forming a first silicon dioxide layer on the substrate to deposit silicon dioxide in a thickness of 2,000 to 3,000 Å; And
b2) forming a first zirconium dioxide layer on the surface of the first silicon dioxide layer by depositing zirconium dioxide to a thickness of 100 to 500 Å;
Wherein the step d)
d1) forming a second zirconium dioxide layer on the surface of the intermediate layer to deposit zirconium dioxide in a thickness of 500 to 1,000 angstroms; And
d2) forming a chromium layer on the surface of the second zirconium dioxide layer to deposit chromium at a thickness of 500 to 1,000 angstroms;
Wherein the intermediate layer composition is selected from titanium compounds, aluminum compounds, silicon compounds, zirconium compounds, chromium compounds, molybdenum compounds, iron compounds, cerium compounds, tungsten compounds, antimony compounds, zinc compounds, beryllium compounds and indium tin compounds A method of producing a patterned substrate, which comprises one or a plurality of inorganic compounds.
상기 발수코팅 조성물은 할로겐화 실란 0.5 내지 1 중량%, 할로겐화 에테르 5 내지 12 중량% 및 전이금속 87 내지 94 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기재의 제조방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the water-repellent coating composition comprises 0.5 to 1 wt% of a halogenated silane, 5 to 12 wt% of a halogenated ether, and 87 to 94 wt% of a transition metal.
상기 증착은 진공 조건에서 전자빔증착에 의한 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기재의 제조방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein said deposition is by electron beam evaporation under vacuum conditions.
상기 제조방법은 상기 e) 단계 이후,
f) 상기 기재에 염색가공, 방오코팅가공 및 자외선차단코팅가공에서 선택되는 어느 하나 또는 복수의 후가공을 진행하는 후가공 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 기재의 제조방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
The method may further comprise, after step e)
f) finishing any one or more of the post-processing selected from dyeing, antifouling coating and UV-blocking coating on the substrate;
And forming a pattern on the substrate.
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KR102130747B1 (en) | 2019-11-08 | 2020-07-06 | 주식회사 티케이랩스 | A process for the production of the hidden pattern printed material and its product |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000281970A (en) | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Asahi Optical Co Ltd | Weather-resistant hard coat composition |
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