KR101920771B1 - Display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 신축성을 가지는 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 표시 장치는 박막트랜지스터가 배치되는 플렉서블 기판을 구비하며, 플렉서블 기판은 다수의 유기막과, 그 유기막들 사이에 배치되는 적어도 하나의 도전막을 가지므로, 플렉서블 기판은 탄성 및 강성을 확보할 수 있어 신축성 가지는 표시 장치에 적용할 수 있다.A display device according to the present invention includes a flexible substrate on which a thin film transistor is disposed. The flexible substrate includes a plurality of organic films, at least one organic film disposed between the organic films, Since the flexible film has a conductive film, the flexible substrate can secure elasticity and rigidity and can be applied to a flexible display device.

Description

표시 장치{DISPLAY}DISPLAY DEVICE {DISPLAY}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 신축성을 가지는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device having elasticity.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치가 각광받고 있다. The image display device that realizes various information on the screen is a core technology of the information communication age and it is becoming thinner, lighter, more portable and higher performance. Accordingly, a flat panel display device capable of reducing weight and volume, which is a disadvantage of a cathode ray tube (CRT), has attracted attention.

평판 표시장치는 일반적으로 평면 화면 상에서 영상을 표시하였으나, 최근에는 플렉서블(flexible) 소재인 플라스틱 등과 같이 신축성 있는 기판에 서브 화소 등을 형성하여, 종이처럼 휘어져도 화상 표시가 가능한 플렉서블 표시 장치가 차세대 표시 장치로 주목받고 있다. In general, a flat panel display device displays an image on a flat screen. However, in recent years, a flexible display device capable of forming an image by forming a sub pixel or the like on a stretchable substrate such as a flexible plastic material, Devices.

이러한 플렉서블 표시 장치를 구현하기 위해서는 기판, 그 기판 위에 형성되는 각종 절연층 및 금속 물질로 형성되는 신호 라인 등의 신축성을 확보하는 것이 필요하다. 그러나, 현재까지 개발된 표시 장치에 관련된 기술로는 기판, 신호 라인 및 절연막 등의 신축성을 확보하는 데 어려움이 있다. In order to realize such a flexible display device, it is necessary to ensure the flexibility of the substrate, the various insulating layers formed on the substrate, and the signal lines formed of the metal material. However, with the technology related to the display device developed so far, it is difficult to secure the flexibility of the substrate, the signal line, and the insulating film.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 신축성을 가지는 표시 장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a display device having elasticity.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 표시 장치는 박막트랜지스터가 배치되는 플렉서블 기판을 구비하며, 플렉서블 기판은 다수의 유기막과, 그 유기막들 사이에 배치되는 적어도 하나의 도전막을 가지므로, 플렉서블 기판은 탄성 및 강성을 확보할 수 있어 신축성 가지는 표시 장치에 적용할 수 있다.In order to achieve the above object, a display device according to the present invention includes a flexible substrate on which a thin film transistor is disposed, and the flexible substrate has a plurality of organic films and at least one conductive film disposed between the organic films, The flexible substrate can secure elasticity and rigidity and can be applied to a flexible display device.

본 발명에 따른 표시 장치의 플렉서블 기판은 다수의 유기막과, 그 유기막들 사이에 배치되는 적어도 하나의 도전막을 가진다. 이에 따라, 본 발명에 따른 표시 장치는 표시 장치의 벤딩시 곡률 변화 부분에서 발생되는 주름(Wrinkle) 없이 면적 변화 및 다양한 굴곡면에 적용 가능한 디스플레이를 구현할 수 있다.The flexible substrate of the display device according to the present invention has a plurality of organic films and at least one conductive film disposed between the organic films. Accordingly, the display device according to the present invention can realize a display applicable to a change in area and various curved surfaces without wrinkles generated in a curved portion at a bending time of the display device.

도 1은 본 발명에 따른 플렉서블 표시 장치용 박막트랜지스터를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 플렉서블 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 박막트랜지스터와 접속되는 신호 라인의 제1 실시 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 박막트랜지스터와 접속되는 신호 라인의 제2 실시 예를 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 플렉서블 표시 장치의 신축 방향을 따라 신축되는 신호 라인을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 도 1에 도시된 게이트 절연막 및 층간 절연막을 나타내는 도면이다.
도 7a 내지 도 7c는 도 6에 도시된 게이트 절연막의 제조 방법의 제1 실시 예를 나타내는 단면도들이다.
도 8a 내지 도 8d는 도 6에 도시된 게이트 절연막의 제조 방법의 제2 실시 예를 나타내는 단면도들이다.
도 9는 도 1에 도시된 박막트랜지스터가 적용된 플렉서블 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 1에 도시된 박막트랜지스터가 적용된 플렉서블 액정 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 1에 도시된 박막트랜지스터가 적용된 플렉서블 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 10 및 도 11에 도시된 전극들을 나타내는 도면이다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명에 따른 플렉서블 표시 장치의 신축 방향을 따라 신축되는 전극을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a cross-sectional view showing a thin film transistor for a flexible display device according to the present invention.
2 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the flexible substrate shown in FIG.
3 is a view showing a first embodiment of a signal line connected to the thin film transistor shown in FIG.
4 is a view showing a second embodiment of a signal line connected to the thin film transistor shown in FIG.
5A to 5C are views for explaining a signal line extending and contracted along a stretching direction of a flexible display device according to the present invention.
6 is a view showing the gate insulating film and the interlayer insulating film shown in FIG.
7A to 7C are cross-sectional views showing a first embodiment of the method for manufacturing the gate insulating film shown in FIG.
8A to 8D are cross-sectional views showing a second embodiment of the method for manufacturing the gate insulating film shown in FIG.
FIG. 9 is a plan view showing a flexible liquid crystal display device to which the thin film transistor shown in FIG. 1 is applied.
10 is a cross-sectional view showing a flexible liquid crystal display device to which the thin film transistor shown in FIG. 1 is applied.
11 is a cross-sectional view illustrating a flexible organic light emitting display device to which the thin film transistor shown in FIG. 1 is applied.
12 is a view showing the electrodes shown in Figs. 10 and 11. Fig.
FIGS. 13A and 13B are views for explaining an electrode stretched and contracted along the elongating and contracting direction of the flexible display device according to the present invention. FIG.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described.

도 1은 본 발명에 따른 표시 장치용 기판을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate for a display device according to the present invention.

도 1에 도시된 표시 장치용 기판은 플렉서블 기판(100)과, 플렉서블 기판(100) 상부에 형성된 신호 라인(SL)과, 신호 라인(SL)과 접속되는 박막트랜지스터(T)를 구비한다.1 includes a flexible substrate 100, a signal line SL formed on the flexible substrate 100, and a thin film transistor T connected to the signal line SL.

플렉서블 기판(100)은 탄성 및 강성을 가지도록 형성하여 표시 장치의 신축성을 확보하도록 한다. 이를 위해, 플렉서블 기판(100)은 탄성을 가지는 유기막(101a,101b,101c)과, 강성을 가지는 투명 도전막(102a,102b)이 교번적으로 적층된다. 예를 들어, 플렉서블 기판(100)은 제1 유기막(101a)과, 제1 투명 도전막(102a)과, 제2 유기막(101b)과, 제2 투명 도전막(102b)과, 제3 유기막(101c)이 순차적으로 적층되어 형성된다. 제1 내지 제3 유기막(101a,101b,101c)은 PI, Polyurethane 또는 PDMS를 이용하여 단층 또는 다층 구조로 형성된다. 제1 투명 도전막(102a)은 표시 장치의 상하 및 좌우 중 어느 한 방향의 신축성을 고려하도록 제1 유기막(101a) 상에 제1 방향으로 다수개 형성된다. 제2 투명 도전막(102b)은 표시 장치의 상하 및 좌우 중 나머지 한 방향의 신축성을 고려하여 제2 유기막(101b) 상에 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 다수개 형성된다. 이 제1 및 제2 투명 도전막(102a,102b)은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)으로 형성된다.The flexible substrate 100 is formed to have elasticity and rigidity so as to secure the stretchability of the display device. To this end, the flexible substrate 100 is alternately stacked with the organic films 101a, 101b, and 101c having elasticity and the transparent conductive films 102a and 102b having rigidity. For example, the flexible substrate 100 includes a first organic film 101a, a first transparent conductive film 102a, a second organic film 101b, a second transparent conductive film 102b, And an organic film 101c are sequentially stacked. The first to third organic layers 101a, 101b, and 101c are formed as a single layer or a multilayer structure using PI, polyurethane, or PDMS. A plurality of first transparent conductive films 102a are formed in the first direction on the first organic film 101a in consideration of the stretchability of the display device in either one of the top and bottom and left and right directions. A plurality of second transparent conductive films 102b are formed on the second organic film 101b in the second direction intersecting the first direction in consideration of stretchability of the other one of the top, bottom, right and left directions of the display device. The first and second transparent conductive films 102a and 102b are formed of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).

이러한 플렉서블 기판(100)은 도 2에 도시된 제조 방법에 의해 형성된다. 구체적으로, 유리 기판(111) 상에 유기 절연 물질이 전면 코팅된 후 경화됨으로써 제1 유기막(101a)이 형성된다. 이 제1 유기막(101a) 상에 제1 투명 도전막(102a)이 전면 증착된 후 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝됨으로써 제1 투명 도전막(102a)이 제1 방향으로 다수개 형성된다. 그런 다음, 제1 투명 도전막(102a)을 덮도록 유기 절연 물질이 전면 코팅된 후 경화됨으로써 제2 유기막(101b)이 형성된다. 이 제2 유기막(101b) 상에 제2 투명 도전막(102b)이 전면 증착된 후 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝됨으로써 제2 투명 도전막(102b)이 제2 방향으로 다수개 형성된다. 그런 다음, 제2 투명 도전막(102b)을 덮도록 유기 절연 물질이 전면 코팅된 후 경화됨으로써 제3 유기막(101c)이 형성된다. 그런 다음, 유리 기판(111)의 배면에 레이저가 조사됨으로써 유리 기판(111)은 플렉서블 기판(100)으로부터 분리된다. 이에 따라, 제1 유기막(101a)과, 제1 투명 도전막(102a)과, 제2 유기막(101b)과, 제2 투명 도전막(102b)과, 제3 유기막(101c)이 순차적으로 적층된 플렉서블 기판(100)이 완성된다.Such a flexible substrate 100 is formed by the manufacturing method shown in Fig. Specifically, the organic insulating material is coated on the glass substrate 111 and then cured to form the first organic layer 101a. A first transparent conductive film 102a is deposited on the first organic film 101a and then patterned through a photolithography process to form a plurality of first transparent conductive films 102a in the first direction. Then, the organic insulating material is coated on the entire surface to cover the first transparent conductive film 102a and then cured to form the second organic film 101b. The second transparent conductive film 102b is entirely deposited on the second organic film 101b and then patterned through a photolithography process to form a plurality of second transparent conductive films 102b in the second direction. Then, the organic insulating material is coated on the entire surface so as to cover the second transparent conductive film 102b and then cured to form the third organic film 101c. Then, a laser beam is irradiated to the back surface of the glass substrate 111, whereby the glass substrate 111 is separated from the flexible substrate 100. Thereby, the first organic film 101a, the first transparent conductive film 102a, the second organic film 101b, the second transparent conductive film 102b, and the third organic film 101c are sequentially The flexible substrate 100 is completed.

신호 라인(SL)은 도 3에 도시된 바와 같이 두 개 이상의 고리로 이루어진 사슬 형태로 형성되거나 도 4에 도시된 바와 같이 그물망 형태로 형성된다. 이 때, 도 3에 도시된 신호 라인은 고리들의 접점이 하나이며, 도 4에 도시된 신호 라인은 고리들의 접점이 다수개이다. 이러한 신호 라인(SL)은 표시 장치의 벤딩 또는 신축시 신호 라인(SL)의 일부가 단선되더라도 각 고리가 접점을 통해 연결되어 있으므로 신호 라인(SL)을 통해 신호 전송을 원활히 할 수 있다. 또한, 신호 라인(SL)은 표시 장치의 신축 방향에 대응하여 신장된다. 이에 따라, 도 5a에 도시된 바와 같이 표시 장치가 좌우로 신축될 때 신호 라인(SL) 역시 좌우로 길게 변형되어 신호 라인(SL)의 고리의 장축이 가로 방향으로 변형된다. 그리고, 도 5b에 도시된 바와 같이 표시 장치가 상하로 신축될 때 신호 라인(SL) 역시 상하로 길게 변형되어 신호 라인(SL)의 고리의 장축이 세로 방향으로 변형된다. 그리고 도 5c에 도시된 바와 같이 표시 장치가 특정 방향으로 신축될 때 신호 라인(SL) 역시 특정 방향으로 길게 변형된다.The signal lines SL are formed in a chain form of two or more rings as shown in FIG. 3 or in a mesh form as shown in FIG. In this case, the signal line shown in Fig. 3 has one contact of the rings, and the signal line shown in Fig. 4 has a plurality of contacts of the rings. The signal lines SL can smoothly transmit signals through the signal lines SL because the respective rings are connected through the contacts even if a part of the signal lines SL is disconnected when the display device is bent or expanded or contracted. In addition, the signal line SL is elongated corresponding to the elongating and contracting direction of the display device. Accordingly, as shown in FIG. 5A, when the display device is expanded and contracted to the left and right, the signal line SL is also deformed to the left and right so that the long axis of the loop of the signal line SL is deformed in the horizontal direction. 5B, when the display device is vertically expanded and contracted, the signal line SL is also vertically deformed so that the long axis of the loop of the signal line SL is deformed in the longitudinal direction. As shown in FIG. 5C, when the display device is expanded or contracted in a specific direction, the signal line SL is also deformed in a specific direction.

한편, 액정 표시 장치에 적용되는 신호 라인(SL)은 박막트랜지스터(T)와 접속된 게이트 라인 및 데이터 라인 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 그리고, 유기 발광 표시 장치에 적용되는 신호 라인(SL)은 스위칭 트랜지스터와 접속된 스캔 라인 및 데이터 라인, 구동 트랜지스터와 접속된 고전압 공급 라인, 캐소드 전극과 접속된 저전압 공급 라인, 센싱 트랜지스터에 접속된 센싱 제어 라인 및 레퍼런스 라인 중 적어도 어느 하나를 포함한다.Meanwhile, a signal line SL applied to a liquid crystal display device includes at least one of a gate line and a data line connected to the thin film transistor T. The signal line SL applied to the organic light emitting display includes a scan line and a data line connected to the switching transistor, a high voltage supply line connected to the driving transistor, a low voltage supply line connected to the cathode electrode, A control line, and a reference line.

박막트랜지스터(T)는 버퍼층(102), 액티브층(104), 게이트 전극(106), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)을 포함한다.The thin film transistor T includes a buffer layer 102, an active layer 104, a gate electrode 106, a source electrode 108 and a drain electrode 110.

액티브층(104)은 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(106)과 중첩되어 소스 전극(108)과 드레인 전극(110) 사이의 채널 영역을 형성한다. 이러한 액티브층(104)은 비정질 반도체 물질, 다결정 반도체 물질 및 산화물 반도체 물질 중 적어도 어느 하나로 형성된다.The active layer 104 overlaps the gate electrode 106 with the gate insulating film 112 interposed therebetween to form a channel region between the source electrode 108 and the drain electrode 110. The active layer 104 is formed of at least one of an amorphous semiconductor material, a polycrystalline semiconductor material, and an oxide semiconductor material.

게이트 전극(106)은 액티브층(104)을 덮는 게이트 절연막 상에 배치된다. 이 게이트 전극(106)은 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 액티브층(114)의 채널 영역과 중첩된다. 이러한 게이트 전극(106)은 액티브층(114)보다 상부에 위치하거나 하부에 위치한다. The gate electrode 106 is disposed on the gate insulating film that covers the active layer 104. The gate electrode 106 overlaps the channel region of the active layer 114 with the gate insulating film 112 therebetween. This gate electrode 106 is located above or below the active layer 114.

소스 전극(108)은 게이트 전극(106)을 덮는 층간 절연막(116) 상에 배치된다. 이 소스 전극(108)은 게이트 절연막(112) 및 층간 절연막(116)을 관통하는 제1 컨택홀(CH1)을 통해 액티브층(114)과 접속된다.The source electrode 108 is disposed on the interlayer insulating film 116 covering the gate electrode 106. The source electrode 108 is connected to the active layer 114 through the first contact hole CH1 passing through the gate insulating film 112 and the interlayer insulating film 116. [

드레인 전극(110)은 게이트 전극(106)을 덮는 층간 절연막(116) 상에 배치된다. 이 드레인 전극(110)은 소스 전극(108)과 마주하며, 게이트 절연막(112) 및 층간 절연막(116)을 관통하는 제2 컨택홀(CH2)을 통해 액티브층(114)과 접속된다.The drain electrode 110 is disposed on the interlayer insulating film 116 covering the gate electrode 106. The drain electrode 110 faces the source electrode 108 and is connected to the active layer 114 through the second contact hole CH2 passing through the gate insulating film 112 and the interlayer insulating film 116. [

한편, 게이트 절연막(112) 및 층간 절연막(116) 중 적어도 어느 하나는 유기막으로 형성된다. 이러한 유기막으로 형성되는 게이트 절연막(112) 및 층간 절연막(116) 중 적어도 어느 하나는 도 6에 도시된 바와 같이 그 상부면이 규칙적 또는 불규칙적인 주름 형상을 가지도록 형성된다. 이에 따라, 게이트 절연막(112) 및 층간 절연막(116) 중 적어도 어느 하나는 신축성을 가지게 되므로 표시 장치의 신축 방향에 따라 변형가능하다.At least one of the gate insulating film 112 and the interlayer insulating film 116 is formed of an organic film. As shown in FIG. 6, at least one of the gate insulating film 112 and the interlayer insulating film 116 formed of such an organic film is formed such that its upper surface has a regular or irregular wrinkle shape. Accordingly, at least one of the gate insulating film 112 and the interlayer insulating film 116 is stretchable, and therefore, it is deformable in accordance with the elongating and contracting direction of the display device.

이러한 주름을 가지는 게이트 절연막(112) 및 층간 절연막(116) 중 적어도 어느 하나는 임프린팅 공정 또는 포토리소그래피 공정을 통해 형성가능하다. At least one of the gate insulating film 112 and the interlayer insulating film 116 having such a wrinkle can be formed through an imprinting process or a photolithography process.

도 7a 내지 도 7c은 임프린팅 공정으로 형성되는 상부면이 주름진 게이트 절연막(112)의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.7A to 7C are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the gate insulating film 112 formed by the imprinting process and having the upper surface corrugated.

먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이 플렉서블 기판(100) 상에 액상의 유기 절연 물질이 전면 코팅됨으로써 상부면이 평탄한 게이트 절연막(112)이 형성된다. 그 게이트 절연막(112) 상부에 홈과 돌출부를 가지는 임프린트용 몰드(140)가 정렬된다. 여기서, 임프린트용 몰드는 우레탄 아크릴레이트(Urethane-acrylate) 또는 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane; PDMS)로 형성된다 그런 다음, 도 7b에 도시된 바와 같이 임프린트용 몰드(140)와 게이트 절연막(112)이 접촉하게 되면, 임프린트용 몰드(140)의 홈과 돌출부가 게이트 절연막(112)에 반전전사된다. 그런 다음, 경화공정을 통해 반전전사된 게이트 절연막(112)을 경화함으로써 표면이 주름진 게이트 절연막(112)이 형성된다. 그런 다음, 임프린트용 몰드(140)는 도 7c에 도시된 바와 같이 플렉서블 기판(100)과 분리된다.First, as shown in FIG. 7A, a liquid organic insulating material is coated on the flexible substrate 100, thereby forming a gate insulating film 112 having a flat upper surface. An imprint mold 140 having grooves and protrusions is aligned on the gate insulating film 112. Here, the imprint mold is formed of urethane acrylate or polydimethylsiloxane (PDMS). Then, as shown in FIG. 7B, the imprint mold 140 and the gate insulating film 112 are contacted with each other The grooves and protrusions of the imprint mold 140 are reversely transferred to the gate insulating film 112. Then, the gate insulating film 112 inverted through the curing process is cured to form the gate insulating film 112 whose surface is corrugated. Then, the imprint mold 140 is separated from the flexible substrate 100 as shown in Fig. 7C.

도 8a 내지 도 8d는 포토리소그래피 공정으로 형성되는 상부면이 주름진 게이트 절연막(112)의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a gate insulating film 112 having a top surface formed by a photolithography process.

먼저, 도 8a에 도시된 바와 같이 플렉서블 기판(100) 상에 감광성 유기절연 물질이 전면 코팅됨으로써 상부면이 평탄한 게이트 절연막(112)이 형성된다. 그 게이트 절연막(112) 상부에 반투과부, 투과부 및 차단부를 가지는 하프톤 마스크(도시하지 않음)가 정렬된다. 이 하프톤 마스크를 이용한 노광 공정을 통해 반투과부와 대응되는 게이트 절연막(112)은 도 8b에 도시된 바와 같이 그 게이트 절연막의 일부(112a)가 노광되고, 차단부와 대응되는 게이트 절연막(112)은 비노광되고 투과부와 대응되는 게이트 절연막(112)은 그 게이트 절연막(112)의 전부가 노광된다. 그런 다음, 노광된 게이트 절연막(112)은 도 8c에 도시된 바와 같이 현상공정을 통해 제거된 다음, 비노광된 게이트 절연막(112)은 경화됨으로써 도 8d에 도시된 바와 같이 표면이 주름진 게이트 절연막(112)이 형성된다. First, as shown in FIG. 8A, a photosensitive organic insulating material is coated on the flexible substrate 100 to form a gate insulating layer 112 having a flat upper surface. A halftone mask (not shown) having a transflective portion, a transmissive portion, and a blocking portion is aligned on the gate insulating film 112. As shown in FIG. 8B, the gate insulating layer 112 corresponding to the transflective portion is exposed through the exposure process using the halftone mask, and a portion of the gate insulating layer 112 corresponding to the blocking portion is exposed. And the entire portion of the gate insulating film 112 corresponding to the transmissive portion is exposed. Then, the exposed gate insulating film 112 is removed through a developing process as shown in FIG. 8C, and then the unexposed gate insulating film 112 is hardened to form a corrugated gate insulating film (as shown in FIG. 8D) 112 are formed.

이와 같은, 본 발명에 따른 박막트랜지스터는 도 9 및 도 10에 도시된 액정 표시 장치 및 도 11에 도시된 유기 전계 발광 소자 등의 표시 장치에 적용되거나, 기판 상에 형성되는 게이트 구동부 등의 구동 회로의 스위칭 소자로 적용된다. The thin film transistor according to the present invention may be applied to a liquid crystal display device shown in Figs. 9 and 10, a display device such as the organic electroluminescent device shown in Fig. 11, a driving circuit As shown in FIG.

액정 표시 장치에 적용되는 본 발명에 따른 박막트랜지스터(T)의 게이트 전극(106)은 도 9에 도시된 바와 같이 게이트 라인(GL)에 접속되며, 소스 전극(108)은 데이터 라인(DL)에 접속되며, 드레인 전극(110)은 제1 보호막(118)을 관통하는 화소 컨택홀(120)을 통해 화소 전극(122)에 접속된다. 이러한 액정 표시 장치의 화소 전극(122)과 드레인 전극(110) 사이에는 제1 보호막(118)이 배치되고, 화소 전극(122)과 공통 전극(124) 사이에는 제2 보호막(128)이 배치된다. 이 때, 제1 및 제2 보호막(118,128)은 액정 표시 장치의 신축성을 고려하여 그 상부면이 규칙적 또는 불규칙적인 주름 형상을 가지도록 형성된다.The gate electrode 106 of the thin film transistor T according to the present invention applied to the liquid crystal display device is connected to the gate line GL as shown in FIG. 9, and the source electrode 108 is connected to the data line DL And the drain electrode 110 is connected to the pixel electrode 122 through the pixel contact hole 120 passing through the first passivation layer 118. A first protective film 118 is disposed between the pixel electrode 122 and the drain electrode 110 of the liquid crystal display device and a second protective film 128 is disposed between the pixel electrode 122 and the common electrode 124 . At this time, the first and second protective films 118 and 128 are formed such that the upper surface thereof has a regular or irregular wrinkle shape in consideration of the stretchability of the liquid crystal display device.

또한, 유기 발광 표시 장치에 적용되는 본 발명에 따른 박막트랜지스터(T)는 도 11에 도시된 바와 같이 유기 발광 소자(130)를 구동하는 구동 트랜지스터, 및 그 구동 트랜지스터에 접속된 스위칭 트랜지스터에 적용된다.The thin film transistor T according to the present invention applied to the organic light emitting display is applied to a driving transistor for driving the organic light emitting element 130 and a switching transistor connected to the driving transistor as shown in FIG. .

스위칭 트랜지스터는 스캔 라인을 통해 공급된 게이트 전압에 응답하여 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 데이터신호가 스토리지 커패시터에 데이터전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터는 스토리지 커패시터에 저장된 데이터전압에 따라 고전압 공급 라인과 저전압 공급 라인 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다. The switching transistor operates so that the data signal supplied through the data line DL is stored as a data voltage in the storage capacitor in response to the gate voltage supplied through the scan line. The driving transistor operates so that the driving current flows between the high-voltage supply line and the low-voltage supply line in accordance with the data voltage stored in the storage capacitor.

유기 발광 소자(130)는 도 11에 도시된 바와 같이 구동 트랜지스터(T)와 접속된 애노드 전극(132), 적어도 하나의 발광 스택(134)을 사이에 두고 애노드 전극(132)과 대향하는 캐소드 전극(136)을 구비한다. 애노드 전극(132)은 보호막(118)을 관통하는 화소 컨택홀(120)을 통해 노출된 구동 트랜지스터의 드레인 전극(110)과 접속된다. 적어도 하나의 발광 스택(134)은 뱅크(138)에 의해 마련된 발광 영역의 애노드 전극(122) 상에 형성된다. 적어도 하나의 발광 스택(134)은 애노드 전극(122) 상에 정공 관련층, 유기 발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 적층되어 형성된다. 이외에도 발광 스택(134)은 전하 생성층을 사이에 두고 대향하는 제1 및 제2 발광 스택들을 구비할 수도 있다. 이 경우, 제1 및 제2 발광 스택 중 어느 하나의 유기 발광층은 청색광을 생성하고, 제1 및 제2 발광 스택 중 나머지 하나의 유기 발광층은 노란색-녹색광을 생성함으로써 제1 및 제2 발광 스택을 통해 백색광이 생성된다. 이 발광스택(134)에서 생성된 백색광은 발광 스택(134) 상부 또는 하부에 위치하는 컬러 필터(도시하지 않음)에 입사되므로 컬러 영상을 구현할 수 있다. 이외에도 별도의 컬러 필터 없이 각 발광 스택(134)에서 각 서브 화소에 해당하는 컬러광을 생성하여 컬러 영상을 구현할 수도 있다. 즉, 적색(R) 서브 화소의 발광 스택(134)은 적색광을, 녹색(G) 서브 화소의 발광 스택(134)은 녹색광을, 청색(B) 서브 화소의 발광 스택(134)은 청색광을 생성할 수도 있다.11, the organic light emitting device 130 includes an anode electrode 132 connected to the driving transistor T, a cathode electrode 132 facing the anode electrode 132 with at least one light emitting stack 134 interposed therebetween, (136). The anode electrode 132 is connected to the drain electrode 110 of the driving transistor exposed through the pixel contact hole 120 passing through the protective film 118. At least one luminescent stack 134 is formed on the anode electrode 122 of the luminescent region provided by the bank 138. At least one light-emitting stack 134 is formed on the anode electrode 122 in the order of the hole-related layer, the organic light-emitting layer, the electron-related layer, or the reverse order. In addition, the light emitting stack 134 may include first and second light emitting stacks opposing each other with a charge generation layer interposed therebetween. In this case, the organic light emitting layer of any one of the first and second light emitting stacks generates blue light, and the organic light emitting layer of the other of the first and second light emitting stacks generates yellow-green light, White light is generated. The white light generated in the light emitting stack 134 is incident on a color filter (not shown) positioned above or below the light emitting stack 134, so that a color image can be realized. In addition, a color image corresponding to each sub-pixel may be generated in each light emitting stack 134 without a separate color filter. That is, the light emitting stack 134 of red (R) sub-pixel generates red light, the light emitting stack 134 of green (G) sub-pixel generates green light, and the light emitting stack 134 of blue (B) You may.

이러한 유기 발광 표시 장치의 보호막(118) 및 뱅크(138) 중 적어도 어느 하나는 유기 발광 표시 장치의 신축성을 고려하여 그 상부면이 규칙적 또는 불규칙적인 주름 형상을 가지도록 형성된다.At least one of the protective layer 118 and the bank 138 of the organic light emitting display is formed with a regular or irregular wrinkle shape on the upper surface thereof in consideration of the stretchability of the OLED display.

한편, 표시 장치에 포함되는 전극들 중 적어도 어느 하나는 전도성 및 신축성(탄성)을 가지는 전도성 폴리머 또는 나노 튜브의 집합 구조 형성된다. 즉, 표시 장치에 포함된 게이트 전극(106), 소스 전극(108), 드레인 전극(110), 액정 표시 소자의 화소 전극(122) 및 공통 전극(124), 유기 발광 표시 장치의 애노드 전극(132) 및 캐소드 전극(136) 중 적어도 어느 하나는 전도성 폴리머 또는 도 12에 도시된 바와 같이 나노 튜브로 형성된다. 이에 따라, 표시 장치에 포함된 전극들의 나노 튜브는 도 13a에 도시된 바와 같이 표시 장치가 좌우로 신축될 때 좌우로 길게 변형되고 도 13b에 도시된 바와 같이 표시 장치가 상하로 신축될 때 상하로 길게 변형된다.On the other hand, at least one of the electrodes included in the display device is formed of a conductive polymer or nanotube having a conductive and elastic (elastic) structure. That is, the gate electrode 106, the source electrode 108, the drain electrode 110, the pixel electrode 122 and the common electrode 124 of the liquid crystal display element included in the display device, the anode electrode 132 And the cathode electrode 136 are formed of a conductive polymer or a nanotube as shown in FIG. 13A, the nanotubes of the electrodes included in the display device are deformed to a left and right when the display device is expanded or contracted to the left or to the right. When the display device is vertically expanded or contracted as shown in FIG. 13B, It is deformed long.

한편, 본 발명에 따른 표시 장치는 차량용(auto) 계기판(dashboard) 및 차량용 광원, 의료용 또는 의류용 웨어러블(wearable),, 가상 현실(VR) 표시 장치, 전자 수첩, 전자책, 태양 전지, 모바일용 전자 기기, 조명 장치 등에 적용될 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 표시 장치는 차량 내부 및 외부의 굴곡면에 적용가능하며, 인체의 모든 굴곡부에 대응하여 신축가능하며, 센서 및 조명 등의 리지드(Rigid) 장치의 분야에서 다양한 형태로 변형 가능하다. 이에 따라, 본 발명에 따른 표시 장치는 표시 장치의 신축 및 벤딩시 곡률 변화 부분에서 발생되는 주름(Wrinkle) 없이 면적 변화 및 다양한 굴곡면에 적용 가능한 디스플레이를 구현할 수 있다.Meanwhile, the display device according to the present invention can be used for a vehicle dashboard and a vehicular light source, a wearable for medical or apparel, a virtual reality (VR) display device, an electronic notebook, an electronic book, Electronic devices, lighting devices, and the like. In this case, the display device according to the present invention can be applied to curved surfaces inside and outside the vehicle, and can be stretched and contracted corresponding to all bends of the human body, and can be deformed in various forms in the field of rigid devices such as sensors and lights. It is possible. Accordingly, the display device according to the present invention can realize a display that can be applied to a variety of curved surfaces and an area change without wrinkles generated in a curved portion when the display device is stretched or bent.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the specification of the present invention are not intended to limit the present invention. The scope of the present invention should be construed according to the following claims, and all the techniques within the scope of equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.

100 : 플렉서블 기판 104 : 액티브층
106 : 게이트 전극 108 : 소스 전극
110 : 드레인 전극 122 : 화소 전극
124 : 공통 전극 130 : 발광 소자 100: flexible substrate 104: active layer
106: gate electrode 108: source electrode
110: drain electrode 122: pixel electrode
124: common electrode 130: light emitting element

Claims (9)

다수의 유기막들과, 다수의 투명 도전막들을 가지는 플렉서블 기판과;
상기 플렉서블 기판 상에 배치된 박막트랜지스터를 구비하며,
상기 투명 도전막은 상기 유기막들 사이에 배치되는 표시 장치.A flexible substrate having a plurality of organic films and a plurality of transparent conductive films;
And a thin film transistor disposed on the flexible substrate,
Wherein the transparent conductive film is disposed between the organic films. 제 1 항에 있어서,
상기 다수의 투명 도전막은
상기 유기막 상에 제1 방향으로 배열되는 다수의 제1 투명 도전막과;
상기 다수의 제1 투명 도전막을 덮는 유기막 상에 제2 방향으로 배열되는 다수의 제2 투명 도전막을 구비하는 표시 장치.The method according to claim 1,
The plurality of transparent conductive films
A plurality of first transparent conductive films arranged on the organic layer in a first direction;
And a plurality of second transparent conductive films arranged in a second direction on the organic film covering the plurality of first transparent conductive films. 제 1 항에 있어서,
상기 박막트랜지스터는
상기 플렉서블 기판 상에 배치되는 액티브층과;
상기 액티브층을 덮는 게이트 절연막 상에 배치되는 게이트 전극과;
상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연막 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극을 구비하며,
상기 게이트 절연막 및 층간 절연막 중 적어도 어느 하나는 상부면이 주름진 유기막으로 이루어진 표시 장치.The method according to claim 1,
The thin film transistor
An active layer disposed on the flexible substrate;
A gate electrode disposed on the gate insulating film covering the active layer;
And source and drain electrodes disposed on the interlayer insulating film covering the gate electrode,
Wherein at least one of the gate insulating film and the interlayer insulating film has a corrugated organic film on its upper surface. 제 3 항에 있어서,
상기 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나는 전도성 폴리머 또는 나노 튜브의 집합 구조로 이루어진 표시 장치.The method of claim 3,
Wherein at least one of the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode includes a conductive polymer or a nanotube aggregate structure. 제 1 항에 있어서,
상기 플렉서블 기판 상에 배치되는 적어도 하나의 신호 라인을 추가로 구비하며,
상기 신호 라인은 사슬 형태 또는 그물망 형태로 이루어진 표시 장치.The method according to claim 1,
Further comprising at least one signal line disposed on the flexible substrate,
Wherein the signal lines are in the form of a chain or mesh. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박막트랜지스터와 접속되는 화소 전극과;
상기 화소 전극과 전계를 이루는 공통 전극을 더 구비하며,
상기 화소 전극 및 공통 전극 중 적어도 어느 하나는 전도성 폴리머 또는 나노 튜브의 집합 구조로 이루어진 표시 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
A pixel electrode connected to the thin film transistor;
And a common electrode which forms an electric field with the pixel electrode,
Wherein at least one of the pixel electrode and the common electrode has an aggregate structure of a conductive polymer or a nanotube. 제 6 항에 있어서,
상기 드레인 전극을 노출시키는 화소 컨택홀을 가지는 제1 보호막과;
상기 화소 전극 및 공통 전극 사이에 배치되는 제2 보호막을 추가로 구비하며,
상기 제1 및 제2 보호막 중 적어도 어느 하나는 상부면이 주름진 유기막으로 이루어진 표시 장치.The method according to claim 6,
A first protective layer having a pixel contact hole exposing the drain electrode;
And a second protective film disposed between the pixel electrode and the common electrode,
Wherein at least one of the first and second protective films comprises a corrugated organic film on the upper surface. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박막트랜지스터와 접속되는 애노드 전극과;
상기 애노드 전극과 대향하는 캐소드 전극과;
상기 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 배치되는 적어도 하나의 발광 스택을 더 구비하며,
상기 애노드 전극 및 캐소드 전극 중 적어도 어느 하나는 전도성 폴리머 또는 나노 튜브의 집합 구조로 이루어진 표시 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
An anode electrode connected to the thin film transistor;
A cathode electrode facing the anode electrode;
And at least one light emitting stack disposed between the anode electrode and the cathode electrode,
Wherein at least one of the anode electrode and the cathode electrode has an aggregate structure of a conductive polymer or a nanotube. 제 8 항에 있어서,
상기 드레인 전극을 노출시키는 화소 컨택홀을 가지는 보호막과;
상기 애노드 전극을 노출시키는 뱅크를 추가로 구비하며,
상기 보호막 및 뱅크 중 적어도 어느 하나는 상부면이 주름진 유기막으로 이루어진 표시 장치.9. The method of claim 8,
A protective film having a pixel contact hole exposing the drain electrode;
And a bank for exposing the anode electrode,
Wherein at least one of the protective film and the bank comprises a corrugated organic film on the upper surface.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012079419A (en) 2010-09-30 2012-04-19 Dainippon Printing Co Ltd Organic electroluminescent panel and manufacturing method for the same
JP2012094301A (en) 2010-10-25 2012-05-17 Dainippon Printing Co Ltd Organic electroluminescent panel sealing substrate and organic electroluminescent panel
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