KR101916311B1 - Phase Shift Mask - Google Patents

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Abstract

본 발명은 위상반전 마스크를 제공한다. 상기 위상반전 마스크는 투명기판; 및 상기 투명기판 상에 위치하며, Cr, Ta, Ti 및 Ni중 선택된 금속에 O2, N2, Co2중에서 선택된 활성 산소를 첨가함으로써 생성된 산화 금속으로 형성되는 위상반전 패턴부를 포함한다. 본 발명에 따르면 종래 반도체 공정용 위상반전 마스크가 아닌 LCD 공정용 위상반전 마스크를 제공할 수 있다. The present invention provides a phase reversal mask. Wherein the phase shift mask comprises a transparent substrate; And a phase reversal pattern portion formed on the transparent substrate and formed of a metal oxide produced by adding active oxygen selected from O2, N2, and Co2 to a metal selected from Cr, Ta, Ti, and Ni. According to the present invention, it is possible to provide a phase inversion mask for an LCD process, which is not a conventional phase inversion mask for a semiconductor process.

Description

위상반전 마스크{Phase Shift Mask} Phase Shift Mask < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 위상반전 마스크에 관한 것이다. The present invention relates to a phase inversion mask.

종래의 위상반전마스크는 반도체용 PSM(Phase Shift Mask)으로 개발/연구가 많이 되고 있다. 현재 LCD용 PSM 물질 개발은 이루어지지 않은 상황으로, LCD에서도 미세 선폭 구현을 위한 PSM 개발이 시급한 실정이다. Conventional phase inversion masks have been developed / studied as PSM (Phase Shift Mask) for semiconductors. Currently, PSM materials for LCDs have not been developed, and it is urgent to develop PSMs for LCDs to realize fine line widths.

많이 개발되고 있는 반도체 PSM의 경우 대부분이 2개의 층(Double Layer)들을 포함하는데, 예컨대, 공개특허공보 제10-2008-0054932호에 개시되어 있다.Most of the developed semiconductor PSMs include two layers (Double Layer), for example, disclosed in Published Patent Application No. 10-2008-0054932.

도 1은 종래 기술에 따른 위상반전 마스크의 구조를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a structure of a phase inversion mask according to the prior art.

도 1을 참조하면, 위상반전 마스크는 투명기판(100), 차광패턴(200), 위상반전 패턴(300)을 포함한다. 또한, 위상반전 마스크는 광투과율 조절부재(400)을 포함할 수 있다. 차광패턴(200)은 상기 투명기판(100) 상에 위치하여 광이 상기 투명기판(100)으로 입사되는 것을 차단하며, 상기 투명기판(100)을 부분적으로 노출한다. 위상반전 패턴(300)을 상기 노출된 상기 투명기판의 상면에 위치하며, 입사된 광의 위상을 변화시킨다. 광투과율 조절부재(400)는 위상반전 패턴(300)에 대한 투과율을 조절한다. Referring to FIG. 1, a phase inversion mask includes a transparent substrate 100, a light shielding pattern 200, and a phase reversal pattern 300. In addition, the phase reversal mask may include a light transmittance controlling member 400. The shielding pattern 200 is positioned on the transparent substrate 100 to block light from entering the transparent substrate 100 and partially expose the transparent substrate 100. The phase inversion pattern 300 is positioned on the exposed upper surface of the transparent substrate and changes the phase of the incident light. The light transmittance adjusting member 400 adjusts the transmittance of the phase shift pattern 300.

이와 같이, 종래에는 많은 반도체 PSM의 경우 2개의 층(Double Layer)을 포함한다. 이러한 위상반전 마스크를 제조하기 위해서는 투명기판 상에 2개의 층을 적층한 후 2개의 층에 대해 위상반전 패턴 또는 차광 패턴을 갖도록 에칭 공정이 이루어진다. 그런데, 에칭시에 2개의 층을 이루는 각각의 물질의 내화학성이 다르기 때문에 완전하게 에칭이 되지 않을 확률이 높다. 또는, 에칭이 되더라도 패턴 디자인(pattern design)의 변형이 생길 수 있다. Thus, conventionally, many semiconductor PSMs include two layers (Double Layer). In order to manufacture such a phase reversal mask, an etching process is performed so that two layers are laminated on a transparent substrate and then a phase reversal pattern or a light shielding pattern is formed for the two layers. However, since the chemical compositions of the two materials constituting the two layers are different during etching, there is a high probability that the etching is not completely performed. Alternatively, even if etching is performed, a pattern design may be deformed.

또한 기존에 연구되고 있는 반도체용의 위상반전 패턴을 형성하는 물질(Material)들은 실리사이드계의 산화물이나 질화물이 대부분을 이루고 있어 유전상수가 매우 낮은 단점이 있는 물질들이다.In addition, materials that form phase reversal patterns for semiconductors that are being studied have mostly disadvantages in that they have a very low dielectric constant due to the formation of silicide-type oxides or nitrides.

LCD에서도 점점 미세선폭 구현을 필요로 하고 있으나, 현 LCD 노광기에서 구현할 수 있는 한계가 있다. 그 한계점을 극복하기 위한 방안으로 LCD용 위상반전 마스크(Phase shift Mask)의 개발이 필요하다. LCDs are increasingly required to implement fine line widths, but there are limitations that can be implemented in current LCD exposures. To overcome this limitation, it is necessary to develop phase shift mask for LCD.

따라서 본 발명의 목적은 상기한 선행기술의 제반 문제점을 감안하여 LCD용 위상반전 마스크를 제공하는 데에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a phase shift mask for LCD.

본 발명의 일 실시예에 따른 위상반전 마스크는 투명기판; 및 상기 투명기판 상에 위치하며, Cr, Ta, Ti 및 Ni중 선택된 금속에 O2, N2, Co2중에서 선택된 활성 산소를 첨가함으로써 생성된 산화 금속으로 형성되는 위상반전 패턴부를 포함한다.A phase shift mask according to an embodiment of the present invention includes a transparent substrate; And a phase reversal pattern portion formed on the transparent substrate and formed of a metal oxide produced by adding active oxygen selected from O2, N2, and Co2 to a metal selected from Cr, Ta, Ti, and Ni.

상기 위상반전 패턴부는 2000Å 이하의 두께를 가지며, 광투과율이 20% 이하일 수 있다.The phase inversion pattern portion may have a thickness of 2000 angstroms or less and a light transmittance of 20% or less.

상기 위상반전 패턴부는 1000Å을 기준으로 미리 결정된 범위의 두께를 가지며, 투과율이 10% 이하일 수 있다.The phase inversion pattern portion may have a thickness within a predetermined range on the basis of 1000 angstroms, and the transmittance may be 10% or less.

상기 위상반전 마스크는, 위상반전패턴부 상에 위치하여 광을 차단하며 상기 위상반전패턴부의 측면 에지를 노출하도록 상기 위상반전 패턴부보다 작게 형성되는 차광 패턴부를 더 포함할 수 있다.The phase inversion mask may further include a light shield pattern portion disposed on the phase inversion pattern portion and formed to be smaller than the phase inversion pattern portion so as to block light and expose a side edge of the phase inversion pattern portion.

상기 위상반전 마스크는, 상기 투명기판 상에 위치하여 광을 차단하며 차광 패턴부를 더 포함하며, 상기 위상반전 패턴부는 상기 차광 패턴부의 측면에 인접하여 형성되는 하나 이상의 부분을 포함할 수 있다.The phase inversion mask further includes a light shielding pattern portion disposed on the transparent substrate to block light and the phase shift pattern portion may include at least one portion formed adjacent to a side surface of the light shielding pattern portion.

상기 위상반전 패턴부는 상기 차광 패턴부 상에 형성되는 부분을 더 포함할 수 있다.The phase inversion pattern portion may further include a portion formed on the light-shielding pattern portion.

상기 차광 패턴부 상에 형성된 위상반전 패턴부의 부분은 상기 차광 패턴부와 동일한 영역을 가질 수 있다.The portion of the phase inversion pattern portion formed on the light-shielding pattern portion may have the same area as the light-shielding pattern portion.

본 발명에 따르면 종래 반도체 공정용 위상반전 마스크가 아닌 LCD 공정용 위상반전 마스크를 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a phase inversion mask for an LCD process, which is not a conventional phase inversion mask for a semiconductor process.

도 1은 종래 기술에 따른 위상반전 마스크의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 위상반전 마스크를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상반전 마스크에 의해 이루어진 투과광의 위상 반전을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전 마스크의 단면도를 나타낸 도면이다.
도 5은 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전 마스크에 의해 이루어진 투과광의 위상 반전을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view showing a structure of a phase inversion mask according to the prior art.
2 is a view showing a phase inversion mask according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining phase inversion of transmitted light made by a phase inversion mask according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a phase inversion mask according to another embodiment of the present invention.
5 is a view for explaining phase inversion of transmitted light made by a phase inversion mask according to another embodiment of the present invention.

일반적으로, 고해상도의 패턴을 구현하기 위해 다양한 해상도 향상기술(Resolution Enhancement Technology, RET)이 적용되고 있다. 예를 들면, 패턴 형성을 위한 조사 광원으로 248nm의 파장을 갖는 불화크립톤(KrF) 엑시머 레이저, 193nm의 파장을 갖는 불화아르곤(ArF) 엑시머 레이저에서와 같은 단파장 광의 사용이 일반화되고 있는 경향이다. In general, various resolution enhancement technologies (RET) are applied to realize a high-resolution pattern. For example, the use of short wavelength light such as a KrF excimer laser having a wavelength of 248 nm as an irradiation light source for pattern formation and an ArF excimer laser having a wavelength of 193 nm tends to be generalized.

이러한 248, 193nm의 파장을 갖는 조사 광원에 대하여 반도체용의 위상반전 마스크의 위상 반전 패턴은 MoSi계 물질로 주로 구성된다. MoSi계 물질은 실리사이드계의 산화물이나 질화물이 대부분을 이루고 있어 유전상수가 매우 낮은 단점이 있다. For such an irradiation light source having a wavelength of 248 or 193 nm, the phase inversion pattern of the phase shift mask for semiconductor is mainly composed of MoSi-based material. MoSi-based materials have a disadvantage in that their dielectric constants are very low because they are composed mostly of silicide-type oxides or nitrides.

이러한 위상반전 마스크는 현재 LCD 제조 공정에도 사용되고 있지만, 반도체와 그 특성이 다른 LCD 전용으로 사용될 수 있는 위상반전 마스크는 거의 개발되지 않고 있다. 따라서, LCD에서도 미세선폭 구현을 위한 위상반전 마스크를 개발하는 것이 필요하다.Although such phase inversion masks are currently used in LCD manufacturing processes, phase inversion masks which can be used only for LCDs having different characteristics from semiconductors are scarcely developed. Therefore, it is necessary to develop a phase inversion mask for LCD to realize a fine line width.

이런 점을 보완하기 위해 본 발명은 LCD에서 사용하는 복합파장에서 유전상수가 큰 메탈 산화물로 위상 반전(phase shift) 효과가 나타나는 위상반전 마스크의 위상 반전 패턴을 개발하였다. In order to compensate for this, the present invention has developed a phase inversion pattern of a phase inversion mask in which a phase shift effect is exhibited by a metal oxide having a large dielectric constant at a complex wavelength used in an LCD.

구체적으로, 본 발명의 위상반전 마스크는 투명기판; 및 상기 투명기판 상에 위치하며, Cr, Ta, Ti 및 Ni중 선택된 금속에 O2, N2, Co2중에서 선택된 활성 산소를 첨가함으로써 생성된 산화 금속으로 형성되며, 2000Å 이하의 두께를 가지며, 광투과율이 20% 이하인 위상반전 패턴부를 포함한다. Specifically, the phase shift mask of the present invention comprises a transparent substrate; And a metal oxide layer formed on the transparent substrate and formed by adding active oxygen selected from O2, N2 and Co2 to a metal selected from the group consisting of Cr, Ta, Ti, and Ni, having a thickness of 2000 Å or less, And a phase reversal pattern portion of 20% or less.

바람직하게, 위상반전 패턴부(620)은 1000Å 내외의 두께 및 10% 이하의 투과율을 갖도록 형성된다. Preferably, the phase inversion pattern portion 620 is formed to have a thickness of about 1000 ANGSTROM or less and a transmittance of 10% or less.

이하, 본 발명에 따른 위상반전 마스크에 관하여 도면을 참조하여 좀 더 자세히 설명한다. Hereinafter, the phase inversion mask according to the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 위상반전 마스크를 나타내는 도면으로, 도 2(a)는 본 발명의 일실시예에 따른 위상반전 마스크를 위에서 바라본 정면도를 나타내며, 도 2(b)는 상기 도 2(a)의 위상반전 마스크의 단면도를 나타낸다.FIG. 2 is a view showing a phase inversion mask according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 (a) is a front view of the phase inversion mask according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 (a) is a cross-sectional view of the phase inversion mask.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 위상반전 마스크는 광을 투과시키는 투명기판(510), 투명기판(510) 상에 위치하는 위상반전패턴부(520) 및 위상반전 패턴부(520) 상에 형성된 차광 패턴부(530)를 포함한다. 2, a phase inversion mask according to an embodiment of the present invention includes a transparent substrate 510 through which light is transmitted, a phase inversion pattern unit 520 located on the transparent substrate 510, Shielding pattern portion 530 formed on the light-shielding portion 520.

투명기판(510)은 입사된 광을 모두 투과시키며, 석영(Quartz)으로 구성된 유리기판을 포함한다. 위상반전 패턴부(520)는 투명기판(510) 상에 위치하며, 하나의 층(layer) 또는 하나의 막(film)으로 형성된다. 차광 패턴부(530)는 위상반전 패턴부(520) 상에 위치 또는 형성된다. 차광 패턴부(530)는 위상반전 패턴부(520)의 일부를 노출하도록 형성된다. 예컨대, 차광 패턴부(530)는 위상반전 패턴부(520)의 측면 에지를 노출하도록 상기 위상반전 패턴부(520)보다 작게 형성된다. 그에 따라, 조사 광이 노출된 위상반전 패턴부(520)의 일부에서 회절되어 원하는 회절 광을 얻을 수 있다. 차광 패턴부(530)에 의해 커버되지 않은 위상반전 패턴부(520)의 일부를 위상반전 테일(tail)이라고도 한다. The transparent substrate 510 transmits all the incident light and includes a glass substrate composed of quartz. The phase inversion pattern portion 520 is disposed on the transparent substrate 510 and is formed of one layer or one film. The light shielding pattern portion 530 is positioned or formed on the phase shift pattern portion 520. The light shielding pattern portion 530 is formed to expose a part of the phase inversion pattern portion 520. For example, the light-shielding pattern portion 530 is formed to be smaller than the phase inversion pattern portion 520 so as to expose the side edge of the phase inversion pattern portion 520. Accordingly, the irradiation light is diffracted in a part of the exposed phase inversion pattern portion 520 to obtain the desired diffracted light. A part of the phase inversion pattern portion 520 not covered by the shielding pattern portion 530 is also referred to as a phase inversion tail.

상기 위상반전패턴부(520)는 Cr, Ta, Ti 및 Ni 중에서 선택된 금속에 O2, N2 및 Co2 중에서 선택된 활성 산소를 첨가함으로써 생성된 산화 금속으로 형성된다. 이에 따라, 위상반전패턴부(520)의 재료(material)는 유전상수가 큰 메탈 산화물이다. The phase inversion pattern portion 520 is formed of a metal oxide produced by adding active oxygen selected from O2, N2, and Co2 to a metal selected from Cr, Ta, Ti, and Ni. Accordingly, the material of the phase inversion pattern portion 520 is a metal oxide having a large dielectric constant.

위상반전 패턴부(520)는 2000Å 이하의 두께 및 20% 이하의 투과율을 갖도록 형성된다. 바람직하게는 위상반전 패턴부(520)은 1000Å 내외의 두께 및 10% 이하의 투과율을 갖도록 형성된다. 이 경우, 1000Å 내외의 두께는 1000Å을 기준으로 미리 결정될 수 있다. 그에 따라, 위상반전패턴부(520)는 얇은 막 즉, 박막으로 형성된다. The phase inversion pattern portion 520 is formed to have a thickness of 2000 angstroms or less and a transmittance of 20% or less. Preferably, the phase shift pattern portion 520 is formed to have a thickness of about 1000 ANGSTROM and a transmittance of 10% or less. In this case, the thickness of about 1000 angstroms can be predetermined based on 1000 angstroms. Accordingly, the phase inversion pattern portion 520 is formed as a thin film, that is, a thin film.

위상반전 패턴부(520)는 박막으로 형성되기 때문에, 그 두께의 크기에 따라 그 광학적 및 물리적 특성이 변경될 수 있다. 즉, 박막의 특성이 두께에 의해 좌우된다. Since the phase inversion pattern unit 520 is formed as a thin film, its optical and physical characteristics can be changed depending on the thickness of the phase inversion pattern unit 520. [ That is, the characteristics of the thin film depend on the thickness.

이에 대해 상세히 설명하면, 단일상을 지니는 벌크(bulk) 혹은 400 nm이상의 두께를 가진 두꺼운 막(후막)에서 밀도, 굴절률, 흡수계수와 같은 세기 특성(intensive property)들은 크기(dimension)에 무관한 상수값을 지닌다.　 반면, 박막의 세기 특성들은 여러가지 조건에 영향을 받는다. 보통, 박막의 초기 성장층을 전이층(transition layer)이라 정의하는데, 이 층은 두께 방향으로의 구조적 불균일성을 보인다. 전이층은 두께 방향으로의 급격한 스트레스 변화를 나타내기 때문에, 박막 특성도 두께에 의존하게 된다. In detail, intensive properties such as density, refractive index, and absorption coefficient in a bulk (thick film) having a single phase or a thick film (thick film) having a thickness of 400 nm or more are constants independent of the dimension Value. On the other hand, the strength characteristics of the thin film are affected by various conditions. Usually, the initial growth layer of a thin film is defined as a transition layer, which shows structural nonuniformity in the thickness direction. Since the transition layer shows a rapid stress change in the thickness direction, the thin film characteristic also depends on the thickness.

급격한 스트레스 변화를 보이는 두께는 약 1000Å으로 알려져 있다. 이러한 스트레스 분포는 두께 방향으로의 조성 변화를 야기시킬 수 있다. 위상반전 패턴부(520)의 두께가 두꺼워짐에 따라 투과도가 저하되고 또한 두께가 너무 얇아지면 노광에 영향을 미치며, 이는 해당 위상반전 마스크가 마스크로서 기능을 상실하게 한다. Thickness of rapid stress change is known to be about 1000 Å. This stress distribution can cause compositional change in the thickness direction. As the thickness of the phase inversion pattern portion 520 becomes thicker, the transmittance decreases and the thickness becomes too thin, which affects the exposure, which causes the phase inversion mask to lose its function as a mask.

따라서, 본 발명에서는 위상반전 패턴부(520)는 노광현상에 영향을 미치는 않는 범위에서 높은 투과도(transmittance)를 나타낼 수 있도록 2000Å 이하의 두께 및 20% 이하의 투과율을 갖도록 형성된다. 바람직하게는, 위상반전 패턴부(520)는 1000Å 내외의 두께 및 10% 이하의 투과율을 갖도록 형성된다. 이에 따라, LCD 노광 파장에서 위상반전 패턴부(520)를 투과한 광은 소정 각도 예컨대, 180도 위상 시프트된다. Accordingly, in the present invention, the phase inversion pattern unit 520 is formed to have a thickness of 2000 angstroms or less and a transmittance of 20% or less so as to exhibit a high transmittance within a range that does not affect exposure. Preferably, the phase shift pattern portion 520 is formed to have a thickness of about 1000 ANGSTROM and a transmittance of 10% or less. Accordingly, the light transmitted through the phase inversion pattern unit 520 at the LCD exposure wavelength is phase-shifted by a predetermined angle, for example, 180 degrees.

상기 위상반전 마스크를 LCD 노광 공정의 마스크 패턴으로 이용하는 경우, 상기 투명기판(510)를 통과한 투과광은 회절되어 노광대상기판의 표면에서 간섭광을 형성한다. 이때, 주로 간섭되지 않은 0차광과 1차 보강간섭된 광인 1차광에 의해 노광대상 기판에 대한 노광이 수행된다. 상기 위상반전 패턴부(520)는 입사광과 비교하여 투과광의 위상을 적절하게 변경시킴으로써 간섭에 의해 형성되는 0차광과 1차광의 광의 세기를 일정한 범위에서 제어할 수 있다.When the phase inversion mask is used as a mask pattern in the LCD exposure process, the transmitted light passing through the transparent substrate 510 is diffracted to form interference light on the surface of the substrate to be exposed. At this time, the exposure to the substrate to be exposed is performed by the primary light, which is mainly the non-interfered zero-order light and the first-order reinforcement interfering light. The phase inversion pattern unit 520 can control the intensities of the light of the zero-order light and the first order light, which are formed by interference, in a certain range by appropriately changing the phase of the transmitted light as compared with the incident light.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상반전 마스크에 의해 이루어진 투과광의 위상 반전을 설명하기 위한 도면이다. 도 3(a)는 기존 마스크에 의해 이루어진 투과광의 위상 반전을 나타낸 도면이고, 도 3(b)는 도 2의 위상반전 마스크에 의해 이루어진 투과광의 위상 반전을 나타낸 도면이다. 3 is a view for explaining phase inversion of transmitted light made by a phase inversion mask according to an embodiment of the present invention. 3 (a) is a view showing the phase inversion of the transmitted light made by the existing mask, and Fig. 3 (b) is a view showing the phase inversion of the transmitted light made by the phase inversion mask shown in Fig.

도 3(a)를 참조하면, 광이 종래 마스크로 조사되면, 마스크의 패턴대로 빛이 투과하는 부분과 투과되지 않은 부분이 발생하는데, 차광 영역과 투광 영역의 경계에서 투광 영역들을 통과한 광이 결합되어 마스크 패턴에 따라 포토레지스트막 패턴이 형성되기 어려웠다. 반면, 도 3(b)를 참조하면, 투광 영역을 투과한 광이 위상반전 패턴부(520)에 의해 위상 반전되어, 투명기판의 인접한 투광 영역을 투과한 광들이 반전되어 포토레지스트막에 미세 패턴을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3 (a), when light is irradiated with a conventional mask, a light transmitting portion and a non-transmitting portion are generated in accordance with the pattern of the mask. Light passing through the light transmitting regions at the boundary between the light shielding region and the light transmitting region It was difficult to form a photoresist film pattern according to the mask pattern. 3 (b), the light transmitted through the light-transmitting region is inverted in phase by the phase inversion pattern unit 520, and the light transmitted through the adjacent light-transmitting region of the transparent substrate is inverted, Can be formed.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전 마스크의 단면도를 나타낸 도면이다. 4 is a cross-sectional view of a phase inversion mask according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 위상반전 마스크는 광을 투과시키는 투명기판(610), 투명기판(610) 상에 위치하는 차광 패턴부(620) 및 위상반전 패턴부(630)을 포함한다. 4, a phase inversion mask according to another embodiment of the present invention includes a transparent substrate 610 through which light is transmitted, a light-shielding pattern portion 620 located on the transparent substrate 610, and a phase inversion pattern portion 630 ).

차광 패턴부(620)는 투명기판(610) 상에 위치하여 조사 광을 차단한다. 위상반전 패턴부(630)는 차광 패턴부(620) 상에 형성되는 제1 부분(632) 및 차광 패턴부(620)의 측면에 인접하여 형성된 제2 부분(634)를 포함한다. 여기에서, 위상반전 패턴부(630)의 제2 부분(634)은 차광 패턴부(620)의 측면에 바로 접할 수 있다.The light shielding pattern portion 620 is disposed on the transparent substrate 610 to cut off irradiation light. The phase inversion pattern portion 630 includes a first portion 632 formed on the light shielding pattern portion 620 and a second portion 634 formed adjacent to a side surface of the light shielding pattern portion 620. [ Here, the second portion 634 of the phase inversion pattern portion 630 may be in direct contact with the side surface of the light-shielding pattern portion 620.

위상반전 패턴부(630)의 제1 부분은 차광 패턴부(620) 상에 형성되어 있기 때문에, 조사 광의 위상 반전에 거의 역할을 하지 않는다. 즉, 투명기판(610)을 투과한 광이 차광 패턴부(620)에 의해 차단되고 그에 따라 차광 패턴부(620) 상에 형성된 위상반전 패턴부(630)의 제1 부분에 도달하지 않기 때문이다. 상기 제2 부분은 상기 차광 패턴부와 동일한 영역 또는 면적을 갖는다. Since the first portion of the phase inversion pattern portion 630 is formed on the light shielding pattern portion 620, it hardly plays a role in phase reversal of the irradiation light. That is, the light transmitted through the transparent substrate 610 is shielded by the shielding pattern portion 620 and accordingly does not reach the first portion of the phase inverting pattern portion 630 formed on the shielding pattern portion 620 . And the second portion has the same area or area as the light-shielding pattern portion.

위상반전패턴부(630)의 제2 부분은 투명기판(610)을 투과한 광을 위상 반전시킨다. 이 위상반전 패턴부(630)의 제2 부분은 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 다른 위상반전 마스크에서 위상반전 테일과 유사한 역할을 수행한다. The second portion of the phase inversion pattern portion 630 inverts the phase of the light transmitted through the transparent substrate 610. The second portion of the phase inversion pattern portion 630 plays a similar role as the phase inversion tail in the phase inversion mask according to an embodiment of the present invention shown in FIG.

조사 광이 노출된 위상반전 패턴부(630)의 제2 부분(634)에서 회절되어 원하는 회절 광을 얻을 수 있다. The irradiation light is diffracted at the second portion 634 of the exposed phase inversion pattern portion 630 to obtain the desired diffracted light.

이러한 위상반전패턴부(630)은 본 발명의 일 실시예에서와 같이, Cr, Ta, Ti 및 Ni 중에서 선택된 금속에 O2, N2 및 Co2 중에서 선택된 활성 산소를 첨가함으로써 생성된 산화 금속으로 형성된다. This phase inversion pattern portion 630 is formed of a metal oxide produced by adding active oxygen selected from O2, N2, and Co2 to a metal selected from Cr, Ta, Ti, and Ni, as in an embodiment of the present invention.

또한, 위상반전 패턴부(620)는 2000Å 이하의 두께 및 20% 이하의 투과율을 갖도록 형성된다. 바람직하게는 위상반전 패턴부(620)은 1000Å 내외의 두께 및 10% 이하의 투과율을 갖도록 형성된다. In addition, the phase inversion pattern portion 620 is formed to have a thickness of 2000 angstroms or less and a transmittance of 20% or less. Preferably, the phase shift pattern portion 620 is formed to have a thickness of about 1000 Å or more and a transmittance of 10% or less.

도 5은 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전 마스크에 의해 이루어진 투과광의 위상 반전을 설명하기 위한 도면이다. 5 is a view for explaining phase inversion of transmitted light made by a phase inversion mask according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 투광 영역을 투과한 광이 위상반전 패턴부(620)의 제2 부분(634)에 의해 위상 반전되어, 투명기판의 인접한 투광 영역을 투과한 광들이 반전되어 포토레지스트막에 미세 패턴을 형성할 수 있다.5, the light transmitted through the light-transmissive region is phase-inverted by the second portion 634 of the phase inversion pattern portion 620, and the light transmitted through the adjacent light-transmissive region of the transparent substrate is inverted, A fine pattern can be formed.

이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것은 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함 없이 본 발명에 대해 다수의 적절한 변형 및 수정이 가능함을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 그러한 모든 적절한 변형 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Those skilled in the art will appreciate that many suitable modifications and variations are possible in light of the present invention. Accordingly, all such modifications and variations as fall within the scope of the present invention should be considered.

510, 610: 투명기판
520, 630: 위상반전패턴부
530, 620: 차광 패턴부510, 610: transparent substrate
520, 630: phase inversion pattern portion
530, 620: Shading pattern part

Claims (7)

투명기판;
상기 투명기판 상에 배치되는 차광 패턴부; 및
상기 차광 패턴부 상에 배치되는 제 1 위상반전 패턴부 및 상기 투명기판 상에 배치되는 제 2 위상반전 패턴부를 포함하는 위상반전 패턴부;를 포함하고,
상기 제 1 위상반전 패턴부는 상기 차광 패턴부의 상면과 접촉하고,
상기 제 2 위상반전 패턴부는 상기 차광 패턴부의 일 측면과 접촉하는 제1 서브 제 2 위상반전 패턴부 및 상기 차광 패턴부의 상기 일 측면과 반대되는 타 측면과 접촉하는 제2 서브 제 2 위상반전 패턴부를 포함하고,
상기 제1 서브 제 2 위상반전 패턴부 및 상기 제2 서브 제 2 위상반전 패턴부 중의 어느 하나의 양 측면 사이의 길이는 상기 제 1 위상반전 패턴부의 양 측면 사이의 길이 보다 작고,
상기 차광 패턴부의 두께는 상기 제 2 위상반전 패턴부의 두께보다 크고,
상기 위상반전 패턴부는 Cr, Ta, Ti 및 Ni중 선택된 금속에 O2, N2, Co2 중에서 선택된 활성 산소를 첨가함으로써 생성된 메탈 산화물로 형성되 것을 포함하는 LCD용 위상반전 마스크.A transparent substrate;
A shielding pattern portion disposed on the transparent substrate; And
And a phase inversion pattern portion including a first phase inversion pattern portion disposed on the light shielding pattern portion and a second phase inversion pattern portion disposed on the transparent substrate,
Wherein the first phase inversion pattern portion is in contact with the upper surface of the shielding pattern portion,
The second phase inversion pattern portion may include a first sub second second phase inversion pattern portion in contact with one side surface of the light shielding pattern portion and a second sub second phase inversion pattern portion in contact with the other side opposite to the one side surface of the light shielding pattern portion Including,
The length between the both side surfaces of any one of the first sub second second phase inversion pattern portion and the second sub second phase inversion pattern portion is smaller than the length between both sides of the first phase inversion pattern portion,
The thickness of the shielding pattern portion is larger than the thickness of the second phase inversion pattern portion,
Wherein the phase inversion pattern portion is formed of a metal oxide produced by adding active oxygen selected from O 2 , N 2 , and Co 2 to a selected one of Cr, Ta, Ti, and Ni. 청구항 1에 있어서,
상기 위상반전 패턴부는 2000Å 이하의 두께를 가지며, 광투과율이 20% 이하인 LCD용 위상반전 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the phase inversion pattern portion has a thickness of 2000 angstroms or less and a light transmittance of 20% or less. 청구항 1에 있어서,
상기 위상반전 패턴부는 1000Å을 기준으로 미리 결정된 범위의 두께를 가지며, 투과율이 10% 이하인 LCD용 위상반전 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the phase inversion pattern portion has a thickness within a predetermined range on the basis of 1000 angstroms and has a transmittance of 10% or less. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 위상반전 패턴부는 상기 차광 패턴부와 동일한 영역을 갖는 LCD용 위상반전 마스크. The phase inversion mask for LCD according to claim 1, wherein the first phase inversion pattern portion has the same area as the light-shielding pattern portion. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 서브 제 2 위상반전 패턴부의 양 측면 사이의 길이는 상기 제2 서브 제 2 위상반전 패턴부의 양 측면 사이의 길이와 대응되는 것을 포함하는, LCD용 위상반전 마스크.The method according to claim 1,
And a length between both sides of the first sub second phase inversion pattern portion corresponds to a length between both sides of the second sub second phase inversion pattern portion. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 서브 제 2 위상반전 패턴부 및 상기 제2 서브 제 2 위상반전 패턴부는 상기 투명기판 상에서 서로 이격되어 배치되는 것인, LCD용 위상반전 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the first sub second phase inversion pattern portion and the second sub second phase inversion pattern portion are disposed apart from each other on the transparent substrate. 삭제delete
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