KR101914385B1 - Silicon solar cell and manufacturing method for the same - Google Patents

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KR101914385B1
KR101914385B1 KR1020170104562A KR20170104562A KR101914385B1 KR 101914385 B1 KR101914385 B1 KR 101914385B1 KR 1020170104562 A KR1020170104562 A KR 1020170104562A KR 20170104562 A KR20170104562 A KR 20170104562A KR 101914385 B1 KR101914385 B1 KR 101914385B1
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권태혁
서관용
김현탁
이강민
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울산과학기술원
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Abstract

The present invention relates to a silicon solar cell with high energy conversion efficiency in a wide wavelength range and a manufacturing method technology thereof. The silicon solar cell includes a coating layer including an iridium complex represented by a chemical formula 1 and a polymer.

Description

실리콘 태양 전지 및 실리콘 태양 전지의 제조방법{SILICON SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method for manufacturing a silicon solar cell and a silicon solar cell,

본 발명은 실리콘 태양 전지 및 실리콘 태양 전지의 제조방법 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 코팅층을 포함하는 실리콘 태양 전지 및 실리콘 태양 전지의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a manufacturing method of a silicon solar cell and a silicon solar cell, and more particularly, to a silicon solar cell including a coating layer and a method of manufacturing the silicon solar cell.

태양 전지는 태양광 에너지를 직접 전기로 변환시키는 광전 변환 소자로, 크게 무기 태양 전지와 유기 태양 전지로 구분된다. 무기 태양 전지를 대표하는 전지로서, 실리콘 태양 전지가 있다. Solar cells are photoelectric conversion devices that convert solar energy directly into electricity. They are largely divided into inorganic solar cells and organic solar cells. As a representative example of an inorganic solar cell, there is a silicon solar cell.

실리콘(Si) 태양 전지는 1976년에 최초로 개발된 이후로, 수소화된 실리콘(Si:H)의 가시광 영역에서의 높은 광감응도(photosensitivity), 광학적 밴드갭(optical band gap) 조절의 용이성, 저가, 저온, 대면적 공정 가능성으로 인하여 널리 연구되어져 왔다.Since its first development in 1976, the silicon (Si) solar cell has been widely used as a solar cell because of its high photosensitivity in the visible region of hydrogenated silicon (Si: H), easy control of optical band gap, Low-temperature, large-area processability.

최근에는 실리콘 태양 전지의 효율을 향상시키기 위해서 다양한 물질을 이용하여 광학적 밴드갭을 조합하거나 높은 에너지 전환 효율을 가지는 파장 영역을 확장시킬 수 있는 기술에 대해서 다방면으로 연구가 수행되고 있었다.In recent years, various researches have been conducted on a technique of combining optical bandgap using various materials or expanding a wavelength region having high energy conversion efficiency in order to improve the efficiency of a silicon solar cell.

그러나 현재까지도 넓은 파장 영역에서 실리콘 태양 전지의 에너지 전환 효율을 향상시키기 위한 효과적인 물질에 대한 개발과 그 물질을 실리콘 태양 전지에 적절하게 도입하는 기술의 개발에 대해서는, 뚜렷한 해결 방법이 없어서 실리콘 태양 전지의 효율 향상 및 상용화에 제약이 되고 있는 실정이었다.However, the development of effective materials for improving the energy conversion efficiency of silicon solar cells over a wide wavelength range and the development of techniques for appropriately introducing the materials into silicon solar cells have not yet been solved, The efficiency improvement and commercialization have been limited.

본 발명의 목적은 상술한 것과 같이 실리콘 태양 전지의 광 흡수 효율을 넓은 파장 영역에서 향상시킬 수 있는 적절한 소재의 물질인 이리듐 복합체를 개발하고, 개발한 이리듐 복합체를 실리콘 태양 전지의 코팅층으로 도입하는 방법을 제공함으로써, 넓은 파장 영역에서 높은 에너지 전환 효율이 구현된 고효율 실리콘 태양 전지를 제공하고자 하는 것이다.The object of the present invention is to develop an iridium complex which is a material of suitable material capable of improving the light absorption efficiency of a silicon solar cell in a wide wavelength range and to introduce the developed iridium complex into a coating layer of a silicon solar cell To thereby provide a high-efficiency silicon solar cell having a high energy conversion efficiency in a wide wavelength range.

본 발명의 실리콘 태양전지는, 이리듐 복합체; 및 고분자;를 포함하는 코팅층을 포함한다.The silicon solar cell of the present invention comprises an iridium complex; And a coating layer comprising a polymer.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112017079671473-pat00001
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(여기서, R1 내지 R4는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되거나 또는 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 C6~C40의 축합 고리를 형성하고, R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고, R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.)(Wherein R 1 to R 4 are the same or different and each is hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 - C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, substituted or non-substituted of unsubstituted ring of ring A C 6 to C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 A cycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or is bonded to an adjacent group to form a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 condensed ring, and R 5 to R 8 Are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, Ring or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 of the alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ alkyloxy group of C 40 of a, substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted C 3 to C 40 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, and R 9 to R 12 are selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, Substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl, substituted or unsubstituted C 2 to C 40 alkenyl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, C for 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or 5 to 40 carbon atoms in the Interrogating an aryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 of the aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, the substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted Or an unsubstituted C 3 -C 40 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 3 -C 40 heterocycloalkyl group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 [화학식 1]은, [화학식 2] 내지 [화학식 4]로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the formula 1 may include at least one selected from the group consisting of the following formulas (2) to (4).

Figure 112017079671473-pat00002
Figure 112017079671473-pat00002

(여기서, R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고, (Wherein R 5 to R 8 are the same or different from each other and each represents hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl, substituted or unsubstituted C 2 - C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, substituted or non-substituted of unsubstituted ring of ring A C 6 to C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 A substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms,

R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.)R 9 to R 12 are the same or different and each independently represent hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 40 Substituted or unsubstituted C 2 -C 40 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 aryl group, substituted or unsubstituted C 5 -C 40 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 alkynyl group, C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted or unsubstituted C 3 ~ cycloalkyl group of C 40 of the , A substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 [화학식 1]은, [화학식 5] 내지 [화학식 7]으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the formula 1 may include one or more selected from the group consisting of formulas (5) to (7).

Figure 112017079671473-pat00003
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(여기서, A 는 할로겐 또는 수소이며, B는 하이드록시 또는 수소 이다.)Wherein A is halogen or hydrogen and B is hydroxy or hydrogen.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 A는, 플루오르(F)인 것일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the A may be fluorine (F).

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 이리듐 복합체는 양친성인 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the iridium complex may be amphoteric.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 이리듐 복합체는, 빨강, 주황, 녹색 및 파랑으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 색의 빛을 방출하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the iridium complex may emit light of any one color selected from the group consisting of red, orange, green, and blue.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층은, PEO, PMMA 및 PEG를 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자;를 더 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the coating layer may further comprise at least one polymer selected from the group consisting of PEO, PMMA, and PEG.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층 내의 상기 이리듐 복합체와 상기 고분자의 혼합 중량비(이리듐 복합체 중량 : 고분자 중량)는 1 : 0.5 내지 1 : 2.0 인 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the mixing weight ratio (weight of iridium composite: weight of polymer) of the iridium complex and the polymer in the coating layer may be 1: 0.5 to 1: 2.0.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층의 두께는 0.05 ㎛ 내지 0.2 ㎛ 인 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the thickness of the coating layer may be 0.05 μm to 0.2 μm.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법은, 실리콘 태양 전지를 준비하는 단계; 상기 실리콘 태양 전지 상에 이리듐 복합체를 포함하는 코팅 용액으로 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 코팅층이 형성된 실리콘 태양 전지를 건조하는 단계;를 포함한다.A method of manufacturing a silicon solar cell according to the present invention includes the steps of: preparing a silicon solar cell; Forming a coating layer on the silicon solar cell with a coating solution containing an iridium complex; And drying the silicon solar cell having the coating layer formed thereon.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 이리듐 복합체는 하기의 [화학식 1]으로 표시되는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the iridium complex may be represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112017079671473-pat00004
Figure 112017079671473-pat00004

(여기서, R1 내지 R4는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되거나 또는 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 C6~C40의 축합 고리를 형성하고, R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고, R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.)(Wherein R 1 to R 4 are the same or different and each is hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 - C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, substituted or non-substituted of unsubstituted ring of ring A C 6 to C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 A cycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or is bonded to an adjacent group to form a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 condensed ring, and R 5 to R 8 Are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, Ring or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 of the alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ alkyloxy group of C 40 of a, substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted C 3 to C 40 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, and R 9 to R 12 are selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, Substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl, substituted or unsubstituted C 2 to C 40 alkenyl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, C for 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or 5 to 40 carbon atoms in the Interrogating an aryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 of the aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, the substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted Or an unsubstituted C 3 -C 40 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 3 -C 40 heterocycloalkyl group.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 [화학식 1]은, [화학식 2] 내지 [화학식 4]으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the formula 1 may include at least one selected from the group consisting of the following formulas (2) to (4).

Figure 112017079671473-pat00005
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(R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택되고, (Wherein R 5 to R 8 are the same or different and each independently represent hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, substituted or unsubstituted C 2 to C 40 the alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 of the alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, a C 6 unsubstituted or substituted in the ring ~ C 40 of the aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 of the alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted or unsubstituted C of 3 ~ C 40 cycloalkyl An alkyl group, a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms,

R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택된다.)R 9 to R 12 are the same or different and each independently represent hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 40 Substituted or unsubstituted C 2 -C 40 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 aryl group, substituted or unsubstituted C 5 -C 40 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 alkynyl group, C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted or unsubstituted C 3 ~ C 40 cycloalkyl group of , A substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 [화학식 1]은, [화학식 5] 내지 [화학식 7]으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the formula 1 may include one or more selected from the group consisting of formulas (5) to (7).

Figure 112017079671473-pat00006
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(여기서, A 는 할로겐 또는 수소이며, B는 하이드록시 또는 수소 이다.)Wherein A is halogen or hydrogen and B is hydroxy or hydrogen.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅 용액의 상기 이리듐 복합체의 농도는, 0.05 mg / ml 내지 1.0 mg / ml 인 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the concentration of the iridium complex in the coating solution may be 0.05 mg / ml to 1.0 mg / ml.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층을 형성하는 단계는, 상기 코팅 용액을 스프레이 방식으로 분사하여 코팅층을 형성하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the step of forming the coating layer may include spraying the coating solution to form a coating layer.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스프레이 방식은, 초음파 분사노즐을 이용하는 것일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the spraying method may be one using an ultrasonic jetting nozzle.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅 용액은, 0.05 ml / min 내지 0.2 ml / min 속도로 분사되는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the coating solution may be sprayed at a rate of 0.05 ml / min to 0.2 ml / min.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층을 형성하는 단계는, 질소 가스 또는 비활성 가스 분위기에서 수행되는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the step of forming the coating layer may be performed in a nitrogen gas atmosphere or an inert gas atmosphere.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅 용액은, PEO, PMMA 및 PEG 를 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자를 더 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the coating solution may further comprise at least one polymer selected from the group consisting of PEO, PMMA, and PEG.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 건조하는 단계는, 80 ℃ 내지 140 ℃ 온도에서 10 분 내지 30 분 동안 수행되는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the drying may be performed at a temperature of 80 ° C to 140 ° C for 10 minutes to 30 minutes.

본 발명의 일 실시예에서 제공하는 실리콘 태양 전지는, 이리듐 복합체를 포함하는 코팅층이 형성되어 실리콘 태양 전지의 에너지 전달 효율을 높이는 효과를 구현할 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에서 제공하는 실리콘 태양 전지는, 450 nm 이하 정도의 비교적 낮은 파장 영역대에서의 외부 양자 효율(EQE)을 큰 폭으로 상승시키는 효과가 있으며, 전압에 따른 생성 전류 밀도를 향상시키는 효과 또한 기대할 수 있다.The silicon solar cell provided in the embodiment of the present invention can realize the effect of increasing the energy transfer efficiency of the silicon solar cell by forming the coating layer including the iridium complex. In particular, the silicon solar cell provided in the embodiment of the present invention has an effect of greatly increasing the external quantum efficiency (EQE) at a relatively low wavelength region band of about 450 nm or less, Can also be expected.

그리고, 본 발명의 다른 일 실시예에서 제공하는 실리콘 태양 전지의 제조방법에 따르면, 효과적으로 이리듐 복합체를 포함하는 코팅층을 넓은 파장 영역에서 더 높은 발광 강도(PL intensity)를 가지도록 형성하는 방법을 제공함으로써 에너지 전환 효율이 향상된 실리콘 태양 전지를 제조할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of effectively forming a coating layer containing an iridium complex so as to have a higher intensity of light (PL intensity) in a wide wavelength region A silicon solar cell with improved energy conversion efficiency can be manufactured.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따르는 실리콘 태양 전지 제조방법의 각 단계의 공정을 순차적으로 나타낸 순서도이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따르는 실리콘 태양 전지 제조방법에서 코팅층을 형성하는 단계의 수행 공정 과정을 도시한 개략도이다.
도 3은, 본 발명의 실시예 및 비교예 1에서 제조한 실리콘 태양전지의 전압에 따른 전류 밀도를 측정하여 비교한 그래프이다.
도 4는, 본 발명의 실시예 및 비교예 1에서 제조한 실리콘 태양전지의 파장에 따른 외부 양자 효율(%)(EQE, external quantum efficiency)을 측정하여 비교한 그래프이다.
도 5 내지 도 7은, 본 발명의 실시예(Ir-오렌지, Ir-그린, Ir-블루) 및 비교예 2(Ir-오렌지, Ir-그린, Ir-블루)에서 제조한 실리콘 태양전지의 파장에 따른 PL 강도(a.u.) 값을 측정하여 비교한 그래프이다.
도 8은, 본 발명의 실시예로서 제조한 Ir-오렌지 코팅층을 포함하는 실리콘 태양전지의 코팅층 표면의 저해상도 SEM 사진이다.
도 9는, 비교예 2에서 제조한 Ir-오렌지 코팅층을 포함하는 실리콘 태양전지의 코팅층 표면의 저해상도 SEM 사진이다.
도 10은, 본 발명의 실시예로서 제조한 Ir-오렌지 코팅층을 포함하는 실리콘 태양전지의 코팅층 표면의 고해상도 SEM 사진이다.
도 11은, 본 발명의 실시예로서 제조한 Ir-오렌지 코팅층을 포함하는 실리콘 태양전지의 코팅층 표면의 고해상도 SEM 사진을 확대한 사진이다.
도 12는, 본 발명의 실시예(Ir-오렌지) 및 비교예 2(Ir-오렌지)에서 제조한 실리콘 태양전지의 XRD 패턴 사진이다.
도 13은, 본 발명의 실시예(Ir-블루) 및 비교예 2(Ir-블루)에서 제조한 실리콘 태양전지의 XRD 패턴 사진이다.
FIG. 1 is a flowchart sequentially showing processes of respective steps of a method for manufacturing a silicon solar cell according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view illustrating a process of forming a coating layer in a method of manufacturing a silicon solar cell according to an embodiment of the present invention. FIG.
3 is a graph comparing current densities measured according to voltages of the silicon solar cells manufactured in Examples of the present invention and Comparative Example 1. FIG.
4 is a graph comparing external quantum efficiencies (EQE) according to wavelengths of the silicon solar cells manufactured in Examples and Comparative Example 1 of the present invention.
5 to 7 are graphs showing the relationship between the wavelengths of silicon solar cells manufactured in Examples (Ir-orange, Ir-Green, Ir-Blue) of the present invention and Comparative Example 2 (Ir-orange, Ir-Green and Ir- (Au) according to the measurement results.
8 is a low-resolution SEM photograph of the surface of a coating layer of a silicon solar cell including an Ir-orange coating layer manufactured as an example of the present invention.
9 is a low-resolution SEM photograph of the surface of the coating layer of the silicon solar cell including the Ir-orange coating layer prepared in Comparative Example 2. Fig.
10 is a high-resolution SEM photograph of the surface of a coating layer of a silicon solar cell including an Ir-orange coating layer manufactured as an example of the present invention.
11 is an enlarged photograph of a high-resolution SEM photograph of the surface of a coating layer of a silicon solar cell including an Ir-orange coating layer manufactured as an example of the present invention.
FIG. 12 is an XRD pattern photograph of a silicon solar cell manufactured in Examples (Ir-Orange) and Comparative Example 2 (Ir-Orange) of the present invention.
Fig. 13 is an XRD pattern photograph of a silicon solar cell manufactured in an embodiment (Ir-blue) of the present invention and a comparative example 2 (Ir-blue).

이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.In the following, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

아래 설명하는 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있다. 아래 설명하는 실시예들은 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 이들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Various modifications may be made to the embodiments described below. It is to be understood that the embodiments described below are not intended to limit the embodiments, but include all modifications, equivalents, and alternatives to them.

실시예에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 실시예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the examples are used only to illustrate specific embodiments and are not intended to limit the embodiments. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises" or "having" and the like refer to the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this embodiment belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.In the following description of the present invention with reference to the accompanying drawings, the same components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant explanations thereof will be omitted. In the following description of the embodiments, a detailed description of related arts will be omitted if it is determined that the gist of the embodiments may be unnecessarily blurred.

실리콘 태양 전지는 유기 태양 전지에 비해 에너지 전환 효율이 상대적으로높아 상용화 가능성이 더 높은 것으로 인식되어 왔다. 최근에는 실리콘 태양 전지의 효율을 더욱 향상시키기 위해서 다양한 물질을 이용하여 광학적 밴드갭을 조합하거나 높은 에너지 전환 효율을 가지는 파장 영역을 확장시킬 수 있는 기술에 대해서 다방면으로 연구가 수행되고 있었다.Silicon solar cells have been recognized as having higher potential for commercialization due to their relatively higher energy conversion efficiency than organic solar cells. In recent years, various researches have been conducted on a technology capable of combining an optical bandgap using various materials or expanding a wavelength region having a high energy conversion efficiency in order to further improve the efficiency of a silicon solar cell.

실리콘 태양 전지에 있어서 광을 흡수하는 스펙트럼의 빛 흡수 범위를 확장시키는 기술은 실리콘 태양 전지의 효율을 향상 시키는데 있어서 중요할 수 있다. 이에 적용될 수 있는 단일 공여체(donor) 물질은 광전류의 생성량이 적고 태양 빛을 흡수함에 있어서 좁은 흡수 영역을 가지는 한계가 있어서, 본 발명자는 다중 공여체 물질 및 그를 이용한 에너지 전달 시스템을 중심으로 새로운 물질을 개발하기 위해 연구하였다. 이 주제에 관한 종전의 연구들은 고분자 - 중합체 기반 시스템에 포커싱되어 있으나, 중합체가 상이한 결정도 및 에너지 수준을 나타낼 수 있기 때문에, 이러한 시스템에 적용할 수 있는 효과적인 물질을 디자인하기 어려운 측면이 있었다. 즉, 특정한 중합체를 첨가하여 효율적인 전하 또는 에너지 전달을 보장하는 것은 어려운 실정이었다.Techniques to extend the light absorption range of the light absorbing spectrum in silicon solar cells can be important in improving the efficiency of silicon solar cells. A single donor material that can be applied thereto has a limited amount of photocurrent generation and a narrow absorption range in absorption of sunlight. Therefore, the present inventor has developed a new material based on a multi-donor material and an energy transfer system using the same . Previous work on this subject has focused on polymer-based systems, but since polymers can exhibit different crystallinity and energy levels, it has been difficult to design effective materials that can be applied to such systems. That is, it has been difficult to ensure efficient charge or energy transfer by adding a specific polymer.

본 발명자는 상술한 문제를 해결하기 위해 최초로서 비정질 상태(amorphous) 및 고결정질(highy crystalline) 상태의 고분자 재료 모두에 적용 가능한 에너지 전달 재료인 이리듐 복합체 물질을 개발한 후 실리콘 태양 전지의 성능 향상을 위해 에너지 전달 시스템에 적용하였다. The inventors of the present invention developed an iridium composite material, which is an energy transfer material applicable to both high and low crystalline amorphous and highy crystalline polymer materials, to improve the performance of a silicon solar cell. Energy transmission system.

기존의 singlet-singlet 에너지 전달 시스템과 비교하여. 본 발명에서 개발하여 적용한 이리듐 복합체의 삼중항 시스템은 자가 소광(self-quenching)을 방지하기 위한 더 큰 스톡스 시프트, 더 긴 확산 길이 및 감소 된 전하 재조합과 같은 장점들을 가지고 있다. 아래에서는 본 발명에서 개발한 이리듐 복합체를 상세히 설명한다.Compared with conventional singlet-singlet energy delivery systems. The triplet system of the iridium complex developed and applied in the present invention has advantages such as a larger Stokes shift, a longer diffusion length and a reduced charge recombination to prevent self-quenching. Hereinafter, the iridium complex developed in the present invention will be described in detail.

본 발명의 일 측면에서는 유기 태양 전지에 포함되어 실리콘 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있는 이리듐 복합체를 제공한다. In one aspect of the present invention, there is provided an iridium complex which can be included in an organic solar cell to improve the efficiency of a silicon solar cell.

본 발명의 일 측면에서는 실리콘 태양 전지 상에 새롭게 개발한 이리듐 복합체를 포함하는 고분자 코팅층을 형성함으로써, 에너지 전환 효율이 크게 향상된 실리콘 태양 전지를 제공하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a silicon solar cell in which a polymer coating layer including a newly developed iridium complex is formed on a silicon solar cell, thereby significantly improving energy conversion efficiency.

본 발명의 실리콘 태양전지는, 이리듐 복합체; 및 고분자;를 포함하는 코팅층을 포함한다.The silicon solar cell of the present invention comprises an iridium complex; And a coating layer comprising a polymer.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

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(여기서, R1 내지 R4는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되거나 또는 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 C6~C40의 축합 고리를 형성하고, R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고, R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.)(Wherein R 1 to R 4 are the same or different and each is hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 - C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, substituted or non-substituted of unsubstituted ring of ring A C 6 to C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 A cycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or is bonded to an adjacent group to form a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 condensed ring, and R 5 to R 8 Are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, Ring or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 of the alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ alkyloxy group of C 40 of a, substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted C 3 to C 40 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, and R 9 to R 12 are selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, Substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl, substituted or unsubstituted C 2 to C 40 alkenyl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, C for 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or 5 to 40 carbon atoms in the Interrogating an aryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 of the aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, the substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted Or an unsubstituted C 3 -C 40 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 3 -C 40 heterocycloalkyl group.

이 때 상기 헤테로사이클로알킬기의 헤테로 원소는 N, S 또는 O로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다. 상기 치환은 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되는 것일 수 있다.The heteroatom of the heterocycloalkyl group may be any one selected from the group consisting of N, S, and O. Wherein the substituted is selected from hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyl group, an alkenyl group, a substituted or unsubstituted substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 of the ring C 2 ~ C 40 alkynyl group, and the like.

본 발명에서 제공하는 실리콘 태양 전지용 이리듐 복합체는 이리듐을 중심 원자로 한다. 상기 이리듐 복합체는 긴 확산 길이를 구현하여 긴 엑시톤 수명을 가지게 하고, 이는 결국 에너지 전달 효율(nET)을 증가시킬 수 있는 효과가 있다. The iridium complex for a silicon solar cell provided by the present invention uses iridium as a central atom. The iridium complex has a long diffusion length and thus has a long exciton lifetime, which ultimately has an effect of increasing energy transfer efficiency (nET).

실리콘 태양 전지에서 효율적인 에너지 전달을 위해서는, 에너지 공여체와 에너지 수용체 간의 서로 다른 흡수 범위, 에너지 공여체와 에너지 수용체 간의 효율적인 스펙트럼 중첩 및 에너지 수용체의 에너지 준위보다 넓은 에너지 준위를 가지는 에너지 공여체의 설계 등이 필요하다. 본 발명의 이리듐 복합체는 이러한 조건들을 만족시키는 물질일 수 있다.For efficient energy transfer in silicon solar cells, it is necessary to have different absorption ranges between energy donors and energy receivers, efficient spectral overlap between energy donors and energy receivers, and energy donor design with energy levels wider than the energy levels of the energy acceptors . The iridium complex of the present invention may be a material that satisfies these conditions.

본 발명에서 개발한 이리듐 복합체 물질들은 필름 상태에서 450 nm 보다 낮은 파장에서 π-π* 리간드 중심 전이를 나타내는 특징을 가질 수 있다. The iridium complex materials developed in the present invention may have a characteristic of exhibiting? -Π * ligand center transformation at a wavelength lower than 450 nm in the film state.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 [화학식 1]은, [화학식 2] 내지 [화학식 4]로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the formula 1 may include at least one selected from the group consisting of the following formulas (2) to (4).

Figure 112017079671473-pat00008
Figure 112017079671473-pat00008

(여기서, R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고, (Wherein R 5 to R 8 are the same or different from each other and each represents hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl, substituted or unsubstituted C 2 - C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, substituted or non-substituted of unsubstituted ring of ring A C 6 to C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 A substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms,

R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.)R 9 to R 12 are the same or different and each independently represent hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 40 Substituted or unsubstituted C 2 -C 40 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 aryl group, substituted or unsubstituted C 5 -C 40 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 alkynyl group, C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted or unsubstituted C 3 ~ cycloalkyl group of C 40 of the , A substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 [화학식 1]은, [화학식 5] 내지 [화학식 7]으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the formula 1 may include one or more selected from the group consisting of formulas (5) to (7).

Figure 112017079671473-pat00009
Figure 112017079671473-pat00009

(여기서, A 는 할로겐 또는 수소이며, B는 하이드록시 또는 수소 이다.)Wherein A is halogen or hydrogen and B is hydroxy or hydrogen.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 A는, 플루오르(F)인 것일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the A may be fluorine (F).

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 이리듐 복합체는 양친성인 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the iridium complex may be amphoteric.

일 예로서, 본 발명의 이리듐 복합체는 실리콘 태양 전지 상부의 코팅층에 포함되어 효과적으로 에너지 전달 효율을 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. As an example, the iridium complex of the present invention may be included in a coating layer on a silicon solar cell to effectively enhance energy transfer efficiency.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 이리듐 복합체는, 빨강, 주황, 녹색 및 파랑으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 색의 빛을 방출하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the iridium complex may emit light of any one color selected from the group consisting of red, orange, green, and blue.

본 발명에서 이용된 리간드 물질들은 중심 금속인 이리듐과 결합할 때, 높은 양자효율(QY, Quantum Yield)을 구현하는 물질일 수 있다. 본 발명에서는 이리듐 복합체의 흡수 및 방출 특성을 제어하기 위하여 다양한 리간드 물질들을 중심 금속인 이리듐과 결합시킬 수 있다. The ligand materials used in the present invention may be materials that realize high quantum efficiency (QY) when combined with iridium which is a center metal. In the present invention, various ligand materials can be combined with iridium, a central metal, to control the absorption and release characteristics of the iridium complex.

일 예로서 상기 이리듐 복합체는 가시광선 영역의 색의 빛을 방출하는 것일 수 있으며, 본 명세서에서 편의를 위해 Ir-레드, Ir-오렌지, Ir-그린 및 Ir-블루로 분류되어 불리울 수 있다. 상기 이리듐 복합체들은 350 nm 내지 480 nm 정도의 MLCT를 나타냈고, 대응하는 최대 방출 피크(λmax) 값은 450 nm 내지 620 nm 정도로 확인되었다. As an example, the iridium complex may be one that emits light of a color in the visible light region and may be referred to herein as Ir-red, Ir-orange, Ir-green and Ir-blue for convenience. The above iridium complexes exhibited an MLCT of about 350 nm to 480 nm, and the corresponding maximum emission peak (λmax) value was found to be about 450 nm to 620 nm.

본 발명의 이리듐 복합체에 있어, 효율적인 에너지 전달을 위한 중요한 요소 중 하나인 스펙트럼 중첩의 정도는 Ir-레드> Ir-오렌지> Ir-그린> Ir-블루의 순서를 따르도록 형성될 수 있다.In the iridium complex of the present invention, the degree of spectral overlapping, which is one of the important factors for efficient energy transfer, can be formed to follow the order of Ir-Red> Ir-Orange> Ir-Green> Ir-Blue.

본 발명의 이리듐 복합체에 있어, 효율적인 에너지 전달을 위한 또 다른 중요한 요소 중 하나인 QY 값은 CH2Cl2 용액에서 측정 결과 Ir-오렌지 > Ir-블루 > Ir-레드 > Ir-그린 순서를 따르도록 형성될 수 있다.In the iridium complex of the present invention, another important factor for efficient energy transfer, QY value, is CH 2 Cl 2 Ir-blue > Ir-red > Ir-green order.

일 예로서, 상기 이리듐 복합체는, 태양 전지의 비정질(amorphous) 활성 고분자 및 고결정질(highly crystalline) 활성 고분자(donor)를 포함하는 유기물층에 적용되어 에너지 전달 효율을 향상시키는 것일 수도 있다.As an example, the iridium complex may be applied to an organic layer including an amorphous active polymer and a highly crystalline active material of a solar cell to improve energy transfer efficiency.

본 발명에서 개발한 이리듐 복합체는, 비정질 활성 고분자, 예를 들어 PTB7 고분자를 에너지 공여체로 포함하는 태양 전지에 적용될 수 있으며, 고결정질 활성 고분자, 예를 들어 P3HT 고분자를 에너지 공여체로 포함하는 태양 전지에 적용될 수도 있다.The iridium complex developed in the present invention can be applied to a solar cell including an amorphous active polymer, for example, a PTB7 polymer as an energy donor, and a solar cell including a high crystalline active polymer such as a P3HT polymer as an energy donor .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층은, PEO, PMMA 및 PEG를 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자;를 더 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the coating layer may further comprise at least one polymer selected from the group consisting of PEO, PMMA, and PEG.

본발명의 코팅층에 포함되는 고분자는 이리듐 복합체들 사이에 간격을 보장하여, 복합체 분자 간에 일어나는 셀프 ?칭(self-quenching)을 막아주는 역할을 수행할 수 있다.The polymer included in the coating layer of the present invention can provide a gap between the iridium complexes to prevent self-quenching between the complex molecules.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층 내의 상기 이리듐 복합체와 상기 고분자의 혼합 중량비(이리듐 복합체 중량 : 고분자 중량)는 1 : 0.5 내지 1 : 2.0 인 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the mixing weight ratio (weight of iridium composite: weight of polymer) of the iridium complex and the polymer in the coating layer may be 1: 0.5 to 1: 2.0.

상기 이리듐 복합체를 기준하여 상기 고분자의 혼합 중량비가 1 : 0.5 미만일 경우 이리듐 복합체간의 self-quenching이 심하게 일어나, 광전달 효과가 떨어지는 문제가 생길 수 있고, 1 : 2.0 초과의 경우 이리듐 복합체의 함유량이 너무 적어, 절대적인 광전달량이 부족해지는 문제가 생길 수 있다. If the mixing ratio by weight of the polymer is less than 1: 0.5 based on the iridium complex, the self-quenching of the iridium complex may occur severely and the light transmission effect may be poor. If the ratio is more than 1: 2.0, There may be a problem that the absolute light transmission amount becomes insufficient.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층의 두께는 0.05 ㎛ 내지 0.2 ㎛인 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the thickness of the coating layer may be 0.05 μm to 0.2 μm.

상기 코팅층의 두께가 0.05 ㎛ 미만일 경우 코팅층의 균일도(uniformity)에한계가 발생하는 문제가 생길 수 있고, 0.2 ㎛ 초과의 경우 실리콘 태양전지 소자로 들어오는 빛을 과하게 가리우는(blocking) 문제가 생길 수 있다.If the thickness of the coating layer is less than 0.05 탆, there is a problem that the uniformity of the coating layer is limited. If the thickness is more than 0.2 탆, there is a problem of blocking the light coming into the silicon solar cell device excessively .

아래는 본 발명의 이리듐 복합체의 일 실시예를 제조하는 과정에서 이용한 [반응식 1]과 중심 금속인 이리듐 금속에 결합되도록 선택되어 디자인된 리간드들을 일부 소개한다. Hereinafter, some of the ligands selected and designed to be bonded to the iridium metal, which is a central metal, are used in the process of preparing an embodiment of the iridium complex of the present invention.

[반응식 1][Reaction Scheme 1]

Figure 112017079671473-pat00010
Figure 112017079671473-pat00010

본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 상기 이리듐 복합체를 포함하는 실리콘 태양 전지의 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a silicon solar cell including the iridium complex.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따르는 실리콘 태양 전지 제조방법의 각 단계의 공정을 순차적으로 나타낸 순서도이다. 아래에서는 도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따르는 실리콘 태양 전지 제조방법의 각 단계에 대하여 상세히 설명한다.FIG. 1 is a flowchart sequentially showing processes of respective steps of a method for manufacturing a silicon solar cell according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, each step of the method for manufacturing a silicon solar cell according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법은, 실리콘 태양 전지를 준비하는 단계; 상기 실리콘 태양 전지 상에 이리듐 복합체를 포함하는 코팅 용액으로 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 코팅층이 형성된 실리콘 태양 전지를 건조하는 단계;를 포함한다.A method of manufacturing a silicon solar cell according to the present invention includes the steps of: preparing a silicon solar cell; Forming a coating layer on the silicon solar cell with a coating solution containing an iridium complex; And drying the silicon solar cell having the coating layer formed thereon.

본 발명에서 제공하는 실리콘 태양전지의 제조방법은 이리듐 복합체를 포함하는 코팅 용액으로 코팅층을 형성하는 구성을 포함하는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing a silicon solar cell provided in the present invention is characterized in that it comprises a structure for forming a coating layer with a coating solution containing an iridium complex.

도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따르는 실리콘 태양 전지 제조방법에서 코팅층을 형성하는 단계의 수행 공정 과정을 도시한 개략도이다. FIG. 2 is a schematic view illustrating a process of forming a coating layer in a method of manufacturing a silicon solar cell according to an embodiment of the present invention. FIG.

본 발명의 일 예에서는 이리듐 복합체 용액 및 고분자를 포함하는 용액으로 초음파 노즐을 이용하여 실리콘 태양전지 표면 상에 코팅층을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.One example of the present invention may include a step of forming a coating layer on the surface of a silicon solar cell by using an ultrasonic nozzle with a solution containing an iridium complex solution and a polymer.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법의 일 실시예에 따르면, 상기 이리듐 복합체는 하기의 [화학식 1]으로 표시되는 것일 수 있다.According to one embodiment of the method for producing a silicon solar cell of the present invention, the iridium complex may be represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112017079671473-pat00011
Figure 112017079671473-pat00011

(여기서, R1 내지 R4는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되거나 또는 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 C6~C40의 축합 고리를 형성하고, R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고, R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.)(Wherein R 1 to R 4 are the same or different and each is hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 - C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, substituted or non-substituted of unsubstituted ring of ring A C 6 to C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 A cycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or is bonded to an adjacent group to form a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 condensed ring, and R 5 to R 8 Are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, Ring or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 of the alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ alkyloxy group of C 40 of a, substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted C 3 to C 40 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, and R 9 to R 12 are selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, Substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl, substituted or unsubstituted C 2 to C 40 alkenyl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, C for 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or 5 to 40 carbon atoms in the Interrogating an aryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 of the aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, the substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted Or an unsubstituted C 3 -C 40 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 3 -C 40 heterocycloalkyl group.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법의 일 실시예에 따르면, 상기 [화학식 1]은, [화학식 2] 내지 [화학식 4]으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to one embodiment of the method for producing a silicon solar cell of the present invention, the formula 1 may include at least one selected from the group consisting of the following formulas (2) to (4).

Figure 112017079671473-pat00012
Figure 112017079671473-pat00012

(R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택되고, (Wherein R 5 to R 8 are the same or different and each independently represent hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, substituted or unsubstituted C 2 to C 40 the alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 of the alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, a C 6 unsubstituted or substituted in the ring ~ C 40 of the aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 of the alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted or unsubstituted C of 3 ~ C 40 cycloalkyl An alkyl group, a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms,

R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택된다.)R 9 to R 12 are the same or different and each independently represent hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 40 Substituted or unsubstituted C 2 -C 40 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 aryl group, substituted or unsubstituted C 5 -C 40 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 alkynyl group, C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted or unsubstituted C 3 ~ C 40 cycloalkyl group of , A substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법의 일 실시예에 따르면, 상기 [화학식 1]은, [화학식 5] 내지 [화학식 7]으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.According to an embodiment of the method for producing a silicon solar cell of the present invention, the formula 1 may include at least one selected from the group consisting of formulas (5) to (7).

Figure 112017079671473-pat00013
Figure 112017079671473-pat00013

(여기서, A 는 할로겐 또는 수소이며, B는 하이드록시 또는 수소 이다.)Wherein A is halogen or hydrogen and B is hydroxy or hydrogen.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅 용액의 상기 이리듐 복합체의 농도는, 0.05 mg / ml 내지 1.0 mg / ml 인 것일 수 있다. 상기 코팅 용액의 상기 이리듐 복합체의 농도가 0.05 mg / ml 미만일 경우 코팅층을 형성하는 과정에서 공정 시간이 지나치게 길어지는 문제가 생길 수 있고, 1.0 mg / ml 초과의 경우, 고농도에 의해 이리듐 복합체가 침전되는 문제가 생길 수 있다.According to an embodiment of the method for producing a silicon solar cell of the present invention, the concentration of the iridium complex in the coating solution may be 0.05 mg / ml to 1.0 mg / ml. If the concentration of the iridium complex in the coating solution is less than 0.05 mg / ml, there is a problem that the process time becomes excessively long in the process of forming the coating layer. When the concentration exceeds 1.0 mg / ml, the iridium complex precipitates due to the high concentration There may be problems.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층을 형성하는 단계는, 상기 코팅 용액을 스프레이 방식으로 분사하여 코팅층을 형성하는 것일 수 있다. 스프레이 방식을 이용할 경우, 스핀 코팅 등의 방법을 이용하는 것에 비해 반복되는 스프레이 사이클에 의해 코팅층의 두께를 보다 정교하게 형성할 수 있고, 코팅층의 면적을 대면적화하기에 효과적인 장점이 있다. 일 예로서, 본 발명의 이리듐 복합체를 스프레이 방식을 이용하여 코팅층을 형성할 경우, 스핀 코팅을 이용하여 코팅층을 형성하는 것에 비해 XRD 패턴 상에서 추가적인 높은 결정성 피크가 확인될 수 있다.According to an embodiment of the method for manufacturing a silicon solar cell of the present invention, the step of forming the coating layer may include spraying the coating solution to form a coating layer. When the spraying method is used, the thickness of the coating layer can be more precisely formed by repetitive spray cycles as compared with the method using spin coating, and there is an advantage that the area of the coating layer is large. As an example, when the coating layer is formed using the spraying method of the iridium complex of the present invention, an additional high crystalline peak can be confirmed on the XRD pattern as compared with forming a coating layer using spin coating.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법의 일 실시예에 따르면, 상기 스프레이 방식은, 초음파 분사노즐을 이용하는 것일 수 있다. 초음파 분사노즐을 이용할 경우, 미립자의 분사를 가능하게 하여 균일한 박막 형성이 가능하게 될 뿐 아니라 결정성이 높은 코팅층을 획득할 수 있는 효과가 있다. 일 예로서, 상기 초음파 분사노즐의 주파수는 50 kHz 내지 200 kHz 인 것일 수 있다. 상기 초음파 분사노즐의 주파수는 바람직하게는 120kHz 내지 180 kHz 인 것일 수 있다.According to an embodiment of the method of manufacturing a silicon solar cell of the present invention, the spraying method may be one using an ultrasonic jetting nozzle. When an ultrasonic jet nozzle is used, it is possible to spray fine particles to form a uniform thin film, and it is also possible to obtain a coating layer having high crystallinity. As an example, the frequency of the ultrasonic jet nozzle may be 50 kHz to 200 kHz. The frequency of the ultrasonic jet nozzle may preferably be 120 kHz to 180 kHz.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅 용액은, 0.05 ml / min 내지 0.2 ml / min 속도로 분사되는 것일 수 있다. 상기 코팅 용액이 0.05 ml / min 미만의 속도로 분사될 경우, 공정 속도가 느려져서 생산성이 저하되는 문제가 생길 수 있고, 0.2 ml / min 초과의 속도로 분사될 경우, 공정 속도가 지나치게 빨라서 이리듐 복합체가 균질하게 분산 형성된 코팅층이 형성되기 어려운 문제가 생길 수 있다.According to one embodiment of the method for producing a silicon solar cell of the present invention, the coating solution may be sprayed at a rate of 0.05 ml / min to 0.2 ml / min. If the coating solution is sprayed at a rate of less than 0.05 ml / min, the process speed may become slow and the productivity may be lowered. If the coating solution is sprayed at a rate of more than 0.2 ml / min, There may arise a problem that it is difficult to form a uniformly dispersed coating layer.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층을 형성하는 단계는, 질소 가스 또는 비활성 가스 분위기에서 수행되는 것일 수 있다.According to an embodiment of the method for manufacturing a silicon solar cell of the present invention, the step of forming the coating layer may be performed in a nitrogen gas atmosphere or an inert gas atmosphere.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅 용액은, PEO, PMMA 및 PEG를 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자를 더 포함하는 것일 수 있다. 본 발명의 코팅층에 포함되는 고분자는 이리듐 복합체들 사이에 간격을 보장하여, 복합체 분자 간에 일어나는 셀프 ?칭(self-quenching)을 막아주는 역할을 수행할 수 있다.According to one embodiment of the method for producing a silicon solar cell of the present invention, the coating solution may further comprise at least one polymer selected from the group consisting of PEO, PMMA, and PEG. The polymer included in the coating layer of the present invention can provide a gap between the iridium complexes to prevent self-quenching between the complex molecules.

본 발명의 실리콘 태양전지의 제조방법의 일 실시예에 따르면, 상기 건조하는 단계는, 80 ℃ 내지 140 ℃ 온도에서 10 분 내지 30 분 동안 수행되는 것일 수 있다. 상기 건조하는 단계가 80 ℃ 미만의 온도에서 수행될 경우 코팅층이 내부까지 충분히 건조되지 않는 문제가 생길 수 있으며, 140 ℃ 초과의 온도에서 수행될 경우 표면에 크랙이 형성되는 문제가 생길 수 있다.According to one embodiment of the method for manufacturing a silicon solar cell of the present invention, the drying step may be performed at a temperature of 80 to 140 ° C for 10 to 30 minutes. If the drying step is carried out at a temperature lower than 80 캜, the coating layer may not be sufficiently dried to the inside, and when the drying is performed at a temperature higher than 140 캜, a crack may be formed on the surface.

상기 건조하는 단계가 수행되면서, 본 발명의 코팅층은 실리콘 태양전지 표면 상에 안정적으로 고정될 수 있다.As the drying step is performed, the coating layer of the present invention can be stably fixed on the surface of the silicon solar cell.

실시예Example

이리듐 복합체의 제조Preparation of iridium complex

용매로서 2 - 메톡시 에탄올과 물을 3 : 1 (v / v) 부피비로 섞은 혼합 용매를 이용하여 24시간 동안 IrCl3 ·nH2O (200 mg, 0.67 mmol) 및 1-페닐이소퀴놀린 (412 mg, 2.00 mmol)를 환류시켰다. 이렇게 제조한 혼합물을 상온으로 냉각시키고 더 많은 물을 첨가하여 생성물을 침전시켰다. 침전물을 여과하고, 헥산을 이용하여 3 회 세척한 뒤 생성물을 수득하였다(355 mg, 수율 83%). 합성된 생성물 300 mg (0.24 mmol)을 3-하이드록시 피콜린 산 100 mg (0.72 mmol) 및 탄산나트륨 254 mg (2.40 mmol)의 혼합물을 2-에톡시 에탄올을 용매로 하여 비활성 조건에서 10 내지 12 시간 동안 환류시켰다. 그 다음 혼합물을 실온으로 냉각시키고 용매를 증발시켰다. 혼합물을 메틸렌 클로라이드에 용해시킨 다음 물로 세척하고 MgSO4로 건조시켰다. 용매를 증발시켜 생성물을 수득하고, 이를 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제하여 최종 생성물 (238 mg, 367 % 수율)을 수득 하였다. 최종 생성된 이리듐 복합체는 Ir-레드 의 특징을 나타내었다.As solvent 2 - methoxy ethanol and water: 1 (v / v) using a mixed solvent mixture in a volume ratio for 24 hours IrCl 3 · nH 2 O (200 mg, 0.67 mmol) and 1-phenyl-isoquinoline (412 mg, 2.00 mmol) were refluxed. The mixture thus prepared was cooled to room temperature and more water was added to precipitate the product. The precipitate was filtered and washed three times with hexane to give the product (355 mg, 83% yield). 300 mg (0.24 mmol) of the synthesized product was dissolved in a mixture of 100 mg (0.72 mmol) of 3-hydroxypicolinic acid and 254 mg (2.40 mmol) of sodium carbonate in an inert solvent for 10-12 hours Lt; / RTI > The mixture was then cooled to room temperature and the solvent was evaporated. It was dissolved in a mixture of methylene chloride and then was washed with water, dried over MgSO 4. The solvent was evaporated to give the product which was purified by silica gel column chromatography to give the final product (238 mg, 367% yield). The finally formed iridium complex showed the characteristics of Ir-red.

이와 유사한 절차로 다른 리간드를 이용하여 본 발명의 다른 실시예들로서 Ir-오렌지((2pq)2Irpic-OH), Ir-그린((ppy)2Irpic-OH), Ir-블루(FIrpic-OH)의 이리듐 복합체들을 합성하였다. Other examples of the present invention using other ligands in a similar procedure are Ir-Orange ((2pq) 2 Irpic-OH), Ir-Green ((ppy) 2 Irpic-OH), Ir- Iridium complexes were synthesized.

합성된 물질들의 분자식은 아래와 같다.The molecular formulas of the synthesized materials are as follows.

Figure 112017079671473-pat00014
Figure 112017079671473-pat00014

실리콘 태양 전지의 제조Manufacture of silicon solar cell

실리콘 태양 전지를 제조하고 표면에 위에서 제조한 이리듐 복합체를 이용하여 코팅층을 형성하였다. 이 때, 클로로포름 용매에 상기 Ir-레드, Ir-오렌지, Ir-그린 및 Ir-블루 복합체를 0.5 mg/ml 농도로 용해시켜 네 종류의 이리듐 복합체 용액을 형성하였다. A silicon solar cell was fabricated and the coating layer was formed on the surface using the iridium complex prepared above. At this time, the Ir-red, Ir-orange, Ir-green and Ir-blue complexes were dissolved in a chloroform solvent at a concentration of 0.5 mg / ml to form four kinds of iridium complex solutions.

또한, PEO 고분자를 클로로포름 용매에 0.5 mg/ml 농도로 용해시켜 PEO 고분자 용액을 형성하였다. The PEO polymer was dissolved in chloroform at a concentration of 0.5 mg / ml to form a PEO polymer solution.

상기 각각의 이리듐 복합체 용액과 PEO 고분자 용액을 혼합하고 질소 가스 분위기 하에서 스프레이 방식으로 초음파 분사 노즐에서 120 kHz 주파수로 실리콘 태양전지 표면 상에 분사하여 코팅층을 형성하였다. 이후, 100 ℃ 에서 15 분동안 건조하여 본 발명의 실시예에 따르는 실리콘 태양전지를 확보하였다. Each of the iridium complex solution and the PEO polymer solution was mixed and sprayed on the surface of the silicon solar cell at a frequency of 120 kHz in an ultrasonic jet nozzle in a nitrogen gas atmosphere to form a coating layer. Thereafter, the resultant was dried at 100 DEG C for 15 minutes to obtain a silicon solar cell according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예와 비교하기 위한 비교예 1로서, 이리듐 복합체를 포함하는 코팅층을 형성하는 단계를 제외하고 모두 동일한 방식을 이용하여 실리콘 태양 전지를 제조하였다.As a comparative example 1 for comparison with the embodiment of the present invention, a silicon solar cell was manufactured in the same manner except for the step of forming a coating layer containing an iridium complex.

본 발명의 실시예와 비교하기 위한 비교예 2로서, 스핀 코팅 방법으로 코팅층을 형성하는 단계를 제외하고 모두 동일한 방식으로 실리콘 태양 전지를 제조하였다.As Comparative Example 2 for comparison with the embodiment of the present invention, a silicon solar cell was manufactured in the same manner except that a coating layer was formed by a spin coating method.

이와 같이 제조한 본 발명의 실시예들과 비교예 1에 대해 다양한 방식으로 유기 태양 전지의 향상된 효율을 측정하였다.The improved efficiency of the organic solar cell was measured in various ways according to the embodiments of the present invention and Comparative Example 1 thus manufactured.

아래의 [표 1]은 본 발명의 상기 실시예와 비교예로서 제조한 유기 태양전지의 에너지 전환 효율을 여러가지 방식으로 측정한 값을 나타내는 표이다.[Table 1] below is a table showing values obtained by measuring the energy conversion efficiency of the organic solar cell manufactured in the above example of the present invention and the comparative example by various methods.

Jsc(mA/cm2)Jsc (mA / cm 2 ) Voc(mV)Voc (mV) Fill factor(%)Fill factor (%) Efficiency(%)Efficiency (%) 비교예 1Comparative Example 1 34.434.4 588588 76.676.6 15.515.5 실시예 1
(Ir-레드)
Example 1
(Ir-Red)
36.536.5 588588 76.576.5 16.416.4
실시예 2
(Ir-오렌지)
Example 2
(Ir-orange)
36.236.2 588588 76.576.5 16.316.3
실시예 3
(Ir-블루)
Example 3
(Ir-Blue)
35.935.9 588588 76.576.5 16.216.2
실시예 4
(Ir-그린)
Example 4
(Ir-green)
36.036.0 588588 76.576.5 16.216.2

상기 [표 1]에서 드러나는 바와 같이, 코팅층이 형성된 본 발명의 실시예의 경우 코팅층을 포함하지 않는 비교예에 비해 더 높은 Jsc 값 및 더 높은 에너지 전환 효율을 확보할 수 있으면서, Voc, Fill factor 값은 코팅층이 형성되지 않은 경우와 대등한 수준으로 유지되는 것을 확인하였다.As shown in Table 1, in the case of the embodiment of the present invention in which the coating layer is formed, a higher Jsc value and a higher energy conversion efficiency can be secured as compared with the comparative example not including the coating layer, And it was confirmed that it was maintained at a level equivalent to that in the case where the coating layer was not formed.

도 3은, 본 발명의 실시예 및 비교예 1에서 제조한 실리콘 태양전지의 전압에 따른 전류 밀도를 측정하여 비교한 그래프이다.3 is a graph comparing current densities measured according to voltages of the silicon solar cells manufactured in Examples of the present invention and Comparative Example 1. FIG.

도 4는, 본 발명의 실시예 및 비교예 1에서 제조한 실리콘 태양전지의 파장에 따른 외부 양자 효율(%)(EQE, external quantum efficiency)을 측정하여 비교한 그래프이다.4 is a graph comparing external quantum efficiencies (EQE) according to wavelengths of the silicon solar cells manufactured in Examples and Comparative Example 1 of the present invention.

도 3 및 도 4를 통해 코팅층이 형성된 본 발명의 실시예의 경우 코팅층을 포함하지 않는 비교예에 비해 더 높은 전류 밀도 및 더 높은 외부 양자 효율이 확보됨을 확인하였다.3 and 4, it was confirmed that the embodiment of the present invention in which the coating layer is formed has higher current density and higher external quantum efficiency than the comparative example not including the coating layer.

도 5 내지 도 7은, 본 발명의 실시예(Ir-오렌지, Ir-그린, Ir-블루) 및 비교예 2(Ir-오렌지, Ir-그린, Ir-블루)에서 제조한 실리콘 태양전지의 파장에 따른 PL 강도(a.u.) 값을 측정하여 비교한 그래프이다.5 to 7 are graphs showing the relationship between the wavelengths of silicon solar cells manufactured in Examples (Ir-orange, Ir-Green, Ir-Blue) of the present invention and Comparative Example 2 (Ir-orange, Ir-Green and Ir- (Au) according to the measurement results.

도 5 내지 도 7을 통해 스프레이 방식으로 코팅층을 형성한 본 발명의 실시예들의 실리콘 태양전지의 경우 스핀 코팅 방법으로 코팅층을 형성한 비교예 2의 실리콘 태양전지에 비해 더 높은 PL 강도 값이 확보됨을 확인할 수 있다.5 to 7, the silicon solar cell of the present invention in which the coating layer was formed by spraying method had a higher PL intensity value than the silicon solar cell of Comparative Example 2 in which the coating layer was formed by the spin coating method Can be confirmed.

도 8은, 본 발명의 실시예로서 제조한 Ir-오렌지 코팅층을 포함하는 실리콘 태양전지의 코팅층 표면의 저해상도 SEM 사진이다.8 is a low-resolution SEM photograph of the surface of a coating layer of a silicon solar cell including an Ir-orange coating layer manufactured as an example of the present invention.

도 9는, 비교예 2에서 제조한 Ir-오렌지 코팅층을 포함하는 실리콘 태양전지의 코팅층 표면의 저해상도 SEM 사진이다.9 is a low-resolution SEM photograph of the surface of the coating layer of the silicon solar cell including the Ir-orange coating layer prepared in Comparative Example 2. Fig.

도 10은, 본 발명의 실시예로서 제조한 Ir-오렌지 코팅층을 포함하는 실리콘 태양전지의 코팅층 표면의 고해상도 SEM 사진이다.10 is a high-resolution SEM photograph of the surface of a coating layer of a silicon solar cell including an Ir-orange coating layer manufactured as an example of the present invention.

도 11은, 본 발명의 실시예로서 제조한 Ir-오렌지 코팅층을 포함하는 실리콘 태양전지의 코팅층 표면의 고해상도 SEM 사진을 확대한 사진이다.11 is an enlarged photograph of a high-resolution SEM photograph of the surface of a coating layer of a silicon solar cell including an Ir-orange coating layer manufactured as an example of the present invention.

본 발명의 실시예의 스프레이 분사 방식을 이용하여 형성한 코팅층의 경우 표면 입자가 형성되는 과정에서 비표면적이 증가되었고, 빛의 산란(light-scattering) 효과 및 셀프 ?칭(self-quenching) 효과를 방지하는 효과를 거둘 수 있었다. 반면, 본 발명의 비교예 2에서 제조한 스핀코팅 방식을 이용하여 형성한 코팅층은 상기 효과들을 구현하지 못함에 따라서 그 성능이 저하되는 것을 확인할 수 있었다.In the case of the coating layer formed using the spraying method of the embodiment of the present invention, the specific surface area was increased in the process of forming the surface particles, and the light scattering effect and the self-quenching effect were prevented I can get the effect. On the other hand, it was confirmed that the coating layer formed by the spin coating method manufactured in Comparative Example 2 of the present invention was not able to realize the above effects, and thus the performance was deteriorated.

도 12는, 본 발명의 실시예(Ir-오렌지) 및 비교예 2(Ir-오렌지)에서 제조한 실리콘 태양전지의 XRD 패턴 사진이다.FIG. 12 is an XRD pattern photograph of a silicon solar cell manufactured in Examples (Ir-Orange) and Comparative Example 2 (Ir-Orange) of the present invention.

도 13은, 본 발명의 실시예(Ir-블루) 및 비교예 2(Ir-블루)에서 제조한 실리콘 태양전지의 XRD 패턴 사진이다.Fig. 13 is an XRD pattern photograph of a silicon solar cell manufactured in an embodiment (Ir-blue) of the present invention and a comparative example 2 (Ir-blue).

본 발명의 이리듐 복합체를 스프레이 방식을 이용하여 코팅층을 형성할 경우, 스핀 코팅을 이용하여 코팅층을 형성하는 것에 비해 XRD 패턴 상에서 추가적인 높은 결정성 피크가 확인되었다.When the coating layer was formed using the spraying method of the iridium complex of the present invention, an additional high crystalline peak was observed on the XRD pattern as compared with the coating layer formed by spin coating.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, if the techniques described are performed in a different order than the described methods, and / or if the described components are combined or combined in other ways than the described methods, or are replaced or substituted by other components or equivalents Appropriate results can be achieved.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

10: 이리듐 복합체 용액 이동관
20: 고분자 용액 이동관
110: 초음파 노즐
10: Iridium complex solution moving tube
20: polymer solution moving tube
110: ultrasonic nozzle

Claims (20)

하기의 [화학식 1]로 표시되는 이리듐 복합체; 및 고분자;를 포함하는 코팅층을 포함하고,
상기 코팅층은, PEO, PMMA 및 PEG를 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자;를 더 포함하는 것인,
실리콘 태양전지.
[화학식 1]
Figure 112018058143307-pat00015

(여기서, R1 내지 R4는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되거나 또는 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 C6~C40의 축합 고리를 형성하고, R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고, R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.)
An iridium complex represented by the following formula 1; And a coating layer comprising a polymer,
Wherein the coating layer further comprises at least one polymer selected from the group consisting of PEO, PMMA and PEG.
Silicon solar cell.
[Chemical Formula 1]
Figure 112018058143307-pat00015

(Wherein R 1 to R 4 are the same or different and each is hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 - C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, substituted or non-substituted of unsubstituted ring of ring A C 6 to C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 A cycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or is bonded to an adjacent group to form a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 condensed ring, and R 5 to R 8 Are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, Ring or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 of the alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ alkyloxy group of C 40 of a, substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted C 3 to C 40 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, and R 9 to R 12 are selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, Substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl, substituted or unsubstituted C 2 to C 40 alkenyl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, C for 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or 5 to 40 carbon atoms in the Interrogating an aryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 of the aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, the substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted Or an unsubstituted C 3 -C 40 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 3 -C 40 heterocycloalkyl group.
제1항에 있어서,
상기 [화학식 1]은, [화학식 2] 내지 [화학식 4]로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
실리콘 태양전지.

(R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택되고,
R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택된다.)
The method according to claim 1,
Wherein the formula (1) comprises at least one member selected from the group consisting of formulas (2) to (4)
Silicon solar cell.

(Wherein R 5 to R 8 are the same or different and each independently represent hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, substituted or unsubstituted C 2 to C 40 the alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 of the alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, a C 6 unsubstituted or substituted in the ring ~ C 40 of the aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 of the alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted or unsubstituted C of 3 ~ C 40 cycloalkyl An alkyl group, a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms,
R 9 to R 12 are the same or different and each independently represent hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 40 Substituted or unsubstituted C 2 -C 40 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 aryl group, substituted or unsubstituted C 5 -C 40 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 alkynyl group, C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted or unsubstituted C 3 ~ C 40 cycloalkyl group of , A substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms.
제1항에 있어서,
상기 [화학식 1]은, [화학식 5] 내지 [화학식 7]로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
실리콘 태양전지.
Figure 112017079671473-pat00017

(여기서, A 는 할로겐 원자 또는 H이며, B는 하이드록시기 또는 H이다.)
The method according to claim 1,
Wherein the formula (1) comprises at least one member selected from the group consisting of formulas (5) to (7).
Silicon solar cell.
Figure 112017079671473-pat00017

(Wherein A is a halogen atom or H, and B is a hydroxyl group or H.)
제3항에 있어서,
상기 A는, 플루오르(F)인 것인,
실리콘 태양전지.
The method of claim 3,
Wherein A is fluorine (F).
Silicon solar cell.
제1항에 있어서,
상기 이리듐 복합체는 양친성인 것인,
실리콘 태양전지.
The method according to claim 1,
Wherein the iridium complex is amphoteric.
Silicon solar cell.
제1항에 있어서,
상기 이리듐 복합체는, 빨강, 주황, 녹색 및 파랑으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 색의 빛을 방출하는 것인,
실리콘 태양전지.
The method according to claim 1,
Wherein the iridium complex emits light of any one color selected from the group consisting of red, orange, green and blue.
Silicon solar cell.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 코팅층 내의 상기 이리듐 복합체와 상기 고분자의 혼합 중량비(이리듐 복합체 중량 : 고분자 중량)는 1 : 0.5 내지 1 : 2.0 인 것인,
실리콘 태양전지.
The method according to claim 1,
Wherein the mixing ratio by weight of the iridium complex and the polymer in the coating layer (weight of iridium composite: polymer weight) is 1: 0.5 to 1: 2.0.
Silicon solar cell.
제1항에 있어서,
상기 코팅층의 두께는 0.05 ㎛ 내지 0.2 ㎛ 인 것인,
실리콘 태양전지.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the coating layer is 0.05 mu m to 0.2 mu m.
Silicon solar cell.
실리콘 태양 전지를 준비하는 단계;
상기 실리콘 태양 전지 상에 이리듐 복합체를 포함하는 코팅 용액으로 코팅층을 형성하는 단계; 및
상기 코팅층이 형성된 실리콘 태양 전지를 건조하는 단계;를 포함하고,
상기 코팅 용액은, PEO, PMMA 및 PEG 를 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자를 더 포함하는 것인,
실리콘 태양전지의 제조방법.
Preparing a silicon solar cell;
Forming a coating layer on the silicon solar cell with a coating solution containing an iridium complex; And
And drying the silicon solar cell having the coating layer formed thereon,
Wherein the coating solution further comprises at least one polymer selected from the group consisting of PEO, PMMA and PEG.
A method of manufacturing a silicon solar cell.
제10항에 있어서,
상기 이리듐 복합체는 하기의 [화학식 1]으로 표시되는 것인,
실리콘 태양전지의 제조방법.
[화학식 1]
Figure 112017079671473-pat00018

(여기서, R1 내지 R4는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되거나 또는 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 C6~C40의 축합 고리를 형성하고, R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고, R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.)
11. The method of claim 10,
Wherein the iridium complex is represented by the following formula (1)
A method of manufacturing a silicon solar cell.
[Chemical Formula 1]
Figure 112017079671473-pat00018

(Wherein R 1 to R 4 are the same or different and each is hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 - C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, substituted or non-substituted of unsubstituted ring of ring A C 6 to C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 A cycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, or is bonded to an adjacent group to form a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 condensed ring, and R 5 to R 8 Are each independently hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, Ring or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 of the alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ alkyloxy group of C 40 of a, substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted C 3 to C 40 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, and R 9 to R 12 are selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 to C 40 arylamine group, Substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl, substituted or unsubstituted C 2 to C 40 alkenyl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl, C for 2 ~ C 40 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or 5 to 40 carbon atoms in the Interrogating an aryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 of the aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, the substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted Or an unsubstituted C 3 -C 40 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 3 -C 40 heterocycloalkyl group.
제11항에 있어서,
상기 [화학식 1]은, [화학식 2] 내지 [화학식 4]으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
실리콘 태양전지의 제조방법.
Figure 112017079671473-pat00019

(R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택되고,
R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기에서 선택된다.)
12. The method of claim 11,
Wherein the formula (1) comprises at least one member selected from the group consisting of formulas (2) to (4)
A method of manufacturing a silicon solar cell.
Figure 112017079671473-pat00019

(Wherein R 5 to R 8 are the same or different and each independently represent hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, substituted or unsubstituted C 2 to C 40 the alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 40 of the alkynyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl group, a substituted or having 5 to 40 heteroaryl group, a C 6 unsubstituted or substituted in the ring ~ C 40 of the aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 of the alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted or unsubstituted C of 3 ~ C 40 cycloalkyl An alkyl group, a substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms,
R 9 to R 12 are the same or different and each independently represent hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, a substituted or unsubstituted C 1 to C 40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 40 Substituted or unsubstituted C 2 -C 40 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 aryl group, substituted or unsubstituted C 5 -C 40 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 40 alkynyl group, C 40 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 40 alkyloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 40 aryl amine group, a substituted or unsubstituted C 3 ~ C 40 cycloalkyl group of , A substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group having 3 to 40 carbon atoms.
제11항에 있어서,
상기 [화학식 1]은, [화학식 5] 내지 [화학식 7]로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
실리콘 태양전지의 제조방법.
Figure 112017079671473-pat00020

(여기서, A 는 할로겐 원자 또는 H이며, B는 하이드록시기 또는 H이다.)
12. The method of claim 11,
Wherein the formula (1) comprises at least one member selected from the group consisting of formulas (5) to (7).
A method of manufacturing a silicon solar cell.
Figure 112017079671473-pat00020

(Wherein A is a halogen atom or H, and B is a hydroxyl group or H.)
제10항에 있어서,
상기 코팅 용액의 상기 이리듐 복합체의 농도는, 0.05 mg / ml 내지 1.0 mg / ml 인 것인,
실리콘 태양전지의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the concentration of the iridium complex of the coating solution is 0.05 mg / ml to 1.0 mg / ml.
A method of manufacturing a silicon solar cell.
제10항에 있어서,
상기 코팅층을 형성하는 단계는, 상기 코팅 용액을 스프레이 방식으로 분사하여 코팅층을 형성하는 것인,
실리콘 태양전지의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the coating layer is formed by spraying the coating solution to form a coating layer.
A method of manufacturing a silicon solar cell.
제15항에 있어서,
상기 스프레이 방식은, 초음파 분사노즐을 이용하는 것인,
실리콘 태양전지의 제조방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the spraying method uses an ultrasonic jetting nozzle,
A method of manufacturing a silicon solar cell.
제15항에 있어서,
상기 코팅 용액은, 0.05 ml / min 내지 0.2 ml / min 속도로 분사되는 것인,
실리콘 태양전지의 제조방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the coating solution is sprayed at a rate of 0.05 ml / min to 0.2 ml / min.
A method of manufacturing a silicon solar cell.
제15항에 있어서,
상기 코팅층을 형성하는 단계는, 질소 가스 또는 비활성 가스 분위기에서 수행되는 것인,
실리콘 태양전지의 제조방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the forming of the coating layer is performed in a nitrogen gas or inert gas atmosphere.
A method of manufacturing a silicon solar cell.
삭제delete 제11항에 있어서,
상기 건조하는 단계는, 80 ℃ 내지 140 ℃ 온도에서 10 분 내지 30 분 동안 수행되는 것인,
실리콘 태양전지의 제조방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the drying step is carried out at a temperature of from 80 DEG C to 140 DEG C for 10 minutes to 30 minutes.
A method of manufacturing a silicon solar cell.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20080293945A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 National Taiwan University (Pentaphenyl)phenyl Group Containing Compound, Polymeric Derivative Thereof And Method For Forming The Same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006008996A (en) * 2004-05-21 2006-01-12 Showa Denko Kk Polymer light-emitting material and organic light emitting element
US20080293945A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 National Taiwan University (Pentaphenyl)phenyl Group Containing Compound, Polymeric Derivative Thereof And Method For Forming The Same

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