KR101912404B1 - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공정시간을 단축시킬 수 있는 기판 처리장치 및 기판 처리방법을 제공하기 위하여 배배향막이 형성된 기판이 반입되는 챔버 및 상기 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 상기 기판에 형성된 배향막을 제거하는 플라즈마 발생부 및 상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부를 배기할 수 있는 제1 및 제2 펌프유닛 및 상기 제1 및 제2 펌프유닛을 함께 작동시켜 상기 챔버 내부에 공정 분위기를 형성하고, 상기 배향막 제거에서 상기 제2 펌프유닛의 작동을 정지시켜 상기 챔버 내부의 공정부산물이 상기 제1 펌프유닛을 통해 배출되도록 하는 제어부를 포함한다. 이에, 기판 처리장치 및 기판 처리방법은 펌프장치의 유지보수가 용이하고, 펌프유닛의 유지보수에서도 다른 펌프유닛을 활용하여 지속적인 기판 처리를 수행할 수 있는 바, 기판의 제조수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of shortening a process time, a chamber in which a substrate on which an orientation film is formed is loaded, and a plasma generating unit for generating a plasma in the chamber to remove an alignment film formed on the substrate. And first and second pump units connected to the chamber and capable of exhausting the interior of the chamber and the first and second pump units together to form a process atmosphere in the chamber, 2 pump unit to stop the process by-products in the chamber through the first pump unit. Therefore, in the substrate processing apparatus and the substrate processing method, maintenance of the pump apparatus is easy, maintenance of the pump unit can be continuously performed by utilizing another pump unit, and the manufacturing yield of the substrate can be improved It is effective.

Description

기판 처리장치 및 기판 처리방법{APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리장치 및 기판 처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 글라스 기판을 재생하는 기판 처리장치 및 기판 처리방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and substrate processing method for reproducing a glass substrate.

일반적으로 기판 처리장치는 챔버 내부로 반입된 기판을 처리하는 장치를 의미한다. 이러한 기판 처리장치는 증착, 식각 또는 이온 주입 등 다양한 방식으로 기판의 처리를 수행한다. Generally, a substrate processing apparatus refers to an apparatus for processing a substrate carried into a chamber. Such a substrate processing apparatus performs processing of the substrate by various methods such as vapor deposition, etching, or ion implantation.

기판 처리장치에 대한 종래 기술은 이미 "대한민국 공개특허공보 제10-2012-0090646호(플라즈마를 이용한 기판처리장치, 2012.08.17.)"에 의해 공개된 바 있다. 상기 공개특허는 플라즈마를 기반으로 기판을 처리하는 것을 특징으로 한다. The prior art for a substrate processing apparatus has already been disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2012-0090646 (Substrate processing apparatus using plasma, Aug. 17, 2012). The patent discloses processing a substrate based on plasma.

특히, 기판의 재생을 위한 기판 처리장치는 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판 상에 형성된 배향막이 제거되도록 한다. 다만, 종래의 기판 처리장치는 배향막 제거 공정 중 발생된 공정 부산물이 펌프로 유입됨에 따라 펌프의 지속적인 유지보수가 필요하여 전체적인 공정시간이 지연되는 문제점이 있었다. In particular, a substrate processing apparatus for substrate regeneration generates a plasma in a chamber to remove an alignment film formed on a substrate. However, in the conventional substrate processing apparatus, since the process by-products generated during the alignment film removing process are introduced into the pump, there is a problem that the whole process time is delayed due to the maintenance of the pump.

대한민국 공개특허공보 제10-2012-0090646호(플라즈마를 이용한 기판처리장치, 2012.08.17.)Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2012-0090646 (substrate processing apparatus using plasma, Aug. 17, 2012)

본 발명의 목적은 공정시간을 단축시킬 수 있는 기판 처리장치 및 기판 처리방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of shortening a processing time.

본 발명에 따른 기판 처리장치은 배향막이 형성된 기판이 반입되는 챔버 및 상기 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 상기 기판에 형성된 배향막을 제거하는 플라즈마 발생부 및 상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부를 배기할 수 있는 제1 및 제2 펌프유닛 및 상기 제1 및 제2 펌프유닛을 함께 작동시켜 상기 챔버 내부에 공정 분위기를 형성하고, 상기 배향막 제거에서 상기 제2 펌프유닛의 작동을 정지시켜 상기 챔버 내부의 공정부산물이 상기 제1 펌프유닛을 통해 배출되도록 하는 제어부를 포함한다. A substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber into which a substrate on which an alignment layer is formed is introduced, a plasma generation unit that generates plasma in the chamber to remove an alignment layer formed on the substrate, and a plasma generator connected to the chamber, 1 and the second pump unit and the first and second pump units are operated together to form a process atmosphere inside the chamber and the operation of the second pump unit is stopped in the removal of the alignment layer, And a control unit for allowing the first pump unit to be discharged through the first pump unit.

상기 기판 처리장치는 상기 챔버와 상기 제1 및 제2 펌프유닛 사이에 배치되며, 상기 제1 및 제2 펌프유닛 중 적어도 어느 하나가 작동될 때에 상기 챔버의 내부 압력이 일정하게 변화 또는 유지되도록 하는 배기량 제어밸브를 더 포함할 수 있다. Wherein the substrate processing apparatus is disposed between the chamber and the first and second pump units so that the internal pressure of the chamber is constantly changed or maintained when at least one of the first and second pump units is operated And may further include a displacement control valve.

상기 기판 처리장치는 상기 챔버와 상기 제1 및 제2 펌프유닛 사이에 배치되어, 상기 챔버 내부의 배기속도를 제어하는 속도 제어밸브를 더 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus may further include a speed control valve disposed between the chamber and the first and second pump units for controlling an exhaust speed inside the chamber.

상기 속도 제어밸브는 상기 챔버 내부에서의 난류 발생이 억제되도록 상기 챔버 내부를 슬로우 펌핑시킬 수 있다. The speed control valve may cause slow pumping of the interior of the chamber to suppress turbulent flow within the chamber.

상기 속도 제어밸브는 상기 챔버 내부 압력이 급변하는 것이 방지되도록 상기 챔버 내부를 슬로우 펌핑시킬 수 있다. The speed control valve may cause the chamber interior to be slowly pumped so that the pressure inside the chamber is prevented from suddenly changing.

상기 기판 처리장치는 상기 제1 및 제2 펌프유닛 중 적어도 어느 하나에 연결되어 상기 챔버로부터 배출되는 상기 공정 부산물을 스크러빙하는 스크러버 유닛을 더 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus may further include a scrubber unit connected to at least one of the first and second pump units and scrubbing the process by-products discharged from the chamber.

상기 제1 및 제2 펌프유닛은 드라이펌프와, 상기 챔버와 드라이펌프 사이에 배치되는 제어밸브를 각각 포함하고, 상기 제어부는 상기 드라이펌프와 상기 제어밸브의 동작을 제어할 수 있다.The first and second pump units each include a dry pump and a control valve disposed between the chamber and the dry pump, and the control unit can control the operation of the dry pump and the control valve.

한편, 본 발명에 따른 기판 처리방법은 배향막이 형성된 기판이 챔버 내부로 반입되는 단계 및 상기 챔버에 연결된 제1 및 제2 펌프유닛에 의해 상기 챔버 내부가 배기되며 상기 챔버 내부에 공정 분위기가 형성되는 단계 및 상기 제2 펌프유닛의 작동을 정지시키고 상기 제1 펌프유닛에 의해 상기 챔버 내부의 공정분위기가 유지되는 단계 및 상기 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 상기 배향막이 제거되도록 하는 단계 및 상기 챔버 내부로부터 발생되는 공정 부산물이 상기 제1 펌프유닛을 통해 상기 챔버로부터 배출되는 단계를 포함한다.The substrate processing method according to the present invention is characterized in that the substrate having the alignment layer formed thereon is carried into the chamber and the inside of the chamber is exhausted by the first and second pump units connected to the chamber and a process atmosphere is formed inside the chamber Stopping the operation of the second pump unit and maintaining the process atmosphere inside the chamber by the first pump unit, generating a plasma in the chamber to remove the alignment film, And the generated process by-products are discharged from the chamber through the first pump unit.

상기 기판 처리방법은 상기 배출되는 단계 이후에, 상기 제1 펌프유닛을 통해 배출된 상기 공정 부산물이 스크러버 유닛으로 제공되어 스크러빙되는 단계를 더 포함할 수 있다.The substrate processing method may further include, after the discharging step, the process by-product discharged through the first pump unit is provided to the scrubber unit and scrubbed.

상기 챔버는 상기 제1 및 제2 펌프유닛 중 적어도 어느 하나가 작동될 때에 배기량 제어밸브에 의해 내부 압력이 일정하게 변화 또는 유지될 수 있다. The chamber can be constantly changed or maintained in its internal pressure by the displacement control valve when at least one of the first and second pump units is operated.

상기 배출되는 단계에서는 상기 챔버와, 상기 제1 및 제2 펌프유닛 사이에 배치되는 속도 제어밸브에 의해 상기 챔버 내부의 배기속도가 제어될 수 있다. In the discharging step, the exhaust speed in the chamber can be controlled by the speed control valve disposed between the chamber and the first and second pump units.

상기 속도 제어밸브는 상기 챔버 내부가 슬로우 펌핑되도록 할 수 있다.The speed control valve may cause the interior of the chamber to be slowly pumped.

본 발명에 따른 기판 처리장치 및 기판 처리방법은 펌프장치의 유지보수가 용이하고, 펌프유닛의 유지보수에서도 다른 펌프유닛을 활용하여 지속적인 기판 처리를 수행할 수 있는 바, 기판의 제조수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention can easily perform the maintenance of the pump apparatus and can perform the continuous substrate processing by utilizing another pump unit in the maintenance of the pump unit, There is an effect that can be.

이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other technical effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 실시예에 따른 기판 처리장치를 간략하게 나타낸 개념도이고,
도 2는 본 실시예에 따른 기판 처리방법을 간략하게 나타낸 순서도이고,
도 3 및 도 4는 본 실시예에 따른 기판 처리방법을 간략하게 나타낸 공정도이고,
도 5는 다른 실시예에 따른 기판 처리장치를 간략하게 나타낸 개념도이다. 1 is a conceptual view briefly showing a substrate processing apparatus according to the present embodiment,
FIG. 2 is a flowchart briefly showing a substrate processing method according to the present embodiment,
FIG. 3 and FIG. 4 are process charts schematically showing a substrate processing method according to the present embodiment,
5 is a conceptual view briefly showing a substrate processing apparatus according to another embodiment.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it should be understood that the present invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be implemented in various forms, and the present embodiments are not intended to be exhaustive or to limit the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided to let you know completely. The shape and the like of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings.

도 1은 제1 실시예에 따른 기판 처리장치를 간략하게 나타낸 개념도이다.1 is a conceptual view briefly showing a substrate processing apparatus according to the first embodiment.

도 1에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에 따른 기판 처리장치(100)는 기판(10)에 형성된 배향막(11)을 제거하여 기판(10)을 재생한다. 여기서, 기판(10)은 글라스 기판일 수 있으며, 기판(10) 상부에는 폴리이미드를 포함한 유기물질로 마련될 수 있는 배향막(11)과 포토레지스트(12)가 형성된 상태일 수 있다. 이에, 기판 처리장치(100)는 기판(10)으로부터 폴리이미드 배향막(11)을 제거하여 기판(10)이 재생되도록 한다. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment removes the alignment film 11 formed on the substrate 10 to reproduce the substrate 10. Here, the substrate 10 may be a glass substrate, and an alignment layer 11 and a photoresist 12 may be formed on the substrate 10, which may be formed of an organic material including polyimide. Thus, the substrate processing apparatus 100 removes the polyimide alignment film 11 from the substrate 10, thereby allowing the substrate 10 to be reproduced.

이러한 기판 처리장치(100)는 챔버(110)를 포함한다.The substrate processing apparatus 100 includes a chamber 110.

챔버(110)는 기판 처리장치(100)의 외형을 형성하며 내부에 기판(10)을 처리하기 위한 공정공간이 형성된다. 그리고 챔버(110)의 일측에는 기판(10)이 반입 및 반출되는 경로를 형성하는 게이트 밸브(110a)가 장착될 수 있다. 다만, 이는 본 실시예를 설명하기 위한 일 실시예로 챔버(110)는 하부챔버, 및 하부챔버로부터 승강되는 상부챔버로 분리되어 기판(10)의 반입 및 반출 경로를 형성할 수 있다.The chamber 110 forms an outer shape of the substrate processing apparatus 100 and a processing space for processing the substrate 10 is formed therein. A gate valve 110a may be mounted on one side of the chamber 110 to form a path through which the substrate 10 is loaded and unloaded. However, this is an embodiment for explaining the present embodiment, and the chamber 110 may be divided into a lower chamber and an upper chamber which is lifted from the lower chamber to form a carry-in and carry-out path of the substrate 10. [

그리고 챔버(110)에는 플라즈마 발생부(111)를 마련될 수 있다. 플라즈마 발생부(111)는 제1 전극(111a) 및 제2 전극(111b)을 포함할 수 있다.The chamber 110 may be provided with a plasma generating unit 111. The plasma generating part 111 may include a first electrode 111a and a second electrode 111b.

먼저, 제1 전극(111a)은 스테이지 형태로 마련되어 챔버(110) 내부로 반입되는 기판(10)을 지지한다. 여기서, 제1 전극(111a)은 챔버(110) 외부에 배치된 고주파전원과 연결된다. 그리고 제1 전극(111a)은 필요에 따라 승강 또는 회전 가능하게 마련될 수 있다. First, the first electrode 111a is provided in the form of a stage to support the substrate 10 to be transferred into the chamber 110. Here, the first electrode 111a is connected to a high-frequency power source disposed outside the chamber 110. [ The first electrode 111a may be provided so as to be movable up or down as required.

그리고 제2 전극(111b)은 제1 전극(111a)의 상부에 배치될 수 있다. 제2 전극(111b)은 제1 전극(111a)과 마주하도록 배치된다. 제2 전극(111b)은 공정가스가 유입되는 경로를 형성하는 가스 공급부 형태로 마련될 수 있으나, 제2 전극(111b)의 형태는 한정하지 않는다. 그리고 제2 전극(111b)으로 공급되는 공정가스는 산소 및 질소를 포함한 혼합 가스일 수 있다. The second electrode 111b may be disposed on the first electrode 111a. The second electrode 111b is disposed to face the first electrode 111a. The second electrode 111b may be provided in the form of a gas supply part forming a path through which the process gas flows, but the shape of the second electrode 111b is not limited. The process gas supplied to the second electrode 111b may be a mixed gas containing oxygen and nitrogen.

이러한 제1 전극(111a)과 제2 전극(111b)은 공정가스를 기반으로 챔버(110) 내부에 플라즈마를 발생시켜, 기판(10)에 형성된 폴리이미드 배향막이 식각되도록 한다. 이때, 폴리이미드를 포함한 공정 부산물은 챔버(110)에 연결된 배기시스템(200)에 의해 챔버(110) 외부로 반출된다.The first electrode 111a and the second electrode 111b generate plasma in the chamber 110 based on the process gas so that the polyimide alignment layer formed on the substrate 10 is etched. At this time, the process by-products including the polyimide are carried out of the chamber 110 by the exhaust system 200 connected to the chamber 110.

이러한 배기시스템(200)은 배기라인(210)을 포함할 수 있다. 배기라인(210)은 일단이 챔버(110)에 연통되고 타단이 챔버(110) 외부로 연장되어 챔버(110) 내부가 배기되는 경로를 형성한다. 그리고 배기라인(210)에는 배기량 제어밸브(220) 및 속도 제어밸브(230)가 마련될 수 있다. This exhaust system 200 may include an exhaust line 210. The exhaust line 210 forms a path through which one end communicates with the chamber 110 and the other end extends outside the chamber 110 to exhaust the inside of the chamber 110. The exhaust line 210 may be provided with a displacement control valve 220 and a speed control valve 230.

배기량 제어밸브(220)는 버터플라이 밸브(Butterfly Valve)를 포함하도록 마련되어 챔버(110)의 배기량이 제어되도록 할 수 있다. 그리고 속도 제어밸브(230)는 챔버(110)와 배기량 제어밸브(220) 사이에 배치되어, 챔버(110) 내부의 배기속도를 제어할 수 있다. The displacement control valve 220 may be provided to include a butterfly valve so that the displacement of the chamber 110 may be controlled. The speed control valve 230 is disposed between the chamber 110 and the displacement control valve 220 so as to control the exhaust velocity inside the chamber 110.

한편, 배기라인(210)의 타단에는 복수 개의 펌프유닛(240)이 연결된다. 이에, 배기라인(210)의 타단은 복수로 분기될 수 있으며, 분기된 배기라인(210)의 타단 각각에는 펌프유닛(240)이 연결될 수 있다. 여기서, 펌프유닛(240)은 제1 펌프유닛(241), 제2 펌프유닛(242), 및 제3 펌프유닛(243)으로 마련될 수 있다. 다만, 본 실시예서는 펌프유닛(240)이 3개로 마련되는 것을 설명하고 있으나, 펌프유닛(240)의 개수는 챔버(110)의 공정시간 및 용량 등을 고려하여 변경될 수 있다.A plurality of pump units 240 are connected to the other end of the exhaust line 210. Accordingly, the other end of the exhaust line 210 can be branched into a plurality of units, and the pump unit 240 can be connected to each of the other ends of the branched exhaust line 210. Here, the pump unit 240 may be provided as a first pump unit 241, a second pump unit 242, and a third pump unit 243. However, the number of the pump units 240 may be changed in consideration of the process time and capacity of the chamber 110, and the like.

한편, 제1 펌프유닛(241)은 제1 드라이펌프(241a) 및 제1 제어밸브(241b)를 포함한다. 여기서, 제1 드라이펌프(241a)는 제1 분기라인(211)에 연결되어, 제1 분기라인(211)을 통해 챔버(110) 내부가 배기되도록 한다. 그리고 제1 제어밸브(241b)는 제1 분기라인(211)에 마련되어 제1 분기라인(211)이 개폐되도록 할 수 있다. On the other hand, the first pump unit 241 includes a first dry pump 241a and a first control valve 241b. The first dry pump 241a is connected to the first branch line 211 so that the interior of the chamber 110 is exhausted through the first branch line 211. [ The first control valve 241b may be provided in the first branch line 211 so that the first branch line 211 may be opened or closed.

제2 펌프유닛(242)은 제2 드라이펌프(242a) 및 제2 제어밸브(242b)를 포함한다. 여기서, 제2 드라이펌프(242a)는 제2 분기라인(212)에 연결되어, 제2 분기라인(212)을 통해 챔버(110) 내부가 배기되도록 한다. 그리고 제2 제어밸브(242b)는 제2 분기라인(212)에 마련되어 제2 분기라인(212)이 개폐되도록 할 수 있다.  The second pump unit 242 includes a second dry pump 242a and a second control valve 242b. The second dry pump 242a is connected to the second branch line 212 so that the inside of the chamber 110 is exhausted through the second branch line 212. [ And the second control valve 242b may be provided in the second branch line 212 so that the second branch line 212 may be opened and closed.

제3 펌프유닛(243)은 제3 드라이펌프(243a) 및 제3 제어밸브(243b)를 포함한다. 여기서, 제3 드라이펌프(243a)는 제3 분기라인(213)에 연결되어, 제3 분기라인(213)을 통해 챔버(110) 내부가 배기되도록 한다. 그리고 제3 제어밸브(243b)는 제3 분기라인(213)에 마련되어 제3 분기라인(213)이 개폐되도록 할 수 있다. The third pump unit 243 includes a third dry pump 243a and a third control valve 243b. The third dry pump 243a is connected to the third branch line 213 so that the inside of the chamber 110 is exhausted through the third branch line 213. [ Further, the third control valve 243b may be provided in the third branch line 213 so that the third branch line 213 may be opened and closed.

한편, 제1 펌프유닛(241)에는 스크러버 유닛(250)이 연결될 수 있다. 스크러버 유닛(250)은 제1 펌프유닛(241)으로부터 공정 부산물이 제공될 때에 공정 부산물을 스크러빙한다. 여기서, 스크러버 유닛(250)은 건식 또는 습식으로 마련될 수 있으나, 스크러버 유닛(250)의 종류는 한정하지 않는다.Meanwhile, the scrubber unit 250 may be connected to the first pump unit 241. The scrubber unit 250 scrubs process byproducts when process byproducts are provided from the first pump unit 241. Here, the scrubber unit 250 may be provided either dry or wet, but the type of the scrubber unit 250 is not limited.

한편, 배기시스템(200)에는 제어부(260)가 연결될 수 있다. 제어부(260)는 배기시스템(200)의 작동을 제어한다. 여기서, 제어부(260)는 복수 개의 펌프유닛(240)이 함께 또는 개별적으로 작동되도록 할 수 있다. 그리고 제어부(260)는 배기량 제어밸브(220) 및 속도 제어밸브(230)를 각각 제어하여 배기속도와 배기량이 제어되도록 할 수 있다.Meanwhile, a control unit 260 may be connected to the exhaust system 200. The control unit 260 controls the operation of the exhaust system 200. Here, the control unit 260 may cause the plurality of pump units 240 to operate together or individually. The control unit 260 controls the exhaust amount control valve 220 and the speed control valve 230 to control the exhaust speed and the exhaust amount.

다만, 본 실시예서는 제어부(260)가 배기시스템(200)의 작동을 제어하는 실시예를 설명하고 있으나, 이는 본 실시예를 설명하기 위한 일 실시예로 제어부(260)는 배기시스템(200)의 작동을 포함한 기판 처리장치(100)의 전반적인 제어를 수행할 수 있다.Although the control unit 260 controls the operation of the exhaust system 200 according to an embodiment of the present invention, the control unit 260 controls the operation of the exhaust system 200, It is possible to perform overall control of the substrate processing apparatus 100 including the operation of the substrate processing apparatus 100.

한편, 이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 기판 처리방법에 대하여 상세히 설명하도록 한다. 다만, 상술된 구성요소에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 동일한 참조부호를 부여하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a substrate processing method according to the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the above-described components will not be described in detail and will be denoted by the same reference numerals.

도 2는 제1 실시예에 따른 기판 처리방법을 간략하게 나타낸 순서도이고, 도 3 및 도 4는 제1 실시예에 따른 기판 처리방법을 간략하게 나타낸 공정도이다. FIG. 2 is a flow chart briefly showing a substrate processing method according to the first embodiment, and FIGS. 3 and 4 are process drawings schematically showing a substrate processing method according to the first embodiment.

도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에 따른 기판(10)은 별도의 이송장치(미도시)에 의해 챔버 내부로 반입된다(S100).As shown in FIGS. 2 to 4, the substrate 10 according to the first embodiment is introduced into the chamber by a separate transfer device (not shown) (S100).

이어, 기판(10)은 제1 전극(111a)에 안착되고, 게이트 밸브(110a)는 챔버(110)를 폐쇄한다. 여기서, 제어부(260)는 제1 드라이펌프(241a), 제2 드라이펌프(242a), 및 제3 드라이펌프(243a)를 함께 작동시켜 챔버(110) 내부에 공정 분위기가 형성되도록 한다(S200). 이때, 챔버(110) 내부 압력은 100~400torr를 유지할 수 있으며, 배기량 제어밸브(220)는 복수 개의 드라이펌프ㅍ 작동에서도 챔버(110) 내부 압력이 일정하게 변화 및 유지되도록 할 수 있다.Subsequently, the substrate 10 is seated on the first electrode 111a, and the gate valve 110a closes the chamber 110. [ The control unit 260 operates the first dry pump 241a, the second dry pump 242a and the third dry pump 243a together to form a process atmosphere in the chamber 110 (S200) . At this time, the internal pressure of the chamber 110 can be maintained at 100 to 400 torr, and the exhaust control valve 220 can maintain the pressure inside the chamber 110 constantly even when a plurality of dry pump operations are performed.

이후, 챔버(110) 내부에 공정 분위기가 형성되면, 제어부(260)는 제2 드라이펌프(242a) 및 제3 드라이펌프(243a)의 작동을 정지시키고 제1 드라이펌프(241a)만이 작동되도록 하여 챔버(110) 내부의 공정 분위기가 유지되도록 한다(S300). 이때, 배기량 제어밸브(220)는 단일의 드라이펌프 작동에서도 챔버(110) 내부 압력이 일정하게 유지되도록 하고, 제어부(260)는 제2 제어밸브(242b) 및 제3 제어밸브(243b)가 폐쇄되도록 할 수 있다. Thereafter, when a process atmosphere is formed in the chamber 110, the controller 260 stops the operation of the second dry pump 242a and the third dry pump 243a and allows only the first dry pump 241a to operate So that the process atmosphere inside the chamber 110 is maintained (S300). At this time, the displacement control valve 220 keeps the pressure in the chamber 110 constant even in a single dry pump operation, and the control unit 260 controls the second control valve 242b and the third control valve 243b to be closed .

이후, 공정가스가 제2 전극(111b)을 통해 챔버(110) 내부로 반입된다. 그리고 제1 전극(111a)과 제2 전극(111b)은 공정가스를 기반으로 플라즈마를 발생시킨다. 이에, 챔버(110) 내부에서는 공정가스에 의한 라디칼 이온이 발생되고, 라디칼 이온은 포토레지스트(12)를 유지시키면서 폴리이미드 배향막(11)이 식각되도록 하여 기판(10)이 재생되도록 할 수 있다(S400). Then, the process gas is introduced into the chamber 110 through the second electrode 111b. The first electrode 111a and the second electrode 111b generate plasma based on the process gas. Accordingly, radical ions are generated by the process gas in the chamber 110, and the substrate 10 is regenerated by etching the polyimide alignment film 11 while maintaining the photoresist 12 in the radical ions S400).

이때, 챔버(110) 내부로는 폴리이미드를 포함한 공정 부산물이 확산되고, 확산된 공정 부산물은 챔버(110) 내부를 배기하는 제1 드라이펌프(241a)에 의해 챔버(110)로부터 배기된다. 여기서, 제1 드라이펌프(241a)로 제공되는 공정 부산물은 스크러버 유닛(250)으로 공급되고, 스크러버 유닛(250)은 공정 부산물을 스크러빙한다(S500). At this time, process by-products including polyimide are diffused into the chamber 110, and the diffused process by-products are exhausted from the chamber 110 by the first dry pump 241a which exhausts the inside of the chamber 110. [ Here, the process by-products supplied to the first dry pump 241a are supplied to the scrubber unit 250, and the scrubber unit 250 scrubs the process by-products (S500).

한편, 제어부(260)는 챔버(110) 내부의 배기과정에서 속도 제어밸브(230)의 동작을 제어할 수 있다. 이때, 제어부(260)는 챔버(110) 내부가 슬로우 펌핑(Slow Pumping)되도록 할 수 있다. Meanwhile, the control unit 260 may control the operation of the speed control valve 230 during the exhaust process inside the chamber 110. At this time, the controller 260 may cause the interior of the chamber 110 to perform slow pumping.

이에, 챔버(110) 내부에서는 일반적인 배기과정에서 발생될 수 있는 난류 발생이 억제될 수 있다. 따라서 난류 발생으로 인해 발생될 수 있는 공정부산물에 의한 챔버(110) 내 또는 기판(10)의 오염이 방지될 수 있다. 또한, 챔버(110) 배기과정에서 발생될 수 있는 급격한 압력변화로 인해 기판(10)에 파손 또는 훼손이 발생되는 것을 억제할 수 있다. Accordingly, the generation of turbulence, which may occur in a general exhaust process, can be suppressed within the chamber 110. Therefore, contaminants in the chamber 110 or the substrate 10 due to processing by-products that may be generated due to turbulent generation can be prevented. In addition, it is possible to prevent the substrate 10 from being damaged or damaged due to a sudden pressure change that may be generated in the exhaust process of the chamber 110.

한편, 이하에서는 다른 실시예에 따른 기판 처리장치에 대하여 상세히 설명하도록 한다. 다만, 상술된 구성요소에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 동일한 참조부호를 부여하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to another embodiment will be described in detail. However, the above-described components will not be described in detail and will be denoted by the same reference numerals.

도 5는 제2 실시예에 따른 기판 처리장치를 간략하게 나타낸 개념도이다. 5 is a conceptual view briefly showing a substrate processing apparatus according to the second embodiment.

도 5에 도시된 바와 같이, 제2 실시예에 따른 기판 처리장치(100)는 제1 드라이펌프(241a), 제2 드라이펌프(242a), 및 제3 드라이펌프(243a)가 스크러버 유닛(250)에 연결될 수 있다. 이에, 기판 처리장치(100)는 드라이펌프의 유지보수를 위한 시간 동안에도 다른 드라이펌프를 활용하여 기판(10) 처리공정이 지속적으로 수행되도록 할 수 있다. 5, the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment is configured such that the first dry pump 241a, the second dry pump 242a, and the third dry pump 243a are connected to the scrubber unit 250 . Accordingly, the substrate processing apparatus 100 can continuously process the substrate 10 using another dry pump even during the maintenance time of the dry pump.

예컨대, 배향막 식각 공정에서는 제1 실시예와 같이 제1 드라이펌프(241a)만을 활용하여 공정 부산물의 배기를 수행할 수 있다. 이에, 제1 드라이펌프(241a)는 다른 드라이펌프와 비교하여 비교적 빠른 점검이 요구된다.For example, in the alignment film etching process, the process by-products can be exhausted using only the first dry pump 241a as in the first embodiment. Therefore, the first dry pump 241a requires a relatively quick check as compared with other dry pumps.

따라서 단일의 드라이펌프를 활용하여 기판(10) 처리공정을 수행할 경우에는 드라이펌프 점검 시 기판(10) 처리공정의 전체 공정이 중지되어야 한다. 그러나 제2 실시예에 따른 기판 처리장치(100)는 제1 드라이펌프(241a)가 점검될 때에도 제1 제어밸브(241b)를 폐쇄시키고, 제2 펌프유닛(242)과 제3 펌프유닛(243)을 활용하여 기판(10) 처리공정이 수행되도록 할 수 있다. Therefore, when the substrate 10 is processed by using a single dry pump, the entire process of the substrate 10 treatment process must be stopped when the dry pump is inspected. However, the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment closes the first control valve 241b even when the first dry pump 241a is checked, and the second pump unit 242 and the third pump unit 243 So that the processing of the substrate 10 can be performed.

이때, 제어부(260)는 제2 드라이펌프(242a) 및 제3 드라이펌프(243a)를 함께 작동시켜 챔버(110) 내부에 공정 분위기가 형성되도록 할 수 있다. 그리고 배향막 식각공정에서는 제3 드라이펌프(243a)의 작동을 정지시키고 제2 드라이펌프(242a)만이 작동되도록 할 수 있다. 이에, 챔버(110) 내부는 제2 드라이펌프(242a)에 의해 공정 분위기가 유지될 수 있다. 그리고 배향막 식각에서 발생된 공정 부산물은 제2 드라이펌프(242a)를 통해 스크러버 유닛(250)으로 제공되며 스크러빙될 수 있다. At this time, the control unit 260 may operate the second dry pump 242a and the third dry pump 243a together to form a process atmosphere in the chamber 110. [ In the alignment film etching process, the operation of the third dry pump 243a is stopped and only the second dry pump 242a is operated. Thus, the inside of the chamber 110 can be maintained in a process atmosphere by the second dry pump 242a. The process by-products generated in the etching of the alignment layer may be provided to the scrubber unit 250 through the second dry pump 242a and may be scrubbed.

이와 같이, 기판 처리장치 및 기판 처리방법은 펌프유닛의 유지보수가 용이하고, 펌프유닛의 유지보수에서도 다른 펌프유닛을 활용하여 지속적인 기판 처리를 수행할 수 있는 바, 기판의 제조수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. As described above, in the substrate processing apparatus and the substrate processing method, maintenance of the pump unit is easy and maintenance of the pump unit can be continuously performed using another pump unit, so that the yield of the substrate can be improved There is an effect.

앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.An embodiment of the present invention described above and shown in the drawings should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art will be able to modify the technical idea of the present invention in various forms. Accordingly, such improvements and modifications will fall within the scope of the present invention as long as they are obvious to those skilled in the art.

100 : 기판 처리장치 110 : 챔버
111 : 제1 전극 113 : 제2 전극
200 : 배기시스템 210 : 배기라인
211 : 제1 분기라인 212 : 제2 분기라인
213 : 제3 분기라인 220 : 배기량 제어 밸브
230 : 속도 제어 밸브 240 : 펌프유닛
241 : 제1 펌프유닛 242 : 제2 펌프유닛
243 : 제3 펌프유닛 250 : 스크러버 유닛
260 : 제어부100: substrate processing apparatus 110: chamber
111: first electrode 113: second electrode
200: exhaust system 210: exhaust line
211: first branch line 212: second branch line
213: Third branch line 220: Displacement control valve
230: speed control valve 240: pump unit
241: first pump unit 242: second pump unit
243: Third pump unit 250: Scrubber unit
260:

Claims (12)

배향막이 형성된 기판이 반입되는 챔버;
상기 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 상기 기판에 형성된 배향막을 제거하는 플라즈마 발생부;
상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부를 배기할 수 있는 제1 및 제2 펌프유닛;
상기 제1 및 제2 펌프유닛을 함께 작동시켜 상기 챔버 내부에 공정 분위기를 형성하고, 상기 배향막 제거에서 상기 제2 펌프유닛의 작동을 정지시켜 상기 챔버 내부의 공정부산물이 상기 제1 펌프유닛을 통해 배출되도록 하는 제어부; 및
상기 챔버와 상기 제1 및 제2 펌프유닛 사이에 배치되며, 상기 제1 및 제2 펌프유닛 중 적어도 어느 하나가 작동될 때에 상기 챔버의 내부 압력이 일정하게 변화 또는 유지되도록 하는 배기량 제어밸브를 포함하는 기판 처리장치.
A chamber into which a substrate on which an alignment film is formed is introduced;
A plasma generator for generating a plasma in the chamber to remove an alignment film formed on the substrate;
First and second pump units connected to the chamber to exhaust the interior of the chamber;
The first pump unit and the second pump unit are operated together to form a process atmosphere in the chamber, and the operation of the second pump unit in the removal of the alignment layer is stopped so that the process by- A control unit for causing the control unit And
And an exhaust amount control valve disposed between the chamber and the first and second pump units to allow the internal pressure of the chamber to be constantly changed or maintained when at least one of the first and second pump units is operated .
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 챔버와 상기 제1 및 제2 펌프유닛 사이에 배치되어, 상기 챔버 내부의 배기속도를 제어하는 속도 제어밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a speed control valve disposed between the chamber and the first and second pump units for controlling an exhaust speed inside the chamber.
제3 항에 있어서,
상기 속도 제어밸브는 상기 챔버 내부에서의 난류 발생이 억제되도록 상기 챔버 내부를 슬로우 펌핑시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
The method of claim 3,
Wherein the speed control valve slow-pumps the interior of the chamber to suppress turbulent flow within the chamber.
제3 항에 있어서,
상기 속도 제어밸브는 상기 챔버 내부 압력이 급변하는 것이 방지되도록 상기 챔버 내부를 슬로우 펌핑시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
The method of claim 3,
Wherein the speed control valve slow-pumps the inside of the chamber so as to prevent a sudden change in pressure inside the chamber.
제1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 펌프유닛 중 적어도 어느 하나에 연결되어 상기 챔버로부터 배출되는 상기 공정 부산물을 스크러빙하는 스크러버 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a scrubber unit connected to at least one of the first and second pump units to scrub the process by-products discharged from the chamber.
제1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 펌프유닛은 드라이펌프와, 상기 챔버와 드라이펌프 사이에 배치되는 제어밸브를 각각 포함하고,
상기 제어부는 상기 드라이펌프와 상기 제어밸브의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second pump units each include a dry pump and a control valve disposed between the chamber and the dry pump,
Wherein the control unit controls operations of the dry pump and the control valve.
배향막이 형성된 기판이 챔버 내부로 반입되는 단계;
상기 챔버에 연결된 제1 및 제2 펌프유닛에 의해 상기 챔버 내부가 배기되며 상기 챔버 내부에 공정 분위기가 형성되는 단계;
상기 제2 펌프유닛의 작동을 정지시키고 상기 제1 펌프유닛에 의해 상기 챔버 내부의 공정분위기가 유지되는 단계;
상기 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 상기 배향막이 제거되도록 하는 단계; 및
상기 챔버 내부로부터 발생되는 공정 부산물이 상기 제1 펌프유닛을 통해 상기 챔버로부터 배출되는 단계를 포함하고,
상기 챔버는 상기 제1 및 제2 펌프유닛 중 적어도 어느 하나가 작동될 때에 배기량 제어밸브에 의해 내부 압력이 일정하게 변화 또는 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
The substrate on which the alignment layer is formed is carried into the chamber;
The interior of the chamber being evacuated by first and second pump units connected to the chamber and forming a process atmosphere within the chamber;
The operation of the second pump unit is stopped and the process atmosphere inside the chamber is maintained by the first pump unit;
Generating a plasma in the chamber to remove the alignment layer; And
Wherein process byproducts generated from the interior of the chamber are discharged from the chamber through the first pump unit,
Wherein the chamber is configured such that the internal pressure is constantly changed or maintained by the exhaust amount control valve when at least one of the first and second pump units is operated.
제8 항에 있어서,
상기 배출되는 단계 이후에,
상기 제1 펌프유닛을 통해 배출된 상기 공정 부산물이 스크러버 유닛으로 제공되어 스크러빙되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
9. The method of claim 8,
After said discharging step,
Further comprising the step of providing the process by-products discharged through the first pump unit to the scrubber unit for scrubbing.
삭제delete 제8 항에 있어서,
상기 배출되는 단계에서는 상기 챔버와, 상기 제1 및 제2 펌프유닛 사이에 배치되는 속도 제어밸브에 의해 상기 챔버 내부의 배기속도가 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the exhausting speed of the inside of the chamber is controlled by a speed control valve disposed between the chamber and the first and second pump units in the discharging step.
제11 항에 있어서,
상기 속도 제어밸브는 상기 챔버 내부가 슬로우 펌핑되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the speed control valve causes the interior of the chamber to be slowly pumped.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4417615A (en) * 1980-12-22 1983-11-29 Air Preheater Company, Inc. Cast iron recuperator
KR100498467B1 (en) * 2002-12-05 2005-07-01 삼성전자주식회사 Apparatus for atomic layer deposition with preventing powder generation in exhaust paths
KR20060055747A (en) * 2004-11-19 2006-05-24 삼성전자주식회사 Vaccum system of apparatus for manufacturing a semiconductor substrate
KR20070093499A (en) * 2006-03-14 2007-09-19 삼성전자주식회사 Exhaust system
KR101275783B1 (en) 2011-02-08 2013-06-17 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus for processing a substrate using plasma

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