KR101906670B1 - Apparatus and Method for Deposition - Google Patents

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한양대학교 산학협력단
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Abstract

증착 장비 및 증착 방법이 제공된다. 상기 증착 장비는, 챔버, 상기 챔버 내에 배치되는 제1 광원, 제2 광원, 및 상기 제1 광원 및 상기 제2 광원 상에 배치되는 리플렉터를 포함한다. 상기 증착 장비를 이용한 상기 증착 방법은, 제1 광을 조사하는 상기 제1 광원, 및 상기 제1 광과 다른 파장 대역을 갖는 제2 광을 조사하는 상기 제2 광원을 포함하는 상기 챔버 내에 기판을 준비하는 단계, 및 상기 챔버 내에 소스 가스를 공급하여, 상기 기판상에 물질막(material layer)을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 챔버 내에 상기 소스 가스가 공급되는 동안, 또는 상기 물질막이 형성된 후, 상기 기판으로 상기 제1 광 또는 상기 제2 광을 선택적으로 조사하는 것을 포함한다.A deposition apparatus and a deposition method are provided. The deposition equipment includes a chamber, a first light source disposed in the chamber, a second light source, and a reflector disposed on the first and second light sources. The deposition method using the vapor deposition equipment may further include a step of forming a substrate in the chamber including the first light source for irradiating the first light and the second light source for irradiating the second light having a wavelength band different from the first light And supplying a source gas into the chamber to form a material layer on the substrate while the source gas is being supplied into the chamber or after the material film is formed, And selectively irradiating the first light or the second light to the substrate.

Description

증착 장비 및 증착 방법{Apparatus and Method for Deposition}[0001] Apparatus and Method for Deposition [0002]

본 발명은 증착 장비 및 증착 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 서로 다른 파장 대역을 조사하는 제1 광원 및 제2 광원을 포함하는 증착 장비 및 증착 방법에 관련된 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus and a deposition method, and more particularly, to a deposition apparatus and a deposition method including a first light source and a second light source that emit different wavelength bands.

최근 반도체, 연료 전지, 커패시터, 또는 트렌지스터 등 전자 소자의 크기 감소로 인해, 원자 단위의 정밀성을 제공하고, 높은 종횡비를 갖는 소자에도 균일한 물질막 증착을 가능하게 하는 화학 기상 증착법, 물리 기상 증착법, 원자층 증착법 등에 대한 연구개발이 진행되고 있다.Recently, chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (CVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD), and the like, which enable atomic unit precision and high aspect ratio devices to be deposited uniformly due to size reduction of electronic devices such as semiconductors, fuel cells, capacitors, Atomic layer deposition, and so on.

특히, 원자층 증착법은, 기판의 표면에 흡착한 물질에 한정되어 막을 형성하는, 자기 제한적 특성을 이용하는 증착 방법으로, 단원자층 물질막을 형성하여, 균일한 물질막을 제공하는 반면, 특정 온도 범위를 가져야 한다는 한계를 갖는다.Particularly, the atomic layer deposition method is a deposition method using a self-limiting property which forms a film only on a substance adsorbed on the surface of a substrate. In this method, a monolayer material film is formed to provide a uniform material film, .

이로 인해, 기존의 원자층 증착법은 저온에서의 물질막 증착 공정 종결 후, 고온에서의 전기로 소성 공정을 더 포함하여 물질막의 결정성, 밀도, 또는 순도 등의 특성을 향상시키고 있다. 이에 따라, 상기 고온에서의 전기로 소성 공정에 의해 발생하는 열 손실 및 기판의 손상 문제 등을 해결하기 위한 활발한 연구가 진행되고 있다.Therefore, the conventional atomic layer deposition method improves the properties such as crystallinity, density, or purity of a material film by further including an electric roasting process at a high temperature after the termination of the material film deposition process at a low temperature. Accordingly, active research has been conducted to solve the problem of heat loss and substrate damage caused by the electric furnace firing process at the high temperature.

예를 들어, 대한민국 특허 공개 번호 10-2010-0001181 (출원인: 삼성전자주식회사, 출원번호: 10-2008-0060998)은 플라즈마를 이용한 물질막의 저온 결정화에 관한 것으로, 저온에서의 물질막 결정화를 통해 소자의 손상이 최소화되고, 공정이 단순화되며, 제조 비용을 감소시킬 수 있는 물질막 증착 기술을 개시한다.For example, Korean Patent Publication No. 10-2010-0001181 (Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd., Application No.: 10-2008-0060998) relates to low-temperature crystallization of a material film using plasma, Which is capable of minimizing damage to the substrate, simplifying the process, and reducing the manufacturing cost.

대한민국 특허 공개 번호 제10-2010-0001181호Korean Patent Publication No. 10-2010-0001181

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 제1 광원 및 제2 광원을 포함하는 증착 장비 및 증착 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a deposition apparatus and a deposition method which include a first light source and a second light source.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 고품질 박막의 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a high-quality thin film deposition apparatus and a deposition method.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 저온 결정화가 가능한 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a deposition apparatus and a deposition method capable of low temperature crystallization.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 플렉시블 기판에 적용 가능한 증착 장비 및 증착 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a deposition apparatus and a deposition method applicable to a flexible substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 제조 공정이 간소화된 증착 장비 및 증착 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a deposition apparatus and a deposition method in which the manufacturing process is simplified.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 제조 단가가 감소된 증착 장비 및 증착 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a deposition apparatus and a deposition method with reduced manufacturing costs.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 증착 장비를 제공한다.In order to solve the above technical problems, the present invention provides a deposition apparatus.

일 실시 예에 따르면, 상기 증착 장비는, 기판이 배치되는 챔버, 상기 챔버 내에 위치하고, 상기 기판으로 제1 광을 조사하는 제1 광원, 상기 챔버 내에 위치하고, 상기 기판으로 상기 제1 광과 다른 파장 대역을 갖는 제2 광을 조사하는 제2 광원, 및 상기 제1 광원 및 상기 제2 광원 상에 배치되어, 상기 제1 광 및 상기 제2 광을 상기 기판으로 반사하는 리플렉터를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the deposition equipment comprises a chamber in which a substrate is disposed, a first light source located in the chamber, the first light source irradiating the substrate with the first light, and a second light source located in the chamber, And a reflector disposed on the first light source and the second light source and reflecting the first light and the second light to the substrate.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광은 UV 광이고, 상기 제2 광은 극단파 백색광(Intense Pulsed Light, IPL)을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the first light may be UV light, and the second light may include an intense pulsed light (IPL).

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 광원은 제논 램프를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the second light source may comprise a xenon lamp.

일 실시 예에 따르면, 상기 리플렉터가, 상기 제1 광 및 상기 제2 광이 상기 기판상에 조사되는 방향, 또는 범위를 조절할 수 있다.According to one embodiment, the reflector can adjust the direction, or range, of the first light and the second light irradiated onto the substrate.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 증착 방법을 제공한다.In order to solve the above technical problem, the present invention provides a deposition method.

일 실시 예에 따르면, 상기 증착 방법은, 제1 광을 조사하는 제1 광원, 및 상기 제1 광과 다른 파장 대역을 갖는 제2 광을 조사하는 제2 광원을 포함하는 챔버 내에 기판을 준비하는 단계, 및 상기 챔버 내에 소스 가스를 공급하여, 상기 기판상에 물질막(material layer)을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 챔버 내에 상기 소스 가스가 공급되는 동안, 또는 상기 물질막이 형성된 후, 상기 기판으로 상기 제1 광 또는 상기 제2 광을 선택적으로(selectively) 조사하는 것을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the deposition method comprises the steps of preparing a substrate in a chamber including a first light source for irradiating a first light, and a second light source for irradiating a second light having a wavelength band different from the first light And supplying a source gas into the chamber to form a material layer on the substrate while the source gas is being supplied into the chamber or after the material film is formed, And selectively irradiating the first light or the second light with the first light or the second light.

일 실시 예에 따르면, 상기 증착 방법은, 상기 챔버 내에 제1 소스 가스를 공급하여 상기 기판상에 흡착(adsorption)시키는 단계, 및 상기 챔버 내에 제2 소스 가스를 공급하고, 상기 제1 소스 가스와 상기 제2 소스 가스가 반응하여 상기 물질막이 형성되는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the deposition method includes the steps of: supplying a first source gas into the chamber and adsorbing the substrate on the substrate; and supplying a second source gas into the chamber, And the second source gas reacts to form the material film.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광이, 상기 챔버 내에 상기 제1 소스 가스, 또는 상기 제2 소스 가스가 공급되는 동안 상기 기판으로 조사될 수 있다.According to one embodiment, the first light may be irradiated to the substrate while the first source gas, or the second source gas, is supplied into the chamber.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광이, 상기 제1 소스 가스 및 상기 제2 소스 가스의 리간드(ligand)를 제거할 수 있다.According to one embodiment, the first light may remove a ligand of the first source gas and the second source gas.

일 실시 예에 따르면, 상기 증착 방법은, 상기 제1 소스 가스를 공급하는 단계 및 상기 제2 소스 가스를 공급하는 단계가 단위 공정(unit process)으로 정의되고, 상기 단위 공정은 복수회 수행되고, 상기 제2 광은 상기 단위 공정의 수행 시 마다, 또는 상기 단위 공정이 복수회 수행된 후 조사되는 것을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the deposition method is characterized in that the step of supplying the first source gas and the step of supplying the second source gas are defined as a unit process, the unit process is performed a plurality of times, The second light may be irradiated each time the unit process is performed, or after the unit process is performed a plurality of times.

일 실시 예에 따르면, 상기 제2 광이, 상기 제1 소스 가스와 상기 제2 소스 가스가 반응하여 형성된 상기 물질막을 결정화시킬 수 있다.According to one embodiment, the second light may crystallize the material film formed by the reaction of the first source gas and the second source gas.

본 발명의 실시 예에 따른 증착 장비 및 증착 방법은, 기판이 배치되는 챔버, 상기 챔버 내에 위치하는 제1 광원, 제2 광원, 및 상기 제1 광원 및 상기 제2 광원 상에 배치되는 리플렉터를 포함할 수 있다. 상기 제1 광원은 제1 광을 조사하고, 상기 제1 광은 상기 챔버 내로 공급되는 소스 가스의 리간드를 제거할 수 있다. 이로 인해, 상기 소스 가스가 상기 기판상에 용이하게 흡착되어, 제조 시간 및 제조 비용이 감소된 고품질 박막의 증착 장비 및 증착 방법이 제공될 수 있다. A deposition apparatus and a deposition method according to an embodiment of the present invention include a chamber in which a substrate is placed, a first light source, a second light source, and a reflector disposed on the first light source and the second light source, can do. The first light source irradiates the first light, and the first light can remove the ligand of the source gas supplied into the chamber. Accordingly, a high quality thin film deposition apparatus and a deposition method, in which the source gas is easily adsorbed on the substrate and the manufacturing time and manufacturing cost are reduced, can be provided.

또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제2 광원에서 조사되는 제2 광은 상기 기판상에 형성된 물질막을 결정화시킬 수 있다. 이로 인해, 상기 물질막의 결정화 공정 과정에서 기판이 손상될 우려가 적고, 열 손실이 낮은 증착 장비 및 증착 방법이 제공될 수 있다.Also, according to the embodiment of the present invention, the second light emitted from the second light source may crystallize the material film formed on the substrate. Accordingly, there is less risk of damaging the substrate during the crystallization process of the material film, and a deposition apparatus and a deposition method with low heat loss can be provided.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장비의 구성을 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장비를 이용한 증착 방법의 제1 실시 예를 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 증착 방법의 제1 실시 예를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장비를 이용한 증착 방법의 제2 실시 예를 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 증착 방법의 제2 실시 예를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장비를 이용한 증착 방법의 제3 실시 예를 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 증착 방법의 제3 실시 예를 설명하기 위한 타이밍도이다.1 is a perspective view for explaining a configuration of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart for explaining a first embodiment of a deposition method using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a timing diagram for explaining a first embodiment of the deposition method according to the embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a second embodiment of a deposition method using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a timing chart for explaining a second embodiment of the deposition method according to the embodiment of the present invention.
6 is a flowchart for explaining a third embodiment of a deposition method using a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is a timing chart for explaining a third embodiment of the deposition method according to the embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.In this specification, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on another element, or a third element may be interposed therebetween. Further, in the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective explanation of the technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Also, while the terms first, second, third, etc. in the various embodiments of the present disclosure are used to describe various components, these components should not be limited by these terms. These terms have only been used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as a first component in any one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. Also, in this specification, 'and / or' are used to include at least one of the front and rear components.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. The singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. It is also to be understood that the terms such as " comprises "or" having "are intended to specify the presence of stated features, integers, Should not be understood to exclude the presence or addition of one or more other elements, elements, or combinations thereof.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장비를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 증착 장비는, 챔버(100), 제1 광원(200), 제2 광원(300), 및 리플렉터(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the deposition apparatus includes a chamber 100, a first light source 200, a second light source 300, and a reflector 400.

상기 챔버(100)는, 내부에 상기 제1 광원(200), 상기 제2 광원(300), 및 상기 리플렉터(400)가 배치될 수 있다. 상기 챔버(100) 내부에 기판(SUB)이 배치될 수 있고, 상기 기판(SUB)은 실리콘 반도체 기판, 화합물 반도체 기판, 금속 기판, 유리 기판, 또는 플리스틱 기판일 수 있다. 상기 챔버(100) 내부는 진공 상태일 수 있다.The first light source 200, the second light source 300, and the reflector 400 may be disposed in the chamber 100. The substrate SUB may be disposed inside the chamber 100 and the substrate SUB may be a silicon semiconductor substrate, a compound semiconductor substrate, a metal substrate, a glass substrate, or a plastics substrate. The inside of the chamber 100 may be in a vacuum state.

상기 제1 광원(200)은 상기 챔버(100) 내에, 상기 기판(SUB)상에 배치된다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광원(200)에서 조사되는 제1 광(210)은, 상기 챔버(100) 내에 소스 가스가 공급되는 동안 상기 기판(SUB)으로 조사될 수 있다. 다시 말하면, 상기 챔버(100) 내에 상기 소스 가스가 공급되는 동안 상기 기판(SUB)으로 조사되는 상기 제1 광(210)이, 상기 소스 가스의 리간드를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 광원(200)에서 조사되는 상기 제1 광(210)은 UV 광이고, 상기 제1 광원(200)은 UV 램프인 것을 포함할 수 있다.The first light source 200 is disposed in the chamber 100 on the substrate SUB. According to one embodiment, the first light 210 emitted from the first light source 200 may be irradiated onto the substrate SUB while the source gas is supplied into the chamber 100. In other words, the first light 210 irradiated to the substrate SUB while the source gas is supplied into the chamber 100 can remove the ligand of the source gas. For example, the first light 210 emitted from the first light source 200 may be UV light, and the first light source 200 may be a UV lamp.

상기 제2 광원(300)은 상기 챔버(100) 내에, 상기 기판(SUB)상에 배치된다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 광원(300)은 상기 소스 가스의 공급이 종료된 후 제 2광을 조사할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제2 광원(300)에서 상기 기판(SUB)상으로 조사되는 상기 제2 광(310)은, 상기 소스 가스로부터 물질막이 형성된 후 조사되어, 상기 물질막을 결정화시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 광원(300)에서 조사되는 상기 제2 광(310)은 극단파 백색광(Intense Pulsed Light, IPL)이고, 상기 제2 광원(300)은 제논 램프인 것을 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어, 상기 제2 광원(300)의 광 강도(intensity)가 0.1~150J/cm2이거나, 광 조사 시간이 0.01~50ms이거나, 펄스 간격이 0.001~1s이거나, 또는, 펄스 수(number)가 1~100인 것을 포함할 수 있다.The second light source 300 is disposed in the chamber 100 on the substrate SUB. According to one embodiment, the second light source 300 may irradiate the second light after the supply of the source gas is terminated. In other words, the second light 310 emitted from the second light source 300 onto the substrate SUB may be irradiated after the material film is formed from the source gas to crystallize the material film. For example, the second light 310 emitted by the second light source 300 may be an intense pulsed light (IPL), and the second light source 300 may be a xenon lamp . For example, if the intensity of the second light source 300 is 0.1 to 150 J / cm 2 , the light irradiation time is 0.01 to 50 ms, the pulse interval is 0.001 to 1 s, number) of 1 to 100 may be included.

상기 리플렉터(400)는 상기 챔버(100) 내에, 상기 제1 광원(200) 및 상기 제2 광원(300) 상에 배치된다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광원(200), 또는 상기 제2 광원(300)으로부터 조사되는 상기 제1 광(210), 또는 상기 제2 광(310)을 상기 기판(SUB)상으로 반사할 수 있다. 다시 말하면, 상기 리플렉터(400)는, 상기 제1 광(210), 또는 상기 제2 광(310)을 상기 기판(SUB)상으로 반사함에 있어서, 상기 기판(SUB)상으로 조사되는, 상기 제1 광(210), 또는 상기 제2 광(310)의 방향 및 범위를 제어할 수 있다.The reflector 400 is disposed in the chamber 100 on the first light source 200 and the second light source 300. The first light 210 or the second light 310 emitted from the first light source 200 or the second light source 300 is reflected on the substrate SUB according to an embodiment of the present invention. can do. In other words, the reflector 400 reflects the first light 210 or the second light 310 onto the substrate SUB. The reflector 400 reflects the first light 210, 1 light 210, or the direction and the range of the second light 310. [0050]

도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 증착 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 증착 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.FIG. 2 is a flow chart for explaining a deposition method according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a timing diagram for explaining a deposition method according to the first embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 챔버(100) 내에 제1 소스 가스가 공급되고, 상기 제1 광(210)이 조사되어, 상기 제1 소스 가스가 상기 기판(SUB)상에 흡착된다(S320). 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광(210)은, 상기 제1 소스 가스의 리간드를 제거하여, 상기 제1 소스 가스가 상기 기판(SUB)상에 흡착하는 것을 용이하게 할 수 있다. 상기 제1 소스 가스가 공급된 후, 퍼지(purge) 공정이 더 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 소스 가스는, 금속 촉매, 금속 산화물, 또는 세라믹 물질 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다시 말하면, 상기 금속 촉매 및 상기 금속 산화물은, 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 란타늄(La), 철(Fe), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 루테늄(Ru), 코발트(Co), 로듐(Rh), 니켈(Ni), 백금(Pt), 구리(Cu), 비스무트(Bi) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있고, 상기 세라믹 물질은 알루미나 (Al2O3), 산화 티타늄(TiO2), 산화 하프늄(HfO2), 지르코니아(ZrO2), 이트리아(Y2O3), 스칸디아(Sc2O3), 세리아(CeO2), 사마리아(Sm2O3), 산화 가돌리늄(Gd2O3) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.1 to 3, a first source gas is supplied to the chamber 100, and the first light 210 is irradiated to the first source gas to be adsorbed on the substrate SUB S320). According to one embodiment, the first light 210 may facilitate the adsorption of the first source gas onto the substrate SUB by removing the ligand of the first source gas. After the first source gas is supplied, a purge process may be further performed. For example, the first source gas may include at least one of a metal catalyst, a metal oxide, and a ceramic material. In other words, the metal catalyst and the metal oxide may be at least one selected from the group consisting of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), rubidium (Rb), strontium (Sr), lanthanum (La) ), Zirconium (Zr), hafnium (Hf), vanadium (V), ruthenium (Ru), cobalt (Co), rhodium (Rh), nickel (Ni), platinum And the ceramic material may include at least one of Al 2 O 3 , TiO 2 , HfO 2 , ZrO 2 , Y 2 O 3, ), Scandia (Sc 2 O 3 ), ceria (CeO 2 ), samaria (Sm 2 O 3 ), and gadolinium oxide (Gd 2 O 3 ).

상기 챔버(100) 내에 제2 소스 가스가 공급되고, 상기 기판(SUB)상에 상기 물질막이 형성된다(S335). 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 소스 가스는, 상기 기판(SUB)상에 흡착된 상기 제1 소스 가스와 반응하여, 상기 기판(SUB)상에 상기 물질막을 형성한다. 상기 제2 소스 가스가 공급된 후, 퍼지(purge) 공정이 더 수행될 수 있다. 예를 들어 상기 제2 소스 가스는 산화제, 질화제, 또는 환원제 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다시 말하면, 상기 산화제는 H2O, O2, O3, N2O, NO, CO, CO2, CH3OH, H2O2, 또는 C2H5OH 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있고, 상기 질화제는 N2, NH3, 또는 N2H4 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있고, 상기 환원제는 H2, NH3, SiF4, SiH4, Si2H6, SiH2Cl2, BH3, B2H6, 또는 B10H14 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.A second source gas is supplied into the chamber 100, and the material film is formed on the substrate SUB (S335). According to one embodiment, the second source gas reacts with the first source gas adsorbed on the substrate (SUB) to form the material film on the substrate (SUB). After the second source gas is supplied, a purge process may be further performed. For example, the second source gas may include at least one of an oxidizing agent, a nitriding agent, and a reducing agent. In other words, the oxidant may include at least one of H 2 O, O 2 , O 3 , N 2 O, NO, CO, CO 2 , CH 3 OH, H 2 O 2 , or C 2 H 5 OH And the reducing agent may include at least one of N 2 , NH 3 , and N 2 H 4 , and the reducing agent may include at least one of H 2 , NH 3 , SiF 4 , SiH 4 , Si 2 H 6 , SiH 2 Cl 2 , BH 3 , B 2 H 6 , or B 10 H 14 .

상기 기판(SUB)상에 상기 제2 광(310)이 조사되어, 상기 물질막이 결정화된다(S420). 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 소스 가스를 공급하는 단계 및 상기 제2 소스 가스를 공급하는 단계는 단위 공정(unit process)으로 정의되고, 상기 단위 공정은 복수회 수행되며, 상기 제2 광(310)은 상기 단위 공정의 수행 시마다, 또는 상기 단위 공정이 복수회 수행된 후 조사되는 것을 포함할 수 있다.The second light 310 is irradiated onto the substrate SUB to crystallize the material film (S420). According to one embodiment, the step of supplying the first source gas and the step of supplying the second source gas are defined as a unit process, and the unit process is performed a plurality of times, 310 may be irradiated at each time of the unit process, or after the unit process is performed a plurality of times.

일 실시 예에 따르면, 상기 단위 공정이 수행되는 횟수에 따라서 상기 물질막의 두께가 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 단위 공정은 최소 1회에서 최대 20회 수행될 수 있고, 상기 물질막의 두께는 최소 0.1nm 에서 최대 500nm 일 수 있다.According to one embodiment, the thickness of the material layer can be adjusted according to the number of times the unit process is performed. For example, the unit process may be performed at least once to a maximum of 20 times, and the thickness of the material film may be at least 0.1 nm to at most 500 nm.

상술된 본 발명의 제1 실시 예와 달리, 본 발명의 제2 실시 예에 따르면, 상기 챔버(100) 내에 상기 제2 소스 가스가 공급되는 동안, 상기 제1 광(210)이 조사되어, 상기 기판(SUB)상에 물질막이 형성될 수 있다. 이하, 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 증착 방법이 설명된다.According to the second embodiment of the present invention, the first light 210 is irradiated while the second source gas is supplied into the chamber 100, A material film may be formed on the substrate SUB. 4 and 5, a deposition method according to a second embodiment of the present invention will be described.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 증착 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 증착 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.FIG. 4 is a flowchart illustrating a deposition method according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a timing diagram illustrating a deposition method according to a second embodiment of the present invention.

도 1, 도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 챔버(100) 내에 상기 제1 소스 가스가 공급되어, 상기 제1 소스 가스가 상기 기판(SUB)상에 흡착된다(S325). 상기 제1 소스 가스는, 도 2 및 도 3에서 설명한 바와 동일하게 제공될 수 있다.1, 4 and 5, the first source gas is supplied into the chamber 100, and the first source gas is adsorbed on the substrate SUB (S325). The first source gas may be provided as described in Figs. 2 and 3.

상기 챔버(100) 내에 상기 제2 소스 가스가 공급되고, 상기 제1 광(210)이 조사되고, 상기 기판(SUB)상에 물질막이 형성된다(S330). 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광(210)은, 상기 제2 소스 가스의 리간드를 제거하여, 상기 제2 소스 가스와 상기 기판(SUB)상에 흡착된 상기 제1 소스 가스가 반응하는 것을 용이하게 할 수 있다. 상기 제2 소스 가스는, 도 2 및 도 3에서 설명한 바와 동일하게 제공될 수 있다.The second source gas is supplied into the chamber 100, the first light 210 is irradiated, and a material layer is formed on the substrate SUB (S330). According to one embodiment, the first light 210 may be generated by removing the ligand of the second source gas to cause the second source gas to react with the first source gas adsorbed on the substrate SUB It can be facilitated. The second source gas may be provided as described in Figs. 2 and 3.

상기 기판(SUB)상에 상기 제2 광(310)이 조사되어, 상기 물질막이 결정화된다(S420). 상기 제2 광(310)은, 도 2에서 설명한 바와 동일하게 제공될 수 있다.The second light 310 is irradiated onto the substrate SUB to crystallize the material film (S420). The second light 310 may be provided in the same manner as described with reference to FIG.

상술된 본 발명의 제1 실시 예 및 제2 실시 예와 달리, 본 발명의 제3 실시 예에 따르면, 상기 챔버(100) 내에 상기 제1 소스 가스가 공급되는 동안, 상기 제1 광(210)이 조사되어, 상기 제1 소스 가스가 상기 기판(SUB)상에 흡착되고, 상기 챔버(100) 내에 상기 제2 소스 가스가 공급되는 동안, 상기 제1 광(210)이 조사되고, 상기 기판(SUB)상에 물질막이 형성될 수 있다. According to the third embodiment of the present invention, unlike the first and second embodiments of the present invention described above, while the first source gas is supplied into the chamber 100, the first light 210, The first light 210 is irradiated while the first source gas is adsorbed on the substrate SUB and the second source gas is supplied into the chamber 100, SUB) may be formed.

이하, 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 증착 방법이 설명된다.6 and 7, a deposition method according to a third embodiment of the present invention will be described.

도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 증착 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 증착 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.FIG. 6 is a flow chart for explaining a deposition method according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a timing diagram for explaining a deposition method according to a third embodiment of the present invention.

도 1, 도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 챔버(100) 내에 상기 제1 소스 가스가 공급되고, 상기 제1 광(210)이 조사되어, 상기 제1 소스 가스가 상기 기판(SUB)상에 흡착된다(S320). 상기 제1 소스 가스 및 상기 제1 광(210)은, 도 2 및 도 3에서 설명한 바와 동일하게 제공될 수 있다.Referring to FIGS. 1, 6 and 7, the first source gas is supplied into the chamber 100, the first light 210 is irradiated, and the first source gas is supplied onto the substrate SUB (S320). The first source gas and the first light 210 may be provided as described with reference to FIGS.

상기 챔버(100) 내에 상기 제2 소스 가스가 공급되고, 상기 제1 광(210)이 조사되고, 상기 기판(SUB)상에 물질막이 형성된다(S330). 상기 제2 소스 가스 및 상기 제1 광(210)은, 도 2 및 도 3에서 설명한 바와 동일하게 제공될 수 있다.The second source gas is supplied into the chamber 100, the first light 210 is irradiated, and a material layer is formed on the substrate SUB (S330). The second source gas and the first light 210 may be provided as described with reference to FIGS.

상기 기판(SUB)상에 상기 제2 광(310)이 조사되어, 상기 물질막이 결정화된다(S420). 상기 제2 광(310)은 도 2 및 도 3에서 설명한 바와 동일하게 제공될 수 있다.The second light 310 is irradiated onto the substrate SUB to crystallize the material film (S420). The second light 310 may be provided as described with reference to FIGS.

본 발명의 실시 예에 따른 증착 장비 및 증착 방법은, 상기 제1 광원(200)을 포함할 수 있다. 상기 제1 광원(200)으로부터 조사되는 상기 제1 광(210)은, 상기 제1 소스 가스의 리간드를 제거하여, 상기 제1 소스 가스가 상기 기판(SUB)상에 흡착되는 것을 용이하게 할 수 있다. 또는, 상기 제1 광원(210)은 상기 제2 소스 가스의 리간드를 제거하여, 상기 제2 소스 가스가, 상기 기판(SUB)상에 흡착된 상기 제1 소스 가스와 반응하는 것을 용이하게 할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 실시 예에 따르면, 고품질의 물질막을 형성할 수 있는 증착 장비 및 증착 방법이 제공될 수 있다. The deposition apparatus and the deposition method according to an embodiment of the present invention may include the first light source 200. The first light 210 emitted from the first light source 200 may be removed by removing the ligand of the first source gas to facilitate adsorption of the first source gas onto the substrate SUB have. Alternatively, the first light source 210 may remove the ligand of the second source gas to facilitate the second source gas to react with the first source gas adsorbed on the substrate SUB have. Therefore, according to the embodiment of the present invention, a deposition apparatus and a deposition method capable of forming a high quality material film can be provided.

본 발명의 실시 예와 달리, 상기 제1 광원(200)이 생략된 경우, 상기 소스 가스가 상기 기판(SUB)상에 용이하게 흡착되지 않아 박막의 제조 수율이 감소되고, 공정의 오차가 증가되고, 물질막의 품질이 저하될 수 있다. 이로 인해, 원자 단위의 정밀성이 요구되는 반도체, 연료 전지, 커패시터, 또는 트랜지스터 등의 전자 소자 제조가 용이하지 않다. Unlike the embodiment of the present invention, when the first light source 200 is omitted, since the source gas is not easily adsorbed on the substrate SUB, the production yield of the thin film is reduced, the process error is increased , The quality of the material film may be deteriorated. As a result, it is not easy to manufacture electronic devices such as semiconductors, fuel cells, capacitors, or transistors, which require precision in atomic units.

하지만, 본 발명의 실시 예와 같이, 상기 제1 광원(200)이 포함된 경우, 상기 제1 소스 가스가 상기 기판(SUB) 상이 용이하게 흡착되거나, 또는 상기 제1 소스 가스 및 상기 제2 소스 가스가 용이하게 반응하여, 제조 수율 및 막의 품질이 향상된 증착 장비 및 증착 방법이 제공될 수 있다. However, as in the embodiment of the present invention, when the first light source 200 is included, the first source gas is easily adsorbed on the substrate SUB, or the first source gas and the second source It is possible to provide a deposition apparatus and a deposition method in which the gas easily reacts to improve the production yield and film quality.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장비 및 증착 방법은, 상기 제2 광원(300)을 포함할 수 있다. 상기 제2 광원(300)으로부터 조사되는 상기 제2 광(310)은, 상기 기판(SUB)상에 형성된 상기 물질막을 결정화시킬 수 있다. 상기 제2 광원(300)을 이용한 광소결 공정은, 기존에 수행되던 고온의 열처리 공정을 대체할 수 있다. In addition, the deposition apparatus and the deposition method according to the embodiment of the present invention may include the second light source 300. The second light 310 emitted from the second light source 300 may crystallize the material film formed on the substrate SUB. The light sintering process using the second light source 300 can be replaced with a heat treatment process at a high temperature.

본 발명의 실시 예와 달리, 상기 제2 광원(300)이 생략된 경우, 상기 물질막의 결정화에 고온의 열처리 공정이 필수적으로 요구된다. 따라서, 상기 물질막의 결정화 공정에서 열 손실이 발생하고, 제작 비용 및 공정 시간이 증가하며, 내열성에 따라 기판의 선택이 제한되고, 상기 물질막의 결정성이 저하 될 수 있다. Unlike the embodiment of the present invention, when the second light source 300 is omitted, a high-temperature heat treatment process is indispensably required for crystallization of the material film. Therefore, heat loss occurs in the crystallization process of the material film, the production cost and the process time are increased, the selection of the substrate is limited according to the heat resistance, and the crystallinity of the material film may be lowered.

하지만, 본 발명의 실시 예와 같이, 상기 제2 광원(300)이 포함된 경우, 상기 기판(SUB)의 손상 없이 상기 물질막이 용이하게 결정화될 수 있다. 이에 따라, 플렉시블 기판의 사용이 가능하고, 결정화 비용 및 결정화 시간이 감소된 증착 장비 및 증착 방법이 제공될 수 있다.However, when the second light source 300 is included as in the embodiment of the present invention, the material film can be easily crystallized without damaging the substrate SUB. Thus, a deposition apparatus and a deposition method which can use a flexible substrate and have a reduced crystallization cost and crystallization time can be provided.

또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 챔버(100) 내에 상기 제1 광원(200) 및 상기 제2 광원(300)이 배치될 수 있다. 이로 인해, 상기 챔버(100) 내에서, 상기 기판(SUB)상에 상기 물질막의 증착 및 결정화 공정이 in-situ로 수행될 수 있다.Also, according to the embodiment of the present invention, the first light source 200 and the second light source 300 may be disposed in the chamber 100. Accordingly, in the chamber 100, the deposition and crystallization process of the material film on the substrate SUB can be performed in-situ.

본 발명의 실시 예와 달리, 상기 챔버(100) 내에 상기 제1 광원(200) 및 상기 제2 광원(300)이 배치되지 않는 경우, 상기 기판(SUB)상에 상기 물질막을 증착하는 공정과 상기 물질막의 결정화하는 공정이 별도로 수행되어야 한다. 따라서, 제작 공정이 복잡해지며, 공정 소요 시간 및 제작 비용이 증가하여 대량 생산이 제한될 수 있다.A step of depositing the material film on the substrate SUB when the first light source 200 and the second light source 300 are not disposed in the chamber 100, The process of crystallizing the material film must be performed separately. Therefore, the fabrication process becomes complicated, and the time required for fabrication and fabrication cost increase, thereby limiting mass production.

하지만, 본 발명의 실시 예와 같이, 상기 챔버(100) 내에 상기 제1 광원(200) 및 상기 제2 광원(300)이 배치되어, 상기 물질막의 증착 및 상기 물질막의 결정화 공정이 in-situ로 수행될 수 있고, 이에 따라, 제작 공정이 간소화되고, 공정 소요 시간 및 제작 비용이 감소하여 대량 생산이 용이한 증착 장비 및 증착 방법이 제공될 수 있다.However, as in the embodiment of the present invention, the first light source 200 and the second light source 300 are disposed in the chamber 100, and the deposition of the material film and the crystallization process of the material film are performed in-situ Thus, a deposition apparatus and a deposition method which can simplify a fabrication process, reduce a process time and fabrication cost, and can be mass-produced easily can be provided.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the present invention.

100: 챔버
SUB: 기판
200: 제1 광원
210: 제1 광
300: 제2 광원
310: 제2 광
400: 리플렉터100: chamber
SUB: Substrate
200: first light source
210: first light
300: second light source
310: second light
400: Reflector

Claims (10)

기판이 배치되는 챔버;
상기 챔버 내에 위치하고, 상기 기판으로 UV 광을 포함하는 제1 광을 조사하는 제1 광원;
상기 챔버 내에 위치하고, 상기 기판으로 상기 제1 광과 다른 파장 대역을 갖고 극단파 백색광(Intense Pulsed Light, IPL)인 제2 광을 조사하는 제2 광원; 및
상기 제1 광원 및 상기 제2 광원 상에 배치되어, 상기 제1 광 및 상기 제2 광을 상기 기판으로 반사하는 리플렉터를 포함하되,
상기 제1 광 또는 상기 제2 광이 선택적으로(selectively) 조사되되,
상기 챔버 내에 소스 가스가 공급되는 동안 상기 제1 광원에서 상기 제1 광이 조사되되, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광은 조사되지 않고,
상기 소스 가스에 의해 상기 기판 상에 물질막이 형성된 후, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광이 조사되되, 상기 제1 광원에서 상기 제1 광은 조사되지 않는 것을 포함하는 증착 장비.A chamber in which the substrate is disposed;
A first light source, positioned in the chamber, for irradiating the substrate with first light including UV light;
A second light source positioned in the chamber and irradiating the substrate with a second light having a different wavelength band from the first light and being extreme ultraviolet light (IPL); And
And a reflector disposed on the first light source and the second light source, the reflector reflecting the first light and the second light to the substrate,
The first light or the second light is selectively irradiated,
Wherein the first light is irradiated from the first light source while the source gas is supplied into the chamber, the second light from the second light source is not irradiated,
Wherein after the material film is formed on the substrate by the source gas, the second light is irradiated from the second light source, and the first light is not irradiated from the first light source. 제1항에 있어서,
상기 소스 가스는 제1 소스 가스 및 제2 소스 가스를 포함하고,
상기 제1 소스 가스가 상기 챔버 내에 공급되는 동안, 상기 제1 광원에서 상기 제1 광이 조사되되, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광은 조사되지 않고,
상기 제2 소스 가스가 상기 챔버 내에 공급되어, 상기 기판 상에 흡착된 상기 제1 소스 가스와 상기 제2 소스 가스가 반응하여 상기 물질막이 형성된 후, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광이 조사되되, 상기 제1 광원에서 상기 제1 광은 조사되지 않는 것을 포함하는 증착 장비.The method according to claim 1,
Wherein the source gas comprises a first source gas and a second source gas,
Wherein while the first source gas is supplied into the chamber, the first light is irradiated from the first light source, the second light from the second light source is not irradiated,
The second source gas is supplied into the chamber so that the first source gas adsorbed on the substrate reacts with the second source gas to form the material film and then the second light is irradiated from the second light source And wherein the first light from the first light source is not irradiated. 제2항에 있어서,
상기 제2 광원은, 제논 램프인 것을 포함하는 증착 장비.3. The method of claim 2,
Wherein the second light source is a xenon lamp. 제1항에 있어서,
상기 리플렉터는, 상기 제1 광 및 상기 제2 광이 상기 기판상에 조사되는 방향, 또는 범위를 조절하는 것을 포함하는 증착 장비.The method according to claim 1,
Wherein the reflector comprises adjusting the direction, or range, of the first light and the second light being irradiated onto the substrate. UV 광을 포함하는 제1 광을 조사하는 제1 광원, 및 상기 제1 광과 다른 파장 대역을 갖고 극단파 백색광인 제2 광을 조사하는 제2 광원을 포함하는 챔버 내에 기판을 준비하는 단계; 및
상기 챔버 내에 소스 가스를 공급하여, 상기 기판상에 물질막(material layer)을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 소스 가스는 제1 소스 가스 및 제2 소스 가스를 포함하고,
상기 제1 광 또는 상기 제2 광이 선택적으로(selectively) 조사되되,
상기 제1 소스 가스가 상기 챔버 내에 공급되는 동안, 상기 제1 광원에서 상기 제1 광이 조사되되, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광은 조사되지 않고,
상기 제2 소스 가스가 상기 챔버 내에 공급되어, 상기 기판 상에 흡착된 상기 제1 소스 가스와 상기 제2 소스 가스가 반응하여 상기 물질막이 형성된 후, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광이 조사되되, 상기 제1 광원에서 상기 제1 광은 조사되지 않는 것을 포함하는 증착 방법.
Preparing a substrate in a chamber including a first light source for irradiating a first light containing UV light, and a second light source for emitting a second light which is an extreme-wave white light having a wavelength band different from that of the first light; And
Supplying a source gas into the chamber to form a material layer on the substrate,
Wherein the source gas comprises a first source gas and a second source gas,
The first light or the second light is selectively irradiated,
Wherein while the first source gas is supplied into the chamber, the first light is irradiated from the first light source, the second light from the second light source is not irradiated,
The second source gas is supplied into the chamber so that the first source gas adsorbed on the substrate reacts with the second source gas to form the material film and then the second light is irradiated from the second light source And wherein the first light in the first light source is not irradiated.
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