KR101904274B1 - Substrate Processing Apparatus and Plasma Processing Method using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 내부에 기판이 처리되는 공간을 형성하는 챔버; 내부에 공정가스가 이동하는 경로를 형성하고, 상기 챔버의 외측에 위치하여 유입되는 공정가스를 활성화하는 반응기; 공정가스가 이동하는 경로를 형성하며, 일단이 상기 반응기에 연결되고 타단이 상기 챔버에 연결되는 연결관; 및 공정가스가 이동하는 경로에 설치되고, 복수의 위치에서 공정가스의 온도를 조절하는 온도 조절기를; 포함하고, 챔버로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하여 플라즈마 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, comprising: a chamber for forming a space in which a substrate is processed; A reactor for forming a path through which a process gas moves in the inside of the chamber and activating a process gas introduced into the chamber; A connecting pipe forming a path through which the process gas moves, one end connected to the reactor and the other end connected to the chamber; And a temperature regulator provided in a path through which the process gas moves, the temperature regulator adjusting the temperature of the process gas at a plurality of positions; And the efficiency of the plasma process can be improved by controlling the temperature of the process gas supplied to the chamber.

Description

기판 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법{Substrate Processing Apparatus and Plasma Processing Method using the same}[0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus and a plasma processing method using the substrate processing apparatus.

본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 챔버로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하여 플라즈마 공정의 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a plasma processing method using the same, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of adjusting a temperature of a process gas supplied to a chamber to improve a plasma processing efficiency and a plasma processing method using the same .

플라즈마는 대략 같은 수의 양이온(Positive Ions)과 전자(Elctrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 라디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용된다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 반도체 제조 공정 예를 들어, 식각(Eching), 증착(Deposition), 세정(Cleaning), 에싱(Ashing) 등에 사용된다.Plasma is a highly ionized gas containing approximately the same number of positive ions and electrons. Plasma discharges are used for gas excitation to generate active gases including ions, free radicals, atoms, and molecules. Active gases are widely used in a variety of fields and are used in semiconductor manufacturing processes such as etching, deposition, cleaning, and ashing.

플라즈마를 발생하는 방식은 크게 두 가지로 구분될 수 있는데, 예를 들어 챔버 내부에 상부 전극과 하부 전극을 구성하여 챔버 내부에서 플라즈마를 발생시키는 방식과, 챔버의 외부에서 플라즈마를 발생시켜 챔버 내부로 공급하는 원격 플라즈마 방식이 있다. 원격 플라즈마 방식의 기판 처리 장치는, 가스 공급원, 플라즈마 발생기, 및 챔버를 포함하여 구성된다. There are two methods of generating plasma, for example, a method of generating plasma in the chamber by forming an upper electrode and a lower electrode in the chamber, and a method of generating plasma from the outside of the chamber, And a remote plasma method in which the plasma is supplied. The substrate processing apparatus of the remote plasma type includes a gas supply source, a plasma generator, and a chamber.

종래에는 플라즈마 처리공정의 효율을 향상시키기 위해 플라즈마 발생기로 공급되는 전력이나 처리공간의 크기를 증가시켰다. 그러나 공급되는 전력의 양을 상승시키거나 처리공간을 증대시키는데 한계가 있기 때문에, 플라즈마 처리공정의 효율을 향상시키기가 어려운 문제가 있다.Conventionally, the power supplied to the plasma generator or the size of the processing space has been increased to improve the efficiency of the plasma processing process. However, there is a problem that it is difficult to improve the efficiency of the plasma processing process because there is a limit in raising the amount of supplied power or increasing the processing space.

KRKR 2011-00085372011-0008537 AA

본 발명은 챔버 내부로 공급되는 공정가스의 온도를 조절할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of controlling a temperature of a process gas supplied into a chamber, and a plasma processing method using the same.

본 발명은 플라즈마 처리공정의 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of improving the efficiency of a plasma processing process and a plasma processing method using the same.

본 발명은, 내부에 기판이 처리되는 공간을 형성하는 챔버; 내부에 공정가스가 이동하는 경로를 형성하고, 상기 챔버의 외측에 위치하여 유입되는 공정가스를 활성화하는 반응기; 공정가스가 이동하는 경로를 형성하며, 일단이 상기 반응기에 연결되고 타단이 상기 챔버에 연결되는 연결관; 및 공정가스가 이동하는 경로에 설치되고, 복수의 위치에서 공정가스의 온도를 조절하는 온도 조절기를; 포함한다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, comprising: a chamber for forming a space in which a substrate is processed; A reactor for forming a path through which a process gas moves in the inside of the chamber and activating a process gas introduced into the chamber; A connecting pipe forming a path through which the process gas moves, one end connected to the reactor and the other end connected to the chamber; And a temperature regulator provided in a path through which the process gas moves, the temperature regulator adjusting the temperature of the process gas at a plurality of positions; .

상기 온도 조절기는, 상기 반응기에 설치되는 제1 온도 조절유닛; 및 상기 연결관에 설치되는 제2 온도 조절유닛을; 포함한다.The temperature controller includes: a first temperature control unit installed in the reactor; And a second temperature control unit installed on the connection pipe; .

상기 제1 온도 조절유닛은, 상기 반응기로 유입되는 공정가스의 온도를 조절하도록 상기 반응기의 일측에 설치되는 제1 몸체; 및 유체가 이동하는 경로를 형성하고, 상기 제1 몸체의 내부에 설치되는 제1 유로를; 포함한다.The first temperature control unit may include a first body installed at one side of the reactor to regulate a temperature of a process gas flowing into the reactor; And a first flow path formed inside the first body to form a path through which the fluid moves; .

상기 제2 온도 조절유닛은, 상기 연결관의 둘레를 감싸도록 설치되는 제2 몸체; 및 유체가 이동하는 경로를 형성하고, 상기 제2 몸체의 내부에 설치되는 제2 유로를; 포함한다.The second temperature adjusting unit may include: a second body installed to surround the periphery of the connection pipe; And a second flow path formed inside the second body to form a path through which the fluid moves; .

상기 제2 몸체는 상기 연결관의 적어도 일부 영역을 감싸고, 상기 제2 몸체는 상기 챔버보다 상기 반응기에 근접하게 배치된다.The second body surrounds at least a portion of the connection tube and the second body is disposed closer to the reactor than the chamber.

상기 제2 온도 조절유닛은, 상기 연결관을 감싸는 단열재를 더 포함한다.The second temperature control unit further includes a heat insulating material surrounding the connector.

상기 제2 유로의 유체 유입단은 상기 제2 유로의 유체 배출단보다 상기 챔버에 근접하게 배치된다.The fluid inlet end of the second flow path is disposed closer to the chamber than the fluid outlet end of the second flow path.

상기 제2 유로는, 상기 제2 몸체의 내부에서 상기 연결관을 감싸도록 나선형으로 형성되거나, 상기 제2 몸체 내부에 유체가 채워지는 공간을 형성한다.The second flow path may be spirally formed to enclose the connection pipe inside the second body, or may form a space filled with fluid in the second body.

상기 온도 조절기는, 유체가 이동하는 경로를 형성하며 일단이 상기 제1 온도 조절유닛에 연결되고 타단이 상기 제2 온도 조절유닛에 연결되는 순환라인을 더 포함하고,Wherein the temperature regulator further comprises a circulation line forming a path through which the fluid moves, one end of which is connected to the first temperature regulating unit and the other end of which is connected to the second temperature regulating unit,

상기 제1 온도 조절유닛 및 상기 제2 온도 조절유닛 중 적어도 어느 하나와 연결되어 열에너지를 가지는 유체를 공급하는 유체 공급유닛을 더 포함한다.And a fluid supply unit connected to at least one of the first temperature control unit and the second temperature control unit to supply a fluid having thermal energy.

온도 조절기에 열에너지를 가지는 유체를 공급하는 유체 공급유닛을 더 포함하고, 상기 유체 공급기는, 상기 제1 온도 조절유닛과 연결되는 제1 공급라인, 및 상기 제2 온도 조절유닛과 연결되는 제2 공급라인을 포함한다.And a fluid supply unit for supplying a fluid having thermal energy to the temperature regulator, wherein the fluid supply unit includes a first supply line connected to the first temperature regulation unit, and a second supply line connected to the second temperature regulation unit, Line.

본 발명은 플라즈마 처리공정을 수행하는 방법으로서, 챔버 외측의 반응기로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정; 상기 반응기 내부에서 플라즈마로 공정가스를 활성화하는 과정; 상기 반응기에서 배출되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정; 및 상기 공정가스를 챔버 내부로 공급하는 과정을; 포함한다.The present invention provides a method of performing a plasma processing process, comprising: controlling a temperature of a process gas supplied to a reactor outside a chamber; Activating the process gas with plasma in the reactor; Controlling the temperature of the process gas discharged from the reactor; And supplying the process gas into the chamber; .

상기 반응기로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정은, 상기 공정가스의 온도를 30~70℃로 조절하는 과정을 포함한다.The step of controlling the temperature of the process gas supplied to the reactor includes a step of controlling the temperature of the process gas to 30 to 70 ° C.

상기 반응기로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정과 상기 반응기에서 배출되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정은, 서로 다른 온도로 공정가스의 온도를 조절한다.The process of controlling the temperature of the process gas supplied to the reactor and the process of controlling the temperature of the process gas discharged from the reactor adjust the temperature of the process gas at different temperatures.

상기 플라즈마 처리공정은, 상기 챔버 내부를 세정하는 공정, 박막 증착 공정, 에싱 공정, 및 에칭 공정 중 적어도 어느 하나를 포함한다.The plasma treatment process includes at least one of a process of cleaning the inside of the chamber, a thin film deposition process, an ashing process, and an etching process.

본 발명의 실시 예들에 따르면, 공정가스가 이동하는 경로에 온도 조절기를 설치하여 복수의 위치에서 챔버 내부로 공급되는 공정가스의 온도를 조절할 수 있다. 이에, 반응기로 유입되는 공정가스의 온도를 조절하여 공정가스의 해리 속도를 향상시킬 수 있고, 반응기에서 챔버로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하여 공정가스의 활성화 상태를 유지시켜줄 수 있다. 따라서, 챔버 내부로 공급된 공정가스의 식각 속도가 향상되어 플라즈마 처리공정의 효율이 향상될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a temperature controller may be installed in a path through which a process gas moves to control a temperature of a process gas supplied into the chamber at a plurality of positions. Accordingly, the dissociation rate of the process gas can be improved by controlling the temperature of the process gas flowing into the reactor, and the temperature of the process gas supplied to the chamber from the reactor can be controlled to maintain the process gas activation state. Therefore, the etching rate of the process gas supplied into the chamber can be improved, and the efficiency of the plasma processing process can be improved.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 조절기의 구조를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 온도 조절기의 구조를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 온도 조절기의 구조를 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 처리 방법을 나타내는 플로우 차트.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 공정가스의 식각 효율과 비교예에 따른 공정가스의 시각 효율을 비교한 그래프.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing a structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention; Fig.
2 illustrates a structure of a temperature controller according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a structure of a temperature controller according to another embodiment of the present invention.
4 is a view showing a structure of a temperature controller according to another embodiment of the present invention.
5 is a flow chart illustrating a plasma processing method in accordance with an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a graph comparing etch efficiencies of process gases according to an embodiment of the present invention and visual efficiencies of process gases according to comparative examples. FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. To illustrate the invention in detail, the drawings may be exaggerated and the same reference numbers refer to the same elements in the figures.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구조를 나타내는 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 조절기의 구조를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 온도 조절기의 구조를 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 온도 조절기의 구조를 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 처리 방법을 나타내는 플로우 차트이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 공정가스의 식각 효율과 비교예에 따른 공정가스의 식각 효율을 비교한 그래프이다.FIG. 1 is a view showing a structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view showing the structure of a temperature controller according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a view illustrating a structure of a temperature controller according to another embodiment of the present invention, FIG. 5 is a flowchart illustrating a plasma processing method according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a graph comparing etch efficiencies of process gases according to an embodiment of the present invention and etch efficiencies of process gases according to comparative examples.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 내부에 기판(S)이 처리되는 공간을 형성하는 챔버(110), 내부에 공정가스가 이동하는 경로를 형성하고, 챔버(110)의 외측에 위치하여 유입되는 공정가스를 활성화하는 반응기(140), 공정가스가 이동하는 경로를 형성하며, 일단이 반응기(140)에 연결되고 타단이 챔버(110)에 연결되는 연결관(140), 및 공정가스가 이동하는 경로에 설치되고, 복수의 위치에서 공정가스의 온도를 조절하는 온도 조절기(170)를 포함한다. 또한, 기판 처리 장치(100)는, 챔버(110) 내부에서 기판(S)을 지지하는 지지 플레이트(121), 및 챔버(110) 내부에서 공정가스를 분사하는 분사기(130)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a chamber 110 for forming a space in which a substrate S is processed, a path through which a process gas moves, A reactor 140 located outside the chamber 110 for activating the process gas to be introduced therein, a path for moving the process gas, one end connected to the reactor 140, and the other end connected to the chamber 110 A connection pipe 140 and a temperature controller 170 installed in a path through which the process gas moves and regulating the temperature of the process gas at a plurality of positions. The substrate processing apparatus 100 may also include a support plate 121 for supporting the substrate S within the chamber 110 and an injector 130 for injecting the process gas inside the chamber 110 .

이때, 기판 처리 장치(100)는 플라즈마 처리 장치일 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(100)는 플라즈마를 이용하여 챔버(110) 내부를 세정하는 공정, 기판(S) 상에 박막 증착 공정, 에싱 공정, 및 에칭 공정 중 적어도 어느 하나를 수행할 수 있다. 예를 들어, 챔버(110)에서 기판(S) 상에 박막을 증착하는 경우, 증착물이 기판(S)뿐만 아니라 챔버(110)의 내벽이나 지지 플레이트(121) 등에 축적될 수 있다. 따라서, 챔버(110) 내부를 세정하는 공정은 지지 플레이트(121) 상에 기판(S)을 안착하지 않은 상태에서 챔버(110) 내부로 공정가스를 분사하여 챔버(110)의 내벽이나 지지 플레이트(121) 등에 부착된 증착물을 제거하는 공정이다. At this time, the substrate processing apparatus 100 may be a plasma processing apparatus. Accordingly, the substrate processing apparatus 100 can perform at least one of cleaning the inside of the chamber 110 using plasma, thin film deposition, ashing, and etching on the substrate S. For example, when a thin film is deposited on the substrate S in the chamber 110, the deposition material may be accumulated not only on the substrate S but also on the inner wall of the chamber 110, the support plate 121, and the like. The process of cleaning the inside of the chamber 110 may be performed by spraying the process gas into the chamber 110 without seating the substrate S on the support plate 121 to remove the inside wall of the chamber 110, 121 and the like.

챔버(110)는 내부공간을 갖는 통 형상으로 제작된다. 챔버(110)의 일측에는 기판(S)이 출입하는 출입구(미도시)가 형성되고, 이러한 출입구를 개폐하는 개폐밸브(미도시)가 구비될 수 있다. 챔버(110)는 챔버 몸체와 챔버 리드로 분리되도록 제작될 수 있다. 이에, 챔버(110)와 챔버(110) 내부에 설치된 장치들을 용이하게 유지보수할 수 있다. The chamber 110 is formed in a cylindrical shape having an inner space. An opening (not shown) through which the substrate S moves in and out is formed at one side of the chamber 110, and an opening / closing valve (not shown) for opening and closing the door can be provided. The chamber 110 may be fabricated to be separated into a chamber body and a chamber lid. Accordingly, the apparatuses installed inside the chamber 110 and the chamber 110 can be easily maintained.

또한, 챔버(110)는 진공펌프(115)와 연결될 수 있다. 진공펌프(115)는 챔버(110) 내부공간의 가스를 흡입하여 챔버(110) 내부의 부산물을 외부로 배출하거나, 챔버(110)의 내부에 진공 분위기를 형성할 수 있다. 그러나 챔버(110)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. In addition, the chamber 110 may be connected to a vacuum pump 115. The vacuum pump 115 sucks the gas in the space inside the chamber 110 to discharge the by-products in the chamber 110 to the outside, or to form a vacuum atmosphere inside the chamber 110. However, the structure and the shape of the chamber 110 are not limited to these and may vary.

지지 플레이트(121)는 챔버(110)의 내부에 위치하고, 기판(S)의 형상에 대응하여 형성될 수 있다. 지지 플레이트(121)의 상부면에는 기판(S)이 안착될 수 있고, 하부는 샤프트(122)와 연결된다. 지지 플레이트(121)에는 히터(미도시)가 설치되어 상부면에 안착된 기판(S)을 가열할 수 있다. 또한, 지지 플레이트(121)는 샤프트(122)에 의해 상하로 이동하거나 회전할 수 있다. 그러나 지지 플레이트(121)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The support plate 121 is located inside the chamber 110 and may be formed corresponding to the shape of the substrate S. On the upper surface of the support plate 121, the substrate S can be seated, and the lower portion is connected to the shaft 122. A heater (not shown) is installed on the support plate 121 to heat the substrate S placed on the upper surface. Further, the support plate 121 can be moved up or down by the shaft 122 or rotated. However, the structure and the shape of the support plate 121 are not limited to this and may vary.

분사기(130)는 지지 플레이트(121)의 상부면에 안착된 기판(S) 또는 챔버의 내부공간으로 공정가스를 분사하는 역할을 한다. 분사기(130)는 챔버(110)의 내부에서 지지 플레이트(121)의 상측에 이격되어 배치된다. 예를 들어, 분사기(130)는 샤워헤드 형태로 형성될 수 있다. 이에, 분사기(130)에서 분사되는 공정가스가 기판(S)의 상부면 전체로 균일하게 공급될 수 있다. 그러나 분사기(130)의 형태는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The injector 130 serves to inject the process gas into the interior space of the substrate S or the chamber that is seated on the upper surface of the support plate 121. The injector 130 is disposed on the upper side of the support plate 121 inside the chamber 110. For example, the injector 130 may be formed in the form of a showerhead. Thus, the process gas injected from the injector 130 can be uniformly supplied to the entire upper surface of the substrate S. However, the form of the injector 130 is not limited to this and may vary.

공정가스 공급기(150)는 저장된 공정가스를 챔버(110)로 공급하는 역할을 한다. 공정가스 공급기(150)는, 공정가스를 저장하는 저장탱크, 및 공정가스의 이동경로를 형성하며 일단이 저장탱크에 연결되고 타단이 반응기(140)의 상부에 연결되는 공급배관(151)을 포함할 수 있다. 따라서, 저장탱크 내부에 저장된 공정가스가 공급배관(151)을 통해 반응기(140)로 이동할 수 있다. The process gas supplier 150 serves to supply the stored process gas to the chamber 110. The process gas supplier 150 includes a storage tank for storing the process gas and a supply pipe 151 which forms a movement path of the process gas and has one end connected to the storage tank and the other end connected to the upper portion of the reactor 140 can do. Accordingly, the process gas stored in the storage tank can be transferred to the reactor 140 through the supply pipe 151.

공정가스는 식각가스일 수 있다. 예를 들어, 공정가스는 F(플로오린)를 포함하는 가스일 수 있다. 또한, 공정가스는 불활성 가스를 포함할 수도 있다. 이에 챔버(110)로 F와 Ar(아르곤) 가스를 포함하는 공정가스가 공급될 수 있다. 그러나 공정가스가 포함하는 가스의 종류는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The process gas may be an etch gas. For example, the process gas may be a gas comprising F (fluorine). In addition, the process gas may include an inert gas. A process gas containing F and Ar (argon) gas may be supplied to the chamber 110. However, the type of gas included in the process gas is not limited to this and may vary.

반응기(140)는 공정가스 공급기(150)에서 공급되는 공정가스를 활성화시키는 역할을 한다. 반응기(140)의 내부에는 공정가스가 이동하는 경로가 형성될 수 있다. 따라서, 반응기(140)의 내부의 이동경로를 따라 이동하는 공정가스는 플라즈마 방전에 의해 활성화될 수 있다. The reactor 140 serves to activate the process gas supplied from the process gas supplier 150. A path through which the process gas moves may be formed in the reactor 140. Accordingly, the process gas moving along the movement path inside the reactor 140 can be activated by the plasma discharge.

또한, 반응기(140)는 챔버(110)의 상측에 설치될 수 있다. 예를 들어, 챔버(110)의 상부에는 반응기(140)가 지지될 수 있는 지지대(미도시)가 설치될 수 있고, 반응기(140)는 챔버(110)의 상측에 위치할 수 있도록 크기가 작아질 수 있다. 따라서, 반응기(140)와 챔버(110) 사이의 거리가 근접해져 공정가스의 이동거리가 짧아질 수 있다. 이에, 반응기(140)에서 활성화된 가스가 활성화 상태를 유지하면서 용이하게 챔버(110)로 공급될 수 있다.In addition, the reactor 140 may be installed above the chamber 110. For example, a support (not shown) on which the reactor 140 can be supported can be installed on the upper part of the chamber 110, and the reactor 140 is small in size so as to be positioned above the chamber 110 Can be. Accordingly, the distance between the reactor 140 and the chamber 110 is shortened, and the moving distance of the process gas can be shortened. Thus, the activated gas in the reactor 140 can be easily supplied to the chamber 110 while maintaining the activated state.

이때, 반응기(140)와 전원을 공급하는 전원 공급기(미도시)는 분리된 구조로 제작될 수 있다. 반응기(140)는 전원 공급기와 분리되기 때문에 크기가 작아질 수 있다. 따라서, 반응기(140)를 챔버(110)의 상측에 설치할 수 있고, 장치의 공간활용성이 향상되어 장치의 유지보수가 용이해질 수 있다. 그러나 반응기(140)의 구조와 위치 및 전원 공급기와의 연결관계는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.At this time, the reactor 140 and a power supply (not shown) for supplying power may be formed in a separate structure. Since the reactor 140 is separated from the power supply, the size of the reactor 140 can be reduced. Therefore, the reactor 140 can be installed on the upper side of the chamber 110, and space utilization of the apparatus can be improved, so that maintenance of the apparatus can be facilitated. However, the structure and position of the reactor 140 and the connection relationship between the power supply and the reactor 140 are not limited thereto and may vary.

연결관(160)은 공정가스가 이동하는 경로를 형성하는 배관일 수 있다. 연결관(160)은 일단이 반응기(140)의 하부에 연결되고, 타단이 챔버(110)의 상부를 관통하여 분사기(130)와 연결될 수 있다. 반응기(140)에서 활성화된 공정가스가 연결관(160)을 통해 분사기(130)로 공급되어 분사기(130)를 통해 챔버(110) 내부로 분사될 수 있다. The connection pipe 160 may be a pipe forming a path through which the process gas moves. One end of the connection pipe 160 is connected to the lower portion of the reactor 140 and the other end of the connection pipe 160 is connected to the injector 130 through the upper portion of the chamber 110. The activated process gas in the reactor 140 may be supplied to the injector 130 through the connecting pipe 160 and injected into the chamber 110 through the injector 130.

온도 조절기(170)는 공정가스의 이동경로에 설치되어 복수의 위치에서 공정가스의 온도를 조절하는 역할을 한다. 도 2를 참조하면, 온도 조절기(170)는, 반응기(140)에 설치되는 제1 온도 조절유닛(171), 및 연결관(160)에 설치되는 제2 온도 조절유닛(172)을 포함한다. 또한, 온도 조절기(170)는, 유체 공급유닛(173), 온도 측정유닛(미도시), 및 제어유닛(176)을 포함할 수 있다. 그러나 온도 조절기(170)가 구비하는 온도 조절유닛의 개수는 이에 한정되지 않고 3개, 4개 등 다양할 수 있다.The temperature controller 170 is installed in the path of the process gas to control the temperature of the process gas at a plurality of locations. Referring to FIG. 2, the temperature controller 170 includes a first temperature control unit 171 installed in the reactor 140 and a second temperature control unit 172 installed in the connection pipe 160. The temperature regulator 170 may also include a fluid supply unit 173, a temperature measurement unit (not shown), and a control unit 176. However, the number of temperature control units provided in the temperature controller 170 is not limited to three, four, or the like.

제1 온도 조절유닛(171)은 반응기(140)로 유입되는 공정가스의 온도를 조절하여 공정가스의 활성화를 도와주는 역할을 한다. 예를 들어, 공급배관(151)은 반응기(140)의 상부와 연결될 수 있다. 이때, 제1 온도 조절유닛(171)은 반응기(140)의 상부에 설치될 수 있고, 공급배관(151)의 둘레를 감싸도록 형성될 수 있다. 따라서, 제1 온도 조절유닛(171)은 공급배관(151)을 통해 반응기(140)로 공급되는 공정가스의 온도를 조절할 수 있고, 온도가 조절된 공정가스는 해리 속도가 빨라져 반응기(140) 내에서 활성화가 용이하게 진행될 수 있다. 즉, 제1 온도 조절유닛(171)에 의해 공정가스의 활성화 효율이 향상될 수 있다.The first temperature control unit 171 controls the temperature of the process gas flowing into the reactor 140 to assist the activation of the process gas. For example, the feed pipe 151 may be connected to the top of the reactor 140. At this time, the first temperature control unit 171 may be installed on the upper portion of the reactor 140 and may surround the supply pipe 151. Accordingly, the first temperature regulating unit 171 can regulate the temperature of the process gas supplied to the reactor 140 through the supply pipe 151, and the temperature- The activation can proceed easily. That is, the activation efficiency of the process gas can be improved by the first temperature regulation unit 171.

제1 온도 조절유닛(171)은, 반응기(140)로 유입되는 공정가스의 온도를 조절하도록 상기 반응기(140)의 일측에 설치되는 제1 몸체(171a), 및 유체가 이동하는 경로를 형성하고, 제1 몸체(171a)의 내부에 설치되는 제1 유로(171b)를 포함한다.The first temperature regulating unit 171 includes a first body 171a installed at one side of the reactor 140 to regulate the temperature of the process gas flowing into the reactor 140, And a first flow path 171b provided inside the first body 171a.

제1 몸체(171a)는 플레이트 형태로 형성될 수 있고, 반응기(140)의 상부면에 설치될 수 있다. 제1 몸체(171a)는 공급배관(151)의 연장방향을 따라 연장형성될 수 있고, 공급배관(151)은 제1 몸체(171a)의 중심부를 관통하여 반응기(140)의 상부와 연결될 수 있다. 즉, 제1 몸체(171a)는 공급배관(151)의 둘레를 감싸도록 형성될 수 있다. 따라서, 제1 몸체(171a) 내부의 제1 유로(171b)를 이동하는 유체와 공급배관(151)을 이동하는 공정가스 사이에 열교환이 용이하게 발생할 수 있다.The first body 171a may be formed in the form of a plate, and may be installed on the upper surface of the reactor 140. The first body 171a may be extended along the extension direction of the supply pipe 151 and the supply pipe 151 may be connected to the upper portion of the reactor 140 through the center of the first body 171a . That is, the first body 171a may be formed to surround the supply pipe 151. Therefore, heat exchange can easily occur between the fluid moving through the first flow path 171b in the first body 171a and the process gas moving through the supply pipe 151. [

이러한 제1 몸체(171a)는 공급배관(171a)과 일체형으로 제작될 수도 있고, 별도로 제작되어 용접 등의 방법으로 공급배관과 접합될 수도 있다. 제1 몸체(171a)가 연결관(151)과 별도로 제작되는 경우, 기존의 연결관(160)에도 제1 몸체(171a)를 설치하여 공정가스의 온도를 조절할 수 있다. 그러나 제1 몸체(171a)의 구조 및 공급배관(151)에 연결되는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The first body 171a may be integrally formed with the supply pipe 171a or may be separately manufactured and joined to the supply pipe by welding or the like. When the first body 171a is manufactured separately from the connection pipe 151, the first connection pipe 160 may be provided with a first body 171a to control the temperature of the process gas. However, the structure of the first body 171a and the method of connecting to the supply pipe 151 are not limited thereto and may vary.

제1 유로(171b)는 열에너지를 가지는 유체가 이동하는 경로를 형성한다. 제1 유로(171b)는 제1 몸체(171a)의 내부에 설치된다. 예를 들어, 제1 유로(171b)는 공급배관의 둘레를 감싸도록 링형으로 형성될 수도 있고, 제1 몸체(171a)의 내부에서 유체가 채워지는 공간을 형성할 수도 있다. 이에, 제1 몸체(171) 내에서 제1 유로(171b)가 공급배관(151)의 둘레를 감싸도록 배치될 수 있다. 따라서, 제1 유로(171b)를 따라 이동하는 유체가 공급배관(151)을 통과하는 공정가스에 열에너지를 공급하거나, 공정가스의 열에너지를 빼앗아 공정가스의 온도가 조절될 수 있다. The first flow path 171b forms a path through which the fluid having heat energy moves. The first flow path 171b is installed inside the first body 171a. For example, the first flow path 171b may be formed in a ring shape so as to surround the supply pipe, or may form a space filled with the fluid inside the first body 171a. Accordingly, the first flow path 171b may be disposed in the first body 171 so as to surround the supply pipe 151. Accordingly, the fluid moving along the first flow path 171b can supply thermal energy to the process gas passing through the supply pipe 151, or can take the thermal energy of the process gas and adjust the temperature of the process gas.

제2 온도 조절유닛(172)은 반응기(140)에서 배출되는 공정가스의 온도를 조절하도록 반응기(140)와 챔버(110) 사이에 위치할 수 있다. 따라서, 제2 온도 조절유닛(172)을 통과하는 공정가스의 온도를 조절하여 챔버(110)로 공급되는 공정가스의 온도를 유지시켜주거나 더 상승시켜주는 역할을 할 수 있다. 이에, 공정가스가 활성화된 상태를 유지하면서 챔버(110)로 공급되어 식각 효율이 향상될 수 있다.The second temperature control unit 172 may be located between the reactor 140 and the chamber 110 to regulate the temperature of the process gas exiting the reactor 140. Accordingly, the temperature of the process gas passing through the second temperature control unit 172 can be controlled to maintain or raise the temperature of the process gas supplied to the chamber 110. Accordingly, the etch efficiency can be improved by supplying the process gas to the chamber 110 while maintaining the activated state of the process gas.

제2 온도 조절유닛(172)은, 연결관(160)의 둘레를 감싸도록 설치되는 제2 몸체(172a), 및 유체가 이동하는 경로를 형성하고, 제2 몸체(172a)의 내부에 설치되는 제2 유로(172b)를 포함한다. The second temperature regulating unit 172 includes a second body 172a that is installed to surround the connection pipe 160 and a second body 172b that is provided inside the second body 172a And a second flow path 172b.

제2 몸체(172a)는 중공형의 파이프 형태로 형성될 수 있고, 연결관(160)의 연장방향을 따라 연장형성될 수 있다. 연결관(160)이 제2 몸체(172a)의 중심부를 관통하여 제2 몸체(172a)가 연결관(160)의 둘레를 감쌀 수 있다. 제2 몸체(172a)는 연결관의 적어도 일부를 감쌀 수 있다. 즉, 제2 몸체(172a)는 연결관(160)의 전체 영역을 감쌀 수도 있고, 연결관(160)보다 짧게 연장형성되어 연결관(160)의 일부 영역만 감쌀 수도 있다. The second body 172a may be formed in a hollow pipe shape and may extend along the extension direction of the connection pipe 160. [ The connection pipe 160 passes through the center portion of the second body 172a and the second body 172a can wrap the circumference of the connection pipe 160. [ The second body 172a may cover at least a portion of the connector tube. That is, the second body 172a may cover the entire area of the connection pipe 160 and may extend beyond the connection pipe 160 so as to cover only a part of the connection pipe 160.

예를 들어, 제2 몸체(172a)의 길이가 길어지면 제2 몸체(172a)가 연결관(160)을 감싸는 영역도 증가한다. 제2 몸체(172a)가 길이가 길어지면, 제2 몸체(172a) 내의 제2 유로(172b)가 연결관(160)을 감싸는 영역도 증가할 수 있다. 이에, 공정가스가 반응기(140)에서 챔버(110)까지 이동하는 동안 공정가스와 유체 사이에 열교환이 계속 이루어지기 때문에, 연결관(160) 전체 영역에서 공정가스의 온도를 조절할 수 있다.For example, if the length of the second body 172a is long, the area in which the second body 172a covers the connection tube 160 also increases. If the length of the second body 172a is increased, the area in which the second flow path 172b of the second body 172a covers the connection pipe 160 may also increase. Thus, since the heat exchange between the process gas and the fluid is continued while the process gas moves from the reactor 140 to the chamber 110, the temperature of the process gas can be adjusted in the entire region of the connection tube 160.

반대로, 제2 몸체(172a)의 길이가 짧아지면 제2 몸체(172a)가 연결관(160)을 감싸는 영역도 감소한다. 제2 몸체(172a)의 길이가 짧아지면 제2 몸체(172a) 내의 제2 유로(172b)가 연결관(160)을 감싸는 영역도 감소할 수 있다. 유체는 이동하면서 열에너지를 계속 빼앗기기 때문에, 제2 유로(172b)의 길이가 길어지면 제2 유로(172b)로 처음 유입된 유체와 배출되는 유체 사이의 온도 차이가 커질 수 있다. 따라서, 연결관(160)의 전체 영역의 온도가 균일해지지 못할 수 있다. 이에, 제2 유로(172b)의 길이를 짧게 형성하여 원하는 영역의 공정가스 온도를 정밀하게 조절할 수 있다.On the contrary, if the length of the second body 172a is shortened, the area of the second body 172a surrounding the connection tube 160 also decreases. If the length of the second body 172a is shortened, the area in which the second flow path 172b in the second body 172a surrounds the connection pipe 160 can also be reduced. The temperature difference between the fluid initially introduced into the second flow path 172b and the fluid discharged can be increased if the length of the second flow path 172b is increased because the fluid continuously removes heat energy. Therefore, the temperature of the entire region of the coupling pipe 160 may not be uniform. Accordingly, the length of the second flow path 172b can be shortened to precisely control the process gas temperature in a desired region.

또한, 제2 몸체(172a)는 연결관(160)과 일체형으로 제작될 수도 있고, 별도로 제작되어 용접 등의 방법으로 연결관(160)과 접합될 수도 있다. 제2 몸체(172a)가 연결관(160)과 별도로 제작되는 경우, 기존의 연결관(160)에도 제2 몸체(172a)를 설치하여 공정가스의 온도를 조절할 수 있다. 그러나 제2 몸체(172a)가 연결관(160)에 연결되는 방법 및 제2 몸체(172a)가 연결관(160)을 감싸는 영역도 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The second body 172a may be integrally formed with the coupling tube 160 or may be separately formed and joined to the coupling tube 160 by welding or the like. When the second body 172a is manufactured separately from the connection pipe 160, the second body 172a may be installed in the existing connection pipe 160 to control the temperature of the process gas. However, the manner in which the second body 172a is connected to the connection pipe 160 and the area in which the second body 172a surrounds the connection pipe 160 are not limited to this, and may vary.

또한, 제2 몸체(172a)가 연결관(160)의 일부 영역을 감싸는 경우, 제2 몸체(172a)는 챔버(110)보다 반응기(140)에 근접하게 배치될 수 있다. 제2 몸체(172a)가 챔버(110)에 근접하게 배치되면 반응기(140)에서 배출된 공정가스의 온도가 낮아졌다가 제2 몸체(172a)를 통과하면서 다시 온도가 조절된다. 따라서, 제2 몸체(172a)가 반응기(140)에서 멀어질수록 공정가스의 온도가 쉽게 낮아져 제2 몸체(172a)를 통과하는 공정가스의 온도를 상승시키기가 어려워질 수 있다.The second body 172a may be arranged closer to the reactor 140 than the chamber 110 when the second body 172a covers a part of the connection tube 160. [ When the second body 172a is disposed close to the chamber 110, the temperature of the process gas discharged from the reactor 140 is lowered and then the temperature is regulated while passing through the second body 172a. Therefore, as the second body 172a moves away from the reactor 140, the temperature of the process gas is lowered easily, and it may become difficult to raise the temperature of the process gas passing through the second body 172a.

이에, 반응기(140)에서 배출된 공정가스가 챔버(110)로 이동하면서 온도가 낮아지기 전에 반응기(140)에서 배출되는 공정가스의 온도를 곧바로 조절하여 공정가스의 온도를 유지시키거나 상승시킬 수 있다. 즉, 제2 몸체(172a)를 챔버(110)보다 반응기(140)에 근접하게 위치시켜 공정가스의 온도를 용이하게 조절할 수 있다.Accordingly, the temperature of the process gas discharged from the reactor 140 can be directly controlled to increase or decrease the temperature of the process gas before the temperature of the process gas discharged from the reactor 140 is lowered . That is, the second body 172a can be positioned closer to the reactor 140 than the chamber 110, and the temperature of the process gas can be easily controlled.

또한, 제2 몸체(172a)는 연결관(160)의 일부 영역을 감싸는 경우, 제2 몸체(172a)의 길이는 연결관(160)의 길이 대비 0.25~0.75 배로 형성될 수 있다. 제2 몸체(172a)의 길이가 연결관(160)의 길이 대비 0.25배 미만인 경우, 유체와 공정가스 사이의 열교환이 이루어지는 영역이 너무 작아져 공정가스의 온도가 조절되지 못할 수 있다. The length of the second body 172a may be 0.25 to 0.75 times the length of the coupling tube 160 when the second body 172a covers a portion of the coupling tube 160. [ If the length of the second body 172a is less than 0.25 times the length of the connecting pipe 160, the area where heat exchange between the fluid and the process gas occurs is too small to control the temperature of the process gas.

반대로, 제2 몸체(172a)의 길이가 연결관(160)의 길이 대비 0.75배 이상인 경우, 유체의 이동경로가 너무 길어져 제2 몸체(172a)로 처음 유입된 유체와 접촉하는 공정가스와 제2 몸체(172a)에서 배출되는 유체와 접촉하는 공정가스가 서로 다른 온도로 조절될 수 있다. 따라서, 유체가 공정가스의 온도를 효과적으로 조절할 수 있도록 제2 몸체(172a)의 길이가 연결관(160)의 길이 대비 0.25~0.75 배로 형성될 수 있다. 그러나 제2 몸체(172a)의 길이는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.In contrast, when the length of the second body 172a is greater than 0.75 times the length of the connection pipe 160, the flow path of the fluid becomes excessively long and the process gas contacting the fluid initially introduced into the second body 172a, The process gas contacting the fluid discharged from the body 172a can be adjusted to different temperatures. Accordingly, the length of the second body 172a may be 0.25 to 0.75 times the length of the connection pipe 160 so that the fluid can effectively control the temperature of the process gas. However, the length of the second body 172a is not limited to this and may vary.

제2 유로(172b)는 열에너지를 가지는 유체가 이동하는 경로를 형성한다. 제2 유로(172b)는 제2 몸체(172a)의 내부에 설치된다. 예를 들어, 제2 유로(172b)는 공급배관(151)의 둘레를 감싸도록 나선형으로 형성될 수도 있고, 제2 몸체(172a)의 내부에서 유체가 채워지는 공간을 형성할 수도 있다. 이에, 제2 유로(172b)가 연결관의 둘레를 감싸도록 배치될 수 있다. 따라서, 제2 유로(172b)를 따라 이동하는 유체가 연결관(160)을 통과하는 공정가스에 열에너지를 공급하거나, 공정가스의 열에너지를 빼앗아 공정가스의 온도가 조절될 수 있다. The second flow path 172b forms a path through which the fluid having heat energy moves. And the second flow path 172b is installed inside the second body 172a. For example, the second flow path 172b may be spirally formed so as to surround the supply pipe 151, or may form a space filled with the fluid inside the second body 172a. Thus, the second flow path 172b may be disposed so as to surround the circumference of the connection pipe. Accordingly, the fluid flowing along the second flow path 172b can supply thermal energy to the process gas passing through the connection pipe 160, or can take the heat energy of the process gas and control the temperature of the process gas.

이때, 제2 유로의 유체 유입단이 유체 배출단보다 챔버(110)에 근접하게 배치될 수 있다. 즉, 제2 유로(172b)의 유체가 유입되는 유입단은 제2 몸체(172a)의 공정가스가 진입하는 부분보다 공정가스가 통과하는 부분에 근접하게 위치할 수 있고, 제2 유로(172b)의 유체가 배출되는 배출단은 제2 몸체(172a)의 공정가스가 통과하는 부분보다 공정가스가 진입하는 부분에 근접하게 위치할 수 있다. 예를 들어, 유체는 제2 몸체(172a)의 하부를 통해 제2 유로(172b)로 공급되어 제2 몸체(172a)의 상부로 배출될 수 있다. 이에, 유체가 제2 유로(172b)를 따라 제2 몸체(172a)의 연장방향으로 이동하면서 연결관(160)의 내부 온도를 용이하게 조절할 수 있다.At this time, the fluid inflow end of the second flow path may be disposed closer to the chamber 110 than the fluid outflow end. That is, the inlet end into which the fluid of the second flow path 172b flows may be positioned closer to the portion of the second body 172a through which the process gas passes, May be positioned closer to the portion of the second body 172a through which the process gas enters than the portion through which the process gas passes. For example, the fluid may be supplied to the second flow path 172b through the lower portion of the second body 172a and discharged to the upper portion of the second body 172a. Accordingly, the fluid can move along the second flow path 172b in the direction of the extension of the second body 172a, and the internal temperature of the connection pipe 160 can be easily controlled.

유체는 제2 유로(172b)를 따라 이동하면서 열에너지를 계속 빼앗긴다. 따라서, 유입단을 통해 제2 유로(172b)로 유입된 유체의 온도가 배출단을 통해 제2 유로(172b) 외부로 배출되는 유체의 온도보다 높을 수 있다. 제2 몸체(172a)를 통과하는 공정가스의 온도가 낮아지는 것을 억제하거나 방지하기 위해, 공정가스가 통과하는 영역의 제2 유로(172b)로 가장 높은 온도의 유체를 공급할 수 있다. 이에, 공정가스가 제2 몸체(172a)를 통과하는 동안 온도가 증가할 수 있고, 제2 몸체(172a)를 통과했을 때 온도가 최대로 상승할 수 있다. 챔버(110)로 공급되는 공정가스가 제2 온도 조절기(170)에 의해 높은 온도를 유지할 수 있다.The fluid moves along the second flow path 172b and continues to lose heat energy. Therefore, the temperature of the fluid flowing into the second flow path 172b through the inlet end may be higher than the temperature of the fluid discharged through the outlet end to the outside of the second flow path 172b. The fluid at the highest temperature can be supplied to the second flow path 172b of the region through which the process gas passes, in order to suppress or prevent the temperature of the process gas passing through the second body 172a from being lowered. Accordingly, the temperature of the process gas may increase while passing through the second body 172a, and the temperature may rise to the maximum when passing through the second body 172a. The process gas supplied to the chamber 110 can be kept at a high temperature by the second temperature regulator 170.

또한, 반응기(140) 내부의 소자들이 열에 의해 손상될 수 있기 때문에, 제2 유로(172b)의 온도가 낮은 유체가 배출되는 배출단을 반응기(140) 측에 근접시킬 수 있다. 따라서, 제2 유로(172b)의 유체가 반응기(140)에 열에너지를 공급하는 것을 최소화할 수 있고, 반응기(140) 내부의 온도가 제2 유로(172b)를 이동하는 유체에 의해 상승하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.In addition, since the elements in the reactor 140 can be damaged by heat, the discharge end at which the fluid having a low temperature in the second flow path 172b is discharged can be brought close to the reactor 140 side. Therefore, it is possible to minimize the supply of heat energy to the reactor 140 by the fluid of the second flow path 172b and to suppress the temperature inside the reactor 140 from rising by the fluid moving through the second flow path 172b .

이때, 제1 온도 조절유닛(171)과 제2 온도 조절유닛(172)은 유체가 이동하는 경로를 형성하는 순환라인에 연결될 수 있다. 순환라인은 유체가 이동하는 경로를 형성하고, 한 쌍이 구비될 수 있다. 한 쌍의 순환라인 중 제1 온도 조절유닛(171)의 유체를 제2 온도 조절유닛(172)으로 전달해주는 제1 순환라인(174a)은 일단이 제1 몸체(171a)를 관통하여 제1 몸체(171a) 내부의 제1 유로(171b)와 연결되고, 타단이 제2 몸체(172a)의 공정가스가 통과하는 부분에 연결될 수 있다. 예를 들어, 공정가스는 제2 몸체(172a)의 하부로 통과될 수 있고, 제1 순환라인(174a)은 제2 몸체(172a)의 하부에 연결될 수 있다.At this time, the first temperature control unit 171 and the second temperature control unit 172 may be connected to a circulation line forming a path through which fluid flows. The circulation line forms a path through which the fluid moves, and a pair can be provided. The first circulation line 174a for transferring the fluid of the first temperature control unit 171 among the pair of circulation lines to the second temperature control unit 172 has one end passing through the first body 171a, May be connected to the first flow path 171b inside the first body 171a and the other end to the portion through which the process gas of the second body 172a passes. For example, the process gas may be passed to the lower portion of the second body 172a, and the first circulation line 174a may be connected to the lower portion of the second body 172a.

한 쌍의 순환라인 중 제2 온도 조절유닛(172)의 유체를 제1 온도 조절유닛(171)으로 전달해주는 제2 순환라인(174b)은 일단이 제2 몸체(172a)의 공정가스가 진입하는 부분(예를 들어, 제2 몸체(172a)의 상부)을 관통하여 제2 유로(172b)와 연결되고, 타단이 제1 몸체(171a)를 관통하여 제1 유로(171b)에 연결될 수 있다. 따라서, 제1 유로(171b)와 제2 유로(172b)가 한 쌍의 순환라인을 통해 서로 연결될 수 있고, 유체가 제1 유로(171b)에서 제2 유로(172b) 측으로 또는 제2 유로(172b)에서 제1 유로(171b) 측으로 순환할 수 있다. 이에, 제1 유로(171b) 및 제2 유로(172b) 중 어느 하나로 유체를 공급하면 제1 유로(171b)와 제2 유로(172b) 모두에 유체가 공급될 수 있다. 그러나 순환라인의 구조와 연결되는 부분은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The second circulation line 174b for transferring the fluid of the second temperature control unit 172 of the pair of circulation lines to the first temperature regulation unit 171 is connected to the second circulation line 174b And the other end may pass through the first body 171a and be connected to the first flow path 171b. The first flow path 171b may be connected to the second flow path 172b through the first flow path 171b. Accordingly, the first and second flow paths 171b and 172b can be connected to each other through the pair of circulation lines, and the fluid can flow from the first flow path 171b toward the second flow path 172b, To the first flow path 171b side. When the fluid is supplied to any one of the first flow path 171b and the second flow path 172b, the fluid can be supplied to both the first flow path 171b and the second flow path 172b. However, the portion connected to the structure of the circulation line is not limited to this and may be various.

유체 공급유닛(173)은 제1 온도 조절유닛(171), 및 제2 온도 조절유닛(172) 중 적어도 어느 하나와 연결되어 열에너지를 가지는 유체를 공급할 수 있다. 유체 공급유닛(173)은, 유체가 저장되는 유체 저장탱크(미도시), 및 유체가 이동하는 경로를 형성하며 일단이 유체 저장탱크에 연결되고 타단이 제1 유로(171b) 및 제2 유로(172b) 중 어느 하나와 연결되는 유체 공급배관(151)을 포함할 수 있다. 이때, 유체는 액체 또는 기체일 수 있고, 열에너지를 공정가스에 제공하거나 공정가스의 열을 흡수할 수 있다. 예를 들어, 유체는 냉각수(coolant)일 수 있다.The fluid supply unit 173 is connected to at least one of the first temperature control unit 171 and the second temperature control unit 172 to supply the fluid having thermal energy. The fluid supply unit 173 includes a fluid storage tank (not shown) in which the fluid is stored and a path through which the fluid moves, one end of which is connected to the fluid storage tank and the other end of which is connected to the first flow path 171b and the second flow path And a fluid supply pipe 151 connected to either one of the fluid supply pipes 172a and 172b. At this time, the fluid may be a liquid or a gas, and may provide thermal energy to the process gas or absorb heat of the process gas. For example, the fluid may be a coolant.

유체 저장탱크는 내부에 유체가 저장되는 공간을 형성한다. 유체 저장탱크는 유체를 가열하여 유체의 온도를 상승시키거나 유체를 냉각하여 유체의 온도를 낮출 수 있다. 이에, 유체 저장탱크는 제1 온도 조절유닛(171) 및 제2 온도 조절유닛(172)으로 공급되는 유체의 온도를 조절할 수 있다.The fluid storage tank forms a space in which the fluid is stored. The fluid storage tank may heat the fluid to raise the temperature of the fluid or cool the fluid to lower the temperature of the fluid. Accordingly, the fluid storage tank can control the temperature of the fluid supplied to the first temperature control unit 171 and the second temperature control unit 172. [

유체 공급배관(151)은 유체 저장탱크 내부의 유체를 제1 온도 조절유닛(171) 및 제2 온도 조절유닛(172)으로 전달해주는 역할을 한다. 예를 들어, 유체 공급배관(151)은 제1 유로(171b)와 연결될 수 있다. 따라서, 제1 유로(171b)로 공급된 유체가 제1 순환라인(174a)을 통해 제2 유로(172b)로 공급될 수 있다. 또한, 제2 유로(172b)를 통과한 유체는 제2 순환라인(174b)을 통해 제1 유로(171b)로 공급된 후 배출될 수 있다. 이에, 유체 공급유닛(173)에서 공급하는 유체가 제1 유로(171b) 및 제2 유로(172b)를 통과하면서 공정가스의 온도를 조절할 수 있다.The fluid supply pipe 151 serves to transfer the fluid in the fluid storage tank to the first temperature control unit 171 and the second temperature control unit 172. For example, the fluid supply pipe 151 may be connected to the first flow path 171b. Accordingly, the fluid supplied to the first flow path 171b can be supplied to the second flow path 172b through the first circulation line 174a. In addition, the fluid having passed through the second flow path 172b may be supplied to the first flow path 171b through the second circulation line 174b and then discharged. Accordingly, the temperature of the process gas can be adjusted while the fluid supplied from the fluid supply unit 173 passes through the first flow path 171b and the second flow path 172b.

한편, 도 3의 (a)를 참조하면, 제2 온도 조절유닛(172)은 연결관(160)을 감싸는 단열재(172c)를 더 포함할 수도 있다. 단열재(172c)는 연결관(160)의 제2 몸체(172a)가 감싸지 않은 영역의 적어도 일부를 감쌀 수 있다. 예를 들어, 단열재(172c)는 중공형의 파이프 형태로 형성될 수 있고, 연결관(160)은 단열재(172c)의 중심부를 관통할 수 있다. 이에, 단열재(172c)가 연결관(160)의 둘레를 감싸 반응기(140)를 통과한 공정가스 또는 제2 온도 조절유닛(172)을 통과한 공정가스의 온도가 저하되는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 공정가스가 조절된 온도를 유지한 상태에서 챔버(110)로 공급될 수 있다. 그러나 단열재(172c)가 연결관(160)을 감싸는 영역은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.3 (a), the second temperature regulating unit 172 may further include a heat insulator 172c surrounding the connection pipe 160. As shown in FIG. The heat insulating material 172c may cover at least a part of the area where the second body 172a of the connection tube 160 is not wrapped. For example, the heat insulator 172c may be formed in the shape of a hollow pipe, and the connection pipe 160 may penetrate the center portion of the heat insulator 172c. It is therefore possible to prevent or prevent the temperature of the process gas passing through the reactor 140 or the process gas passing through the second temperature control unit 172 from being lowered by covering the periphery of the connection pipe 160 with the heat insulating material 172c have. Thus, the process gas can be supplied to the chamber 110 while maintaining the controlled temperature. However, the region where the heat insulating material 172c surrounds the connection pipe 160 is not limited to this and may vary.

또는, 도 3의 (b)와 같이, 온도 조절기(170)는, 제1 몸체(171a)를 감싸는 제1 보조 단열재(172e)와 제2 몸체(172a)를 감싸는 제2 보조 단열재(172d)를 더 포함할 수도 있다. 제1 보조 단열재(172e)와 제2 보조 단열재(172d)는 제1 유로(171b) 또는 제2 유로(172b)를 따라 이동하는 유체와 외기 사이에 열교환이 이루어지는 것을 억제하거나 방지하는 역할을 한다. 3B, the temperature controller 170 includes a first auxiliary thermal insulator 172e surrounding the first body 171a and a second auxiliary thermal insulator 172d surrounding the second body 172a. . The first auxiliary insulating material 172e and the second auxiliary insulating material 172d serve to suppress or prevent heat exchange between the fluid moving along the first flow path 171b or the second flow path 172b and the outside air.

제1 보조 단열재(172e)는 제1 몸체(171a)의 둘레를 감싸도록 부착되어 제1 유로(171b)의 유체가 외부로 열에너지를 빼앗기는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 제1 몸체(171a) 내부의 제1 유로(171b)를 이동하는 유체와 공급배관(151)을 이동하는 공정가스 사이에서만 열교환이 이루어져 유체가 공정가스의 온도를 용이하게 조절할 수 있다.The first auxiliary insulating material 172e is attached so as to surround the first body 171a so as to suppress or prevent the fluid of the first flow path 171b from absorbing the heat energy to the outside. Therefore, heat exchange is performed only between the fluid moving through the first flow path 171b in the first body 171a and the process gas moving through the supply pipe 151, so that the fluid can easily adjust the temperature of the process gas.

제2 보조 단열재(172d)는 제2 몸체(172a)의 둘레를 감싸도록 부착되어 제2 유로(172b)의 유체가 외부로 열에너지를 빼앗기는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 제2 몸체(172a) 내부의 제2 유로(172b)를 이동하는 유체와 연결관(160)을 이동하는 공정가스 사이에서만 열교환이 이루어져 유체가 공정가스의 온도를 용이하게 조절할 수 있다. 그러나 제1 보조 단열재가 제1 몸체(171a)를 감싸는 영역이나 제2 보조 단열재(172d)가 제2 몸체(172a)를 감싸는 영역은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. 또한, 단열재(172c), 제1 보조 단열재(172e), 및 제2 보조 단열재(172d)는 다양하게 조합될 수 있다.The second auxiliary insulating material 172d is attached so as to surround the second body 172a so that the fluid of the second flow path 172b can suppress or prevent the heat energy from being taken out to the outside. Therefore, heat exchange is performed only between the fluid flowing through the second flow path 172b in the second body 172a and the process gas moving through the connection pipe 160, so that the fluid can easily control the temperature of the process gas. However, the region in which the first auxiliary thermal insulating material surrounds the first body 171a and the region in which the second auxiliary thermal insulating material 172d surrounds the second body 172a may be various and not limited thereto. The heat insulating material 172c, the first auxiliary insulating material 172e, and the second auxiliary insulating material 172d may be variously combined.

또는, 도 4와 같이 유체 공급유닛(173)이, 제1 온도 조절유닛(171)과 연결되는 제1 공급라인(177a), 및 제2 온도 조절유닛(172)과 연결되는 제2 공급라인(178a)을 포함할 수도 있다. 제1 공급라인(177a)과 제2 공급라인(178a)이 공급되는 유체는 동일한 온도의 유체일 수도 있고, 서로 다른 온도의 유체일 수도 있다. 즉, 제1 온도 조절유닛(171)으로 공급되는 유체의 온도와 제2 온도 조절유닛(172)으로 공급되는 유체의 온도는 독립적 또는 개별적으로 조절될 수 있다. 4, the fluid supply unit 173 may include a first supply line 177a connected to the first temperature regulating unit 171 and a second supply line 177b connected to the second temperature regulating unit 172 178a. The fluids supplied to the first supply line 177a and the second supply line 178a may be fluids of the same temperature or fluids of different temperatures. That is, the temperature of the fluid supplied to the first temperature regulating unit 171 and the temperature of the fluid supplied to the second temperature regulating unit 172 can be adjusted independently or individually.

제1 온도 조절유닛(171)은, 제1 공급라인(177a)과, 제1 유체 저장탱크(173a)를 포함하고, 제2 온도 조절유닛(172)은, 제2 공급라인(178a)과, 제2 유체 저장탱크(173b)를 포함할 수 있다. 따라서, 제1 유체 저장탱크(173a)와 제2 유체 저장탱크(173b)는 서로 다른 온도로 유체를 저장할 수 있고, 제1 공급라인(177a)과 제2 공급라인(178a)을 통해 공급되는 유체의 온도가 서로 달라지게 조절할 수 있다. The first temperature regulating unit 171 includes a first supply line 177a and a first fluid storage tank 173a and the second temperature regulating unit 172 includes a second supply line 178a, And a second fluid storage tank 173b. Accordingly, the first fluid storage tank 173a and the second fluid storage tank 173b can store fluids at different temperatures, and the fluid supplied through the first supply line 177a and the second supply line 178a Can be adjusted to be different from each other.

이에, 제1 공급라인(177a)으로 제1 유로(171b)로 공급된 유체는 제1 유로(171b)를 따라 이동한 후 제1 배출관(177b)을 통해 제1 유로(171b) 외부로 배출되고, 제2 공급라인(178a)으로 제2 유로(172b)로 공급된 유체는 제2 유로(172b)를 따라 이동한 후 제2 배출관(178b)을 통해 제2 유로(172b) 외부로 배출될 수 있다. 즉, 제1 온도 조절유닛(171)과 제2 온도 조절유닛(172)은 개별적으로 유체가 이동하는 경로를 가지고, 서로 연결되지 않을 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 유체 공급유닛(173)의 구조는 다양할 수 있다.The fluid supplied to the first flow path 171b through the first supply line 177a moves along the first flow path 171b and is discharged to the outside of the first flow path 171b through the first discharge pipe 177b The fluid supplied to the second flow path 172b through the second supply line 178a moves along the second flow path 172b and is discharged to the outside of the second flow path 172b through the second discharge pipe 178b have. That is, the first temperature control unit 171 and the second temperature control unit 172 may have a path through which the fluid flows separately, and may not be connected to each other. However, the structure of the fluid supply unit 173 is not limited thereto.

온도 측정유닛(미도시)은 공정가스의 온도를 측정하는 역할을 한다. 온도 측정유닛은 반응기(140) 또는 연결관(160)에 설치되어 공정가스의 온도를 측정할 수 있다. 따라서, 온도 측정유닛은 제1 온도 조절유닛(171) 또는 제2 온도 조절유닛(172)에 의해 조절되는 공정가스의 온도를 모니터링할 수 있다. 그러나 온도 측정유닛이 구비되는 개수 및 온도를 측정하는 위치는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.A temperature measurement unit (not shown) serves to measure the temperature of the process gas. The temperature measurement unit may be installed in the reactor 140 or the connection pipe 160 to measure the temperature of the process gas. Thus, the temperature measurement unit can monitor the temperature of the process gas controlled by the first temperature regulation unit 171 or the second temperature regulation unit 172. [ However, the number of the temperature measuring units and the position at which the temperature is measured are not limited thereto and may vary.

제어유닛(176)은 온도 측정유닛과 연결되어 유체 공급유닛(173)의 작동을 제어하는 역할을 한다. 즉, 제어유닛(176)은 반응기(140) 내부의 온도 또는 연결관(160) 내부의 온도에 따라 제1 유로(171b) 또는 제2 유로(172b)로 공급되는 유체의 온도를 조절할 수 있다. 제어유닛(176)은 송수신부, 및 비교부, 및 제어부를 포함할 수 있다.The control unit 176 is connected to the temperature measurement unit and serves to control the operation of the fluid supply unit 173. That is, the control unit 176 can adjust the temperature of the fluid supplied to the first flow path 171b or the second flow path 172b according to the temperature inside the reactor 140 or the temperature inside the connection pipe 160. The control unit 176 may include a transmission / reception unit, a comparison unit, and a control unit.

송수신부는 온도 측정유닛과 연결되어 반응기(140) 또는 연결관(160) 내부의 온도 정보를 수신하고, 이를 비교부로 송신하는 역할을 한다. The transceiver unit is connected to the temperature measuring unit to receive temperature information in the reactor 140 or the connection tube 160, and transmits the temperature information to the comparing unit.

비교부는 송수신부에서 전달받은 측정 온도값과 미리 설정된 설정 온도값을 비교하는 역할을 한다. 예를 들어, 설정 온도값은 30~70℃의 온도값들 중 하나가 선택될 수 있다. 반응기(140) 내부의 온도가 70℃를 초과하면 반응기(140) 내부의 소자들이 열 데미지를 받아 손상될 수 있다. 공정가스의 온도가 30℃ 미만이면 공정가스가 온도가 낮아 활성화되기가 어려워질 수 있다. 따라서, 공정가스의 해리 속도를 향상시키면서 반응기(140) 내부의 소자가 손상되지 않는 온도로 공정가스의 온도를 조절할 수 있다.The comparator compares the measured temperature value received from the transmitter / receiver with a preset temperature value. For example, one of the temperature values of 30 to 70 占 폚 may be selected as the set temperature value. If the temperature inside the reactor 140 exceeds 70 ° C, elements inside the reactor 140 may be damaged by heat damage. If the temperature of the process gas is less than 30 占 폚, the process gas may have a low temperature and may become difficult to activate. Accordingly, the temperature of the process gas can be controlled to a temperature at which the elements in the reactor 140 are not damaged, while improving the dissociation rate of the process gas.

측정 온도값이 설정 온도값보다 작으면, 유체의 온도가 낮다고 판단할 수 있고, 측정 온도값이 설정 온도값보다 크면, 유체의 온도가 너무 높다고 판단할 수 있다. 그러나 측정 온도값과 비교하는 수치는 이에 한정되지 않고 범위로 설정될 수도 있다.If the measured temperature value is smaller than the set temperature value, it can be determined that the fluid temperature is low. If the measured temperature value is larger than the set temperature value, it can be determined that the fluid temperature is too high. However, the numerical value to be compared with the measured temperature value is not limited to this and may be set in a range.

제어부는 비교부에서 비교한 결과에 따라 유체 공급유닛(173)의 작동을 제어하는 역할을 한다. 예를 들어, 측정 온도값이 설정 온도값보다 작으면 제어부는 유체 공급유닛(173)이 공급하는 유체를 온도를 상승시키고, 측정 온도값이 설정 온도값보다 크면 제어부는 유체 공급유닛(173)이 공급하는 유체의 온도를 낮출 수 있다. 이에, 공정가스의 온도가 설정 온도값과 동일하거나 유사하게 유지될 수 있다.The control unit controls the operation of the fluid supply unit 173 in accordance with the comparison result in the comparison unit. For example, if the measured temperature value is smaller than the set temperature value, the control unit raises the temperature of the fluid supplied by the fluid supply unit 173, and if the measured temperature value is larger than the set temperature value, The temperature of the supplied fluid can be lowered. Thus, the temperature of the process gas can be kept the same or similar to the set temperature value.

이처럼 공정가스가 이동하는 경로에 온도 조절기(170)를 설치하여 복수의 위치에서 챔버(110) 내부로 공급되는 공정가스의 온도를 조절할 수 있다. 이에, 반응기(140)로 유입되는 공정가스의 온도를 조절하여 공정가스의 해리 속도를 향상시켜 수 있고, 반응기(140)에서 챔버(110)로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하여 공정가스의 활성화 상태를 유지시켜줄 수 있다. 따라서, 챔버(110) 내부로 공급된 공정가스의 식각 속도가 향상되어 플라즈마 처리공정의 효율이 향상될 수 있다.In this way, the temperature controller 170 may be installed on the path through which the process gas moves to control the temperature of the process gas supplied into the chamber 110 at a plurality of positions. Accordingly, the dissociation rate of the process gas can be improved by controlling the temperature of the process gas introduced into the reactor 140, and the temperature of the process gas supplied from the reactor 140 to the chamber 110 can be controlled to activate The state can be maintained. Accordingly, the etching rate of the process gas supplied into the chamber 110 can be improved, and the efficiency of the plasma processing process can be improved.

하기에서는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 처리 방법에 대해 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, a plasma processing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리공정을 수행하는 방법으로서, 챔버 외측의 반응기로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정(S100), 반응기 내부에서 플라즈마로 공정가스를 활성화하는 과정(S200), 반응기에서 배출되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정(S300), 및 공정가스를 챔버 내부로 공급하는 과정(S400)을 포함한다. 이때, 플라즈마 처리공정은, 챔버(110) 내부를 세정하는 공정, 박막 증착 공정, 에싱 공정, 및 에칭 공정 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, a plasma processing method according to an embodiment of the present invention is a method of performing a plasma processing process, including the steps of adjusting a temperature of a process gas supplied to a reactor outside a chamber (S100) A process of activating the process gas (S200), a process of controlling the temperature of the process gas discharged from the reactor (S300), and a process of supplying the process gas into the chamber (S400). At this time, the plasma treatment process may include at least one of a process of cleaning the interior of the chamber 110, a thin film deposition process, an ashing process, and an etching process.

공정가스 공급기(150)가 반응기(140)로 공정가스를 공급한다. 공정가스는 플라즈마에 의해 반응기(140) 내부에서 활성화되고, 챔버(110) 내부로 분사된다. 이때, 공정가스 공급기(150)에서 반응기(140)로 이동하는 공정가스, 및 반응기(140)에서 챔버(110)로 이동하는 공정가스의 온도를 조절할 수 있다.A process gas supplier 150 supplies the process gas to the reactor 140. The process gas is activated within the reactor 140 by the plasma, and is injected into the chamber 110. At this time, the temperature of the process gas moving from the process gas supplier 150 to the reactor 140 and the process gas moving from the reactor 140 to the chamber 110 can be adjusted.

먼저, 공정가스 공급기(150)에서 반응기(140)로 공급되는 공정가스의 온도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 제1 온도 조절유닛(171)을 통해 공정가스가 이동하는 경로 주변으로 열에너지를 가지는 유체를 공급하여, 유체와 공정가스에 열교환이 이루어질 수 있다. 따라서, 유체의 온도를 조절하여 공정가스의 온도를 조절할 수 있다.First, the temperature of the process gas supplied from the process gas supplier 150 to the reactor 140 can be adjusted. For example, heat can be exchanged between the fluid and the process gas by supplying a fluid having heat energy around the path through which the process gas moves through the first temperature regulation unit 171. Thus, the temperature of the process gas can be controlled by adjusting the temperature of the fluid.

예를 들어, 공정가스 공급기(150)에서 공급하는 공정가스의 온도는 약 20℃일 수 있다. 즉, 반응기(140)가 열 데미지를 받지 않도록 공정가스 공급기(173)는 낮은 온도의 공정가스를 반응기(140)로 공급할 수 있다. 그러나 공정가스의 온도가 너무 낮으면 반응기(140) 내에서 활성화가 원활하게 이루어지지 못할 수 있다. 따라서, 공정가스의 온도를 30~70℃로 조절할 수 있다. 공급되는 유체의 온도를 30~70℃로 조절하면, 유체와 공정가스 사이에 열교환이 이루어지면서 공정가스의 온도가 유체의 온도와 동일하거나 유사해질 수 있다. 이에, 공정가스의 온도가 상승하여 해리 속도가 향상될 수 있다.For example, the temperature of the process gas supplied by the process gas supplier 150 may be about 20 ° C. That is, the process gas supplier 173 can supply the low-temperature process gas to the reactor 140 so that the reactor 140 is not subjected to thermal damage. However, if the temperature of the process gas is too low, activation in the reactor 140 may not be performed smoothly. Therefore, the temperature of the process gas can be adjusted to 30 to 70 ° C. When the temperature of the supplied fluid is adjusted to 30 to 70 ° C, the temperature of the process gas may become equal to or similar to the temperature of the fluid due to heat exchange between the fluid and the process gas. Thus, the temperature of the process gas rises and the dissociation rate can be improved.

즉, 공정가스의 온도가 30℃ 이상일 때 해리 속도가 향상되고, 공정가스의 온도가 70℃를 초과하면 반응기(140) 내부의 소자들이 손상될 수 있다. 따라서, 공정가스의 온도를 30~70℃로 조절할 수 있다. 이에, 공정가스의 해리 속도는 향상시키면서 반응기(140) 내부의 소자들이 손상되는 것은 방지할 수 있다.That is, the dissociation rate is improved when the temperature of the process gas is 30 ° C or higher, and the devices inside the reactor 140 may be damaged if the temperature of the process gas exceeds 70 ° C. Therefore, the temperature of the process gas can be adjusted to 30 to 70 ° C. Thus, it is possible to prevent the elements inside the reactor 140 from being damaged while improving the dissociation rate of the process gas.

그 다음, 반응기(140)에서 활성화된 공정가스의 온도를 2차로 조절할 수 있다. 예를 들어, 제2 온도 조절유닛(172)을 통해 반응기(140)와 챔버(110) 사이에 위치한 연결관(160) 주변으로 열에너지를 가지는 유체를 공급하여 연결관(160) 내부를 이동하는 공정가스 온도를 조절할 수 있다. The temperature of the process gas activated in the reactor 140 can then be adjusted to a second order. For example, a process of supplying a fluid having thermal energy to the periphery of the connection pipe 160 located between the reactor 140 and the chamber 110 through the second temperature control unit 172 and moving the inside of the connection pipe 160 The gas temperature can be adjusted.

제2 온도 조절유닛(172)도 제1 온도 조절유닛(171)과 동일하게 공정가스의 온도를 30~70℃의 온도로 조절할 수 있다. 따라서, 제1 온도 조절유닛(171)에서 조절된 공정가스의 온도가 제2 온도 조절유닛(172)에 의해 유지될 수 있다. 이에, 공정가스가 활성화된 상태를 유지하면서 챔버(110)로 공급될 수 있다.The second temperature regulating unit 172 can regulate the temperature of the process gas to 30 to 70 ° C in the same manner as the first temperature regulating unit 171. Thus, the temperature of the process gas regulated in the first temperature regulating unit 171 can be maintained by the second temperature regulating unit 172. Thus, the process gas can be supplied to the chamber 110 while maintaining the activated state.

이때, 온도 측정유닛이 반응기(140) 또는 연결관(160) 내부를 이동하는 공정가스의 온도를 측정하고, 제어유닛(176)이 측정된 공정유닛의 온도를 모니터링하면서 제1 온도 조절유닛(171) 및 제2 온도 조절유닛(172)으로 공급되는 유체의 온도를 30~70℃의 온도로 조절할 수 있다.At this time, the temperature measurement unit measures the temperature of the process gas moving inside the reactor 140 or the connection pipe 160, and the control unit 176 monitors the temperature of the measured process unit, And the temperature of the fluid supplied to the second temperature control unit 172 can be adjusted to a temperature of 30 to 70 ° C.

한편, 반응기(140)로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정과 반응기(140)에서 배출되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정은, 서로 다른 온도로 공정가스의 온도를 조절할 수도 있다. 즉, 제1 온도 조절유닛(171)과 제2 온도 조절유닛(172)은 서로 다른 온도로 공정가스의 온도를 조절할 수 있다.Meanwhile, the temperature of the process gas supplied to the reactor 140 and the temperature of the process gas discharged from the reactor 140 may be adjusted to different temperatures. That is, the first temperature adjusting unit 171 and the second temperature adjusting unit 172 can adjust the temperature of the process gas to different temperatures.

예를 들어, 제1 온도 조절유닛(171)으로 공급되는 유체의 온도가 제2 온도 조절유닛(172)으로 공급되는 유체의 온도보다 높을 수 있다. 즉, 제1 온도 조절유닛(171)에서 온도가 조절된 공정가스의 온도를 제2 온도 조절유닛(172)이 유지시켜주는 역할을 할 수 있다. 이에, 반응기(140)에서 배출되어 챔버(110)로 이동하는 동안 공정가스의 온도가 감소하는 것을 제2 온도 조절유닛(172)이 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 공정가스가 챔버(110)에 공급될 때까지 일정한 온도를 유지하여 공정가스의 식각속도가 향상될 수 있다.For example, the temperature of the fluid supplied to the first temperature regulating unit 171 may be higher than the temperature of the fluid supplied to the second temperature regulating unit 172. That is, the second temperature control unit 172 can maintain the temperature of the process gas whose temperature is controlled in the first temperature control unit 171. Thus, the second temperature control unit 172 can suppress or prevent the temperature of the process gas from decreasing while moving from the reactor 140 to the chamber 110. Thus, the etch rate of the process gas can be improved by maintaining a constant temperature until the process gas is supplied to the chamber 110.

또는, 제2 온도 조절유닛(172)으로 공급되는 유체의 온도가 제1 온도 조절유닛(171)으로 공급되는 유체의 온도보다 높을 수 있다. 즉, 제1 온도 조절유닛(171)을 통과한 공정가스는 반응기(140)로 유입되기 때문에, 반응기(140) 내부의 소자들을 고려하여 상승시킬 수 있는 온도에 한계가 있다. 하지만, 제2 온도 조절유닛(172)을 통과하는 공정가스는 챔버(110)로 공급된다. 따라서, 제1 온도 조절유닛(171)보다 더 높은 온도로 공정가스의 온도를 상승시켜 챔버(110)로 공급할 수 있다. 그러나 공정가스의 온도를 조절하는 방법은 이에 한정되지 않고, 열선 등 다양한 열교환기를 사용할 수 있다.Alternatively, the temperature of the fluid supplied to the second temperature regulating unit 172 may be higher than the temperature of the fluid supplied to the first temperature regulating unit 171. That is, since the process gas that has passed through the first temperature control unit 171 flows into the reactor 140, there is a limit to the temperature that can be raised in consideration of the elements inside the reactor 140. However, the process gas passing through the second temperature regulation unit 172 is supplied to the chamber 110. Therefore, the temperature of the process gas can be raised to a temperature higher than that of the first temperature control unit 171 and supplied to the chamber 110. However, the method of controlling the temperature of the process gas is not limited thereto, and various heat exchangers such as heat can be used.

한편, 공정가스의 온도에 따른 식각 속도의 관계를 확인하기 위해 비교예에 따른 공정가스와 실시예에 따른 공정가스의 식각률(Etch Rate)을 비교하였다. 비교예는 20℃의 공정가스의 온도를 조절하지 않고 식각률을 3차례 측정한 것이다. 실시예 1은 40℃로 공정가스의 온도를 조절하고 식각률을 3차례 측정한 것이고, 실시예 2는 60℃로 공정가스의 온도를 조절하고 식각률을 3차례 측정한 것이다.On the other hand, the etch rate of the process gas according to the comparative example and the process gas according to the embodiment was compared to confirm the relationship of the etch rate with the temperature of the process gas. In the comparative example, the etch rate was measured three times without adjusting the temperature of the process gas at 20 캜. In Example 1, the temperature of the process gas was adjusted to 40 ° C. and the etching rate was measured three times. In Example 2, the temperature of the process gas was adjusted to 60 ° C. and the etching rate was measured three times.

비교예(20℃)Comparative Example (20 DEG C) 실시예 1(40℃)Example 1 (40 < 0 > C) 실시예 2(60℃)Example 2 (60 < 0 > C) 1차Primary 46072.3Å/min46072.3 A / min 56485.4Å/min56485.4 A / min 61392.5Å/min61392.5 A / min 2차Secondary 46892.8Å/min46892.8 A / min 56312.2Å/min56312.2 A / min 61123.1Å/min61123.1 A / min 3차Third 46999.2Å/min46999.2 A / min 56770.9Å/min56770.9 A / min 62876.7Å/min62876.7 A / min 평균Average 46654.8Å/min46654.8 A / min 56522.8Å/min56522.8 A / min 61797.4Å/min61797.4 A / min

표 1 및 도 6을 참조하면, 실시예 1의 평균 식각속도가 비교예보다 약 20% 상승했다. 실시예 2의 평균 식각속도는 비교예보다 약 30% 상승했다. 즉, 공정가스의 온도와 식각 속도는 비례 관계인 것을 확인할 수 있다. 따라서, 공정가스의 온도를 상승시키면 식각 효율이 향상되어, 플라즈마 공정을 신속하게 수행할 수 있다.Referring to Table 1 and FIG. 6, the average etching rate of Example 1 was increased by about 20% over the comparative example. The average etching rate in Example 2 was about 30% higher than that in the comparative example. That is, the temperature of the process gas and the etching rate are proportional to each other. Therefore, if the temperature of the process gas is raised, the etching efficiency is improved, and the plasma process can be performed quickly.

이처럼 공정가스가 이동하는 경로에 온도 조절기(170)를 설치하여 복수의 위치에서 챔버(110) 내부로 공급되는 공정가스의 온도를 조절할 수 있다. 이에, 반응기(140)로 유입되는 공정가스의 온도를 조절하여 공정가스의 해리 속도를 향상시켜 수 있고, 반응기(140)에서 챔버(110)로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하여 공정가스의 활성화 상태를 유지시켜줄 수 있다. 따라서, 챔버(110) 내부로 공급된 공정가스의 식각 속도가 향상되어 플라즈마 처리공정의 효율이 향상될 수 있다.In this way, the temperature controller 170 may be installed on the path through which the process gas moves to control the temperature of the process gas supplied into the chamber 110 at a plurality of locations. Accordingly, the dissociation rate of the process gas can be improved by controlling the temperature of the process gas introduced into the reactor 140, and the temperature of the process gas supplied to the chamber 110 from the reactor 140 can be controlled to activate The state can be maintained. Accordingly, the etching rate of the process gas supplied into the chamber 110 can be improved, and the efficiency of the plasma processing process can be improved.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention has been described in detail with reference to the specific embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be defined by the appended claims, as well as the appended claims.

100: 기판 처리 장치 110: 챔버
140: 반응기 150: 공정가스 공급기
160: 연결관 170: 온도 조절기
171: 제1 온도 조절유닛 172: 제2 온도 조절유닛
173: 유체 공급유닛 176: 제어유닛100: substrate processing apparatus 110: chamber
140: Reactor 150: Process gas feeder
160: connector 170: thermostat
171: first temperature control unit 172: second temperature control unit
173: fluid supply unit 176: control unit

Claims (14)

내부에 기판이 처리되는 공간을 형성하는 챔버;
내부에 공정가스가 이동하는 경로를 형성하고, 상기 챔버의 외측에 위치하여 유입되는 공정가스를 활성화하는 반응기;
공정가스가 이동하는 경로를 형성하며, 일단이 상기 반응기에 연결되고 타단이 상기 챔버에 연결되는 연결관; 및
공정가스가 이동하는 경로에 설치되고, 복수의 위치에서 공정가스의 온도를 조절하는 온도 조절기를; 포함하며,
상기 온도 조절기는,
상기 반응기로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하도록, 상기 반응기에 설치되는 제1 온도 조절유닛, 및
상기 반응기에서 배출되어 상기 챔버로 공급되는 공정가스의 온도를 유지하거나 상승시키도록, 상기 연결관에 설치되고, 유체 유입단이 유체 배출단보다 상기 챔버에 근접하게 배치되는 제2 온도 조절유닛을 포함하는 기판 처리 장치.A chamber defining a space in which a substrate is processed;
A reactor for forming a path through which a process gas moves in the inside of the chamber and activating a process gas introduced into the chamber;
A connecting pipe forming a path through which the process gas moves, one end connected to the reactor and the other end connected to the chamber; And
A temperature regulator provided in a path through which the process gas moves and regulating a temperature of the process gas at a plurality of positions; ≪ / RTI &
The temperature controller includes:
A first temperature control unit installed in the reactor for controlling the temperature of the process gas supplied to the reactor,
And a second temperature control unit installed in the connection pipe to maintain or raise the temperature of the process gas discharged from the reactor and supplied to the chamber, the fluid inlet end being disposed closer to the chamber than the fluid outlet end . 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 제1 온도 조절유닛은,
상기 반응기로 유입되는 공정가스의 온도를 조절하도록 상기 반응기의 일측에 설치되는 제1 몸체; 및
유체가 이동하는 경로를 형성하고, 상기 제1 몸체의 내부에 설치되는 제1 유로를; 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first temperature adjustment unit comprises:
A first body installed at one side of the reactor to regulate a temperature of a process gas flowing into the reactor; And
A first flow path formed inside the first body to form a path through which the fluid moves; And the substrate processing apparatus. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 온도 조절유닛은,
상기 연결관의 둘레를 감싸도록 설치되는 제2 몸체; 및
유체가 이동하는 경로를 형성하고, 상기 제2 몸체의 내부에 설치되는 제2 유로를; 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second temperature adjustment unit comprises:
A second body installed to surround the periphery of the connection pipe; And
A second flow path formed in the second body to form a path through which the fluid moves; And the substrate processing apparatus. 청구항 4에 있어서,
상기 제2 몸체는 상기 연결관의 적어도 일부 영역을 감싸고,
상기 제2 몸체는 상기 챔버보다 상기 반응기에 근접하게 배치되는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The second body surrounds at least a portion of the connection tube,
Wherein the second body is disposed closer to the reactor than the chamber. 청구항 4에 있어서,
상기 제2 온도 조절유닛은,
상기 연결관을 감싸는 단열재를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
Wherein the second temperature adjustment unit comprises:
And a heat insulating member surrounding the connector. 청구항 4에 있어서,
상기 제2 유로의 유체 유입단은 상기 제2 유로의 유체 배출단보다 상기 챔버에 근접하게 배치하는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
And the fluid inlet end of the second flow path is disposed closer to the chamber than the fluid discharge end of the second flow path. 청구항 4에 있어서,
상기 제2 유로는, 상기 제2 몸체의 내부에서 상기 연결관을 감싸도록 나선형으로 형성되거나, 상기 제2 몸체 내부에 유체가 채워지는 공간을 형성하는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
Wherein the second flow path is spirally formed to enclose the connection tube inside the second body or forms a space filled with fluid in the second body. 청구항 1에 있어서,
상기 온도 조절기는, 유체가 이동하는 경로를 형성하며 일단이 상기 제1 온도 조절유닛에 연결되고 타단이 상기 제2 온도 조절유닛에 연결되는 순환라인을 더 포함하고,
상기 제1 온도 조절유닛 및 상기 제2 온도 조절유닛 중 적어도 어느 하나와 연결되어 열에너지를 가지는 유체를 공급하는 유체 공급유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the temperature regulator further comprises a circulation line forming a path through which the fluid moves, one end of which is connected to the first temperature regulating unit and the other end of which is connected to the second temperature regulating unit,
And a fluid supply unit connected to at least one of the first temperature control unit and the second temperature control unit to supply a fluid having thermal energy. 청구항 1에 있어서,
온도 조절기에 열에너지를 가지는 유체를 공급하는 유체 공급유닛을 더 포함하고,
상기 유체 공급유닛은, 상기 제1 온도 조절유닛과 연결되는 제1 공급라인, 및 상기 제2 온도 조절유닛과 연결되는 제2 공급라인을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a fluid supply unit for supplying a fluid having heat energy to the temperature regulator,
Wherein the fluid supply unit includes a first supply line connected to the first temperature regulation unit and a second supply line connected to the second temperature regulation unit. 플라즈마 처리공정을 수행하는 방법으로서,
챔버 외측의 반응기로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정;
상기 반응기 내부에서 플라즈마로 공정가스를 활성화하는 과정;
상기 반응기에서 배출되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정; 및
상기 공정가스를 챔버 내부로 공급하는 과정을; 포함하고,
상기 반응기에서 배출되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정은,
상기 반응기와 상기 챔버를 연결하는 연결관에 설치되는 온도 조절유닛에 대해, 상기 챔버에 근접한 부분으로 유체를 공급하고 상기 반응기에 근접한 부분으로 상기 유체를 배출시켜, 상기 연결관 내부를 이동하는 공정가스의 온도를 유지시키거나 상승시키는 과정을 포함하는 플라즈마 처리 방법.1. A method of performing a plasma treatment process,
Controlling the temperature of the process gas supplied to the reactor outside the chamber;
Activating the process gas with plasma in the reactor;
Controlling the temperature of the process gas discharged from the reactor; And
Supplying the process gas into the chamber; Including,
The process of controlling the temperature of the process gas discharged from the reactor includes:
And a temperature control unit installed in a connection pipe connecting the reactor and the chamber to supply a fluid to a portion close to the chamber and discharge the fluid to a portion close to the reactor, The temperature of the plasma is maintained or raised. 청구항 11에 있어서,
상기 반응기로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정은,
상기 공정가스의 온도를 30~70℃로 조절하는 과정을 포함하는 플라즈마 처리 방법.The method of claim 11,
The process of controlling the temperature of the process gas supplied to the reactor includes:
And adjusting the temperature of the process gas to 30 to 70 ° C. 청구항 11에 있어서,
상기 반응기로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정과 상기 반응기에서 배출되는 공정가스의 온도를 조절하는 과정은, 서로 다른 온도로 공정가스의 온도를 조절하는 플라즈마 처리 방법.The method of claim 11,
Wherein the temperature of the process gas supplied to the reactor is controlled and the temperature of the process gas discharged from the reactor is controlled by controlling the temperature of the process gas at different temperatures. 청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리공정은, 상기 챔버 내부를 세정하는 공정, 박막 증착 공정, 에싱 공정, 및 에칭 공정 중 적어도 어느 하나를 포함하는 플라즈마 처리 방법.The method according to any one of claims 11 to 13,
Wherein the plasma processing step includes at least one of a step of cleaning the inside of the chamber, a thin film deposition step, an ashing step, and an etching step.
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