KR101896113B1 - Interferometer optic structure and bias-free optical current sensor using of the same and manufacturing method of optical integrated circuit device for the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광간섭계 구조 및 이를 이용하는 광전류센서에 관한 것이다.
본 발명에 따른 광전류센서는 편광유지 광섬유와 연결되어 빛이 전달되며, 전달된 빛을 원편광으로 변환하는 사분파장판과, 원편광으로 변환된 빛의 위상을 지연시키기 위한 광섬유코일 및 상기 광섬유코일의 단부에 구비되어 빛을 반사시키기 위한 미러를 포함하는 센싱헤드부 및 상기 편광유지 광섬유와 연결되어 광원으로부터 입사된 빛이 상기 센싱헤드부로 전달되도록 하며, 상기 센싱헤드부로부터 반사되어 돌아오는 빛을 광검출기로 전송하기 위한 경로를 형성하는 광집적회로 소자를 포함하며, 상기 광집적회로 소자에는 상기 센싱헤드부로부터 반사되어 돌아오는 빛의 복귀경로를 형성하며, 복귀 방향을 기준으로 순차적인 분기가 이루어지는 제1 내지 3Y분기로와, 적어도 상기 제3Y분기로에 의해 분기된 빛의 진행 경로 중 일측 경로에 구비되며 기판과 22.5°기울어진 반파장판(HWP)과,상기 제3Y분기로의 타측 경로에 구비되며 기판과 45°기울어진 사분파장판(QWP) 및 상기 제3Y분기로의 양측에 구비되는 도파관형 편광자;가 포함되어 상기 도파관형 편광자를 통해 출력되는 두 개의 광신호 입출력 특성 곡선은 서로 90°위상차이를 가짐으로써 간섭계의 초기 위상 상태와 무관하게 전류/전압 신호의 측정이 가능한 이점을 가진다.The present invention relates to an optical interferometer structure and a photocurrent sensor using the same.
A photocurrent sensor according to the present invention includes a sine wave plate connected to a polarization maintaining optical fiber for transmitting light and converting the transmitted light into circularly polarized light, an optical fiber coil for delaying the phase of light converted into circularly polarized light, A sensing head unit disposed at an end of the sensing head unit, the sensing head unit including a mirror for reflecting light, and a light source connected to the polarization maintaining optical fiber to transmit light incident from the light source to the sensing head unit, And the optical integrated circuit device forms a return path of light that is reflected from the sensing head and returns to the optical integrated circuit device, and the sequential branching is performed based on the return direction, And a light path of light branched by at least the third Y branching path A quarter wave plate (HWP) inclined by 22.5 DEG with respect to the substrate; a quadrature wave plate (QWP) provided at the other path of the third Y branch and inclined by 45 DEG with respect to the substrate; and a waveguide The two optical signal input / output characteristic curves output through the waveguide polarizer include a polarizer, and have a phase difference of 90 ° with respect to each other, so that the current / voltage signal can be measured regardless of the initial phase state of the interferometer.
Description
본 발명은 전류 전압에 의한 자기장, 전기장 등의 물리량 변화로 인해 발생하는 광파의 위상 변화를 효과적으로 검출하기 위한 광간섭계 구조 및 이를 이용하는 광전류센서에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
광전류센서는 기존에 널리 사용되고 있는 전기식 전류 측정 장치에 비해 다양한 장점들을 가짐에 따라 현재 전력 산업에서 매우 큰 관심을 받고 있으며, 이에 따른 꾸준한 연구 개발이 이루어지고 있다.The photocurrent sensor has various advantages compared with the electric current measuring device which is widely used in the past, and has received great attention in the electric power industry at present.
비 특허문헌[1, 2]에서는 광섬유를 통해 전류 및 전압을 측정하는 광센서 사용과 관련된 기술이 게시되어 있으며, 대규모 발전 및 배전 시스템에서 안정적인 전력 모니터링을 수행하기 위하여 효과적인 것으로 나타났다. In the non-patent documents [1, 2], technologies related to the use of optical sensors for measuring current and voltage through optical fibers have been published and have proved to be effective for performing stable power monitoring in large-scale power generation and distribution systems.
그리고, 금속도체 없이 절연체만으로 구성된 광전류센서는 서지 전류(surge current)에 의한 발열이나 폭발의 위험 없이 안전하게 센서를 운용할 수 있다. (비 특허문헌[3] 참조) A photocurrent sensor composed of an insulator without a metal conductor can safely operate the sensor without the danger of heat or explosion due to surge current. (See Non-Patent Document 3)
한편, 전류에 의해 발생 된 자계는 광섬유에 즉각적인 굴절률 변화를 유도하고, 광 간섭계형 전류센서는 급속히 변화하는 고장전류를 실시간으로 측정할 수 있으며, (비 특허문헌[4]), 전류에 의해 유도된 변화는 광섬유 내의 작은 원형 복굴절이므로 광전류센서는 포화상태 없이 선형적이며 넓은 dynamic range를 지니는 것으로 확인되었다.(비 특허문헌[5] 참조) On the other hand, the magnetic field generated by the current induces an instantaneous refractive index change in the optical fiber, and the optical interferometer type current sensor can measure the rapidly changing fault current in real time (Non-Patent Document 4) (See non-patent literature [5]), because the photocurrent sensor is a small circular birefringence in the optical fiber, the photocurrent sensor has a linear and broad dynamic range without saturation.
또한, 광신호는 electromagnetic interference (EMI)에 의한 영향을 받지 않기 때문에 고전력을 발생시키는 시설에서 잡음이 억제된 센싱신호를 얻을 수 있다. 그리고, 광전류 센서는 기존의 전기 current transducer (CT) 보다 작고 가벼워 설치에 용이하고 유지보수 비용이 적게 들며, 전기 CT와 달리 절연 물질로 제작되므로 가스 및 절연유가 필요하지 않는 이점이 있다.(비 특허문헌 [6]참조)In addition, since the optical signal is not affected by electromagnetic interference (EMI), it is possible to obtain a noise-suppressed sensing signal at a facility generating high power. The photocurrent sensor is smaller and lighter than the conventional electric current transducer (CT), which makes it easy to install, less maintenance cost, and is made of insulating material, unlike electric CT, so there is no need of gas and insulating oil. See [6]).
한편, 비 특허문헌[7]에서는 광전류센서의 동작 안정성을 향상시키기 위하여 polarization rotated reflection interferometry (PRRI) 구조가 제안되었고, 비 특허문헌 [8] 및 [9]에서는 전류세기에 비례하여 광섬유 코일에 발생하는 미소한 원형복굴절을 측정하기 위해서 두 개의 직교한(orthogonal) 편광성분을 이용하고 있다. In the non-patent document [7], a polarization rotated reflection interferometry (PRRI) structure has been proposed to improve the operational stability of a photocurrent sensor. Non-patent documents [8] and [9] And two orthogonal polarization components are used to measure minute circular birefringence.
이와 같은 편광회전 반사간섭계 구조는 온도나 진동과 같은 주변환경의 영향으로 인해 발생 되는 위상변화를 상쇄시키므로 동작 안정성을 제공하게 된다.The polarization rotation interferometer structure compensates for the phase change caused by the influence of the surrounding environment such as temperature or vibration, thereby providing stability of operation.
하지만, PRRI형 optical current transducers(OCTs)는 구조를 복잡하게 하고 생산수율을 낮추는 다양한 종류의 광부품을 필요로 하게 되며, 이로 인하여 단일 기판상에 다양한 광부품들을 집적화하기 위해서는 광집적회로 기술의 적용이 필수적이다.(비 특허문헌 [10] 내지 [12]참조)However, PRRI-type optical current transducers (OCTs) require various types of optical components that complicate the structure and lower the production yield. Therefore, in order to integrate various optical components on a single substrate, (See non-patent documents [10] to [12]).
한편, 두 파동의 위상차이를 측정하기 위한 광간섭계는 기본적으로 동작점이 λ/4 인 지점에 조정될 때만 민감도가 최대인 선형 응답을 얻을 수 있다. 그러나 주변 진동이나 온도변화의 영향으로 광섬유의 복굴절이 바뀌게 되는 경우 동작점이 시간에 따라 변하게 된다. On the other hand, the optical interferometer for measuring the phase difference of two waves can basically obtain a linear response with the maximum sensitivity only when the operating point is adjusted to the point of λ / 4. However, when the birefringence of the optical fiber changes due to the influence of ambient vibration or temperature change, the operating point changes with time.
따라서, 비 특허문헌 [13]에서는 이러한 동작점의 변화를 실시간으로 보상해주기 위해 PZT, LiNbO3로 만들어진 위상변조기가 이용되고 있다. Therefore, in the non-patent document [13], a phase modulator made of PZT or LiNbO3 is used to compensate for the change of the operating point in real time.
그리고, 또 다른 방법으로 비 특허문헌 [12], [14], [15]에서는 polarizer, wave plate와 같은 수동형 광소자를 이용하여 동작점을 변화시키기고 있으며, 미국등록특허 US6,636,321“Fiber-optic current sensor” 및 미국 공개특허 US20100253320“Optical fiber electric current sensor and electric current measurement method”에서도 온도 및 진동 등 외부환경 변화에 따라 도선을 감고 있는 광섬유 코일 부의 특성 변화로 인해 빛의 편광 상태가 쉽게 변화되는 단점을 해결하기 위하여 편광유지 광섬유를 사용한 편광회전 반사형 광전류센서가 게시되어 있다.Another method is to change the operating point using a passive optical device such as a polarizer or a wave plate in Non-Patent Documents [12], [14] and [15], and US 6,636,321 "Fiber-optic the polarization state of light can be easily changed due to the change in characteristics of the optical fiber coil portion which winds the wire according to changes in the external environment such as temperature and vibration, in the "optical sensor" and "optical fiber electric current sensor and electric current measurement method" A polarization rotation reflection type photocurrent sensor using a polarization maintaining optical fiber is disclosed.
하지만, 이와 같은 경우에는 각 구성요소들 간의 얼라인먼트(alignment)가 정밀하게 맞아야 하고, 광도파로의 경우 낮은 복굴절의 광도파로가 요구되는 문제점을 가진다.However, in such a case, the alignment between the respective components must be precisely matched, and the optical waveguide requires a low birefringence optical waveguide.
한편, 90° 위상차이를 가지는 두 개의 동작특성곡선을 이용하는 구적 간섭계(quarature interferometer)는 동작점의 변화에 관계없이 안정적인 전류 측정이 이루어질 수 있다.(비 특허문헌 16, 17 참조)On the other hand, a quadrature interferometer using two operating characteristic curves having a phase difference of 90 [deg.] Can achieve stable current measurement irrespective of changes in operating point (see Non-Patent Documents 16 and 17).
그리고, 비 특허문헌[18]에서는 구적 간섭계(Quadrature interferometer)를 기반으로한 OCT는 MMI를 집적화하여 동작점 제어 없이 전류 센싱의 가능성을 확인함으로써 입증되었다.In the non-patent document [18], OCT based on a quadrature interferometer is proved by integrating MMI to confirm the possibility of current sensing without operating point control.
그러나, MMI 구조의 간섭특성이 광도파로의 크기(dimension) 편차 및 굴절률 편차에 민감하여 정확한 특성을 지닌 소자를 제작하기에는 어려움이 있다.However, the interference characteristics of the MMI structure are sensitive to the dimensional deviation and the refractive index deviation of the optical waveguide, making it difficult to fabricate a device having accurate characteristics.
본 발명의 목적은 두 종류의 파장판과 도파관형 편광자 및 복굴절 변조부를 이용하여 90°위상 변이 신호를 생성하는 구적 간섭계(Quadrature interferometer)를 형성함으로써 광센서를 동작시키는 과정에서 동작점의 피드백 제어를 필요로 하지 않는 광간섭계 구조를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a quadrature interferometer for generating a 90 DEG phase shift signal using two kinds of wave plates, a waveguide polarizer and a birefringent modulator, Thereby providing an optical interferometer structure that is not required.
본 발명의 다른 목적은 구적 간섭계(Quadrature interferometer)를 형성하기 위한 광부품들을 하나의 기판상에 집적화시킴으로써 간섭계의 안정성을 향상시키고 제품의 생산성을 높일 수 있는 광센서를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an optical sensor capable of improving stability of an interferometer and increasing productivity of a product by integrating optical components for forming a quadrature interferometer on one substrate.
본 발명에 따른 광간섭계의 구조는 입력광을 센싱헤드부를 구성하는 광섬유 코일로 보내고, 상기 광섬유 코일에 구비되는 미러에서 반사되는 반사광을 광검출기로 전송하기 위한 경로를 형성하는 광집적회로 소자 및 상기 광집적회로 소자와 편광유지 광섬유를 통해 연결되어 빛이 전달되며, 전달되는 빛이 사분파장판을 거쳐서 두 개의 원편광 상태로 변환된 이후 상기 미러에 의해 반사되어 다시 돌아나오는 센싱헤드부를 포함하며, 상기 광집적회로 소자에서는 상기 센싱헤드부로부터 돌아오는 빛을 광검출기로 보내기 위한 제1Y분기로가 형성되고, 상기 제1Y분기로에 의해 상기 광검출기로 전달되는 빛은 제2Y분기로에 의해 분기되며, 분기된 빛의 절반은 광원의 파워변화를 모니터링하는 MPD로 진행되고, 나머지 빛은 제3Y분기로를 통과하게 되며, 상기 제3Y분기로에 의해 분기된 경로 중 일측 경로에서는 기판과 22.5°기울어진 반파장판(HWP)과 도파관형 편광자를 지나고, 타측 경로에서는 기판과 45°기울어진 사분파장판(QWP)과 도파관형 편광자를 지나 광검출기에서 전류로 바뀌게 된다. The optical interferometer structure according to the present invention includes an optical integrated circuit device that sends input light to an optical fiber coil constituting a sensing head unit and forms a path for transmitting reflected light reflected by a mirror provided in the optical fiber coil to a photodetector, And a sensing head connected to the optical integrated circuit device through a polarization maintaining optical fiber to transmit light and being reflected by the mirror after the transmitted light is converted into two circularly polarized states through a sine wave plate, A first Y branch path for transmitting light returning from the sensing head unit to the photodetector is formed in the optical integrated circuit element, and light transmitted to the photodetector by the first Y branch path is branched by the second Y branch path Half of the branched light goes to the MPD monitoring the power change of the light source, the remaining light passes through the third Y branch path, In one path among the paths branched by the third Y branching path, it passes through the half wave plate (HWP) and the waveguide type polarizer which are inclined at 22.5 ° with the substrate. In the other path, the quarter wave plate (QWP) The current changes from the photodetector to the current through the polarizer.
상기 입력광의 입사 경로 상에는 위상변조기가 더 구비되는 것을 특징으로 한다.And a phase modulator is further provided on an incident path of the input light.
다른 측면에서 본 발명에 따른 광전류센서는 편광유지 광섬유와 연결되어 빛이 전달되며, 전달된 빛을 원편광으로 변환하는 사분파장판과, 원편광으로 변환된 빛의 위상을 지연시키기 위한 광섬유코일 및 상기 광섬유코일의 단부에 구비되어 빛을 반사시키기 위한 미러를 포함하는 센싱헤드부 및 상기 편광유지 광섬유와 연결되어 광원으로부터 입사된 빛이 상기 센싱헤드부로 전달되도록 하며, 상기 센싱헤드부로부터 반사되어 돌아오는 빛을 광검출기로 전송하기 위한 경로를 형성하는 광집적회로 소자를 포함하며, 상기 광집적회로 소자에는 상기 센싱헤드부로부터 반사되어 돌아오는 빛의 복귀경로를 형성하며, 복귀 방향을 기준으로 순차적인 분기가 이루어지는 제1 내지 3Y분기로와, 적어도 상기 제3Y분기로에 의해 분기된 빛의 진행 경로 중 일측 경로에 구비되며 기판과 22.5°기울어진 반파장판(HWP)과, 상기 제3Y분기로의 타측 경로에 구비되며 기판과 45°기울어진 사분파장판(QWP) 및 상기 제3Y분기로의 양측에 구비되는 도파관형 편광자;가 포함되어 상기 도파관형 편광자를 통해 출력되는 두 개의 광신호 입출력 특성 곡선은 서로 90°위상차이를 가짐으로써 간섭계의 초기 위상 상태와 무관하게 전류/전압 신호의 측정이 가능한 것을 특징으로 한다.In another aspect of the present invention, there is provided a photocurrent sensor comprising: a sine wave plate connected to a polarization maintaining optical fiber to transmit light and converting the transmitted light into circularly polarized light; an optical fiber coil for delaying the phase of light converted into circularly polarized light; A sensing head disposed at an end of the optical fiber coil and including a mirror for reflecting light, and a light source connected to the polarization maintaining optical fiber for transmitting light incident from the light source to the sensing head, The optical integrated circuit device includes a return path for returning light reflected from the sensing head unit, and a return path for returning light reflected from the sensing head unit is sequentially The first to the third Y branching paths and the at least the third Y branching path, A quarter wave plate (HWP) provided on the path and inclined at 22.5 DEG with respect to the substrate, a quarter wave plate (QWP) provided at the other path of the third Y branch and inclined at 45 DEG to the substrate, And the two optical signal input / output characteristic curves output through the waveguide type polarizer have a phase difference of 90 [deg.] From each other, so that the current / voltage signal can be measured regardless of the initial phase state of the interferometer .
또 다른 측면에서 본 발명에 따른 광간섭소자의 제조방법은 실리콘 기판 위에 하부클래딩층을 형성하고, 상기 하부클래딩층에 광도파로 패턴을 형성하여 코어층을 형성하는 단계와, 상기 코어층의 상측에 폴리머를 코팅하여 1차상부클래딩층을 형성하고, 1차상부클래딩층에 크롬(Cr)과 금(Au)을 증착한 이후 식각하여 도파관형 편광자를 형성하는 단계와, 상기 도파관형 편광자를 형성한 이후 1차상부클래딩층에 폴리머를 스핀코팅하여 제2상부클래딩층을 형성하는 단계와, 상기 제2상부클래딩층의 형성 이후 Cr-Au 금속박막으로 위상변조기를 제작하는 위상변조기 형성단계와 상기 광도파로에 파장판을 설치하는 설치단계 및 상기 파장판이 설치된 이후 광섬유 어레이를 광도파로에 정렬연결하고, 상기 위상변조기에 전선을 연결하는 패키징 단계를 포함하며, 상기 파장판 설치단계에서는 dicing saw를 이용하여 그루브 라인을 형성하고, 상기 그루브 라인에 기판과 광축이 22.5°기울어진 반파장판과 45°기울어진 사분파장판을 설치하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating an optical interference device, comprising: forming a lower cladding layer on a silicon substrate; forming a core layer by forming an optical waveguide pattern on the lower cladding layer; Forming a first upper cladding layer by coating a polymer on the first upper cladding layer, depositing chromium (Cr) and gold (Au) on the first upper cladding layer and then etching the first upper cladding layer to form a waveguide polarizer; Forming a second upper cladding layer by spin-coating a polymer on the first upper cladding layer; forming a phase modulator using a Cr-Au metal thin film after forming the second upper cladding layer; A mounting step of mounting a wave plate on the waveguide, and a packaging step of aligning and connecting the optical fiber array to the optical waveguide after the wave plate is installed, and connecting wires to the phase modulator In the wave plate mounting step, a groove line is formed by using a dicing saw, and a four-sided wave plate is installed on the groove line at an angle of 45 ° with the half wave plate inclined by 22.5 ° with respect to the optical axis of the substrate.
본 발명에 따른 구적 간섭계(quadrature interferometer)를 이용하면 일반적인 간섭계형 광센서를 동작시키는 과정에서 반드시 필요한 동작점 제어를 필요로 하지 않게 된다. The use of the quadrature interferometer according to the present invention does not require the operation point control necessarily required in the operation of a general interferometer type optical sensor.
따라서, 광센서 동작 제어 알고리즘과 제어 전자 회로가 간단해지며 더욱 안정적인 센서 동작을 가능하게 한다. Therefore, the optical sensor operation control algorithm and the control electronic circuit are simplified, and more stable sensor operation becomes possible.
뿐만 아니라 본 발명에서는 상기와 같은 구적 간섭계(quadrature interferometer)를 형성하기 위한 다양한 광부품들을 하나의 기판상에 집적시킴으로써 간섭계의 안정성을 향상시키고 제품의 생산성을 높일 수 있다.In addition, according to the present invention, various optical components for forming the quadrature interferometer can be integrated on one substrate, thereby improving the stability of the interferometer and enhancing productivity of the product.
또한, 본 발명에 따른 광센서에서는 출력된 두 개의 광신호 입출력 특성 곡선이 서로 90°위상 차이를 가짐으로써 간섭계의 초기 위상 상태와 무관하게 전류/전압 신호를 측정할 수 있는 이점을 가진다.In addition, the optical sensor according to the present invention has an advantage that the current / voltage signal can be measured regardless of the initial phase state of the interferometer by outputting the two optical signal input / output characteristic curves having a phase difference of 90 degrees with each other.
도 1 은 본 발명에 따른 폴리머 광도파로 기반의 광집적회로소자와 이를 포함하는 광전류센서의 구조를 보인 도면.
도 2 는 도 1 에 도시된 광집적회로소자의 제조과정을 보이기 위한 도면.
도 3 은 도 1에 도시된 광집적회로소자에 광섬유 pigtail 공정과 packaging 공정이 완료된 상태를 보인 도면.
도 4의 (a)는 열에 의한 복굴절 변화로 인해 45° 각도의 입력 선편광이 출력부에서 변환되어 나타나는 편광상태를 Poincare sphere 상에서 나타낸 결과를 보인 도면.
도 4의 (b)는 마이크로 히터에 인가된 전력에 따른 TE 및 TM편광 간의 상대적인 위상차이를 나타낸 그래프.
도 5의 (a)는 Phase modulator에 전압을 인가하였을 때 PD1, PD2 에서 나타나는 간섭신호를 보인 도면.
도 5의 (b)는 측정된 두 개의 간섭신호의 위상차이를 확인하기 위해 두 개의 간섭신호를 이용하여 그려진 리사주 도형.
도 6 은 Sensing fiber coil에 인가되는 자계의 세기를 10배로 증폭시키기 위해 이용된 전류 토로이드 셋업사진.
도 7 은 0.3 ~ 5.5 kA (토로이드 인가 전류 0.03 ~ 0.55 kA)까지 인가 전류를 변화시켰을 때 측정된 센서출력의 선형성 및 전기식 전류센서 값과 비교한 상대오차를 보인 도면.
도 8의 (a) 내지 (c)는 동작점 제어가 없는 상태에서 장시간 전류를 측정한 결과를 보인 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing the structure of a polymer optical waveguide-based optical integrated circuit device and a photocurrent sensor including the same according to the present invention; FIG.
FIG. 2 is a view showing a manufacturing process of the optical IC device shown in FIG. 1; FIG.
3 is a view showing a state in which an optical fiber pigtail process and a packaging process are completed in the optical integrated circuit device shown in FIG.
Fig. 4 (a) is a view showing a result of a polarization state appearing on a Poincare sphere in which input linearly polarized light with an angle of 45 degrees is converted at an output unit due to a change in birefringence due to heat. Fig.
4 (b) is a graph showing the relative phase difference between TE and TM polarized light according to the power applied to the micro-heater.
FIG. 5A is a diagram showing interference signals appearing at PD1 and PD2 when a voltage is applied to the phase modulator. FIG.
FIG. 5 (b) is a cross-sectional image drawn using two interference signals to confirm the phase difference of the two measured interference signals.
6 is a set-up of current toroids used to amplify the magnetic field applied to the
7 is a graph showing the linearity of the sensor output measured when the applied current is varied from 0.3 to 5.5 kA (toroidal applied current 0.03 to 0.55 kA) and a relative error compared with the electric current sensor value.
8A to 8C are diagrams showing the result of measuring a long-time current in a state in which there is no operating point control.
이하에서는 도면을 참조하여, 본 발명의 구체적인 실시 예를 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. It is to be understood, however, that the spirit of the invention is not limited to the embodiments shown and that those skilled in the art, upon reading and understanding the spirit of the invention, may easily suggest other embodiments within the scope of the same concept.
도 1 에는 본 발명에 따른 폴리머 광도파로 기반의 광집적회로소자와 이를 포함하는 광전류센서의 구조를 보인 도면이 도시되어 있다.FIG. 1 shows a structure of a polymer optical waveguide-based optical integrated circuit device and a photocurrent sensor including the same according to the present invention.
이들 도면을 참조하면, 본 발명에 따른 광전류센서(100)는 센싱헤드부(200)와 광집적회로소자(400, optical integrated circuit device, OIC device)를 포함하여 구성된다. Referring to these drawings, a
본 실시 예에 따른 광집적회로소자(400)는 광도파로의 Y-branch 구조를 기반으로 입력광을 센서헤드부(200)의 광섬유 코일(230)로 보내고, 반사광을 광검출기(photo detetor, PD)로 전송하는 경로 역할을 수행한다. The optical
그리고, 본 실시 예에서는 상기 광검출기를 통해 검출되는 간섭신호가 λ/4 만큼의 위상차이를 가지도록 구적 간섭계(quadrature interferometer)가 형성된다.In this embodiment, a quadrature interferometer is formed so that the interference signal detected through the photodetector has a phase difference of? / 4.
상세히, 상기 센서헤드부(200)는 광섬유 코일(230)과 미러(220) 및 편광유지 광섬유(300)로 제작되는 사분파장판(210, QWP)을 포함한다. More specifically, the
상기 사분파장판(210)은 광섬유 코일(230)의 전측에 위치되며, 광축을 45°회전하여 정렬된 광자 결정 편광유지 광섬유(photonic crystal fiber, PCF)로 제작된다.The s-
상기와 같이 제작되는 사분파장판(210)에서는 fast axis 성분 및 slow axis 성분의 선편광이 각각 좌원 편광(Left-Handed Circular Polarization, LHCP)과, 우원 편광(Righr-Handed circular Polarization, RHCP)으로 변환된다.In the
그리고, 상기 광섬유코일(230)을 통과하는 두 개의 원 편광(circular polarization)은 패러데이 효과(Faraday effect)에 의해 위상지연이 축적되며, 광섬유코일(230)의 단부에 구비되는 미러(220)에 의해 반사된다. Two circular polarizations passing through the
상기 미러(220)에 의해 반사된 두 개의 원 편광은 다시 광섬유 코일(230)과 사분파장판(210)을 통과하면서 선 편광으로 재변환된다.The two circularly polarized lights reflected by the
이때, 출력되는 fast axis 성분의 선 편광은 입력시 slow axis 성분의 선 편광이고, slow axis 성분의 선 편광은 입력시 fast axis 성분의 선 편광이 변환되어 상기 편광유지 광섬유(300)를 통과하게 된다.At this time, the linearly polarized light of the output fast axis component is the slow axis component of the slow axis component at the time of input, and the linearly polarized light of the slow axis component is converted at the input of the slow axis component and passes through the polarization maintaining
따라서, 상기 광섬유 코일(230)로 입력될 때 편광유지 광섬유(300)를 통과하면서 발생한 fast axis 성분과 slow axis 성분의 위상차는 다시 반대방향으로 돌아오면서 상쇄되며, 지연된 위상 정보를 가지고 되돌아온 두 편광은 상기 광집적회로소자(400)로 입사된다.Therefore, the phase difference between the fast axis component and the slow axis component generated while passing through the polarization maintaining
상기 광집적회로소자(400)는 복수의 분기로가 형성되는 Y-branch 구조의 광도파로를 기반으로 입력광을 상기 센싱헤드부(200)로 보내고 반사광을 분기하여 MPD(monitoring PD, 486), PD2(484), PD1(482)으로 나누는 복굴절 변조부(440, 도 3 참조)를 포함한다.The optical
이를 위해 상기 광도파로에는 광원으로부터 입사된 광이 상기 센싱헤드부(200)를 통해 반사된 이후 가장 먼저 분기되는 제1Y분기로(422)와, 상기 제1Y분기로(422)에서 분기된 광을 다시 분기하는 제2Y분기로(424) 및 상기 제2Y분기로(424)에서 분기된 광을 또 다시 분기하는 제3Y분기로(426)를 포함한다.To this end, the optical waveguide includes a first
본 실시 예에서 상기 광원은 파장 대역폭이 넓고 코히어런스 길이가 짧은 인 SLED(481) 광원이 사용된다.In this embodiment, the light source uses an
그리고, 상기와 같이 제1Y분기로와 제2Y분기로 및 제3Y분기로가 형성된 광도파로에는 두 종류의 파장판이 설치된다. Two kinds of wave plates are provided in the optical waveguide in which the first Y branching path, the second Y branching path and the third Y branching path are formed as described above.
상기 파장판은 반파장판(half-wave plate, HWP)와 사분파장판(quarter-wave plate, QWP)로 구분되며, 광축 방향은 기판으로부터 각각 22.5°와 45°의 각도를 가진다. The wave plate is divided into a half-wave plate (HWP) and a quarter-wave plate (QWP), and the optical axis direction is 22.5 ° and 45 ° from the substrate, respectively.
이하에서는 상기 반파장판을 22.5°반파장판(464), 사분파장판을 45°사분파장판(462) 이라 한다.Hereinafter, the half-wave plate is referred to as a 22.5 ° half-wave plate (464) and the four-sided wave plate is referred to as a 45 ° sine wave plate (462).
한편, 상기 22.5°반파장판(464)은 입사 경로에 위치되어 TE편광으로 입사되는 입력광을 TE와 TM 편광으로 나누며, 복귀 경로에서는 상기 MPD(486) 및 PD2(484)의 전측에 위치된다. 이를 위해 상기 22.5°반파장판(464)은 전술한 각 위치를 모두 커버할 수 있는 하나의 판상으로 형성될 수 있다. On the other hand, the 22.5 DEG half-wave plate 464 is located at the front side of the
그리고, 상기 45°사분파장판(462)은 복귀 경로에서 상기 PD1(482)의 전측에 위치되며, 상기 PD2(484) 및 PD1(482)의 전측에는 각각 도파관형 편광자(420)가 더 구비되어 PD1(482)과 PD2(484)를 통해 검출되는 간섭신호가 λ/4 만큼 위상차이를 가지도록 한다.The 45 DEG sine wave plate 462 is located at the front side of the
또한, 상기 광도파로의 입사 경로 상에는 위상변조기(421)가 더 구비된다. Further, a
상기 위상변조기(421)는 열을 인가하여 광도파로의 복굴절을 조절한다.The
도 2 에는 도 1 에 도시된 광집적회로소자의 제조과정을 보이기 위한 도면이 도시되어 있고, 도 3 에는 도 1에 도시된 광집적회로소자에 광섬유 pigtail 공정과 packaging 공정이 완료된 상태를 보인 도면이 도시되어 있다.FIG. 2 is a view showing a manufacturing process of the optical IC device shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a view showing a state in which an optical fiber pigtail process and a packaging process are completed in the optical IC device shown in FIG. Respectively.
설명에 앞서 본 실시 예에서는 폴리머 광도파로 소자를 제작하기 위하여 코어와 클래딩에 사용된 폴리머 재료는 켐옵틱스(ChemOptics)사의 폴리머로 각각 굴절률1.455, 1.440의 재료가 사용되었다. 그리고, Effective index 계산법에 따라 단일모드 광도파로는 코어의 폭 6㎛, 두께 6㎛로 설계되었다.Prior to the description, in this embodiment, the polymer material used for the core and the cladding was a polymer of ChemOptics Co., Ltd. in order to fabricate the polymer optical waveguide device, and materials having the refractive indexes of 1.455 and 1.440 were used, respectively. According to the effective index calculation method, the single mode optical waveguide is designed to have a width of 6 μm and a thickness of 6 μm.
본 발명에 따른 광집적회로소자(400)의 제조과정에서는 우선, 실리콘 기판 위에 하부클래딩층(412)을 형성하는 하부클래딩층 형성단계가 수행된다.In the manufacturing process of the optical
본 실시 예에서는 상기 하부클래딩층 형성단계에서 실리콘 기판위에 ZPU-440 폴리머를 스핀코팅하고 UV 경화 후 160℃에서 열경화하여 17㎛ 두께의 하부클래딩층(412)을 형성한다.In this embodiment, the ZPU-440 polymer is spin-coated on the silicon substrate in the lower cladding layer formation step, UV cured, and thermally cured at 160 캜 to form a 17 탆 thick
상기와 같이 하부클래딩층(412)이 형성된 이후에는 광도파로 코어 패터닝 단계가 수행된다. After the
본 실시 예에서 광도파로 코어 패터닝 단계는 AZ-5214 photoresist를 사용하여 마스킹을 수행하였으며, O2 plasma 식각장비를 통해 3.6㎛ 깊이가 에칭되었다. 그리고, 에칭된 광도파로 패턴 상부에는 ZPU-455 폴리머를 2.4㎛두께로 스핀코팅하여 코어층을 형성함으로써 코어층 형성단계가 수행된다.In the present embodiment, the optical waveguide core patterning step was masked using AZ-5214 photoresist and etched to a depth of 3.6 탆 through an O2 plasma etching apparatus. Then, a core layer forming step is performed by spin-coating a ZPU-455 polymer to a thickness of 2.4 탆 on the etched optical waveguide pattern to form a core layer.
상기와 같이 코어층 형성단계가 완료되면 제1상부클래딩층 형성단계가 수행된다.When the core layer forming step is completed as described above, the first upper cladding layer forming step is performed.
본 실시 예에서는 상기 제1상부클래딩층 형성단계에서 코어층의 상부에 ZPU-455 폴리머를 스핀코팅하여 2㎛ 두께의 1차상부클래딩층을 형성한다. In this embodiment, a ZPU-455 polymer is spin-coated on the core layer in the first upper cladding layer formation step to form a first upper cladding layer having a thickness of 2 탆.
그리고, 상기와 같이 형성된 1차상부클래딩층에는 크롬(Cr)과 금(Au)이 각각 두께 10㎚와 100㎚로 증착된 이후 포토리소그래피(photo lithography) 및 습식 식각(wet etching) 공정을 통해 도파관형 편광자(420)를 형성하는 도파관형 편광자 형성단계가 수행된다.The chromium (Cr) and the gold (Au) are deposited to a thickness of 10 nm and 100 nm, respectively, on the first upper cladding layer formed as described above. Subsequently, a photolithography process and a wet etching process are performed,
상기와 같은 과정을 통해 도파관형 편광자(420)가 형성된 이후에는 제2상부클래딩층을 형성하는 단계가 수행된다. After the
본 실시 예에서 상기 제2상부클래딩층을 형성하는 단계는 다시 한번 ZPU-440 폴리머를 스핀코팅하여 8㎛ 두께의 2차상부클래딩층(414)를 형성한다.In this embodiment, the second upper cladding layer is formed by spin-coating a ZPU-440 polymer to form a second upper cladding layer 414 having a thickness of 8 μm.
상기 2차상부클래딩층(414)이 형성된 이후에는 10㎚, 100㎚ 두께의 Cr-Au 금속박막으로 위상변조기(421, phase modulator)를 제작하는 위상변조기 형성단계가 수행된다. After the second upper cladding layer 414 is formed, a phase modulator forming step of fabricating a
상기와 같이 위상변조기(421)가 형성되면 완성된 광도파로에 파장판을 설치하는 파장판 설치단계가 수행된다. When the
상기 파장판 설치단계에서는 광도파로에 파장판을 삽입하기 위하여 dicing saw를 이용하여 30㎛ 폭의 그루브 라인(460, groove line)을 형성하고, 상기 22.5°반파장판(464)와 45°사분파장판(462)을 상기 그루브 라인(460)에 삽입한 뒤 에폭시를 이용하여 고정한다.In the step of installing the wave plate, a grooved line (460) having a width of 30 μm is formed by using a dicing saw to insert a wave plate into the optical waveguide, and the 22.5 ° half wave plate (464) (462) is inserted into the groove line (460) and fixed using epoxy.
상기와 같이 파장판이 설치된 이후에는 패키징 완료단계가 수행된다. After the wavelength plate is installed as described above, the packaging completion step is performed.
상기 패키징 완료단계에서는 광섬유 어레이를 광도파로에 정렬연결하고, 복굴절 변조부(440)를 형성하는 위상변조기(421)에 전선을 연결하여 도 3 에 도시된 바와 같이 패키징을 완료한다.In the packaging completion step, the optical fiber array is aligned and connected to the optical waveguide, and the wires are connected to the
이하에서는 상기와 같이 제조되는 광집적회로소자(400)의 작용에 대하여 설명한다. Hereinafter, the operation of the
우선, 광원인 SLED(481)로부터의 입력광은 TE 편광으로 광집적회로소자(400)에 입사하며, 22.5°반파장판(464)을 통과한 이후 TE와 TM 편광으로 반반씩 나눠진다. First, the input light from the
그리고, 이와 같은 필드 성분들은 광집적회로소자(400)의 제1Y분기로(422)를 지나고, 광집적회로소자(400)와 센싱헤드부(200)를 연결하는 편광유지 광섬유(300)의 fast axis 성분 및 slow axis 성분들에 결합된다. These field components pass through the first
한편, 광섬유코일(230)을 향해 진행하던 두 개의 선편광성분들은 상기 센싱헤드부(200)의 사분파장판(210)에 의해 두 개의 원편광 성분들로 변환된다. 그리고, 상기 광섬유코일(230) 내부에서 전류에 비례한 원형 복굴절은 두 원편광 성분간에 위상차를 발생시키며, 상기 광섬유코일(230)의 단부에서는 미러(220)에 의해 두 개의 편광성분이 반사된다. The two linearly polarized light components proceeding toward the
반사된 원편광 성분은 복귀 경로를 따라 이동하게 되며, 상기 사분파장판(210)을 통과하면서 다시 선편광으로 변환되어 편광유지 광섬유(300)를 따라 광집적회로소자(400)로 이동하게 된다.The reflected circularly polarized light component moves along the return path and is converted into linearly polarized light again through the
상기와 같이 광집적회로소자(400)로 되돌아온 광은 복굴절 변조부(440)를 거치면서 다수의 다른 빛으로 나뉜다.The light returned to the optical
상세히, 광집적회로소자(400)로 되돌아온 빛은 제1내지 3Y분기로(422, 424, 426)에 의해 상기 MPD(486)와 PD2(484) 및 PD1(482)으로 진행하는 다른 빛들로 나누어 진다.In detail, the light returned to the optical
상기와 같이 나누어진 빛 중 상기 MPD(486) 및 PD2(484)로 진행하는 빛은 상기 22.5°반파장판(464)을 거치고, PD1(482)으로 진행하는 빛을 상기 45°사분파장판(462)을 거쳐 각각 도파관형 편광자(420)를 거치게 된다. The light traveling to the
이 과정에서 PD1(482)과 PD2(484)를 통해 검출되는 간섭신호는 λ/4 만큼의 위상차이를 가질 수 있다. In this process, the interference signal detected through the
두 종류의 파장판 즉, 상기 22.5°반파장판(464)과 45°사분파장판(462)을 이용하여 quadrature phase shifted interferometer의 특성을 얻을 수 있음을 확인하기 위해 Jones matrix를 활용하여 간섭신호를 유도하였다. In order to confirm that the characteristics of the quadrature phase shifted interferometer can be obtained by using the two types of wave plates, that is, the 22.5 ° half wave plate 464 and the 45 ° sine wave plate 462, the interference signal is induced using the Jones matrix Respectively.
광집적회로소자(400)에 포함된 광소자들과 센싱헤드부(200)에 삽입된 광부품들을 고려하여 최종적으로 PD1(482) 및 PD2(484)에 검출된 파동의 electric field는 다음 수식으로 나타낼 수 있다.The electric field of the waves finally detected in the
.... 수식(1) (1)
.... 수식(2) (2)
Faraday rotation angle 는 외부 전류신호에 비례하며, 진폭 와 주파수 ω를 가지는 신호로 표현할 수 있다. 그리고, 이에 부가하여 위상변조기(421)에 의해 인가되는 바이어스 위상값을 라고 할 때, 두 편광간의 최종적인 위상차이는 다음과 같이 표현될 수 있다.Faraday rotation angle Is proportional to the external current signal, and the amplitude And the frequency ω. In addition, the bias phase value applied by the
....................................수식(3) .................................... Equation (3)
상기 수식(3)으로부터 PD1(482) 및 PD2(484)에서 측정되는 광세기는 다음과 같이 확장된다. The light intensity measured at
..... 수식(4) (4)
..... 수식(5) (5)
여기서,, 은 Bessel functions of the first kind 함수들이다. here, , Are the Bessel functions of the first kind functions.
인 작은 신호 에 대해서, 과 로 부터의 AC 필터링에 의해 진폭신호 과 로 구해진다. Small signal about, and Lt; RTI ID = 0.0 > AC < / RTI > and .
최종적으로 센서 출력은 로부터 얻을 수 있다.Finally, Lt; / RTI >
광집적회로소자(400)에 집적화된 위상변조기(421)는 초기화 단계에서 센서의 동작점을 변경하기 위해 사용된다. A
폴리머 광도파로 소자의 열광학 효과는 편광에 따라 작은 차이를 가지므로, 열을 인가하여 광도파로의 복굴절을 조절할 수 있다. Since the thermo-optic effect of the polymer optical waveguide device has a small difference according to the polarization, the birefringence of the optical waveguide can be controlled by applying heat.
상기 위상변조기(421)를 동작시킴으로써 PD gain을 정규화하는 초기화 단계 동안, 위상변조기(421)가 상기 수식(4) 및 수식(5)의 를 변화시키기 때문에 PD1(482) 및 PD2(484)에서 간섭신호를 얻을 수 있다.During the initialization step of normalizing the PD gain by operating the
이와 같은 방식을 통해 센서동작곡선이 정확하게 90°의 위상차이를 나타내는지 확인할 수 있다.In this way, it can be confirmed that the sensor operating curve shows a phase difference of exactly 90 °.
한편, 이하에서는 상기와 같은 제조과정을 통해 제조된 광집적회로소자(400)의 복굴절 변조(Birefringence modulation) 특성을 확인하기 위하여 직선 광도파로 상에 제작된 위상변조기(phase modulator)에 전압을 인가하여 열을 발생시킨 뒤 출력 신호의 편광상태를 살펴보았다. In order to confirm birefringence modulation characteristics of the optical
제작된 위상변조기(phase modulator)는 폭 40㎛, 길이 10㎜이며, 저항은 145Ω으로 나타났다.The fabricated phase modulator has a width of 40 μm, a length of 10 mm, and a resistance of 145 Ω.
입력광은 fiber polarizer를 거쳐 30dB 이상의 편광소멸비를 지니며, fiber polarizer의 PM fiber 광축은 TE 및 TM 모드를 여기하기 위하여 기판에 45°각도로 정렬하였으며, 출력 편광 상태는 polarization analyzer의 Poincare sphere 상에서 관찰하였다.The input light has a polarization extinction ratio of 30dB or more through a fiber polarizer, and the PM fiber optical axis of the fiber polarizer is aligned at 45 ° to the substrate to excite the TE and TM modes. The output polarized state is observed on the polarization analyzer's Poincare sphere Respectively.
도 4의 (a)에는 열에 의한 복굴절 변화로 인해 45° 각도의 입력 선편광이 출력부에서 변환되어 나타나는 편광상태를 Poincare sphere 상에서 나타낸 결과를 보인 도면이 도시되어 있고, 도 4의 (b)에는 마이크로 히터에 인가된 전력에 따른 TE 및 TM편광 간의 상대적인 위상차이를 나타낸 그래프가 도시되어 있다. 4 (a) shows a result of a polarization state in which a 45-degree input linearly polarized light is converted at an output portion due to a change in birefringence due to heat, on a Poincare sphere, and FIG. 4 (b) A graph showing the relative phase difference between TE and TM polarized light according to the power applied to the heater is shown.
이들 도면을 참조하면, 전압이 증가함에 따라, Poincare sphere 상에서 RHCP, +45°linear polarization 지점을 연결하는 원형경로를 거쳐가면서 편광이 변화하였다. Referring to these figures, as the voltage increases, the polarization changes over a circular path connecting RHCP, + 45 ° linear polarization point on the Poincare sphere.
측정된 데이터로부터 phase modulator에 인가된 heating power에 비례하는 TE와 TM 편광성분간의 위상차이를 구할 수 있으며 그림 4(b)와 같이 나타났다. From the measured data, the phase difference between the TE and TM polarization components proportional to the heating power applied to the phase modulator can be obtained, as shown in Fig. 4 (b).
그리고, 두 편광간의 위상차이 π를 얻기 위한 heating power,는 58.8mW로 확인되었다.Then, a heating power for obtaining a phase difference π between the two polarized lights, Was confirmed to be 58.8 mW.
한편, 전류측정실험에 앞서 광집적회로소자의 초기화 과정을 수행하였다. On the other hand, the initialization process of the optical integrated circuit device was performed prior to the current measurement experiment.
도 5의 (a)에는 Phase modulator에 전압을 인가하였을 때 PD1, PD2 에서 나타나는 간섭신호를 보인 도면이 도시되어 있고, 도 5의 (b)에는 측정된 두 개의 간섭신호의 위상차이를 확인하기 위해 두 개의 간섭신호를 이용하여 그려진 리사주 도형이 도시되어 있다.5A is a diagram showing an interference signal appearing at PD1 and PD2 when a voltage is applied to a phase modulator. FIG. 5B shows a phase difference between two measured interference signals A lithographic figure drawn using two interfering signals is shown.
TE, TM편광간의 상대적인 위상차이가 2π이상 되도록 phase modulator를 구동시켜, 그림 5(a)에 나타낸 바와 같이 의 함수로써 출력 간섭신호를 측정하였다.The phase modulator is driven so that the relative phase difference between TE and TM polarized light is 2π or more, and as shown in Fig. 5 (a) The output interference signal was measured.
과 의 최대값과 최소값을 비교하여 동일한 modulation depth가 되도록 PD1과 PD2의 gain 값을 조정하였다. and The gain values of PD1 and PD2 were adjusted so that the same modulation depth was obtained.
두 출력 간섭신호의 위상차이가 90°가 되는 것을 확인하기 위하여 리사주 도형을 그려보았으며, 한 주기 동안 왜곡되지 않은 깨끗한 원을 도 5의 (b)와 같이 확인할 수 있었다. In order to confirm that the phase difference of the two output interference signals becomes 90 °, the Lisa main figure is drawn, and a clean circle which is not distorted for one period can be confirmed as shown in FIG. 5 (b).
한편, 광섬유에 인가되는 자계의 세기를 증폭시키기 위하여 도 6과 같이 토로이드 전류루프에 60Hz 교류신호를 인가하였다. Meanwhile, in order to amplify the intensity of the magnetic field applied to the optical fiber, a 60 Hz AC signal was applied to the toroidal current loop as shown in FIG.
도 6 은 Sensing fiber coil에 인가되는 자계의 세기를 10배로 증폭시키기 위해 이용된 전류 토로이드 셋업사진으로 광전류센서의 선형성을 확인하기 위하여 토로이드에 인가되는 전류를 0.03~0.55kA까지 서서히 증가시켰다가 다시 감소시켰다. 6 is a set of current toroids used to amplify the intensity of a magnetic field applied to a sensing fiber coil by 10 times. In order to confirm the linearity of the photocurrent sensor, the current applied to the toroid was gradually increased from 0.03 to 0.55 kA Again reduced.
도 7 에는 0.3 ~ 5.5 kA (토로이드 인가 전류 0.03 ~ 0.55 kA)까지 인가 전류를 변화시켰을 때 측정된 센서출력의 선형성 및 전기식 전류센서 값과 비교한 상대오차를 보인 도면이 도시되어 있다. FIG. 7 shows a graph showing the relative error of the sensor output measured when the applied current is varied from 0.3 to 5.5 kA (toroidal applied current 0.03 to 0.55 kA) and the electric current sensor value.
도면을 참조하면, 토로이드 인가 전류에 따라 측정된 전류신호는 기준 전기 CT의 출력과 비교되며, 전류 증가 후 감소시키는 과정에서 동일한 출력값이 나타남을 볼 수 있었고 상대오차는 전체 전류범위 내에서 ±0.5% 이내였다.Referring to the figure, the current signal measured according to the toroidal applied current is compared with the output of the reference CT, and the same output value appears in the process of increasing and decreasing the current. The relative error is ± 0.5 %.
그리고, Bias feedback을 하지 않은 채로 장시간 전류측정 실험을 수행하여 센서의 안정성을 확인하였으며, 광원의 파워를 보정하기 위하여 MPD의 신호를 이용하여 normalization 하였다. The stability of the sensor was verified by conducting a long time current measurement experiment without bias feedback, and normalization was performed using the signal of MPD to correct the power of the light source.
도 8의 (a) 내지 (c)에는 동작점 제어가 없는 상태에서 장시간 전류를 측정한 결과를 보인 도면이 도시되어 있다.Figs. 8A to 8C are diagrams showing the result of measuring the long-term current in a state in which there is no operating point control.
PD1과 PD2를 통해 얻은 간섭계 출력신호를 이용하여 time average power <> 과 <>를 계산한 결과를 도 8의 (a)에 나타내었으며, 두 신호의 크기로 볼 때 각각의 초기 동작점은 λ/4 지점에서 많이 벗어나 있으며, 시간에 따라 약간의 변화가 나타났다. Using the interferometer output signal obtained from PD1 and PD2, time average power < > And < The results are shown in Fig. 8 (a). From the magnitudes of the two signals, each initial operating point deviates much from the? / 4 point and slightly changed with time.
60Hz 교류신호의 크기는 도 8의 (b)에서 나타나듯이 bias 변화에 따라 10% 정도 변화하였다. The amplitude of the 60 Hz AC signal varied by about 10% according to the bias change as shown in FIG. 8 (b).
그러나, 두 개의 amplitude 신호의 root sum square 값을 나타낸 도 8의 (c)에서 신호는 상대오차가 1% 이내로 유지되었다.However, in Fig. 8 (c) showing the root sum square value of the two amplitude signals, the relative error is maintained within 1% of the signal.
100........ 광전류센서 200........ 센싱헤드부
300........ 편광유지 광섬유 400........ 광집적회로소자
462........ 45°사분파장판 464........ 22.5°이분파장판100: photocurrent sensor 200: sensing head
300 ......... Polarization maintaining
462 ........ 45 ° sandwich plate 464 ........ 22.5 ° This sandwich plate
Claims (4)
상기 광집적회로 소자와 편광유지 광섬유를 통해 연결되어 빛이 전달되며, 전달되는 빛이 사분파장판을 거쳐서 두 개의 원편광 상태로 변환된 이후 상기 미러에 의해 반사되어 다시 돌아나오는 센싱헤드부;를 포함하며,
상기 광집적회로 소자에서는,
상기 센싱헤드부로부터 돌아오는 빛을 광검출기로 보내기 위한 제1Y분기로가 형성되고, 상기 제1Y분기로에 의해 상기 광검출기로 전달되는 빛은 제2Y분기로에 의해 분기되며, 분기된 빛의 절반은 광원의 파워변화를 모니터링하는 MPD로 진행되고, 나머지 빛은 제3Y분기로를 통과하게 되며,
상기 제3Y분기로에 의해 분기된 경로 중 일측 경로에서는 기판과 22.5°기울어진 반파장판(HWP)과 도파관형 편광자를 지나고, 타측 경로에서는 기판과 45°기울어진 사분파장판(QWP)과 도파관형 편광자를 지나 광검출기에서 전류로 바뀌게 되는 광간섭계의 구조.
An optical integrated circuit device which transmits an input light to an optical fiber coil constituting a sensing head and forms a path for transmitting reflected light reflected by a mirror provided in the optical fiber coil to a photodetector;
A sensing head connected to the optical integrated circuit device through a polarization maintaining optical fiber to transmit light and to be reflected by the mirror after the transmitted light is converted into two circularly polarized states through a sine wave plate, ≪ / RTI &
In the optical integrated circuit device,
A first Y branch path for transmitting light returning from the sensing head to the photodetector is formed and the light transmitted to the photodetector by the first Y branch path is branched by the second Y branch path, Half goes to the MPD monitoring the power change of the light source, the remaining light goes through the third Y branch,
In one path among the paths branched by the third Y branching path, a half-wave plate (HWP) inclined at 22.5 ° with the substrate is passed through the waveguide-type polarizer. In the other path, the quarter wave plate (QWP) The structure of an optical interferometer that changes from a photodetector to a current through a polarizer.
상기 입력광의 입사 경로 상에는 위상변조기가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 광간섭계의 구조.
The method according to claim 1,
And a phase modulator is further provided on an incident path of the input light.
상기 편광유지 광섬유와 연결되어 광원으로부터 입사된 빛이 상기 센싱헤드부로 전달되도록 하며, 상기 센싱헤드부로부터 반사되어 돌아오는 빛을 광검출기로 전송하기 위한 경로를 형성하는 광집적회로 소자;를 포함하며,
상기 광집적회로 소자에는,
상기 센싱헤드부로부터 반사되어 돌아오는 빛의 복귀경로를 형성하며, 복귀 방향을 기준으로 순차적인 분기가 이루어지는 제1 내지 제3Y분기로와,
적어도 상기 제3Y분기로에 의해 분기된 빛의 진행 경로 중 일측 경로에 구비되며 기판과 22.5°기울어진 반파장판(HWP)과,
상기 제3Y분기로의 타측 경로에 구비되며 기판과 45°기울어진 사분파장판(QWP) 및
상기 제3Y분기로의 양측에 구비되는 도파관형 편광자;가 포함되어 상기 도파관형 편광자를 통해 출력되는 두 개의 광신호 입출력 특성 곡선은 서로 90°위상차이를 가짐으로써 간섭계의 초기 위상 상태와 무관하게 전류/전압 신호의 측정이 가능한 것을 특징으로 하는 광센서.
An optical fiber coil for delaying the phase of the light converted into the circularly polarized light, and an optical fiber coil provided at the end of the optical fiber coil for transmitting the light, A sensing head including a mirror for reflecting light; And
And an optical integrated circuit device connected to the polarization maintaining optical fiber for transmitting light incident from a light source to the sensing head and forming a path for transmitting light reflected from the sensing head to a photodetector, ,
In the optical integrated circuit device,
First to third Y branching paths forming a return path of light reflected from the sensing head portion and sequentially branched based on a returning direction,
A half wave plate (HWP) provided at one side of the path of light branched at least by the third Y branching path and tilted at 22.5 DEG to the substrate,
A quarter wave plate (QWP) provided on the other path of the third Y branch and inclined by 45 [deg.] From the substrate,
And two waveguide-type polarizers provided on both sides of the third Y branch. The two optical signal input / output characteristic curves output through the waveguide polarizer have a phase difference of 90 ° with respect to each other, / ≪ / RTI > voltage signal.
상기 코어층의 상측에 폴리머를 코팅하여 1차상부클래딩층을 형성하고, 1차상부클래딩층에 크롬(Cr)과 금(Au)을 증착한 이후 식각하여 도파관형 편광자를 형성하는 단계;
상기 도파관형 편광자를 형성한 이후 1차상부클래딩층에 폴리머를 스핀코팅하여 제2상부클래딩층을 형성하는 단계;
상기 제2상부클래딩층의 형성 이후 Cr-Au 금속박막으로 위상변조기를 제작하는 위상변조기 형성단계;
상기 광도파로에 파장판을 설치하는 설치단계 및
상기 파장판이 설치된 이후 광섬유 어레이를 광도파로에 정렬연결하고, 상기 위상변조기에 전선을 연결하는 패키징 단계;를 포함하며,
상기 파장판 설치단계에서는 dicing saw를 이용하여 그루브 라인을 형성하고, 상기 그루브 라인에 기판과 광축이 22.5°기울어진 반파장판과 45°기울어진 사분파장판을 설치하는 것을 특징으로 하는 광집적회로소자의 제조방법.
Forming a lower cladding layer on a silicon substrate and forming an optical waveguide pattern on the lower cladding layer to form a core layer;
Forming a first upper cladding layer by coating a polymer on the upper side of the core layer; depositing chromium (Cr) and gold (Au) on the first upper cladding layer and then etching to form a waveguide polarizer;
Forming a second upper cladding layer by spin-coating a polymer on the first upper cladding layer after forming the waveguide polarizer;
A phase modulator forming step of forming a phase modulator with a Cr-Au metal thin film after the formation of the second upper cladding layer;
An installing step of installing a wave plate on the optical waveguide and
And a packaging step of arranging and connecting the optical fiber array to the optical waveguide after the wave plate is installed, and connecting wires to the phase modulator,
Wherein the grooved line is formed by using a dicing saw in the step of installing the wave plate, and the substrate is provided with a four-sided wave plate which is inclined by 45 DEG with respect to the substrate and the half wave plate tilted by 22.5 DEG with respect to the optical axis. ≪ / RTI >
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