KR101886035B1 - 주변광의 영향을 감소시키는 지문 센싱 방법 - Google Patents

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한상윤
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Abstract

주변광의 영향을 감소시키는 지문 센싱 방법이 게시된다. 본 발명의 광학 지문 센싱 방법은 예비 단계와 센싱 단계를 구비한다. 상기 예비 단계는 광원 오프 상태 및 광원 온 상태 중의 어느 하나인 일차 광원 상태에서의 특정되는 상기 센싱 픽셀의 전기적 신호인 제1 예비 신호를 센싱하되, 상기 광원 오프 상태는 광원이 오프(off)된 상태이며, 상기 광원 온 상태는 상기 광원이 온(on)된 상태에서 발생되는 특정되는 상기 센싱 픽셀의 전기적 신호이다. 상기 센싱 단계는 상기 광원 오프 상태 및 상기 광원 온 상태 중의 다른 어느 하나인 이차 광원 상태에서의 특정되는 상기 센싱 픽셀의 전기적 신호인 제2 예비 신호를 센싱하고 센싱 데이터를 발생하되, 상기 센싱 데이터는 상기 제1 예비 신호와 상기 제2 예비 신호의 전기적 성분의 차이를 반영한다. 본 발명의 지문 센싱 방법에 의하면, 주변광에 따른 영향이 저감되어, 효과적으로 손가락 지문의 인식이 가능하게 된다.

Description

주변광의 영향을 감소시키는 지문 센싱 방법{OPTICAL FINGERPRINT SENSING METHOD REDUCING REDUCING THE EFFECT OF AMBIENT LIGHT}
본 발명은 지문 센싱 방법에 관한 것으로, 특히, 주변광의 영향을 감소시키는 지문 센싱 방법에 관한 것이다.
컴퓨터 기술의 발달에 따라 노트북 컴퓨터, 태블릿 피시(tablet PC), 스마트폰(smart phone), 개인 휴대용 정보 단말기(Personal Digital Assistant), 현금 자동 입출금기(Automated Teller Machine), 검색 안내 시스템 등과 같은 다양한 용도의 컴퓨터 기반 시스템(computer based system)이 개발되어 왔다. 이들 시스템에는 통상적으로 개인의 사생활과 관련된 개인정보는 물론 영업정보나 영업기밀과 같이 비밀을 요하는 많은 데이터가 저장되어 있기 때문에, 이들 데이터를 보호하기 위해서는 보안을 강화해야 할 필요성이 있다.
이를 위해 종래부터 손가락의 지문을 이용하여 시스템의 등록이나 인증을 수행함으로써 보안성을 강화할 수 있도록, 손가락 지문을 감지하는 지문 센싱 방법이 알려져 있다. 지문 센싱 방법은 다양한 방식으로 개발되고 있는데, 그 중의 하나가 광학식 지문 센싱 방법(optical fingerprint sensing method)이다.
광학식 지문 센싱 방법(optical fingerprint sensing method)은 내부에서 LED(Light Emitting Diode) 등의 광원(光源)에 제공되는 소스광(光)을 손가락에 조사(照射)하고, 상기 소스광이 손가락에 반사된 반사광(反射光)을 다이오드 형태의 센싱 픽셀에 흐르는 검출 전류를 검출하여 이용하는 방식이다. 즉, 광학식 지문 센싱 방법은 조사광이 반사되는 손가락 부위가 릿지(ridge)인지 혹은 벨리(valley)인지에 따라, 상기 검출 전류의 양의 차이가 발생하는 점을 이용하여 손가락의 지문을 인식하는 방식이다.
그런데 광학식 지문 센싱 방법에서, 검출 전류는 손가락에 반사되는 반사광 뿐만아니라, 태양광이나 조명과 같은 주변광에 의하여 생성될 수 있다.
이 경우, 반사광에 따른 상기 검출 전류의 크기가 실질적으로 매우 작은 고려하면, 손가락의 지문 인식의 효율성이 상당히 저하된다.
본 발명의 목적은 주변광에 따른 영향을 저감시켜 효과적으로 손가락 지문을 인식할 수 있는 광학식 지문 센싱 방법을 제공하는 데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면은 픽셀 어레이를 이용하여, 손가락의 지문을 광학적으로 센싱하는 광학식 지문 센싱 방법에 관한 것이다. 여기서, 상기 픽셀 어레이는 하나의 프레임을 구성하며, 순서적으로 특정되는 제1 내지 제n(여기서, n은 2 이상의 자연수) 게이트 라인과 순서적으로 특정되는 제1 내지 제m(여기서, m은 2 이상의 자연수) 데이터 라인으로 이루어지는 매트릭스 구조상에 배열되는 복수개의 센싱 픽셀들로서, 각각이 대응하는 상기 게이트 라인과 대응하는 상기 데이터 라인에 의하여 특정되며, 수신되는 빛에 의해 검출 전류를 발생하고, 대응하는 상기 게이트 라인의 선택에 따라 각자에 대응하는 상기 데이터 라인으로 상기 검출 전류를 전기적 신호로 발생하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들을 포함한다. 본 발명의 일면에 따른 상기 광학식 지문 센싱 방법은 광원 오프 상태 및 광원 온 상태 중의 어느 하나가 지속되는 일차 광원 상태에서, 제1 내지 제n 게이트 라인 중의 어느 하나인 특정 게이트 라인에 대응하는 상기 센싱 픽셀들의 제1 예비 신호들 모두를 센싱하는 예비 단계로서, 상기 제1 예비 신호들 각각은 상기 일차 광원 상태에서의 대응하는 상기 센싱 픽셀의 전기적 신호이며, 상기 광원 오프 상태는 광원이 오프(off)된 상태이며, 상기 광원 온 상태는 상기 광원이 온(on)된 상태인 상기 예비 단계; 및 상기 광원 오프 상태 및 상기 광원 온 상태 중의 다른 어느 하나가 지속되는 이차 광원 상태에서, 상기 특정 게이트 라인에 대응하는 상기 센싱 픽셀들의 제2 예비 신호들 모두를 센싱하여, 상기 특정 게이트 라인에 대응하는 상기 센싱 픽셀들의 센싱 데이터들 모두를 발생하는 센싱 단계로서, 상기 제2 예비 신호들 각각은 상기 이차 광원 상태에서의 대응하는 상기 센싱 픽셀의 전기적 신호이며, 상기 센싱 데이터들 각각은 대응하는 상기 센싱 픽셀의 상기 제1 예비 신호와 상기 제2 예비 신호의 전기적 성분의 차이를 반영하는 상기 센싱 단계를 구비한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일면도 픽셀 어레이를 이용하여, 손가락의 지문을 광학적으로 센싱하는 광학식 지문 센싱 방법에 관한 것이다. 여기서, 상기 픽셀 어레이는 하나의 프레임을 구성하며, 순서적으로 특정되는 제1 내지 제n(여기서, n은 2 이상의 자연수) 게이트 라인과 순서적으로 특정되는 제1 내지 제m(여기서, m은 2 이상의 자연수) 데이터 라인으로 이루어지는 매트릭스 구조상에 배열되는 복수개의 센싱 픽셀들로서, 각각이 대응하는 상기 게이트 라인과 대응하는 상기 데이터 라인에 의하여 특정되며, 수신되는 빛에 의해 검출 전류를 발생하고, 대응하는 상기 게이트 라인의 선택에 따라 각자에 대응하는 상기 데이터 라인으로 상기 검출 전류를 전기적 신호로 발생하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들을 포함한다. 본 발명의 다른 일면에 따른 상기 광학식 지문 센싱 방법은 상기 광학식 지문 센싱 방법은 광원 오프 상태 및 광원 온 상태 중의 어느 하나가 지속되는 일차 광원 상태에서, 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들의 제1 예비 신호들 모두를 센싱하는 예비 단계로서, 상기 제1 예비 신호들 각각은 상기 일차 광원 상태에서의 대응하는 상기 센싱 픽셀의 전기적 신호이며, 상기 광원 오프 상태는 광원이 오프(off)된 상태이며, 상기 광원 온 상태는 상기 광원이 온(on)된 상태인 상기 예비 단계; 및 상기 광원 오프 상태 및 상기 광원 온 상태 중의 다른 어느 하나가 지속되는 이차 광원 상태에서, 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들의 제2 예비 신호들 모두 센싱하여, 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들의 센싱 데이터들 모두를 발생하는 센싱 단계로서, 상기 제2 예비 신호들 각각은 상기 이차 광원 상태에서의 대응하는 상기 센싱 픽셀의 전기적 신호이며, 상기 센싱 데이터들 각각은 대응하는 상기 센싱 픽셀의 상기 제1 예비 신호와 상기 제2 예비 신호의 전기적 성분의 차이를 반영하는 상기 센싱 단계를 구비한다.
상기와 같은 구성의 본 발명의 지문 센싱 방법에서는, 주변광(ART)를 배제하고 손가락(FGN) 부위에 반사된 반사광(RGT)에 센싱 데이터(DATS)가 획득된다. 즉, 본 발명의 지문 센싱 방법에 의하면, 주변광에 따른 영향이 저감되어, 효과적으로 손가락 지문의 인식이 가능하게 된다.
본 발명에서 사용되는 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 지문 인식 방법이 적용될 수 있는 지문 인식 센서의 구성을 개략적으로 나타내는 도면으로서, 손가락과 이와 관련되는 빛이 함께 도시된다.
도 2는 도 1의 픽셀 어레이를 설명하기 위한 도면으로서, 데이터 센싱수단이 함께 도시된다.
도 3a 및 도 3b는 각각 도 2의 픽셀 어레이의 센싱 픽셀들이 수동형 및 능동형으로 구현되는 경우를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 지문 센싱 방법을 기본 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 지문 센싱 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 6은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 지문 센싱 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 지문 센싱 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 잇점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
그리고, 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의해야 한다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
한편, 본 명세서에서는 동일한 구성 및 작용을 수행하는 구성요소들에 대해서는 동일한 참조부호와 함께 < >속에 참조부호가 추가된다. 이때, 이들 구성요소들은 참조부호로 통칭한다. 그리고, 이들을 개별적인 구별이 필요한 경우에는, 참조부호 뒤에 '< >'가 추가된다.
본 발명의 내용을 명세서 전반에 걸쳐 설명함에 있어서, 각 구성요소에 대한 복수의 표현도 생략될 수도 있다. 예컨대 복수 개의 스위치나 복수개의 신호선으로 이루어진 구성일지라도 '스위치들', '신호선들'과 같이 표현할 수도 있고, '스위치', '신호선'과 같이 단수로 표현할 수도 있다. 이는 스위치들이 서로 상보적으로 동작하는 경우도 있고, 때에 따라서는 단독으로 동작하는 경우도 있기 때문이며, 신호선 또한 동일한 속성을 가지는 여러 신호선들, 예컨대 데이터 신호들과 같이 다발로 이루어진 경우에 이를 굳이 단수와 복수로 구분할 필요가 없기 때문이기도 하다. 이런 점에서 이러한 기재는 타당하다. 따라서 이와 유사한 표현들 역시 명세서 전반에 걸쳐 모두 이와 같은 의미로 해석되어야 한다.
또한, 본 명세서에서 각 타이밍 구간의 길이는 다소 확장되거나 축소되어 도시될 수 있다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 도시된 각 타이밍 구간의 길이에 의하여 한정되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
(지문 인식 센서의 구성)
도 1은 본 발명의 지문 인식 방법이 적용될 수 있는 지문 인식 센서의 구성을 개략적으로 나타내는 도면으로서, 손가락과 이와 관련되는 빛이 함께 도시된다.
도 1의 지문 인식 센서는 광원(100), 픽셀 어레이(200), 데이터 센싱수단(300), 이미지 생성 수단(400), 행선택 수단(500), 열선택 수단(600) 및 제어 수단(700)을 구비한다.
상기 광원(100)은 상기 픽셀 어레이(200)의 영역에 위치되는 손가락(FNG)에 소스광(SGT)을 조사하도록 구성된다. 그리고, 상기 소스광(SGT)이 상기 손가락(FNG)에 반사되어 생성되는 반사광(RGT)은 상기 픽셀 어레이(200)의 센싱 픽셀(PIX)들에 조사된다.
바람직하기로, 상기 광원(100)은 전원 전압(VDD)과 접지 전압(VSS) 사이에 형성되는 발광 다이오드(110)와 발광 스위치(130)를 포함하여 구성된다. 상기 발광 스위치(130)는 파워온 신호(PWR)의 "H"로의 활성화에 응답하여 턴온(turn-on)된다. 이때, 상기 발광 다이오드(110)는 상기 소스광(SGT)을 조사한다. 본 명세서에서는, 발광 스위치(130)가 턴온됨으로써, 상기 소스광(SGT)이 조사되는 상태는 '광원 온 상태'로 불릴 수 있다.
상기 발광 스위치(130)는 상기 파워온 신호(PWR)의 "L"로의 비활성화에 응답하여 턴오프(turn-off)된다. 이때, 상기 발광 다이오드(110)의 상기 소스광(SGT)은 조사되지 않는다. 본 명세서에서는, 발광 스위치(130)가 턴오프됨으로써, 상기 소스광(SGT)이 조사되지 않는 상태는 '광원 오프 상태'로 불릴 수 있다.
상기 픽셀 어레이(200)는 하나의 프레임을 구성하는 복수개의 센싱 픽셀(PIX)들을 포함하여 구성된다. 본 명세서에서, '하나의 프레임'은 상기 복수개의 센싱 픽셀(PIX)들 모두로부터 각각의 전기적 신호를 생성하는 구동하는 동작 단위'를 의미한다.
도 2는 도 1의 픽셀 어레이(200)를 설명하기 위한 도면으로서, 데이터 센싱수단(300)이 함께 도시된다. 도 2의 상기 데이터 센싱 수단(300)은 상기 픽셀 어레이(200)의 상기 복수개의 센싱 픽셀(PIX)들이 수동형으로 구현되는 경우의 예에 대해 도시된다.
상기 복수개의 센싱 픽셀(PIX)들은, 도 2에 도시되는 바와 같이, 순서적으로 특정되는 n개의 게이트 라인(GL)들(즉, 제1 내지 제n 게이트 라인(GL<1> 내지 GL<n>))과 순서적으로 특정되는 m개의 데이터 라인(DL)들(즉, 제1 내지 제m 데이터 라인(DL<1> 내지 DL<m>))로 이루어지는 매트릭스 구조상에 배열된다. 여기서, n과 m은 각각 2 이상의 자연수이다.
다시 기술하자면, 상기 복수개의 센싱 픽셀(PIX)들 각각은 대응하는 상기 게이트 라인(GL)과 대응하는 상기 데이터 라인(DL)에 의하여 특정된다.
예를 들면, 센싱 픽셀(PIX<2,1>)은 2번째 게이트 라인(GL<2>)과 1번째 데이터 라인(DL<1>)에 의하여 특정되며, 센싱 픽셀(PIX<1,2>)은 1번째 게이트 라인(GL<1>)과 2번째 데이터 라인(DL<2>)에 의하여 특정된다.
그리고, 상기 복수개의 센싱 픽셀(PIX)들 각각은 반사광(SGT), 주변광(AGT) 등과 같은 수신되는 빛에 의해 검출 전류(Idt, 도 3a 및 도 3b 참조)를 발생하고, 대응하는 상기 게이트 라인(GL)의 선택에 따라 각자에 대응하는 상기 데이터 라인(DL)으로 상기 검출 전류(Idt)를 전기적 신호로 발생한다.
참고로, 도 3a에 도시되는 수동형의 센싱 픽셀(PIX)은, 대응하는 게이트 라인(GL)이 선택된 상태에서, 센싱 리셋 신호(XDRT)의 활성화에 의하여 생성되는 리셋 데이터(VRST)가 대응하는 데이터 라인(DL)을 통하여 제공됨으로써 초기화된다.
그리고 도 3b에 도시되는 능동형의 센싱 픽셀(PIX)은 셀 리셋 신호(XSRT)의 활성화에 의하여 초기화된다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 데이터 센싱수단(300)은 대응하는 데이터 라인(DL)의 전기적 신호를 센싱하도록 구성된다.
바람직하기로는, 상기 데이터 센싱수단(300)은, 도 2에 도시되는 바와 같이, 제1 내지 제m 센싱부(DET<1> 내지 DET<m>) 및 제1 내지 제m 열선택 스위치(DSW<1> 내지 DSW<m>)를 구비한다.
상기 제1 내지 제m 센싱부(DET<1> 내지 DET<m>) 각각은 대응하는 데이터 라인(DL)의 전기적 신호를 센싱한다.
또한, 상기 픽셀 어레이(200)의 센싱 픽셀(PIX)들이 수동형으로 구현되는 경우, 상기 제1 내지 제m 센싱부(DET<1> 내지 DET<m>) 각각은 센싱 리셋 신호(XDRT)의 활성화에 응답하여 상기 리셋 데이터(VRST)를 생성한다. 그리고, 생성된 상기 리셋 데이터(VRST)는 상기 센싱 픽셀(PIX)의 초기화를 위하여, 대응하는 데이터 라인(DL)을 통하여 상기 센싱 픽셀(PIX)에 제공된다.
상기 제1 내지 제m 열선택 스위치(DSW<1> 내지 DSW<m>)는 상기 열선택 수단(600)에서 제공되는 제1 내지 제m 열선택 신호(XSW<1> 내지 XSW<m>)에 응답하여, 대응하는 상기 제1 내지 제m 센싱부(DET<1> 내지 DET<m>)에서 센싱된 센싱 데이터(SDAT)들을 상기 이미지 생성 수단(400)으로 제공한다.
상기 이미지 생성 수단(400)은 센싱 데이터(SDAT)들을 이용하여 손가락 지문의 영상을 생성하도록 구동된다.
상기 행선택 수단(500)은 행 어드레스(미도시)에 따라 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL<1> 내지 GL<n>)을 선택적으로 활성화하며, 상기 열선택 수단(600)은 열 어드레스(미도시)에 따라 상기 제1 내지 제m 열선택 신호(XSW<1> 내지 XSW<m>)을 선택적으로 활성화한다.
그리고 상기 제어 수단(700)은 도 1의 지문 인식 센서의 구성요소들의 동작을 제어하도록 구동된다.
계속하여, 본 발명의 지문 센싱 방법의 기본 동작이 기술된다.
(본 발명의 지문 센싱 방법-기본 동작)
도 4는 본 발명의 지문 센싱 방법을 기본 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 지문 센싱 방법은 순서적으로 진행되는 예비 단계(T_PRE) 및 센싱 단계(T_SEN)를 구비한다.
본 실시예에서, 상기 예비 단계(T_PRE)와 상기 센싱 단계(T_SEN)의 길이는 동일하도록 구현되는 것이 바람직하다.
상기 예비 단계(T_PRE)는 '일차 광원 상태'에서 진행되며, 상기 센싱 단계(T_SEN)는 '이차 광원 상태'에서 진행된다.
여기서, 상기 '일차 광원 상태'는 '광원 오프 상태' 및 '광원 온 상태' 중의 어느 하나가 지속되는 상태이며, 상기 '이차 광원 상태'는 '광원 오프 상태' 및 '광원 온 상태' 중의 다른 어느 하나가 지속되는 상태이다.
본 실시예들에서는, 상기 '일차 광원 상태'는 '광원 오프 상태'가 지속되는 상태이며, 상기 '이차 광원 상태'는 '광원 온 상태'가 지속되는 상태이다. 하지만, 본 발명의 지문 센싱 방법은 상기 '일차 광원 상태'가 '광원 온 상태'가 지속되는 상태이며, 상기 '이차 광원 상태'가 '광원 오프 상태'가 지속되는 상태인 경우에도 구현될 수 있음은 당업자에게는 자명하다.
상기 예비 단계(T_PRE)에서는, 제1 예비 신호(XATP1)가 센싱된다. 이때, 상기 제1 예비 신호(XATP1)는 상기 '일차 광원 상태'에서 특정되는 상기 센싱 픽셀(PIX)의 검출 전류(Idt)에 기초한 대응하는 데이터 라인(DL)의 전기적 신호이다.
즉, 상기 제1 예비 신호(XATP1)는 광원(100)의 소스광(SGT)이 차단된 상태에서 주변광(AGT)만에 의한 상기 센싱 픽셀(PIX)의 검출 전류(Idt)에 기초한 대응하는 데이터 라인(DL)의 전기적 신호가 된다.
상기 센싱 단계(T_SEN)에서는, 제2 예비 신호(XATP2)가 센싱된다. 이때, 상기 제2 예비 신호(XATP2)는 상기 '이차 광원 상태'에서 특정되는 상기 센싱 픽셀(PIX)의 검출 전류(Idt)에 기초한 대응하는 데이터 라인(DL)의 전기적 신호이다.
즉, 상기 제2 예비 신호(XATP2)는 반사광(RGT)과 주변광(AGT)을 더한 빛에 의한 상기 센싱 픽셀(PIX)의 검출 전류(Idt)에 기초한 대응하는 데이터 라인(DL)의 전기적 신호가 된다.
또한, 상기 센싱 단계(T_SEN)에서는, 센싱 데이터(DATS)가 생성된다. 이때, 상기 센싱 데이터(DATS)는 상기 제1 예비 신호(XATP1)와 상기 제2 예비 신호(XATP2)의 차이를 반영한다.
예로서, 상기 센싱 데이터(DATS)는 상기 제2 예비 신호(XATP2)의 데이터값에서 상기 제1 예비 신호(XATP1)의 데이터값을 뺀 값을 바탕으로 생성된다.
이 경우, 상기 센싱 데이터(SATS)는 주변광(ART)를 배제한 반사광(RGT)만에 의한 상기 센싱 픽셀(PIX)의 검출 전류(Idt)에 기초한 대응하는 데이터 라인(DL)의 전기적 신호를 반영한 값으로 된다.
본 발명의 지문 센싱 방법은 상기 예비 단계(T_PRE)는 예비 리셋 타이밍(P_RST)을 포함하며, 상기 센싱 단계(T_SEN)는 센싱 리셋 타이밍(S_RST)을 구비하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 상기 센싱 리셋 타이밍(S_RST)은 센싱 리셋 신호(XDRT)(도 3a의 센싱 픽셀인 경우) 또는 셀 리셋 신호(XSRT)(도 3b의 센싱 픽셀인 경우)의 활성화 동안에 수행된다.
본 실시예에서, 상기 리셋 타이밍들(P_RST, S_RST)은 상대적으로 짧은 기간에 수행될 수 있다. 그러므로 도 4 내지 도 7에서는, 화살표(↑)로 도시되는데, 이는 도시의 편의를 위한 것이다.
상기 예비 리셋 타이밍(P_RST)은 상기 예비 단계(T_PRE)의 시작 시점에서 진행되며, 상기 센싱 리셋 타이밍(S_RST)은 상기 센싱 단계(T_SEN)의 시작 시점에서 진행된다.
상기 예비 리셋 타이밍(P_RST)은 상기 '일차 광원 상태'에서 상기 픽셀 어레이(100)의 상기 복수개의 픽셀(PIX)들을 초기화하며, 상기 센싱 리셋 타이밍(S_RST)은 상기 '이차 광원 상태'에서 상기 픽셀 어레이(100)의 상기 복수개의 픽셀(PIX)들을 초기화한다.
상기 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 상기 센싱 리셋 타이밍(S_RST)이 수행됨으로써, 상기 예비 단계(T_PRE)에서의 제1 예비 신호(XATP1) 및 상기 센싱 단계(T_SEN)에서의 제2 예비 신호(XATP2)의 센싱이 정확히 수행될 수 있다.
한편, 본 발명의 지문 센싱 방법은 상기와 같은 기본 동작을 근거하여, 다양한 형태로 구현될 수 있다.
계속하여, 본 발명의 지문 센싱 방법의 구현예들로서, 픽셀 단위 진행, 라인 단위 진행 및 프레임 단위 진행이 서로 비교되어 기술된다.
(본 발명의 지문 센싱 방법-픽셀 단위 진행)
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 지문 센싱 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 5의 지문 센싱 방법에서는, 상기 예비 단계(T_PRE) 및 상기 센싱 단계(T_SEN)가 픽셀 단위로 진행된다.
즉, 특정된 하나의 센싱 픽셀(PIX)에 대한 예비 단계(T_PRE)가 수행된 후, 이어서 상기 특정된 하나의 센싱 픽셀(PIX)에 대한 센싱 단계(T_SEN)가 수행된다.
예를 들면, 1번째 게이트 라인(GL<1>)과 1번째 데이터 라인(DL<1>)에 의하여 특정되는 센싱 픽셀(PIX<1,1>)에 대한 예비 단계(T_PRE<1,1>)가 수행된 후, 곧바로 상기 센싱 픽셀(PIX<1,1>)에 대한 센싱 단계(T_SEN<1,1>)가 수행된다.
참고로, 상기 예비 단계(T_PRE<1,1>)에서는, 상기 센싱 픽셀(PIX<1,1>)의 제1 예비 신호(XATP1<1,1>)가 센싱된다. 그리고 상기 센싱 단계(T_SEN<1,1>)에서는, 상기 센싱 픽셀(PIX<1,1>)의 제2 예비 신호(XATP2<1,1>)가 센싱된다. 또한, 상기 센싱 단계(T_SEN<1,1>)에서는, 상기 제1 예비 신호(XATP1<1,1>) 및 상기 제2 예비 신호(XATP2<1,1>)의 차이에 기초한 센싱 데이터(DATS<1,1>)가 생성된다.
상기 센싱 픽셀(PIX<1,1>)에 대한 센싱 단계(T_SEN<1,1>)가 수행된 후, 센싱 픽셀(PIX<1,2>)에 대한 예비 단계(T_PRE<1,2>)가 진행된다.
도 5의 지문 센싱 방법에서, 상기 예비 단계(T_PRE) 및 상기 센싱 단계(T_SEN)은 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 센싱 리셋 타이밍(S_RST)을 구비하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 상기 센싱 리셋 타이밍(S_RST)은 상기 센싱 픽셀(PIX)의 특정시마다 진행된다. 예로서, 센싱 픽셀(PIX<1,1>)에 대한 예비 단계(T_PRE<1,1>) 및 센싱 단계(T_SEN<1,1>)의 수행 시작 시점에서 상기 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 상기 센싱 리셋 타이밍(S_RST)이 수행된다. 또한, 센싱 픽셀(PIX<1,2>)에 대한 예비 단계(T_PRE<1,2>) 및 센싱 단계(T_SEN<1,2>)의 수행 시작 시점에서 상기 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 상기 센싱 리셋 타이밍(S_RST)이 수행된다.
도 5의 지문 센싱 방법에서는, 각 센싱 픽셀(PIX)에 대한 센싱 단계(T_SEN)가 특정되는 상기 센싱 픽셀(PIX)의 상기 예비 단계(T_PRE)의 수행 후마다 바로 진행된다. 그러므로, 도 5의 지문 센싱 방법에 의하여, 생성되는 센싱 데이터(DATS)의 정확도가 상대적으로 높다.
반면에, 도 5의 지문 센싱 방법은 각 센싱 픽셀(PIX)의 특정시마다 '광원 오프 상태' 및 '광원 온 상태'가 반복되므로, 소모 전류가 크며, 동작 속도가 느리다.
(본 발명의 지문 센싱 방법-라인 단위 진행)
도 6은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 지문 센싱 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 6의 지문 센싱 방법에서는, 상기 예비 단계(T_PRE) 및 상기 센싱 단계(T_SEN)가 라인 단위로 진행된다.
구체적으로, 상기 예비 단계(T_PRE)에서는, 상기 '광원 오프 상태' 및 상기 '광원 온 상태' 중의 어느 하나가 지속되는 상기 일차 광원 상태(본 실시예에서는, 상기 '광원 오프 상태'가 지속되는 상태)에서, 제1 내지 제n 게이트 라인(GL<1> 내지 GL<n>) 중의 어느 하나인 특정 게이트 라인(예, GL<1>)에 대응하는 상기 센싱 픽셀들(PIX<1,1> 내지 PIX<1,m>)의 제1 예비 신호(XATD1<1,1:m>)들 모두가 센싱된다.
그리고, 상기 센싱 단계(T_SEN)에서는, 상기 '광원 오프 상태' 및 상기 '광원 온 상태' 중의 다른 어느 하나가 지속되는 상기 이차 광원 상태(본 실시예에서는, 상기 '광원 온 상태'가 지속되는 상태)에서, 상기 특정 게이트 라인(예, GL<1>)에 대응하는 상기 센싱 픽셀들(PIX<1,1> 내지 PIX<1,m>)의 제2 예비 신호들(XATD2<1,1:m>) 모두가 된다. 이때, 상기 특정 게이트 라인(예, GL<1>)에 대응하는 상기 센싱 픽셀들(PIX<1,1> 내지 PIX<1,m>)의 센싱 데이터들(DATS<1,1:m>) 모두가 발생된다.
즉, 제1 게이트 라인(GL<1>)에 연결된 센싱 픽셀들(PIX<1,1> 내지 PIX<1,m>)에 대한 예비 단계(T_PRE<1>)가 수행된 후, 곧바로 제1 게이트 라인(GL<1>)에 연결된 센싱 픽셀들(PIX<1,1> 내지 PIX<1,m>)에 대한 센싱 단계(T_SEN<1>)가 수행된다.
삭제
삭제
여기서, 상기 센싱 단계(T_SEN<1>)에서 생성되는 센싱 데이터들(DATS<1,1:m>)은, 대응하는 상기 제1 예비 신호(XATP1<1,1:m>) 및 상기 제2 예비 신호(XATP2<1,1:m>)의 차이에 기초한다.
그리고, 도 6의 지문 센싱 방법에서는, 제1 게이트 라인(GL<1>)에 연결된 센싱 픽셀들(PIX<1,1:m>)에 대한 센싱 단계(T_SEN<1>)가 수행된 후, 제2 게이트 라인(GL<2>)에 연결된 센싱 픽셀들(PIX<2,1:m>)에 대한 예비 단계(T_PRE<2>)가 진행된다.
도 6의 지문 센싱 방법에서, 상기 예비 단계(T_PRE) 및 상기 센싱 단계(T_SEN)는 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 센싱 리셋 타이밍(S_RST)을 구비하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 상기 센싱 리셋 타이밍(S_RST)은 특정되는 상기 게이트 라인(GL)의 첫번째 상기 센싱 픽셀(PIX)의 특정시마다 진행된다.
예를 들면, 제1 게이트 라인(GL<1>)의 1번째 센싱 픽셀(PIX<1,1>)에 대한 예비 단계(T_PRE<1>) 및 센싱 단계(T_SEN<1>)의 수행 시작 시점에서 상기 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 상기 센싱 리셋 타이밍(S_RST)이 수행된다. 또한, 제2 게이트 라인(GL<2>)의 1번째 센싱 픽셀(PIX<2,1>)에 대한 예비 단계(T_PRE<2>) 및 센싱 단계(T_SEN<2>)의 수행 시작 시점에서 상기 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 상기 센싱 리셋 타이밍(S_RST)이 수행된다.(CASE21 참조)
바림직하기로는, 상기 예비 단계(T_PRE) 및 상기 센싱 단계(T_SEN)은 부가 예비 리셋 타이밍(P_RSTa) 및 부가 센싱 리셋 타이밍(S_RSTa)을 더 구비한다.
상기 부가 예비 리셋 타이밍(P_RSTa)에서는, 상기 일차 광원 상태에서, 상기 특정 게이트 라인(예, GL<1>)의 (p+1)(여기서, p는 m보다 작은 2 이상의 자연수)번째 상기 센싱 픽셀(PIX<1,p+1>)의 특정에 따라 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀(PIX)들이 초기화된다.
그리고, 상기 부가 센싱 리셋 타이밍(S_RSTa)에서는, 상기 이차 광원 상태에서, 상기 특정 게이트 라인(예, GL<1>)의 (p+1)번째 상기 센싱 픽셀(PIX<1,p+1>)의 특정에 따라 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀(PIX)들이 초기화된다.
예로서, 상기 부가 예비 리셋 타이밍(P_RSTa) 및 상기 부가 센싱 리셋 타이밍(S_RSTa)에서는, 제1번째 게이트 라인(GL<1>)의 m/2개의 상기 센싱 픽셀(PIX<1,1:m/2)들에 대한 제1 예비 신호(XATD1) 및 제2 예비 신호(XATD2)의 진행 후, 상기 센싱 픽셀(PIX<1,m/2+1>)의 특정시마다 추가적으로 진행된다.(CASE22 참조)
삭제
CASE22의 경우에는, CASE11의 경우에 비하여, 상기 제1 예비 신호(XATP1) 및상기 제2 예비 신호(XATP2)의 센싱에 대한 정확도가 향상된다.
정리하면, 도 6의 지문 센싱 방법에 의하여, 생성되는 센싱 데이터(DATS)의 정확도가 상대적으로 중간 정도이다. 그리고 도 6의 지문 센싱 방법은 각 게이트 라인(GL)의 특정시마다 '광원 오프 상태' 및 '광원 온 상태'가 반복되므로, 소모 전류가 중간 정도이며, 동작 속도도 중간 정도이다.
(본 발명의 지문 센싱 방법-프레임 단위 진행)
도 7은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 지문 센싱 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 7의 지문 센싱 방법에서는, 상기 예비 단계(T_PRE) 및 상기 센싱 단계(T_SEN)가 프레임 단위로 진행된다.
구체적으로, 상기 예비 단계(T_PRE)에서는, 상기 '광원 오프 상태' 및 상기 '광원 온 상태' 중의 어느 하나가 지속되는 상기 일차 광원 상태(본 실시예에서는, 상기 '광원 오프 상태'가 지속되는 상태)에서, 상기 하나의 프레임을 구성하는 전체의 센싱 픽셀들(PIX<1,1> 내지 PIX<n,m>)의 제1 예비 신호(XATD1<1,1> 내지 XATD1<n,m>)들 모두가 센싱된다.
그리고, 상기 센싱 단계(T_SEN)에서는, 상기 '광원 오프 상태' 및 상기 '광원 온 상태' 중의 다른 어느 하나가 지속되는 상기 이차 광원 상태(본 실시예에서는, 상기 '광원 온 상태'가 지속되는 상태)에서, 상기 하나의 프레임을 구성하는 전체의 센싱 픽셀들(PIX<1,1> 내지 PIX<n,m>)의 제2 예비 신호들(XATD2<1,1> 내지 XATD2<n,m>) 모두가 된다. 이때, 상기 하나의 프레임을 구성하는 전체의 센싱 픽셀들(PIX<1,1> 내지 PIX<n,m>)의 센싱 데이터들(DATS<1,1> 내지 DATS<n,m>) 모두가 발생된다.
여기서, 상기 센싱 단계(T_SEN<1>)에서 생성되는 센싱 데이터들(DATS<1,1> 내지 DATS<n,m>)은, 대응하는 상기 제1 예비 신호(XATD1<1,1> 내지 XATD1<n,m>) 및 상기 제2 예비 신호(XATD2<1,1> 내지 XATD2<n,m>)의 차이에 기초한다.
도 7의 지문 센싱 방법에서, 상기 예비 단계(T_PRE) 및 상기 센싱 단계(T_SEN)는 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 센싱 리셋 타이밍(S_RST)을 구비하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 센싱 리셋 타이밍(S_RST)은 상기 하나의 프레임의 첫번째 상기 센싱 픽셀(PIX)의 특정시마다 진행된다. 즉, 제1 게이트 라인(GL<1>)의 1번째 센싱 픽셀(PIX<1,1>)에 대한 예비 단계(T_PRE<1>) 및 센싱 단계(T_SEN<1>)의 수행 시작 시점에서 상기 예비 리셋 타이밍(P_RST) 및 상기 센싱 리셋 타이밍(S_RST)이 수행된다.(CASE31 참조)
바림직하기로는, 상기 예비 단계(T_PRE) 및 상기 센싱 단계(T_SEN)은 부가 예비 리셋 타이밍(P_RSTa) 및 부가 센싱 리셋 타이밍(S_RSTa)을 더 구비한다.
상기 부가 예비 리셋 타이밍(P_RSTa)에서는, 상기 일차 광원 상태에서, 상기 제(q+1)(여기서, q는 n보다 작은 자연수) 게이트 라인(GL<q+1>)과 제1 데이터 라인(DL<1>)에 대응하는 상기 센싱 픽셀(PIX<q+1,1>)의 특정에 따라 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀(PIX)들이 초기화된다.
그리고, 상기 부가 센싱 리셋 타이밍(S_RSTa)에서는, 상기 이차 광원 상태에서, 상기 제(q+1) 게이트 라인(GL<q+1>)과 제1 데이터 라인(DL<1>)에 대응하는 상기 센싱 픽셀(PIX<q+1,1>)의 특정에 따라 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀(PIX)들이 초기화된다.
예들 들면, 상기 부가 예비 리셋 타이밍(P_RSTa) 및 상기 부가 센싱 리셋 타이밍(S_RSTa)에서는, 제3 게이트 라인(GL<3>)과 제1 데이터 라인(DL<1>)에 대응하는 상기 센싱 픽셀(PIX<3,1>)의 특정에 따라 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀(PIX)들이 초기화된다.(CASE32 참조)
삭제
CASE32의 경우에는, CASE31의 경우에 비하여, 상기 제1 예비 신호(XATP1) 및상기 제2 예비 신호(XATP2)의 센싱에 대한 정확도가 향상된다.
정리하면, 도 7의 지문 센싱 방법에 의하여, 생성되는 센싱 데이터(DATS)의 정확도가 상대적으로 낮다. 반면에, 도 7의 지문 센싱 방법은 프레임이 바뀔 때만 '광원 오프 상태' 및 '광원 온 상태'가 반복되므로, 소모 전류가 상대적으로 적으며, 동작 속도가 상대적으로 빠르다.
최종 정리하면, 본 발명의 지문 센싱 방법에서는, 주변광(ART)를 배제하고 손가락(FGN) 부위에 반사된 반사광(RGT)에 센싱 데이터(DATS)가 획득된다. 즉, 본 발명의 지문 센싱 방법에 의하면, 주변광에 따른 영향이 저감되어, 효과적으로 손가락 지문의 인식이 가능하게 된다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 픽셀 어레이를 이용하여, 손가락의 지문을 광학적으로 센싱하는 광학식 지문 센싱 방법에 있어서,
    상기 픽셀 어레이는
    하나의 프레임을 구성하며, 순서적으로 특정되는 제1 내지 제n(여기서, n은 2 이상의 자연수) 게이트 라인과 순서적으로 특정되는 제1 내지 제m(여기서, m은 2 이상의 자연수) 데이터 라인으로 이루어지는 매트릭스 구조상에 배열되는 복수개의 센싱 픽셀들로서, 각각이 대응하는 상기 게이트 라인과 대응하는 상기 데이터 라인에 의하여 특정되며, 수신되는 빛에 의해 검출 전류를 발생하고, 대응하는 상기 게이트 라인의 선택에 따라 각자에 대응하는 상기 데이터 라인으로 상기 검출 전류를 전기적 신호로 발생하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들을 포함하며,
    상기 광학식 지문 센싱 방법은
    광원 오프 상태 및 광원 온 상태 중의 어느 하나가 지속되는 일차 광원 상태에서, 제1 내지 제n 게이트 라인 중의 어느 하나인 특정 게이트 라인에 대응하는 상기 센싱 픽셀들의 제1 예비 신호들 모두를 센싱하는 예비 단계로서, 상기 제1 예비 신호들 각각은 상기 일차 광원 상태에서의 대응하는 상기 센싱 픽셀의 전기적 신호이며, 상기 광원 오프 상태는 광원이 오프(off)된 상태이며, 상기 광원 온 상태는 상기 광원이 온(on)된 상태인 상기 예비 단계; 및
    상기 광원 오프 상태 및 상기 광원 온 상태 중의 다른 어느 하나가 지속되는 이차 광원 상태에서, 상기 특정 게이트 라인에 대응하는 상기 센싱 픽셀들의 제2 예비 신호들 모두를 센싱하여, 상기 특정 게이트 라인에 대응하는 상기 센싱 픽셀들의 센싱 데이터들 모두를 발생하는 센싱 단계로서, 상기 제2 예비 신호들 각각은 상기 이차 광원 상태에서의 대응하는 상기 센싱 픽셀의 전기적 신호이며, 상기 센싱 데이터들 각각은 대응하는 상기 센싱 픽셀의 상기 제1 예비 신호와 상기 제2 예비 신호의 전기적 성분의 차이를 반영하는 상기 센싱 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 광학식 지문 센싱 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 예비 단계는
    상기 일차 광원 상태에서, 상기 특정 게이트 라인의 첫번째 상기 센싱 픽셀의 특정에 따라 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들을 초기화하는 예비 리셋 타이밍을 포함하며,
    상기 센싱 단계는
    상기 이차 광원 상태에서, 상기 특정 게이트 라인의 첫번째 상기 센싱 픽셀의 특정에 따라 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들을 초기화하는 센싱 리셋 타이밍을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학식 지문 센싱 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 예비 단계는
    상기 일차 광원 상태에서, 상기 특정 게이트 라인의 (p+1)(여기서, p는 m보다 작은 2 이상의 자연수)번째 상기 센싱 픽셀의 특정에 따라 상기 픽셀 어레이의 상기 복수개의 센싱 픽셀들을 초기화하는 부가 예비 리셋 타이밍을 더 포함하며,
    상기 센싱 단계는
    상기 이차 광원 상태에서, 상기 특정 게이트 라인의 상기 (p+1)번째 상기 센싱 픽셀의 특정에 따라 상기 픽셀 어레이의 상기 복수개의 센싱 픽셀들을 초기화하는 부가 센싱 리셋 타이밍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학식 지문 센싱 방법.
  7. 픽셀 어레이를 이용하여, 손가락의 지문을 광학적으로 센싱하는 광학식 지문 센싱 방법에 있어서,
    상기 픽셀 어레이는
    하나의 프레임을 구성하며, 순서적으로 특정되는 제1 내지 제n(여기서, n은 2 이상의 자연수) 게이트 라인과 순서적으로 특정되는 제1 내지 제m(여기서, m은 2 이상의 자연수) 데이터 라인으로 이루어지는 매트릭스 구조상에 배열되는 복수개의 센싱 픽셀들로서, 각각이 대응하는 상기 게이트 라인과 대응하는 상기 데이터 라인에 의하여 특정되며, 수신되는 빛에 의해 검출 전류를 발생하고, 대응하는 상기 게이트 라인의 선택에 따라 각자에 대응하는 상기 데이터 라인으로 상기 검출 전류를 전기적 신호로 발생하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들을 포함하며,
    상기 광학식 지문 센싱 방법은
    광원 오프 상태 및 광원 온 상태 중의 어느 하나가 지속되는 일차 광원 상태에서, 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들의 제1 예비 신호들 모두를 센싱하는 예비 단계로서, 상기 제1 예비 신호들 각각은 상기 일차 광원 상태에서의 대응하는 상기 센싱 픽셀의 전기적 신호이며, 상기 광원 오프 상태는 광원이 오프(off)된 상태이며, 상기 광원 온 상태는 상기 광원이 온(on)된 상태인 상기 예비 단계; 및
    상기 광원 오프 상태 및 상기 광원 온 상태 중의 다른 어느 하나가 지속되는 이차 광원 상태에서, 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들의 제2 예비 신호들 모두 센싱하여, 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들의 센싱 데이터들 모두를 발생하는 센싱 단계로서, 상기 제2 예비 신호들 각각은 상기 이차 광원 상태에서의 대응하는 상기 센싱 픽셀의 전기적 신호이며, 상기 센싱 데이터들 각각은 대응하는 상기 센싱 픽셀의 상기 제1 예비 신호와 상기 제2 예비 신호의 전기적 성분의 차이를 반영하는 상기 센싱 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 광학식 지문 센싱 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 예비 단계는
    상기 일차 광원 상태에서, 상기 제1 게이트 라인과 상기 제1 데이터 라인에 대응하는 상기 센싱 픽셀의 특정에 따라 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들 전체를 초기화하는 예비 리셋 타이밍을 포함하며,
    상기 센싱 단계는
    상기 이차 광원 상태에서, 상기 제1 게이트 라인과 상기 제1 데이터 라인에 대응하는 상기 센싱 픽셀의 특정에 따라 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들 전체를 초기화하는 센싱 리셋 타이밍을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학식 지문 센싱 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 예비 단계는
    상기 일차 광원 상태에서, 제(q+1)(여기서, q는 n보다 작은 자연수) 게이트 라인과 상기 제1 데이터 라인에 대응하는 상기 센싱 픽셀의 특정에 따라 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들 전체를 초기화하는 부가 예비 리셋 타이밍을 더 포함하며,
    상기 센싱 단계는
    상기 이차 광원 상태에서, 상기 제(q+1) 게이트 라인과 상기 제1 데이터 라인에 대응하는 상기 센싱 픽셀의 특정에 따라 상기 하나의 프레임을 구성하는 상기 복수개의 센싱 픽셀들 전체를 초기화하는 부가 센싱 리셋 타이밍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학식 지문 센싱 방법.
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