KR101885104B1 - Apparatus for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 기판 처리가 수행되는 제1공간이 내부에 형성된 제1챔버; 상기 제1챔버의 상부에 위치하며, 기판 처리가 수행되는 제2공간이 내부에 형성된 제2챔버; 상기 제1챔버 및 상기 제2챔버와 연결되며, 상기 제1공간과 상기 제2공간에 머무르는 가스를 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 제1챔버와 상기 제2챔버의 일측에 위치하며, 상기 제1공간 및 상기 제2공간과 연통되는 공간이 내부에 형성된 몸체; 및 상기 몸체 내에 위치하며, 상기 몸체 내의 가스를 흡입하는 배기홀가 형성된 배기관을 포함한다.A substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus includes: a first chamber in which a first space in which substrate processing is performed is formed; A second chamber located above the first chamber and having a second space therein in which substrate processing is performed; And an exhaust unit connected to the first chamber and the second chamber and exhausting gas staying in the first space and the second space, wherein the exhaust unit is disposed on one side of the first chamber and the second chamber A body having a space communicated with the first space and the second space; And an exhaust pipe formed in the body and having an exhaust hole for sucking gas in the body.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자 또는 평판 표시 장치를 제조하기 위한 공정들 중, 포토리소그래피 공정은 기판에 감광막을 도포하는 도포 공정과 도포된 감광막을 건조하는 베이크 공정을 포함한다.Among the processes for manufacturing a semiconductor device or a flat panel display device, the photolithography process includes an application process of applying a photosensitive film to a substrate and a baking process of drying the applied photosensitive film.

베이크 공정을 수행하는 장치는 상하방향으로 적측된 복수개의 챔버들을 포함한다. 기판은 챔버들 내부에 각각 제공되며, 챔버 내에서 감광액이 건조된다. 베이크 공정이 수행되는 동안, 감광막에 잔류하는 유기용제가 증발되어 가스 상태로 챔버 내부에 잔류한다. 가스는 각 챔버들과 연결된 배기 유닛의 배기압력에 의해 외부로 배기된다.The apparatus for performing the bake process includes a plurality of chambers vertically deflected. The substrate is provided inside the chambers, respectively, and the photosensitive liquid is dried in the chamber. During the baking process, the organic solvent remaining in the photoresist film evaporates and remains in the chamber in the gaseous state. The gas is exhausted to the outside by the exhaust pressure of the exhaust unit connected to each of the chambers.

챔버들이 상하방향으로 적층됨으로 인하여, 각 챔버들에 전달되는 배기압력을 균일하게 하는 것이 용이하지 않다. 각 챔버들에 서로 상이한 크기의 배기 압력이 전달되는 경우, 챔버들로부터 배기되는 가스의 유량이 달라지며, 이러한 유량 차이는 감광막의 건조량을 상이하게 한다.Since the chambers are stacked in the vertical direction, it is not easy to make the exhaust pressure delivered to each chamber uniform. When exhaust pressures of different sizes are delivered to the respective chambers, the flow rate of the gas exhausted from the chambers is varied, and this difference in flow rate makes the dry amount of the photoresist film different.

본 발명의 실시예들은 복수개의 챔버들에서 기판이 균일하게 처리될 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. Embodiments of the present invention provide a substrate processing apparatus in which a substrate can be uniformly processed in a plurality of chambers.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리가 수행되는 제1공간이 내부에 형성된 제1챔버; 상기 제1챔버의 상부에 위치하며, 기판 처리가 수행되는 제2공간이 내부에 형성된 제2챔버; 상기 제1챔버 및 상기 제2챔버와 연결되며, 상기 제1공간과 상기 제2공간에 머무르는 가스를 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 제1챔버와 상기 제2챔버의 일측에 위치하며, 상기 제1공간 및 상기 제2공간과 연통되는 공간이 내부에 형성된 몸체; 및 상기 몸체 내에 위치하며, 상기 몸체 내의 가스를 흡입하는 배기홀가 형성된 배기관을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a first chamber having a first space therein in which substrate processing is performed; A second chamber located above the first chamber and having a second space therein in which substrate processing is performed; And an exhaust unit connected to the first chamber and the second chamber and exhausting gas staying in the first space and the second space, wherein the exhaust unit is disposed on one side of the first chamber and the second chamber A body having a space communicated with the first space and the second space; And an exhaust pipe formed in the body and having an exhaust hole for sucking gas in the body.

또한, 상기 배기 유닛은 상기 제1공간과 상기 몸체 내부를 연결하는 제1연결 통로; 및 상기 제2공간과 상기 몸체 내부를 연결하는 제2연결 통로를 포함하며, 상기 배기홀은 상기 제1연결 통로 및 상기 제2연결 통로로부터 동일한 거리에 위치할 수 있다. The exhaust unit may include: a first connection passage connecting the first space and the inside of the body; And a second connection passage connecting the second space and the inside of the body, and the exhaust hole may be located at the same distance from the first connection passage and the second connection passage.

또한, 상기 배기 유닛은 상기 몸체의 내부와 상기 제1공간을 연결하며, 제1높이에 위치되는 제1연결 통로; 및 상기 몸체의 내부와 상기 제2공간을 연결하며, 상기 제1높이보다 높은 제2높이에 위치하는 제2연결 통로를 포함하며, 상기 배기홀는 상기 제1높이보다 높고 상기 제2높이보다 낮은 제3높이에 위치할 수 있다.The exhaust unit may include a first connection passage connecting the inside of the body and the first space, the first connection passage being located at a first height; And a second connection passage connecting the inside of the body and the second space, the second connection passage being located at a second height higher than the first height, wherein the exhaust hole has a height higher than the first height and lower than the second height, 3 < / RTI >

또한, 상기 제3높이와 상기 제1높이의 차이는 상기 제2높이와 상기 제3높이 차이와 동일할 수 있다.The difference between the third height and the first height may be equal to the difference between the second height and the third height.

또한, 상기 배기관은 제1측벽; 상기 제1측벽과 상기 챔버들 사이에 위치하며, 상기 제1측벽과 나란하게 배치되는 제2측벽; 및 상기 제1측벽의 상단과 상기 제2측벽의 상단을 연결하는 상부벽을 포함하되, 상기 배기홀는 상기 제1측벽에 형성될 수 있다.The exhaust pipe may include a first side wall; A second sidewall positioned between the first sidewall and the chambers and disposed in parallel with the first sidewall; And an upper wall connecting the upper end of the first sidewall and the upper end of the second sidewall, wherein the exhaust hole may be formed in the first sidewall.

본 발명의 실시예에 의하면, 복수개의 챔버들로부터 배기되는 가스 유량이 균일하므로, 챔버들 각각에서 기판 처리가 균일하게 이루어질 수 있다.According to the embodiment of the present invention, since the gas flow rate discharged from the plurality of chambers is uniform, the substrate processing can be uniformly performed in each of the chambers.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a process of processing a substrate using the substrate processing apparatus of FIG.
3 is a view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
4 is a view showing a process of processing a substrate using the substrate processing apparatus of FIG.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다. 1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 제1챔버(110), 제2챔버(120), 기판 지지부(131, 132), 그리고 배기 유닛(200)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes a first chamber 110, a second chamber 120, substrate supports 131 and 132, and an exhaust unit 200.

제1챔버(110)와 제2챔버(120)는 기판(W) 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 제2챔버(120)는 제1챔버(110)의 상부에 위치한다. 제2챔버(120)는 제1챔버(110)로부터 소정 간격으로 이격될 수 있다. 이와 달리, 제2챔버(120)는 제1챔버(110)에 적층될 수 있다. 제1챔버(110) 내부에는 제1공간(111)이 형성되고, 제2챔버(120) 내부에는 제2공간(121)이 형성된다. 제1공간(111)과 제2공간(121) 각각에는 기판 지지부(131, 132)가 위치한다. 기판 지지부(131, 132)는 기판(W)을 지지한다. 기판(W)은 기판 지지부(131, 132)의 상면에 각각 놓인다. 기판(W)은 반도체 제조 공정에 제공되는 웨이퍼와 평판 디스플레이용 패널을 포함한다. 기판 지지부(131, 132)의 내부에는 히터(미도시)가 제공될 수 있다. 히터는 외부 전원에서 공급된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 기판 지지부(131, 132)를 통해 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 가열한다. 기판(W)으로 전달된 열은 기판(W) 표면에 도포된 감광막을 건조시킨다. 감광막에 잔류하는 유기용제는 기화되어 가스 상태로 제1 및 제2공간(111, 121) 내부에 머무른다. 가스는 배기 유닛(200)을 통해 제1 및 제2챔버(110 내지 120) 외부로 배기된다.The first chamber 110 and the second chamber 120 provide a space in which the substrate W processing is performed. The second chamber 120 is located at the top of the first chamber 110. The second chamber 120 may be spaced apart from the first chamber 110 by a predetermined distance. Alternatively, the second chamber 120 may be laminated to the first chamber 110. A first space 111 is formed in the first chamber 110 and a second space 121 is formed in the second chamber 120. Substrate supports 131 and 132 are positioned in the first space 111 and the second space 121, respectively. The substrate supports 131 and 132 support the substrate W. The substrate W is placed on the upper surface of the substrate supporting portions 131 and 132, respectively. The substrate W includes a wafer and a panel for a flat panel display provided in a semiconductor manufacturing process. A heater (not shown) may be provided inside the substrate supporting portions 131 and 132. The heater generates heat by resisting the current supplied from the external power source. The generated heat is transferred to the substrate W through the substrate supporting portions 131 and 132 to heat the substrate W. [ The heat transferred to the substrate W dries the photosensitive film applied to the surface of the substrate W. [ The organic solvent remaining in the photoresist film is vaporized and stays in the first and second spaces 111 and 121 in a gaseous state. The gas is exhausted to the outside of the first and second chambers 110 to 120 through the exhaust unit 200.

배기 유닛(200)은 몸체(210), 제1 및 제2 연결 통로(221, 222), 배기관(230), 배기 라인(240), 그리고 감압 부재(250)를 포함한다. 몸체(210)는 제1 및 제2 챔버(110, 120)의 일측에 위치한다. 몸체(210)는 제1 및 제2 챔버(110, 120)가 적층된 높이에 상응하는 높이를 가진다. 몸체(210) 내부에는 공간(211)이 형성된다. 제1챔버(110)와 몸체(210) 사이에는 제1연결 통로(221)가 형성되고, 제2챔버(120)와 몸체(210) 사이에는 제2연결 통로(222)가 형성된다. 제1연결 통로(221)는 제1높이(H1)에 위치하고, 제2연결 통로(222)는 제1높이(H1)보다 높은 제2높이(H2)에 위치한다. 제1연결 통로(221)는 몸체 내부(211)와 제1공간(111)을 연결하고, 제2연결 통로(222)는 몸체 내부(211)와 제2공간(121)을 연결한다. 제1 및 제2 연결 통로(221, 222)에 의하여 제1공간(111)과 제2공간(121)은 각각 몸체 내부(211)와 연통된다. 제1 및 제2공간(111, 121)에서 발생된 가스는 연결 통로(221, 222)들을 통하여 몸체 내부(211)로 이동한다.The exhaust unit 200 includes a body 210, first and second connection passages 221 and 222, an exhaust pipe 230, an exhaust line 240, and a pressure-reducing member 250. The body 210 is located at one side of the first and second chambers 110 and 120. The body 210 has a height corresponding to the height at which the first and second chambers 110 and 120 are stacked. A space 211 is formed in the body 210. A first connection passage 221 is formed between the first chamber 110 and the body 210 and a second connection passage 222 is formed between the second chamber 120 and the body 210. The first connection passage 221 is located at the first height H1 and the second connection passage 222 is located at the second height H2 which is higher than the first height H1. The first connection passage 221 connects the inside of the body 211 with the first space 111 and the second connection passage 222 connects the inside of the body 211 with the second space 121. The first space 111 and the second space 121 communicate with the inside of the body 211 by the first and second connection passages 221 and 222, respectively. The gas generated in the first and second spaces 111 and 121 moves to the inside of the body 211 through the connection passages 221 and 222.

몸체 내부(211)에는 배기관(230)이 제공된다. 배기관(230)은 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 배기관(230)은 제1측벽(231), 제2측벽(232), 그리고 상부벽(233)을 가진다. 제1측벽(231)은 상하방향과 나란하게 배치된다. 제2측벽(232)은 제1 및 제2챔버(110, 120)와 제1측벽(231) 사이에 위치하며, 제1측벽(231)과 나란하게 배치된다. 상부벽(233)은 제1측벽(231)의 상단과 제2측벽(232)의 상단을 연결한다. 상부벽(233)에 의해 배기관(230)의 끝단은 밀폐되다. 상술한 제1 및 제2측벽(231, 232), 그리고 상부벽(233)에 의해 배기관(230) 내부에는 배기 통로(234)가 형성된다. 배기관(230)에는 배기홀(235)가 형성된다. 배기홀(253)는 몸체 내부(211)에 머무르는 가스를 흡입한다. 배기홀(235)를 통해 흡입된 가스는 배기 통로(234)로 이동한다. 배기홀(235)는 제1측벽(231)에 형성될 수 있다. 배기홀(235)는 제3높이(H3)에 위치될 수 있다. 제3높이(H3)는 제1높이(H1)보다 높고 제2높이(H2)보다 낮다. 제3높이(H3)와 제1높이(H1)의 차이는 제2높이(H2)와 제3높이(H3)의 차이와 동일할 수 있다.The inside of the body 211 is provided with an exhaust pipe 230. The exhaust pipe 230 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the up-and-down direction. The exhaust pipe 230 has a first side wall 231, a second side wall 232, and an upper wall 233. The first side wall 231 is disposed in parallel with the up and down direction. The second sidewall 232 is located between the first and second chambers 110 and 120 and the first sidewall 231 and is disposed in parallel with the first sidewall 231. The upper wall 233 connects the upper end of the first side wall 231 with the upper end of the second side wall 232. The upper end of the exhaust pipe 230 is closed by the upper wall 233. The exhaust passage 234 is formed in the exhaust pipe 230 by the first and second sidewalls 231 and 232 and the upper wall 233 described above. An exhaust hole 235 is formed in the exhaust pipe 230. The exhaust hole 253 sucks gas staying in the inside of the body 211. The gas sucked through the exhaust hole 235 moves to the exhaust passage 234. The exhaust hole 235 may be formed in the first sidewall 231. And the exhaust hole 235 may be located at the third height H3. The third height H3 is higher than the first height H1 and lower than the second height H2. The difference between the third height H3 and the first height H1 may be equal to the difference between the second height H2 and the third height H3.

배기관(230)의 하단에는 배기라인(250)이 연결된다. 배기 라인(250)에는 감압 부재(250)와 감압 조절 밸브(260)가 설치된다. 감압 부재(250)는 진공압을 형성한다. 진공압은 배기 라인(250)과 배기관(230)에 순차적으로 인가된다. 진공압에 의해 몸체 내부(211)에 머무르는 가스는 배기홀(235)에 유입되고, 배기 통로(234)를 통해 배기 라인(250)으로 배출된다.An exhaust line 250 is connected to the lower end of the exhaust pipe 230. The exhaust line 250 is provided with a decompression member 250 and a decompression control valve 260. The pressure-reducing member 250 forms a vacuum pressure. The vacuum pressure is sequentially applied to the exhaust line 250 and the exhaust pipe 230. Gas staying in the inside of the body 211 by the vacuum pressure flows into the exhaust hole 235 and is discharged to the exhaust line 250 through the exhaust passage 234. [

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 나타내는 도면이다.2 is a view showing a process of processing a substrate using the substrate processing apparatus of FIG.

도 2를 참조하면, 히터에서 발생된 열이 기판 지지부(131, 132)를 통해 기판(W)으로 전달되어 기판(W)이 가열된다. 기판(W) 표면에 도포된 감광막은 열에 의해 건조되며, 건조되는 과정에서 감광막에 잔류하는 유기용제가 기화된다. 기화된 유기용제는 가스 상태로 제1 및 제2공간(111, 121) 내부에 머무른다.Referring to FIG. 2, heat generated in the heater is transferred to the substrate W through the substrate supporting portions 131 and 132, and the substrate W is heated. The photoresist film coated on the surface of the substrate W is dried by heat, and the organic solvent remaining in the photoresist film is vaporized in the course of drying. The vaporized organic solvent stays inside the first and second spaces 111 and 121 in a gaseous state.

제1 및 제2공간(111, 121) 내부에 머무르는 가스는, 배기 통로(234) 및 배기홀(235)에 인가된 진공압에 의해 몸체 내부(211)로 이동한다. 제1공간(111) 내부의 가스는 제1연결 통로(221)를 통해 몸체 내부(211)로 이동하고, 제2공간(121) 내부의 가스는 제2연결 통로(222)를 통해 몸체 내부(211)로 이동한다. 제1 및 제2연결 통로(221, 222)를 통과한 가스들은 배기홀(235)을 향해 이동하며, 배기홀(235)에 흡입된다. 본 발명은 배기홀(235)이 제1 및 제2연결통로(221, 222)로부터 동일한 거리에 위치되므로, 배기홀(235)에 인가된 진공압은 제1 및 제2연결통로(221, 222) 각각에 균일한 크기의 압력으로 작용될 수 있다. 또한, 배기홀(235)은 제1 및 제2연결 통로(221, 222)를 향하는 방향과 반대 방향에 위치된 배기관 측벽(231)에 형성되므로, 제1 및 제2연결 통로(221, 222)를 빠져나온 가스는 배기관(230)을 휘돌아 배기홀(235)에 흡입된다. 이로 인해, 배기홀(235)의 진공압이 직접적으로 제1 및 제2연결 통로(221, 222)의 압력에 미치는 영향이 줄어들 수 있다. 배기홀(235)의 진공압은 몸체 내부(211)의 각 영역에 인가된 후, 제1 및 제2연결 통로(221, 222) 전달되므로, 제1 및 제2 연결 통로(221)에서 배출되는 가스의 유량 및 유속이 균일해질 수 있다.The gas staying in the first and second spaces 111 and 121 moves to the inside of the body 211 by the vacuum pressure applied to the exhaust passage 234 and the exhaust hole 235. [ The gas inside the first space 111 moves to the inside of the body 211 through the first connecting passage 221 and the gas inside the second space 121 flows through the second connecting passage 222 into the inside of the body 211). The gases having passed through the first and second connection passages 221 and 222 move toward the exhaust hole 235 and are sucked into the exhaust hole 235. Since the exhaust hole 235 is located at the same distance from the first and second connection passages 221 and 222 as described above, the vacuum pressure applied to the exhaust hole 235 is transmitted to the first and second connection passages 221 and 222 ) Can be applied to each of the pressures of uniform size. Since the exhaust hole 235 is formed in the exhaust pipe side wall 231 positioned in the opposite direction to the direction toward the first and second connection passages 221 and 222, the first and second connection passages 221 and 222, Gas is sucked into the exhaust hole 235 by swinging the exhaust pipe 230. Therefore, the influence of the vacuum pressure of the exhaust hole 235 directly on the pressures of the first and second connection passages 221 and 222 can be reduced. Since the vacuum pressure of the exhaust hole 235 is applied to the respective regions of the inside of the body 211 and then transferred to the first and second connection passages 221 and 222 and then discharged from the first and second connection passages 221 The flow rate and flow rate of the gas can be made uniform.

상술한 가스 배기 과정에 의하여, 제1 및 제2 공간(111, 121)에 머무르는 가스가 안정적으로 외부로 배기됨으로써, 제1챔버(110)에서의 기판 처리와 제2챔버(120)에서의 기판 처리가 균일하게 이루어질 수 있다.
The gas staying in the first and second spaces 111 and 121 is stably exhausted to the outside by the gas exhaust process described above so that the substrate processing in the first chamber 110 and the substrate processing in the second chamber 120 The treatment can be made uniform.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지부(110), 그리고 배기 유닛(200)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a substrate support 110, and an exhaust unit 200.

챔버(100)는 복수개가 상하방향으로 적층된다. 챔버(100a 내지 100d)들은 상하방향으로 서로 이격되어 위치될 수 있다. 각 챔버(100a 내지 100d)들 내부에는 공간이 형성된다. 챔버(100a 내지 100d)들의 내부공간은 기판(W) 처리가 수행되는 공간으로 제공된다. 챔버(100a 내지 100d)의 일 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 챔버(100a 내지 100d) 내부로 기판(W)이 이송되는 통로로 제공된다. 개구는 도어(미도시)에 의해 개폐될 수 있다.A plurality of chambers 100 are stacked in the vertical direction. The chambers 100a to 100d may be spaced apart from each other in the vertical direction. A space is formed in each of the chambers 100a to 100d. The internal spaces of the chambers 100a to 100d are provided in a space where the substrate W processing is performed. Openings (not shown) may be formed in one side wall of the chambers 100a to 100d. The opening is provided as a passage through which the substrate W is transferred into the chambers 100a to 100d. The opening can be opened or closed by a door (not shown).

챔버(100a 내지 100d)들의 내부에는 각각 기판 지지부(110)가 제공된다. 기판 지지부(110)는 기판(W)을 지지한다. 기판(W)은 기판 지지부(110)의 상면에 놓인다. 기판(W)은 반도체 제조 공정에 제공되는 웨이퍼와 평판 디스플레이용 패널을 포함한다. 기판 지지부(110)의 내부에는 히터(미도시)가 제공될 수 있다. 히터는 외부 전원에서 공급된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 기판 지지지부(110)를 통해 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 가열한다. 기판(W)으로 전달된 열은 기판(W) 표면에 도포된 감광막을 건조시킨다. 감광막이 건조되는 과정에서 감광막에 잔류하는 유기용제가 기화되어 챔버(100a 내지 100d) 내부에는 가스가 발생한다. 발생된 가스는 배기 유닛(200)을 통해 챔버(100a 내지 100d) 외부로 배기된다.Inside the chambers 100a to 100d, a substrate support 110 is provided, respectively. The substrate support 110 supports the substrate W. [ The substrate W is placed on the upper surface of the substrate support 110. The substrate W includes a wafer and a panel for a flat panel display provided in a semiconductor manufacturing process. A heater (not shown) may be provided inside the substrate support 110. The heater generates heat by resisting the current supplied from the external power source. The generated heat is transferred to the substrate W through the substrate holder 110 and heats the substrate W. [ The heat transferred to the substrate W dries the photosensitive film applied to the surface of the substrate W. [ The organic solvent remaining in the photoresist film is vaporized in the process of drying the photoresist film, and gas is generated in the chambers 100a to 100d. The generated gas is exhausted through the exhaust unit 200 to the outside of the chambers 100a to 100d.

배기 유닛(200)은 몸체(210), 연결 통로(220), 배기관(230), 배기 라인(240), 그리고 감압 부재(250)를 포함한다. 몸체(210)는 챔버(100a 내지 100d)들의 일측에 위치한다. 몸체(210)는 챔버(100a 내지 100d)들이 적층된 높이에 상응하는 높이로 제공된다. 몸체(210) 내부에는 공간(211)이 형성된다. 몸체(210)와 챔버(100a 내지 100d)들 사이에는 연결 통로(220)가 형성된다. 연결 통로(220)는 상하방향을 따라 이격하여 복수개 제공된다. 연결 통로(220)들 각각은 챔부(100a 내지 100d) 내부와 몸체 내부(211)를 연결한다. 연결 통로(220)들에 의하여 챔버(100a 내지 100d) 내부는 몸체 내부(211)와 연통된다. 챔버(100a 내지 100d) 내부에 머무르는 가스는 연결 통로(220)을 통하여 몸체 내부(211)로 이동한다.The exhaust unit 200 includes a body 210, a connection passage 220, an exhaust pipe 230, an exhaust line 240, and a pressure-reducing member 250. The body 210 is located at one side of the chambers 100a to 100d. The body 210 is provided at a height corresponding to the stacked height of the chambers 100a to 100d. A space 211 is formed in the body 210. A connection passage 220 is formed between the body 210 and the chambers 100a to 100d. A plurality of connection passages 220 are provided along the vertical direction. Each of the connection passages 220 connects the inside of the chambers 100a to 100d and the inside of the body 211. [ The inside of the chambers 100a to 100d communicates with the inside of the body 211 by the connection passages 220. [ The gas staying inside the chambers 100a to 100d moves to the inside of the body 211 through the connection passage 220. [

몸체 내부(211)에는 복수개의 배기관(230)이 제공된다. 배기관(231, 232)들은 각각 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 배기관(231, 232)들은 서로 상이한 길이를 가진다. 배기관(231, 232)들의 상면에는 배기홀(231a, 232a)이 각각 형성된다. 배기홀(231a, 232a)들은 서로 상이한 높이에 위치한다. 배기홀(231a, 232a)이 형성된 배기관(231, 232)의 상면은 경사면(231b, 232b)으로 제공된다. 경사면(231b, 232b)은 챔버(100a 내지 100d)들과의 거리가 가까워질수록 그 높이가 점점 높아지도록 상향 경사질 수 있다. 경사면(231b, 232b)은 챔버(100a 내지 100d)들과의 거리가 상대적으로 먼 몸체(210)의 일 측벽을 향하여 경사진다. 배기관(231, 232)들은 서로 상이한 외경을 가질 수 있다. 예컨대, 배기홀(231a)의 높이가 상대적으로 높게 위치하는 배기관(231)이 다른 배기관(232)보다 큰 외경을 가질 수 있다. Inside the body 211, a plurality of exhaust pipes 230 are provided. The exhaust pipes 231 and 232 are arranged such that their longitudinal directions are parallel to the up and down directions. The exhaust pipes 231 and 232 have different lengths from each other. And exhaust holes 231a and 232a are formed on the upper surfaces of the exhaust pipes 231 and 232, respectively. The exhaust holes 231a and 232a are located at different heights. The upper surfaces of the exhaust pipes 231 and 232 having the exhaust holes 231a and 232a are provided with inclined surfaces 231b and 232b. The inclined surfaces 231b and 232b can be inclined upward so that the height thereof becomes higher as the distance from the chambers 100a to 100d becomes closer. The inclined surfaces 231b and 232b are inclined toward one side wall of the body 210, which is relatively far from the chambers 100a to 100d. The exhaust pipes 231 and 232 may have different diameters from each other. For example, the exhaust pipe 231 having a relatively high height of the exhaust hole 231a may have an outer diameter larger than that of the other exhaust pipe 232.

배기관(231, 232)들의 하단은 각각 배기라인(240)과 연결된다. 배기 라인(240)에는 감압 부재(250)와 감압 조절 밸브(260)가 설치된다. 감압 부재(250)는 진공압을 형성한다. 진공압은 배기 라인(240)과 배기관(231, 232)에 순차적으로 인가되어, 몸체 내부(211)에 머무르는 가스를 외부로 배기한다. 배기관(231, 232)들의 배기홀(231a, 232a) 각각에는 동일한 크기의 진공압이 인가될 수 있다. 감압 조절 밸브(260)는 배기 라인(240)의 개방 정도를 조절하여 배기홀(231a, 232a)에 인가되는 진공압의 크기를 조절한다. 제1배기관(231)의 배기홀(231a)은 주로 상부에 위치하는 챔버(100a, 100b)들로부터 배출되는 가스를 흡입할 수 있다. 그리고, 제2배기관(232)의 배기홀(232a)은 주로 하부에 위치하는 챔버(100c, 100d)들로부터 배출되는 가스를 흡입한다. 이와 같이, 배기홀(231a, 232a)들이 서로 상이한 높이에서 가스를 흡입하므로, 각 챔버(100a 내지 100d)들로부터 가스가 균일하게 배기될 수 있다. 이와 달리, 배기홀(231a, 232a)들이 동일한 높이에 위치되는 경우, 예컨대 배기홀(231a, 232a)이 몸체 내부(211) 영역 중 하부 영역에 위치되는 경우, 배기홀(231a, 232a)들의 진공압은 대부분 거리가 가까운 챔버(100d) 내부로 전달되고, 거리가 상대적으로 먼 챔버(100a, 100b)들 내부에는 충분히 전달되지 않는다. 이로 인해, 각 챔버(110a, 100b)들에서 배기되는 가스의 유량이 서로 상이하여 챔버(110a, 100b)들에서 처리되는 기판(W) 처리 정도가 달라진다. 반면, 본 발명은 도 4와 같이, 배기홀(231a, 232a)들에 따라 인접 위치하는 챔버(100a 내지 100d)들이 상이하므로, 챔버(100a 내지 100d) 내부에서 발생된 가스는 배기홀(231a, 232a)들 각각으로 안정적으로 유입될 수 있다. 또한, 배기홀(231a, 232a)들은 챔버(100a 내지 100d)들을 향하는 방향과 반대 방향으로 경사진 배기관(231, 232)들의 상면에 형성되므로, 배기홀(231a, 232a)들의 진공압이 직접적으로 챔버(100a 내지 100d)들 내부에 미치는 영향이 줄어들 수 있다. 배기홀(231a, 232a)들의 진공압은 몸체 내부(211)의 각 영역에 인가된 후, 챔버(100a 내지 100d) 내부에 전달되므로, 챔버(100a 내지 100d) 내부에서 배출되는 가스의 유량 및 유속이 균일해질 수 있다.The lower ends of the exhaust pipes 231 and 232 are connected to the exhaust line 240, respectively. The exhaust line 240 is provided with a decompression member 250 and a decompression control valve 260. The pressure-reducing member 250 forms a vacuum pressure. The vacuum pressure is sequentially applied to the exhaust line 240 and the exhaust pipes 231 and 232 to exhaust the gas staying inside the body 211 to the outside. Vacuum pressures of the same magnitude can be applied to the exhaust holes 231a and 232a of the exhaust pipes 231 and 232, respectively. The decompression control valve 260 regulates the opening degree of the exhaust line 240 to adjust the magnitude of the vacuum pressure applied to the exhaust holes 231a and 232a. The exhaust hole 231a of the first exhaust pipe 231 can suck the gas mainly discharged from the chambers 100a and 100b located at the upper part. The exhaust hole 232a of the second exhaust pipe 232 mainly sucks the gas discharged from the chambers 100c and 100d located below. As described above, since the exhaust holes 231a and 232a suck gas at different heights, gas can be uniformly exhausted from each of the chambers 100a to 100d. Alternatively, when the exhaust holes 231a and 232a are located at the same height, for example, when the exhaust holes 231a and 232a are located in the lower region of the inside of the body 211, The pneumatic pressure is mostly transmitted to the inside of the chamber 100d having a short distance and is not sufficiently transmitted to the chambers 100a and 100b having relatively long distances. Because of this, the flow rates of the gases exhausted from the chambers 110a and 100b are different from each other, and the degree of processing of the substrate W processed in the chambers 110a and 100b is changed. 4, since the adjacent chambers 100a to 100d are different according to the exhaust holes 231a and 232a, the gas generated in the chambers 100a to 100d flows through the exhaust holes 231a, 232a. ≪ / RTI > Since the exhaust holes 231a and 232a are formed on the upper surfaces of the exhaust pipes 231 and 232 inclined in the direction opposite to the direction toward the chambers 100a to 100d, the vacuum pressure of the exhaust holes 231a and 232a is directly The influence on the inside of the chambers 100a to 100d can be reduced. The vacuum pressure of the exhaust holes 231a and 232a is applied to each region of the inside of the body 211 and then transferred to the inside of the chambers 100a to 100d so that the flow rate and flow rate of the gas discharged from the chambers 100a to 100d Can be made uniform.

상술한 가스 배기 과정에 의하여, 각 챔버(100a 내지 100d)들 내부에 머무르는 가스가 안정적으로 배기되므로, 챔버(100a 내지 100d)들 각각에서 처리되는 기판 처리 정도가 균일해질 수 있다.By the above-described gas evacuation process, the gas staying in each of the chambers 100a to 100d is stably exhausted, so that the degree of substrate processing to be processed in each of the chambers 100a to 100d can be made uniform.

상기 실시예에서는 몸체(200) 내부에 배기관(230)이 2개 제공되는 것으로 설명하였으나, 제공되는 배기관(230)의 수는 이에 한정되지 않는다. 배기관(230)의 수는 적층되는 챔버(100)들의 수에 따라 달라질 수 있다.
Although two exhaust pipes 230 are provided in the body 200, the number of the exhaust pipes 230 is not limited thereto. The number of exhaust pipes 230 may vary depending on the number of the chambers 100 to be stacked.

또한, 상기 실시예에서는 각 챔버들에서 감광액 건조 공정이 수행되는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 가스 또는 반응 부산물의 배기가 요구되는 다양한 기판 처리 장치에 적용될 수 있다.
Also, in the above embodiments, the photosensitive liquid drying process is performed in each of the chambers. However, the present invention is not limited thereto and can be applied to various substrate processing apparatuses requiring exhaustion of gas or reaction byproducts.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100, 110, 120: 챔버 110, 131, 132: 기판 지지부
200: 배기 유닛 210: 몸체
220: 연결 통로 230, 231, 232: 배기관
250: 감압 부재100, 110, 120: chambers 110, 131, 132:
200: exhaust unit 210: body
220: connection passage 230, 231, 232: exhaust pipe
250: Pressure reducing member

Claims (5)

기판 처리가 수행되는 제1공간이 내부에 형성된 제1챔버;
상기 제1챔버의 상부에 위치하며, 기판 처리가 수행되는 제2공간이 내부에 형성된 제2챔버;
상기 제1챔버 및 상기 제2챔버와 연결되며, 상기 제1공간과 상기 제2공간에 머무르는 가스를 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
상기 배기 유닛은
상기 제1챔버와 상기 제2챔버의 일측에 위치하며, 상기 제1공간 및 상기 제2공간과 직접 연통되는 공간이 내부에 형성된 몸체; 및
상기 몸체 내에 위치하며, 상기 몸체 내의 가스를 흡입하는 배기홀이 형성된 배기관을 포함하며,
상기 배기관은
제1측벽;
상기 제1측벽과 상기 챔버들 사이에 위치하며, 상기 제1측벽과 나란하게 배치되는 제2측벽; 및
상기 제1측벽의 상단과 상기 제2측벽의 상단을 연결하는 상부벽을 포함하되,
상기 배기홀는 상기 제1측벽에 형성되는 기판 처리 장치.A first chamber in which a first space in which substrate processing is performed is formed;
A second chamber located above the first chamber and having a second space therein in which substrate processing is performed;
And an exhaust unit connected to the first chamber and the second chamber and exhausting gas staying in the first space and the second space,
The exhaust unit
A body positioned at one side of the first chamber and the second chamber and having a space communicated directly with the first space and the second space; And
And an exhaust pipe formed in the body and having an exhaust hole for sucking gas in the body,
The exhaust pipe
A first sidewall;
A second sidewall positioned between the first sidewall and the chambers and disposed in parallel with the first sidewall; And
And an upper wall connecting the upper end of the first sidewall and the upper end of the second sidewall,
And the exhaust hole is formed in the first sidewall. 기판 처리가 수행되는 제1공간이 내부에 형성된 제1챔버;
상기 제1챔버의 상부에 위치하며, 기판 처리가 수행되는 제2공간이 내부에 형성된 제2챔버;
상기 제1챔버 및 상기 제2챔버와 연결되며, 상기 제1공간과 상기 제2공간에 머무르는 가스를 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
상기 배기 유닛은
상기 제1챔버와 상기 제2챔버의 일측에 위치하며, 상기 제1공간 및 상기 제2공간과 직접 연통되는 공간이 내부에 형성된 몸체; 및
상기 몸체 내에 위치하며, 상기 몸체 내의 가스를 흡입하는 배기홀이 형성된 배기관을 포함하며,
상기 배기 유닛은
상기 제1공간과 상기 몸체 내부를 연결하는 제1연결 통로; 및
상기 제2공간과 상기 몸체 내부를 연결하는 제2연결 통로를 포함하며,
상기 배기홀은 상기 제1연결 통로 및 상기 제2연결 통로로부터 동일한 거리에 위치하는 기판 처리 장치.A first chamber in which a first space in which substrate processing is performed is formed;
A second chamber located above the first chamber and having a second space therein in which substrate processing is performed;
And an exhaust unit connected to the first chamber and the second chamber and exhausting gas staying in the first space and the second space,
The exhaust unit
A body positioned at one side of the first chamber and the second chamber and having a space communicated directly with the first space and the second space; And
And an exhaust pipe formed in the body and having an exhaust hole for sucking gas in the body,
The exhaust unit
A first connection passage connecting the first space and the inside of the body; And
And a second connection passage connecting the second space and the inside of the body,
Wherein the exhaust hole is located at the same distance from the first connection passage and the second connection passage. 기판 처리가 수행되는 제1공간이 내부에 형성된 제1챔버;
상기 제1챔버의 상부에 위치하며, 기판 처리가 수행되는 제2공간이 내부에 형성된 제2챔버;
상기 제1챔버 및 상기 제2챔버와 연결되며, 상기 제1공간과 상기 제2공간에 머무르는 가스를 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
상기 배기 유닛은
상기 제1챔버와 상기 제2챔버의 일측에 위치하며, 상기 제1공간 및 상기 제2공간과 직접 연통되는 공간이 내부에 형성된 몸체; 및
상기 몸체 내에 위치하며, 상기 몸체 내의 가스를 흡입하는 배기홀이 형성된 배기관을 포함하며,
상기 배기 유닛은
상기 몸체의 내부와 상기 제1공간을 연결하며, 제1높이에 위치되는 제1연결 통로; 및
상기 몸체의 내부와 상기 제2공간을 연결하며, 상기 제1높이보다 높은 제2높이에 위치하는 제2연결 통로를 포함하며,
상기 배기홀는 상기 제1높이보다 높고 상기 제2높이보다 낮은 제3높이에 위치하는 기판 처리 장치.A first chamber in which a first space in which substrate processing is performed is formed;
A second chamber located above the first chamber and having a second space therein in which substrate processing is performed;
And an exhaust unit connected to the first chamber and the second chamber and exhausting gas staying in the first space and the second space,
The exhaust unit
A body positioned at one side of the first chamber and the second chamber and having a space communicated directly with the first space and the second space; And
And an exhaust pipe formed in the body and having an exhaust hole for sucking gas in the body,
The exhaust unit
A first connection passage connecting the inside of the body and the first space, the first connection passage being located at a first height; And
And a second connection passage connecting the inside of the body and the second space, the second connection passage being located at a second height higher than the first height,
Wherein the exhaust hole is located at a third height higher than the first height and lower than the second height. 제 3 항에 있어서,
상기 제3높이와 상기 제1높이의 차이는 상기 제2높이와 상기 제3높이 차이와 동일한 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the difference between the third height and the first height is equal to the difference between the second height and the third height. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 배기관은
제1측벽;
상기 제1측벽과 상기 챔버들 사이에 위치하며, 상기 제1측벽과 나란하게 배치되는 제2측벽; 및
상기 제1측벽의 상단과 상기 제2측벽의 상단을 연결하는 상부벽을 포함하되,
상기 배기홀는 상기 제1측벽에 형성되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 2 to 4,
The exhaust pipe
A first sidewall;
A second sidewall positioned between the first sidewall and the chambers and disposed in parallel with the first sidewall; And
And an upper wall connecting the upper end of the first sidewall and the upper end of the second sidewall,
And the exhaust hole is formed in the first sidewall.
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