KR101876588B1 - Lift-off method - Google Patents

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히로시 모리카즈
겐타로 이이즈카
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 에피택시 기판을 확실하게 박리할 수 있는 리프트 오프 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
에피택시 기판의 표면에 Ga을 포함하는 Ga 화합물로 이루어지는 버퍼층을 개재하여 광디바이스층이 적층된 광디바이스 웨이퍼의 광디바이스층을, 이설 기판에 옮기는 리프트 오프 방법으로서, 광디바이스 웨이퍼의 광디바이스층의 표면에 접합 금속층을 개재하여 이설 기판을 접합하는 이설 기판 접합 공정과, 에피택시 기판의 이면측으로부터 버퍼층에 에피택시 기판에 대해서는 투과성을 가지며 버퍼층에 대해서는 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하여, 에피택시 기판과 버퍼층의 경계면에 가스층을 형성하는 가스층 형성 공정과, 에피택시 기판과 버퍼층의 경계면에 형성된 가스층 중 최외측에 위치하는 가스층의 영역을 검출하는 가스층 검출 공정과, 에피택시 기판에서의 최외측의 가스층이 위치하는 영역에 흡인 패드를 위치시켜 에피택시 기판을 흡착하는 에피택시 기판 흡착 공정과, 에피택시 기판을 흡착한 흡인 패드를 에피택시 기판으로부터 이격되는 방향으로 이동시켜 에피택시 기판을 박리하여, 광디바이스층을 이설 기판에 이설하는 광디바이스층 이설 공정을 포함한다.It is an object of the present invention to provide a lift-off method capable of reliably peeling an epitaxial substrate.
A lift-off method for transferring an optical device layer of an optical device wafer in which an optical device layer is laminated via a buffer layer made of a Ga compound containing Ga on the surface of an epitaxial substrate to a transferred substrate, A step of bonding the buffer substrate to the buffer substrate via a bonding metal layer and a step of bonding the buffer substrate to the buffer substrate via a bonding metal layer; and a step of irradiating the buffer layer with a pulsed laser beam having permeability to the buffer layer, A gas layer forming step of forming a gas layer on the interface between the epitaxial substrate and the buffer layer; a gas layer detecting step of detecting a region of the outermost gas layer of the gas layer formed on the interface between the epitaxial substrate and the buffer layer; A suction pad is placed in a region where an outer gas layer is located An optical device comprising: an epitaxial substrate adsorption step of adsorbing a substrate to be photographed; a step of moving the suction pad, which has adsorbed the epitaxial substrate, in a direction away from the epitaxial substrate to peel off the epitaxial substrate, Layer removal process.

Description

리프트 오프 방법{LIFT-OFF METHOD}Lift off method {LIFT-OFF METHOD}

본 발명은, 사파이어 기판이나 탄화규소 등의 에피택시 기판의 표면에 버퍼층을 개재하여 광디바이스층이 적층된 광디바이스 웨이퍼의 광디바이스층을, 이설(移設) 기판에 옮기는 리프트 오프 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a lift-off method for transferring an optical device layer of an optical device wafer in which an optical device layer is laminated via a buffer layer on the surface of an epitaxial substrate such as a sapphire substrate or silicon carbide, to a transferred substrate.

광디바이스 제조 공정에서는, 대략 원판 형상인 사파이어 기판이나 탄화규소 등의 에피택시 기판의 표면에 버퍼층을 개재하여 GaN(질화갈륨) 또는 INGaP(인듐·갈륨·인) 또는 ALGaN(알루미늄·질화갈륨)으로 구성되는 n형 반도체층 및 p형 반도체층으로 이루어지는 광디바이스층이 적층되고 격자형으로 형성된 복수의 스트리트에 의해 구획된 복수 영역에 발광 다이오드, 레이저 다이오드 등의 광디바이스를 형성하여 광디바이스 웨이퍼를 구성한다. 그리고, 광디바이스 웨이퍼를 스트리트를 따라 분할하는 것에 의해 개개의 광디바이스를 제조하고 있다.(예컨대 특허문헌 1 참조.)In the optical device manufacturing process, GaN (gallium nitride), INGaP (indium-gallium-phosphorus), or ALGaN (aluminum-gallium nitride) is deposited on the surface of an epitaxial substrate such as a sapphire substrate or silicon carbide, An optical device such as a light emitting diode or a laser diode is formed on a plurality of regions partitioned by a plurality of lattice-shaped streets in which optical device layers composed of an n-type semiconductor layer and a p- do. Then, individual optical devices are manufactured by dividing an optical device wafer along a street (see, for example, Patent Document 1).

또한, 광디바이스의 휘도를 향상시키는 기술로서, 광디바이스 웨이퍼를 구성하는 사파이어 기판이나 탄화규소 등의 에피택시 기판의 표면에 버퍼층을 개재하여 적층된 n형 반도체층 및 p형 반도체층으로 이루어지는 광디바이스층을 AuSn(금주석) 등의 접합 금속층을 개재하여 접합하고, 에피택시 기판의 이면측으로부터 에피택시 기판을 투과하여 버퍼층에서 흡수되는 파장(예컨대 248 ㎚)의 레이저 광선을 조사하여 버퍼층을 파괴하여, 에피택시 기판을 광디바이스층으로부터 박리하는 것에 의해, 광디바이스층을 이설 기판에 옮기는 리프트 오프로 불리는 제조 방법이 하기 특허문헌 2에 개시되어 있다. As a technique for improving the luminance of an optical device, an optical device comprising an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer stacked with a buffer layer on the surface of a sapphire substrate or an epitaxial substrate such as silicon carbide constituting an optical device wafer The buffer layer is broken by irradiating a laser beam having a wavelength (for example, 248 nm) absorbed in the buffer layer through the epitaxial substrate from the back side of the epitaxial substrate , A manufacturing method called lift-off in which an optical device layer is transferred to a detached substrate by peeling off an epitaxial substrate from the optical device layer is disclosed in Patent Document 2 below.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 평10-305420호 공보Patent Document 1: JP-A-10-305420 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2004-72052호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-72052

그리고, 에피택시 기판의 이면측으로부터 버퍼층에 집광점을 위치시켜 레이저 광선을 조사하면, 버퍼층을 구성하는 GaN 또는 INGaP 또는 ALGaN이 Ga와 N2 등의 가스로 분해됨으로써 버퍼층이 파괴되지만, GaN 또는 INGaP 또는 ALGaN이 Ga과 N2 등의 가스로 분해되는 영역과, 분해되지 않는 영역이 존재하여, 버퍼층의 파괴에 불균일이 생겨 에피택시 기판을 적정하게 박리할 수 없다고 하는 문제가 있다. When the laser beam is irradiated from the back side of the epitaxial substrate to the buffer layer, GaN or INGaP or ALGaN constituting the buffer layer is decomposed into gases such as Ga and N 2 to break the buffer layer. However, GaN or INGaP Or a region in which ALGaN is decomposed into a gas such as Ga and N 2 and a region in which decomposition is not performed and there is a problem that the buffer layer is unstable and the epitaxial substrate can not be adequately peeled off.

또한, 광디바이스의 품질을 향상시키기 위해 에피택시 기판의 표면에 요철이 형성되어 있는 경우에는, 레이저 광선이 요철의 벽에 막혀 버퍼층의 파괴가 억제되어 에피택시 기판의 박리가 곤란하게 된다고 하는 문제가 있다. Further, in the case where irregularities are formed on the surface of the epitaxial substrate in order to improve the quality of the optical device, there is a problem that the laser beam is blocked by the walls of the irregularities and the breakdown of the buffer layer is suppressed and the peeling of the epitaxial substrate becomes difficult have.

본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는, 에피택시 기판을 확실하게 박리할 수 있는 리프트 오프 방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and its main technical problem is to provide a lift-off method capable of reliably peeling an epitaxial substrate.

상기 주된 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면 에피택시 기판의 표면에 Ga을 포함하는 Ga 화합물로 이루어지는 버퍼층을 개재하여 광디바이스층이 적층된 광디바이스 웨이퍼의 광디바이스층을, 이설 기판에 옮기는 리프트 오프 방법으로서, According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical device wafer, comprising the steps of: transferring an optical device layer of an optical device wafer in which an optical device layer is laminated via a buffer layer made of a Ga compound including Ga on the surface of an epitaxial substrate, As a lift-off method,

광디바이스 웨이퍼의 광디바이스층의 표면에 접합 금속층을 개재하여 이설 기판을 접합하는 이설 기판 접합 공정과, A transfer substrate bonding step of bonding a transfer substrate to a surface of an optical device layer of an optical device wafer via a bonding metal layer;

이설 기판이 접합된 광디바이스 웨이퍼의 에피택시 기판의 이면측으로부터 버퍼층에 에피택시 기판에 대해서는 투과성을 가지며 버퍼층에 대해서는 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하여, 에피택시 기판과 버퍼층의 경계면에 가스층을 형성하는 가스층 형성 공정과,A pulse laser beam having a transmittance for the buffer layer and an absorption characteristic for the buffer layer is applied to the buffer layer from the back side of the epitaxial substrate of the optical device wafer to which the transfer substrate is bonded to form a gas layer on the interface between the epitaxial substrate and the buffer layer, A step of forming a gas layer,

상기 가스층 형성 공정에 의해 에피택시 기판과 버퍼층의 경계면에 형성된 가스층 중 최외측에 위치하는 가스층의 영역을 검출하는 가스층 검출 공정과,A gas layer detecting step of detecting a region of a gas layer located at an outermost one of the gas layers formed on the interface between the epitaxial substrate and the buffer layer by the gas layer forming step,

상기 가스층 검출 공정에 의해 검출된, 에피택시 기판에서의 최외측의 가스층이 위치하는 영역에 흡인 패드를 위치시켜 에피택시 기판을 흡착하는 에피택시 기판 흡착 공정과,An epitaxial substrate adsorption step of adsorbing an epitaxial substrate by positioning a suction pad in a region where an outermost gas layer is located in the epitaxial substrate,

에피택시 기판을 흡착한 상기 흡인 패드를 에피택시 기판으로부터 이격되는 방향으로 이동시켜 에피택시 기판을 박리하여, 광디바이스층을 이설 기판에 이설하는 광디바이스층 이설 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트 오프 방법이 제공된다.And removing the epitaxial substrate by moving the suction pad which has adsorbed the epitaxial substrate in a direction away from the epitaxial substrate to thereby attach the optical device layer to the detached substrate. Method is provided.

본 발명에 의한 리프트 오프 방법은, 상기 이설 기판 접합 공정과 가스층 형성 공정과 가스층 검출 공정과 에피택시 기판 흡착 공정 및 광디바이스층 이설 공정을 포함하고, 광디바이스층 이설 공정에서는, 에피택시 기판과 버퍼층의 경계면에 형성된 최외측에 위치하는 가스층의 영역을 흡인 패드에 의해 흡착하여 에피택시 기판으로부터 이격되는 방향으로 이동시켜 에피택시 기판을 박리하기 때문에, 가장 박리하기 쉬운 최외측에 위치하는 가스층의 영역으로부터 박리되어 에피택시 기판 전체가 원활하게 박리된다.The lift-off method according to the present invention includes the above-mentioned releasing substrate bonding step, the gas layer forming step, the gas layer detecting step, the epitaxial substrate adsorption step and the optical device layer releasing step. In the optical device layer releasing step, The region of the outermost gas layer formed on the boundary surface of the gas layer is adsorbed by the suction pad and moved in the direction away from the epitaxial substrate to peel off the epitaxial substrate. The entirety of the epitaxial substrate is peeled off smoothly.

도 1은 본 발명에 의한 리프트 오프 방법에 의해 이설 기판에 옮겨지는 광디바이스층이 형성된 광디바이스 웨이퍼의 사시도 및 주요부 확대 단면도.
도 2는 도 1에 도시하는 광디바이스 웨이퍼의 광디바이스층의 표면에 이설 기판을 접합하는 이설 기판 접합 공정의 설명도.
도 3은 본 발명에 의한 리프트 오프 방법에서의 버퍼층 파괴 공정을 실시하기 위한 레이저 가공 장치의 사시도.
도 4는 본 발명에 의한 리프트 오프 방법의 버퍼층 파괴 공정에서의 Ga층 형성 공정을 도시하는 설명도.
도 5는 도 4에 도시하는 Ga층 형성 공정이 실시된 광디바이스 웨이퍼의 주요부를 확대하여 도시하는 단면도.
도 6은 본 발명에 의한 리프트 오프 방법에서의 가스층 검출 공정의 설명도.
도 7은 최외측에 위치하는 가스층인 것으로 선정된 가스층 영역을 촬상 수단 바로 아래에 위치시킨 상태를 도시하는 설명도.
도 8은 본 발명에 의한 리프트 오프 방법에서의 에피택시 기판 흡착 공정의 설명도.
도 9는 본 발명에 의한 리프트 오프 방법에서의 광디바이스층 이설 공정의 설명도. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a perspective view and a partially enlarged cross-sectional view of an optical device wafer on which an optical device layer is transferred by a lift-off method according to the present invention; Fig.
Fig. 2 is an explanatory diagram of a step of joining a detached substrate to a surface of an optical device layer of an optical device wafer shown in Fig. 1; Fig.
3 is a perspective view of a laser processing apparatus for performing a buffer layer breaking process in a lift-off method according to the present invention.
4 is an explanatory diagram showing a Ga layer forming step in a buffer layer breaking step of a lift-off method according to the present invention;
5 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of an optical device wafer on which a Ga layer forming step shown in FIG. 4 is performed.
6 is an explanatory diagram of a gas layer detection step in a lift-off method according to the present invention.
Fig. 7 is an explanatory view showing a state in which a gas layer region selected as the outermost gas layer is positioned immediately below the image pickup means; Fig.
8 is an explanatory diagram of a process of adsorbing an epitaxial substrate in a lift-off method according to the present invention.
9 is an explanatory diagram of an optical device layer disconnection step in a lift-off method according to the present invention.

이하, 본 발명에 의한 리프트 오프 방법의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the lift-off method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1의 (a) 및 (b)에는, 본 발명에 의한 리프트 오프 방법에 의해 이설 기판에 옮겨지는 광디바이스층이 형성된 광디바이스 웨이퍼의 사시도 및 주요부 확대 단면도가 도시되어 있다. 1 (a) and 1 (b) show a perspective view and an enlarged cross-sectional view of a main portion of an optical device wafer on which an optical device layer is transferred by a lift-off method according to the present invention.

도 1의 (a) 및 (b)에 도시하는 광디바이스 웨이퍼(2)는, 직경이 50 ㎜이고 두께가 600 ㎛인 원판 형상의 사파이어 기판으로 이루어지는 에피택시 기판(21)의 표면(21a)에 n형 질화갈륨 반도체층(221) 및 p형 질화갈륨 반도체층(222)으로 이루어지는 광디바이스층(22)이 에피택셜 성장법에 의해 형성되어 있다. 또한 에피택시 기판(21)의 표면에 에피택셜 성장법에 의해 n형 질화갈륨 반도체층(221) 및 p형 질화갈륨 반도체층(222)으로 이루어지는 광디바이스층(22)을 적층할 때에, 에피택시 기판(21)의 표면(21a)과 광디바이스층(22)을 형성하는 n형 질화갈륨 반도체층(221) 사이에는 질화갈륨(GaN)으로 이루어지는 두께가 예컨대 1 ㎛인 버퍼층(23)이 형성된다. 이와 같이 구성된 광디바이스 웨이퍼(2)는, 도시한 실시형태에서는 광디바이스층(22)의 두께가 예컨대 10 ㎛로 형성되어 있다. 또한 광디바이스층(22)은 도 1의 (a)에 도시하는 바와 같이 격자형으로 형성된 복수의 스트리트(223)에 의해 구획된 복수 영역에 광디바이스(224)가 형성되어 있다. The optical device wafer 2 shown in Figs. 1 (a) and 1 (b) is formed on the surface 21a of an epitaxial substrate 21 made of a sapphire substrate of a disk shape having a diameter of 50 mm and a thickness of 600 m an optical device layer 22 composed of an n-type gallium nitride semiconductor layer 221 and a p-type gallium nitride semiconductor layer 222 is formed by an epitaxial growth method. When the optical device layer 22 made of the n-type gallium nitride semiconductor layer 221 and the p-type gallium nitride semiconductor layer 222 is laminated on the surface of the epitaxial substrate 21 by epitaxial growth, A buffer layer 23 made of gallium nitride (GaN) having a thickness of, for example, 1 占 퐉 is formed between the surface 21a of the substrate 21 and the n-type gallium nitride semiconductor layer 221 forming the optical device layer 22 . In the illustrated embodiment of the optical device wafer 2 thus configured, the thickness of the optical device layer 22 is, for example, 10 占 퐉. 1 (a), the optical device layer 22 is formed with optical devices 224 in a plurality of regions defined by a plurality of streets 223 formed in a lattice pattern.

전술한 바와 같이 광디바이스 웨이퍼(2)에서의 에피택시 기판(21)을 광디바이스층(22)으로부터 박리하여 이설 기판에 옮기기 위해서는 광디바이스층(22)의 표면(22a)에 이설 기판을 접합하는 이설 기판 접합 공정을 실시한다. 즉, 도 2의 (a), (b) 및 (c)에 도시하는 바와 같이, 광디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 에피택시 기판(21)의 표면(21a)에 형성된 광디바이스층(22)의 표면(22a)에, 두께가 1 ㎜인 구리 기판으로 이루어지는 이설 기판(3)을 금주석(AuSn)으로 이루어지는 접합 금속층(4)을 개재하여 접합한다. 또한 이설 기판(3)으로서는 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si) 등을 이용할 수 있고, 또한 접합 금속층(4)을 형성하는 접합 금속으로서는 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 인듐(In), 팔라듐(Pd) 등을 이용할 수 있다. 이 이설 기판 접합 공정은 에피택시 기판(21)의 표면(21a)에 형성된 광디바이스층(22)의 표면(22a) 또는 이설 기판(3)의 표면(3a)에 상기 접합 금속을 증착하여 두께가 3 ㎛ 정도인 접합 금속층(4)을 형성하고, 이 접합 금속층(4)과 이설 기판(3)의 표면(3a) 또는 광디바이스층(22)의 표면(22a)을 대면시켜 압착하는 것에 의해, 광디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 광디바이스층(22)의 표면(22a)에 이설 기판(3)의 표면(3a)을 접합 금속층(4)을 개재하여 접합하여 복합 기판(200)을 형성한다. As described above, in order to peel off the epitaxial substrate 21 in the optical device wafer 2 from the optical device layer 22 and to transfer the epitaxial substrate 21 to the detached substrate, the detached substrate is bonded to the surface 22a of the optical device layer 22 The substrate bonding process is performed. That is, as shown in Figs. 2A, 2B, and 2C, the optical device layer 22 formed on the surface 21a of the epitaxial substrate 21 constituting the optical device wafer 2, (3) made of a copper substrate having a thickness of 1 mm is bonded to the surface (22a) of the substrate (2) with a bonding metal layer (4) made of gold tin (AuSn) interposed therebetween. Molybdenum (Mo), silicon (Si), or the like can be used as the substrate 3 to be bonded and the bonding metal for forming the bonding metal layer 4 is gold (Au), platinum (Pt), chromium (In), palladium (Pd), or the like can be used. The step of joining the substrate is performed by depositing the bonding metal on the surface 22a of the optical device layer 22 formed on the surface 21a of the epitaxial substrate 21 or on the surface 3a of the substrate 3, A bonding metal layer 4 having a thickness of about 3 占 퐉 is formed and the bonding metal layer 4 and the surface 3a of the substrate 3 or the surface 22a of the optical device layer 22 are opposed to each other, The surface 3a of the substrate 3 is bonded to the surface 22a of the optical device layer 22 constituting the optical device wafer 2 via the bonding metal layer 4 to form the composite substrate 200 .

전술한 바와 같이 광디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 광디바이스층(22)의 표면(22a)에 이설 기판(3)의 표면(3a)을 접합 금속층(4)을 개재하여 접합하여 복합 기판(200)을 형성했으면, 이설 기판(3)이 접합된 광디바이스 웨이퍼(2)의 에피택시 기판(21)의 이면측으로부터 버퍼층(23)에 에피택시 기판(21)에 대해서는 투과성을 가지며 버퍼층(23)에 대해서는 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하여, 에피택시 기판(21)과 버퍼층(23)의 경계면에 가스층을 형성하는 가스층 형성 공정을 실시한다. 이 가스층 형성 공정은, 도 3에 도시하는 레이저 가공 장치(5)를 이용하여 실시한다. 도 3에 도시하는 레이저 가공 장치(5)는, 정지 기대(基臺)(50)와, 이 정지 기대(50)에 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동 가능하게 배치되고 피가공물을 유지하는 척테이블 기구(6)와, 정지 기대(50)에 상기 X축 방향과 직교하는 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동 가능하게 배치된 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(7)와, 이 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(7)에 화살표 Z로 나타내는 집광점 위치 조정 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하게 배치된 레이저 광선 조사 유닛(8)을 구비하고 있다.The surface 3a of the substrate 3 is bonded to the surface 22a of the optical device layer 22 constituting the optical device wafer 2 via the bonding metal layer 4 to form the composite substrate 200 The buffer layer 23 has permeability to the buffer layer 23 from the backside of the epitaxial substrate 21 of the optical device wafer 2 to which the transfer substrate 3 is bonded and is transparent to the epitaxial substrate 21. [ A gas layer forming step of forming a gas layer on the interface between the epitaxial substrate 21 and the buffer layer 23 is performed. This gas layer forming step is carried out by using the laser machining apparatus 5 shown in Fig. The laser machining apparatus 5 shown in Fig. 3 includes a stationary base 50 and a stationary base 50. The stationary base 50 is movable in the machining direction (X-axis direction) A chuck table mechanism 6 for holding a workpiece and a laser beam irradiation unit support mechanism (not shown) arranged movably in the indexing direction (Y-axis direction) indicated by an arrow Y perpendicular to the X- 7), and a laser beam irradiation unit 8 arranged so as to be movable in the light-converging point position adjustment direction (Z-axis direction) indicated by arrow Z in the laser beam irradiation unit support mechanism 7.

상기 척테이블 기구(6)는, 정지 기대(50)상에 X축 방향을 따라 평행하게 배치된 안내 레일(61, 61)과, 이 안내 레일(61, 61)상에 X축 방향으로 이동 가능하게 배치된 제1 미끄럼 이동 블록(62)과, 이 제1 미끄럼 이동 블록(62)의 상면에 배치된 안내 레일(621, 621)상에 Y축 방향으로 이동 가능하게 배치된 제2 미끄럼 이동 블록(63)과, 이 제2 미끄럼 이동 블록(63)상에 원통 부재(64)에 의해 지지된 커버 테이블(65)과, 피가공물 유지 수단으로서의 척테이블(66)을 구비하고 있다. 이 척테이블(66)은 다공성 재료로 형성된 흡착척(661)을 구비하고 있고, 흡착척(661)의 상면(유지면)에 피가공물인 예컨대 원판 형상의 반도체 웨이퍼를 도시하지 않는 흡인 수단에 의해 유지하도록 되어 있다. 이와 같이 구성된 척테이블(66)은, 원통 부재(64) 안에 배치된 도시하지 않는 펄스 모터에 의해 회전한다. 또한, 도시한 척테이블 기구(6)는, 상기 제1 미끄럼 이동 블록(62)을 안내 레일(61, 61)을 따라 X축 방향으로 이동시키는 가공 이송 수단(67)과, 제2 미끄럼 이동 블록(63)을 안내 레일(621, 621)을 따라 Y축 방향으로 이동시키는 제1 인덱싱 이송 수단(68)을 구비하고 있다. 또한 가공 이송 수단(67) 및 제1 인덱싱 이송 수단(68)은, 주지의 볼스크류 기구에 의해 구성되어 있다.The chuck table mechanism 6 includes guide rails 61 and 61 arranged parallel to the X axis direction on the stopper base 50 and movable guide rails 61 and 61 movable on the guide rails 61 and 61 in the X- A second sliding block 62 disposed movably in the Y axis direction on the guide rails 621 and 621 disposed on the upper surface of the first sliding block 62, A cover table 65 supported on the second sliding block 63 by a cylindrical member 64 and a chuck table 66 as a workpiece holding means. The chuck table 66 is provided with an adsorption chuck 661 formed of a porous material. The adsorption chuck 661 is provided with an adsorption chuck 661 on its upper surface (holding surface) by a suction means Respectively. The chuck table 66 thus configured is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 64. The illustrated chuck table mechanism 6 further includes a processing transfer means 67 for moving the first sliding block 62 along the guide rails 61 and 61 in the X axis direction, And a first indexing conveying means 68 for moving the guide rail 63 along the guide rails 621, 621 in the Y-axis direction. The machining transfer means 67 and the first indexing transfer means 68 are constituted by a well-known ball screw mechanism.

상기 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(7)는, 정지 기대(50)상에 Y축 방향을 따라 평행하게 배치된 한 쌍의 안내 레일(71, 71)과, 이 안내 레일(71, 71)상에 Y축 방향으로 이동 가능하게 배치된 가동 지지 기대(72)를 구비하고 있다. 이 가동 지지 기대(72)는, 안내 레일(71, 71)상에 이동 가능하게 배치된 이동 지지부(721)와, 이 이동 지지부(721)에 부착된 장착부(722)를 포함하고, 볼스크류 기구에 의해 구성된 제2 인덱싱 이송 수단(73)에 의해 안내 레일(71, 71)을 따라 Y축 방향으로 이동한다. The laser beam irradiation unit support mechanism 7 includes a pair of guide rails 71 and 71 arranged on the stop base 50 in parallel along the Y axis direction and a pair of guide rails 71 and 71 arranged on the guide rails 71 and 71 And a movable support base 72 disposed movably in the Y-axis direction. The movable support base 72 includes a movable support portion 721 movably arranged on the guide rails 71 and 71 and a mounting portion 722 attached to the movable support portion 721, Axis direction along the guide rails 71, 71 by the second indexing conveying means 73 constituted by the second indexing conveying means 73. [

도시한 레이저 광선 조사 유닛(8)은, 유닛 홀더(81)와, 이 유닛 홀더(81)에 부착된 레이저 광선 조사 수단(82)을 구비하고 있다. 유닛 홀더(81)는, 상기 가동 지지 기대(72)의 장착부(722)에 설치된 안내 레일(723, 723)을 따라 Z축 방향으로 이동 가능하게 지지된다. 이와 같이 안내 레일(723, 723)을 따라 이동 가능하게 지지된 유닛 홀더(81)는, 볼스크류 기구에 의해 구성된 집광점 위치 조정 수단(83)에 의해 Z축 방향으로 이동한다. The illustrated laser beam irradiation unit 8 includes a unit holder 81 and laser beam irradiating means 82 attached to the unit holder 81. [ The unit holder 81 is movably supported along the guide rails 723 and 723 provided on the mounting portion 722 of the movable support base 72 in the Z axis direction. The unit holder 81 movably supported along the guide rails 723 and 723 moves in the Z-axis direction by the light-converging point position adjusting means 83 constituted by the ball screw mechanism.

도시한 레이저 광선 조사 유닛(8)은, 상기 유닛 홀더(81)에 고정되어 실질상 수평으로 연장되는 원통 형상의 케이싱(82)을 포함하고 있다. 케이싱(82) 안에는 도시하지 않는 펄스 레이저 광선 발진기나 반복 주파수 설정 수단을 구비한 펄스 레이저 광선 발진 수단이 배치되어 있다. 상기 케이싱(82)의 선단부에는, 펄스 레이저 광선 발진 수단으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 집광하기 위한 집광기(84)가 장착되어 있다. 케이싱(82)의 전단부에는, 상기 레이저 광선 조사 유닛(8)에 의해 상기 척테이블(66)에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(85)이 배치되어 있다. 이 촬상 수단(85)은, 현미경이나 CCD 카메라 등의 광학 수단으로 이루어져 있고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않는 제어 수단에 보낸다.The illustrated laser beam irradiation unit 8 includes a cylindrical casing 82 fixed to the unit holder 81 and extending substantially horizontally. In the casing 82, pulsed laser beam oscillation means including a pulse laser beam oscillator (not shown) and a repetition frequency setting means are disposed. A condenser 84 for condensing the pulsed laser beam emitted from the pulsed laser beam generating means is mounted on the distal end of the casing 82. At the front end of the casing 82, an image pickup means 85 for picking up a workpiece held by the chuck table 66 by the laser beam irradiation unit 8 is disposed. The image pickup means 85 is composed of optical means such as a microscope or a CCD camera, and sends the picked-up image signal to a control means (not shown).

도시한 레이저 가공 장치(5)는, 상기 광디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 에피택시 기판(21)을 광디바이스층(22)으로부터 박리하기 위한 박리 기구(9)를 구비하고 있다. 박리 기구(9)는, 상기 척테이블(66)에 유지된 광디바이스 웨이퍼(2)가 박리 위치에 위치된 상태로 에피택시 기판(21)을 흡착하는 흡착 수단(91)과, 이 흡착 수단(91)을 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하는 지지 수단(92)을 포함하고, 척테이블 기구(6)의 한쪽에 배치되어 있다. 흡착 수단(91)은 유지 부재(911)와, 이 유지 부재(911)의 하측에 장착된 복수(도시한 실시형태에서는 3개)의 흡인 패드(912a, 912b, 912c)를 포함하고, 흡인 패드(912a, 912b, 912c)가 도시하지 않는 흡인 수단에 접속되어 있다. 또한 상기 3개의 흡인 패드 중, 흡인 패드(912a)는 상기 촬상 수단(85)과 X축 방향에서의 동일 축선상에 배치되어 있다.The illustrated laser machining apparatus 5 has a peeling mechanism 9 for peeling the epitaxial substrate 21 constituting the optical device wafer 2 from the optical device layer 22. The peeling mechanism 9 comprises an adsorption means 91 for adsorbing the epitaxial substrate 21 in a state in which the optical device wafer 2 held on the chuck table 66 is located at the peeling position, 91 for supporting the chuck table mechanism 6 movably in the up and down direction and is disposed on one side of the chuck table mechanism 6. [ The suction means 91 includes a holding member 911 and a plurality of suction pads 912a, 912b and 912c (three in the illustrated embodiment) mounted on the lower side of the holding member 911, (912a, 912b, and 912c) are connected to suction means (not shown). Among the three suction pads, the suction pad 912a is arranged on the same axis line in the X-axis direction as the imaging means 85. [

상기 레이저 가공 장치(5)를 이용하여 이설 기판(3)이 접합된 광디바이스 웨이퍼(2)의 에피택시 기판(21)의 이면측으로부터 버퍼층(23)에 에피택시 기판에 대해서는 투과성을 가지며 버퍼층에 대해서는 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하여, 에피택시 기판(21)과 버퍼층(23)의 경계면에 가스층을 형성하는 가스층 형성 공정을 실시하기 위해서는, 척테이블(66)의 상면에 상기 복합 기판(200)의 이설 기판(3)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않는 흡인 수단에 의해 척테이블(66)상에 복합 기판(200)을 흡인 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척테이블(66)상에 유지된 복합 기판(200)은, 광디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 에피택시 기판(21)의 이면(21b)이 상측이 된다. 이와 같이 척테이블(66)상에 복합 기판(200)을 흡인 유지했다면, 가공 이송 수단(67)을 작동시켜 척테이블(66)을 레이저 광선 조사 유닛(8)의 집광기(84)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시킨다. 그리고, 도 4의 (a)에서 도시하는 바와 같이 척테이블(66)에 유지된 복합 기판(200)의 광디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 에피택시 기판(21)의 일단[도 4의 (a)에서 좌단]을 레이저 광선 조사 유닛(8)의 집광기(84) 바로 아래에 위치시킨다. 다음에 레이저 광선 조사 유닛(8)을 작동시켜 집광기(84)로부터 버퍼층(23)에 사파이어에 대해서는 투과성을 가지며 질화갈륨(GaN)에 대해서는 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하면서 척테이블(66)을 도 4의 (a)에서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 정해진 가공 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 도 4의 (c)에서 도시하는 바와 같이 레이저 광선 조사 유닛(8)의 집광기(84)의 조사 위치에 에피택시 기판(21)의 타단[도 4의 (c)에서 우단]이 도달했다면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지시키고 척테이블(66)의 이동을 정지시킨다. 이 레이저 광선 조사 공정을 버퍼층(23)의 전체면에 대응하는 영역에 실시한다. The optical device wafer 2 on which the transfer substrate 3 is bonded by using the laser processing device 5 is made of a material having permeability to the buffer layer 23 from the back side of the epitaxial substrate 21 and permeability to the buffer layer A gas layer forming step of forming a gas layer on the interface between the epitaxial substrate 21 and the buffer layer 23 by irradiating a pulsed laser beam having a wavelength having an absorption property is performed on the upper surface of the chuck table 66, (3) side of the substrate (200). Then, the composite substrate 200 is sucked and held on the chuck table 66 by suction means (not shown) (wafer holding step). The back surface 21b of the epitaxial substrate 21 constituting the optical device wafer 2 is located on the upper side of the composite substrate 200 held on the chuck table 66. [ When the composite substrate 200 is sucked and held on the chuck table 66 as described above, the chuck table 66 is operated by operating the processing and conveying means 67 so that the chuck table 66 is moved to the position where the condenser 84 of the laser beam irradiating unit 8 is located Ray irradiation area. 4 (a), one end of the epitaxial substrate 21 constituting the optical device wafer 2 of the composite substrate 200 held on the chuck table 66 ) Is positioned directly under the condenser 84 of the laser beam irradiation unit 8. Next, the laser beam irradiating unit 8 is operated to irradiate the buffer layer 23 from the condenser 84 with a pulsed laser beam having a permeability for sapphire and a water absorbing property for gallium nitride (GaN) while the chuck table 66 ) At a machining feed rate determined in the direction indicated by arrow X1 in Fig. 4 (a). 4 (c), when the other end of the epitaxial substrate 21 (right end in FIG. 4 (c)) reaches the irradiation position of the condenser 84 of the laser beam irradiation unit 8 , The irradiation of the pulsed laser beam is stopped and the movement of the chuck table 66 is stopped. This laser beam irradiation step is performed in a region corresponding to the entire surface of the buffer layer 23. [

또한, 상기 Ga층 형성 공정은, 집광기(84)를 에피택시 기판(21)의 최외주에 위치시키고, 척테이블(66)을 회전시키면서 집광기(84)를 중심을 향해 이동시키는 것에 의해 버퍼층(23) 전체면에 펄스 레이저 광선을 조사하여도 좋다. The Ga layer forming step is a step for forming the Ga layer by positioning the condenser 84 at the outermost periphery of the epitaxial substrate 21 and moving the condenser 84 toward the center while rotating the chuck table 66, ) May be irradiated with a pulsed laser beam on the entire surface.

상기 가스층 형성 공정을 엑시머 레이저를 이용하여 실시하는 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다. The processing conditions for carrying out the gas layer forming step using an excimer laser are set as follows, for example.

광원: 엑시머 레이저Light source: Excimer laser

파장: 193 ㎚ 또는 248 ㎚ Wavelength: 193 nm or 248 nm

반복 주파수: 50 Hz Repetition frequency: 50 Hz

평균 출력: 0.08 W Average power: 0.08 W

펄스 폭: 10 ns Pulse width: 10 ns

스폿 형태: 400 ㎛□Spot shape: 400 탆 □

가공 이송 속도: 20 ㎜/초Machining feed rate: 20 mm / s

또한, 상기 가스층 형성 공정을 YAG 레이저를 이용하여 실시하는 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.The processing conditions in which the gas layer forming step is performed using a YAG laser are set as follows, for example.

광원: YAG 레이저Light source: YAG laser

파장: 257 ㎚ 또는 266 ㎚ Wavelength: 257 nm or 266 nm

반복 주파수: 200 kHz Repetition frequency: 200 kHz

평균 출력: 1.0 W Average power: 1.0 W

펄스 폭: 10 ns Pulse width: 10 ns

스폿 직경: φ 30 ㎛ Spot diameter: 30 占 퐉

가공 이송 속도: 100 ㎜/초Processing feed rate: 100 mm / sec

상기 가공 조건에 의해 가스층 형성 공정을 실시하는 것에 의해, 에피택시 기판(21)과 버퍼층(23)의 경계면에는, 도 5에 도시하는 바와 같이 복수의 가스층(230)이 형성된다. 이 복수의 가스층(230)은 섬형상으로 형성된다.5, a plurality of gas layers 230 are formed at the interface between the epitaxial substrate 21 and the buffer layer 23 by performing the gas layer forming step according to the above processing conditions. The plurality of gas layers 230 are formed in an island shape.

전술한 가스층 형성 공정을 실시했다면, 가스층 형성 공정에 의해 에피택시 기판(21)과 버퍼층(23)의 경계면에 형성된 가스층(230) 중 최외측에 위치하는 가스층의 영역을 검출하는 가스층 검출 공정을 실시한다. 이 가스층 검출 공정을 실시하기 위해서는, 상기 가스층 형성 공정이 실시된 상태로부터 복합 기판(200)을 유지한 척테이블(66)을 촬상 수단(85)의 촬상 영역으로 이동시키고, 도 6에 도시하는 바와 같이 복합 기판(200)의 광디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 에피택시 기판(21)의 외주부를 촬상 수단(85) 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 촬상 수단(85)을 작동시켜 척테이블(66)을 화살표 66a로 나타내는 방향으로 1회전시키며, 촬상 단(85)은 이 사이에 촬상한 화상 신호를 도시하지 않는 제어 수단에 보낸다. 도시하지 않는 제어 수단은, 촬상 수단(85)으로부터의 화상 신호에 기초하여 최외측에 위치하는 가스층 영역을 검출한다. 도 6에 도시하는 실시형태에서는, 가스층(230a)이 최외측에 위치하는 가스층인 것으로 선정된다. A gas layer detection step is performed to detect the region of the outermost gas layer in the gas layer 230 formed on the interface between the epitaxial substrate 21 and the buffer layer 23 by the gas layer formation step do. In order to perform this gas layer detection step, the chuck table 66 holding the composite substrate 200 from the state in which the gas layer forming step is performed is moved to the image pickup region of the image pickup means 85, The outer peripheral portion of the epitaxial substrate 21 constituting the optical device wafer 2 of the composite substrate 200 is positioned just under the image pickup means 85. Then, the image pick-up unit 85 is operated to rotate the chuck table 66 in the direction indicated by the arrow 66a, and the image pick-up unit 85 sends the image signal picked up therebetween to a control unit (not shown). The control means (not shown) detects the outermost gas layer region based on the image signal from the image pickup means 85. In the embodiment shown in Fig. 6, the gas layer 230a is selected to be the outermost gas layer.

전술한 가스층 검출 공정을 실시하는 것에 의해, 에피택시 기판(21)과 버퍼층(23)의 경계면에 형성된 가스층(230) 중 최외측에 위치하는 가스층(230a)의 영역을 검출했다면, 척테이블(66)을 회동시켜 최외측에 위치하는 가스층인 것으로 선정된 가스층(230a)의 영역을, 도 7에 도시하는 바와 같이 촬상 수단(85)의 바로 아래에 위치시킨다. 이 결과, 최외측에 위치하는 가스층(230a)의 영역은, 상기 박리 기구(9)의 흡착 수단(91)을 구성하는 3개의 흡인 패드(912a, 912b, 912c)에서의 흡인 패드(912a)와 X축 방향에서의 동일 축선상에 위치하게 된다.If the region of the outermost gas layer 230a of the gas layer 230 formed on the interface between the epitaxial substrate 21 and the buffer layer 23 is detected by performing the gas layer detection process described above, And the region of the gas layer 230a selected to be the outermost gas layer is positioned just below the image pickup means 85 as shown in Fig. As a result, the region of the gas layer 230a located at the outermost side is separated from the suction pad 912a of the three suction pads 912a, 912b and 912c constituting the suction means 91 of the peeling mechanism 9 And is located on the same axis line in the X-axis direction.

다음에, 척테이블(66)을 박리 기구(9)가 배치된 박리 위치로 이동시키고, 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이 척테이블(66)에 유지되어 있는 복합 기판(200)의 광디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 에피택시 기판(21)과 버퍼층(23)의 경계면에 형성된 최외측에 위치하는 가스층(230a)의 영역을 흡인 패드(912a)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이 흡착 수단(91)을 하강시켜 에피택시 기판(21)의 이면(21b)에서의 최외측의 가스층(230a)이 위치하는 영역에 흡인 패드(912a)를 접촉시켜 흡착하고, 흡인 패드(912b 및 912c)에 의해 에피택시 기판(21)의 이면(21b)을 흡착한다(에피택시 기판 흡착 공정). Next, the chuck table 66 is moved to the peeling position where the peeling mechanism 9 is disposed, and as shown in Fig. 8 (a), the light of the composite substrate 200 held on the chuck table 66 The region of the outermost gas layer 230a formed on the interface between the epitaxial substrate 21 constituting the device wafer 2 and the buffer layer 23 is positioned immediately below the suction pad 912a. 8 (b), the suction means 91 is lowered to place the suction pad 912a in the region where the outermost gas layer 230a of the back surface 21b of the epitaxial substrate 21 is located. , And the back surface 21b of the epitaxial substrate 21 is adsorbed by the suction pads 912b and 912c (epitaxial substrate adsorption step).

전술한 에피택시 기판 흡착 공정을 실시했다면, 에피택시 기판(21)을 흡착한 흡인 패드(912a, 912b, 912c)를 에피택시 기판(21)으로부터 이격되는 방향으로 이동시켜 에피택시 기판(21)을 박리하여, 광디바이스층(22)을 이설 기판(3)에 이설하는 광디바이스층 이설 공정을 실시한다. 즉, 상기 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이 에피택시 기판 흡착 공정을 실시한 상태로부터, 도 9에 도시하는 바와 같이 흡착 수단(91)을 위쪽으로 이동시키는 것에 의해, 에피택시 기판(21)은 광디바이스층(22)으로부터 박리된다. 이 결과, 광디바이스층(22)이 이설 기판(3)에 옮겨지게 된다. 이 광디바이스층 이설 공정에서는, 에피택시 기판(21)과 버퍼층(23)의 경계면에 형성된 최외측에 위치하는 가스층(230a)의 영역을 흡인 패드(912a)에 의해 흡착하여 에피택시 기판(21)으로부터 이격되는 방향으로 이동시켜 에피택시 기판(21)을 박리하기 때문에, 가장 박리하기 쉬운 최외측에 위치하는 가스층(230a)의 영역으로부터 박리되어 에피택시 기판(21) 전체가 원활히 박리된다. The suction pads 912a, 912b and 912c to which the epitaxial substrate 21 is adsorbed are moved in the direction away from the epitaxial substrate 21 to form the epitaxial substrate 21 And an optical device layer disposing step for disposing the optical device layer 22 on the substrate 3 is carried out. Namely, as shown in FIG. 8B, the epitaxial substrate 21 is moved upward by moving the adsorption means 91 upward as shown in FIG. 9 from the state in which the epitaxial substrate adsorption step is performed, Is peeled off from the optical device layer (22). As a result, the optical device layer 22 is transferred to the transfer substrate 3. In this optical device layer disconnection step, the region of the outermost gas layer 230a formed on the interface between the epitaxial substrate 21 and the buffer layer 23 is absorbed by the suction pad 912a to form an epitaxial substrate 21, The epitaxial substrate 21 is peeled off from the region of the outermost gas layer 230a which is easiest to be peeled off and the entire epitaxial substrate 21 is smoothly peeled off.

2: 광디바이스 웨이퍼, 21: 에피택시 기판, 22: 광디바이스층, 23: 버퍼층, 230: 가스층, 3: 이설 기판, 4: 접합 금속층, 200: 복합 기판, 5: 레이저 가공 장치, 6: 척테이블 기구, 66: 척테이블, 67: 가공 이송 수단, 7: 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구, 72: 가동 지지 기대, 8: 레이저 광선 조사 유닛, 83: 집광점 위치 조정 수단, 84: 집광기, 85: 촬상 수단, 9: 박리 기구, 91: 흡착 수단, 912a, 912b, 912c: 흡인 패드2: Optical device wafer, 21: Epitaxial substrate, 22: Optical device layer, 23: Buffer layer, 230: Gas layer, 3: Substrate substrate, 4: Laminated metal layer, 200: Composite substrate, 5: A laser beam irradiating unit supporting mechanism, 72: a movable support base, 8: a laser beam irradiating unit, 83: a condensing point position adjusting means, 84: a condenser, 85: 9: peeling mechanism, 91: suction means, 912a, 912b, 912c: suction pad

Claims (1)

에피택시 기판의 표면에 Ga을 포함하는 Ga 화합물로 이루어지는 버퍼층을 개재하여 광디바이스층이 적층된 광디바이스 웨이퍼의 광디바이스층을, 이설 기판에 옮기는 리프트 오프 방법으로서,
광디바이스 웨이퍼의 광디바이스층의 표면에 접합 금속층을 개재하여 이설 기판을 접합하는 이설 기판 접합 공정과,
이설 기판이 접합된 광디바이스 웨이퍼의 에피택시 기판의 이면측으로부터 버퍼층에 에피택시 기판에 대해서는 투과성을 가지며 버퍼층에 대해서는 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하여, 에피택시 기판과 버퍼층의 경계면에 가스층을 형성하는 가스층 형성 공정과,
상기 가스층 형성 공정에 의해 에피택시 기판과 버퍼층의 경계면에 형성된 가스층 중 최외측에 위치하는 가스층의 영역을 검출하는 가스층 검출 공정과,
상기 가스층 검출 공정에 의해 검출된, 에피택시 기판에서의 최외측의 가스층이 위치하는 영역에 흡인 패드를 위치시켜 에피택시 기판을 흡착하는 에피택시 기판 흡착 공정과,
에피택시 기판을 흡착한 상기 흡인 패드를 에피택시 기판으로부터 이격되는 방향으로 이동시켜 에피택시 기판을 박리하여, 광디바이스층을 이설 기판에 이설하는 광디바이스층 이설 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트 오프 방법.A lift-off method for transferring an optical device layer of an optical device wafer in which an optical device layer is laminated via a buffer layer made of a Ga compound containing Ga on the surface of an epitaxial substrate,
A transfer substrate bonding step of bonding a transfer substrate to a surface of an optical device layer of an optical device wafer via a bonding metal layer;
A pulse laser beam having a transmittance for the buffer layer and an absorption characteristic for the buffer layer is applied to the buffer layer from the back side of the epitaxial substrate of the optical device wafer to which the transfer substrate is bonded to form a gas layer on the interface between the epitaxial substrate and the buffer layer, A step of forming a gas layer,
A gas layer detecting step of detecting a region of a gas layer located at an outermost one of the gas layers formed on the interface between the epitaxial substrate and the buffer layer by the gas layer forming step,
An epitaxial substrate adsorption step of adsorbing an epitaxial substrate by positioning a suction pad in a region where an outermost gas layer is located in the epitaxial substrate,
An optical device layer removing step of removing the epitaxial substrate by moving the suction pad which has adsorbed the epitaxial substrate in a direction away from the epitaxial substrate,
Gt; a lift-off < / RTI >
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