KR101864663B1 - Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and a electronic device thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소자의 발광효율, 안정성 및 수명을 향상시킬 수 있는 오원자 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자 장치를 제공한다.The present invention provides an organic heterocyclic compound, an organic electronic device using the same, and an electronic device, which can improve the luminous efficiency, stability, and lifetime of the device.

Description

오원자 헤테로 고리를 포함하는 유기전기소자용 화합물, 이를 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치{ COMPOUND FOR ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT, ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT USING THE SAME, AND A ELECTRONIC DEVICE THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a compound for an organic electronic device including an organic heteroaromatic compound, an organic heteroaromatic compound, an organic heteroaromatic compound, an organic heteroaromatic compound,

본 발명은 오원자 헤테로 고리를 포함하는 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a compound including a heteroaromatic heterocycle, an organic electric device using the same, and an electronic device therefor.

1980년대 이스트만 코닥사의 씨. 더블유. 탕(C. W. Tang) 등은 각종 역할을 각 재료에 분담시킨 적층 구조 소자를 개발함으로써, 유기 재료를 이용한 유기전기발광 소자를 실용적인 것으로 만들었다. 그들은 전자를 수송할 수 있는 형광체와 정공을 수송할 수 있는 유기물을 적층하고, 양쪽의 전하를 형광체의 층 중에 주입하여 발광시킴으로써, 10 V 이하의 전압으로 1000 cd/m2 이상의 고휘도를 얻을 수 있도록 하였다.Mr. Eastman Kodak of the 1980s. W. CW Tang et al. Have made organic electroluminescent devices using organic materials practical by developing a laminated structure device in which various roles are shared among various materials. In order to obtain a high luminance of more than 1000 cd / m 2 at a voltage of 10 V or lower by laminating a phosphor capable of transporting electrons and an organic material capable of transporting holes and injecting both charges into the phosphor layer Respectively.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물 층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. An organic electric device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode, an anode, and an organic material layer therebetween. Here, in order to increase the efficiency and stability of the organic electronic device, the organic material layer is often formed of a multilayer structure composed of different materials, and may be formed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.

유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 그리고, 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.A material used as an organic material layer in an organic electric device may be classified into a light emitting material and a charge transporting material such as a hole injecting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and an electron injecting material depending on functions. The light emitting material may be classified into a polymer type and a low molecular type depending on the molecular weight, and may be classified into a phosphorescent material derived from singlet excited state of electrons and a phosphorescent material derived from the triplet excited state of electrons . Further, the light emitting material can be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to realize better natural color depending on the luminescent color.

특히, 유기전기소자의 우수한 수명 특성을 위해 정공 수송층 또는 완충층(buffer layer)으로 삽입되는 유기물질에 관해 여러 연구가 진행되고 있으며, 이를 위해 양극으로부터 유기층으로의 높은 정공 이동 특성을 부여하면서 증착 후 박막 형성시 균일도가 높고 결정화도가 낮은 정공 주입층 재료가 요구되고 있다.Particularly, various studies have been conducted on organic materials inserted into a hole transporting layer or a buffer layer for an excellent lifetime characteristic of an organic electric device. To this end, a high hole transporting property from an anode to an organic layer is given, A hole injection layer material having high uniformity and low crystallinity is required.

유기전기소자의 수명단축의 원인 중 하나인 양극전극(ITO)으로부터 금속 산화물이 유기층으로 침투 확산되는 것을 지연시키며, 소자 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 대해서도 안정된 특성, 즉 높은 유리 전이 온도를 갖는 정공 주입층 재료에 대한 개발이 필요하다. 또한 정공 수송층 재료의 낮은 유리전이 온도는 소자 구동시에 박막 표면의 균일도가 무너지는 특성에 따라 소자수명에 큰 영향을 미치는 것으로 보고되고 있다. 또한, OLED 소자의 형성에 있어서 증착방법이 주류를 이루고 있으며, 이러한 증착방법에 오랫동안 견딜 수 있는 재료 즉 내열성 특성이 강한 재료가 필요한 실정이다. It is possible to delay penetration and diffusion of the metal oxide from the anode electrode (ITO), which is one of the causes of shortening the lifetime of the organic electronic device, and to stabilize the joule heating caused by driving the device, Lt; RTI ID = 0.0 > layer < / RTI > It is also reported that the low glass transition temperature of the hole transporting layer material significantly affects the lifetime of the device depending on the characteristics of the uniformity of the thin film surface collapsing during device operation. In addition, the deposition method is the mainstream in the formation of OLED devices, and a material that can withstand such a long time, that is, a material having high heat resistance characteristics, is required.

한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다. On the other hand, when only one material is used as a light emitting material, there arises a problem that the maximum light emission wavelength shifts to a long wavelength due to intermolecular interaction, the color purity decreases, or the efficiency of the device decreases due to the light emission attenuating effect. A host / dopant system may be used as a light emitting material in order to increase the light emitting efficiency through the light emitting layer. When the dopant having a smaller energy band gap than the host forming the light emitting layer is mixed with a small amount of the light emitting layer, the excitons generated in the light emitting layer are transported to the dopant to emit light with high efficiency. At this time, since the wavelength of the host is shifted to the wavelength band of the dopant, the desired wavelength light can be obtained depending on the type of the dopant used.

전술한 유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기전기소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.In order to sufficiently exhibit the excellent characteristics of the organic electroluminescent device described above, a material constituting the organic material layer in the device, such as a hole injecting material, a hole transporting material, a light emitting material, an electron transporting material, and an electron injecting material is supported by a stable and efficient material However, stable and efficient development of an organic material layer for an organic electric device has not yet been sufficiently developed, and therefore development of a new material is continuously required.

본 발명은 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압, 색순도, 및 수명을 향상시킬 수 있는 오원자 헤테로 고리를 포함하는 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Disclosure of the Invention An object of the present invention is to provide a compound containing an organic hetero ring capable of improving the light emitting efficiency, the low driving voltage, the color purity, and the lifetime of the device, and the organic electronic device using the compound and the electronic device.

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하고, 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압, 색순도, 안정성 및 수명의 향상이라는 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 제공한다.The present invention solves the problems of the prior art described above and provides a compound represented by the following general formula (1) or (2) to achieve the object of the present invention: high luminous efficiency, low driving voltage, color purity, do.

Figure 112017114774567-pat00001
Figure 112017114774567-pat00001

상기 화학식에서,In the above formulas,

(1) Ar 1 은 각각 동일하거나 상이하게,(1) Ar & lt ; 1 & gt; may be the same or different,

수소, 할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기; 및A halogen atom, a C 1 to C 60 alkyl group, a C 1 to C 60 alkoxy group, a C 1 to C 60 alkylamine group, a C 6 to C 60 arylamine group, a C 1 to C 60 alkylthio group thiophene group, a C 6 ~ aryl T of C 60 thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the aryl group, of a C 6 ~ C 60 substituted with a heavy hydrogen aryl, C 8 ~ C 60 aryl alkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group, and a substituted or unsubstituted C 2 ~ C a substituted at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups of 20 groups or unsubstituted C 6 ~ C 60 aryl group; And

수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환 되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60헤테로고리기; 로 이루어진 군에서 선택된다.A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, A C 2 to C 60 heterocyclic group which is substituted or unsubstituted with one or more substituents in the group and contains at least one hetero atom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P ; ≪ / RTI >

(2) R 1 수소; 중수소; 삼중수소; 할로겐기; (2) R 1 is hydrogen ; Deuterium ; Tritium ; A halogen group ;

할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기; A halogen group, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 ~ C 60 alkyl thiophene group , an aryl group, a heavy hydrogen of C 6 ~ C 60 aryl thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the substituted C 6 ~ aryl group of C 60, C 8 ~ C 60 arylalkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group ring, and a substituted or unsubstituted of an aryl group of C 2 ~ C 20 by at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups is substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of;

C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C50알킬기; C 1 ~ alkenyl group of the C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 of the alkoxy group, C 6 ~ aryl group of C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with deuterium, C 7 alkyl ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of C 1 ~ C 50 ;

할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2~C40 알케닐기; A halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group , C 8 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the heterocyclic group, the in nitrile group and acetylene group the group consisting of unsubstituted or substituted with substituent C 2 ~ C 40 's An alkenyl group ;

수소, 중수소, 할로겐, CN, NO2, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20 의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2 ~C60헤테로고리기;Hydrogen, deuterium, halogen, CN, NO 2, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 A C 6 to C 60 alkyl group, a C 2 to C 60 alkenyl group, a C 2 to C 60 alkynyl group, a C 3 to C 60 cycloalkyl group, a C 6 to C 60 aryl group, a C 6 ~ C 60 aryl group, a silane group, a boron group, a germanium group, a C 2 ~ C with a substituent selected from the 20 group consisting of a heterocycle of being unsubstituted or substituted with O, N, S, at least one of Si, P a heterocyclic group of C 2 ~ C 60 containing a hetero atom; And

할로겐기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6~C60아릴아민기 ; 로 이루어진 군에서 선택된다.A cycloalkyl group of a halogen group, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 3 ~ C 30 of, C 6 ~ C 60 aryl group, C 2 ~ C of the arylamine group with one or more substituents selected from the 60 group consisting of heterocyclic substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60; ≪ / RTI >

(3) R 2 , R 3 수소; 중수소; 삼중수소; 할로겐기; (3) R 2 and R 3 are hydrogen ; Deuterium ; Tritium ; A halogen group ;

할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기; A halogen group, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 ~ C 60 alkyl thiophene group , an aryl group, a heavy hydrogen of C 6 ~ C 60 aryl thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the substituted C 6 ~ aryl group of C 60, C 8 ~ C 60 arylalkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group ring, and a substituted or unsubstituted of an aryl group of C 2 ~ C 20 by at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups is substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of;

C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C50알킬기; C 1 ~ alkenyl group of the C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ aryl group of C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with deuterium, C 7 alkyl ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of C 1 ~ C 50 ;

수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60헤테로고리기; A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, A C 2 to C 60 heterocyclic group which is substituted or unsubstituted with one or more substituents in the group and contains at least one hetero atom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P ; And

할로겐기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6~C60아릴아민기 ; 로 이루어진 군에서 선택된다.A cycloalkyl group of a halogen group, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 3 ~ C 30 of, C 6 ~ C 60 aryl group, C 2 ~ C of the arylamine group with one or more substituents selected from the 60 group consisting of heterocyclic substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60; ≪ / RTI >

(4) R 4 수소; 중수소; 삼중수소; 할로겐기; (4) R & lt ; 4 & gt ; is hydrogen ; Deuterium ; Tritium; A halogen group ;

할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기; A halogen group, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 ~ C 60 alkyl thiophene group , an aryl group, a heavy hydrogen of C 6 ~ C 60 aryl thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the substituted C 6 ~ aryl group of C 60, C 8 ~ C 60 arylalkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group ring, and a substituted or unsubstituted of an aryl group of C 2 ~ C 20 by at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups is substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of;

할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2~C40알케닐기; 및A halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group , C 8 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the heterocyclic group, the in nitrile group and acetylene group the group consisting of unsubstituted or substituted with substituent C 2 ~ C An alkenyl group having 1 to 40 carbon atoms ; And

수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C2~C60헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택된다.A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, substituted with one or more substituents from the group being unsubstituted or unsubstituted group O, N, S, of Si, a substituted or unsubstituted C 2 ~ C 60 comprising at least one hetero atom in the hetero ring P; ≪ / RTI >

(5) X는 N(R5), S, O, SiR6R7 이며, 상기 R5 내지 R7수소; C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20 의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6~C60아릴기; 수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환 되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60 헤테로고리기; C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C50알킬기;로 구성된 군에서 선택된다.(5) X is N (R 5 ), S, O, SiR 6 R 7 , and R 5 to R 7 are hydrogen; An alkoxy group of C 1 ~ C 20 alkyl group, C 1 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 alkyl amine group, C 1 ~ C 20 alkyl thiophene group, C 6 ~ C 20 aryl thiophene group, C C 2 to C 20 alkenyl groups, C 2 to C 20 alkynyl groups, C 3 to C 20 cycloalkyl groups, C 6 to C 60 aryl groups, C 6 to C 20 aryl groups substituted with deuterium, C 8 aryl group ~ C 20 arylalkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, a C 2 ~ C 20 by at least one substituent group selected from the heterocyclic group consisting of cyclic groups substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of the; A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, A C 2 to C 60 heterocyclic group which is substituted or unsubstituted with one or more substituents in the group and contains at least one hetero atom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P; C 1 ~ alkenyl group of the C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ aryl group of C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with deuterium, C 7 alkyl ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of C 1 ~ C 50 ; ≪ / RTI >

(6) R1, R4 각각은 인접한 기와 결합 또는 반응하여 치환 또는 비치환된 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. 이때, '이웃한 기'라 함은 모핵에 결합된 치환기뿐만 아니라 모핵 자체를 포함한다. 따라서, R1, R4는 이웃한 치환기나 작용기(functional group), 또는 모핵을 형성하는 작용기 또는 모핵에 포함된 탄소 등과 결합 또는 반응하여 포화 또는 불포화고리를 형성할 수 있다. 포화 또는 불포화고리라 함은 지환족, 방향족, 복소환, 헤테로고리 등을 포함하는 개념이다.(6) Each of R 1 and R 4 may combine with or react with adjacent groups to form a substituted or unsubstituted saturated or unsaturated ring. At this time, 'adjacent period' includes not only the substituent attached to the mother nucleus but also the mother nucleus itself. Accordingly, R 1 and R 4 may form a saturated or unsaturated ring by bonding or reacting with neighboring substituents, functional groups, or functional groups forming the parent nucleus or carbon contained in the parent nucleus. A saturated or unsaturated ring is a concept including alicyclic, aromatic, heterocyclic, heterocyclic, and the like.

(7) n은 1~4의 정수이고, m은 1 또는 2의 정수이다. n, m이 2이상인 경우, 복수의 R1, R4 는 동일 또는 상이할 수 있다.(7) n is an integer of 1 to 4, and m is an integer of 1 or 2. When n and m are 2 or more, a plurality of R 1 and R 4 may be the same or different.

본 명세서에서 '아릴기'는 단일환 또는 복소환의 방향족을 의미하며, 이웃한 치환기가 결합 또는 반응에 참여하여 형성된 방향족 링을 포함한다.In the present specification, the term "aryl group" means a single ring or a heterocyclic aromatic group, and neighboring substituents include aromatic rings formed by bonding or participating in the reaction.

또한, '헤테로고리기'는 링을 형성하는 탄소 대신 이종원자(헤테로원자)를 포함하는 방향족 또는 지환족의 단일환 또는 복소환 고리를 의미하며, 이웃한 치환기가 결합 또는 반응에 참여하여 형성된 헤테로 방향족 또는 지환족 고리를 포함한다.The term "heterocyclic group" refers to an aromatic or alicyclic monocyclic or heterocyclic ring containing a heteroatom in place of the ring forming carbon, and the adjacent substituent is a hetero Aromatic or alicyclic ring.

상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 (3) 내지 화학식 (12)로 표시될 수 있다. The compound represented by the formula (1) or (2) may be represented by the following formulas (3) to (12).

Figure 112017114774567-pat00002
Figure 112017114774567-pat00002

여기서, R1, R2, R3, R4, n, m, Ar1, X는 상기 화학식 (1) 및 (2)에서 정의된 것과 같다.Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , n, m, Ar 1 and X are as defined in the above formulas (1) and (2).

더욱 구체적으로, 상기 화학식 1 ~ 12로 표시되는 화합물은 아래와 같은 화합물로 표시되며, 이에 한정되는 것은 아니다. More specifically, the compounds represented by the above formulas (1) to (12) are represented by the following compounds, but are not limited thereto.

Figure 112017114774567-pat00003
Figure 112017114774567-pat00003

Figure 112017114774567-pat00004
Figure 112017114774567-pat00004

Figure 112017114774567-pat00005
Figure 112017114774567-pat00005

Figure 112017114774567-pat00006
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Figure 112017114774567-pat00007

Figure 112017114774567-pat00008
Figure 112017114774567-pat00008

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Figure 112017114774567-pat00009

Figure 112017114774567-pat00010
Figure 112017114774567-pat00010

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Figure 112017114774567-pat00011

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Figure 112017114774567-pat00012

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Figure 112017114774567-pat00013

Figure 112017114774567-pat00014
Figure 112017114774567-pat00014

Figure 112017114774567-pat00015
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Figure 112017114774567-pat00016
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Figure 112017114774567-pat00017
Figure 112017114774567-pat00017

Figure 112017114774567-pat00018
Figure 112017114774567-pat00018

Figure 112017114774567-pat00019
Figure 112017114774567-pat00019

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Figure 112017114774567-pat00020

Figure 112017114774567-pat00021
Figure 112017114774567-pat00021

상기 화학식 1 내지 2로 표시되는 화합물들은 상기에서 제시된 화합물들 중 하나일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 이때 화학식 1 내지 12로 표시되는 화합물들의 각 치환기들이 광범위한 관계로 모든 화합물들을 예시하는 것은 현실적으로 어려우므로 대표적인 화합물들을 예시적으로 설명한 것이나, 이에 제시되지 않은 화학식 1 내지 2로 표시되는 화합물들도 본 명세서의 일부를 구성할 수 있다. The compounds represented by the above formulas (1) and (2) may be one of the compounds shown above but are not limited thereto. Since representative substituents of the compounds represented by formulas (1) to (12) are difficult to illustrate all of the compounds in a broad relation, representative compounds are exemplarily described, but the compounds represented by formulas (1) As shown in FIG.

또 다른 측면에서, 본 발명은 상기의 화학식으로 표시되는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 이 유기전기소자를 포함하는 전자 장치를 제공한다.In another aspect, the present invention provides an organic electronic device using the compound represented by the above formula and an electronic device including the organic electronic device.

본 발명에 따르는 오원자 헤테로고리 화합물을 이용함으로써 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압, 색순도, 및 수명을 크게 향상시킬 수 있는 효과를 나타낸다.The use of the heteroaromatic heterocyclic compound according to the present invention has the effect of greatly improving the device's high luminous efficiency, low driving voltage, color purity, and service life.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 화합물을 적용할 수 있는 유기전기발광소자의 예를 도시한 것이다.1 to 6 show examples of organic electroluminescent devices to which the compounds of the present invention can be applied.

이하에서 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings.

각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.It should be noted that, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference symbols as possible even if they are shown in different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a),(b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected to or connected to the other component, It should be understood that an element may be "connected," "coupled," or "connected."

이하에서 제조예 및 실험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 제조예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Production Examples and Experimental Examples. However, the following Preparation Examples and Experimental Examples are for illustrating the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.

이하에서 상기 화학식 1 또는 2에 속하는 화합물들 중 일부 화합물에 대한 제조예 또는 합성예를 설명한다. 다만, 화학식 1 또는 2에 속하는 화합물들의 수가 많기 때문에 이들 중 일부를 예시적으로 설명하기로 한다. 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자, 즉 당업자라면 하기에서 설명한 제조예들을 통해, 예시하지 않은 본 발명에 속하는 화합물을 제조할 수 있다.Hereinafter, preparation examples or synthesis examples of some of the compounds belonging to the above formula (1) or (2) will be described. However, since there are a large number of compounds belonging to the general formula (1) or (2), some of them will be exemplarily described. Those skilled in the art, that is, those skilled in the art, can prepare the compounds belonging to the present invention which are not illustrated through the following production examples.

일반적 합성 방법General synthesis method

Figure 112017114774567-pat00022
Figure 112017114774567-pat00022

Sub 1의 합성 예시 :Example of synthesis of Sub 1:

Figure 112017114774567-pat00023
Figure 112017114774567-pat00023

Sub 1-1 합성법Sub 1-1 synthesis method

5번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간 동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 1-1을 얻었다. After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. The water in the reaction mixture was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 1-1.

Sub 1-2 합성법Sub 1-2 synthesis method

얻은 Sub 1-1과 R1으로 치환된 1-bromo-2-nitrobenzene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹이고 난 후, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 1-2를 얻었다. 1-bromo-2-nitrobenzene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 substituted with Sub 1-1 and R 1 were dissolved in anhydrous THF and a small amount of water and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 1-2.

Sub 1 합성법Sub 1 synthesis method

얻은 Sub 1-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 1을 얻었다. The obtained Sub 1-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. After the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 1.

Sub 2 합성법 예시 :Sub 2 synthesis example:

Figure 112017114774567-pat00024
Figure 112017114774567-pat00024

Sub 2-1 합성법Sub 2-1 synthesis method

6번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 2-1을 얻었다. After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. The water in the reaction mixture was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 2-1.

Sub 2-2 합성법Sub 2-2 synthesis method

얻은 Sub 2-1과 R1으로 치환된 1-bromo-2-nitrobenzene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹이고 난 후, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 2-2를 얻었다. 1-bromo-2-nitrobenzene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 substituted with Sub 2-1 and R 1 were dissolved in anhydrous THF and a small amount of water and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 2-2.

Sub 2 합성법Sub 2 synthesis method

얻은 Sub 1-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 2를 얻었다. The obtained Sub 1-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. After the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 2.

Sub 3 합성법 예시 :Sub 3 synthesis example:

Figure 112017114774567-pat00025
Figure 112017114774567-pat00025

Sub 3-1 합성법Sub 3-1 synthesis method

5번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간 동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 3-1을 얻었다. After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. Water in the reaction mixture was removed with anhydrous MgSO 4, and the reaction mixture was filtered under reduced pressure. The organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 3-1.

Sub 3-2 합성법Sub 3-2 synthesis method

얻은 Sub 3-1과 1-bromo-2-nitronaphthalene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹이고 난 후, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 3-2를 얻었다. The obtained Sub 3-1, 1-bromo-2-nitronaphthalene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 were dissolved in anhydrous THF and a small amount of water and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 3-2.

Sub 3 합성법Sub 3 synthesis method

얻은 Sub 3-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 3을 얻었다. The obtained Sub 3-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 3.

Sub 4 합성법 예시 :Example of Sub 4 synthesis method:

Figure 112017114774567-pat00026
Figure 112017114774567-pat00026

Sub 4-1 합성법Sub 4-1 synthesis method

5번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간 동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 4-1을 얻었다. After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. The water in the reaction mixture was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 4-1.

Sub 4-2 합성법Sub 4-2 synthesis method

얻은 Sub 4-1과 9-bromo-10-nitrophenanthrene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹이고 난 후, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 4-2를 얻었다. The obtained Sub 4-1, 9-bromo-10-nitrophenanthrene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 were dissolved in anhydrous THF and a small amount of water and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 4-2.

Sub 4 합성법Sub 4 synthesis method

얻은 Sub 4-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 4를 얻었다. The obtained Sub 4-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 4.

Sub 5 합성법 예시 :Sub 5 Synthetic method Example:

Figure 112017114774567-pat00027
Figure 112017114774567-pat00027

Sub 5-1 합성법Sub 5-1 synthesis method

5번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간 동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 5-1을 얻었다.After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. Water in the reaction mixture was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, and the organic solvent was concentrated. The resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 5-1.

Sub 5-2 합성법Sub 5-2 synthesis method

얻은 Sub 5-1과 R1으로 치환된 1-bromo-2-nitrobenzene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹이고 난 후, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 5-2를 얻었다. 1-bromo-2-nitrobenzene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 substituted with Sub 5-1 and R 1 were dissolved in anhydrous THF and a small amount of water and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 5-2.

Sub 5 합성법Sub 5 synthesis method

얻은 Sub 5-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 5를 얻었다. The obtained Sub 5-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 5.

Sub 6 합성법 예시 :Sub 6 synthesis example:

Figure 112017114774567-pat00028
Figure 112017114774567-pat00028

Sub 6-1 합성법Sub 6-1 synthesis method

5번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간 동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 6-1을 얻었다. After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. Water in the reaction mixture was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 6-1.

Sub 6-2 합성법Sub 6-2 synthesis method

얻은 Sub 6-1과 1-bromo-2-nitronaphthalene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹인 후, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 6-2를 얻었다. The resulting Sub 6-1, 1-bromo-2-nitronaphthalene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 were dissolved in a small amount of anhydrous THF and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 6-2.

Sub 6 합성법Sub 6 synthesis method

얻은 Sub 6-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 6을 얻었다. The resulting Sub 6-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. After the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 6.

Sub 7 합성법 예시 :Sub 7 synthesis example:

Figure 112017114774567-pat00029
Figure 112017114774567-pat00029

Sub 7-1 합성법Sub 7-1 synthesis method

5번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간 동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 7-1을 얻었다. After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. The water in the reaction mixture was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 7-1.

Sub 7-2 합성법Sub 7-2 synthesis method

얻은 Sub 7-1과 9-bromo-10-nitrophenanthrene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹이고 난 후, 24시간동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 7-2를 얻었다. The resulting Sub 7-1, 9-bromo-10-nitrophenanthrene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 were dissolved in anhydrous THF and a small amount of water and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 7-2.

Sub 7 합성법Sub 7 synthesis method

얻은 Sub 7-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 7을 얻었다. The obtained Sub 7-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 7.

Sub 8 합성법 예시 :Sub 8 synthesis example:

Figure 112017114774567-pat00030
Figure 112017114774567-pat00030

Sub 8-1 합성법Sub 8-1 synthesis method

6번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간 동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 8-1을 얻었다.After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. The water in the reaction mixture was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, and the organic solvent was concentrated. The resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 8-1.

Sub 8-2 합성법Sub 8-2 synthesis method

얻은 Sub 8-1과 1-bromo-2-nitronaphthalene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹이고 난 후, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 8-2를 얻었다.The resulting Sub 8-1, 1-bromo-2-nitronaphthalene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 were dissolved in anhydrous THF and a small amount of water and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 8-2.

Sub 8 합성법Sub 8 synthesis method

얻은 Sub 8-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 8을 얻었다. The resulting Sub 8-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. After the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 8.

Sub 9 합성법 예시 :Sub 9 synthesis example:

Figure 112017114774567-pat00031
Figure 112017114774567-pat00031

Sub 9-1 합성법Sub 9-1 synthesis method

6번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 9-1을 얻었다. After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. The water in the reaction mixture was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 9-1.

*Sub 9-2 합성법 * Sub 9-2 synthesis method

얻은 Sub 9-1과 9-bromo-10-nitrophenanthrene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹이고 난 후, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 9-2를 얻었다.The obtained Sub 9-1, 9-bromo-10-nitrophenanthrene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 were dissolved in anhydrous THF and a small amount of water and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 9-2.

Sub 9 합성법Sub 9 synthesis method

얻은 Sub 9-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 9를 얻었다. The resulting Sub 9-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 9.

Sub 10 합성법 예시 :Sub 10 Synthetic method Example:

Figure 112017114774567-pat00032
Figure 112017114774567-pat00032

Sub 10-1 합성법Sub 10-1 synthesis method

5번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간 동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 10-1을 얻었다. After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. The water in the reaction mixture was removed by using anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 10-1.

Sub 10-2 합성법Sub 10-2 synthesis method

얻은 Sub 10-1과 R1으로 치환된 1-bromo-2-nitrobenzene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹이고 난 후, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 10-2를 얻었다. 1-bromo-2-nitrobenzene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 substituted with Sub 10-1 and R 1 were dissolved in anhydrous THF and a small amount of water and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 10-2.

Sub 10 합성법Sub 10 synthesis method

얻은 Sub 10-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 10을 얻었다. The obtained Sub 10-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 10.

Sub 11 합성법 예시 :Sub 11 synthesis example:

Figure 112017114774567-pat00033
Figure 112017114774567-pat00033

Sub 11-1 합성법Sub 11-1 synthesis method

5번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 11-1을 얻었다.After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. The water in the reaction product was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 11-1.

Sub 11-2 합성법Sub 11-2 synthesis method

얻은 Sub 11-1과 1-bromo-2-nitronaphthalene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹이고 난 후, 24시간동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 11-2를 얻었다. The obtained Sub 11-1, 1-bromo-2-nitronaphthalene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 were dissolved in anhydrous THF and a small amount of water and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 11-2.

Sub 11 합성법Sub 11 synthesis method

얻은 Sub 11-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 11을 얻었다. The resulting Sub 11-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 11.

Sub 12 합성법 예시 :Sub 12 synthesis example:

Figure 112017114774567-pat00034
Figure 112017114774567-pat00034

Sub 12-1 합성법Sub 12-1 synthesis method

5번 위치에 Br이 치환된 헤테로 고리 화합물을 무수 THF에 녹이고, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, n-BuLi (2.5 M in hexane)을 천천히 적가하고 난 후, 반응물을 0 ℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 이후, 반응물의 온도를 -78 ℃로 낮추고, trimethyl borate를 적가하고 난 후, 상온에서 12시간 동안 교반시켰다. 반응이 종결되면 2N-HCl 수용액을 넣고, 30분간 교반시킨 후, ether로 추출하였다. 무수 MgSO4로 반응물 내의 물을 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 12-1을 얻었다. After the reaction mixture was cooled to -78 ° C and n-BuLi (2.5 M in hexane) was slowly added dropwise, the reaction mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour ≪ / RTI > Then, the temperature of the reaction was lowered to -78 ° C, trimethyl borate was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. When the reaction was completed, 2N-HCl aqueous solution was added, stirred for 30 minutes, and extracted with ether. The water in the reaction mixture was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, and the organic solvent was concentrated. The resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 12-1.

Sub 12-2 합성법Sub 12-2 synthesis method

얻은 Sub 12-1과 9-bromo-10-nitrophenanthrene, Pd(PPh3)4, K2CO3를 무수 THF와 소량의 물에 녹이고 난 후, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 소량의 물을 무수 MgSO4로 제거하고 감압 여과 후, 유기용매를 농축하여 생성된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 12-2를 얻었다.The resulting Sub 12-1, 9-bromo-10-nitrophenanthrene, Pd (PPh 3 ) 4 and K 2 CO 3 were dissolved in anhydrous THF and a small amount of water and refluxed for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was cooled to room temperature, extracted with CH 2 Cl 2 and wiped with water. A small amount of water was removed with anhydrous MgSO 4 , filtered under reduced pressure, the organic solvent was concentrated, and the resulting product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 12-2.

Sub 12 합성법Sub 12 synthesis method

얻은 Sub 12-2와 triphenylphosphine을 o-dichlorobenzene에 녹이고, 24시간동안 환류시켰다. 반응이 종결되면 감압 증류를 이용하여 용매를 제거한 후, 농축된 생성물을 컬럼크로마토그래피를 이용하여 분리하여 원하는 Sub 12를 얻었다.The resulting Sub 12-2 and triphenylphosphine were dissolved in o-dichlorobenzene and refluxed for 24 hours. After the reaction was completed, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and the concentrated product was separated by column chromatography to obtain the desired Sub 12.

Product 합성법 예시 :Example of product synthesis method:

둥근바닥플라스크에 Sub 1 or Sub 2 or Sub 3 or Sub 4 or Sub 5 or Sub 6 or Sub 7 or Sub 8 or Sub 9 or Sub 10 or Sub 11 or Sub 12 화합물 (1당량), Sub 13 화합물 (1당량), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 Product 를 얻었다.Sub 1 or Sub 2 or Sub 3 or Sub 4 or Sub 5 or Sub 6 or Sub 7 or Sub 8 or Sub 9 or Sub 10 or Sub 11 or Sub 12 compound (1 equivalent) to Sub 13 compound (1) in a round bottom flask (10 equivalents), Pd 2 (dba) 3 (0.06-0.1 mmol), PPh 3 (0.2 equivalents), NaO t- Bu (6 equivalents) and toluene (10.5 mL / 1 mmol) . After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was subjected to silicagel column and recrystallization to obtain final product.

Sub 13 의 예시는 아래와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Sub 13-1 내지 13-14의 화합물에 대한 질량분석 결과는 표 1과 같다.Examples of Sub 13 are as follows, but are not limited thereto. Mass analysis results for the compounds of Sub 13-1 to 13-14 are shown in Table 1.

Figure 112017114774567-pat00035
Figure 112017114774567-pat00035

Figure 112017114774567-pat00036
Figure 112017114774567-pat00036

Product 1-4 합성 예시 Product 1-4 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00037
Figure 112017114774567-pat00037

둥근바닥플라스크에 7-phenyl-3,10-dihydropyrrolo[3,2-a]carbazole (5.6g, 20mmol), bromobenzene (3.8g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 5.5g (수율: 69%)을 얻었다.(5.6 g, 20 mmol), bromobenzene (3.8 g, 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.06-0.1 mmol), PPh 3 (0.2 eq.), NaO t- Bu (6 eq.) And toluene (10.5 mL / 1 mmol). After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was subjected to silicagel column and recrystallization to obtain 5.5 g (yield: 69%) of final product.

Product 2-8 합성 예시 Product 2-8 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00038
Figure 112017114774567-pat00038

둥근바닥플라스크에 N-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-3-yl)-10-phenyl-3,10-dihydropyrrolo[3,2-a]carbazol-7-amine (9.8g, 20mmol), 4-bromobiphenyl (5.6g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 7.6g (수율: 63%)을 얻었다.(9,9-dimethyl-9H-fluoren-3-yl) -10-phenyl-3,10-dihydropyrrolo [3,2-a] carbazol-7-amine (9.8 g, 20 mmol) After adding 4-bromobiphenyl (5.6 g, 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.06-0.1 mmol), PPh 3 (0.2 eq.), NaO t- Bu (6 eq.) And toluene (10.5 mL / The reaction proceeds at 100 占 폚. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was subjected to silicagel column and recrystallization to obtain 7.6 g (yield: 63%) of final product.

Product 3-12 합성 예시 Product 3-12 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00039
Figure 112017114774567-pat00039

둥근바닥플라스크에 12H-benzo[g]thieno[3,2-a]carbazole (5.5g, 20mmol), 치환된 피리딘화합물 (7.5g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 7.5g (수율: 68%)을 얻었다.Benzo [g] thieno [3,2-a] carbazole (5.5 g, 20 mmol), the substituted pyridine compound (7.5 g, 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.06-0.1 mmol) After adding PPh 3 (0.2 equivalent), NaO t- Bu (6 equivalents) and toluene (10.5 mL / 1 mmol), the reaction proceeds at 100 ° C. After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was subjected to silicagel column and recrystallization to obtain 7.5 g (yield: 68%) of final product.

Product 4-16 합성 예시 Product 4-16 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00040
Figure 112017114774567-pat00040

둥근바닥플라스크에 14H-dibenzo[a,c]thieno[2,3-i]carbazole (6.5g, 20mmol), 5-bromo-2,4-diphenylpyrimidine (7.5g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 7.1g (수율: 65%)을 얻었다.(6.5 g, 20 mmol), 5-bromo-2,4-diphenylpyrimidine (7.5 g, 24 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.06-0.1 mmol), PPh 3 (0.2 eq.), NaO t- Bu (6 eq.) And toluene (10.5 mL / 1 mmol). After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was subjected to silicagel column and recrystallization to obtain 7.1 g (yield: 65%) of final product.

Product 5-22 합성 예시 Product 5-22 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00041
Figure 112017114774567-pat00041

둥근바닥플라스크에 12H-benzo[c]thieno[3,2-a]carbazole (5.5g, 20mmol), 2-(4-bromophenyl)-4,6-diphenylpyrimidine (9.3g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 7.0g (수율: 62%)을 얻었다.To a round bottom flask, 12H-benzo [c] thieno [ 3,2-a] carbazole (5.5g, 20mmol), 2- (4-bromophenyl) -4,6-diphenylpyrimidine (9.3g, 24mmol), Pd 2 (dba ) 3 (0.06-0.1 mmol), PPh 3 (0.2 eq.), NaO t- Bu (6 eq.) And toluene (10.5 mL / 1 mmol). After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was subjected to silicagel column and recrystallization to obtain 7.0 g (yield: 62%) of final product.

Product 6-20 합성 예시 Product 6-20 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00042
Figure 112017114774567-pat00042

둥근바닥플라스크에 3-phenyl-3,14-dihydrodibenzo[c,g]pyrrolo[3,2-a]carbazole (7.6g, 20mmol), 4-bromo-2,6-diphenylpyrimidine (7.5g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 8.1g (수율: 63%)을 얻었다.A solution of 3-phenyl-3,14-dihydrodibenzo [c, g] pyrrolo [3,2-a] carbazole (7.6 g, 20 mmol), 4- bromo-2,6-diphenylpyrimidine (7.5 g, Pd 2 (dba) 3 (0.06-0.1 mmol), PPh 3 (0.2 eq.), NaO t- Bu (6 eq.) And toluene (10.5 mL / 1 mmol). After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was subjected to silicagel column and recrystallization to obtain 8.1 g of the final product (yield: 63%).

Product 7-4 합성 예시 Product 7-4 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00043
Figure 112017114774567-pat00043

둥근바닥플라스크에 1-tert-butyl-16H-tribenzo[c,g,i]furo[3,2-a]carbazole (8.3g, 20mmol), bromobenzene (3.8g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 5.8g (수율: 62%)을 얻었다.1-tert-butyl-16H- tribenzo a round bottom flask [c, g, i] furo [3,2-a] carbazole (8.3g, 20mmol), bromobenzene (3.8g, 24mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.06-0.1 mmol), PPh 3 (0.2 eq.), NaO t- Bu (6 eq.) And toluene (10.5 mL / 1 mmol). After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was subjected to silicagel column and recrystallization to obtain 5.8 g (yield: 62%) of final product.

Product 8-6 합성 예시 Product 8-6 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00044
Figure 112017114774567-pat00044

둥근바닥플라스크에 1,1,5-triphenyl-1,12-dihydrobenzo[g]silolo[2,3-a]carbazole (10.0g, 20mmol), bromobenzene (3.8g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 6.1g (수율: 57%)을 얻었다.1,1,5-triphenyl-1,12-dihydrobenzo [ g] in a round bottom flask silolo [2,3-a] carbazole ( 10.0g, 20mmol), bromobenzene (3.8g, 24mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.06-0.1 mmol), PPh 3 (0.2 eq.), NaO t- Bu (6 eq.) And toluene (10.5 mL / 1 mmol). After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was purified by silicagel column and recrystallized to obtain 6.1 g (yield: 57%) of final product.

Product 9-11 합성 예시 Product 9-11 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00045
Figure 112017114774567-pat00045

둥근바닥플라스크에 14H-dibenzo[a,c]thieno[3,2-i]carbazole (6.5g, 20mmol), 4-bromobiphenyl (5.6g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 6.4g (수율: 67%)을 얻었다.(6.5 g, 20 mmol), 4-bromobiphenyl (5.6 g, 24 mmol) and Pd 2 (dba) 3 (0.06-0.1 mmol) were added to a round bottom flask, , PPh 3 (0.2 eq.), NaO t- Bu (6 eq.) And toluene (10.5 mL / 1 mmol). After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was purified by silicagel column and recrystallized to obtain 6.4 g (yield: 67%) of final product.

Product 10-12 합성 예시 Product 10-12 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00046
Figure 112017114774567-pat00046

둥근바닥플라스크에 3-(pyridin-2-yl)-12H-benzo[c]furo[2,3-a]carbazole (6.7g, 20mmol), bromobenzene (3.8g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 5.2g (수율: 60%)을 얻었다.3- (pyridin-2-yl) -12H-benzo round bottom flask [c] furo [2,3-a ] carbazole (6.7g, 20mmol), bromobenzene (3.8g, 24mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.06-0.1 mmol), PPh 3 (0.2 eq.), NaO t- Bu (6 eq.) And toluene (10.5 mL / 1 mmol). After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was subjected to silicagel column and recrystallization to obtain 5.2 g (yield: 60%) of final product.

Product 11-9 합성 예시 Product 11-9 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00047
Figure 112017114774567-pat00047

둥근바닥플라스크에 14H-dibenzo[c,g]thieno[2,3-a]carbazole (6.5g, 20mmol), 치환된 피리딘화합물 (7.5g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 6.2g (수율: 61%)을 얻었다.To a round bottom flask, 14H-dibenzo [c, g] thieno [2,3-a] carbazole (6.5g, 20mmol), the substituted pyridine compound (7.5g, 24mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.06 ~ 0.1 mmol ), PPh 3 (0.2 eq.), NaO t- Bu (6 eq.) And toluene (10.5 mL / 1 mmol). After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resultant organic material was purified by silicagel column and recrystallized to obtain 6.2 g (yield: 61%) of final product.

Product 12-15 합성 예시 Product 12-15 Synthetic Example

Figure 112017114774567-pat00048
Figure 112017114774567-pat00048

둥근바닥플라스크에 16H-tribenzo[c,g,i]thieno[2,3-a]carbazole (7.5g, 20mmol), 2-(4-bromophenyl)-4,6-diphenylpyrimidine (9.3g, 24mmol), Pd2(dba)3 (0.06~0.1 mmol), PPh3 (0.2당량), NaOt-Bu (6당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물 8.8g (수율: 64%)을 얻었다.(7.5 g, 20 mmol), 2- (4-bromophenyl) -4,6-diphenylpyrimidine (9.3 g, 24 mmol) was added to a round bottom flask, Pd 2 (dba) 3 (0.06-0.1 mmol), PPh 3 (0.2 eq.), NaO t- Bu (6 eq.) And toluene (10.5 mL / 1 mmol). After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was subjected to silicagel column and recrystallization to obtain 8.8 g (yield: 64%) of final product.

상기와 같은 합성방법에 의해 합성된 최종 화합물 1-1 내지 12-25에 대한 질량분석 결과는 하기 표 2와 같다.The results of mass spectrometry for the final compounds 1-1 to 12-25 synthesized by the above synthesis method are shown in Table 2 below.

Figure 112017114774567-pat00049
Figure 112017114774567-pat00049

Figure 112017114774567-pat00050
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Figure 112017114774567-pat00051
Figure 112017114774567-pat00051

Figure 112017114774567-pat00052
Figure 112017114774567-pat00052

Figure 112017114774567-pat00053
Figure 112017114774567-pat00053

한편, 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물들의 각 치환기들은 광범위한 관계로, 대표적인 화합물들의 합성예를 예시적으로 설명하였으나, 합성예로 예시적으로 설명하지 않은 화학식 1 내지 2로 표시되는 화합물들도 본 명세서의 일부를 구성할 수 있다.Meanwhile, the respective substituents of the compounds represented by the formulas (1) and (2) are broadly related to each other. However, the compounds represented by the formulas (1) and (2), which are not exemplarily shown in the synthesis examples, And may form part of the specification.

또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기발광소자를 비롯한 유기전기소자의 제조시 사용되는 정공주입층 물질, 정공수송층 물질, 발광층 물질, 및 전자 수송층 물질에 사용되는 치환기를 상기 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 제조할 수 있다.Further, by introducing various substituents into the core structure having the above structure, it is possible to synthesize a compound having the intrinsic characteristics of the substituent introduced. For example, by introducing a substituent used in a hole injecting layer material, a hole transporting layer material, a light emitting layer material, and an electron transporting layer material used in the production of an organic electronic device including the organic light emitting device into the above structure, Materials can be prepared.

본 발명에 따른 화합물은 치환기의 종류 및 성질에 따라 유기전기발광소자에서 다양한 용도로 사용될 수 있다.The compounds according to the present invention can be used in various applications in organic electroluminescent devices depending on the kind and nature of substituent groups.

본 발명의 화합물은 코어와 치환체에 의해 조절이 자유롭기 때문에 인광 또는 형광 발광층의 호스트 이외의 다양한 층으로 작용할 수 있다.Since the compounds of the present invention are controllable by the core and the substituent, they can act as various layers other than phosphorescent or fluorescent light emitting host hosts.

본 발명의 유기전기소자는 전술한 화합물들을 이용하여 한층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기전기소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic electroluminescent device of the present invention can be manufactured by a conventional method and material for producing an organic electroluminescent device, except that the above-described compounds are used to form one or more organic substance layers.

본 발명의 화합물들을 유기전기발광소자의 다른 유기물층들, 예를 들어 발광 보조층, 전자주입층, 전자수송층, 및 정공주입층에 사용되더라도 동일한 효과를 얻을 수 있는 것은 자명하다.It is obvious that the same effects can be obtained even when the compounds of the present invention are used in other organic layers of an organic electroluminescent device, for example, a light-emission assisting layer, an electron injecting layer, an electron transporting layer, and a hole injecting layer.

한편 본 발명의 화합물은 용액 공정(soluble process)에 사용될 수 있다. 다시 말해 상기 화합물을 용액 공정(soluble process)에 의해 후술할 유기전기소자의 유기물층을 형성할 수 있다. 즉 상기 화합물을 유기물층으로 사용할 때 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조될 수 있다.Meanwhile, the compound of the present invention can be used in a soluble process. That is, the organic compound layer of the organic electronic device described later can be formed by a soluble process of the compound. That is, when the compound is used as an organic material layer, the organic material layer may be formed by a solution process or a solvent process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI > fewer layers.

본 발명의 화합물들이 사용될 수 있는 유기전기소자는 예를 들어, 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼, 유기트랜지스트(유기 TFT) 등이 있다.Organic electric devices in which the compounds of the present invention can be used include, for example, organic electroluminescent devices (OLED), organic solar cells, organic photoconductor (OPC) drums, organic transistors (organic TFT)

본 발명의 화합물들이 적용될 수 있는 유기전기소자 중 일예로 유기전기발광소자(OLED)에 대하여 설명하나, 본 발명은 이에 제한되지 않고 다양한 유기전기소자에 위에서 설명한 화합물들이 적용될 수 있다.The organic electroluminescent device (OLED) will be described as one example of organic electroluminescent devices to which the compounds of the present invention can be applied, but the present invention is not limited thereto and the above-described compounds may be applied to various organic electroluminescent devices.

본 발명의 다른 실시예는 제1 전극, 제2 전극 및 이들 전극 사이에 배치된 유기물층을 포함하는 유기전기소자에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 본 발명의 화합물들을 포함하는 유기전기발광소자를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device comprising a first electrode, a second electrode and an organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers comprises the compound of the present invention to provide.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 화합물을 적용할 수 있는 유기전기발광소자의 예를 도시한 것이다.1 to 6 show examples of organic electroluminescent devices to which the compounds of the present invention can be applied.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전기발광소자는, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층 중 1층 이상을 본 발명의 화합물을 포함하도록 형성하는 것을 제외하고는, 당 기술 분야에 통상의 제조 방법 및 재료를 이용하여 당 기술 분야에 알려져 있는 구조로 제조될 수 있다.The organic electroluminescent device according to another embodiment of the present invention can be manufactured by the same method as the organic electroluminescent device except that at least one layer of the organic compound layer including the hole injecting layer, the hole transporting layer, the light emitting layer, the electron transporting layer, Can be made with a structure known in the art using conventional manufacturing methods and materials in the art.

본 발명에 다른 실시예에 따른 유기전기발광소자의 구조는 도 1 내지 6에 예시되어 있으나, 이들 구조에만 한정된 것은 아니다. 이때, 도면번호 101은 기판, 102는 양극, 103은 정공주입층(HIL), 104는 정공수송층(HTL), 105는 발광층(EML), 106은 전자주입층(EIL), 107은 전자수송층(ETL), 108은 음극을 나타낸다. The structure of an organic electroluminescent device according to another embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 1 to 6, but is not limited to these structures. Reference numeral 101 denotes a substrate, 102 denotes an anode, 103 denotes a hole injection layer (HIL), 104 denotes a hole transport layer (HTL), 105 denotes a light emitting layer (EML), 106 denotes an electron injection layer (EIL) ETL), and 108 denotes a cathode.

미도시하였지만, 이러한 유기전기발광소자는 정공의 이동을 저지하는 정공저지층(HBL), 전자의 이동을 저지하는 전자저지층(EBL), 발광을 돕거나 보조하는 발광보조층 및 보호층이 더 위치할 수도 있다. 보호층의 경우 최상위층에서 유기물층을 보호하거나 음극을 보호하도록 형성될 수 있다.The organic electroluminescent device has a hole blocking layer (HBL) for blocking the movement of holes, an electron blocking layer (EBL) for blocking the movement of electrons, a luminescent auxiliary layer for assisting or assisting luminescence and a protective layer It may be located. In the case of the protective layer, it may be formed to protect the organic layer at the uppermost layer or to protect the cathode.

이때, 본 발명의 화합물은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층 중 하나 이상에 포함될 수 있다.At this time, the compound of the present invention may be included in at least one of organic compound layers including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer.

구체적으로, 본 발명의 화합물은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층 및 보호층 중 하나 이상을 대신하여 사용되거나 이들과 함께 층을 형성하여 사용될 수도 있다. 물론 유기물층 중 한층에만 사용되는 것이 아니라 두층 이상에 사용될 수 있다.Specifically, the compound of the present invention may be used as a substitute for one or more of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, a hole blocking layer, May be used. Of course, it can be used for more than two layers, not only one layer of the organic material layer.

특히, 본 발명의 화합물에 따라서 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자주입 재료, 전자수송 재료, 발광 재료 및 패시베이션(케핑) 재료로 사용될 수 있고, 특히 단독으로 발광물질 및 호스트/도판트에서 호스트 또는 도판트로 사용될 수 있으며, 정공 주입, 정공수송층으로 사용될 수 있다.In particular, it can be used as a hole injecting material, a hole transporting material, an electron injecting material, an electron transporting material, a light emitting material and a passivation (keping) material according to the compound of the present invention, It can be used as a dopant, and can be used as a hole injecting and hole transporting layer.

예컨대, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전기발광소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.For example, the organic electroluminescent device according to another embodiment of the present invention may be formed by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation, Oxide or an alloy thereof to form an anode, forming an organic material layer including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer and an electron injecting layer on the anode, depositing a material usable as a cathode thereon .

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기전기소자를 만들 수도 있다. 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. In addition to such a method, the organic material may be formed by sequentially depositing a negative electrode material, an organic material layer, and a positive electrode material on a substrate. The organic material layer may have a multi-layer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, but is not limited thereto and may have a single layer structure.

또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.In addition, the organic material layer may be formed by using a variety of polymer materials, not by vapor deposition, but by a solution process or a solvent process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, It can be manufactured in a small number of layers.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전기발광소자는 위에서 설명한 화합물을 스핀 코팅(spin coating)이나 잉크젯(ink jet) 공정과 같은 용액 공정(soluble process)에 사용될 수도 있다.The organic electroluminescent device according to another embodiment of the present invention may be used in a soluble process such as a spin coating process or an ink jet process.

기판은 유기전기발광소자의 지지체이며, 실리콘 웨이퍼, 석영 또는 유리판, 금속판, 플라스틱 필름이나 시트 등이 사용될 수 있다.The substrate may be a silicon wafer, a quartz or glass plate, a metal plate, a plastic film, or a sheet.

기판 위에는 양극이 위치된다. 이러한 양극은 그 위에 위치되는 정공주입층으로 정공을 주입한다. 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질일 수 있다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.An anode is placed on the substrate. Such an anode injects holes into the hole injection layer located thereon. The anode material may be a material having a large work function so that hole injection can be smoothly conducted into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole and polyaniline.

양극 위에는 정공주입층이 위치된다. 이러한 정공주입층의 물질로 요구되는 조건은 양극으로부터의 정공주입 효율이 높으며, 주입된 정공을 효율적으로 수송할 수 있어야 한다. 이를 위해서는 이온화 포텐셜이 작고 가시광선에 대한 투명성이 높으며, 정공에 대한 안정성이 우수해야 한다.A hole injection layer is located on the anode. The conditions required for the material of the hole injection layer are that the hole injection efficiency from the anode is high and the injected holes must be efficiently transported. For this purpose, the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, and the stability against holes is excellent.

정공주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이일 수 있다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole injecting material, a hole can be injected from the anode at a low voltage. The highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injecting material may be between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injecting material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic materials, hexanitrile hexaazatriphenylene, quinacridone-based organic materials, perylene-based organic materials, Anthraquinone, polyaniline and a polythiophene-based conductive polymer, but are not limited thereto.

상기 정공주입층 위에는 정공수송층이 위치된다. 이러한 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 전달받아 그 위에 위치되는 유기발광층으로 수송하는 역할을 하며, 높은 정공 이동도와 정공에 대한 안정성 및 전자를 막아주는 역할를 한다. 이러한 일반적 요구 이외에 차체 표시용으로 응용할 경우 소자에 대한 내열성이 요구되며, 유리 전이 온도(Tg)가 70 ℃ 이상의 값을 갖는 재료일 수 있다.A hole transport layer is disposed on the hole injection layer. The hole transport layer transports holes from the hole injection layer to an organic light emitting layer disposed thereon, and has high hole mobility, stability to holes, and electrons. In addition to these general requirements, heat resistance to a device is required when it is applied for vehicle display, and it may be a material having a glass transition temperature (Tg) of 70 DEG C or more.

이와 같은 조건을 만족하는 물질들로는 NPD(혹은 NPB라 함), 스피로-아릴아민계화합물, 페릴렌-아릴아민계화합물, 아자시클로헵타트리엔화합물, 비스(디페닐비닐페닐)안트라센, 실리콘게르마늄옥사이드화합물, 실리콘계아릴아민화합물 등이 될 수 있다.Materials satisfying such conditions include NPD (or NPB), spiro-arylamine compounds, perylene-arylamine compounds, azacycloheptatriene compounds, bis (diphenylvinylphenyl) anthracene, silicon germanium oxide Compounds, silicone-based arylamine compounds, and the like.

정공수송층 위에는 유기발광층이 위치된다. 이러한 유기발광층는 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자가 재결합하여 발광을 하는 층이며, 양자효율이 높은 물질로 이루어져 있다. 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질일 수 있다.An organic light emitting layer is disposed on the hole transporting layer. The organic light emitting layer is a layer in which holes and electrons injected from the anode and the cathode respectively recombine to emit light, and the organic light emitting layer is made of a material having high quantum efficiency. The light emitting material may be a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and may be a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence.

이와 같은 조건을 만족하는 물질 또는 화합물로는 녹색의 경우 Alq3가, 청색의 경우 Balq(8-hydroxyquinoline beryllium salt), DPVBi(4,4'-bis(2,2-diphenylethenyl)-1,1'-biphenyl) 계열, 스피로(Spiro) 물질, 스피로-DPVBi(Spiro-4,4'-bis(2,2-diphenylethenyl)-1,1'-biphenyl), LiPBO(2-(2-benzoxazoyl)-phenollithium salt), 비스(디페닐비닐페닐비닐)벤젠, 알루미늄-퀴놀린 금속착체, 이미다졸, 티아졸 및 옥사졸의 금속착체 등이 있으며, 청색 발광 효율을 높이기 위해 페릴렌, 및 BczVBi(3,3'[(1,1'-biphenyl)-4,4'-diyldi-2,1-ethenediyl]bis(9-ethyl)-9H-carbazole; DSA(distrylamine)류)를 소량 도핑하여 사용할 수 있다. 적색의 경우는 녹색 발광 물질에 DCJTB([2-(1,1-dimethylethyl)-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo(ij)quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene]-propanedinitrile)와 같은 물질을 소량 도핑하여 사용할 수 있다. Materials or compounds that satisfy these conditions include Alq3 in the case of green, Balq (8-hydroxyquinoline beryllium salt) in the case of blue, DPVBi (4,4'-bis (2,2-diphenylethenyl) biphenyl series, Spiro material, Spiro-4,4'-bis (2,2-diphenylethenyl) -1,1'-biphenyl), LiPBO (2- (2-benzoxazoyl) -phenolithium salt ), Bis (diphenylvinylphenylvinyl) benzene, aluminum-quinoline metal complexes, imidazoles, thiazole and oxazole metal complexes, and perylene and BczVBi (3,3 ' (1,1'-biphenyl) -4,4'-diyldi-2,1-ethenediyl] bis (9-ethyl) -9H-carbazole; DSA (distrylamine). In the case of red, the green luminescent material was doped with DCJTB ([2- (1,1-dimethylethyl) -6- [2- (2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl- -benzo (ij) quinolizin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene] -propanedinitrile).

잉크젯프린팅, 롤코팅, 스핀코팅 등의 공정을 사용하여 발광층을 형성할 경우에, 폴리페닐렌비닐렌(PPV) 계통의 고분자나 폴리 플루오렌(poly fluorene) 등의 고분자를 유기발광층에 사용할 수 있다.Polymers such as a polyphenylene vinylene (PPV) -based polymer and polyfluorene may be used for the organic light emitting layer when the light emitting layer is formed using processes such as inkjet printing, roll coating and spin coating .

유기발광층 위에는 전자수송층이 위치된다. 이러한 전자수송층은 그 위에 위치되는 음극으로부터 전자주입 효율이 높고 주입된 전자를 효율적으로 수송할 수 있는 물질이 필요하다. 이를 위해서는 전자 친화력과 전자 이동속도가 크고 전자에 대한 안정성이 우수한 물질로 이루어져야 한다. An electron transporting layer is disposed on the organic light emitting layer. Such an electron transporting layer requires a material capable of efficiently injecting electrons with a high electron injection efficiency from a cathode disposed thereon. For this purpose, it is required to be made of a material having high electron affinity, high electron transfer rate and excellent stability against electrons.

이와 같은 조건을 충족시키는 전자수송 물질로는 구체적인 예로 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the electron transporting material satisfying such conditions include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq3; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.

전자수송층 위에는 전자주입층이 적층된다. 전자주입층은 Balq, Alq3,Be(bq)2, Zn(BTZ)2, Zn(phq)2, PBD, spiro-PBD, TPBI, Tf-6P 등과 같은 금속착제화합물, imidazole ring 을 갖는 aromatic 화합물이나 boron화합물 등을 포함하는 저분자 물질을 이용하여 제작할 수 있다. 이때, 전자주입층은 100Å ~ 300Å의 두께 범위에서 형성될 수 있다.An electron injection layer is deposited on the electron transport layer. The electron injection layer may be a metal complex compound such as Balq, Alq3, Be (bq) 2, Zn (BTZ) 2, Zn (phq) 2, PBD, spiro-PBD, TPBI or Tf-6P, boron compounds, and the like. At this time, the electron injection layer may be formed in a thickness range of 100 ANGSTROM to 300 ANGSTROM.

전자주입층 위에는 음극이 위치된다. 이러한 음극은 전자를 주입하는 역할을 한다. 음극으로 사용하는 재료는 양극에 사용된 재료를 이용하는 것이 가능하며, 효율적인 전자주입을 위해서는 일 함수가 낮은 금속일 수 있다. 특히 주석, 마그네슘, 인듐, 칼슘, 나트륨, 리튬, 알루미늄, 은 등의 적당한 금속, 또는 그들의 적절한 합금이 사용될 수 있다. 또한 100 ㎛ 이하 두께의 리튬플루오라이드와 알루미늄, 산화리튬과 알루미늄, 스트론튬산화물과 알루미늄 등의 2 층 구조의 전극도 사용될 수 있다.On the electron injection layer, a cathode is positioned. These cathodes serve to inject electrons. The material used for the cathode may be the material used for the anode and may be a metal having a low work function for efficient electron injection. Particularly suitable metals such as tin, magnesium, indium, calcium, sodium, lithium, aluminum, silver, or their alloys may be used. Also, an electrode having a two-layer structure such as lithium fluoride and aluminum, lithium oxide and aluminum, strontium oxide and aluminum, etc., having a thickness of 100 μm or less may be used.

전술하였듯이, 본 발명의 화합물에 따라서 적색, 녹색, 청색, 흰색 등의 모든 칼라의 형광과 인광소자에 적합한 정공주입 재료, 정공수송 재료, 발광 재료, 전자수송 재료 및 전자주입 재료로 사용할 수 있으며, 다양한 색의 호스트 또는 도판트 물질로 사용될 수 있다.As described above, the compound of the present invention can be used as a hole injecting material, a hole transporting material, a light emitting material, an electron transporting material, and an electron injecting material, which are suitable for the fluorescence of all colors such as red, green, It can be used as a host or dopant material of various colors.

본 발명에 따른 유기전기발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic electroluminescent device according to the present invention may be of a top emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.

한편 본 발명은, 위에서 설명한 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 단말을 포함한다. 이 단말은 현재 또는 장래의 유무선 통신단말을 의미한다. 이상에서 전술한 본 발명에 따른 단말은 휴대폰 등의 이동 통신 단말기일 수 있으며, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 단말을 포함한다.Meanwhile, the present invention includes a display device including the above-described organic electronic device and a terminal including a control unit for driving the display device. This terminal means a current or future wired or wireless communication terminal. The terminal according to the present invention may be a mobile communication terminal such as a mobile phone and includes all terminals such as a PDA, an electronic dictionary, a PMP, a remote controller, a navigation device, a game machine, various TVs, and various computers.

유기전기소자의 제조평가Evaluation of manufacturing of organic electric device

합성을 통해 얻은 화합물을 발광층의 발광 호스트 물질로 사용하여 통상적인 방법에 따라 유기전계 발광소자를 제작하였다. 먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 위에 우선 정공 주입층으로서 구리프탈로사이아닌(이하 CuPc로 약기함)막을 진공증착하여 10 nm 두께로 형성하였다. 이어서, 이 막 상에 정공수송 화합물로서 4,4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐 (이하 -NPD로 약기함)을 30 nm 두께로 진공 증착 하여 정공수송층을 형성하였다. 정공수송층을 형성한 후, 상부에 개발한 화합물을 인광 호스트 재료로서 증착하여 발광층을 성막한 후, 인광 발광성의 Ir 금속 착체 도펀트로서 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(이하 Ir(ppy)3로 약기함)을 첨가하였다. 이때 발광층 중에 있어서의 Ir(ppy)3의 농도는 5중량%로 하였다. 정공 저지층으로 (1,1’-비스페닐)-4-올레이토)비스(2-메틸-8-퀴놀린올레이토)알루미늄(이하 BAlq로 약기함)을 10 nm 두께로 진공증착하고, 전자주입층으로 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄(이하 Alq3로 약칭함)을 40 nm 두께로 성막하였다. 이후, 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2 nm 두께로 증착하고, 이어서 Al을 150 nm의 두께로 증착하여 이 Al/LiF를 음극으로 사용함으로써 유기 전계 발광소자를 제조하였다.An organic electroluminescent device was fabricated according to a conventional method using a compound obtained through synthesis as a luminescent host material in a light emitting layer. First, a film of copper phthalocyanine (hereinafter referred to as CuPc) was vacuum deposited on the ITO layer (anode) formed on a glass substrate to form a hole injection layer having a thickness of 10 nm. Subsequently, 4,4-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (hereinafter abbreviated as -NPD) was vapor-deposited as a hole transport compound on the film to a thickness of 30 nm to form a hole transport layer . (2-phenylpyridine) iridium (hereinafter referred to as " Ir (ppy) 3 ") as a phosphorescent Ir metal complex dopant was formed by depositing the above-described compound as a phosphorescent host material to form a hole transport layer, Flask). At this time, the concentration of Ir (ppy) 3 in the light emitting layer was 5 wt%. (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (hereinafter abbreviated as BAlq) was vacuum-deposited to a thickness of 10 nm as a hole blocking layer, and electron injection Tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter abbreviated as Alq3) was deposited to a thickness of 40 nm. Thereafter, LiF as an alkali metal halide was deposited to a thickness of 0.2 nm, Al was subsequently deposited to a thickness of 150 nm, and this Al / LiF was used as a cathode to produce an organic electroluminescent device.

비교예Comparative Example 1 One

비교를 위해, 본 발명의 화합물 대신에 하기 식으로 표시되는 화합물(CBP)을 발광 호스트 물질로 사용하여 시험 예와 동일한 구조의 유기전계발광소자를 제작하였다.For comparison, an organic electroluminescent device having the same structure as that of the test example was fabricated using a compound (CBP) represented by the following formula instead of the compound of the present invention as a luminescent host material.

Figure 112017114774567-pat00054
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전술한 화합물들과 비교예1을 발광 호스트 물질로 사용하여 제작한 유기전계발광소자의 성능들(구동전압, 전류밀도, 밝기, 효율, 수명, 색좌표)을 비교하면 아래 표 3과 같다. Table 3 below compares the performance (driving voltage, current density, brightness, efficiency, lifetime, and color coordinates) of the organic electroluminescent device manufactured using the above-described compounds and Comparative Example 1 as a light emitting host material.

Figure 112017114774567-pat00055
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Figure 112017114774567-pat00065
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상기 표의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 유기전계발광소자용 재료는 발광 호스트 재료로 사용되어 낮은 구동전압, 색순도, 높은 발광효율 및 수명을 현저히 개선시킬 수 있다. As can be seen from the above table, the material for an organic electroluminescence device of the present invention can be used as a light emitting host material, which can remarkably improve a low driving voltage, color purity, high luminous efficiency and service life.

본 발명의 화합물들을 유기전계발광소자의 다른 유기물층들, 예를 들어 발광 보조층, 전자주입층, 전자수송층, 정공수송층 및 정공주입층 등에 사용되더라도 동일한 효과를 얻을 수 있는 것은 자명하다.It is obvious that the same effects can be obtained even when the compounds of the present invention are used in other organic layers of an organic electroluminescent device such as a light emitting auxiliary layer, an electron injecting layer, an electron transporting layer, a hole transporting layer and a hole injecting layer.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Accordingly, the embodiments disclosed herein are intended to be illustrative rather than limiting, and the spirit and scope of the present invention are not limited by these embodiments.

본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all the techniques within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

Claims (12)

제 1전극;
하기 화학식 (2)로 표시되는 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층; 및
제 2전극;이 순차적으로 적층된 형태로 포함된 유기전기소자.
Figure 112018009227889-pat00066

(1) Ar1 은 각각 동일하거나 상이하게,
수소, 할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기; 및
수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환 되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60헤테로고리기; 로 이루어진 군에서 선택되고,
(2) R1 수소; 중수소; 삼중수소; 할로겐기;
할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기;
C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C50알킬기;
할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2~C40 알케닐기;
수소, 중수소, 할로겐, CN, NO2, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20 의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2 ~C60헤테로고리기;
할로겐기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6~C60아릴아민기; 로 이루어진 군에서 선택되며,
(3) R2, R3 수소; 중수소; 삼중수소; 할로겐기;
할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기;
C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C50알킬기;
수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60헤테로고리기;
할로겐기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6~C60아릴아민기; 로 이루어진 군에서 선택되며,
(4) R4 수소; 중수소; 삼중수소; 할로겐기;
할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기;
할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2~C40알케닐기;
수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C2~C60헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
(5) X는 N(R5), S, O, SiR6R7로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 R5 내지 R7수소; C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20 의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6~C60아릴기; 수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환 되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60 헤테로고리기; C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C50알킬기;로 구성된 군에서 선택되며,
(6) n은 4의 정수이고 m은 2의 정수이며, n과 m이 2이상인 경우 복수의 R1, R4는 동일 또는 상이하고,
R1들간 및 R4들간 중 적어도 하나는 비치환 된 방향족 고리를 형성한다.
A first electrode;
One or more organic layers including a compound represented by the following formula (2); And
And a second electrode are stacked in this order.
Figure 112018009227889-pat00066

(1) Ar &lt ; 1 & gt; may be the same or different,
A halogen atom, a C 1 to C 60 alkyl group, a C 1 to C 60 alkoxy group, a C 1 to C 60 alkylamine group, a C 6 to C 60 arylamine group, a C 1 to C 60 alkylthio group thiophene group, a C 6 ~ aryl T of C 60 thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the aryl group, of a C 6 ~ C 60 substituted with a heavy hydrogen aryl, C 8 ~ C 60 aryl alkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group, and a substituted or unsubstituted C 2 ~ C a substituted at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups of 20 groups or unsubstituted C 6 ~ C 60 aryl group; And
A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, A C 2 to C 60 heterocyclic group which is substituted or unsubstituted with one or more substituents in the group and contains at least one hetero atom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P ; , ≪ / RTI >
(2) R 1 is hydrogen ; Deuterium ; Tritium ; A halogen group ;
A halogen group, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 ~ C 60 alkyl thiophene group , an aryl group, a heavy hydrogen of C 6 ~ C 60 aryl thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the substituted C 6 ~ aryl group of C 60, C 8 ~ C 60 arylalkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group ring, and a substituted or unsubstituted of an aryl group of C 2 ~ C 20 by at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups is substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of;
C 1 ~ alkenyl group of the C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ aryl group of C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with deuterium, C 7 alkyl ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of C 1 ~ C 50 ;
A halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group , C 8 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the heterocyclic group, the in nitrile group and acetylene group the group consisting of unsubstituted or substituted with substituent C 2 ~ C An alkenyl group having 1 to 40 carbon atoms ;
Hydrogen, deuterium, halogen, CN, NO 2, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 A C 6 to C 60 alkyl group, a C 2 to C 60 alkenyl group, a C 2 to C 60 alkynyl group, a C 3 to C 60 cycloalkyl group, a C 6 to C 60 aryl group, a C 6 ~ C 60 aryl group, a silane group, a boron group, a germanium group, a C 2 ~ C with a substituent selected from the 20 group consisting of a heterocycle of being unsubstituted or substituted with O, N, S, at least one of Si, P a heterocyclic group of C 2 ~ C 60 containing a hetero atom; And
A cycloalkyl group of a halogen group, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 3 ~ C 30 of, C 6 ~ C 60 aryl group, C 2 ~ C of the arylamine group with one or more substituents selected from the 60 group consisting of heterocyclic substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60; , ≪ / RTI >
(3) R 2 and R 3 are hydrogen ; Deuterium ; Tritium ; A halogen group ;
A halogen group, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 ~ C 60 alkyl thiophene group , an aryl group, a heavy hydrogen of C 6 ~ C 60 aryl thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the substituted C 6 ~ aryl group of C 60, C 8 ~ C 60 arylalkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group ring, and a substituted or unsubstituted of an aryl group of C 2 ~ C 20 by at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups is substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of;
C 1 ~ alkenyl group of the C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ aryl group of C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with deuterium, C 7 alkyl ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of C 1 ~ C 50 ;
A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, A C 2 to C 60 heterocyclic group which is substituted or unsubstituted with one or more substituents in the group and contains at least one hetero atom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P ; And
A cycloalkyl group of a halogen group, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 3 ~ C 30 of, C 6 ~ C 60 aryl group, C 2 ~ C of the arylamine group with one or more substituents selected from the 60 group consisting of heterocyclic substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60; , ≪ / RTI >
(4) R & lt ; 4 & gt ; is hydrogen ; Deuterium ; Tritium; A halogen group ;
A halogen group, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 ~ C 60 alkyl thiophene group , an aryl group, a heavy hydrogen of C 6 ~ C 60 aryl thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the substituted C 6 ~ aryl group of C 60, C 8 ~ C 60 arylalkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group ring, and a substituted or unsubstituted of an aryl group of C 2 ~ C 20 by at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups is substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of;
A halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group , C 8 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the heterocyclic group, the in nitrile group and acetylene group the group consisting of unsubstituted or substituted with substituent C 2 ~ C An alkenyl group having 1 to 40 carbon atoms ;
A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, A substituted or unsubstituted C 2 to C 60 heterocyclic group which is substituted or unsubstituted with one or more substituents in the group and which contains at least one hetero atom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P, ,
(5) X is selected from the group consisting of N (R 5 ), S, O, SiR 6 R 7 ,
R 5 to R 7 are independently selected from the group consisting of hydrogen; An alkoxy group of C 1 ~ C 20 alkyl group, C 1 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 alkyl amine group, C 1 ~ C 20 alkyl thiophene group, C 6 ~ C 20 aryl thiophene group, C C 2 to C 20 alkenyl groups, C 2 to C 20 alkynyl groups, C 3 to C 20 cycloalkyl groups, C 6 to C 60 aryl groups, C 6 to C 20 aryl groups substituted with deuterium, C 8 aryl group ~ C 20 arylalkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, a C 2 ~ C 20 by at least one substituent group selected from the heterocyclic group consisting of cyclic groups substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of the; A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, A C 2 to C 60 heterocyclic group which is substituted or unsubstituted with at least one substituent in the group and contains at least one hetero atom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P; C 1 ~ alkenyl group of the C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ aryl group of C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with deuterium, C 7 alkyl ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of C 1 ~ C 50 ; , ≪ / RTI >
(6) n is an integer of 4 and m is an integer of 2, and when n and m are 2 or more, plural R 1 and R 4 are the same or different,
At least one of R 1 and R 4 intervening forms an unsubstituted aromatic ring.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 화학식 (2)로 표시되는 화합물은 하기 화학식 (8) 내지 화학식(12) 중 하나로 표시되는, 유기전기소자.
Figure 112017114774567-pat00067

(여기서, R1, R2, R3, R4, n, m, Ar1, X는 상기 (2)에서 정의된 것과 같다.)
The method according to claim 1,
Wherein the compound represented by the formula (2) is represented by one of the following formulas (8) to (12).
Figure 112017114774567-pat00067

(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , n, m, Ar 1 and X are the same as defined in the above (2)).
제 1항에 있어서,
상기 화학식 (2)는 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
Figure 112018009227889-pat00070

Figure 112018009227889-pat00071

Figure 112018009227889-pat00072

Figure 112018009227889-pat00073

Figure 112018009227889-pat00074

Figure 112018009227889-pat00075

Figure 112018009227889-pat00076

Figure 112018009227889-pat00077

Figure 112018009227889-pat00078
The method according to claim 1,
Wherein the formula (2) is one of the following compounds.
Figure 112018009227889-pat00070

Figure 112018009227889-pat00071

Figure 112018009227889-pat00072

Figure 112018009227889-pat00073

Figure 112018009227889-pat00074

Figure 112018009227889-pat00075

Figure 112018009227889-pat00076

Figure 112018009227889-pat00077

Figure 112018009227889-pat00078
제 1항에 있어서,
상기 화합물을 용액공정(soluble process)에 의해 상기 유기물층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
The method according to claim 1,
Wherein said compound is formed into said organic material layer by a soluble process.
제 1항에 있어서,
상기 유기물층은 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 중 적어도 하나인, 유기전기소자.
The method according to claim 1,
Wherein the organic material layer is at least one of a light emitting layer, a hole injecting layer, a hole transporting layer, an electron injecting layer, and an electron transporting layer.
제 6항에 있어서,
상기 화합물은 상기 발광층의 호스트 또는 도판트 물질로 사용되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
The method according to claim 6,
Wherein the compound is used as a host or dopant material of the light emitting layer.
제 1항의 유기전기소자는 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT)를 포함하며,
상기 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT) 중 적어도 하나를 포함하는 전자장치.
The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic electroluminescent device (OLED), the organic solar cell, the organic photoconductor (OPC), and the organic transistor (organic TFT)
An organic electroluminescent device (OLED), an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor (organic TFT).
하기 화학식 (2)로 표시되는 화합물.
Figure 112018009227889-pat00079

(1) Ar1 은 각각 동일하거나 상이하게,
수소, 할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기; 및
수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환 되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60헤테로고리기; 로 이루어진 군에서 선택되고,
(2) R1 수소; 중수소; 삼중수소; 할로겐기;
할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기;
C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C50알킬기;
할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2~C40 알케닐기;
수소, 중수소, 할로겐, CN, NO2, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20 의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2 ~C60헤테로고리기;
할로겐기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6~C60아릴아민기; 로 이루어진 군에서 선택되며,
(3) R2, R3 수소; 중수소; 삼중수소; 할로겐기;
할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기;
C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C50알킬기;
수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60헤테로고리기;
할로겐기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6~C60아릴아민기; 로 이루어진 군에서 선택되며,
(4) R4 수소; 중수소; 삼중수소; 할로겐기;
할로겐기, C1~C60의 알킬기, C1~C60의 알콕시기, C1~C60의 알킬아민기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C60의 알킬티오펜기, C6~C60의 아릴티오펜기, C2~C60의 알케닐기, C2~C60의 알키닐기, C3~C60의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C60의 아릴기, C8~C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60아릴기;
할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C2~C40알케닐기;
수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C2~C60헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
(5) X는 N(R5), S, O, SiR6R7로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 R5 내지 R7수소; C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20 의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6~C60아릴기; 수소, 중수소, 할로겐기, C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴아민기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환 되고 O, N, S, Si, P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C50알킬기;로 구성된 군에서 선택되며,
(6) n은 4의 정수이고 m은 2의 정수이며, n과 m이 2이상인 경우 복수의 R1, R4는 동일 또는 상이하고,
R1들간 및 R4들간 중 적어도 하나는 비치환 된 방향족 고리를 형성한다.
A compound represented by the following formula (2).
Figure 112018009227889-pat00079

(1) Ar &lt ; 1 & gt; may be the same or different,
A halogen atom, a C 1 to C 60 alkyl group, a C 1 to C 60 alkoxy group, a C 1 to C 60 alkylamine group, a C 6 to C 60 arylamine group, a C 1 to C 60 alkylthio group thiophene group, a C 6 ~ aryl T of C 60 thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the aryl group, of a C 6 ~ C 60 substituted with a heavy hydrogen aryl, C 8 ~ C 60 aryl alkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group, and a substituted or unsubstituted C 2 ~ C a substituted at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups of 20 groups or unsubstituted C 6 ~ C 60 aryl group; And
A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, A C 2 to C 60 heterocyclic group which is substituted or unsubstituted with one or more substituents in the group and contains at least one hetero atom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P ; , ≪ / RTI >
(2) R 1 is hydrogen ; Deuterium ; Tritium ; A halogen group ;
A halogen group, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 ~ C 60 alkyl thiophene group , an aryl group, a heavy hydrogen of C 6 ~ C 60 aryl thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the substituted C 6 ~ aryl group of C 60, C 8 ~ C 60 arylalkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group ring, and a substituted or unsubstituted of an aryl group of C 2 ~ C 20 by at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups is substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of;
C 1 ~ alkenyl group of the C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ aryl group of C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with deuterium, C 7 alkyl ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of C 1 ~ C 50 ;
A halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group , C 8 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the heterocyclic group, the in nitrile group and acetylene group the group consisting of unsubstituted or substituted with substituent C 2 ~ C An alkenyl group having 1 to 40 carbon atoms ;
Hydrogen, deuterium, halogen, CN, NO 2, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 A C 6 to C 60 alkyl group, a C 2 to C 60 alkenyl group, a C 2 to C 60 alkynyl group, a C 3 to C 60 cycloalkyl group, a C 6 to C 60 aryl group, a C 6 ~ C 60 aryl group, a silane group, a boron group, a germanium group, a C 2 ~ C with a substituent selected from the 20 group consisting of a heterocycle of being unsubstituted or substituted with O, N, S, at least one of Si, P a heterocyclic group of C 2 ~ C 60 containing a hetero atom; And
A cycloalkyl group of a halogen group, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 3 ~ C 30 of, C 6 ~ C 60 aryl group, C 2 ~ C of the arylamine group with one or more substituents selected from the 60 group consisting of heterocyclic substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60; , ≪ / RTI >
(3) R 2 and R 3 are hydrogen ; Deuterium ; Tritium ; A halogen group ;
A halogen group, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 ~ C 60 alkyl thiophene group , an aryl group, a heavy hydrogen of C 6 ~ C 60 aryl thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the substituted C 6 ~ aryl group of C 60, C 8 ~ C 60 arylalkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group ring, and a substituted or unsubstituted of an aryl group of C 2 ~ C 20 by at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups is substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of;
C 1 ~ alkenyl group of the C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ aryl group of C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with deuterium, C 7 alkyl ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of C 1 ~ C 50 ;
A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, A C 2 to C 60 heterocyclic group which is substituted or unsubstituted with one or more substituents in the group and contains at least one hetero atom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P ; And
A cycloalkyl group of a halogen group, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 3 ~ C 30 of, C 6 ~ C 60 aryl group, C 2 ~ C of the arylamine group with one or more substituents selected from the 60 group consisting of heterocyclic substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60; , ≪ / RTI >
(4) R & lt ; 4 & gt ; is hydrogen ; Deuterium ; Tritium; A halogen group ;
A halogen group, C 1 ~ C 60 alkyl group, C 1 ~ C 60 alkoxy group, C 1 ~ C 60 alkyl amine group, C 6 ~ C 60 aryl amine group, C 1 ~ C 60 alkyl thiophene group , an aryl group, a heavy hydrogen of C 6 ~ C 60 aryl thiophene group, a C 2 ~ C 60 alkenyl group, C 2 ~ C 60 alkynyl group, C 3 ~ C 60 cycloalkyl group, C 6 ~ C 60 of the substituted C 6 ~ aryl group of C 60, C 8 ~ C 60 arylalkenyl group, a substituted or unsubstituted silane group, a substituted or unsubstituted boron group, a substituted or unsubstituted germanium group ring, and a substituted or unsubstituted of an aryl group of C 2 ~ C 20 by at least one group selected from the group consisting of heterocyclic ring groups is substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of;
A halogen group, C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with a heavy hydrogen of the aryl group , C 8 ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the heterocyclic group, the in nitrile group and acetylene group the group consisting of unsubstituted or substituted with substituent C 2 ~ C An alkenyl group having 1 to 40 carbon atoms ;
A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, A substituted or unsubstituted C 2 to C 60 heterocyclic group which is substituted or unsubstituted with one or more substituents in the group and which contains at least one hetero atom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P, ,
(5) X is selected from the group consisting of N (R 5 ), S, O, SiR 6 R 7 ,
R 5 to R 7 are independently selected from the group consisting of hydrogen; An alkoxy group of C 1 ~ C 20 alkyl group, C 1 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 alkyl amine group, C 1 ~ C 20 alkyl thiophene group, C 6 ~ C 20 aryl thiophene group, C C 2 to C 20 alkenyl groups, C 2 to C 20 alkynyl groups, C 3 to C 20 cycloalkyl groups, C 6 to C 60 aryl groups, C 6 to C 20 aryl groups substituted with deuterium, C 8 aryl group ~ C 20 arylalkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, a C 2 ~ C 20 by at least one substituent group selected from the heterocyclic group consisting of cyclic groups substituted or unsubstituted C 6 ~ C 60 of the; A halogen atom, a halogen atom, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylamine group, a C 6 to C 60 aryl Membered heterocyclic group, a nitrile group, and an acetylene group, each of which is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group, a C 7 -C 20 arylalkyl group, a C 8 -C 20 arylalkenyl group, a C 2 -C 20 heterocyclic group, A C 2 to C 60 heterocyclic group which is substituted or unsubstituted with one or more substituents in the group and contains at least one hetero atom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P; C 1 ~ alkenyl group of the C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 of, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 6 ~ aryl group of C 20 aryl group, a C 6 ~ C 20 substituted with deuterium, C 7 alkyl ~ C 20 aryl group, C 8 ~ C 20 aryl alkenyl group, C 2 ~ C 20 of the hetero ring group, nitrile group and acetylene group unsubstituted or substituted with a substituent selected from the group consisting of C 1 ~ C 50 ; , ≪ / RTI >
(6) n is an integer of 4 and m is an integer of 2, and when n and m are 2 or more, plural R 1 and R 4 are the same or different,
At least one of R 1 and R 4 intervening forms an unsubstituted aromatic ring.
삭제delete 제 9항에 있어서,
상기 화학식 (2)로 표시되는 화합물은 하기 화학식 (8) 내지 화학식(12) 중 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물.
Figure 112017114774567-pat00080

(여기서, R1, R2, R3, R4, n, m, Ar1, X는 상기 화학식 (2)에서 정의된 것과 같다.)
10. The method of claim 9,
The compound represented by the formula (2) is represented by one of the following formulas (8) to (12).
Figure 112017114774567-pat00080

Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , n, m, Ar 1 and X are the same as defined in the above formula (2).
제 9항에 있어서,
상기 화학식 (2)는 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 화합물.
Figure 112018009227889-pat00083

Figure 112018009227889-pat00084

Figure 112018009227889-pat00085

Figure 112018009227889-pat00086

Figure 112018009227889-pat00087

Figure 112018009227889-pat00088

Figure 112018009227889-pat00089

Figure 112018009227889-pat00090

Figure 112018009227889-pat00091
10. The method of claim 9,
Wherein said formula (2) is one of the following compounds.
Figure 112018009227889-pat00083

Figure 112018009227889-pat00084

Figure 112018009227889-pat00085

Figure 112018009227889-pat00086

Figure 112018009227889-pat00087

Figure 112018009227889-pat00088

Figure 112018009227889-pat00089

Figure 112018009227889-pat00090

Figure 112018009227889-pat00091
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