KR101849944B1 - Duty-cycle corrector - Google Patents

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KR101849944B1
KR101849944B1 KR1020160111634A KR20160111634A KR101849944B1 KR 101849944 B1 KR101849944 B1 KR 101849944B1 KR 1020160111634 A KR1020160111634 A KR 1020160111634A KR 20160111634 A KR20160111634 A KR 20160111634A KR 101849944 B1 KR101849944 B1 KR 101849944B1
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오태현
정덕관
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광운대학교 산학협력단
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    • H03K2005/00078Fixed delay
    • H03K2005/00136Avoiding asymmetry of delay for leading or trailing edge; Avoiding variations of delay due to threshold

Abstract

듀티 사이클 교정 회로를 공개한다. 본 발명은 입력 클럭 신호를 생성하는 클럭 신호 생성부, 입력 클럭 신호를 인가받고, 입력 클럭 신호에 대응하는 선 교정 클럭 신호를 생성하며, 교정 클럭 신호의 듀티에 대응하여 인가되는 복수개의 상승 에지 제어 신호 및 복수개의 하강 에지 제어 신호에 응답하여 선 교정 클럭 신호의 상승 에지 기울기 및 하강 에지 기울기를 가변하는 듀티 사이클 교정부 및 선 교정 클럭 신호를 인가받아 버퍼링하여, 선 교정 클럭 신호의 상승 에지 기울기 및 하강 에지 기울기의 절대값이 기기정된 기울기값이 되도록 교정하여 교정 클럭 신호를 출력하는 전역 클럭 드라이버를 포함한다.Duty cycle calibration circuit is disclosed. The present invention relates to a clock signal generator for generating an input clock signal, an input clock signal generating unit for generating a pre-calibration clock signal corresponding to the input clock signal, a plurality of rising edge control units And a rising edge slope and a falling edge slope of the pre-calibration clock signal in response to the falling edge control signal and the falling edge control signal of the pre-correction clock signal, And a global clock driver that calibrates the absolute value of the falling edge slope to the device fixed slope value and outputs a calibration clock signal.

Figure R1020160111634
Figure R1020160111634

Description

듀티 사이클 교정 회로{DUTY-CYCLE CORRECTOR}DUTY CYCLE CORRECTOR {DUTY-CYCLE CORRECTOR}

본 발명은 듀티 사이클 교정 회로에 관한 것으로, 특히 넓은 주파수 범위에서 듀티 사이클 교정이 가능한 듀티 사이클 교정 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a duty cycle correction circuit, and more particularly, to a duty cycle correction circuit capable of duty cycle correction in a wide frequency range.

도1 은 종래의 클럭 신호를 생성하여 출력하는 클럭 발생부의 구성 및 조건에 따른 클럭 신호의 듀티 변화를 나타낸다.1 shows a duty change of a clock signal according to a configuration and a condition of a clock generating unit for generating and outputting a conventional clock signal.

도1 에서 (a)는 기존의 클럭 발생부의 구성과 출력되는 클럭 신호의 파형을 나타내며, (b)는 공정(Process), 공급 전압(Supply Voltage) 및 온도(Temperature)(이하 PVT) 조건과 부하 커패시턴스(LC) 변동에 따른 듀티 변화를 나타낸다.FIG. 1 (a) shows a configuration of a conventional clock generating unit and a waveform of an output clock signal. FIG. 2 (b) shows a waveform diagram of a process, a supply voltage and a temperature And a duty change due to the capacitance (LC) variation.

도1 의 (a)에 도시된 바와 같이, 기존의 클럭 발생부는 인가된 기설정된 주기와 듀티를 갖는 클럭 신호를 생성하는 클럭 생성기(CG) 및 클럭 생성기(CG)기에서 생성된 클럭 신호를 버퍼링하여 칩 내부의 다른 회로로 전송하는 전역 클럭 드라이버(GCD)를 구비한다.As shown in FIG. 1 (a), a conventional clock generator generates a clock signal generated by a clock generator (CG) and a clock generator (CG), which generates a clock signal having a predetermined period and duty, And a global clock driver (GCD) for transferring data to other circuits in the chip.

클럭 생성기(CG)는 전압 제어 발진기(이하 VCO : voltage controlled oscillator) 또는 위상 고정 루프(이하 PLL : phase locked loop)를 이용하여 클럭 신호를 생성할 수 있으며, VCO 및 PLL을 함께 사용할 수도 있다.The clock generator CG may generate a clock signal using a voltage controlled oscillator (VCO) or a phase locked loop (PLL), and may use a VCO and a PLL together.

그러나 클럭 생성기(CG)에서 생성된 클럭 신호는 듀티 오차를 포함할 수 있다. 일반적으로 클럭 생성기(CG)는 지정된 주파수에서 50%의 듀티를 갖는 클럭 신호를 생성하도록 설계되지만, 실제로는 클럭 생성기(CG)의 PVT 변화에 따라 주파수와 듀티에 오차가 발생되는 경우가 많다.However, the clock signal generated by the clock generator CG may include a duty error. Generally, the clock generator (CG) is designed to generate a clock signal having a duty of 50% at a designated frequency, but in reality, there is often an error in frequency and duty depending on the PVT change of the clock generator (CG).

한편 집적회로 칩 내부의 클럭 발생기(CG)에서 생성된 클럭 신호를 칩 내부의 다른 회로에서 이용하는 경우, 클럭 신호가 전송되는 동안 발생될 수 있는 왜곡을 보상하기 위해 전역 클럭 드라이버(GCD)를 구비한다. 전역 클럭 드라이버(GCD)는 도1 에 도시된 바와 같이, 인버터 체인으로 구성된 일종의 버퍼(buffer)로 구현되어, 클럭 신호를 0버퍼링하여 전송한다. 그러나 전역 클럭 드라이버(GCD)를 구성하는 버퍼의 복수개의 NMOS 트랜지스터 및 PMOS 트랜지스터 또한 클럭 발생기(CG)와 마찬가지로 PVT 변화에 따라 풀업(pull-up) 및 풀다운(pull-down) 능력에 차이가 발생할 수 있다. 그리고 풀업(pull-up) 및 풀다운(pull-down) 능력에 차이는 버퍼에서 출력되는 클럭 신호의 듀티(duty)에 오차가 발생되는 결과를 초래한다. 즉 다른 회로로 전송되는 클럭 신호의 왜곡을 보상하기 위해 구비되는 전력 클럭 드라이버(GCD)가 오히려 클럭 신호의 듀티를 왜곡하는 문제가 발생할 수 있다. 또한 클럭 신호의 듀티는 (b)에 도시된 바와 같이 부하 커패시턴스(LC)에 의해서도 듀티가 왜곡될 수 있다.On the other hand, when the clock signal generated in the clock generator (CG) in the integrated circuit chip is used in another circuit in the chip, a global clock driver (GCD) is provided to compensate for distortion that may occur during transmission of the clock signal . As shown in FIG. 1, the global clock driver (GCD) is implemented as a kind of buffer composed of an inverter chain and buffers and transmits a clock signal. However, a plurality of NMOS transistors and PMOS transistors of the buffer constituting the global clock driver (GCD) may cause a difference in the pull-up and pull-down capacities as the PVT changes, like the clock generator CG. have. The difference in pull-up and pull-down capability results in an error in the duty of the clock signal output from the buffer. That is, a power clock driver (GCD) provided to compensate for the distortion of the clock signal transmitted to other circuits may cause a problem that the duty of the clock signal is distorted. Also, the duty of the clock signal may be distorted by the load capacitance LC as shown in (b).

클럭 신호는 각종 회로의 동작 타이밍을 결정하는 기준으로 이용되므로, 클럭 신호를 인가받는 회로들 또한 50% 듀티를 갖는 클럭 신호를 기반으로 동작이 설계되므로, 듀티의 오차는 회로의 오동작을 야기할 수 있다는 문제가 있다. 특히 수 GHz 클럭 소스로부터 상승 에지 및 하강 에지를 모두 이용하여 2배(double) 또는 4배(quadruple) 데이터 속도를 구현하는 다중 데이터율(Multi Data Rate : MDR) 구조의 디지털 회로의 경우, 클럭 신호의 상승 에지(rising edge) 및 하강 에지(falling edge)를 모두 사용하기 때문에, 듀티의 오차는 회로 동작에서 심각한 오류를 초래할 수 있어 반드시 교정되어야 한다.Since the clock signal is used as a reference for determining the operation timing of various circuits, the circuits receiving the clock signal are also designed based on the clock signal having the duty of 50%, so that the error of the duty may cause a malfunction of the circuit There is a problem. In particular, in the case of a digital circuit with a multi data rate (MDR) structure that implements a double or quadruple data rate using both rising and falling edges from a several GHz clock source, The duty of the duty must be calibrated since it may cause a serious error in the circuit operation because both the rising and falling edges of the duty cycle are used.

또한 듀티의 왜곡이 직접적인 오류를 야기하지 않더라도, 현재 디지털 회로에서 많이 적용되고 있는 파이프라인 구조(pipelined architecture)에서 트리거(trigger)의 불균형을 야기하고 타이밍 마진(timing margin)을 제한하므로 교정되어야 한다.Also, even if the distortion of the duty does not cause a direct error, it must be corrected because it causes a timing imbalance in the pipelined architecture that is currently applied in digital circuits and limits the timing margin.

한국 공개 특허 제10-2003-0003361호(2003.01.10 공개)Korean Patent Publication No. 10-2003-0003361 (published on Jan. 10, 2003)

본 발명의 목적은 고주파수의 클럭 신호에 대해 넓은 범위의 듀티 오차를 빠르게 교정할 수 있는 듀티 사이클 교정 회로를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a duty cycle correction circuit capable of quickly calibrating a wide range of duty errors for a high frequency clock signal.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 듀티 사이클 교정 회로는 입력 클럭 신호를 생성하는 클럭 신호 생성부; 상기 입력 클럭 신호를 인가받고, 상기 입력 클럭 신호에 대응하는 선 교정 클럭 신호를 생성하며, 교정 클럭 신호의 듀티에 대응하여 인가되는 복수개의 상승 에지 제어 신호 및 복수개의 하강 에지 제어 신호에 응답하여 상기 선 교정 클럭 신호의 상승 에지 기울기 및 하강 에지 기울기를 가변하는 듀티 사이클 교정부; 및 상기 선 교정 클럭 신호를 인가받아 버퍼링하여, 상기 선 교정 클럭 신호의 상승 에지 기울기 및 하강 에지 기울기의 절대값이 기기정된 기울기값이 되도록 교정하여 교정 클럭 신호를 출력하는 전역 클럭 드라이버; 를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a duty cycle correcting circuit including: a clock signal generator for generating an input clock signal; A plurality of rising edge control signals and a plurality of falling edge control signals applied in response to the duty of the calibration clock signal, A duty cycle calibration unit for varying a rising edge slope and a falling edge slope of the pre-calibration clock signal; And a global clock driver for receiving and buffering the pre-calibration clock signal and outputting a calibration clock signal by calibrating an absolute value of a rising edge slope and a falling edge slope of the pre-calibration clock signal to be a device-fixed slope value; .

상기 듀티 사이클 교정부는 전원 전압과 상기 선 교정 클럭 신호가 출력되는 선 교정 노드 사이에 연결되고, 상기 복수개의 상승 에지 제어 신호에 응답하여 상기 선 교정 클럭 신호의 상승 에지 기울기를 가변하며, 상기 입력 클럭 신호의 전압 레벨이 기설정된 제1 기준 레벨 이하이면, 상기 선 교정 클럭 신호를 가변된 상기 상승 에지 기울기에 따라 풀업하는 상승 에지 조절부; 및 상기 선 교정 노드와 접지 전원 사이에 연결되고, 상기 복수개의 하강 에지 제어 신호에 응답하여 상기 선 교정 클럭 신호의 하강 에지 기울기를 가변하며, 상기 입력 클럭 신호의 전압 레벨이 기설정된 제2 기준 레벨 이상이면, 상기 선 교정 클럭 신호를 가변된 상기 하강 에지 기울기에 따라 풀다운하는 상승 에지 조절부; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the duty cycle calibration unit is connected between a power supply voltage and a pre-calibration node to which the pre-calibration clock signal is output, and varies a rising edge slope of the pre-calibration clock signal in response to the plurality of rising edge control signals, A rising edge adjuster for pulling up the pre-calibration clock signal according to the rising rising edge slope when the voltage level of the signal is lower than a predetermined first reference level; And a control unit coupled between the pre-calibration node and a ground power source, for varying a falling edge slope of the pre-calibration clock signal in response to the plurality of falling edge control signals, wherein the voltage level of the input clock signal is a second reference level A rising edge adjusting unit for pulling down the pre-calibration clock signal according to the slope of the falling edge; And a control unit.

상기 상승 에지 조절부는 상기 전원 전압과 상기 선 교정 노드 사이에 서로 병렬로 연결되고, 각각 상기 복수개의 상승 에지 제어 신호 중 대응하는 상승 에지 제어 신호에 응답하여 활성화되고, 상기 입력 클럭 신호의 전압 레벨이 상기 제1 기준 레벨 이하이면, 상기 선 교정 클럭 신호를 풀업하는 복수개의 풀업 구동부; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the rising edge control unit is connected in parallel between the power supply voltage and the pre-correction node and is activated in response to a corresponding rising edge control signal of the plurality of rising edge control signals, and the voltage level of the input clock signal is A plurality of pull-up drivers for pulling up the pre-calibration clock signal if the first reference level is lower than the first reference level; And a control unit.

상기 복수개의 풀업 구동부 각각은 상기 전원 전압과 상기 선 교정 노드 사이에 직렬로 연결되는 PMOS 트랜지스터와 풀업 활성화 스위치 및 풀업 저항을 구비하고, 상기 PMOS 트랜지스터는 게이트로 상기 입력 클럭 신호를 인가받으며, 상기 풀업 활성화 스위치는 상기 복수개의 상승 에지 제어 신호 중 대응하는 상승 에지 제어 신호에 응답하여 턴온되는 것을 특징으로 한다.Wherein each of the plurality of pull-up drivers includes a PMOS transistor connected in series between the power supply voltage and the pre-calibration node, a pull-up activating switch and a pull-up resistor, the PMOS transistor receiving the input clock signal as a gate, And the activation switch is turned on in response to a corresponding rising edge control signal of the plurality of rising edge control signals.

상기 하강 에지 조절부는 상기 선 교정 노드와 상기 접지 전원 사이에 서로 병렬로 연결되고, 각각 상기 복수개의 하강 에지 제어 신호 중 대응하는 하강 에지 제어 신호에 응답하여 활성화되고, 상기 입력 클럭 신호의 전압 레벨이 상기 제2 기준 레벨 이상이면, 상기 선 교정 클럭 신호를 풀다운하는 복수개의 풀다운 구동부; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the falling edge control unit is connected in parallel to each other between the pre-calibration node and the ground power supply and is activated in response to a corresponding falling edge control signal of the plurality of falling edge control signals, A plurality of pull-down drivers for pulling down the pre-calibration clock signal if the second reference level is greater than or equal to the second reference level; And a control unit.

상기 복수개의 풀다운 구동부 각각은 상기 선 교정 노드와 상기 접지 전원 사이에 직렬로 연결되는 풀다운 저항과 풀다운 활성화 스위치 및 NMOS 트랜지스터를 구비하고, 상기 NMOS 트랜지스터는 게이트로 상기 입력 클럭 신호를 인가받으며, 상기 풀다운 활성화 스위치는 상기 복수개의 하강 에지 제어 신호 중 대응하는 하강 에지 제어 신호에 응답하여 턴온되는 것을 특징으로 한다.Wherein each of the plurality of pull-down drivers includes a pull-down resistor and a pull-down enable switch and an NMOS transistor connected in series between the pre-calibration node and the ground power source, the NMOS transistor receives the input clock signal as a gate, And the activation switch is turned on in response to a corresponding falling edge control signal of the plurality of falling edge control signals.

상기 듀티 사이클 교정 회로는 상기 교정 클럭 신호를 인가받아, 상기 교정 클럭 신호의 상승 에지와 하강 에지 사이의 타이밍 비를 측정하고, 측정된 타이밍 비에 대응하는 상기 복수개의 상승 에지 제어 신호 및 상기 복수개의 하강 에지 제어 신호를 출력하는 에지 제어 루프 회로부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the duty cycle correction circuit receives the calibration clock signal and measures a timing ratio between a rising edge and a falling edge of the calibration clock signal and outputs the rising edge control signal and the plurality of rising edge control signals corresponding to the measured timing ratio, An edge control loop circuit for outputting a falling edge control signal; And further comprising:

상기 에지 제어 루프 회로부는 상기 교정 클럭 신호의 듀티가 50% 미만인 것으로 판별되면, 상기 복수개의 상승 에지 신호 중 상기 풀업 활성화 스위치를 턴온시키는 신호 레벨을 갖는 상승 에지 신호의 개수를 증가하고, 상기 복수개의 하강 에지 신호 중 상기 풀다운 활성화 스위치를 턴온시키는 신호 레벨을 갖는 하강 에지 신호의 개수를 감소하여 출력하고, 상기 교정 클럭 신호의 듀티가 50%를 초과하는 것으로 판별되면, 상기 복수개의 상승 에지 신호 중 상기 풀업 활성화 스위치를 턴온시키는 신호 레벨을 갖는 상승 에지 신호의 개수를 감소하고, 상기 복수개의 하강 에지 신호 중 상기 풀다운 활성화 스위치를 턴온시키는 신호 레벨을 갖는 하강 에지 신호의 개수를 증가하여 출력하는 것을 특징으로 한다.Wherein the edge control loop circuit portion increases the number of rising edge signals having a signal level that turns on the pull-up enable switch among the plurality of rising edge signals if the duty of the calibration clock signal is determined to be less than 50% Wherein when the duty of the calibration clock signal is determined to be greater than 50% of the rising edge signal, the number of the falling edge signals having the signal level for turning on the pull- The number of falling edge signals having a signal level for turning on the pull-up enable switch is decreased and the number of falling edge signals having a signal level for turning on the pull-down enable switch among the plurality of falling edge signals is increased and outputted do.

상기 전역 클럭 드라이버는 상기 선 교정 클럭 신호를 버퍼링하는 인버터 체인으로 구현되는 것을 특징으로 한다.And the global clock driver is implemented as an inverter chain buffering the pre-calibration clock signal.

따라서, 본 발명의 듀티 사이클 교정 회로는 복수개의 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터를 이용하여 듀티를 교정함으로써, 고주파수의 클럭 신호의 넓은 듀티 오차 범위에 대해 듀티를 교정할 수 있으며, 공정, 전압 및 온도에 의한 듀티 오차를 적응적으로 교정할 수 있다. 매우 작은 면적을 차지하면서도 안정적인 듀티의 클럭 신호를 칩 내의 각 회로로 공급할 수 있다.Accordingly, the duty cycle correction circuit of the present invention can correct the duty for a wide duty error range of a high frequency clock signal by calibrating the duty using a plurality of PMOS transistors and NMOS transistors, The duty error can be adaptively corrected. A clock signal of a stable duty can be supplied to each circuit in the chip while occupying a very small area.

도1 은 종래의 클럭 신호를 생성하여 출력하는 클럭 발생부의 구성 및 조건에 따른 클럭 신호의 듀티 변화를 나타낸다.
도2 는 본 발명의 듀티 사이클 교정 회로의 구성을 나타낸다.
도3 은 입력 클럭 신호 대비 선 교정 클럭 신호 및 교정 클럭 신호의 파형 변화를 나타낸다.
도4 는 상승 에지 신호와 하강 에지 신호에 따른 선 교정 클럭 신호의 기울기 변화를 나타낸다.
1 shows a duty change of a clock signal according to a configuration and a condition of a clock generating unit for generating and outputting a conventional clock signal.
Fig. 2 shows a configuration of a duty cycle correction circuit of the present invention.
3 shows waveform changes of the pre-calibration clock signal and the calibration clock signal with respect to the input clock signal.
4 shows the slope change of the pre-calibration clock signal according to the rising edge signal and the falling edge signal.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. In order to fully understand the present invention, operational advantages of the present invention, and objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings and the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로서, 본 발명을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 설명하는 실시예에 한정되는 것이 아니다. 그리고, 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략되며, 도면의 동일한 참조부호는 동일한 부재임을 나타낸다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. However, the present invention can be implemented in various different forms, and is not limited to the embodiments described. In order to clearly describe the present invention, parts that are not related to the description are omitted, and the same reference numerals in the drawings denote the same members.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "...부", "...기", "모듈", "블록" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다. Throughout the specification, when an element is referred to as "including" an element, it does not exclude other elements unless specifically stated to the contrary. The terms "part", "unit", "module", "block", and the like described in the specification mean units for processing at least one function or operation, And a combination of software.

도2 는 본 발명의 듀티 사이클 교정 회로의 구성을 나타내고, 도3 은 입력 클럭 신호 대비 선 교정 클럭 신호 및 교정 클럭 신호의 파형 변화를 나타낸다.FIG. 2 shows the configuration of the duty cycle correction circuit of the present invention, and FIG. 3 shows waveform changes of the input clock signal versus the pre-calibration clock signal and the calibration clock signal.

도2 를 참조하면, 본 발명의 듀티 사이클 교정 회로는 듀티 사이클 교정부(DCC), 전역 클럭 드라이버(GCD) 및 에지 제어 루프 회로부(ECL)를 구비한다.Referring to FIG. 2, the duty cycle correction circuit of the present invention includes a duty cycle correcting unit (DCC), a global clock driver (GCD), and an edge control loop circuit (ECL).

듀티 사이클 교정부(DCC)는 전원 전압(VDD)과 접지 전원(VSS) 사이에 직렬로 연결되는 상승 에지 조절부(PEC) 및 하강 에지 조절부(NEC)를 구비한다. 상승 에지 조절부(PEC)와 하강 에지 조절부(NEC)는 각각 에지 제어 루프 회로부(ECL)로부터 인가되는 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 및 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)에 응답하여, 입력 클럭 신호(ICS)의 듀티에 따른 상승 에지의 기울기 및 하강 에지의 기울기를 조절하여, 상승 에지 조절부(PEC)와 하강 에지 조절부(NEC) 사이의 선 교정 노드(NPC)로 에지 기울기가 교정된 선 교정 클럭 신호(PCC)를 출력한다.The duty cycle correcting unit DCC includes a rising edge adjusting unit PEC and a falling edge adjusting unit NEC which are connected in series between the power supply voltage VDD and the ground power supply VSS. The rising edge control unit PEC and the falling edge control unit NEC are respectively connected to the rising edge control signals UCS1 to UCSn and the falling edge control signals DCS1 to DCSn, (NPC) between the rising edge adjusting part (PEC) and the falling edge adjusting part (NEC) by adjusting the slope of the rising edge and the slope of the falling edge according to the duty of the input clock signal (ICS) And outputs a pre-calibration clock signal (PCC) whose edge slope has been corrected.

상승 에지 조절부(PEC)는 전원 전압(VDD)와 선 교정 노드(NPC) 사이에 병렬로 연결되는 복수개의 풀업 구동부(FUD1 ~ FUDn)를 구비하고, 하강 에지 조절부(NEC)는 선 교정 노드(NPC)와 접지 전원(VSS) 사이에 병렬로 연결되는 복수개의 풀다운 구동부(FDD1 ~ FDDn)를 구비한다. 복수개의 풀업 구동부(FUD1 ~ FUDn) 각각은 전원 전압(VDD)와 선 교정 노드(NPC) 사이에 직렬로 연결되는 PMOS 트랜지스터(Tp)와 풀업 활성화 스위치(SWp) 및 풀업 저항(Rp)을 구비하고, 복수개의 풀다운 구동부(FDD1 ~ FDDn) 각각은 선 교정 노드(NPC)와 접지 전원(VSS) 사이에 직렬로 연결되는 NMOS 트랜지스터(Tn)와 풀다운 활성화 스위치(SWn) 및 풀다운 저항(Rn)을 구비한다.The rising edge adjusting unit PEC includes a plurality of pull-up driving units FUD1 to FUDn connected in parallel between the power supply voltage VDD and the pre-calibration node NPC. The falling edge adjusting unit NEC includes a pre- And a plurality of pull-down driving units FDD1 to FDDn connected in parallel between an NPC and a ground power supply VSS. Each of the plurality of pull-up driving units FUD1 to FUDn includes a PMOS transistor Tp connected in series between the power supply voltage VDD and the pre-calibration node NPC, a pull-up activation switch SWp and a pull-up resistor Rp Each of the pull-down drivers FDD1 to FDDn includes an NMOS transistor Tn connected in series between the pre-calibration node NPC and the ground voltage VSS and a pull-down enable switch SWn and a pull-down resistor Rn do.

그리고 복수개의 풀업 구동부(FUD1 ~ FUDn) 각각의 PMOS 트랜지스터(Tp)와 복수개의 풀다운 구동부(FDD1 ~ FDDn) 각각의 NMOS 트랜지스터(Tn)의 게이트로는 입력 클럭 신호(ICS)가 인가된다. 따라서 복수개의 PMOS 트랜지스터(Tp)와 복수개의 NMOS 트랜지스터(Tn)는 게이트로 인가되는 입력 클럭 신호(ICS)의 전압 레벨에 따라 턴온 또는 턴오프 된다.An input clock signal ICS is applied to the gates of the PMOS transistor Tp of each of the pull-up driving units FUD1 to FUDn and the NMOS transistor Tn of each of the pull-down driving units FDD1 to FDDn. Accordingly, the plurality of PMOS transistors Tp and the plurality of NMOS transistors Tn are turned on or off according to the voltage level of the input clock signal ICS applied to the gate.

여기서 입력 클럭 신호(ICS)는 도1 에 도시된 클럭 생성기(CG)에서 생성된 신호일 수 있다. 입력 클럭 신호(ICS)의 듀티는 50%인 것이 바람직하지만, 도3 의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 실제로는 PVT에 의해 듀티가 50% 미만이거나 50%를 초과할 수 있다.Here, the input clock signal ICS may be a signal generated in the clock generator CG shown in Fig. The duty of the input clock signal ICS is preferably 50%, but as shown in Figures 3 (a) and 3 (b), the duty may actually be less than 50% or exceed 50% by PVT .

한편 복수개의 풀업 활성화 스위치(SWp)는 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 중 대응하는 상승 에지 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프 되며, 복수개의 풀다운 활성화 스위치(SWn)는 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn) 중 대응하는 하강 에지 제어 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프된다. 여기서 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 및 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)는 상기한 바와 같이, 에지 제어 루프 회로부(ECL)에서 인가된다.On the other hand, the plurality of pull-up activation switches SWp are turned on or turned off in response to the corresponding rising edge control signals of the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn, And is turned on or off in response to a corresponding falling edge control signal of the control signals DCS1 to DCSn. Here, the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn and the plurality of falling edge control signals DCS1 to DCSn are applied in the edge control loop circuit portion ECL as described above.

따라서 복수개의 풀업 구동부(FUD1 ~ FUDn) 각각은 대응하는 풀업 활성화 스위치(SWp)가 상승 에지 제어 신호에 응답하여 턴온되면 활성화되고, 활성화된 풀업 구동부(FUD1 ~ FUDn)의 PMOS 트랜지스터(Tp)는 입력 클럭 신호(ICS)의 전압 레벨이 기설정된 제1 기준 레벨 이하이면 턴온되어, 선 교정 노드(NPC)로 출력되는 선 교정 클럭 신호(PCC)의 전압 레벨을 풀업 한다. 상승 에지 조절부(PEC)가 복수개의 풀업 구동부(FUD1 ~ FUDn)를 구비하고, 복수개의 풀업 구동부(FUD1 ~ FUDn)의 각각의 PMOS 트랜지스터(Tp)가 공통으로 입력 클럭 신호(ICS)를 게이트로 인가받으므로, 상승 에지 조절부(PEC)가 선 교정 클럭 신호(PCC)를 풀업하는 성능은 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn)에 응답하여 활성화된 풀업 구동부(FUD1 ~ FUDn)의 개수에 비례한다. 이때 복수개의 풀업 구동부(FUD1 ~ FUDn) 각각의 풀업 성능은 동일한 것으로 가정한다.Accordingly, each of the plurality of pull-up driving units FUD1 to FUDn is activated when the corresponding pull-up activation switch SWp is turned on in response to the rising edge control signal, and the PMOS transistor Tp of the activated pull-up driving units FUD1 to FUDn is activated And when the voltage level of the clock signal ICS is lower than the predetermined first reference level, the voltage level of the pre-calibration clock signal PCC output to the pre-calibration node NPC is pulled up. The rising edge control unit PEC includes a plurality of pull-up driving units FUD1 to FUDn and each of the PMOS transistors Tp of the pull-up driving units FUD1 to FUDn commonly receives the input clock signal ICS as a gate The performance of pulling up the pre-calibration clock signal PCC by the rising edge control unit PEC is limited to the number of the pull-up driving units FUD1 to FUDn activated in response to the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn It is proportional. At this time, it is assumed that the pull-up performance of each of the plurality of pull-up driving units FUD1 to FUDn is the same.

또한 복수개의 풀다운 구동부(FDD1 ~ FDDn) 각각은 대응하는 풀다운 활성화 스위치(SWn)가 하강 에지 제어 신호에 응답하여 턴온되면 활성화되고, 활성화된 풀다운 구동부(FDD1 ~ FDDn)의 NMOS 트랜지스터(Tn)는 입력 클럭 신호(ICS)의 전압 레벨이 기설정된 제2 기준 레벨 이상이면 턴온되어, 선 교정 노드(NPC)로 출력되는 선 교정 클럭 신호(PCC)의 전압 레벨을 풀다운 한다. 하강 에지 조절부(NEC)가 복수개의 풀다운 구동부(FDD1 ~ FDDn)를 구비하고, 복수개의 풀다운 구동부(FDD1 ~ FDDn)의 각각의 NMOS 트랜지스터(Tn)가 공통으로 입력 클럭 신호(ICS)를 게이트로 인가받으므로, 하강 에지 조절부(NEC)가 선 교정 클럭 신호(PCC)를 풀다운하는 성능은 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)에 응답하여 활성화된 풀다운 구동부(FDD1 ~ FDDn)의 개수에 비례한다. 이때 복수개의 풀다운 구동부(FDD1 ~ FDDn) 각각의 풀다운 성능 또한 서로 동일한 것으로 가정한다. 그리고 상기한 제1 기준 레벨 및 제2 기준 레벨은 서로 상이하게 설정될 수 있으나, 동일한 하나의 기준 레벨로 설정되는 것이 바람직하며, 이때 설정되는 기준 레벨은 VDD/2 로 설정되는 것이 바람직하다.Each of the pulldown driving units FDD1 to FDDn is activated when the corresponding pulldown activation switch SWn is turned on in response to the falling edge control signal and the NMOS transistor Tn of the activated pulldown driving units FDD1 to FDDn is activated When the voltage level of the clock signal ICS is equal to or higher than a predetermined second reference level, it is turned on and pulls down the voltage level of the pre-calibration clock signal PCC output to the pre-calibration node NPC. The falling edge control unit NEC includes a plurality of pulldown driving units FDD1 to FDDn and each of the NMOS transistors Tn of the pull down driving units FDD1 to FDDn commonly receives the input clock signal ICS as a gate The ability of the falling edge controller NEC to pull down the pre-calibration clock signal PCC is determined by the number of the pull-down drivers FDD1 to FDDn activated in response to the plurality of falling edge control signals DCS1 to DCSn It is proportional. At this time, it is assumed that the pull-down performances of the plurality of pull-down drivers FDD1 to FDDn are equal to each other. The first reference level and the second reference level may be set to be different from each other, but it is preferable that the first reference level and the second reference level are set to the same reference level, and the reference level set at this time is set to VDD / 2.

결과적으로, 듀티 사이클 교정부(DCC)는 에지 제어 루프 회로부(ECL)에서 인가되는 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 및 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)에 따라 풀업 및 풀다운 성능이 가변되고, 도3 의 (b)에 도시된 바와 같이, 입력 클럭 신호(ICS)의 전압 레벨에 응답하여 가변된 풀업 및 풀다운 성능으로 입력 클럭 신호(ICS)의 상승 에지 및 하강 에지의 기울기를 조절하여 선 교정 노드(NPC)로 선 교정 클럭 신호(PCC)를 출력한다.As a result, the duty cycle correcting unit DCC controls the pull-up and pull-down performance in accordance with the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn and the plurality of falling edge control signals DCS1 to DCSn applied from the edge control loop circuit ECL And the slope of the rising edge and the falling edge of the input clock signal ICS with the pull-up and pull-down performance varied in response to the voltage level of the input clock signal ICS, as shown in Fig. 3 (b) And outputs a pre-calibration clock signal (PCC) to the pre-calibration node (NPC).

도3 의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 듀티 사이클 교정부(DCC)는 입력 클럭 신호(ISC)의 듀티가 50% 미만이거나, 입력 클럭 신호(ISC)의 듀티가 50%를 초과하는 경우, 상승 및 하강 에지의 기울기를 조절하여, 선 교정 클럭 신호(PCC)를 출력한다. 다만 선 교정 클럭 신호(PCC)는 도3 의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 상승 에지 및 하강 에지의 기울기가 서로 상이한 형태로 출력될 수 있다. 뿐만 아니라, 후술하는 에지 제어 루프 회로부(ECL)는 단순히 입력 클럭 신호(ICS)의 듀티 에러만을 고려하는 것이 아니라, 전역 클럭 드라이버(GCD)의 PVT 변화에 의한 듀티 왜곡 또한 함께 반영하여 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 및 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)를 듀티 사이클 교정부(DCC)로 인가하기 때문에, 선 교정 클럭 신호(PCC)의 듀티는 50%가 아닐 수 있다.3 (a) and 3 (b), the duty cycle correcting unit DCC may be configured such that the duty of the input clock signal ISC is less than 50% or the duty of the input clock signal ISC is 50% If it exceeds, the slope of the rising and falling edges is adjusted to output the pre-calibration clock signal (PCC). However, the pre-calibration clock signal PCC may be output in such a manner that the slopes of the rising edge and the falling edge are different from each other, as shown in (c) and (d) of FIG. In addition, the edge control loop circuit portion ECL described later reflects not only the duty error of the input clock signal ICS but also the duty distortion due to the PVT change of the global clock driver (GCD) Since the control signals UCS1 to UCSn and the plurality of falling edge control signals DCS1 to DCSn are applied to the duty cycle correcting unit DCC, the duty of the pre-calibration clock signal PCC may not be 50%.

한편, 전역 클럭 드라이버(GCD)는 선 교정 노드(NPC)와 교정 출력 노드(NDO) 사이에 연결되어, 선 교정 노드(NPC)로부터 선 교정 클럭 신호(PCC)를 인가받아 버퍼링하여 교정 클럭 신호(CC)를 교정 출력 노드(NDO)로 출력한다. 전역 클럭 드라이버(GCD)는 도1 에 도시된 기존의 전역 클럭 드라이버(GCD)와 동일하게 인버터 체인으로 구성된 일종의 버퍼로 구현되어, 도3 의 (e) 내지 (h)에 도시된 바와 같이, 선 교정 클럭 신호(PCC)를 버퍼링하여 교정 클럭 신호(CC)의 상승 에지 및 하강 에지의 기울기의 절대값이 동일하도록 조절하여, 교정 출력 노드(NDO)로 출력한다. 그리고 교정 출력 노드(NDO)로 출력되는 교정 클럭 신호(CC)는 집적 회로 내의 다른 회로로 공급된다. 즉 교정 클럭 신호(CC)는 입력 클럭 신호(ICS)의 듀티 사이클을 교정하여 출력되는 듀티 사이클 교정 회로의 출력 신호이다.The global clock driver GCD is connected between the pre-calibration node NPC and the calibration output node NDO to buffer and receive the pre-calibration clock signal PCC from the pre-calibration node NPC to generate a calibration clock signal CC) to the calibration output node (NDO). The global clock driver (GCD) is implemented as a kind of buffer composed of an inverter chain as in the conventional global clock driver (GCD) shown in FIG. 1, and as shown in FIG. 3 (e) The calibration clock signal PCC is buffered so that the absolute values of the slopes of the rising edge and the falling edge of the calibration clock signal CC are equal to each other and output to the calibration output node NDO. The calibration clock signal (CC) output to the calibration output node (NDO) is then supplied to other circuits in the integrated circuit. That is, the calibration clock signal CC is an output signal of the duty cycle correction circuit that is output by calibrating the duty cycle of the input clock signal ICS.

도3 에서 (a)와 (b)는 각각 입력 클럭 신호(ICS)에서 듀티가 50% 인 경우와 50%를 초과하는 경우의 파형을 나타내고, (d)와 (d)는 각각 입력 클럭 신호(ICS)가 인가된 듀티 사이클 교정부(DCC)에서 상승 에지의 기울기 및 하강 에지의 기울기가 조절되어 출력되는 선 교정 클럭 신호(PCC)의 파형을 나타내며, (e) 내지 (h)는 선 교정 클럭 신호(PCC)를 인가받은 전역 클럭 드라이버(GCD)에서 출력되는 교정 클럭 신호(CC)의 파형을 나타낸다.3 (a) and 3 (b) show waveforms when the duty ratio of the input clock signal ICS is 50% and 50%, respectively, and FIGS. 3 (d) and 3 (E) to (h) show waveforms of the pre-calibration clock signal PCC in which the slope of the rising edge and the slope of the falling edge are adjusted and outputted in the duty cycle correcting unit DCC, And the waveform of the calibration clock signal CC output from the global clock driver (GCD) receiving the signal PCC.

도3 의 (a)에 도시된 바와 같이, 입력 클럭 신호(ICS)의 듀티가 50% 미만인 경우, (c)에 도시된 바와 같이, 듀티 사이클 교정부(DCC)의 상승 에지 조절부(PEC)는 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn)에 응답하여, 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 에지 기울기의 절대값을 그대로 유지하거나 조금 줄이는 반면, 하강 에지 조절부(NEC)는 하강 에지 기울기의 절대값을 상대적으로 많이 줄여, 상승 에지의 기울기보다 하강 에지의 기울기가 크게 완만한 경사를 갖도록 한다. 이에 (e)에 도시된 바와 같이, 전역 클럭 드라이버(GCD)는 변경된 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 에지 기울기가 전역 클럭 드라이버(GCD)의 풀업 성능에 대응하는 기지정된 기울기를 갖도록 조정하고, 변경된 선 교정 클럭 신호(PCC)의 하강 에지 기울기가 전역 클럭 드라이버(GCD)의 풀다운 성능에 대응하는 기지정된 기울기를 갖도록 조정하여, 교정 클럭 신호(CC)를 출력한다.3 (a), when the duty of the input clock signal ICS is less than 50%, the rising edge control unit PEC of the duty cycle calibration unit DCC, as shown in (c) In response to the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn, maintains or slightly reduces the absolute value of the rising edge slope of the pre-calibration clock signal PCC, while the falling edge adjusting unit NEC has a falling edge slope The absolute value is relatively reduced so that the slope of the falling edge has a gentle slope rather than the slope of the rising edge. As shown in (e), the global clock driver (GCD) adjusts the rising edge slope of the modified pre-calibration clock signal PCC to have a predetermined slope corresponding to the pull-up performance of the global clock driver (GCD) Adjusts the falling edge slope of the modified pre-calibration clock signal PCC to have a predetermined slope corresponding to the pull-down performance of the global clock driver GCD, and outputs the calibration clock signal CC.

또한 도3 의 (b)에 도시된 바와 같이, 입력 클럭 신호(ICS)의 듀티가 50%를 초과하는 경우, (d)에 도시된 바와 같이, 듀티 사이클 교정부(DCC)의 상승 에지 조절부(PEC)는 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn)에 응답하여, 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 에지 기울기의 절대값을 크게 줄이는 반면, 하강 에지 조절부(NEC)는 하강 에지 기울기의 절대값을 상대적으로 적게 줄여, 상승 에지의 기울기가 하강 에지의 기울기보다 완만한 경사를 갖도록 한다. 이에 (g) 및 (h) 에 도시된 바와 같이, 전역 클럭 드라이버(GCD)는 변경된 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 에지 기울기와 하강 에지 기울기가 전역 클럭 드라이버(GCD)의 풀업 및 풀다운 성능에 대응하는 기지정된 기울기를 갖도록 조정하여, 교정 클럭 신호(CC)를 출력한다.3 (b), when the duty of the input clock signal ICS exceeds 50%, as shown in (d), the rising edge of the duty cycle correcting unit DCC The falling edge control unit PEC responds to the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn to greatly reduce the absolute value of the rising edge slope of the pre-calibration clock signal PCC while the falling edge adjusting unit NEC has a falling edge slope Reduce the absolute value relatively, so that the slope of the rising edge has a gentle slope than the slope of the falling edge. As shown in (g) and (h), the global clock driver (GCD) determines whether the rising edge slope and the falling edge slope of the modified pre-calibration clock signal PCC are equal to the pull-up and pull-down performance of the global clock driver Adjusts it to have a corresponding pre-designated slope, and outputs the calibration clock signal CC.

도3 에서 (e) 내지 (h)는 전역 클럭 드라이버(GCD)의 동작에 대한 이해의 편의를 위해 상승 에지 및 하강 에지의 기울기를 조정하는 과정을 분리하여 도시하였으나, 전역 클럭 드라이버(GCD)는 상승 에지와 하강 에지의 기울기를 모두 조절하므로, 실제로는 (e) 및 (g)에 도시된 상승 에지와 (f) 및 (h)에 도시된 하강 에지가 결합된 형태로 교정 클럭 신호(CC)가 출력되므로, 교정 클럭 신호(CC)는 듀티의 왜곡이 교정되어 출력된다.(E) to (h) of FIG. 3 show separate processes for adjusting the slope of the rising edge and the falling edge for convenience of understanding the operation of the global clock driver (GCD), but the global clock driver (GCD) The slope of the rising edge and the falling edge are all adjusted so that the calibration clock signal CC is actually combined with the rising edge shown in (e) and (g) and the falling edge shown in (f) and (h) So that the calibration clock signal CC is corrected while outputting the distortion of the duty.

다시 도2 를 참조하면, 에지 제어 루프 회로부(ECL)는 교정 출력 노드(NDO)에서 출력되는 교정 클럭 신호(CC)를 인가받고, 교정 클럭 신호(CC)의 듀티를 분석하여, 듀티 사이클 교정부(DCC)의 상승 에지 조절부(PEC) 및 하강 에지 조절부(NEC)의 풀업 및 풀다운 성능을 조절하기 위한 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 및 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn) 를 생성한다.2, the edge control loop circuit ECL receives the calibration clock signal CC output from the calibration output node NDO, analyzes the duty cycle of the calibration clock signal CC, A plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn and a plurality of falling edge control signals DCS1 to DCSn for controlling the pull-up and pull-down performance of the rising edge adjusting portion PEC and the falling edge adjusting portion NEC of the DCC, ).

에지 제어 루프 회로부(ECL)는 분석된 교정 클럭 신호(CC)의 듀티에 따라 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 중 활성화 레벨을 갖는 상승 에지 신호의 개수와 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn) 중 활성화 레벨을 갖는 하강 에지 신호의 개수를 결정한다. 즉 에지 제어 루프 회로부(ECL)는 상승 에지 조절부(PEC)의 복수개의 풀업 구동부(FUD1 ~ FUDn) 중 활성화할 풀업 구동부의 개수를 결정하고, 하강 에지 조절부(NEC)의 복수개의 풀다운 구동부(FDD1 ~ FDDn) 중 활성화할 풀다운 구동부의 개수를 결정하여, 상승 에지 조절부(PEC)의 풀업 성능과 하강 에지 조절부(NEC)의 풀다운 성능을 조절한다.The edge control loop circuit ECL counts the number of rising edge signals having the activation level among the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn according to the duty of the analyzed calibration clock signal CC and the number of the falling edge control signals DCS1 ≪ / RTI > < RTI ID = 0.0 > DCSn). ≪ / RTI > That is, the edge control loop circuit part ECL determines the number of pull-up driving parts to be activated among the plurality of pull-up driving parts FUD1 to FUDn of the rising edge adjusting part PEC and controls the pull- The pull-up performance of the rising edge adjusting unit PEC and the pull-down performance of the falling edge adjusting unit NEC are controlled by determining the number of pulldown driving units to be activated among the FDDs FDD1 to FDDn.

교정 출력 노드(NDO)에서 출력되는 교정 클럭 신호(CC)는 듀티 사이클 교정 회로의 구동 초기에는 50% 듀티가 아닐 수 있다. 이는 에지 제어 루프 회로부(ECL)가 전역 클럭 드라이버(GCD)의 출력인 교정 클럭 신호(CC)의 듀티를 감지하고, 감지된 교정 클럭 신호(CC)의 듀티에 따라 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 및 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)를 생성 듀티 사이클 교정부(DCC)로 피드백하여 제공하기 때문이다. 그러나 교정 클럭 신호(CC)는 에지 제어 루프 회로부(ECL)에서 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 및 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)가 가변되면서 피드백 됨에 따라 매우 빠른 속도로 교정 클럭 신호(CC)가 50% 듀티를 갖도록 조절되어 출력될 수 있다.The calibration clock signal (CC) output at the calibration output node (NDO) may not be 50% duty at the beginning of the duty cycle calibration circuit. This is because the edge control loop circuit part ECL detects the duty of the calibration clock signal CC which is the output of the global clock driver GCD and outputs a plurality of rising edge control signals UCS1 To UCSn and a plurality of falling edge control signals DCS1 to DCSn to the generating duty cycle controller DCC. However, since the calibration clock signal CC is fed back from the edge control loop circuit ECL while the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn and the plurality of falling edge control signals DCS1 to DCSn are varied, The clock signal CC can be adjusted and output to have a duty ratio of 50%.

에지 제어 루프 회로부(ECL)는 듀티가 50% 미만인 것으로 판별되면, 활성화 레벨을 갖는 상승 에지 신호의 개수를 증가시키는 반면, 활성화 레벨을 갖는 하강 에지 신호의 개수를 줄여, 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 에지에서의 기울기의 절대값이 커지도록 하는 반면, 하항 에지에서의 기울기 절대값이 줄어들도록 하여, 교정 클럭 신호(CC)의 상승 에지와 하강 에지가 VDD/2 레벨을 지나는 타이밍이 균등해 지도록 조절한다.The edge control loop circuit portion ECL increases the number of rising edge signals having an activation level while decreasing the number of falling edge signals having an activation level when the duty is determined to be less than 50% The absolute value of the slope at the rising edge of the calibration clock signal CC is made smaller while the absolute value of the slope at the descending edge is reduced so that the timing at which the rising edge and the falling edge of the calibration clock signal CC cross the VDD / .

반면, 에지 제어 루프 회로부(ECL)는 듀티가 50% 를 초과하는 것으로 판별되면, 활성화 레벨을 갖는 상승 에지 신호의 개수를 감소시키는 반면, 활성화 레벨을 갖는 하강 에지 신호의 개수를 늘여, 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 에지에서의 기울기의 절대값이 작아지도록 하는 반면, 하강 에지에서의 기울기 절대값이 증가하도록 하여, 교정 클럭 신호(CC)의 상승 에지와 하강 에지가 VDD/2 레벨을 지나는 타이밍이 균등해 지도록 조절한다.On the other hand, if it is determined that the duty exceeds 50%, the edge control loop circuit portion ECL decreases the number of rising edge signals having an activation level, while increasing the number of falling edge signals having an activation level, The absolute value of the slope at the rising edge of the signal PCC decreases while the absolute value of the slope at the falling edge increases so that the rising edge and falling edge of the calibration clock signal CC cross the VDD / Adjust the timing so that the timing becomes uniform.

에지 제어 루프 회로(ECL)는 교정 클럭 신호(CC)를 인가받아 상승 에지와 하강 에지가 VDD/2의 레벨을 지나는 타이밍의 비를 측정하여 복수개의 풀업 구동부(FUD1 ~ FUDn)의 개수에 대응하는 n(여기서 n은 자연수)비트의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn)와 복수개의 풀다운 구동부(FDD1 ~ FDDn)의 개수에 대응하는 n비트의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)를 생성하는 회로로 구현될 수 있다.The edge control loop circuit ECL receives the calibration clock signal CC and measures the ratio of the timing at which the rising edge and the falling edge cross the level of VDD / 2 to determine the number of pulses corresponding to the number of the pull-up drivers FUD1 to FUDn (n is a natural number) bits of the rising edge control signals UCS1 to UCSn and n-bit falling edge control signals DCS1 to DCSn corresponding to the number of pulldown driving units FDD1 to FDDn Can be implemented.

상기에서는 에지 제어 루프 회로(ECL)가 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 및 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)를 각각 개별적으로 생성하는 것으로 설명하였으나, 에지 제어 루프 회로(ECL)는 공통 에지 제어 신호를 생성하여, 상승 에지 조절부(PEC) 및 하강 에지 조절부(NEC)로 공통으로 인가하도록 구성될 수도 있다.The edge control loop circuit ECL generates the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn and the plurality of falling edge control signals DCS1 to DCSn separately. May be configured to generate a common edge control signal and apply it in common to the rising edge adjusting unit (PEC) and the falling edge adjusting unit (NEC).

도4 는 상승 에지 신호와 하강 에지 신호에 따른 선 교정 클럭 신호의 기울기 변화를 나타낸다.4 shows the slope change of the pre-calibration clock signal according to the rising edge signal and the falling edge signal.

도4 에서 (a)는 복수개의 하강 에지 신호(DCS1 ~ DCSn)는 모두 활성화 레벨을 갖도록 고정되고, 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 중 활성화 레벨을 갖는 상승 에지 제어 신호의 개수가 1개에서 n개로 증가된 경우에 선 교정 클럭 신호(PCC)의 기울기 변화를 나타낸다. (a)에서 복수개의 하강 에지 신호(DCS1 ~ DCSn)가 모두 활성화 레벨을 갖도록 고정되었으므로, 선 교정 클럭 신호(PCC)의 하강 에지의 기울기는 최대 기울기로 고정된 반면, 활성화 레벨을 갖는 상승 에지 제어 신호의 개수가 1개이면, 상승 에지의 기울기는 매우 완만하게 형성된다. 그러나 활성화 레벨을 갖는 상승 에지 제어 신호의 개수가 n개로 증가되면, 상승 에지의 기울기는 최대 기울기가 되어 매우 급격한 상승 에지를 갖게 된다.4, (a) shows a case in which all of the falling edge signals DCS1 to DCSn are fixed to have the activation level and the number of the rising edge control signals having the activation level among the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn is 1 (PCC) when the number of clocks is increased from n to n. the slope of the falling edge of the pre-calibration clock signal PCC is fixed at the maximum slope, while the rising edge control having the activation level If the number of signals is one, the slope of the rising edge is formed very gently. However, if the number of rising edge control signals having an activation level is increased to n, the slope of the rising edge becomes the maximum slope and has a very sharp rising edge.

여기서 활성화 레벨은 풀업 활성화 스위치(SWp)와 풀다운 활성화 스위치(SWn)를 턴온하는 레벨로서, 일예로 VDD 레벨로 설정될 수 있다.Here, the activation level is a level at which the pull-up activation switch SWp and the pull-down activation switch SWn are turned on, for example, can be set to the VDD level.

그리고 (b)는 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn)가 모두 활성화 레벨을 갖도록 고정되는 반면, 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn) 중 활성화 레벨을 갖는 하강 에지 제어 신호의 개수가 n개에서 1개로 감소되는 경우의 선 교정 클럭 신호(PCC)의 기울기 변화를 나타낸다.(B) show that the number of falling edge control signals having an active level among the plurality of falling edge control signals DCS1 to DCSn is n (n), while the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn are all set to have an active level, (PCC) in the case where the number of clocks is reduced from one to one.

(b)에서는 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn)가 모두 활성화 레벨을 갖도록 고정되었으므로, 선 교정 클럭 신호(PCC)의 하강 에지의 기울기는 최대 기울기로 고정되었다. 반면, 활성화 레벨을 갖는 하강 에지 제어 신호의 개수가 n개에서 1개로 감소됨에 따라 최대 기울기를 가진 선 교정 클럭 신호(PCC)의 하강 에지의 기울기가 완만해짐을 알 수 있다.(b), since the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn are all set to have the activation level, the slope of the falling edge of the pre-calibration clock signal PCC is fixed at the maximum slope. On the other hand, as the number of falling edge control signals having the activation level is reduced from n to 1, it can be seen that the slope of the falling edge of the pre-correction clock signal PCC having the maximum slope becomes gentle.

(c)는 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 중 하나의 상승 에지 제어 신호(예를 들면, UCS1)만이 활성화 레벨을 갖고, 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn) 중 활성화 레벨을 갖는 하강 에지 제어 신호의 개수가 n개에서 1개로 감소되는 경우의 선 교정 클럭 신호(PCC)의 기울기 변화를 나타낸다.only one rising edge control signal (for example, UCS1) of the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn has an activation level and the activation level of the plurality of falling edge control signals DCS1 to DCSn is (PCC) when the number of the falling edge control signals is reduced from n to one.

하나의 상승 에지 제어 신호(UCS1)만이 활성화 레벨을 갖고 있으므로, 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 에지의 기울기는 매우 완만하게 형성되는 반면, 활성화 레벨을 갖는 하강 에지 제어 신호의 개수가 n개에서 1개로 감소됨에 따라 최대 기울기를 가진 선 교정 클럭 신호(PCC)의 하강 에지의 기울기가 완만해진다.Since only one rising edge control signal UCS1 has an activation level, the slope of the rising edge of the pre-calibration clock signal PCC is formed very slowly, while the number of falling edge control signals having an activation level is n The slope of the falling edge of the pre-calibration clock signal PCC having the maximum slope becomes gentle.

마지막으로 (d)는 복수개의 하강 에지 신호(DCS1 ~ DCSn) 중 하나의 상승 에지 제어 신호(예를 들면, DCS1)만이 활성화 레벨을 갖고, 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 중 활성화 레벨을 갖는 상승 에지 제어 신호의 개수가 1개에서 n개로 증가된 경우를 나타낸다. 복수개의 하강 에지 신호(DCS1 ~ DCSn) 중 하나의 상승 에지 제어 신호(DCS1)만이 활성화 레벨을 가지므로 (d)에 도시된 바와 같이, 선 교정 클럭 신호(PCC)의 하강 에지 기울기는 완만한 경사를 갖도록 고정되는 반면, 상승 에지 기울기는 활성화 레벨을 갖는 상승 에지 제어 신호의 개수가 증가됨에 따라 급격한 경사를 갖는 형태로 변형된다.Finally, (d) shows that only one rising edge control signal (for example, DCS1) of the plurality of falling edge signals DCS1 to DCSn has an active level and the activation level of the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn The number of rising edge control signals is increased from 1 to n. Only the rising edge control signal DCS1 of one of the plurality of falling edge signals DCS1 to DCSn has the activation level so that the falling edge slope of the pre-calibration clock signal PCC has a gentle slope While the rising edge slope is transformed into a shape having a steep slope as the number of rising edge control signals having an activation level is increased.

결과적으로 도4 (a) 내지 (d)에 도시된 바와 같이, 에지 제어 루프 회로부(ECL)는 듀티 사이클 교정부(DCC)로 인가되는 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 및 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)를 조절하여, 듀티 사이클 교정부(DCC)에서 출력되는 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 에지 및 하강 에지 기울기를 용이하게 조절할 수 있다.As a result, as shown in Figs. 4A to 4D, the edge control loop circuit ECL includes a plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn applied to the duty cycle correcting unit DCC, The rising edge and the falling edge inclination of the pre-calibration clock signal PCC output from the duty cycle calibration unit DCC can be easily adjusted by adjusting the edge control signals DCS1 to DCSn.

한편 도3 에서는 설명의 편의를 위하여, 듀티 사이클 교정부(DCC)가 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 및 하강 에지에서 VDD/2 레벨을 지나는 주기가 서로 동일해지도록 조절하는 것으로 도시하였다.Meanwhile, in FIG. 3, for convenience of explanation, the duty cycle correcting unit DCC is controlled so that the cycles passing the VDD / 2 level at the rising and falling edges of the pre-calibration clock signal PCC become equal to each other.

그러나 상기한 바와 같이, 인버터 체인으로 구현되는 전역 클럭 드라이버(GCD)의 복수개의 NMOS 트랜지스터 및 PMOS 트랜지스터 또한 PVT 변화에 따라 풀업 및 풀다운 성능에 차이가 발생할 수 있다. 즉 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 에지 및 하강 에지의 기울기를 조절하는 과정에서 또다시 듀티의 왜곡이 발생할 수 있다.However, as described above, a plurality of NMOS transistors and PMOS transistors of a global clock driver (GCD) implemented as an inverter chain may also have different pull-up and pull-down performance depending on PVT changes. That is, in the process of adjusting the slope of the rising edge and the falling edge of the pre-calibration clock signal PCC, the duty may be further distorted.

하지만 본 발명의 듀티 사이클 교정 회로에서 에지 제어 루프 회로부(ECL)는 전역 클럭 드라이버(GCD)에서 출력되는 교정 클럭 신호(CC)에 응답하여, 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 및 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)를 생성한다. 그리고 듀티 사이클 교정부(DCC)는 에지 제어 루프 회로부(ECL)에서 인가되는 복수개의 상승 에지 제어 신호(UCS1 ~ UCSn) 및 복수개의 하강 에지 제어 신호(DCS1 ~ DCSn)에 따라 풀업 및 풀다운 성능이 가변된다. 따라서 듀티 사이클 교정부(DCC)는 단순히 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 및 하강 에지에서 VDD/2 레벨을 지나는 주기가 서로 동일해지도록 조절하는 것이 아니라, 선 교정 클럭 신호(PCC)를 버퍼링하는 전역 클럭 드라이버(GCD)의 PVT 변화까지 함께 반영하여, 최종적으로 교정 클럭 신호(CC)의 듀티가 50%가 되도록 선 교정 클럭 신호(PCC)의 상승 에지 및 하강 에지의 기울기를 조절하여 출력한다.In the duty cycle correction circuit of the present invention, however, the edge control loop circuit part ECL includes a plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn and a plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn in response to the calibration clock signal CC output from the global clock driver GCD. And generates falling edge control signals DCS1 to DCSn. The duty cycle correcting unit DCC controls the pull-up and pull-down performance in accordance with the plurality of rising edge control signals UCS1 to UCSn and the plurality of falling edge control signals DCS1 to DCSn applied from the edge control loop circuit ECL. do. Therefore, the duty cycle correcting unit DCC does not simply adjust the periods passing through the VDD / 2 level at the rising and falling edges of the pre-calibration clock signal PCC to be equal to each other, but buffering the pre-calibration clock signal PCC The inclination of the rising edge and the falling edge of the pre-calibration clock signal PCC is adjusted and output such that the duty of the calibration clock signal CC is finally 50% by reflecting the PVT change of the global clock driver (GCD).

에지 제어 루프 회로부(ECL)의 상세 회로 구성은 다양한 형태로 설계될 수 있으므로, 본 발명에서는 상세 회로를 도시하지 않았다.Since the detailed circuit configuration of the edge control loop circuit part (ECL) can be designed in various forms, detailed circuit is not shown in the present invention.

본 발명의 듀티 사이클 교정 회로는 8.1GHz의 입력 클럭 신호(ICS)에 대해 172ns 의 수렴 시간 내에 17% ~ 80%의 넓은 범위의 듀티 오차를 5.9ps 까지 교정할 수 있음이 시뮬레이션을 통해 확인되었으며, 저전력을 소모하며, 다양한 PVT 변화에도 적응적으로 듀티 오차를 교정할 수 있다. 또한 45nm CMOS 공정에서 듀티 교정 회로부(DCC)가 차지하는 면적은 0.032mm2 수준으로 매우 작은 면적을 차지하면서도 안정적인 듀티의 클럭 신호를 칩 내의 각 회로로 공급할 수 있도록 구성될 수 있다.It has been confirmed through simulation that the duty cycle correction circuit of the present invention can calibrate a wide range duty error of 17% to 80% to 5.9 ps within a convergence time of 172 ns for an input clock signal (ICS) of 8.1 GHz, It consumes low power and can calibrate the duty error adaptively to various PVT changes. The area occupied by the duty correction circuit (DCC) in a 45nm CMOS process also may be configured to supply a clock signal of, yet occupy a very small area to 0.032mm 2 levels stable duty to each circuit in the chip.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art.

따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

Claims (9)

입력 클럭 신호를 생성하는 클럭 신호 생성부;
상기 입력 클럭 신호를 인가받고, 상기 입력 클럭 신호에 대응하는 선 교정 클럭 신호를 생성하며, 교정 클럭 신호의 듀티에 대응하여 인가되는 복수개의 상승 에지 제어 신호 및 복수개의 하강 에지 제어 신호에 응답하여 상기 선 교정 클럭 신호의 상승 에지 기울기 및 하강 에지 기울기를 가변하는 듀티 사이클 교정부; 및
상기 선 교정 클럭 신호를 인가받아 버퍼링하여, 상기 선 교정 클럭 신호의 상승 에지 기울기 및 하강 에지 기울기의 절대값이 기 지정된 기울기값이 되도록 교정하여 교정 클럭 신호를 출력하는 전역 클럭 드라이버; 를 포함하고,
상기 듀티 사이클 교정부는
전원 전압과 상기 선 교정 클럭 신호가 출력되는 선 교정 노드 사이에 서로 병렬로 연결되고, 상기 복수개의 상승 에지 제어 신호 중 대응하는 상승 에지 제어 신호에 응답하여 활성화되며, 상기 입력 클럭 신호의 전압 레벨이 기 설정된 제1 기준 레벨 이하이면, 상기 선 교정 클럭 신호를 풀업하는 복수개의 풀업 구동부를 포함하여, 상기 선 교정 클럭 신호를 가변된 상승 에지 기울기에 따라 풀업하는 상승 에지 조절부; 및
상기 선 교정 노드와 접지 전원 사이에 서로 병렬로 연결되고, 상기 복수개의 하강 에지 제어 신호 중 대응하는 하강 에지 제어 신호에 응답하여 활성화되며, 상기 입력 클럭 신호의 전압 레벨이 기 설정된 제2 기준 레벨 이상이면, 상기 선 교정 클럭 신호를 풀다운하는 복수개의 풀다운 구동부를 포함하여, 상기 선 교정 클럭 신호를 가변된 하강 에지 기울기에 따라 풀다운하는 하강 에지 조절부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀티 사이클 교정 회로.
A clock signal generator for generating an input clock signal;
A plurality of rising edge control signals and a plurality of falling edge control signals applied in response to the duty of the calibration clock signal, A duty cycle calibration unit for varying a rising edge slope and a falling edge slope of the pre-calibration clock signal; And
A global clock driver for receiving and correcting the pre-calibration clock signal and outputting a calibration clock signal by calibrating an absolute value of a rising edge slope and a falling edge slope of the pre-calibration clock signal to a predetermined slope value; Lt; / RTI >
The duty cycle calibration unit
A power supply voltage and a pre-calibration clock signal are output in parallel with each other and activated in response to a corresponding rising edge control signal of the plurality of rising edge control signals, and the voltage level of the input clock signal And a plurality of pull-up drivers for pulling up the pre-calibration clock signal if the pre-calibration clock signal is lower than a predetermined first reference level, the pull-up edge adjusting unit pulling up the pre-calibration clock signal according to a variable rising edge slope; And
And a plurality of falling edge control signals which are activated in response to a corresponding falling edge control signal, wherein the voltage level of the input clock signal is higher than a predetermined second reference level A falling edge controller for pulling down the pre-calibration clock signal according to a variable falling edge slope, and a plurality of pull-down drivers for pulling down the pre-calibration clock signal; The duty cycle correction circuit comprising:
삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 복수개의 풀업 구동부 각각은
상기 전원 전압과 상기 선 교정 노드 사이에 직렬로 연결되는 PMOS 트랜지스터와 풀업 활성화 스위치 및 풀업 저항을 구비하고, 상기 PMOS 트랜지스터는 게이트로 상기 입력 클럭 신호를 인가받으며, 상기 풀업 활성화 스위치는 상기 복수개의 상승 에지 제어 신호 중 대응하는 상승 에지 제어 신호에 응답하여 턴온되는 것을 특징으로 하는 듀티 사이클 교정 회로.
2. The image pickup apparatus according to claim 1, wherein each of the plurality of pull-
A PMOS transistor connected in series between the power supply voltage and the pre-calibration node, a pull-up activating switch and a pull-up resistor, the PMOS transistor receiving the input clock signal as a gate, Edge control signal is turned on in response to a corresponding rising edge control signal of the edge control signal.
삭제delete 제4 항에 있어서, 상기 복수개의 풀다운 구동부 각각은
상기 선 교정 노드와 상기 접지 전원 사이에 직렬로 연결되는 풀다운 저항과 풀다운 활성화 스위치 및 NMOS 트랜지스터를 구비하고, 상기 NMOS 트랜지스터는 게이트로 상기 입력 클럭 신호를 인가받으며, 상기 풀다운 활성화 스위치는 상기 복수개의 하강 에지 제어 신호 중 대응하는 하강 에지 제어 신호에 응답하여 턴온되는 것을 특징으로 하는 듀티 사이클 교정 회로.
5. The apparatus of claim 4, wherein each of the plurality of pull-
A pull-down resistor connected in series between the pre-calibration node and the ground, and a pull-down enable switch and an NMOS transistor, the NMOS transistor receiving the input clock signal as a gate, and the pull- And is turned on in response to a corresponding falling edge control signal of the edge control signal.
제6 항에 있어서, 상기 듀티 사이클 교정 회로는
상기 교정 클럭 신호를 인가받아, 상기 교정 클럭 신호의 상승 에지와 하강 에지 사이의 타이밍 비를 측정하고, 측정된 타이밍 비에 대응하는 상기 복수개의 상승 에지 제어 신호 및 상기 복수개의 하강 에지 제어 신호를 출력하는 에지 제어 루프 회로부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 듀티 사이클 교정 회로.
7. The apparatus of claim 6, wherein the duty cycle correction circuit
And a control circuit for receiving the calibration clock signal to measure a timing ratio between a rising edge and a falling edge of the calibration clock signal and outputting the plurality of rising edge control signals and the falling edge control signals corresponding to the measured timing ratio An edge control loop circuit portion; The duty cycle correction circuit further comprising:
제7 항에 있어서, 상기 에지 제어 루프 회로부는
상기 교정 클럭 신호의 듀티가 50% 미만인 것으로 판별되면, 상기 복수개의 상승 에지 신호 중 상기 풀업 활성화 스위치를 턴온시키는 신호 레벨을 갖는 상승 에지 신호의 개수를 증가하고, 상기 복수개의 하강 에지 신호 중 상기 풀다운 활성화 스위치를 턴온시키는 신호 레벨을 갖는 하강 에지 신호의 개수를 감소하여 출력하고,
상기 교정 클럭 신호의 듀티가 50%를 초과하는 것으로 판별되면, 상기 복수개의 상승 에지 신호 중 상기 풀업 활성화 스위치를 턴온시키는 신호 레벨을 갖는 상승 에지 신호의 개수를 감소하고, 상기 복수개의 하강 에지 신호 중 상기 풀다운 활성화 스위치를 턴온시키는 신호 레벨을 갖는 하강 에지 신호의 개수를 증가하여 출력하는 것을 특징으로 하는 듀티 사이클 교정 회로.
8. The apparatus of claim 7, wherein the edge control loop circuitry
Wherein when the duty of the calibration clock signal is determined to be less than 50%, the number of rising edge signals having a signal level to turn on the pull-up enable switch among the plurality of rising edge signals is increased, The number of falling edge signals having a signal level for turning on the activation switch is reduced and output,
Wherein when the duty of the calibration clock signal is determined to be greater than 50%, the number of rising edge signals having a signal level to turn on the pull-up enable switch among the plurality of rising edge signals is decreased, Wherein the number of falling edge signals having a signal level for turning on the pull-down enable switch is increased and output.
제1 항에 있어서, 상기 전역 클럭 드라이버는
상기 선 교정 클럭 신호를 버퍼링하는 인버터 체인으로 구현되는 것을 특징으로 하는 듀티 사이클 교정 회로.
2. The method of claim 1, wherein the global clock driver
And an inverter chain for buffering the pre-calibration clock signal.
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