KR101843507B1 - Light emitting diode - Google Patents

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Abstract

발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는, 서로 병렬 연결된 복수의 제1 발광셀들을 포함하는 제1 그룹, 및 서로 병렬 연결된 복수의 제2 발광셀들을 포함하는 제2 그룹을 포함한다. 제1 및 제2 발광셀들은 각각 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 반도체 적층 구조를 갖고, 제1 발광셀들 중 적어도 두개의 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유하고, 제2 발광셀들 중 적어도 두개의 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유한다. 또한, 상기 제1 발광셀들은 상기 제2 발광셀들에 직렬 연결되어 있다. 이에 따라, 전류를 고르게 분산시킬 수 있으며, 전류 밀도를 제어하여 광 추출 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공할 수 있다.A light emitting diode is disclosed. The light emitting diode includes a first group including a plurality of first light emitting cells connected in parallel to each other, and a second group including a plurality of second light emitting cells connected in parallel to each other. The first and second light emitting cells have a semiconductor stacked structure including a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and an active layer sandwiched between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer, At least two light emitting cells of the first light emitting cells share the first conductive type semiconductor layer and at least two light emitting cells of the second light emitting cells share the first conductive type semiconductor layer. In addition, the first light emitting cells are connected in series to the second light emitting cells. Accordingly, it is possible to provide a light emitting diode capable of uniformly distributing the current and controlling the current density, thereby improving light extraction efficiency and reliability.

Description

발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE}[0001] LIGHT EMITTING DIODE [0002]

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 고전압 및/또는 고효율 발광 다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly to a high voltage and / or high efficiency light emitting diode.

단일의 칩 내에서 복수의 발광셀들을 직렬 연결하여 고전압 하에서 구동가능한 발광 다이오드가 예컨대, 국제공개번호 WO 2004/023568(Al)호에 "발광 성분들을 갖는 발광소자"(LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS)라는 제목으로 사카이 등(SAKAI et. al.)에 의해 개시된 바 있다.A light emitting diode which can be driven under a high voltage by serially connecting a plurality of light emitting cells within a single chip is disclosed in, for example, International Publication No. WO 2004/023568 (A1), entitled " LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT- EMITTING ELEMENTS, issued by SAKAI et al.

최근에는, 정해진 칩 크기 내에 복수의 발광셀들을 직렬 연결한 칩들을 패키지 내에서 직렬 연결되도록 실장하고 이 패키지를 브리지 정류기와 함께 사용하여 110V 또는 220V의 가정용 교류 전원에서 구동할 수 있는 발광 소자가 상용화되고 있다. 통상 16 내지 20개의 발광셀들을 단일 기판 상에서 직렬 연결한 발광 다이오드 칩들을 패키지 내에서 2개 또는 4개 직렬 연결함으로써 110V 또는 220V에서 구동할 수 있다.In recent years, a light emitting device capable of driving a 110 V or 220 V household AC power source is commercially available by using a package in which chips having a plurality of light emitting cells connected in series within a predetermined chip size are mounted in series in a package and the package is used together with a bridge rectifier . It is possible to drive at 110 V or 220 V by connecting two or four light emitting diode chips in series in which 16 to 20 light emitting cells are connected in series on a single substrate in a package.

특히, 스위칭 모드 파워 서플라이(SMPS)를 적용하는 12, 24, 36, 48V 등의 고전압 제품을 제공하기 위해서는 각 발광셀이 약 3.5V의 순방향 전압에서 구동한다고 가정했을 때, 3개 내지 15개의 발광셀들이 직렬로 연결되어야 한다. 고전압 제품에 적용되는 소비전력이 약 3 내지 11W이므로 각 발광셀에 상대적으로 고전류로 주입된다. 이 경우, 발광셀 크기가 너무 작게 되면, 전류밀도가 과도하게 높아져 신뢰성에 악영향을 주고, 반대로 발광셀 크기가 너무 크면, 전류가 균일하게 분산되지 못하여 전류 집중이 발생되고 광 추출 효율이 떨어진다.In particular, in order to provide high voltage products such as 12, 24, 36, and 48V using a switching mode power supply (SMPS), when each light emitting cell is driven at a forward voltage of about 3.5 V, Cells must be connected in series. Since the power consumption applied to high-voltage products is about 3 to 11 W, they are injected into each light emitting cell at a relatively high current. In this case, if the size of the light emitting cell is too small, the current density becomes excessively high, which adversely affects the reliability. Conversely, if the size of the light emitting cell is too large, the current is not uniformly dispersed, and current concentration occurs.

도 1은 종래 기술에 따른 고전압 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 개략적인 등가회로도이다. 여기서, 3개의 발광셀들이 직렬 연결된 것을 도시하고 있다.FIG. 1 is a schematic plan view for explaining a high-voltage light emitting diode according to the prior art, and FIG. 2 is a schematic equivalent circuit diagram of FIG. Here, three light emitting cells are connected in series.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 발광 다이오드는 기판(21), 발광셀들(C1, C2, C3), 캐소드 전극(37), 애노드 전극(39), 상호 접속부(41), 제1 전극 패드(33) 및 제2 전극 패드(35)를 포함한다.1 and 2, a conventional light emitting diode includes a substrate 21, light emitting cells C1, C2, and C3, a cathode electrode 37, an anode electrode 39, an interconnection 41, And includes a first electrode pad 33 and a second electrode pad 35.

상기 발광셀들(C1, C2, C3)은 기판(21) 상에 서로 이격되어 배치되며, 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(도시 안됨) 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함한다. 여기서, 상기 제1 도전형 반도체층(23)은 n형이고, 제2 도전형 반도체층(27)은 p형인 것으로 설명한다. 각 발광셀들(C1, C2, C3)의 제1 도전형 반도체층들(27)은 서로 이격되며, 따라서 각 발광셀들(C, C2, C3)이 각각 단위 유닛(U1, U2, U3)을 구성한다. 상기 제2 도전형 반도체층(27) 상에 투명 전극층(도시하지 않음)이 위치할 수 있다.The light emitting cells C1, C2 and C3 are disposed on the substrate 21 so as to be spaced apart from each other. The first conductivity type semiconductor layer 23, the active layer (not shown), and the second conductivity type semiconductor layer 27 . Here, the first conductive semiconductor layer 23 is an n-type and the second conductive semiconductor layer 27 is a p-type. The first conductivity type semiconductor layers 27 of the respective light emitting cells C1, C2 and C3 are spaced apart from each other so that each of the light emitting cells C, C2 and C3 is connected to the unit units U1, U2 and U3, . A transparent electrode layer (not shown) may be disposed on the second conductive type semiconductor layer 27.

캐소드 전극(37)은 각 발광셀(C1, C2, C3)의 제1 도전형 반도체층(27) 상에 위치하며, 애노드 전극(39)은 또한 각 발광셀(C1, C2, C3)의 제2 도전형 반도체층(27) 상에 위치한다. 캐소드 전극(37) 및 애노드 전극(39)은 전류 분산을 위해 넓은 영역에 걸쳐 서로 엇갈리게 분포될 수 있다.The cathode electrode 37 is located on the first conductivity type semiconductor layer 27 of each of the light emitting cells C1, C2 and C3 and the anode electrode 39 is also located on the side of the light emitting cells C1, 2 conductivity type semiconductor layer 27 as shown in FIG. The cathode electrode 37 and the anode electrode 39 may be staggered over a wide area for current dispersion.

한편, 인접한 발광셀들은 캐소드 전극(37)과 애노드 전극(39)이 상호 접속부(41)에 의해 서로 연결되어 직렬 연결된다. 이에 따라, 도 2에 도시한 바와 같이, 3개의 발광셀들이 직렬 연결된 발광 다이오드가 제공될 수 있으며, 예컨대 12V에서 구동될 수 있다.On the other hand, in the adjacent light emitting cells, the cathode electrode 37 and the anode electrode 39 are connected to each other by a mutual connection part 41 and connected in series. Accordingly, as shown in FIG. 2, a light emitting diode in which three light emitting cells are connected in series can be provided, and can be driven, for example, at 12V.

상기 발광 다이오드는, 전류 분산을 위해, 두 개의 제1 전극 패드(33) 및 두 개의 제2 전극 패드(35)를 배치하고, 애노드 전극(39) 및 캐소드 전극(37)을 발광셀들(C1, C2, C3) 상에 연장하여 형성하고 있다.The light emitting diode includes two first electrode pads 33 and two second electrode pads 35 for current dispersion and the anode electrode 39 and the cathode electrode 37 to the light emitting cells C1 , C2, and C3.

그러나, 예컨대 1 mm ×1 mm 이상의 대면적 칩에서 균일한 전류 분산을 위해서는 상당히 넓은 면적의 애노드 전극(39) 및 캐소드 전극(37)을 필요로 하므로, 이들 전극들(37, 39)에 의한 광 손실이 불가피하다. 더욱이, 하나의 발광셀 상에 폭에 비해 상당히 긴 애노드 전극(39)이 위치하기 때문에, 제2 전극 패드(35) 근처에 전류가 집중되기 쉽다. 더욱이, 하나의 발광셀의 발광 면적이 상대적으로 크기 때문에, 낮은 전류 밀도에 기인하여 광 추출 효율이 더욱 떨어진다.However, in order to uniformly distribute the current in a large-area chip having a size of 1 mm x 1 mm or more, for example, an anode electrode 39 and a cathode electrode 37 having a considerably large area are required, Loss is inevitable. Further, since the anode electrode 39 is located on a single light emitting cell, which is considerably longer than the width of the light emitting cell, the current tends to be concentrated near the second electrode pad 35. Moreover, since the light emitting area of one light emitting cell is relatively large, the light extraction efficiency is further deteriorated due to the low current density.

한편, 동일한 크기의 칩 내에서 상대적으로 많은 수, 예컨대 15개 정도의 발광셀들을 직렬 연결한 발광 다이오드의 경우, 발광셀의 크기가 작아지고, 따라서 발광셀 내의 전류 밀도가 높아져 신뢰성이 나빠진다.On the other hand, in the case of a light emitting diode in which a relatively large number of light emitting cells, for example, about fifteen, are connected in series in a chip of the same size, the size of the light emitting cell is reduced and the current density in the light emitting cell is increased.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광셀들 내에 고르게 전류를 분산시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light emitting diode capable of uniformly distributing current in light emitting cells.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 각 셀의 광 추출 효율을 개선할 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode capable of improving light extraction efficiency of each cell.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 고신뢰성의 발광 다이오드를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode with high reliability.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 복수의 발광셀들을 고집적화할 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode capable of highly integrating a plurality of light emitting cells.

본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드는, 서로 병렬 연결된 복수의 제1 발광셀들을 포함하는 제1 그룹, 및 서로 병렬 연결된 복수의 제2 발광셀들을 포함하는 제2 그룹을 포함한다. 상기 제1 및 제2 발광셀들은 각각 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 반도체 적층 구조를 갖고, 상기 제1 발광셀들 중 적어도 두개의 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유하고, 상기 제2 발광셀들 중 적어도 두개의 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유한다. 또한, 상기 제1 발광셀들은 상기 제2 발광셀들에 직렬 연결되어 있다.A light emitting diode according to one aspect of the present invention includes a first group including a plurality of first light emitting cells connected in parallel to each other and a second group including a plurality of second light emitting cells connected to each other in parallel. The first and second light emitting cells have a semiconductor stacked structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer sandwiched between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer At least two light emitting cells among the first light emitting cells share a first conductive type semiconductor layer and at least two light emitting cells among the second light emitting cells share a first conductive type semiconductor layer. In addition, the first light emitting cells are connected in series to the second light emitting cells.

상기 발광 다이오드는, 상기 제1 발광셀들의 제1 도전형 반도체층에 공통적으로 접속된 제1 공통 전극 라인을 더 포함할 수 있다. 더욱이, 상기 제1 그룹은 상기 공통 전극 라인을 기준으로 대향 배치된 제1 발광셀들의 적어도 하나의 쌍을 포함하며, 상기 제1 발광셀들의 쌍이 제1 도전형 반도체층을 공유할 수 있다. 나아가, 상기 제1 그룹은 상기 제1 발광셀들의 쌍을 복수개 포함할 수 있다.The light emitting diode may further include a first common electrode line commonly connected to the first conductive semiconductor layer of the first light emitting cells. In addition, the first group includes at least one pair of first light emitting cells disposed to face each other with respect to the common electrode line, and the pair of first light emitting cells may share the first conductive semiconductor layer. Furthermore, the first group may include a plurality of pairs of the first light emitting cells.

또한, 상기 발광 다이오드는, 제2 발광셀들의 제1 도전형 반도체층에 공통적으로 접속된 제2 공통 전극 라인을 더 포함할 수 있다. 더욱이, 상기 제2 그룹은 상기 공통 전극 라인을 기준으로 대향 배치된 제2 발광셀들의 적어도 하나의 쌍을 포함하며, 상기 제2 발광셀들의 쌍이 제1 도전형 반도체층을 공유할 수 있다. 나아가, 상기 제2 그룹은 상기 제2 발광셀들의 쌍을 복수개 포함할 수 있다.The light emitting diode may further include a second common electrode line commonly connected to the first conductive semiconductor layer of the second light emitting cells. In addition, the second group includes at least one pair of second light emitting cells arranged opposite to the common electrode line, and the pair of second light emitting cells may share the first conductive semiconductor layer. Furthermore, the second group may include a plurality of pairs of the second light emitting cells.

상기 발광 다이오드는 또한, 상기 제1 공통 전극 라인의 양측에서 각각 상기 제1 발광셀들의 제2 도전형 반도체층들을 전기적으로 연결하는 두 개의 제1 전극 라인들, 및 상기 제2 공통 전극 라인의 양측에서 각각 상기 제2 발광셀들의 제2 도전형 반도체층들을 전기적으로 연결하는 두 개의 제2 전극 라인들을 더 포함할 수 있다. 나아가, 상기 제1 공통 전극 라인은 상기 두 개의 제2 전극 라인들에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting diode further includes two first electrode lines electrically connecting the second conductivity type semiconductor layers of the first light emitting cells on both sides of the first common electrode line, And two second electrode lines electrically connecting the second conductivity type semiconductor layers of the second light emitting cells to each other. Furthermore, the first common electrode line may be electrically connected to the two second electrode lines.

상기 제1 발광셀들 및 제2 발광셀들은 단일 기판 상에 위치할 수 있다. 여기서, 상기 단일 기판은 제1 발광셀들 및 제2 발광셀들에 가장 가까운 기판으로서, 제1 및 제2 발광셀들을 함께 지지하는 기판을 의미한다.The first light emitting cells and the second light emitting cells may be located on a single substrate. Here, the single substrate refers to a substrate closest to the first light emitting cells and the second light emitting cells, and supports the first and second light emitting cells together.

한편, 상기 제1 발광셀들은 제1 노드와 제2 노드 사이에서 서로 병렬 연결되고, 상기 제2 발광셀들은 제2 노드와 제3 노드 사이에서 서로 병렬 연결되고, 상기 제1 발광셀들은 상기 제2 노드를 통해 상기 제2 발광셀들에 직렬 연결될 수 있다. 동작시, 전류는 제1 노드로부터, 제2 노드 및 제3 노드를 거쳐 흐른다.The first light emitting cells are connected in parallel to each other between a first node and a second node, the second light emitting cells are connected in parallel to each other between a second node and a third node, And may be serially connected to the second light emitting cells through two nodes. In operation, current flows from the first node, through the second node and the third node.

상기 발광 다이오드는, 서로 병렬 연결된 복수의 제3 발광셀들을 포함하는 제3 그룹을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 발광셀들 중 적어도 두개의 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유할 수 있으며, 상기 제2 발광셀들은 상기 제3 발광셀들에 직렬 연결될 수 있다.The light emitting diode may further include a third group including a plurality of third light emitting cells connected in parallel to each other. At least two light emitting cells among the third light emitting cells may share a first conductive type semiconductor layer, and the second light emitting cells may be connected in series to the third light emitting cells.

본 발명의 또 다른 태양에 따른 발광 다이오드는, 서로 대향 배치된 제1 발광셀들의 쌍을 복수개 포함하는 제1 발광셀들의 제1 그룹, 상기 각 쌍의 제1 발광셀들에 공통으로 접속된 제1 공통 캐소드 전극 라인, 및 상기 각 쌍의 일측 제1 발광셀들 및 타측 제1 발광셀들에 각각 접속된 제1 애노드 전극 라인들을 포함한다. 상기 제1 발광셀들은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며, 상기 각 쌍 내의 제1 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유한다.A light emitting diode according to another aspect of the present invention includes a first group of first light emitting cells including a plurality of pairs of first light emitting cells arranged opposite to each other, One common cathode electrode line, and first anode electrode lines connected to one pair of the first light emitting cells and the other first light emitting cells, respectively. The first light emitting cells include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer, and the first light emitting cells in each pair share a first conductive semiconductor layer.

나아가, 상기 복수개의 쌍들이 제1 도전형 반도체층을 공유할 수 있다. 즉, 상기 복수개의 쌍들 내의 모든 제1 발광셀들이 제1 도전형 반도체층을 공유할 수 있다. 이와 달리, 각각의 쌍들을 구성하는 제1 도전형 반도체층들은 서로 이격될 수도 있다.Furthermore, the plurality of pairs may share the first conductivity type semiconductor layer. That is, all the first light emitting cells in the plurality of pairs may share the first conductivity type semiconductor layer. Alternatively, the first conductivity type semiconductor layers constituting each pair may be spaced apart from each other.

한편, 상기 복수개의 쌍들은 일렬로 배치될 수 있으며, 상기 각 쌍의 제1 발광셀들은 상기 제1 공통 캐소드 전극 라인을 기준으로 대향 배치될 수 있다.The plurality of pairs may be arranged in a line, and the first light emitting cells of each pair may be disposed opposite to each other with respect to the first common cathode line.

또한, 상기 발광 다이오드는, 서로 대향 배치된 제2 발광셀들의 쌍을 복수개 포함하는 제2 발광셀들의 제2 그룹, 상기 각 쌍의 제2 발광셀들에 공통으로 접속된 제2 공통 캐소드 전극 라인, 및 상기 각 쌍의 일측 제2 발광셀들 및 타측 제2 발광셀들에 각각 접속된 제2 애노드 전극 라인들을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 발광셀들은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 각 쌍 내의 제2 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유할 수 있다.The light emitting diode may further include a second group of second light emitting cells including a plurality of pairs of second light emitting cells disposed opposite to each other, a second common cathode electrode line And second anode electrode lines connected to the second light emitting cells at one side and the second light emitting cells at the other side, respectively. The second light emitting cells include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer, and the second light emitting cells in each pair may share a first conductive semiconductor layer.

나아가, 상기 제1 공통 캐소드 전극 라인은 상기 제2 애노드 전극 라인들에 전기적으로 연결될 수 있다.Further, the first common cathode electrode line may be electrically connected to the second anode electrode lines.

또한, 상기 제2 그룹의 복수개의 쌍들은 일렬로 배치될 수 있으며, 상기 각 쌍의 제2 발광셀들은 상기 제2 공통 캐소드 전극을 기준으로 대향 배치될 수 있다.The plurality of pairs of the second group may be arranged in a line, and the pairs of the second light emitting cells may be disposed opposite to each other with reference to the second common cathode electrode.

본 발명에 따르면, 발광셀들 내에 고르게 전류를 분산시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 각 발광셀의 전류 밀도를 제어하여 각 셀의 광 추출 효율을 개선할 수 있는 고신뢰성의 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 공통의 캐소드 전극을 이용하면서 복수개의 발광셀들의 쌍을 일렬로 배치함으로써, 발광셀들을 고집적화할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a light emitting diode capable of uniformly distributing current in the light emitting cells. Also, it is possible to provide a highly reliable light emitting diode which can improve the light extraction efficiency of each cell by controlling the current density of each light emitting cell. By arranging a plurality of pairs of light emitting cells in a line while using a common cathode electrode, the light emitting cells can be highly integrated.

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 등가회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3의 등가회로도이다.
도 5a 및 도 5b는 각각 도 3의 절취선 A-A 및 B-B를 따라 취해진 개략적인 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적이 평면도이다.
도 7은 도 6의 등가회로도이다.
도 8a 및 도 8b는 각각 도 6의 절취선 A-A 및 B-B를 따라 취해진 개략적인 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적이 평면도이다.
도 10은 도 9의 등가회로도이다.
도 10a 및 도 10b는 각각 도 9의 절취선 A-A 및 B-B를 따라 취해진 개략적인 단면도들이다.1 is a schematic plan view for explaining a light emitting diode according to a related art.
2 is an equivalent circuit diagram of Fig.
3 is a schematic plan view illustrating a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
4 is an equivalent circuit diagram of Fig.
Figures 5A and 5B are schematic cross-sectional views taken along the perforations AA and BB of Figure 3, respectively.
6 is a schematic plan view illustrating a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
7 is an equivalent circuit diagram of Fig.
8A and 8B are schematic cross-sectional views taken along the perforations AA and BB of FIG. 6, respectively.
9 is a schematic plan view for explaining a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
Fig. 10 is an equivalent circuit diagram of Fig. 9. Fig.
Figures 10A and 10B are schematic cross-sectional views taken along the perforations AA and BB of Figure 9, respectively.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the length and thickness of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 4는 도 3의 등가회로도이고, 도 5a 및 도 5b는 각각 도 1의 절취선 A-A 및 B-B를 따라 취해진 단면도들이다.3 is a schematic plan view for explaining a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of FIG. 3, and FIGS. 5A and 5B are sectional views taken along the perforations AA and BB of FIG. admit.

도 3, 도 4, 도 5a 및 도 5를 참조하면, 상기 발광 다이오드는, 기판(51), 복수의 발광셀들(56), 제1 내지 제3 공통 전극 라인들(CL1, CL2, CL3), 제1 내지 제3 전극 라인들(AL1, AL2, AL3), 상호접속부들(71), 제1 전극 패드(63) 및 제2 전극 패드(65)를 포함한다. 또한, 각 발광셀들(56)의 상부에 투명 전극층(59)이 위치할 수 있으며, 각 발광셀들(56)의 상부 및 측면 상에 절연층(61)이 위치할 수 있다.3, 4, 5A and 5, the light emitting diode includes a substrate 51, a plurality of light emitting cells 56, first through third common electrode lines CL1, CL2, and CL3, First to third electrode lines AL1, AL2 and AL3, interconnections 71, a first electrode pad 63 and a second electrode pad 65. [ The transparent electrode layer 59 may be disposed on each of the light emitting cells 56 and the insulating layer 61 may be disposed on the upper and side surfaces of the light emitting cells 56.

기판(51)은 발광셀들(56)을 지지하는 기판으로서, 사파이어 기판, 실리콘 기판, GaN 기판 등 질화물 반도체층을 성장시키기 위한 성장기판일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 기판(51)은 통상적으로 발광 다이오드 칩 내의 기판을 의미하지만, 칩 내에 실질적인 기판이 없는 경우, 발광 구조체를 직접적으로 지지하는 기판을 의미한다.The substrate 51 is a substrate for supporting the light emitting cells 56 and may be a growth substrate for growing a nitride semiconductor layer such as a sapphire substrate, a silicon substrate, or a GaN substrate. However, the substrate 51 is not limited thereto. The substrate 51 usually refers to a substrate in a light emitting diode chip, but it means a substrate that directly supports the light emitting structure when there is no substantial substrate in the chip.

상기 기판(51) 상에 복수의 발광셀들(56)이 위치한다. 각 발광셀(56)은 도 5a 및 도 5b에 도시한 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(53), 활성층(55) 및 제2 도전형 반도체층(57)을 포함한다. 이하에서, 상기 제1 도전형 반도체층(53)이 n형이고, 제2 도전형 반도체층(57)이 p형인 것으로 설명하지만, 그 반대일 수도 있다. 상기 활성층(55)은 제1 도전형 반도체층(53)과 제2 도전형 반도체층(57) 사이에 위치하며, 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조일 수 있다. 상기 활성층(55)은 요구되는 발광 파장에 따라 그 물질 및 조성이 선택된다. 예컨대, 상기 활성층(55)은 AlInGaN 계열의 화합물 반도체, 예컨대 InGaN로 형성될 수 있다. 한편, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(53, 57)은 상기 활성층(55)에 비해 밴드갭이 큰 AlInGaN 계열의 화합물 반도체, 예컨대 GaN를 포함한다. 한편, 상기 제1 도전형 반도체층(53)과 상기 기판(51) 사이에 버퍼층(도시하지 않음)이 개재될 수 있다.A plurality of light emitting cells (56) are disposed on the substrate (51). Each light emitting cell 56 includes a first conductive type semiconductor layer 53, an active layer 55, and a second conductive type semiconductor layer 57, as shown in FIGS. 5A and 5B. Hereinafter, it is described that the first conductive semiconductor layer 53 is an n-type and the second conductive semiconductor layer 57 is a p-type, but vice versa. The active layer 55 is disposed between the first conductive semiconductor layer 53 and the second conductive semiconductor layer 57 and may have a single quantum well structure or a multiple quantum well structure. The material and composition of the active layer 55 are selected according to the required emission wavelength. For example, the active layer 55 may be formed of an AlInGaN-based compound semiconductor, for example, InGaN. The first and second conductivity type semiconductor layers 53 and 57 include AlInGaN compound semiconductors having a larger bandgap than the active layer 55, for example, GaN. Meanwhile, a buffer layer (not shown) may be interposed between the first conductive semiconductor layer 53 and the substrate 51.

상기 제1 도전형 반도체층(53), 활성층(55) 및 제2 도전형 반도체층(57)은 금속 유기화학 기상 성장법을 이용하여 기판(51) 상에서 성장될 수 있으며, 그 후 사진 및 식각 공정을 이용하여 패터닝될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 53, the active layer 55 and the second conductive semiconductor layer 57 may be grown on the substrate 51 using a metal organic chemical vapor deposition method, Process. ≪ / RTI >

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 발광셀들(56)은 기판(51) 상에 규칙적으로 배열되어 있다. 여기서, 제2 본딩 패드(65)가 접속된 발광셀(C1)을 제외하면, 발광셀들은 서로 대향 배치되어 쌍을 이루며, 각 쌍은 제1 도전형 반도체층(53)을 공유한다. 예컨대, 제2 본딩 패드(65)가 위치하는 제1열은 제1 발광셀들(C11과 C12)이 대향 배치되어 쌍을 이루며, 제2열은 제2 발광셀들(C21과 C22)가 대향 배치되어 쌍을 이루며, 제3열은 제3 발광셀들(C31과 C32)가 대향 배치되어 쌍을 이룬다.Referring again to FIGS. 3 and 4, the light emitting cells 56 are regularly arranged on the substrate 51. Here, except for the light emitting cell C1 to which the second bonding pad 65 is connected, the light emitting cells are arranged opposite to each other to form a pair, and each pair shares the first conductivity type semiconductor layer 53. For example, the first row in which the second bonding pad 65 is located is formed by the first light emitting cells C11 and C12 being opposed to each other, and the second column is formed by the second light emitting cells C21 and C22, And the third row is paired with the third light emitting cells C31 and C32 arranged opposite to each other.

각 열에는 발광셀들의 쌍이 복수개 배치된다. 한편, 발광셀(C1)은 제2 전극 패드(65)를 배치하기 위한 공간을 제공하기 위해 쌍을 이루는 대신 단일의 발광셀로 위치한다. 도 4에서, U11~U14, U21~U24 및 U31~U34는 각 열에서 서로 분리된 제1 도전형 반도체층(53) 별로 발광셀들을 표시한 것이다. 열들 사이에서도 제1 도전형 반도체층들(53)이 서로 이격되어 있으며, 나아가 각 열 내에서도 제1 도전형 반도체층들(53)은 서로 이격될 수 있다.A plurality of pairs of light emitting cells are arranged in each column. On the other hand, the light emitting cells C1 are positioned as a single light emitting cell instead of a pair in order to provide a space for disposing the second electrode pads 65. In FIG. 4, U11 to U14, U21 to U24, and U31 to U34 denote light emitting cells for the first conductivity type semiconductor layers 53 separated from each other in each column. The first conductive type semiconductor layers 53 are spaced apart from each other even between the columns, and further, the first conductive type semiconductor layers 53 may be spaced apart from each other in each column.

제1, 제2 및 제3 공통 전극 라인(CL1, CL2, CL3)이 각각 제1열, 제2열 및 제3열의 발광셀들(56)의 제1 도전형 반도체층들(53)에 공통으로 접속된다. 제1 도전형 반도체층들(53)이 n형 반도체인 경우, 상기 공통 전극 라인들(CL1, CL2, CL3)은 캐소드 전극 라인들이 된다. 제1, 제2 및 제3 공통 전극 라인(CL1, CL2, CL3)은 제1 도전형 반도체층(53)에 접속하는 전극부들(67a)과 이들 전극부들(67a)을 서로 연결하는 연결부들(67b)을 포함할 수 있다.The first, second and third common electrode lines CL1, CL2 and CL3 are common to the first conductivity type semiconductor layers 53 of the light emitting cells 56 of the first column, the second column and the third column, Respectively. When the first conductivity type semiconductor layers 53 are n-type semiconductors, the common electrode lines CL1, CL2 and CL3 become cathode electrode lines. The first, second, and third common electrode lines CL1, CL2, and CL3 include electrode portions 67a connected to the first conductive type semiconductor layer 53 and connecting portions (not shown) connecting the electrode portions 67a to each other 67b.

또한, 상기 제1 공통 전극 라인(CL1)은 서로 쌍을 이루는 제1 발광셀들(C11과 C12) 사이에 위치하고, 상기 제2 공통 전극 라인(CL2)은 서로 쌍을 이루는 제2 발광셀들(C21과 C22) 사이에 위치하고, 상기 제3 공통 전극 라인(CL3)은 서로 쌍을 이루는 제3 발광셀들(C31과 C32) 사이에 위치할 수 있다. 즉, 상기 제1 발광셀들(C11과 C12)은 제1 공통 전극 라인(CL1)을 기준으로 대향 배치될 수 있으며, 제2 발광셀들(C21과 C22) 및 제3 발광셀들(C31과 C32)은 각각 제2 및 제3 공통 전극 라인을 기준으로 대향 배치될 수 있다.The first common electrode line CL1 is located between the first light emitting cells C11 and C12 which are paired with each other and the second common electrode line CL2 is located between the second light emitting cells P12, C21 and C22, and the third common electrode line CL3 may be positioned between the third light emitting cells C31 and C32, which are paired with each other. That is, the first light emitting cells C11 and C12 may be opposed to each other with respect to the first common electrode line CL1, and the second light emitting cells C21 and C22 and the third light emitting cells C31, C32 may be opposed to each other with reference to the second and third common electrode lines.

한편, 제1 전극 라인들(AL1)이 제1 공통 전극 라인(CL1)의 양측에서 상기 제1 발광셀들(C11) 및 제1 발광셀들(C12)을 각각 전기적으로 연결하고, 제2 전극 라인들(AL2)이 제2 공통 전극 라인(CL1)의 양측에서 상기 제2 발광셀들(C21) 및 제2 발광셀들(C22)을 각각 전기적으로 연결하고, 제3 전극 라인들(AL3)이 제3 공통 전극 라인(CL3)의 양측에서 상기 제3 발광셀들(C31) 및 제3 발광셀들(C32)을 각각 전기적으로 연결한다. 상기 전극 라인들(AL1, AL2, AL3)은 각 발광셀(56)의 제2 도전형 반도체층(57)에 접속하는 전극부들(69a)과 상기 전극부들(69a)을 서로 연결하는 연결부들(69b)을 포함한다. 제2 도전형 반도체층들(57)이 p형 반도체인 경우, 상기 전극 라인들(AL1, AL2, AL3)은 애노드 전극 라인들이 된다.The first electrode lines AL1 electrically connect the first light emitting cells C11 and the first light emitting cells C12 on both sides of the first common electrode line CL1, The lines AL2 electrically connect the second light emitting cells C21 and the second light emitting cells C22 on both sides of the second common electrode line CL1 and the third electrode lines AL3, And electrically connects the third light emitting cells C31 and the third light emitting cells C32 on both sides of the third common electrode line CL3. The electrode lines AL1, AL2 and AL3 are electrically connected to electrode portions 69a connected to the second conductive semiconductor layer 57 of each light emitting cell 56 and connecting portions 69a connecting the electrode portions 69a 69b. When the second conductivity type semiconductor layers 57 are p-type semiconductors, the electrode lines AL1, AL2, and AL3 are anode electrode lines.

상기 제1 전극 라인들(AL1)의 단부들은 제2 전극 패드(65)에 연결된다. 한편, 제1 공통 전극 라인(CL1)은 제2 전극 라인들(AL2)에 상호 접속부(71)를 통해 접속되고, 제2 공통 전극 라인(CL2)은 제3 전극 라인들(AL3)에 상호 접속부(71)를 통해 접속된다. 제3 공통 전극 라인(CL3)의 단부는 제1 전극 패드(63)에 접속된다.The ends of the first electrode lines AL1 are connected to the second electrode pad 65. [ The first common electrode line CL1 is connected to the second electrode lines AL2 via the interconnection 71 and the second common electrode line CL2 is connected to the third electrode lines AL3 via the interconnection 71. [ (71). And the end of the third common electrode line CL3 is connected to the first electrode pad 63. [

이에 따라, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 그룹(G1) 내의 발광셀들(C1, C11, C12)이 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 사이에서 병렬 연결되고, 제2 그룹(G2) 내의 발광셀들(C21, C22)이 제2 노드(n2)와 제3 노드(n3) 사이에서 병렬 연결되고, 제3 그룹(G3) 내의 발광셀들(C31, C32)이 제3 노드(n3)와 제4 노드(n4) 사이에서 병렬 연결된다. 또한, 제1 그룹(G1) 내의 발광셀들(C1, C11, C12)은 제2 노드(n2)를 통해 제2 그룹(G2) 내의 발광셀들(C21, C22)에 직렬 연결되고, 제2 그룹(G2) 내의 발광셀들(C21, C22)은 제3 그룹(G3) 내의 발광셀들(C31, C32)에 직렬 연결된다.Accordingly, as shown in Fig. 4, the light emitting cells C1, C11, and C12 in the first group G1 are connected in parallel between the first node n1 and the second node n2, The light emitting cells C21 and C22 in the group G2 are connected in parallel between the second node n2 and the third node n3 and the light emitting cells C31 and C32 in the third group G3 are connected in parallel. And is connected in parallel between the third node n3 and the fourth node n4. The light emitting cells C1, C11 and C12 in the first group G1 are connected in series to the light emitting cells C21 and C22 in the second group G2 through the second node n2, The light emitting cells C21 and C22 in the group G2 are serially connected to the light emitting cells C31 and C32 in the third group G3.

동작시, 전류는 제2 전극 패드(65)로 유입되고, 제1 노드(n1), 제2 노드(n2) 및 제3 노드(n3)를 순차적으로 거쳐서 제1 전극 패드(63)로 흐르며, 제1 내지 제3 발광셀들(56)이 모두 동작하게 된다.The current flows into the second electrode pad 65 and flows to the first electrode pad 63 sequentially through the first node n1, the second node n2 and the third node n3, The first to third light emitting cells 56 are all operated.

다시 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 각 발광셀의 상부에 투명전극층(59)이 위치할 수 있으며, 상기 전극부들(69a)은 투명 전극층(59) 상에 위치하여 제2 도전형 반도체층(57)에 접속될 수 있다. 또한, 각 발광셀들(56)의 상부면 및 측면 절연층(61)으로 덮일 수 있다. 절연층(61)은 제2 전극 패드(65) 및 전극부들(69a)이 투명 전극층(59)에 접속할 수 있도록 개구부들이 형성될 수 있다. 또한, 절연층(61)은 전극부들(67a)이 제1 도전형 반도체층들(53)에 접속할 수 있도록 제1 도전형 반도체층들(53)을 노출시키는 개구부들을 가질 수 있다. 한편, 연결부들(69b)은 절연층(61)에 의해 발광셀들(56)의 측면으로부터 절연된다.5A and 5B, a transparent electrode layer 59 may be disposed on each light emitting cell, and the electrode portions 69a may be disposed on the transparent electrode layer 59 to form the second conductive semiconductor layer 57). Further, it may be covered with the upper surface of each light emitting cell 56 and the side insulating layer 61. The insulating layer 61 may have openings to allow the second electrode pad 65 and the electrode portions 69a to be connected to the transparent electrode layer 59. [ The insulating layer 61 may have openings exposing the first conductivity type semiconductor layers 53 so that the electrode portions 67a can be connected to the first conductivity type semiconductor layers 53. [ On the other hand, the connection portions 69b are insulated from the side surfaces of the light emitting cells 56 by the insulating layer 61.

본 실시예에 따르면, 제1 도전형 반도체층을 공유하는 발광셀들(C11과 C12, C21과 C22, C31과 C32)을 이용하여 작은 면적의 칩 내에 발광셀들을 고집적화할 수 있다. 나아가, 열 단위로 병렬 연결된 발광셀들을 배치함으로써 칩의 구조를 단순화할 수 있다. 또한, 각 발광셀 내의 전극의 길이를 짧게 할 수 있어, 전류를 고르게 분산시킬 수 있다.According to the present embodiment, light emitting cells can be highly integrated in a chip having a small area by using the light emitting cells C11 and C12, C21 and C22, C31 and C32 sharing the first conductive type semiconductor layer. Furthermore, by arranging the light emitting cells connected in parallel in a row unit, the structure of the chip can be simplified. Further, the length of the electrodes in each light emitting cell can be shortened, and the current can be dispersed evenly.

본 실시예에 있어서, 3개의 열로 발광셀들의 쌍을 배열한 것에 대해 설명했지만, 사용 전압에 따라 열의 수를 증감함으로써 각 발광셀에 인가되는 전압을 제어할 수 있다. 또한, 7개 또는 8개의 발광셀들(56)이 서로 병렬 연결된 것으로 설명하였지만, 구동 전류에 따라 열 내의 발광셀들의 쌍의 수를 증감시켜 병렬 연결된 발광셀들의 수를 조절할 수 있다. 따라서, 각 발광셀(56)의 전류 밀도를 제어하여 최적의 광 추출 효율을 확보할 수 있다.In this embodiment, a pair of light emitting cells is arranged in three columns. However, the voltage applied to each light emitting cell can be controlled by increasing or decreasing the number of columns according to the voltage used. In addition, the number of the light emitting cells connected in parallel can be adjusted by increasing or decreasing the number of pairs of light emitting cells in the column according to the driving current. Therefore, it is possible to control the current density of each light emitting cell 56 to ensure optimum light extraction efficiency.

한편, 본 실시예에 있어서, 열 단위로 병렬 연결된 발광셀들(56)을 배열한 것으로 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 열 내의 일부 발광셀들이 서로 병렬 연결될 수도 있고, 서로 다른 두개의 열들 내의 발광셀들이 서로 병렬 연결될 수도 있다.Meanwhile, in this embodiment, the light emitting cells 56 connected in parallel in the column unit are arranged, but the present invention is not limited thereto. For example, some light emitting cells in a column may be connected to each other in parallel, or light emitting cells in two different columns may be connected in parallel to each other.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 7은 도 6의 등가회로도이고, 도 8a 및 도 8b는 도 6의 절취선 A-A 및 B-B를 따라 취해진 단면도들이다.6 is a schematic plan view for explaining a light emitting diode according to another embodiment of the present invention, Fig. 7 is an equivalent circuit diagram of Fig. 6, Figs. 8A and 8B are cross- admit.

도 6, 도 7, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는, 앞서 도 4 내지 도 5를 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 유사하며, 다만, 제2 전극 패드(65)가 접속되는 발광셀들(56) 또한 쌍을 이루는 것에 차이가 있다.Referring to FIGS. 6, 7, 8A and 8B, the light emitting diode according to the present embodiment is substantially similar to the light emitting diode described above with reference to FIGS. 4 to 5, except that the second electrode pad 65, And the light emitting cells 56 to which the light emitting cells 56 are connected are different from each other.

즉, 도 4에서 제2 전극 패드(65)가 접속된 발광셀(C1)은 다른 제1 발광셀들(C11, C12)와 달리 쌍을 이루지 않는다. 그러나, 본 실시예에 따르면, 제2 전극 패드(65)가 접속되는 제1 발광셀들 또한 서로 대향 배치되어 쌍을 이루며, 제1 도전형 반도체층(53)을 공유한다. 여기서, 상기 제2 전극 패드(65)는 제1 도전형 반도체층(53) 상에 위치하고, 도 8a에 도시한 바와 같이, 절연층(61) 상에 위치하여 절연층(61)에 의해 제1 도전형 반도체층(53)으로부터 절연될 수 있다.In other words, the light emitting cells C1 to which the second electrode pads 65 are connected in FIG. 4 are not paired with the other first light emitting cells C11 and C12. However, according to the present embodiment, the first light emitting cells to which the second electrode pads 65 are connected are also opposed to each other to form a pair and share the first conductivity type semiconductor layer 53. The second electrode pad 65 is located on the first conductive semiconductor layer 53 and is located on the insulating layer 61 as shown in FIG. And can be insulated from the conductive type semiconductor layer 53. [

본 실시예에 있어서, 도 6의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도인 도 8b는 앞의 실시예의 도 5b와 동일하다.In this embodiment, Fig. 8B, which is a cross-sectional view taken along the tear line B-B in Fig. 6, is the same as Fig. 5B of the previous embodiment.

본 실시예에 따르면, 각 그룹 별로 동일한 개수의 발광셀들이 서로 병렬 연결될 수 있으며, 따라서 발광셀들에 인가되는 전류를 동일하게 제어할 수 있다.According to the present embodiment, the same number of light emitting cells may be connected in parallel to each other in each group, so that currents applied to the light emitting cells can be controlled equally.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 10은 도 9의 등가회로도이고, 도 11a 및 도 11b는 도 9의 절취선 A-A 및 B-B를 따라 취해진 단면도들이다.9 is a schematic plan view for explaining a light emitting diode according to yet another embodiment of the present invention, Fig. 10 is an equivalent circuit diagram of Fig. 9, Figs. 11A and 11B are sectional views taken along the cut lines AA and BB admit.

도 9, 도 10, 도 11a 및 도 11b를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는, 앞서 도 4 내지 도 5를 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 유사하며, 다만, 각 그룹(G1, G2, G3) 내의 발광셀들(56)이 모두 제1 도전형 반도체층(53)을 공유하는 것에 차이가 있다.9, 10, 11A and 11B, the light emitting diode according to the present embodiment is substantially similar to the light emitting diode described above with reference to FIGS. 4 to 5, except that each group G1, G2, The light emitting cells 56 within the first conductivity type semiconductor layers G2 and G3 share the first conductivity type semiconductor layer 53 in all.

즉, 앞선 실시예들에 있어서, 각 그룹(G1, G2, G3) 내의 발광셀들의 쌍들의 제1 도전형 반도체층들(53)은 서로 분리되어 있는 것으로 도시 및 설명하였지만, 본 실시예에 있어서는, 각 그룹(G1, G2, G3) 내에서 병렬 연결된 발광셀들은 모두 단일의 제1 도전형 반도체층(53) 상에 위치한다. 예컨대, 도 4에서, U11~U14, U21~U24 및 U31~U34는 각 열에서 서로 분리된 제1 도전형 반도체층(53) 별로 발광셀들을 표시한 것이지만, 본 실시예에 있어서, U11~U14는 서로 대향하여 배치된 발광셀들의 쌍들을 표시한 것이고, 서로 분리된 제1 도전형 반도체층(53) 별로 발광셀들을 표시한 것은 아니다.That is, although the first conductivity type semiconductor layers 53 of the pairs of light emitting cells in the groups G1, G2, and G3 are shown as being separated from each other in the above embodiments, , And the light emitting cells connected in parallel in each group G1, G2, and G3 are all located on the single first conductive type semiconductor layer 53. For example, in FIG. 4, U11 to U14, U21 to U24, and U31 to U34 represent light emitting cells for each first conductivity type semiconductor layer 53 separated from each other in each column. In this embodiment, U11 to U14 Emitting cell pairs disposed opposite to each other and not the light-emitting cells for the first conductive type semiconductor layers 53 separated from each other.

본 실시예에 따르면, 제1 도전형 반도체층(53)을 패터닝하는 공정을 더욱 단순화할 수 있으며, 이에 더하여 연결부들(67b)을 생략할 수 있다. 나아가, 제1 도전형 반도체층(53)의 패턴이 단순화됨에 따라, 연결부들(69b)을 더욱 쉽게 형성할 수 있다.According to the present embodiment, the step of patterning the first conductive type semiconductor layer 53 can be further simplified, and in addition, the connection portions 67b can be omitted. Furthermore, as the pattern of the first conductivity type semiconductor layer 53 is simplified, the connection portions 69b can be formed more easily.

덧붙여, 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명한 발광 다이오드의 경우에도, 각 그룹 내의 병렬 연결된 발광셀들은 모두 제1 도전형 반도체층(53)을 공유할 수 있다.In addition, in the case of the light-emitting diode described with reference to FIGS. 6 to 8, all of the light-emitting cells connected in parallel in each group can share the first conductivity type semiconductor layer 53.

Claims (16)

서로 병렬 연결된 복수의 제1 발광셀들을 포함하는 제1 그룹;
서로 병렬 연결된 복수의 제2 발광셀들을 포함하는 제2 그룹;
제1 공통 전극 라인; 및
제2 공통 전극 라인을 포함하고,
상기 제1 및 제2 발광셀들은 각각 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 반도체 적층 구조를 갖고,
상기 제1 공통 전극 라인은 상기 제1 발광셀들의 제1 도전형 반도체층에 공통적으로 접속되며,
상기 제2 공통 전극 라인은 상기 제2 발광셀들의 제1 도전형 반도체층에 공통적으로 접속되며,
상기 제1 그룹은 상기 제1 공통 전극 라인을 기준으로 대향 배치된 제1 발광셀들의 복수의 쌍을 포함하고,
상기 제2 그룹은 상기 제2 공통 전극 라인을 기준으로 대향 배치된 제2 발광셀들의 복수의 쌍을 포함하고,
상기 제1 발광셀들의 각각의 쌍은 제1 도전형 반도체층을 공유하고,
상기 제2 발광셀들의 각각의 쌍은 제1 도전형 반도체층을 공유하고,
상기 제1 발광셀들은 상기 제2 발광셀들에 직렬 연결되되,
상기 제1 그룹의 제1 발광셀들의 복수의 쌍은 제1 열에 일렬로 배열되고,
상기 제2 그룹의 제2 발광셀들의 복수의 쌍은 제2 열에 일렬로 배열되되, 상기 제2 열은 상기 제1 열에 이웃하여 평행하게 위치하는 발광 다이오드.A first group including a plurality of first light emitting cells connected in parallel to each other;
A second group including a plurality of second light emitting cells connected in parallel to each other;
A first common electrode line; And
And a second common electrode line,
The first and second light emitting cells have a semiconductor stacked structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer sandwiched between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer ,
The first common electrode line is commonly connected to the first conductive semiconductor layer of the first light emitting cells,
The second common electrode line is commonly connected to the first conductive semiconductor layer of the second light emitting cells,
Wherein the first group includes a plurality of pairs of first light emitting cells arranged opposite to each other with respect to the first common electrode line,
The second group includes a plurality of pairs of second light emitting cells arranged opposite to each other with respect to the second common electrode line,
Each pair of the first light emitting cells sharing a first conductivity type semiconductor layer,
Each pair of the second light emitting cells sharing a first conductivity type semiconductor layer,
Wherein the first light emitting cells are serially connected to the second light emitting cells,
A plurality of pairs of first light emitting cells of the first group are arranged in a line in a first column,
Wherein a plurality of pairs of second light emitting cells of the second group are arranged in a line in a second column and the second column is located parallel to neighboring the first column. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 제1 공통 전극 라인의 양측에서 각각 상기 제1 발광셀들의 제2 도전형 반도체층들을 전기적으로 연결하는 두 개의 제1 전극 라인들; 및
상기 제2 공통 전극 라인의 양측에서 각각 상기 제2 발광셀들의 제2 도전형 반도체층들을 전기적으로 연결하는 두 개의 제2 전극 라인들을 더 포함하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
Two first electrode lines electrically connecting the second conductivity type semiconductor layers of the first light emitting cells on both sides of the first common electrode line; And
And two second electrode lines electrically connecting the second conductivity type semiconductor layers of the second light emitting cells on both sides of the second common electrode line. 청구항 6에 있어서,
상기 제1 공통 전극 라인은 상기 두 개의 제2 전극 라인들에 전기적으로 연결된 발광 다이오드.The method of claim 6,
And the first common electrode line is electrically connected to the two second electrode lines. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 발광셀들 및 제2 발광셀들은 단일 기판 상에 위치하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the first light emitting cells and the second light emitting cells are located on a single substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 발광셀들은 제1 노드와 제2 노드 사이에서 서로 병렬 연결되고,
상기 제2 발광셀들은 제2 노드와 제3 노드 사이에서 서로 병렬 연결되고,
상기 제1 발광셀들은 상기 제2 노드를 통해 상기 제2 발광셀들에 직렬 연결되고,
동작시, 전류는 제1 노드로부터, 제2 노드 및 제3 노드를 거쳐 흐르는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the first light emitting cells are connected in parallel to each other between a first node and a second node,
The second light emitting cells are connected in parallel to each other between a second node and a third node,
Wherein the first light emitting cells are serially connected to the second light emitting cells through the second node,
In operation, the current flows from the first node, through the second node and the third node. 청구항 1에 있어서,
서로 병렬 연결된 복수의 제3 발광셀들을 포함하는 제3 그룹; 및
제3 공통 전극라인을 더 포함하고,
상기 제3 발광셀들은 각각 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 반도체 적층 구조를 갖고,
상기 제3 공통 전극 라인은 상기 제3 발광셀들의 제1 도전형 반도체층에 공통적으로 접속되며,
상기 제3 그룹은 상기 제3 공통 전극 라인을 기준으로 대향 배치된 제3 발광셀들의 복수의 쌍을 포함하고,
상기 제3 발광셀들의 각각의 쌍은 제1 도전형 반도체층을 공유하고,
상기 제2 발광셀들은 상기 제3 발광셀들에 직렬 연결되되,
상기 제3 그룹의 발광셀들의 쌍은 제3 열에 일렬로 배열되고, 상기 제3 열은 상기 제2 열에 이웃하여 평행하여 위치하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
A third group including a plurality of third light emitting cells connected in parallel to each other; And
Further comprising a third common electrode line,
The third light emitting cells each have a semiconductor stacked structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer sandwiched between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer,
The third common electrode line is commonly connected to the first conductive semiconductor layer of the third light emitting cells,
The third group includes a plurality of pairs of third light emitting cells arranged to face each other with respect to the third common electrode line,
Each pair of the third light emitting cells sharing a first conductivity type semiconductor layer,
The second light emitting cells are serially connected to the third light emitting cells,
Wherein the pair of light emitting cells of the third group is arranged in a line in a third column and the third column is located in parallel to the second column. 서로 대향 배치된 제1 발광셀들의 쌍을 복수개 포함하는 제1 발광셀들의 제1 그룹;
서로 대향 배치된 제2 발광셀들의 쌍을 복수개 포함하는 제2 발광셀들의 제2 그룹;
상기 제1 발광셀들의 각 쌍의 제1 발광셀들에 공통으로 접속된 제1 공통 캐소드 전극 라인;
상기 제2 발광셀들의 각 쌍의 제2 발광셀들에 공통으로 접속된 제2 공통 캐소드 전극 라인;
상기 제1 발광셀들의 각 쌍의 일측 제1 발광셀들 및 타측 제1 발광셀들에 각각 접속된 제1 애노드 전극 라인들; 및
상기 제2 발광셀들의 각 쌍의 일측 제2 발광셀들 및 타측 제2 발광셀들에 각각 접속된 제2 애노드 전극 라인들을 포함하고,
상기 제1 발광셀들 및 제2 발광셀들은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고,
상기 각 쌍 내의 제1 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유하고,
상기 각 쌍 내의 제2 발광셀들은 제1 도전형 반도체층을 공유하며,
상기 제1 발광셀들의 복수개의 쌍들은 제1 열에 일렬로 배열되고,
상기 제2 발광셀들의 복수개의 쌍들은 제2 열에 일렬로 배열되며,
상기 제2 열은 상기 제1 열에 이웃하여 평행하게 위치하고,
상기 제1 발광셀들의 복수개의 쌍은 제2 발광셀들의 복수개의 쌍에 직렬 연결된 발광 다이오드.A first group of first light emitting cells including a plurality of pairs of first light emitting cells arranged opposite to each other;
A second group of second light emitting cells including a plurality of pairs of second light emitting cells arranged opposite to each other;
A first common cathode electrode line commonly connected to each pair of first light emitting cells of the first light emitting cells;
A second common cathode electrode line commonly connected to each pair of second light emitting cells of the second light emitting cells;
First anode electrode lines connected to the first light emitting cells on one side and the first light emitting cells on the other side of each pair of the first light emitting cells; And
And second anode electrode lines connected to the second light emitting cells on one side and the second light emitting cells on the other side of each pair of the second light emitting cells,
The first light emitting cells and the second light emitting cells include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer,
Wherein the first light emitting cells in each pair share a first conductivity type semiconductor layer,
The second light emitting cells in each pair share a first conductive type semiconductor layer,
A plurality of pairs of the first light emitting cells are arranged in a line in a first column,
A plurality of pairs of the second light emitting cells are arranged in a line in a second column,
The second row being located parallel to the first row,
And a plurality of pairs of the first light emitting cells are connected in series to a plurality of pairs of the second light emitting cells. 삭제delete 청구항 11에 있어서,
상기 각 쌍의 제1 발광셀들은 상기 제1 공통 캐소드 전극 라인을 기준으로 대향 배치된 발광 다이오드.The method of claim 11,
Wherein the first light emitting cells of each pair are disposed opposite to each other with respect to the first common cathode electrode line. 삭제delete 청구항 11에 있어서,
상기 제1 공통 캐소드 전극 라인은 상기 제2 애노드 전극 라인들에 전기적으로 연결된 발광 다이오드.The method of claim 11,
And the first common cathode electrode line is electrically connected to the second anode electrode lines. 청구항 15에 있어서,
상기 각 쌍의 제2 발광셀들은 상기 제2 공통 캐소드 전극 라인을 기준으로 대향 배치된 발광 다이오드.16. The method of claim 15,
Wherein each pair of the second light emitting cells are disposed opposite to each other with respect to the second common cathode electrode line.
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