KR101791111B1 - Liquid crystal display device and apparatus for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 어레이 기판과 컬러필터 기판 및 액정층을 포함하는 액정패널과; 상기 어레이 기판 외면에 부착된 제1편광판과; 상기 제1편광판의 외면에 위치하는 백라이트 유닛과; 상기 컬러필터 기판의 외면에 부착된 제2편광판과; 상기 제2편광판의 외면에 형성된 다층 구조의 선택 반사층을 포함하는 액정표시장치용 제조 장비에 있어서, 챔버와; 상기 챔버 내부의 하단 일측에 위치하는 전자빔 증발원과; 상기 챔버 내부의 상단에 위치하며 처리될 기판을 지지 및 회전시키기 위한 기판지지수단과; 상기 전자빔 증발원과 상기 기판지지수단 사이에 위치하며, 직사각형 형태에서 적어도 하나의 모따기 구조를 가지는 제1영역과, 상기 제1영역 내에 다수의 스트라이프 타입의 다수의 개구부를 가지는 제2영역을 포함하는 제1쉴드를 포함하는 액정표시장치용 제조 장비를 제공하여, 증착되는 박막의 두께 편차 발생을 줄이고 두께 균일도를 개선할 수 있다.A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal panel including an array substrate, a color filter substrate and a liquid crystal layer; A first polarizer attached to an outer surface of the array substrate; A backlight unit positioned on an outer surface of the first polarizer; A second polarizer attached to an outer surface of the color filter substrate; And a selective reflection layer of a multilayer structure formed on the outer surface of the second polarizer plate, the manufacturing equipment for a liquid crystal display comprising: a chamber; An electron beam evaporation source located at a lower one side of the inside of the chamber; A substrate support means for supporting and rotating a substrate to be processed, the substrate support means being located at an upper end of the chamber interior; And a second region having a plurality of stripe-type openings in the first region, the first region being located between the electron beam evaporation source and the substrate supporting means and having at least one chamfer structure in a rectangular shape, 1 shield, it is possible to reduce the occurrence of thickness variations of the deposited thin film and to improve the thickness uniformity.

Description

액정표시장치 및 그 제조 장비{Liquid crystal display device and apparatus for fabricating the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device,

본 발명은 액정표시장치에 관한 것이며, 특히, 백라이트 오프 시에도 표시영역에 단색 컬러를 구현할 수 있어 외관이 미려한 액정표시장치 및 이의 제조 장비에 관한 것이다.
The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device and a manufacturing apparatus for the same which can realize a monochromatic color in a display area even when the backlight is off.

액정표시장치는 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술 집약적이며, 부가가치가 높은 디스플레이(display) 소자로 각광받고 있다. The liquid crystal display device is attracting attention as a display device with low power consumption, high portability, and high technology value.

이러한 액정표시장치 중에서도 각 화소(pixel)별로 온(on)/오프(off)를 조절할 수 있는 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 포함한 액티브 매트릭스형 액정표시장치가 해상도 및 동영상 구현능력이 뛰어나 널리 이용되고 있다.Of these liquid crystal display devices, an active matrix type liquid crystal display device including a thin film transistor, which is a switching device capable of controlling ON / OFF of each pixel, is widely used because of its excellent resolution and video realization capability.

일반적으로, 액정표시장치는 박막트랜지스터 및 화소전극을 형성하는 어레이 기판 제조 공정과 컬러필터 및 공통 전극을 형성하는 컬러필터 기판 제조 공정을 통해 각각 어레이 기판 및 컬러필터 기판을 형성하고, 이들 두 기판 사이에 액정을 개재하는 셀 공정을 거쳐 완성된다. In general, a liquid crystal display device forms an array substrate and a color filter substrate through an array substrate manufacturing process for forming thin film transistors and pixel electrodes, and a color filter substrate manufacturing process for forming color filters and common electrodes, And a liquid crystal interposed therebetween.

도 1을 참조하여 일반적인 액정표시장치의 구성에 대해 보다 상세히 설명한다. 도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. The structure of a general liquid crystal display device will be described in more detail with reference to FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a general liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 일반적인 액정표시장치(1)는, 어레이 기판(10)과 컬러필터 기판(20) 및 이들 두 기판(10, 20) 사이에 개재된 액정층(도시하지 않음)을 포함한다. As shown in the figure, a general liquid crystal display device 1 includes an array substrate 10, a color filter substrate 20, and a liquid crystal layer (not shown) interposed between the two substrates 10 and 20.

하부의 어레이 기판(10)은 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 다수의 게이트 배선과 데이터 배선을 포함하며, 이들 두 배선의 교차지점에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 형성되고, 각 화소영역에는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 화소전극이 형성된다. The lower array substrate 10 includes a plurality of gate wirings and data wirings crossing each other and defining pixel regions, thin film transistors, which are switching elements, are formed at intersections of the two wirings, A pixel electrode connected to the drain electrode of the TFT is formed.

또한, 상기 어레이 기판(10)과 일정간격 이격되어 배치되는 상부의 컬러필터 기판(20)은 각 화소영역에 대응하여 개구부를 가지는 블랙매트릭스와 각 개구부에 대응하여 형성된 컬러필터층을 포함하며, 상기 블랙매트릭스와 컬러필터층의 전면에 걸쳐 투명한 공통전극이 형성된다. An upper color filter substrate 20 disposed at a predetermined distance from the array substrate 10 includes a black matrix having an opening corresponding to each pixel region and a color filter layer formed corresponding to each opening, A transparent common electrode is formed over the entire surface of the matrix and the color filter layer.

이들 두 기판(10, 20)의 바깥쪽 면에는 서로 직교하는 편광축을 가지는 제1 및 제2편광판(31, 32)이 각각 배치되어 있으며, 상기 어레이 기판(10)의 바깥쪽 면에 위치하는 제1편광판(31)의 바깥쪽, 즉 제1편광판(31)의 하부에는 백라이트 유닛(backlight unit)(40)이 위치한다.First and second polarizing plates 31 and 32 having polarization axes orthogonal to each other are disposed on the outer surfaces of the two substrates 10 and 20, respectively. The first and second polarizing plates 31 and 32 are disposed on the outer surface of the array substrate 10, A backlight unit 40 is located outside the first polarizer 31, that is, below the first polarizer 31.

이러한 구성을 갖는 액정표시장치(1)에 있어서, 상기 백라이트 유닛(40)이 온(on) 되었을 때에는, 상기 백라이트 유닛(40)으로부터 나온 빛이 각 화소영역 내에서 액정분자의 구동에 의해 휘도 조절이 되어 컬러필터층을 통과함으로써, 액정표시장치(1)는 컬러풀한 화상을 표시하며, 백라이트 유닛(40)이 오프(off) 되었을 때에는 블랙 화상을 표시하게 된다.In the liquid crystal display device 1 having such a configuration, when the backlight unit 40 is turned on, the light emitted from the backlight unit 40 is adjusted in brightness by driving liquid crystal molecules in each pixel region And passes through the color filter layer, the liquid crystal display device 1 displays a colorful image, and when the backlight unit 40 is turned off, a black image is displayed.

최근, 이러한 액정표시장치(1)는 TV나, 멀티비젼, 노트북, 모니터, 휴대용 전화기, 휴대용 멀티미디어 기기 등 다양한 IT 응용제품 및 가전제품에 이용되고 있다.In recent years, such a liquid crystal display device 1 has been used in various IT application products and household appliances such as TVs, multivision, notebooks, monitors, portable telephones, portable multimedia devices, and the like.

한편, 최근의 IT 제품 및 가전제품은 그 자체 고유의 기능과 더불어 디자인 측면이 중요시 되고 있으며, 특히, 이들 IT 제품 및 가전제품이 위치하게 되는 주변 환경과 색감 등의 조화를 이룰 수 있도록 설계되고 있다.Meanwhile, recent IT products and home appliances are designed with their own functions and design aspects, and in particular, they are designed to harmonize the surrounding environment with the environment where these IT products and household appliances are located .

따라서, 이러한 경향에 맞추어 액정표시장치도 백라이트 유닛이 오프(off)된 상태에서 블랙 이외에 다른 다양한 컬러를 표시할 수 있는 제품이 연구 및 개발되고 있다.
Therefore, in accordance with this tendency, a product which can display various colors other than black in a state that the backlight unit is turned off is also being studied and developed in the liquid crystal display device.

상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 목적은 편광판의 외면에 선택 반사층을 형성하여, 백라이트 유닛의 오프 모드시 블랙이 아닌 컬러 화상의 표시가 가능한 액정표시장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which a selective reflection layer is formed on an outer surface of a polarizing plate so that a color image other than black can be displayed in an off mode of a backlight unit.

본 발명의 다른 목적은 선택 반사층의 두께 균일도를 개선할 수 있는 액정표시장치용 제조 장비를 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to provide a manufacturing equipment for a liquid crystal display device capable of improving the thickness uniformity of the selective reflection layer.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치용 제조 장비는, 어레이 기판과 컬러필터 기판 및 액정층을 포함하는 액정패널과; 상기 어레이 기판 외면에 부착된 제1편광판과; 상기 제1편광판의 외면에 위치하는 백라이트 유닛과; 상기 컬러필터 기판의 외면에 부착된 제2편광판과; 상기 제2편광판의 외면에 형성된 다층 구조의 선택 반사층을 포함하는 액정표시장치용 제조 장비에 있어서, 챔버와; 상기 챔버 내부의 하단 일측에 위치하는 전자빔 증발원과; 상기 챔버 내부의 상단에 위치하며 처리될 기판을 지지 및 회전시키기 위한 기판지지수단과; 상기 전자빔 증발원과 상기 기판지지수단 사이에 위치하며, 직사각형 형태에서 적어도 하나의 모따기 구조를 가지는 제1영역과, 상기 제1영역 내에 다수의 스트라이프 타입의 다수의 개구부를 가지는 제2영역을 포함하는 제1쉴드를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a manufacturing apparatus for a liquid crystal display device, including: a liquid crystal panel including an array substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal layer; A first polarizer attached to an outer surface of the array substrate; A backlight unit positioned on an outer surface of the first polarizer; A second polarizer attached to an outer surface of the color filter substrate; And a selective reflection layer of a multilayer structure formed on the outer surface of the second polarizer plate, the manufacturing equipment for a liquid crystal display comprising: a chamber; An electron beam evaporation source located at a lower one side of the inside of the chamber; A substrate support means for supporting and rotating a substrate to be processed, the substrate support means being located at an upper end of the chamber interior; And a second region having a plurality of stripe-type openings in the first region, the first region being located between the electron beam evaporation source and the substrate supporting means and having at least one chamfer structure in a rectangular shape, 1 shield.

상기 제1영역은 상기 기판지지수단에 인접하는 상부 양측에 곡선 형태의 모따기 구조를 가진다. The first region has a chamfered structure in a curved shape on both sides of the upper portion adjacent to the substrate holding means.

또한, 상기 제1영역은 하부 양측에 직선 형태의 모따기 구조를 가질 수 있으며, 또는 하부 양측에 곡선 형태의 모따기 구조를 가질 수도 있다.In addition, the first region may have a straight-line chamfer structure on both lower sides, or may have a curved-line chamfer structure on both lower sides.

상기 제2영역의 면적은 상기 제1쉴드 면적의 1/2이다.The area of the second area is 1/2 of the first shield area.

여기서, 상기 제2영역의 다수의 개구부는 2 mm 내지 3 mm의 폭과 간격을 가진다.Here, the plurality of openings of the second region have a width and an interval of 2 mm to 3 mm.

상기 제1쉴드는 상기 챔버 내부의 양측에 각각 위치할 수 있으며, 또는 상기 챔버 내부의 네 영역에 균일한 간격을 가지고 각각 위치할 수도 있다.The first shield may be located on both sides of the chamber, or may be located at four equal intervals within the chamber.

상기 챔버 내부의 상단에, 상기 제1쉴드 사이에 위치하는 제2쉴드를 더 포함한다.And a second shield disposed between the first shields at an upper end of the chamber.

상기 선택 반사층은 굴절률이 다른 제1물질의 제1무기막과 제2물질의 제2무기막이 서로 번갈아 적층된 다층 구조를 가지며, 상기 전자빔 증발원은 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한다.
The selective reflection layer has a multilayer structure in which a first inorganic film of a first material having a different refractive index and a second inorganic film of a second material are alternately stacked, and the electron beam evaporation source includes the first material and the second material.

본 발명에 따른 액정표시장치는 컬러필터 기판의 외면에 구비되는 편광판의 외면에 다층 구조의 선택 반사층을 형성함으로써, 백라이트 유닛이 오프되더라도 특정 파장대의 외부광을 선택적으로 반사시켜 블랙이 아닌 특정 색을 표시할 수 있어, 외부 환경과의 조화를 이룰 수 있는 장점이 있다.The liquid crystal display device according to the present invention forms a selective reflection layer having a multilayer structure on the outer surface of a polarizing plate provided on the outer surface of a color filter substrate to selectively reflect external light of a specific wavelength band even when the backlight unit is turned off, It can be displayed, and there is an advantage that it can be harmonized with the external environment.

또한, 편광판을 하드코팅 처리함으로써 선택 반사층의 들뜸 등을 방지하며, 사용자의 터치 시 지문 등이 잘 묻어나지 않도록 하고, 습기의 유입을 차단하는 효과가 있다.In addition, the polarizing plate is hard-coated to prevent lifting of the selective reflection layer, to prevent fingerprints and the like from being stained on a user's touch, and to prevent moisture from flowing into the selective reflection layer.

또한, 선택 반사층을 형성하기 위한 전자빔 증발 장비의 쉴드 구조를 변경하여 전자빔을 안정화시킴으로써, 기판의 면적이 넓어지더라도 형성되는 박막의 위치별 두께 편차를 줄이고, 박막의 두께 균일도를 개선할 수 있다.
Further, by stabilizing the electron beam by changing the shield structure of the electron beam evaporation apparatus for forming the selective reflection layer, even when the area of the substrate is enlarged, it is possible to reduce the thickness deviation by position of the thin film to be formed, and to improve the thickness uniformity of the thin film.

도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치의 표시영역 일부를 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 A영역을 확대하여 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 전자빔 증발 장비를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5a와 도 5b는 본 발명의 제1실시예에 따른 전자빔 증발 장비용 쉴드를 도시한 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 제2실시예에 따른 전자빔 증발 장비용 쉴드를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 전자빔 증발 장비를 개략적으로 도시한 도면이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing a general liquid crystal display device.
2 is a cross-sectional view showing a part of a display region of a liquid crystal display device according to the present invention.
Fig. 3 is an enlarged view of area A in Fig.
4 is a schematic view illustrating an electron beam evaporation apparatus according to a first embodiment of the present invention.
5A and 5B are diagrams illustrating shields for electron beam evaporation devices according to a first embodiment of the present invention.
6A to 6C are diagrams illustrating shields for electron beam evaporation devices according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a schematic view of an electron beam evaporation apparatus according to a second embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치의 표시영역 일부를 도시한 단면도이고, 도 3은 도 2의 A영역을 확대하여 도시한 도면이다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing a part of a display region of the liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 3 is an enlarged view of region A of FIG.

도 2와 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(101)는 제1 기판(110)과 제2 기판(150) 및 이들 두 기판(110, 150) 사이의 액정층(180)을 포함하는 액정패널과, 액정패널의 외면, 즉, 제1 및 제2기판(1101, 150)의 바깥쪽 면에 각각 위치하는 제1 및 제2편광판(185, 187)과, 상기 제2편광판(187) 외면에 형성된 다층구조의 선택 반사층(190), 그리고 상기 제1편광판(185)의 외면에 위치하는 백라이트 유닛으로 구성된다. 2 and 3, a liquid crystal display device 101 according to an embodiment of the present invention includes a first substrate 110 and a second substrate 150, and a liquid crystal layer between the two substrates 110 and 150, Layer 180 and first and second polarizers 185 and 187 disposed on the outer surfaces of the liquid crystal panel, that is, the outer surfaces of the first and second substrates 1101 and 150, A selective reflection layer 190 having a multilayer structure formed on the outer surface of the second polarizer 187, and a backlight unit disposed on the outer surface of the first polarizer 185.

앞서 언급한 바와 같이, 액정패널은 제1기판(110)과 제2기판(150) 및 이들 두 기판(110, 150) 사이에 개재된 액정층(180)으로 구성된다. The liquid crystal panel is composed of a first substrate 110 and a second substrate 150 and a liquid crystal layer 180 interposed between the two substrates 110 and 150.

상기 제1기판(110)의 내면에는 다수의 게이트 배선(도시하지 않음)과 데이터 배선(도시하지 않음)이 형성되고, 게이트 배선과 데이터 배선은 서로 교차하여 다수의 화소영역(P)을 정의한다. A plurality of gate wirings (not shown) and data wirings (not shown) are formed on the inner surface of the first substrate 110, and gate wirings and data wirings cross each other to define a plurality of pixel regions P .

또한, 상기 다수의 각 화소영역(P) 내에는, 상기 게이트 배선(도시하지 않음) 및 데이터 배선(도시하지 않음)과 연결되며 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성된다. 이때, 상기 박막트랜지스터(Tr)는 순차적으로 적층된 게이트 전극(115)과, 게이트 절연막(117)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(120a) 및 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)으로 이루어진 반도체층(120)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 포함한다. 상기 게이트 전극(115)은 상기 게이트 배선(도시하지 않음)과 연결되며, 상기 소스 전극(133)은 상기 데이터 배선(도시하지 않음)과 연결된다.In each of the plurality of pixel regions P, a thin film transistor Tr which is connected to the gate wiring (not shown) and the data wiring (not shown) and is a switching element is formed. At this time, the thin film transistor Tr includes a gate electrode 115, a gate insulating film 117, an active layer 120a of pure amorphous silicon, and an ohmic contact layer 120b of impurity amorphous silicon, which are sequentially stacked. Layer 120 and source and drain electrodes 133 and 136 that are spaced apart from one another. The gate electrode 115 is connected to the gate wiring (not shown), and the source electrode 133 is connected to the data wiring (not shown).

박막트랜지스터(Tr) 상부에는 보호층(140)이 형성된다. 보호층(140)은 박막트랜지스터(Tr)를 포함하는 제1기판(110)의 전면에 형성되어, 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 가진다. 상기 보호층(140) 상부의 각 화소영역(P)에는, 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉하는 화소전극(145)이 형성된다. A protective layer 140 is formed on the upper portion of the thin film transistor Tr. The passivation layer 140 is formed on the entire surface of the first substrate 110 including the thin film transistor Tr and includes a drain region 136 covering the thin film transistor Tr and exposing the drain electrode 136 of the thin film transistor Tr, And has a contact hole 143. A pixel electrode 145 is formed in each pixel region P above the passivation layer 140 to contact the drain electrode 136 through the drain contact hole 143.

게이트 배선과 데이터 배선, 박막트랜지스터(Tr) 및 화소전극(145)이 형성된 제1기판(110)은 어레이 기판이라고 일컬어진다. The first substrate 110 on which the gate wiring, the data wiring, the thin film transistor Tr and the pixel electrode 145 are formed is referred to as an array substrate.

이러한 구성을 갖는 어레이 기판에 대응하여 어레이 기판의 상부에 제2기판(150)이 위치하고, 제2기판(150)의 내면에는 상기 게이트 배선(도시하지 않음)과 데이터 배선(도시하지 않음) 및 박막트랜지스터(Tr)을 가리도록 각 화소영역(P)의 가장자리를 둘러싸며, 각 화소영역(P)에 대응하여 개구부를 가지는 격자 형상의 블랙매트릭스(153)가 형성된다. 이러한 블랙매트릭스(153)의 개구부 내에는 컬러필터층(155)이 형성되어 있으며, 컬러필터층(155)은 각 화소영역(P)에 대응하여 순차적으로 반복 배열된 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(155a, 155b, 155c)을 포함한다. 도시한 바와 같이, 컬러필터층(155)은 블랙 매트릭스(153)을 덮으며, 컬러필터 패턴(155a, 155b, 155c)의 경계가 블랙매트릭스(153) 상부에 위치할 수 있다. A second substrate 150 is disposed on the upper portion of the array substrate corresponding to the array substrate having such a configuration and the gate wiring (not shown), the data wiring (not shown) and the thin film A black matrix 153 in a lattice shape surrounding the edge of each pixel region P so as to cover the transistor Tr and having an opening corresponding to each pixel region P is formed. A color filter layer 155 is formed in the opening of the black matrix 153. The color filter layer 155 is formed by sequentially and repeatedly arranging the red, green, and blue color filter patterns 155a , 155b, 155c. As shown in the figure, the color filter layer 155 covers the black matrix 153, and the boundary of the color filter patterns 155a, 155b and 155c may be located above the black matrix 153. [

또한, 상기 컬러필터층(155)을 덮으며, 제2기판(150) 전면에 투명한 공통전극(158)이 형성된다.A transparent common electrode 158 is formed on the entire surface of the second substrate 150 to cover the color filter layer 155.

블랙매트릭스(153)와 컬러필터층(155) 그리고 공통전극(158)이 형성된 제2기판(150)은 컬러필터 기판이라고 일컬어진다. The second substrate 150 on which the black matrix 153, the color filter layer 155, and the common electrode 158 are formed is referred to as a color filter substrate.

도 2에서는, 화소전극(145)이 제1기판(110) 상에 형성되고, 공통전극(158)이 제2기판(150) 상에 형성된 구조, 일례로, 비틀림 네마틱(twisted nematic: TN) 모드 액정표시장치에 대하여 설명하였으나, 화소전극과 공통전극이 제1기판(110) 상에 형성되는 구조, 일례로, 수평전계(in-plane switching: IPS) 모드 액정표시장치가 사용될 수도 있으며, 다른 모드의 액정표시장치가 사용될 수도 있다. 2 illustrates a structure in which a pixel electrode 145 is formed on a first substrate 110 and a common electrode 158 is formed on a second substrate 150. For example, a twisted nematic (TN) Mode liquid crystal display device, a structure in which a pixel electrode and a common electrode are formed on the first substrate 110, for example, an in-plane switching (IPS) mode liquid crystal display device may be used, Mode liquid crystal display device may be used.

이러한 IPS 모드 액정표시장치에서, 화소전극과 공통전극은 제1기판(110)의 각 화소영역에 다수의 바(bar) 모양을 가지고 형성되며, 서로 엇갈리게 배치된다. 이때, 인접한 화소영역의 공통전극을 연결하기 위해 공통배선을 더 포함할 수 있다. In such an IPS mode liquid crystal display device, the pixel electrodes and the common electrodes are formed in a plurality of bar shapes in each pixel region of the first substrate 110, and are arranged alternately. In this case, common wirings may be further included to connect the common electrodes of adjacent pixel regions.

또한, IPS 모드 액정표시장치에서, 제2기판의 컬러필터층 상에는 공통전극이 생략되고 컬러필터층을 덮는 오버코트층이 더 형성될 수 있다. Further, in the IPS mode liquid crystal display, the common electrode may be omitted on the color filter layer of the second substrate, and an overcoat layer may be further formed to cover the color filter layer.

전술한 구성을 갖는 어레이 기판과 컬러필터 기판 사이에는 액정층(180)이 위치한다. 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 액정층(180)의 누설을 방지하며 상기 어레이 기판과 컬러필터 기판이 합착된 상태를 유지하도록, 상기 두 기판 사이의 가장자리를 따라 씰패턴이 형성된다. A liquid crystal layer 180 is positioned between the array substrate having the above-described structure and the color filter substrate. Although not shown in the figure, a seal pattern is formed along the edges between the two substrates so as to prevent leakage of the liquid crystal layer 180 and keep the array substrate and the color filter substrate bonded together.

다음, 전술한 구성을 갖는 액정패널의 바깥쪽 면에는 제1편광판(185)과 제2편광판(187)이 위치한다. 즉, 상기 제1기판(110)의 외면에는 제1방향의 편광축을 갖는 제1편광판(185)이 부착되어 있으며, 제2기판(150)의 외면에는 제2방향의 편광축을 갖는 제2편광파(187)이 부착되어 있다. 제1편광판(185)의 편광축은 제2편광판(187)의 편광축에 대해 수직을 이룬다. Next, the first polarizing plate 185 and the second polarizing plate 187 are positioned on the outer surface of the liquid crystal panel having the above-described configuration. That is, a first polarizer 185 having a polarization axis in a first direction is attached to the outer surface of the first substrate 110, and a second polarizer 185 having a polarization axis in the second direction is attached to the outer surface of the second substrate 150. [ (Not shown). The polarizing axis of the first polarizing plate 185 is perpendicular to the polarizing axis of the second polarizing plate 187.

또한, 상기 제1편광판(185)의 바깥쪽, 즉, 도면 상에서 제1편광판(185)의 하부에는 상기 액정패널에 빛을 공급하는 백라이트 유닛(189)이 위치한다. A backlight unit 189 for supplying light to the liquid crystal panel is disposed outside the first polarizing plate 185, that is, below the first polarizing plate 185 in the drawing.

도면에 나타내지 않았지만, 제1편광판(185)과 제2편광판(187) 각각은, 일정한 방향으로 진동하는 빛만을 선택적으로 투과시키는 편광자인 PVA(Poly vinyl alcohol)층과, 상기 PVA층 양측에 상기 PVA층 보호를 위해 구비된 제1 및 제2 TAC(Tri-Acetate Cellulose)층을 포함한다. Although not shown in the drawing, each of the first polarizing plate 185 and the second polarizing plate 187 includes a polyvinyl alcohol (PVA) layer that selectively transmits only light oscillating in a predetermined direction, and a polyvinyl alcohol And a first and a second TAC (Tri-Acetate Cellulose) layer provided for layer protection.

여기서, 제1 및 제2편광판(185, 187) 각각은 베이스를 이루는 보호필름과 점착층을 더 포함할 수 있다. 상기 보호필름은 폴리에스테르, 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 및 에폭시 아크릴레이트와 같은 UV경화형 아크릴계 물질로 이루어질 수 있다. Here, each of the first and second polarizing plates 185 and 187 may further include a protective film and an adhesive layer forming a base. The protective film may be made of a UV curable acrylic material such as polyester, acrylate, urethane acrylate, and epoxy acrylate.

한편, 상기 제2편광판(187)은 하드 코팅된 구성을 가질 수 있다. 즉, 표면 경도 및 내마모성을 향상시키기 위해, 상기 제2편광판(187)의 상기 보호필름 상에 콜로이드 실리카 입자를 포함하는 코팅 액을 도포하여 코팅막을 형성할 수 있다. Meanwhile, the second polarizer 187 may have a hard-coated structure. That is, in order to improve surface hardness and abrasion resistance, a coating liquid containing colloidal silica particles may be applied on the protective film of the second polarizing plate 187 to form a coating film.

또한, 이러한 코팅막은, 제2편광판(187)의 상부에 형성되는 다층구조의 선택 반사층(190)이 제2편광판(187)으로부터 들뜨는 것을 방지하는 역할을 한다. 제2편광판(187)의 외면, 즉, 제2편광판(187)의 보호필름 상에 선택 반사층(190)을 직접 형성할 경우, 제2편광판(187)의 보호필름과 선택 반사층(190) 사이의 접합력이 좋지 못하여, 시간이 지남에 따라 제2편광판(187)의 끝단으로부터 선택 반사층(190)이 들뜨는 문제가 발생할 수 있다. 이러한 경우, 선택 반사층(190)의 들뜸을 방지하기 위해, 선택 반사층(190) 상부에 별도의 보호용 기판을 형성할 수 있으나, 이로 인해 액정표시장치(101)의 두께 및 무게가 증가하며, 제조 비용이 상승하는 문제가 있다. The coating layer prevents the selective reflection layer 190 of the multi-layer structure formed on the second polarizing plate 187 from being lifted from the second polarizing plate 187. When the selective reflection layer 190 is directly formed on the outer surface of the second polarizing plate 187, that is, on the protective film of the second polarizing plate 187, the protective film of the second polarizing plate 187 and the selective reflection layer 190 The bonding strength may be poor, and the selective reflection layer 190 may float from the end of the second polarizer 187 over time. In this case, in order to prevent lifting of the selective reflection layer 190, a separate protective substrate may be formed on the selective reflection layer 190. This increases the thickness and weight of the liquid crystal display device 101, There is a problem of rising.

따라서, 제2편광판(187) 표면을 하드 코팅 처리하여 선택 반사층(190)의 들뜸을 방지함으로써, 액정표시장치(101)의 경량 박형을 구현하고 제조 비용의 상승을 방지할 수 있다. Accordingly, the surface of the second polarizing plate 187 is hard-coated to prevent lifting of the selective reflection layer 190, thereby realizing a lightweight thin shape of the liquid crystal display device 101 and preventing an increase in manufacturing cost.

다음, 앞서 언급한 바와 같이, 상기 제2편광판(187)의 바깥쪽 면에는 다층구조의 선택 반사층(190)이 형성되어 있다. 선택 반사층(190)은 무기절연물질인 산화티타늄(TiO2)과 산화실리콘(SiO2)으로 각각 이루어진 제1무기막(190a)과 제2무기막(190b)이 번갈아 적층된 구조를 가진다. 여기서, 선택 반사층(190)은 제1무기막(190a)과 제2무기막(190b)이 적어도 1회씩 적층되어 최소 2중층 이상의 적층 구조를 가지며, 바람직하게는 제1 및 제2무기막(190a, 190b)이 2회 이상 적층되어 4중층 이상의 적층 구성을 갖는 것이 특징이다. 일례로, 도 2에서는 선택 반사층(190)이 제1무기막(190a)과 제2무기막(190b), 제1무기막(190a), 제2무기막(190b) 및 제1무기막(190a)의 순으로 적층된 5중층 구조를 가진다.Next, as described above, a selective reflection layer 190 having a multilayer structure is formed on the outer surface of the second polarizing plate 187. The selective reflection layer 190 has a structure in which a first inorganic film 190a and a second inorganic film 190b are alternately stacked and made of titanium oxide (TiO 2 ) and silicon oxide (SiO 2 ), which are inorganic insulating materials. Here, the selective reflection layer 190 is formed by laminating the first inorganic film 190a and the second inorganic film 190b at least once to have a laminate structure of a minimum of two or more layers, and preferably the first and second inorganic films 190a And 190b are stacked two or more times to have a laminated structure of four or more layers. 2, the selective reflection layer 190 includes a first inorganic film 190a and a second inorganic film 190b, a first inorganic film 190a, a second inorganic film 190b, and a first inorganic film 190a ) In this order.

상기 선택 반사층(190)은 산화티타늄(TiO2)으로 이루어진 제1무기막(190a)이 상기 제2편광판(187)과 접촉하고, 제1무기막(190a)과 제2무기막(190b)이 번갈아 형성되며, 상기 선택 반사층(190)의 최상층은 산화티타늄(TiO2)으로 이루어진 제1무기막(190a)인 것이 바람직하다.The selective reflection layer 190 is formed by a first inorganic film 190a made of titanium oxide (TiO 2 ) and a second inorganic film 190b contacting the second polarizer 187. The first inorganic film 190a and the second inorganic film 190b And the uppermost layer of the selective reflection layer 190 is preferably a first inorganic film 190a made of titanium oxide (TiO 2 ).

이와 같이, 제2편광판(187) 상에 산화티타늄(TiO2)으로 이루어진 제1무기막(190a)을 산화실리콘(SiO2)으로 이루어진 제2무기막(190b)보다 먼저 형성하는 것은, 산화티타늄(TiO2)과 상기 제2편광판(187) 사이의 접합력이 산화실리콘(SiO2)과 상기 제2편광판(187) 사이의 접합력보다 우수하므로, 선택 반사층(190)의 들뜸을 더욱 방지하기 위함이다.As described above, the first inorganic film 190a made of titanium oxide (TiO 2 ) is formed on the second polarizing plate 187 before the second inorganic film 190b made of silicon oxide (SiO 2 ) (TiO 2 ) and the second polarizing plate 187 are superior to the bonding force between the silicon oxide (SiO 2 ) and the second polarizing plate 187, the lifting of the selective reflective layer 190 is further prevented .

또한, 상기 선택 반사층(190)의 최상층을 산화티타늄(TiO2)으로 이루어진 제1무기막(190a)으로 형성하는 것은, 산화티타늄(TiO2)으로 이루어진 막이 산화실리콘(SiO2)으로 이루어진 막보다 내지문성 특성이 우수하므로, 사용자가 표시영역을 터치할 경우 얼룩 등이 발생되는 것을 최소화하기 위함이다.In addition, forming the top layer of the selected reflection layer 190, a first inorganic film (190a) made of titanium oxide (TiO 2), a film made of titanium oxide (TiO 2) than the film made of silicon oxide (SiO 2) So that it is possible to minimize the occurrence of stains or the like when the user touches the display area.

한편, 상기 제2편광판(187) 상부에 형성되는 선택 반사층(190)은 그 두께와 제1 및 제2무기막(190a, 190b)의 적층 수를 적절히 조절함으로써, 외부로부터 입사된 광을 선택적으로 흡수 및 반사시키며, 이러한 특성에 의해 특정 파장대의 빛만을 반사하여, 백라이트 유닛(189)이 오프 상태일 때 단색광을 표시하게 된다.On the other hand, the selective reflection layer 190 formed on the second polarizing plate 187 selectively adjusts the thickness of the selective reflection layer 190 and the number of layers of the first and second inorganic layers 190a and 190b, Absorbs and reflects light. By this characteristic, only light of a specific wavelength band is reflected, and monochromatic light is displayed when the backlight unit 189 is off.

상기 산화티타늄(TiO2)으로 이루어진 제1무기막(190a)의 굴절률은 2.46이고, 상기 산화실리콘(SiO2)으로 이루어진 제2무기막(190b)의 굴절률은 1.49이다. 따라서, 외부광이 상기 선택 반사층(190)에 입사되는 경우, 제1 및 제2무기막(190a, 190b)의 경계에서 굴절률 차이에 의해 선택적인 흡수 및 반사가 진행됨으로써 최종적으로 특정 파장대를 갖는 빛만을 반사시킬 수 있는 것이다.The refractive index of the first inorganic film 190a made of titanium oxide (TiO 2 ) is 2.46 and the refractive index of the second inorganic film 190b made of silicon oxide (SiO 2 ) is 1.49. Therefore, when external light is incident on the selective reflection layer 190, selective absorption and reflection proceed due to the refractive index difference at the boundary between the first and second inorganic films 190a and 190b, and ultimately, light having a specific wavelength band It is possible to reflect only.

이때, 상기 제1 및 제2무기막(190a, 190b)은 수 nm 내지 수 백 nm 정도의 두께를 가지며, 모두 동일한 수준의 두께를 가질 수도 있으며, 또는 전술한 범위에서 서로 다른 두께를 가질 수도 있다.At this time, the first and second inorganic films 190a and 190b have a thickness of several nm to several hundreds of nm, all may have the same level of thickness, or may have different thicknesses in the above-mentioned range .

한편, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(101)는 백라이트 유닛(189)을 온(on) 상태로 하여 구동하는 경우에는 풀 컬러의 화상을 구현하며, 상기 백라이트 유닛(189)을 오프(off) 상태로 한 경우, 상기 액정표시장치(101)의 표시영역으로 입사되는 외부광에 대해 특정 파장대의 빛만을 선택적으로 반사시켜 단색, 예를 들면 적, 녹, 청 또는 은색 중의 어느 하나를 표시함으로써, 액정표시장치와 주변에 배치된 기구 등의 색깔과 잘 어울리도록 할 수 있다. The liquid crystal display device 101 according to the embodiment of the present invention having such a configuration realizes a full color image when the backlight unit 189 is driven in an on state and the backlight unit 189 The light of a specific wavelength range is selectively reflected to the external light incident on the display region of the liquid crystal display device 101 so that a single color, for example, red, green, blue or silver By displaying any one of them, it is possible to make the colors match well with the colors of the liquid crystal display device and the peripheral devices.

이러한 선택 반사층(190)은 제2편광판(187)을 액정패널에 부착하기 전 형성할 수 있다. 즉, 선택 반사층(190)을 제2편광판(187) 상에 형성한 후, 선택 반사층(190)이 형성된 제2편광판(187)을 액정패널에 부착할 수 있다. 또는, 제2편광판(187)을 액정패널에 부착한 후, 액정패널에 부착된 제2편광판(187) 상에 선택 반사층(190)을 형성할 수도 있다. 그런데, 전자의 경우, 선택 반사층(190)을 제2편광판(187)에 형성하는 과정 중, 제2편광판(187)이 휘는 현상이 발생할 수 있어, 선택 반사층(190)을 포함하는 제2편광판(187)을 액정패널에 부착하는데 어려움이 있을 수 있다. 이에 반해, 후자의 경우, 제2편광판(187)이 액정패널에 부착된 상태에서 선택 반사층(190)을 형성하므로, 제2편광판(187)의 휨이 억제될 수 있다.The selective reflection layer 190 may be formed before the second polarizing plate 187 is attached to the liquid crystal panel. That is, after the selective reflection layer 190 is formed on the second polarizing plate 187, the second polarizing plate 187 on which the selective reflection layer 190 is formed can be attached to the liquid crystal panel. Alternatively, after attaching the second polarizing plate 187 to the liquid crystal panel, the selective reflective layer 190 may be formed on the second polarizing plate 187 attached to the liquid crystal panel. In the former case, during the process of forming the selective reflection layer 190 on the second polarizing plate 187, the second polarizing plate 187 may bend, and the second polarizing plate (including the selective reflection layer 190) 187 may be difficult to attach to the liquid crystal panel. On the other hand, in the latter case, since the selective reflection layer 190 is formed in a state in which the second polarizing plate 187 is attached to the liquid crystal panel, the warping of the second polarizing plate 187 can be suppressed.

한편, 선택 반사층(190)은 전자빔 증발법(e-beam evaporation method)을 통해 형성될 수 있다. Meanwhile, the selective reflection layer 190 may be formed through an e-beam evaporation method.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 전자빔 증발 장비(e-beam evaporator)를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 5a와 도 5b는 본 발명의 제1실시예에 따른 전자빔 증발 장비용 쉴드(shield)를 도시한 도면이다.FIG. 4 is a schematic view illustrating an e-beam evaporator according to a first embodiment of the present invention. FIGS. 5A and 5B are views showing a shield for electron beam evaporation apparatus according to the first embodiment of the present invention shield.

도 4에 도시한 바와 같이, 전자빔 증발 장비는 밀폐된 반응 공간을 제공하는 진공 챔버(210)를 포함하며, 챔버(210) 내부의 하단 일측에는 전자빔 증발원(220)이 위치한다. 여기서, 전자빔 증발원(220)은 도가니와 같은 용기에 담겨 있으며, 본 발명과 같이 서로 다른 제1 및 제2무기막(도 2의 190a, 190b)을 형성하기 위해, 증발원(220)은 각각의 포트(도시하지 않음)에 담긴 제1 및 제2물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2물질을 선택적으로 증착하기 위해, 셔터(도시하지 않음)가 포트 상부에 위치하여 제1 또는 제2물질이 담긴 포트를 선택적으로 개폐할 수 있다. 따라서, 제1물질만을 증착하고자 할 경우, 셔터는 제2물질이 담긴 포트를 가리고, 제2물질만을 증착하고자 할 경우, 셔터는 제1물질이 담기 포트를 가린다. As shown in FIG. 4, the electron beam evaporation apparatus includes a vacuum chamber 210 for providing a closed reaction space, and an electron beam evaporation source 220 is disposed at a lower end of the chamber 210. Here, the electron beam evaporation source 220 is contained in a container such as a crucible. In order to form first and second inorganic films 190a and 190b, which are different from each other as in the present invention, (Not shown). ≪ / RTI > Also, in order to selectively deposit the first and second materials, a shutter (not shown) may be located above the port to selectively open and close the port containing the first or second material. Therefore, when only the first material is to be deposited, the shutter covers the port containing the second material, and when the shutter is intended to deposit only the second material, the shutter covers the loading port of the first material.

한편, 도시하지 않았지만, 전자빔 증발원(220)에 인접하여 전자빔을 방출하는 전자빔 소스가 위치하며, 전자빔 증발원(220)은 전자빔 소스로부터 방출되는 전자빔에 의해 용융 및 증발된다. Although not shown, an electron beam source that emits an electron beam is disposed adjacent to the electron beam evaporation source 220, and the electron beam evaporation source 220 is melted and evaporated by the electron beam emitted from the electron beam source.

챔버(210)의 하벽 또는 측벽에는 챔버(210) 내부의 기체를 배출하기 위한 배기구(도시하지 않음)가 형성되어 있으며, 가스의 주입 등을 위한 가스 주입구(도시하지 않음)가 형성되어 있을 수도 있다. An exhaust port (not shown) for exhausting gas inside the chamber 210 is formed on a lower wall or a side wall of the chamber 210, and a gas inlet (not shown) for injecting gas or the like may be formed .

챔버(210) 내부의 상단에는 기판 지지대(230)가 위치한다. 기판 지지대(230)는 하면에 놓이는 기판(240)을 지지하면서, 중심을 가로지르는 회전축(232)을 기준으로 회전하여, 기판(240)이 처리되는 동안 기판(240)을 회전시킨다. A substrate support 230 is positioned on top of the chamber 210. The substrate support 230 rotates about the axis of rotation 232 across the center while supporting the substrate 240 lying on the underside to rotate the substrate 240 while the substrate 240 is being processed.

본 발명에서는 기판 지지대(230) 하면에, 기판(240)과 이에 부착된 편광판(242)이 배치되는데, 기판(240)과 편광판(242)은 편광판(242)이 증발원(220)을 향하도록 놓인다. 여기서, 기판(240)은 도 2의 액정 패널일 수 있으며, 편광판(242)은 도 2의 제2편광판(187)에 해당한다. In the present invention, a substrate 240 and a polarizing plate 242 attached thereto are disposed on a lower surface of the substrate support 230, and the substrate 240 and the polarizing plate 242 are positioned such that the polarizing plate 242 faces the evaporation source 220 . Here, the substrate 240 may be the liquid crystal panel of Fig. 2, and the polarizer 242 corresponds to the second polarizer 187 of Fig.

전자빔 증발원(220)과 기판 지지대(230) 사이의 거리는 기판(240)의 면적과 챔버(210)의 크기 및 증착률에 따라 달라질 수 있다.The distance between the electron beam evaporation source 220 and the substrate support 230 may vary depending on the area of the substrate 240, the size of the chamber 210, and the deposition rate.

증발원(220)과 기판 지지대(230) 사이, 보다 상세하게는, 증발원(220)과 편광판(242) 사이에는 쉴드(shield)(250)가 위치한다. 쉴드(250)는 챔버(210) 내부의 일측에 위치하며, 챔버(210) 하벽에 고정된 쉴드 지지부(252)에 의해 챔버(210)의 하벽에 대해 비스듬하게 배치된다. 쉴드 지지부(252)는 챔버(210)의 측벽에 고정될 수도 있다. A shield 250 is positioned between the evaporation source 220 and the substrate support 230, and more particularly between the evaporation source 220 and the polarizer 242. The shield 250 is disposed at one side of the inside of the chamber 210 and disposed obliquely with respect to the lower wall of the chamber 210 by a shield supporting portion 252 fixed to the lower wall of the chamber 210. The shield support 252 may be fixed to the side wall of the chamber 210.

쉴드(250)는 전자빔의 난반사를 억제하기 위한 것으로, 편광판(242)에 증착되는 박막 두께를 균일하게 하기 위해 배치된다. The shield 250 is disposed to suppress the diffuse reflection of the electron beam and to uniformize the thickness of the thin film deposited on the polarizing plate 242.

이러한 쉴드(250)는, 도 5a에 도시한 바와 같이, 개구부를 포함하지 않는 직사각형 형태이거나, 도 5b에 도시한 바와 같이, 내부에 개구부(250a)를 가지는 직사각형 형태일 수 있다. As shown in Fig. 5A, the shield 250 may have a rectangular shape not including the opening portion, or may have a rectangular shape having an opening portion 250a therein, as shown in Fig. 5B.

따라서, 이러한 구조를 가지는 장비를 이용하여 선택 반사층(도 2의 190)을 형성하는 공정은 다음과 같다.Therefore, the process of forming the selective reflection layer (190 in FIG. 2) using the equipment having such a structure is as follows.

먼저, 제1 및 제2물질이 각각 담긴 포트를 포함하는 전자빔 증발원(220)을 챔버(210) 내부에 배치하고, 편광판(242)이 전자빔 증발원(220)을 향하도록 편광판(242)이 부착된 기판(240)을 기판 지지대(230) 하면에 놓는다. 여기서, 제1물질은 산화티타늄(TiO2)이고, 제2물질은 산화실리콘(SiO2)일 수 있으며, 두 개의 기판(240)이 기판 지지대(230) 하면에 놓일 수 있다. First, an electron beam evaporation source 220 including a port for containing first and second materials is disposed in the chamber 210 and a polarizer 242 is attached to the electron beam evaporation source 220, The substrate 240 is placed on the bottom surface of the substrate support 230. Here, the first material may be titanium oxide (TiO 2 ), the second material may be silicon oxide (SiO 2 ), and two substrates 240 may be placed on the bottom surface of the substrate support 230.

다음, 챔버(210)를 밀폐하고, 배기구(도시하지 않음) 통해 내부 공기를 배출하여 챔버(210) 내부를 진공 상태로 만든다. Next, the chamber 210 is sealed, and internal air is discharged through an exhaust port (not shown), thereby evacuating the inside of the chamber 210.

다음, 기판 지지대(230)를 회전시켜 기판(240)을 회전하면서, 전자빔에 의해 전자빔 증발원(220)을 용융 및 증발시켜 편광판(242) 표면에 선택 반사층을 형성한다. 이때, 셔터를 이용하여 제2물질이 담긴 포트를 가리도록 함으로써, 편광판(242) 상에 제1물질로 이루어진 제1무기막을 형성하고, 이어, 셔터를 이용하여 제1물질이 담긴 포트를 가리도록 함으로써, 제1무기막 상에 제2물질로 이루어진 제2무기막을 형성한다. 이러한 과정을 반복함으로써, 제1무기막과 제2무기막이 번갈아 증착된 선택 반사층을 형성할 수 있다. Next, the substrate support table 230 is rotated to rotate the substrate 240, and the electron beam evaporation source 220 is melted and evaporated by the electron beam to form a selective reflection layer on the surface of the polarizer 242. At this time, a first inorganic film made of a first material is formed on the polarizing plate 242 by using a shutter so as to cover the port containing the second material, and then the shutter is used to cover the port containing the first material. Thereby forming a second inorganic film made of the second material on the first inorganic film. By repeating this process, a selective reflection layer in which the first inorganic film and the second inorganic film are alternately deposited can be formed.

그런데, 최근 액정표시장치의 크기가 대면적화 됨에 따라, 도 4의 전자빔 증발 장비를 이용하여, 예를 들어, 32인치 이상의 대면적 기판 상에 박막을 형성할 때, 전자빔 증발 장비 내의 전자빔이 균일하게 안정화되지 못하여, 성막되는 박막의 균일도가 저하될 수 있다. 특히, 선택 반사층은 산화티타늄(TiO2)의 제1무기막과 산화실리콘(SiO2)의 제2무기막이 번갈아 적층되어, 이들의 적층 수 및 두께에 의해 반사되는 색이 제어되므로, 위치별 두께 편차가 발생할 경우, 반사되는 색이 변형되어 색감 불량이 발생할 수 있다. However, recently, as the size of the liquid crystal display device has become larger, when the thin film is formed on a large-sized substrate of, for example, 32 inches or more by using the electron beam evaporation apparatus of Fig. 4, the electron beam in the electron beam evaporation apparatus is uniformly And the uniformity of the thin film to be formed may be lowered. Particularly, the selective reflection layer is formed by alternately stacking the first inorganic film of titanium oxide (TiO 2 ) and the second inorganic film of silicon oxide (SiO 2 ), and the color reflected by the number and thickness of these layers is controlled, If a deviation occurs, the reflected color may be deformed and color defect may occur.

본 발명의 제2실시예에서는 대면적 기판 상에 형성되는 박막의 균일도를 개선할 수 있는 전자빔 증발 장비 및 쉴드의 구조를 제시한다. In the second embodiment of the present invention, the structure of the electron beam evaporation equipment and the shield capable of improving the uniformity of the thin film formed on the large area substrate is presented.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 제2실시예에 따른 전자빔 증발 장비용 쉴드를 도시한 도면이다. 6A to 6C are diagrams illustrating shields for electron beam evaporation devices according to a second embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6c에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 쉴드(350)는 직사각형 형태에서 적어도 하나의 모따기 구조를 가지는 제1영역(350a)과, 제1영역(350a) 내에 스트라이프 타입의 다수의 개구부를 가지는 제2영역(350b)을 포함한다. 제2영역(350b)의 면적은 제1쉴드(350) 면적의 약 1/2인 것이 바람직하다. 여기서, 쉴드(350)의 길이(L)는 기판(340) 길이의 약 2/3이고, 쉴드(350)의 폭(W)은 쉴드(350) 길이(L)의 약 1/2일 수 있다. 또한, 제2영역(350b)의 다수의 개구부는 2 mm 내지 3 mm의 폭과 간격을 가질 수 있다. 6A to 6C, the shield 350 according to the second embodiment of the present invention includes a first region 350a having at least one chamfer structure in a rectangular shape, and a second region 350b having a first chamfer structure in the first region 350a And a second region 350b having a plurality of stripe-type openings. It is preferable that the area of the second area 350b is about 1/2 of the area of the first shield 350. [ Here, the length L of the shield 350 is about 2/3 of the length of the substrate 340, and the width W of the shield 350 may be about 1/2 of the length L of the shield 350 . Further, the plurality of openings in the second region 350b may have a width and an interval of 2 mm to 3 mm.

쉴드(350)의 제1영역(350a)의 모따기 구조는 곡선 형태를 가질 수 있으며, 또는 직선 형태를 가질 수도 있다. 도 6a에 도시한 바와 같이, 쉴드(350)의 제1영역(350a)은 기판 지지대(도시하지 않음)에 인접하는 상부 양측에만 곡선 형태의 모따기 구조(350c)를 가질 수 있다. 또는, 도 6b에 도시한 바와 같이, 쉴드(350)의 제1영역(350a)은 기판 지지대에 인접하는 상부 양측에 곡선 형태의 모따기 구조(350c)를 가지며, 하부 양측에 직선 형태의 모따기 구조(350d)를 가져, 부채꼴 모양을 이룰 수 있다. 또는, 도 6c에 도시한 바와 같이, 쉴드(350)의 제1영역(350a)은 상하부 양측 모두 곡선 형태의 모따기 구조(350c, 350d)를 가질 수도 있다. The chamfer structure of the first region 350a of the shield 350 may have a curved shape or may have a straight shape. 6A, the first region 350a of the shield 350 may have a chamfered structure 350c in a curved shape on both sides of the top portion adjacent to the substrate support (not shown). 6B, the first region 350a of the shield 350 has a chamfer structure 350c having a curved shape on both sides of the upper portion adjacent to the substrate support, and has a straight chamfer structure 350d), so that a fan shape can be obtained. Alternatively, as shown in Fig. 6C, the first region 350a of the shield 350 may have chamfered chamfer structures 350c and 350d on both upper and lower sides.

따라서, 이러한 구조의 쉴드를 이용하여 대면적 기판 상에 박막을 형성함으로써, 위치별 박막 두께의 편차 발생을 줄이고 균일도를 개선할 수 있다. Therefore, by forming the thin film on the large-area substrate by using the shield having such a structure, it is possible to reduce the occurrence of variation in the thickness of the thin film and to improve the uniformity.

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 전자빔 증발 장비를 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 7 is a schematic view of an electron beam evaporation apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 7에 도시한 바와 같이, 전자빔 증발 장비는 밀폐된 반응 공간을 제공하는 진공 챔버(310)를 포함하며, 챔버(310) 내부의 하단 일측에는 전자빔 증발원(320)이 위치한다. 여기서, 전자빔 증발원(320)은 도가니와 같은 용기에 담겨 있으며, 본 발명과 같이 서로 다른 제1 및 제2무기막(도 2의 190a, 190b)을 형성하기 위해, 증발원(320)은 각각의 포트(도시하지 않음)에 담긴 제1 및 제2물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2물질을 선택적으로 증착하기 위해, 셔터(도시하지 않음)가 포트 상부에 위치하여 제1 또는 제2물질이 담긴 포트를 선택적으로 개폐할 수 있다. 따라서, 제1물질만을 증착하고자 할 경우, 셔터는 제2물질이 담긴 포트를 가리고, 제2물질만을 증착하고자 할 경우, 셔터는 제1물질이 담기 포트를 가린다. 7, the electron beam evaporation apparatus includes a vacuum chamber 310 for providing a closed reaction space, and an electron beam evaporation source 320 is disposed at a lower side of the inside of the chamber 310. Here, the electron beam evaporation source 320 is contained in a container such as a crucible. In order to form first and second inorganic films 190a and 190b, which are different from each other as in the present invention, (Not shown). ≪ / RTI > Also, in order to selectively deposit the first and second materials, a shutter (not shown) may be located above the port to selectively open and close the port containing the first or second material. Therefore, when only the first material is to be deposited, the shutter covers the port containing the second material, and when the shutter is intended to deposit only the second material, the shutter covers the loading port of the first material.

한편, 도시하지 않았지만, 전자빔 증발원(320)에 인접하여 전자빔을 방출하는 전자빔 소스가 위치하며, 전자빔 증발원(320)은 전자빔 소스로부터 방출되는 전자빔에 의해 용융 및 증발된다. Although not shown, an electron beam source for emitting an electron beam is located adjacent to the electron beam evaporation source 320, and the electron beam evaporation source 320 is melted and evaporated by the electron beam emitted from the electron beam source.

챔버(310)의 하벽 또는 측벽에는 챔버(310) 내부의 기체를 배출하기 위한 배기구(도시하지 않음)가 형성되어 있으며, 가스의 주입 등을 위한 가스 주입구(도시하지 않음)가 형성되어 있을 수도 있다. An exhaust port (not shown) for discharging gas inside the chamber 310 is formed on a lower wall or a side wall of the chamber 310, and a gas inlet (not shown) for injecting gas may be formed .

챔버(310) 내부의 상단에는 기판 지지대(330)가 위치한다. 기판 지지대(330)는 하면에 놓이는 기판(340)을 지지하면서, 중심을 가로지르는 회전축(332)을 기준으로 회전하여, 기판(340)이 처리되는 동안 기판(340)을 회전시킨다. A substrate support 330 is positioned at the top of the chamber 310. The substrate support 330 rotates about a rotation axis 332 that intersects the center while supporting the substrate 340 that is placed on the lower surface and rotates the substrate 340 while the substrate 340 is being processed.

본 발명에서는 기판 지지대(330) 하면에, 기판(340)과 이에 부착된 편광판(342)이 배치되는데, 기판(340)과 편광판(2342)은 편광판(342)이 증발원(320)을 향하도록 놓인다. 도 7에서는 기판 지지대(330) 하면에 두 개의 기판(340)이 동시에 장착된 구조를 보이나, 3개 또는 4개의 기판(340)이 기판 지지대(330) 하면에 동시에 장착될 수도 있다. 여기서, 기판(340)은 도 2의 액정 패널일 수 있으며, 편광판(342)은 도 2의 제2편광판(187)에 해당한다. In the present invention, a substrate 340 and a polarizing plate 342 attached thereto are disposed on a lower surface of the substrate support 330. The polarizing plate 342 and the substrate 340 are positioned such that the polarizing plate 342 faces the evaporation source 320 . 7 shows a structure in which two substrates 340 are simultaneously mounted on the lower surface of the substrate support 330. Alternatively, three or four substrates 340 may be mounted on the lower surface of the substrate support 330 at the same time. Here, the substrate 340 may be the liquid crystal panel of FIG. 2, and the polarizer 342 corresponds to the second polarizer 187 of FIG.

전자빔 증발원(320)과 기판 지지대(330) 사이의 거리는 기판(340)의 면적과 챔버(310)의 크기 및 증착률에 따라 달라질 수 있다.The distance between the electron beam evaporation source 320 and the substrate support 330 may vary depending on the area of the substrate 340, the size of the chamber 310, and the deposition rate.

증발원(320)과 기판 지지대(330) 사이, 보다 상세하게는, 증발원(320)과 편광판(342) 사이에는 제1쉴드(350)가 위치한다. 여기서, 제1쉴드(350)는 도 6a 내지 도 6c에 도시된 구조를 가진다. 제1쉴드(350)는 챔버(310) 하벽에 고정된 쉴드 지지부(352)에 의해 챔버(310)의 하벽에 대해 비스듬하게 배치되는데, 쉴드 지지부(352)는 챔버(310)의 측벽에 고정될 수도 있다. 도시한 것처럼, 제1쉴드(350)는 챔버(310) 내부의 양측에 각각 위치할 수 있으며, 또는 균일한 간격을 가지고 챔버(310) 내부의 네 영역에 각각 하나씩 위치하여 총 네 개가 배치될 수도 있다. A first shield 350 is positioned between the evaporation source 320 and the substrate support 330, and more particularly between the evaporation source 320 and the polarizer 342. Here, the first shield 350 has the structure shown in Figs. 6A to 6C. The first shield 350 is disposed obliquely with respect to the lower wall of the chamber 310 by a shield support portion 352 fixed to the lower wall of the chamber 310. The shield support portion 352 is fixed to the side wall of the chamber 310 It is possible. As shown in the figure, the first shields 350 may be located on both sides of the chamber 310, or may be disposed at four equal intervals in the four regions of the chamber 310, have.

또한, 챔버(310) 내부의 회전축(360) 일단에는 제2쉴드(360)가 위치한다. 제2쉴드(360)는 두 개의 제1쉴드(350) 사이에 놓이며, 제1쉴드(350)보다 작은 면적을 가진다. 제2쉴드(360)의 일측은 회전축(360)에 고정되어, 제2쉴드(360)는 박막 증착시 회전하지 않고 고정되어 있다. In addition, the second shield 360 is positioned at one end of the rotation axis 360 inside the chamber 310. The second shield 360 is placed between the two first shields 350 and has a smaller area than the first shield 350. One side of the second shield 360 is fixed to the rotation axis 360, and the second shield 360 is fixed without being rotated when the thin film is deposited.

본 발명의 제2실시예에 따른 전자빔 증발 장비는 두 개의 제1쉴드(350)와 하나의 제2쉴드(360)를 포함하여, 기판 지지대(330)의 회전에 의한 두께 균일도 효과를 보다 극대화할 수 있다.
The electron beam evaporation apparatus according to the second embodiment of the present invention includes two first shields 350 and one second shield 360 so as to maximize the effect of thickness uniformity due to rotation of the substrate support 330 .

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

101 : 액정표시장치 110 : 제1기판
115 : 게이트 전극 117 : 게이트 절연막
120 : 반도체층 120a : 액티브층
120b : 오믹콘택층 133 : 소스 전극
136 : 드레인 전극 140 : 보호층
143 : 드레인 콘택홀 145 : 화소전극
150 : 제2기판 153 : 블랙매트릭스
155 : 컬러필터층 158 : 공통전극
180 : 액정층 185 : 제1편광판
187 : 제2편광판 189 : 백라이트 유닛
190 : 선택 반사층 190a : 제1무기막
190b : 제2무기막 Tr : 박막트랜지스터
P : 화소영역
101: liquid crystal display device 110: first substrate
115: gate electrode 117: gate insulating film
120: semiconductor layer 120a: active layer
120b: ohmic contact layer 133: source electrode
136: drain electrode 140: protective layer
143: drain contact hole 145: pixel electrode
150: second substrate 153: black matrix
155: color filter layer 158: common electrode
180: liquid crystal layer 185: first polarizing plate
187: second polarizing plate 189: backlight unit
190: selective reflection layer 190a: first inorganic film
190b: second inorganic film Tr: thin film transistor
P: pixel area

Claims (10)

어레이 기판과 컬러필터 기판 및 액정층을 포함하는 액정패널과; 상기 어레이 기판 외면에 부착된 제1편광판과; 상기 제1편광판의 외면에 위치하는 백라이트 유닛과; 상기 컬러필터 기판의 외면에 부착된 제2편광판과; 상기 제2편광판의 외면에 형성된 다층 구조의 선택 반사층을 포함하는 액정표시장치용 제조 장비에 있어서,
챔버와;
상기 챔버 내부의 하단 일측에 위치하는 전자빔 증발원과;
상기 챔버 내부의 상단에 위치하며 처리될 기판을 지지 및 회전시키기 위한 기판지지수단과;
상기 전자빔 증발원과 상기 기판지지수단 사이에 위치하며, 직사각형 형태에서 적어도 하나의 모따기 구조를 가지는 제1영역과, 상기 제1영역 내에 서로 평행한 스트라이프 타입의 다수의 개구부를 가지는 제2영역을 포함하는 제1쉴드
를 포함하는 액정표시장치용 제조 장비.
A liquid crystal panel including an array substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal layer; A first polarizer attached to an outer surface of the array substrate; A backlight unit positioned on an outer surface of the first polarizer; A second polarizer attached to an outer surface of the color filter substrate; And a selective reflection layer of a multilayer structure formed on the outer surface of the second polarizer,
A chamber;
An electron beam evaporation source located at a lower one side of the inside of the chamber;
A substrate support means for supporting and rotating a substrate to be processed, the substrate support means being located at an upper end of the chamber interior;
A first region located between the electron beam evaporation source and the substrate holding means and having at least one chamfered structure in a rectangular shape and a second region having a plurality of openings in stripe type parallel to each other in the first region, The first shield
The manufacturing equipment for a liquid crystal display device.
제 1 항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 기판지지수단에 인접하는 상부 양측에 곡선 형태의 모따기 구조를 가지는 액정표시장치용 제조 장비.
The method according to claim 1,
Wherein the first region has a curved chamfer structure on both sides of the upper portion adjacent to the substrate holding means.
제 2 항에 있어서,
상기 제1영역은 하부 양측에 직선 또는 곡선 형태의 모따기 구조를 가지는 액정표시장치용 제조 장비.
3. The method of claim 2,
Wherein the first region has a chamfer structure in a straight line or a curved shape on both lower sides thereof.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 개구부는 상기 제1쉴드의 폭 방향을 따라 연장되고 상기 제1쉴드의 길이 방향을 따라 이격되는 액정표시장치용 제조 장비.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of openings extend along the width direction of the first shield and are spaced along the length direction of the first shield.
제 1 항에 있어서,
상기 제2영역의 면적은 상기 제1쉴드 면적의 1/2인 액정표시장치용 제조 장비.
The method according to claim 1,
Wherein the area of the second area is 1/2 of the area of the first shield.
제 1 항에 있어서,
상기 제2영역의 다수의 개구부는 2 mm 내지 3 mm의 폭과 간격을 가지는 액정표시장치용 제조 장비.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of openings in the second region have a width and an interval of 2 mm to 3 mm.
제 1 항에 있어서,
상기 제1쉴드는 상기 챔버 내부의 양측에 각각 위치하는 액정표시장치용 제조 장비.
The method according to claim 1,
Wherein the first shield is located on both sides of the inside of the chamber.
제 7 항에 있어서,
상기 챔버 내부의 상단에, 상기 제1쉴드 사이에 위치하는 제2쉴드를 더 포함하는 액정표시장치용 제조 장비.
8. The method of claim 7,
And a second shield disposed between the first shield and the upper end of the chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 제1쉴드는 상기 챔버 내부의 네 영역에 균일한 간격을 가지고 각각 위치하는 액정표시장치용 제조 장비.
The method according to claim 1,
Wherein the first shields are positioned at uniform intervals in four regions inside the chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 선택 반사층은 굴절률이 다른 제1물질의 제1무기막과 제2물질의 제2무기막이 서로 번갈아 적층된 다층 구조를 가지며, 상기 전자빔 증발원은 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함하는 액정표시장치용 제조 장비.
The method according to claim 1,
Wherein the selective reflection layer has a multilayer structure in which a first inorganic film of a first material having a different refractive index and a second inorganic film of a second material are stacked alternately and the electron beam evaporation source comprises a liquid crystal Manufacturing equipment for display devices.
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