KR101758927B1 - Liquid processing apparatus and liquid processing method - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 기판상에 처리액을 공급하는 복수의 노즐 중 처리에 제공되는 선택된 1개의 노즐 선단부의 처리액의 상태를 안정적으로 화상 처리하는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공한다. 기판에 액처리를 행하는 액처리 장치에 있어서, 기판을 유지하는 스핀 척(41)과, 스핀 척에 유지된 기판에 처리액을 공급하는 복수의 노즐(10)과, 복수의 노즐을 반송하는 노즐 반송 기구(10A)와, 노즐의 선단부를 촬상하는 카메라(17)와, 카메라를 복수의 노즐 중 1개에 대하여 이동시키는 이동 기구와, 노즐의 처리액 공급부, 노즐 반송 기구 및 카메라의 이동 기구의 처리 동작을 제어하는 동시에, 복수의 노즐 중에서 1개의 노즐을 선택하는 처리 프로그램을 구비하는 제어부(9)를 구비함으로써, 노즐 선단부의 액 흘림 또는 적하 발생 상황에 따라서 소정의 대처 동작을 실행한다.The present invention provides a liquid processing apparatus and a liquid processing method for stably image-processing a state of a processing liquid at a selected one nozzle tip portion provided for processing among a plurality of nozzles for supplying a processing liquid onto a substrate. A liquid processing apparatus for performing liquid processing on a substrate, comprising: a spin chuck (41) for holding a substrate; a plurality of nozzles (10) for supplying a processing liquid to a substrate held by a spin chuck; A moving mechanism for moving the camera relative to one of the plurality of nozzles; and a moving mechanism for moving the camera in a direction perpendicular to the moving direction of the nozzle, A control unit 9 including a processing program for controlling the processing operation and selecting one nozzle among a plurality of nozzles is provided so that a predetermined coping operation is performed in accordance with the liquid droplet or droplet occurrence situation at the nozzle tip.
Description
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이용의 유리 기판(FPD 기판)과 같은 기판에 대하여, 도포 노즐로부터 레지스트액이나 현상액 등의 도포액을 도포하는 액처리 장치 및 액처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로, 반도체 디바이스나 FPD 기판의 제조 프로세스 중 하나인 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 기판, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)에 레지스트막을 형성하고, 포토 마스크를 사용해서 상기 레지스트막을 노광한 후, 현상 처리를 행함으로써 원하는 패턴을 얻는 일련의 공정에 의해 행해지며, 이들 일련의 공정은 종래부터 도포, 현상 장치에 의해 행해지고 있다.In general, a step of forming a resist pattern on a substrate, which is one of manufacturing processes of a semiconductor device or an FPD substrate, is a method of forming a resist film on a substrate, for example, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) The resist film is exposed, and then a development process is performed to obtain a desired pattern. These series of processes are conventionally performed by a coating and developing apparatus.
예를 들어, 도포액으로서 레지스트액을 도포하는 도포 유닛에 있어서는, 기판 유지부인 스핀 척의 주위를 둘러싸도록 컵체가 설치되어 있고, 상기 스핀 척에 유지된 웨이퍼의 대략 중앙에 레지스트액을 공급해서 스핀 척을 회전시킴으로써 레지스트액의 스핀 코팅이나 스핀 건조, 나아가 사이드 린스 등의 처리가 행해지도록 되어 있다.For example, in a coating unit for applying a resist solution as a coating liquid, a cup body is provided so as to surround the periphery of a spin chuck, which is a substrate holding portion, and a resist liquid is supplied to the wafer at substantially the center of the wafer held by the spin chuck, Spin coating of the resist solution, spin drying, and further treatment such as side rinsing are performed.
웨이퍼에 대한 레지스트액의 공급은, 공급 유닛으로부터 공급된 레지스트액을 노즐(도포 노즐)로부터 토출함으로써 행해진다. 그리고, 이 노즐은, 웨이퍼의 반입출 동작의 방해가 되지 않도록 통상 시에는 웨이퍼의 반입출 경로로부터 떨어진 위치에 대기되고, 레지스트액을 토출할 때에만 스핀 척에 유지된 웨이퍼 중앙까지 반송하는 구성으로 되어 있는 경우가 많다.The supply of the resist solution to the wafer is performed by discharging the resist solution supplied from the supply unit from a nozzle (coating nozzle). This nozzle is structured such that it normally waits at a position away from the wafer in / out path so as not to interfere with the wafer in / out operation, and is conveyed to the center of the wafer held by the spin chuck only when the resist solution is discharged In many cases.
이들 도포 유닛은, 레지스트막을 형성하는 바탕막의 종류나 형성하는 막 두께 등의 조건에 의해 복수 종류의 레지스트액이 사용되고 있다. 이들 종류가 서로 다른 레지스트액마다 도포 노즐을 구비하여, 공통의 구동 아암에 의해 도포 노즐의 대기 위치와 레지스트액의 도포 처리를 행하는 처리 위치와의 사이에서 이동시키는 구성으로 되어 있다. 상기 구성은, 구동 아암에 의해 도포 노즐을 바꿔 잡는 작업이 필요하게 되어 동작 공정이 많아지고, 기판에 대한 토출 위치의 조정도 개별적으로 행해야만 해서 번거롭다.In these coating units, a plurality of types of resist liquids are used depending on the conditions such as the type of the underlying film forming the resist film and the film thickness to be formed. A coating nozzle is provided for each of these types of resist liquids so as to move between a standby position of a coating nozzle and a processing position for applying a resist solution coating process by a common driving arm. In the above configuration, it is necessary to perform an operation of changing the application nozzle by the drive arm, which increases the number of operation steps, and it is troublesome that adjustment of the ejection position with respect to the substrate also has to be performed individually.
이 때문에, 도포 유닛에는, 도포 유닛을 일렬로 복수 배열하여 구성하고, 이것들에서 사용하는 도포 노즐의 복수개를 일체적으로 종합한 구성으로 하여, 상술한 일렬로 배열한 복수의 도포 유닛 사이를 공통으로 이동할 수 있는 구동 아암에 장착한 구조의 레지스트 도포 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).Therefore, a plurality of coating units are arranged in a row in the coating unit, and a plurality of coating nozzles used in these coating units are integrally integrated, and a plurality of coating units arranged in a row are commonly used There is known a resist coating apparatus having a structure that is mounted on a movable driving arm (see, for example, Patent Document 1).
통상, 이들 복수의 도포 노즐의 선단부 상태는, 레지스트와 대기의 경계면의 오염 억제나 건조 억제를 위하여 레지스트액을 석백(suck back)한 상태에서 대기하게 된다. 또한, 이들 복수의 도포 노즐에 있어서, 도포 프로세스에서 사용 여부에 관계없이 구동 아암에 의해 이동되는 복수의 도포 노즐에 대해서는, 도포 노즐의 상태를 각각 확인할 것이 요구된다. 이 때문에 특허 문헌 1에서는, 도포 노즐 선단부를 촬상하는 방법이 고안되어 있다.Normally, the tip ends of the plurality of application nozzles stand by in a state where the resist liquid is sucked back in order to suppress the contamination on the interface between the resist and the atmosphere and to suppress the drying. It is also required to confirm the states of the application nozzles of a plurality of application nozzles that are moved by the drive arm regardless of whether or not they are used in the application process. For this reason,
그러나, 복수 노즐을 일괄 촬상하는 경우에는, 해상도의 문제, 주변 부분 왜곡, 피사계 심도가 깊음으로 인한 배경의 비침 영향의 문제가 있다. 또한, 대상 노즐만 촬상하는 경우에는, 대상물과의 거리 변동에 의한 핀트 어긋남이 발생하여, 노즐을 가동하는 경우에는, 카메라 시야로부터 벗어나 버려 촬상을 할 수 없다는 문제가 있었다.However, when a plurality of nozzles are collectively photographed, there is a problem of a problem of resolution, a peripheral portion distortion, and a background impression due to a deep depth of field. In addition, in the case of capturing only the target nozzle, there is a problem that the focus deviation occurs due to the distance variation with the object, and when the nozzle is operated, it deviates from the camera field of view and imaging can not be performed.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 기판상에 처리액을 공급하는 복수의 노즐 중 처리에 제공되는 선택된 1개의 노즐 선단부의 처리액의 상태를 안정적으로 화상 처리하는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid processing for stably image-processing a state of a processing liquid at a selected one nozzle tip portion provided for processing among a plurality of nozzles for supplying a processing liquid onto a substrate And a liquid processing method.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 기판에 액처리를 행하는 액처리 장치이며, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판에 처리액을 공급하는 복수의 노즐과, 상기 복수의 노즐을 반송하는 노즐 반송 기구와, 상기 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과, 상기 촬상 수단을 상기 복수의 노즐 중 1개에 대하여 이동시키는 이동 기구와, 상기 노즐의 처리액 공급부, 상기 노즐 반송 기구 및 상기 촬상 수단의 이동 기구의 처리 동작을 제어하는 동시에, 상기 복수의 노즐 중에서 1개의 노즐을 선택하는 처리 프로그램을 구비하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention is a liquid processing apparatus for performing liquid processing on a substrate, comprising: a substrate holding section for holding a substrate; a plurality of nozzles for supplying a processing liquid to the substrate held by the substrate holding section; A moving mechanism for moving the imaging unit relative to one of the plurality of nozzles, and a control unit for controlling the processing liquid supply unit of the nozzle, And a processing program for controlling processing operations of the nozzle transport mechanism and the moving mechanism of the imaging means and selecting a nozzle among the plurality of nozzles.
이와 같이, 촬상 수단을 이동시켜 선택된 처리에 제공되는 노즐 중 1개를 촬상함으로써, 주변 부분 왜곡이나 배경의 비침 영향 등의 문제를 해소하여, 안정적으로 노즐 선단부를 촬상할 수 있다.Thus, by picking up one of the nozzles provided for the selected process by moving the image pick-up means, it is possible to reliably eliminate the problem of distortion of the peripheral portion and the influence of the background, and to stably capture the tip of the nozzle.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 제어부는, 상기 노즐의 선단부로부터의 처리액의 적하 발생의 유무 및 처리액의 상태를 판정하는 판정부를 구비하는 동시에, 상기 판정부의 판정 결과에 기초하여 상기 노즐의 처리액 공급부 및/또는 상기 노즐 반송 기구에 처리 동작을 실행시키는 것이 바람직하다.Further, in the present invention, it is preferable that the control section includes a determination section for determining the presence or absence of the dropping of the process liquid from the tip of the nozzle and the status of the process liquid, and based on the determination result of the determination section, It is preferable that the treatment liquid supply unit and / or the nozzle transportation mechanism perform a treatment operation.
이와 같이 구성함으로써, 발생한 사상에 따라, 예를 들어 액 흘림이 발생했을 경우에는, 노즐을 노즐 버스로 후퇴시키고, 그 안에 처리액을 토출하는 더미 디스펜스를 실행하거나, 처리액이 적하된 경우에는 그 액처리를 정지시키는 적절한 대처 동작을 실행할 수 있다.According to this structure, when the liquid flow occurs, for example, in accordance with the generated event, the nozzle is retracted by the nozzle bus and dummy dispensing for discharging the processing liquid is performed, or when the processing liquid is dropped, It is possible to execute an appropriate coping operation to stop the liquid processing.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 노즐 반송 기구는, 복수의 노즐을 동시에 반송하도록 구성되어 있고, 상기 촬상 수단은, 노즐 반송 기구에 설치되어 있는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the nozzle transport mechanism is configured to transport a plurality of nozzles at the same time, and the image pickup means is provided in the nozzle transport mechanism.
이와 같이, 촬상 수단이 노즐 반송 기구에 설치됨으로써, 예를 들어 촬상 수단을 독립적으로 이동시키는 기구를 필요로 하지 않아 장치 비용을 저감할 수 있다.As such, since the image pickup means is provided in the nozzle transport mechanism, for example, a mechanism for independently moving the image pickup means is not required, so that the cost of the apparatus can be reduced.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 이동 기구는, 상기 선택된 노즐과 상기 촬상 수단과의 거리를 일정하게 유지하기 위해서 상기 촬상 수단을 이동시키는 구동 기구를 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우, 구동 기구는, 정역 방향으로 회전하는 회동 구동원과, 상기 회동 구동원의 정역 회전 운동을 직선 운동으로 변환하는 직선 이동 부재와, 상기 직선 이동 부재의 직선 운동을 요동 운동으로 변환해서 촬상 수단에 전달하는 요동 부재로 구성할 수 있다.Further, in the present invention, it is preferable that the moving mechanism includes a driving mechanism that moves the imaging unit to keep the distance between the selected nozzle and the imaging unit constant. In this case, the driving mechanism includes a rotation driving source for rotating in the forward and reverse directions, a rectilinear moving member for converting the forward and reverse rotational motions of the rotary driving source into rectilinear motion, And a swinging member for transmitting the swinging motion.
또한, 상기 이동 기구는, 상기 선택된 노즐을 향해서 상기 촬상 수단의 촬상 영역의 중심축선 형상으로 지정한 노즐 선단부를 포함하는 화상이 들어가도록 이동시키는 것이 바람직하다.It is also preferable that the moving mechanism moves the image including the nozzle tip portion designated as the central axial line shape of the imaging region of the imaging means toward the selected nozzle.
이와 같이 구성함으로써, 디스펜스 지정된 노즐과 촬상 기구와의 거리를 일정하게 유지할 수 있어, 피사계 심도를 얕게 해도 핀트 어긋남이 발생하지 않으므로, 배경 영향없이 안정적으로 노즐 선단부를 촬상할 수 있다. 또한, 카메라에 의한 촬상을 대상 노즐 1개로 좁힘으로써, 고해상도로 안정적으로 노즐 선단부를 감시할 수 있다.With such a configuration, the distance between the dispensed nozzle and the imaging mechanism can be kept constant, and even if the depth of field is made shallow, the focus deviation does not occur, so that the nozzle tip portion can be stably captured without any background effect. Further, by narrowing the image pickup by the camera to one target nozzle, it is possible to stably monitor the tip of the nozzle at high resolution.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 촬상 수단은, 상기 선택된 노즐과 촬상 수단과의 거리에 대응하여 촬상 초점을 조정하는 오토 포커스 기능을 구비하는 것이 바람직하다.Further, in the present invention, it is preferable that the image pickup means includes an autofocus function for adjusting an image pickup focus in accordance with the distance between the selected nozzle and the image pickup means.
이와 같이 구성함으로써, 구동 기구를 사용하지 않고 촬상 수단의 방향을 조절하여, 레시피로 디스펜스 지정된 노즐의 선단부를 촬상할 수 있다. 또한, 촬상 수단에 오토 포커스 기능을 구비함으로써, 안정적으로 토출 상태를 감시할 수 있다.With this configuration, it is possible to pick up the tip end portion of the nozzle dispensed by recipe by adjusting the direction of the imaging means without using a driving mechanism. Further, by providing the autofocus function in the image pickup means, it is possible to stably monitor the ejection state.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 노즐 반송 기구를 이동시켜서 위치시키고, 상기 도포 노즐로부터 도포액을 더미 디스펜스하기 위한 노즐 버스를 구비하여, 상기 촬상 수단의 이동은, 상기 노즐 버스에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 촬상 수단은, 상기 노즐 반송 기구가, 상기 노즐 버스에서 대기된 위치로부터 복수의 도포 노즐을 동시에 반송하는 구간을 포함하고, 상기 선택된 노즐의 선단부를 감시하는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that a nozzle bus for moving and positioning the nozzle transport mechanism and dummy dispensing the coating liquid from the application nozzle is provided, and the movement of the imaging means is performed on the nozzle bus. It is preferable that the image pickup means includes a section in which the nozzle transport mechanism simultaneously transports a plurality of application nozzles from a position waiting on the nozzle bus, and monitors the tip end of the selected nozzle.
또한, 본 발명은, 기판 유지부에 유지된 기판의 표면에 복수의 노즐을 반송하고, 복수의 노즐 중 임의의 1개의 노즐로부터 처리액을 공급하여 액처리하는 액처리 방법에 있어서, 상기 복수의 노즐 중에서 1개의 노즐을 선택하고, 상기 선택된 노즐을 향해서 촬상 수단을 이동시키고, 상기 촬상 수단에 의해 상기 선택된 노즐의 선단부를 촬상하는 동시에, 노즐 선단부로부터의 처리액의 적하의 발생 유무 및 처리액의 상태를 판정하는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, there is also provided a liquid processing method for delivering a plurality of nozzles to a surface of a substrate held by a substrate holding portion, and supplying a processing liquid from any one of the plurality of nozzles to perform liquid processing, The image pick-up means picks up the tip portion of the selected nozzle, and at the same time, whether or not the drop of the processing liquid from the nozzle tip is generated and the amount of the processing liquid And judges the state.
본 발명에 있어서, 상기 판정 결과에 기초하여 상기 노즐의 처리액 공급부 및/또는 상기 노즐 반송 기구에 처리 동작을 실행시키는 것이 좋다.In the present invention, it is preferable that the processing liquid supply portion and / or the nozzle transportation mechanism of the nozzle execute the processing operation based on the determination result.
본 발명에 따르면, 노즐 반송 기구에 의해 반송되는 복수의 노즐 중, 선택된 대상 노즐을 향해서 촬상 수단이 이동하여, 대상 노즐과 촬상 수단과의 거리를 일정하게 유지하면서 촬상할 수 있기 때문에, 노즐의 처리액의 액 흘림이나 적하가 발생한 것을 안정적으로 검출할 수 있다.According to the present invention, since the imaging means moves toward the selected target nozzle among the plurality of nozzles carried by the nozzle transporting mechanism and can capture the image while keeping the distance between the target nozzle and the imaging means constant, It is possible to stably detect occurrence of liquid dropping or dropping of the liquid.
이로 인해, 목적 외의 위치에서의 처리액의 적하를 미연에 방지할 수 있었던 경우에는, 불량품의 발생이 방지되어 수율 향상에 기여할 수 있다. 또한, 미연에 방지하지 못한 경우에도, 액처리를 자동적으로 정지시키면, 적하한 처리액을 닦아내는 등 즉시 적절한 조치를 취할 수 있기 때문에, 피해의 확대를 막아 로스를 최소한으로 할 수 있다.Thus, when the process liquid can be prevented from being dropped at a position other than the target, the generation of defective products can be prevented, and the yield can be improved. In addition, even if the liquid treatment is not stopped, if the liquid treatment is automatically stopped, appropriate measures can be immediately taken, such as wiping off the dripped treatment liquid, so that the damage can be prevented from being enlarged and the loss can be minimized.
도 1은 본 발명에 관한 액처리 장치를 적용한 도포 유닛을 도시하는 개략 단면도 (a) 및 그 종단면도(b)이다.
도 2는 상기 도포 유닛 내의 액처리부와 도포액을 공급하는 공급 유닛을 도시한 구성도이다.
도 3은 도포액을 공급하는 도포 노즐과 카메라를 노즐 아암에 설치한 상태를 도시하는 사시도이다.
도 4는 상기 노즐 아암에 설치된 카메라의 이동을 도시하는 개략 평면도 (a), 카메라의 구동 기구를 도시하는 개략 평면도(b), 및 오토 포커스 기능을 구비하는 카메라의 이동 상태를 도시하는 개략 평면도(c)이다.
도 5는 상기 도포 유닛의 전기적 구성을 도시하는 블록도이다.
도 6은 본 발명에 있어서의 도포 노즐 선단부의 액 흘림의 모습을 설명하기 위한 모식도이며, (a)는 도포 노즐의 선단부의 개략 측면도, (b), (c)는 각각 (a)의 I부 확대도로서, 액 흘림 소의 상태, 액 흘림 중의 상태를 도시하는 개략 측면도이다.
도 7은 액 흘림의 발생을 판단하는 동작의 흐름을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8은 상기 도포 유닛을 적용한 도포, 현상 장치의 실시 형태를 도시하는 평면도이다.
도 9는 상기 도포, 현상 장치의 사시도이다.
도 10은 상기 도포, 현상 장치의 종단면도이다.
도 11은 상기 도포 노즐 선단이 서로 다른 상태를 도시하는 개략 단면도이다.1 is a schematic sectional view (a) and a longitudinal sectional view (b) thereof showing a coating unit to which a liquid processing apparatus according to the present invention is applied.
2 is a configuration diagram showing a liquid processing unit in the coating unit and a supply unit for supplying a coating liquid.
3 is a perspective view showing a state in which a coating nozzle for supplying a coating liquid and a camera are installed on a nozzle arm.
Fig. 4 is a schematic plan view (a) showing movement of a camera provided on the nozzle arm, a schematic plan view (b) showing a drive mechanism of the camera, and a schematic plan view showing a moving state of a camera having an autofocus function c).
5 is a block diagram showing an electrical configuration of the application unit.
(A) is a schematic side view of the tip end portion of the application nozzle, and (b) and (c) are sectional views taken along the line I- FIG. 3 is an enlarged view schematically showing a state of a liquid droplet and a state of a liquid droplet.
7 is a flowchart for explaining a flow of an operation for determining occurrence of a liquid flow.
8 is a plan view showing an embodiment of a coating and developing apparatus to which the coating unit is applied.
9 is a perspective view of the coating and developing apparatus.
10 is a longitudinal sectional view of the coating and developing apparatus.
11 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the tip ends of the application nozzles are different from each other.
본 발명에 관한 액처리 장치를, 웨이퍼에 레지스트액을 도포하는 도포 유닛에 적용한 실시 형태에 대해서 설명한다. 먼저 실시 형태에 관한 도포 유닛의 구성의 개요를 설명한다.An embodiment in which the liquid processing apparatus according to the present invention is applied to a coating unit for applying a resist solution to a wafer will be described. First, the outline of the configuration of the coating unit according to the embodiment will be described.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 도포 유닛(1)은, 편평한 상자 형상의 하우징(30) 내에, 횡방향(도면 중의 Y 방향)으로 일렬로 배열된 3개의 액처리부(2a, 2b, 2c)와, 이들 액처리부(2a, 2b, 2c)에 레지스트액이나 시너 등의 도포액을 공급하는 복수 개의 노즐(10)과, 상기 노즐(10)을 반송하기 위한 노즐 반송 기구(10A)와, 도포 노즐(10)[이하, 노즐(10)이라 함]을 대기시키는 노즐 버스(14)와, 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트막의 주연부를 제거하기 위한 에지·비드·리무버(Edge Bead Remover:EBR) 기구(6)를 구비하고 있다.1, the
액처리부(2a, 2b, 2c)(이하, 부호 2로 대표함)는, 공통적인 구성을 구비하고 있으며, 기판 유지부로서의 스핀 척(41)과, 상기 스핀 척(41)에 유지되어 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 설치된 컵체(5)를 구비하고 있다. 이하, 액처리부(2)의 구성에 대해서 설명한다.The
스핀 척(41)은, 웨이퍼(W)의 이면측 중앙부를 흡인 흡착하여 수평으로 유지하기 위한 기판 유지부로서의 역할을 한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 스핀 척(41)은 축부(42)를 통해 구동 기구(스핀 척 모터)(43)에 접속되어 있고, 웨이퍼(W)를 유지한 상태에서 회전 및 승강이 자유롭게 구성되어 있다. 스핀 척(41)의 측방에는, 승강 기구(44A)와 접속된 승강 핀(44)이 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여 승강 가능하도록 설치되어 있고, 후술하는 반송 수단[반송 아암(A3)]과의 협동 작용에 의해 하우징(30)의 외부로부터 반입되어 온 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있게 되어 있다. 또한, 도 1(a)에 도시한 30a는, 반송 수단에 면하는 하우징(30) 벽면에 형성된 웨이퍼(W)의 반입출구이다.The
컵체(5)는, 스핀 코팅시 등에 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 비산된 미스트가 하우징(30) 내로 퍼지는 것을 억제하고 도포 유닛(1) 외부로 배출하는 역할을 한다. 컵체(5)는, 도넛 형상의 외관을 구비하고 있고, 그 내부는 도 2에 도시한 바와 같은 구조로 되어 있다.The
컵체(5)의 내부 구조를 설명하면, 도넛 형상의 컵 본체(50)의 내부에는, 도 2에 도시하는 바와 같이 경사진 링 형상의 제1 링 부재(51)와 제2 링 부재(52)가 설치되어 있고, 이들 링 부재(51, 52)와의 사이의 간격은, 웨이퍼(W)로부터 비산된 미스트를 포함하는 기체가 통류하는 기체 유로(51a)로 되어 있다. 또한, 제2 링 부재(52)는, 스핀 척(41)에 유지된 웨이퍼(W)의 주연부 아래쪽에 위치하도록 설치되어 있어, 그 상면이 「ヘ」 형상으로 굴곡되어 있다. 상기 제2 링 부재(52)의 외측 단부면에는, 컵 본체(50) 저부의 액 수용부(54)에 진입하도록 아래쪽으로 뻗어있는 통 형상의 단부판(53)이 설치되어 있다. 이로 인해, 웨이퍼(W)로부터 비산된 레지스트액의 일부는 드레인으로서 제2 링 부재(52) 및 단부판(53)의 표면을 타고 액 수용부(54)로 안내되도록 되어 있다. 2, a
컵 본체(50)의 하부측은 액 수용부(54)로 되어 있고, 그 저부에는 컵체(5) 내를 통류한 기류를 배기하기 위한, 예를 들어 2개의 배기 포트(55)와, 액 수용부(54)에 고인 레지스트액의 드레인을 배출하기 위한 드레인 포트(56)가 설치되어 있다. 배기 포트(55)는 도시하지 않은 배기 덕트에 접속되어 있고, 또한 각 액처리부(2a, 2b, 2c)의 배기 포트(55)와 접속된 배기 덕트는, 하우징(30) 외부에서 배기용력 설비에 접속되어 있다.The lower part of the
여기서, 배기 포트(55)는, 도 2에 도시한 바와 같이 액 수용부(54) 내의 위쪽으로 연신되어 있어, 액 수용부(54)로부터 배기 포트(55)로의 드레인의 일류를 방지하기 위한 일류 방지 벽(54a)을 구성하고 있다. 또한, 드레인 포트(56)도 도시하지 않은 드레인관에 접속되어 있어, 드레인을 도포 유닛(1) 외부로 배출할 수 있게 되어 있다.As shown in Fig. 2, the
또한, 도 1(b)에 도시한 바와 같이, 컵체(5)와 대향하는 하우징(30)의 천정부에는 필터 유닛(31)이 설치되어 있고, 필터 유닛(31)으로부터 예를 들어 청정 공기를 소정 유량으로 공급함으로써, 하우징(30) 내에 청정 공기의 다운 플로우가 형성되도록 되어 있다. 청정 공기의 일부는, 하우징(30) 내에 설치된 도시하지 않은 배기부로부터 배기되는데, 나머지 청정 공기는 컵체(5) 내에 수용되어, 도 2의 컵체(5) 단면도 내에 화살표로 나타낸 바와 같은 기류를 형성하여 배기 포트(55)로부터 배출되도록 되어 있다.1 (b), a
다음으로, 노즐(10) 및 그 반송 기구의 구성에 대해서 설명한다. 노즐(10)은, 스핀 척(41)에 유지된 웨이퍼(W) 표면에 레지스트액을 공급하는 역할을 한다. 도 3은, 노즐(10)과 상기 노즐(10)을 유지하는 노즐 아암(11)의 상세한 구성을 도시한 사시도이다. 본 실시 형태에 관한 도포 유닛(1)은, 예를 들어 농도나 성분이 서로 다른 10 종류의 레지스트액과, 웨이퍼(W) 상에서 레지스트액을 퍼져나가기 쉽게 하기 위한 시너(이하, 이들을 총칭해서 도포액이라 함)를 공급할 수 있도록, 11개의 노즐(10)을 구비하고 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 각 노즐(10)은 펜 끝과 같은 형상을 한 통 형상체이며, 그 기부를 노즐 아암(11)의 노즐 헤드부(11a)에 설치할 수 있도록 되어 있다. 각 노즐(10)의 내부에는 유로가 형성되어 있고, 노즐 아암(11)측으로부터 공급된 도포액을 노즐(10)의 선단부로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출할 수 있도록 되어 있다. 또한, 도 1(a) 및 도 2에서는 도시의 편의상 노즐(10)의 개수를 생략해서 도시하고 있다.Next, the configuration of the
도 1(a)에 도시한 바와 같이, 노즐 반송 기구(10A)는 노즐(10)을 유지하는 노즐 아암(11)과, 상기 노즐 아암(11)을 지지하는 기대(12)와, 기대(12)의 주행 궤도를 이루는 레일(13)과, 레일(13) 상에서 기대(12)를 이동시키는 기구(도시하지 않음)로 구성되어 있다.1 (a), the
도 3에 도시한 바와 같이 노즐 아암(11)은, 11개의 노즐(10)을 유지하는 노즐 헤드부(11a)와, 상기 노즐 헤드부(11a)를 지지하는 아암부(11b)로 구성되어 있다. 노즐 헤드부(11a)의 선단부 하면에는, 상술한 노즐(10)의 기부를 끼워 넣을 수 있는 형상으로 되어 있어, 노즐(10)의 기부를 삽입하는 것만으로 각각의 노즐(10)을 유지할 수 있게 되어 있다. 그 결과, 11개의 노즐(10)은 선단부를 하향으로 한 상태에서 일렬로 배열되고 또한 그러한 배열 방향이 도 1(a)에 도시한 노즐(10)의 반송 방향과 일치하도록 배치된다. 한편, 노즐 헤드부(11a)의 기부측에는 후술하는 공급 유닛(7)의 공급관(71)이 접속되어 있어, 노즐 헤드부(11a) 내부를 통해 노즐(10)에 도포액을 공급할 수 있도록 되어 있다.3, the
아암부(11b)는, 스핀 척(41)에 유지된 웨이퍼(W)의 대략 중앙부의 위쪽에서 노즐(10)을 반송할 수 있도록, 노즐 헤드부(11a)와 기대(12)의 사이에 설치된 지지 부재이다. 기대(12)는, 노즐 아암(11)을 이동시키는 슬라이더로서의 역할을 한다. 기대(12)는 도시하지 않은 승강 기구를 구비하고 있고, 아암부(11b)의 기부는 상기 승강 기구에 설치되어 있다. 이로 인해 노즐 아암(11)은, 도 1(b)에 도시한 Z 방향을 자유롭게 승강할 수 있도록 되어 있다. 또한, 레일(13)은, 액처리부(2)의 측방에, 액처리부(2a, 2b, 2c)의 배열 방향과 평행하게 부설되어 있다. 여기서, 도포 유닛(1)은, 도포액의 공급을 행하지 않을 때에 노즐(10)을 재치하여 대기시키기 위한 노즐 버스(14)를 구비하고 있고, 레일(13)은, 상기 노즐 버스(14)와 거기에서 가장 먼 액처리부(2a)에 유지된 웨이퍼(W)에 도포액을 공급 가능한 위치와의 사이에서 기대(12)를 이동시킬 수 있는 길이를 갖고 있다. 또한, 노즐 버스(14)는 노즐(10)의 대기중에 레지스트액이 건조되지 않도록 시너 분위기로 되어 있다.The
또한, 기대(12)를 이동시키는 기구는 예를 들어, 레일(13)을 따라 설치한 감아 걸기 축에 기대(12)를 고정한 도시하지 않은 반송 벨트를 감아 말고, 상기 감아 걸기 축 중 하나에, 예를 들어 모터 등의 구동 기구(15)(도 5 참조)를 접속한 구조로 되어 있어, 감아 걸기 축의 회전 방향과 회전수를 조정함으로써 원하는 위치에 기대(12)를 이동시킬 수 있게 되어 있다.In the mechanism for moving the
이상의 구성에 의해, 레일(13) 상에서 기대(12)를 이동시킴으로써, 일렬로 배열되어 유지된 노즐(10)을, 노즐 버스(14)와 액처리부(2a, 2b, 2c)의 대략 중앙부를 연결한 직선상에서 반송할 수 있다. 이로 인해, 어느 액처리부(2a, 2b, 2c)에 웨이퍼(W)가 유지되어 있더라도, 기대(12)의 정지 위치를 조정함으로써, 원하는 도포액을 공급하는 노즐(10)을 웨이퍼(W)의 대략 중앙부 위쪽까지 이동시켜, 그 위치로부터 웨이퍼(W)로 도포액을 공급할 수 있다.With the above arrangement, by moving the
다음으로, EBR 기구(6)의 설명을 한다. EBR 기구는, 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트막의 주연부의 벗겨짐 등을 방지하기 위해서 레지스트막을 제거하는 린스액을 웨이퍼(W) 주연부에 공급하는 역할을 한다. 각각의 액처리부(2)에 설치된 EBR 기구(6)는 각각 대략 공통된 구성을 갖고 있으며, 도 1(a)에 도시한 바와 같이, 린스액을 토출하는 노즐을 유지하는 EBR 아암(61)과, 상기 EBR 아암(61)을 이동시키는 기대(62)와, 기대(62)의 주행 궤도를 이루는 레일(63)과, 린스액의 공급을 행하지 않을 때에 노즐(10)을 재치하여 대기시키는 EBR 노즐 버스(64)를 구비하고 있다.Next, the
EBR 아암(61)은, 상술한 도포액의 노즐 아암(11)을 소형화한 것 같은 수평 방향으로 연장되는 아암 형상의 부재이며, 스핀 척(41)에 유지된 웨이퍼(W)의 주연부에 린스액을 공급할 수 있도록, 그 선단부에는 도시하지 않은 린스액 노즐이 유지되어 있다. 기대(62)는, 도시하지 않은 반송 벨트에 의해 레일(63) 상을 이동하여 EBR 아암(61)을 반송하는 슬라이더로서의 역할을 한다. 레일(63)은, 노즐 반송 기구(10A)와 각 액처리부(2a, 2b, 2c)의 사이에 노즐 반송 기구(10A)의 레일(13)과 대략 평행하게 부설되고, 각각의 EBR 노즐 버스(64)와 린스액의 공급 위치와의 사이에서 기대(62)를 이동시킬 수 있는 길이를 갖고 있다.The
이상의 구성에 의해, 구동 기구를 사용해서 각각의 EBR 아암(61) 버스로부터 웨이퍼(W)의 주연부에 대향하는 위치까지 린스액 노즐을 이동시켜서 린스액을 공급할 수 있게 된다. 또한, 액처리부(2b, 2c)에 각각 부설된 EBR 노즐 버스(64)는, 도포액의 노즐(10)의 후퇴처로서의 중간 버스(16)의 역할도 하기 때문에, 노즐(10)로부터 토출시킨 도포액을 받을 수 있도록, 도 1(a)에 도시하는 바와 같은 수용 입구가 가늘고 긴 상자 형상으로 구성되어 있다. 또한, 상기 EBR 노즐 버스(64)도 시너 분위기로 채워져 있고, 중간 버스(16)의 역할도 함으로써 시너의 공급계나 배출계를 공용화하여, 장치 구성을 간소화하고 있다.With the above arrangement, it is possible to supply the rinse liquid by moving the rinse liquid nozzle from the bus of each
다음으로, 노즐(10)에 도포액을 공급하는 공급 유닛(7)의 구성에 대해서 도 2를 참조하면서 설명한다. 공급 유닛(7)은, 예를 들어 도포액을 저장한 도시하지 않은 공급 탱크와, 상기 공급 탱크에 가스를 공급해서 그 내부를 가압함으로써, 공급 탱크 내의 도포액을 도포 유닛(1)을 향해 보내기 위한 도시하지 않은 가압부를 포함하는 도포액 공급 기구(70)(도포액 공급부)를, 도포액의 종류에 대응하는 수만큼 구비하고 있다.Next, the configuration of the
각각의 도포액 공급 기구(70)는, 도포액의 공급/중단을 전환하기 위한 에어 오퍼레이티드 밸브(72)와, 도포액을 공급하지 않을 때에 노즐(10)의 선단부로부터 도포액을 끌어당기기 위한 석백 밸브(73)를 통해 공급관(71)에 의해 각 노즐(10)에 접속되어 있어, 10 종류의 레지스트액과 시너를 전환해서 공급할 수 있도록 되어 있다. 또한, 도 2에 있어서는 도시의 편의상, 시너를 공급하는 도포액 공급 기구(70)를, 도면을 정면에서 봤을 때 좌측에서 2번째의 노즐(10)에 접속하고 있지만, 실제로는 도 3에 도시하는 바와 같이, 도면을 정면에서 봤을 때 좌측에서 6번째의 노즐(10)에 접속되어 있다. 이는 레지스트액의 도포 전에 매회 공급되는 시너와, 시너의 공급 후에 공급되는 레지스트액을 각각 공급하는 노즐(10)을 이 순서대로 웨이퍼(W)의 중심으로 이동시킬 때, 기대(12)의 평균 이동 거리를 최단으로 하기 때문이다.Each of the coating
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 도포 유닛(1)이나 공급 유닛(7)은 각 기기의 동작을 통괄 제어하는 제어부(9)와 접속되어 있다. 예를 들어, 제어부(9)는, 도포 노즐(10) 중에서 레시피로 설정된 노즐을 1개 선택하는 제어 등을 처리하도록 구성된다. 또한, 본 실시 형태에 관한 도포 유닛(1)을 구비하는 도포, 현상 장치 전체의 동작을 통괄 제어하는 기능도 겸비하고 있다.2, the
이상의 구성에 기초하여 도포 유닛(1)에 의해 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 동작에 대해서 간단하게 설명한다. 외부의 반송 수단에 의해 3개의 반입출구(30a) 중 어느 하나로부터 하우징(30) 내로 반입된 웨이퍼(W)는, 승강 핀(44)에 의해 이면측을 지지하고, 반송 수단을 하우징(30) 외부로 후퇴시켜 승강 핀(44)을 하강시킴으로써, 반입된 반입출구(30a)에 대응하는 액처리부(2)의 스핀 척(41)에 전달된다.An operation of applying the resist solution to the wafer W by the
그리고, 노즐 반송 기구(10A)를 작동시켜, 노즐 버스(14) 상에서 대기시킨 노즐 아암(11)을 들어올려 도 1의 Y 방향으로 반송한다. 이어서, 시너를 공급하는 노즐(10)이 웨이퍼(W)의 대략 중앙 위쪽의 위치에 도달하면 노즐 아암(11)의 이동을 정지하고, 그 위치에서 노즐 아암(11)을 강하시킨다. 그 후, 정지하고 있는 웨이퍼(W) 상에 노즐(10)로부터 시너를 공급한 후, 당해 처리에서 도포하는 레지스트액의 공급 노즐(10)이 웨이퍼(W)의 대략 중앙 위쪽에 위치하도록, 노즐 아암(11)을 이동시킨다. 상기 이동 동작과 병행하여, 스핀 척(41)을 예를 들어 고속 회전 시키고, 그 회전 중인 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 공급, 정지하여 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 넓히는 스핀 코팅을 행한다.Then, the
계속해서 스핀 척(41)을 저속으로 회전시켜, 스핀 코팅한 레지스트막의 막 압을 균일하게 하고, 이어서 다시 고속 회전시킴으로써 코팅한 레지스트액의 스핀 건조를 행한다. 그동안에, 노즐 반송 기구(10A)는 상술한 경로와는 반대의 경로로 노즐 아암(11)을 이동시켜, 도포액의 공급이 완료된 노즐(10)을 노즐 버스(14)에서 대기시킨다.Subsequently, the
한편, 스핀 건조가 완료된 웨이퍼(W)에 대해서는 대응하는 EBR 기구(6)를 가동시켜, 린스액 노즐을 EBR 노즐 버스(64)로부터 웨이퍼(W)의 주연부까지 반송하고, 여기에 린스액을 도포하여 스핀 척(41)을 회전시킴으로써 웨이퍼(W) 주연부에 도포한 레지스트막을 제거한 후, 레지스트막의 경우와 마찬가지로 린스액의 스핀 건조를 행하여 일련의 액처리를 완료한다.On the other hand, for the wafer W which has been spin-dried, the corresponding
린스액 노즐을 EBR 노즐 버스(64)까지 후퇴시킨 후, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반입시와는 반대 순서로 반송 수단에 전달되어 도포 유닛(1)으로부터 반출된다. 이렇게 해서 각 액처리부(2)에는, 도포, 현상 장치에 정해진 웨이퍼(W)의 반송 사이클을 따라서 웨이퍼(W)가 예를 들어 24초 간격으로 순차 반송되어, 마찬가지의 처리가 행해진다. 또한, 노즐(10)은 하나의 액처리부(2)에서 웨이퍼(W) 상에 도포액(시너 및 레지스트액)의 토출을 종료한 후, 예를 들어 도포 유닛(1)의 일단부에 위치하는 노즐 버스(14)로 후퇴되어, 레지스트액의 건조를 억제하고 있다.After the rinsing liquid nozzle is retracted to the
이상으로 설명한 구성 외에, 본 실시 형태에 관한 도포 유닛(1)은, 예를 들어 노즐 버스(14)로부터 도포액을 공급하는 위치까지의 반송 중에, 노즐(10)의 선단부로부터 도포액의 적하가 발생했을 경우에는, 이를 광학적으로 촬상하여, 각각 사상에 따른 대처 동작을 실행하는 기능을 구비하고 있다. 이하, 이들 기능의 상세한 사항에 대해서 설명한다.The
여기서, 본 실시 형태에 있어서 "액 흘림"이란, 노즐(10)의 선단면으로부터 아래쪽으로 도포액이 노출된 상태를 의미하고, "적하"란, 상기 액 흘림이 성장된 결과, 상기 선단면으로부터 도포액이 분리된 상태를 의미하며, 노즐 선단부의 오염이란, 노즐(10)의 선단부에 부착된 이물질이나 처리액의 고착물을 의미한다. 그 예를 도 11에 도시한다. 도 11(a)는 적정한 토출된 후의 상태를 도시하며, 토출된 레지스트액(R)은 적정한 석백량(I), 예를 들어 1.5mm 정도 도포 노즐(10) 내부로 끌어당겨진다. 도 11(b)는 액 흘림의 상태나 석백 불량의 상태를 도시하며, 노즐 선단부에 액 고임이 생긴다. 도 11(c), (d)는 노즐 선단부에 부착된 레지스트액(R)을 도시하며, 처리시의 액의 토출 스피드가 빠른 경우의 튀어 오름이나 석백을 행하는 스피드가 빠른 경우 등에 발생하는 문제이다. 도 11(e)는 레지스트액(R)의 적하시에 토출을 하는 액적(DP)이 일단 도중에 끊겨 토출되어버리는 현상을 도시하고 있다.Here, in the present embodiment, "droplet flow" means a state in which the coating liquid is exposed downward from the front end surface of the
도 4에 도시한 바와 같이, 노즐 반송 기구(10A)의 노즐 아암(11)에는, 촬상 수단인 카메라(17)가, 이동 기구(80)에 의해 복수의 노즐(10)의 1개에 대하여 이동 가능하게 장착되어 있다. 카메라(17)는, 예를 들어 CCD 카메라 등의 카메라로, 노즐 헤드부(11a)에 유지된 노즐(10)의 선단부의 화상을 이미지 센서로 측방에서 촬상한다. 상기 카메라(17)는, 각 노즐(10)의 선단부를 촬상할 수 있도록 노즐 헤드부(11a)에 유지된 노즐(10)의 배열 방향과 거의 직행하는 방향으로부터 노즐(10)을 촬상하는 구성으로 되어 있다. 또한, 카메라(17)는, 이미지 센서이면 좋고, CCD 이외의 C-MOS 타입인 것이어도 물론 좋다.4, a
다음으로, 카메라(17) 및 이동 기구(80)의 동작의 상세한 사항에 대해서 설명한다. 도 4(a)에 도시한 바와 같이, 카메라(17)는, 노즐 헤드부(11a)에 유지된 노즐(10) 중, 레시피로 디스펜스 지정된 1개의 노즐을 향해, 카메라(17)의 촬상 영역의 중심축선 형상으로, 지정된 1개의 노즐의 선단부를 포함하는 화상이 들어가도록 이동 기구(80)를 통해 이동할 수 있게 구성된다. 이 경우, 카메라(17)와 디스펜스 지정된 노즐과의 거리가 일정해지도록 이동한다. 또한, 카메라의 회동은, 노즐 반송 아암이 노즐 버스에 대기하고 있을 때에 실행되고, 노즐 아암(11)의 이동중에도 선택된 노즐의 선단부를 감시하도록 구성한다.Next, details of the operation of the
이동 기구(80)는, 예를 들어, 도 4(b)에 도시한 바와 같이, 정역 방향으로 회전하는 회동 구동원인 정역 회전 가능한 모터(81)와, 상기 모터(81)의 회전축에 일단부가 연결되는 대략 크랭크 형상의 요동 링크(82)와, 요동 링크(82)의 타단부에 늘어뜨려 설치된 가이드핀(82a)을 미끄럼 이동 가능하게 삽입하는 직선 형상의 가이드 홈(84)을 갖는 직선 이동 부재(83)와, 직선 이동 부재(83)에 고정되어 직선 이동 부재(83)와 함께 직선 운동하는, 카메라(17)를 고정하는 요동 가능한 요동 부재(85)와, 요동 부재(85)의 선단측에 설치된 원호 형상의 가이드 홈(86) 내에 미끄럼 이동 가능하게 삽입되는 위치 결정 핀(87)을 늘어뜨려 설치한 지지 부재(88)로 구성되는 구동 기구(89)를 구비하고 있다. 또한, 요동 링크(82)의 가이드핀(82a)과 직선 이동 부재(83)의 직선 형상의 가이드 홈(84) 대신에, 요동 링크(82)와 직선 이동 부재(83)를 한쪽에 설치한 직선 형상 키홈에 대하여 다른 쪽에 설치한 키를 미끄럼 이동 가능하게 삽입시키는 구조로 해도 좋다.As shown in Fig. 4 (b), the moving
이와 같이 구성되는 구동 기구(89)에 따르면, 모터(81)의 정역 회전 운동을 요동 링크(82)를 통해 직선 이동 부재(83)의 직선 운동으로 변환하고, 이 직선 이동 부재(83)의 직선 운동을 요동 부재(85)를 통해 요동 운동으로 변환하여 카메라(17)에 머리 이동 기능을 부여할 수 있어, 선택된 1개의 노즐(10)과 카메라(17)의 거리(L)를 일정하게 유지할 수 있다.According to the
이와 같이 구성함으로써, 디스펜스 지정된 노즐과 카메라(17)의 거리를 일정하게 유지할 수 있으며, 핀트 어긋남이 발생하지 않기 때문에, 오토 포커스 기능을 사용하지 않고도 안정되게 노즐 선단부를 촬상할 수 있다. 또한, 카메라에 의한 촬상을 대상 노즐 1개로 좁힘으로써, 주변 부분 왜곡이나 배경의 비침 영향 등의 문제를 해소할 수 있다.With such a configuration, the distance between the dispensed nozzle and the
상술한 실시 형태에서는, 구동 기구(80)를 이용하였지만, 구동 기구(80)를 이용하지 않고 카메라의 동작을 실행해도 좋다. 도 4(c)에 도시한 바와 같이, 노즐 헤드부(11a)에 유지된 노즐(10) 중, 레시피로 디스펜스 지정된 1개의 노즐에, 카메라의 방향을 조절하고, 카메라의 촬상 영역의 중심축선 형상으로, 지정된 1개의 노즐의 선단부를 포함하는 화상이 들어가도록 구성한다. 이 경우, 카메라와 대상 노즐의 거리(L, L1, L2 …)는 변동하기 때문에, 노즐 선단부를 안정적으로 검출하기 위하여, 오토 포커스 기능을 구비한 카메라를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 도 4(c)에 있어서, 부호 80A는 카메라(17)의 이동 기구를 구성하는 요동 아암이다.Although the
이와 같이 구성함으로써, 구동 기구를 사용하지 않고, 레시피로 디스펜스 지정된 노즐을 향해 카메라의 방향을 조절하여, 노즐 선단부를 촬상할 수 있다. 또한, 카메라에 오토 포커스 기능을 구비함으로써, 안정적으로 토출 상태를 감시할 수 있다.With this configuration, the direction of the camera can be adjusted toward the nozzles dispensed in the recipe without using the driving mechanism, and the nozzle tip can be picked up. Further, since the camera is provided with the autofocus function, the discharge state can be stably monitored.
또한, 노즐 헤드부(11a) 하면의 노즐(10)과 카메라(17)의 사이에는, 촬상되는 노즐(10) 조명용 광원(19)이 설치되어 있다. 광원(19)은, 예를 들어 황색이나 오렌지색, 적색까지의 비교적 파장이 긴 가시광을 조사하는 LED 램프 등에 의해 구성되어, 도포되는 레지스트액을 감광시키지 않도록 되어 있다.A
다음으로, 통상의 기판 처리 상태에 있어서의 노즐(10)의 상태를 촬상하는 촬상 수단인 예를 들어 CCD식의 카메라(17)를 설치했을 경우에 대해서 설명한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 카메라(17)는, 도시하지 않은 A/D 변환기를 통해 상술한 제어부(9)와 접속되어 있다. 제어부(9)는 카메라(17)로부터 취득한 촬상 결과에 기초하여 각 노즐(10) 선단부로부터의 도포액의 액 흘림이나 적하가 발생한 것을 판정하고, 그 판정 결과에 기초하여 노즐 반송 기구(10A) 등에 소정의 처리 동작을 실행시키는 기능을 더 구비하고 있다. 이하, 이들의 기능의 상세한 사항에 대해서 설명한다.Next, a case in which, for example, a
도 2는, 도포 유닛(1), 공급 유닛(7)의 각 기기와 제어부(9)의 관계를 설명하기 위한 블록도이다. 예를 들어, 제어부(9)는, 본 실시 형태에 관한 도포 유닛(1)을 포함하는 도포·현상 장치 전체를 통괄 제어하는 주 제어부(9a)와, 도포액의 액 흘림이나 적하 발생의 판정에 필요한 화상 처리나, 그 처리 결과에 기초하여 이들 사상이 발생한 것을 판정하는 액 흘림 판정부(9b)를 구비하고 있다.Fig. 2 is a block diagram for explaining the relationship between each unit of the
주 제어부(9a)는, 중앙 연산 처리 장치(CPU)(90)와, 프로그램 저장부(91)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. 프로그램 저장부(91)는, 액 흘림 판정부(9b)에서 독립적으로 판정된 도포액의 액 흘림이나 적하 발생의 정보에 기초하여, 도포 유닛(1), 공급 유닛(7) 내의 각 기기를 작동시켜, 이들의 사상에 대한 대처 동작이나 메인터넌스 관리를 실행하기 위한 스텝 군을 구비한 컴퓨터 프로그램("대처 동작용 프로그램", "메인터넌스 관리용 프로그램"이라고 나타냄)을 저장하는 역할을 한다. 프로그램 저장부(91)는, 예를 들어 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 수단에 의해 구성되어 있다.The
주 제어부(9a)는 또한, 메인터넌스 관리용 정보로서 각 노즐(10)에서 액 흘림이 발생한 횟수를 측정하기 위한 카운터(92)와, 상기 카운터(92)에서 측정된 액 흘림의 발생 횟수에 기초하여 메인터넌스의 필요 여부를 판정하기 위한 기준치가 되는 임계치("메인터넌스 관리용 임계치"라고 나타냄)를 기억한 설정치 기억부(93)를 구비하고 있다. 카운터(92)는, 예를 들어 재기입 가능한 플래시 메모리 등에 의해 구성되고, 설정치 기억부(93)는, 예를 들어 상술한 프로그램 저장부(91)를 구성하는 하드 디스크 등의 일부로서 구성되어 있다.The
액 흘림 판정부(9b)는, 예를 들어 도시하지 않은 CPU와, 프로그램 저장부(94)를 구비한 마이크로 콘트롤러로서 구성되어 있다. 프로그램 저장부(94)는, 예를 들어 ROM, RAM 등에 의해 구성되고, 카메라(17)로부터 취득한 화상 정보에 화상 처리를 실시하여 액 흘림 등의 발생을 판정하기 위한 촬상 결과를 얻거나, 상기 촬상 결과에 기초하여 액 흘림 등의 발생을 판정하기 위한 스텝 군을 구비한 컴퓨터 프로그램("화상 처리용 프로그램", "액 흘림 판정용 프로그램"이라고 나타냄)을 저장하는 역할을 한다.The liquid
액 흘림 판정부(9b)는 또한, 도포액의 적하 발생을 판정하기 위하여 과거의 촬상 결과를 일시적으로 기억하기 위한 일시 메모리(95)와, 액 흘림 발생의 기준이 되는 액 흘림 판정용 임계치를 기억하는 설정치 기억부(96)를 구비하고 있다. 일시 메모리(95)는, 예를 들어 재기입 가능한 플래시 메모리 등에 의해 구성되고, 설정치 기억부(96)는, 예를 들어 상술한 프로그램 저장부(94)를 구성하는 ROM 등의 일부로서 구성된다.The
또한, 주 제어부(9a)는, 카메라(17), 노즐 반송 기구(10A)의 구동 기구(15)나 도포액 공급 기구(70), 에어 오퍼레이티드 밸브(72), 석백 밸브(73)와 접속되어 있으며, 액 흘림 등의 발생을 판정한 결과에 기초하여 이들 기기를 작동시켜, 소정의 대처 동작을 실행할 수 있게 되어 있다.The
제어부(9)에는 또한, 표시 조작부(8)가 접속되어 있고, 표시 조작부(8)는 주 제어부(9a)의 지시에 기초하여 사용자에게 각종 안내 표시를 하는 역할을 한다.The
다음으로, 도포 처리 가동 중에 발생하는 노즐(10)의 선단부로부터의 액 흘림에 대해서 설명한다. 액 흘림 판정부(9b)에서 실행되는 화상 처리나 촬상 결과에 기초한 판정의 내용에 대해서 설명한다. 도 6은, 액 흘림이 발생한 노즐(10)의 선단부의 모습을 도시한 모식도이다. 도면 중의 DP는, 당해 액 흘림에 관련된 도포액의 액적을 나타내고 있다. 도 6(b)는 액 흘림의 정도가 작은 상태, 도 6(c)는 액 흘림의 정도가 큰 상태를 도시하고 있다.Next, the liquid flow from the tip end portion of the
액 흘림 판정부(9b)는, 예를 들어 200ms의 간격으로 카메라(17)로부터 화상 정보를 취득한다. 상기 화상 정보는, 카메라(17)로 촬상된 아날로그 화상을 예를 들어 256 계조 표시가 가능한 소정 해상도의 8 비트의 디지털 신호로 변환되어 있다. 그리고, 취득한 화상 정보에 대해서, 예를 들어 계조차 등에 기초하여 액적(DP)과 그 주변의 공간의 경계를 특정함으로써 촬상면에 대한 액적(DP)의 투영 형상을 특정한다. 표면 장력에 의해 액적(DP)은 구체의 일부를 잘라낸 듯한 형상으로 되기 때문에, 상술한 투영 형상은 도 6(b), 도 6(c)에 도시하는 바와 같은 원호가 된다.The liquid
따라서, 액 흘림 판정부(9b)는, 동일 도면 중에 도시한 액적(DP)의 하단부(P)에서의 곡률(C)을 촬상 결과로서 산출하고, 이 곡률의 크기에 따라 액 흘림의 정도를 판정하도록 되어 있다. 즉, 산출한 곡률(C)의 값이 작은 경우에는, 도 6(b)에 도시하는 바와 같이 액 흘림의 정도가 작고, 큰 경우에는 도 6(c)에 도시한 바와 같이 액 흘림의 정도가 크다고 판정된다. 설정치 기억부(96)에는, 액 흘림의 정도를 판정하는 기준 정보가 액 흘림 판정용 임계치로서 미리 기억되어 있어, 액 흘림 판정부(9b)는 상기 임계치(기준 정보)와 화상 정보로부터 산출한 곡률(C)(촬상 결과)을 비교한 결과에 기초하여 액 흘림 발생의 유무나 발생한 액 흘림의 크기를 판정한다.The liquid
본 실시 형태에 관한 설정치 기억부(96)에는, 제1 곡률(C1)과 제2 곡률(C2)(C1<C2)이 임계치로서 기억되어 있어, 촬상 결과의 곡률(C)과 이것들의 임계치를 비교한 결과가, "C<C1"인 경우에는 액 흘림 발생이 없음, "C1<C<C2"인 경우에는 작은 액 흘림(이하, 액 흘림 소라고 함) 발생, "C2<C"인 경우에는 큰 액 흘림(이하, 액 흘림 대라고 함) 발생이라고 판정하도록 되어 있다.The first curvature C1 and the second curvature C2 (C1 < C2) are stored as the threshold values in the set
또한, 액 흘림의 크기를 특정하는 방법은 상술한 것에 한정되지 않고, 예를 들어 카메라(17)로부터 취득한 화상의 계조차 등에 기초하여, 액적(DP)과 그 주변 공간 및 노즐(10)과의 경계를 획정하고, 그 경계 내에 포함되는 화소 수 등으로부터 결정되는 액적(DP) 투영 화상의 면적을 촬상 결과로 하고, 상기 촬상 결과와 설정치 기억부(96)에 미리 기억시켜 둔 임계치(기준 정보)와 비교하여 액 흘림 발생의 유무나 그 대소를 판정하도록 구성해도 좋다.The method of specifying the size of the liquid droplet is not limited to the one described above. For example, the liquid droplet DP and its peripheral space and the gap between the droplet DP and the nozzle 10 (Reference information) stored in advance in the setting
이상의 수순에 기초하여 액 흘림이 발생했다고 판정한 경우에는, 액 흘림 판정부(9b)는 액 흘림의 정도(액 흘림 소, 액 흘림 대)를 식별하는 정보와, 액 흘림이 발생한 노즐(10)을 식별하는 정보를 주 제어부(9a)에 대하여 출력하도록 되어 있다.When it is judged that the liquid flow has occurred on the basis of the above procedure, the liquid
주 제어부(9a)는, 액 흘림 판정부(9b)로부터 취득한 액 흘림이나 적하의 발생을 나타내는 정보에 기초하여, 소정의 대처 동작이나 메인터넌스 관리에 관한 동작을 실행하도록 되어 있다. 이 동작은, 노즐 아암(11)의 이동 중에도 각 노즐(10)의 선단부를 감시하는 것인데, 그 상세한 사항에 대해서는 후술한다.The
이상의 구성에 기초하여, 노즐(10) 선단부로부터의 도포액의 액 흘림이나 적하 발생의 판정 및 그 대처 동작 등에 관한 도포 유닛(1)의 작용에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 도시하는 흐름도의 설명에서는, 액 흘림과 적하를 편의상 일괄적으로 "액 흘림"이라고 표현하고, "액 흘림 소", "액 흘림 대", "적하"의 3 레벨로 구분되는 것으로 하여 설명한다.The operation of the
먼저 액 흘림 판정부(9b)에서 액 흘림의 발생을 판정하는 동작에 대해서 설명한다. 도 7은, 당해 동작의 흐름을 설명하기 위한 흐름도이다. 도포, 현상 장치가 가동을 개시하면(개시), 액 흘림 판정부(9b)는, 예를 들어 더미 디스펜스를 행하는 타이밍이나, 프로세스 처리를 실행하고 있는 타이밍 등의 미리 정해진 기간 중에 노즐(10) 선단부의 화상 정보를 취득하고(스텝 S101), 상술한 판정 방법에 기초하여 액 흘림이 발생하였는지의 여부를 판정한다(스텝 S102). 액 흘림이 발생하지 않은 경우에는(스텝 S102;NO), 예를 들어 200ms의 소정 시간 대기하여(스텝 S106) 화상 정보의 취득과 액 흘림의 판정 동작을 반복한다(스텝 S101~S102).First, an operation of determining the occurrence of liquid flow in the liquid
액 흘림이 발생한 경우에는(스텝 S102;YES), 나아가 "액 흘림 소", "액 흘림 대", "적하"의 3 레벨 중에서 발생한 사상에 따른 레벨을 특정한다(스텝 S103). 그리고, 액 흘림이 발생한 노즐(10)과 액 흘림의 레벨에 관한 액 흘림 정보를 출력하고(스텝 S104), 다시 노즐(10) 선단부의 화상 정보를 취득하는 동작으로 돌아간다(스텝 S101).If the liquid flow occurs (step S102; YES), the level corresponding to the event occurring among the three levels of "liquid drop point", "liquid drop zone", and "dropping" is specified (step S103). Then, the liquid flow information about the
본 실시 형태에 따르면, 이하와 같은 효과가 있다. 노즐 반송 기구(10A)에 의해 이동하는 노즐(10)의 움직임에 맞추어, 카메라(17)가 상기 노즐(10)의 선단부의 상태를 광학적으로 촬상하기 때문에, 이동 중의 노즐(10)에서 도포액의 액 흘림이나 적하가 발생한 경우에 이를 촬상할 수 있다. 그리고, 발생한 사상에 따라서, 예를 들어 액 흘림이 발생한 경우에는, 제어부(9)로부터 디스펜스 제어부(100)에 신호를 보내어, 노즐(10)을 노즐 버스(14), 중간 버스(16)로 후퇴시키고, 그동안에 도포액을 토출하는 더미 디스펜스를 행하거나, 도포액이 적하한 경우에는 그 액처리를 정지시키는 적절한 대처 동작을 실행할 수 있다. 그 결과, 목적 외의 위치에서의 도포액의 적하를 미연에 방지할 수 있었던 경우에는, 불량품의 발생이 방지되어 수율 향상에 기여할 수 있다. 또한, 미연에 방지되지 못한 경우에도, 도포, 현상 장치를 자동적으로 정지시키면, 적하한 도포액을 닦아내는 등, 즉시 적절한 조치를 취할 수 있기 때문에, 피해의 확대를 막아 로스를 최소한으로 줄일 수 있다.According to the present embodiment, the following effects are obtained. The
특히 본 실시 형태에 있어서는, 노즐 반송 기구(10A)의 노즐 아암(11)에 복수 개, 예를 들어 10개의 노즐(10)을 유지하여, 이들 노즐(10)을 동시에 이동시키고, 또한 복수의 예를 들어 3개의 액처리부(2)에 대하여 노즐(10) 및 노즐 반송 기구(10A)가 공통화되어 있다. 이 때문에 노즐(10)의 이동 중에 도포액의 액 흘림이나 적하가 발생하는 확률은, 노즐(10)이 1개인 경우나 각 액처리부(2)의 노즐(10)이 공통화되어 있지 않은 경우에 비해 높아져 있기 때문에, 노즐(10) 선단부의 처리액의 상태를 촬상하는 촬상 정밀도가 향상되어 정확하게 상태를 검출할 수 있다. 노즐(10)의 처리액의 상태의 검출 정밀도가 향상함으로써, 상기 대처 동작에 의해 얻어지는 수율 향상이나 로스 저감의 효과는 더욱 높아진다.Particularly, in the present embodiment, a plurality of
또한, 카메라(17)가 노즐 반송 기구(10A)에 설치되어 있음으로써, 예를 들어 카메라(17)를 독립적으로 이동시키는 기구를 필요로 하지 않아 장치 비용을 저감할 수 있다. 단, 노즐 반송 기구(10A)와는 독립된 이동 기구에 카메라(17)를 설치하고, 이들 이동 기구의 움직임을 동기시킴으로써, 반송되고 있는 노즐(10)의 움직임에 맞추어 그 선단부의 상태를 촬상해도 물론 좋다.In addition, since the
또한, 광학적인 촬상 수단으로서 카메라(17)를 사용함으로써, 촬상한 화상 정보로부터 액 흘림의 크기를 나타내는 액적(DP)의 곡률 등의 촬상 결과를 얻는 것이 가능해진다. 그 결과, 액 흘림 발생의 유무뿐만 아니라 그 크기도 파악하는 것이 가능해져, 더미 디스펜스를 행하는 타이밍을 액 흘림이 작은 경우에는 도포액의 도포 후로 하고, 큰 경우에는 도포 전으로 하는 등, 발생한 사상의 긴급도에 따른 대처 동작을 실행할 수 있다. 이로 인해 더미 디스펜스를 실행하고 있는 동안의 대기 시간의 발생 등, 프로세스 처리의 효율 저하를 최대한 억제할 수 있다.Further, by using the
또한, 예를 들어 3개의 액처리부(2)끼리의 사이에, 다른 스핀 척(41) 상을 가로지르지 않고 노즐(10)을 후퇴시켜서 더미 디스펜스를 실행하기 위한 중간 버스(16)를 구비하고 있음으로써, 후퇴처가 노즐 버스(14)밖에 없는 경우에 비해 이동 거리를 짧게 할 수 있어, 액 흘림이 성장되어 적하할 위험성을 작게 할 수 있다.An
또한, 큰 액 흘림이나 적하가 발생한 것을 표시 조작부(8)에 표시하거나, 발생한 액 흘림이 작은 경우에도, 그 발생 횟수를 카운트하여 그 수가 소정 횟수를 초과하면, 메인터넌스가 필요하다는 취지를 표시 조작부(8)에 표시하거나 함으로써, 오퍼레이터나 보전 담당자는 즉시 필요한 조치를 취할 수 있다.When the number of occurrences is greater than a predetermined number, the
또한, 노즐(10)의 선단부의 상태를 광학적으로 촬상하는 방법은, 카메라(17)에 의해 가시광을 촬상하는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들어, 노즐(10) 선단부의 열 이미지를 적외선 카메라에 의해 화상 정보로 변환하여, 액 흘림이나 적하의 유무를 촬상하도록 구성해도 좋다. 노즐(10)을 촬상하는 카메라(17)의 용도는, 실시 형태 중에 나타낸 액 흘림의 감시의 사용에만 한정되지 않는다. 예를 들어, 토출 개시·종료의 타이밍을 감시함으로써, 레지스트 도포 시간을 측정하도록 해도 좋다. 또한, 예를 들어, 토출 개시 전 혹은 로트의 전환 등의 비 토출시에 있어서, 노즐 선단으로부터의 액면 거리 측정, 노즐 위치 측정, 노즐 선단 오염이나 흠집의 검출, 노즐 설치 에러를 검출하도록 카메라(17)를 사용해도 좋다.The method of optically picking up the state of the tip end portion of the
또한, 도포, 현상 장치의 가동 개시 전에 웨이퍼(W) 반송 위치의 조정 등을 목적으로, 실제의 프로세스 처리는 행하지 않는 더미 기판을 장치 내에서 반송하는 경우가 있다. 이러한 더미 기판의 사용시에, 예를 들어 노즐 위치의 확인, 조정용으로 카메라(17)를 사용해도 좋다.There is also a case where a dummy substrate which does not perform actual process processing is transported in the apparatus for the purpose of adjusting the transport position of the wafer W before the application and start of operation of the developing apparatus. When using such a dummy substrate, for example, the
다음으로, 도포, 현상 장치에 상술한 도포 유닛(1)을 적용한 일례에 대하여, 도 8~도 10을 참조해서 간단하게 설명한다. 상기 장치에는 캐리어 블록(S1)이 설치되어 있고, 그 재치대(100a) 상에 재치된 밀폐형의 캐리어(100)로부터 전달 아암(C)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(S2)에 전달하고, 처리 블록(S2)으로부터 전달 아암(C)이 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(100)로 복귀시키도록 구성되어 있다.Next, an example in which the
상기 처리 블록(S2)은, 도 10에 도시하는 바와 같이, 본 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 블록(BCT층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성을 행하기 위한 제4 블록(TCT층)(B4)을, 밑에서부터 순서대로 적층하여 구성되어 있다.As shown in Fig. 10, the processing block S2 includes a first block (DEV layer) B1 for performing development processing in this example, and an anti-reflection film formed on the lower layer side of the resist film A third block (COT layer) B3 for applying a resist film, a fourth block for forming an antireflection film formed on the upper layer side of the resist film (a second block TCT layer) B4 are laminated in this order from the bottom.
제2 블록(BCT층)(B2)과 제4 블록(TCT층)(B4)은, 각각 반사 방지막을 형성하기 위한 약액을 스핀 코팅에 의해 도포하는 본 형태에 관한 도포 유닛(1)과, 상기 도포 유닛(1)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 유닛군과, 상기 도포 유닛(1)과 처리 유닛군과의 사이에 설치되어, 이들의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A2, A4)으로 구성되어 있다. 제3 블록(COT층)(B3)에 대해서도 상기 약액이 레지스트액인 것을 제외하면 마찬가지의 구성이다.The second block (BCT layer) B2 and the fourth block (TCT layer) B4 each comprise a
한편, 제1 블록(DEV층)(B1)에 대해서는 도 10에 도시하는 바와 같이, 하나의 DEV층(B1) 내에 현상 유닛이 2단으로 적층되어 있다. 그리고, 당해 DEV층(B1) 내에는, 이들 2단의 현상 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 아암(A1)이 설치되어 있다. 즉, 2단의 현상 유닛에 대하여 반송 아암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다.On the other hand, for the first block (DEV layer) B1, as shown in Fig. 10, the developing units are stacked in two stages in one DEV layer B1. In the DEV layer B1, a transfer arm A1 for transferring the wafers W to the two-stage development units is provided. That is, the transfer arm A1 is made common to the two-stage developing units.
또한, 처리 블록(S2)에는, 도 8 및 도 10에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5) 중 하나의 전달 유닛, 예를 들어 제2 블록(BCT층)(B2)이 대응하는 전달 유닛(CPL2)에, 상기 선반 유닛(U5)의 근방에 설치된 승강이 자유로운 제1 전달 아암(D1)에 의해 순차 반송된다. 제2 블록(BCT층)(B2) 내의 반송 아암(A2)은, 상기 전달 유닛(CPL2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 유닛(반사 방지막 유닛 및 가열·냉각계의 처리 유닛군)에 반송하고, 이들 유닛에서 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.8 and 10, a lathe unit U5 is provided in the processing block S2 and a wafer W from the carrier block S1 is transferred to one of the lathe units U5 Units are successively carried by the first transfer arm D1 provided in the vicinity of the lathe unit U5 and movable up and down to the corresponding transfer unit CPL2 in the second block (BCT layer) B2, for example. The transfer arm A2 in the second block (BCT layer) B2 receives the wafer W from the transfer unit CPL2 and transfers it to each unit (the anti-reflection film unit and the processing unit group of the heating and cooling system) And an anti-reflection film is formed on the wafer W in these units.
그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF2), 전달 아암(D1), 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(CPL3) 및 반송 아암(A3)을 통해 제3 블록(COT층)(B3)에 반입되어, 레지스트막이 형성된다. 또한 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)→선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF3)→전달 아암(D1)을 거쳐 선반 유닛(U5)에서의 전달 유닛(BF3)에 전달된다. 또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제4 블록(TCT층)(B4)에서 반사 방지막이 더 형성되는 경우도 있다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL4)을 통해 반송 아암(A4)에 전달되어 반사 방지막이 형성된 후, 반송 아암(A4)에 의해 전달 유닛(TRS4)에 전달된다.The wafer W is transferred to the third block COT through the transfer unit BF2 of the lathe unit U5, the transfer arm D1, the transfer unit CPL3 of the lathe unit U5 and the transfer arm A3. Layer) B3, and a resist film is formed. The wafer W is transferred to the transfer unit BF3 in the lathe unit U5 via the transfer arm A3, the transfer unit BF3 of the lathe unit U5, and the transfer arm D1. Further, the wafer W on which the resist film is formed may be further formed with an antireflection film in the fourth block (TCT layer) B4. In this case, the wafer W is transferred to the transfer arm A4 via the transfer unit CPL4, and after forming the anti-reflection film, transferred to the transfer unit TRS4 by the transfer arm A4.
한편, DEV층(B1) 내의 상부에는, 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 유닛(CPL11)으로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달 유닛(CFL12)으로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀 아암(E)이 설치되어 있다. 레지스트막이나 반사 방지막이 더 형성된 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D1)을 통해 전달 유닛(BF3, TRS4)으로부터 수취하여 전달 유닛(CPL11)에 전달되고, 여기로부터 셔틀 아암(E)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(CPL12)으로 직접 반송되어, 인터페이스 블록(S3)에 수용되어진다. 또한, 도 10에서의 CPL이 붙어 있는 전달 유닛은 온도 조절용 냉각 유닛을 겸하고 있고, BF가 붙어 있는 전달 유닛은 복수 장의 웨이퍼(W)를 재치 가능한 버퍼 유닛을 겸하고 있다.On the other hand, a dedicated conveying means (not shown) for directly conveying the wafer W from the transfer unit CPL11 provided in the lathe unit U5 to the transfer unit CFL12 provided in the lathe unit U6 is provided in the upper part of the DEV layer B1 A shuttle arm E is provided. The wafer W on which the resist film or the antireflection film is further formed is received from the transfer units BF3 and TRS4 via the transfer arm D1 and transferred to the transfer unit CPL11 from which the wafer W is transferred by the shuttle arm E, Is directly transferred to the transfer unit CPL12 of the unit U6, and is accommodated in the interface block S3. The transfer unit with the CPL shown in Fig. 10 also serves as a temperature control cooling unit, and the transfer unit with BF also serves as a buffer unit capable of placing a plurality of wafers W thereon.
계속해서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(B)에 의해 노광 장치(S4)로 반송되고, 여기에서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(TRS6)에 재치되어 처리 블록(S2)으로 복귀된다. 복귀된 웨이퍼(W)는, 제1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 행해지고, 반송 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달대(TRS1)에 전달된다. 그 후, 제1 전달 아암(D1)에 의해 선반 유닛(U5)에서의 전달 아암(C)의 액세스 범위의 전달대에 반송되어, 전달 아암(C)을 통해 캐리어(100)에 복귀된다. 또한, 도 8에 있어서 U1~U4는 각각 가열부와 냉각부를 적층한 열계 유닛군이다.Subsequently, the wafer W is transferred to the exposure apparatus S4 by the interface arm B, and after a predetermined exposure process is performed, the wafer W is placed on the transfer unit TRS6 of the lathe unit U6, (S2). The returned wafer W is subjected to development processing in the first block (DEV layer) B1 and transferred to the transfer base TRS1 of the lathe unit U5 by the transfer arm A1. The transfer arm C is returned to the
DP : 액적 W : 반도체 웨이퍼(기판)
1 : 도포 유닛 2, 2a, 2b, 2c : 액처리부
8 : 표시 조작부 9 : 제어부
9a : 주 제어부 9b : 액 흘림 판정부
10 : 노즐 10A : 노즐 반송 기구
11 : 노즐 아암 11a : 노즐 헤드부
11b : 아암부 15 : 노즐 반송 기구의 구동 기구
17 : 카메라 41 : 스핀 척(기판 유지부)
80 : 이동 기구 89 : 구동 기구
90 : 중앙 연산 처리 장치(CPU)
91 : 프로그램 저장부 92 : 카운터
93 : 설정치 기억부 94 : 프로그램 저장부
95 : 일시 메모리 96 : 설정치 기억부
100 ; 디스펜스 제어부 DP: droplet W: semiconductor wafer (substrate)
1: coating
8: display control unit 9:
9a:
10:
11:
11b: arm portion 15: driving mechanism of nozzle transport mechanism
17: camera 41: spin chuck (substrate holder)
80: moving mechanism 89: driving mechanism
90: central processing unit (CPU)
91: Program storage section 92: Counter
93: Set value storage unit 94: Program storage unit
95: Temporary memory 96: Set value storage unit
100; The dispensing control unit
Claims (10)
기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부에 유지된 기판에 처리액을 공급하는 복수의 노즐과,
상기 복수의 노즐을 반송하는 노즐 반송 기구와,
상기 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과,
상기 촬상 수단을 상기 복수의 노즐 중 1개에 대하여 이동시키는 이동 기구와,
상기 노즐의 처리액 공급부, 상기 노즐 반송 기구 및 상기 촬상 수단의 이동 기구의 처리 동작을 제어하는 동시에, 상기 복수의 노즐 중에서 1개의 노즐을 선택하는 처리 프로그램을 구비하는 제어부
를 구비하고,
상기 이동 기구는, 상기 선택된 노즐과 상기 촬상 수단과의 거리를 일정하게 유지하기 위해서 상기 촬상 수단을 이동시키는 구동 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 액처리 장치.A liquid processing apparatus for performing liquid processing on a substrate,
A substrate holding portion for holding a substrate;
A plurality of nozzles for supplying the process liquid to the substrate held by the substrate holding unit,
A nozzle transport mechanism for transporting the plurality of nozzles,
An imaging means for imaging an end portion of the nozzle;
A moving mechanism that moves the imaging unit with respect to one of the plurality of nozzles,
And a processing program for controlling processing operations of the nozzle for supplying the processing liquid to the nozzle, the nozzle transporting mechanism and the moving mechanism of the imaging means, and selecting a nozzle from among the plurality of nozzles
And,
Wherein the moving mechanism includes a driving mechanism that moves the imaging unit to maintain a constant distance between the selected nozzle and the imaging unit.
상기 복수의 노즐 중에서 1개의 노즐을 선택하고, 상기 선택된 노즐을 향해서 촬상 수단을 이동시키고, 상기 선택된 노즐과 상기 촬상 수단과의 거리를 일정하게 유지하기 위해서 상기 촬상 수단을 이동시키고, 상기 촬상 수단에 의해 상기 선택된 노즐의 선단부를 촬상하는 동시에, 노즐 선단부로부터의 처리액의 적하 발생 유무 및 처리액의 상태를 판정하는 것을 특징으로 하는, 액처리 방법.A liquid processing method for delivering a plurality of nozzles to a surface of a substrate held by a substrate holding portion and supplying a processing liquid from any one of a plurality of nozzles to perform liquid processing,
The image pickup means is moved to select one of the plurality of nozzles and move the image pickup means toward the selected nozzle and maintain the distance between the selected nozzle and the image pickup means constant, And the state of the treatment liquid is determined based on the image of the selected tip of the nozzle.
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JP2016185502A (en) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | セイコーエプソン株式会社 | Droplet discharge head inspection equipment, droplet discharge head inspection method and droplet discharge device |
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KR20210092238A (en) * | 2018-11-21 | 2021-07-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing condition setting support method, substrate processing system, storage medium and learning model |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002177845A (en) * | 2000-12-14 | 2002-06-25 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Resist coating apparatus and method for controlling resist coating process |
JP2009181982A (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment equipment |
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---|---|---|---|---|
JP3414050B2 (en) * | 1995-05-11 | 2003-06-09 | 松下電器産業株式会社 | Coating device and coating method |
JP4668023B2 (en) * | 2005-09-15 | 2011-04-13 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Paste coating apparatus and paste coating method |
JP5045218B2 (en) * | 2006-10-25 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
JP2010103131A (en) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for treating liquid |
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2002177845A (en) * | 2000-12-14 | 2002-06-25 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Resist coating apparatus and method for controlling resist coating process |
JP2009181982A (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment equipment |
JP2009268946A (en) | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Shibaura Mechatronics Corp | Coating device and method |
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