KR101753684B1 - 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템 및 처리 방법 - Google Patents

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김기현
서태윤
심균종
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Abstract

본발명은 어플리케이터(applicator)를 이용하여 환부에 열을 가하는 고열요법에 관한 것이다.
이러한 본 발명은 자기 나노입자의 투자율 측정을 통해 고열요법으로 치료하기 위한 최적의 주파수를 투자율측정용 탐침으로 측정된 투자율의 허수부 값을 근거로 선정하고, 그 주파수로 어플리케이터를 동작시켜 방사되는 고주파로 나노입자를 고열요법에 적절한 온도까지 상승시킴으로써, 정상 조직의 온도상승이 최소화 되고, 암 조직의 온도만 선택적으로 상승되므로 고열요법의 성능은 향상되고 부작용이 최소화 되는 효과가 있다.

Description

어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템 및 처리 방법{SYSTEM AND METHOD FOR EFFECTING HYPERTHERMIC TREATMENT USING APPLICATOR}
본 발명은 어플리케이터(applicator)를 이용하여 환부에 열을 가하는 고열요법에 관한 것으로, 특히 자기 나노입자의 투자율 측정을 통해 고열요법으로 치료하기 위한 최적의 주파수를 선정하고, 그 주파수로 어플리케이터를 동작시켜 방사되는 고주파로 나노입자를 고열요법에 적절한 온도까지 상승시킬 수 있도록 한 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템 및 처리 방법에 관한 것이다.
고열요법이란 마이크로파(microwave wave) 또는 밀리미터파(millimeter wave) 또는 레이저와 같은 고주파 신호를 이용하여 고형의 암 조직을 소작하는 국소 치료법을 의미한다. 고주파 신호를 이용한 고열요법은 고주파 신호의 에너지가 인체 조직 내에 포함된 물 분자와 상호작용을 일으켜 열을 발생시킨다는 원리를 바탕으로 한다. 신체 조직의 온도가 45℃일 때는 수 시간, 50~55℃에서는 4~6분 정도가 경과되면 비가역적인 변성이 발생하고, 60~100℃의 범위에서는 미토콘드리아와 세포질 내 효소의 비가역적인 손상으로 인해 즉각적인 응고 괴사가 일어나는 것으로 보고되고 있다. 따라서, 고열요법으로 환부를 치료하고자 하는 경우, 해당 부위의 온도를 최소 50℃ 이상으로 일정시간(예: 5분) 이상 지속시켜야 효율적인 결과를 얻을 수 있다.
그런데, 종래 기술에 의한 어플리케이터를 이용한 고열요법에 있어서는, 인체의 치료 부위에 열을 생성하기 위하여 어플리케이터에서 사용되는 에너지 원으로 다양한 주파수의 전자기파가 이용되고 있으나, 수 GHz ~ 수 백 GHz의 마이크로파와 밀리미터파 대역에서는 물 분자의 열 발생을 바탕으로 하기 때문에 암 조직과 정상 조직 사이에 선택적인 치료를 하는데 어려움이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 주파수변화에 따른 나노입자의 에너지 변환효율이 높은 최적의 주파수를 예측하고 그 최적의 주파수로 어플리케이터를 동작시켜 나노입자의 온도를 고열요법에 적절한 온도까지 상승시키는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 자기 나노입자와 고주파 신호의 상호 작용으로 발생하는 열에너지를 이용하여 나노입자를 흡수한 암 조직만을 선택적으로 치료하는데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 실시예에 따른 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템은, 투자율측정용 탐침을 이용하여 자기 나노입자 수용액의 투자율을 측정하는 투자율 측정부; 상기 투자율의 허수부 값을 근거로 하여 고열요법을 위한 어플리케이터의 최적 주파수를 설정하는 최적주파수 설정부; 상기 어플리케이터의 공진 주파수와 상기 최적 주파수를 비교하여 미리 설정된 값 이상으로 차이가 나는 경우, 상기 어플리케이터의 발산부의 구조를 변경하는 어플리케이터 평가부; 상기 어플리케이터를 이용하여 고열요법으로 치료를 받고자 하는 환자의 환부에 나노입자 수용액을 주입하는 나노입자 수용액 주입부; 및 상기 어플리케이터를 구동시켜 환자의 환부에 자기장을 방사하는 고열요법 수행부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 어플리케이터를 이용한 고열요법 처리 방법은, 투자율 측정부가 투자율측정용 탐침을 이용하여 자기 나노입자 수용액의 투자율을 측정하는 단계; 최적 주파수 설정부가 상기 투자율 측정부에 의해 측정된 투자율 중에서 허수 부분의 값이 가장 클 때의 주파수를 고열요법을 위한 최적 주파수로 설정하는 단계; 어플리케이터 평가부가 어플리케이터의 공진 주파수와 상기 최적 주파수를 비교하여 미리 설정된 값 이상으로 차이가 날 때 상기 어플리케이터의 발산부의 구조를 변경하는 단계; 나노입자 수용액 주입부가 상기 어플리케이터를 이용하여 고열요법으로 치료를 받고자 하는 환자의 환부에 나노입자 수용액을 주입하는 단계; 및 고열요법 수행부가 상기 어플리케이터를 구동시켜 환부에 자기장이 방사되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 고열요법을 위한 어플리케이터와 자기 나노입자를 이용하여 정상 조직의 온도상승을 최소화 하고, 암 조직의 온도만을 선택적으로 상승시킬 수 있어 고열요법의 성능이 향상되고 부작용이 최소화 되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템의 블록도이다.
도 2의 (a)는 튜브에 담긴 자기 나노입자 수용액을 나타낸 것이다.
도 2의 (b)는 현미경으로 관찰된 자기 나노입자 수용액을 나타낸 것이다.
도 3a는 투자율 측정부에 구비되는 투자율측정용 탐침의 부분 개략도이다.
도 3b는 투자율측정용 탐침의 전체 개략도이다.
도 4는 투자율측정용 탐침을 이용하여 측정한 자기 나노입자 수용액의 복소 투자율 그래프이다.
도 5a는 어플리케이터의 외관 개략도이다.
도 5b는 어플리케이터의 A-A 단면도이다.
도 5c는 어플리케이터의 발산부 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 어플리케이터를 이용한 고열요법 처리 방법의 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템의 블록도로서 이에 도시한 바와 같이 고열요법 시스템(10)은, 투자율 측정부(11), 최적주파수 설정부(12), 어플리케이터 평가부(13), 나노입자 수용액 주입부(14) 및 고열요법 수행부(15)를 포함한다.
어플리케이터를 이용하여 고열요법을 수행할 때 자기 나노입자 수용액을 환부(치료부위)에 주입하게 되는데, 최적의 고열요법 효과를 얻기 위해서는 어플리케이터의 구동 주파수를 상기 나노입자 수용액의 투자율에 따라 설정할 필요가 있다.
도 2의 (a)는 튜브에 담긴 자기 나노입자 수용액을 나타낸 것이고, 도 2의 (b)는 현미경으로 관찰된 자기 나노입자 수용액을 나타낸 것이다.
투자율 측정부(11)는 어플리케이터를 이용하여 고열요법을 수행하기 전에 투자율측정용 탐침을 이용하여 자기 나노입자 수용액의 투자율을 측정한다. 이를 위해 상기 투자율 측정부(11)는 2 포트 동축 개구면을 갖는 탐침과 수용액을 보관할 수 있는 용기(material container)를 구비한다.
도 3a는 투자율 측정부(11)에 구비되는 투자율측정용 탐침의 부분 개략도이고, 도 3b는 투자율측정용 탐침의 전체 개략도로서 이에 도시한 바와 같이, 투자율측정용 탐침(30)은 자기 나노입자 수용액이 보관되는 수용액 보관용기(Material container)(31), 상기 수용액 보관용기(31)의 길이 방향으로 중심을 관통하는 동축선로(Coaxial line)(32), 상기 동축선로(32)의 양측 종단부에 형성된 제1포트(33A) 및 제2포트(33B) 및 지지 바(supporting bar)(34)를 포함한다.
도 4는 투자율 측정부(11)에서 상기 투자율측정용 탐침(30)을 이용하여 측정한 66nm의 크기를 갖는 자기 나노입자 수용액의 복소 투자율 그래프이다. 여기서, Imag 그래프가 자기 나노입자 수용액의 복수 투자율에 대한 허수부 그래프이고, Real 그래프가 자기 나노입자 수용액의 복수 투자율에 대한 실수부 그래프이다. 자기 나노입자 수용액은 시간이 경과됨에 따라 자기 나노입자가 수용액 바닥으로 가라앉는 특성을 보이기 때문에 투자율 측정은 수초 이내에 이루어지는 것이 바람직하다.
최적주파수 설정부(12)에서의 고주파 에너지가 생체조직에서 열에너지로 변환되는 정도를 나타내는 열에너지 변환 정도(SAR:Specific Absorption Rate)는 다음의 [수학식 1]에 의해 계산된다. 여기서, 고주파는 마이크로파(microwave wave) 또는 밀리미터파(millimeter wave) 또는 레이저를 포함할 수 있다.
Figure 112016027758369-pat00001
여기서, ε 0 , ε"는 각각 자유공간의 유전율과 유전상수의 허수부분이며, μ 0 , μ"는 각각 자유공간의 투자율과 투자상수의 허수부분이다. E, H는 전기장과 자기장을 나타내며 ω는 고주파의 각주파수이다. Q는 전자기장에 의해서 소모되는 에너지이며, ρ는 생체조직의 밀도이다.
상기 [수학식 1]에 의하면 나노입자의 투자율 중에서 허수부분이 가장 클 때 에너지 변환이 가장 크게 발생한다. 따라서, 최적주파수 설정부(12)는 상기 허수 부분의 값이 가장 클 때의 주파수 예를 들어, 도 4에서 1.8 GHz를 고열요법을 위한 최적의 주파수로 설정한다.
그리고, 자기나노입자의 크기, 형태(모양) 및 수용액의 농도에 따라 투자율은 달라지므로 사용하는 나노입자의 종류가 바뀔 때 마다 최적주파수 설정부(12)는 수용액의 투자율을 측정하여 그 때 마다 상기와 같이 최적의 주파수를 설정한다.
어플리케이터 평가부(13)는 고열요법을 위한 어플리케이터가 설계 및 제작된 후 그 제작된 어플리케이터의 공진 주파수와 상기 최적의 주파수를 비교하여 미리 설정된 값 이상으로 차이가 나는 경우, 어플리케이터의 발산부의 구조를 변경한 다음 상기 공진 주파수와 상기 최적의 주파수를 비교하는 동작을 상기에서 미리 설정된 값 이하가 될 때 까지 반복한다.
도 5a는 본 실시예의 고열요법 시스템에 적용되는 어플리케이터의 외관 개략도이고, 도 5b는 어플리케이터의 A-A 단면도이고, 도 5c는 상기 어플리케이터의 발산부 사진을 나타낸 것이다.
도 5a 내지 도 5b에서와 같이 어플리케이터(50)는, 상,하부 및 중간에 각기 형성된 도전체(51), 상기 도전체(51)들의 사이에 채워지는 유전체(52), 상기 유전체(52)의 내부에 형성된 전송선로(strip line)(53), 하부의 유전체(52)에 형성된 나선형 코일(54A)을 구비하는 하부 자기장발산부(54) 및 상부의 유전체(52)에 형성된 나선형 코일(55A)을 구비하는 상부 자기장발산부(55)를 포함한다.
도 5a 내지 도 5c에 도시되지 않았지만 상기 하부 자기장발산부(54)의 상부는 자기장 발산을 위한 개구면이 형성된다. 그리고, 상기 나선형 코일(54A),(55A)은 전송선로에 의해 서로 연결된다.
외부로부터 공급되는 고주파 신호는 일관된 전력 전달을 가능케 하는 전송선로(53)를 통해 하부 자기장발산부(54)의 나선형 코일(54A)과 상부 자기장발산부(55)의 나선형 코일(55A)에 전달된다. 이에 따라, 상기 자기장발산부(54,55)로부터 고주파 자기장이 발산되어 고열요법으로 치료를 받고자 하는 환자의 환부 방향으로 방사된다.
상기 [수학식 1]에 의하면 투자율은 자기장에 반응하는 것을 확인할 수 있다. 물분자에 의해 영향을 받는 유전율 허수부는 인체 정상조직의 온도를 상승시키므로 어플리케이터(50)의 자기장발산부(54,55)는 전기장의 발생은 최소화 하고 자기장의 발생을 극대화 하는 형태를 갖는 것이 바람직하다. 이를 감안하여 상기 자기장발산부(54,55)는 도 5a에서와 같이 나선형 코일(54A,55A)을 구비한다.
상기 나선형 코일(54A,55A)은 어플리케이터(50)의 공진 주파수를 벗어나지 않는 범위에서 자기장 발생을 최대로 하기위한 회전수만큼 권취되는 것이 바람직하다. 이를 만족시키기 위해 전송선로(53)와 연결된 부분에 나선형 코일(54A,55A)을 형성할 수 있으며, 이들의 회전수를 최대화 하기 위해 접지면과 동일한 층에 추가적으로 나선형 코일을 형성할 수 있다. 도면에 별도로 표시하지 않았지만 전송선로(53)로 사용되는 제2도체면과 접지(Ground)된 제1도전체면은 연결되지 않는다.
상기 전송선로(53)는 유전체 기판 위에 도전체로 형성되어 상기 유전체(52)에 의해 감싸진다. 상기 유전체(52)의 유전율은 응용 범위에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 그리고, 상기 유전체(52)는 통상의 테플론(Teflon), BCB(Benzon CycloButene)과 같이 손실이 작은 유전체가 이용될 수 있다.
도전체(51), 유전체(52) 및 전송선로(53)의 형태는 특별하게 한정되지 않으며, 마이크로파나 밀리미터파 등의 고주파를 잘 전달할 수 있는 어떠한 형상도 포함할 수 있다. 또한, 나선형 코일(54A,55A)의 크기나 회전수 및 형태는 어플리케이터(50)의 공진주파수를 만족하기 위한 어떠한 것도 포함될 수 있다. 도 5에서는 나선형태의 코일은 사각 형상인 것을 예로 하였으나 이의 형상이 사각 형상으로 한정되는 것이 아니라 다양한 형상으로 구현될 수 있다.
상기 전송선로(53)는 외부로부터 인가되는 고주파 신호를 상기 나선형 코일(54A,55A)에 전달하는 역할을 하며, 상기 전송선로(53)로서 마이크로스트립 라인(Microstrip line)이 사용될 수 있다. 상기 전송선로(53)가 마이크로스트립 라인으로 구현되는 경우 그 마이크로스트립 라인은 한쪽 면이 외부에 노출된다. 상기 마이크로스트립 라인의 노출된 면이 생체 조직과 접촉될 경우 인가된 고주파가 손실되고 임피던스가 변화되는 것을 피할 수 없다.
이를 감안하여, 본 발명의 실시예에서는 생체 조직의 특성이나 어플리케이터(50)의 침투 깊이에 관계없이 고주파의 일관된 전달을 위해 모든 면이 도체면으로 도포된 스트립 라인(strip line)을 전송선로(53)로 사용한다.
어플리케이터(50)의 길이에 따라 전송선로(53)의 길이, 나선형 코일(54A,55A)의 위치 및 생체 조직 내부로 침투되는 깊이가 결정된다. 예를 들어, 심부의 생체조직에 대해 고열요법이 필요한 경우, 어플리케이터(50)의 길이를 길게 한다. 이에 따라, 상기 전송선로(53)의 길이가 길게 되어 생체 조직에 침투할 수 있는 깊이가 그만큼 증가되고, 이에 의해 심부의 생체 조직에 자기장을 방사시킬 수 있게 된다. 상기 전송선로(53)의 길이와 나선형 코일(54A,55A)의 위치는 자기장발산부(54,55)의 전기적인 특성에 영향을 미치지 않으므로 치료 대상 생체 조직의 위치와 응용 분야에 따라 전송선로(53)의 길이를 다양하게 변경하여 설계할 수 있다.
상기 자기장발산부(54,55)는 상기 전송선로(53)를 통해 외부로부터 인가되는 고주파신호를 공급받아 고열요법으로 치료를 받고자 하는 환부 방향으로 자기장을 방사하는 부분으로서 상기 나선형 코일(54A,55A)을 포함한다. 이와 같은 자기장발산부(54,55)는 적용되는 고주파 신호의 주파수와 치료 대상인 생체 조직의 전기적인 특성에 따라 다양한 크기로 설계될 수 있다.
나노입자 수용액 주입부(14)는 상기와 같은 어플리케이터(50)를 이용하여 고열요법으로 치료를 받고자 하는 환자의 환부에 나노입자 수용액을 주입한다.
고열요법 수행부(15)는 어플리케이터(50)를 구동시켜 환자의 환부에 자기장을 방사한다. 이에 따라, 고열요법으로 치료를 받고자 하는 환자의 환부에 주입된 수용액의 나노입자는 상기 어플리케이터(50)로부터 방사되는 자기장의 극성변화에 반응하게 되는데, 이에 의해 자기 에너지가 열 에너지로 변환되어 고열요법의 치료가 수행된다.
한편, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 어플리케이터를 이용한 고열요법 처리 방법의 처리 흐름도로서 이를 참조하여 고열요법 과정을 설명하면 다음과 같다.
투자율 측정부는 어플리케이터를 이용하여 고열요법으로 치료를 수행하기 전에 투자율측정용 탐침을 이용하여 자기 나노입자 수용액의 투자율을 측정한다(S1).
최적 주파수 설정부는 나노입자의 투자율 중에서 허수부분이 가장 클 때 에너지 변환이 가장 크게 발생하는 것을 감안하여, 상기 투자율 측정부에 의해 측정된 투자율 중에서 허수 부분의 값이 가장 클 때의 주파수를 고열요법을 위한 최적의 주파수로 설정한다(S2).
어플리케이터 평가부는 어플리케이터의 공진 주파수와 상기 최적의 주파수를 비교하여 미리 설정된 값 이상으로 차이가 나는 경우, 어플리케이터의 발산부의 구조를 변경한 다음 상기 공진 주파수와 상기 최적의 주파수를 비교하는 동작을 상기 미리 설정된 값 이하가 될 때 까지 반복한다(S3-S5).
나노입자 수용액 주입부는 상기 어플리케이터를 이용하여 고열요법으로 치료를 받고자 하는 환자의 환부에 나노입자 수용액을 주입한다(S6).
고열요법 수행부는 상기 어플리케이터를 구동시켜 이로부터 환부에 자기장이 방사되어 고열요법의 치료가 수행된다(S7). 즉, 치료받고자 하는 환자의 환부에 주입된 수용액의 나노입자는 상기 어플리케이터로부터 방사되는 자기장의 극성변화에 반응하게 되는데, 이에 의해 자기 에너지가 열 에너지로 변환되어 고열요법의 치료가 수행된다.
고열요법 수행부는 환부의 온도가 미리 설정된 온도(예: 50도) 이상으로 상승되었는지 확인하여 그 온도로 상승될 때 까지 어플리케이터를 이용한 고열요법의 치료를 계속한다(S8).
그러나, 환부의 온도가 미리 설정된 온도 이상으로 상승된 경우, 상기 고열요법 수행부는 미리 설정된 고열요법의 치료 시간이 종료되었는지 확인하여 종료되지 않았으면 상기 제7단계(S7)로 복귀하여 상기 과정을 반복 수행하고, 종료되었으면 종료 처리한다(S9).
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하였지만, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것이 아니라 다음의 청구범위에서 정의하는 본 발명의 기본 개념을 바탕으로 보다 다양한 실시예로 구현될 수 있으며, 이러한 실시예들 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10 : 고열요법 시스템 11 : 투자율 측정부
12 : 최적주파수 설정부 13 : 어플리케이터 평가부
14 : 나노입자 수용액 주입부 15 : 고열요법 수행부
30 : 투자율측정용 탐침 31 : 수용액 보관용기
32 : 동축선로 33A : 제1포트
33B : 제2포트 34 : 지지 바
50 : 어플리케이터 51 : 도전체
52 : 유전체 53 : 전송선로
54A,55A : 나선형 코일 54,55 : 자기장 발산부

Claims (12)

  1. 투자율측정용 탐침을 이용하여 자기 나노입자 수용액의 투자율을 측정하는 투자율 측정부;
    상기 투자율의 허수부 값을 근거로 하여 고열요법을 위한 어플리케이터의 최적 주파수를 설정하는 최적주파수 설정부;
    상기 어플리케이터의 공진 주파수와 상기 최적 주파수를 비교하여 미리 설정된 값 이상으로 차이가 나는 경우, 상기 어플리케이터의 발산부의 구조를 변경하는 어플리케이터 평가부;
    상기 어플리케이터를 이용하여 고열요법으로 치료를 받고자 하는 환자의 환부에 나노입자 수용액을 주입하는 나노입자 수용액 주입부; 및
    상기 어플리케이터를 구동시켜 환자의 환부에 자기장을 방사하는 고열요법 수행부를 포함하는 것을 특징으로 하는 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투자율측정용 탐침은
    상기 자기 나노입자 수용액이 보관되는 수용액 보관용기;
    상기 수용액 보관용기의 길이 방향으로 중심을 관통하는 동축선로; 및
    상기 동축선로의 양측 종단부에 형성된 제1포트 및 제2포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 최적 주파수 설정부는
    상기 투자율 측정부에 의해 측정된 투자율에서 허수부분이 가장 클 때의 주파수를 상기 최적 주파수로 설정하는 것을 특징으로 하는 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 어플리케이터 평가부는
    상기 어플리케이터의 공진 주파수와 상기 최적 주파수를 비교하여 미리 설정된 값 이하의 차이가 날 때 까지 어플리케이터의 발산부의 구조를 변경하는 동작을 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 어플리케이터는
    상,하부 및 중간에 각기 형성된 도전체;
    상기 도전체의 사이에 채워지는 유전체;
    외부로부터 인가되는 고주파 신호를 전달하기 위해 상기 유전체의 내부에 형성된 전송선로;
    상기 유전체 중에서 하부의 유전체에 형성되어 자기장을 방사하는 나선형 코일을 구비하는 하부 자기장발산부; 및
    상기 유전체 중에서 상부의 유전체에 형성되어 자기장을 방사하는 나선형 코일을 구비하는 상부 자기장발산부를 포함하는 것을 특징으로 하는 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템.
  6. 제5항에 있어서, 상기 나선형 코일은 상기 어플리케이터의 공진 주파수를 벗어나지 않는 범위에서 자기장 발생을 최대로 하기위한 회전수만큼 권취된 것을 특징으로 하는 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템.
  7. 제5항에 있어서, 상기 나선형 코일은 사각 형상인 것을 특징으로 하는 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템.
  8. 제5항에 있어서, 상기 전송선로는
    모든 면이 도체면으로 도포된 스트립 라인(strip line)인 것을 특징으로 하는 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템.
  9. 제5항에 있어서, 상기 전송선로의 길이, 상기 나선형 코일의 위치 및 생체 조직 내부로 침투되는 깊이는 상기 어플리케이터의 길이에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템.
  10. 제5항에 있어서, 상기 유전체는 테플론(Teflon)이나 BCB(Benzon Cyclo Butene)인 것을 특징으로 하는 어플리케이터를 이용한 고열요법 시스템.
  11. 삭제
  12. 삭제
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