KR101751446B1 - Dual-wideband bandstop filter using a stub enclosed stepped-impedance resonator - Google Patents

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KR101751446B1
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stepped impedance
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김남영
왕종
서반우
코이랄라 기안라즈
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광운대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명의 일측면에 따른 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는, 마이크로스트립 전송선로 상에 형성되는 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기; 와 상기 마이크로스트립 전송선로 상에 형성되되 상기 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기와 제2 갭 간격을 두고 선대칭이 되도록 형성되는 제2 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기(120)를 포함하되, 상기 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기는, 상기 마이크로스트립 전송선로에서 수직방향으로 제1 길이로 형성되는 제1 수직라인 스터브와 상기 제1 수직라인 스터브의 종단으로부터 상기 마이크로스트립 전송선로와 수평방향으로 제2 길이로 형성되는 제1 수평라인 스터브로부터 절곡되어 나선형으로 형성되는 제1 나선형 스터브를 포함하는 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴; 및 상기 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴의 제1 나선형 스터브의 외부를 제1 갭 간격을 가지고 사각 루프로 둘러싸는 엔크로우징 스터브; 를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다.A dual-band band-stop filter according to an aspect of the present invention includes: a first encoupling stub stepped impedance resonator formed on a microstrip transmission line; And a second encoupling stub stepped impedance resonator (120) formed on the microstrip transmission line and formed to have a line symmetry with a second gap distance from the first encoupling stub stepped impedance resonator, The first encroaching stub stepped impedance resonator includes a first vertical line stub formed in the microstrip transmission line with a first length in the vertical direction and a second vertical line stub extending from the end of the first vertical line stub to the microstrip transmission line, A first helical stepped impedance resonance pattern including a first helical stub bent from a first horizontal line stub formed in a second length in a direction of the first helical stub; And an enclosing stub surrounding the first helical stub of the first helical stepped impedance resonance pattern with a rectangular loop with a first gap interval; And is formed to include a plurality of protrusions.

Description

엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터{Dual-wideband bandstop filter using a stub enclosed stepped-impedance resonator}[0001] The present invention relates to a dual-band band-stop filter using a stub-stepped impedance resonator,

본 발명은 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터에 관한 기술이다.The present invention relates to a dual wideband bandstop filter using an encrossing stub stepped impedance resonator.

현대 마이크로웨이브 무선 통신 시스템들은, 스퓨리어스(spurious) 신호들의 효과적인 억제를 위해 트랜스미터 및 리시버 섹션들 모두에 밴드스톱 필터들이 사용된다.Modern microwave wireless communication systems use band-stop filters in both the transmitter and receiver sections for effective suppression of spurious signals.

듀얼-밴드 밴드스톱 필터(Dual-band bandstop filters )는 시스템의 크기 및 비용을 줄이고, 원하지 않는 사이드밴드 신호들을 억압하기 위한 고전력 증폭기 및 믹서들에 공통적으로 내장된다.Dual-band bandstop filters are commonly embedded in high-power amplifiers and mixers to reduce the size and cost of the system and suppress undesired sideband signals.

듀얼-밴드 밴드스톱 필터의 공진기들이 스톱밴드에서 공진하기 때문에, 그들은 또한 패스밴드에서의 낮은 삽입 손실 및 낮은 그룹 지연 특성들이 요구된다.Because the resonators of the dual-band band-stop filter resonate in the stop band, they also require low insertion loss and low group delay characteristics in the passband.

다양한 기술들이 듀얼-밴드 밴드스톱 필터의 특성 개선을 위하여 지속적으로 연구되어왔다.Various techniques have been continuously studied to improve the characteristics of a dual-band band-stop filter.

다중 대역 저지 필터를 소형으로 하는 방안의 하나로, 대한민국 등록특허공보 10-0893119(나선형 공진기를 이용한 초소형 대역저지 필터)에는 전송선로 내부에 나선형 패턴을 식각 제거하여 복수의 나선형 패턴으로 형성한 나선형 공진기를 이용한 밴드스톱필터가 게시된다.As a method of reducing the size of a multi-band blocking filter, Korean Patent Registration No. 10-0893119 (a very small band blocking filter using a spiral resonator) includes a spiral type resonator formed by etching a spiral pattern in a transmission line to form a plurality of spiral patterns The band stop filter used is published.

무선통신패턴이 복잡하여짐에 따라 더 소형화되고, 다양한 전송영점 및 향상된 거절레벨 특성을 가지는 밴드스톱 필터 기술이 요구된다.As the wireless communication pattern becomes complicated, there is a demand for a band stop filter technique which is further downsized, has various transmission zero points and improved rejection level characteristics.

본 발명에 대한 배경기술은 대한민국 등록특허공보 10-0893119호(나선형 공진기를 이용한 초소형 대역저지 필터)에 기재되어 있다.BACKGROUND ART [0002] The background art of the present invention is disclosed in Korean Patent Publication No. 10-0893119 (ultra-small band-stop filter using a helical resonator).

대한민국 등록특허공보 10-0893119(나선형 공진기를 이용한 초소형 대역저지 필터)Korean Patent Registration No. 10-0893119 (Ultra-Small Band Jersey Filter Using Spiral Resonator)

본 발명은 2개의 저지 대역 특성 및 각 저지 대역마다 2개의 전송영점을 가지며, 향상된 거절레벨 특성을 가지는 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터를 제공하는 것이다.The present invention provides a dual broadband bandstop filter using an encasing stub stepped impedance resonator having two stopband characteristics and two transmission zeroes for each stopband and having improved rejection level characteristics.

본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood from the following description.

본 발명의 일측면에 따른 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는, 마이크로스트립 전송선로 상에 형성되는 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기; 와 상기 마이크로스트립 전송선로 상에 형성되되 상기 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기와 제2 갭 간격을 두고 선대칭이 되도록 형성되는 제2 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기(120)를 포함하되, 상기 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기는, 상기 마이크로스트립 전송선로에서 수직방향으로 제1 길이로 형성되는 제1 수직라인 스터브(l1)와 상기 제1 수직라인 스터브의 종단으로부터 상기 마이크로스트립 전송선로(101)와 수평방향으로 제2 길이로 형성되는 제1 수평라인 스터브로부터 절곡되어 나선형으로 형성되는 제1 나선형 스터브를 포함하는 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴; 및 상기 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴의 제1 나선형 스터브의 외부를 제1 갭 간격을 가지고 사각 루프로 둘러싸는 엔크로우징 스터브; 를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다.A dual-band band-stop filter according to an aspect of the present invention includes: a first encoupling stub stepped impedance resonator formed on a microstrip transmission line; And a second encoupling stub stepped impedance resonator (120) formed on the microstrip transmission line and formed to have a line symmetry with a second gap distance from the first encoupling stub stepped impedance resonator, The first enveloping stub stepped impedance resonator comprises a first vertical line stub ( 11 ) formed in the microstrip transmission line with a first length in the vertical direction, and a second vertical line stub ( 11 ) extending from the end of the first vertical line stub A first helical stepped impedance resonance pattern including a first helical stub formed by spiraling from a first horizontal line stub formed in a horizontal direction and a first horizontal line stub to a transmission line; And an enclosing stub surrounding the first helical stub of the first helical stepped impedance resonance pattern with a rectangular loop with a first gap interval; And is formed to include a plurality of protrusions.

또한, 상기 제1 나선형 스터브는 4회 절곡되어 나선형을 형성하는 것을 특징으로 한다.Further, the first helical stub is bent four times to form a spiral shape.

또한, 상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는 2개의 스톱밴드를 가지며 각 스톱밴드마다 2개의 전송영점이 형성되는 것을 특징으로 한다.The dual band-stop filter has two stop bands and two transmission zeroes are formed for each stop band.

또한, 상기 제2 갭 간격의 크기를 작게 하면, 상기 2개의 전송영점이 발생하는 위치 간격이 커지는 것을 특징으로 하는 한다.In addition, when the size of the second gap interval is made smaller, the position interval at which the two transmission zeroes occur is increased.

또한, 상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는 2개의 중심 주파수를 가지며, 상기 제1 나선 스텝형 임피던스 공진기의 고임피던스 섹션과 상기 엔크로우징 스터브의 전기적 길이를 비례적으로 변화시켜서 상기 2개의 중심 주파수에 대한 비례적인 튜닝 제어를 하는 것을 특징으로 한다.The dual band band-stop filter has two center frequencies, and the high-impedance section of the first helical-stepped impedance resonator and the electrical length of the enclosing stub are proportionally changed, And performs proportional tuning control.

또한, 상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는 2개의 중심 주파수를 가지며, 상기 2개의 중심주파수 중 제2차 중심주파수는 상기 엔크로우징 스터브의 전기적 길이만을 변화시켜서 튜닝 제어를 하는 것을 특징으로 한다.The dual broadband band-stop filter has two center frequencies, and the second center frequency of the two center frequencies is tuned by changing only the electrical length of the enclosing stub.

또한, 상기 제1 수직라인 스터브는 1.9(±5%)mm, 상기 수평라인 스터브는 4.1(±5%)mm 상기 엔크로우징 스터브의 수평길이는 5.1(±5%)mm, 상기 제1 갭 간격은 0.2(±5%)mm, 상기 제2 갭 간격은 0.9(±5%)mm 인 것을 특징으로 한다.The horizontal stub of the first vertical line stub is 1.9 (± 5%) mm, the horizontal line stub is 4.1 (± 5%) mm, the horizontal length of the enrobing stub is 5.1 (± 5% The interval is 0.2 (± 5%) mm, and the second gap interval is 0.9 (± 5%) mm.

또한, 상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는 2개의 중심 주파수를 가지며, 상기 2개의 중심 주파수는 각각 4.70(±0.05), 6.64(±0.05)GHs 인 것을 특징으로 한다.In addition, the dual wideband band-stop filter has two center frequencies, and the two center frequencies are 4.70 (± 0.05) and 6.64 (± 0.05) GHs, respectively.

또한, 상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는, 17(±0.85)mm × 3.2(±0.16)mm의 크기로 형성되는 것을 특징으로 한다.The dual-band band-stop filter may have a size of 17 (± 0.85) mm × 3.2 (± 0.16) mm.

또한, 상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는 두 개의 중심 주파수에서 각각 35.1 ~ 40.02, 26.23 ~ 28.68 dB의 거절 레벨을 가지는 것을 특징으로 한다.In addition, the dual-band band-stop filter has a rejection level of 35.1 to 40.02 and 26.23 to 28.68 dB at two center frequencies, respectively.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는 2개의 스톱밴드를 가지며 각 스톱밴드에서 2개의 전송염점(TZs)을 가지는 것을 특징으로 한다.The dual wideband bandstop filter using an encasing stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention has two stop bands and has two transmission break points (TZs) in each stop band.

또한, 두 개의 중심 주파수에서 각각 35.1~40.02, 26.23~28.68dB의 거절 레벨을 가지면서, 0.38(±0.019)λg × 0.07(±0.0035)λg의 소형크기를 가지는 것에 의하여 동급의 종래 밴드 스톱 필터에 비하여 큰 거절 레벨을 가지면서 더 소형의 크기로 제조될 수 있는 효과를 가진다.Further, while maintaining the two in the center frequency of each of 35.1 ~ 40.02, rejection level of 26.23 ~ 28.68dB, 0.38 (± 0.019 ) λ g × 0.07 (± 0.0035) λ g , it is possible to produce a smaller size while having a large rejection level as compared with the conventional band-stop filter of the same class.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는, 각 스톱밴드에서 2개의 전송영점을 갖는 4.7(±0.05)/6.64(±0.05)GHz 듀얼대역 밴드스톱 필터가 제공된다.The dual wideband bandstop filter using an encasing stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention is characterized in that it has a 4.7 (± 0.05) /6.64 (± 0.05) GHz dual band band having two transmission zeros in each stop band A stop filter is provided.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는, 엔크로우징 스터브 내부에 나선 스텝형 임피던스 공진기를 채택함으로써, 인접하여 듀얼대역 밴드스톱 필터의 중심 주파수들을 얻는 것이 가능하고 또한 넓은 스톱밴드들을 발생시킬 수 있는 효과를 가진다. The dual broadband band-stop filter using the encroding stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention adopts a spiral stepped impedance resonator in the encroaching stub, so that the center frequency of the dual band band- And it is also possible to generate wide stop bands.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는, C-밴드 응용들에서 효과적으로 구현될 수 있는 0.38(±0.019)λg× 0.07(±0.0035)λg 의 초소형 크기로 달성된다.The dual wideband band-stop filter using the encroding stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention can be implemented effectively in the C-band applications by using 0.38 (± 0.019) λ g × 0.07 (± 0.0035) λ g . < / RTI >

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터에서, 각 스톱밴드 별 2개의 중심 주파수에 대한 비례적인 튜닝은, 내부에 형성된 제1 나선 스텝형 임피던스 공진기의 고임피던스 섹션과 상기 제1 나선 스텝형 임피던스 공진기를 둘러싸는 엔크로우징 스터브(enclosing stub)의 전기적 길이를 비례적으로 변화시킴으로써 달성될 수 있다.In a dual wideband band-stop filter using an encroding stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention, the proportional tuning to two center frequencies for each stop band is performed by a first helical stepped impedance resonator By proportionally varying the electrical length of the enclosing stub surrounding the high-impedance section of the first helical stepped impedance resonator and the first helical stepped impedance resonator.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터에서, 제2차 중심 주파수는 엔크로우징 스터브(enclosing stub)의 전기적 길이만을 변화시킴으로써 독립적으로 튜닝될 수 있다.Also, in the dual broadband band-stop filter using the encroaching stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention, the second-order center frequency changes independently of the electrical length of the enclosing stub, .

도 1은 종래 일반적인 스텝형 임피던스 공진 패턴의 기본적인 구조를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 나선 스텝형 공진 패턴을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 나선 스텝형 공진 패턴과 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴에 대한 S21-파라미터 응답을 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진패턴에서 제1 중심 주파수 4.65 GHz에 대한 전류 분포를 전류분포를 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진패턴에서 제2 중심 주파수 6.6 GHz에 대한 전류 분포를 나타낸 것이다.
도 8은 θ0 및 θ1을 비례적으로 변화시켰을 때의 주파수 변화를 나타낸 것이다.
도 9는 θ1은 고정된 상태에서, θ0를 증가시켰을 때의 주파수 변화를 나타낸 것이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조된 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터의 구조를 도시한 것이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터에서 두 공진기 사이의 갭의 변화에 따른 전송영점의 위치변화를 그래프로 도시한 것이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터의 S 파라미터 응답 특성을 도시한 것이다.
Fig. 1 shows a basic structure of a conventional stepped impedance resonance pattern.
2 is a view for explaining a structure of an encasing stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 illustrates a first helical stepped resonance pattern according to an embodiment of the present invention.
4 illustrates an encroding stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 illustrates S 21 -parameter responses for a first helical stepped resonance pattern and an encasing stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 shows a current distribution of a current distribution with respect to a first center frequency of 4.65 GHz in an encroding stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 illustrates a current distribution for a second center frequency of 6.6 GHz in an encroding stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.
Fig. 8 shows a frequency change when? 0 and? 1 are changed proportionally.
9 shows a frequency change when? 0 is increased in a state where? 1 is fixed.
10 illustrates a structure of a dual wideband band-stop filter using an encoupling stub stepped impedance resonator manufactured according to an embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a graph illustrating a change in position of a transmission zero according to a change in gap between two resonators in a dual wideband bandstop filter using an encroding stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention.
12 illustrates S-parameter response characteristics of a dual wideband band-stop filter using an encasing stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것이 아니다.In the present application, when a component is referred to as "comprising ", it means that it can include other components as well, without excluding other components unless specifically stated otherwise. Also, throughout the specification, the term "on" means to be located above or below the object portion, and does not necessarily mean that the object is located on the upper side with respect to the gravitational direction.

이하 본 발명의 구현에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a dual wideband bandstop filter using an encroding stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 1은 종래 일반적인 스텝형 임피던스 공진 패턴의 기본적인 구조를 도시한 것이다.Fig. 1 shows a basic structure of a conventional stepped impedance resonance pattern.

도 1을 참조하면, 일반적인 스텝형 임피던스 공진 패턴(210)은 제1 섹션(210)과 이어지는 제2 섹션(220)이 케스케이드형으로 결합되도록 구성된다. 제1 섹션(210)은 θ1의 전기적 길이를 가진 높은 임피던스 Z1섹션이며, 그리고 그 다음으로 이어지는 제2 섹션(12)은 θ2의 전기적 길이를 가진 낮은 임피던스의 Z2섹션으로 이루어진다.Referring to FIG. 1, a typical stepped impedance resonance pattern 210 is configured such that a first section 210 and a following second section 220 are cascaded. The first section 210 is a high impedance Z 1 section with an electrical length of? 1 , and the second section 12 following it is comprised of a low impedance Z 2 section with an electrical length of? 2 .

종래의 일반적인 스텝형 임피던스 공진 패턴(200)은 전기적 길이 θ1, θ2 값에 대응하는 제1, 2섹션(210, 220)에 해당하는 물리적 라인의 폭과 길이를 이용하여 요구되는 주파수 대역의 스텝형 임피던스 공진기 구조를 형성할 수 있다.A conventional general stepped impedance resonance pattern 200 is formed by using the width and the length of physical lines corresponding to the first and second sections 210 and 220 corresponding to the electrical lengths θ 1 and θ 2 , A stepped impedance resonator structure can be formed.

이와 같이 종래에는 도 1에 도시된 바와 같이 스텝형 임피던스 공진기 패턴에서 비-균일 임피던스 기술 패턴이 듀얼 대역 밴드스톱 필터를 얻기 위해 사용되었다. Thus, as shown in FIG. 1, a non-uniform impedance technique pattern in a stepped impedance resonator pattern has been used to obtain a dual band band-stop filter.

이러한 패턴 형태 구조에서 주요 제한은 임피던스 섹션들의 크기 변형이 궁극적이고 통제 불능하게 중심 주파수들 양쪽에 영향을 준다는 것이다.A major limitation in this patterned structure is that the magnitude variation of the impedance sections is both ultimate and uncontrollable, affecting both center frequencies.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴의 구조를 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining a structure of an encasing stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.

본 출원의 발명자들은 다양한 형태의 공진 패턴을 연구 결과, 도 2(b)에 도시된 바와 같이 스텝형 임피던스 공진 패턴의 외곽을 둘러싸는 엔크로우징 스터브 패턴을 형성하면, 밴드-특정 응용들에 적용하여 2개의 상당히 가까운 중심 주파수들을 달성하는 것이 가능하고 전기적 길이를 적절히 변화시킴으로써 튜닝이 가능하게 될 수 있는 특징을 도출해 내었다.As a result of studying various types of resonance patterns, the inventors of the present application have found that when forming an encroaching stub pattern surrounding an outer periphery of a stepped impedance resonance pattern as shown in FIG. 2 (b) Thereby making it possible to achieve two fairly close center frequencies and to enable tuning by suitably varying the electrical length.

이에 따라 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴(10)은 밴드스톱 필터들의 설계 요구사항에 따라 스텝형 임피던스 공진 패턴이 제1 중심 주파수(ff)를 설정하는데 사용되며, 엔크로우징 스터브 패턴이 제2 중심 주파수(fs)와 매치하기 위해 적절한 길이로 디자인될 수 있다.Accordingly, the encroding stub stepped impedance resonance pattern 10 according to an embodiment of the present invention is used to set the first center frequency f f in accordance with the design requirements of the band-stop filters, And the enveloping stub pattern may be designed to have an appropriate length to match the second center frequency fs.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴(10)은 밴드스톱 필터들의 설계에서 주파수 선택의 범위를 선택적으로 적용할 수 있다.The encroding stub stepped impedance resonance pattern 10 according to an embodiment of the present invention can selectively apply a range of frequency selection in the design of band stop filters.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴(10)은 요구되는 필터 특성에서 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1차 필터의 입력 임피던스(Zin)를 얻기 위해서, 3개의 섹션들로 구분된다: The encroding stub stepped impedance resonance pattern 10 according to an embodiment of the present invention may be used to obtain the input impedance Z in of the first order filter in accordance with an embodiment of the present invention, The sections are divided into sections:

제1 섹션(11)은 제2 특성임피던스(Z2) 및 제2a 전기적 길이(θ2a)를 갖는 스터브로 구성된다.The first section 11 is composed of a stub having a second characteristic impedance Z 2 and a second electrical length? 2a .

제2 섹션(12)은 제2 특성임피던스(Z2) 및 제2b 전기적 길이(θ2b)를 갖는 스텝형 임피던스 공진 패턴 부분을 포함하는 평행 스터브(15)들로 구성되는데, 이는 특성임피던스(Z2) 및 제2c 전기적 길이(θ2c)를 갖는 엔크로우징 스터브(15)에 평행하다; The second section 12 is comprised of parallel stubs 15 comprising a stepped impedance resonance pattern portion having a second characteristic impedance Z 2 and a second electrical length 2b , 2 ) and a second electrical length ( 2c );

도 2(b)를 참조하면, 엔크로우징 스터브(15)는 제2 섹션(12)을 일변으로 하는 것을 포함하여 사각 폐회로 구조로 형성된다.Referring to FIG. 2 (b), the enclosing stub 15 is formed into a quadrangular closed circuit structure including the second section 12 as one side.

제3 섹션(13)은 도 2의 (c)에서 도시된 비와 같이 제1 특성임피던스(Z1) 및 제1 전기적 길이(θ1)를 가지며, 종래 일반적인 스텝형 임피던스 공진 패턴의 고임피던스 섹션과 유사한 특성을 가진다.The third section 13 has a first characteristic impedance Z 1 and a first electrical length θ 1 as shown in FIG. 2 (c), and has a high impedance section of a conventional stepped impedance resonance pattern .

이와 같은 구조는 제1 섹션(11) 및 제2 섹션(12)의 ABCD 매트릭스]를 캐스케이딩(cascading) 시키고, 그리고 종단에 제3 섹션인 고임피던스 섹션으로 접속시키는 것으로 전체 입력 임피던스를 평가할 수 있다.This structure can be used to evaluate the overall input impedance by cascading the ABCD matrices of the first section 11 and the second section 12 and connecting them to the high impedance section, have.

제1 섹션의 ABCD 매트릭스는 다음 식1과 같이 추론된다.The ABCD matrix of the first section is deduced as shown in Equation 1 below.

(식1)(Equation 1)

Figure 112016049919115-pat00001
Figure 112016049919115-pat00001

또한, 도 2의 (c)에서 제2 섹션의 어드미턴스 매트릭스(Yb)는 다음 식 2와 같이 얻어진다.In addition, the admittance matrix (Y b) of the second section in the (c) 2 is obtained as the following expression (2).

(식2)(Equation 2)

Figure 112016049919115-pat00002
Figure 112016049919115-pat00002

제1 섹션 및 제 2 섹션을 캐스케이딩(cascading)한 후, 얻어진 ABCD 파라미터들은 다음 식3으로 주어진다.After cascading the first section and the second section, the ABCD parameters obtained are given by Equation 3 below.

(식3)(Equation 3)

Figure 112016049919115-pat00003
Figure 112016049919115-pat00003

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴(10)의 전체 입력 임피던스(Zin)는 다음 식 4와 같이 나타낼 수 있다.The total input impedance Z in of the encroding stub stepped impedance resonance pattern 10 according to an embodiment of the present invention can be expressed by Equation 4 below.

(식 4)(Equation 4)

Figure 112016049919115-pat00004
Figure 112016049919115-pat00004

공명 조건에서는, Zin= 0 가 되어 다음 식 5와 같이 나타낼 수 있다.In the resonance condition, Z in = 0 and can be expressed by the following Equation 5.

(식5)(Equation 5)

Figure 112016049919115-pat00005
Figure 112016049919115-pat00005

여기서, Rz은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴(10)에서 고임피던스 섹션에 대한 낮은 임피던스 섹션의 임피던스 비율을 나타낸다.Where Rz represents the impedance ratio of the low impedance section to the high impedance section in the encroaching stub stepped impedance resonance pattern 10 according to one embodiment of the present invention.

또한, 상기 공명 조건은 다음 식 6에 의해 주어지는 바와 같이 도 2(d)에 나타낸 합성 직렬 LC 공명기들은, 입력 임피던스 Zin으로 정의되는 듀얼-밴드 공명 주파수인 ωf 및 ωs의 특성과 매치될 수 있다.Further, the resonance conditions can be matched with the characteristics of? F and? S , which are the dual-band resonance frequencies defined by the input impedance Z in , as given by Equation 6 below. .

(식6)(Equation 6)

Figure 112016049919115-pat00006
Figure 112016049919115-pat00006

이상 앞에서 설명된 분석에 기초하여, 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼대역 밴드스톱 필터는 다음 (i), (ii) 단계로 디자인될 수 있다.Based on the above-described analysis, a dual-band band-stop filter using an encrouged stub stepped impedance resonator can be designed in the following steps (i) and (ii).

(i) 제1 중심 주파수(4.6 GHz)를 얻기 위한 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴을 형성한다. (i) Form a first helical stepped impedance resonance pattern to obtain a first center frequency (4.6 GHz).

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 나선 스텝형 공진 패턴을 도시한 것이다.FIG. 3 illustrates a first helical stepped resonance pattern according to an embodiment of the present invention.

도 3의 제1 나선 스텝형 공진 패턴에서는 엔크로우징 스터브의 전기적 길이 θ2c에 의한 둘러싸는 효과를 무시할 수 있으므로, 식 5는 다음과 같이 식 7로 수정되는 공진조건을 얻어질 수 있다.In the first helical stepped resonance pattern shown in Fig. 3, the surrounding effect due to the electrical length &thetas; 2c of the encroding stub can be neglected.

(식 7)(Equation 7)

Figure 112016049919115-pat00007
Figure 112016049919115-pat00007

도 3의 제1 나선 스텝형 공진 패턴에서, Z1= 131.1Ω, θ1= 100.65°, Z2= 112.83Ω 및 θ2= θ2a± θ2b= 14.71°를 나타낸다.The first screw in the step-shaped resonator pattern in Fig. 3, Z1 = 131.1Ω, θ 1 = 100.65 °, Z 2 = 112.83Ω and θ 2 = θ 2a ± θ 2b = represents a 14.71 °.

또한, 도 3의 스텝형 임피던스 공진 패턴의 물질적 수치는 l1= 1.9mm, l2= 4.1 mm, w1= 0.3 mm, w2= g1= 0.2 mm이다.The material numerical values of the stepped impedance resonance pattern in Fig. 3 are l 1 = 1.9 mm, l 2 = 4.1 mm, w 1 = 0.3 mm, and w 2 = g 1 = 0.2 mm.

(ii) 제2 단계에서, Z2= 112.83Ω 및 θ2c = 95.23°를 가진 엔크로우징 스터브(35)가 도 4에 도시된 바와 같이 도 3의 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴에 추가된다.(ii) In the second step, the encroaching stub 35 with Z 2 = 112.83? and? 2c = 95.23 is added to the first helical stepped impedance resonance pattern of FIG. 3 as shown in FIG. 4 .

즉, 본 발명의 일 실시 예에서는 6.6 GHz에서 제2 중심 주파수를 얻기 위해 식 5를 만족하는 공진조건을 위하여 엔크로우징 스터브(35)를 도 3의 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴(20)에 추가하여 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴을 형성한다.That is, in order to obtain the second center frequency at 6.6 GHz, the encroaching stub 35 is applied to the first helical stepped impedance resonance pattern 20 of FIG. To form an ingrowing stub stepped impedance resonance pattern.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴을 도시한 것이다.4 illustrates an encroding stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴의 물리적 크기는 L1= 3.2mm, L2= 5.1mm, W1= 0.3mm, W2= G1= 0.2mm이다.4, the physical size of the encasing stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention is L 1 = 3.2 mm, L 2 = 5.1 mm, W 1 = 0.3 mm, W 2 = G 1 = 0.2 mm.

제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴(20)의 물리적 길이는 가이드된 파장(λg)의 0.04 및 0.29 배인데, 각각 총 전기적 길이(θ2a+ θ2b)를 가진 Z2와 총 전기적 길이(θ1)를 가진 Z1에 대해서, λg는 4.6 GHz의 시뮬레이션된 제1 중심 주파수로 평가된다.The physical length of the first helical stepped impedance resonance pattern 20 is 0.04 and 0.29 times of the guided wavelength λ g and is expressed by Z 2 having the total electrical length θ 2a + θ 2b and the total electrical length θ for Z 1 with 1), λ g is evaluated in the simulation of the 4.6 GHz first center frequency.

또한, 제2c 전기적 길이(θ2c)를 가지는 엔크로우징 스터브(35)의 물리적 길이는 0.28λg로 형성된다.Further, the physical length of the encroaching stub 35 having the second electrical length 2c is formed to be 0.28? G.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 나선 스텝형 공진 패턴과 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴에 대한 S21-파라미터 응답을 도시한 것이다.FIG. 5 illustrates S 21 -parameter responses for a first helical stepped resonance pattern and an encasing stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, red색 그래프는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 나선 스텝형 공진 패턴에 대한 S21파라미터 응답을 나타내고, black 색 그래프는 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴에 대한 S21파라미터 응답을 도시한 것이다Referring to FIG. 5, the red color graph represents the S 21 parameter response to the first helical stepped resonance pattern according to an embodiment of the present invention, and the black color graph represents the enveloping stub Lt; RTI ID = 0.0 > S21 < / RTI > parameter response to a stepped impedance resonance pattern

도 5를 참조하면, 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴에서, 엔크로우징 스터브가 추가된 것에 대하여 ff에 주는 영향은 적었지만, fs는 엔크로우징 스터브에 의해 매우 영향을 받아서 ff를 향해서 4.45 GHz 시프트된 것으로 분석된다.Referring to Fig. 5, in the encroving stub stepped impedance resonance pattern, the effect of adding the encrouging stub to f f is small, but f s is highly influenced by the encrouging stub so that f f To 4.45 GHz.

표 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 나선 스텝형 공진 패턴과 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴에 대한 특성을 나타낸 것이다.Table 1 shows characteristics of a first helical stepped resonance pattern and an encasing stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.

ParametersParameters 제1 나선 스텝형 공진 패턴The first helical step type resonance pattern 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴Enclosing Stub Stepped Impedance Resonance Pattern Center frequencies (ff, fs) (GHz)Center frequencies (ff, fs) (GHz) 4.6, 11.054.6, 11.05 4.65, 6.64.65, 6.6 3 dB FBW(fractional bandwidth) (%)3 dB fractional bandwidth (FBW) (%) 19.66, 9.519.66, 9.5 27.21, 23.5227.21, 23.52 Return loss (dB)Return loss (dB) 0.07, 0.130.07, 0.13 0.05, 0.050.05, 0.05 Rejection level of 30 dBRejection level of 30 dB 29.43, 29.629.43, 29.6 30.24, 32.3530.24, 32.35

도 5 및 표 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴에서, 2개의 중심 주파수들이 제1 나선 스텝형 공진 패턴에 비교하여 엔크로우징 스터브를 추가하는 것에 의하여 매우 가깝게 달성되었다. 5 and Table 1, in the enclosing stub stepped impedance resonance pattern according to the embodiment of the present invention, two center frequencies are added to the first helical stepped resonance pattern in addition to the encroaching stub It was achieved very close by.

그 외에, 밴드폭, 리턴손실 및 양쪽 저지 대역의 거절 레벨에 대한 특성들이 엔크로우징 스터브를 채용함으로써 개선되었다.In addition, the characteristics of the bandwidth, return loss and rejection level of both stop bands have been improved by employing the encroaching stub.

Li= (1/ωig1Δi) 및 Ci= (g1Δii)에 의해 주어지는 스톱밴드 주파수 매핑의 저역통과(lowpass) 특성은, 듀얼-밴드 공진 주파수 ωf 및 ωs 그리고 표 1의 관련 비대역폭으로부터 LC 요소 값들을 얻기 위해 적용될 수 있다.The lowpass characteristic of the stop band frequency mapping given by L i = (1 / ω i g 1 Δi) and C i = (g 1 Δ i / ω i ) is the dual-band resonance frequency ω f And? S And can be applied to obtain LC element values from the associated non-bandwidth of Table 1.

이를 적용하여 산출된 제1 나선 스텝형 공진 패턴의 LC 요소 값들은 Lf= 4.4 nH, Cf= 0.30pF, Ls= 3.79 nH 및 Cs= 0.04pF 이며, 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴의 LC 요소 값들은 Lf= 3.15 nH, Cf= 0.34pF, Ls= 2.57 nH 및 Cs= 0.24 pF 이다.The LC element values of the first helical stepped resonance pattern calculated using this are L f = 4.4 nH, C f = 0.30 pF, L s = 3.79 nH, and C s = 0.04 pF, and the encrouged stub stepped resonance The LC element values of the pattern are L f = 3.15 nH, C f = 0.34 pF, L s = 2.57 nH and C s = 0.24 pF.

얻어진 LC 값들은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진패턴에서 추가된 엔크로우징 스터브의 특징에서 그 중요성을 나타낸다.The obtained LC values indicate their importance in the feature of the enclosing stub added in the encasing stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.

제1 나선 스텝형 공진 패턴으로부터, 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진패턴을 보면, 거의 동일한 비율로 양쪽 공진 조건에서의 인덕턴스의 감소는, 엔크로우징 스터브가 제1 나선 스텝형 공진 패턴에 의해 부과되는 인덕턴스에 평행하게 작용하는 주요한 인덕턴스 효과를 갖는다.From the first helical stepped resonance pattern, the encroaching stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention shows that the reduction of the inductance at both resonance conditions at approximately the same rate is due to the fact that the enclosing stub is the first And has a principal inductance effect acting in parallel to the inductance imposed by the helical stepped resonance pattern.

그 결과, 양 스톱밴드의 대역폭은 증가한다. 역으로, 제1 나선 스텝형 공진 패턴으로부터 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진패턴을 보면, 제2 공진 조건하에 캐패시턴스의 증가(그 값이 제1 공진 조건에서 거의 상수로 남았지만)는, 엔크로우징 스터브의 캐패시티브 효과가 11.05에서 6.6 GHz까지 제2 중심 주파수가 시프트되도록, 제1 나선 스텝형 공진 패턴에 의해 부과된 캐패시턴스에 평행하게 작용하는 것을 나타낸다.As a result, the bandwidth of both stop bands increases. Conversely, from the first helical stepped resonance pattern, the encroding stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention shows an increase in capacitance under a second resonance condition (whose value is almost constant in the first resonance condition Shows that the capacitive effect of the encroding stub acts in parallel with the capacitance imposed by the first helical stepped resonance pattern such that the second center frequency is shifted from 11.05 to 6.6 GHz.

도 6, 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진패턴에서 두 중심 주파수에 대한 전류분포를 나타낸 것이다.FIGS. 6 and 7 illustrate current distributions with respect to two center frequencies in an encroding stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진패턴에서 제1 중심 주파수 4.65 GHz에 대한 전류 분포를 나타낸 것이다.FIG. 6 is a graph illustrating a current distribution with respect to a first center frequency of 4.65 GHz in an encasing stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진패턴에서 제2 중심 주파수 6.6 GHz에 대한 전류 분포를 나타낸 것이다7 is a graph showing a current distribution with respect to a second center frequency of 6.6 GHz in an encroding stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention

도 6, 7을 참조하면, 2개의 중심주파수에서의 전류밀도 프로파일로부터 제2 중심 주파수에서의 시프트 효과가 있음이 입증될 수 있다.Referring to Figures 6 and 7, it can be shown that there is a shift effect at the second center frequency from the current density profile at two center frequencies.

도 6을 참조하면, 4.65 GHz의 제1 중심 주파수에서, 거의 모든 전류는 엔크로우징 스터브에 집중된다. 엔크로우징 스터브는 도 6에서 나타난 바와 같이 가상의 접지회로로서 작용한다.Referring to FIG. 6, at a first center frequency of 4.65 GHz, almost all current is concentrated in the encroaching stub. The en crowding stub acts as a virtual ground circuit as shown in Fig.

반면에 도 7을 참조하면, 6.6 GHz의 제2 중심 주파수에서, 엔크로우징 스터브는 전류의 일부가 엔크로우징 스터브를 통해 흐르도록 필드 분포에 공헌한다. On the other hand, referring to FIG. 7, at the second center frequency of 6.6 GHz, the enroding stub contributes to the field distribution such that a portion of the current flows through the encroaching stub.

그 결과, 제2 중심 주파수는 캐패시티브 효과 덕분에 제1 중심 주파수 쪽으로 시프트된다.As a result, the second center frequency is shifted toward the first center frequency due to the capacitive effect.

도 8, 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진패턴의 전기적 길이에 대한 튜닝 특성을 도시한 것이다.FIGS. 8 and 9 illustrate tuning characteristics of an electrical length of an encroding stub stepped impedance resonance pattern according to an embodiment of the present invention.

도 8, 9로부터, 가변된 전기적 길이 비(θ01)(여기서 θ0= (θ2b+ θ2c)/2 를 의미함)에 대하여 2개의 중심 주파수들의 패턴을 알 수 있다.From FIGS. 8 and 9, it is possible to know the pattern of two center frequencies with respect to the variable electrical length ratio (? 0 /? 1 ) (here? 0 = (? 2b +? 2c ) / 2).

도 8은 θ0 및 θ1을 비례적으로 변화시켰을 때의 주파수 변화를 나타낸 것이다.Fig. 8 shows a frequency change when? 0 and? 1 are changed proportionally.

도 9는 θ1은 고정된 상태에서, θ0를 증가시켰을 때의 주파수 변화를 나타낸 것이다.9 shows a frequency change when? 0 is increased in a state where? 1 is fixed.

도 8을 참조하면, 양 θ0 및 θ1를 비례적으로 변화시켰을 경우, 전기적 길이비가 1보다 큰 것에 대해서 ff는 4.5 에서 6.3 GHz로, fs는 6.45에서 8.45 GHz로 양 중심 주파수들이 현저하게 커지는 것으로 나타난다.Referring to FIG. 8, when the amounts 0 0 and? 1 are changed proportionally, f f is 4.5 to 6.3 GHz, and f s is 6.45 to 8.45 GHz, .

그러나 전기적 길이비가 1보다 적은 것에 대해서는 ff는 4.4 에서 3.8 GHz로 그리고 fs는 6.35에서 5.75 GHz로 양 중심 주파수들이 감소를 보여준다.However, for electrical length ratios less than 1, f f shows a decrease in both center frequencies from 4.4 to 3.8 GHz and f s from 6.35 to 5.75 GHz.

각 경우에, 2개의 중심 주파수들 간에서는 대략 2GHz의 거의 상수 주파수 갭이 존재한다.In each case, there is an almost constant frequency gap of approximately 2 GHz between the two center frequencies.

도 9를 참조하면, θ1이 0.29λg로 고정된 상태에서, θ0이 증가되면, 중심 주파수들의 감소라는 결과로 나타난다.Referring to FIG. 9, when θ 1 is increased to 0.29 λ g , θ 0 increases, resulting in a decrease in center frequencies.

도 9를 참조하면, ff는 4.65 에서 4.35 GHz로 약간 시프트한다. 그러나 도 9에 도시된바 같이 엔크로우징 스터브는 ff 보다 fs에 더욱 영향을 주기 때문에 fs는 6.6 에서 5.45 GHz로 더욱 의미있게 시프트하는 것으로 분석된다.Referring to FIG. 9, f f slightly shifts from 4.65 to 4.35 GHz. However, as it can further influence the f s, as shown crow bar yen ranging stub than in Fig. 9 f f f s is analyzed by more meaningful shift in the 6.6 to 5.45 GHz.

도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따라 제조된 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터의 구조를 도시한 것이다.10 illustrates a structure of a dual wideband band-stop filter using an encoupling stub stepped impedance resonator manufactured according to an embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝식 임피던스 공진기를 이용한 광대역 스톱밴드 필터(100)는, 마이크로스트립 전송선로(101)에서 수직방향으로 제1 길이(l1)로 형성되는 제1 수직라인 스터브(l1);와 상기 제1 수직라인 스터브(l1)의 종단으로부터 상기 마이크로스트립 전송선로(101)와 수평방향으로 제2 길이(l2)로 형성되는 제1 수평라인 스터브로부터 절곡되어 나선형으로 형성되는 제1 나선형 스터브(111); 를 포함하는 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴; 및 상기 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴의 제1 나선형 스터브의 외부를 제1 갭 간격(G1)을 가지고 사각 루프로 둘러싸는 엔크로우징 스터브(105); 를 포함하여 형성되는 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기(110); 와10, a broadband stop band filter 100 using an encasing stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention includes a microstrip transmission line 101 having a first length l 1 formed by the first vertical line stub (l 1), the microstrip transmission line 101 and a second length in the horizontal direction (l 2) from the end of the;) a first vertical line stub (l 1) is formed of a A first helical stub 111 bent from the first horizontal line stub and formed in a spiral shape; A first helical stepped impedance resonance pattern including a first helical stepped impedance resonance pattern; And an enclosing stub 105 enclosing the outside of the first helical stub of the first helical stepped impedance resonance pattern with a first gap interval G 1 and a rectangular loop; A first encoupling stub stepped impedance resonator (110) formed to include a first stub stepped impedance resonator; Wow

상기 마이크로스트립 전송선로(101) 상에 형성되되 상기 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기와 제2 갭(G2) 간격을 두고 선대칭이 되도록 형성되는 제2 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기(120)를 포함하는 것을 특징으로 한다.A second encoupling stub stepped impedance resonator 120 formed on the microstrip transmission line 101 and formed to have a line symmetry with a gap of a second gap G2 from the first encoupling stub stepped impedance resonator 120 ).

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝식 임피던스 공진기를 이용한 광대역 스톱밴드 필터(100)에 포함되는 제1 나선형 스터브(101)는 제2 길이로 형성되는 제1 수평 스터브 라인(l2)으로부터 4회 절곡되어 나선형으로 형성된다.The first spiral stub 101 included in the wide band stop band filter 100 using the encroding stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention includes the first horizontal stub line l 2 And is formed into a spiral shape.

본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기(110)의 외형 크기 치수는 도 3, 4의 대응되는 공진 패턴들과 동일하다.The external size dimensions of the first encroaching stub stepped impedance resonator 110 according to an embodiment of the present invention are the same as the corresponding resonant patterns of Figs.

도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)의 치수는 l1= 1.9mm, l2= 4.1 mm, L1= 3.2mm, L2= 5.1mm, w1= 0.3 mm, w2= G1= 0.2 mm, G2= 0.9 mm이다.10, the dimensions of the dual wideband band-stop filter 100 using an encasing stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention are l 1 = 1.9 mm, l 2 = 4.1 mm, L 1 = 3.2 mm, L 2 = 5.1 mm, w 1 = 0.3 mm, w 2 = G 1 = 0.2 mm, and G 2 = 0.9 mm.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 각 치수는 약 5%의 제조 오차를 가질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, each dimension may have a manufacturing error of about 5%.

도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터에서 두 공진기 사이의 갭의 변화에 따른 전송영점의 위치변화를 그래프로 도시한 것이다.FIG. 11 is a graph illustrating a change in position of a transmission zero according to a change in gap between two resonators in a dual wideband bandstop filter using an encroding stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 두 공진기 사이의 갭인 G2의 값을 최소갭으로 선택하면 시뮬레이션 동안 2개의 스톱밴드(stop band) 간의 통과대역에서 근접한 위치에 2개의 전송 극들이 발생하는 특징으로 가진다. Referring to FIG. 11, when the value of G 2 , which is the gap between two resonators, is selected as the minimum gap, two transmission poles are generated at positions close to each other in the pass band between two stop bands during the simulation.

도 11을 참조하면, G2의 값을 작게 하면, 두 전송영점이 발생하는 위치 간격이 커지고 G2의 값을 크게 하면 두 전송영점이 발생하는 위치 간격이 적게 된다.Referring to FIG. 11, if the value of G2 is made small, the position interval where two transmission zeroes are generated becomes large. If the value of G2 is large, the position interval where two transmission zeroes occur is small.

이러한 특징은 2개의 동일한 공진기 구조들 간의 커플링 효과가 G2의 보다 작은 값에서 더욱 두드러지고 스톱밴드(stop band) 영역에서 추가 전송영점을 발생하게 된다.This feature is such that the coupling effect between two identical resonator structures becomes more pronounced at smaller values of G 2 and generates an additional transmission zero in the stop band region.

또한, 제1 스톱밴드의 대역폭은 상수로 남아 있는데 반하여, 제2 스톱밴드의 경우에는 약간 감소한다. In addition, the bandwidth of the first stop band remains constant, while it decreases slightly in the case of the second stop band.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)는 유전 상수(εr)가 2.52, 두께(h)가 0.504 mm, 손실 탄젠트가 0.002인 테플론 기판(161) 상에 제조된다.The dual wideband bandstop filter 100 using the encasing stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention has a dielectric constant? R of 2.52, a thickness h of 0.504 mm, a loss tangent of 0.002, And is fabricated on the substrate 161.

도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)의 S 파라미터 응답 특성을 도시한 것이다.12 illustrates S-parameter response characteristics of a dual wideband band-stop filter 100 using an encasing stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention.

Parameters
Parameters
특성 값Property value
Center frequencies (ff, fs)
Center frequencies (ff, fs)
4.70(±0.05), 6.64(±0.05) [GHs]4.70 (± 0.05), 6.64 (± 0.05) [GHs]
3 dB FBW(fractional bandwidth)
3 dB fractional bandwidth (FBW)
31.02(±1.50), 23,93(±1.50) [%]31.02 (± 1.50), 23.93 (± 1.50) [%]
Return loss
Return loss
0.05~0.75, 0.05~0.81[dB]0.05 to 0.75, 0.05 to 0.81 [dB]
Rejection level of 30 dB
Rejection level of 30 dB
35.1(±5.00), 28.68(±5.00) [dB]35.1 (± 5.00), 28.68 (± 5.00) [dB]

표 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)의 특성 값들을 나타낸 것이다.Table 2 shows the characteristic values of the dual wide bandstop filter 100 using the encroding stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention.

도 12 및 표2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)의 중심 주파수들은 각각 0.05~0.75 및 0.05~0.81 dB의 리턴 손실을 가진 4.70(±0.05)GHz 및 6.64(±0.05)GHz에서 측정된다.12 and Table 2, the center frequencies of the dual wideband band-stop filter 100 using the encroaching stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention are 0.05 to 0.75 and 0.05 to 0.81 dB (± 0.05) GHz and 6.64 (± 0.05) GHz, respectively, with loss.

각 비대역폭들은 3dB 삽입 손실에서 31.02(±1.50) 및 23,93(±1.50)GHz인 것으로 나타난다.Each non-bandwidth is shown to be 31.02 (± 1.50) and 23,93 (± 1.50) GHz at 3 dB insertion loss.

도 12를 참조하면, 2개의 광대역 스톱밴드들 간에는, 5.5GHz 중심 주파수에서 삽입손실이 1.04 dB이고 리턴손실이 32.42dB이며 5.23GHz에서 5.86GHz로 연장되어 있는 통과대역으로 나타난다.Referring to FIG. 12, there is a pass band between the two wideband stop bands, where the insertion loss is 1.04 dB at a center frequency of 5.5 GHz, the return loss is 32.42 dB, and the frequency band extends from 5.23 GHz to 5.86 GHz.

또한, 2개의 아웃-어브-밴드 거절들이, 각각 3.33 및 7.65GHz에서 29.63 및 26.7dB의 리턴손실을 갖는 제1 및 제2 스톱밴드들의 왼쪽 및 오른쪽 사이드 상에서 관찰된다. Also, two out-of-band rejections are observed on the left and right sides of the first and second stop bands with return losses of 29.63 and 26.7 dB at 3.33 and 7.65 GHz, respectively.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)의 총 크기는, 0.38(±0.019)λg× 0.07(±0.0035)λg에 상응하며, 17(±0.85) mm × 3.2(±0.16)mm이다.The total size of the dual wideband bandstop filter 100 using the encroaching stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention corresponds to 0.38 (± 0.019) λ g × 0.07 (± 0.0035) λ g , 17 (± 0.85) mm × 3.2 (± 0.16) mm.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)는 하나의 전송제로점을 가지는 종래 밴드 스톱 필터에 비하여 각 스톱밴드에서 2개의 전송염점(TZs)을 가지는 것을 특징으로 한다.The dual wideband bandstop filter 100 using the encroding stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention has two transmission end points TZs (tZs) in each stop band as compared with the conventional bandstop filter having one transmission zero point, ).

또한, 두 개의 중심 주파수에서 각각 35.1 ~ 40.02, 26.23 ~ 28.68dB의 거절 레벨을 가지면서, 0.38(±0.019)λg× 0.07(±0.0035)λg 의 소형크기를 가지는 것을 특징으로 한다.Also, it has a small size of 0.38 (± 0.019) λ g × 0.07 (± 0.0035) λ g while having reject levels of 35.1 to 40.02 and 26.23 to 28.68 dB at two center frequencies, respectively.

즉, 동급의 종래 밴드 스톱 필터에 비하여 큰 거절 레벨을 가지면서 더욱 소형의 크기로 제조될 수 있는 효과를 가진다.That is, the filter has a larger rejection level and a smaller size than the conventional band-stop filter of the same class.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)는, 각 스톱밴드에서 2개의 전송영점을 갖는 4.7(±0.05)/6.64(±0.05)GHz 듀얼대역 밴드스톱 필터가 제공된다.The dual wideband bandstop filter 100 using the encroaching stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention has a band gap of 4.7 (± 0.05) /6.64 (± 0.05) GHz with two transmission zeros in each stop band A dual-band band-stop filter is provided.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)는, 엔크로우징 스터브 내부에 나선 스텝형 임피던스 공진기를 채택함으로써, 인접하여 듀얼대역 밴드스톱 필터의 중심 주파수들을 얻는 것이 가능하고 또한 넓은 스톱밴드들을 발생시킬 수 있는 효과를 가진다.The dual wideband bandstop filter 100 using the encroding stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention adopts a spiral stepped impedance resonator in the encroaching stub, It is possible to obtain the center frequencies of the center frequency bands and to generate wide stop bands.

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)는, C-밴드 응용들에서 효과적으로 구현될 수 있는 0.38λg× 0.07λg의 소형크기로 제조된다.Crow yen ranging stub stepped impedance resonator dual broadband band-stop filter 100 using, in accordance with an embodiment of the present invention, a small amount of 0.38λ g × 0.07λ g that can be efficiently implemented in the C- band application .

본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)에서, 각 스톱밴드 별 2개의 중심 주파수에 대한 비례적인 튜닝은, 내부에 형성된 제1 나선 스텝형 임피던스 공진기의 고임피던스 섹션과 상기 제1 나선 스텝형 임피던스 공진기를 둘러싸는 엔크로우징 스터브(enclosing stub)의 전기적 길이를 비례적으로 변화시킴으로써 달성될 수 있다.In the dual wideband bandstop filter 100 using the encroaching stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention, the proportional tuning to two center frequencies for each stop band is performed by a first helical step Type impedance resonator and the electrical length of the enclosing stub that surrounds the first helical stepped impedance resonator can be achieved by proportionally varying the electrical length of the enclosing stub surrounding the first helical stepped impedance resonator.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터(100)에서 제2차 중심 주파수는 엔크로우징 스터브(enclosing stub)의 전기적 길이만을 변화시킴으로써 독립적으로 튜닝될 수 있다.In the dual broadband band-stop filter 100 using the encroding stub stepped impedance resonator according to an embodiment of the present invention, the second-order center frequency is changed by changing only the electrical length of the enclosing stub, / RTI >

10: 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진 패턴
15, 35, 105: 엔크로우징 스터브
20: 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴
100: 엔크로우징 스터브 스텝식 임피던스 공진기를 이용한 광대역 스톱밴드 필터
101: 마이크로스트립 전송선로
111: 제1 나선형 스터브
110: 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기
120: 제2 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기
161: 기판
10: Enclosing stub Stepped impedance Resonance pattern
15, 35, 105: Enclosing stub
20: 1st helical stepped impedance resonance pattern
100: Enclosure stub stepped impedance bandpass filter using wideband
101: Microstrip transmission line
111: 1st helical stub
110: 1st Enclosure Stub Stepped Impedance Resonator
120: Part 2 Crowing Stub Stepped Impedance Resonator
161: substrate

Claims (10)

듀얼 광대역 밴드스톱 필터에 있어서,
상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는,
마이크로스트립 전송선로 상에 형성되는 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기; 와 상기 마이크로스트립 전송선로 상에 형성되되, 상기 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기와 제2 갭 간격을 두고 선대칭이 되도록 형성되는 제2 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 포함하되,
상기 제1 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기는,
상기 마이크로스트립 전송선로에서 수직방향으로 제1 길이로 형성되는 제1 수직라인 스터브와 상기 제1 수직라인 스터브의 종단으로부터 상기 마이크로스트립 전송선로와 수평방향으로 제2 길이로 형성되는 제1 수평라인 스터브로부터 절곡되어 나선형으로 형성되는 제1 나선형 스터브를 포함하는 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴; 및
상기 제1 나선 스텝형 임피던스 공진 패턴의 제1 나선형 스터브의 외부를 제1 갭 간격을 가지고 사각 루프로 둘러싸는 엔크로우징 스터브; 를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터
In a dual broadband band-stop filter,
The dual-band band-stop filter comprises:
A first encoupling stub stepped impedance resonator formed on the microstrip transmission line; And a second encoupling stub stepped impedance resonator formed on the microstrip transmission line and formed to have a line symmetry with a second gap interval between the first encoupling stub stepped impedance resonator and the second encoupling stub stepped impedance resonator,
The first enveloping stub stepped impedance resonator may include:
A first vertical line stub formed in the microstrip transmission line with a first length in the vertical direction and a first horizontal line stub formed in a second length in the horizontal direction from the end of the first vertical line stub, A first helical stepped impedance resonance pattern including a first helical stub formed in a spiral shape; And
An enclosing stub surrounding the first spiral stub of the first spiral stepped impedance resonance pattern with a square loop having a first gap interval; And a second wideband bandstop filter using an encod- ing stub stepped impedance resonator.
제1항에 있어서,
상기 제1 나선형 스터브는 4회 절곡되어 나선형을 형성하는 것을 특징으로 하는 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터
The method according to claim 1,
Wherein the first spiral stub is bent four times to form a spiral. A dual wideband band-stop filter using an encroding stub stepped impedance resonator
제1항에 있어서,
상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는 2개의 스톱밴드를 가지며 각 스톱밴드마다 2개의 전송영점이 형성되는 것을 특징으로 하는 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터
The method according to claim 1,
Wherein the dual wideband bandstop filter has two stop bands and two transmission zeros are formed for each stop band. The dual wideband bandstop filter using the encroaching stub stepped impedance resonator
제3항에 있어서,
상기 제2 갭 간격의 크기를 작게 하면, 상기 2개의 전송영점이 발생하는 위치 간격이 커지는 것을 특징으로 하는 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터
The method of claim 3,
And the second gap distance is set to be smaller, a position interval at which the two transmission zeroes are generated becomes larger. [Claim 6] The dual band band-stop filter using an encording stub stepped impedance resonator
제1항에 있어서,
상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는 2개의 중심 주파수를 가지며,
상기 제1 나선 스텝형 임피던스 공진기의 고임피던스 섹션과 상기 엔크로우징 스터브의 전기적 길이를 비례적으로 변화시켜서 상기 2개의 중심 주파수에 대한 비례적인 튜닝 제어를 하는 것을 특징으로 하는 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터
The method according to claim 1,
Wherein the dual broadband band-stop filter has two center frequencies,
And the proportional tuning control is performed on the two center frequencies by proportionally changing the high impedance section of the first helical stepped impedance resonator and the electrical length of the encroaching stub. Dual Wideband Bandstop Filter Using Impedance Resonator
제1항에 있어서,
상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는 2개의 중심 주파수를 가지며,
상기 2개의 중심주파수 중 제2차 중심주파수는 상기 엔크로우징 스터브의 전기적 길이만을 변화시켜서 튜닝 제어를 하는 것을 특징으로 하는 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터
The method according to claim 1,
Wherein the dual broadband band-stop filter has two center frequencies,
And the second center frequency of the two center frequencies is tuned by changing only the electrical length of the enclosing stub. The dual broadband band-stop filter using the encod- ing stub stepped impedance resonator
제1항에 있어서
상기 제1 수직라인 스터브는 1.9(±5%)mm, 상기 수평라인 스터브는 4.1(±5%)mm 상기 엔크로우징 스터브의 수평 길이는 5.1(±5%) mm, 상기 제1 갭 간격은 0.2(±5%) mm, 상기 제2 갭 간격은 0.9 (±5%) mm인 것을 특징으로 하는 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터
The method of claim 1, wherein
Wherein the first vertical strip stub is 1.9 (+/- 5%) mm, the horizontal line stub is 4.1 (+/- 5%) mm, the horizontal length of the enrobing stub is 5.1 (+/- 5%) mm, And the second gap interval is 0.9 (+/- 5%) mm. A dual wideband bandstop filter using an encasing stub stepped impedance resonator,
제1항에 있어서,
상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는 2개의 중심 주파수를 가지며,
상기 2개의 중심 주파수는 각각 4.70(±0.05), 6.64(±0.05)GHs 인 것을 특징으로 하는 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터
The method according to claim 1,
Wherein the dual broadband band-stop filter has two center frequencies,
Wherein the two center frequencies are 4.70 (± 0.05) and 6.64 (± 0.05) GHs, respectively. The dual wideband bandstop filter using the encroaching stub stepped impedance resonator
제1항에 있어서,
상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는, 17(±0.85)mm × 3.2(±0.16)mm의 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터
The method according to claim 1,
Wherein the dual wideband bandstop filter is formed in a size of 17 (± 0.85) mm × 3.2 (± 0.16) mm. The dual wideband bandstop filter using the encroaching stub stepped impedance resonator
제8항에 있어서,
상기 듀얼 광대역 밴드스톱 필터는 두 개의 중심 주파수에서 각각 35.1 ~ 40.02, 26.23 ~ 28.68dB의 거절 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 엔크로우징 스터브 스텝형 임피던스 공진기를 이용한 듀얼 광대역 밴드스톱 필터
9. The method of claim 8,
Wherein the dual wideband bandstop filter has rejection levels of 35.1 to 40.02 and 26.23 to 28.68 dB at two center frequencies, respectively. The dual broadband bandstop filter using the encroaching stub stepped impedance resonator
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