KR101736364B1 - 반사판을 포함하는 무전극 조명장치 - Google Patents

반사판을 포함하는 무전극 조명장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 무전극 조명장치는, 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 생성시키는 반도체전력증폭기(SSPA: Solid State Power Amplifier), 소정의 주파수를 갖는 마이크로파가 공진기 외부로 방출되는 것을 차폐하는 차폐 구조를 가지는 공진기, 상기 반도체전력증폭기와 상기 공진기를 연결시켜주는 커넥터. 상기 반도체전력증폭기에서 생성되는 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 상기 공진기로 방출하는 안테나, 상기 공진기 내부에 배치되고, 상기 소정의 주파수를 갖는 마이크로파에 의해, 여기되어 발광하는 발광물질을 구비하는 벌브 및 상기 벌브를 지지하는 지지대를 포함하여 구성되고, 상기 안테나는, 상기 커넥터를 통해 상기 공진기 내부로 유입된 도체일 수 있다.

Description

반사판을 포함하는 무전극 조명장치 {ELECTRODELESS LIGHTING SYSTEM INCLUDING REFLECTOR}
본 발명은 무전극 조명장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 마이크로파 반사판과 빛 반사판을 통합하여 구성하고, 마이크로파를 안테나를 통해 직접 공진기 내부에 방출하여, 공진시키는 무전극 조명장치에 관한 것이다.
일반적으로 무전극 조명장치는 마그네트론과 같은 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생부에서 발생되는 마이크로파 에너지가 도파관을 통해 공진기에 전달되고, 공진기의 내부에 구비된 무전극 전구의 충전물질을 여기시키며, 이 과정에서 무전극 전구의 충전가스가 플라즈마 상태로 변환되고, 봉입된 물질의 여기로 인하여 빛이 발생되는 장치이다.
무전극 조명장치는 전구의 내부에 전극이나 필라멘트가 없는 무전극 전구로 수명이 매우 길거나 반영구적이며, 아울러 무전극전구의 내부에 충전된 충전물질이 플라즈마화 되면서 발광하게 되어 자연광과 같은 빛을 발광시키게 된다.
또한, 무전극 조명장치는 높은 광량과 광속유지율을 통해 에너지 및 유지 비용을 절감하며, 무전극광원을 사용함으로써 수명, 효율, 연색성 등이 높고, 수은을 사용하지 않아 환경과 인체에 해롭지 않은 최첨단 조명시스템이라고 할 수 있다.
이러한 장점으로 인해 무전극 조명장치는, 최근 축구장, 골프장, 야구장 등 다양한 스포츠 조명 시장에서 각광을 받고 있다. 또한 광범위한 광원 특성으로 식물 재배 등의 영역으로도 시장이 확대되고 있으며, 제품의 수명 시간이 LED보다 길어 차세대 그린 에너지로 개발되고 있다.
그러나 종래의 무전극 조명장치는, 마이크로파를 반사시키는 반사판과 빛을 반사시키는 반사판을 별도로 구비하여 구조가 복잡하고, 마이크로파가 상기 빛을 반사시키는 반사판을 투과하면서 손실이 발생하는 문제점이 있었다.
한국공개특허공보 2015-0089183 한국공개특허공보 2015-0089184
본 발명은 마이크로파를 반사시키는 반사판과 빛을 반사시키는 반사판을 통합하여 구성함으로써, 구조가 간단하고, 빛을 반사시키는 반사판으로 인한 마이크로파의 손실을 방지하는 무전극 조명장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 안테나를 이용하여, 공진기 내부에 직접 마이크로파를 방출하는 무전극 조명장치를 제공한다.
본 발명의 실시 예에 따른 무전극 조명장치는, 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 생성시키는 반도체전력증폭기(SSPA: Solid State Power Amplifier), 소정의 주파수를 갖는 마이크로파가 공진기 외부로 방출되는 것을 차폐하는 차폐 구조를 가지는 공진기, 상기 반도체전력증폭기와 상기 공진기를 연결시켜주는 커넥터, 상기 반도체전력증폭기에서 생성되는 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 상기 공진기로 방출하는 안테나, 상기 공진기 내부에 배치되고, 상기 소정의 주파수를 갖는 마이크로파에 의해, 여기되어 발광하는 발광물질을 구비하는 벌브 및 일측은 상기 벌브와 연결되고, 타측은 상기 공진기와 연결되는 지지대를 포함하여 구성되고, 상기 안테나는, 상기 커넥터를 통해 상기 공진기 내부로 유입된 도체일 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 무전극 조명장치는, 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 생성시키는 마그네트론, 소정의 주파수를 갖는 마이크로파가 공진기 외부로 방출되는 것을 차폐하는 차폐 구조를 가지는 공진기, 상기 마그네트론과 상기 공진기를 연결시켜주는 커넥터, 상기 마그네트론에서 생성되는 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 상기 공진기로 방출하는 안테나, 상기 공진기 내부에 배치되고, 상기 소정의 주파수를 갖는 마이크로파에 의해, 여기되어 발광하는 발광물질을 구비하는 벌브 및 일측은 상기 벌브와 연결되고, 타측은 상기 공진기와 연결되는 지지대를 포함하여 구성되고, 상기 안테나는, 상기 커넥터를 통해 상기 공진기 내부로 유입된 도체일 수 있다.
상기 공진기는, 육면체 구조를 가지며, 상기 육면체 구조의 일 측면으로는 상기 커넥터가 결합되고, 상기 육면체 구조 중에서, 적어도 하나의 면은, 빛을 반사시키는 물질로 구성되어 있는 반사면일 수 있다.
상기 커넥터는, SMA 커넥터 또는 마이크로파용 커넥터일 수 있다.
상기 안테나는, 다이폴 안테나(dipole antenna), 모노폴 안테나(monopole antenna), 패치 안테나(patch antenna) 중 어느 하나 일 수 있다.
상기 공진기는, 반사면을 제외한 다른 면은 육각 메쉬(mesh) 구조로 구성되어, 상기 소정의 주파수를 가진 마이크로파가 상기 공진기 외부로 방출되는 것을 차폐하고, 상기 벌브에서 생성된 빛은 투과시킬 수 있다.
상기 반사면은, 빛을 반사하는 금속으로 직접 제작되거나, 화학적인 증착 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 반사면은, 별도로 구비된 하나 이상의 히트 싱크(heat sink)와 결합되어 구성되거나, 상기 반사면과 하나 이상의 히트 싱크가 일체형으로 구성될 수 있다.
한편, 상기 하나 이상의 히트 싱크는, 히트 파이프(heat-pipe)로 연결되어 자연 대류를 통해 방열 시킬 수 있다.
또한, 상기 하나 이상의 히트 싱크는, 히트 파이프(heat-pipe)로 연결되고, 별도의 팬을 추가도 더 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명은 마이크로파를 반사시키는 반사판과 빛을 반사시키는 반사판을 통합하여 구성함으로써, 구조가 간단해지고, 빛을 반사시키는 반사경으로 인한 마이크로파의 손실을 방지할 수 있는 무전극 조명장치를 제작할 수 있다.
또한, 본 발명은 안테나를 이용하여 공진기 내부에 직접 마이크로파를 방출할 수 있는 무전극 조명장치를 제작할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 무전극 조명장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 무전극 조명장치의 공진기의 정면도 및 측면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 히트 싱크가 부착된 무전극 조명장치 전체의 구성도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 히트 싱크가 일체형인 무전극 조명장치 전체의 구성도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면부호를 붙였다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예컨대, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 “전기적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “~(하는) 단계” 또는 “~의 단계”는 “~를 위한 단계”를 의미하지 않는다.
본 발명에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 발명의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 발명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 발명의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.
명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.
이하에서는 도 1을 참조하여 본 발명의 무전극 조명장치를 설명한다.
본 발명의 무전극 조명장치는, 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 생성시키는 반도체전력증폭기(SSPA: Solid State Power Amplifier)(10), 소정의 주파수를 갖는 마이크로파가 공진기 외부로 방출되는 것을 차폐하는 차폐 구조를 가지는 공진기(100), 상기 반도체전력증폭기(10)와 상기 공진기(100)를 연결시켜주는 커넥터(500), 상기 반도체전력증폭기(10)에서 생성되는 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 상기 공진기(100)로 방출하는 안테나(600), 상기 공진기 내부에 배치되고, 상기 소정의 주파수를 갖는 마이크로파에 의해, 여기되어 발광하는 발광물질을 구비하는 벌브(200) 및 일측은 상기 벌브(200)와 연결되고, 타측은 상기 공진기(100)와 연결되는 지지대(300)를 포함하여 구성될 수 있고, 상기 안테나(600)는, 상기 커넥터(500)를 통해 상기 공진기 내부로 유입된 도체일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 반도체전력증폭기(10)에 전원이 공급되고, 마이크로파 신호를 원하는 구동전압에 공급하면, 반도체전력증폭기(10)는 구동전압에 의해 발진하면서, 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 생성할 수 있다.
이와 같은 반도체전력증폭기(10)는 실시 예에 따라서 마그네트론 (미도시)으로 대체되어 사용 가능하다.
이하에서는 도 2를 참조하여 본 발명의 공진기를 설명한다.
상기 공진기(100)는, 육면제 구조를 가질 수 있으며, 상기 육면체의 여섯 면 중 어느 하나의 면에 커넥터(500)가 결합되고, 상기 육면체 구조 중에서 적어도 하나의 면은 빛을 반사시키는 물질로 구성되어 있는 반사면(400)을 더 포함하여 구성될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 공진기(100)는 6면 중에서, 반사면(400)을 제외한 다른 면은, 육각 메쉬 구조로 구성되어, 상기 반도체전력증폭기(10) 또는 마그네트론(미도시)에서 생성되는 소정의 주파수를 가지는 마이크로파가 상기 공진기(100) 외부로 방출되는 것을 차폐하고, 상기 벌브(200)에서 생성되는 빛은 투과시킬 수 있다.
한편, 상기 반사면(400)은, 빛을 반사하는 금속으로 직접 제작되거나, 화학적인 증착 또는 도금 등의 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
한편, 상기 반사면(400)은 도 3과 같이 별도로 구비되는 하나 이상의 히트 싱크(heat sink)(700)와 결합 되어 구성되거나, 도 4와 같이 상기 반사면(400)과 하나 이상의 히트 싱크가 일체형으로 구성될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 하나 이상의 히트 싱크(700)는 히트 파이프(heat-pipe)(800)로 연결되어 자연 대류를 통해 방열의 효율을 높일 수 있다.
한편, 상기 하나 이상의 히트 싱크는 히트 파이프(800)로 연결되고, 별도의 팬을 추가로 구비하여 방열의 효율을 더욱 높일 수 있다.
한편, 상기 공진기의 크기는, 아래 (수식1)에 기반하여 설계될 수 있다.
(수식1)
Figure 112016089607102-pat00001
(이때, fmnp : TEmnp 및 TMmnp 에서의 공진주파수, c: 빛의 속도. m, n, p : 공진모드의 차수, a : 공진기의 Length, b : 공진기의 Width, d : 공진기의 Height)
실시 예로, a=3.6 cm, b=6.7 cm, d=15cm로 공진기를 설계하면, 2.45 GHz에서 TE101 모드의 공진구조를 갖는 공진기를 설계할 수 있다.
한편, 상기 커넥터(500)는, SMA 커넥터, 또는 마이크로파용 커넥터가 사용될 수 있다. 예컨대, 1.85mm 커넥터, 2.4mm 커넥터, 2.92mm 커넥터, N 계열 커넥터, TNC 커넥터, BNC 커넥터, F계열과 G 계열 커넥터, DIN 커넥터, OSMP 커넥터, SMB 커넥터, MCX 커넥터, SSMT 커넥터, OSMT 커넥터, MMXC 커넥터 등이 활용할 수 있다.
한편, 상기 벌브(200)는 내부에서 생성된 빛은 투과 시키고, 벌브 내부의 발광물질은 외부로 유출되지 않는 구조를 가지며, 석영, 파이렉스, 세라믹 또는 사이이어 중 어느 하나로 구성될 수 있다.
그리고 상기 벌브(200)는 내부에 닫힌 공간을 가지며, 상기 벌브의 내부에 충전되는 발광물질 외에 버퍼가스를 더 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 상기 버퍼가스는 벌브 내에 충전되는 반응성이 약하거나 거의 없는 가스로 구성되며, 무전극전구의 초기 기동을 돕고, 발광물질이 안정되게 존재하도록 한다. 이때 사용되는 버퍼가스는 불활성 가스인 크네논, 아르곤, 네온, 크립톤 등이 사용될 수 있다.
한편, 상기 발광물질은 벌브 내에 충전되는 물질로, 벌브내에 충전되는 물질의 종류에 따라 마이크로파에 의해 여기되어 발광하는 빛의 파장이 달라질 수 있다. 그리고 상기 발광물질은 단일 물질이 아닌 혼합된 형태로 사용될 수 있으며, 혼합된 발광물질의 조합에 따라 다양한 빛을 파장을 만들 수 있다.
한편, 상기 안테나(600)는 다이폴 안테나(dipole antenna), 모노폴 안테나(monopole antenna), 패치 안테나(patch antenna)등이 사용될 수 있으며, 상기 벌브가 타원 형태인 경우, 상기 안테나는 상기 벌브의 장축과 수평인 방향으로 설계될 수 있다.
일 예로, 상기 안테나(600)를 다이폴 안테나로 제작되는 경우, 상기 다이폴 안테나는 두개의 서로 극이 다른 도선을 구부려서 전체의 길이를 파장의 절반(?/2)이되게 만들어져, omni-directional 한 빔 패턴을 형성할 수 있다.
또 다른 실시 예로, 상기 안테나(600)가 모노폴 안테나로 제작되는 경우, 일 측을 도체 대신 그라운드(접지)로 대치하여 만들어질수 있으며, 안테나의 길이는 (?/4)일 수 있다.
또 다른 실시 예로, 상기 안테나(600)가 패치 안테나로 제작되는 경우에는, 기판위에 네모 혹은 원형 형태의 금속패턴으로 제작되어 소형화, 경량화에 이점이 있을 수 있다.
한편, 상기 지지대(300)는 상기 벌브(200)를 상기 공진기(100) 내부에 고정시키고, 상기 벌브(200)에서 발생하는 열을 방출하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 지지대(300)는, 석영, 유리 등으로 구성될 수 있으며, 일측은 벌브(200)에 연결되고, 타측은 공진기(100)의 일측면과 연결 될 수 있다.
이와 같은 지지대(300)는 원형, 다각기둥 등의 다양한 현태로 구성될 수 있으며, 복수개의 지지대가 설치될 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 벌브(200)는 단축과 장축을 가지는 타원형일 수 있으며, 이때, 지지대는 벌브의 장축의 중앙으로부터 연장되어 장축에 수직되는 방향으로 설치 될 수 있다.
상술한 바와 같이 구성되는 이유는, 벌브가 타원 형태일 경우, 벌브의 중앙부분에서 화합물의 여기로 인해 열이 발생하면 기화된 화합물이 비교적 온도가 낮은 벌브의 장축 바깥 부분에 응결될 수 있다. 이때, 벌브의 장축으로 연장되는 바깥부분에 지지대가 구성되는 경우, 지지대를 타고 열이 전달되어 벌브의 열분포에 불균형이 생길 수도 있으므로, 이를 방지하기 위해 벌브가 타원 형태일 경우, 지지대는 벌브의 장축의 중앙에, 장축에 수직하는 방향으로 설치되는 것이 바람직 할 수 있다.
그리고 복수개의 지지대를 일정한 간격으로 배치하여 벌브를 단단하게 고정하고 방열의 효과를 높일 수 있다.
한편, 본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 공진기
200 : 벌브
300 : 지지대
400 : 반사면
500 : 커넥터
600 : 안테나
700 : 히트 싱크
800 : 히트 파이프

Claims (11)

  1. 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 생성시키는 반도체전력증폭기(SSPA: Solid State Power Amplifier);
    상기 반도체전력증폭기에서 생성되는 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 내부로 받아들여 공진시키는 공진기;
    상기 반도체전력증폭기에서 생성되는 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 상기 공진기로 방사하는 안테나;
    상기 반도체전력증폭기와 상기 공진기를 연결하는 연결구조를 형성하는 커넥터;
    상기 소정의 주파수를 갖는 마이크로파에 의해 여기되어, 발광하는 발광물질을 구비하는 벌브; 및
    상기 벌브를 지지하는 지지대;
    를 포함하여 구성되며,
    상기 공진기는,
    상기 안테나 방사를 통하여 내부로 유입된 상기 반도체전력증폭기에서 생성된 소정의 주파수를 갖는 마이크로파가 다시 외부로 방출되는 것을 차폐하는 차폐 구조;를 포함하여 구성되고,
    육면체 구조를 가지며, 상기 육면체 구조의 일 측면으로는 상기 커넥터가 결합되고, 상기 육면체 구조 중에서, 적어도 하나의 면은, 빛을 반사시키는 물질로 구성되어 있는 반사면을 포함하여 구성되며,
    상기 벌브는
    상기 공진기의 차폐구조 내부에 배치되고,
    상기 안테나는,
    상기 커넥터를 통해 상기 공진기 내부로 유입된 도체이며,
    상기 공진기의 물리적인 크기 요소와 상기 소정의 주파수를 갖는 마이크로파는 하기 수식 1의 관계를 가지는 것을 특징으로 하는 무전극 조명장치.
    Figure 112017040520395-pat00007
    (수식1)
    (fmnp : TEmnp 및 TMmnp 에서의 공진주파수, c : 빛의 속도, m, n, p : 공진모드의 차수, a : 공진기의 Length, b : 공진기의 Width, d : 공진기의 Height)
  2. 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 생성시키는 마그네트론;
    상기 마그네트론에서 생성되는 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 내부로 받아들여 공진시키는 공진기;
    상기 마그네트론에서 생성되는 소정의 주파수를 갖는 마이크로파를 상기 공진기로 방사하는 안테나;
    상기 마그네트론과 상기 공진기를 연결하는 연결구조를 형성하는 커넥터;
    상기 소정의 주파수를 갖는 마이크로파에 의해 여기되어, 발광하는 발광물질을 구비하는 벌브; 및
    상기 벌브를 지지하는 지지대;
    를 포함하여 구성되며,
    상기 공진기는,
    상기 안테나 방사를 통하여 내부로 유입된 상기 마그네트론에서 생성된 소정의 주파수를 갖는 마이크로파가 다시 외부로 방출되는 것을 차폐하는 차폐 구조;를 포함하여 구성되고,
    육면체 구조를 가지며, 상기 육면체 구조의 일 측면으로는 상기 커넥터가 결합되고, 상기 육면체 구조 중에서, 적어도 하나의 면은, 빛을 반사시키는 물질로 구성되어 있는 반사면을 포함하여 구성되며,
    상기 벌브는
    상기 공진기의 차폐구조 내부에 배치되고,
    상기 안테나는,
    상기 커넥터를 통해 상기 공진기 내부로 유입된 도체이며,
    상기 공진기의 물리적인 크기 요소와 상기 소정의 주파수를 갖는 마이크로파는 하기 수식 1의 관계를 가지는 것을 특징으로 하는 무전극 조명장치.
    Figure 112017040520395-pat00008
    (수식1)
    (fmnp : TEmnp 및 TMmnp 에서의 공진주파수, c : 빛의 속도, m, n, p : 공진모드의 차수, a : 공진기의 Length, b : 공진기의 Width, d : 공진기의 Height)
  3. 삭제
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 커넥터는,
    SMA 커넥터 또는 마이크로파용 커넥터인 것을 특징으로 하는 무전극 조명장치
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 안테나는,
    다이폴 안테나(dipole antenna), 모노폴 안테나(monopole antenna), 패치 안테나(patch antenna) 중 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 무전극 조명장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 공진기는
    반사면을 제외한 다른 면은 육각 메쉬(mesh) 구조로 구성되어,
    상기 소정의 주파수를 가진 마이크로파가 상기 공진기 외부로 방출되는 것을 차폐하고,
    상기 벌브에서 생성된 빛은 투과시키는 것을 특징으로하는 무전극 조명장치.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 반사면은,
    빛을 반사하는 금속으로 직접 제작되거나,
    화학적인 증착 또는 도금의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 무전극 조명장치.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 반사면은,
    별도로 구비된 하나 이상의 히트 싱크(heat sink)와 결합되어 구성되거나,
    상기 반사면과 하나 이상의 히트 싱크가 일체형으로 구성되는 것을 특징으로 하는 무전극 조명장치
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 하나 이상의 히트 싱크는,
    히트 파이프(heat-pipe)로 연결되어 자연 대류를 통해 방열 시키는 것을 특징으로 하는 무전극 조명장치
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 하나 이상의 히트 싱크는,
    히트 파이프(heat-pipe)로 연결되고, 별도의 팬을 추가도 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무전극 조명장치.
  11. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 반사면은,
    상기 육면체의 가로, 세로, 높이 중 길이가 긴 두 개로 정의되는 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 무전극 조명장치.

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