KR101734369B1 - Organic electronic device - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 유기 전자소자를 제공한다.The present disclosure provides organic electronic devices.

Description

유기 전자소자{ORGANIC ELECTRONIC DEVICE}[0001] ORGANIC ELECTRONIC DEVICE [0002]

본 명세서는 2013년 9월 30일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2013-0116111 호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This specification claims the benefit of Korean Patent Application No. 10-2013-0116111, filed on September 30, 2013, to the Korean Intellectual Property Office, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 명세서는 투명전극을 하부전극으로 포함하는 유기 전자소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electronic device including a transparent electrode as a lower electrode.

첨단 정보기술산업과 함께 신재생 에너지산업이 급부상하면서 전기 전도성과 광투과성을 동시에 갖춘 투명전극에 관한 관심이 높아지고 있다. 유기 전자소자에서의 투명전극은 얇은 투명기판으로 빛이 투과해야 되고, 동시에 전기 전도성도 우수해야 한다.With the emergence of the new and renewable energy industry together with the high-tech information technology industry, there is a growing interest in transparent electrodes having both electric conductivity and light transmittance. Transparent electrodes in organic electronic devices must transmit light through a thin transparent substrate, and at the same time have good electrical conductivity.

투명전극 소재로는 얇은 막 형태로 제조된 투명 전도성 산화물(Transparent Conducting Oxide: TCO)이 대표적이다. 투명 전도성 산화물은 가시광선 영역에서의 높은 광학적 투과도(85% 이상)와 비교적 낮은 비저항(1×10-3 Ω㎝)을 동시에 갖는 산화물계의 축퇴된(degenerate) 반도체 전극을 총칭하는 것으로, 면저항 크기에 따라 정전기 방지막, 전자파 차폐 등의 기능성 박막과 평판 디스플레이, 태양전지, 터치패널, 투명 트랜지스터, 플렉시블 광전소자, 투명 광전소자 등의 핵심 전극 재료로 사용되고 있다.Transparent Conducting Oxide (TCO), which is manufactured in the form of a thin film, is a typical transparent electrode material. The transparent conductive oxide generally refers to an oxide-based degenerate semiconductor electrode having a high optical transparency (not less than 85%) and a relatively low specific resistance (1 10 -3 ? Cm) in the visible light region, Are used as core electrode materials for functional thin films such as antistatic films and electromagnetic wave shielding, flat panel displays, solar cells, touch panels, transparent transistors, flexible optoelectronic devices, and transparent optoelectronic devices.

다만, 투명 전도성 산화물을 소재로 하여 제조된 투명전극은 은, 알루미늄등의 통상적으로 전극에 사용되는 금속(비저항 ~ 10-8 Ω㎝)에 비하여) 전기 전도도가 낮아 발광면적이 넓어질수록 면저항 면저항 증가에 기인한 성능 저하문제가 있다. 또한, TCO로 가장 많이 사용되는 인듐주석산화물 (Indium tin oxide, ITO)의 경우, In의 고갈로 인한 지속적인 가격상승으로 인하여 가격 경쟁력 저하의 원인이 된다. 나아가, 상부 전극에 적용 시 공정 특성상 하부 유기물층에 손상을 유발 하며 취성(脆性, brittleness)이 커 굽힘에 취약하다. 이는 원재료비 상승으로 인한 유연소자 (flexible device)의 전극으로 사용할 때, 소자의 수명저하 및 구동전압 상승의 주요 원인으로 작용한다. 따라서, 기존 공정과 호환이 되면서, 희귀금속이 아닌 값싼 금속을 사용하여 높은 가시광 투과도, 낮은 비저항 및 취성을 갖는 전극의 개발이 필요하다.However, the transparent electrode made of transparent conductive oxide has lower electric conductivity than metal (specific resistance ~ 10 -8 ? Cm) used for electrodes such as silver and aluminum, so that as the light emitting area becomes wider, There is a performance degradation problem caused by the increase in the number of bits. In addition, indium tin oxide (ITO), which is the most commonly used TCO, causes price competitiveness to deteriorate due to continuous price increase due to depletion of In. Furthermore, when applied to the upper electrode, the lower organic layer is damaged due to the characteristics of the process, and brittleness is brittleness. This is a major cause of degradation of lifetime and driving voltage of the device when it is used as an electrode of a flexible device due to a rise in raw material costs. Therefore, it is necessary to develop electrodes having high visible light transmittance, low resistivity and brittleness by using a cheap metal rather than a rare metal, while being compatible with existing processes.

C. W. Tang, S. A. Vanslyke and C. H. Chen, J. Appl. Phys 1989, 65, 3610C. W. Tang, S. A. Vanslyke and C. H. Chen, J. Appl. Phys 1989, 65, 3610

본 명세서가 해결하고자 하는 과제는 투명전극을 하부전극으로 포함하는 유기 전자소자를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic electronic device including a transparent electrode as a lower electrode.

본 명세서의 일 구현상태는 하부전극; 상기 하부전극에 대향하여 구비된 상부전극; 및 상기 하부전극과 상기 상부전극 사이에 구비된 유기물층을 포함하고, One embodiment of the present disclosure includes a lower electrode; An upper electrode facing the lower electrode; And an organic layer disposed between the lower electrode and the upper electrode,

상기 하부전극은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 유기물층; 및 상기 제1 유기물층 상에 접하여 구비된 금속층을 포함하는 전도성 단위를 1 또는 2 이상 포함하는 투명전극인 것인 유기 전자소자를 제공한다.Wherein the lower electrode comprises a first organic compound layer comprising a compound represented by Formula 1 below; And a transparent electrode comprising at least one conductive unit including a metal layer provided in contact with the first organic material layer.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112014092158183-pat00001
Figure 112014092158183-pat00001

상기 R1 내지 R6는 각각 수소; 할로겐기; 니트릴기(-CN); 니트로기(-NO2); 술포닐기(-SO2R); 술폭사이드기(-SOR); 술폰아미드기(-SO2NR2); 술포네이트기(-SO3R); 트리플루오로메틸기(-CF3); 에스테르기(-COOR); 아미드기(-CONHR 또는 -CONRR'); 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄의 C1 내지 C12의 알콕시기; 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C12의 알킬기; 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄 C2 내지 C12의 알케닐기; 치환 또는 비치환의 방향족 또는 비방향족의 이형고리기; 치환 또는 비치환의 아릴기; 치환 또는 비치환의 모노- 또는 디-아릴아민기; 및 치환 또는 비치환의 아랄킬아민기으로 구성된 군에서 선택되며, Each of R1 to R6 is hydrogen; A halogen group; Nitrile group (-CN); A nitro group (-NO 2 ); A sulfonyl group (-SO 2 R); Sulfoxide group (-SOR); A sulfonamide group (-SO 2 NR 2); Sulfonate groups (-SO 3 R); A trifluoromethyl group (-CF 3); Ester group (-COOR); An amide group (-CONHR or -CONRR '); A substituted or unsubstituted straight or branched chain C1 to C12 alkoxy group; A substituted or unsubstituted straight or branched chain C1 to C12 alkyl group; A substituted or unsubstituted straight or branched chain C2 to C12 alkenyl group; A substituted or unsubstituted aromatic or non-aromatic heterocyclic group; A substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted mono- or di-arylamine group; And a substituted or unsubstituted aralkylamine group,

상기 R 및 R'는 각각 치환 또는 비치환의 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환의 5 내지 7원 이형고리기로 이루어진 군에서 선택된다.R and R 'are each a substituted or unsubstituted C1 to C60 alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; And a substituted or unsubstituted 5- to 7-membered aliphatic cyclic group.

본 명세서의 투명 전극은 높은 전기 전도도를 가진다.The transparent electrode in this specification has a high electrical conductivity.

또한, 본 명세서의 투명전극은 높은 광투과도를 가진다. Further, the transparent electrode in this specification has high light transmittance.

또한, 본 명세서의 투명전극은 대면적화가 가능하다.Further, the transparent electrode of the present specification can be made larger.

또한, 본 명세서의 투명전극은 유기 전자소자에 포함되는 경우, 유기 전자소자의 수명을 개선하여 소자의 안정성을 높일 수 있다.In addition, when the transparent electrode of the present invention is included in an organic electronic device, the lifetime of the organic electronic device can be improved and the stability of the device can be improved.

또한, 본 명세서의 투명전극은 유기 전자소자에 포함되는 경우, 유기 전자소자의 효율을 향상시킬 수 있다. In addition, when the transparent electrode of the present invention is included in an organic electronic device, the efficiency of the organic electronic device can be improved.

도 1 내지 도 6은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 투명전극의 구조를 도시한 것이다.
도 7 및 도 8은 본 명세서의 제1 유기물층 상에 금속층을 형성한 경우의 TEM 이미지이다.
도 9 내지 도 12는 금속층을 형성하는 경우의 뭉침현상에 대한 SEM(Scanning Electron Microscope) 이미지이다.
도 13 및 도 14는 본 명세서의 일 구현예에 따른 노말구조의 유기 발광소자를 도시한 것이다.
도 15는 본 명세서의 실시예 7 내지 9 및 비교예 15의 유기 발광소자의 J-V 특성 데이터를 도시한 것이다.
도 16은 본 명세서의 실시예 7 내지 9 및 비교예 15의 유기 발광소자의 수명 관련 데이터를 도시한 것이다.
1 to 6 show the structure of a transparent electrode according to one embodiment of the present invention.
7 and 8 are TEM images when a metal layer is formed on the first organic material layer in this specification.
Figs. 9 to 12 are SEM (Scanning Electron Microscope) images of the aggregation phenomenon in the case of forming the metal layer.
13 and 14 illustrate a normal structure organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
15 shows JV characteristic data of the organic light emitting devices of Examples 7 to 9 and Comparative Example 15 of this specification.
16 shows lifetime-related data of the organic light-emitting devices of Examples 7 to 9 and Comparative Example 15 of this specification.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 명세서의 일 구현상태는 하부전극; 상기 하부전극에 대향하여 구비된 상부전극; 및 상기 하부전극과 상기 상부전극 사이에 구비된 유기물층을 포함하고, One embodiment of the present disclosure includes a lower electrode; An upper electrode facing the lower electrode; And an organic layer disposed between the lower electrode and the upper electrode,

상기 하부전극은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 유기물층; 및 상기 제1 유기물층 상에 접하여 구비된 금속층을 포함하는 전도성 단위를 1 또는 2 이상 포함하는 투명전극인 것인 유기 전자소자를 제공한다. Wherein the lower electrode comprises a first organic material layer including a compound represented by Formula 1; And a transparent electrode comprising at least one conductive unit including a metal layer provided in contact with the first organic material layer.

또한, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1의 상기 R1 내지 R6은 모두 니트릴기(-CN)일 수 있다. Also, according to one embodiment of the present invention, the R1 to R6 in the formula (1) may all be a nitrile group (-CN).

또한, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-6 중 어느 하나일 수 있다.Also, according to one embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 1 may be any one of Formula 1-1 to 1-6.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112014092158183-pat00002
Figure 112014092158183-pat00002

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure 112014092158183-pat00003
Figure 112014092158183-pat00003

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure 112014092158183-pat00004
Figure 112014092158183-pat00004

[화학식 1-4][Formula 1-4]

Figure 112014092158183-pat00005
Figure 112014092158183-pat00005

[화학식 1-5][Formula 1-5]

Figure 112014092158183-pat00006
Figure 112014092158183-pat00006

[화학식 1-6][Chemical Formula 1-6]

Figure 112014092158183-pat00007
Figure 112014092158183-pat00007

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 투명전극은 상기 전도성 단위가 1개인 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the transparent electrode may have one conductive unit.

도 1은 본 명세서의 일 구현예에 따른 투명전극을 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1은 전도성 단위가 1개인 투명전극으로서, 제1 유기물층(101) 상에 금속층(201)이 구비된 것을 도시한 것이다.Figure 1 illustrates a transparent electrode according to one embodiment of the present disclosure. More specifically, FIG. 1 shows a transparent electrode having one conductive unit, and the metal layer 201 is provided on the first organic layer 101.

또한, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 투명전극은 2 이상의 상기 전도성 단위가 순차적으로 적층되어 구비된 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the transparent electrode may include two or more conductive units sequentially stacked.

도 4는 본 명세서의 일 구현예에 따른 투명전극을 도시한 것이다. 구체적으로, 도 2는 전도성 단위가 2개인 투명전극으로서, 제1 유기물층(101) 상에 금속층(201)이 구비된 전도성 단위 상에 제1 유기물층(102) 상에 금속층(202)이 구비된 또 다른 전도성 단위가 적층된 것을 도시한 것이다. Figure 4 illustrates a transparent electrode according to one embodiment of the present disclosure. Specifically, FIG. 2 shows a transparent electrode having two conductive units, in which a metal layer 202 is provided on a first organic layer 102 on a conductive unit having a metal layer 201 on the first organic layer 101 And the other conductive units are stacked.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 투명전극은 기판 상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 투명전극은 기판 상에 접하여 구비되고, 기판에 접하는 상기 전도성 단위는 기판상에 상기 제1 유기물층이 구비되는 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the transparent electrode may be provided on a substrate. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the transparent electrode is provided on the substrate, and the conductive unit in contact with the substrate may include the first organic layer on the substrate.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 금속층은 일함수가 2 eV 이상 6 eV 이하인 금속 및 이들 중 2 이상의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the metal layer may include one or more selected from the group consisting of a metal having a work function of 2 eV or more and 6 eV or less and a metal alloy of two or more thereof.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 일함수가 2 eV 이상 6 eV 이하인 금속은 Au, Ag, Al, Ca, Mg, Yb, Sm, Cs, Ba, Li, Rb, Cu, Sn 또는 Pt일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the metal having a work function of 2 eV to 6 eV may be Au, Ag, Al, Ca, Mg, Yb, Sm, Cs, Ba, Li, Rb, Cu, have.

구체적으로, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 금속층은 Ag로 이루어진 것일 수 있다. Specifically, according to an embodiment of the present invention, the metal layer may be made of Ag.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 금속층은 상기 제1 유기물층과의 상호작용에 의한 표면 에너지 저하가 가능하다. 구체적으로, 상기 금속층은 제1 유기물층과의 표면 에너지가 감소되어, 상기 제1 유기물층 상에서 뭉침 현상이 억제될 수 있다. 그러므로, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 금속층은 얇은 금속층으로 형성하는 경우, 안정한 투명전극을 구성할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 제1 유기물층은 상기 금속층의 시드층(seed layer)일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the metal layer is capable of lowering surface energy by interaction with the first organic layer. Specifically, the surface energy of the metal layer with respect to the first organic material layer is reduced, so that aggregation on the first organic material layer can be suppressed. Therefore, according to one embodiment of the present invention, when the metal layer is formed of a thin metal layer, a stable transparent electrode can be formed. Specifically, according to an embodiment of the present invention, the first organic layer may be a seed layer of the metal layer.

금속을 증착하여 금속층을 형성하는 경우, 금속입자의 뭉침현상이 발생하여 금속층의 면저항 값이 높아져 전기 전도도가 낮아질 수 있다. 구체적으로, 유리와 같은 기판 상에 금속을 증착하여 하부전극을 형성하는 경우, 금속의 뭉침현상으로 인하여 전기 전도도가 낮아져 전극으로서의 기능이 떨어진다. 또한, 상기 금속의 뭉침현상에 의하여 전극은 낮은 광투과도를 가지게 된다. 하지만, 본 명세서의 상기 제1 유기물층에 금속 입자를 증착하여 금속층을 형성하여 투명전극을 형성하는 경우, 상기 제1 유기물층이 시드층의 역할을 하여, 두 물질사이 계면의 에너지를 낮추어 금속층의 금속 입자의 뭉침현상이 나타나지 않는다. 구체적으로, 본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제1 유기물층에 금속층의 재료로서 Ag를 증착하는 경우, Ag입자의 뭉침현상이 나타나지 않는다. 그러므로, 본 명세서의 상기 투명전극은 상기 금속층의 금속이 고르게 퍼져 끊김없는 모폴로지를 유지할 수 있으므로, 높은 전기 전도도 및 낮은 면저항을 가질 수 있으며, 나아가, 높은 광투과도도 가질 수 있다.In the case of forming a metal layer by depositing a metal, the metal particles may be aggregated to increase the sheet resistance value of the metal layer, thereby lowering the electrical conductivity. Specifically, when a lower electrode is formed by depositing a metal on a substrate such as glass, the electric conductivity is lowered due to the accumulation of metal, and the function as an electrode is deteriorated. In addition, the electrode has a low light transmittance due to the aggregation of the metal. However, in the case of forming a transparent electrode by depositing metal particles on the first organic material layer of the present invention, the first organic material layer functions as a seed layer, thereby lowering the energy of the interface between the two materials, There is no aggregation phenomenon. Specifically, according to one embodiment of the present invention, when Ag is deposited as the material of the metal layer in the first organic material layer made of the compound represented by Formula 1-1, there is no aggregation of Ag particles. Therefore, the transparent electrode of the present invention can have a high electric conductivity and a low sheet resistance, and further, can have high light transmittance because the metal of the metal layer can spread evenly and maintain a seamless morphology.

도 7은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제1 유기물층을 20 nm 두께로 형성한 후, 금속층으로서 Ag를 5 nm 두께로 증착한 것의 SEM 이미지이다. 7 is an SEM image of a first organic layer made of a compound represented by Formula 1-1 and having a thickness of 20 nm, and Ag having a thickness of 5 nm deposited as a metal layer.

도 8은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제1 유기물층을 20 nm 두께로 형성한 후, 금속층으로서 Ag를 10 nm 두께로 증착한 것의 SEM 이미지이다.FIG. 8 is an SEM image of a first organic layer made of the compound represented by Formula 1-1 and having a thickness of 20 nm, followed by deposition of Ag to a thickness of 10 nm as a metal layer.

도 9는 제1 유기물층이 아닌, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 형성된 유기물층을 20 nm 두께로 형성한 후, Ag를 5 nm 두께로 증착한 것의 SEM 이미지이다. 9 is an SEM image of an organic layer formed of a compound represented by the following Chemical Formula 2, not a first organic layer, to a thickness of 20 nm, followed by deposition of Ag to a thickness of 5 nm.

도 10은 제1 유기물층이 아닌 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 형성된 유기물층을 20 nm 두께로 형성한 후, Ag를 10 nm 두께로 증착한 것의 SEM 이미지이다.10 is an SEM image of an organic material layer formed of a compound represented by the following Chemical Formula 2, which is not the first organic material layer, to a thickness of 20 nm, followed by deposition of Ag to a thickness of 10 nm.

[화학식 2](2)

Figure 112014092158183-pat00008
Figure 112014092158183-pat00008

도 11은 유리 기판에 Ag를 5 nm 두께로 증착한 것의 SEM 이미지이다. 11 is an SEM image of deposition of Ag on a glass substrate to a thickness of 5 nm.

도 12는 유리 기판에 Ag를 10 nm 두께로 증착한 것의 SEM 이미지이다.12 is an SEM image of deposition of Ag on the glass substrate to a thickness of 10 nm.

상기 도 7 및 도 8에서 알 수 있듯이, 본 명세서의 상기 제1 유기물층 상에 금속을 도핑하는 경우에는 금속의 뭉침현상이 발생하지 않으며, 금속층의 금속이 고르게 분포한다,As shown in FIGS. 7 and 8, when the first organic material layer is doped with a metal, the metal does not aggregate and the metal of the metal layer is evenly distributed.

이에 반하여, 도 9 내지 도 12에서 알 수 있듯이, 유리 기판 또는 상기 제1 유기물층 외의 유기물층에 금속층을 증착하여 형성하는 경우에는 금속의 뭉침 현상이 발생한다. 도 10의 경우, 금속층의 중간 중간 패인 부분이 존재하고, 표면의 거칠기가 심한 것을 알 수 있으며, 이는 금속층의 성막 자체가 불량한 것임을 의미한다.On the other hand, as shown in FIGS. 9 to 12, when a metal layer is deposited on a glass substrate or an organic material layer other than the first organic material layer, metal clumping occurs. In the case of FIG. 10, there is a middle intermediate depressed portion of the metal layer, and the roughness of the surface is severe, which means that the film formation of the metal layer itself is poor.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 전도성 단위 상에 제2 유기물층 또는 무기물층을 더 포함하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the organic layer or the inorganic layer may be further included on the conductive unit.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 제2 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the second organic layer may include a compound represented by Formula 1.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 무기물층은 ITO; IZO; IZTO; ATO; AZO; GZO; FTO; ZTO; ZnO; FZO; IGZO; WO3; ZrO3; V2O7; MoO3; 또는 ReO3를 포함하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the inorganic layer may comprise ITO; IZO; IZTO; ATO; AZO; GZO; FTO; ZTO; ZnO; FZO; IGZO; WO 3 ; ZrO 3; V 2 O 7 ; MoO 3 ; Or ReO < 3 >.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 투명전극은 전도성 단위가 1개이고, 상기 금속층 상에 상기 제2 유기물층 또는 상기 무기물층이 구비된 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the transparent electrode may have one conductive unit, and the second organic layer or the inorganic layer may be provided on the metal layer.

도 2 및 도 3은 본 명세서의 일 구현예에 따른 투명전극을 도시한 것이다. 구체적으로, 도 2는 제1 유기물층(101) 상에 금속층(201)이 구비되고, 금속층(201) 상에 제2 유기물층(301)이 구비된 투명전극을 도시한 것이다. Figures 2 and 3 illustrate a transparent electrode according to one embodiment of the present disclosure. 2 illustrates a transparent electrode having a metal layer 201 on a first organic layer 101 and a second organic layer 301 on a metal layer 201. FIG.

또한, 도 3은 1 유기물층(101) 상에 금속층(201)이 구비되고, 금속층(201) 상에 무기물층(401)이 구비된 투명전극을 도시한 것이다.3 shows a transparent electrode having a metal layer 201 on one organic layer 101 and an inorganic layer 401 on the metal layer 201. In FIG.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 투명전극은 전도성 단위가 2개 순차적으로 적층되고, 상부전극에 가장 가깝게 배치된 상기 전도성 단위의 금속층 상에 상기 제2 유기물층 또는 상기 무기물층이 구비된 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the transparent electrode may be one in which two conductive units are sequentially stacked, and the second organic layer or the inorganic layer is provided on the metal layer of the conductive unit disposed closest to the upper electrode have.

도 5 및 도 6은 본 명세서의 일 구현예에 따른 투명전극을 도시한 것이다. 구체적으로, 도 5는 제1 유기물층(101) 상에 금속층(201)이 구비된 전도성 단위 상에 제1 유기물층(102) 상에 금속층(202)이 구비된 또 다른 전도성 단위가 적층되고, 금속층(201)상에 제2 유기물층(301)이 구비된 투명전극을 도시한 것이다.5 and 6 illustrate a transparent electrode according to an embodiment of the present invention. 5 illustrates another example in which another conductive unit having a metal layer 202 on a first organic layer 102 is laminated on a conductive unit having a metal layer 201 on a first organic layer 101, And the second organic layer 301 is provided on the first transparent electrode 201.

또한, 도 6은 제1 유기물층(101) 상에 금속층(201)이 구비된 전도성 단위 상에 제1 유기물층(102) 상에 금속층(202)이 구비된 또 다른 전도성 단위가 적층되고, 금속층(201)상에 무기물층(401)이 구비된 투명전극을 도시한 것이다.6 shows another example in which another conductive unit having the metal layer 202 on the first organic layer 102 is laminated on the conductive unit having the metal layer 201 on the first organic layer 101, And the inorganic layer 401 is provided on the transparent electrode.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 제1 유기물층의 두께는 5 nm 이상 50 nm 이하인 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 유기물층의 두께는 20 nm 이상 40 nm 이하일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the thickness of the first organic layer may be 5 nm or more and 50 nm or less. Specifically, the thickness of the first organic material layer may be 20 nm or more and 40 nm or less.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 금속층의 두께는 1 nm 이상 20 nm 이하인 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 금속층의 두께는 2 nm 이상 15 nm 이하일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the thickness of the metal layer may be 1 nm or more and 20 nm or less. Specifically, the thickness of the metal layer may be 2 nm or more and 15 nm or less.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 제2 유기물층 또는 무기물층의 두께는 10 nm 이상 200 nm 이하인 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 유기물층의 두께는 10 nm 이상 30 nm 이하일 수 있다. 또한, 상기 무기물층의 두께는 10 nm 이상 30 nm 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the thickness of the second organic layer or the inorganic layer may be 10 nm or more and 200 nm or less. Specifically, the thickness of the second organic material layer may be 10 nm or more and 30 nm or less. Further, the thickness of the inorganic material layer may be 10 nm or more and 30 nm or less.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 노말(normal) 구조, 역(inverted) 구조 또는 텐덤(tandem) 구조일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the organic electronic device may be a normal structure, an inverted structure, or a tandem structure.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 노말(normal) 구조에서, 상기 상부전극은 캐소드일 수 있으며, 상기 하부전극은 애노드일 수 있다. According to an embodiment of the present disclosure, in a normal structure, the upper electrode may be a cathode, and the lower electrode may be an anode.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 역(inverted) 구조에서, 상기 상부전극은 애노드일 수 있으며, 상기 하부전극은 캐소드일 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, in an inverted structure, the upper electrode may be an anode, and the lower electrode may be a cathode.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 유기 발광소자일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the organic electronic device may be an organic light emitting device.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 하부전극; 상기 하부전극에 대향하여 구비된 상부전극; 및 상기 하부전극과 상기 상부전극 사이에 구비되고 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광소자일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the organic electronic device includes a lower electrode; An upper electrode facing the lower electrode; And an organic light emitting device including at least one organic layer disposed between the lower electrode and the upper electrode and including a light emitting layer.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광소자의 유기물층은 발광층과 정공수송층, 정공차단층, 전자차단층, 전자수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the organic material layer of the organic light emitting device further includes at least one selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transporting layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광소자의 유기물층은 발광층을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the organic layer of the organic light emitting device includes a light emitting layer.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광소자의 발광층은 호스트와 도펀트를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the light emitting layer of the organic light emitting device includes a host and a dopant.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광소자의 유기물층은 전자 수송과 발광을 동시에 하는 층을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the organic material layer of the organic light emitting device includes a layer that simultaneously transports electrons and emits light.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광소자의 유기물층은 발광과 전자 수송 및/또는 전자 주입을 동시에 하는 층을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the organic layer of the organic light emitting device includes a layer that simultaneously emits light and transports electrons and / or electrons.

상기 유기 발광소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.When the organic light emitting diode includes a plurality of organic layers, the organic layers may be formed of the same material or different materials.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 유기 태양전지일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the organic electronic device may be an organic solar cell.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 하부전극; 상기 하부전극에 대향하여 구비된 상부전극; 및 상기 하부전극과 상기 상부전극 사이에 구비되고 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 태양전지일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the organic electronic device includes a lower electrode; An upper electrode facing the lower electrode; And at least one organic layer disposed between the lower electrode and the upper electrode and including a photoactive layer.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 태양전지의 유기물층은 광활성층을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the organic layer of the organic solar battery includes a photoactive layer.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 태양전지의 유기물층은 광활성층과 전자 주개(electron donor) 및 전자 받개(electron acceptor)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the organic layer of the organic solar cell further includes at least one selected from the group consisting of a photoactive layer, an electron donor and an electron acceptor.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 태양전지의 유기물층은 광활성층으로서 전자 주개 및/또는 전자 받개를 동시에 가지는 층일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the organic material layer of the organic solar cell may be a layer having the electron donor and / or the electron acceptor simultaneously as the photoactive layer.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 태양전지가 외부 광원으로부터 광자를 받으면 전자 주개와 전자 받개 사이에서 전자와 정공이 발생한다. 발생된 정공은 전자 도너층을 통하여 애노드로 수송된다.According to an embodiment of the present invention, when the organic solar cell receives a photon from an external light source, electrons and holes are generated between the electron source and the electron acceptor. The generated holes are transported to the anode through the electron donor layer.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 태양전지의 유기물층은 2종 이상의 물질을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the organic layer of the organic solar cell may include two or more kinds of materials.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 유기 태양전지는 부가적인 유기물층을 더 포함한다. 상기 유기 태양전지는 여러 가지 기능을 동시에 갖는 유기물을 사용하여 유기물층의 수를 감소시킬 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the organic solar cell further comprises an additional organic layer. The organic solar cell can reduce the number of organic layers by using organic materials having various functions at the same time.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 유기 트랜지스터일 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the organic electronic device may be an organic transistor.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 소스, 드레인, 게이트 및 1층 이상의 유기물층을 포함하는 것인 유기 트랜지스터를 제공한다.According to one embodiment of the present disclosure, there is provided an organic transistor including a source, a drain, a gate, and one or more organic layers.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 전자소자는 소스, 드레인, 게이트 및 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 트랜지스터일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the organic electronic device may be an organic transistor including a source, a drain, a gate, and one or more organic layers.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 트랜지스터는 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 절연층은 기판과 게이트 위에 위치할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the organic transistor may further include an insulating layer. The insulating layer may be located on the substrate and the gate.

도 13 및 도 14는 본 명세서의 일 구현예에 따른 노말구조의 유기 발광소자를 도시한 것이다.13 and 14 illustrate a normal structure organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 13은 애노드로서 제1 유기물층(101) 상에 금속층(201)이 구비된 유기 발광소자로서, Cahtode는 캐소드를 의미하고, HTL은 정공수송층을 의미하며, EML은 발광층을 의미하고, ETL은 전자수송층을 의미한다. 다만, 본 명세서는 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 전극을 제외한 각 층은 제외될 수도 있으며, 별도의 층이 추가될 수도 있다.13 shows an organic light emitting device in which a metal layer 201 is provided on the first organic material layer 101 as an anode, Cahtode means a cathode, HTL means a hole transporting layer, EML means a light emitting layer, Transport layer. However, the present invention is not limited thereto, and each layer except for the electrode may be omitted, or a separate layer may be added.

도 14는 애노드로서 제1 유기물층(101) 상에 금속층(201)이 구비되고, 금속층(201) 상에 제2 유기물층(301)이 구비된 투명전극이 구비된 유기 발광소자로서, Cahtode는 캐소드를 의미하고, HTL은 정공수송층을 의미하며, EML은 발광층을 의미하고, ETL은 전자수송층을 의미한다. 다만, 본 명세서는 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 전극을 제외한 각 층은 제외될 수도 있으며, 별도의 층이 추가될 수도 있다.14 is an organic light emitting device having a transparent electrode having a metal layer 201 on a first organic layer 101 as an anode and a second organic layer 301 on a metal layer 201. Cahtode has a cathode HTL means a hole transporting layer, EML means a light emitting layer, and ETL means an electron transporting layer. However, the present invention is not limited thereto, and each layer except for the electrode may be omitted, or a separate layer may be added.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 투명전극은 낮은 면저항 값, 즉 높은 전기 전도도를 가진다. According to one embodiment of the present disclosure, the transparent electrode has a low sheet resistance value, i.e., a high electrical conductivity.

본 명세서의 일구현예에 따르면, 상기 투명전극의 2 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 투명전극의 면저항 값은 5 Ω/□ 이상 80 Ω/□ 이하일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the transparent electrode may have a resistance of 2 Ω / □ or more and 100 Ω / □ or less. Specifically, the sheet resistance value of the transparent electrode may be 5 Ω / □ or more and 80 Ω / □ or less.

본 명세서의 상기 투명전극은 낮은 면저항 값으로 인하여, 과도한 전압을 인가하지 않더라도, 유기 전자소자를 정상적으로 구동할 수 있다. 그러므로, 상기 투명전극을 구비하는 경우, 유기 전자소자의 수명을 늘릴 수 있는 장점이 있다. 즉, 유기 전자소자의 안정성을 개선할 수 있다.Due to the low surface resistance value of the transparent electrode in this specification, the organic electronic device can be normally driven without applying an excessive voltage. Therefore, when the transparent electrode is provided, the lifetime of the organic electronic device can be increased. That is, the stability of the organic electronic device can be improved.

또한, 본 명세서의 상기 투명전극은 낮은 면저항 값을 갖는 동시에, 높은 광투과도를 가진다. In addition, the transparent electrode of the present invention has a low sheet resistance and a high light transmittance.

본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 투명전극의 광투과도는 40 % 이상 80 % 이하일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the light transmittance of the transparent electrode may be 40% or more and 80% or less.

본 명세서의 상기 면저항 값 및 광투과도는 700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass) 상에 전극을 형성한 후, 상기 전극을 1000 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass)로 봉지(encapsulation)하여 면저항을 측정하고, 광투과도는 550 nm의 파장의 빛이 투과하는 정도를 측정한다. The sheet resistance value and the light transmittance of the present invention are measured by forming electrodes on sodalime glass having a thickness of 700 탆 and encapsulating the electrodes with sodalime glass having a thickness of 1000 탆, And the light transmittance is measured by measuring the transmittance of light having a wavelength of 550 nm.

상부전극으로서 무기물층만으로 전극을 증착 공정을 이용하여 형성하는 경우, 불량률이 높은 단점이 있다. 구체적으로, 스퍼터링 방법에 의하여 ITO 또는 IZO를 상부전극으로 형성하는 경우, 상부전극은 스퍼터 데미지를 입게되어 전극으로 사용될 수 없는 비율이 높다. 이에 반하여, 본 명세서의 상기 투명전극은 상기 제1 무기물층을 스퍼터링 방법으로 증착하는 경우에도 손상 없이 증착이 가능하다. 이는 금속층이 스퍼터 데미지를 방지하는 역할을 할 수 있기 때문이다.When an electrode is formed using only an inorganic layer as an upper electrode by using a deposition process, there is a disadvantage that a defective rate is high. Specifically, when ITO or IZO is formed as an upper electrode by the sputtering method, the upper electrode is damaged due to sputtering, and the ratio of the electrode to the electrode can not be high. On the contrary, the transparent electrode of the present invention can be deposited without damaging even when the first inorganic material layer is deposited by a sputtering method. This is because the metal layer can prevent sputter damage.

일반적으로 사용하는 Mg:Ag 또는 Ca:Ag을 이용한 상부전극의 경우, 높은 면저항 값으로 인하여 대면적의 전극을 형성하기 곤란하다. 즉, Mg:Ag 또는 Ca:Ag의 상부전극은 Mg 및 Ca의 전기적 안정성이 Ag에 의하여 보장이 되어야 하나, 상부전극으로 사용시 전체 금속층의 두께는 20 ㎚ 이내로 얇으므로 Ca 및 Mg 등의 낮은 일함수를 갖는 금속의 산화안정성을 확보하기 곤란하다. 이는 표면의 면저항을 증가시키거나 전하주입특성의 저하 원인이 된다. 또한, 시드층(seed layer)에 의한 표면에너지 저하 특성이 없으면 Ag 등이 뭉침으로 인하여 위의 특성이 가속화되고, Ag 클러스터(cluster)에 의한 표면 플라즈몬 공명 (surface Plasmon resonance, SPR)에 의한 가시광 흡수효과도 증가하게 되어 투과도가 감소하는 문제가 있다. 이에 반하여 본 명세서의 상기 투명전극은 전술한 바와 같이 금속층의 뭉침 현상이 거의 발생하지 않으며, 낮은 면저항 값 및 높은 광투과도에 의하여 대면적의 상부전극으로 구현이 가능하다.In the case of an upper electrode using generally used Mg: Ag or Ca: Ag, it is difficult to form a large-area electrode due to a high sheet resistance value. That is, the upper electrode of Mg: Ag or Ca: Ag is required to ensure the electrical stability of Mg and Ca by Ag, but when used as an upper electrode, the thickness of the entire metal layer is as thin as 20 nm or less, It is difficult to secure the oxidation stability of the metal. This increases the surface resistance of the surface or causes deterioration of the charge injection characteristics. In addition, if there is no surface energy degradation characteristic due to the seed layer, the above characteristics are accelerated due to agglomeration of Ag or the like, and visible light absorption due to surface plasmon resonance (SPR) There is a problem that the effect is increased and the transmittance is decreased. On the other hand, the transparent electrode of the present invention can be realized as a large-area upper electrode by virtue of the low sheet resistance and high light transmittance without causing the metal layer to scoop.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples with reference to the drawings. However, the embodiments according to the present disclosure can be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present disclosure are provided to more fully describe the present disclosure to those of ordinary skill in the art.

<실시예 1> - 면저항 및 광투과도&Lt; Example 1 > - Surface resistance and light transmittance

700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass) 상에, 20 nm 두께의 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제1 유기물층, 5 nm 두께의 Ag로 이루어진 금속층을 순차적으로 적층하여 투명전극을 형성하였다. 상기 투명전극 상에 700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass)로 봉지(encapsulation)하여 면저항을 측정하였고, 광투과도는 550 nm의 파장의 빛이 투과하는 정도를 측정하였다.A first organic layer made of the compound represented by Formula 1-1 and a metal layer made of Ag having a thickness of 5 nm are sequentially laminated on a soda lime glass having a thickness of 700 mu m to form a transparent electrode Respectively. The sheet resistance was measured by encapsulating the transparent electrode with sodalime glass having a thickness of 700 탆, and the light transmittance was measured by measuring the transmittance of light having a wavelength of 550 nm.

실시예 1에서 측정된 투명전극의 면저항은 75 Ω/□이었으며, 광투과도는 55 % 였다. The sheet resistance of the transparent electrode measured in Example 1 was 75? / ?, and the light transmittance was 55%.

<실시예 2> - 면저항 및 광투과도&Lt; Example 2 > - Surface resistance and light transmittance

700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass) 상에, 20 nm 두께의 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제1 유기물층, 7 nm 두께의 Ag로 이루어진 금속층을 순차적으로 적층하여 투명전극을 형성하였다. 상기 투명전극 상에 700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass)로 봉지(encapsulation)하여 면저항을 측정하였고, 광투과도는 550 nm의 파장의 빛이 투과하는 정도를 측정하였다.A first organic layer made of a compound represented by the above formula (1-1) and a metal layer made of Ag having a thickness of 7 nm are sequentially laminated on a sodalime glass having a thickness of 700 mu m to form a transparent electrode Respectively. The sheet resistance was measured by encapsulating the transparent electrode with sodalime glass having a thickness of 700 탆, and the light transmittance was measured by measuring the transmittance of light having a wavelength of 550 nm.

실시예 2에서 측정된 투명전극의 면저항은 20 Ω/□이었으며, 광투과도는 51 % 였다.The sheet resistance of the transparent electrode measured in Example 2 was 20? / ?, and the light transmittance was 51%.

<실시예 3> - 면저항 및 광투과도&Lt; Example 3 > - Surface resistance and light transmittance

700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass) 상에, 20 nm 두께의 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제1 유기물층, 10 nm 두께의 Ag로 이루어진 금속층을 순차적으로 적층하여 투명전극을 형성하였다. 상기 투명전극 상에 700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass)로 봉지(encapsulation)하여 면저항을 측정하였고, 광투과도는 550 nm의 파장의 빛이 투과하는 정도를 측정하였다.A first organic layer made of a compound represented by the above formula (1-1) and a metal layer made of Ag having a thickness of 10 nm were sequentially laminated on a sodalime glass having a thickness of 700 탆 to form a transparent electrode Respectively. The sheet resistance was measured by encapsulating the transparent electrode with sodalime glass having a thickness of 700 탆, and the light transmittance was measured by measuring the transmittance of light having a wavelength of 550 nm.

실시예 3에서 측정된 투명전극의 면저항은 8 Ω/□이었으며, 광투과도는 53 % 였다.The sheet resistance of the transparent electrode measured in Example 3 was 8 Ω / □ and the light transmittance was 53%.

<실시예 4> - 면저항 및 광투과도&Lt; Example 4 > - Surface resistance and light transmittance

700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass) 상에, 30 nm 두께의 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제1 유기물층, 5 nm 두께의 Ag로 이루어진 금속층, 및 20 nm 두께의 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제2 유기물층을 순차적으로 적층하여 투명전극을 형성하였다. 상기 투명전극 상에 700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass)로 봉지(encapsulation)하여 면저항을 측정하였고, 광투과도는 550 nm의 파장의 빛이 투과하는 정도를 측정하였다.A first organic layer made of the compound represented by Formula 1-1, a metal layer made of Ag having a thickness of 5 nm, and a metal layer made of Ag having a thickness of 20 nm were formed on sodalime glass having a thickness of 700 mu m, -1 &gt; were sequentially laminated to form a transparent electrode. The sheet resistance was measured by encapsulating the transparent electrode with sodalime glass having a thickness of 700 탆, and the light transmittance was measured by measuring the transmittance of light having a wavelength of 550 nm.

실시예 4에서 측정된 투명전극의 면저항은 75 Ω/□이었으며, 광투과도는 63 % 였다. The sheet resistance of the transparent electrode measured in Example 4 was 75 Ω / □ and the light transmittance was 63%.

<실시예 5> - 면저항 및 광투과도&Lt; Example 5 > - Surface resistance and light transmittance

700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass) 상에, 30 nm 두께의 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제1 유기물층, 7 nm 두께의 Ag로 이루어진 금속층, 및 20 nm 두께의 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제2 유기물층을 순차적으로 적층하여 투명전극을 형성하였다. 상기 투명전극 상에 700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass)로 봉지(encapsulation)하여 면저항 및 광투과도를 측정하였다.A first organic layer made of the compound represented by Formula 1-1, a metal layer made of Ag having a thickness of 7 nm and a metal layer made of Ag having a thickness of 30 nm were formed on sodalime glass having a thickness of 700 mu m, -1 &gt; were sequentially laminated to form a transparent electrode. The sheet resistance and light transmittance were measured by encapsulating the transparent electrode with sodalime glass having a thickness of 700 mu m.

실시예 5에서 측정된 투명전극의 면저항은 20 Ω/□이었으며, 광투과도는 65 % 였다.The sheet resistance of the transparent electrode measured in Example 5 was 20? / ?, and the light transmittance was 65%.

<실시예 6> - 면저항 및 광투과도&Lt; Example 6 > - Sheet resistance and light transmittance

700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass) 상에, 30 nm 두께의 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제1 유기물층, 10 nm 두께의 Ag로 이루어진 금속층, 및 20 nm 두께의 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 제2 유기물층을 순차적으로 적층하여 투명전극을 형성하였다. 상기 투명전극 상에 700 ㎛ 두께의 소다라임 글래스(sodalime glass)로 봉지(encapsulation)하여 면저항 및 광투과도를 측정하였다.A first organic layer made of the compound represented by the above formula (1-1), a metal layer made of Ag having a thickness of 10 nm and a metal layer made of Ag having a thickness of 20 nm were formed on sodalime glass having a thickness of 700 mu m, -1 &gt; were sequentially laminated to form a transparent electrode. The sheet resistance and light transmittance were measured by encapsulating the transparent electrode with sodalime glass having a thickness of 700 mu m.

실시예 6에서 측정된 투명전극의 면저항은 8 Ω/□이었으며, 광투과도는 59 % 였다.The sheet resistance of the transparent electrode measured in Example 6 was 8? / ?, and the light transmittance was 59%.

<비교예 1> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 1 > - Surface resistance and light transmittance

투명전극으로서, Yb를 15 nm 두께로 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.The sheet resistance and light transmittance were measured in the same manner as in Example 1, except that a transparent electrode was formed with a thickness of 15 nm as a transparent electrode.

비교예 1에서 측정된 투명전극의 면저항은 5,000 Ω/□이었으며, 광투과도는 42 % 였다.The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 1 was 5,000? / ?, and the light transmittance was 42%.

<비교예 2> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 2 > - Surface resistance and light transmittance

투명전극으로서, Yb를 20 nm 두께로 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.The sheet resistance and light transmittance were measured in the same manner as in Example 1, except that a transparent electrode was formed to a thickness of 20 nm as a transparent electrode.

비교예 2에서 측정된 투명전극의 면저항은 196 Ω/□이었으며, 광투과도는 39 % 였다.The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 2 was 196? / ?, and the light transmittance was 39%.

<비교예 3> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 3 > - Surface resistance and light transmittance

투명전극으로서, Yb를 25 nm 두께로 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.The sheet resistance and light transmittance were measured in the same manner as in Example 1, except that a transparent electrode was formed with a thickness of 25 nm as a transparent electrode.

비교예 3에서 측정된 투명전극의 면저항은 60 Ω/□이었으며, 광투과도는 29 % 였다.The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 3 was 60 Ω / □, and the light transmittance was 29%.

<비교예 4> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 4 > - Surface resistance and light transmittance

투명전극으로서, Yb와 Ag를 9:1 중량비의 합금으로하여 15 nm 두께로 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.The sheet resistance and light transmittance were measured in the same manner as in Example 1, except that a transparent electrode was formed to a thickness of 15 nm using a 9: 1 weight ratio alloy of Yb and Ag as a transparent electrode.

비교예 4에서 측정된 투명전극의 면저항은 160 Ω/□이었으며, 광투과도는 44 % 였다.The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 4 was 160 Ω / □, and the light transmittance was 44%.

<비교예 5> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 5 > - Surface resistance and light transmittance

투명전극으로서, Yb와 Ag를 9:1 중량비의 합금으로하여 20 nm 두께로 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.The sheet resistance and light transmittance were measured in the same manner as in Example 1, except that a transparent electrode was formed to a thickness of 20 nm using an alloy of Yb and Ag in a weight ratio of 9: 1 as a transparent electrode.

비교예 5에서 측정된 투명전극의 면저항은 100 Ω/□이었으며, 광투과도는 33 % 였다.The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 5 was 100 Ω / □, and the light transmittance was 33%.

<비교예 6> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 6 > - Surface resistance and light transmittance

투명전극으로서, Yb와 Ag를 9:1 중량비의 합금으로하여 25 nm 두께로 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.The sheet resistance and light transmittance were measured in the same manner as in Example 1, except that a transparent electrode was formed to a thickness of 25 nm using a 9: 1 weight ratio alloy of Yb and Ag as a transparent electrode.

비교예 6에서 측정된 투명전극의 면저항은 74 Ω/□이었으며, 광투과도는 27 % 였다.The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 6 was 74 Ω / □, and the light transmittance was 27%.

<비교예 7> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 7 > - Surface resistance and light transmittance

투명전극으로서, Ag를 5 nm 두께로 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.The sheet resistance and light transmittance were measured in the same manner as in Example 1, except that a transparent electrode was formed to a thickness of 5 nm as a transparent electrode.

비교예 7에서 측정된 투명전극의 면저항은 측정이 불가하였으며, 광투과도는 36 % 였다. The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 7 was not measurable, and the light transmittance was 36%.

도 11에서는 상기 비교예 7에 따라 제조된 전극의 TEM 이미지를 나타내었다.FIG. 11 shows a TEM image of the electrode prepared according to Comparative Example 7. FIG.

<비교예 8> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 8 > - Sheet resistance and light transmittance

투명전극으로서, Ag를 10 nm 두께로 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.The sheet resistance and light transmittance were measured in the same manner as in Example 1, except that a transparent electrode was formed to a thickness of 10 nm as a transparent electrode.

비교예 8에서 측정된 투명전극의 면저항은 200 Ω/□ 였으며, 광투과도는 27 % 였다. The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 8 was 200? / ?, and the light transmittance was 27%.

도 12에서는 상기 비교예 8에 따라 제조된 전극의 TEM 이미지를 나타내었다. FIG. 12 shows TEM images of the electrode prepared according to Comparative Example 8. FIG.

<비교예 9> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 9 > - Sheet resistance and light transmittance

투명전극으로서, Ag를 20 nm 두께로 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.The sheet resistance and light transmittance were measured in the same manner as in Example 1, except that a transparent electrode was formed to a thickness of 20 nm as a transparent electrode.

비교예 9에서 측정된 투명전극의 면저항은 2 Ω/□ 였으며, 광투과도는 23 % 였다. The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 9 was 2? / ?, and the light transmittance was 23%.

<비교예 10> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 10 > - Surface resistance and light transmittance

투명전극으로서, Ag로 이루어진 5 nm의 금속층 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 20 nm의 유기물층을 순차적으로 적층하여 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.As in Example 1, except that a transparent electrode was formed by sequentially laminating a 5 nm metal layer made of Ag and a 20 nm organic material layer made of the compound represented by Chemical Formula 2 as a transparent electrode as the transparent electrode, the sheet resistance and the light transmittance Were measured.

비교예 10에서 측정된 투명전극의 면저항은 170 Ω/□ 였으며, 광투과도는 37 % 였다. The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 10 was 170 Ω / □, and the light transmittance was 37%.

도 9에서는 상기 비교예 10에 따라 제조된 전극의 TEM 이미지를 나타내었다.FIG. 9 shows a TEM image of the electrode prepared according to Comparative Example 10. FIG.

<비교예 11> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 11 > - Sheet resistance and light transmittance

투명전극으로서, Ag로 이루어진 7 nm의 금속층 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 20 nm의 유기물층을 순차적으로 적층하여 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.As in Example 1, except that a transparent electrode was formed by sequentially laminating a 7 nm metal layer made of Ag and a 20 nm organic layer made of the compound represented by Chemical Formula 2 as a transparent electrode as a transparent electrode, the sheet resistance and light transmittance Were measured.

비교예 11에서 측정된 투명전극의 면저항은 100 Ω/□ 였으며, 광투과도는 41 % 였다. The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 11 was 100? / ?, and the light transmittance was 41%.

<비교예 12> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 12 > - Sheet resistance and light transmittance

투명전극으로서, Ag로 이루어진 10 nm의 금속층 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 20 nm의 유기물층을 순차적으로 적층하여 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.As in Example 1, except that a transparent electrode was formed by sequentially laminating a 10 nm metal layer made of Ag and a 20 nm organic material layer made of the compound represented by Chemical Formula 2 as a transparent electrode as a transparent electrode, the sheet resistance and light transmittance Were measured.

비교예 12에서 측정된 투명전극의 면저항은 70 Ω/□ 였으며, 광투과도는 41 % 였다. The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 12 was 70? / ?, and the light transmittance was 41%.

도 10에서는 상기 비교예 12에 따라 제조된 전극의 TEM 이미지를 나타내었다.FIG. 10 shows a TEM image of the electrode prepared according to Comparative Example 12. FIG.

<비교예 13> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 13 > - Surface resistance and light transmittance

투명전극으로서, IZO를 100 nm 두께로 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.The sheet resistance and light transmittance were measured in the same manner as in Example 1, except that a transparent electrode was formed as a transparent electrode with a thickness of 100 nm.

비교예 13에서 측정된 투명전극의 면저항은 43 Ω/□ 였으며, 광투과도는 75 % 였다. The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 13 was 43? / ?, and the light transmittance was 75%.

<비교예 14> - 면저항 및 광투과도&Lt; Comparative Example 14 > - Surface resistance and light transmittance

투명전극으로서, IZO를 200 nm 두께로 투명전극을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 면저항 및 광투과도를 측정하였다.The sheet resistance and light transmittance were measured in the same manner as in Example 1, except that a transparent electrode was formed as a transparent electrode with a thickness of 200 nm.

비교예 14에서 측정된 투명전극의 면저항은 21 Ω/□ 였으며, 광투과도는 66 % 였다. The sheet resistance of the transparent electrode measured in Comparative Example 14 was 21? / ?, and the light transmittance was 66%.

<실시예 7> - 유기 발광소자의 성능 평가&Lt; Example 7 > - Performance evaluation of organic light emitting device

기판, 하부전극으로서 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 20 nm 의 제1 유기물층, Ag로 이루어진 7 nm 의 금속층 및 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 30 nm 의 제2 유기물층이 순차적으로 적층된 투명전극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 상부전극을 순차적으로 적층한 유기 발광소자를 제조하였다. A substrate, a 20 nm first organic layer made of the compound represented by Formula 1-1, a 7 nm metallic layer made of Ag, and a 30 nm second organic layer made of the compound represented by Formula 1-1 are sequentially A hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an upper electrode were sequentially laminated.

<실시예 8> - 유기 발광소자의 성능 평가&Lt; Example 8 > - Performance evaluation of organic light emitting device

기판, 하부전극으로서 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 20 nm 의 제1 유기물층, Ag로 이루어진 12 nm 의 금속층 및 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 30 nm 의 제2 유기물층이 순차적으로 적층된 투명전극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 상부전극을 순차적으로 적층한 유기 발광소자를 제조하였다.A substrate, a 20 nm first organic layer made of the compound represented by Formula 1-1, a 12 nm metallic layer made of Ag, and a 30 nm second organic layer made of the compound represented by Formula 1-1 in sequence A hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an upper electrode were sequentially laminated.

<실시예 9> - 유기 발광소자의 성능 평가&Lt; Example 9 > - Performance evaluation of organic light emitting device

기판, 하부전극으로서 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 20 nm 의 제1 유기물층, Ag로 이루어진 15 nm 의 금속층 및 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로 이루어진 30 nm 의 제2 유기물층이 순차적으로 적층된 투명전극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 상부전극을 순차적으로 적층한 유기 발광소자를 제조하였다.Substrate, a 20 nm first organic layer made of the compound represented by Formula 1-1, a 15 nm metal layer made of Ag, and a 30 nm second organic layer made of the compound represented by Formula 1-1 are sequentially A hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an upper electrode were sequentially laminated.

<비교예 15> - 유기발광소자의 성능 평가&Lt; Comparative Example 15 > - Performance evaluation of organic light emitting device

하부전극으로서 ITO를 15 nm 두께로 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일하게 유기 발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 7 except that ITO was formed to a thickness of 15 nm as a lower electrode.

상기 실시예 7 내지 9 및 상기 비교예 15에 따른 유기 발광소자의 성능을 하기 표 1에서 비교하였다. The performance of the organic light emitting devices according to Examples 7 to 9 and Comparative Example 15 was compared in Table 1 below.

@ 3 mA/cm2 @ 3 mA / cm 2 Bias
(V)
Bias
(V)
C.E.
(cd/A)
CE
(cd / A)
P.E.
(lm/W)
PE
(lm / W)
Ext.Q.E.
(%)
Ext.QE
(%)
실시예 7Example 7 2.812.81 74.274.2 91.691.6 24.124.1 실시예 8Example 8 2.782.78 85.085.0 113.3113.3 27.727.7 실시예 9Example 9 2.782.78 85.085.0 113.3113.3 27.727.7 비교예 15Comparative Example 15 2.892.89 63.163.1 72.972.9 20.420.4

상기 표 1에서, Bias는 구동전압(Operation voltage)과 같은 의미이고, C.E. (Current efficiency)는 단위 전류밀도당 방출되는 휘도를 의미하며, P.E.(Power efficacy)로서, 단위 와트당 광속을 의미하고, Ext.Q.E.(External quantum efficiency)는 외부양자효율로서 주입된 전하 대비 방출된 광자수의 비를 의미하며 이는 유기 발광소자의 절대 효율을 나타낼 수 있다. In Table 1, Bias means the same as the operation voltage, and C.E. (Current efficiency) means the luminance emitted per unit current density, PE (Power efficacy), which means the luminous flux per unit of watt, and Ext.QE (External quantum efficiency) is the external quantum efficiency, And it can represent the absolute efficiency of the organic light emitting device.

상기 표 1에서 알 수 있듯이, 본 명세서의 일 구현예인 실시예 7 내지 9는 ITO를 하부전극으로 적용한 비교예 15에 비하여, 작동 전압이 낮고, 광도 및 휘도는 높으며, 효율 또한 높은 것을 확인할 수 있다. As can be seen from the above Table 1, Examples 7 to 9 of this embodiment show that the operating voltage is low, the brightness and the brightness are high, and the efficiency is also higher than that of Comparative Example 15 in which ITO is applied as the lower electrode .

또한, 상기 실시예 7 내지 9 및 상기 비교예 15에 따른 유기 발광소자의 J-V 특성 데이터를 도 15에 나타내었다.The J-V characteristic data of the organic light emitting devices according to Examples 7 to 9 and Comparative Example 15 are shown in Fig.

도 15에서 알 수 있듯이, 비교예 15에 따른 유기 발광소자 대비 실시예에 따른 유기 발광소자의 전류밀도 곡선이 동일 전압대비 상승해 있는 것은 전하주입 특성이 비교예 15에 비하여 우수함을 의미합니다. 이는 구동전압이 0.1 V 감소함으로써 동일 휘도 대비 낮은 전압으로 구동되므로 P.E. 및 C.E가 증가하는 것을 의미한다. 또한, 상기 제1 유기물층 및 제2 유기물층의 두께조절을 통하여 광학적으로 유기 발광소자를 최적화 하는 것에 유리한 것을 의미할 수 있다.As can be seen from FIG. 15, the current density curve of the organic light emitting device according to the embodiment compared to the organic light emitting device according to the comparative example 15 is higher than that of the comparative example 15, which means that the charge injection characteristic is superior to the comparative example 15. This is because the driving voltage is driven by a voltage lower than the same luminance by a decrease of 0.1 V, And &lt; RTI ID = 0.0 &gt; C. &lt; / RTI &gt; In addition, it may be advantageous to optically optimize the organic light emitting diode by controlling the thickness of the first organic material layer and the second organic material layer.

나아가, 상기 실시예 7 내지 9 및 상기 비교예 15에 따른 유기 발광소자의 수명 관련 데이터를 도 16에 나타내었다. Further, the lifetime-related data of the organic light emitting devices according to Examples 7 to 9 and Comparative Example 15 are shown in Fig.

도 16에서 알 수 있듯이, 본 명세서의 일 구현예인 실시예 7 내지 9는 ITO를 하부전극으로 적용한 비교예 15에 비하여, 낮은 구동 전압 및 높은 휘도를 오랜시간동안 유지하는 것을 확인할 수 있다.As can be seen from FIG. 16, in Examples 7 to 9 of this embodiment, it can be seen that the low driving voltage and the high luminance are maintained for a long time, as compared with Comparative Example 15 in which ITO is applied as the lower electrode.

101, 102: 제1 유기물층
201, 202: 금속층
301: 제2 유기물층
401: 무기물층
101, 102: first organic layer
201, 202: metal layer
301: second organic layer
401: inorganic layer

Claims (21)

하부전극; 상기 하부전극에 대향하여 구비된 상부전극; 및 상기 하부전극과 상기 상부전극 사이에 구비된 유기물층을 포함하고,
상기 하부전극은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 유기물층; 및 상기 제1 유기물층 상에 접하여 구비된 금속층을 포함하는 전도성 단위를 1 또는 2 이상 포함하는 투명전극이며,
상기 금속층은 상기 제 1 유기물층에 금속 입자를 증착하여 구비되고,
상기 제 1 유기물층은 상기 금속 입자를 증착할 때 시드층의 역할을 하고,
상기 금속 입자는 Ag인 유기 전자소자:
[화학식 1]
Figure 112017003838048-pat00009

상기 R1 내지 R6는 각각 수소; 할로겐기; 니트릴기(-CN); 니트로기(-NO2); 술포닐기(-SO2R); 술폭사이드기(-SOR); 술폰아미드기(-SO2NR2); 술포네이트기(-SO3R); 트리플루오로메틸기(-CF3); 에스테르기(-COOR); 아미드기(-CONHR 또는 -CONRR'); 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄의 C1 내지 C12의 알콕시기; 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C12의 알킬기; 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄 C2 내지 C12의 알케닐기; 치환 또는 비치환의 방향족 또는 비방향족의 이형고리기; 치환 또는 비치환의 아릴기; 치환 또는 비치환의 모노- 또는 디-아릴아민기; 및 치환 또는 비치환의 아랄킬아민기으로 구성된 군에서 선택되며,
상기 R 및 R'는 각각 치환 또는 비치환의 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환의 5 내지 7원 이형고리기로 이루어진 군에서 선택된다.
A lower electrode; An upper electrode facing the lower electrode; And an organic layer disposed between the lower electrode and the upper electrode,
Wherein the lower electrode comprises a first organic compound layer comprising a compound represented by Formula 1 below; And a transparent electrode comprising one or more conductive units including a metal layer disposed in contact with the first organic material layer,
Wherein the metal layer is formed by depositing metal particles on the first organic material layer,
The first organic layer serves as a seed layer when depositing the metal particles,
Wherein the metal particles are Ag;
[Chemical Formula 1]
Figure 112017003838048-pat00009

Each of R1 to R6 is hydrogen; A halogen group; Nitrile group (-CN); A nitro group (-NO 2 ); A sulfonyl group (-SO 2 R); Sulfoxide group (-SOR); A sulfonamide group (-SO 2 NR 2); Sulfonate groups (-SO 3 R); A trifluoromethyl group (-CF 3); Ester group (-COOR); An amide group (-CONHR or -CONRR '); A substituted or unsubstituted straight or branched chain C1 to C12 alkoxy group; A substituted or unsubstituted straight or branched chain C1 to C12 alkyl group; A substituted or unsubstituted straight or branched chain C2 to C12 alkenyl group; A substituted or unsubstituted aromatic or non-aromatic heterocyclic group; A substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted mono- or di-arylamine group; And a substituted or unsubstituted aralkylamine group,
R and R 'are each a substituted or unsubstituted C1 to C60 alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; And a substituted or unsubstituted 5- to 7-membered aliphatic cyclic group.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 유기물층의 두께는 5 nm 이상 50 nm 이하인 것인 유기 전자소자.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the first organic material layer is 5 nm or more and 50 nm or less.
청구항 1에 있어서,
상기 금속층의 두께는 1 nm 이상 20 nm 이하인 것인 유기 전자소자.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the metal layer is 1 nm or more and 20 nm or less.
청구항 1에 있어서,
상기 투명전극의 광투과도는 40 % 이상 80% 이하인 것인 유기 전자소자.
The method according to claim 1,
And the light transmittance of the transparent electrode is 40% or more and 80% or less.
청구항 1에 있어서,
상기 R1 내지 R6은 모두 니트릴기(-CN)인 것인 유기 전자소자.
The method according to claim 1,
Wherein each of R1 to R6 is a nitrile group (-CN).
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-6 중 어느 하나인 것인 유기 전자소자:
[화학식 1-1]
Figure 112014092158183-pat00010

[화학식 1-2]
Figure 112014092158183-pat00011

[화학식 1-3]
Figure 112014092158183-pat00012

[화학식 1-4]
Figure 112014092158183-pat00013

[화학식 1-5]
Figure 112014092158183-pat00014

[화학식 1-6]
Figure 112014092158183-pat00015
The method according to claim 1,
Wherein the compound represented by Formula 1 is any one of the following Formulas 1-1 to 1-6:
[Formula 1-1]
Figure 112014092158183-pat00010

[Formula 1-2]
Figure 112014092158183-pat00011

[Formula 1-3]
Figure 112014092158183-pat00012

[Formula 1-4]
Figure 112014092158183-pat00013

[Formula 1-5]
Figure 112014092158183-pat00014

[Chemical Formula 1-6]
Figure 112014092158183-pat00015
청구항 1에 있어서,
상기 투명전극은 상기 전도성 단위가 1개인 것인 유기 전자소자.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent electrode has one conductivity unit.
청구항 1에 있어서,
상기 투명전극은 2 이상의 상기 전도성 단위가 순차적으로 적층되어 구비된 것인 유기 전자소자.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent electrode is formed by sequentially laminating two or more conductive units.
청구항 1에 있어서,
상기 투명전극은 기판 상에 접하여 구비되고, 기판에 접하는 상기 전도성 단위는 기판상에 상기 제1 유기물층이 구비되는 것인 유기 전자소자.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent electrode is provided in contact with the substrate, and the conductive unit in contact with the substrate is provided with the first organic material layer on the substrate.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 금속층은 일함수가 2 eV 이상 6 eV 이하인 금속 및 이들 중 2 이상의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the metal layer includes one or more selected from the group consisting of a metal having a work function of 2 eV or more and 6 eV or less and an alloy of two or more thereof.
청구항 11에 있어서,
상기 일함수가 2 eV 이상 6 eV 이하인 금속은 Au, Ag, Al, Ca, Mg, Yb, Sm, Cs, Ba, Li, Rb, Cu, Sn 또는 Pt인 것인 유기 전자 소자.
The method of claim 11,
Wherein the metal having a work function of 2 eV or more and 6 eV or less is Au, Ag, Al, Ca, Mg, Yb, Sm, Cs, Ba, Li, Rb, Cu, Sn or Pt.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 단위 상에 제2 유기물층 또는 무기물층을 더 포함하는 것인 유기 전자소자.
The method according to claim 1,
And a second organic or inorganic layer on the conductive unit.
청구항 14에 있어서,
상기 제2 유기물층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 전자소자:
[화학식 1]
Figure 112014092158183-pat00016

상기 R1 내지 R6는 각각 수소; 할로겐기; 니트릴기(-CN); 니트로기(-NO2); 술포닐기(-SO2R); 술폭사이드기(-SOR); 술폰아미드기(-SO2NR2); 술포네이트기(-SO3R); 트리플루오로메틸기(-CF3); 에스테르기(-COOR); 아미드기(-CONHR 또는 -CONRR'); 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄의 C1 내지 C12의 알콕시기; 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C12의 알킬기; 치환 또는 비치환의 직쇄 또는 분지쇄 C2 내지 C12의 알케닐기; 치환 또는 비치환의 방향족 또는 비방향족의 이형고리기; 치환 또는 비치환의 아릴기; 치환 또는 비치환의 모노- 또는 디-아릴아민기; 및 치환 또는 비치환의 아랄킬아민기으로 구성된 군에서 선택되며,
상기 R 및 R'는 각각 치환 또는 비치환의 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환의 5 내지 7원 이형고리기로 이루어진 군에서 선택된다.
15. The method of claim 14,
Wherein the second organic material layer comprises a compound represented by the following formula (1): &lt; EMI ID =
[Chemical Formula 1]
Figure 112014092158183-pat00016

Each of R1 to R6 is hydrogen; A halogen group; Nitrile group (-CN); A nitro group (-NO 2 ); A sulfonyl group (-SO 2 R); Sulfoxide group (-SOR); A sulfonamide group (-SO 2 NR 2); Sulfonate groups (-SO 3 R); A trifluoromethyl group (-CF 3); Ester group (-COOR); An amide group (-CONHR or -CONRR '); A substituted or unsubstituted straight or branched chain C1 to C12 alkoxy group; A substituted or unsubstituted straight or branched chain C1 to C12 alkyl group; A substituted or unsubstituted straight or branched chain C2 to C12 alkenyl group; A substituted or unsubstituted aromatic or non-aromatic heterocyclic group; A substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted mono- or di-arylamine group; And a substituted or unsubstituted aralkylamine group,
R and R 'are each a substituted or unsubstituted C1 to C60 alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; And a substituted or unsubstituted 5- to 7-membered aliphatic cyclic group.
청구항 14에 있어서,
상기 무기물층은 ITO; IZO; IZTO; ATO; AZO; GZO; FTO; ZTO; ZnO; FZO; IGZO; WO3; ZrO3; V2O7; MoO3; 또는 ReO3를 포함하는 것인 유기 전자소자.
15. The method of claim 14,
The inorganic layer may include ITO; IZO; IZTO; ATO; AZO; GZO; FTO; ZTO; ZnO; FZO; IGZO; WO 3 ; ZrO 3; V 2 O 7 ; MoO 3 ; Or ReO &lt; 3 & gt ;.
청구항 14에 있어서,
상기 투명전극은 전도성 단위가 1개이고,
상기 금속층 상에 상기 제2 유기물층 또는 상기 무기물층이 구비된 것인 유기 전자소자.
15. The method of claim 14,
The transparent electrode has one conductive unit,
And the second organic material layer or the inorganic material layer is provided on the metal layer.
청구항 14에 있어서,
상기 투명전극은 전도성 단위가 2개 순차적으로 적층되고,
상부전극에 가장 가깝게 배치된 상기 전도성 단위의 금속층 상에 상기 제2 유기물층 또는 상기 무기물층이 구비된 것인 유기 전자소자.
15. The method of claim 14,
Wherein the transparent electrode is formed by sequentially laminating two conductive units,
Wherein the second organic material layer or the inorganic material layer is provided on the metal layer of the conductive unit disposed closest to the upper electrode.
청구항 14에 있어서,
상기 제2 유기물층 또는 무기물층의 두께는 10 nm 이상 200 nm 이하인 것인 유기 전자소자.
15. The method of claim 14,
Wherein the thickness of the second organic material layer or the inorganic material layer is 10 nm or more and 200 nm or less.
청구항 1에 있어서,
상기 투명전극의 면저항 값은 2 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하인 것인 유기 전자소자.
The method according to claim 1,
And the sheet resistance value of the transparent electrode is 2? /? To 100? /?.
청구항 1에 있어서,
상기 유기 전자소자는 유기 발광소자, 유기 태양전지, 또는 유기 트랜지스터인 것인 유기 전자소자.
The method according to claim 1,
Wherein the organic electronic device is an organic light emitting device, an organic solar cell, or an organic transistor.
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