KR101728470B1 - 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나 - Google Patents
인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101728470B1 KR101728470B1 KR1020160033902A KR20160033902A KR101728470B1 KR 101728470 B1 KR101728470 B1 KR 101728470B1 KR 1020160033902 A KR1020160033902 A KR 1020160033902A KR 20160033902 A KR20160033902 A KR 20160033902A KR 101728470 B1 KR101728470 B1 KR 101728470B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dielectric substrate
- circularly polarized
- radiating elements
- antenna
- high frequency
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/0485—Dielectric resonator antennas
- H01Q9/0492—Dielectric resonator antennas circularly polarised
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
- H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q19/00—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic
- H01Q19/06—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using refracting or diffracting devices, e.g. lens
- H01Q19/09—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using refracting or diffracting devices, e.g. lens wherein the primary active element is coated with or embedded in a dielectric or magnetic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q5/00—Arrangements for simultaneous operation of antennas on two or more different wavebands, e.g. dual-band or multi-band arrangements
- H01Q5/30—Arrangements for providing operation on different wavebands
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 특성을 가지는 원형편파 안테나는 제1 유전체 기판; 상기 제1 유전체 기판에 서로 직교하는 보우타이 형태로 형성되고, 고주파 대역의 원형편파를 방사하는 제1 및 제2 고주파 방사 소자; 및 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자가 직교하는 교차 지점으로부터 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자 사이로 연장되어 서로 직교하도록 배치되고, 저주파 대역의 원형편파를 방사하는 제1 및 제2 저주파 방사 소자를 포함한다.
Description
본 발명의 실시예들은 안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 특성을 가지는 원형편파 안테나에 관한 것이다.
일반적으로 안테나는 무선통신에서 통신의 목적을 달성하기 위해 공간에 효율적으로 전파를 방사하거나 또는 전파에 의해 효율적으로 기전력을 유지시키기 위해 공중에 가설한 도선으로서, 송수신을 위해 전자파를 공간으로 보내거나 받기 위한 장치이다.
이러한 안테나 중, 원형편파 안테나가 현대의 무선 통신 분야에서 널리 사용되고 있는데, 특히 다중 대역에서 동작 가능한 원형편파 안테나의 연구가 활발히 이루어지고 있다.
다중 대역에서 동작되기 위한 원형편파 안테나는 주로 여러 층의 기판이나 여러 통로를 이용하여 안테나에 급전시킬 수 있다. 하지만, 이와 같이 만들어진 원형편파 안테나는 부피가 커지고, 설계 구조가 복잡하며, 다중 대역의 대역폭이 좁아지는 문제가 발생한다.
상기와 같은 문제점을 극복하기 위해, 인공 자기 도체(Artificial Magnetic Conductor)가 사용되고 있다.
자기 도체는 보통 전기 도체에 상응하는 것으로, 전기 도체의 표면상에는 전기장의 접선 성분이 거의 0이 되지만, 자기 도체의 표면상에는 자기장의 접선 성분이 거의 0이 된다.
이와 같은 자기 도체는 일반적인 전기 도체 상에 특정 단위 셀 패턴을 주기적으로 배열함으로써 구현할 수 있다.
그러나, 인공 자기 도체만을 사용한 원형편파 안테나는 광대역의 특성 혹은 고이득의 특성 등을 가지기에는 다소 어려움이 따른다.
따라서, 인공 자기 도체를 활용함과 동시에 안테나의 크기를 소형화시키고 성능을 보다 향상시킬 수 있는 안테나의 구조가 개발되는 것이 필요하다.
관련 선행기술로는 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0072017(발명의 명칭: 인공자기도체와 결합된 영차 공진 메타 안테나, 공개일자: 2012년 7월 3일)가 있다.
본 발명의 일 실시예는 원형편파 방사기의 구조를 개선하여 이중 대역 특성을 가지며 원형편파를 방사할 수 있는, 인공 자기 도체 위에 설계한 이중 대역 원형편파 안테나를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 원형편파 방사기에서 방사된 원형편파를 반사하는 인공 자기 도체를 이용하여 저주파 대역에서 광대역의 원형편파 특성을 향상시킬 수 있는 이중 대역 원형편파 안테나를 제공한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나는 제1 유전체 기판; 상기 제1 유전체 기판에 서로 직교하는 보우타이 형태로 형성되고, 고주파 대역의 원형편파를 방사하는 제1 및 제2 고주파 방사 소자; 및 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자가 직교하는 교차 지점으로부터 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자 사이로 연장되어 서로 직교하도록 배치되고, 저주파 대역의 원형편파를 방사하는 제1 및 제2 저주파 방사 소자를 포함한다.
상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자 중, 상기 제1 유전체 기판의 대각선을 기준으로 일측에 형성된 소자는 상기 제1 유전체 기판의 상부에 형성되고 타측에 형성된 소자는 상기 제1 유전체 기판의 하부에 형성되며, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자 중, 상기 제1 유전체 기판의 대각선을 기준으로 일측에 형성된 소자는 상기 제1 유전체 기판의 상부에 형성되고 타측에 형성된 소자는 상기 제1 유전체 기판의 하부에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나는 상기 제1 유전체 기판의 하부로부터 이격되어 배치되는 제2 유전체 기판의 상부에 형성되어 상기 원형편파를 반사시키는 인공 자기 도체를 더 포함할 수 있다.
상기 인공 자기 도체는 상기 제2 유전체 기판의 상부면에 변의 길이에 따라 주기성을 가지고 배열되는 복수의 단위 셀을 구비할 수 있다.
상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 특성은 상기 인공 자기 도체 및 상기 제1 유전체 기판 사이의 이격 거리에 따라 조정 가능할 수 있다.
상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자는 끝단이 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자의 삼각 패치 방향으로 절곡되어 형성될 수 있다.
상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 특성은 상기 절곡된 끝단의 길이에 따라 조정 가능할 수 있다.
상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 대역폭은 상기 길이가 증가할수록 하향 이동될 수 있다.
상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 특성은 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자의 개수에 따라 조정 가능할 수 있다.
상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 대역폭은 상기 개수가 증가할수록 확장될 수 있다.
상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 특성은 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자의 삼각 패치의 밑변으로부터 상기 교차지점까지의 길이에 따라 조정 가능할 수 있다.
상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 대역폭은 상기 길이가 감소할수록 상향 이동될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나는 상기 교차지점에 형성되어 상기 원형편파를 발생시키는 이중의 링 부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 원형편파 방사기의 구조를 개선하여 이중 대역 특성을 가지는 원형편파를 방사할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 원형편파 방사기에서 방사된 원형편파를 반사하는 인공 자기 도체를 이용하여 저주파 대역에서 광대역의 원형편파의 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 및 제2 고주파 방사 소자의 삼각 패치의 밑변으로부터 교차지점까지의 길이(L)를 최적화하여 제1 및 제2 고주파 방사 소자를 구현함으로써, 원형편파 안테나가 높은 주파수 대역의 원형편파를 발생시키도록 유도할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 및 제2 저주파 방사 소자의 절곡된 끝단의 길이(li)를 최적화하여 제1 및 제2 저주파 방사 소자를 구현함으로써, 원형편파 안테나가 낮은 주파수 대역의 원형편파를 발생시키도록 유도할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 인공 자기 도체를 제2 유전체 기판의 상부에 형성함으로써, 원형편파 안테나가 보다 넓은 구간의 저주파 대역에서 원형편파를 발생시키도록 유도할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 인공 자기 도체 및 제1 유전체 기판 사이의 이격 거리(H)를 최적화하여 원형편파 안테나를 구현함으로써, 원형편파 안테나가 고주파 대역에서의 보다 향상된 반사계수 특성 및 축비 대역폭 특성을 가지고 동작하도록 유도할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나를 설명하기 위해 도시한 측면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 원형편파 방사기를 설명하기 위해 도시한 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 있어서, 인공 자기 도체의 유무에 따른 안테나의 반사계수 특성 및 축비 특성을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 및 제2 저주파 방사 소자의 절곡된 끝단의 길이에 따른 안테나의 반사계수 특성 및 축비 특성을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 및 제2 고주파 방사 소자의 삼각 패치의 밑변에서 원형편파 방사기의 교차지점까지의 길이에 따른 안테나의 반사계수 특성 및 축비 특성을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나의 측정 및 시뮬레이션 된 반사계수 특성을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나의 시뮬레이션 및 측정된 축비 특성 및 이득 특성을 나타낸 도면이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나의 X-Z 평면, Y-Z 평면에서의 시뮬레이션 및 측정된 방사패턴을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 원형편파 방사기를 설명하기 위해 도시한 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 있어서, 인공 자기 도체의 유무에 따른 안테나의 반사계수 특성 및 축비 특성을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 및 제2 저주파 방사 소자의 절곡된 끝단의 길이에 따른 안테나의 반사계수 특성 및 축비 특성을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 및 제2 고주파 방사 소자의 삼각 패치의 밑변에서 원형편파 방사기의 교차지점까지의 길이에 따른 안테나의 반사계수 특성 및 축비 특성을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나의 측정 및 시뮬레이션 된 반사계수 특성을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나의 시뮬레이션 및 측정된 축비 특성 및 이득 특성을 나타낸 도면이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나의 X-Z 평면, Y-Z 평면에서의 시뮬레이션 및 측정된 방사패턴을 나타낸 도면이다.
본 발명의 이점 및/또는 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나를 설명하기 위해 도시한 측면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 원형편파 방사기를 설명하기 위해 도시한 정면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나(100)는 제1 유전체 기판(110), 원형편파 방사기(120), 인공 자기 도체(130), 제2 유전체 기판(140)을 포함할 수 있다.
상기 제1 유전체 기판(110)은 정육면체의 기판으로 형성될 수 있고, 위아래의 면적(넓이)이 비교적 크고 평평한 표면을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 유전체 기판(110)은 너비 및 폭의 길이가 모두 36.4 mm이고, 두께는 0.508 mm인 기판으로 구현될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는, 상기 유전체 기판(110)은 그 단면 형상이 정사각 형태로 되어 있지만, 이에 한정되지 않고 직사각형, 원형, 다각형 등의 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
상기 제1 유전체 기판(110)은 유전율을 가진 유전 소재로 형성될 수 있는데, 예를 들면, 유전율이 2.2이고, 유전체 손실 탄젠트가 0.001인 RT/Duroid 5880 기판으로 구현될 수 있다.
상기 원형편파 방사기(120)는 서로 다른 두 종류의 다이폴 방사 소자를 통해 고주파 대역 및 저주파 대역의 원형편파를 방사한다. 즉, 상기 원형편파 방사기(120)는 듀얼 밴드(dual band)의 원형편파를 방사할 수 있다.
이를 위해, 상기 원형편파 방사기(120)는 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123), 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125) 및 이중의 링 부재(126)를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)는 상기 제1 유전체 기판(110)에 형성되는데, 서로 직교하는 보우타이 형태로 형성된다.
이때, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)는 상기 제1 유전체 기판(110)의 대각선을 기준으로 상기 제1 유전체 기판(110)의 상부 또는 하부에 형성될 수 있다.
즉, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)는 상기 제1 유전체 기판(110)의 대각선을 기준으로 그 일측에 형성된 소자(122a, 123a)가 상기 제1 유전체 기판(110)의 상부에 형성되고, 상기 제1 유전체 기판(110)의 대각선을 기준으로 그 타측에 형성된 소자(122b, 123b)가 상기 제1 유전체 기판(110)의 하부에 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)는 각각 상기 제1 유전체 기판(110)의 상면 및 하면에 서로 대칭되도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)는 상기 제1 유전체 기판(110)의 상부면 및 하부면에 건식 식각을 통해 구현할 수 있다.
상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)는 각각 삼각 모양의 패치(삼각 패치)가 상호 대향되게 배치되어 연결될 수 있고, 상기 삼각 패치는 양 끝 단으로 갈수록 면적이 넓어질 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)는 넓은 혼형의 상기 삼각 패치로 각각 구현될 수 있다.
참고로, 본 실시예에서는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)가 각각 삼각 모양의 소자로 형성되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 사각 모양 또는 타원 모양의 다양한 형태로 구현될 수 있다.
상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)는 고주파 대역의 원형편파를 방사한다.
이때, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)는 상기 교차지점에 형성되어 상기 원형편파를 발생시키는 상기 이중의 링 부재(126)를 통해 상기 고주파 대역의 원형편파를 방사시킬 수 있다.
즉, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)는 상기 원형편파 방사기(120)의 하부에 연결된 급전부(150)를 통해 전달된 전기 신호에 의해, 상기 원형편파 방사기(120)의 상기 이중 링 부재(126)에서 발생되는 전파에 대한 위상차가 90도인 경우에 상기 고주파 대역의 원형편파가 발생될 수 있다. 참고로, 상기 급전부(150)는 SMA 커넥트를 사용하여 상기 원형편파 방사기(120)로 상기 전기 신호를 전달할 수 있다.
이때, 상기 고주파 대역의 원형편파는 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)의 교차지점으로부터 상기 삼각 패치의 밑변까지의 길이(L)에 따라 고주파 대역의 특성이 결정될 수 있다.
따라서, 본 실시예에서는 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)의 제작 시, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)의 교차지점으로부터 상기 삼각 패치의 밑변까지의 길이(L)를 변경할 수 있다.
즉, 본 실시예에서는 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)의 교차지점으로부터 상기 삼각 패치의 밑변까지의 길이(L)를 다르게 적용할 수 있고, 상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 특성은 상기 길이(L)를 어떻게 적용하느냐에 따라 조정 가능할 수 있다.
다시 말해서, 상기 길이(L)는 상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 특성을 결정하는 파라미터로 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 길이(L)가 감소할수록, 상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 구간은 점점 높은 주파수 대역으로 상향 이동할 수 있다.
본 실시예에서는, 상기 길이(L)는 상기 제1 유전체 기판(110)의 너비와의 비율을 토대로 하여 그 값이 정해질 수 있다.
이로써, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 삼각 패치의 밑변으로부터 상기 교차지점까지의 길이(L)를 최적화하여 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)를 구현함으로써, 상기 원형편파 안테나(100)가 높은 주파수 대역의 원형편파를 발생시키도록 유도할 수 있다.
상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)가 직교하는 교차 지점으로부터 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123) 사이로 연장되어 형성되는데, 서로 직교하도록 배치된다.
이때, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 상기 제1 유전체 기판(110)의 대각선을 기준으로 상기 제1 유전체 기판(110)의 상부 또는 하부에 형성될 수 있다.
즉, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 상기 제1 유전체 기판(110)의 대각선을 기준으로 그 일측에 형성된 소자(124a, 125a)가 상기 제1 유전체 기판(110)의 상부에 형성되고, 상기 제1 유전체 기판(110)의 대각선을 기준으로 그 타측에 형성된 소자(124b, 125b)가 상기 제1 유전체 기판(110)의 하부에 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 각각 상기 제1 유전체 기판(110)의 상면 및 하면에 서로 대칭되도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)와 마찬가지로, 상기 제1 유전체 기판(110)의 상부면 및 하부면에 건식 식각을 통해 구현할 수 있다.
상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 상기 교차지점으로부터 상기 제1 유전체 기판(110)의 바깥 방향으로 연장될 수 있는데, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)의 상기 삼각 패치 사이에서 가지(branch) 형태로 뻗어나가며 일직선으로 형성될 수 있다.
다른 실시예로서, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 끝단이 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)의 상기 삼각 패치 방향으로 절곡되어 형성될 수 있다.
이때, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 상기 절곡된 끝단이 상기 삼각 패치의 밑변과 각각 평행하도록 구현될 수 있다. 도면에서는, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)의 끝단이 꺾인 모양처럼 구부러져 있지만, 이에 한정되지 않고 원 또는 타원을 그리며 휘어질 수도 있다. 또한, 도면에서는, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)의 끝단이 시계방향으로 향하는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되지 않고 반시계 방향으로 향할 수도 있다.
상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 저주파 대역의 원형편파를 방사한다.
이때, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(122, 123)와 마찬가지로, 상기 이중의 링 부재(126)를 통해 상기 저주파 대역의 원형편파를 방사시킬 수 있다.
즉, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 상기 급전부(150)를 통해 전달된 전기 신호에 의해, 상기 원형편파 방사기(120)의 상기 이중 링 부재(126)에서 발생되는 전파에 대한 위상차가 90도인 경우에 상기 저주파 대역의 원형편파가 발생될 수 있다.
이때, 상기 저주파 대역의 원형편파는 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)의 절곡된 끝단의 길이(li)에 따라 저주파 대역의 특성이 결정될 수 있다.
따라서, 본 실시예에서는 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)의 제작 시, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)의 상기 절곡된 끝단의 길이(li)를 변경할 수 있다.
즉, 본 실시예에서는 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)의 절곡된 끝단의 길이(li)를 다르게 적용할 수 있고, 상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 특성은 상기 길이(li)를 어떻게 적용하느냐에 따라 조정 가능할 수 있다.
다시 말해서, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)의 상기 끝단의 길이(li)는 상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 특성을 결정하는 파라미터로 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 길이(li)가 증가할수록, 상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 구간은 점점 낮은 주파수 대역으로 하향 이동할 수 있다
본 실시예에서는, 상기 길이(li)는 상기 제1 유전체 기판(110)의 너비와의 비율을 토대로 하여 그 값이 정해질 수 있다.
이로써, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 절곡된 끝단의 길이(li)를 최적화하여 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)를 구현함으로써, 상기 원형편파 안테나(100)가 낮은 주파수 대역의 원형편파를 발생시키도록 유도할 수 있다.
또 한편, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 그 개수가 변경되어 제작될 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)는 본 실시예보다 많아지거나 적어질 수 있다.
여기서, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)의 개수는 상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 특성을 결정하는 파라미터로 사용될 수 있다.
다시 말해, 상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 특성은 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)의 개수에 따라 조정 가능할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(124, 125)의 개수가 본 실시예보다 많아지는 경우, 상기 원형편파 방사기(120)에서 방사할 수 있는 상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 범위가 늘어날 수 있다.
상기 인공 자기 도체(130)는 상기 제2 유전체 기판(140)의 상부에 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2 유전체 기판(140)은 상기 제1 유전체 기판(110)의 하부로부터 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 상기 인공 자기 도체(130)는 상기 원형편파 방사기(120)로부터 하부 방향으로 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다.
상기 인공 자기 도체(130)는 도체 형태로서, 상기 제2 유전체 기판(140)의 상부면에 부착될 수 있다. 참고로, 상기 인공 자기 도체(130)는 금속의 소재, 예를 들면 금, 티탄과 같은 소재로 구현될 수 있다.
상기 인공 자기 도체(130)는 복수의 단위 셀로 구성될 수 있으며, 상기 복수의 단위 셀은 상기 제2 유전체 기판(140)의 상부면에 일정 규칙을 가지고 배열될 수 있다. 즉, 상기 인공 자기 도체(130)는 상기 복수의 단위 셀 각각의 변의 길이에 따라 상기 단위 셀 각각이 주기성을 가지고 배열됨으로써 상기 제2 유전체 기판(140)의 상부면에 부착될 수 있다.
본 실시예에서는, 상기 인공 자기 도체(130)는 상기 복수의 단위 셀이 6*6으로 배열된 행렬 형태로 구현되어 있지만, 상기 복수의 단위 셀의 크기(변의 길이)에 따라 그 행렬의 크기가 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 인공 자기 도체(130)는 5*5, 4*4 등 상기 복수의 단위 셀의 크기에 따라 상기 배열의 행렬 크기가 다르게 바뀔 수 있다.
상기 인공 자기 도체(130)는 상기 원형편파를 반사시킬 수 있다. 다시 말해, 상기 인공 자기 도체(130)는 상기 원형편파 방사기(120)로부터 방사된 혹은 반사된 상기 원형편파를 반사시킬 수 있다.
이때, 상기 인공 자기 도체(130)는 상기 원형편파를 반사시킴으로써 반사 위상을 변화시킬 수 있는데, 예를 들어 ?S 부터 - ?S 사이에서 상기 반사 위상을 계속적으로 변화시킴으로써, 상기 원형편파에 대한 저주파 대역에서의 안테나 성능을 향상시킬 수 있다.
즉, 상기 인공 자기 도체(130)는 상기와 같은 반사 위상의 특성에 따라, 상기 원형편파 안테나(100)가 상기 원형편파에 대한 저주파 대역에서 광대역의 특성을 가지도록 할 수 있다.
이로써, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 인공 자기 도체(130)를 상기 제2 유전체 기판(140)의 상부에 형성함으로써, 상기 원형편파 안테나(100)가 보다 넓은 구간의 저주파 대역에서 상기 원형편파를 발생시키도록 유도할 수 있다.
한편, 상기 고주파 대역의 원형편파는 상기 인공 자기 도체(130) 및 상기 제1 유전체 기판(110) 사이의 이격 거리(H)에 따라 고주파 대역의 특성이 결정될 수 있다.
따라서, 본 실시예에서는, 상기 인공 자기 도체(130)의 제작 시, 상기 인공 자기 도체(130) 및 상기 제1 유전체 기판(110) 사이의 이격 거리(H)를 변경할 수 있다.
즉, 본 실시예에서는 상기 인공 자기 도체(130) 및 상기 제1 유전체 기판(110) 사이의 이격 거리(H)를 다르게 적용할 수 있고, 상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 특성은 상기 이격 거리(H)를 어떻게 적용하느냐에 따라 조정 가능할 수 있다.
다시 말해서, 상기 이격 거리(H)는 상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 특성을 결정하는 파라미터로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에서는, 상기 이격 거리(H)가 상기 제1 유전체 기판(110)의 너비와의 비율을 토대로 하여 그 값이 정해질 수 있는데, 상기 비율이 17/36.4의 값을 가짐에 따라, 상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 반사계수 대역폭 및 축비 대역폭이 확장될 수 있다.
이로써, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 인공 자기 도체(130) 및 상기 제1 유전체 기판(110) 사이의 이격 거리(H)를 최적화하여 상기 원형편파 안테나(100)를 구현함으로써, 상기 원형편파 안테나(100)가 상기 고주파 대역에서 보다 향상된 반사계수 특성 및 축비 대역폭 특성을 가지고 동작하도록 유도할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 있어서, 인공 자기 도체의 유무에 따른 원형편파 안테나의 반사계수 특성 및 축비 특성을 나타낸 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 인공 자기 도체(도 1의 "130" 참조)가 상기 제2 유전체 기판(도 1의 "140" 참조)에 형성된 경우와 그렇지 않은 경우를 비교하여 시뮬레이션 하였다.
상기 시뮬레이션 된 결과, 상기 인공 자기 도체가 상기 제2 유전체 기판에 형성된 경우가 그렇지 않은 경우보다 2-2.9 GHz(저주파 대역)내에서 36.7%의 더 넓은 반사계수 대역폭을 가졌고, 2.25-2.75 GHz(저주파 대역)내에서 20%의 축비 성능이 향상되었다.
이를 통해, 상기 원형편파 안테나는 상기 인공 자기 도체를 구비함으로써, 저주파 대역의 원형편파 특성을 보다 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 및 제2 저주파 방사 소자의 절곡된 끝단의 길이에 따른 안테나의 반사계수 특성 및 축비 특성을 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자(도 2의 "124, 125" 참조)의 절곡된 끝단의 길이(li)가 8.6 mm, 10.6 mm, 12.6 mm인 경우의 총 3가지 경우를 비교하여 시뮬레이션 하였다.
상기 시뮬레이션 된 결과, (li)가 증가할수록 원형편파에 대한 저주파 대역의 반사계수 및 축비에 대한 동작 대역이 낮은 주파수 구간으로 하향이동 하였다.
이를 통해, 상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자의 상기 길이(li)에 따라, 상기 원형편파 안테나(100)가 동작하는 저주파 대역이 이동 가능함을 확인하였다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 및 제2 고주파 방사 소자의 삼각 패치의 밑변에서 원형편파 방사기의 교차지점까지의 길이에 따른 안테나의 반사계수 특성 및 축비 특성을 나타낸 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자(도 2의 "122, 123" 참조)의 삼각 패치의 밑변에서 상기 원형편파 방사기(도 1의 "120" 참조)의 교차지점까지의 길이(L)가 9 mm, 10 mm, 11 mm인 경우의 총 3가지 경우를 비교하여 시뮬레이션 하였다.
상기 시뮬레이션 된 결과, (L)가 감소할수록 원형편파에 대한 고주파 대역에서의 반사계수 및 축비에 대한 동작 대역이 높은 주파수 구간으로 상향이동 하였다.
이를 통해, 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자의 상기 길이(L)에 따라, 상기 원형편파 안테나(100)가 동작하는 고주파 대역이 이동 가능함을 확인하였다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나의 시뮬레이션 및 측정된 반사계수 특성을 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 원형편파 안테나(100)의 반사계수를 시뮬레이션 및 측정하였다.
상기 시뮬레이션 및 측정된 결과, 상기 안테나의 시뮬레이션 된 -10 dB 이하의 반사계수 대역폭은 36.7%(2-2.9 GHz, 저주파 대역)와 48%(3.8-6.2 GHz, 고주파 대역)인 반면에, 상기 안테나의 측정된 -10 dB 이하의 반사계수 대역폭은 40%(2-3 GHz, 저주파 대역)와 49.5%(3.8-6.3 GHz, 고주파 대역)였다.
이를 통해, 상기 원형편파 안테나(100)는 저주파 및 고주파 즉, 이중 대역에 해당하는 반사계수 대역폭을 제공함을 파악할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나의 시뮬레이션 및 측정된 축비 특성 및 이득 특성을 나타낸 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 원형편파 안테나(100)의 축비 및 이득을 시뮬레이션 및 측정하였다.
상기 측정된 결과, 2.25-2.73 GHz(저주파 대역)내에서 19.3%와, 4.3-6.05 GHz(고주파 대역)내에서 33.8%의 3 dB 이하 축비 대역폭을 가졌다. 또한, 상기 3 dB 이하 축비 대역폭에 있어서, 상기 저주파 대역 내역 내에서는 5.9-7.2 dBic의 이득 값과, 상기 고주파 대역 내에서는 5.9-9 dBic의 이득 값을 가졌다.
한편, 상기 시뮬레이션 된 결과, 상기 안테나의 축비 및 이득을 나타내는 곡선은 상기 측정된 안테나의 축비 및 이득을 나타내는 곡선과 거의 동일하였다.
이를 통해, 상기 시뮬레이션 된 안테나와 상기 측정된 안테나의 축비 특성 및 이득 특성은 매우 흡사함을 확인하였다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나의 X-Z 평면, Y-Z 평면에서의 시뮬레이션 및 측정된 방사패턴을 나타낸 도면이다.
도 8a 내지 도 8c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 원형편파 안테나(100)의 시뮬레이션 및 측정된 방사패턴을 각각 X-Z 평면, Y-Z 평면에서 비교하였다. 참고로, 상기 방사패턴은 2.4 GHz(도 8a), 5.2 GHz(도 8b), 5.8 GHz(도 8c)의 3가지 원형편파 주파수에서 비교하였다.
상기 측정된 결과, 상기 원형편파 주파수가 2.4 GHz 인 경우(저주파), 6.9 dBic의 이득 값과 14.8 dB의 전후방비를 가졌다. 반면에, 상기 원형편파 주파수가 5.2 GHz 및 5.8 GHz 인 경우(고주파), 각각 8.5 dBic, 6.5 dBic의 이득 값과 14.5 dB, 12.4 dB의 전후방비를 가졌다.
한편, 상기 시뮬레이션 된 결과, 상기 3가지 원형편파 주파수에서 상기 측정된 결과와 거의 동일한 이득 값 및 전후방비를 가졌다. 즉, 상기 안테나의 시뮬레이션 및 측정된 방사패턴은 매우 유사한 형태를 보였다.
이를 통해, 상기 원형편파 안테나(100)는 해당 주파수에서 브로드사이드 방향으로 우편파(RHCP) 특성을 갖는 원평편파 안테나(100)로 동작함을 알 수 있다.
지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허 청구의 범위뿐 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
110 : 제1 유전체 기판
120 : 원형편파 방사기
122, 122a, 122b : 제1 고주파 방사 소자
123, 123a, 123b : 제2 고주파 방사 소자
124, 124a, 124b : 제1 저주파 방사 소자
125, 125a, 125b : 제2 저주파 방사 소자
126 : 이중의 링 부재
130 : 인공 자기 도체
140 : 제2 유전체 기판
150 : 급전부
120 : 원형편파 방사기
122, 122a, 122b : 제1 고주파 방사 소자
123, 123a, 123b : 제2 고주파 방사 소자
124, 124a, 124b : 제1 저주파 방사 소자
125, 125a, 125b : 제2 저주파 방사 소자
126 : 이중의 링 부재
130 : 인공 자기 도체
140 : 제2 유전체 기판
150 : 급전부
Claims (13)
- 제1 유전체 기판;
상기 제1 유전체 기판에 서로 직교하는 보우타이 형태로 형성되고, 고주파 대역의 원형편파를 방사하는 제1 및 제2 고주파 방사 소자; 및
상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자가 직교하는 교차 지점으로부터 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자 사이로 연장되어 서로 직교하도록 배치되고, 저주파 대역의 원형편파를 방사하는 제1 및 제2 저주파 방사 소자
를 포함하고,
상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자는
끝단이 상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자의 삼각 패치 방향으로 절곡되어 형성되고,
상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 특성은 상기 절곡된 끝단의 길이에 따라 조정 가능하고,
상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 대역폭은 상기 길이가 증가할수록 하향 이동되는 것을 특징으로 하는 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자 중, 상기 제1 유전체 기판의 대각선을 기준으로 일측에 형성된 소자는 상기 제1 유전체 기판의 상부에 형성되고 타측에 형성된 소자는 상기 제1 유전체 기판의 하부에 형성되며,
상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자 중, 상기 제1 유전체 기판의 대각선을 기준으로 일측에 형성된 소자는 상기 제1 유전체 기판의 상부에 형성되고 타측에 형성된 소자는 상기 제1 유전체 기판의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 유전체 기판의 하부로부터 이격되어 배치되는 제2 유전체 기판의 상부에 형성되어 상기 원형편파를 반사시키는 인공 자기 도체
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나.
- 제3항에 있어서,
상기 인공 자기 도체는
상기 제2 유전체 기판의 상부면에 변의 길이에 따라 주기성을 가지고 배열되는 복수의 단위 셀을 구비하는 것을 특징으로 하는 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나.
- 제3항에 있어서,
상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 특성은
상기 인공 자기 도체 및 상기 제1 유전체 기판 사이의 이격 거리에 따라 조정 가능한 것을 특징으로 하는 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 특성은
상기 제1 및 제2 저주파 방사 소자의 개수에 따라 조정 가능한 것을 특징으로 하는 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나.
- 제9항에 있어서,
상기 원형편파에 대한 저주파 대역의 대역폭은
상기 개수가 증가할수록 확장되는 것을 특징으로 하는 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나.
- 제1항에 있어서,
상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 특성은
상기 제1 및 제2 고주파 방사 소자의 삼각 패치의 밑변에서 상기 교차지점까지의 길이에 따라 조정 가능한 것을 특징으로 하는 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나.
- 제11항에 있어서,
상기 원형편파에 대한 고주파 대역의 대역폭은
상기 길이가 감소할수록 상향 이동되는 것을 특징으로 하는 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나.
- 제1항에 있어서,
상기 교차지점에 형성되어 상기 원형편파를 발생시키는 이중의 링 부재
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160033902A KR101728470B1 (ko) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160033902A KR101728470B1 (ko) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101728470B1 true KR101728470B1 (ko) | 2017-04-20 |
Family
ID=58705821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160033902A KR101728470B1 (ko) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101728470B1 (ko) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102003955B1 (ko) * | 2018-08-14 | 2019-07-25 | 아주대학교산학협력단 | 소형 광대역 다이폴 안테나 |
KR102107023B1 (ko) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 삼성전기주식회사 | 안테나 장치 및 안테나 모듈 |
CN113328243A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-08-31 | 华南理工大学 | 一种圆极化天线、移动终端及应用 |
CN114665278A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-06-24 | 西安电子科技大学 | 基于人工磁导体阵列的石墨烯圆极化可穿戴天线 |
CN116845556A (zh) * | 2023-08-08 | 2023-10-03 | 广州博远装备科技有限公司 | 一种宽带低轴比弹载天线 |
CN118099723A (zh) * | 2024-04-23 | 2024-05-28 | 南京信息工程大学 | 一种应用于无线局域网的双频定向光学透明天线 |
-
2016
- 2016-03-22 KR KR1020160033902A patent/KR101728470B1/ko active IP Right Grant
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102003955B1 (ko) * | 2018-08-14 | 2019-07-25 | 아주대학교산학협력단 | 소형 광대역 다이폴 안테나 |
KR102107023B1 (ko) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 삼성전기주식회사 | 안테나 장치 및 안테나 모듈 |
CN113328243A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-08-31 | 华南理工大学 | 一种圆极化天线、移动终端及应用 |
CN113328243B (zh) * | 2021-06-21 | 2023-09-26 | 华南理工大学 | 一种圆极化天线、移动终端及应用 |
CN114665278A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-06-24 | 西安电子科技大学 | 基于人工磁导体阵列的石墨烯圆极化可穿戴天线 |
CN114665278B (zh) * | 2022-04-22 | 2023-10-20 | 西安电子科技大学 | 基于人工磁导体阵列的石墨烯圆极化可穿戴天线 |
CN116845556A (zh) * | 2023-08-08 | 2023-10-03 | 广州博远装备科技有限公司 | 一种宽带低轴比弹载天线 |
CN116845556B (zh) * | 2023-08-08 | 2024-01-05 | 广州博远装备科技有限公司 | 一种宽带低轴比弹载天线 |
CN118099723A (zh) * | 2024-04-23 | 2024-05-28 | 南京信息工程大学 | 一种应用于无线局域网的双频定向光学透明天线 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101728470B1 (ko) | 인공 자기 도체를 이용한 이중 대역 원형편파 안테나 | |
US6975278B2 (en) | Multiband branch radiator antenna element | |
JP2005538623A (ja) | 結合されたマルチバンドアンテナ | |
TWI245454B (en) | Low sidelobes dual band and broadband flat endfire antenna | |
Tran et al. | A compact wideband omnidirectional circularly polarized antenna using TM 01 mode with capacitive feeding | |
KR102323334B1 (ko) | 5g 밀리미터파 시스템을 위한 메타 서피스 기반 단일층 광대역 원형 편파 안테나 | |
KR100962930B1 (ko) | 1/4크기의 슬롯 초광대역 안테나 및 그 제조방법 | |
Smith et al. | A size-reduced, 15-element, planar Yagi antenna | |
Sun et al. | Improved HMSIW cavity-cascaded array with high front-to-back ratio based on complementary element | |
JP2008113462A (ja) | 結合されたマルチバンドアンテナ | |
Kumar et al. | Analysis of a low-profile, dual band patch antenna for wireless applications. | |
Singh et al. | Compact corner truncated triangular patch antenna for WiMax application | |
Chioukh et al. | Dual-band linear antenna array for harmonic sensing applications | |
Kedze et al. | Wideband low-profile printed dipole antenna incorporated with folded strips and corner-cut parasitic patches above the ground plane | |
Rodríguez-Cano et al. | Beam-steerable multi-band mm-wave bow-tie antenna array for mobile terminals | |
Ghazi et al. | Multi-resonance square monopole antenna for ultra-wideband applications | |
Chen et al. | A conformal cavity-backed supergain slot antenna | |
Chen et al. | Wideband, compact antennas with interdigitated magnetic-based near-field resonant parasitic elements | |
Qiu et al. | DRA-fed broadband metasurface antennas using characteristic mode analysis | |
Lu et al. | Design of high gain planar dipole array antenna for WLAN application | |
Yousaf et al. | Design of circularly polarized omnidirectional bifilar helix antennas with optimum wide axial ratio beamwidth | |
KR101726704B1 (ko) | 페브리 페로형의 고이득 공진 안테나 | |
KR100803560B1 (ko) | 다중 대역 안테나 | |
KR100888605B1 (ko) | 광대역 프랙탈 안테나 | |
Abraham | Proximity Fed Triple Band David Fractal 2× 1 Microstrip Patch Array Antenna with DGS. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |