KR101728372B1 - Method for manufacturing of organic Light Emitting Device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광소자 제조방법에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 위에 애노드를 증착하는 단계, 상기 애노드 위에 유기물 형성을 위한 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴 위에 유기물 및 캐소드를 증착하는 단계 및 상기 유기물 및 캐소드 위에 실록산, 실라잔 및 실란 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 봉지막을 증착하는 단계를 포함하는 유기발광소자 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting diode, comprising the steps of preparing a substrate, depositing an anode on the substrate, forming a pattern for forming an organic material on the anode, depositing an organic material and a cathode on the pattern, And depositing a sealing film formed on the organic material and the cathode, the sealing film including at least one of siloxane, silazane, and silane.

Description

유기발광소자 제조방법{Method for manufacturing of organic Light Emitting Device}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light-

본 발명은 유기발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실록산, 실라잔 또는 실란으로 형성되는 봉지막을 증착하여 수분과 산소가 유기발광소자에 침투하는 것을 방지하기 위한 유기발광소자의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting device, and more particularly, to a method of manufacturing an organic light emitting device for depositing a sealing film formed of siloxane, silazane, or silane to prevent moisture and oxygen from penetrating into the organic light emitting device .

일반적으로 차세대 평판 디스플레이로 기대되고 있는 유기발광소자는 OLED(Organic Light Emitting Diode 또는 Organic Electroluminescent Display)로도 불리며, 자체 발광 특성과 함께 시야각이 넓고, 고선명, 고화질, 고속 응답성 등의 장점을 갖고 있어 소형 디스플레이어에 많이 적용되고 있다.In general, OLEDs, which are expected to be the next-generation flat panel displays, are also called OLEDs (organic light emitting diodes or organic electroluminescent displays). They have self-luminous characteristics, wide viewing angles, high definition, high image quality, It is widely applied to display language.

유기발광소자는 기판 위에 애노드(anode), 정공 주입층(hole injection layer;HIL), 정공 운송층(hole transfer layer;HTL), 발광층(emitting layer;EML), 정공 차단층(hole blocking layer;HBL), 전자 운송층(electron transport layer;ETL), 캐소드(cathode)가 순서대로 적층되어 형성된다. 애노드로는 면저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 사용되고, 발광층으로 사용되는 유기층질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이 사용된다. 캐소드로는 주로 Al 금속막이 사용된다.An organic light emitting device includes an anode, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), a hole blocking layer (HBL) ), An electron transport layer (ETL), and a cathode are stacked in this order. ITO (Indium Tin Oxide), which has small sheet resistance and good transparency, is mainly used for the anode, and Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA and TCTA are used for the organic layer used as the light emitting layer. As the cathode, an Al metal film is mainly used.

또한, 유기 박막은 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 봉지막이 필요하다. 이 봉합하는 공정 중에 봉지막과 기판을 붙이기 위하여 프릿 글래스(frit glass) 및 여러 종류의 밀봉제(sealant) 등이 쓰이고 있다. 이러한 재료를 스핀코터, 스크린 프린터, 디스펜서를 이용하여 봉지막 위에 도포를 하고 상·하판을 붙이는 과정에 자외선(UV) 혹은 열을 가함으로서 완전한 밀폐효과를 얻어 내고 있다.Further, since the organic thin film is very weak to moisture and oxygen in the air, a sealing film for sealing is required in order to increase the lifetime of the device. During the sealing process, frit glass and various kinds of sealants are used to attach the sealing film and the substrate. This material is coated on the sealing film by using a spin coater, a screen printer and a dispenser, and ultraviolet rays (UV) or heat are applied to the process of attaching the upper and lower plates to obtain a complete sealing effect.

또한 유기 박막 형성 방법에는 진공증착법(Vacuum desposition Method), 스퍼터링(Sputtering)법, 이온빔 증착(Ion-beam Deposition)법, Pulsed-laser 증착법, 분자선 증착법, 화학기상증착법, 스핀코터(spin coater) 등이 있으며, 주로 진공증착법이 많이 사용되고 있다.Methods for forming an organic thin film include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion beam deposition method, a pulsed-laser deposition method, a molecular beam deposition method, a chemical vapor deposition method, a spin coater, And a vacuum deposition method is mainly used.

현재 유기발광소자 제조시 수분 및 산소 등의 외부 불순물이 소자 내부로 침투하여 발광면적의 수축을 방지하기 위해 흡습제(desiccant) 및 캔(can)을 사용하여 외부 침투를 방지하고 있다. 하지만 캔을 사용할 경우 소자의 두께가 두꺼워지고, 원가 측면에서 불리하고, 글라스(Glass)를 접착하기 위해 사용하는 밀봉제(Sealant)로부터 이물질이 발생하여 소자의 유기층에 영향을 주는 문제점이 발생한다.Currently, external impurities such as moisture and oxygen penetrate into the device during manufacturing of the organic light emitting device to prevent external penetration by using a desiccant and a can to shrink the light emitting area. However, when a can is used, the thickness of the device becomes thick, which is disadvantageous in terms of cost, and foreign matter is generated from a sealant used for bonding glass, thereby affecting the organic layer of the device.

한국공개특허 제2014-0081429호(2014.07.01)Korea Patent Publication No. 2014-0081429 (July 1, 2014)

따라서 본 발명의 목적은 봉지 공정을 기존의 캔 또는 글라스 대신 박막을 이용하여 제조된 봉지막을 사용하여 종래의 소자보다 얇은 두께를 가지는 유기발광소자 제조방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an organic light emitting device having a thinner thickness than a conventional device using a sealing film manufactured using a thin film instead of a conventional can or glass.

본 발명의 다른 목적은 실록산, 실라잔 또는 실란으로 형성되는 봉지막을 증착함으로써 소자 외부로부터 유입되는 수분이나 산소 침투를 억제시켜 소자의 특성을 향상시키는 유기발광소자 제조방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide an organic light emitting device manufacturing method for improving the device characteristics by suppressing moisture or oxygen infiltration from the outside of the device by depositing a sealing film formed of siloxane, silazane, or silane.

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법은 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 위에 애노드를 증착하는 단계, 상기 애노드 위에 유기물 형성을 위한 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴 위에 유기물 및 캐소드를 증착하는 단계, 상기 유기물 및 캐소드 위에 실록산, 실라잔 및 실란 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 봉지막을 증착하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention includes the steps of preparing a substrate, depositing an anode on the substrate, forming a pattern for forming an organic material on the anode, depositing an organic material and a cathode on the pattern, Depositing an encapsulating film formed on the organic material and the cathode, the encapsulating film including at least one of siloxane, silazane, and silane.

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막은 실리콘산화막(Silicon oxide layer), 실리콘질화막(Silicon nitride layer), 실리콘산화질화막(Siliconoxynitride layer), 실리콘산화탄질화막(Siliconoxycarbonitride layer), 실리콘탄질화막(Siliconcarbonitride layer) 및 실리콘산화카바이드막(Siliconoxycarbide layer) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, the sealing film may be formed of a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, a silicon oxycarbonitride layer, A silicon nitride layer and a silicon oxide carbide layer.

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막의 소재는 헥사메틸디실록산, 옥타메틸트리실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산, 데카메틸시클로트리실록산 및 도데카메틸시클로헥사실록산 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing an organic light emitting device according to the present invention, the material of the sealing film may include at least one of hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, decamethylcyclotrisiloxane and dodecamethylcyclohexasiloxane .

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막의 소재는 클로로시란, 알콜시시란, 알킬, 아릴시란, 디메텔디클로로실란, 메틸트리메톡시실란, 디페닐실렌디올, 테트라메틸시란, 아미노, 니트릴, 옥사라닐, 옥시모, 아세톡시, 비스터셔리부틸아미노실란, 비스디메틸아미노실란, 비스디에틸아미노실란, 디메틸아미노실란, 디에틸아미노실란, 디프로필아미노실란, 부틸아미노실란, 비스에틸메틸아미노실란 및 디이소프로필아미노실란 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method for manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, the material of the sealing film may be selected from the group consisting of chlorosilane, alcohol siloxane, alkyl, arylsilane, dimeteldichlorosilane, methyltrimethoxysilane, diphenylsilylene diol, Are preferably selected from the group consisting of amino, nitrile, oxaranyl, oximo, acetoxy, bistrimeributylaminosilane, bisdimethylaminosilane, bisdiethylaminosilane, dimethylaminosilane, diethylaminosilane, Silane, bisethyl methylaminosilane, and diisopropylaminosilane.

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막의 소재는 디이소프로필아미노실란(DIPAS)을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, the sealing film may include diisopropylaminosilane (DIPAS).

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막의 소재는 헥사메틸디실라잔(HMDS), 헥사메틸디실록산(HMDSO) 및 비스에틸메틸아미노실란(BEMAS) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing an organic light emitting device according to the present invention, it is preferable that the material of the sealing film includes at least one of hexamethyldisilazane (HMDS), hexamethyldisiloxane (HMDSO), and bisethylmethylaminosilane (BEMAS) .

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 봉지막은 원자층 증착(Atomic layer deposition) 공정으로 형성하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, the sealing film may be formed by an atomic layer deposition process.

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 원자층 증착 공정으로 사용되는 반응 소스로는 아르곤 플라즈마, 산소 플라즈마, 질소 플라즈마, 오존 플라즈마, 산화질소 플라즈마 및 수소 플라즈마 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method for manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, the reaction source used in the atomic layer deposition process may include at least one of an argon plasma, an oxygen plasma, a nitrogen plasma, an ozone plasma, a nitrogen oxide plasma and a hydrogen plasma .

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 원자층 증착은 20~200℃에서 진행되는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, the atomic layer deposition is performed at 20 to 200 ° C.

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 원자층 증착은 50~100℃에서 진행되는 것을 특징으로 한다.In the method for manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, the atomic layer deposition is performed at 50 to 100 ° C.

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 기판은 사파이어 또는 유리인 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, the substrate may be sapphire or glass.

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴피프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아세텔(POM), 폴리아미드(PA), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리슐폰(PSF), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술포이드(PPS), 폴리에스테르(PEN) 및 폴리이미드(PI) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, the substrate may be at least one selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), polyethersulfone (PES) ), Polyamide (PA), polyphenylene oxide (PPO), polysulfone (PSF), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfide (PPS), polyester (PEN) and polyimide And at least one of them.

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어서, 상기 애노드는 은나노와이어, 금속나노와이어, 투명 전도성 산화물(TCO), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀, 전도성 고분자, 메탈메쉬 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, the anode may be a metal such as silver nano wire, metal nanowire, transparent conductive oxide (TCO), carbon nanotube (CNT), graphene, conductive polymer, metal mesh, ) Of the at least one light emitting diode.

본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법은 실록산, 실라잔 및 실란 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 박막 형태의 봉지막을 사용하여, 제조되는 유기발광소자의 두께를 최소화하면서, 외부로부터 수분과 산소의 침투를 억제하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.The method for fabricating an organic light emitting device according to the present invention uses a thin film-like sealing film formed of at least one of siloxane, silazane and silane to minimize the thickness of the organic light emitting device, The characteristics of the device can be improved.

또한 본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법은 유기물을 봉지막의 소재로 사용하여 플렉시블 기판에 증착시킴으로써 봉지막의 파손을 억제할 수 있다.In addition, the organic light emitting device manufacturing method according to the present invention can suppress the breakage of the sealing film by depositing the organic material on the flexible substrate by using the organic material as the material of the sealing film.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법에 따른 흐름도이다.
도 2 내지 도 4는 도 1의 제조방법에 따른 각 단계를 나타내는 도면들이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광소자를 나타내는 단면도이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2 to 4 are views showing respective steps according to the manufacturing method of FIG.
5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device according to another embodiment of the present invention.

하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않는 범위에서 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.In the following description, only parts necessary for understanding embodiments of the present invention will be described, and descriptions of other parts will be omitted to the extent that they do not disturb the gist of the present invention.

이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary meanings and the inventor is not limited to the meaning of the terms in order to describe his invention in the best way. It should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely preferred embodiments of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention, so that various equivalents And variations are possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광소자(100) 제조방법에 따른 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode 100 according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 4는 도 1의 제조방법에 따른 각 단계를 나타내는 도면이다.FIGS. 2 to 4 are views showing respective steps according to the manufacturing method of FIG.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광소자(100)의 제조방법은 기판(10)을 준비하는 단계(S110), 기판(10) 위에 애노드(20)를 증착하는 단계(S120), 애노드 위에 유기물 형성을 위한 패턴을 형성하는 단계(S130), 패턴 위에 유기물 및 캐소드(30)를 증착하는 단계(S140) 및 유기물 및 캐소드(30) 위에 실록산, 실라잔 또는 실란으로 형성되는 봉지막(40)을 증착하는 단계(S150)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a method of manufacturing an organic light emitting diode 100 according to the present invention includes the steps of preparing a substrate 10 (S110), depositing an anode 20 on a substrate 10 (S120) A step S140 of depositing an organic material and a cathode 30 on the pattern and a step of forming a sealing film 40 formed of a siloxane, a silazane, or a silane on the organic material and the cathode 30 (S150). ≪ / RTI >

먼저, 기판(10)을 준비(S110)한다. 기판(10)은 유리 또는 사파이어를 사용할 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 투명재질의 소재라면 어떠한 것도 사용이 가능하다.First, the substrate 10 is prepared (S110). The substrate 10 may be glass or sapphire, but is not limited thereto. For example, any transparent material can be used.

또한 기판(10)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴피프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아세텔(POM), 폴리아미드(PA), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리슐폰(PSF), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술포이드(PPS), 폴리에스테르(PEN) 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이러한 기판(10)은 유연성(flexibility)을 갖는 재질을 사용할 수 있다.The substrate 10 may also be formed of a material selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), polyethersulfone (PES), polyacetal (POM) (PEN), polyimide (PI), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfide (PPS), and the like. The substrate 10 may be made of a material having flexibility.

다음으로 도 2를 참조하면, 기판(10) 위에 애노드(20)를 증착(S120)한다.Next, referring to FIG. 2, an anode 20 is deposited on a substrate 10 (S120).

애노드(20)는 발광에 필요한 정공을 생성한다.The anode 20 generates holes necessary for light emission.

애노드(20)는 은나노와이어, 금속나노와이어, 투명 전도성 산화물(TCO), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀, 전도성 고분자, 메탈메쉬 또는 인듐 주석 산화물(ITO)로 형성될 수 있다.The anode 20 may be formed of a silver nanowire, a metal nanowire, a transparent conductive oxide (TCO), a carbon nanotube (CNT), a graphene, a conductive polymer, a metal mesh, or indium tin oxide (ITO).

투명 전도성 산화물(TCO)으로 ZnO(Zinc Oxide), SnO2(Tin Dioxide), TiO2(Titanium Dioxide), GZO(Ga-doped ZnO), AZO(Al-doped ZnO), 산화물-금속-산화물 구조의 다층박막 등을 사용할 수 있고, 인듐 주석 산화물(ITO)을 사용하는 것이 바람직하다.(TCO), SnO 2 (Tin Dioxide), TiO 2 (Titanium Dioxide), GZO (Ga-doped ZnO), AZO (Al-doped ZnO), and oxide-metal-oxide structures as a transparent conductive oxide A multilayer thin film or the like can be used, and indium tin oxide (ITO) is preferably used.

탄소나노튜브(CNT)으로 Single Wall Carbon Nanotubes(SWCNT), Double Wall Carbon Nanotubes(DWCNT) 또는 Muti Wall Carbon Nanotubes(MWCNT)등을 사용할 수 있다.Single wall carbon nanotubes (SWCNT), double wall carbon nanotubes (DWCNT), or muti wall carbon nanotubes (MWCNT) can be used as carbon nanotubes (CNTs).

전도성 고분자로는 PEDOT(Poly 3,4-ethylene-dioxythiophene) : PSS(Polystyrene Sulfonate), DMSO(Dimethyl Sulfoxide), NMP(N-methylpyrrolidone), EG(Ethylene Glycol), MeOH(Methanol), ETOH(Ethanol), IPA(Isoproply Alcohol) 등을 사용할 수 있다.Examples of the conductive polymer include poly 3,4-ethylene-dioxythiophene (PEDOT), polystyrene sulfonate (PSS), dimethyl sulfoxide (DMSO), N-methylpyrrolidone (NMP), ethylene glycol (EG), methanol, , IPA (Isoproply Alcohol) and the like can be used.

다음으로, 애노드(20) 위에 유기물 형성을 위한 패턴을 형성(S130)한다. 패턴은 발광층에서 발생하거나 반사된 빛이 발광할 수 있도록 한다.Next, a pattern for forming an organic material is formed on the anode 20 (S130). The pattern is generated in the light emitting layer or allows the reflected light to emit light.

다음으로 도 3을 참조하면, 패턴 위에 유기물 및 캐소드(30)를 형성한다. 여기서 도 3은 애노드(20) 위에 유기물 및 캐소드(30)를 형성한 단면도이다.Next, referring to FIG. 3, an organic material and a cathode 30 are formed on the pattern. 3 is a cross-sectional view in which an organic material and a cathode 30 are formed on the anode 20.

유기물 및 캐소드(30)는 정공 주입층(hole injection layer;HIL, 30a), 정공 운송층(hole transfer layer;HTL, 30b), 발광층(emitting layer;EML, 30c), 정공 차단층(hole blocking layer;HBL, 30d), 전자 운송층(electron transport layer;ETL, 30e), 전자 주입층(electron injection layer;EIL, 30f), 캐소드(cathode, 30g)를 포함한다.The organic material and the cathode 30 may include a hole injection layer (HIL) 30a, a hole transport layer (HTL) 30b, an emission layer (EML) 30c, a hole blocking layer HBL 30d, an electron transport layer (ETL) 30e, an electron injection layer (EIL) 30f, and a cathode 30g.

정공 주입층(30a)은 애노드(20)에서 생성된 정공을 발광층(30c)으로 주입한다. 정공 주입층(30a)은 애노드(20)와 에너지 차이가 작으며 우수한 접착력과 전도율을 가지기 위해 친수성 및 평면성을 가진 소재를 사용한다. 정공 주입층(30a)의 소재로는 CuPc, PEDOT 또는 PSS 등이 사용될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.The hole injection layer 30a injects holes generated in the anode 20 into the light emitting layer 30c. The hole injection layer 30a has a small energy difference from the anode 20 and has a hydrophilic property and a planar property so as to have excellent adhesion and conductivity. As the material of the hole injection layer 30a, CuPc, PEDOT, PSS or the like may be used, but the present invention is not limited thereto.

정공 운송층(30b)은 정공 주입층(30a) 위에 형성된다.The hole transport layer 30b is formed on the hole injection layer 30a.

정공 운송층(30b)은 정공이 이동하기 쉽고, 전자가 주입되지 않도록 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)에너지가 낮은 소재를 사용한다. 정공 운송층(30b)의 소재로는 arylamine, TPD 등이 사용될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.The hole transporting layer 30b is made of a material having low LUO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) energy so that holes are easily transported and electrons are not injected. As the material of the hole transporting layer 30b, arylamine, TPD, or the like may be used, but the present invention is not limited thereto.

발광층(30c)는 정공 운송층(30b) 위에 형성된다.The light emitting layer 30c is formed on the hole transporting layer 30b.

발광층(30c)은 전자와 정공이 결합되어 만들어진 엑시톤(exciton)이 여기상태에서 기저상태로 떨어지면서 에너지를 방출하고 방광이 이루어진다. 전자와 정공이 발광층(30c)으로 주입될 때 전자는 전도대(Conduction band)로, 정공은 전자대(Balance band)로 주입되며, 주입된 전자와 정공이 발광층(30c) 내에서 전자-격자 상호작용(Electron-latticed interaction)으로 각각 음성 및 양성 폴라론(Polaron)을 생성한다. 생성된 플라론이 발광체 내의 어느 한 부분에서 만나 재결합하여 일증항 플라론 여기자(Singlet polaron excition)를 형성하게 된다. 여기자가 발광소멸하게 되면 폴라론과 엑시톤의 에너지 갭에 해당하는 빛이 생성된다. 발광층(30c)의 소재로는 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이 사용될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.In the light emitting layer 30c, an exciton formed by combining electrons and holes is released from the excited state to the ground state, and emits energy and the bladder is formed. When electrons and holes are injected into the light emitting layer 30c, the electrons are injected into the conduction band and the holes are injected into the electron band (balance band), and the injected electrons and holes are injected into the light emitting layer 30c in the electron- (Positive and negative polarons) by electron-latticed interaction, respectively. The resulting plasma is recombined at any part of the emitter and forms a singlet polaron excitation. When exciton disappears, light corresponding to the energy gap of polaron and exciton is generated. As the material of the light emitting layer 30c, Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA, or the like may be used, but the present invention is not limited thereto.

전자 운송층(30d)는 발광층(30c) 위에 형성된다.The electron transporting layer 30d is formed on the light emitting layer 30c.

전자 운송층(30d)은 전자를 발광층(30c)으로 운송한다. 전자 운송층(30d)은 불안정한 음이온 라디칼(radical anion)을 안정화 시켜준다. 전자 운송층(30d)의 소재로는 Alq3 또는 벤즈아졸 등을 사용하지만 이에 한정되는 것은 아니다.The electron transporting layer 30d transports electrons to the light emitting layer 30c. The electron transporting layer 30d stabilizes an unstable anion radical. As the material of the electron transporting layer 30d, Alq3 or benzazole may be used, but the present invention is not limited thereto.

전자 주입층(30e)은 전자 운송층(30d) 위에 형성된다. The electron injection layer 30e is formed on the electron transporting layer 30d.

전자 주입층(30e)은 전자를 발광층(30c)으로 주입한다. 전자 주입층(30e)의 소재로는 Li 등의 알칼리 금속이나 그 착제, Ba, Ca 등을 사용하지만 이에 한정되는 것은 아니다.The electron injection layer 30e injects electrons into the light emitting layer 30c. As the material of the electron injection layer 30e, an alkali metal such as Li or a complexing agent thereof, Ba, Ca, or the like is used, but the present invention is not limited thereto.

캐소드(30f)는 전자 주입층(30e) 위에 형성된다.The cathode 30f is formed on the electron injection layer 30e.

캐소드(30f)는 전자를 생성하고, 생성된 전자는 전자 주입층(30e)을 통해 발광층(30c)으로 이동한다. 캐소드의 소재로는 주로 금속재질을 사용하고 바람직하게는 알루미늄을 사용한다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다.The cathode 30f generates electrons, and the generated electrons move to the light emitting layer 30c through the electron injection layer 30e. The cathode material is mainly made of a metal material, preferably aluminum. However, the present invention is not limited thereto.

그리고 도 4를 참조하면 봉지막(40)을 유기물 및 캐소드(30) 위에 증착(S150)한다. 여기서 도 4는 유기물 및 캐소드(30) 위에 봉지막(40)을 증착한 단면도이다.Referring to FIG. 4, the sealing film 40 is deposited on the organic material and the cathode 30 (S150). 4 is a cross-sectional view of a sealing film 40 deposited on the organic material and the cathode 30. FIG.

봉지막(40)은 산소와 수분에 쉽게 산화되는 유기발광소자(100)의 유기물 및 캐소드(30)를 외부로부터의 산소나 수분의 침투를 차단시킨다.The sealing film 40 blocks the penetration of oxygen and moisture from the outside into the organic material of the organic light emitting device 100 and the cathode 30 which are easily oxidized to oxygen and moisture.

봉지막(40)은 실리콘산화막(Silicon oxide layer), 실리콘질화막(Silicon nitride layer), 실리콘산화질화막(Siliconoxynitride layer), 실리콘산화탄질화막(Siliconoxycarbonitride layer), 실리콘탄질화막(Siliconcarbonitride layer) 및 실리콘산화카바이드막(Siliconoxycarbide layer) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The sealing film 40 may be formed of a material such as a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, a silicon oxycarbonitride layer, a silicon carbonitride layer, A silicon oxide layer, and a silicon oxide layer.

예컨데 봉지막(40)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘옥시카르보나이트라이드 및 실리콘카보나이트라이드 중 어느 하나를 포함할 수 있다.For example, the encapsulant 40 may comprise any one of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxycarbonitride, and silicon carbonitride.

봉지막(40)은 실록산, 실라잔 또는 실란으로 유기물 및 캐소드(30) 위에 증착할 수 있다.The encapsulant 40 may be deposited over the organic material and the cathode 30 with a siloxane, silazane, or silane.

봉지막(40)의 소재로는 헥사메틸디실록산, 옥타메틸트리실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산, 데카메틸시클로트리실록산 또는 도데카메틸시클로헥사실록산 등을 사용할 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.As the material of the sealing film 40, hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, decamethylcyclotrisiloxane, or dodecamethylcyclohexasiloxane can be used, but the present invention is not limited thereto.

봉지막(40)의 소재로는 클로로시란, 알콜시시란, 알킬, 아릴시란, 디메텔디클로로실란, 메틸트리메톡시실란, 디페닐실렌디올, 테트라메틸시란, 아미노, 니트릴, 옥사라닐, 옥시모, 아세톡시, 비스터셔리부틸아미노실란, 비스디메틸아미노실란, 비스디에틸아미노실란, 디메틸아미노실란, 디에틸아미노실란, 디프로필아미노실란, 부틸아미노실란, 비스에틸메틸아미노실란 또는 디이소프로필아미노실란 등을 사용할 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 디이소프로필아미노실란(DIPAS)를 사용할 수 있다. 또한 봉지막(40)의 소재로 헥사메틸디실라잔(HMDS), 헥사메틸디실록산(HMDSO) 또는 비스에틸메틸아미노실란(BEMAS)를 사용할 수 있다.Examples of the material of the sealing film 40 include chlorosilane, alcohol silane, alkyl, arylsilane, dimeteldichlorosilane, methyltrimethoxysilane, diphenylsilylene diol, tetramethylsilane, amino, nitrile, But are not limited to, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, sec-butyl, isobutyl, sec-butyl, Diisopropylaminosilane, and the like, but not limited thereto. Preferably, diisopropylaminosilane (DIPAS) can be used. Further, hexamethyldisilazane (HMDS), hexamethyldisiloxane (HMDSO), or bisethylmethylaminosilane (BEMAS) may be used as the material of the sealing film 40.

봉지막(40)은 원자층 증착(Atomic layer deposition) 공정으로 형성할 수 있다. 원자층 증착은 20~200℃에서 진행될 수 있으며, 바람직하게는 50~100℃가 적합하다.The sealing film 40 may be formed by an atomic layer deposition process. The atomic layer deposition can be carried out at 20 to 200 캜, preferably 50 to 100 캜.

원자층 증착 공정에 사용되는 반응 소스로는 아르곤, 산소, 질소, 암모니아, 물(H2O) 또는 산소를 포함하는 가스일 수 있다. 또한 원자층 증착 공정에 사용되는 반응 소스로 아르곤 플라즈마, 산소 플라즈마, 질소 플라즈마, 오존 플라즈마, 산화질소 플라즈마, 또는 수소 플라즈마를 포함할 수 있다.The reaction source used in the atomic layer deposition process may be a gas containing argon, oxygen, nitrogen, ammonia, water (H 2 O), or oxygen. The reaction source used in the atomic layer deposition process may also include an argon plasma, an oxygen plasma, a nitrogen plasma, an ozone plasma, a nitrogen oxide plasma, or a hydrogen plasma.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광소자(110)를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device 110 according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광소자(110) 제조 방법으로는, 본 발명의 실시예와 동일한 조건으로 구성되되, 기판(10)으로 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴피프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아세텔(POM), 폴리아미드(PA), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리슐폰(PSF), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술포이드(PPS), 폴리에스테르(PEN) 또는 폴리이미드(PI)를 포함하는 유연성(flexibility)을 갖는 소재를 사용한다. 그리고 기판(10)위에 차단층(50)을 증착한다. 차단층(50)은 봉지막(40)과 동일한 소재와 동일한 방법으로 증착한다.Referring to FIG. 5, a method of manufacturing an organic light emitting device 110 according to another embodiment of the present invention includes the steps of forming a substrate 10 using polyethylene terephthalate (PET) (PP), poly (PE), polycarbonate (PC), polyethersulfone (PES), polyacetal (POM), polyamide (PA), polyphenylene oxide A material having flexibility including an ether imide (PEI), polyphenylene sulfide (PPS), polyester (PEN) or polyimide (PI) is used. Then, a barrier layer 50 is deposited on the substrate 10. The barrier layer 50 is deposited in the same manner as the material of the sealing film 40.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.It should be noted that the embodiments disclosed in the present specification and drawings are only illustrative of specific examples for the purpose of understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.

10 : 기판 20 : 애노드
30 : 유기물 및 캐소드 30a : 정공 주입층
30b : 정공 운송층 30c : 발광층
30d : 전자 운송층 30e : 전자 주입층
30f : 캐소드 40 : 봉지막
50 : 차단층 100, 110 : 유기발광소자10: substrate 20: anode
30: Organic material and cathode 30a: Hole injection layer
30b: hole transport layer 30c: light emitting layer
30d: electron transporting layer 30e: electron injecting layer
30f: cathode 40: sealing film
50: blocking layer 100, 110: organic light emitting element

Claims (13)

기판을 준비하는 단계;
상기 기판 위에 애노드를 증착하는 단계;
상기 애노드 위에 유기물 형성을 위한 패턴을 형성하는 단계;
상기 패턴 위에 유기물 및 캐소드를 증착하는 단계;
상기 유기물 및 캐소드 위에 디이소프로필아미노실란(DIPAS)을 소재로 50~100℃에서 산소 플라즈마 또는 질소 플라즈마를 반응 소스로 하여 원자층 증착(Atomic layer deposition) 공정으로 형성되는 봉지막을 증착하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.Preparing a substrate;
Depositing an anode on the substrate;
Forming a pattern for organic material formation on the anode;
Depositing an organic material and a cathode on the pattern;
Depositing a sealing film formed on the organic material and the cathode by an atomic layer deposition process using diisopropylaminosilane (DIPAS) as a reaction source at 50 to 100 ° C using an oxygen plasma or a nitrogen plasma as a reaction source;
Wherein the organic light emitting layer is formed on the substrate. 제1항에 있어서,
상기 봉지막은 실리콘산화막(Silicon oxide layer), 실리콘질화막(Silicon nitride layer), 실리콘산화질화막(Siliconoxynitride layer), 실리콘산화탄질화막(Siliconoxycarbonitride layer), 실리콘탄질화막(Siliconcarbonitride layer) 및 실리콘산화카바이드막(Siliconoxycarbide layer) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
The encapsulation layer may be formed of a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, a silicon oxycarbonitride layer, a silicon carbonitride layer and a silicon oxycarbide wherein the organic light emitting layer comprises at least one layer selected from the group consisting of silicon nitride, silicon nitride, and silicon nitride. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 원자층 증착 공정으로 사용되는 반응 소스로는 아르곤 플라즈마, 오존 플라즈마, 산화질소 플라즈마 및 수소 플라즈마 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the reaction source used in the atomic layer deposition process further includes at least one of an argon plasma, an ozone plasma, a nitrogen oxide plasma, and a hydrogen plasma. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기판은 사파이어 또는 유리인 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is sapphire or glass. 제1항에 있어서,
상기 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴피프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아세텔(POM), 폴리아미드(PA), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리슐폰(PSF), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술포이드(PPS), 폴리에스테르(PEN) 및 폴리이미드(PI) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
The substrate may be at least one selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), polyethersulfone (PES), polyacetal (POM), polyamide Wherein the organic light emitting device comprises at least one of polypropylene (PPO), polysulfone (PSF), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfide (PPS), polyester (PEN) and polyimide Gt; 제1항에 있어서,
상기 애노드는 은나노와이어, 금속나노와이어, 투명 전도성 산화물(TCO), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀, 전도성 고분자, 메탈메쉬 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
Characterized in that the anode comprises at least one of silver nanowire, metal nanowire, transparent conductive oxide (TCO), carbon nanotube (CNT), graphene, conductive polymer, metal mesh and indium tin oxide (ITO) Gt;
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KR102334075B1 (en) 2019-11-27 2021-12-01 전북대학교산학협력단 Dual atmospheric pressure low-temperature plasma device and method for manufacturing an OLED element-modified encapsulation film using the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101089715B1 (en) * 2009-11-05 2011-12-07 한국기계연구원 Multi layer thin film for encapsulation and the method thereof
KR101351109B1 (en) * 2011-02-17 2014-01-15 성균관대학교산학협력단 Encapsulated structure for device and manufacturing method thereof
US9397318B2 (en) * 2012-09-04 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode
KR101949926B1 (en) 2012-12-21 2019-02-19 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting diode and method of manufacturing the same
KR102100260B1 (en) * 2013-09-11 2020-04-13 엘지디스플레이 주식회사 High Impedance Encapsulant And Organic Light Emitting Diode Device And Method Manufacturing The Same
JP6232277B2 (en) * 2013-12-18 2017-11-15 東京エレクトロン株式会社 ORGANIC EL ELEMENT STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIGHT EMITTING PANEL

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11038146B2 (en) 2019-05-27 2021-06-15 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same

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