KR101720795B1 - Inner-Semiconductive Layer Molding Device for High-Voltage Power Crosslinked Polyethylene Insulated Vinyl Sheathed Cable and Inner-Semiconductive Layer Structure Using The Same - Google Patents

Inner-Semiconductive Layer Molding Device for High-Voltage Power Crosslinked Polyethylene Insulated Vinyl Sheathed Cable and Inner-Semiconductive Layer Structure Using The Same Download PDF

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KR101720795B1 KR1020100023165A KR20100023165A KR101720795B1 KR 101720795 B1 KR101720795 B1 KR 101720795B1 KR 1020100023165 A KR1020100023165 A KR 1020100023165A KR 20100023165 A KR20100023165 A KR 20100023165A KR 101720795 B1 KR101720795 B1 KR 101720795B1
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채병하
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Abstract

본 발명은 가교폴리에칠렌 절연 전력케이블이라 일컫는 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치 및 이를 이용한 내부반도전층 구조 관한 것으로서, 특히 본 발명에서는 내부반도전층을 형성하기 위한 몰딩 장치를 바로 설치하고 그 몰딩 장치를 이용하여 내부반도전층이 바로 형성되도록 함으로써, 종래와 같이 내부반도전층을 형성하기 위한 사전 작업과 설비 적용에 따른 작업상 번거로움 및 불편함을 해소한다. 나아가 내도 유닛의 융용과 내도 유닛 간 오버 랩에 의한 절연 불량을 방지할 수 있도록 한 것이다. The present invention relates to an inner semiconductive layer molding apparatus for an intermediate high voltage XLPE cable intermediate connection box called a crosslinked polyethylene insulated power cable, and an inner semiconductive layer structure using the same. More particularly, the present invention provides a molding apparatus for forming an inner semiconductive layer, The inner semiconductive layer can be formed directly by using the apparatus, thereby eliminating the troublesomeness and inconvenience of the operation due to the preliminary operation for forming the inner semiconductive layer and the application of the equipment as in the prior art. Furthermore, it is possible to prevent insulation failure due to melting of the unit and overlapping between the inner units.

Description

초고압 ＸＬＰＥ 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치 및 이를 이용한 내부반도전층 구조{Inner-Semiconductive Layer Molding Device for High-Voltage Power Crosslinked Polyethylene Insulated Vinyl Sheathed Cable and Inner-Semiconductive Layer Structure Using The Same} TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an inner semiconductive layer molding apparatus for an intermediate high-voltage XLPE cable intermediate connector, and an inner semiconductive layer structure using the same. BACKGROUND ART [0002]

본 발명은 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치 및 이를 이용한 반도전층 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 별도의 사전 작업과 설비 적용 없이 몰딩 장치를 바로 설치하고, 그 몰딩 장치를 이용하여 내부반도전층이 형성되도록 한 것이다.
The present invention relates to an inner semiconductive layer molding apparatus for an intermediate high-voltage XLPE cable intermediate connection box and a semiconductive layer structure using the same. More particularly, the present invention relates to a semi- So that a semiconductive layer is formed.

일반적으로 가교폴리에칠렌 절연 전력케이블인 일명 초고압 XLPE 케이블(이하, 케이블로 약칭함)의 중간 접속함에서 서로 연결되는 케이블의 나도체 표면에는 절연강도와 절연 성능을 향상시키기 위한 목적으로 내부반도전층이 형성된다.In general, an inner semiconductive layer is formed on the surface of a conductor of a cable which is connected to each other at an intermediate connection box of an ultra high-pressure XLPE cable (hereinafter abbreviated as a cable), which is a crosslinked polyethylene insulated power cable, in order to improve the insulation strength and insulation performance do.

위와 같은 내부반도전층을 형성하기 위한 일반적인 작업 과정을 간략히 소개하면, 통상 초고압 XLPE 케이블의 피복물이 제거된 상태로 이웃하는 나도체에 길이 단위별로 제작되는 복수의 내도 유닛 세그먼트를 결합시켜 일 측으로 밀어 놓은 후, 이웃하는 나도체 간 용접 연결한다.In general, a process for forming the inner semiconductive layer as described above will be briefly described. A plurality of inner unit segments, which are usually made by length units, are joined to the adjacent inner conductor with the coating of the ultra high-pressure XLPE cable removed, After laying, the neighboring I / O welds are welded.

위와 같이 이웃하는 나도체 간 연결이 완료되면, 일 측으로 밀어 놓았던 내도 유닛 세그먼트를 나도체의 길이 방향을 따라 펴서 나도체의 표면이 노출되지 않도록 배치시키고, 별도의 장비를 사용하여 내도 유닛 세그먼트를 열 수축시킨다.When the neighboring nodules are connected to each other, the inner unit segment pushed to one side is spread along the longitudinal direction of the sidewall so that the surface of the sidewall is not exposed, and the inner unit segment Lt; / RTI >

위와 같이 내도 유닛 세그먼트에 대한 열수축이 완료되면, 내도 유닛 세그먼트의 표면에 절연테이프를 감고, 별도의 장비를 적용하여 절연테이프를 용융시킴으로써 내부반도전층을 형성하고 있다.When the thermal shrinkage of the inner unit segment is completed as described above, the inner semiconductive layer is formed by winding the insulating tape on the surface of the inner unit segment and melting the insulating tape by applying a separate equipment.

그런데, 위와 같이 내부반도전층을 형성하기 위해서는 사전 작업, 예를 들면 내도 유닛 세그먼트의 제작, 제작된 내도 유닛 세그먼트를 나도체에 감싸는 결합 작업, 절연테이프를 내도 유닛 세그먼트에 감는 작업 등 작업량이 많고, 작업성이 좋지 못하여 작업 능률과 생산성이 저하되는 문제가 있었다.However, in order to form the inner semiconductive layer as described above, it is necessary to carry out a preliminary work such as manufacturing an inner unit segment, a bonding operation in which the manufactured inner unit segment is wrapped around the inner body, There is a problem that work efficiency and productivity are deteriorated due to poor workability.

그와 더불어 상기 내도 유닛 세그먼트를 열 수축시키기 위한 해당 장비의 사용과, 절연테이프를 용융시키기 위한 해당 장비의 설치 및 해체로 인해 작업량이 더욱 가중되는 문제가 있었다.In addition, there has been a problem that the amount of work is further increased due to the use of the equipment for heat shrinking the inner unit segment and the installation and disassembly of the equipment for melting the insulation tape.

나아가, 상기 나도체의 표면 노출을 방지하기 위하여 이웃하는 내도 유닛 세그먼트 간에 오버 랩 구조, 즉 겹치는 구간이 발생하게 되는데, 이때 이러한 오버 랩 구간의 두께는 다른 구간의 두께와 단차를 이루며 상대적으로 더 솟아 있기 때문에 내부반도전층의 들뜸이 발생하는 원인으로 작용하게 된다. 그에 따라 절연 불량이 발생되는 문제가 있었다.In order to prevent the surface of the annular body from being exposed, an overlapped structure is formed between neighboring inner unit segments. In this case, the thickness of the overlapped section is stepped with the thickness of the other sections, So that it acts as a cause of lifting of the inner half-layer. Thereby causing a problem of insulation failure.

또한, 서로 이웃하는 케이블 간 전력 연결을 위하여 앞서 언급하였듯이 이웃하는 나도체간 용접 연결하게 되는데, 이때 나도체를 따라 용접 열이 전달되어 고무 재질로 이루어진 내도 유닛 세그먼트가 변형되거나 녹아 버리게 됨으로써, 내부반도전층을 정확하게 형성시킬 수 없음은 물론, 더 이상 제반 작업을 수행할 수 없는 문제도 있었다.In addition, as described above, neighboring wires are welded to each other for power connection between neighboring cables. At this time, welding heat is transferred along the metal body to deform or dissolve the inner unit segment made of a rubber material, The entire layer can not be precisely formed, and furthermore, the work can not be performed any more.

본 발명은 앞서 설명한 바와 같이 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 개발된 것으로, 몰딩 장치에 의해 내부반도전층이 바로 형성될 수 있도록 함으로써, 종래와 같이 내부반도전층을 형성하기 위한 사전 작업 및 설비 적용과, 그에 따른 작업의 번거로움을 모두 해소하고, 아울러 내도 유닛 세그먼트의 용융과 내도 유닛 세그먼트 간 오버 랩으로 인한 불량도 방지할 수 있는 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치 및 이를 이용한 반도전층 구조를 제공하는데 그 목적이 있다.
As described above, the present invention has been developed in order to solve the problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a molding device capable of directly forming an inner semiconductive layer, An XLPE cable for an intermediate connection for an intermediate connection box which can solve all troublesomeness of the operation of the unit, and prevent defects due to melting of the inner unit segment and overlapping between the inner unit segments, and a half- The purpose is to provide a full-layer structure.

위와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 이웃하는 케이블의 나도체와 케이블 반도전층부를 포함하는 내부반도전 구간에 내부반도전층을 형성하기 위하여 반원구 형상의 상부 및 하부 몰드가 각각 감싸는 형태로 결합 되는 내부반도전층 몰딩 장치로서, 상기 상부 몰드의 일 측에는 절연컴파운드를 주입할 수 있도록 주입관이 형성되어 있고, 상기 주입관과 대응하는 타측에는 에어를 공급하여 주입된 절연컴파운드를 가압할 수 있도록 가압관이 형성되어 있는 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치를 통해 목적을 달성할 수 있다.In order to achieve the above object, in the present invention, in order to form an inner semiconductive layer in an inner semiconductive section including a conductor of a neighboring cable and a cable semiconductive layer portion, a semi-circular upper and lower molds Wherein an injection tube is formed on one side of the upper mold to inject an insulating compound and air is supplied to the other side corresponding to the injection tube to pressurize the injected insulating compound, It is possible to achieve the object through the inner semi-conductor layer molding device for the medium-high-tension XLPE cable intermediate connection box in which the tube is formed.

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한편, 본 발명에서는, 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치를 이용하여 이웃하는 케이블 반도전층부의 표면과 겹치게 되는 양편 계면 구간과, 상기 계면 구간의 상면을 형성하는 슬로프 구간과, 양편 슬로프 구간 사이에 형성되는 중간부 구간을 포함하여 형성되는 내부반도전층 구조로서, 상기 슬로프 구간의 길이는 슬로프 구간과 중간부 구간을 합한 길이가 100%일 때 10% ~ 30% 비율의 길이를 이루고, 상기 중간부 구간의 외면은 파진 형태의 오목면으로 중간부 구간의 내면은 튀어나온 형태의 볼록면으로 각각 형성되며, 상기 중간부 구간의 중간부 구간 두께는 상기 케이블 반도전층부의 두께를 100%로 할 때 100% ~150%로 형성되고, 상기 내부반도전층 총 두께는 중간부 구간 두께 대비 100% ~ 120%로 형성되는 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치를 이용한 내부반도전층 구조를 통해 목적을 달성할 수 있다.In the meantime, in the present invention, there are provided an interfacial section which is overlapped with the surface of a neighboring cable semiconductive layer section by using an inner semiconductive layer molding apparatus for an intermediate high-tension XLPE cable intermediate connection box, a slope section which forms an upper surface of the interfacial section, Wherein the length of the slope section is 10% to 30% of the length of the slope section and the middle section when the length is 100%, and the length of the slope section is 10% to 30% And the thickness of the middle section of the middle section is set to be 100% of the thickness of the upper half of the cable section, And the total thickness of the inner semiconductive layer is 100% to 120% of the thickness of the middle section, Through an internal semiconductive layer structure with the inner semiconductive layer for a molding apparatus it is possible to achieve the object.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면, 내부반도전층을 형성할 수 있는 몰딩 장치를 바로 설치하고, 그 몰딩 장치를 이용하여 내부반도전층이 형성되도록 함으로써, 종래와 같이 내도 유닛과 절연테이프를 이용한 사전 작업 및 설비 적용에 따른 작업상 번거로움과 불편함을 모두 해소할 수 있다. 그에 따라 작업 능률은 높아지고 생산성은 향상되는 효과를 기대할 수 있다.As described above, according to the present invention, a molding device capable of forming an inner semiconductive layer is provided immediately, and an inner semiconductive layer is formed by using the molding device. Thus, It is possible to eliminate all the troubles and inconveniences in the work due to the pre-work and the application of the equipment. As a result, the efficiency of the work can be enhanced and the productivity can be improved.

나아가, 본 발명에서는 내도 유닛의 융용에 의한 불량과 내도 유닛이 서로 겹치는 구간에서의 불량도 방지할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
Furthermore, in the present invention, it is possible to prevent defects due to fusion of the inner-surface unit and defects in a section where the inner-boundary units overlap each other.

도 1은 본 발명에 따른 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치를 나타낸 분리 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치가 내부반도전층을 형성하기 위해 설치된 모습을 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 내부반도전층 몰딩 장치를 이용한 내부반도층 구조를 나타낸 반단면도이다.1 is an exploded perspective view showing an inner semiconductive layer molding apparatus for an intermediate connector for an ultra high-pressure XLPE cable according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a state in which an inner semiconductive layer molding apparatus for an intermediate connector for an ultra high-pressure XLPE cable according to the present invention is installed to form an inner semiconductive layer.
3 is a half sectional view showing an inner semiconductive layer structure using the inner semiconductive layer molding apparatus of FIG.

다음에서는 본 발명의 실시 예를 도시한 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 구성에 대하여 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following, specific configurations of the present invention will be described with reference to the drawings showing embodiments of the present invention.

도 1에서는 본 발명에 따른 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치를 나타낸 분리 사시도가 도시되어 있다. 1 is an exploded perspective view of an inner semiconductive layer molding apparatus for an intermediate high-pressure XLPE cable intermediate connection box according to the present invention.

도면에서 보듯이, 몰딩 장치(10)는 반원 구로 분할된 상부 몰드(12)와 하부 몰드(14)로 구성된다. 이러한 상기 상부 및 하부 몰드(12, 14)는 볼트와 너트로 이루어진 체결부재(16)를 통해 서로 대응 결합될 수 있도록 상부 및 하부 몰드(12, 14)에 결합러그(18)가 각각 형성되어 있다.As shown in the drawing, the molding apparatus 10 is composed of an upper mold 12 and a lower mold 14 which are divided into half spheres. The upper and lower molds 12 and 14 are respectively formed with coupling lugs 18 on the upper and lower molds 12 and 14 so as to be coupled to each other through a fastening member 16 formed of a bolt and a nut .

특히. 상기 상부 몰드(12)의 일 측에는 절연컴파운드(20)가 주입될 수 있도록 주입관(22)이 형성되어 있고, 타측에는 압력을 지닌 에어(24)가 공급되어 절연컴파운드(20)를 가압할 수 있도록 가압관(26)이 형성되어 있다. (도 2참조)
Especially. An injection tube 22 is formed on one side of the upper mold 12 so that the insulating compound 20 can be injected and an air 24 having pressure is supplied to the other side of the upper mold 12 to press the insulating compound 20 A pressure pipe 26 is formed. (See Fig. 2)

도 2에서는 본 발명에 따른 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치가 내부반도전층을 형성하기 위해 설치된 모습을 나타낸 단면도가 도시되어 있다. 2 is a cross-sectional view illustrating an inner semiconductive layer molding apparatus for an intermediate connector for an ultra high-pressure XLPE cable according to the present invention installed to form an inner semiconductive layer.

먼저, 위와 같이 구성되는 몰딩 장치(10)를 설치하기에 앞서 이웃하는 초고압 XLPE 케이블(이하, 케이블로 약칭함)(28, 30)의 피복물을 제거하고 나도체(32, 34)간 용접으로 연결한다. First, the coating of the adjacent ultra high-pressure XLPE cables (hereinafter, abbreviated as cables) 28 and 30 is removed before the molding apparatus 10 constructed as described above is removed, do.

그 다음, 이웃하는 케이블(28, 30)의 나도체(32, 34)와 케이블 반도전층부(36)를 포함하는 내부반도전 구간(L)에 앞서 설명된 상부 및 하부 몰드(12, 14)를 각각 대응 결합한다.The upper and lower molds 12 and 14 described previously in the inner semi-conducting section L including the conductor 32 and 34 of the neighboring cables 28 and 30 and the cable semiconductive layer section 36, Respectively.

그리고 상기 몰딩 장치(10)의 내부에는 상부 몰드(12)의 주입관(22)을 통해 절연컴파운드(20)를 채우고, 가압관(26)을 통해 압력을 가지는 에어(24)를 공급하여 절연컴파운드(20)를 가압하는 상태로 내부반도전층(38)을 형성하게 된다. 이때 에어(24)의 가압력은 200kgf/㎠ 가지며, 절연컴파운드(20)에 가해지는 온도는 150℃/20min 조건을 가지는 것이 좋다. The molding compound 10 is filled with the insulating compound 20 through the injection tube 22 of the upper mold 12 and the air 24 having the pressure is supplied through the pressure tube 26, The inner semiconductive layer 38 is formed in such a state that the inner semiconductive layer 20 is pressed. At this time, the pressing force of the air 24 is 200 kgf / cm 2, and the temperature applied to the insulating compound 20 is 150 ° C / 20 min.

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도 3에서는 도 2의 내부반도전층 몰딩 장치를 이용한 내부반도전층 구조를 나타낸 반단면도가 도시되어 있다.3 is a half sectional view showing an inner semiconductive layer structure using the inner semiconductive layer molding apparatus of FIG.

도면에서 보듯이, 내부반도전층(38)은, 양끝 단이 뾰족하도록 한 점에서 만나는 계면 구간(A)과 슬로프 구간(B), 상기 슬로프 구간(B) 사이에 형성되는 중간부 구간(C)을 가지고 있다. 특히 중간부 구간(C)의 외면은 완만한 오목면(38a)으로 형성되고, 내면은 볼록면(38b)으로 형성 된다.As shown in the drawing, the inner semiconductive layer 38 has an interface section A and a slope section B, which meet at one point such that both ends are sharp, an intermediate section C formed between the slope section B, Lt; / RTI > In particular, the outer surface of the intermediate section C is formed of a gentle concave surface 38a, and the inner surface thereof is formed of a convex surface 38b.

구체적으로, 도 2를 참조하여 설명하면 앞서 언급한 바와 같이 상기 내부반도전층(38)은, 이웃하는 케이블 반도전층부(36)의 표면과 겹치게 되는 양편 계면 구간(A)과, 상기 계면 구간(A)의 상면을 형성하는 슬로프 구간(B)과, 양편 슬로프 구간(B)을 제외한 중간부 구간(C)을 가지고 있다. 여기서, 케이블 반도전층부(36)와 겹치는 계면 구간(A)이 짧을 경우 절연파괴 원인이 될 수 있으므로 계면 구간(A)의 길이는 케이블의 전력 용량에 따라 사전 설정된다.2, the inner semiconductive layer 38 includes two interfacial sections A overlapping with the surface of the adjacent cable semiconductive layer section 36, A), and an intermediate section C excluding the both-side slope section B, as shown in Fig. Here, if the interface section A overlapping the cable half conductor layer section 36 is short, it may cause insulation breakdown. Therefore, the length of the interface section A is preset in accordance with the power capacity of the cable.

또한, 상기 슬로프 구간(B)이 짧을 경우 슬로프 구간(B) 끝단에서 내부반도전층(38)의 들뜸이 발생되어 절연파괴의 원인으로 작용될 수 있으므로 슬로프 구간(B)의 길이는 상기 계면 구간(A)의 길이 보다 더 길게 형성되는 것이 바람직하다.If the slope section B is short, lifting of the inner semiconductive layer 38 may occur at the end of the slope section B and may act as a cause of dielectric breakdown. Therefore, the length of the slope section B is not limited to the interface section A) longer than the lengths of the first and second electrodes.

더 구체적으로는, 상기 슬로프 구간(B)과 중간부 구간(C)을 합한 길이를 100%로 할 때 슬로프 구간(B)의 길이는 10% ~ 30% 비율의 길이로 이루어지는 것이 바람직하다. More specifically, when the length of the slope section B and the middle section C is 100%, the length of the slope section B is preferably 10% to 30%.

참고로 상기 슬로프 구간(B)의 길이가 30%이상을 형성하게 되면, 상대적으로 케이블(28, 30)의 피복물인 절연체에 대한 두께가 줄어들어 절연 성능이 저하되고, 슬로프 구간(B)의 길이가 10%이하를 형성하게 되면, 슬로프 구간(B)의 경사도가 완만하지 못해 앞서 언급하였듯이 내부반도전층(38)의 들뜸이 발생하는 원인으로 작용하여 절연파괴가 발생할 수 있다.If the length of the slope section B is more than 30%, the thickness of the insulator as a coating of the cables 28 and 30 is relatively reduced to lower the insulation performance, and the length of the slope section B 10% or less, the inclination of the slope section B is not gentle, and as mentioned above, the inner semiconductive layer 38 may cause the lifting of the inner semiconductive layer 38, resulting in dielectric breakdown.

또한, 상기 내부반도전층 총 두께(D) 및 중간부 구간 두께(E)가 두꺼울 경우 내부반도전층(38)의 전체적인 두께는 증가하게 된다. 하지만 케이블(28, 30)의 외경(d)은 이미 정해져 있기 때문에 케이블 외경(d)에 맞추어 피복물을 입히게 되면, 상대적으로 피복물에 포함된 절연체의 두께는 줄어들게 됨으로써 절연강도와 절연 성능이 떨어진다. In addition, when the total thickness D of the inner semiconductive layer and the thickness E of the middle portion are large, the overall thickness of the inner semiconductive layer 38 is increased. However, since the outer diameter d of the cables 28 and 30 is predetermined, when the outer diameter d of the cable is coated, the insulation thickness of the insulator contained in the coating is relatively reduced, thereby deteriorating the insulation strength and insulation performance.

따라서 상기 중간부 구간 두께(E)는 케이블 반도전층부(36)의 두께(t) 대비 100% ~ 150%로 형성하는 것이 가장 바람직하며, 내부반도전층 총 두께(D)는 중간부 구간 두께(E) 대비 100% ~ 120% 이하로 형성하는 것이 가장 바람직하다.Therefore, it is most preferable that the intermediate section thickness E is 100% to 150% of the thickness t of the cable semiconductive layer portion 36, and the total thickness D of the inner semiconductive layer is a thickness E) is 100% to 120% or less.

예컨대, 상기 두께(E, D)가 각각 그 이상의 두께를 형성하게 될 경우 앞서 설명된 바와 같이 피복물에 포함된 절연체의 두께가 상대적으로 줄어들어 절연 성능이 저하된다.For example, when the thicknesses E and D are respectively greater than the thicknesses, the thickness of the insulator included in the coating is relatively reduced as described above, thereby deteriorating the insulation performance.

본 발명에 따른 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치를 사용하여 내부반도전층(38)을 형성하게 되면, 종래와 같이 내부반도전층을 형성하기 위한 사전 작업, 예를 들면 내도 유닛 세그먼트의 제작과, 제작된 내도 유닛 세그먼트를 나도체에 감싸는 결합 작업, 절연테이프를 내도 유닛 세그먼트에 감는 작업 등이 모두 삭제될 수 있어 사전 작업과 설비 적용에 따른 작업상 번거로움 및 불편함이 해소된다.When the inner semiconductive layer 38 is formed by using the inner semiconductive layer molding apparatus for the intermediate connection box of the ultra-high pressure XLPE cable according to the present invention, it is necessary to perform the preliminary work for forming the inner semiconductive layer, for example, It is possible to eliminate the manufacturing work, the joint work of wrapping the built-in unit segment on the body, the winding operation of the insulation tape on the unit segment, etc., thereby eliminating the troubles and inconveniences due to the prior work and the application of the equipment do.

그와 더불어 내도 유닛의 용융으로 인한 대량 불량과, 내도 유닛이 서로 겹치는 부분에서의 전기적 불량도 방지할 수 있게 됨으로써, 작업 능률 및 생산성이 향상되게 된다.In addition, it is possible to prevent a large defect due to melting of the inner unit and an electrical failure at a portion where the inner unit overlaps with each other, thereby improving work efficiency and productivity.

이상에서는 첨부 도면에 도시된 본 발명의 구체적인 실시 예를 상세하게 설명하였으나, 이는 본 발명의 바람직한 형태에 대한 예시에 불과한 것이며, 본 발명의 보호 범위가 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이상과 같은 본 발명의 실시 예는 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야에 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 및 균등한 다른 실시가 가능한 것이며, 이러한 변형 및 균등한 다른 실시 예들은 당연히 본 발명의 첨부된 특허청구범위에 속한다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and equivalent arrangements may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. But fall within the scope of the appended claims of the invention.

10 : 몰딩 장치 12 : 상부 몰드
14 : 하부 몰드 16 : 체결부재
18 : 결합러그 20 : 절연컴파운드
22 : 주입관 24 : 에어
26 : 가압관 28, 30 : 케이블
32, 34 : 나도체 36 : 케이블 반도전층부
38 : 내부반도전층 10: molding apparatus 12: upper mold
14: lower mold 16: fastening member
18: engaging lug 20: insulating compound
22: injection tube 24: air
26: pressure pipe 28, 30: cable
32, 34: conductor body 36: cable half conductor layer
38: inner semiconducting layer

Claims (3)

이웃하는 케이블(28, 30)의 나도체(32, 34)와 케이블 반도전층부(36)를 포함하는 내부반도전 구간(L)에 내부반도전층(38)을 형성하기 위하여 반원구 형상의 상부 및 하부 몰드(12, 14)가 각각 감싸는 형태로 결합 되는 내부반도전층 몰딩 장치로서,
상기 상부 몰드(12)의 일 측에는 절연컴파운드(20)를 주입할 수 있도록 주입관(22)이 형성되어 있고, 상기 주입관(22)과 대응하는 타측에는 에어를 공급하여 주입된 절연컴파운드(20)를 가압할 수 있도록 가압관(26)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치.
In order to form the inner semiconductive layer 38 on the inner semiconductive section L including the conductor 32 and 34 of the adjacent cables 28 and 30 and the cable semiconductive layer 36, And lower molds (12, 14), respectively,
An injection tube 22 is formed on one side of the upper mold 12 so as to inject the insulating compound 20 and air is supplied to the other side corresponding to the injection tube 22 to inject the injected insulating compound 20 Pressure XLPE cable intermediate connection molding apparatus for an ultra-high-pressure XLPE cable intermediate connection box.
제 1항에 있어서,
상기 상부 및 하부 몰드(12, 14)의 외면에는 체결부재(16)를 통해 서로 대응 결합될 수 있도록 결합러그(18)가 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치.
The method according to claim 1,
And an engaging lug (18) is formed on an outer surface of the upper and lower molds (12, 14) so as to be coupled to each other through a fastening member (16) Device.
청구항 1항의 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치(10)를 이용하여 이웃하는 케이블 반도전층부(36)의 표면과 겹치게 되는 양편 계면 구간(A)과, 상기 계면 구간(A)의 상면을 형성하는 슬로프 구간(B)과, 양편 슬로프 구간(B) 사이에 형성되는 중간부 구간(C)을 포함하여 형성되는 내부반도전층(38) 구조로서,
상기 슬로프 구간(B)의 길이는 슬로프 구간(B)과 중간부 구간(C)을 합한 길이가 100%일 때 10% ~ 30% 비율의 길이를 이루고,
상기 중간부 구간(C)의 외면은 파진 형태의 오목면(38a)으로 중간부 구간(C)의 내면은 튀어나온 형태의 볼록면(38b)으로 각각 형성되며,
상기 중간부 구간(C)의 중간부 구간 두께(E)는 상기 케이블 반도전층부(36)의 두께(t)를 100%로 할 때 100% ~150%로 형성되고, 상기 내부반도전층 총 두께(D)는 중간부 구간 두께(E) 대비 100% ~ 120%로 형성되는 것을 특징으로 하는 초고압 XLPE 케이블 중간 접속함용 내부반도전층 몰딩 장치를 이용한 내부반도전층 구조.An interfacial section A which overlaps with the surface of the adjacent cable semiconductive layer section 36 by using the inner semiconductive layer molding apparatus 10 for an intermediate high-pressure XLPE cable intermediate connection according to claim 1, And an intermediate section C formed between the slope section B forming the slope section B and the slope section B forming the internal slope section B,
The length of the slope section B is 10% to 30% of the length of the slope section B and the middle section C,
The outer surface of the middle section C is formed by a concave surface 38a of a wave form and the inner surface of the middle section C is formed by a convex surface 38b of a protruding shape,
The intermediate section thickness E of the intermediate section C is set to 100% to 150% when the thickness t of the cable semiconductive layer section 36 is 100% (D) is formed to be 100% to 120% of the middle section thickness (E). The inner semiconductive layer structure using the inner semiconductive layer molding apparatus for the intermediate connection box of the XLPE cable.
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