KR101703049B1 - PCB with embedded capacitor and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따르는 내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법에 제공된다. 상기 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 절연층을 포함하는 캐리어 기판을 제공한다. 상기 캐리어 기판 상에 인접하게 배치되고 서로 절연되는 제1 및 제2 금속 전극 패턴을 형성한다. 상기 캐리어 기판 상에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴을 덮는 유전 물질층을 적층한다. 상기 캐리어 기판과 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴을 분리하여, 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴 및 상기 유전 물질층을 구비하는 캐패시터 구조물을 형성한다. 상기 캐패시터 구조물의 양쪽 표면에 층간 절연층을 적층한다. 상기 층간 절연층 내에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아을 형성한다. 상기 층간 절연층 상에서 상기 제1 및 제2 비아과 각각 연결되는 회로 패턴층을 형성한다.The present invention provides a method of manufacturing an embedded printed circuit board having a built-in capacitor according to an embodiment of the present invention. In the method of manufacturing an embedded printed circuit board, a carrier substrate including an insulating layer is provided. And first and second metal electrode patterns disposed adjacent to the carrier substrate and insulated from each other are formed. A dielectric material layer covering the first and second metal electrode patterns is laminated on the carrier substrate. The carrier substrate and the first and second metal electrode patterns are separated to form a capacitor structure including the first and second metal electrode patterns and the dielectric material layer. An interlayer insulating layer is laminated on both surfaces of the capacitor structure. And first and second vias electrically connected to the first and second metal electrode patterns are formed in the interlayer insulating layer. And a circuit pattern layer connected to the first and second vias on the interlayer insulating layer is formed.
Description
본 발명은 인쇄회로기판(PCB)에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 내장형 캐패시터를 구비하는 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a printed circuit board (PCB), and more particularly, to a printed circuit board having a built-in capacitor and a method of manufacturing the same.
전자 기기의 소형화에 따라, 전자 부품이 보다 고기능화되고 보다 더 소형화되고 있다. 디지털 네트워크의 고도화에 의해, 휴대폰이나 휴대 컴퓨터 등과 같은 휴대 정보 단말 기기가 고성능 및 고기능화되고 있으며, 다양한 기능이 하나의 기기에 융합되어 복합화되고 있다. With the miniaturization of electronic devices, electronic components are becoming more sophisticated and smaller. Due to the advancement of digital networks, portable information terminal devices such as mobile phones and portable computers are becoming more sophisticated and sophisticated, and various functions are being combined and integrated into one device.
이와 같이, 전자 기기가 소형화되고 고기능화됨에 따라 인쇄회로기판에 실장되어야 하는 부품 소자 수가 크게 증가하고 있으나, 이에 반해 기판의 면적은 감소되지 않는 추세이다. 오히려, 상술한 소형화의 추세에 따라, 기존의 인쇄회로기판의 두께 및 상기 부품 소자의 두께를 감소할 것을 요청하고 있다.As electronic devices are miniaturized and highly functionalized, the number of component elements to be mounted on a printed circuit board is greatly increased. On the other hand, the area of the substrate is not reduced. Rather, it is demanded to reduce the thickness of the existing printed circuit board and the thickness of the component element in accordance with the trend of downsizing described above.
최근에는, 상술한 요구를 만족시키기 위한 인쇄회로기판의 제조 방법으로서, 소자칩 또는 회로 패턴을 인쇄회로기판에 내장하는 임베디드 인쇄회로기판 기술이 등장하게 되었다. 임베디드 인쇄회로기판 기술은 소자칩 또는 회로 패턴을 인쇄회로기판에 내장함으로써, 전체 부품의 두께를 감소시키는 데 유리할 수 있다. Recently, as a method of manufacturing a printed circuit board to satisfy the above-mentioned requirements, an embedded printed circuit board technology in which a device chip or a circuit pattern is embedded in a printed circuit board has appeared. Embedded printed circuit board technology can be advantageous in reducing the thickness of the entire component by embedding the component chip or circuit pattern in the printed circuit board.
이러한 임베디드 인쇄회로기판의 제조 기술의 일 예로서, 한국 공개특허 2012-0070075에 개시된 기술이 있다. As an example of a manufacturing technique of such an embedded printed circuit board, there is a technique disclosed in Korean Patent Publication No. 2012-0070075.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 높은 캐패시턴스의 값을 가지는 캐패시터 소자를 내장하는 얇은 두께의 인쇄회로기판을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a thin printed circuit board incorporating a capacitor element having a high capacitance value.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 높은 캐패시턴스 값을 가지는 캐패시터를 얇은 두께의 인쇄회로기판 내부에 내장하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an embedded printed circuit board in which a capacitor having a high capacitance value is embedded in a printed circuit board having a small thickness.
본 발명의 일 측면에 따르는 내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법에 제공된다. 상기 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 절연층을 포함하는 캐리어 기판을 제공한다. 상기 캐리어 기판 상에 인접하게 배치되고 서로 절연되는 제1 및 제2 금속 전극 패턴을 형성한다. 상기 캐리어 기판 상에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴을 덮는 유전 물질층을 적층한다. 상기 캐리어 기판과 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴을 분리하여, 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴 및 상기 유전 물질층을 구비하는 캐패시터 구조물을 형성한다. 상기 캐패시터 구조물의 양쪽 표면에 층간 절연층을 적층한다. 상기 층간 절연층 또는 상기 층간 절연층 및 상기 유전 물질층 내에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아을 형성한다. 상기 층간 절연층 상에서 상기 제1 및 제2 비아과 각각 연결되는 회로 패턴층을 형성한다.The present invention provides a method of manufacturing an embedded printed circuit board having a built-in capacitor according to an aspect of the present invention. In the method of manufacturing an embedded printed circuit board, a carrier substrate including an insulating layer is provided. And first and second metal electrode patterns disposed adjacent to the carrier substrate and insulated from each other are formed. A dielectric material layer covering the first and second metal electrode patterns is laminated on the carrier substrate. The carrier substrate and the first and second metal electrode patterns are separated to form a capacitor structure including the first and second metal electrode patterns and the dielectric material layer. An interlayer insulating layer is laminated on both surfaces of the capacitor structure. First and second vias electrically connected to the first and second metal electrode patterns are formed in the interlayer insulating layer or the interlayer insulating layer and the dielectric material layer, respectively. And a circuit pattern layer connected to the first and second vias on the interlayer insulating layer is formed.
다른 측면에 따르는 내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법에 제공된다. 상기 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 유전 물질층을 구비하는 예비 구조물을 준비한다. 상기 유전 물질층을 가공하여 상기 인접하게 배치되나 서로 분리된 형태의 제1 및 제2 트렌치 패턴을 형성한다. 상기 트렌치 패턴 내부를 채우는 제1 및 제2 금속 전극 패턴을 형성하여 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴 및 상기 유전 물질층을 구비하는 캐패시터 구조물을 형성한다. 상기 캐패시터 구조물의 양쪽 표면에 층간 절연층을 적층한다. 상기 층간 절연층 또는 상기 층간 절연층 및 상기 유전 물질층 내에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아를 형성한다. 상기 층간 절연층 상에 상기 제1 및 제2 비아와 각각 연결되는 회로 패턴층을 형성한다.The present invention also provides a method of manufacturing an embedded printed circuit board having a built-in capacitor according to another aspect. In the method of manufacturing the embedded printed circuit board, a preliminary structure having a dielectric material layer is prepared. The dielectric material layers are processed to form the first and second trench patterns in the form of the adjacently disposed or separate structures. First and second metal electrode patterns filling the trench pattern are formed to form a capacitor structure including the first and second metal electrode patterns and the dielectric material layer. An interlayer insulating layer is laminated on both surfaces of the capacitor structure. First and second vias electrically connected to the first and second metal electrode patterns are formed in the interlayer insulating layer, the interlayer insulating layer, and the dielectric material layer, respectively. And a circuit pattern layer connected to the first and second vias is formed on the interlayer insulating layer.
또다른 측면에 따르는 내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판이 제공된다. 상기 임베디드 인쇄회로기판은 서로 인접하여 배치되며 전기적으로 절연되는 트레이스 형태의 제1 및 제2 금속 전극 패턴, 및 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴 사이를 채우는 유전 물질층을 포함하는 적어도 하나의 캐패시터 구조물; 상기 캐패시터 구조물의 상기 유전 물질층 상에 적층되는 층간 절연층; 상기 층간 절연층 또는 상기 층간 절연층 및 상기 유전 물질층 내에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아; 및 상기 층간 절연층 상에서 상기 제1 및 제2 비아와 각각 연결되는 회로 패턴층을 포함한다.There is provided an embedded printed circuit board having an embedded capacitor according to another aspect. Wherein the embedded printed circuit board comprises at least one capacitor comprising first and second metal electrode patterns in the form of traces disposed adjacent to each other and electrically insulated from each other and a dielectric material layer between the first and second metal electrode patterns, structure; An interlayer dielectric layer deposited on the dielectric material layer of the capacitor structure; First and second vias electrically connected to the first and second metal electrode patterns in the interlayer insulating layer or the interlayer insulating layer and the dielectric material layer, respectively; And a circuit pattern layer connected to the first and second vias on the interlayer insulating layer, respectively.
일 실시 예에 따르면, 다양한 형태의 캐패시터 구조물을 캐리어 기판을 이용하는 인쇄회로기판 제조법으로 먼저, 제조할 수 있다. 이후에, 상기 캐패시터 구조물의 양쪽 표면에 도금법에 의해 비아 및 회로패턴층을 이용하여 배선을 적층 형성함으로써, 상기 캐패시터 구조물을 내장하는 인쇄회로기판을 제조할 수 있다.According to one embodiment, various types of capacitor structures can be fabricated first with a printed circuit board manufacturing method using a carrier substrate. Thereafter, a wiring is laminated on both surfaces of the capacitor structure by using a via and a circuit pattern layer by a plating method, whereby a printed circuit board having the capacitor structure built therein can be manufactured.
이로써, 인쇄회로기판에 내장되는 캐패시터 구조물의 면적을 충분히 확보할 수 있어서, 충분히 캐패시턴스를 확보할 수 있다. 또한, 캐패시터 구조물 상에서 층간 절연층 및 회로패턴층의 적층과 같은 인쇄회로기판 제조 과정을 진행하여 캐패시터 구조물을 매몰시킬 수 있다. 이러한, 종래의 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법 시 기판 내에 소자가 배치되는 캐비티를 형성하는 공정을 생략할 수 있는 장점, 및, 임베디드 인쇄회로기판의 두께를 전체적으로 감소시킬 수 있는 장점이 있다.As a result, the area of the capacitor structure incorporated in the printed circuit board can be sufficiently secured, and sufficient capacitance can be ensured. In addition, a capacitor structure may be buried in a printed circuit board manufacturing process such as stacking an interlayer insulating layer and a circuit pattern layer on a capacitor structure. In the conventional method of manufacturing an embedded printed circuit board, it is possible to omit the process of forming the cavity in which the device is placed in the substrate, and to reduce the thickness of the embedded printed circuit board as a whole.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따르는 임베디드 인쇄회로기판의 캐패시터 구조물을 제조하는 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시 예에 의해 제조되는 캐패시터 구조물의 금속 전극 패턴의 형태를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따르는 임베디드 인쇄회로기판의 캐패시터 구조물을 제조하는 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 다른 실시 예들에 따르는 내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판을 개략적으로 나타내는 단면도이다.1 to 4 are sectional views schematically showing a method of manufacturing a capacitor structure of an embedded printed circuit board according to a first embodiment of the present invention.
5A to 5C are plan views schematically showing the shape of a metal electrode pattern of a capacitor structure manufactured according to an embodiment of the present invention.
6 to 8 are sectional views schematically showing a method of manufacturing a capacitor structure of an embedded printed circuit board according to a second embodiment of the present invention.
9 to 11 are sectional views schematically showing a method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor according to an embodiment of the present invention.
12A through 12D are cross-sectional views schematically illustrating an embedded printed circuit board having embedded capacitors according to other embodiments of the present invention.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시 예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 발명에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 개시의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the techniques disclosed in the present invention are not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. It should be understood, however, that the embodiments disclosed herein are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of this disclosure to those skilled in the art. In the drawings, the width, thickness, and the like of the components are enlarged in order to clearly illustrate the components of each device. It is to be understood that when an element is described as being located on another element, it is meant that the element is directly on top of the other element or that additional elements can be interposed between the elements .
복수의 도면들 상에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다. 또, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. Like numbers refer to like elements throughout the several views. It is to be understood that the singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise, and the terms "comprise" Or combinations thereof, and does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
또한, 방법 또는 제조 방법을 수행함에 있어서, 상기 방법을 이루는 각 과정들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않은 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 과정들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.Further, in carrying out the method or the manufacturing method, the respective steps of the method may take place differently from the stated order unless clearly specified in the context. That is, each process may occur in the same order as described, may be performed substantially concurrently, or may be performed in the opposite order.
본 명세서에서 사용되는, 기판 또는 칩의 '상면' 또는 '하면'이라는 용어는 관찰자의 시점에서 관측되는 상대적인 개념이다. 따라서, 기판 또는 칩의 측면을 제외한 두 면 중 어느 한 면을 '상면' 또는 '하면'으로 지칭할 수 있으며, 이에 대응하여 나머지 한 면을 '하면' 또는 '상면'으로 지칭할 수 있다. 마찬가지로, 본 명세서에서, '상', '위' 또는 '하', '아래' 라는 개념도 마찬가지로 상대적인 개념으로 사용되어 질 수 있다.
As used herein, the term " top surface " or " bottom " of a substrate or chip is a relative concept observed at an observer's point of view. Therefore, either side of the substrate or a side of the chip may be referred to as an 'upper side' or 'lower side', and the other side may be referred to as 'lower side' or 'upper side' correspondingly. Likewise, in the present specification, the concept of 'upper', 'upper' or 'lower' and 'lower' can be used as a relative concept as well.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따르는 임베디드 인쇄회로기판의 캐패시터 구조물을 제조하는 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.1 to 4 are sectional views schematically showing a method of manufacturing a capacitor structure of an embedded printed circuit board according to a first embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 절연층(101) 및 도금용 시드 구리층(105)을 포함하는 캐리어 기판(100)을 제공한다. 절연층(101)은, 일 예로서, 에폭시와 같은 수지를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 절연층(101)은 프리프레그층일 수 있다.Referring to FIG. 1, there is provided a
도 2를 참조하면, 캐리어 기판(100) 상에 인접하게 배치되고 서로 절연되는 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)을 형성한다. 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)은 도 5a 내지 도 5c에 도시되는 바와 같이, 서로 엇갈리도록 배치되는 트레이스 패턴의 형태로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)는 후술하는 캐패시터 구조물의 제1 및 제2 전극으로 기능할 수 있다.Referring to FIG. 2, first and second
일 실시 예에서, 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)을 형성하는 방법은, 도금용 시드 구리층(105)을 이용하는 어디티브법(additive process)에 의해 구리 도금 패턴을 형성하는 과정으로 진행될 수 있다. 일 예로서, 상기 어디티브법은 SAP(semi-additive process)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the method of forming the first and second
다른 실시 예에서, 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)을 형성하는 방법은, 먼저, 도금용 시드 구리층(105) 상에 구리 도금층을 형성하고, 상기 구리 도금층을 서브트랙티브법(subtractive process)에 의해 패터닝하는 과정으로 진행될 수 있다. 상기 서브트랙티브법은, 식각액으로 상기 구리 도금층을 선택적으로 식각하는 과정을 포함한다.In another embodiment, the first and second
몇몇 다른 실시예들에 있어서, 상기 서브트랙티브법을 이용하여 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)을 형성할 때에, 캐리어 기판(100)의 절연층(101) 상에 도금용 시드 구리층(105)이 생략될 수도 있다. 즉, 절연층(101) 상에서 도금법에 의해 구리 도금층을 바로 형성할 수도 있다.In some other embodiments, when the first and second
도 3을 참조하면, 캐리어 기판(100) 상에서 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)를 덮는 유전 물질층(120)을 적층한다. 구체적으로, 본 공정은 다음과 같은 다양한 방법으로 진행될 수 있다.Referring to FIG. 3, a
일 실시 예에 있어서, 먼저, 소정의 유전율을 구비하는 필름 형태의 유전층 시트를 준비한다. 이어서, 상기 유전층 시트가 상기 금속 전극 패턴을 함몰시키도록, 상기 유전층 시트를 상기 금속 전극 패턴에 접합시킨다. 이로써, 유전 물질층(120)을 적층할 수 있다.In one embodiment, first, a film-shaped dielectric sheet having a predetermined dielectric constant is prepared. Next, the dielectric sheet is bonded to the metal electrode pattern so that the dielectric sheet seals the metal electrode pattern. Thereby, the
다른 실시 예에서, 소정의 유전율을 구비하고 유동성을 가지는 유전 물질을 상기 캐리어 기판 상에 도포한다. 이어서, 상기 도포된 유전 물질을 건조시킨다. 이때, 유전 물질은 일 예로서, 액상 또는 페이스트 형태로 도포될 수 있다. 이로써, 유전 물질층(120)을 적층할 수 있다.In another embodiment, a dielectric material having a predetermined dielectric constant and having fluidity is applied onto the carrier substrate. The applied dielectric material is then dried. At this time, the dielectric material may be applied, for example, in the form of liquid or paste. Thereby, the
상술한 실시예들을 따라 유전 물질층(120)을 적층한 후에는, 추가적으로, 적층된 유전 물질층(120)의 표면을 평탄화하는 공정이 진행될 수도 있다. 상기 평탄화 공정은 화학적 식각 방법, 물리화학적 폴리싱 방법, 그라인딩 방법 등이 적용될 수 있다.After laminating the
도 4를 참조하면, 캐리어 기판(100)과 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)을 서로 분리하여, 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b) 및 유전 물질층(120)을 구비하는 캐패시터 구조물(10)을 형성한다.Referring to FIG. 4, the first and second
캐리어 기판(100)과 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)을 서로 분리하는 공정은, 캐리어 기판(100)의 절연층(101)과 도금용 시드 구리층(105) 사이의 경계면을 서로 분리시켜 도금용 시드 구리층(105) 상에 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b) 및 유전 물질층(120)이 적층된 중간 구조물을 먼저 형성하고, 이어서, 상기 중간 구조물의 도금용 시드 구리층(105)을 제거하는 과정으로 진행될 수 있다. The step of separating the
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시 예에 의해 제조되는 캐패시터 구조물의 금속 전극 패턴의 형태를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 금속 전극 패턴은 서로 인접하여 배치되되, 전기적으로 절연되도록 물리적으로 분리된 한 쌍의 제1 금속 전극 패턴(110a) 및 제2 금속 전극 패턴(110b)을 포함한다. 제1 금속 전극 패턴(110a) 및 제2 금속 전극 패턴(110b)은 일 예로서, 도 5a에 도시되는 금속 패턴층이 서로 엇갈려 배치되는 사다리 형태, 도 5b 및 도 5c에 도시되는 금속 패턴층이 서로 엇갈려 배치되는 나선형 형태를 가질 수 있다.
5A to 5C are plan views schematically showing the shape of a metal electrode pattern of a capacitor structure manufactured according to an embodiment of the present invention. 5A to 5C, the metal electrode pattern includes a pair of first
도 6 내지 도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따르는 임베디드 인쇄회로기판의 캐패시터 구조물을 제조하는 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 유전 물질층(620)을 구비하는 예비 구조물을 준비한다. 상기 예비 구조물은, 유전 물질층(620)으로 이루어지는 소정 두께의 시트 형태를 가질 수 있다.6 to 8 are sectional views schematically showing a method of manufacturing a capacitor structure of an embedded printed circuit board according to a second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, a preliminary structure having a layer of
도 7을 참조하면, 유전 물질층(620)을 가공하여 서로 인접하게 배치되나 서로 분리된 형태의 제1 및 제2 트렌치 패턴(310a, 310b)을 형성한다. 상기 제1 및 제2 트렌치 패턴(310a, 310b)은 도 5a 내지 도 5c에서, 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)이 형성될 영역에 각각 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 트렌치 패턴(310a, 310b)은 트레이스 패턴의 형태로 형성될 수 있으나, 물리적으로 서로 분리될 수 있다.Referring to FIG. 7, a
이때, 유전 물질층(620)을 가공하는 방법은, 일 예로서, 기계적 드릴링, 레이저 드릴링, 화학적 식각 및 플라즈마 식각 중에서 선택되는 적어도 하나의 방법을 적용하여 진행될 수 있다.At this time, the method of processing the
도 8을 참조하면, 제1 및 제2 트렌치 패턴(310a, 310b)의 내부를 채우는 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)을 형성한다. 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)을 형성하는 단계는 일 예로서, 도금법, 인쇄법 및 화학기상증착법 중에서 선택되는 적어도 하나의 방법을 적용하여 진행될 수 있다. 이로써, 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b) 및 유전 물질층(120)을 구비하는 캐패시터 구조물(10)을 형성할 수 있다.
Referring to FIG. 8, first and second
도 9 내지 도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따르는 내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 도 1 내지 도 4와 관련하여 상술한 제1 실시 예 및 도 6 내지 도 8과 관련하여 상술한 제2 실시 예에 따라 제조된 캐패시터 구조물(10)을 준비한다. 이어서, 캐패시터 구조물(10)의 양쪽 표면에 층간 절연층(910)을 적층한다. 또한, 층간 절연층(910) 상에 도금용 시드 구리층(920)을 적층한다. 9 to 11 are sectional views schematically showing a method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor according to an embodiment of the present invention. Referring to Fig. 9, a
도 10을 참조하면, 층간 절연층(910) 또는 층간 절연층(910) 및 유전 물질층(120) 내에서 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아(931a, 931b)를 형성한다. 이어서, 층간 절연층(910) 상에서 제1 및 제2 비아와 각각 연결되는 제1 및 제2 회로 패턴층(932a, 932b)를 형성한다. 10, first and second
제1 및 제2 비아(931a, 931b), 제1 및 제2 회로 패턴층(932a, 932b)을 형성하는 단계는, 층간 절연층(910) 또는 층간 절연층(910) 및 유전 물질층(120)을 패터닝하여 비아홀을 형성하는 과정, 도금법을 이용하여 상기 비아홀을 채우는 구리 도금층(931a, 931b) 및 층간 절연층(910) 상에 배치되는 구리 도금 패턴(932, 932a, 932b)를 형성하는 과정으로 진행될 수 있다. 구리 도금 패턴 중 일부분(932a, 932b)는 제1 및 제2 비아(931a, 931b)와 연결될 수 있다. 나머지 부분(932)는 층간 절연층(930) 상에서 회로 배선을 구성할 수 있다.The step of forming the first and
한편, 구리 도금층(931a, 931b) 및 구리 도금 패턴(932, 932a, 932b)을 형성하는 과정은 일 예로서, 공지의 SAP(Semi-Additive Process) 또는 MSAP(Modified Semi-Additive Process) 법을 적용하여 진행할 수 있다.The process of forming the
도 11을 참조하면, 제1 및 제2 회로 패턴층(932a, 932b)를 선택적으로 노출시키는 솔더 레지스트층(940)을 층간 절연층(910) 상에 형성한다. 솔더 레지스트층(940)에 의해 노출되는 제1 및 제2 회로 패턴층(932a, 932b)의 부분은 외부 장치와 연결되는 접속 패드로서 기능할 수 있다.Referring to FIG. 11, a solder resist
상술한 공정을 거쳐서, 본 발명의 일 실시 예에 따르는 내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판을 제조할 수 있다.Through the above-described processes, an embedded printed circuit board having embedded capacitors according to an embodiment of the present invention can be manufactured.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 다양한 형태의 캐패시터 구조물을 캐리어 기판을 이용하는 인쇄회로기판 제조법으로 먼저, 제조할 수 있다. 이후에, 상기 캐패시터 구조물의 양쪽 표면에 도금법에 의해 비아 및 회로패턴층을 이용하여 배선을 적층 형성함으로써, 상기 캐패시터 구조물을 내장하는 인쇄회로기판을 제조할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, various types of capacitor structures can be manufactured first with a printed circuit board manufacturing method using a carrier substrate. Thereafter, a wiring is laminated on both surfaces of the capacitor structure by using a via and a circuit pattern layer by a plating method, whereby a printed circuit board having the capacitor structure built therein can be manufactured.
이로써, 인쇄회로기판에 내장되는 캐패시터 구조물의 면적을 충분히 확보할 수 있어서, 충분히 캐패시턴스를 확보할 수 있다. 또한, 캐패시터 구조물 상에서 층간 절연층 및 회로패턴층의 적층과 같은 인쇄회로기판 제조 과정을 진행하여 캐패시터 구조물을 매몰시킬 수 있다. 이러한, 종래의 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법 시 기판 내에 소자가 배치되는 캐비티를 형성하는 공정을 생략할 수 있는 장점, 및, 임베디드 인쇄회로기판의 두께를 전체적으로 감소시킬 수 있는 장점이 있다.As a result, the area of the capacitor structure incorporated in the printed circuit board can be sufficiently secured, and sufficient capacitance can be ensured. In addition, a capacitor structure may be buried in a printed circuit board manufacturing process such as stacking an interlayer insulating layer and a circuit pattern layer on a capacitor structure. In the conventional method of manufacturing an embedded printed circuit board, it is possible to omit the process of forming the cavity in which the device is placed in the substrate, and to reduce the thickness of the embedded printed circuit board as a whole.
한편, 본 발명의 실시 예에 따르는 제조 방법으로 제조되는 임베디드 인쇄회로기판은 도 11에 개시되는 바와 같이, 적어도 하나의 캐패시터 구조물(10)을 포함할 수 있다. 캐패시터 구조물(10)은 서로 인접하여 배치되며 전기적으로 절연되는 트레이스 형태의 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b), 및 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b) 사이를 채우는 유전 물질층(120)을 포함한다. 이때, 제1 및 제2 금속 전극 패턴(110a, 110b)은 동일 평면 상에 배치될 수 있다.Meanwhile, the embedded printed circuit board manufactured by the manufacturing method according to the embodiment of the present invention may include at least one
또한, 상기 임베디드 인쇄회로기판은 캐패시터 구조물(10)의 유전 물질층(120) 상에 적층되는 층간 절연층(910), 층간 절연층(910) 내에서 제1 및 제2 금속 전극 패턴과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아(931a, 931b), 층간 절연층(910) 상에서 제1 및 제2 비아(931a, 931b)와 각각 연결되는 제1 및 제2 회로 패턴층(932a, 932b)을 포함한다.
The embedded printed circuit board may further include an
도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 다른 실시 예들에 따르는 내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판을 개략적으로 나타내는 단면도이다.12A through 12D are cross-sectional views schematically illustrating an embedded printed circuit board having embedded capacitors according to other embodiments of the present invention.
도 12a의 실시예는 도 11에 개시된 실시예의 임베디드 인쇄회로기판과 대비하여, 캐패시터 구조물(10)에서, 트레이스 형태의 제1 및 제2 금속 전극 패턴의 쌍이 복층으로 배치되는 구성상 차별점을 구비할 수 있다. 이때, 복층의 제1 및 제2 금속 전극 패턴의 쌍은 유전 물질층(120)에 의해 절연될 수 있다.The embodiment of FIG. 12A is different from the embedded printed circuit board of the embodiment disclosed in FIG. 11 in that, in the
한편, 제1 금속 전극 패턴(110a) 및 제2 금속 전극 패턴(110b)가 구성하는 제1 캐패시터 소자와, 또다른 제1 금속 전극 패턴(111a) 및 제2 금속 전극 패턴(111b)가 구성하는 제2 캐패시터 소자가 제1 및 제2 연결 비아(112a, 112b)에 의해 병렬 연결된다. 이를 통해, 내장형 캐패시터의 캐패시턴스가 향상될 수 있다.On the other hand, the first capacitor element constituted by the first
도 12b의 실시예는, 도 11에 개시된 실시예의 임베디드 인쇄회로기판과 대비하여, 유전 물질층(120) 상에 배치되는 제1 및 제2 내부 전극 패턴(1210a. 1210b)을 더 포함한다는 구성상 차별점을 구비할 수 있다. The embodiment of FIG. 12B further includes a first and a second
제1 및 제2 내부 전극 패턴(1210a, 1210b)은 유전 물질층(120) 상에서 층간 절연층(910)에 의해 매몰되도록 배치될 수 있다. 또한, 제1 내부 전극 패턴(1210a)은 제1 비아(931a) 및 제1 금속 전극 패턴(110a)과 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제1 연결비아(1211a)는 제1 금속 전극 패턴(110a)과 제1 내부 전극 패턴(1210a)을 전기적으로 연결할 수 있다. 한편, 제2 내부 전극 패턴(1210b)은 제2 비아(931b) 및 제2 금속 전극 패턴(110b)을 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제2 연결비아(1211b)는 제2 금속 전극 패턴(11b)와 제2 내부 전극 패턴(1210b)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.The first and second
제1 및 제2 내부 전극 패턴(1210a, 1210b)는 전류가 흐르는 회로 배선들 내부의 전기적 저항을 감소시키는 효과가 있다. The first and second
도 12c의 실시예는, 도 11에 개시된 실시예의 임베디드 인쇄회로기판과 대비하여, 제1 및 제2 전극 패턴(110a, 110b)이 서로 다른 평면 상에서 지그재그 형태로 배치되는 구성상 특징이 있다.The embodiment of FIG. 12C is different from the embedded printed circuit board of the embodiment shown in FIG. 11 in that the first and
도 12d의 실시예는, 도 11에 개시된 실시예의 임베디드 인쇄회로기판과 대비하여, 유전 물질층(210)이 서로 다른 복수의 유전체층(212, 214)의 적층 구조이며, 서로 다른 복수의 유전층(212, 214)은 제1 및 제2 전극 패턴(110a, 110b)의 서로 다른 부분을 높이 방향으로 커버하도록 배치된다는 구성상 특징이 있다.The embodiment of Figure 12D is a stacked structure of a plurality of
본 실시예에서는, 서로 다른 캐패시턴스를 구비하는 2개의 캐패시터가 병렬 연결되는 구성을 구비할 수 있다. 이에 따라, 캐패시터 구조물의 캐패시턴스를 증가시킬 수 있다.In this embodiment, two capacitors having different capacitances may be connected in parallel. Thus, the capacitance of the capacitor structure can be increased.
이상에서는 도면 및 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 출원의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원에 개시된 실시예들을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It can be understood that
100: 캐리어 기판, 101: 절연층, 105: 도금용 시드 구리층,
110a: 제1 금속 전극 패턴, 110b: 제2 금속 전극 패턴,
120 620: 유전 물질층, 10: 캐패시터 구조물,
210: 유전 물질층, 212. 214: 복수의 유전체층,
310a: 제1 트렌치 패턴, 310b: 제2 트렌치 패턴,
910: 층간 절연층, 920: 도금용 시드 구리층,
931a: 제1 비아, 931b: 제2 비아,
932, 932a, 932b: 회로 패턴층,
940: 솔더 레지스트층,
1210a: 제1 내부 전극 패턴, 1210b: 제2 내부 전극 패턴,
1211a: 제1 연결비아, 1211b: 제2 연결비아.100: carrier substrate, 101: insulating layer, 105: seed copper layer for plating,
110a: a first metal electrode pattern, 110b: a second metal electrode pattern,
120 620: dielectric material layer, 10: capacitor structure,
210: dielectric material layer, 212 214: plural dielectric layers,
310a: first trench pattern, 310b: second trench pattern,
910: interlayer insulating layer, 920: seed copper layer for plating,
931a: first via, 931b: second via,
932, 932a and 932b: a circuit pattern layer,
940: solder resist layer,
1210a: first internal electrode pattern, 1210b: second internal electrode pattern,
1211a: first connection via, 1211b: second connection via.
Claims (20)
(b) 상기 캐리어 기판 상에 인접하게 배치되고 서로 절연되는 제1 및 제2 금속 전극 패턴을 형성하는 단계;
(c) 상기 캐리어 기판 상에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴을 덮는 유전 물질층을 적층하는 단계;
(d) 상기 캐리어 기판과 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴을 분리하여, 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴 및 상기 유전 물질층을 구비하는 캐패시터 구조물을 형성하는 단계;
(e) 상기 캐패시터 구조물의 양쪽 표면에 층간 절연층을 적층하는 단계;
(f) 상기 층간 절연층 또는 상기 층간 절연층 및 상기 유전 물질층 내에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아를 형성하는 단계;
(g) 상기 층간 절연층 상에서 상기 제1 및 제2 비아과 각각 연결되는 회로 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
(a) providing a carrier substrate comprising an insulating layer;
(b) forming first and second metal electrode patterns disposed adjacent to and insulated from each other on the carrier substrate;
(c) laminating a dielectric material layer covering the first and second metal electrode patterns on the carrier substrate;
(d) separating the carrier substrate and the first and second metal electrode patterns to form a capacitor structure including the first and second metal electrode patterns and the dielectric material layer;
(e) laminating an interlayer dielectric on both surfaces of the capacitor structure;
(f) forming first and second vias electrically connected to the first and second metal electrode patterns in the interlayer insulating layer or the interlayer insulating layer and the dielectric material layer, respectively;
(g) forming a circuit pattern layer on the interlayer dielectric layer, the circuit pattern layer being connected to the first and second vias, respectively
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴은 상기 캐패시터 구조물의 제1 및 제2 전극으로 기능하며,
상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴은 트레이스 패턴의 형태로 형성되는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
The first and second metal electrode patterns function as first and second electrodes of the capacitor structure,
The first and second metal electrode patterns are formed in the form of a trace pattern
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
(a) 단계에서,
상기 캐리어 기판은 상기 절연층 상에 적층된 도금용 시드 구리층을 포함하는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
In step (a)
Wherein the carrier substrate comprises a seed copper layer for plating laminated on the insulating layer
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
(b) 단계는
상기 도금용 시드 구리층을 이용하는 어디티브(additive)법에 의해 구리 도금 패턴을 형성하는 단계를 포함하는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method of claim 3,
(b)
And a step of forming a copper plating pattern by an additive method using the seed copper layer for plating
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
(b) 단계는
(b1) 상기 절연층 상에 구리 도금층을 형성하는 단계; 및
(b2) 상기 구리 도금층을 서브트랙티브(subtractive)법에 의해 패터닝하는 단계를 포함하는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
(b)
(b1) forming a copper plating layer on the insulating layer; And
(b2) patterning the copper plating layer by a subtractive method
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
(c) 단계는
필름 형태의 유전층 시트를 준비하는 단계; 및
상기 유전층 시트가 상기 금속 전극 패턴을 함몰시키도록, 상기 유전층 시트를 상기 금속 전극 패턴에 접합시키는 단계를 포함하는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
(c)
Preparing a dielectric sheet in the form of a film; And
And bonding the dielectric sheet to the metal electrode pattern so that the dielectric sheet seals the metal electrode pattern
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
(c) 단계는
유동성을 가지는 유전 물질을 상기 캐리어 기판 상에 도포하는 단계; 및
상기 유전 물질을 건조시키는 단계를 포함하는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
(c)
Applying a flowable dielectric material onto the carrier substrate; And
And drying said dielectric material
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
(h) 상기 층간 절연층 상에서 상기 회로 패턴층을 선택적으로 노출시키는 솔더 레지스트층을 형성하는 단계를 더 포함하는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
(h) forming a solder resist layer selectively exposing the circuit pattern layer on the interlayer insulating layer
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
(b) 상기 유전 물질층을 가공하여 상기 인접하게 배치되나 서로 분리된 형태의 제1 및 제2 트렌치 패턴을 형성하는 단계;
(c) 상기 트렌치 패턴 내부를 채우는 제1 및 제2 금속 전극 패턴을 형성하여 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴 및 상기 유전 물질층을 구비하는 캐패시터 구조물을 형성하는 단계;
(d) 상기 캐패시터 구조물의 양쪽 표면에 층간 절연층을 적층하는 단계;
(e) 상기 층간 절연층 또는 상기 층간 절연층 및 상기 유전 물질층 내에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아를 형성하는 단계;
(f) 상기 층간 절연층 상에 상기 제1 및 제2 비아와 각각 연결되는 회로 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
(a) preparing a preform having a dielectric material layer;
(b) fabricating the dielectric material layer to form first and second trench patterns adjacent to each other or separated from each other;
(c) forming first and second metal electrode patterns filling the trench pattern to form a capacitor structure including the first and second metal electrode patterns and the dielectric material layer;
(d) laminating an interlayer insulating layer on both surfaces of the capacitor structure;
(e) forming first and second vias electrically connected to the first and second metal electrode patterns in the interlayer insulating layer or the interlayer insulating layer and the dielectric material layer, respectively;
(f) forming a circuit pattern layer on the interlayer dielectric layer, the circuit pattern layer being connected to the first and second vias, respectively
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴은 상기 캐패시터 구조물의 제1 및 제2 전극으로 기능하며,
상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴은 트레이스 패턴의 형태로 형성되는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
The first and second metal electrode patterns function as first and second electrodes of the capacitor structure,
The first and second metal electrode patterns are formed in the form of a trace pattern
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
(b) 단계의 상기 유전 물질층의 가공 방법은 기계적 드릴링, 레이저 드릴링, 화학적 식각, 및 플라즈마 식각 중에서 선택되는 적어도 하나의 방법을 적용하여 진행되는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
The method of processing the dielectric material layer in step (b) may be performed by applying at least one method selected from mechanical drilling, laser drilling, chemical etching, and plasma etching
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
(c) 단계는
도금법, 인쇄법 및 화학기상증착법 중에서 선택되는 적어도 하나의 방법을 적용하여 진행되는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
(c)
A plating method, a printing method, and a chemical vapor deposition method.
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
(g) 상기 회로 패턴층을 선택적으로 노출시키는 솔더 레지스트층을 형성하는 단계를 더 포함하는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
(g) forming a solder resist layer selectively exposing the circuit pattern layer
A method of manufacturing an embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
상기 캐패시터 구조물의 상기 유전 물질층 상에 적층되는 층간 절연층;
상기 층간 절연층 또는 상기 층간 절연층 및 상기 유전 물질층 내에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아; 및
상기 층간 절연층 상에서 상기 제1 및 제2 비아와 각각 연결되는 회로 패턴층을 포함하고,
상기 캐패시터 구조물은, 상기 트레이스 형태의 제1 및 제2 금속 전극 패턴의 쌍이 복층으로 배치되고,
상기 복층의 제1 및 제2 금속 전극 패턴의 쌍은 상기 유전 물질층에 의해 절연되는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판.
At least one capacitor structure including first and second metal electrode patterns in the form of traces disposed adjacent to each other and electrically insulated from each other, and a dielectric material layer filling between the first and second metal electrode patterns;
An interlayer dielectric layer deposited on the dielectric material layer of the capacitor structure;
First and second vias electrically connected to the first and second metal electrode patterns in the interlayer insulating layer or the interlayer insulating layer and the dielectric material layer, respectively; And
And a circuit pattern layer connected to the first and second vias on the interlayer insulating layer,
Wherein the capacitor structure includes a plurality of pairs of the first and second metal electrode patterns in the trace shape,
And the pair of the first and second metal electrode patterns of the multiple layers are insulated by the dielectric material layer
An embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
상기 캐패시터 구조물의 상기 유전 물질층 상에 적층되는 층간 절연층;
상기 층간 절연층 또는 상기 층간 절연층 및 상기 유전 물질층 내에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아; 및
상기 층간 절연층 상에서 상기 제1 및 제2 비아와 각각 연결되는 회로 패턴층을 포함하고,
상기 유전 물질층 상에서 상기 층간 절연층에 의해 매몰되도록 배치되고,
상기 제1 금속 전극 패턴 및 상기 제1 비아와 서로 전기적으로 연결되거나, 상기 제2 금속 전극 패턴 및 상기 제2 비아와 서로 전기적으로 연결되는 내부 전극 패턴을 더 포함하는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판.
At least one capacitor structure including first and second metal electrode patterns in the form of traces disposed adjacent to each other and electrically insulated from each other, and a dielectric material layer filling between the first and second metal electrode patterns;
An interlayer dielectric layer deposited on the dielectric material layer of the capacitor structure;
First and second vias electrically connected to the first and second metal electrode patterns in the interlayer insulating layer or the interlayer insulating layer and the dielectric material layer, respectively; And
And a circuit pattern layer connected to the first and second vias on the interlayer insulating layer,
A dielectric layer disposed on the dielectric material layer so as to be buried by the interlayer dielectric layer,
And an inner electrode pattern electrically connected to the first metal electrode pattern and the first via or electrically connected to the second metal electrode pattern and the second via,
An embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
상기 캐패시터 구조물의 상기 유전 물질층 상에 적층되는 층간 절연층;
상기 층간 절연층 또는 상기 층간 절연층 및 상기 유전 물질층 내에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아; 및
상기 층간 절연층 상에서 상기 제1 및 제2 비아와 각각 연결되는 회로 패턴층을 포함하고,
상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴은 서로 다른 평면 상에서 지그 재그 형태로 배치되는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판.
At least one capacitor structure comprising first and second metal electrode patterns in the form of traces disposed adjacent to each other and electrically insulated from each other, and a dielectric material layer filling between the first and second metal electrode patterns;
An interlayer dielectric layer deposited on the dielectric material layer of the capacitor structure;
First and second vias electrically connected to the first and second metal electrode patterns in the interlayer insulating layer or the interlayer insulating layer and the dielectric material layer, respectively; And
And a circuit pattern layer connected to the first and second vias on the interlayer insulating layer,
The first and second metal electrode patterns are arranged in a zigzag pattern on different planes
An embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
상기 캐패시터 구조물의 상기 유전 물질층 상에 적층되는 층간 절연층;
상기 층간 절연층 또는 상기 층간 절연층 및 상기 유전 물질층 내에서 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴과 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 비아; 및
상기 층간 절연층 상에서 상기 제1 및 제2 비아와 각각 연결되는 회로 패턴층을 포함하고,
상기 유전 물질층은 서로 다른 복수의 유전체층의 적층 구조이며,
서로 다른 복수의 유전층은 상기 제1 및 제2 금속 전극 패턴의 서로 다른 부분을 높이 방향으로 커버하도록 배치되는
내장형 캐패시터를 구비하는 임베디드 인쇄회로기판.At least one capacitor structure comprising first and second metal electrode patterns in the form of traces disposed adjacent to each other and electrically insulated from each other, and a dielectric material layer filling between the first and second metal electrode patterns;
An interlayer dielectric layer deposited on the dielectric material layer of the capacitor structure;
First and second vias electrically connected to the first and second metal electrode patterns in the interlayer insulating layer or the interlayer insulating layer and the dielectric material layer, respectively; And
And a circuit pattern layer connected to the first and second vias on the interlayer insulating layer,
Wherein the dielectric material layer is a stacked structure of a plurality of dielectric layers different from each other,
The plurality of different dielectric layers are arranged to cover different portions of the first and second metal electrode patterns in the height direction
An embedded printed circuit board having an embedded capacitor.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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JP2010027976A (en) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Multilayered capacitor and semiconductor package containing the same, and method for manufacturing the same |
US20120223047A1 (en) | 2005-01-10 | 2012-09-06 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Method of forming multilayer capacitors in a printed circuit substrate |
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US20120223047A1 (en) | 2005-01-10 | 2012-09-06 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Method of forming multilayer capacitors in a printed circuit substrate |
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