KR101692915B1 - Nozzle drive system - Google Patents

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KR101692915B1
KR101692915B1 KR1020160028028A KR20160028028A KR101692915B1 KR 101692915 B1 KR101692915 B1 KR 101692915B1 KR 1020160028028 A KR1020160028028 A KR 1020160028028A KR 20160028028 A KR20160028028 A KR 20160028028A KR 101692915 B1 KR101692915 B1 KR 101692915B1
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조중근
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주식회사 포톤
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Abstract

A nozzle drive system for semiconductor cleaning and drying equipment is disclosed. The nozzle system for semiconductor cleaning and drying equipment is a nozzle system which is installed in a chamber, has an upper surface open, moves into a bowl accommodating a substrate, and sprays a substrate processing fluid for processing the substrate. The nozzle system includes a first motor which is located outside the bowl, is mounted on the bottom surface of a chamber where the bowl is placed, and has a drive shaft disposed perpendicular to the bottom surface; a nozzle shaft which is coupled to the drive shaft of the first motor and is rotated by driving the first motor; a first nozzle bar which is rotatably coupled to the nozzle shaft and has an end extended in a direction away from the nozzle shaft; a second nozzle bar which is bent downward at an end of the first nozzle bar and is extended to a predetermined length; a second motor which is connected to the first nozzle bar to rotate the first nozzle bar; and a nozzle which is coupled to an end of the second nozzle bar for spraying the substrate processing fluid. So, the nozzle can be moved in a narrow space in the chamber.

Description

반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템{NOZZLE DRIVE SYSTEM}Nozzle Drive System for Semiconductor Cleaning and Drying Equipment [0002]

본 발명은 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 바울과의 충돌을 피해 바울의 내측으로 이동하는 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a nozzle drive system for semiconductor cleaning and drying equipment, and more particularly, to a nozzle drive system for semiconductor cleaning and drying equipment that moves inside of a pawl against collision with a pawl.

일반적으로, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질이나 불필요한 막을 제거하는 세정공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.In general, as a semiconductor device has a high density, a high integration and a high performance, the miniaturization of the circuit pattern rapidly progresses, so that contaminants such as particles, organic contaminants and metal contaminants remaining on the substrate surface . For this reason, a cleaning process for removing various pollutants or unnecessary films adhering to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning the substrate is performed before and after each unit process for manufacturing a semiconductor .

현재 반도체 제조 공정에서 사용되는 세정 방법은 건식 세정(Dry Cleaning)과 습식 세정(Wet Cleaning)으로 크게 나누어지며, 습식 세정은 약액 중에 기판을 침적시켜 화학적 용해 등에 의해서 오염 물질을 제거하는 배스(Bath) 타입과, 스핀 척 위에 기판을 놓고 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면에 약액을 공급하여 오염 물질을 제거하는 매엽 타입으로 나누어진다.At present, the cleaning method used in the semiconductor manufacturing process is roughly divided into dry cleaning and wet cleaning. In the wet cleaning, a bath in which a substrate is immersed in a chemical solution to remove contaminants by chemical dissolution, Type, and a sheet type in which a substrate is placed on a spin chuck and a chemical is supplied to the surface of the substrate while rotating the substrate to remove contaminants.

반도체 매엽식 세정 장비에서 기판 세정 공정에 필요한 약액이나 가스는 노즐을 통해 공급한다. 노즐을 바울 내 기판 상부의 일정 위치로 이동시키는 과정에서 바울과의 충돌을 피하기 위해, 노즐을 상하 직선이동-회전이동-직선이동의 순서로 이동하거나 바울 전체를 상하 직선 이동하는 방식이 일반적이다. 이러한 기존 형태는 노즐시스템의 상하 이동 공간이 필요하거나 번거로운 바울 구동시스템을 도입해야 하는 문제가 있다.In a semiconductor single wafer cleaning apparatus, a chemical or gas required for a substrate cleaning process is supplied through a nozzle. In order to avoid collision with the pawl during the process of moving the nozzle to a predetermined position on the substrate in the pawl, a method of moving the nozzle in the order of up-and-down movement, rotation movement, and linear movement, or moving the whole of the pawl in a vertical direction is generally used. This conventional configuration has a problem in that it requires the up-and-down moving space of the nozzle system or the troublesome pawl driving system.

특허공개 특1999-027898Patent Publication 1999-027898 등록특허 10-1099612[0030]

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 챔버 내의 협소한 공간 내에서도 간단하게 노즐을 이동시킬 수 있고, 컴팩트한 반도체 세정 장비를 제작할 수 있도록 한 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a nozzle driving system for a semiconductor cleaning and drying apparatus capable of easily moving a nozzle even in a narrow space in a chamber and manufacturing a compact semiconductor cleaning apparatus.

본 발명에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템은, 회전하는 노즐 샤프트; 회전하는 노즐바; 및 상기 노즐바의 말단에 결합된 노즐을 포함하고, 상기 노즐이 바울(bowl)과 충돌하지 않도록 회전하도록 구성된 것을 특징으로 한다.A nozzle driving system for a semiconductor cleaning and drying apparatus according to the present invention comprises: a rotating nozzle shaft; A rotating nozzle bar; And a nozzle coupled to an end of the nozzle bar, wherein the nozzle is configured to rotate so as not to collide with a bowl.

상기 노즐바의 회전을 위해 상기 노즐 샤프트의 하부 또는 상부에 위치하는 구동부를 포함할 수 있다.And a driving unit positioned below or above the nozzle shaft for rotating the nozzle bar.

상기 노즐 구동 시스템은 상기 바울과 충돌하지 않도록 순차적으로 상기 노즐 샤프트 및 노즐바가 회전하도록 구성될 수 있다.The nozzle driving system may be configured to sequentially rotate the nozzle shaft and the nozzle bar so as not to collide with the pawl.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템은, 챔버 내에 설치되고, 상면부가 개방되고, 내부에 기판을 수용하는 바울(bowl)의 내부로 이동하여 상기 기판을 처리하기 위한 기판처리유체를 분사하는 노즐시스템으로서, 상기 바울의 외부에 위치하고, 상기 바울이 놓인 상기 챔버의 바닥면에 설치되고, 구동축이 상기 바닥면에 수직하도록 배치된 제1 모터; 상기 제1 모터의 구동축에 결합되어 상기 제1 모터의 구동에 의해 회전하는 노즐 샤프트; 상기 노즐 샤프트에 회전 가능하게 결합되어 끝단부가 상기 노즐 샤프트와 멀어지는 방향으로 연장된 제1 노즐바; 상기 제1 노즐바의 끝단부에서 아래로 절곡되어 소정의 길이로 연장된 제2 노즐바; 상기 제1 노즐바와 연결되어 상기 제1 노즐바를 회전시키는 제2 모터; 및 상기 제2 노즐바의 끝단부에 결합되어 상기 기판처리유체를 분사하는 노즐을 포함하는 것을 특징으로 한다.A nozzle system for a semiconductor cleaning and drying system according to an embodiment of the present invention includes a chamber for installing a substrate in a chamber and having an upper surface opened and moving into a bowl accommodating a substrate therein, A nozzle system for injecting a treatment fluid, comprising: a first motor (1) located outside the pawl, the first motor being installed on a bottom surface of the chamber on which the pawl is placed, the drive shaft being arranged perpendicular to the bottom surface; A nozzle shaft coupled to a drive shaft of the first motor and rotated by driving the first motor; A first nozzle bar rotatably coupled to the nozzle shaft and having an end extending in a direction away from the nozzle shaft; A second nozzle bar bent downward at an end of the first nozzle bar and extending to a predetermined length; A second motor connected to the first nozzle bar to rotate the first nozzle bar; And a nozzle coupled to an end of the second nozzle bar for spraying the substrate processing fluid.

본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템은, 상기 제2 노즐바 상에 설치되어 상기 노즐을 통해 분사되는 기판처리유체가 상기 바울의 외부로 비산되는 것을 방지하는 유체비산방지장치를 더 포함할 수 있다.The nozzle system for a semiconductor cleaning and drying system according to another embodiment of the present invention may further include a fluid scattering prevention member installed on the second nozzle bar to prevent a substrate processing fluid sprayed through the nozzle from scattering to the outside of the pawl Device. ≪ / RTI >

상기 유체비산방지장치는, 상기 제2 노즐바에 결합되어 상기 제2 노즐바의 일 지점에 고정된 원통 형상의 제1 원통부; 상기 제2 노즐바의 축방향을 따라 슬라이딩 가능하도록 상기 제2 노즐바에 결합되고, 상기 제1 원통부의 위로 배치되어 있는 원통 형상의 제2 원통부; 일단부가 상기 제2 원통부에 회전 가능하게 연결되고, 타단부가 상기 제2 원통부와 멀어지는 방향으로 소정 길이 연장되고, 상기 제2 원통부의 원주 방향으로 다수 배열된 제1 프레임; 일단부가 상기 제1 원통부에 회전 가능하게 연결되고, 타단부가 상기 제1 프레임의 일 지점에 회전 가능하게 연결되고, 상기 제1 원통부의 원주 방향으로 다수 배열된 제2 프레임; 상기 제1 프레임들의 위에서 상기 제1 프레임들을 덮도록 상기 제1 프레임들에 부착된 차단막; 및 상기 제2 노즐바 상에 장착되고, 피스톤 로드가 상기 제2 원통부에 연결되어 상기 제2 원통부를 상기 제2 노즐바의 축방향을 따라 슬라이딩 이동시키는 실린더장치를 포함할 수 있다.The fluid scattering prevention device may further include: a cylindrical first cylindrical portion coupled to the second nozzle bar and fixed to one point of the second nozzle bar; A second cylindrical portion coupled to the second nozzle bar so as to be slidable along the axial direction of the second nozzle bar, the second cylindrical portion being disposed above the first cylindrical portion; A first frame rotatably connected at one end to the second cylindrical portion and extended at a predetermined distance in a direction away from the second cylindrical portion, the first frame being arranged in a plurality of rows in the circumferential direction of the second cylindrical portion; A second frame rotatably connected at one end to the first cylindrical portion and rotatably connected at another end to the first frame, the second frame being arranged in a plurality of rows in the circumferential direction of the first cylindrical portion; A blocking film attached to the first frames to cover the first frames above the first frames; And a cylinder device mounted on the second nozzle bar, wherein the piston rod is connected to the second cylindrical portion to slide the second cylindrical portion along the axial direction of the second nozzle bar.

본 발명에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템에 의하면, 챔버 내의 협소한 공간 내에서도 간단하게 노즐을 이동시킬 수 있고, 컴팩트한 반도체 세정 장비를 제작할 수 있으며, 기판의 세정 및 건조를 위해 챔버 내에 복수로 설치하여 어느 하나의 노즐이 기판의 세정을 위한 유체를 공급한 후 이어서 다른 하나의 노즐이 기판의 건조를 위한 유체를 공급하는, 각각의 노즐을 기판의 상부로 로딩 및 언로딩하는 연속적인 동작을 챔버 내의 협소한 공간 내에서 구현할 수 있는 효과가 있다.According to the nozzle system for semiconductor cleaning and drying equipment according to the present invention, it is possible to easily move the nozzle even in a narrow space in the chamber, to produce a compact semiconductor cleaning equipment, So that one nozzle supplies fluid for cleaning the substrate, and the other nozzle supplies fluid for drying the substrate, and a continuous operation for loading and unloading each nozzle to the top of the substrate Can be realized in a narrow space in the chamber.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템을 개념적으로 나타낸 블록도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템의 구성을 설명하기 위한 사시도 및 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 노즐이 바울의 내부로 위치되는 과정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 유체비산방지장치가 펼쳐진 상태를 나타낸 부분 확대 사시도이다.1 is a block diagram conceptually showing a nozzle driving system for a semiconductor cleaning and drying apparatus according to the present invention.
2 and 3 are a perspective view and a sectional view for explaining the structure of a nozzle system for semiconductor cleaning and drying equipment according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 4 to 6 are sectional views for explaining the process of positioning the nozzle inside the pawl.
7 is a cross-sectional view illustrating a nozzle system for a semiconductor cleaning and drying apparatus according to another embodiment of the present invention.
8 is a partially enlarged perspective view showing a state in which the fluid scattering prevention device shown in Fig. 7 is unfolded.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a nozzle driving system for a semiconductor cleaning and drying apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

본 발명에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템은, 챔버 내에 설치되고, 상면부가 개방되고, 내부에 기판을 수용하는 바울(bowl)의 내부로 이동하여 상기 기판을 처리하기 위한 기판처리유체를 분사하도록 구성된다. A nozzle driving system for a semiconductor cleaning and drying apparatus according to the present invention is a nozzle driving system for a semiconductor cleaning and drying apparatus, which is installed in a chamber, has an upper surface opened, moves to the inside of a bowl accommodating a substrate, .

여기서, 상기 기판처리유체는 기판을 세정 및 건조하기 위한 유체일 수 있고, 일 예로, 기판을 세정하는 경우 기판처리유체는 불산(HF), 황산(H3SO4), 과산화수소(H2O2), 질소가스, 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 오존수, 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 기판을 건조하는 경우 기판처리유체는 건조 가스로서 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용될 수 있다.The substrate processing fluid may be HF, sulfuric acid (H 3 SO 4 ), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and the like. The substrate processing fluid may be a fluid for cleaning and drying the substrate. ), nitrogen gas, nitric acid (HNO 3), phosphoric acid (H 3 PO 4), ozone water, and SC-1 solution (ammonium hydroxide (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2) and water (H 2 O) of And a mixed solution thereof). When the substrate is dried, the substrate treating fluid may be isopropyl alcohol gas (IPA) as a drying gas.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템을 개념적으로 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram conceptually showing a nozzle driving system for a semiconductor cleaning and drying apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템은, 노즐 샤프트(10); 노즐바(20); 노즐(30); 및 구동부(40)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a nozzle driving system for a semiconductor cleaning and drying system according to the present invention includes a nozzle shaft 10; A nozzle bar (20); A nozzle 30; And a driving unit 40.

노즐 샤프트(10) 및 노즐바(20)는 회전하도록 구성된다. 노즐 샤프트(10) 및 노즐바(20)는 바울(미도시)과 충돌하지 않도록 순차적으로 회전하도록 구성될 수 있다.The nozzle shaft 10 and the nozzle bar 20 are configured to rotate. The nozzle shaft 10 and the nozzle bar 20 may be configured to sequentially rotate so as not to collide with a pawl (not shown).

노즐 샤프트(10) 및 노즐바(20)의 회전을 위해 상기 구동부(40)가 설치된다. 일 예로, 상기 구동부(40)는 노즐 샤프트(10) 및 노즐바(20)에 각각 연결된 복수의 모터로 구성될 수 있다. 이러한 경우, 노즐바(20)를 회전시키는 모터는 노즐 샤프트(10)의 상부 또는 하부에 위치할 수 있다. 도시하지는 않았지만, 노즐바(20)를 회전시키는 모터가 노즐 샤프트(10)의 상부에 위치하는 경우 모터는 노즐바(20)에 직접 연결될 수 있고, 노즐바(20)를 회전시키는 모터가 노즐 샤프트(10)의 하부에 위치하는 경우 모터와 노즐바(20)는 벨트를 통해 연결될 수 있다.The driving unit 40 is provided for rotating the nozzle shaft 10 and the nozzle bar 20. For example, the driving unit 40 may include a plurality of motors connected to the nozzle shaft 10 and the nozzle bar 20, respectively. In this case, the motor for rotating the nozzle bar 20 may be located above or below the nozzle shaft 10. Although not shown, when the motor for rotating the nozzle bar 20 is located above the nozzle shaft 10, the motor can be directly connected to the nozzle bar 20, and a motor for rotating the nozzle bar 20 can be connected to the nozzle shaft 20. [ The motor and the nozzle bar 20 may be connected to each other through a belt.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템의 구성을 설명하기 위한 사시도 및 단면도이다.2 and 3 are a perspective view and a sectional view for explaining the structure of a nozzle driving system for a semiconductor cleaning and drying system according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템은, 제1 모터(110), 노즐 샤프트(120), 제1 노즐바(130), 제2 노즐바(140), 제2 모터(170) 및 노즐(150)을 포함할 수 있다.2 and 3, a nozzle driving system for a semiconductor cleaning and drying system according to an embodiment of the present invention includes a first motor 110, a nozzle shaft 120, a first nozzle bar 130, 2 nozzle bar 140, a second motor 170, and a nozzle 150. [

제1 모터(110)는 바울(2)의 외부에 위치한다. 즉, 바울(2)의 외부에서 바울(2)이 놓인 챔버(1)의 바닥면에 설치될 수 있다. 이때, 제1 모터(110)의 구동축(111)은 챔버(1)의 바닥면에 수직하도록 배치된다. 이러한 제1 모터(110)는 정회전 및 역회전하는 모터일 수 있다.The first motor 110 is located outside the pawl 2. That is, it may be installed on the bottom surface of the chamber 1 where the pawl 2 is placed on the outside of the pawl 2. [ At this time, the drive shaft 111 of the first motor 110 is disposed perpendicular to the bottom surface of the chamber 1. The first motor 110 may be a motor for forward rotation and reverse rotation.

노즐 샤프트(120)는 제1 모터(110)의 구동축(111)과 결합되어 구동축(111)과 평행하도록 소정의 길이로 연장되고, 제1 모터(110)에 의해 회전한다. 노즐 샤프트(120)의 연장된 길이의 끝은 바울(2)의 상단부보다 높게 위치한다. 일 예로, 노즐 샤프트(120)는 하단부에 제1 모터(110)의 구동축(111)과 결합하는 결합부(121)를 형성할 수 있다. 이러한 경우, 결합부(121)는 중공의 원통 형상으로 형성될 수 있고, 중공의 원통의 내면에는 키홈(미도시)이 형성될 수 있다. 제1 모터(110)의 구동축(111)에는 상기 키홈에 결합되는 키(미도시)를 형성하여 상기 결합부(121)와 결합할 수 있다.The nozzle shaft 120 is coupled with the driving shaft 111 of the first motor 110 and extends to a predetermined length so as to be parallel to the driving shaft 111 and is rotated by the first motor 110. The end of the extended length of the nozzle shaft 120 is positioned higher than the upper end of the pawl 2. For example, the nozzle shaft 120 may have a coupling portion 121 coupled to the driving shaft 111 of the first motor 110 at a lower end thereof. In this case, the engaging portion 121 may be formed in a hollow cylindrical shape, and a key groove (not shown) may be formed on the inner surface of the hollow cylindrical shape. A key (not shown) coupled to the key groove may be formed on the driving shaft 111 of the first motor 110 to engage with the engaging part 121.

제1 노즐바(130)는 노즐 샤프트(120)와 수직하도록 배치되고 노즐 샤프트(120)에 회전 가능하게 결합된다. 일 예로, 제1 노즐바(130) 및 노즐 샤프트(120)의 결합을 위해, 노즐 샤프트(120)의 상단부에는 원통 형상이고 내부에 베어링(161)이 구비된 결합보스(160)가 설치될 수 있고, 제1 노즐바(130)는 결합보스(160) 내의 베어링(161)과 결합되어 회전 가능할 수 있다. The first nozzle bar 130 is disposed to be perpendicular to the nozzle shaft 120 and is rotatably coupled to the nozzle shaft 120. For example, in order to engage the first nozzle bar 130 and the nozzle shaft 120, a coupling boss 160 having a cylindrical shape and having a bearing 161 therein may be installed at the upper end of the nozzle shaft 120 And the first nozzle bar 130 may be coupled with the bearing 161 in the coupling boss 160 to be rotatable.

이러한 제1 노즐바(130)에는 유체공급부(미도시)가 연결되어 유체공급부로부터 기판처리유체가 공급될 수 있다. 일 예로, 유체공급부는 가스 또는 약액을 저장하고 있는 유체저장부(미도시) 및 유체저장부로부터 제1 노즐바(130)에 연결된 유체공급호스(미도시)를 포함할 수 있다.A fluid supply unit (not shown) is connected to the first nozzle bar 130 to supply the substrate processing fluid from the fluid supply unit. In one example, the fluid supply portion may include a fluid reservoir (not shown) storing a gas or a chemical liquid, and a fluid supply hose (not shown) connected to the first nozzle bar 130 from the fluid reservoir.

제2 노즐바(140)는 제1 노즐바(130)의 끝단부에서 아래로 절곡되어 소정의 길이로 연장되고, 제1 노즐바(130)와 일체로 형성된다. 이러한 제2 노즐바(140)에는 제1 노즐바(130)로 공급된 기판처리유체가 전달된다.The second nozzle bar 140 is bent downward at an end of the first nozzle bar 130 and extends to a predetermined length, and is formed integrally with the first nozzle bar 130. The substrate processing fluid supplied to the first nozzle bar 130 is transferred to the second nozzle bar 140.

제2 모터(170)는 제1 노즐바(130)와 연결되어 제1 노즐바(130)를 회전시킨다. 일 예로, 제1 노즐바(130) 및 제2 모터(170)의 연결 구조는 앞서 언급한 노즐 샤프트(120)가 제1 모터(110)의 구동축(111)과 연결되는 구성과 동일할 수 있다.The second motor 170 is connected to the first nozzle bar 130 to rotate the first nozzle bar 130. For example, the connection structure of the first nozzle bar 130 and the second motor 170 may be the same as the structure in which the nozzle shaft 120 is connected to the driving shaft 111 of the first motor 110 .

노즐(150)은 제2 노즐바(140)의 끝단부에 결합되어 제2 노즐바(140)로 전달된 기판처리유체를 분사한다. 일 예로, 노즐(150)은 제2 노즐바(140)의 끝단부에 나사결합될 수 있다.The nozzle 150 is coupled to an end of the second nozzle bar 140 to eject the substrate processing fluid delivered to the second nozzle bar 140. For example, the nozzle 150 may be screwed to the end of the second nozzle bar 140.

이하에서는 이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템이 구동되는 과정을 설명한다. 도 4 내지 도 6은 노즐이 바울의 내부로 위치되는 과정을 설명하기 위한 단면도들이다.Hereinafter, a process of driving the nozzle driving system for semiconductor cleaning and drying equipment according to one embodiment of the present invention will be described. FIGS. 4 to 6 are sectional views for explaining the process of positioning the nozzle inside the pawl.

평상시 노즐(150)은 바울(2)의 외부에 위치하여 있다. 이러한 상태에서 바울(2)의 내부에 위치한 기판(W)의 세정을 위해 아래에서 설명되는 순서로 노즐(150)을 바울(2)의 내부로 이동시킨다. Normally, the nozzle 150 is located outside the pawl 2. In this state, the nozzle 150 is moved to the inside of the pawl 2 in the order described below for cleaning the substrate W located inside the pawl 2. [

먼저, 제2 모터(170)가 구동되어 도 4과 같이 제1 노즐바(130)가 회전한다. 예를 들면, 제2 노즐바(140)가 바울(2)과 멀어지도록 제1 노즐바(130)가 90도 회전할 수 있다. 이러한 경우, 노즐 샤프트(120)의 상단부는 바울(2)의 상단부보다 높게 위치하므로 제2 노즐바(140)는 바울(2)보다 높게 위치하며, 챔버(1)의 바닥면과 평행하게 위치한다.First, the second motor 170 is driven to rotate the first nozzle bar 130 as shown in FIG. For example, the first nozzle bar 130 may be rotated by 90 degrees such that the second nozzle bar 140 is away from the bar 2. In this case, since the upper end of the nozzle shaft 120 is located higher than the upper end of the pawl 2, the second nozzle bar 140 is located higher than the pawl 2 and is positioned parallel to the bottom surface of the chamber 1 .

이후, 제1 모터(110)가 구동되어 노즐 샤프트(120)가 회전한다. 예를 들면, 도 5와 같이 제1 노즐바(130) 및 제2 노즐바(140)가 바울(2)의 상부의 가운데에 위치하도록 노즐 샤프트(120)가 90도 내외로 회전할 수 있다.Then, the first motor 110 is driven and the nozzle shaft 120 rotates. For example, as shown in FIG. 5, the nozzle shaft 120 may be rotated about 90 degrees so that the first nozzle bar 130 and the second nozzle bar 140 are positioned at the center of the upper portion of the bar 2.

이어서, 제2 모터(170)가 구동되어 제1 노즐바(130)를 역회전시킨다. 즉, 제2 모터(170)의 구동축(171)은 역회전되어 도 6과 같이 제2 노즐바(140)가 챔버(1)의 바닥면과 수직하게 위치하도록 제1 노즐바(130)가 회전되었던 때의 반대 방향으로 90도 회전할 수 있다. Then, the second motor 170 is driven to rotate the first nozzle bar 130 in the reverse direction. That is, the driving shaft 171 of the second motor 170 is rotated in the reverse direction so that the first nozzle bar 130 rotates so that the second nozzle bar 140 is vertically positioned with respect to the bottom surface of the chamber 1, It can rotate 90 degrees in the opposite direction.

이러한 과정에 의해, 노즐(150)은 바울(2) 내에 위치한 기판(W)의 상부에 위치하며, 유체공급부로부터 제1 노즐바(130)의 내부로 공급된 기판처리유체를 기판(W)의 상면으로 분사한다.The nozzle 150 is positioned above the substrate W positioned in the pawl 2 and the substrate processing fluid supplied from the fluid supply unit to the inside of the first nozzle bar 130 is supplied to the substrate W And sprayed on the upper surface.

노즐(150)을 다시 최초의 위치로 복귀시키는 순서는 이상에서 설명된 노즐(150)의 이동과정의 역순으로 진행될 수 있다.The procedure for returning the nozzle 150 to the initial position may be performed in the reverse order of the movement process of the nozzle 150 described above.

이러한 노즐 구동 시스템의 구동은 제어용 컴퓨터에 미리 프로그래밍되어 제어될 수 있다.The driving of such a nozzle driving system can be pre-programmed and controlled in the control computer.

이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동시스템을 이용하면, 바울(2)의 내측으로 노즐(150)을 이동시키기 위해 노즐(150)을 장착하는 제1 노즐바(130) 및 제1 노즐바(130)와 결합하는 노즐 샤프트(120)를 소정의 각도로 회전시키는 간단한 스윙 동작으로 노즐(150)을 이동시킬 수 있으므로 협소한 공간 내에서도 간단하게 노즐(150)을 이동시킬 수 있고, 컴팩트한 반도체 세정 장비를 제작할 수 있다.The nozzle driving system for a semiconductor cleaning and drying system according to an embodiment of the present invention includes a first nozzle bar 130 for mounting the nozzle 150 to move the nozzle 150 to the inside of the bar 2 Since the nozzle 150 can be moved by a simple swinging operation to rotate the nozzle shaft 120 coupled to the first nozzle bar 130 and the nozzle shaft 120 at a predetermined angle, the nozzle 150 can be easily moved even in a narrow space And compact semiconductor cleaning equipment can be manufactured.

또한, 기판(W)의 세정 및 건조를 위해 챔버(1) 내에 복수로 설치하여 어느 하나의 노즐(150)이 기판(W)의 세정을 위한 유체를 공급한 후 이어서 다른 하나의 노즐(150)이 기판(W)의 건조를 위한 유체를 공급하는, 각각의 노즐(150)을 기판(W)의 상부로 로딩 및 언로딩하는 연속적인 동작을 챔버(1) 내의 협소한 공간 내에서 구현할 수 있다.A plurality of nozzles 150 are provided in the chamber 1 for cleaning and drying the substrate W so that the nozzles 150 supply the fluid for cleaning the substrate W, A continuous operation of loading and unloading each nozzle 150 onto the substrate W, which supplies a fluid for drying the substrate W, can be implemented in a narrow space in the chamber 1 .

이상의 설명에서는 도 2에 도시한 바와 같이 제2 모터(170)가 제1 노즐바(130)에 직접 연결된 것으로 설명하였으나, 도시하지는 않았지만, 제2 모터는 제1 모터가 위치한 챔버의 바닥면에 놓이고, 제1 노즐바의 후단부 및 제2 모터의 구동축 각각에 풀리를 설치하고, 상기 풀리들에 벨트를 연결하여 제1 모터가 구동되면 벨트의 회전에 의해 제1 노즐바가 회전하도록 구성될 수도 있다.In the above description, the second motor 170 is directly connected to the first nozzle bar 130 as shown in FIG. 2. However, the second motor may be placed on the bottom surface of the chamber in which the first motor is located, A pulley may be provided on each of the rear end of the first nozzle bar and the driving shaft of the second motor and the belt may be connected to the pulleys to rotate the first nozzle bar by rotation of the belt when the first motor is driven have.

이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템을 도 7 및 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템과의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템을 설명하기 위한 단면도이고, 도 8은 도 7에 도시된 유체비산방지장치가 펼쳐진 상태를 나타낸 부분 확대 사시도이다.Hereinafter, a nozzle system for a semiconductor cleaning and drying system according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8, focusing on differences from a nozzle system for a semiconductor cleaning and drying system according to an embodiment of the present invention do. FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a nozzle system for a semiconductor cleaning and drying system according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a partially enlarged perspective view showing a state in which the fluid scattering prevention apparatus shown in FIG. 7 is unfolded.

도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템은, 제2 노즐바(140) 상에 설치되어 노즐(150)을 통해 분사되는 기판처리유체가 바울(2)의 외부로 비산되는 것을 방지하는 유체비산방지장치(180)를 더 포함하는 것을 제외하고는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템과 동일하므로 이하에서는 유체비산방지장치(180)를 중심으로 설명하기로 한다.Referring to FIG. 7, a nozzle system for a semiconductor cleaning and drying system according to another embodiment of the present invention includes a nozzle nozzle 140 installed on a second nozzle bar 140, The fluid scattering prevention device 180 is the same as the nozzle system for semiconductor cleaning and drying equipment according to an embodiment of the present invention except that it further includes a fluid scattering prevention device 180 that prevents the fluid scattering prevention device 180 from being scattered to the outside 180) will be mainly described.

도 8을 참조하면, 유체비산방지장치(180)는 제1 원통부(181), 제2 원통부(182), 제1 프레임(183), 제2 프레임(184), 차단막(185) 및 실린더장치(186)를 포함한다.8, the fluid scattering prevention device 180 includes a first cylindrical portion 181, a second cylindrical portion 182, a first frame 183, a second frame 184, a blocking film 185, Device 186.

제1 원통부(181)는 원통 형상이고, 제2 노즐바(140)에 결합되어 제2 노즐바(140)의 일 지점에 고정된다.The first cylindrical portion 181 has a cylindrical shape and is coupled to the second nozzle bar 140 and fixed to one point of the second nozzle bar 140.

제2 원통부(182)는 원통 형상이고, 제2 노즐바(140)에 결합되어 제1 원통부(181)의 위로 배치되며, 제2 노즐바(140)의 축방향을 따라 슬라이딩 된다. 즉, 제1 원통부(181)에 근접한 방향 및 제1 원통부(181)와 멀어지는 방향으로 슬라이딩 이동할 수 있다.The second cylindrical portion 182 is cylindrical and is coupled to the second nozzle bar 140 and disposed above the first cylindrical portion 181 and slides along the axial direction of the second nozzle bar 140. Namely, it can slide in the direction close to the first cylindrical portion 181 and in the direction away from the first cylindrical portion 181. [

제1 프레임(183)은 일단부가 제2 원통부(182)에 회전 가능하게 연결되고, 타단부가 제2 원통부(182)와 멀어지는 방향으로 소정 길이 연장되고, 제2 원통부(182)의 원주 방향으로 다수 배열된다.One end of the first frame 183 is rotatably connected to the second cylindrical portion 182 and the other end of the first frame 183 is extended a predetermined distance in the direction away from the second cylindrical portion 182, Are arranged in the circumferential direction.

제2 프레임(184)은 일단부가 제1 원통부(181)에 회전 가능하게 연결되고, 타단부가 제1 프레임(183)의 일 지점에 회전 가능하게 연결되고, 제1 원통부(181)의 원주 방향으로 다수 배열된다.The second frame 184 has one end rotatably connected to the first cylindrical portion 181 and the other end rotatably connected to one point of the first frame 183, Are arranged in the circumferential direction.

일 예로, 제1 프레임(183) 및 제2 프레임(184)의 회전 가능한 구조는, 제1 원통부(181) 및 제2 원통부(182) 각각은 제1 프레임(183) 및 제2 프레임(184)의 개수에 대응하는 개수의 홈이 원주방향을 따라 형성되고, 상기 각각의 홈에 제1 프레임(183) 및 제2 프레임(184) 각각의 일단부가 힌지 연결되고, 제2 프레임(184)의 타단부는 제1 프레임(183)의 일 지점에 힌지 연결되어 회전 가능하게 구성될 수 있다.For example, the rotatable structure of the first frame 183 and the second frame 184 may be such that the first cylindrical portion 181 and the second cylindrical portion 182 each include a first frame 183 and a second frame 184, 184 are formed along the circumferential direction and one end of each of the first frame 183 and the second frame 184 is hinged to each of the grooves and the second frame 184 is hinged, And the other end of the first frame 183 may be hinged to one point of the first frame 183 to be rotatable.

차단막(185)은 제1 프레임(183)들의 위에서 제1 프레임(183)들을 덮도록 제1 프레임(183)들에 부착된다. 이러한 차단막(185)은 제1 프레임(183)들에 의해 지지된다.The blocking film 185 is attached to the first frames 183 to cover the first frames 183 from above the first frames 183. This blocking film 185 is supported by the first frames 183.

실린더장치(186)는 제2 원통부(182)를 제2 노즐바(140)의 축방향으로 이동시킨다. 이를 위해, 실린더장치(186)는 실린더부(186a) 및 피스톤 로드(186b)를 포함하며, 피스톤 로드(186b)가 제2 원통부(182)에 연결되어 피스톤 로드(186b)의 신장 및 수축에 의해 제2 원통부(182)를 이동시킨다. 이러한 실린더장치(186)는 제2 노즐바(140) 상에 장착된다.The cylinder device 186 moves the second cylindrical portion 182 in the axial direction of the second nozzle bar 140. To this end, the cylinder device 186 includes a cylinder portion 186a and a piston rod 186b, and the piston rod 186b is connected to the second cylindrical portion 182 to rotate the piston rod 186b against the extension and contraction of the piston rod 186b Thereby moving the second cylindrical portion 182. This cylinder device 186 is mounted on the second nozzle bar 140.

이러한 실린더장치(186)의 제어를 위해 제어부(미도시)가 설치될 수 있다. 제어부는 노즐(150)이 바울(2)의 내부로 이동하여 기판(W) 위로 위치한 때에 실린더장치(186)의 피스톤 로드(186b)가 신장되도록 실린더장치(186)를 제어할 수 있다.A controller (not shown) may be provided for controlling the cylinder device 186. The control unit may control the cylinder apparatus 186 such that the piston rod 186b of the cylinder apparatus 186 is extended when the nozzle 150 moves into the interior of the pawl 2 and is positioned above the substrate W. [

한편 유체비산방지장치(180)는 평상시 차단막(185)이 접혀진 상태로 제2 노즐바(140)에 장착되어 있다.On the other hand, the fluid scattering prevention device 180 is attached to the second nozzle bar 140 in a state where the blocking film 185 is normally folded.

이하에서는 이러한 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템은 유체비산방지장치(180)에 의해 노즐(150)에서 약액이 분사되는 경우 약액이 바울(2)의 상부를 향해 비산되는 것을 방지할 수 있다.Hereinafter, in the nozzle system for a semiconductor cleaning and drying system according to another embodiment of the present invention, when the chemical liquid is sprayed from the nozzle 150 by the fluid scattering prevention apparatus 180, the chemical liquid is scattered toward the upper portion of the pawl 2 Can be prevented.

즉, 본 발명의 일 실시예에서 설명한 노즐시스템의 구동 과정을 통해 노즐(150)이 바울(2)의 내부로 진입한 경우, 제어부는 실린더장치(186)의 피스톤 로드(186b)가 신장되도록 한다.That is, when the nozzle 150 enters the inside of the pawl 2 through the driving process of the nozzle system described in the embodiment of the present invention, the control unit causes the piston rod 186b of the cylinder unit 186 to extend .

피스톤 로드(186b)가 신장되면 제2 원통부(182)가 제2 노즐바(140) 상에서 제1 원통부(181)를 향해 슬라이딩 이동하며, 이에 의해 제1 프레임(183)은 제2 노즐바(140)와 멀어지면서 길게 펼쳐지고, 이때 제2 프레임(184)도 제1 프레임(183)에 의해 당겨지면서 제1 프레임(183)과 함께 펼쳐진다.When the piston rod 186b is extended, the second cylindrical portion 182 slides on the second nozzle bar 140 toward the first cylindrical portion 181, whereby the first frame 183 is moved in the second nozzle bar 140, The second frame 184 is also pulled by the first frame 183 and unfolded together with the first frame 183. [

이러한 과정에 의해 도 7과 같이 제1 프레임(183)에 부착되어 있는 차단막(185)이 펼쳐지며, 펼쳐진 차단막(185)은 바울(2)의 개방된 상부의 아래에 위치하게 되고, 펼쳐진 차단막(185)에 의해 노즐(150)에서 분사되는 약액이 바울(2)의 상부 및 바울(2)의 외부로 비산되는 것이 방지될 수 있다.7, the blocking film 185 attached to the first frame 183 is unfolded and the unfolded blocking film 185 is positioned below the open top of the pawl 2 and the unfolded blocking film 185 Can be prevented from being scattered to the upper portion of the pawl 2 and to the outside of the pawl 2. [

따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐시스템은 노즐(150)로부터 분사되는 약액이 바울(2)의 상부로 비산되어 바울(2)의 내면 및 챔버(1)의 내면을 오염시키는 문제를 방지할 수 있다.Accordingly, the nozzle system for semiconductor cleaning and drying equipment according to another embodiment of the present invention is characterized in that the chemical liquid sprayed from the nozzle 150 is scattered to the upper portion of the pawl 2 and the inner surface of the pawl 2 and the inner surface of the chamber 1 Can be prevented.

한편, 본 발명의 실시예들의 반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템의 노즐 샤프트(120), 제1 노즐바(130) 및 제2 노즐바(140)는 아연도 강판 또는 알루미늄 소재 등의 재질로 구성될 수 있으며, 이러한 노즐 샤프트(120), 제1 노즐바(130) 및 제2 노즐바(140)의 외면이 먼지, 오염물질 등으로부터 표면의 부식현상을 방지시키기 위해 금속재의 표면 도포재료로 도포층이 형성될 수 있다. 이 도포층은 알루미나 분말 60중량%, NH4Cl 30중량%, 아연 2.5중량%, 구리 2.5중량%, 마그네슘 2.5중량%, 티타늄 2.5중량%로 구성된다.Meanwhile, the nozzle shaft 120, the first nozzle bar 130, and the second nozzle bar 140 of the nozzle driving system for semiconductor cleaning and drying equipment according to the embodiments of the present invention may be made of a material such as a zinc- The outer surface of the nozzle shaft 120, the first nozzle bar 130, and the second nozzle bar 140 may be made of a surface coating material of a metal material in order to prevent surface corrosion from dust, A coating layer may be formed. The coating layer is composed of 60 wt% of alumina powder, 30 wt% of NH 4 Cl, 2.5 wt% of zinc, 2.5 wt% of copper, 2.5 wt% of magnesium and 2.5 wt% of titanium.

상기 알루미나 분말은 고온으로 가열될 때 소결, 엉킴, 융착 방지 등의 목적으로 첨가된다. 이러한 알루미나 분말이 60중량% 미만으로 첨가되면, 소결, 엉킴, 융착 방지의 효과가 떨어지며, 알루미나 분말이 60중량%를 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에, 재료비가 크게 증가된다. 따라서, 알루미나 분말은 60중량%를 첨가하는 것이 바람직하다.The alumina powder is added for the purpose of sintering, entangling, fusion prevention, etc. when heated to a high temperature. When such an alumina powder is added in an amount of less than 60% by weight, the effect of sintering, entangling and fusion prevention is deteriorated. When the alumina powder exceeds 60% by weight, the above effect is not further improved, but the material cost is greatly increased. Therefore, it is preferable to add 60 wt% of the alumina powder.

상기 NH4Cl은 증기 상태의 알루미늄, 아연, 주식, 구리 및 마그네슘과 반응하여 확산 및 침투를 활성화시키는 역할을 한다. 이러한 NH4Cl은 30중량% 첨가된다. NH4Cl이 30중량% 미만으로 첨가되면, 증기 상태의 알루미늄, 아연, 주식 구리 및 마그네슘과 반응이 제대로 이루어지지 않으며 이에 따라 확산 및 침투를 활성화시키지 못한다. 반면에, NH4Cl이 30중량% 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에, 재료비가 크게 증가된다. 따라서 NH4Cl은 30중량%를 첨가하는 것이 바람직하다.The NH 4 Cl reacts with steam, aluminum, zinc, copper, and magnesium to activate diffusion and penetration. This NH 4 Cl is added in an amount of 30% by weight. When NH 4 Cl is added in an amount of less than 30% by weight, the reaction with aluminum, zinc, copper and magnesium in a vapor state is not properly performed, thereby failing to activate diffusion and penetration. On the other hand, if NH 4 Cl exceeds 30 wt%, the above-mentioned effect is not further improved, but the material cost is greatly increased. Therefore, it is preferable to add 30 wt% of NH 4 Cl.

상기 아연은 물에 닿는 금속의 부식을 방지하는 것과 전기 방식용으로 사용되도록 배합된다. 이러한 아연은 2.5중량%가 혼합된다. 아연의 혼합비율이 2.5중량%를 초과하면 물에 닿는 금속의 부식을 제대로 방지시키지 못하게 된다. 반면에 아연의 혼합비율이 2.5중량%를 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에 재료비가 크게 증가된다. 따라서 아연은 2.5중량% 혼합되는 것이 바람직하다.The zinc is compounded to prevent corrosion of the metal that is in contact with water and to be used for electrical applications. 2.5% by weight of this zinc is mixed. If the mixing ratio of zinc exceeds 2.5% by weight, corrosion of the metal which is in contact with water can not be properly prevented. On the other hand, when the mixing ratio of zinc exceeds 2.5% by weight, the above-mentioned effect is not further improved, but the material cost is greatly increased. Therefore, it is preferable that zinc is mixed at 2.5% by weight.

상기 구리는 상기 알루미늄과 조합하여 금속의 경도 및 인장강도를 높이게 된다. 이러한 구리는 2.5중량% 혼합된다. 구리의 혼합 비율이 2.5중량% 미만이면, 알루미늄과 조합될시 금속의 경도 및 인장강도를 제대로 높이지 못하게 된다. 반면에 구리의 혼합 비율이 2.5중량%를 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에 재료비가 크게 증가된다. 따라서 구리는 2.5중량% 혼합되는 것이 바람직하다.The copper is combined with the aluminum to increase the hardness and tensile strength of the metal. This copper is mixed at 2.5% by weight. If the mixing ratio of copper is less than 2.5 wt%, the hardness and tensile strength of the metal can not be properly increased when combined with aluminum. On the other hand, when the mixing ratio of copper exceeds 2.5% by weight, the above-mentioned effect is not further improved, but the material cost is greatly increased. Therefore, copper is preferably mixed at 2.5% by weight.

상기 마그네슘의 순수한 금속은 구조강도가 낮으므로 상기 아연 등과 함께 조합하여 금속의 경도, 인장강도 및 염수에 대한 내식성을 높이는 용도로 배합된다. 이러한 마그네슘은 2.5중량% 혼합된다. 마그네슘의 혼합 비율이 2.5중량% 미만이면, 아연 등과 함께 조합될 시 금속의 경도, 인장강도 및 염수에 대한 내식성이 크게 개선되지 않는다. 반면에 마그네슘의 혼합 비율이 2.5중량%를 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에 재료비가 크게 증가된다. 따라서 마그네슘는 2.5중량% 혼합되는 것이 바람직하다.Since the pure metal of magnesium has a low structural strength, it is used in combination with the zinc and the like to improve the hardness, tensile strength and corrosion resistance of the metal. This magnesium is mixed at 2.5% by weight. When the mixing ratio of magnesium is less than 2.5% by weight, the hardness, the tensile strength and the corrosion resistance to the salt water of the metal are not greatly improved when they are combined with zinc and the like. On the other hand, when the mixing ratio of magnesium exceeds 2.5% by weight, the above-mentioned effect is not further improved, but the material cost is greatly increased. Therefore, it is preferable that magnesium is mixed with 2.5% by weight.

상기 티타늄은 가볍고 단단하고 내부식성이 있는 전이 금속 원소로 은백색의 금속광택이 있는바, 뛰어난 내식성과 비중이 낮아 강철 대비 무게는 60% 밖에 되지 않으므로 금속모재에 도포되는 도포재의 중량은 줄이되 광택을 높이고 뛰어난 방수성 및 내식성을 갖도록 배합된다.The titanium is a lightweight, hard and corrosion resistant transition metal element with a silver-white metallic luster. Because it has excellent corrosion resistance and specific gravity, it weighs only 60% of steel. Therefore, the weight of the coating material applied to the metal base material is reduced, Excellent water resistance and corrosion resistance.

이러한 티타늄은 2.5중량% 혼합된다. 티타늄의 혼합 비율이 2.5중량% 미만이면, 금속모재에 도포되는 도포재의 중량이 그다지 경감되지 않고, 광택성, 방수성, 내식성이 크게 개선되지 않는다. 반면에, 티타늄의 혼합 비율이 2.5중량%를 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에 재료비는 크게 증가된다. 따라서 티타늄은 2.5중량% 혼합되는 것이 바람직하다.This titanium is mixed at 2.5% by weight. If the mixing ratio of titanium is less than 2.5% by weight, the weight of the coating material applied to the metal base material is not so reduced, and glossiness, water resistance and corrosion resistance are not greatly improved. On the other hand, when the mixing ratio of titanium exceeds 2.5% by weight, the above effect is not further improved, but the material cost is greatly increased. Therefore, titanium is preferably mixed at 2.5% by weight.

본 발명에 따른 노즐 샤프트(120), 제1 노즐바(130) 및 제2 노즐바(140)의 외면 도포방법은 다음과 같다.The outer surface coating method of the nozzle shaft 120, the first nozzle bar 130 and the second nozzle bar 140 according to the present invention is as follows.

도포층이 형성되어야 할 모재와 상기 구성으로 배합된 도포재료를 폐쇄로 내에 함께 투입시키고 폐쇄로 내부에는 모재의 산화를 방지하기 위하여 2 L/min의 비율로 아르곤 가스를 주입시킨다, 아르곤 가스가 주입된 상태에서 700℃ 내지 800℃의 온도로 4 ~ 5 시간 동안 유지한다.The base material in which the coating layer is to be formed and the coating material blended in the above composition are put in the closed furnace together with the argon gas being injected at a rate of 2 L / min in order to prevent oxidation of the base material inside the furnace. And maintained at a temperature of 700 ° C to 800 ° C for 4 to 5 hours.

상기 단계를 수행하여 증기 상태의 알루미나 분말, 아연, 구리, 마그네슘 및 티타늄이 폐쇄로 내부에 형성되고, 알루미늄 분말, 알루미나 분말, 아연, 구리, 마그네슘 및 티타늄 배합물은 모재의 표면에 침투하여 도포층이 형성된다.Aluminum powder, alumina powder, zinc, copper, magnesium, and titanium compounds penetrate into the surface of the base material to form a coated layer, .

도포층이 형성된 후 폐쇄로 내부의 온도를 도포 물질/기재 복합물이 800℃~900℃로 하여 30 ~ 40시간을 유지하면 모재의 표면에는 부식 방지용 도포층이 형성되어 모재의 표면과 외기를 격리시키게 된다. 이때 상기 공정을 수행함에 있어 급격한 온도 변화는 모재 표면의 도포층이 박리될 수 있으므로 60℃/hr의 비율로 온도 변화를 시킨다.After the coating layer is formed, the inside temperature of the closed material is maintained at a temperature of 800 ° C. to 900 ° C. for 30 to 40 hours so that a coating layer for corrosion prevention is formed on the surface of the base material to isolate the surface of the base material from the outside air do. At this time, the abrupt temperature change in the above-mentioned process may cause the coating layer on the surface of the base material to peel off, so that the temperature is changed at a rate of 60 ° C / hr.

본 발명의 도포층은 다음과 같은 장점이 있다. The coating layer of the present invention has the following advantages.

본 발명의 도포층은 매우 넓은 범위의 용도를 가지므로 커튼 도포, 스프레이 페인팅, 딥 도포, 플루딩(flooding) 등과 같은 여러 가지 방법에 의해 도포될 수 있다.Since the application layer of the present invention has a very wide range of applications, it can be applied by various methods such as curtain coating, spray painting, dip coating, flooding and the like.

본 발명의 도포층은 부식 및/또는 스케일에 대한 원칙적인 보호 기능에 추가하여 도포가 매우 얇은 층두께로 도포될 수 있어 전기전도성을 개선하는 것은 물론 물질 및 비용 절감이 가능하다. 열간 성형 과정 이후에도 높은 전기전도성이 바람직하다면 얇은 전기전도성 프라이머가 도포층의 상부에 도포될 수 있다.In addition to the principle protection against corrosion and / or scale, the application layer of the present invention can be applied with a very thin layer thickness in addition to improving electrical conductivity, as well as material and cost saving. A thin electrically conductive primer may be applied to the top of the application layer if high electrical conductivity is desired after the hot forming process.

성형 과정 또는 열간 성형 과정 이후, 도포 물질은 기재의 표면상에 유지될 수 있으며, 예를 들어, 긁힘 내성을 증가시키며, 부식 보호를 개선하고, 미적 외관을 충족시키며, 변색을 방지하고, 전기전도성을 변화시키며 종래 다운스트림 공정(예, 침린 및 전기이동 딥 도포)용 프라이머로 제공될 수 있다.After the molding process or the hot forming process, the coating material can be retained on the surface of the substrate, for example, to increase scratch resistance, to improve corrosion protection, to meet aesthetic appearance, to prevent discoloration, And may be provided as a primer for conventional downstream processes (e.g., impregnated and electro-mobile dip application).

따라서, 본 발명은 노즐 샤프트(120), 제1 노즐바(130) 및 제2 노즐바(140)가 아연도 강판 또는 알루미늄 소재 등의 재질로 구성되고, 이와 같은 재질의 노즐 샤프트(120), 제1 노즐바(130) 및 제2 노즐바(140)의 내면에 알루미나 분말, NH4Cl, 아연, 구리, 마그네슘, 티타늄으로 이루어진 도포층이 도포되므로 먼지, 오염물질 등으로부터 노즐 샤프트(120), 제1 노즐바(130) 및 제2 노즐바(140)의 외면의 부식현상을 방지시킬 수 있다.Accordingly, in the present invention, the nozzle shaft 120, the first nozzle bar 130, and the second nozzle bar 140 are made of a material such as a zinc-coated steel plate or an aluminum material, and the nozzle shaft 120, Since a coating layer composed of alumina powder, NH4Cl, zinc, copper, magnesium and titanium is applied to the inner surfaces of the first nozzle bar 130 and the second nozzle bar 140, the nozzle shaft 120, The first nozzle bar 130 and the second nozzle bar 140 can be prevented from being corroded.

한편, 본 발명의 실시예들의 제1 모터(110) 및 제2 모터(170)의 케이스 외면에는 온도에 따라 색이 변화하는 변색부가 도포될 수 있다. 이 변색부는, 소정의 온도 이상이 되었을 때 색이 변하는 두 가지 이상의 온도변색물질이 제1 모터(110) 및 제2 모터(170)의 케이스 표면에 도포되어 온도 변화에 따라 두 개 이상의 구간으로 분리됨으로써 단계적인 온도 변화를 판단할 수 있고, 변색부 위에는 변색부가 손상되는 것을 방지하기 위한 보호막층이 도포된다. Meanwhile, on the outer surface of the case of the first motor 110 and the second motor 170 of the embodiments of the present invention, a discoloring portion changing in color depending on the temperature can be applied. The discoloring portion is coated with two or more temperature-coloring materials whose color changes when the temperature is equal to or higher than a predetermined temperature is applied to the case surfaces of the first motor 110 and the second motor 170 and separated into two or more sections Whereby a step change in temperature can be judged, and a protective film layer is applied on the discolored portion to prevent the discolored portion from being damaged.

여기서, 변색부는, 각각 40℃ 이상 및 60℃ 이상의 변색온도를 갖는 온도변색물질을 도포하여 형성될 수 있다. 변색부는 제1 모터(110) 및 제2 모터(170)의 케이스 온도에 따라 색이 변화하여 제1 모터(110) 및 제2 모터(170)의 케이스의 온도 변화를 감지하기 위한 것이다. Here, the discoloring portion may be formed by applying a temperature discoloring material having a discoloration temperature of not less than 40 DEG C and not less than 60 DEG C, respectively. The discoloring unit is for sensing the temperature change of the case of the first motor 110 and the second motor 170 by changing the color according to the case temperatures of the first motor 110 and the second motor 170.

이러한 변색부는 소정의 온도 이상이 되었을 때 색깔이 변하는 온도변색물질이 제1 모터(110) 및 제2 모터(170)의 케이스 표면에 도포됨으로써 형성될 수 있다. 또한, 온도변색물질은 일반적으로 1~10㎛의 마이크로캡슐 구조로 구성되어 있고, 마이크로캡슐 내에 전자 공여체와 전자 수용체의 온도에 따른 결합 및 분리현상으로 인해 유색 및 투명색을 나타내도록 할 수 있다. The discoloring unit may be formed by coating a surface of the case of the first motor 110 and the second motor 170 with a coloring material whose color changes when the temperature of the discoloring unit becomes a predetermined temperature or more. In addition, the temperature discoloring substance is generally composed of a microcapsule structure having a size of 1 to 10 탆, and the microcapsules can exhibit a colored and transparent color due to the bonding and separation phenomenon depending on the temperature of the electron donor and the electron acceptor.

또한, 온도변색물질은 색의 변화가 빠르고, 40℃, 60℃, 70℃, 80℃, 등의 다양한 변색온도를 가질 수 있으며, 이러한 변색온도는 여러 방법으로 쉽게 조정될 수 있다. 이러한 온도변색물질은 유기화합물의 분자 재배열, 원자단의 공간 재배치 등의 원리에 의한 다양한 종류의 온도변색물질이 이용될 수 있다. In addition, the temperature-changing materials can change color quickly and have various coloring temperatures such as 40 ° C, 60 ° C, 70 ° C, and 80 ° C, and such coloring temperature can be easily adjusted by various methods. Such a temperature-coloring material may be various kinds of temperature-coloring materials based on principles such as molecular rearrangement of an organic compound and spatial rearrangement of an atomic group.

이를 위해, 변색부는 서로 다른 변색 온도를 가지는 두 가지 이상의 온도변색물질을 도포하여 온도 변화에 따라 두 개 이상의 구간으로 분리되도록 형성되는 것이 바람직하다. 이 온도변색층은 상대적으로 저온의 변색온도를 갖는 온도변색물질과 상대적으로 고온의 변색온도를 갖는 온도변색물질을 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 40℃이상 및 60℃이상의 변색온도를 갖는 온도변색물질을 사용하여 변색부를 형성할 수 있다. For this purpose, it is preferable that the discoloring unit is formed so as to be divided into two or more sections according to the temperature change by applying two or more temperature-coloring materials having different discoloration temperatures. The temperature-coloring layer preferably uses a temperature-coloring material having a relatively low temperature of the discoloration temperature and a temperature-discoloring material having a relatively high discoloration temperature, more preferably a discoloration temperature of not lower than 40 ° C and not lower than 60 ° C A color change portion can be formed by using a temperature coloring material.

이를 통해, 제1 모터(110) 및 제2 모터(170)의 온도 변화를 단계적으로 확인할 수 있어 도료의 온도변화를 감지할 수 있으며, 이에 따라 제1 모터(110) 및 제2 모터(170)의 과열에 의한 손상을 미연에 방지시킬 수 있다. Accordingly, the temperature change of the first motor 110 and the second motor 170 can be checked step by step, so that the temperature change of the paint can be detected. Accordingly, the first motor 110 and the second motor 170, It is possible to prevent damage due to overheating of the battery.

또한, 보호막층은 변색부 위에 도포되어서 외부의 충격으로 인해 변색부가 손상되는 것을 방지하며, 변색부의 변색 여부를 쉽게 확인함과 동시에 온도변색물질이 열에 약한 것을 고려하여 단열 효과를 가지는 투명 도포재를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the protective film layer is coated on the discolored portion, thereby preventing the discolored portion from being damaged due to external impact, easily recognizing discoloration of the discolored portion, and considering the weakness of the temperature discolored material, Is preferably used.

110 : 제1 모터 120 : 노즐 샤프트
130 : 제1 노즐바 140 : 제2 노즐바
150 : 노즐 160 : 결합보스
170 : 제2 모터 180 : 유체비산방지장치110: first motor 120: nozzle shaft
130: first nozzle bar 140: second nozzle bar
150: nozzle 160: engaging boss
170: second motor 180: fluid scattering prevention device

Claims (6)

회전하는 노즐 샤프트(10);
회전하는 노즐바(20); 및
상기 노즐바(20)의 말단에 결합된 노즐(30)을 포함하고,
상기 노즐(30)이 바울(bowl)과 충돌하지 않도록 회전하도록 구성되며;
노즐 구동 시스템은 상기 바울과 충돌하지 않도록 순차적으로 상기 노즐 샤프트(10) 및 노즐바(20)가 회전하도록 구성된 것을 특징으로 하는,
반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템.A rotating nozzle shaft (10);
A rotating nozzle bar 20; And
And a nozzle (30) coupled to an end of the nozzle bar (20)
The nozzle (30) is configured to rotate so as not to collide with a bowl;
Characterized in that the nozzle drive system is configured to sequentially rotate the nozzle shaft (10) and the nozzle bar (20) so as not to collide with the pawl.
Nozzle drive system for semiconductor cleaning and drying equipment. 제1항에 있어서,
상기 노즐바(20)의 회전을 위해 상기 노즐 샤프트(10)의 하부 또는 상부에 위치하는 구동부(40)를 포함하는 것을 특징으로 하는,
반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템.The method according to claim 1,
And a driving unit (40) positioned below or above the nozzle shaft (10) for rotating the nozzle bar (20).
Nozzle drive system for semiconductor cleaning and drying equipment. 삭제delete 챔버(1) 내에 설치되고, 상면부가 개방되고, 내부에 기판을 수용하는 바울(bowl)(2)의 내부로 이동하여 상기 기판을 처리하기 위한 기판처리유체를 분사하는 노즐 구동 시스템으로서,
상기 바울(2)의 외부에 위치하고, 상기 바울(2)이 놓인 상기 챔버(1)의 바닥면에 설치되고, 구동축(111)이 상기 바닥면에 수직하도록 배치된 제1 모터(110);
상기 제1 모터(110)의 구동축(111)에 결합되어 상기 제1 모터(110)의 구동에 의해 회전하는 노즐 샤프트(120);
상기 노즐 샤프트(120)에 회전 가능하게 결합되어 끝단부가 상기 노즐 샤프트(120)와 멀어지는 방향으로 연장된 제1 노즐바(130);
상기 제1 노즐바(130)의 끝단부에서 아래로 절곡되어 소정의 길이로 연장된 제2 노즐바(140);
상기 제1 노즐바(130)와 연결되어 상기 제1 노즐바(130)를 회전시키는 제2 모터(170); 및
상기 제2 노즐바(140)의 끝단부에 결합되어 상기 기판처리유체를 분사하는 노즐(150)을 포함하는 것을 특징으로 하는,
반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템.1. A nozzle drive system installed in a chamber (1) for opening a top surface and moving into a bowl (2) containing a substrate therein for spraying a substrate processing fluid for processing the substrate,
A first motor 110 located outside the pawl 2 and mounted on a bottom surface of the chamber 1 on which the pawl 2 is placed and the driving shaft 111 being arranged perpendicular to the bottom surface;
A nozzle shaft (120) coupled to a drive shaft (111) of the first motor (110) and rotated by driving the first motor (110);
A first nozzle bar 130 rotatably coupled to the nozzle shaft 120 and having an end extending in a direction away from the nozzle shaft 120;
A second nozzle bar 140 bent downward at an end of the first nozzle bar 130 and extending to a predetermined length;
A second motor 170 coupled to the first nozzle bar 130 to rotate the first nozzle bar 130; And
And a nozzle (150) coupled to an end of the second nozzle bar (140) and injecting the substrate processing fluid.
Nozzle drive system for semiconductor cleaning and drying equipment. 제4항에 있어서,
상기 제2 노즐바(140) 상에 설치되어 상기 노즐(150)을 통해 분사되는 기판처리유체가 상기 바울(2)의 외부로 비산되는 것을 방지하는 유체비산방지장치(180)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템.5. The method of claim 4,
And a fluid scattering prevention device 180 installed on the second nozzle bar 140 to prevent the substrate processing fluid sprayed through the nozzle 150 from being scattered to the outside of the pawl 2 Features,
Nozzle drive system for semiconductor cleaning and drying equipment. 제5항에 있어서,
상기 유체비산방지장치(180)는,
상기 제2 노즐바(140)에 결합되어 상기 제2 노즐바(140)의 일 지점에 고정된 원통 형상의 제1 원통부(181);
상기 제2 노즐바(140)의 축방향을 따라 슬라이딩 가능하도록 상기 제2 노즐바(140)에 결합되고, 상기 제1 원통부(181)의 위로 배치되어 있는 원통 형상의 제2 원통부(182);
일단부가 상기 제2 원통부(182)에 회전 가능하게 연결되고, 타단부가 상기 제2 원통부(182)와 멀어지는 방향으로 소정 길이 연장되고, 상기 제2 원통부(182)의 원주 방향으로 다수 배열된 제1 프레임(183);
일단부가 상기 제1 원통부(181)에 회전 가능하게 연결되고, 타단부가 상기 제1 프레임(183)의 일 지점에 회전 가능하게 연결되고, 상기 제1 원통부(181)의 원주 방향으로 다수 배열된 제2 프레임(184);
상기 제1 프레임(183)들의 위에서 상기 제1 프레임(183)들을 덮도록 상기 제1 프레임(183)들에 부착된 차단막(185); 및
상기 제2 노즐바(140) 상에 장착되고, 피스톤 로드(186b)가 상기 제2 원통부(182)에 연결되어 상기 제2 원통부(182)를 상기 제2 노즐바(140)의 축방향을 따라 슬라이딩 이동시키는 실린더장치(186)를 포함하는 것을 특징으로 하는,
반도체 세정 및 건조 설비용 노즐 구동 시스템.6. The method of claim 5,
The fluid scattering prevention device 180 includes:
A first cylindrical portion 181 of a cylindrical shape coupled to the second nozzle bar 140 and fixed to one point of the second nozzle bar 140;
A second cylindrical portion 182 coupled to the second nozzle bar 140 so as to be slidable along the axial direction of the second nozzle bar 140 and disposed above the first cylindrical portion 181, );
One end of the second cylindrical portion 182 is rotatably connected to the second cylindrical portion 182 and the other end portion of the second cylindrical portion 182 is extended in a direction away from the second cylindrical portion 182, An arrayed first frame 183;
One end of which is rotatably connected to the first cylindrical portion 181 and the other end of which is rotatably connected to one point of the first frame 183, An arrayed second frame 184;
A blocking film (185) attached to the first frames (183) to cover the first frames (183) above the first frames (183); And
And a piston rod 186b is connected to the second cylindrical portion 182 so that the second cylindrical portion 182 is connected to the second nozzle bar 140 in the axial direction of the second nozzle bar 140 And a cylinder device (186) slidably moving along the first direction.
Nozzle drive system for semiconductor cleaning and drying equipment.
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