KR101670351B1 - 마스크 블랭크의 제조 방법 및 마스크 블랭크 - Google Patents

마스크 블랭크의 제조 방법 및 마스크 블랭크 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막을 성막하는 공정을 포함하는 마스크 블랭크의 제조 방법으로서, 금속막을 성막하는 공정은 챔버 내에 기판과 하나 이상의 금속을 포함하는 스퍼터링용 타겟을 배치하여 스퍼터링법에 의해 기판 상에 금속막을 성막하는 공정이고, 금속막을 성막할 때, 기판의 측면에 금속막이 성막되지 않도록 기판의 측면에 인접하는 가이드를 설치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따라 마스크 블랭크를 제조하면 기판의 측면에 금속막이 성막되지 않으면서, 기판의 주 표면 전체에 금속막이 성막되어 종래보다 넓은 패턴 형성 영역을 얻을 수 있다.

Description

마스크 블랭크의 제조 방법 및 마스크 블랭크{METHOD FOR MANUFACTURING MASK BLANK AND MASK BLANK}
본 발명은 마스크 블랭크의 제조 방법 및 마스크 블랭크에 관한 것으로서, 특히 반도체 디바이스 제조용 포토마스크로 제조되는 마스크 블랭크의 제조 방법 및 마스크 블랭크에 관한 것이다.
반도체 디바이스를 제조하기 위한 리소그래피 공정에서 사용되는 포토마스크는 마스크 블랭크로부터 차광막 등이 패터닝되어 제조된다.
마스크 블랭크는 사각형의 기판 위에 금속을 포함하는 차광막, 반투광막, 위상 시프트막 등이 형성되고, 그 위에 레지스트막이 균일하게 코팅된 것이다. 마스크 블랭크에 사용되는 기판은 금속막이 성막되는 주 표면과 그 이면과 측면으로 이루어지고, 주 표면과 측면, 이면과 측면을 경사 단면으로 절단한 모따기면이 더 형성될 수 있다.
주로 차광막 등의 금속막은 1종 이상의 금속을 포함하여 이루어진 타겟을 이용한 스퍼터링법에 의해 성막된다. 스퍼터링 챔버 내에 기판과 타겟을 배치하고, 기판과 타겟에 전압을 인가하면, 금속 원자가 타겟으로부터 떨어져 나와 기판의 주 표면 상에 증착되고, 일부 금속 원자는 기판의 측면으로 돌아 들어가 기판의 측면에 증착된다.
기판의 측면에 금속막이 성막된 마스크 블랭크는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫 째, 마스크 블랭크 또는 포토마스크를 제조하기 위한 장비 중에서, 기판의 측면 반사율을 측정함으로써 장비에 장착되는 기판의 유무를 감지하는 장비가 있다. 만일, 기판의 측면에 금속막이 성막되어 있으면, 반사율에 차이가 발생하여 기판의 유무를 감지하는데 오류가 발생할 수 있다.
둘 째, 기판의 측면에 성막된 금속막은 기판을 운반하는 중에 충격에 의해 떨어져 나와 파티클로 작용할 수 있다. 이러한 파티클은 마스크 블랭크 표면에 달라 붙어 마스크 블랭크의 품질을 떨어뜨리게 된다.
종래, 기판의 측면에 금속막이 성막되지 않도록 하는 방법으로서 차폐판을 이용하는 경우가 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 스퍼터링 챔버 내의 기판 홀더(22)에 기판(11)을 배치하고 차폐판(21)으로 기판(11)의 주표면 테두리(단면으로부터 대략 2㎜)를 차폐하여 스퍼터링을 행하면, 기판(11)의 주 표면의 테두리 부분과 기판(11)의 측면에는 금속막(12)이 성막되지 않고, 기판(11)의 주 표면에만 금속막(12)이 성막된다.
이와 같이 종래의 방법에 따라 제조된 마스크 블랭크는 주 표면의 테두리 부분에는 금속막이 성막되지 않아 패턴을 형성할 수 없기 때문에, 패턴 형성이 가능한 영역이 감소된다. 또한 테두리 부분의 금속막(12) 끝 부분은 차폐판(21)에 의한 쉐도우 효과(shadow effect)로 인하여 막 두께가 얇아지는 문제점이 발생한다. 또한, 기판(11)을 챔버 내의 기판 홀더(22)에 탈착할 때, 차폐판(21)을 구동하기 위한 장치가 필요하기 때문에 스퍼터링 장치의 구성이 복잡해지고, 차폐판(21)을 구동하는 과정에서 파티클이 발생하여 고품질의 마스크 블랭크(10)를 얻는데 어려움이 있다.
패턴이 미세화되어 가고 좁은 영역에 많은 패턴을 형성하기 위하여, 패턴을 형성하는 영역은 기판의 테두리 영역에까지 확대되어 간다. 그래서 기판의 주 표면 전체 영역에 금속막이 균일하게 형성되어 있어야 하지만, 도 1에 도시된 종래와 같은 방법을 사용할 경우에는 패턴 형성 영역이 좁아 질 수 밖에 없다.
따라서, 본 발명자들은 기판의 측면에 금속막이 성막되지 않도록 하면서도, 기판의 주 표면 전체 영역에 금속막이 균일하게 성막되도록 하는 방법을 예의 연구하여, 본 발명을 얻게 되었다.
본 발명은 기판의 측면에 금속막이 성막되지 않으면서도, 기판의 주표면 전체 영역에 금속막이 균일하게 성막되도록 하여 패턴 형성이 가능한 영역을 기판의 주표면 전체 영역으로 확대시킬 수 있는 마스크 블랭크의 제조 방법 및 그 마스크 블랭크를 제공하는데 목적이 있다.
또한, 본 발명의 목적은 기판의 주표면 테두리의 금속막이 얇아지지 않고 균일한 막두께로 성막되는 마스크 블랭크를 제공하는데 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 다음과 같은 구성을 갖는다.
[구성 1] 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막을 성막하는 공정을 포함하는 마스크 블랭크의 제조 방법으로서, 상기 금속막을 성막하는 공정은 챔버 내에 상기 기판과 하나 이상의 금속을 포함하는 스퍼터링용 타겟을 배치하여 스퍼터링법에 의해 상기 기판 상에 상기 금속막을 성막하는 공정이고, 상기 금속막을 성막할 때, 상기 기판의 측면에 상기 금속막이 성막되지 않도록 상기 기판의 측면에 인접하는 가이드를 설치하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
[구성 2] 구성 1에 있어서, 상기 기판은 주 표면이 위를 향하도록 기판 홀더에 장착되고, 상기 가이드는 상기 기판 홀더에 설치되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
[구성 3] 구성 1에 있어서, 상기 가이드는 상기 기판의 측면을 접촉하지 않고, 상기 기판의 측면과 1㎜ 이하의 간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
[구성 4] 구성 1에 있어서, 상기 가이드는 상기 기판의 주 표면에 인접한 모따기면과 측면이 만나는 지점보다 높은 영역을 갖고, 상기 영역의 상기 기판에 인접한 면이 위로 갈수록 바깥쪽으로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
[구성 5] 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막을 성막하는 공정을 포함하는 마스크 블랭크의 제조 방법으로서, 상기 금속막을 성막하는 공정은 챔버 내에 상기 기판과 하나 이상의 금속을 포함하는 스퍼터링용 타겟을 배치하여 스퍼터링법에 의해 상기 기판 상에 상기 금속막을 성막하는 공정이고, 상기 금속막을 성막할 때, 상기 기판의 측면에 상기 금속막이 성막되지 않도록 상기 기판의 주 표면보다 높은 위치에서 상기 기판을 가리지 않는 위치에 차폐판을 설치하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
[구성 6] 구성 5에 있어서, 상기 기판은 주 표면이 위를 향하도록 기판 홀더에 장착되고, 상기 차폐판은 상기 기판 홀더에 설치되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
[구성 7] 구성 5에 있어서, 상기 차폐판은 상기 기판의 측면과 1㎜ 이하의 간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
[구성 8] 구성 1 또는 7 중 어느 한 구성에 있어서, 상기 금속막을 성막하는 공정은, 상기 기판과 타겟에 DC 전압을 인가하고, 상기 기판과 상기 타겟 중 적어도 어느 하나를 회전시키면서 상기 금속막을 성막하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
[구성 9] 제 1항 또는 제7항 중 어느 한 구성에 있어서, 상기 금속막을 성막하는 공정은, 1종 이상의 금속을 포함하는 타겟을 이용하고, O, N, C 중 어느 하나 이상을 포함하는 반응성 가스를 이용하여, 상기 금속막을 성막하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
[구성 10] 투명기판 상에 1층 이상의 금속막을 포함하는 블랭크 마스크에 있어서, 상기 금속막은 판의 주 표면 전체 영역에 형성되어 있으며, 상기 기판의 측면에 형성되어 있지 않는 것을 특징으로 마스크 블랭크.
[구성 11] 구성 10에 있어서, 상기 기판의 주표면의 크기는 152㎜×152㎜ 인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
[구성 12] 구성 10에 있어서, 상기 금속막 위에 레지스트막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
본 발명에 따른 마스크 블랭크의 제조 방법은 기판의 측면에 금속막이 성막되지 않도록 함으로써, 기판의 측면에 성막된 금속막이 떨어져 나와 파티클로 발생할 염려가 없다.
또한, 본 발명에 따른 마스크 블랭크의 제조 방법은 기판의 측면에 금속막이 성막되지 않도록 하면서도, 기판의 주 표면 전체 영역에 금속막이 균일하게 성막되도록 하여, 패턴 형성이 가능한 영역을 종래보다 더 넓게 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 마스크 블랭크의 제조 방법을 통해 제조된 마스크 블랭크는 금속막의 테두리가 얇아지지 않고 균일하게 성막된다.
도 1은 종래 차폐판을 이용하여 스퍼터링을 수행하는 예를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 제조하는 방법을 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 A를 확대한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크를 제조하는 방법을 도시한 단면도이다.
도 5은 도 5의 A를 확대한 단면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 실시 형태에 대하여 설명한다.
[제1 실시 형태]
도 2, 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크의 제조 방법을 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크(10)의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명은 기판(11)의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막(12)을 성막하는 공정을 포함하는 마스크 블랭크(10)의 제조 방법으로서, 금속막(12)을 성막하는 공정은 챔버 내에 기판(11)과 하나 이상의 금속을 포함하는 스퍼터링용 타겟(40)을 배치하여 스퍼터링법에 의해 기판(11) 상에 금속막(12)을 성막하는 공정이고, 금속막(12)을 성막할 때, 기판(11)의 측면에 금속막(12)이 성막되지 않도록 기판(11)의 측면에 인접하는 가이드(31)를 배치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 기판(11)은 주 표면 상에 다른 막이 형성되어 있지 않은 것이거나, 다른 임의의 막이 형성된 것일 수 있다. 본 발명에서는 편의상 기판(11)이라고 하지만, 다른 금속막 위에 다시 금속막을 성막하는 것도 포함한다.
기판(11)은 한 변이 152㎜ 이상인 사각형의 투명한 기판(11)으로서, 통상 주표면의 크기가 152㎜×152㎜인 6025 기판이 사용되며, 합성 석영 유리, 소다 라임 글래스 기판, 무알카리 글래스 기판, 저열 팽창 글래스 기판 등을 들 수 있다.
도 3은 도 2의 A를 확대한 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(11)은 금속막(12)이 형성되는 주 표면(11-1)과 그 이면(11-2), 및 측면(11-3)을 갖는다. 기판(11)은 주 표면(11-1)과 측면(11-3), 이면(11-2)과 측면(11-3)이 만나는 모서리를 소정의 각도로 모따기한 모따기면(11-4)을 더 갖는다. 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에 의해 제조된 마스크 블랭크(10)는 금속막(12)이 기판(11)의 주 표면(11-1)과, 주 표면(11-1)과 인접한 모따기면(11-4)에만 성막되어 있고, 기판(11)의 측면(11-3)에는 금속막(12)이 성막되어 있지 않다.
도 2를 참고하여, 금속막(12)은 기판(11)과 타겟(40)을 스퍼터링 챔버 내에 배치하고, 기판(11)과 타겟(40)에 DC 전압을 인가하여, 타겟(40)의 금속원자를 기판(11)에 증착시켜서 형성된 것이다. 금속막(12)은 기능에 따라, 차광성막, 반투광성막, 위상시프트막, 반사방지막, 하드마스크막, 식각정지막, 다층 반사막 등이 될 수 있다.
금속막(12)은 상기 나열된 막 중 어느 한 층 이상 성막된 것일 수 있다. 본 발명에서, 마스크 블랭크(10)는 성막된 막의 종류에 따라 바이너리 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 임프린트용 전사 플레이트 기판을 포함한다. 마스크 블랭크(10)는 금속막(12)을 패터닝하기 위해 금속막(12) 위에 포토레지스트막(미도시)이 더 형성될 수 있다.
금속막(12)은 Cr, Mo, Si, Ta, W, Ti, Hf, Ru 중 어느 하나 이상의 금속을 포함하는 타겟(40)을 이용하고, O, N, C 중 어느 하나 이상을 포함하는 반응성 가스와, He, Ne, Ar, Kr, Xe 중 어느 하나 이상을 포함하는 불활성 가스를 이용하여, 스퍼터링법에 의해 성막된다. O, N, C 중 어느 하나 이상을 포함하는 반응성 가스로는, O2, N2, CO, CO2, NO2, NO, N2O, NH3, CH4 등을 들 수 있다.
스퍼터링 시 타겟(40)과 기판(11) 중 어느 하나, 또는 둘 모두를 회전시킬 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(11)이 아래에 배치되고, 타겟(40)이 위에 배치될 수 있고, 그 반대로 기판(11)을 위에 배치하고 타겟(40)을 아래에 배치할 수도 있다. 타겟(40)은 기판(11)의 중심을 지나는 법선에 대하여 소정의 입사각도로 기울여 배치할 수도 있다.
도 3을 참조하여, 가이드(31)는 기판(11)을 기판 홀더(32)에 고정하였을 때, 기판의 측면(11-3)에 근접하여 배치되도록 기판 홀더(32)에 설치된다. 가이드(31)는 기판의 네 측면(11-3)을 따라 각각 구성된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 가이드(31)는 기판의 측면(11-3)과 접촉하지 않으면서 1㎜ 이하의 간격(G1)을 갖도록 설치된다. 가이드(31)가 기판의 측면(11-3)에 접촉하면 측면(11-3)에 파티클이 발생될 수 있기 때문에, 기판의 측면(11-3)에 가이드(31)가 접촉하지 않도록 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 가이드(31)와 기판의 측면(11-3)의 간격(G1)이 너무 넓으면, 스퍼터링 시 기판의 측면(11-3)에 금속막(12)이 성막되어 가이드(31)를 설치한 효과가 적어진다. 따라서, 가이드(31)는 기판의 측면(11-3)에 접촉하지 않으면서, 1㎜ 이하의 간격(G1)을 갖도록 배치되는 것이 바람직하다.
가이드(31)는 기판의 측면(11-3)에 배치되어, 기판의 주 표면(11-1)에 인접한 모따기면(11-4)과 측면(11-3)이 만나는 지점(B)보다 높은 영역을 갖는다. 이 지점(B)보다 높은 영역의 가이드(31)는 기판(11)에 인접한 면(31-1)이 위로 갈수록 바깥쪽으로 경사져 있는 것이 바람직하다. 이것은 가이드(31)에 의해 기판(11)의 주 표면 테두리가 가려져 금속막(12)이 얇아지는 쉐도우 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 마스크 블랭크(10)는 금속막(12)의 테두리가 얇아지지 않고 균일한 두께를 갖는다. 가이드(31)의 경사진 면(31-1)은 도 3에 도시된 것과 같이, 평면일 수도 있고, 곡면이어도 무방하다. 가이드(31)의 경사진 면(31-1)은 기판의 측면(11-3)에 대한 경사각(D)이 20° 내지 50°인 것이 바람직하다. 가이드(31)는 금속 물질로 형성될 수 있고, 수지계 재료로 형성될 수도 있다.
이상과 같이 본 발명의 제1 실시 형태에 따라 제조된 마스크 블랭크(10)는 금속막(12)이 기판(11)의 측면(11-3)에는 성막되지 않으면서도, 기판(11)의 주 표면(11-1) 전체에 균일하게 성막되기 때문에, 주 표면(11-1) 전체에 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 마스크의 패턴 형성이 가능한 영역이 기판(11)의 주 표면(11-1) 전체로 넓어진다.
[제2 실시 형태]
도 4, 5를 참조하여 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크의 제조 방법을 설명한다. 본 제2 실시 형태에 대한 설명 중에서 상기 제1 실시 형태에서의 설명과 중복되는 설명은 생략하고 제1 실시 형태에서의 설명에 갈음한다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크(10)의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명은 기판(11)의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막(12)을 성막하는 공정을 포함하는 마스크 블랭크(10)의 제조 방법으로서, 금속막(12)을 성막하는 공정은 챔버 내에 기판(11)과 하나 이상의 금속을 포함하는 스퍼터링용 타겟(40)을 배치하여 스퍼터링법에 의해 기판(11) 상에 금속막(12)을 성막하는 공정이고, 금속막(12)을 성막할 때, 기판(11)의 측면에 금속막(12)이 성막되지 않도록 기판(11)의 주 표면보다 높은 위치에서 기판(11)을 가리지 않는 위치에 차폐판(33)을 설치하는 것을 특징으로 한다.
도 5는 도 6의 A를 확대한 단면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 마스크 블랭크(10)의 제조 방법에 의해 제조된 마스크 블랭크(10)는 금속막(12)이 기판(11)의 주 표면(11-1)과, 주 표면(11-1)과 인접한 모따기면(11-4)에만 성막되어 있고, 기판(11)의 측면(11-3)에는 금속막(12)이 성막되어 있지 않다.
차폐판(33)은 기판(11)을 기판 홀더(32)에 장착하였을 때, 기판(11)의 테두리를 따라 근접하여 배치되도록 기판 홀더(32)에 설치될 수 있다. 차폐판(33)은 차폐판(33)과 기판(11)의 단면이 이루는 간격(G2)이 1㎜ 이하가 되도록 배치되는 것이 바람직하다. 간격(G2)이 1㎜를 넘으면 스퍼터링시 기판(11)의 측면에 금속 원자가 성막되어 금속막이 형성될 수 있다. 차폐판(33)은 금속 재료로 형성될 수도 있고, 수지계 재료로 형성될 수도 있다.
이상과 같이 본 발명의 제2 실시 형태에 따라 제조된 마스크 블랭크(10)는 금속막(12)이 기판(11)의 측면(11-3)에는 성막되지 않으면서도, 기판(11)의 주 표면(11-1) 전체에 균일하게 성막되기 때문에, 주 표면(11-1) 전체에 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 마스크의 패턴 형성이 가능한 영역이 기판(11)의 주 표면(11-1) 전체로 넓어진다.
또한, 본 발명의 제2 실시 형태에 따라 제조된 마스크 블랭크(10)는 실시예 1과 비교하여 차폐판을 전후로 구동할 필요가 없으므로 주 표면에 발생되는 파티클과 핀홀 수를 보다 저감시킬 수 있다.
[실험예 1]
먼저 도 3에 도시된 바와 같은 가이드(31)가 설치된 기판 홀더(32)를 갖는 반응성 DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 준비하고, 기판 홀더(32)에 기판(11)을 장착하였다. 그리고, Mo:Si=10:90at%인 MoSi 타겟(40)을 설치하였다. 그 다음, NO 가스와 Ar 가스를 챔버 내에 투입하고, 기판(11)과 타겟(40)을 회전시키면서 전력을 인가하여 기판(11) 위에 MoSiON막을 성막하였다.
상기의 방법으로 10장의 마스크 블랭크를 제조하여 평가한 결과, 기판의 주 표면과 모따기면까지만 MoSiON막이 성막되어 있었고, 기판의 측면에 MoSiON막이 성막된 마스크 블랭크는 없었다. 또한, 기판의 테두리에 막 두께가 얇아진 영역을 찾아 볼 수 없었다.
[실험예 2]
먼저 도 4에 도시된 바와 같은 차폐판(33)이 설치된 기판 홀더(32)를 갖는 반응성 DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 준비하고, 기판 홀더(32)에 기판(11)을 장착하였다. 그리고, 실험예 1과 동일한 조건으로 10장의 마스크 블랭크를 제조하여 평가한 결과, 기판의 주 표면과 모따기면까지만 MoSiON막이 성막되어 있었고, 기판의 측면에 MoSiON막이 성막된 마스크 블랭크는 없었다. 또한, 기판의 테두리에 막 두께가 얇아진 영역을 찾아 볼 수 없었다.
[비교예]
도 1에 도시된 차폐판(21)을 갖는 스퍼터링 장치를 이용한 것 외에는 상기 실시예와 동일한 조건으로 10장의 기판에 MoSiON막을 성막하였다.
10장의 마스크 블랭크를 평가한 결과, 기판의 주 표면에만 MoSiON막이 성막되어 있었고, 기판의 측면에는 MoSiON막이 성막되지 않았다. 하지만, MoSiON막의 테두리 끝부분이 얇아진 형태로 성막되어 있었다.
이상, 본 발명을 실시예를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는, 상기 실시예에 기재된 범위에 한정되지 않는다. 상기 실시예에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능하다는 것은 당업자에게 명백하다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이 특허 청구 범위의 기재로부터 분명하다.
10 : 마스크 블랭크
11 : 기판
12 : 금속막
31 : 가이드
32 : 기판 홀더
33 : 차폐판

Claims (12)

  1. 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막을 성막하는 공정을 포함하는 마스크 블랭크의 제조 방법으로서,
    상기 금속막을 성막하는 공정은 챔버 내에 상기 기판과 하나 이상의 금속을 포함하는 스퍼터링용 타겟을 배치하여 스퍼터링법에 의해 상기 기판 상에 상기 금속막을 성막하는 공정이고,
    상기 금속막을 성막할 때, 상기 기판의 측면에 상기 금속막이 성막되지 않도록 상기 기판의 측면에 인접하는 가이드를 설치하며,
    상기 가이드는 상기 기판의 주 표면에 인접한 모따기면과 측면이 만나는 지점보다 높은 영역을 갖고, 상기 영역의 상기 기판에 인접한 면이 위로 갈수록 바깥쪽으로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 주 표면이 위를 향하도록 기판 홀더에 장착되고, 상기 가이드는 상기 기판 홀더에 설치되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 가이드는 상기 기판의 측면을 접촉하지 않고, 상기 기판의 측면과 1㎜ 이하의 간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 금속막을 성막하는 공정은, 상기 기판과 타겟에 DC 전압을 인가하고, 상기 기판과 상기 타겟 중 적어도 어느 하나를 회전시키면서 상기 금속막을 성막하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 금속막을 성막하는 공정은, 1종 이상의 금속을 포함하는 타겟을 이용하고, O, N, C 중 어느 하나 이상을 포함하는 반응성 가스를 이용하여, 상기 금속막을 성막하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
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