KR101661936B1 - 내흡습성 향상과 표면 알파입자 제거를 위한 이중섬광검출기 및 그 제작방법 - Google Patents

내흡습성 향상과 표면 알파입자 제거를 위한 이중섬광검출기 및 그 제작방법 Download PDF

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이현수
김용함
김경원
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Abstract

이중섬광검출기 및 그 제작방법이 개시된다. 개시된 이중섬광검출기는 기선정된 크기로 제작된 섬광결정; 성형틀에 담기고 섬광결정이 주입되어 고정된 후, 열이 가해져 고형화되는 액상 플라스틱섬광검출기;를 포함하고, 액상 플라스틱섬광검출기가 고형화되어 성형틀로부터 분리된 후, 섬광결정 양측면과, 이에 대향된 고형화된 플라스틱섬광검출기 양측면 사이에 각각 일정두께가 형성되도록 고형화된 플라스틱섬광검출기가 절삭되는 것이 바람직하다.
또한 개시된 이중섬광검출기 제작방법은 (a) 기선정된 크기의 섬광결정을 제작하는 단계; (b) 섬광결정을 성형틀에 담긴 액상 플라스틱섬광검출기에 주입하여 고정하는 단계; (c) 성형틀에 열을 가하여 성형틀에 담긴 액상 플라스틱섬광검출기를 고형화하는 단계; (d) 성형틀로부터 고형화된 플라스틱섬광검출기를 분리시키는 단계; (e) 고형화된 플라스틱섬광검출기의 양측면을 절삭하는 단계; (f) 절삭공정이 진행된 플라스틱섬광검출기 양측면을 연마하는 단계;를 포함한다.

Description

내흡습성 향상과 표면 알파입자 제거를 위한 이중섬광검출기 및 그 제작방법{ADVANCED PHOSWICH DETECTOR FOR SURFACE ALPHA REJECTION AND MOISTURE PROTECTION AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 내흡습성 향상과 표면 알파입자 제거를 위한 이중섬광검출기 및 그 제작방법에 관한 것으로써, 구체적으로는 습기에 약한 NaI(TI), CsI(Tl), SrI2(Eu) 등의 무기섬광결정을 액상의 플라스틱섬광검출기에 주입한 후, 이를 고형화시켜 이중구조를 형성하여, 자연상태에 존재하는 표면 알파 입자의 에너지를 모두 흡수하고, 매우 빠른 신호를 방출하여 내부에 있는 무기섬광결정에 의해서만 방출되는 신호와 구별이 가능한 이중섬광검출기 및 그 제작방법에 관한 것이다.
또한, 무기섬광결정의 표면에 유기결정 형태인 스틸벤(stilbene) 층의 이중구조를 형성하여 극저온에서 포논신호를 측정할 수 있는 이중섬광검출기 및 그 제작방법에 관한 것이다.
무기섬광검출기인 NaI(Tl) 섬광결정은 습기에 약하기 때문에, NaI(Tl) 섬광결정의 표면에 얇은 polymer 막을 약 5㎛ 정도로 증착시켜 층을 형성하여 내흡습성을 향상시키고, polymer 층을 얇게 형성함으로써 빛의 투과도가 나빠지는 것을 방지한다.
하지만, 섬광결정 표면에 polymer 막을 증기 형태로 증착시키기 때문에 균일하게 제작하는 것이 힘들며, 육면체인 섬광결정에 polymer 막을 증착시킬 경우 각각의 섬광결정 표면에 따로 증착을 해야 한다.
따라서, polymer 막을 증착시킨 섬광결정 표면에 손상을 입히기가 쉽고, 너무 얇은 polymer 막으로 인해 내부 섬광결정 표면에서 발생되는 알파 입자의 에너지를 모두 흡수할 수가 없는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허공보 제2014-0026880호(2014.03.06.공개)
상기 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 목적은 습기에 약한 NaI(TI), CsI(Tl), SrI2(Eu) 등의 무기섬광결정을 액상의 플라스틱섬광검출기에 주입한 후, 이를 고형화시켜 이중구조를 형성하여, 자연상태에 존재하는 표면 알파 입자의 에너지를 모두 흡수하고, 매우 빠른 신호를 방출하여 내부에 있는 무기섬광결정에 의해서만 방출되는 신호와 구별이 가능한 이중섬광검출기 및 그 제작방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 무기섬광결정의 표면에 유기결정 형태인 스틸벤(stilbene) 층을 형성하여 극저온에서 포논신호를 측정할 수 있는 이중섬광검출기 및 그 제작방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 해결과제는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당해 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기선정된 크기로 제작된 섬광결정; 성형틀에 담기고 섬광결정이 주입되어 고정된 후, 열이 가해져 고형화되는 액상 플라스틱섬광검출기;를 포함하고, 액상 플라스틱섬광검출기가 고형화되어 성형틀로부터 분리된 후, 섬광결정 양측면과, 이에 대향된 고형화된 플라스틱섬광검출기 양측면 사이에 각각 일정두께가 형성되도록 고형화된 플라스틱섬광검출기가 절삭되는 것이 바람직하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 (a) 기선정된 크기의 섬광결정을 제작하는 단계; (b) 섬광결정을 성형틀에 담긴 액상 플라스틱섬광검출기에 주입하여 고정하는 단계; (c) 성형틀에 열을 가하여 성형틀에 담긴 액상 플라스틱섬광검출기를 고형화하는 단계; (d) 성형틀로부터 고형화된 플라스틱섬광검출기를 분리시키는 단계; (e) 고형화된 플라스틱섬광검출기의 양측면을 절삭하는 단계; (f) 절삭공정이 진행된 플라스틱섬광검출기 양측면을 연마하는 단계;를 포함한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기선정된 크기로 제작되어 앰플(ample)에 담기는 섬광결정; 섬광결정을 둘러싸도록 앰플에 담긴 분말형태의 스틸벤(stilbene)결정;을 포함하고, 스틸벤결정은 내부가 고진공으로 형성되고 밀봉된 앰플에 열이 가해져 성장되고, 성장된 스틸벤결정이 앰플로부터 분리된 후, 섬광결정 양측면과, 이에 대향된 성장된 스틸벤결정 양측면사이에 각각 일정두께가 형성되도록 성장된 스틸벤결정이 절삭되는 것이 바람직하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 (a) 기선정된 크기의 섬광결정을 제작하는 단계; (b) 섬광결정과, 섬광결정을 둘러싸도록 분말형태의 스틸벤(stilbene)결정을 앰플(ample)에 넣는 단계; (c) 앰플 내부를 고진공으로 형성하고 밀봉하는 단계; (d) 앰플에 열을 가하여, 스틸벤결정을 성장시키는 단계; (e) 앰플로부터 성장된 스틸벤결정을 분리시키는 단계; (f) 성장된 스틸벤결정의 양측면을 절삭하는 단계; (g) 절삭공정이 진행된 플라스틱 양측면을 연마하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 내흡습성 향상과 표면 알파입자 제거를 위한 이중섬광검출기 및 그 제작방법은 무기섬광결정과 플라스틱섬광검출기의 이중구조를 형성하여, 자연상태에 존재하는 표면 알파 입자의 에너지를 모두 흡수하고, 매우 빠른 신호를 방출하여 내부에 있는 무기섬광결정에 의해서만 방출되는 신호와 구별이 가능한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 무기섬광결정의 표면에 유기결정 형태인 스틸벤(stilbene) 층의 이중구조를 형성하여 극저온에서 포논신호를 측정할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 플라스틱섬광검출기 또는 스틸벤(stilbene) 층에 의해 무기섬광결정 표면의 손상을 줄여줄 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당해 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이중섬광검출장치에서 섬광결정이 액상 플라스틱섬광검출기에 주입되어 고정된 상태를 나타내는 계략단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이중섬광검출장치에서 고형화된 플라스틱섬광검출기의 계략단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이중섬광검출장치의 제작과정을 나타내는 순서도이다.
도 4는 도 3에 도시된 섬광결정 제작단계를 구체화한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이중섬광검출장치에서 섬광결정과 스틸벤결정 분말이 앰플에 주입된 상태를 나타내는 계략단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이중섬광검출장치에서 성장된 스틸벤 결정의 계략단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이중섬광검출장치의 제작과정을 나타내는 순서도이다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이중섬광검출장치 및 그 제작방법에 대하여 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이중섬광검출장치에서 섬광결정(110)이 액상 플라스틱섬광검출기(130)에 주입되어 고정된 상태를 나타내는 계략단면도이며, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이중섬광검출장치에서 고형화된 플라스틱섬광검출기(130)의 계략단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이중섬광검출장치의 제작과정을 나타내는 순서도이며, 도 4는 도 3에 도시된 섬광결정(110) 제작단계를 구체화한 순서도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 이중섬광검출장치(100)는 기선정된 크기로 제작된 섬광결정(110)과, 성형틀(120)에 담기고 섬광결정(110)이 주입되어 고정된 후, 열이 가해져 고형화되는 액상 플라스틱섬광검출기(130)를 포함한다.
섬광결정(110)은 NaI(TI), CsI(Tl), SrI2(Eu) 등의 투명성이 좋고, 암흑물질 탐색 및 희귀붕괴현상을 측정하기 위한 특정원소로 이루어진 무기섬광검출기로서, 암흑물질 탐색연구 조건에 따라 기선정된 크기에 맞도록 제작된다.
액상 플라스틱섬광검출기(130)는 주재료가 스틸렌(styrne)인 상온용 플라스틱섬광검출기이며, 액상 플라스틱130)이 담긴 성형틀(120)은 스테인레스 스틸 소재를 이용하는 것이 바람직하다.
액상 플라스틱섬광검출기(130)는 고형화되어 성형틀(120)로부터 분리된 후, 섬광결정(110) 양측면과, 이에 대향된 플라스틱섬광검출기(130) 양측면사이에 각각 일정두께(t)가 형성되도록 절삭되며, 여기서 일정두께는 약 100㎛ 인 것이 바람직하다.
도 3 및 도 4를 참조하여 이중섬광장치 제작방법을 구체적으로 살펴보면, 우선 일정크기의 섬광결정(110)을 제작한다.(S110)
도 4를 참조하면, 섬광결정(110)의 제작공정은 우선 전기톱, 리니어커터(linear cutter) 등과 같은 절삭공구가 섬광결정(110)을 기선정된 크기로 절삭하고(S111), 카바이트 재질의 사포와 같은 연마공구가 절삭공정이 진행된 섬광결정(110) 표면을 연마하는 공정을 진행한다.(S112)
여기서, 연마공정(S112)은 절삭공정(S111)이 진행된 섬광결정(110) 표면의 라돈(Rn)을 제거하기 위함이다.
섬광결정(110)의 제작공정 후(S110), 도 1을 참조하면, 섬광결정(110)을 성형틀(120)에 담긴 액상 플라스틱섬광검출기(130)에 주입하여 고정한다.
섬광결정(110)은 액상 플라스틱섬광검출기(130)에 주입될 시, 성형틀(120) 내측하부에 입설된 프레임(121)에 점접촉되어 고정된다.
이는 주입된 섬광결정(110)이 성형틀(120) 내측하부에 밀착되는 것을 방지하고, 후술되는 플라스틱섬광검출기(130) 절삭공정(S150) 시, 일정두께(t)를 확보하기 위함이다.
프레임(121)은 메탈소재로서, 방사선 동위원소가 낮은 SUS 316LN을 사용하는 것이 바람직하며, 구리, 알루미늄 등의 소재 또한 사용가능하다.
섬광결정(110)이 액상 플라스틱섬광검출기(130)에 주입된 후, 성형틀(120)에 약 200~300℃ 열을 가하여 액상 플라스틱섬광검출기(130)를 고형화시킨다.(S130)
도 2를 참조하면, 액상 플라스틱섬광검출기(130)의 고형화 공정 후(S130), 성형틀(120)로부터 플라스틱섬광검출기(130)를 분리하고(S140), 전술된 절삭공구가 고형화된 플라스틱섬광검출기(130)의 양측면을 절삭한다.(S150)
보다 구체적으로, 섬광결정(110) 양측면과, 이에 대향된 고형화된 플라스틱섬광검출기(130) 양측면사이에 각각 약 100㎛ 정도 일정두께(t)가 형성되도록 고형화된 플라스틱섬광검출기(130)를 절삭한다.
이때, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 전술된 프레임(121) 또한 절삭공구를 이용하여 제거해준다.
그리고 전술된 연마공구가 절삭공정(S150)이 진행된 플라스틱섬광검출기(130) 양측면을 연마하여 투명하게 처리한다.(S160)
이하, 도 5 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이중섬광검출장치 및 제작방법에 대하여 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이중섬광검출장치에서 섬광결정(210)과 스틸벤결정분말(230)이 앰플(ampule)(220)에 주입된 상태를 나타내는 계략단면도이며, 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이중섬광검출장치에서 성장된 스틸벤 결정(230)의 계략단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이중섬광검출장치에서 성장된 스틸벤 결정(230)의 계략단면도이며, 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이중섬광검출장치의 제작과정을 나타내는 순서도이다.
도 5 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 이중섬광장치(200)는 기선정된 크기로 제작되어 앰플(220)에 담기는 섬광결정(210)과, 섬광결정(210)을 둘러싸도록 앰플(220)에 담긴 분말형태의 스틸벤(stilbene)결정(230)을 포함한다.
섬광결정(210)은 전술된 본 발명의 제 1 실시예와 동일함으로써, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
스틸벤결정분말(230)은 내부가 고진공으로 형성되고 밀봉된 앰플(220)에 열이 가해져 성장된다.
그리고 섬광결정(210) 양측면과, 이에 대향된 성장된 스틸벤결정(230) 양측면사이에 각각 약 100㎛ 정도 일정두께(t)가 형성되도록 스틸벤결정(230)이 절삭된다.
도 7을 참조하여 이중섬광장치 제작방법을 구체적으로 살펴보면, 우선 일정크기의 섬광결정(210)을 제작한다.(S210)
여기서, 섬광결정(210) 및 이에 대한 제작공정(S210)은 전술된 본 발명의 제 1 실시예와 동일함으로써, 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
섬광결정 제작공정(S210) 후, 도 5를 참조하면, 섬광결정(110)과, 섬광결정(110)을 둘러싸도록 분말형태의 스틸벤(stilbene)결정(230)을 앰플(220), 보다 구체적으로 쿼츠앰플(Quartz ampule)에 넣는다.(S220)
그리고 Bridgeman stockbarger 공법을 이용하여, 앰플(220) 내부를 고진공으로 형성하여 밀봉한다.(S230)
스틸벤결정(230)의 멜팅포인트는 120℃ 이하이며, 섬광결정(210)의 멜팅포인트는 500℃ 이하이므로, 앰플(220)에 약 120~200℃ 열을 가해 스틸벤결정(230)을 성장시킨다.(S240)
도 6을 참조하면, 스틸벤결정(230)) 성장공정 후(S240), 앰플(220)로부터 스틸벤결정(230)을 분리시키고(S250), 스틸벤결정(230)의 양측면을 절삭한다.(S260)
보다 구체적으로, 섬광결정(210) 양측면과, 이에 대향된 스틸벤결정(230)사이에 각각 약 100㎛ 정도 일정두께(t)가 형성되도록 스틸벤결정(230)을 절삭한다.
그리고 전술된 연마공구가 절삭공정(S260)이 진행된 스틸벤결정(230) 양측면을 연마하여 투명하게 처리한다.(S270)
이와 같이, 전술된 본 발명의 다양한 실시예의 이중섬광검출기 및 그 제작방법은, 무기섬광결정과 플라스틱섬광검출기의 이중구조를 형성하여, 자연상태에 존재하는 표면 알파 입자의 에너지를 모두 흡수하고, 매우 빠른 신호를 방출하여 내부에 있는 무기섬광결정에 의해서만 방출되는 신호와 구별이 가능한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 무기섬광결정의 표면에 유기결정 형태인 스틸벤 층의 이중구조를 형성하여 극저온에서 포논신호를 측정할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 플라스틱섬광검출기 또는 스틸벤 층에 의해 무기섬광결정 표면의 손상을 줄여줄 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것으로, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것이 아님은 자명하다.
본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당해 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 유추할 수 있는 변형예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200 : 이중섬광검출기
110 : 섬광결정
120 : 성형틀
130 : 플라스틱섬광검출기
210 : 섬광결정
220 : 앰플
230 : 스틸벤 결정

Claims (10)

  1. 기선정된 크기로 제작되어 앰플(ample)에 담기는 섬광결정; 및
    상기 앰플에 담기고 상기 섬광결정을 둘러싸는 분말형태의 스틸벤(stilbene)결정;
    상기 섬광결정, 상기 스틸벤결정 및 상기 앰플이 함께 성형틀 내부의 액상 플라스틱섬광검출기에 주입되어 고정된 후,
    상기 성형틀에 열이 가해져 고형화되는 상기 액상 플라스틱섬광검출기;
    를 포함하고,
    상기 성형틀에 열이 가해져 상기 스틸벤결정이 상기 앰플 내부에서 성장되고,
    상기 성장된 스틸벤결정과 상기 섬광결정은 함께 상기 앰플로부터 분리되고,
    상기 성장된 스틸벤결정이 상기 섬광결정 양측면에 대해서 일정 두께가 형성되도록, 상기 성장된 스틸벤결정의 양측면을 절삭한 후,
    상기 절삭된 스틸벤결정의 양측면을 연마하는 것을 특징으로 하는,
    이중섬광검출기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 섬광결정은
    상기 액상 플라스틱섬광검출기에 주입될 시, 상기 성형틀 내측하부에 입설된 프레임에 점접촉되어 고정되는 것을 특징으로 하는,
    이중섬광검출기.
  3. (a) 기선정된 크기로 제작된 섬광결정을 앰플(ample)에 담그는 단계;
    (b) 분말형태의 스틸벤(stilbene)결정이 상기 앰플 내부에 담기고 상기 섬광결정을 둘러싸는 단계;
    (c) 상기 섬광결정, 상기 스틸벤결정 및 상기 앰플을 함께 성형틀에 담긴 액상 플라스틱섬광검출기에 주입하여 고정하는 단계;
    (d) 상기 성형틀을 제1 온도로 가열하여 상기 앰플 내부의 상기 스틸벤 결정을 성장시키는 단계;
    (e) 상기 성형틀을 제2 온도로 가열하여 상기 성형틀에 담긴 상기 액상 플라스틱섬광검출기를 고형화하는 단계;
    (f) 상기 성장된 스틸벤결정을 상기 섬광결정과 함께 상기 앰플로부터 분리시키는 단계;
    (g) 상기 성장된 스틸벤결정이 상기 섬광결정 양측면에 대해서 일정 두께가 형성되도록, 상기 성장된 스틸벤결정의 양측면을 절삭하는 단계;
    (h) 상기 절삭공정이 진행된 스틸벤결정의 양측면을 연마하는 단계; 를 포함하는,
    이중섬광검출기 제작방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 (a) 단계는
    섬광결정을 기선정된 크기로 절삭하는 단계; 및
    상기 절삭공정이 진행된 섬광결정 표면을 연마하는 단계;
    를 포함하는,
    이중섬광검출기 제작방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서,
    상기 섬광결정은 상기 성형틀 내측하부에 입설된 프레임에 점접촉되어 고정되는 것을 특징으로 하는,
    이중섬광검출기 제작방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 (e) 단계는
    상기 섬광결정 양측면과, 이에 대향된 상기 고형화된 플라스틱섬광검출기 양측면사이에 각각 일정두께가 형성되도록 상기 고형화된 플라스틱섬광검출기를 절삭하는 것을 특징으로 하는,
    이중섬광검출기 제작방법.
  7. 기선정된 크기로 제작되어 앰플(ample)에 담기는 섬광결정; 및
    상기 섬광결정을 둘러싸도록 상기 앰플에 담기는 분말형태의 스틸벤(stilbene)결정;
    을 포함하고,
    상기 스틸벤결정은 내부가 고진공으로 형성되고 밀봉된 상기 앰플에 열이 가해져 성장되고,
    상기 성장된 스틸벤결정이 상기 섬광결정과 함께 상기 앰플로부터 분리된 후,
    상기 성장된 스틸벤결정이 상기 섬광결정 양측면에 대해서 일정 두께가 형성되도록 상기 성장된 스틸벤결정의 양측면이 절삭되고,
    상기 절삭공정이 진행된 스틸벤결정의 양측면이 연마되는 것을 특징으로 하는,
    이중섬광검출기.
  8. (a) 기선정된 크기의 섬광결정을 제작하여 앰플(ample)에 담그는 단계;
    (b) 상기 섬광결정을 둘러싸도록 분말형태의 스틸벤(stilbene)결정을 상기 앰플에 담그는 단계;
    (c) 상기 앰플 내부를 고진공으로 형성하고 밀봉하는 단계;
    (d) 상기 앰플에 열을 가하여 상기 스틸벤결정을 성장시키는 단계;
    (e) 상기 성장된 스틸벤결정과 상기 섬광결정이 함께 상기 앰플로부터 분리되는 단계;
    (f) 상기 성장된 스틸벤결정이 상기 섬광결정의 양측면에 대하여 일정한 두께로 형성되도록 상기 성장된 스틸벤결정의 양측면이 절삭되는 단계; 및
    (g) 상기 절삭공정이 진행된 스틸벤결정의 양측면을 연마하는 단계;
    를 포함하는,
    이중섬광검출기 제작방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 (a) 단계는
    섬광결정을 기선정된 크기로 절삭하는 단계; 및
    상기 절삭공정이 진행된 섬광결정 표면을 연마하는 단계;
    를 포함하는,
    이중섬광검출기 제작방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 (f) 단계는
    상기 섬광결정 양측면과, 이에 대향된 상기 성장된 스틸벤결정 양측면사이에 각각 일정두께가 형성되도록 상기 성장된 스틸벤결정을 절삭하는 것을 특징으로 하는,
    이중섬광검출기 제작방법.
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