KR101660637B1 - Method for producing nano-structure of gallium nitride based semiconductor using charge patterning - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전하를 띤 물질의 패터닝을 이용하여 질화갈륨의 표면에 규칙적인 나노 구조를 형성할 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 방법은, 질화갈륨계 반도체 표면에 전하를 띤 물질의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 전하를 띤 물질의 패턴이 형성된 질화갈륨계 반도체 표면을 광화학적 에칭법을 사용하여 에칭하는 단계를 포함한다.The present invention relates to a method of forming a regular nanostructure on the surface of gallium nitride using patterning of a charged material.
The method according to the present invention includes the steps of forming a pattern of a substance charged on the surface of a gallium nitride semiconductor and etching the surface of the gallium nitride semiconductor having a pattern of the charged substance using a photochemical etching method .
Description
본 발명은 질화갈륨계 반도체의 표면에 나노 구조를 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전하를 띤 물질의 패터닝을 이용하여 질화갈륨계 반도체의 표면에 규칙적인 나노 구조를 형성할 수 있는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a nanostructure on the surface of a gallium nitride semiconductor, and more particularly, to a method of forming a regular nanostructure on the surface of a gallium nitride semiconductor using patterning of a charged material .
질화갈륨계 반도체는 넓은 영역의 밴드갭을 갖는 반도체이기 때문에 고출력, 고주기 소자로서 많이 사용되고 있다. 그러나 고효율의 발광다이오드를 구현하기 위해서는 높은 굴절률(refractive index)을 갖는 질화갈륨과, 낮은 굴절률을 갖는 갖는 공기의 계면에서 일어나는 내부반사(internal reflection) 현상을 극복해야 한다.Since the gallium nitride semiconductor is a semiconductor having a wide band gap, it is widely used as a high-output, high-cycle element. However, in order to realize a high efficiency light emitting diode, it is necessary to overcome the internal reflection phenomenon occurring at the interface between gallium nitride having a high refractive index and air having a low refractive index.
내부반사를 극복하는 방법으로 공기와의 굴절률 차이를 줄여주는 굴절률 그레이딩(grading) 방법이나 표면에 거칠기를 부여하여 전내부반사의 임계각(critical angle)을 극복하는 방법이 존재한다.There is a refractive index grading method which reduces the refractive index difference with air or a method of overcoming the critical angle of the internal reflection by giving a roughness to the surface.
이에 따라, 광화학적 에칭(Photochemical etching)으로 질화갈륨의 표면에 콘(cone)을 형성해주는 PCE 방법은 LED 공정에서 중요한 부분을 차지하고 있다.Accordingly, the PCE method of forming a cone on the surface of gallium nitride by photochemical etching occupies an important part in the LED process.
도 1의 좌측 그림은 OH- 이온을 포함한 수용액 상에서 자외선광을 이용한 광화학적 에칭의 메커니즘을 설명하기 위한 것이고, 우측 SEM 사진은 그 결과물을 나타낸 것이다.The left side of FIG. 1 is for explaining the mechanism of photochemical etching using ultraviolet light in an aqueous solution containing OH - ions, and the right SEM photograph shows the result.
도 1에 나타낸 바와 같이, 질화갈륨 표면에서 OH- 이온이 Ga 원자에 달라붙어 Ga 원자들을 떼어내게 되고 아래의 n-face가 드러남으로써 에칭이 계속 진행되게 된다. 이때 질화갈륨이 갖는 극성에 의해 부식액으로 사용되는 염기성 용액의 OH- 이온들이 질화갈륨에 달라붙어 에칭이 시작되는데, 이와 같은 에칭의 시작이 임의의 점에서 시작되기 때문에, 도 1의 우측 SEM 사진에 나타난 바와 같이, 콘(cone)의 크기가 일정하지 않고 주기도 일정하지 않은 불규칙한 나노 구조가 만들어지게 된다.As shown in FIG. 1, on the gallium nitride surface, OH - ions stick to the Ga atoms to separate the Ga atoms, and the underlying n-face is exposed, so that etching continues. At this time, due to the polarity of the gallium nitride, the OH - ions of the basic solution used as the etching solution adhere to the gallium nitride and start etching. Since the beginning of such etching starts at an arbitrary point, As shown, irregular nanostructures are produced in which the cone size is not constant and the period is not constant.
이와 같이 불규칙하고 크기가 다른 PCE 콘 구조는 불규칙한 소자 효율을 야기할 뿐 아니라 소자 효율의 감소를 가져오는 원인이 되기도 한다. 그러므로, PCE 에칭 시 규칙적이고 일정한 크기를 갖는 나노 구조를 만드는 기술이 필요하다.This irregular and different size PCE cone structure not only causes irregular device efficiency but also causes a decrease in device efficiency. Therefore, there is a need for a technique for making nanostructures having a regular and uniform size in PCE etching.
본 발명의 과제는, 고효율 소자의 구현을 위해, 질화갈륨계 반도체의 표면에 규칙적이고 그 크기가 제어될 수 있는 조절될 수 있는 나노 구조의 형성방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a method of forming a nanostructure that can be regulated and controlled in size on the surface of a gallium nitride semiconductor in order to realize a high-efficiency device.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 질화갈륨계 반도체 표면에 전하를 띤 물질의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 전하를 띤 물질의 패턴이 형성된 질화갈륨계 반도체 표면을 광화학적 에칭법을 사용하여 에칭하는 단계를 포함하는 나노 구조의 형성방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a gallium nitride semiconductor device, comprising the steps of: forming a pattern of a charged material on a surface of a gallium nitride semiconductor; And etching the surface of the nanostructure.
본 발명에 의하면, 일정한 주기성과 제어된 크기를 갖는 나노 구조를 질화갈륨계 반도체 표면에 형성할 수 있으며, 이와 같이 제어된 패턴이 형성된 질화갈륨계 반도체를 발광다이오드 소자에 적용할 경우, 발광다이오드 소자의 효율을 보다 향상시킬 수 있게 된다.According to the present invention, a nanostructure having a predetermined periodicity and controlled size can be formed on the surface of a gallium nitride semiconductor. When a gallium nitride semiconductor having such a controlled pattern is applied to a light emitting diode device, It is possible to further improve the efficiency of the apparatus.
도 1은 OH- 이온을 포함한 수용액 상에서 자외선광을 이용한 광화학적 에칭의 메커니즘을 설명하기 위한 도면과, 그 결과물에 대한 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 사용될 수 있는 양전하 또는 음전하를 띠는 자기조립 단분자막 물질의 예를 나타낸 것이다.
도 3은 마이크로 컨택 프린팅에 이용될 수 있는 하드 몰드(hard mold)의 예를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 나노 구조의 형성방법에 대한 공정도이다.FIG. 1 is a view for explaining a mechanism of photochemical etching using ultraviolet light in an aqueous solution containing OH - ions, and a photograph of the result.
Figure 2 shows an example of a positively or negatively charged self-assembled monolayer material that can be used in an embodiment of the present invention.
Figure 3 shows an example of a hard mold that can be used for microcontact printing.
4 is a process diagram of a method of forming a nanostructure according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 기초로 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings.
또한 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자들은 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있으며 본 발명의 범위가 다음에 기술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.It should also be understood that the terms or words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary sense and that the inventors may properly define the concept of the term to best describe its invention And should be construed in accordance with the principles and meanings and concepts consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely preferred embodiments of the present invention and do not represent all the technical ideas of the present invention, so that various equivalents And the scope of the present invention is not limited to the following embodiments.
본 명세서 전체에 걸쳐서 'GaN'이 강조되어 기술되고 있으나, 본 발명에 따른 기술은 또한 다른 III-질화물계 반도체, 예를 들어 InGaN에도 적용할 수 있다. 따라서, 'GaN'이라는 용어는 InGaN, AlGaN 등과 같은 어떠한 III-질화물 물질도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.While 'GaN' is emphasized throughout this specification, the technology according to the present invention is also applicable to other III-nitride based semiconductors, such as InGaN. Thus, the term 'GaN' should be interpreted to include any III-nitride material such as InGaN, AlGaN, and the like.
본 발명에 따른 나노 구조의 형성 방법은, 질화갈륨계 반도체 표면에 전하를 띤 물질의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 전하를 띤 물질의 패턴이 형성된 질화갈륨계 반도체 표면을 광화학적 에칭법을 사용하여 에칭하는 단계를 포함한다.A method of forming a nanostructure according to the present invention includes the steps of forming a pattern of a substance charged on a surface of a gallium nitride semiconductor and a step of forming a pattern of the charged substance on the surface of the gallium nitride semiconductor using a photochemical etching method And etching.
본 발명은 질화갈륨계 반도체 표면에, 양전하 또는 음전하를 띠는 물질로 이루어진 패턴을 형성하는데, 양전하 또는 음전하를 띠는 물질은 광화학적 에칭 시 사용되는 에칭액에 포함된 OH- 이온을 끌어당기거나 배척함으로써, 제어된 특정 부분에 광화학적 에칭이 활발하게 이루어지는 에칭 사이트(etching site)를 만들어 줌으로써, 주기적이고 크기가 제어된 나노 구조의 패턴을 얻을 수 있게 된다.The present invention forms a pattern of a material having a positive or negative charge on the surface of a gallium nitride semiconductor, wherein a material having a positive charge or a negative charge attracts or excludes OH - ions contained in an etchant used in photochemical etching. Thus, it is possible to obtain a pattern of a periodic and size-controlled nanostructure by creating an etching site in which a photochemical etching is actively performed in a specific portion that is controlled.
상기 질화갈륨계 반도체는 GaN뿐 아니라, InGaN, AlGaN과 같은 III-질화물계 반도체를 포함한다.The gallium nitride-based semiconductor includes not only GaN but also III-nitride-based semiconductors such as InGaN and AlGaN.
상기 전하를 띤 물질이란, 전하를 포함하여 광화학적 에칭에 사용되는 OH- 이온의 밀도를 제어할 수 있는 물질이라면 특별히 제한 없이 사용될 수 있다. 바람직하게는 자기조립 단분자막(self assembled monolayer, SAM)물질이 사용될 수 있다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 양전하를 띠는 자기조립 단분자막 물질로는 NH2로 터미네이트된 물질들로 예를 들어 시스테아민(cysteamine)과 APTES(3-aminopropyl triethoxysilane)이 있고, 음전하를 띠는 자기조립 단분자막 물질로는 COOH로 터미네이트된 물질들로 예를 들어 카르복시 알카네티올(carboxy alkanethiols)과 다이사이오부티르산(dithiodibutyric acid)이 있다.The chargeable material is not particularly limited as long as it is a material capable of controlling the density of OH - ions used for photochemical etching including charge. Preferably, a self assembled monolayer (SAM) material can be used. As shown in FIG. 2, positively charged self-assembled monolayer materials include NH 2 terminated materials such as cysteamine and APTES (3-aminopropyl triethoxysilane), and negatively charged Self-assembled monolayer materials include COOH terminated materials such as carboxy alkanethiols and dithiodibutyric acid.
전하를 띤 물질의 패턴을 형성하는 방법은, 예를 들어 마이크로 컨택 프린팅(micro contact printing) 방법을 사용할 수 있으나, 질화갈륨계 반도체 표면에 전하를 띤 물질의 패턴을 형성할 수 있는 방법이라면, 반드시 마이크로 컨택 프린팅 방법에 제한되지 않는다.A method of forming a pattern of a charged material may be, for example, a micro contact printing method. However, if it is a method capable of forming a pattern of a charged material on the surface of a gallium nitride semiconductor, It is not limited to the microcontact printing method.
마이크로 컨택 프린팅은 주기적이고 규칙적인 나노 구조물 패턴이 형성된 하드 몰드에 유연성을 갖는 PDMS와 같은 고분자계 물질을 도포한 후 경화시켜 규칙적인 패턴이 전사된 소프트 몰드를 통해 수행될 수 있다.The microcontact printing can be performed through a soft mold in which a regular pattern is transferred by applying a polymer material such as PDMS having flexibility to a hard mold in which periodic and regular nanostructure patterns are formed, followed by curing.
주기적이고 규칙적인 나노 구조물 패턴을 갖는 하드 몰드는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 알루미늄 애노다이즈드 산화물(Aluminum Anodized Oxide, AAO), 레이저 인터피어런스 리소그래피(Laser interference lithography, LIL), 콜로이달 리소그래피(colloidal lithography), 메탈 어시스티드 Si 에칭(metal assisted Si etching)과 같은 방법을 통해 얻을 수 있다.A hard mold having a periodic and regular nanostructure pattern can be formed by using an aluminum anodized oxide (AAO), a laser interference lithography (LIL), a colloidal lithography such as colloidal lithography, metal assisted Si etching, or the like.
상기 하드 몰드의 나노 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 예를 들어 나노 구조의 너비가 100nm~10㎛, 높이가 100nm~10㎛인 구조물이 바람직하게 사용될 수 있다.The nanostructure of the hard mold may be variously formed. For example, the nanostructure may have a width of 100 nm to 10 μm and a height of 100 nm to 10 μm.
도 3과 같이 규칙적이고 주기적인 마이크로 또는 나노 구조를 갖는 하드 몰드에 PDMS와 같은 폴리머 계열의 물질을 도포한 후 경화하는 방법으로 소프트 몰드를 얻을 수 있다.As shown in FIG. 3, a soft mold can be obtained by applying a polymer-based material such as PDMS to a hard mold having a regular and periodic micro or nano structure, followed by curing.
이와 같이 얻어진 소프트 몰드에 프린팅하고자 하는 물질(예를 들어 자기조립 단분자막)에 침지시킨 후 빼는 방법으로 프린팅하고자 하는 물질이 규칙적이고 주기적인 구조물의 표면에 도포된 상태를 얻을 수 있다. 프린팅하는 물질을 몰드에 도포시키는 방법은 전술한 침지 방법외에 스프레이 방법과 같은 다른 방법이 사용될 수도 있다.By immersing the obtained soft mold in a material to be printed (for example, a self-assembled monolayer) and removing the soft mold, the material to be printed is regularly and periodically coated on the surface of the structure. As a method of applying the printing material to the mold, other methods such as a spray method may be used in addition to the above-described immersion method.
상기 광화학적 에칭법은 OH- 이온을 포함한 수용액을 사용하여 이루어진다. 상기 수용액은 바람직하게 KOH, NaOH, 또는 H2O2를 포함할 수 있다.The photochemical etching method is performed using an aqueous solution containing OH - ions. The aqueous solution may preferably include KOH, NaOH, or H 2 O 2.
또한, 상기 수용액에 포함되는 KOH 또는 NaOH의 농도는 1M~24M인 것이 바람직한데, 농도가 1M 미만일 경우 나노구조를 형성하는데 장시간이 걸리고, 24M 초과일 경우 용액 내부에 생성되는 다량의 기포에 의해 표면 반응이 방해를 받기 때문이다.The concentration of KOH or NaOH contained in the aqueous solution is preferably 1M to 24M. When the concentration is less than 1M, it takes a long time to form the nanostructure. When the concentration exceeds 24M, This is because the reaction is disturbed.
상기 광화학적 에칭은 자외선을 사용하며, 이때 사용된 자외선의 파장은 400nm 이하일 수 있다. 또한, 상기 광화학적 에칭 시간은 1분 ~ 30분일 수 있다.The photochemical etching uses ultraviolet rays, and the wavelength of ultraviolet rays used may be 400 nm or less. The photochemical etching time may be 1 minute to 30 minutes.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 나노 구조의 형성방법에 대한 공정도를 나타낸 것이다.4 is a process diagram of a method of forming a nanostructure according to an embodiment of the present invention.
도 4a에 도시된 바와 같이, 먼저 규칙적이고 주기적인 나노 구조가 형성된 하드 몰드에 연화된 PDMS를 대고 상기 나노 구조가 전사된 소프트 컨택 몰드를 만든다.As shown in FIG. 4A, a soft contact mold having the nano structure transferred thereon is fabricated by PDMS softened in a hard mold having regular periodic nanostructures.
이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 소프트 컨택 몰드에 양전하 또는 음전하를 띠는 자기조립 단분자막을 코팅한다.Subsequently, as shown in FIG. 4B, the soft contact mold is coated with a self-assembled monolayer having a positive charge or a negative charge.
그리고, 도 4c에 도시된 바와 같이, 양전하 또는 음전하를 띠는 자기조립 단분자막 물질을 GaN 표면에 프린팅하여, GaN 표면에 자기조립 단분자막으로 이루어진 패턴이 형성된다. 상기 패턴은 자기조립 단분자막이 도포된 부분과 그렇지 않은 부분을 포함하여 이루어진다.Then, as shown in FIG. 4C, a self-assembled monolayer material having a positive charge or a negative charge is printed on the GaN surface to form a pattern of self-assembled monolayer on the GaN surface. The pattern includes a portion coated with a self-assembled monolayer film and a portion not coated with the self-assembled monolayer film.
도 4d는 양전하 또는 음전하를 띠는 자기조립 단분자막의 패턴이 형성된 GaN을 OH- 이온을 포함하는 KOH 수용액에 침지시킨 후 자외선을 조사하는 광화학적 에칭 과정을 나타낸 것이다. FIG. 4d shows a photochemical etching process in which ultraviolet light is irradiated after immersing GaN in which a pattern of a self-assembled monolayer having a positive or negative charge is formed in an aqueous KOH solution containing OH- ions.
도 4d에 나타난 바와 같이, 음전하를 띠는 자기조립 단분자막이 도포될 경우, 음전하는 수용액에 포함된 OH- 이온에 대해 척력을 부여하여 자기조립 단분자막이 도포된 부분은 광화학적 에칭이 거의 이루어지지 않고, 자기조립 단분자막이 도포되지 않은 부분은 광화학적 에칭이 활발하게 이루어지기 때문에, 도 4e에 도시된 것과 같은 주기적이고 규칙적인 콘(cone) 형상이 만들어진다.As shown in FIG. 4 (d), when a self-assembled monolayer having a negative charge is applied, the negative charge imparts a repulsive force to the OH- ions included in the aqueous solution so that the portion where the self- assembled monolayer is coated is not photochemically etched , And the portion where the self-assembled monolayer film is not applied is photochemically etched, so that a periodic and regular cone shape as shown in FIG. 4E is produced.
또한, 양전하를 띠는 자기조립 단분자막이 도포될 경우, 양전하는 수용액에 포함된 OH- 이온에 대해 인력을 부여하여 자기조립 단분자막이 도포된 부분은 광화학적 에칭이 활발하게 이루어지고, 자기조립 단분자막이 도포되지 않은 부분은 광화학적 에칭이 거의 이루어지기 때문에, 도 4e에 도시된 것과 같은 주기적이고 규칙적인 콘(cone) 형상이 만들어진다.
In addition, when a positively charged self-assembled monolayer film is applied, a positive charge imparts attraction to OH - ions contained in the aqueous solution, and a portion where the self-assembled monolayer film is applied is actively photochemically etched, Since the uncoated portion is mostly photochemical etched, a periodic and regular cone shape as shown in FIG. 4E is made.
Claims (14)
상기 전하를 띤 물질의 패턴이 형성된 질화갈륨계 반도체 표면을 광화학적 에칭법을 사용하여 에칭하는 단계를 포함하되,
상기 전하를 띤 물질은 자기조립 단분자막을 포함하는 나노 구조의 형성방법.A step of forming a pattern of a substance charged on the surface of the gallium nitride semiconductor,
Etching the gallium nitride semiconductor surface on which the pattern of the charged material is formed by using a photochemical etching method,
Wherein the charged material comprises a self-assembled monolayer.
상기 질화갈륨계 반도체는, GaN, InGaN, 또는 AlGaN을 포함하는 나노 구조의 형성방법.The method according to claim 1,
Wherein the gallium nitride-based semiconductor includes GaN, InGaN, or AlGaN.
상기 전하를 띤 물질의 패턴은 마이크로 컨택 프린팅 방법에 의해 형성되는 나노 구조의 형성방법.The method according to claim 1,
Wherein the pattern of the charged material is formed by a microcontact printing method.
상기 마이크로 컨택 프린팅용 몰드는, 알루미늄 애노다이즈드 산화물(Aluminum Anodized Oxide, AAO), 레이저 인터피어런스 리소그래피(Laser interference lithography, LIL), 콜로이달 리소그래피(colloidal lithography), 또는 금속 어시스티드 Si 에칭(metal assisted Si etching)에 의해 제조된 규칙적이고 주기적인 패턴을 가지는 하드 몰드와, 이 하드 몰드를 이용하여 제조된 소프트 몰드를 사용하는 나노 구조의 형성방법.5. The method of claim 4,
The mold for microcontact printing may be formed using an aluminum anodized oxide (AAO), a laser interference lithography (LIL), a colloidal lithography, or a metal assisted Si etching metal assisted Si etching), and a method of forming a nanostructure using the soft mold manufactured using the hard mold.
상기 하드 몰드의 나노 구조는, 너비 100nm~10㎛, 높이 100nm~10㎛인 나노 구조의 형성방법.6. The method of claim 5,
Wherein the nanostructure of the hard mold has a width of 100 nm to 10 탆 and a height of 100 nm to 10 탆.
상기 소프트 몰드는 PDMS(polydimethylsiloxane)로 이루어지는 나노 구조의 형성방법.6. The method of claim 5,
Wherein the soft mold is made of PDMS (polydimethylsiloxane).
상기 자기조립 단분자막 물질은 NH2 작용기를 포함하는 양전하를 띠는 물질로 이루어진 나노 구조의 형성방법.The method according to claim 1,
Wherein the self-assembled monolayer material comprises a positively charged material comprising an NH 2 functional group.
상기 자기조립 단분자막 물질은 COOH 작용기를 갖는 음전하를 띠는 물질로 이루어진 나노 구조의 형성방법.The method according to claim 1,
Wherein the self-assembled monolayer material comprises a negatively charged material having a COOH functional group.
상기 광화학적 에칭법은 OH- 이온을 포함한 수용액을 사용하는 나노 구조의 형성방법.The method according to claim 1,
The photochemical etching method uses an aqueous solution containing OH - ions to form a nanostructure.
상기 수용액은 KOH, NaOH, 또는 H2O2를 포함하는 나노 구조의 형성방법.11. The method of claim 10,
Wherein the aqueous solution comprises KOH, NaOH, or H 2 O 2 .
상기 수용액에 포함되는 KOH 또는 NaOH의 농도는 1M~24M인 나노 구조의 형성방법.12. The method of claim 11,
Wherein the concentration of KOH or NaOH contained in the aqueous solution is 1M to 24M.
상기 광화학적 에칭은 자외선을 사용하며, 사용된 자외선의 파장은 400nm 이하인 나노 구조의 형성방법.The method according to claim 1,
Wherein the photochemical etching uses ultraviolet light and the wavelength of ultraviolet light used is 400 nm or less.
상기 광화학적 에칭 시간은 1분 ~ 30분인 나노 구조의 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the photochemical etching time is from 1 minute to 30 minutes.
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