KR101655210B1 - The susceptor having an improved temperature uniformity of the substrate - Google Patents

The susceptor having an improved temperature uniformity of the substrate Download PDF

Info

Publication number
KR101655210B1
KR101655210B1 KR1020150032623A KR20150032623A KR101655210B1 KR 101655210 B1 KR101655210 B1 KR 101655210B1 KR 1020150032623 A KR1020150032623 A KR 1020150032623A KR 20150032623 A KR20150032623 A KR 20150032623A KR 101655210 B1 KR101655210 B1 KR 101655210B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heater
center
groove
main
main heater
Prior art date
Application number
KR1020150032623A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박상명
심국보
Original Assignee
(주)위지트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)위지트 filed Critical (주)위지트
Priority to KR1020150032623A priority Critical patent/KR101655210B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101655210B1 publication Critical patent/KR101655210B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

The present invention relates to a susceptor having an improved temperature uniformity of a substrate, which comprises a main heater installed on a bottom surface of a platy moving structure and having a center heater on a center space of a bottom surface formed by focusing into the center of the bottom surface, thereby heating the entire platy moving structure uniformly.

Description

기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터{The susceptor having an improved temperature uniformity of the substrate}[0001] The present invention relates to a susceptor having an improved temperature uniformity of a substrate,

본 발명은 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터에 관한 것으로서, 판상동체 저면에 설치된 주히터가 저면 중앙측으로 집속되며 형성된 저면 중앙 공간에 센터히터를 구비함으로써 판상동체 전체가 고르게 가열되는 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터에 관한 것이다.The present invention relates to a susceptor having improved temperature uniformity of a substrate, and more particularly, to a susceptor in which temperature uniformity of a substrate heated uniformly over the entire plate-like body by providing a center heater in a bottom- The present invention relates to a susceptor having improved reliability.

도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 플라즈마 화학기상 증착장비는 반응챔버(11)와 챔버덮개(12)에 의해 외부와 차단된 반응공간이 형성된다.As shown in FIG. 1, a reaction chamber 11 and a chamber lid 12 form a reaction space which is shielded from the outside in a general plasma chemical vapor deposition apparatus.

상기 반응공간 내에는 이송수단(7)에 의해 상하 이송이 가능하고 전기적으로 접지되는 서셉터(6)가 설치된다. 이때, 증착이 수행될 기판(5)은 상기 서셉터(6) 상부에 안착되며, 상기 서셉터(6)의 내부에는 상기 기판(5)을 가열시키기 위한 가열수단이 장착된다.In the reaction space, a susceptor 6 which is vertically transferable and electrically grounded by the transfer means 7 is provided. At this time, the substrate 5 to be deposited is placed on the susceptor 6, and a heating means for heating the substrate 5 is mounted in the susceptor 6.

기체 주입관(2)에 의해 플라즈마 전극(3)으로 주입된 기체는 상기 분사구멍(3a)을 통하여 반응 공간으로 분사되며, 상기 반응 공간으로 분사된 기체는 기체 배기관을 통하여 배기된다.The gas injected into the plasma electrode 3 by the gas injection tube 2 is injected into the reaction space through the injection hole 3a and the gas injected into the reaction space is exhausted through the gas exhaust pipe.

플라즈마 화학 기상 증착 챔버는 상기 서셉터(6)와 상기 플라즈마 전극(3)에 의하여 고주파 전원부(1)에서 높은 에너지 파워가 인가되어 주입되는 가스를 플라즈마 상태로 만들어 상기 기판(5) 상에 증착막을 형성한다.In the plasma chemical vapor deposition chamber, high-energy power is applied from the high-frequency power supply unit 1 by the susceptor 6 and the plasma electrode 3 to bring the gas to be injected into a plasma state to form a vapor deposition film on the substrate 5 .

이때, 상기 서셉터(6) 상에 기판(5)이 로딩되면 챔버내의 압력은 형성될 증착막이 요구하는 압력으로 조절하고, 함께 상기 서셉터(6)에 설치되어 있는 가열수단에 전원을 인가하여 상기 기판(5)을 증착막 성장을 위한 온도로 가열시켜준다.At this time, when the substrate 5 is loaded on the susceptor 6, the pressure in the chamber is adjusted to the pressure required by the deposition film to be formed, and power is applied to the heating means provided in the susceptor 6 Thereby heating the substrate 5 to a temperature for vapor deposition.

상기 플라즈마 전극(3)에 인가되는 높은 파워의 전압은 PECVD 챔버(10)내 기체 주입관(2)을 통하여 주입된 증착될 절연 가스들이 높은 전계에 의하여 플라즈마 상태로 변화되면서, 가열된 상기 서셉터(6) 상의 기판(5)에 증착되어 일정한 두께로 성장하게 된다.The high power voltage applied to the plasma electrode 3 is converted into a plasma state by the high electric field of the insulating gases to be deposited injected through the gas injection tube 2 in the PECVD chamber 10, Is deposited on the substrate (5) on the substrate (6) and grown to a constant thickness.

도 2에 도시된 바와 같이, 일반적으로 서셉터(6)의 판상동체(61)와, 샤프트 상부구조물(71) 및 샤프트(7)는 알루미늄으로 제작된다. 판상동체(61)의 저면에 최적한 발열패턴을 얻기 위하여 설계된 홈(63)이 형성되고 이에 시즈히터의 형태인 히터(65)가 배치된다. 상기 히터(65)의 인출부는 샤프트 상부구조물(71)과 샤프트(7)의 내부공간을 통하여 외부로 연장된다.As shown in Fig. 2, the plate-like body 61 of the susceptor 6, the shaft upper structure 71 and the shaft 7 are generally made of aluminum. A groove 63 designed to obtain an optimal heating pattern is formed on the bottom surface of the plate-like body 61, and a heater 65 in the form of a sheath heater is disposed. The outflow portion of the heater 65 extends outward through the inner space of the shaft upper structure 71 and the shaft 7.

또한, 상기 판상동체(61)의 홈(63)에 매설되어 배치되는 히터(65)는 히터밀봉캡과 용접캡이 결합되어 밀봉된다. 그리고, 판상동체(61)의 저면 중앙측으로 집속되는 히터(65)의 인출부는 판상동체(61)의 저면 중앙에 고정 결합된 샤프트 상부구조물(71)의 내부에 일체로 구성된 플레이트의 인출공을 통하여 샤프트 상부구조물(71)에 연장하여 결합된 샤프트(7)의 내부를 통하여 연장된다.The heater 65, which is embedded in the grooves 63 of the plate-like body 61, is sealed by being coupled with the heater sealing cap and the welding cap. The lead portion of the heater 65 which is converged toward the center of the bottom surface of the plate-like body 61 is connected to the plate-like body 61 via a through hole of a plate integrally formed in the shaft- And extends through the interior of the shaft 7 extending and engaged to the shaft superstructure 71.

그러나 종래의 서셉터(6)는 히터가 수렴되는 중앙측에는 열전달이 균일하게 일어나지 않아 주위보다 온도가 낮은 문제점이 있었다. 또한, 중심부까지 열전달을 하기위해 히터의 온도를 높이면 히터의 조기 단선이 일어나게 되는 문제점이 있었다.However, the conventional susceptor 6 has a problem that the heat transfer is not uniformly generated at the central side where the heater is converged, and the temperature is lower than the ambient temperature. Further, if the temperature of the heater is increased in order to transfer the heat to the center, there is a problem that the heater breaks prematurely.

대한민국 등록특허공보 제10-1362095호(2014.02.06)Korean Registered Patent No. 10-1362095 (Feb.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 판상동체 중심에 센터히터를 구비하여 판상동체 전체가 고르게 가열되는 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터를 제공하는데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a susceptor having a central heater at the center of a plate-like body,

본 발명의 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터는 판상 동체와, 히터와, 샤프트로 이루어지며;The susceptor with improved temperature uniformity of the substrate of the present invention comprises a plate-like body, a heater, and a shaft;

상기 판상 동체는 저면에 홈이 형성되며; 상기 홈은 주히터 매설홈과, 센터홈으로 이루어지며;Wherein the plate-shaped body has a groove formed on a bottom surface thereof; Wherein the groove comprises a main heater buried groove and a center groove;

상기 주히터 매설홈은 하나 이상 형성되며, 패턴으로 형성되며, 양단부는 상기 센터홈의 측면에 연결되도록 형성되며;At least one main heater embedded groove is formed and formed in a pattern, both ends of the main heater embedded groove are formed to be connected to a side surface of the center groove;

상기 센터홈은 저면 중앙에 형성되며, 상기 주히터 매설홈의 양단이 연결되어 형성되며;The center groove is formed at the center of the bottom surface and both ends of the main heater embedded groove are connected to each other;

상기 히터는 복수로 구비되며, 상기 판상 동체의 저면에 형성된 상기 홈에 구비되며; 상기 히터는 하나 이상의 주히터와 센터히터로 이루어지며;The plurality of heaters are provided in the grooves formed on the bottom surface of the plate-like body; Wherein the heater comprises at least one main heater and a center heater;

상기 주히터는 상기 주히터 매설홈에 구비되며, 상기 주히터의 양측은 상기 센터홈으로 연장되며 상기 센터홈에서 절곡 연장되며;The main heater is provided in the main heater buried groove, both sides of the main heater extend to the center groove and extend in the center groove,

상기 센터히터는 상기 센터홈에 구비되며;The center heater is provided in the center groove;

상기 샤프트는 양측이 개구된 중공체로 구비되며, 상기 판상 동체 하부에 구비되며, 상기 센터히터가 형성된 위치에 구비되며, 내측에는 히터의 연장부가 관통 구비되며;The shaft is provided at a lower portion of the hollow body and is provided at a lower portion of the plate-like body and is provided at a position where the center heater is formed.

상기 센터히터는 상기 주히터의 절곡부의 내측 사이에 위치하여 구비되는 것을 특징으로 하는 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터를 제공한다.And the center heater is disposed between the inner sides of the bent portions of the main heater.

상기에서, 상기 센터히터는 원호부와, 굴곡부와, 센터히터 연장부로 이루어지며;In the above, the center heater is composed of an arc portion, a bent portion, and a center heater extension portion;

상기 원호부는 상기 센터홈의 측면으로부터 내향 이격되어 구비되며;Wherein the arc portion is provided to be inwardly spaced from the side surface of the center groove;

상기 굴곡부는 상기 원호부의 양단부에 연결되며, 상기 원호부의 내측을 향하여 절곡 형성되며;Wherein the bent portion is connected to both ends of the arcuate portion and is bent toward the inside of the arcuate portion;

상기 센터히터 연장부는 상기 굴곡부의 단부에 연결되며, 상기 굴곡부의 단부로부터 하향 절곡되어 형성되는 것을 특징으로 한다.The center heater extension part is connected to an end of the bent part and is bent downward from an end of the bent part.

상기에서, 상기 센터홈은 상기 주히터 매설홈보다 깊게 형성되는 것을 특징으로 한다.The center grooves are formed deeper than the main heater embedded grooves.

상기에서, 상기 주히터의 양단부는 절곡되어 절곡부가 형성되며, 상기 절곡부는 상기 센터홈으로부터 반경 방향으로 내향 돌출되며, 상기 센터히터는 상기 절곡부보다 반경 방향 내향 이격되어 구비되는 것을 특징으로 한다.At this time, both ends of the main heater are bent to form a bent portion. The bent portion protrudes inward in the radial direction from the center groove, and the center heater is radially inwardly spaced from the bent portion.

상기에서, 상기 주히터의 절곡부는 상기 센터홈으로부터 반경 방향으로 내향 돌출되며, 상기 센터히터의 원호부 또는 굴곡부가 교차되어 구비되며;The bent portion of the main heater projects radially inwardly from the center groove, and the arc portion or the bent portion of the center heater intersects the center portion.

상기 센터히터는 상기 주히터보다 상향 이격되어 구비되는 것을 특징으로 한다.And the center heater is spaced upward from the main heater.

본 발명에 따른 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터는 센터히터가 구비됨으로써 판상 동체의 중심부가 가열되고, 별도로 온도를 조절하여 중심부의 온도 조절이 가능하여 판상 동체 전체가 고르가 가열되어 기판에 증착막이 일정한 두께로 형성되는 효과가 있다.The susceptor having improved temperature uniformity of the substrate according to the present invention has a center heater to heat the central portion of the plate-like body, and the temperature of the central portion can be adjusted by adjusting the temperature separately, Is formed to have a constant thickness.

도 1은 일반적으로 사용되는 플라즈마 화학기상 증착장비의 구성을 개략적으로 도시한 도면이며,
도 2는 종래의 서셉터의 구성을 개략적으로 도시한 사시도이고,
도 3은 본 발명에 따른 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터의 구성을 개략적으로 도시한 사시도이며,
도 4는 본 발명에 따른 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터의 센터히터를 확대 도시한 사시도이고,
도 5는 본 발명에 따른 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터 하부의 중심부를 확대 도시한 도면이며,
도 6은 도 5의 A부의 단면을 도시한 단면도이고,
도 7은 본 발명에 따른 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터의 변형으로 서셉터 하부의 중심부를 확대 도시한 도면이며,
도 8은 도 7의 B부의 단면을 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of a generally used plasma chemical vapor deposition apparatus,
2 is a perspective view schematically showing the structure of a conventional susceptor,
3 is a perspective view schematically showing the structure of a susceptor with improved temperature uniformity of a substrate according to the present invention,
4 is an enlarged perspective view of a center heater of a susceptor with improved temperature uniformity of a substrate according to the present invention,
5 is an enlarged view of a center portion of the lower portion of the susceptor in which the temperature uniformity of the substrate according to the present invention is improved,
Fig. 6 is a cross-sectional view showing the section A of Fig. 5,
7 is an enlarged view of a central portion of the lower portion of the susceptor as a modification of the susceptor with improved temperature uniformity of the substrate according to the present invention,
8 is a cross-sectional view showing a cross section taken along the line B of Fig.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 서셉터를 상세하게 설명한다.Hereinafter, a susceptor according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터의 구성을 개략적으로 도시한 사시도이며, 도 4는 본 발명에 따른 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터의 센터히터를 확대 도시한 사시도이고, 도 5는 본 발명에 따른 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터 하부의 중심부를 확대 도시한 도면이며, 도 6은 도 5의 A부의 단면을 도시한 단면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터의 변형으로 서셉터 하부의 중심부를 확대 도시한 도면이며, 도 8은 도 7의 B부의 단면을 도시한 단면도이다.
FIG. 3 is a perspective view schematically showing a structure of a susceptor with improved temperature uniformity of a substrate according to the present invention, FIG. 4 is a perspective view showing an enlarged view of a center heater of a susceptor having improved temperature uniformity of a substrate according to the present invention, And FIG. 5 is an enlarged view of a center portion of the lower portion of the susceptor with improved temperature uniformity of the substrate according to the present invention. FIG. 6 is a cross- FIG. 8 is an enlarged view of a central portion of the susceptor due to deformation of the susceptor with improved temperature uniformity of the substrate, and FIG. 8 is a sectional view showing a cross section of portion B of FIG.

이하의 설명에서 도 3에서 세로 방향을 "길이 방향"으로 하고, 샤프트(150)에서 판상동체(110)로의 방향을 "상향"이라 하고, 그 반대 방향을 "하향"으로 한다. 도 3은 시각적인 편의를 위하여 상기 판상동체(110)의 저면이 상부를 향하도록 도시하였다.
3, the longitudinal direction is referred to as "longitudinal direction", the direction from the shaft 150 to the plate-shaped body 110 is referred to as "upward", and the opposite direction is referred to as "downward". FIG. 3 shows the bottom side of the plate-shaped body 110 facing upward for visual convenience.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터(100)는 판상동체(110)와, 히터(130)와, 샤프트(150)로 이루어진다.3, the susceptor 100 having improved temperature uniformity of a substrate according to the present invention includes a plate-shaped body 110, a heater 130, and a shaft 150.

상기 판상동체(110)는 판상으로 형성된다. 상기 판상동체(110)는 저면에 홈이 형성된다. 상기 홈은 열 전달이 효율적인 패턴으로 형성된다. 상기 홈은 히터(130)가 구비된 후 히터밀봉캡으로 봉인된다. 상기 판상동체(110)에는 주히터 매설홈(111)과, 센터홈(113)이 형성되고, 히터밀봉캡이 구비된다.The plate-shaped body 110 is formed in a plate shape. The plate-shaped body 110 has grooves formed on the bottom surface thereof. The grooves are formed in an efficient heat transfer pattern. The groove is sealed with a heater sealing cap after the heater 130 is provided. The plate-shaped body 110 has a main heater embedded groove 111 and a center groove 113, and a heater sealing cap is provided.

상기 주히터 매설홈(111)은 하나 이상 형성된다. 상기 주히터 매설홈(111)은 곡선 및 직선 형태로 형성된다. 상기 주히터 매설홈(111)은 열 전달이 균일하게 일어나는 패턴으로 형성된다. 상기 주히터 매설홈(111)은 저면에 형성된다. 상기 주히터 매설홈(111)의 양단부는 상기 센터홈(113)의 측면과 연결되도록 형성된다. 상기 주히터 매설홈(111)의 내측에는 주히터(131)가 구비된다.At least one main heater embedded groove 111 is formed. The main heater embedded grooves 111 are formed in a curved and straight line shape. The main heater embedded grooves 111 are formed in a pattern in which heat transfer occurs uniformly. The main heater embedded grooves 111 are formed on the bottom surface. Both ends of the main heater embedded groove 111 are formed to be connected to the side surface of the center groove 113. A main heater 131 is provided inside the main heater embedded groove 111.

상기 센터홈(113)은 저면 중앙에 형성된다. 상기 센터홈(113)은 원 형상으로 형성된다. 상기 센터홈(113)은 주히터 매설홈(111)의 양단이 연결되어 형성된다. 상기 센터홈(113)은 내측에 센터히터(133)가 구비된다. 상기 센터홈(113)에는 주히터(131)의 절곡부(1311)가 위치된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 센터홈(113)은 주히터 매설홈(111)보다 깊게 형성될 수도 있다. 상기 센터홈(113)이 형성된 위치의 하부에는 상기 샤프트(150)가 구비된다.The center groove 113 is formed at the center of the bottom surface. The center groove 113 is formed in a circular shape. The center groove 113 is formed by connecting both ends of the main heater embedded groove 111. The center groove 113 is provided with a center heater 133 inside. The bent portion 1311 of the main heater 131 is positioned in the center groove 113. As shown in FIG. 6, the center groove 113 may be formed deeper than the main heater embedded groove 111. The shaft 150 is provided below the center groove 113.

상기 히터밀봉캡은 상기 주히터 매설홈(111)에 구비된다. 상기 히터밀봉캡은 상기 주히터 매설홈(111)에 주히터(131)를 구비한 후 설치된다. 상기 히터밀봉캡은 상기 주히터(131)가 구비된 홈을 용접 등의 방법으로 밀봉한다.
The heater sealing cap is provided in the main heater embedded groove 111. The heater sealing cap is installed after the main heater 131 is provided in the main heater embedded groove 111. The heater sealing cap seals the groove provided with the main heater 131 by welding or the like.

상기 히터(130)는 복수로 구비된다. 상기 히터(130)는 시즈히터 형태로 구비된다. 상기 시즈히터는 금속보호관의 중심에 열선을 삽입시킨 후 보호관과 열선 사이에 마그네시아라고 하는 산화마그네슘의 절연분말을 충진하여 열선과 보호관 사이를 절연시킨 구조의 히터이다. 상기 히터(130)는 곡선 및 직선 형태로 형성된다. 상기 히터(130)의 양단은 절곡되어 연장 형성된다. 상기 히터(130)는 상기 판상동체(110) 저면에 형성된 홈에 구비된다. 상기 히터(130)는 주히터(131)와, 센터히터(133)로 이루어진다.The plurality of heaters 130 are provided. The heater 130 is provided in the form of a sheath heater. The sheath heater is a heater having a structure in which a heating wire is inserted into the center of a metal protection tube, and an insulating powder of magnesium oxide called magnesia is filled between the protection tube and the heating wire to insulate the heating wire from the protection tube. The heater 130 is formed in a curved and straight line shape. Both ends of the heater 130 are bent and extended. The heater 130 is provided in a groove formed in the bottom surface of the plate-shaped body 110. The heater 130 includes a main heater 131 and a center heater 133.

도 5내지 도8에 도시된 바와 같이, 상기 주히터(131)는 하나 이상 구비된다. 상기 주히터(131)는 주히터 매설홈(111)에 구비된다. 상기 주히터(131)는 시즈히터 형태로 형성된다. 상기 주히터(131)는 상기 주히터 매설홈(131)에 구비되어 상기 히터밀봉캡으로 밀봉되어 구비된다. 상기 주히터(131)의 양측은 상기 센터홈(113)을 향하여 연장된다. 상기 주히터(131)는 상기 주히터 매설홈(111)의 단부로부터 돌출되어 구비된다. 상기 주히터(131)의 양측은 절곡되어 연장된다. 상기 주히터(131)의 양측은 절곡부(1311)와, 주히터 연장부(1313)로 이루어진다.As shown in FIGS. 5 to 8, at least one main heater 131 is provided. The main heater 131 is provided in the main heater embedded groove 111. The main heater 131 is formed in a sieve heater shape. The main heater 131 is provided in the main heater embedded groove 131 and is sealed by the heater sealing cap. Both sides of the main heater 131 extend toward the center groove 113. The main heater 131 protrudes from the end of the main heater embedded groove 111. Both sides of the main heater 131 are bent and extended. Both sides of the main heater 131 include a bent portion 1311 and a main heater extension portion 1313.

상기 절곡부(1311)는 상기 센터홈(113)에 위치된다. 상기 절곡부(1311)는 상기 센터홈(113)에서 절곡되어 형성된다. 상기 절곡부(1311)는 상기 센터홈(113)으로부터 반경 방향으로 내향 돌출된다. 상기 절곡부(1311)의 일측은 상기 주히터 연장부(1313)와 연결된다. 상기 센터홈(113)에서 복수의 절곡부(1311)로 형성된 내측 사이에는 상기 센터히터(133)가 구비된다. 상기 절곡부(1311)는 상기 센터히터(133)가 구비된 위치에서 하향 이격되어 구비될 수도 있다. 상기 절곡부(1311)는 상기 센터히터(133)의 원호부(1331) 또는 굴곡부(1333)와 교차되어 구비될 수도 있다. The bent portion 1311 is located in the center groove 113. The bent portion 1311 is formed by bending in the center groove 113. The bent portion 1311 protrudes inward in the radial direction from the center groove 113. One side of the bent portion 1311 is connected to the main heater extension portion 1313. The center heater 133 is provided between the inside of the center groove 113 formed by the plurality of bent portions 1311. The bent portion 1311 may be spaced downwardly from the center heater 133. The bent portion 1311 may be provided to intersect the arc portion 1331 or the bent portion 1333 of the center heater 133. [

상기 주히터 연장부(1313)는 길이 방향으로 하향 연장되어 형성된다. 상기 주히터 연장부(1313)는 상기 절곡부(1311)로부터 연장되어 형성된다. 상기 주히터 연장부(1313)는 상기 판상동체(110) 하부에 구비된 샤프트(150) 내측에 구비된다.
The main heater extension 1313 extends downward in the longitudinal direction. The main heater extension part 1313 extends from the bent part 1311. The main heater extension 1313 is provided inside the shaft 150 provided below the plate-shaped body 110.

상기 센터히터(133)는 상기 판상동체(110)의 저면에 형성된 홈에 구비된다. 상기 센터히터(133)는 상기 센터홈(113)에 구비된다. 상기 센터히터(133)는 상기 주히터(131)의 절곡부(1311)의 내측 사이에 구비된다. 상기 센터히터(133)는 상기 절곡부(1311)보다 반경 방향 내향 이격되어 구비된다. 상기 센터히터(133)는 상기 절곡부(1311)보다 상향 이격되어 구비된다. 상기 센터히터(133)는 상기 절곡부(1311)와 교차되어 구비될 수도 있다.The center heater 133 is provided in a groove formed in the bottom surface of the plate-shaped body 110. The center heater 133 is provided in the center groove 113. The center heater 133 is provided between the inside of the bent portion 1311 of the main heater 131. The center heater 133 is radially inwardly spaced from the bent portion 1311. The center heater 133 is spaced upward from the bending portion 1311. The center heater 133 may be provided so as to intersect with the bent portion 1311.

상기 센터히터(133)가 구비된 위치에서 하향 이격되어 상기 샤프트(150)가 구비된다. 상기 센터히터(133)의 연장부는 상기 샤프트(150) 내측에 구비된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 센터히터(133)는 원호부(1331)와, 굴곡부(1333)와, 센터히터 연장부(1335)로 형성된다.The shaft 150 is spaced downwardly from the center heater 133. The extension of the center heater 133 is provided inside the shaft 150. 4, the center heater 133 is formed of a circular arc portion 1331, a bent portion 1333, and a center heater extension portion 1335.

상기 원호부(1331)는 상기 센터홈(113)의 측면으로부터 내향 이격되어 구비된다. 상기 원호부(1331)는 상기 절곡부(1311)로부터 반경 방향 내향 이격되어 구비된다. 상기 원호부(1331)는 상기 절곡부(1311)로부터 상향 이격되어 구비될 수도 있다. 상기 원호부(1331)는 상기 절곡부(1311)가 교차되어 구비될 수 있다. 상기 원호부(1331)는 180°∼360°범위로 형성된다. 상기 원호부(1331)의 양단은 절곡되어 형성된다.The circular arc portion 1331 is provided inwardly spaced from the side surface of the center groove 113. The arcuate portion 1331 is radially inwardly spaced from the bent portion 1311. The arcuate portion 1331 may be spaced upward from the bent portion 1311. The arcuate portion 1331 may be provided so as to intersect the bent portion 1311. The circular arc portion 1331 is formed in a range of 180 ° to 360 °. Both ends of the circular arc portion 1331 are formed by bending.

상기 굴곡부(1333)는 상기 원호부(1331)의 양단에 형성된다. 상기 굴곡부(1333)는 상기 원호부(1331)의 내측으로 절곡 형성된다. 상기 굴곡부(1333)는 상기 원호부(1331)의 양단으로부터 절곡되어 상기 원호부(1331)의 내측으로 연장 형성된다. 상기 원호부(1331)의 내측으로 연장된 상기 굴곡부(1333)는 서로 나란하게 형성된다. 상기 굴곡부(1333)의 단부는 상기 원호부(1331)의 내측으로부터 이격되어 구비된다. 상기 굴곡부(1333)는 상기 절곡부(1311)로부터 상향 이격되어 구비될 수 있다. 상기 굴곡부(1331)는 상기 절곡부(1311)가 교차되어 구비될 수 있다. 상기 굴곡부(1331)의 단부는 절곡되어 형성된다.The bent portion 1333 is formed at both ends of the circular arc portion 1331. The bent portion 1333 is formed to bend inward of the circular arc portion 1331. The bending portion 1333 is bent from both ends of the circular arc portion 1331 and extends to the inside of the circular arc portion 1331. The bent portions 1333 extending inward of the circular arc portion 1331 are formed in parallel with each other. The end of the bent portion 1333 is spaced apart from the inside of the circular arc portion 1331. The bending part 1333 may be spaced upward from the bending part 1311. The bent portion 1331 may be provided so as to intersect the bent portion 1311. The end of the bent portion 1331 is formed by bending.

상기 센터히터 연장부(1335)는 상기 굴곡부(1331)로부터 절곡되어 형성된다. 상기 센터히터 연장부(1335)는 상기 굴곡부(1331)로부터 하향 절곡되어 형성된다. 상기 센터히터 연장부(1335)는 하향 절곡되어 길이 방향으로 하향하여 연장 형성된다. 상기 센터히터 연장부(1335)는 상기 판상동체(110)하부에 구비된 상기 샤프트(150) 내측에 구비된다.
The center heater extension 1335 is formed by bending from the bent portion 1331. The center heater extension 1335 is bent downward from the bent portion 1331. The center heater extension 1335 is downwardly bent and extends downward in the longitudinal direction. The center heater extension 1335 is provided inside the shaft 150 provided below the plate-shaped body 110.

상기 샤프트(150)는 양측이 개구된 중공체로 구비된다. 상기 샤프트(150)는 상기 판상동체(110) 하부에 구비된다. 상기 샤프트(150)는 상기 판상동체(110) 하부 중앙에 구비된다. 상기 샤프트(150)는 상기 센터홈(113) 하부에 구비된다. 상기 샤프트(150)의 상단은 반경 방향 외향 돌출되어 턱부가 형성된다. 상기 샤프트(150)의 내측에는 상기 주히터 연장부(1313)와 센터히터 연장부(1335)가 구비된다.
The shaft 150 is provided as a hollow body having both open sides. The shaft 150 is provided below the plate-shaped body 110. The shaft 150 is provided at the center of the lower portion of the plate-shaped body 110. The shaft 150 is provided under the center groove 113. The upper end of the shaft 150 protrudes radially outwardly to form a jaw portion. The main heater extension part 1313 and the center heater extension part 1335 are provided inside the shaft 150.

지금까지 본 발명에 따른 서셉터는 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당업자라면 누구든지 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the susceptor according to the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, it is to be understood that the present invention is merely illustrative and that various modifications and equivalents of other embodiments are possible for those skilled in the art. Accordingly, the scope of the true technical protection should be determined by the technical idea of the appended claims.

100 : 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터
110 : 판상 동체 111 : 주히터 매설홈
113 : 센터홈 115 : 히터 밀봉캡
130 : 히터 131 : 주히터
133 : 센터히터 150 : 샤프트100: susceptor with improved temperature uniformity of substrate
110: plate-shaped body 111: main heater embedded groove
113: center groove 115: heater sealing cap
130: heater 131: main heater
133: center heater 150: shaft

Claims (5)

삭제delete 하나 이상 형성되어 패턴으로 형성되고 양단부는 센터홈(113)의 측면에 연결되도록 형성되는 주히터 매설홈(111)과, 저면 중앙에 형성되어 상기 주히터 매설홈(111)의 양단이 연결되어 형성되는 센터홈(113)으로 이루어지는 홈이 저면에 형성되는 판상 동체(110)와;
상기 주히터 매설홈(111)에 구비되며 양측은 상기 센터홈(113)으로 연장되고 상기 센터홈(113)에서 절곡 연장되어 절곡부(1311)를 가지는 하나 이상의 주히터(131)와, 상기 센터홈(113)의 측면으로부터 내향 이격되어 구비되는 원호부(1331)와 상기 원호부(1331)의 양단부에 연결되어 상기 원호부(1331)의 내측을 향하여 절곡 형성되는 굴곡부(1333)와 상기 굴곡부(1333)의 단부에 연결되어 상기 굴곡부(1333)의 단부로부터 절곡되어 형성되는 센터히터 연장부(1335)로 이루어지고, 상기 센터홈(113)에 구비되어, 상기 주히터(131)의 절곡부(1311)의 내측 사이에 위치하여 구비되는 센터히터(133)로 이루어지는 히터(130)와;
양측이 개구된 중공체로 구비되고, 상기 판상 동체(110) 하부에 구비되며, 상기 센터히터(133)가 형성된 위치에 구비하여, 내측에는 히터(130)의 연장부가 관통 구비되는 샤프트(150)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터.A main heater embedded groove 111 formed at one or more than one end of the main heater 113 so as to be connected to the side surface of the center groove 113 and having both ends connected to both sides of the main heater embedded groove 111, A plate-like body 110 formed on a bottom surface of a groove made up of a center groove 113 which is formed in a bottom surface of the plate body 110;
One or more main heaters 131 provided on the main heater embedded grooves 111 and extending on both sides of the center grooves 113 and extending in the center grooves 113 and having bent portions 1311, A bending portion 1333 connected to both ends of the arcuate portion 1331 and bent toward the inside of the arcuate portion 1331 and a bending portion 1333 bending toward the inside of the arcuate portion 1331, And a center heater extension part 1335 which is connected to the end of the main heater 131 and is bent from the end of the bending part 1333. The center heater extension part 1335 is provided in the center groove 113, A heater 130 including a center heater 133 disposed between the inner sides of the heaters 1311;
A shaft 150 provided below the plate-shaped body 110 and provided at a position where the center heater 133 is formed and having an extension of the heater 130 inserted through the shaft, Wherein the temperature uniformity of the substrate is improved. 하나 이상 형성되어 패턴으로 형성되고 양단부는 센터홈(113)의 측면에 연결되도록 형성되는 주히터 매설홈(111)과, 저면 중앙에 형성되어 상기 주히터 매설홈(111)의 양단이 연결되며 상기 주히터 매설홈(111)보다 깊게 형성되는 센터홈(113)으로 이루어지는 홈이 저면에 형성된 판상 동체(110)와;
상기 주히터 매설홈(111)에 구비되며 양측은 상기 센터홈(113)으로 연장되고 상기 센터홈(113)에서 절곡 연장되어 절곡부(1311)를 가지는 하나 이상의 주히터(131)와, 상기 센터홈(113)의 측면으로부터 내향 이격되어 구비되는 원호부(1331)와 상기 원호부(1331)의 양단부에 연결되어 상기 원호부(1331)의 내측을 향하여 절곡 형성되는 굴곡부(1333)와 상기 굴곡부(1333)의 단부에 연결되어 상기 굴곡부(1333)의 단부로부터 절곡되어 형성되는 센터히터 연장부(1335)로 이루어지고, 상기 센터홈(113)에 구비되어, 상기 주히터(131)의 절곡부(1311)의 내측 사이에 위치하여 구비되는 센터히터(133)로 이루어지는 히터(130)와;
양측이 개구된 중공체로 구비되고, 상기 판상 동체(110) 하부에 구비되며, 상기 센터히터(133)가 형성된 위치에 구비하여, 내측에는 히터(130)의 연장부가 관통 구비되는 샤프트(150)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터.A main heater recessed groove 111 formed at one or more ends of the main heater 113 and formed in a pattern and having both ends connected to the side surface of the center groove 113, A plate-like body 110 formed on a bottom surface with a groove made of a center groove 113 formed deeper than the main heater embedded groove 111;
One or more main heaters 131 provided on the main heater embedded grooves 111 and extending on both sides of the center grooves 113 and extending in the center grooves 113 and having bent portions 1311, A bending portion 1333 connected to both ends of the arcuate portion 1331 and bent toward the inside of the arcuate portion 1331 and a bending portion 1333 bending toward the inside of the arcuate portion 1331, And a center heater extension part 1335 which is connected to the end of the main heater 131 and is bent from the end of the bending part 1333. The center heater extension part 1335 is provided in the center groove 113, A heater 130 including a center heater 133 disposed between the inner sides of the heaters 1311;
A shaft 150 provided below the plate-shaped body 110 and provided at a position where the center heater 133 is formed and having an extension of the heater 130 inserted through the shaft, Wherein the temperature uniformity of the substrate is improved. 제2 항 또는 제3 항에 있어서, 상기 주히터(131)의 양단부가 절곡되어 절곡부(1311)가 형성되며, 상기 절곡부(1311)는 상기 센터홈(113)으로부터 반경 방향으로 내향 돌출되며, 상기 센터히터(133)는 상기 절곡부(1311)보다 반경 방향 내향 이격되어 구비되는 것을 특징으로 하는 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터. The main heater according to claim 2 or 3, wherein both ends of the main heater (131) are bent to form a bent portion (1311), and the bent portion (1311) protrudes inward in the radial direction from the center groove , And the center heater (133) is spaced radially inwardly from the bending portion (1311). 제3 항에 있어서, 상기 주히터(131)의 절곡부(1311)는 상기 센터홈(113)으로부터 반경 방향으로 내향 돌출되며, 상기 센터히터(133)의 원호부(1331) 또는 굴곡부(1333)가 교차되어 구비되며;
상기 센터히터(133)는 상기 주히터(131)보다 상향 이격되어 구비되는 것을 특징으로 하는 기판의 온도 균일성이 향상된 서셉터.The bending part (1311) of the main heater (131) protrudes radially inwardly from the center groove (113), and the arc part (1331) or the bending part (1333) of the center heater (133) Are crossed;
Wherein the center heater (133) is spaced upward from the main heater (131).
KR1020150032623A 2015-03-09 2015-03-09 The susceptor having an improved temperature uniformity of the substrate KR101655210B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150032623A KR101655210B1 (en) 2015-03-09 2015-03-09 The susceptor having an improved temperature uniformity of the substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150032623A KR101655210B1 (en) 2015-03-09 2015-03-09 The susceptor having an improved temperature uniformity of the substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101655210B1 true KR101655210B1 (en) 2016-09-08

Family

ID=56950519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150032623A KR101655210B1 (en) 2015-03-09 2015-03-09 The susceptor having an improved temperature uniformity of the substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101655210B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210033149A (en) 2019-09-18 2021-03-26 (주)위지트 An Upper Electrode For Plasma Chemical Vapor Deposition Equipment

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040074001A (en) * 2003-02-14 2004-08-21 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 Heater unit and method of manufacturing the same
KR20050015443A (en) * 2003-08-06 2005-02-21 주성엔지니어링(주) Control system of multi-point temperature in heater
KR20070088501A (en) * 2005-07-14 2007-08-29 동경 엘렉트론 주식회사 Substrate stage mechanism and substrate processing apparatus
KR20090056536A (en) * 2007-11-30 2009-06-03 (주)위지트 Susceptor having cooling means and semiconductor device having the susceptor
KR101362095B1 (en) 2012-05-14 2014-02-13 와이엠씨 주식회사 Heater of susceptor for cvd equipment

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040074001A (en) * 2003-02-14 2004-08-21 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 Heater unit and method of manufacturing the same
KR20050015443A (en) * 2003-08-06 2005-02-21 주성엔지니어링(주) Control system of multi-point temperature in heater
KR20070088501A (en) * 2005-07-14 2007-08-29 동경 엘렉트론 주식회사 Substrate stage mechanism and substrate processing apparatus
KR20090056536A (en) * 2007-11-30 2009-06-03 (주)위지트 Susceptor having cooling means and semiconductor device having the susceptor
KR101362095B1 (en) 2012-05-14 2014-02-13 와이엠씨 주식회사 Heater of susceptor for cvd equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210033149A (en) 2019-09-18 2021-03-26 (주)위지트 An Upper Electrode For Plasma Chemical Vapor Deposition Equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100836183B1 (en) Heater assembly and setup structure
US10465436B2 (en) Evacuation head with ceramic heater for VIG unit manufacture
US20090033193A1 (en) Hid lamp with frit seal thermal control
KR101655210B1 (en) The susceptor having an improved temperature uniformity of the substrate
JP2017530924A (en) How to close a double-walled glass tube in a vacuum-tight manner
CN110527984A (en) Heating furnace body and semiconductor equipment
KR101391304B1 (en) Cable for high temperature and heat treatment device which used this
CN203983241U (en) Substrate support with having heaters
US10462851B2 (en) Molten metal holding furnace
US20190368264A1 (en) Method for producing a vig unit having improved temperature profile
CA2840680A1 (en) Mercury vapour discharge lamp and method for the manufacture thereof
US10443117B2 (en) Plasma nitriding apparatus
KR101362095B1 (en) Heater of susceptor for cvd equipment
US10697231B2 (en) Small diameter evacuation head for VIG unit manufacture
US8164028B2 (en) Resistance heater
CN104789745B (en) Heating device for heat treatment of welded joint in tube panel
CN108281367B (en) Base for improving temperature uniformity of substrate
US10356850B2 (en) Heater protective tube for molten metal holding furnace
JP2018530868A (en) High temperature tubular heater
KR101645500B1 (en) Electric furnance
KR20190058330A (en) Heated substrate support
KR20160000700A (en) Suscepter for Chemical Vapor Deposition
KR101337463B1 (en) Susceptor with a uniform temperature distribution and their manufacturing method
JP4335765B2 (en) Spark plug insulator firing method, firing device, and spark plug manufacturing method manufactured by the firing method
KR20160008787A (en) Suscepter for substrate processing device

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190902

Year of fee payment: 4