KR101655154B1 - Method for manufacturing of substrate and substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계를 포함하고, 상기 코팅 및 산화된 블록 공중합체의 굴절률은 먼저 코팅 및 산화된 것이 나중에 코팅 및 산화된 것보다 크고, 상기 블록 공중합체는 서로 다른 2 이상의 블록을 포함하며, 상기 블록 중 어느 하나는 실리콘을 포함하는 기판 제조방법 및 기판을 제공한다.The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a substrate; And coating and oxidizing two or more different block copolymers in sequence on the substrate, wherein the refractive index of the coated and oxidized block copolymer is greater than the coating and oxidation of the coating and the oxidized later, Wherein the copolymer comprises two or more blocks different from each other, wherein one of the blocks comprises silicon and the substrate.

Description

기판 제조방법 및 기판{METHOD FOR MANUFACTURING OF SUBSTRATE AND SUBSTRATE}[0001] METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE AND SUBSTRATE [0002]

본 발명은 실리콘이 포함되어 있는 블록 공중합체를 이용한 고내구 반사방지 코팅 기판 제조방법 및 고내구 반사방지 코팅 기판에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for producing a high anti-reflection coating substrate using a block copolymer containing silicon and a high anti-reflection coating substrate.

유리기판은 일반적으로 400 nm 이상의 가시광선 영역에서 투명하다고 알려져 있다. 하지만 프레넬 반사(Fresnel reflection)에 의해 기판 앞면과 뒷면 각각 약 4%씩 총 8% 가량의 빛을 반사하게 된다. 이는 유리기판을 사용하는 광학렌즈, 태양전지, 디스플레이 등의 다양한 광학소자 및 광학-전기 소자에서 효율을 감소시키는 원인이 되며, 이를 해결하기 위한 반사방지 코팅 막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. Glass substrates are generally known to be transparent in the region of visible light above 400 nm. However, Fresnel reflections reflect about 8% of total light on the front and back sides of the substrate, about 4% each. This causes a decrease in efficiency in various optical elements such as an optical lens using a glass substrate, a solar cell, a display, and an opto-electric device, and researches on antireflection coating films for solving the problems have been actively conducted.

유리기판에 반사 방지 특성을 부여하기 위해서는 입사되는 빛과 반사되는 빛이 서로 상쇄될 수 있도록 하는 막을 코팅하는 방법이 일반적이다. 전형적인 단층 반사 방지 코팅 막의 경우 다음과 같은 조건을 만족하여야만 한다. (1) 반사 방지 코팅 막의 두께는 입사광 파장의 1/4; (2) 코팅막의 굴절률은 nc=(nair × ns)1/2 에 의해 결정되며(nc, nair, ns는 각각 코팅막, 공기, 기판의 굴절률), 유리기판의 굴절률은 1.46 정도이므로, 이상적인 코팅 막의 굴절률은 1.20가 된다. In order to impart the antireflection property to the glass substrate, a method of coating a film such that incident light and reflected light are canceled each other is common. For a typical single-layer antireflective coating film, the following conditions must be met. (1) The thickness of the antireflection coating film is 1/4 of the incident light wavelength; (2) The refractive index of the coating film is determined by n c = (n air × n s ) 1/2 (where n c , n air and n s are the refractive indices of the coating film, air and substrate, respectively) , The refractive index of the ideal coating film becomes 1.20.

하지만 균질한 단층 반사 방지 코팅 막의 경우 코팅 막의 두께에 따라 특정 파장대에서만 반사율이 0%에 가까운 값을 가지게 되며, 입사 빔의 각도에 따라 그 반사 방지 특성이 크게 감소하게 되는 문제가 있다. However, in the case of a homogeneous single-layer antireflection coating film, the reflectance is close to 0% only at a specific wavelength band depending on the thickness of the coating film, and the antireflection characteristic is greatly reduced according to the angle of the incident beam.

이는 굴절률이 유리기판에서부터 공기까지 점진적으로 작아지는 코팅 막을 통해 해결할 수 있다. 이때 최상위 코팅 막은 굴절률이 공기에 가까운 값인 1에 근접한 재료가 필요하나, 광학 소자에 사용되는 유전물질들은 1.35 이하의 굴절률을 가지지 못해 굴절률이 점진적으로 변하는 코팅 막을 제조하는데 어려움이 있어 왔다. This can be overcome through a coating film whose refractive index gradually decreases from the glass substrate to the air. At this time, the top coating film requires a material whose refractive index is close to 1, which is close to air, but the dielectric materials used in the optical element do not have a refractive index of 1.35 or less, making it difficult to produce a coating film whose refractive index gradually changes.

최근 연구 추세는 코팅재료와 공기의 복합 층으로 구성된 다공성 막을 통해 기존 재료가 갖지 못하는 저 굴절률을 구현, 이를 이용하여 굴절률이 점진적으로 변하는 코팅 막을 형성하여 광범위한 가시광선 영역에서 반사율이 0%가 될 수 있는 막을 얻고자 하고 있다. The recent research trend is that a porous film composed of a composite material of a coating material and air can realize a low refractive index that a conventional material can not have, and by using the coating film, a refractive index gradually changes to form a coating film so that the reflectance becomes 0% in a wide range of visible light I am trying to get a curtain.

다공성 코팅 막을 제공하기 위해 유리기판과의 결합력이 강한 PVD, CVD, Oblique-angle deposition등의 진공 증착 방법을 사용하고 있으나 고 비용 및 긴 공정시간 등의 단점이 있다. 이를 해결하고자 마이셀(micelle) 코팅, 졸-겔(sol-gel), 고분자전해질(polyelectrolyte) 다층구조, 폴리머 혼화 등을 사용하여 용액 에칭, UV, 열, 산, 염 등의 후 처리를 통해 다공성 막을 제작하고자 하고 있다. In order to provide a porous coating film, a vacuum deposition method such as PVD, CVD or oblique-angle deposition having strong bonding force with a glass substrate is used, but it has drawbacks such as high cost and long process time. In order to solve this problem, the solution is etched using a micelle coating, a sol-gel, a polyelectrolyte multilayer structure, a polymer blend, etc., and a post-treatment such as UV, heat, .

이 중 폴리머 혼화방법은 코팅 후 용액 에칭을 통해 쉽게 한쪽 폴리머를 제거함으로써 쉽고 빠르게 저 굴절률을 가지는 다공성 막을 제작할 수 있다.Among them, the polymer mixing method can easily and quickly produce a porous film having a low refractive index by removing one polymer easily through solution etching after coating.

하지만 유기물로 구성된 폴리머로 이루어진 다공성 막이다 보니 열적, 기계적, 화학적 내구성이 좋지 않을 뿐 아니라 굴절률의 미세 조절 또한 쉽지 않다. However, the porous film made of organic polymer is not only poor in thermal, mechanical, and chemical durability but also has difficulty in fine adjustment of refractive index.

따라서 용액공정을 통해 굴절률을 쉽게 조절하면서 기계적, 화학적 내구성을 지닌 고밀도의 다공성 막을 형성하여 굴절률이 점진적으로 변하는 반사 방지 코팅 막의 개발이 요구된다.
Therefore, it is required to develop an antireflection coating film in which the refractive index is gradually changed by forming a high density porous film having mechanical and chemical durability while easily controlling the refractive index through a solution process.

본 발명의 일 구현예는 고밀도의 저굴절 실리카 박막층을 포함하는 고내구 반사방지 코팅 기판의 제조방법을 제공한다. One embodiment of the present invention provides a method of making a high anti-reflection coating substrate comprising a high density, low refractive silica thin film layer.

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 제조방법에 의해 제조된 고내구 반사방지 코팅 기판을 제공한다.
Another embodiment of the present invention provides a high anti-reflection coating substrate produced by the above-described method.

일 구현예는 기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계를 포함하고, 상기 코팅 및 산화된 블록 공중합체의 굴절률은 먼저 코팅 및 산화된 것이 나중에 코팅 및 산화된 것보다 크고, 상기 블록 공중합체는 서로 다른 2 이상의 블록을 포함하며, 상기 블록 중 어느 하나는 실리콘을 포함하는 기판 제조방법을 제공한다.One embodiment includes the steps of preparing a substrate; And coating and oxidizing two or more different block copolymers in sequence on the substrate, wherein the refractive index of the coated and oxidized block copolymer is greater than the coating and oxidation of the coating and the oxidized later, Wherein the copolymer comprises two or more different blocks, and one of the blocks comprises silicon.

상기 기판에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계는, 상기 기판에 제1 블록 공중합체를 코팅 및 산화시키는 단계; 및 상기 코팅 및 산화된 제1 블록 공중합체 상에 제2 블록 공중합체를 코팅 및 산화시키는 단계이고, 상기 제1 블록 공중합체의 굴절률은 상기 제2 블록 공중합체의 굴절률보다 크고, 상기 제1 블록 공중합체 및 제2 블록 공중합체는 각각 독립적으로 서로 다른 2 이상의 블록을 포함하며, 상기 블록 중 어느 하나는 실리콘을 포함할 수 있다.The step of sequentially coating and oxidizing two or more different block copolymers on the substrate may include coating and oxidizing the first block copolymer on the substrate; And coating and oxidizing the second block copolymer on the coated and oxidized first block copolymer, wherein a refractive index of the first block copolymer is larger than a refractive index of the second block copolymer, The copolymer and the second block copolymer each independently include two or more different blocks, and any one of the blocks may include silicon.

상기 블록 공중합체의 코팅은 2 이상의 유기용매가 혼합된 용매를 사용하는 것일 수 있다.The coating of the block copolymer may be a solvent in which two or more organic solvents are mixed.

상기 코팅은 딥 코팅 (Dip-coating), 스핀코팅 (spin-coating), 스프레이 코팅 (spray-coating), 또는 이들의 조합을 포함하는 방법을 사용하는 것일 수 있다.The coating may be of a method including dip-coating, spin-coating, spray-coating, or a combination thereof.

상기 블록 공중합체의 산화는 CH4 에칭 및 O2 에칭을 포함하는 2단계(2-step) 반응성 이온 에칭 공정으로 수행하는 것일 수 있다.The oxidation of the block copolymer may be performed by a two-step reactive ion etching process including CH 4 etching and O 2 etching.

상기 2단계 반응성 이온 에칭 공정은 CH4 에칭을 먼저 수행한 후, O2 에칭을 수행하는 것일 수 있다.The two-step reactive ion etching process may be to perform, O 2 CH 4 etching after performing the first etching.

상기 CH4 에칭은 10W 내지 200W에서 10초 내지 200초 동안 수행하는 것일 수 있다.The CH 4 etching can be performed at 10W to 200W for 10 seconds to 200 seconds.

상기 O2 에칭은 10W 내지 200W에서 100초 내지 200초 동안 수행하는 것일 수 있다.The O 2 etching may be performed at 10 W to 200 W for 100 seconds to 200 seconds.

상기 산화된 블록 공중합체는 기공을 포함하는 다공성 구조를 가지며, 상기 기공의 크기는 가시광선 파장보다 작을 수 있다.The oxidized block copolymer has a porous structure including pores, and the size of the pores may be smaller than a wavelength of visible light.

상기 기공의 크기는 10 nm 내지 200 nm 일 수 있다.The size of the pores may be between 10 nm and 200 nm.

상기 블록 공중합체는 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리디메틸실록산 (polyacrylonitrile-b-polydimethylsiloxane), 폴리(4-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산 (poly(4-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리디메틸실록산 (polyethyleneoxide-b-polydimethylsiloxane), 폴리(2-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산 (poly(2-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트-b-폴리디메틸실록산 (polymethylmethacrylate-b-polydimethylsiloxane), 폴리부타디엔-b-폴리디메틸실록산 (polybutadiene-b-polydimethylsiloxane), 폴리이소뷰틸렌-b-폴리디메틸실록산 (polyisobutylene-b-polydimethylsiloxane), 폴리디메틸실록산-b-폴리뷰틸아크릴레이트 (polydimethylsiloxane-b-polybutylacrylate), 폴리디메틸실록산-b-폴리아크릴엑시드 (polydimethylsiloxane-b-polyacrylic acid), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The block copolymer may be selected from the group consisting of polystyrene-b-polydimethylsiloxane, polyacrylonitrile-b-polydimethylsiloxane, poly (4-vinylpyridine) B-polydimethylsiloxane, polyethyleneoxide-b-polydimethylsiloxane, poly (2-vinylpyridine) -b-polydimethylsiloxane (poly (2- vinylpyridine-b-polydimethylsiloxane, polymethylmethacrylate-b-polydimethylsiloxane, polybutadiene-b-polydimethylsiloxane, polyisobutylene- Polyisobutylene-b-polydimethylsiloxane, polydimethylsiloxane-b-polybutylacrylate, polydimethylsiloxane-b-polyacrylic acid d), or a combination thereof.

상기 블록 공중합체 100 부피%에 대해 실리콘을 포함하는 블록은 9 부피% 내지 90 부피%로 포함될 수 있다.The block containing silicon with respect to 100% by volume of the block copolymer may be contained in an amount of 9% by volume to 90% by volume.

상기 산화된 블록 공중합체는 550 nm 내지 700 nm의 파장 영역에서 1.05 내지 1.46의 굴절률을 가질 수 있다.The oxidized block copolymer may have a refractive index of 1.05 to 1.46 in a wavelength region of 550 nm to 700 nm.

상기 산화된 블록 공중합체는 30% 내지 90%의 기공율을 가질 수 있다.The oxidized block copolymer may have a porosity of 30% to 90%.

상기 블록 공중합체는 40 kg/mol 내지 60 kg/mol의 분자량을 가질 수 있다.The block copolymer may have a molecular weight of 40 kg / mol to 60 kg / mol.

상기 기판에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계는 상기 기판 한쪽 면 또는 양쪽 면에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계일 수 있다.The step of sequentially coating and oxidizing two or more different block copolymers on the substrate may be a step of successively coating and oxidizing two or more different block copolymers on one or both sides of the substrate.

상기 기판은 유리 기판일 수 있다.The substrate may be a glass substrate.

다른 일 구현예는 기판; 및 상기 기판에 형성된 2 이상의 다공성 실리카 박막층을 포함하고, 상기 다공성 실리카 박막층은 굴절률이 서로 다르며, 상기 다공성 실리카 박막층 중 기판에 가까운 다공성 실리카 박막층일수록 굴절률이 큰 기판을 제공한다.Another embodiment includes a substrate; And at least two porous silica thin film layers formed on the substrate, wherein the porous silica thin film layers have different refractive indices, and a porous silica thin film layer closer to the substrate among the porous silica thin film layers has a higher refractive index.

상기 2 이상의 다공성 실리카 박막층은 10 nm 내지 200 nm의 두께를 가질 수 있다.The two or more porous silica thin film layers may have a thickness of 10 nm to 200 nm.

상기 다공성 실리카 박막층은 기공을 가지며, 상기 기공의 크기는 가시광선 파장보다 작을 수 있다.The porous silica thin film layer has pores, and the pore size may be smaller than the visible light wavelength.

상기 기공의 크기는 10 nm 내지 200 nm 일 수 있다.The size of the pores may be between 10 nm and 200 nm.

상기 다공성 실리카 박막층은 550 nm 내지 700 nm의 파장 영역에서 1.05 내지 1.46의 굴절률을 가질 수 있다.The porous silica thin film layer may have a refractive index of 1.05 to 1.46 in a wavelength region of 550 nm to 700 nm.

상기 다공성 실리카 박막층은 30% 내지 90%의 기공율을 가질 수 있다.The porous silica thin film layer may have a porosity of 30% to 90%.

상기 기판은 기판 한쪽 면 또는 양쪽 면에 2 이상의 다공성 실리카 박막층이 형성된 것일 수 있다.The substrate may have at least two porous silica thin film layers formed on one side or both sides of the substrate.

상기 기판은 유리 기판일 수 있다.The substrate may be a glass substrate.

또 다른 일 구현예는 상기 기판의 제조방법에 의해 제조되는 기판을 제공한다.Another embodiment provides a substrate produced by the method of manufacturing the substrate.

기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
Other details of the embodiments of the present invention are included in the following detailed description.

본 발명은 실리콘이 포함되어 있는 블록 공중합체를 이용하여 두 블록의 부피 분율 비를 조절함으로써 굴절률을 쉽게 조절할 수 있는, 고밀도의 저굴절 실리카 박막이 코팅된 기판을 제공할 수 있다. 상기 실리카 박막은 2 이상의 층으로 이루어져 반사 방지 코팅막으로서 기능하여, 가시광선 전 영역에서 기판의 반사를 최소화하며 투과도를 증대시킬 수 있다. 또한, 산화 공정으로 형성된 다공성의 실리콘 박막으로 구성되어 있어 기판과의 결합이 강하며, 기계적, 화학적 내구성이 뛰어나 광학소자 및 광학-전자소자에 적용되어 소자의 특성 향상을 꾀할 수 있는 이점이 있다.
The present invention can provide a substrate coated with a high density low refractive silica thin film which can easily adjust the refractive index by controlling the volume fraction ratio of two blocks by using a block copolymer containing silicon. The silica thin film is composed of two or more layers and functions as an antireflection coating film to minimize the reflection of the substrate in the entire visible light region and to increase the transmittance. In addition, since it is composed of a porous silicon thin film formed by an oxidation process, it has strong bonding with a substrate and is excellent in mechanical and chemical durability, and can be applied to optical devices and optical-electronic devices.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 두 층의 다공성 실리카 막을 포함하는 기판의 제조 방법을 보여주는 개략도이다.
도 2는 분자량이 서로 다른 4개의 블록공중합체를 사용하여 PDMS의 부피분율 변화에 따른 기공의 크기 변화를 보여주는 SEM 사진 이다.
도 3은 Effective approximation 모델을 통해 다공성 실리카 막의 Psi와 Delta 값을 비교한 도표이다.
도 4는 다공성 실리카 박막의 굴절률과 기공비를 비교한 도표이다.
도 5는 블록 공중합체를 코팅할 때 점도(viscosity)가 높은 PGMEA를 혼합한 용매를 사용하여 균일한 코팅막을 형성할 경우의 투과도를 비교한 도표이다.
도 6은 실시예 1에 따른 기판의 다공성 실리카 박막의 Top(좌측), cross(우측) SEM 사진이다.
도 7은 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 기판의 투과도를 비교한 그래프이다.
도 8은 실시예 1 및 비교예 1에 따른 기판의 입사빔에 따른 투과도 변화를 비교한 그래프이다.
도 9은 실시예 1에 따른 기판에 사용된 다공성 실리카 박막의 기계적, 화학적, 열적 내구성 테스트 후 420 nm 에서의 투과도를 비교한 그래프이다.
도 10은 실시예 1 및 비교예 1에 따른 기판 사진이다.
1 is a schematic view showing a method of manufacturing a substrate including two layers of porous silica films according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a SEM photograph showing the change of the pore size according to the volume fraction of PDMS using four block copolymers having different molecular weights.
FIG. 3 is a chart comparing the Psi and Delta values of the porous silica membrane through an effective approximation model.
4 is a graph comparing the refractive index and the porosity ratio of the porous silica thin film.
FIG. 5 is a graph comparing permeabilities when a uniform coating film is formed using a solvent in which PGMEA having a high viscosity is coated when a block copolymer is coated.
6 is a top (left) and cross (right) SEM photograph of the porous silica thin film of the substrate according to Example 1. Fig.
7 is a graph comparing transmittances of the substrates according to Example 1, Example 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 2. Fig.
8 is a graph comparing changes in transmittance of the substrate according to Example 1 and Comparative Example 1 according to an incident beam.
9 is a graph comparing the transmittance at 420 nm after the mechanical, chemical, and thermal durability tests of the porous silica thin film used in the substrate according to Example 1. Fig.
10 is a photograph of a substrate according to Example 1 and Comparative Example 1. Fig.

이하에서는, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 반사 방지 코팅 막 제작에 대해 상세하게 설명하고자 한다. 다음에 소개되는 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명된 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호, 동일한 형태의 패턴은 동일 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, the production of the antireflection coating film according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals and like-like patterns throughout the specification denote like elements.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에(상에)" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Where a section of a layer, film, area, plate, or the like is referred to as being "on" another part, it includes not only the case where it is "directly on" another part but also the case where there is another part in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

일 구현예는 기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계를 포함하고, 상기 코팅 및 산화된 블록 공중합체의 굴절률은 먼저 코팅 및 산화된 것이 나중에 코팅 및 산화된 것보다 크고, 상기 블록 공중합체는 서로 다른 2 이상의 블록을 포함하며, 상기 블록 중 어느 하나는 실리콘을 포함하는 기판 제조방법을 제공한다.One embodiment includes the steps of preparing a substrate; And coating and oxidizing two or more different block copolymers in sequence on the substrate, wherein the refractive index of the coated and oxidized block copolymer is greater than the coating and oxidation of the coating and the oxidized later, Wherein the copolymer comprises two or more different blocks, and one of the blocks comprises silicon.

상기 블록 공중합체 내 블록 중 어느 하나는 반드시 실리콘을 포함하기 때문에, 고밀도의 저굴절 다공성 실리카 막의 형성이 가능하고, 이를 2 이상의 층으로 코팅하여 가시광선 영역 전 범위에서 광대역의 반사 방지 특성을 가지게 함으로써 가시광선 영역 전 범위에서 평균 99%의 투과도를 가지는 기판을 제조할 수 있다. Since any one of the blocks in the block copolymer necessarily contains silicon, it is possible to form a high-density low-refractive porous silica film and to coat it with two or more layers to have broadband antireflection characteristics over the entire visible light range It is possible to manufacture a substrate having an average transmittance of 99% over the entire range of the visible light region.

이러한 기판은 야외에서 사용되기 때문에 반사 방지 특성을 요구하는 광학소자 및 광학-전자소자, 예컨대 광학렌즈, 태양전지, 디스플레이 등에 이점을 제공한다. Such substrates provide advantages for optics and opto-electronic devices, such as optical lenses, solar cells, displays, etc., that require antireflective properties because they are used outdoors.

상기 기판에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계는 상기 기판에 제1 블록 공중합체를 코팅 및 산화시키는 단계; 및 상기 코팅 및 산화된 제1 블록 공중합체 상에 제2 블록 공중합체를 코팅 및 산화시키는 단계일 수 있다. The step of sequentially coating and oxidizing two or more different block copolymers on the substrate includes coating and oxidizing the first block copolymer on the substrate; And coating and oxidizing the second block copolymer on the coated and oxidized first block copolymer.

상기 제1 블록 공중합체의 굴절률은 상기 제2 블록 공중합체의 굴절률보다 크고, 상기 제1 블록 공중합체 및 제2 블록 공중합체는 각각 독립적으로 서로 다른 2 이상의 블록을 포함하며, 상기 블록 중 어느 하나는 실리콘을 포함할 수 있다.Wherein the refractive index of the first block copolymer is larger than the refractive index of the second block copolymer and the first block copolymer and the second block copolymer each independently comprise two or more blocks different from each other, May comprise silicon.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 두 층의 다공성 실리카 막을 포함하는 기판의 제조 방법을 보여주는 개략도이다. 이로부터, 상대적으로 굴절률이 큰 다공성 실리카 박막을 기판 바로 위에 코팅 및 산화 공정을 통해 형성시킨 후, 그 위에 연속적으로 굴절률이 작은 다공성 실리카 박막을 코팅 및 산화 공정을 통해 형성시켜, 코팅 및 산화 공정만으로 가시광선 영역 전 범위에서 광대역의 반사방지 특성을 지니는 유리기판을 제작할 수 있음을 알 수 있다. 도 1에서 굴절률이 큰 다공성 실리카 박막의 소스인 블록 공중합체의 산화 공정 후 PDMS의 부피비(fPDMS)는 0.49, 즉 약 49% 정도이고, 굴절률이 작은 다공성 실리카 박막의 소스인 블록 공중합체의 산화 공정 후 PDMS의 부피비(fPDMS)는 0.09, 즉 약 9% 정도임을 알 수 있다.1 is a schematic view showing a method of manufacturing a substrate including two layers of porous silica films according to an embodiment of the present invention. From this, it can be seen that a porous silica thin film having a relatively high refractive index is formed directly on a substrate through a coating and oxidation process, and then a porous silica thin film having a low refractive index is continuously formed thereon through a coating and oxidation process, It can be understood that a glass substrate having broad-band antireflection characteristics in the entire range of the visible light region can be manufactured. 1, the volume fraction of PDMS (f PDMS ) after oxidation of the block copolymer, which is the source of the porous silica thin film having a large refractive index, is about 49%, that is, about 49%, and the oxidation of the block copolymer as a source of the porous silica thin film having a small refractive index It can be seen that the volume ratio of PDMS (f PDMS ) after the process is 0.09, i.e. about 9%.

상기 블록 공중합체의 코팅은 2 이상의 유기용매가 혼합된 용매를 사용하는 것일 수 있다. 2 이상의 유기용매가 혼합된 용매를 사용할 경우, 단일의 유기용매만을 사용하는 경우보다 기판의 투과도를 향상될 수 있다. 2 종류의 유기용매를 사용하는 경우, 각각 1:1의 부피비로 혼합될 수 있다. The coating of the block copolymer may be a solvent in which two or more organic solvents are mixed. When a solvent in which two or more organic solvents are mixed is used, the transmittance of the substrate can be improved compared with the case where only a single organic solvent is used. When two kinds of organic solvents are used, they can be mixed at a volume ratio of 1: 1, respectively.

도 5는 블록 공중합체를 코팅할 때 점도(viscosity)가 높은 PGMEA를 혼합한 용매를 사용하여 균일한 코팅막을 형성할 경우의 투과도를 비교한 그래프이다. 이로부터, 블록 공중합체를 코팅할 때 점도(viscosity)가 높은 PGMEA를 톨루엔(Toluene)과 1:1로 섞어 코팅할 경우 톨루엔만 사용하는 경우에 비해 PS-PDMS가 균일하게 코팅되는 것을 알 수 있다. 즉, 최초 블록 공중합체 코팅의 균일도가 산화 공정 후에 기판의 투과도 향상에 크게 관여하며, 상기 코팅의 균일도는 코팅 시 사용하는 유기용매에 의해 좌우된다는 것을 알 수 있다. 5 is a graph comparing permeabilities when a uniform coating film is formed using a solvent in which PGMEA having a high viscosity is coated when a block copolymer is coated. From this, it can be seen that when the block copolymer is coated with PGMEA having high viscosity at a ratio of 1: 1 with toluene, PS-PDMS is uniformly coated as compared with toluene alone . That is, it can be seen that the uniformity of the initial block copolymer coating is greatly related to the improvement of the transparency of the substrate after the oxidation process, and the uniformity of the coating depends on the organic solvent used in the coating.

상기 코팅은 딥 코팅 (Dip-coating), 스핀코팅 (spin-coating), 스프레이 코팅 (spray-coating), 또는 이들의 조합을 포함하는 방법을 사용하는 것일 수 있다.The coating may be of a method including dip-coating, spin-coating, spray-coating, or a combination thereof.

상기 블록 공중합체의 산화는 CH4 에칭 및 O2 에칭을 포함하는 2단계(2-step) 반응성 이온 에칭 공정으로 수행하는 것일 수 있다.The oxidation of the block copolymer may be performed by a two-step reactive ion etching process including CH 4 etching and O 2 etching.

상기 2단계 반응성 이온 에칭 공정은 CH4 에칭을 먼저 수행한 후, O2 에칭을 수행하는 것일 수 있다.The two-step reactive ion etching process may be to perform, O 2 CH 4 etching after performing the first etching.

상기 CH4 에칭은 10W 내지 200W에서 10초 내지 200초 동안 수행하는 것일 수 있고, 상기 O2 에칭은 10W 내지 200W에서 100초 내지 200초 동안 수행하는 것일 수 있다.The CH 4 etch may be performed at 10 W to 200 W for 10 seconds to 200 seconds, and the O 2 etch may be performed at 10 W to 200 W for 100 seconds to 200 seconds.

구체적으로, 상기 블록 공중합체를 코팅을 하고자 하는 기판에 딥 코팅 (Dip-coating), 스핀 코팅 (spin-coating), 스프레이 코팅 (spray-coating) 등의 습식 코팅 기법을 통해 도포한 후, CH4와 O2 가스를 이용한 2-step 반응성 이온 에칭 (Reactive ion etching) 공정을 시행한다. 상기 CH4 에칭의 경우 10W 내지 200 W, 10초 내지 200초의 조건(예컨대, 10W 내지 200 W, 10초 내지 100초의 조건)으로 수행할 수 있고, O2 에칭의 경우 10W 내지 200W, 100초 내지 200초의 조건으로 수행할 수 있다. CH4 에칭 시간이 200초를 초과하거나 O2 에칭 시간이 200초를 초과하는 경우, SiO2 입자들의 응집으로 투과율이 낮아지게 되고, CH4 에칭 시간이 10초 미만이거나 O2 에칭 시간이 100초 미만인 경우, 유기물 제거가 완전히 이루어지지 않아 SiO2로의 전환율이 낮아지게 된다. 또한, CH4 에칭 시간이 상기 범위를 벗어나는 경우, 형성되는 다공성 실리카 박막의 두께를 10 nm 내지 200 nm로 조절하기 어려워질 수 있다.Specifically, the block copolymer is coated on a substrate to be coated through a wet coating technique such as dip coating, spin-coating, or spray-coating, and then CH 4 And 2-step reactive ion etching process using O 2 gas. (For example, 10 W to 200 W, 10 seconds to 100 seconds) in the case of CH 4 etching, 10 W to 200 W, 100 seconds to 200 W in the case of O 2 etching, 200 sec. ≪ / RTI > CH 4 if the etching time is more than 200 seconds, or O 2 etching time exceeds 200 seconds, the transmittance to the aggregation of the SiO 2 particles is lowered, CH 4 etching time is less than 10 seconds, or O 2 etching time is 100 seconds , The organic matter removal is not completely performed and the conversion to SiO 2 is lowered. In addition, when the CH 4 etching time is out of the above range, it may become difficult to control the thickness of the formed porous silica thin film to 10 nm to 200 nm.

상기 산화 공정을 통해 서로 다른 2 이상의 블록을 포함하는 블록 공중합체 내 블록 중 실리콘을 포함하지 않는 블록이 쉽게 제거되어 기공이 형성되고, 실리콘을 포함하는 블록은 실리카로 변환되게 된다. 즉, 상기 코팅 및 산화 공정을 통해 기판에 2 이상의 층으로 이루어진 다공성 실리카 박막이 형성되게 된다.Through the oxidation process, a block containing no silicon among the blocks in the block copolymer containing two or more different blocks is easily removed to form pores, and the block containing silicon is converted into silica. That is, the porous silica thin film composed of two or more layers is formed on the substrate through the coating and oxidation process.

상기 산화된 블록 공중합체는 기공을 포함하는 다공성 구조를 가지며, 상기 기공의 크기는 가시광선 파장보다 작을 수 있다. 예컨대, 상기 기공의 크기는 10 nm 내지 200 nm, 예컨대 10 nm 내지 100 nm 일 수 있다. The oxidized block copolymer has a porous structure including pores, and the size of the pores may be smaller than a wavelength of visible light. For example, the size of the pores may be between 10 nm and 200 nm, for example between 10 nm and 100 nm.

상기 블록 공중합체는 전술한 것처럼, 산화 공정을 통해 실리콘을 포함하지 않는 블록은 쉽게 제거되어 기공을 형성하고, 실리콘을 포함하는 블록은 실리카로 변환된다. 예컨대, 상기 블록 공중합체로는 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리디메틸실록산 (polyacrylonitrile-b-polydimethylsiloxane), 폴리(4-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산 (poly(4-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리디메틸실록산 (polyethyleneoxide-b-polydimethylsiloxane), 폴리(2-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산 (poly(2-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트-b-폴리디메틸실록산 (polymethylmethacrylate-b-polydimethylsiloxane), 폴리부타디엔-b-폴리디메틸실록산 (polybutadiene-b-polydimethylsiloxane), 폴리이소뷰틸렌-b-폴리디메틸실록산 (polyisobutylene-b-polydimethylsiloxane), 폴리디메틸실록산-b-폴리뷰틸아크릴레이트 (polydimethylsiloxane-b-polybutylacrylate), 폴리디메틸실록산-b-폴리아크릴엑시드 (polydimethylsiloxane-b-polyacrylic acid), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 블록 공중합체는 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane, PS-PDMS) 블록 공중합체일 수 있다. As described above, in the block copolymer, the block containing no silicon is easily removed through the oxidation process to form pores, and the block containing silicon is converted into silica. For example, the block copolymer may be selected from the group consisting of polystyrene-b-polydimethylsiloxane, polyacrylonitrile-b-polydimethylsiloxane, poly (4-vinylpyridine) b-polydimethylsiloxane, poly (4-vinylpyridine) -b-polydimethylsiloxane, polyethyleneoxide-b-polydimethylsiloxane, poly (2- vinylpyridine) 2-vinylpyridine-b-polydimethylsiloxane, polymethylmethacrylate-b-polydimethylsiloxane, polybutadiene-b-polydimethylsiloxane, polyisobutylene- polyisobutylene-b-polydimethylsiloxane, polydimethylsiloxane-b-polybutylacrylate, polydimethylsiloxane-bp (polydimethylsiloxane-bp) olyacrylic acid, or a combination thereof. For example, the block copolymer may be a polystyrene-b-polydimethylsioxane (PS-PDMS) block copolymer.

상기 블록 공중합체 100 부피%에 대해 실리콘을 포함하는 블록은 9 부피% 내지 90 부피%, 예컨대 9 부피% 내지 50 부피%로 포함될 수 있다. 블록 공중합체 내 실리콘을 포함하는 블록이 상기 범위로 포함될 경우, 우수한 반사방지 특성을 가지는 다공성 실리카 박막을 얻을 수 있다.The block containing silicon with respect to 100% by volume of the block copolymer may be contained in an amount of 9% by volume to 90% by volume, for example, 9% by volume to 50% by volume. When the block containing silicon in the block copolymer is included in the above range, a porous silica thin film having excellent antireflection characteristics can be obtained.

상기 산화된 블록 공중합체는 550 nm 내지 700 nm 파장 영역에서 1.05 내지 1.46의 굴절률, 예컨대 600 nm 내지 650 nm 파장 영역에서 1.10 내지 1.40의 굴절률을 가질 수 있다. The oxidized block copolymer may have a refractive index of 1.05 to 1.46 in a wavelength region of 550 nm to 700 nm, for example, a refractive index of 1.10 to 1.40 in a wavelength region of 600 nm to 650 nm.

상기 산화된 블록 공중합체는 30% 내지 90%, 예컨대 35% 내지 85%의 기공율을 가질 수 있다.The oxidized block copolymer may have a porosity of 30% to 90%, for example, 35% to 85%.

상기 블록 공중합체는 40 kg/mol 내지 60 kg/mol의 분자량, 예컨대 43 kg/mol 내지 55 kg/mol의 분자량을 가질 수 있다. 블록 공중합체가 상기 범위의 분자량을 가져야 적절한 기공 크기 및 기공율을 갖출 수 있고, 이로 인해 우수한 반사방지 특성을 가질 수 있다.The block copolymer may have a molecular weight of 40 kg / mol to 60 kg / mol, such as 43 kg / mol to 55 kg / mol. The block copolymer should have a molecular weight within the above range to have an appropriate pore size and porosity, and thus to have excellent antireflection properties.

도 2는 분자량이 서로 다른 4개의 블록 공중합체를 사용하여 PDMS의 부피분율 변화에 따른 기공의 크기 변화를 보여주는 SEM 사진이다. 이로부터, PDMS의 부피비가 서로 다른 4종류의 PS-PDMS를 코팅 후 산화 공정을 진행하여, PDMS의 부피비가 감소할수록 다공성 실리카 박막 내의 기공의 크기가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이 때, 생성된 기공의 크기는 가시광선 영역보다 작아 산란현상을 거의 무시할 수 있다. 산화 공정 후 형성되는 기공 부피비는 PS-PDMS의 상대적 부피 분율에 의해 결정되게 된다. 즉, PS-PDMS 중 실리콘을 함유한 PDMS의 부피 분율이 작을수록, 산화 공정 시 제거되는 유기물 블록인 PS의 부피 분율이 증가되며, 최종적으로 산화 공정 후 기공 부피비가 커지는 결과를 가져온다. 사용한 블록 공중합체들의 PDMS 분자량은 고정시키고, PS 분자량만을 증가시켰으므로, 전체 분자량이 증가할수록 PDMS의 부피 분율은 감소하였으며, 최종적으로 산화 공정 후 기공의 부피비는 증가하였음을 알 수 있다. 블록 공중합체의 산화 공정 후 PDMS의 부피비가 감소할수록 기공의 부피비가 증가하는 경향성은 도 4에서도 확인할 수 있다.FIG. 2 is a SEM photograph showing the change of the pore size according to the volume fraction of PDMS using four block copolymers having different molecular weights. From this, it can be seen that as the volume ratio of PDMS decreases, the size of the pores in the porous silica thin film increases as the oxidation process proceeds after coating the four types of PS-PDMS having different PDMS volume ratios. At this time, the generated pore size is smaller than the visible ray region, and the scattering phenomenon can be almost neglected. The pore volume ratio formed after the oxidation process is determined by the relative volume fraction of PS-PDMS. That is, the smaller the volume fraction of PDMS containing silicon in the PS-PDMS, the higher the volume fraction of PS, which is an organic block removed in the oxidation process, and finally the larger the pore volume ratio after the oxidation process. As the PDMS molecular weight of the block copolymers used were fixed and the PS molecular weight was increased only, the volume fraction of PDMS decreased with increasing total molecular weight, and finally the volume ratio of pores after the oxidation process increased. FIG. 4 also shows the tendency that the volume ratio of the pores increases as the volume ratio of PDMS decreases after the oxidation process of the block copolymer.

상기 기판에 코팅 및 산화된 블록 공중합체는 다공성 실리카 박막이 되고, 상기 다공성 실리카 박막의 두께는 상기 블록 공중합체의 분자량에 의해 결정되게 된다. 상기 다공성 실리카 박막의 두께는 10 nm 내지 200 nm, 예컨대 120 nm 내지 160 nm 일 수 있다. 상기 다공성 실리카 박막의 두께가 10 nm 미만일 경우 광 간섭에 의한 반사율 감소 효과가 현저히 떨어지게 되고, 200 nm 초과일 경우에도 마찬가지의 이유로 반사율 감소 효과가 떨어지게 된다. 상기 CH4 에칭 공정 시간을 10초 내지 200초로 조절하는 것도 상기 다공성 실리카 박막의 두께를 조절하기 위함이다.The block copolymer coated and oxidized on the substrate becomes a porous silica thin film, and the thickness of the porous silica thin film is determined by the molecular weight of the block copolymer. The thickness of the porous silica thin film may be 10 nm to 200 nm, for example, 120 nm to 160 nm. When the thickness of the porous silica thin film is less than 10 nm, the effect of reducing the reflectance due to the optical interference is remarkably deteriorated. When the thickness is more than 200 nm, the reflectance reduction effect is also decreased for the same reason. The thickness of the porous silica thin film is adjusted by adjusting the CH 4 etching process time to 10 seconds to 200 seconds.

상기 기판에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계는 상기 기판 한쪽 면 또는 양쪽 면에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계인 것일 수 있다.The step of sequentially coating and oxidizing two or more different block copolymers on the substrate may be a step of sequentially coating and oxidizing two or more different block copolymers on one or both sides of the substrate.

도 7은 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 기판의 투과도를 비교한 그래프이다. 이로부터, 분자량이 43 kg/mol인 블록 코폴리머가 코팅 및 산화된 층 및 분자량이 55 kg/mol인 블록 코폴리머가 코팅 및 산화된 층의 두 층으로 구성된 다공성 실리카 박막을 유리기판의 한쪽 면에만 코팅한 경우, 가시광선 영역에서 평균 96%의 투과율을 가짐을 알 수 있다. 또한, 유리기판의 양쪽 면에 상기 다공성 실리카 박막을 코팅한 경우, 가시광선 영역 전 범위에서 방사 방지 특성이 뛰어나, 420nm에서 최대 99.9%의 투과율을, 가시광선 영역 전체에서 평균 99.1% 투과율을 가짐을 알 수 있다. 이는 일반적인 유리기판의 92% 투과율 대비 약 7%이상 향상된 투과율로써 광학소자의 효율을 증대시키는데 큰 이점이 있다. 7 is a graph comparing transmittances of the substrates according to Example 1, Example 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 2. Fig. From this, a porous silica thin film consisting of two layers of coated and oxidized layers of a block copolymer having a molecular weight of 43 kg / mol and a coated copolymer layer having a molecular weight of 55 kg / mol was coated on one side It can be seen that the transmittance is 96% on average in the visible light region. In addition, when the above-mentioned porous silica thin film is coated on both sides of the glass substrate, the radiation prevention characteristic is excellent at the entire range of the visible light region, and the transmittance is 99.9% at the maximum at the wavelength of 420 nm and 99.1% Able to know. This is a great advantage in increasing the efficiency of the optical element with a transmittance that is improved by about 7% or more as compared with the 92% transmittance of a general glass substrate.

상기 기판은 유리 기판일 수 있다.
The substrate may be a glass substrate.

다른 구현예는 기판; 및 상기 기판에 형성된 2 이상의 다공성 실리카 박막층을 포함하고, 상기 다공성 실리카 박막층은 굴절률이 서로 다르며, 상기 다공성 실리카 박막층 중 기판에 가까운 다공성 실리카 박막층일수록 굴절률이 큰 기판을 제공한다.Another embodiment includes a substrate; And at least two porous silica thin film layers formed on the substrate, wherein the porous silica thin film layers have different refractive indices, and a porous silica thin film layer closer to the substrate among the porous silica thin film layers has a higher refractive index.

상기 2 이상의 다공성 실리카 박막층은 10 nm 내지 200 nm, 예컨대 120 nm 내지 160 nm의 두께를 가질 수 있다.The two or more porous silica thin film layers may have a thickness of 10 nm to 200 nm, for example, 120 nm to 160 nm.

상기 다공성 실리카 박막층은 기공을 가지며, 상기 기공의 크기는 가시광선 파장보다 작을 수 있다. 예컨대 상기 기공의 크기는 10 nm 내지 200 nm, 예컨대 10 nm 내지 100 nm 일 수 있다.The porous silica thin film layer has pores, and the pore size may be smaller than the visible light wavelength. For example, the size of the pores may be between 10 nm and 200 nm, for example between 10 nm and 100 nm.

상기 다공성 실리카 박막층은 550 nm 내지 700 nm의 파장 영역에서 1.05 내지 1.46의 굴절률, 예컨대 600 nm 내지 650 nm의 파장 영역에서 1.10 내지 1.40의 굴절률을 가질 수 있다.The porous silica thin film layer may have a refractive index of 1.05 to 1.46 in a wavelength region of 550 nm to 700 nm, for example, a refractive index of 1.10 to 1.40 in a wavelength region of 600 nm to 650 nm.

상기 다공성 실리카 박막층은 30% 내지 90%, 예컨대 35% 내지 85%의 기공율을 가질 수 있다.The porous silica thin film layer may have a porosity of 30% to 90%, for example, 35% to 85%.

상기 기판은 기판 한쪽 면 또는 양쪽 면에 2 이상의 다공성 실리카 박막층이 형성된 것일 수 있다.The substrate may have at least two porous silica thin film layers formed on one side or both sides of the substrate.

상기 기판은 유리 기판일 수 있다.The substrate may be a glass substrate.

상기 구성에 따른 효과 및 기타 다른 구성 등은 모두 전술한 바와 같다.
The effects of the above-described configuration and other configurations and the like are all as described above.

또 다른 구현예는 상기 기판 제조방법에 의해 제조되는 기판을 제공한다. 상기 기판은 고내구 반사방지 코팅 기판으로서 기능할 수 있다.
Another embodiment provides a substrate produced by the above substrate manufacturing method. The substrate can function as a high anti-reflection coating substrate.

이하에서, 구체적인 실시예를 통해서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples. The following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the invention.

(실시예)(Example)

실시예Example 1 One

분자량이 43 kg/mol이고, PDMS의 부피분율이 48.8%인 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane, PS-PDMS) 블록 공중합체를 유리 기판 한쪽 면에 코팅시킨 후 산화시켰다. 이 후, 상기 블록 공중합체 위에 분자량이 55 kg/mol이고, PDMS의 부피분율이 9.1%인 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane, PS-PDMS) 블록 공중합체를 코팅시킨 후 산화시켜, 2층의 다공성 실리카 박막이 한쪽 면에 코팅된 유리 기판을 제조하였다. 상기 코팅 시에는 PGMEA 및 톨루엔을 1:1의 부피비로 혼합한 혼합액을 용매로 사용하였다. 코팅층의 두께는 142 nm 였다.
Polystyrene-b-polydimethylsiloxane (PS-PDMS) block copolymer having a molecular weight of 43 kg / mol and a volume fraction of PDMS of 48.8% was coated on one side of the glass substrate and then oxidized. Thereafter, a polystyrene-b-polydimethylsiloxane (PS-PDMS) block copolymer having a molecular weight of 55 kg / mol and a PDMS volume fraction of 9.1% was coated on the block copolymer And oxidized to prepare a glass substrate on which two porous silica thin films were coated on one side. During the coating, a mixture of PGMEA and toluene mixed at a volume ratio of 1: 1 was used as a solvent. The thickness of the coating layer was 142 nm.

실시예Example 2 2

블록 공중합체를 유리 기판 한쪽 면이 아닌 양쪽 면에 코팅시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 하여, 2층의 다공성 실리카 박막이 양쪽 면에 코팅된 유리 기판을 제조하였다.
A glass substrate coated with two layers of porous silica thin films on both sides was prepared in the same manner as in Example 1 except that the block copolymer was coated on both sides of the glass substrate instead of one side thereof.

비교예Comparative Example 1 One

아무것도 코팅되지 않은 유리 기판을 비교예 1로 하였다.
A glass substrate on which nothing was coated was regarded as Comparative Example 1.

비교예Comparative Example 2 2

분자량이 55 kg/mol이고, PDMS의 부피분율이 9.1%인 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane, PS-PDMS) 블록 공중합체를 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 하여, 단층의 다공성 실리카 박막이 한쪽 면에 코팅된 유리 기판을 제조하였다.
Except that polystyrene-b-polydimethylsioxane (PS-PDMS) block copolymer having a molecular weight of 55 kg / mol and a volume fraction of PDMS of 9.1% was not used. , A glass substrate having a single-layer porous silica thin film coated on one side thereof was prepared.

비교예Comparative Example 3 3

분자량이 43 kg/mol이고, PDMS의 부피분율이 48.8%인 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane, PS-PDMS) 블록 공중합체 대신 분자량이 45.5 kg/mol이고, PDMS의 부피분율이 32.2%인 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane, PS-PDMS) 블록 공중합체를 사용하고,The molecular weight was 45.5 kg / mol instead of the polystyrene-b-polydimethylsioxane (PS-PDMS) block copolymer having a molecular weight of 43 kg / mol and a volume fraction of PDMS of 48.8% A polystyrene-b-polydimethylsioxane (PS-PDMS) block copolymer having a fraction of 32.2% was used,

코팅 시, PGMEA 및 톨루엔을 1:1의 부피비로 혼합한 혼합액이 아닌 톨루엔만을 용매로 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 2와 동일하게 하여, 단층의 다공성 실리카 박막이 한쪽 면에 코팅된 유리 기판을 제조하였다.
A glass substrate coated with a single layer of a porous silica thin film on one side was prepared in the same manner as in Comparative Example 2 except that toluene alone was used as a solvent instead of a mixed solution of PGMEA and toluene in a volume ratio of 1: .

비교예Comparative Example 4 4

코팅 시, 톨루엔이 아닌 PGMEA 및 톨루엔을 1:1의 부피비로 혼합한 혼합액을 용매로 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 3과 동일하게 하여, 단층의 다공성 실리카 박막이 한쪽 면에 코팅된 유리 기판을 제조하였다.
A glass substrate coated with a single layer of a porous silica thin film on one side was prepared in the same manner as in Comparative Example 3 except that a mixture of PGMEA and toluene in a volume ratio of 1: 1, instead of toluene, .

평가 1: 블록 공중합체의 물성Evaluation 1: Properties of block copolymer

분자량이 43 kg/mol이고, PDMS의 부피분율이 48.8%인 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane, PS-PDMS) 블록 공중합체, 분자량이 45.5 kg/mol이고, PDMS의 부피분율이 32.2%인 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane, PS-PDMS) 블록 공중합체, 분자량이 51.5 kg/mol이고, PDMS의 부피분율이 16.5%인 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane, PS-PDMS) 블록 공중합체, 분자량이 55 kg/mol이고, PDMS의 부피분율이 9.1%인 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane, PS-PDMS) 블록 공중합체를 각각 BCP 1, BCP2, BCP3, BCP4라 하여, 이들을 산화시켜 다공성 실리카 박막을 얻었다. 상기 4가지의 다공성 실리카 박막을 엘립소미터(ellipsometer)를 사용하여 Psi와 Delta 값을 측정하고 투명한 물질에 적용되는 Caucy model과 기공(void)으로 구성된 층으로 다공성 실리카 막을 지정하여 Effective approximation model에 적용시켜 도 3 및 표 1에 도시된 결과를 얻을 수 있었다. 또한, 상기 BCP 1, BCP2, BCP3, BCP4의 SEM 사진을 도 2에 나타내었다.Polystyrene-b-polydimethylsioxane (PS-PDMS) block copolymer having a molecular weight of 43 kg / mol and a volume fraction of PDMS of 48.8%, a molecular weight of 45.5 kg / mol, Polystyrene-b-polydimethylsioxane (PS-PDMS) block copolymer having a molecular weight of 51.5 kg / mol and a volume fraction of PDMS of 16.5%, a polystyrene-b-polydimethylsiloxane Polystyrene-b-polydimethylsioxane (PS-PDMS) block copolymer having a molecular weight of 55 kg / mol and a volume fraction of PDMS of 9.1% PDMS) block copolymers were named BCP 1, BCP 2, BCP 3 and BCP 4, respectively, and these were oxidized to obtain a porous silica thin film. Psi and Delta values of the four porous silica thin films were measured using an ellipsometer, and a porous silica film was designated as a layer composed of a Caucy model and a void applied to a transparent material, and applied to an effective approximation model The results shown in Fig. 3 and Table 1 were obtained. SEM photographs of BCP 1, BCP 2, BCP 3 and BCP 4 are shown in FIG.

블록 공중합체Block copolymer 분자량
(kg/mol)
Molecular Weight
(kg / mol)
fPDMS
(%)
f PDMS
(%)
기공율
(%)
Porosity
(%)
산화 후 굴절률
(λ= 632.8 nm)
Refractive index after oxidation
(? = 632.8 nm)
BCP 1BCP 1 4343 48.848.8 39.939.9 1.3461.346 BCP 2BCP 2 45.545.5 32.232.2 63.163.1 1.2211.221 BCP 3BCP 3 51.551.5 16.516.5 74.174.1 1.1311.131 BCP 4BCP 4 5555 9.19.1 82.882.8 1.1111.111

상기 표 1에서 볼 수 있듯이, 분자량이 서로 다른 4 가지의 블록 공중합체는 산화 공정 후 PDMS의 부피비(fPDMS)가 감소할수록 기공의 부피비가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이는 도 2에서 확인한 결과와 상응하며, 도 4의 기공과 굴절률관계를 나타낸 그래프에 의해서도 그 경향성을 확인할 수 있다. 형성된 다공성 실리카 박막의 굴절률은 1.111 내지 1.346까지 조절이 가능함을 확인할 수 있다.
As can be seen from Table 1, the four block copolymers having different molecular weights show that the volume ratio of pores increases as the volume ratio of PDMS (f PDMS ) decreases after the oxidation process. This corresponds to the result shown in FIG. 2, and the tendency can be confirmed by a graph showing the relation between the pore and the refractive index in FIG. It can be confirmed that the refractive index of the formed porous silica thin film can be adjusted from 1.111 to 1.346.

평가 2: 코팅 시 용매에 따른 투과도 평가Evaluation 2: Evaluation of permeability according to solvent in coating

비교예 1, 비교예 3 및 비교예 4에 따른 유리 기판에 대한 투과도를 측정하여, 그 결과를 도 5에 나타내었다. 용매를 사용하지 않은 비교예 1보다는 용매를 사용한 비교예 3 및 4가 우수한 투과도를 나타냄을 알 수 있다. 또한, 단일의 용매를 사용한 비교예 3보다 혼합 용매를 사용한 비교예 4가 우수한 투과도를 나타냄을 알 수 있다.
The transmittance of the glass substrate according to Comparative Example 1, Comparative Example 3, and Comparative Example 4 was measured, and the results are shown in FIG. It can be seen that Comparative Examples 3 and 4 using a solvent show better transmittance than Comparative Example 1 not using a solvent. In addition, it can be seen that Comparative Example 4 using a mixed solvent shows better transmittance than Comparative Example 3 using a single solvent.

평가 3: 다공성 실리카 Evaluation 3: Porous silica 박막층의Thin-film layer 개수 및 기판 대한 코팅 면수에 따른 투과도 평가 Evaluation of permeability according to the number and the number of coated surfaces

실시예 1, 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 유리 기판에 대한 투과도를 측정하여, 그 결과를 도 7에 나타내었다. 아무것도 코팅되지 않은 유리 기판보다 다공성 실리카 박막이 코팅된 유리 기판이 우수한 투과도를 가짐을 알 수 있다. 또한, 단층의 다공성 실리카 박막층보다 2층의 다공성 실리카 박막층이 코팅된 유리 기판이 우수한 투과도를 가짐을 알 수 있다. 또한, 유리 기판 한쪽 면보다 양쪽 면에 다공성 실리카 박막층을 코팅하는 것이 보다 우수한 투과도를 가질 수 있음을 알 수 있다.
The transmittance of the glass substrates according to Example 1, Example 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 was measured, and the results are shown in FIG. It can be seen that a glass substrate coated with a porous silica thin film has better transmittance than a glass substrate coated with nothing. In addition, it can be seen that the glass substrate coated with the porous silica thin film layer of two layers rather than the single porous silica thin film layer has excellent transmittance. It is also understood that coating the porous silica thin film layer on both sides of one side of the glass substrate can have a better transmittance.

평가 4: Rating 4: 입사빔의Of the incident beam 각도 변화에 따른 투과도 평가 Evaluation of transmittance according to angle change

실시예 1 및 비교예 1에 따른 유리 기판의 입사빔의 각도 변화(0°, 30°, 45°, 60°)에 따른 투과도를 측정하여, 그 결과를 도 8에 나타내었다. 입사빔의 각도가 0° 에서 점진적으로 60°까지 증가하더라도 실시예 1에 따른 유리 기판은 반사 방지 특성이 뛰어나, 비교예 1에 따른 유리 기판보다 투과도의 감소율이 작음을 확인할 수 있다.
The transmittance of the glass substrate according to Example 1 and Comparative Example 1 was measured according to changes in angles (0 °, 30 °, 45 °, and 60 °) of the incident beam, and the results are shown in FIG. It can be confirmed that the glass substrate according to Example 1 is excellent in antireflection characteristics even when the angle of the incident beam increases from 0 ° to 60 ° gradually and the rate of decrease in transmittance is smaller than that of the glass substrate according to Comparative Example 1.

평가 5: 내구성 평가Evaluation 5: Durability evaluation

실시예 1에 따른 유리 기판에 사용된 다공성 실리카 박막의 내구성 테스트 후 투과도 변화를 측정하여, 그 결과를 도 9에 나타내었다. 실시예 1에 따른 유리기판을 Acetone, Toluene, Hepate, DMF, IPA, Pyridine 등의 유기용매에 담궜다 빼도 420nm에서의 투과율은 98%이상을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 또한 KOH의 강염기, HCl의 강산 처리 후에도 투과율이 98% 이상을 나타내 화학적 내구성이 뛰어남을 알 수 있다. Sonic 처리 후에도 투과율은 98%로 코팅된 박막과 기판과의 결합력이 우수한 것을 알 수 있으며, 500℃에서 1시간 동안 열처리 한 후에도 투과도가 99%를 나타내 열적 내구성 또한 뛰어난 것을 확인할 수 있다.The permeability change after the durability test of the porous silica thin film used in the glass substrate according to Example 1 was measured, and the result is shown in Fig. It can be confirmed that the transmittance at 420 nm is more than 98% even when the glass substrate according to Example 1 is immersed in an organic solvent such as Acetone, Toluene, Hepate, DMF, IPA, and Pyridine. It is also found that the chemical durability is excellent since the permeability is 98% or more even after treatment with KOH strong base or HCl strong acid treatment. It can be seen that the bond strength between the thin film coated with 98% of the transmittance and the substrate is excellent even after the sonic treatment, and the transmittance is 99% even after the heat treatment at 500 ° C for 1 hour, showing excellent thermal durability.

(도 9에서, Ref는 실시예 1에 다른 유리 기판을 의미한다.)
(Ref in Fig. 9 means a glass substrate different from Example 1).

평가 6: 기판 밑의 색 Evaluation 6: Color under the substrate 재구현성Reconstruction 평가 evaluation

실시예 1 및 비교예 1에 따른 유리 기판의 사진이다. 태양이나 형광등 아래에서 실제 반사 현상을 관찰하였으며, 실시예 1의 유리기판에서는 가시광선 영역 전 범위에서 반사가 거의 일어나지 않아 투명하여 유리 기판 밑의 색을 재구현할 수 있으나, 비교예 1의 유리 기판의 경우 가시광선 영역의 모든 빛을 반사하여 뿌옇게 되는 고스트(Ghost) 이미지가 나타나고 유리 기판 밑의 색을 재구현할 수 없음을 확인할 수 있다.
1 is a photograph of a glass substrate according to Example 1 and Comparative Example 1. Fig. The actual reflection phenomenon was observed under the sun or a fluorescent lamp. In the glass substrate of Example 1, the reflection was hardly occurred in the entire range of the visible light region, so that the color under the glass substrate was transparent. In this case, a ghost image appears in which all the light in the visible region is reflected, and the color under the glass substrate can not be reconstructed.

상기 평가 1 내지 6으로부터, 본 발명의 기판 제조방법에 의해 제조된 기판은 가시광선 영역 전 범위에서 뛰어난 반사방지 특성을 가지게 되어 투과도가 평균 99% 이상의 값을 가지며, 내구성 또한 뛰어나, 광학소자 등에 적용 시 성능의 개선을 꾀할 수 있다는 이점이 있음을 알 수 있다.
From the above Evaluation 1 to 6, it can be seen that the substrate produced by the substrate manufacturing method of the present invention has an excellent antireflection characteristic in the entire range of the visible light region, and has an average transmittance of 99% or more on average and excellent durability. It can be seen that there is an advantage in that the performance can be improved.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 청구범위에서 후술하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 다양하게 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the preferred embodiments of the present invention have been shown and described, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims.

Claims (26)

기판을 준비하는 단계; 및
상기 기판에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계
를 포함하고,
상기 코팅 및 산화된 블록 공중합체의 굴절률은 먼저 코팅 및 산화된 것이 나중에 코팅 및 산화된 것보다 크고,
상기 블록 공중합체는 서로 다른 2 이상의 블록을 포함하며, 상기 블록 중 어느 하나는 실리콘을 포함하고,
상기 블록 공중합체의 코팅 시, 2 이상의 유기용매가 혼합된 용매를 사용하고, 상기 용매는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 포함하고,
상기 블록 공중합체의 산화는
CH4 에칭 및 O2 에칭을 포함하는 2단계 반응성 이온 에칭 공정으로 수행하고,
상기 2단계 반응성 이온 에칭 공정은 CH4 에칭을 먼저 수행한 후, O2 에칭을 수행하고,
상기 CH4 에칭은 10W 내지 200W에서 10초 내지 200초 동안 수행하고,
상기 O2 에칭은 10W 내지 200W에서 100초 내지 200초 동안 수행하는
기판 제조방법.
Preparing a substrate; And
Coating and oxidizing two or more different block copolymers in sequence on the substrate
Lt; / RTI >
The refractive index of the coated and oxidized block copolymer is greater than that of the coated and oxidized first, coated and oxidized later,
Wherein the block copolymer comprises two or more different blocks, wherein one of the blocks comprises silicon,
Wherein a solvent in which at least two organic solvents are mixed is used in coating the block copolymer, the solvent includes propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA)
The oxidation of the block copolymer
Performing a two-step reactive ion etching process comprising etching CH 4 and O 2 etching,
The two-step reactive ion etching process is carried out to, O 2, CH 4 etching after performing the first etching,
The CH 4 etching is carried out from 10W to 200W for 10 seconds to 200 seconds,
The O 2 etching is performed at 10 W to 200 W for 100 seconds to 200 seconds
≪ / RTI >
제1항에서,
상기 기판에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계는
상기 기판에 제1 블록 공중합체를 코팅 및 산화시키는 단계; 및
상기 코팅 및 산화된 제1 블록 공중합체 상에 제2 블록 공중합체를 코팅 및 산화시키는 단계이고,
상기 제1 블록 공중합체의 굴절률은 상기 제2 블록 공중합체의 굴절률보다 크고,
상기 제1 블록 공중합체 및 제2 블록 공중합체는 각각 독립적으로 서로 다른 2 이상의 블록을 포함하며, 상기 블록 중 어느 하나는 실리콘을 포함하는
기판 제조방법.
The method of claim 1,
The step of sequentially coating and oxidizing two or more different block copolymers on the substrate
Coating and oxidizing the first block copolymer on the substrate; And
Coating and oxidizing the second block copolymer on the coated and oxidized first block copolymer,
The refractive index of the first block copolymer is larger than the refractive index of the second block copolymer,
Wherein the first block copolymer and the second block copolymer each independently include two or more different blocks, and one of the blocks includes silicon
≪ / RTI >
삭제delete 제1항에서,
상기 코팅은 딥 코팅 (Dip-coating), 스핀코팅 (spin-coating), 스프레이 코팅 (spray-coating), 또는 이들의 조합을 포함하는 방법을 사용하는 것인 기판 제조방법.
The method of claim 1,
Wherein the coating uses a method comprising dip-coating, spin-coating, spray-coating, or a combination thereof.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에서,
상기 산화된 블록 공중합체는 기공을 포함하는 다공성 구조를 가지며,
상기 기공의 크기는 가시광선 파장보다 작은 기판 제조방법.
The method of claim 1,
The oxidized block copolymer has a porous structure containing pores,
Wherein the pore size is smaller than the visible light wavelength.
제9항에서,
상기 기공의 크기는 10 nm 내지 200 nm 인 기판 제조방법.
The method of claim 9,
Wherein the pore size is from 10 nm to 200 nm.
제1항에서,
상기 블록 공중합체는 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산 (polystyrene-b-polydimethylsioxane), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리디메틸실록산 (polyacrylonitrile-b-polydimethylsiloxane), 폴리(4-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산 (poly(4-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리디메틸실록산 (polyethyleneoxide-b-polydimethylsiloxane), 폴리(2-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산 (poly(2-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트-b-폴리디메틸실록산 (polymethylmethacrylate-b-polydimethylsiloxane), 폴리부타디엔-b-폴리디메틸실록산 (polybutadiene-b-polydimethylsiloxane), 폴리이소뷰틸렌-b-폴리디메틸실록산 (polyisobutylene-b-polydimethylsiloxane), 폴리디메틸실록산-b-폴리뷰틸아크릴레이트 (polydimethylsiloxane-b-polybutylacrylate), 폴리디메틸실록산-b-폴리아크릴엑시드 (polydimethylsiloxane-b-polyacrylic acid), 또는 이들의 조합을 포함하는 기판 제조방법.
The method of claim 1,
The block copolymer may be selected from the group consisting of polystyrene-b-polydimethylsiloxane, polyacrylonitrile-b-polydimethylsiloxane, poly (4-vinylpyridine) B-polydimethylsiloxane, polyethyleneoxide-b-polydimethylsiloxane, poly (2-vinylpyridine) -b-polydimethylsiloxane (poly (2- vinylpyridine-b-polydimethylsiloxane, polymethylmethacrylate-b-polydimethylsiloxane, polybutadiene-b-polydimethylsiloxane, polyisobutylene- Polyisobutylene-b-polydimethylsiloxane, polydimethylsiloxane-b-polybutylacrylate, polydimethylsiloxane-b-polyacrylic acid, Or a combination thereof.
제1항에서,
상기 블록 공중합체 100 부피%에 대해 실리콘을 포함하는 블록은 9 부피% 내지 90 부피%로 포함되는 기판 제조방법.
The method of claim 1,
Wherein the block containing silicon is contained in an amount of from 9 vol% to 90 vol% based on 100 vol% of the block copolymer.
제1항에서,
상기 산화된 블록 공중합체는 550 nm 내지 700 nm의 파장 영역에서 1.05 내지 1.46의 굴절률을 가지는 기판 제조방법.
The method of claim 1,
Wherein the oxidized block copolymer has a refractive index of 1.05 to 1.46 in a wavelength region of 550 nm to 700 nm.
제1항에서,
상기 산화된 블록 공중합체는 30% 내지 90%의 기공율을 가지는 기판 제조방법.
The method of claim 1,
Wherein the oxidized block copolymer has a porosity of 30% to 90%.
제1항에서,
상기 블록 공중합체는 40 kg/mol 내지 60 kg/mol의 분자량을 가지는 기판 제조방법.
The method of claim 1,
Wherein the block copolymer has a molecular weight of 40 kg / mol to 60 kg / mol.
제1항에서,
상기 기판에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계는
상기 기판 한쪽 면 또는 양쪽 면에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체를 차례로 코팅 및 산화시키는 단계인 기판 제조방법.
The method of claim 1,
The step of sequentially coating and oxidizing two or more different block copolymers on the substrate
And coating and oxidizing two or more different block copolymers in sequence on one or both sides of the substrate.
제1항에서,
상기 기판은 유리 기판인 기판 제조방법.
The method of claim 1,
Wherein the substrate is a glass substrate.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항, 제2항, 제4항 및 제9항 내지 제17항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 기판. A substrate produced by the method of any one of claims 1, 2, 4, and 9 to 17.
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