KR101635827B1 - 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치 - Google Patents

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Abstract

자구벽 이동을 이용한 정보저장장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 정보저장장치는 자성트랙과 상기 자성트랙의 자구벽을 핀닝(pinning)시키기 위한 적어도 하나의 핀닝 부재(pinning element)를 포함할 수 있다. 상기 핀닝 부재는 상기 자성트랙에 상기 자구벽을 핀닝시키기 위한 자기장을 인가하는 요소일 수 있고, 상기 자기장의 방향은 상기 자구벽의 자화 방향과 동일할 수 있다.

Description

자구벽 이동을 이용한 정보저장장치{Information storage device using magnetic domain wall moving}
본 개시는 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치에 관한 것이다.
개시된 발명은 서울특별시의 서울시 산학연 협력사업-기술기반구축사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다. [과제고유번호: 10543, 과제명: 나노바이오 시스템 및 응용소재]
전원이 차단되더라도 기록된 정보가 유지되는 비휘발성 정보저장장치는 HDD(hard disk drive)와 비휘발성 RAM(ramdom access memory) 등이 있다.
일반적으로, HDD는 회전하는 부분을 갖는 저장장치로 마모되는 경향이 있고, 동작시 페일(fail)이 발생할 가능성이 크기 때문에 신뢰성이 떨어진다. 한편, 비휘발성 RAM의 대표적인 예로 플래시 메모리를 들 수 있는데, 플래시 메모리는 회전하는 기계 장치를 사용하지 않지만, 읽기/쓰기 동작 속도가 느리고 수명이 짧으며, HDD에 비해 저장용량이 작은 단점이 있다. 또한 플래시 메모리의 생산 비용은 상대적으로 높은 편이다.
이에, 최근에는 종래의 비휘발성 정보저장장치의 문제점을 극복하기 위한 방 안으로서, 자성 물질의 자구벽(magnetic domain wall) 이동 원리를 이용하는 새로운 정보저장장치에 관한 연구 및 개발이 이루어지고 있다. 자구(magnetic domain)는 강자성체 내에서 자기 모멘트가 일정 방향으로 정돈된 자기적인 미소영역이고, 자구벽은 서로 다른 자화 방향을 갖는 자구들의 경계부이다. 자구 및 자구벽은 자성트랙에 인가되는 전류에 의해 이동될 수 있다. 자구 및 자구벽의 이동 원리를 이용하면, 회전하는 기계 장치를 사용하지 않으면서 저장용량이 큰 정보저장장치를 구현할 수 있을 것이라 예상된다.
자구벽 이동을 이용한 정보저장장치의 핵심 기술 중 하나는 자구벽의 핀닝(pinning) 기술이다. 자성트랙에 인가된 전류에 의해 움직이기 시작한 자구벽은 소정 길이만큼 이동한 후, 자성트랙의 특정 위치에 정지, 즉, 핀닝(pinning)될 수 있어야 한다. 그래야 자구벽의 비트 단위 이동이 가능하다.
자구벽의 핀닝(pinning)을 위해 주로 노치(notch)가 이용된다. 즉, 자성트랙에 노치(notch)를 형성하여 그것을 자구벽의 핀닝 지점(pinning site)으로 사용한다. 그러나 노치(notch)를 이용함에 있어서, 여러 문제점이 발생할 수 있다. 예컨대, 자성트랙의 노치(notch) 부분에 전류가 집중되어 열이 발생할 수 있고, 이로 인해, 자성트랙에 기록된 정보의 신뢰성이 떨어지고, 자성트랙 자체가 손상되는 등 다양한 문제가 유발될 수 있다. 또한 수십 나노미터(nm) 정도의 두께 및 폭을 갖는 자성트랙에 미세한 크기의 노치(notch)를 형성하는 것은 용이하지 않다. 미세한 노치(notch)들을 균일한 간격, 크기 및 모양을 갖도록 형성하는 것은 더욱 어렵다. 노치(notch)의 간격, 크기 및 모양이 불균일하면, 그에 따라 자구벽을 정지시키는 자기장의 강도, 즉 핀닝(pinning) 자기장의 강도가 달라지기 때문에 소자 특성이 불균일해질 수 있다.
노치(notch) 없이 자구벽을 고정, 즉, 핀닝(pinning)시킬 수 있는 방법 및 이를 적용한 정보저장장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 다수의 자구 및 그들 사이에 자구벽을 갖는 자성트랙; 및 상기 자성트랙과 이격된 것으로, 상기 자구벽을 핀닝(pinning)시키기 위한 핀닝 부재;를 포함하는 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치를 제공한다.
상기 핀닝 부재는 상기 자성트랙에 상기 자구벽을 핀닝시키기 위한 자기장을 인가하도록 구성될 수 있고, 상기 자기장의 방향은 상기 자구벽의 자화 방향과 동일할 수 있다.
상기 핀닝 부재는 자성층 패턴일 수 있고, 상기 자성층 패턴의 적어도 일부는 상기 자구벽의 자화 방향과 동일한 방향으로 자화될 수 있다.
상기 자성층 패턴은 상기 자성트랙에 수직한 방향으로 연장될 수 있다.
상기 자성층 패턴의 양단 중 상기 자성트랙을 향하는 일단은 뾰족할 수 있다.
상기 자성층 패턴은 대칭 또는 비대칭 구조를 가질 수 있다.
상기 자성층 패턴은 나노스케일(nanoscale)을 가질 수 있다.
상기 자성층 패턴과 상기 자성트랙 사이의 간격은 수 내지 수십 nm 정도일 수 있다.
상기 자성층 패턴은 Co, Ni 및 Fe 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 자성층 패턴과 상기 자성트랙은 동일 물질로 형성될 수 있다.
상기 자성층 패턴과 상기 자성트랙은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
상기 자성트랙은 수평 자기이방성(in-plane magnetic anisotropy) 또는 수직 자기이방성(perpendicular magnetic anisotropy)을 가질 수 있다.
상기 자성층 패턴은 수평 자기이방성 또는 수직 자기이방성을 가질 수 있다.
상기 자성트랙과 상기 핀닝 부재는 동일한 평면 상에 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 핀닝 부재는 상기 자성트랙의 일측 또는 양측 각각에 구비될 수 있다.
상기 자성트랙과 상기 핀닝 부재는 수직으로 적층될 수 있다. 이 경우, 상기 핀닝 부재는 상기 자성트랙의 아래 및 위 중 적어도 한 곳에 구비될 수 있다.
상기 자성트랙의 적어도 일측에 복수의 상기 핀닝 부재가 등간격으로 구비될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 노치(notch) 없이 자구벽을 핀닝(pinning) 시킬 수 있는 정보저장장치를 구현할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 다소 과장되게 도시된 것이다. 상세한 설명 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1의 (A)는 본 발명의 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치를 보여주는 평면도이다.
도 1의 (A)를 참조하면, 소정 방향, 예컨대, X축 방향으로 연장된 자성트랙(100)이 구비될 수 있다. 자성트랙(100)은 다수의 자구(D1, D2) 및 그들 사이에 자구벽(DW1)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2자구(D1, D2)는 서로 반대 방향으로 자화된 영역일 수 있고, 자구벽(DW1)은 제1 및 제2자구(D1, D2)의 경계부일 수 있다. 여기서는, 자성트랙(100)이 두 개의 자구(이하, 제1 및 제2자구)(D1, D2)를 갖는 경우에 대해 도시하였지만, 자성트랙(100)은 세 개 이상의 자구를 포함할 수 있고, 인접한 두 자구 사이마다 자구벽이 구비될 수 있다.
자성트랙(100)은 수평 자기이방성(in-plane magnetic anisotropy)을 갖는 물질 및 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 자성트랙(100)의 자구들(D1, D2)은 자성트랙(100)의 길이 방향과 평행한 자화 방향을 가질 수 있다. 본 실시예에서 제1자구(D1)는 X축 방향으로, 제2자구(D2)는 X축의 역방향으로, 자구벽(DW1)은 Y축 방향으로 자화되어 있다. 제1 및 제2자구(D1, D2)는 각각 정보 '0' 및 '1'에 대응될 수 있다. 제1 및 제2자구(D1, D2)의 자화 방향은 서로 바뀔 수 있고, 자구벽(DW1)의 자화 방향도 달라질 수 있다. 자성트랙(100)이 수직 자기이방성(perpendicular magnetic anisotropy)을 갖는 경우도 가능하다.
자구벽(DW1)을 핀닝(pinning)하기 위한 핀닝 수단(200)이 구비될 수 있다. 핀닝 수단(200)은 자성트랙(100)의 적어도 일측, 예컨대, 양측에 구비될 수 있다. 이때, 자성트랙(100) 일측 및 타측의 핀닝 수단(200)은 동일 축 상에 구비될 수 있 다. 핀닝 수단(200)은 자성트랙(100)에 자구벽(DW1) 핀닝을 위한 자기장을 인가하는 수단일 수 있다. 상기 자기장의 방향은 자구벽(DW1)의 자화 방향과 동일할 수 있다. 예컨대, 핀닝 수단(200)은 상기 자기장을 발생시키는 "자성층 패턴"일 수 있다. 이 경우, 핀닝 수단(200)은 자성트랙(200)에 수직한 방향으로 연장된 구조를 가질 수 있고, 자구벽(DW1)의 자화 방향과 동일한 방향으로 자화될 수 있다. 이때, 핀닝 수단(200)은 수평 자기이방성을 가질 수 있고, 핀닝 수단(200)의 Y축 방향 길이는 X축 방향 길이(이하, 폭)보다 길 수 있다. 예컨대, 핀닝 수단(200)은 수십 내지 수백 nm 정도의 폭 및 그의 수배에 대응하는 길이를 가질 수 있다. 핀닝 수단(200)의 두께는 수십 nm 이하일 수 있다. 이러한 치수(dimension)을 갖는 핀닝 수단(200)은 나노스케일(nanoscale)을 갖는다고 할 수 있다. 핀닝 수단(200)이 수평 자기이방성을 갖는 경우, 그의 장축 방향(즉, Y축 방향)으로 자화용이축(magnetic easy axis)을 가질 수 있다. 따라서 핀닝 수단(200)은 Y축과 평행한 방향으로 자화될 수 있다. 핀닝 수단(200)의 양단 중 자성트랙(100)을 향하는 일단은 뾰족할 수 있다. 이와 같이, 핀닝 수단(200)의 일단이 뾰족한 경우, 상기 일단이 Y축과 평행한 방향으로 자화되는데 유리할 수 있다. 또한, 이 경우, 핀닝 수단(200)에서 자성트랙(100)으로 인가되는 자기장의 폭이 좁아질 수 있다. 핀닝 수단(200)의 양단 중 자성트랙(100)에서 멀리 배치된 타단도 뾰족한 모양을 가질 수 있다. 그러나 경우에 따라서는, 그렇지 않을 수도 있다. 따라서 핀닝 수단(200)은 자성트랙(100)에 대칭 또는 비대칭 구조를 가질 수 있다. 핀닝 수단(200)의 모양은 도시된 바에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. 한편, 핀닝 수단(200)과 자 성트랙(100) 사이의 간격은 수 내지 수십 nm 정도일 수 있다.
도 1의 (A)에 도시하지는 않았지만, 자성트랙(100)의 양단 중 적어도 하나는 전류 인가 수단에 연결될 수 있다. 상기 전류 인가 수단은 자성트랙(100)에 자구벽 이동을 위한 전류를 인가할 수 있다.
도 2는 도 1의 핀닝 수단(200)에서 발생하는 자기장을 보여주는 그래프이다. 보다 상세하게 설명하면, 도 2는 도 1의 자성트랙(100)과 핀닝 수단(200)의 거리(d)에 따른 핀닝 수단(200)에서 자성트랙(100)으로 인가되는 자기장의 세기 변화를 보여주는 그래프이다. 여기서, 상기 자기장은 핀닝 수단(200)에서 자성트랙(100)으로 인가되는 Y축 성분의 자기장이다. 도 2의 그래프에서 X축은 자성트랙(100)의 X축 방향에 따른 위치를 나타낸다. X=0 인 지점이 자성트랙(100)에서 핀닝 수단(200)과 가장 가까운 지점이다.
도 2를 참조하면, 핀닝 수단(200)에서 자성트랙(100)으로 자성트랙(100)에 수직한 자기장이 인가되는 것을 알 수 있다. 이때, 상기 자기장의 세기는 수십 내지 수백 Oe(oersted) 정도였다. 또한 도 2의 결과로부터, 자성트랙(100)과 핀닝 수단(200)이 가까울수록 자성트랙(100)에 인가되는 자기장의 세기가 증가하는 것을 알 수 있다.
도 1의 (A)와 같은 구조를 갖는 정보저장장치에서, 자구벽(DW1)이 핀닝 수단(200)에서 발생된 자기장 하에 놓이게 되면, 자구벽(DW1)의 자화 방향과 상기 자기장의 방향이 동일하기 때문에, 자성트랙(100)은 에너지적으로 가장 안정적인 상태가 될 수 있다. 따라서 자성트랙(100)에 인가된 전류에 의해 이동하는 자구 벽(DW1)은 핀닝 수단(200)이 구비된 지점에서 정지, 즉, 핀닝될 수 있다. 이와 같이, 본 실시예에서는 노치(notch)를 형성하지 않고 자기장(즉, stray field)을 발생시키는 자성층 패턴을 핀닝 수단(200)으로 이용해서 자구벽(DW1)을 용이하게 핀닝시킬 수 있다. 따라서 노치(notch) 형성에 따른 다양한 문제점들이 방지된 정보저장장치를 구현할 수 있다.
도 1의 (B)는 자구벽(DW1)의 위치에 따른 자성트랙(100)의 에너지 변화를 보여주는 그래프이다.
도 1의 (B)를 참조하면, 자구벽(DW1)이 핀닝 수단(200)에 가장 가까이 위치할 때, 자성트랙(100)의 에너지가 가장 작은 것을 알 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치의 평면도이다. 본 실시예는 자성트랙(100')이 수직 자기이방성을, 핀닝 수단(200')은 수평 자기이방성을 갖는 경우이다.
도 3을 참조하면, 자성트랙(100')은 수직 자기이방성을 가질 수 있다. 이 경우, 자성트랙(100')의 제1자구(D1')는 Z축 방향으로 자화될 수 있고, 제2자구(D2')는 Z축의 역방향으로 자화될 수 있다. 제1 및 제2자구(D1', D2')에 도시한 표시
Figure 112009031700251-pat00001
및
Figure 112009031700251-pat00002
는 이들(D1', D2')의 자화방향을 나타낸다. 자구벽(DW1')은 Y축과 평행한 자화 방향을 가질 수 있다. 자성트랙(100')의 적어도 일측, 예컨대, 양측에 핀닝 수단(200')이 구비될 수 있다. 핀닝 수단(200')은 자구벽(DW1')의 자화 방향과 동일한 방향으로 자화될 수 있다. 핀닝 수단(200')은 도 1의 핀닝 수단(200)과 유사할 수 있으므로, 이에 대한 반복 설명은 생략한다.
도 3의 구조에서도 도 1의 경우와 유사하게, 자구벽(DW1')은 핀닝 수단(200')에서 발생된 자기장에 의해 핀닝될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치의 단면도이다. 본 실시예는 자성트랙(100")은 수평 자기이방성을, 핀닝 수단(200")은 수직 자기이방성을 갖는 경우이다. 도 1 및 도 3의 구조에서 자성트랙(100, 100')과 핀닝 수단(200, 200')이 동일 평면 상에 구비되는 반면, 도 4의 구조에서는 자성트랙(100")과 핀닝 수단(200")이 수직 방향으로 적층되어 있다.
도 4를 참조하면, 자성트랙(100")의 제1 및 제2자구(D1, D2)는 X축 및 X축의 역방향으로 자화될 수 있고, 자구벽(DW1")은 Z축과 평행한 자화 방향을 가질 수 있다. 자성트랙(100")과 도 1의 자성트랙(100)의 차이는 자구벽(DW1", DW1)의 자화 방향에 있다. 도 4의 자구벽(DW")은 Z축과 평행한 방향으로 자화되어 있다. 도 4와 같이 자구벽(DW1")이 Z축과 평행한 자화 방향을 갖는 경우, 핀닝 수단(200")은 자성트랙(100)의 위 및 아래 중 적어도 하나에 구비될 수 있다. 이때, 핀닝 수단(200")은 Z축과 평행한 자화용이축을 가질 수 있다. 즉, 핀닝 수단(200")은 수직 자기이방성을 가질 수 있다. 핀닝 수단(200")이 수직 자기이방성을 갖는 경우, 그의 결정 구조에 의해 자화용이축이 결정될 수 있다. 따라서, 핀닝 수단(200")의 단부의 형상은 중요하지 않을 수 있다. 즉, 핀닝 수단(200")의 양단 중 적어도 하나는 뾰족하지 않을 수 있다.
도 4의 구조에서도, 핀닝 수단(200")에서 발생한 자기장에 의해 자성트 랙(100)의 자구벽(DW1")이 핀닝될 수 있다.
도 1, 3 및 4에서 자성트랙(100, 100', 100")과 핀닝 수단(200, 200', 200")은 Co, Ni 및 Fe 중 적어도 하나를 포함하는 자성 물질로 형성될 수 있다. 상기 자성 물질은 Co, Ni, Fe 이외에 다른 원소를 더 포함할 수도 있다. 자성트랙(100, 100', 100")과 핀닝 수단(200, 200', 200")은 동일 물질 또는 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 자성트랙(100, 100', 100")과 핀닝 수단(200, 200', 200") 중 적어도 하나는 수평 자기이방성을 갖는 연자성 물질로 형성되거나, 수직 자기이방성을 갖는 강자성 물질로 형성될 수 있다.
도 1, 3 및 4에 도시된 핀닝 수단(200, 200', 200")의 형상은 다양하게 변화될 수 있다. 그 예가 도 5에 도시되어 있다.
도 5를 참조하면, 핀닝 수단은 삼각형(A), 마름모형(B), 일단이 뾰족한 오각형(C), 일단은 뾰족하고 타단은 둥근 형태(D), 직사각형(E) 등 다양한 형태를 가질 수 있다.
도 1, 3 및 4는 자성트랙(100, 100', 100")이 하나의 자구벽(DW1, DW1', DW1")을 갖고, 그에 대응하는 한 쌍의 핀닝 수단(200, 200', 200")이 구비되는 경우이지만, 자구벽(DW1, DW1', DW1")은 두 개 이상 구비될 수 있고, 그에 따라 핀닝 수단(200, 200', 200")의 개수도 늘어날 수 있다. 예컨대, 도 6과 같은 구조가 가능하다.
도 6을 참조하면, 다수의 자구(D) 및 그들 사이의 자구벽(DW)을 갖는 자성트랙(1000)이 구비될 수 있다. 자성트랙(1000) 일측에 복수의 핀닝 수단(2000)이 등 간격으로 구비될 수 있다. 핀닝 수단(2000)의 간격과 자구벽(DW)의 간격은 동일할 수 있다. 자성트랙(1000) 타측에도 복수의 핀닝 수단(2000)이 구비될 수 있다. 자성트랙(1000) 타측의 핀닝 수단(2000)은 자성트랙(1000) 일측의 핀닝 수단(2000)과 일대일로 대응하도록 구비될 수 있다. 핀닝 수단들(2000)은 자성트랙(1000)과 함께 형성할 수 있다. 이때, 포토 리소그라피(photolithography) 공정을 사용하거나, 전자-빔(e-beam) 리소그라피와 같은 미세 패터닝 공정을 사용할 수 있다. 핀닝 수단들(2000)의 크기가 작고 이들(2000) 사이의 간격이 좁은 경우, 전자-빔(e-beam) 리소그라피와 같은 미세 패터닝 공정을 사용하는 것이 유리할 수 있다. 여기서 언급한 방법 이외에 다른 방법으로 핀닝 수단(2000)을 형성할 수도 있다.
부가적으로, 여기서 도시하지는 않았지만, 본 발명의 실시예에 따른 정보저장장치는 자성트랙(100, 100', 100", 1000)에 정보를 기록하기 위한 기록유닛 및 정보를 재생하기 위한 재생유닛 등을 더 구비할 수 있다. 기록유닛과 재생유닛을 별도로 구비하는 대신에, 기록 및 재생 기능을 모두 갖는 기록/재생유닛을 구비시킬 수도 있다. 상기 기록유닛은 스핀 전이 토크(spin transfer torque) 또는 외부 자기장을 이용해서 정보를 기록하는 소자일 수 있다. 상기 기록유닛이 스핀 전이 토크(spin transfer torque)를 이용해서 정보를 기록하는 소자인 경우, 상기 기록유닛은, 예컨대, TMR(tunnel magneto resistance) 또는 GMR(giant magneto resistance) 소자의 구성을 가질 수 있다. 상기 재생유닛은 TMR 또는 GMR 효과를 이용하여 정보를 재생하는 센서일 수 있다. 상기 기록/재생유닛은 상기 기록유닛의 원리를 이용해서 기록을 수행하고, 또한 상기 재생유닛의 원리를 이용해서 재생을 수행하는 일체형의 소자일 수 있다. 상기 기록유닛, 재생유닛 및 기록/재생유닛이 구비되는 것은 선택적(optional)이고, 이들의 구조 및 원리는 전술한 바에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 구체적인 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본원의 사상(idea)은 자구벽 이동을 이용한 장치라면 어떤 장치이든 상관없이 적용될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 즉, 본원의 사상은 자구벽 이동을 이용한 정보 저장을 위한 장치 이외에 다른 장치, 예컨대, 자구벽 이동을 이용한 논리소자에도 적용될 수 있다. 또한 도 1, 도 3, 도 4 및 도 6의 정보저장장치의 구조는 다양하게 변형될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 구체적인 예로, 도 1, 도 3, 도 4 및 도 6에서 핀닝 수단(200, 200', 200", 2000)은 "자성층 패턴"이 아닌 다른 요소로 대체될 수 있고, 자성트랙(100, 100', 100", 1000)의 양측이 아닌 일측에만 구비될 수도 있다.그리고 자성트랙(100, 100', 100", 1000)의 형태도 다양하게 변형될 수 있다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
도 1의 (A)는 본 발명의 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치를 보여주는 평면도이다.
도 1의 (B)는 도 1의 (A)의 자구벽 위치에 따른 자성트랙의 에너지 변화를 보여주는 그래프이다.
도 2는 도 1의 자성트랙과 핀닝 수단의 거리에 따른 핀닝 수단에서 자성트랙으로 인가되는 자기장의 세기 변화를 보여주는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 정보저장장치에 구비될 수 있는 핀닝 수단의 다양한 형태를 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치의 평면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 *
100∼100", 1000 : 자성트랙 200∼200", 2000 : 핀닝 수단
D, D1∼D2" : 자구 DW, DW1∼DW1" : 자구벽

Claims (16)

  1. 다수의 자구 및 그들 사이에 자구벽을 갖는 자성트랙; 및
    상기 자성트랙과 이격된 것으로, 상기 자구벽을 핀닝(pinning)시키기 위한 핀닝 부재;를 포함하고,
    상기 자성트랙과 상기 핀닝 부재는 동일한 평면 상에 수평 방향으로 상호 이격하여 구비되고, 상기 핀닝 부재는 상기 자성트랙에 상기 자구벽을 핀닝시키기 위한 자기장을 인가하도록 구성되며, 상기 자기장의 방향은 상기 자구벽의 자화 방향과 동일한 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 핀닝 부재는 자성층 패턴이고,
    상기 자성층 패턴의 적어도 일부는 상기 자구벽의 자화 방향과 동일한 방향으로 자화된 정보저장장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 자성층 패턴은 상기 자성트랙에 수직한 방향으로 연장된 정보저장장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 자성층 패턴의 양단 중 상기 자성트랙을 향하는 일단은 뾰족한 정보저 장장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 핀닝 부재는 상기 자성트랙의 일측 또는 양측 각각에 구비된 정보저장장치.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 자성트랙의 적어도 일측에 복수의 상기 핀닝 부재가 등간격으로 구비된 정보저장장치.
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