KR101632275B1

KR101632275B1 - 다중대역 2포트 안테나

Info

Publication number: KR101632275B1
Application number: KR1020140144144A
Authority: KR
Inventors: 오경섭; 김영필; 김상진
Original assignee: 주식회사 감마누
Priority date: 2014-10-23
Filing date: 2014-10-23
Publication date: 2016-06-21
Also published as: KR20160047783A; WO2016064080A1

Abstract

본 발명은 다중대역 안테나에 관한 것으로서, 그라운드 판, 상기 그라운드 판에 형성된 역-F (Inverted-F) 타입의 제1 방사소자, 상기 제1 방사소자와 대칭되는 형태로 소정 간격 이격하여 형성된 역-F (Inverted-F)타입의 제2 방사소자, 상기 제1 방사소자와 제2 방사소자의 일단으로부터 소정 간격 이격되어 형성된 제1 기생소자 및 상기 제1 방사소자와 제2 방사소자의 타단으로부터 소정 간격 이격되어 형성된 제2 기생소자를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

다중대역 2포트 안테나{MULTIBAND 2-PORT ANTENNA}

본 발명은 다중대역 안테나에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 격리도 확보 효과가 우수한 다중대역 2포트 안테나에 관한 것이다.

최근에는 안테나에서 다중 주파수 대역의 사용이 일반화되고 있으며, 무선통신 기술의 발달에 따라 국내에서 이용중인 4G LTE(Long Term Evolution)는 다중 주파수 대역의 서비스를 제공하는 MIMO(Multi Input Multi Output) 안테나를 채용하고 있다. 이러한 MIMO 안테나에서는 다중 주파수 대역의 서비스를 제공하기 위해 필수적으로 복수의 안테나를 사용하며, 그로 인해 안테나 상호 간에 간섭이 발생할 수 있다. 안테나 상호 간에 간섭이 발생하면, 안테나의 방사 패턴이 왜곡되거나, 각 안테나의 의도하지 않은 상호 결합 현상이 발생할 수 있으므로, 안테나 상호 간에 격리도를 확보하는 것이 중요한 과제로 떠오르고 있다.

기존에는 안테나의 격리도 확보를 위하여 안테나 상호 간 거리를 일정 거리 이상으로 유지하며 안테나를 배치하는 방법을 이용하였으나, 점점 소형화되는 이동통신 기기의 내부 공간상의 문제 때문에 이러한 방법은 더 이상 이용할 수 없게 되었다. 따라서 최근에는 격리도 확보를 위한 이격부를 안테나와 안테나 사이에 배치하여 벽을 형성하거나, 그라운드 구조를 변경하여 그라운드 벽(Wall)을 형성하는 방법을 이용하고 있으나, 4G LTE에 이용되는 MIMO 안테나와 같은 다중대역 안테나를 구현하기 위해서는 반파장보다 작은 공간 내에 두 개 또는 그 이상의 안테나가 배치되어야 하므로 공간상의 제약이 다른 안테나의 경우보다 상당히 큰바, 우수한 격리도 확보 효과를 갖는 다중대역 안테나(100)가 요구된다.

대한민국 공개특허공보 제10-2013-0088289호(2013.08.08)

따라서 본 발명은, 격리도 확보 효과가 우수한 다중대역 안테나를 제공하는 것을 목적으로 한다.

한편, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 이하에서 설명할 내용으로부터 통상의 기술자에게 자명한 범위 내에서 다양한 기술적 과제가 도출될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 따른 다중대역 안테나는 그라운드 판, 상기 그라운드 판에 형성된 역-F (Inverted-F) 타입의 제1 방사소자, 상기 제1 방사소자와 대칭되는 형태로 소정 간격 이격하여 형성된 역-F (Inverted-F)타입의 제2 방사소자, 상기 제1 방사소자와 제2 방사소자의 일단으로부터 소정 간격 이격되어 형성된 제1 기생소자 및 상기 제1 방사소자와 제2 방사소자의 타단으로부터 소정 간격 이격되어 형성된 제2 기생소자를 포함한다.

또한, 상기 제2 기생소자에 인접하여 형성된 제3 기생소자를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1 방사소자와 제2 방사소자는, 개구부를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1 기생소자는, 루프타입으로 형성될 수 있다.

또한, 상기 제2 기생소자는, 상기 그라운드 판과 소정 각도를 이루며 형성된 제2-1 기생소자부 및 상기 제2-1 기생소자의 일단에 형성된 제2-2 기생소자부를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1 기생소자는, 개구부를 포함하며, 상기 제1 방사소자와 제2 방사소자 사이에서 상기 그라운드 판과 소정 각도를 이루며 형성될 수 있다.

또한, 상기 제1 기생소자는, 상기 제1 방사소자와 제2 방사소자 사이에서 상기 그라운드 판에 슬롯 타입으로 형성될 수 있다.

또한, 상기 제3 기생소자는, 상기 제2 기생소자의 후면에 형성되며, 상기 그라운드 판과 소정 각도를 이루며 형성될 수 있다.

또한, 상기 제1 방사소자는, 상기 제1 방사소자의 일면으로부터 연장 형성된 튜닝소자를 더 포함할 수 있다.

본 발명에 따르면, 다중대역 안테나에 있어서 우수한 격리도가 확보되므로, 안테나 크기의 소형화가 가능하다.

또한, 저주파수 대역과 고주파수 대역을 모두 커버할 수 있으므로, 4G LTE 통신망에 적합한 다중대역 안테나의 제공이 가능하다.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 이하에서 설명할 내용으로부터 통상의 기술자에게 자명한 범위 내에서 다양한 효과들이 포함될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다중대역 안테나를 정면에서 바라본 모습을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 다중대역 안테나를 측면에서 바라본 모습을 나타내는 도면이다.
도 3과 도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다중대역 안테나를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 다중 대역 안테나의 격리도를 측정한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다중대역 안테나의 VSWR를 제1 급전부에서 측정한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다중대역 안테나의 VSWR를 제2 급전부에서 측정한 그래프이다.

이하, 본 발명의 일부 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 설명하는 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 당업자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것으로 이에 의해 본 발명이 한정되지 않으며, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.

또한, 첨부된 도면에 표현된 사항들은 본 발명의 실시 예들을 쉽게 설명하기 위해 도식화된 도면으로 실제로 구현되는 형태와 상이할 수 있으며, 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다.

또한, 어떤 구성요소들을 '포함'한다는 표현은, '개방형의 표현'으로서 해당 구성요소들이 존재하는 것을 단순히 지칭하는 표현이며, 추가적인 구성요소들을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 될 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다중대역 안테나(100)를 정면에서 바라본 모습을 나타내는 도면이다.

다중대역 안테나(100)는 그라운드 판(10), 제1 방사소자(20), 제2 방사소자(30), 제1 기생소자(40) 및 제2 기생소자(50)를 포함한다.

그라운드 판(10)은 일반적인 반사판을 이용할 수 있으며, 도 1을 참조하면 팔각형 형태의 그라운드 판(10)을 확인할 수 있으나, 그라운드 판(10)에 형성되는 안테나 소자의 형상 및 배치구조에 따라 다양한 형태로 구현할 수 있다. 한편, 그라운드 판(10)은 전체 안테나 사이즈의 소형화를 위하여 그라운드 판(10)의 일단과 상기 일단의 근방에 형성되는 안테나 소자 사이의 여분 공간이 최소가 되는 것이 바람직하다.

상기 그라운드 판(10)의 일 부분에는 제1 방사소자(20)가 형성되며, 도 1을 참조하면 역-F (Inverted F Antenna) 안테나 타입의 제1 방사소자(20)가 그라운드 판(10)의 일 변 근방에 형성된 것을 확인할 수 있다.

제1 방사소자(20)는 전도성을 띠는 재질로 형성할 수 있으며, 송수신하는 주파수에 따라 다양한 길이로 형성될 수 있다. 또한, 제1 방사소자(20)는 다양한 타입의 안테나로 형성할 수 있으며, 도 1과 같이 평판(패치) 역-F 안테나 타입(Planar Inverted F Antenna)으로 형성할 경우, 그라운드 판(10)에 고정시켜 지지하기 위한 플라스틱 봉과 같은 지지부와 다중 주파수 대역을 송수신하기 위한 방사 소자 상의 개구부(21)가 형성될 수 있다. 여기서 개구부(21)의 형성 위치, 길이 및 면적 등을 조절하여 다중 주파수 대역을 송수신하도록 할 수 있으며, 본 명세서에서는 제1 방사소자(20)가 개구부(21) 조절을 통해 4G LTE에 이용되는 제1 주파수 대역(698~960 MHz)과 제2 주파수 대역(1.710~2.688 GHz)을 모두 만족하는 것을 기준으로 설명하기로 한다.

한편, 제1 방사소자(20)는 주파수 매칭(Matching)이 가능한 튜닝소자(22)를 더 포함할 수 있다. 도 1을 참조하면, 제1 방사소자(20)의 일면으로부터 연장 형성된 복수의 튜닝소자(22)를 확인할 수 있으며, 튜닝소자(22)의 형성위치, 개수 및 길이를 조절하여 주파수 매칭이 가능하다. 이러한 튜닝소자(22)의 형성방법, 형성위치, 개수 및 길이는 필요에 따라 다양하게 조정 가능하다.

마지막으로 제1 방사소자(20)는 제1 급전부(24)를 통해 급전신호를 전송 받는다. 제1 급전부(24)는 급전 케이블을 이용하여 제1 방사소자(20)에 급전신호를 전송할 수 있으며, 동축 케이블 등 다양한 종류의 급전수단을 이용할 수 있다.

마찬가지로, 상기 그라운드 판(10)의 일 부분에는 제2 방사소자(30)가 형성될 수 있다. 구체적으로 제1 방사소자(20)와 대칭이 되는 형태로 소정 간격 이격되어, 대칭되는 위치에 제2 방사소자(30)가 형성될 수 있다. 도 1을 참조하면, 개구부(21)를 포함하는 평판(패치) 역-F 안테나 타입의 제1 방사소자(20)와 대칭되는 형태를 갖는 평판(패치) 역-F 안테나 타입의 제2 방사소자(30)가 제1 방사소자(20)가 형성된 위치와 대칭되는 위치에 형성된 것을 확인할 수 있다. 제2 방사소자(30)의 개구부, 지지부 및 튜닝소자와 같은 다른 특징들은 상기 설명한 제1 방사소자(30)의 경우와 같다. 그러나, 급전의 경우는 제1 급전부(24)와 별개로 제2 급전부(34)를 통해 급전신호를 전송 받는다.

상기 설명한 것과 같이 서로 대칭되는 형태를 갖는 제1 방사소자(20)와 제2 방사소자(30)가 그라운드 판(10)에서 서로 대칭되는 위치에 형성되는바, 두 방사소자 간에 간섭이 발생할 수 있다. 이 경우, 간섭에 의해 양 방사소자의 방사 패턴이 왜곡되거나, 의도하지 않은 상호 결합 현상을 방지하기 위해 격리도 확보가 필요하다. 이하, 도 2를 참조하여 격리도 확보를 위한 제1 기생소자(40), 제2 기생소자(50) 및 제3 기생소자(60)를 설명하도록 한다.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 다중대역 안테나(100)를 측면에서 바라본 모습을 나타내는 도면이며, 도 3과 도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다중대역 안테나(100)를 나타내는 도면이다.

제1 기생소자(40)는 제1 방사소자(20)와 제2 방사소자(30)의 격리도 확보를 위하여 그라운드 판(10)의 일 부분에 형성된다. 이 경우, 도 3과 같이 제1 기생소자(40)를 제1 방사소자(20)와 제2 방사소자(30)의 사이에 벽(Wall)타입으로 형성하여 격리도를 확보할 수 있으나, 이와는 상이한 방법으로도 형성이 가능하다. 도 2를 참조하면, 제1 기생소자(40)가 제1 방사소자(20)의 일단과 제2 방사소자(30)의 일단으로부터 소정 간격 이격되어 형성된 것을 확인할 수 있다. 구체적으로 제1 기생소자는 제1 및 제2 방사소자(20, 30)가 담당하는 저주파수 대역인 제1 주파수 대역(698~960 MHz)에서 격리도를 확보하는 역할을 한다. 구체적으로 설명하면, 제1 주파수 대역(698~960 MHz)은 저주파수 대역이기 때문에 안테나의 길이가 길어질 수 밖에 없으며, 제1 방사소자(20)의 개구부(21)를 기준으로 윗부분의 방사소자를 제1-1 방사소자부(22), 아랫부분의 방사소자를 제1-2 방사소자부(23)라 한다면, 제1 주파수 대역(698~960 MHz)에서는 충분한 안테나 길이값 확보를 위하여 개구부(21)를 포함하여 제1-1 방사소자부(22)와 제1-2 방사소자부(23)를 모두 이용해야 한다. 이 경우, 제1-1 방사소자부(22)와 제1-2 방사소자부(23)의 전체 길이는 λ/4가 된다. 한편, H-field 커플링에 의해 제1-1 방사소자부(22)에는 강한 전류가 흐를 수 밖에 없고, 그러한 전류가 접지를 통해 제2 방사소자(30)에 곧바로 흘러들어가 영향을 주는 것을 방지하기 위하여 제1 기생소자(40)를 형성하는 것이다. 즉, 접지를 통해 흘러들어간 전류의 일부가 제1 기생소자(40)에 흘러들어간다면, 접지에 흘러들어간 전체 전류의 일부를 상쇄시킬 수 있는바, 결과적으로 격리도가 증가할 수 있는 것이다. 또한, 제1 기생소자(40)를 도 2와 같이 형성하면 벽타입으로 형성한 것보다 공간을 적게 사용함으로써, 그라운드 판(10)에 형성되는 다른 안테나 소자들의 효율적인 배치가 가능하다.

또한, 제1 기생소자(40)는 루프타입으로 형성할 수 있다. 제1 기생소자(40)를 루프타입으로 형성하는 경우, 상기 설명한 H-field 커플링에 의한 제1 방사소자(2)의 제1-1 방사소자부(22)에 흐르는 강한 전류가 접지를 통하여 제2 방사소자(30)에 흘러들어가는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 제2 방사소자(30)와 보다 효과적으로 커플링 할 수 있는 효과가 있다. 따라서, 효과적인 커플링을 위해 제1 기생소자(40)는 제1 및 제2 방사소자(20, 30)의 높이보다 높게 형성되어 서로 접촉하지 않게 형성될 것이 요구된다. 한편, 제1 기생소자를 루프타입으로 형성한 경우, 그라운드 판(10)에 고정시켜 지지하기 위한 지지부를 더 포함할 수 있다.

아울러, 도 3과 같이 제1 기생소자(40)를 제1 방사소자(20)와 제2 방사소자(30)사이에 벽(Wall)타입으로 형성한 경우, 루프를 포함하는 벽 타입으로 형성할 수 있으며, 루프 대신 개구부를 포함하여 그라운드 판(10)과 소정 각도를 이루도록 형성할 수도 있고, 도 4와 같이 별도의 소자를 구비하지 않고 제1 기생소자(40)를 그라운드 판(10)에 슬롯(Slot) 타입으로 형성할 수도 있다.

제2 기생소자(50) 역시 제1 방사소자(20)와 제2 방사소자(30)의 격리도 확보를 위하여 그라운드 판(10)의 일 부분에 형성된다. 도 2를 참조하면, 제2 기생소자(50)는 제1 방사소자(20)와 제2 방사소자(30)의 타단으로부터 소정 간격 이격되어 형성된 것을 확인할 수 있다. 즉, 그라운드 판(10)을 기준으로 하였을 때, 제2 기생소자(50)는 제1 기생소자(40)가 형성된 위치와 반대되는 위치에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 기생소자(40)가 그라운드 판(10)의 12시 방향에 형성되어 있다면 제2 기생소자(50)는 6시 방향에 형성되는 것이 바람직하고, 제1 기생소자(40)가 그라운드 판(10)의 3시 방향에 형성되어 있다면 제2 기생소자(50)는 9시 방향에 형성되는 것이 바람직하다. 이하, 그 이유를 구체적으로 설명한다.

저주파수 대역인 제1 주파수 대역(698~960 MHz)에서는 충분한 안테나 길이값 확보를 위하여 개구부(21)를 포함하여 제1-1 방사소자부(22)와 제1-2 방사소자부(23)를 모두 이용해야 한다는 것은 상기 검토하였다. 이 경우 제1-1 방사소자부(22)와는 다르게 제1-2 방사소자부(23)에는 E-field 커플링에 의해 고전압이 형성될 수 밖에 없다. 이러한 전압이 제2 방사소자(30)에 직접적인 영향을 주는 것을 방지하기 위해 제2 기생소자(50)를 형성한다. 즉, 전압의 일부가 커플링 효과에 의해 제2 기생소자(50)에게 전달된다면, 전체 전압의 일부를 상쇄시킬 수 있는바, 결과적으로 격리도가 증가할 수 있는 것이다.

한편, 도 2를 참조하면 제2 기생소자(50)는 제1 기생소자(40)와 다르게 루프타입이 아닌 바(Bar) 타입으로 형성되어 있는데, 이는 제1 및 제2 방사소자(20, 30) 간의 거리에 따라 결정된 것이다. 즉, 제1 기생소자가 형성된 제1 및 제2 방사소자(20, 30)의 일단 간의 거리가 제2 기생소자가 형성된 제1 및 제2 방사소자(20, 30)의 타단 간의 거리보다 가깝기 때문에, 제1 기생소자(40)는 루프타입으로 형성하고, 제2 기생소자(50)는 바타입으로 형성한 것이다. 하지만, 도 2는 방사소자 배치의 하나의 실시 예일 뿐이며, 방사소자 간의 거리를 고려하여 제2 기생소자(50) 역시 루프타입으로 형성할 수 있음은 물론이다.

한편, 제2 기생소자(50)는 제1 방사소자(20)와 제2 방사소자(30)와의 커플링 효과를 고려하여, 그라운드 판과 소정 각도를 이루며 형성된 제2-1 기생소자부(51)와 상기 제2-1 기생소자부의 일단에 형성된 제2-2 기생소자부(52)를 포함할 수 있다. 도 2를 참조하면, 제2-2 기생소자부(52)가 제2-1 기생소자부(51)의 양단에 형성된 것을 확인할 수 있다. 이 경우, 제2-2 기생소자부(52)와 제1 및 제2 방사소자(20, 30) 사이의 거리가 가까워지므로 커플링 효과가 보다 잘 발생할 수 있다. 하지만, 이는 필수적인 것은 아니며, 제2-2 기생소자부(52)를 형성하지 않고 제2-1 기생소자부(51) 하나만으로 제2 기생소자(50)를 형성할 수 있음은 물론이다.

상기 설명하였듯이, 제1 기생소자(40)와 제2 기생소자(50)는 저주파수 대역인 제1 주파수 대역(698~960 MHz)의 격리도 확보를 담당한다. 이는 도 5를 참조하면 효과를 확인할 수 있는바, 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 다중 대역 안테나의 격리도를 측정한 그래프이다. 제1 주파수 대역(698~960 MHz)에서 측정된 격리도를 살피면, 695MHz에서 -16.4dB을 나타내고, 이후 지속적으로 증가하여 960MHz에서는 -28.3dB인 것을 확인할 수 있다. 일반적인 다중대역 안테나(100)의 격리도가 -9 내지 -10dB인 것에 비교하면, 상당히 높은 격리도를 확보한다고 할 수 있다.

마지막으로 그라운드 판(10)의 일 부분에는 격리도 확보를 위한 제3 기생소자(60)가 형성된다. 도 2를 참조하면 제3 기생소자(60)가 제2 기생소자(50)에 인접하여 형성된 것을 확인할 수 있다.

제3 기생소자(60)는 제1 기생소자(40)와 다르게, 고주파수 대역인 제2 주파수 대역(1.710~2.688 GHz)에서의 격리도를 확보한다. 구체적으로, 제2 주파수 대역(1.710~2.688 GHz)은 제1 방사소자(20)의 제1-1 방사소자부(22)만을 이용하며, 이 경우 제1-1 방사소자부(22)의 길이(튜닝소자를 형성한 경우, 튜닝소자의 길이까지 포함하여)는 3λ/4가 된다. 이는 전류가 제1-2 방사소자부(23)로 흘러 들어가기 전에 거의 대부분이 방사되기 때문이다. 따라서, 제2 주파수 대역(1.710~2.688 GHz)에서 제1 기생소자는 격리도 확보에 중요한 역할을 하지 않는다. 따라서, 제2 기생소자(50)가 제1 주파수 대역(698~960 MHz)과 더불어, 제2 주파수 대역(1.710~2.688 GHz)의 일부 대역에서도 격리도를 확보한다. 아울러, 해당 주파수 성분이 제1 방사소자(20)로부터 제2 방사소자(30)에 전달되지 않게 하기 위해 제3 기생소자(60)를 제2 기생소자(50)에 인접하게 형성하여, 제2 주파수 대역(1.710~2.688 GHz)에서 추가적인 격리도 확보가 가능하다. 도 2를 참조하면, 제3 기생소자(60)가 제2 기생소자(50)의 후면에 그라운드 판(10)과 소정 각도를 이루며 형성된 것을 확인할 수 있으며, 여기서 제3 기생소자(60)는 모노폴 안테나 타입의 기생소자일 수 있다.

상기 설명하였듯이, 제2 기생소자(50)와 제3 기생소자(60)는 고주파수 대역인 제2 주파수 대역역(1.710~2.688 GHz)의 격리도 확보를 담당한다. 이 역시 도 5를 참조하면 효과를 확인할 수 있는바, 제2 주파수 대역(1.710~2.688 GHz)에서 측정된 격리도를 살피면, 1.710 GHz에서 -22.9dB를 나타내고, 이후 -20dB 이하로 격리도를 유지하다가 2.688 GHz에서는 -25.4dB인 것을 확인할 수 있다. 이 역시 일반적인 다중대역 안테나(100)의 격리도에 비하여 상당히 높은 격리도를 확보한다고 할 수 있다.

도 6과 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다중대역 안테나(100)의 VSWR(Voltage Standing Wave Ratio)를 측정한 그래프이며, 구체적으로, 도 6은 제1 급전부(20)에서, 도 7은 제2 급전부(30)에서 측정한 값이다. 이 경우 VSWR은 698 MHz에서 각각 1.57, 1.60, 690 MHz에서 각각 1.61, 1.55, 1.710 GHZ에서 각각 1.26, 1.36, 2.688 GHz에서 각각 1.55, 1.36임을 확인할 수 있다. 이는 상당히 우수한 결과로써, 주파수 매칭(Matching)이 거의 완벽하게 이루어졌다고 볼 수 있다.

상기 설명한 본 발명의 일 실시 예에 따른 다중대역 안테나(100)는 서로 대칭이 되는 형태로 소정 간격 이격되어, 대칭되는 위치에 형성된 제1 및 제2 방사소자(20, 30)와 이를 기준으로 적절한 위치에 형성된 제1 내지 제3 기생소자(40, 50, 60)으로 인하여 높은 격리도를 확보할 수 있다. 이를 통해 안테나 전체 크기를 소형화할 수 있다. 또한, 4G LTE에 적용 가능하며, 건물 내부에 설치하는 인빌딩용 안테나로 이용할 수도 있을 것이다.

위에서 설명된 본 발명의 실시 예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 이들에 의하여 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 대한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정 및 변경을 가할 수 있을 것이며, 이러한 수정 및 변경은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

10 : 그라운드 판
20 : 제1 방사소자 21 : 개구부
22 : 제1-1 방사소자부 23 : 제1-2 방사소자부
24 : 제1 급전부
30 : 제2 방사소자
34 : 제2 급전부
40 : 제1 기생소자 50 : 제2 기생소자
51 : 제2-1 기생소자부 52 : 제2-2 기생소자부
60 : 제3 기생소자
100 : 다중대역 안테나

Claims

그라운드 판;
상기 그라운드 판에 형성된 역-F (Inverted-F) 타입의 제1 방사소자;
상기 제1 방사소자와 대칭되는 형태로 소정 간격 이격하여 형성된 역-F (Inverted-F)타입의 제2 방사소자;
상기 제1 방사소자와 제2 방사소자의 일단으로부터 소정 간격 이격되어 형성된 제1 기생소자;
상기 제1 방사소자와 제2 방사소자의 타단으로부터 소정 간격 이격되어 형성된 제2 기생소자; 및
상기 제2 기생소자의 후면에 인접하여 형성되며, 상기 그라운드 판과 소정 각도를 이루며 형성된 제3 기생소자;
를 포함하는 다중대역 안테나에 있어서,
상기 제1 기생소자는,
양단의 일부가 상기 제1 방사소자 및 제2 방사소자의 일단과 소정 면적 겹치도록 루프 타입으로 형성되며,
상기 제2 기생소자는,
상기 그라운드 판과 소정 각도를 이루며 형성된 제2-1 기생소자부; 및
상기 제2-1 기생소자의 일단에 형성된 제2-2 기생소자부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나
삭제
제1항에 있어서,
상기 제1 방사소자와 제2 방사소자는,
개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나
삭제
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제1항에 있어서,
상기 제1 기생소자는,
개구부를 포함하며,
상기 제1 방사소자와 제2 방사소자 사이에서 상기 그라운드 판과 소정 각도를 이루며 형성된 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나
제1항에 있어서,
상기 제1 기생소자는,
상기 제1 방사소자와 제2 방사소자 사이에서 상기 그라운드 판에 슬롯 타입으로 형성된 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나
삭제
제1항에 있어서,
상기 제1 방사소자는,
상기 제1 방사소자의 일면으로부터 연장 형성된 튜닝소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나