KR101627131B1 - Electric device - Google Patents

Electric device Download PDF

Info

Publication number
KR101627131B1
KR101627131B1 KR1020090102982A KR20090102982A KR101627131B1 KR 101627131 B1 KR101627131 B1 KR 101627131B1 KR 1020090102982 A KR1020090102982 A KR 1020090102982A KR 20090102982 A KR20090102982 A KR 20090102982A KR 101627131 B1 KR101627131 B1 KR 101627131B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nanowire
electrode
nanowires
cover layer
piezoelectric
Prior art date
Application number
KR1020090102982A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110046128A (en
Inventor
인수강
최재영
최덕현
Original Assignee
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1020090102982A priority Critical patent/KR101627131B1/en
Publication of KR20110046128A publication Critical patent/KR20110046128A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101627131B1 publication Critical patent/KR101627131B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035227—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum wires, or nanorods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281—Shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기는 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극 위에 배치되어 있는 복수의 나노와이어, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 있으며, 상기 복수의 나노와이어를 덮고 있는 덮개층을 포함하고, 상기 나노와이어는 n 형 반도체 특성을 가지고, 상기 덮개층은 p 형 반도체 특성을 가지고, 상기 나노와이어와 상기 덮개층 중 적어도 하나는 압전 특성을 가질 수 있다.An electric device including a nanowire structure includes a first electrode and a second electrode spaced apart from each other, a plurality of nanowires disposed on the first electrode, and a second electrode disposed between the first electrode and the second electrode, And a cover layer covering the plurality of nanowires, wherein the nanowire has an n-type semiconductor characteristic, the cover layer has a p-type semiconductor property, and at least one of the nanowire and the cover layer has a piezoelectric property .

나노와이어, n 형 반도체, p 형 반도체, 이종 접합, 압전, 태양 전지, 발광 Nanowire, n-type semiconductor, p-type semiconductor, heterojunction, piezoelectric, solar cell, luminescence

Description

전기 기기{ELECTRIC DEVICE}[0001] ELECTRIC DEVICE [0002]

본 기재(disclosure)는 전기 기기에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Disclosure relates to electrical devices, and more particularly to electrical devices including nanowire structures.

최근 전자 장치 분야에서 소자가 소형화되고 고성능화됨에 따라, 나노스케일의 소자들이 출현하였다. 이러한 나노스케일의 소자들을 제조하기 위해 나노와이어(nanowire)의 형성기술이 개발되었다. 나노와이어란 단면의 지름이 약 수 nm 에서 약 수백 nm 정도인 극미세선이다. 또한, 나노와이어의 길이는 지름의 약 수십 배에서 약 수천 배 이상으로 성장될 수 있다. As devices have become smaller and more sophisticated in recent electronic devices, nanoscale devices have emerged. Techniques for forming nanowires have been developed to fabricate such nanoscale devices. The nanowire is a microscopic thin line with a cross-section diameter of about several nm to about several hundred nanometers. Further, the length of the nanowire can be grown from about several tens times to about several thousand times the diameter.

이러한 나노와이어는 기존의 벌크 구조에서 나타나는 일반적인 성질과 상이한 전기적, 화학적, 물리적 및 광학적 특성을 나타낼 수 있다. 나노와이어의 분자 특성들을 벌크 구조의 특성들과 함께 이용함으로써, 더욱 세밀하고 집적된 소자들을 구현할 수 있다. 나노와이어는 레이저, 트랜지스터, 메모리 또는 센서 등 다양한 분야에 이용될 수 있다.Such nanowires can exhibit different electrical, chemical, physical, and optical properties than conventional properties that appear in conventional bulk structures. By using the molecular properties of the nanowire together with the properties of the bulk structure, more detailed and integrated devices can be realized. Nanowires can be used in a variety of applications including lasers, transistors, memories or sensors.

압전 효과에 의한 전기 에너지 생성뿐만 아니라 태양 전지 또는 발광 장치로 이용될 수 있는 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기를 제공한다.The present invention provides an electric device including a nanowire structure that can be used as a solar cell or a light emitting device as well as generating electric energy by a piezoelectric effect.

본 발명의 일측면은 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기를 제공할 수 있다.One aspect of the present invention can provide an electric device including a nanowire structure.

나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기는 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극 위에 배치되어 있는 복수의 나노와이어, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 있으며, 상기 복수의 나노와이어를 덮고 있는 덮개층을 포함하고, 상기 나노와이어는 n 형 반도체 특성을 가지고, 상기 덮개층은 p 형 반도체 특성을 가지고, 상기 나노와이어와 상기 덮개층 중 적어도 하나는 압전 특성을 가질 수 있다.An electric device including a nanowire structure includes a first electrode and a second electrode spaced apart from each other, a plurality of nanowires disposed on the first electrode, and a second electrode disposed between the first electrode and the second electrode, And a cover layer covering the plurality of nanowires, wherein the nanowire has an n-type semiconductor characteristic, the cover layer has a p-type semiconductor property, and at least one of the nanowire and the cover layer has a piezoelectric property .

또한, 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기는 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극 위에 배치되어 있는 복수의 제1 나노와이어, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 있으며, 상기 복수의 제1 나노와이어와 접하고 있는 복수의 제2 나노와이어를 포함하고, 상기 제1 나노와이어는 n 형 반도체 특성을 가지고, 상기 제2 나노와이어는 p 형 반도체 특성을 가지고, 상기 제1 나노와이어와 상기 제2 나노와이어 중 적어도 하나는 압전 특성을 가질 수 있다.Also, an electric device including a nanowire structure includes a first electrode and a second electrode spaced apart from each other, a plurality of first nanowires disposed on the first electrode, and a second electrode disposed between the first electrode and the second electrode. And a plurality of second nanowires in contact with the plurality of first nanowires, wherein the first nanowires have an n-type semiconductor characteristic, the second nanowires have a p-type semiconductor characteristic, At least one of the first nanowire and the second nanowire may have piezoelectric properties.

반도체 특성을 가지는 나노와이어를 광전 변환 특성을 가지는 유기물 또는 이종 반도체와 접합시켜, 압전 효과에 의한 전기 에너지 생성뿐만 아니라, 태양 전 지 또는 발광 장치로 이용할 수 있다.A nanowire having semiconductor properties can be bonded to an organic material or a hetero semiconductor having photoelectric conversion characteristics and used as a solar battery or a light emitting device as well as generating electric energy by a piezoelectric effect.

이하에서는, 도면을 참고하여 실시예를 구체적으로 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

도 1을 참고하여, 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 설명한다. 도 1은 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 도시한 단면도이다.Referring to Figure 1, a nanowire structure according to one embodiment will be described. 1 is a cross-sectional view of a nanowire structure according to one embodiment.

도 1을 참고하면, 나노와이어 구조체는 절연 기판 등으로 이루어진 베이스 기판(110), 베이스 기판(110) 위에 성장된 복수의 나노와이어(nanowire)(210), 그리고 복수의 나노와이어(210)를 덮고 있는 덮개층(310)을 포함한다.1, the nanowire structure includes a base substrate 110 made of an insulating substrate or the like, a plurality of nanowires 210 grown on the base substrate 110, and a plurality of nanowires 210 And a cover layer 310 having a predetermined thickness.

나노와이어(210)는 무기물로 이루어질 수 있고, 압전 특성을 가질 수 있다. 나노와이어(210)를 구성하는 압전 물질은 반도체 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 나노와이어(210)는 n형(n-type) 반도체 특성을 가지는 압전 물질로 이루어질 수 있다. 압전 나노와이어(210)는 산화아연(ZnO), 질화인듐(InN), 질화갈륨(GaN), 또는 질화알루미늄(AlN) 및 다른 적당한 압전 물질 중 어느 하나 또는 이들의 둘 이상의 조합을 포함할 수 있다. 그러나, 나노와이어(210)는 압전 특성을 가지지 않을 수도 있다.The nanowire 210 may be made of an inorganic material and may have piezoelectric properties. The piezoelectric material constituting the nanowire 210 may have a semiconductor characteristic. For example, the nanowire 210 may be formed of a piezoelectric material having n-type semiconductor characteristics. Piezoelectric nanowire 210 may comprise any one or a combination of two or more of zinc oxide (ZnO), indium nitride (InN), gallium nitride (GaN), or aluminum nitride (AlN) . However, the nanowire 210 may not have piezoelectric properties.

나노와이어(210)를 덮고 있는 덮개층(310)은 압전 특성을 가지는 p-형 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, 덮개층(310)은 P3HT{poly(3-hexylthiophene)}, PVDF{poly(vinylidene fluoride)}, PEGDE{poly(ethylene glycol) dimethyl ether} 및 이들의 유도체(derivatives) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 덮개층(310)은 무기 반도체 또는 압전 물질, 예를 들어, 산화아연(ZnO), 질화인 듐(InN), 질화갈륨(GaN), 그리고 질화아루미늄(AlN) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 덮개층(310)은 압전 특성을 가지지 않을 수도 있다. 만일, 나노와이어(210)가 압전 특성을 가지지 않는 경우, 덮개층(310)은 압전 특성을 가진다.The cover layer 310 covering the nanowire 210 may include a p-type semiconductor having piezoelectric properties, for example, the cover layer 310 may be formed of P3HT {poly (3-hexylthiophene)}, PVDF { poly (vinylidene fluoride)}, PEGDE {poly (ethylene glycol) dimethyl ether}, and derivatives thereof. The cover layer 310 also includes at least one of an inorganic semiconductor or a piezoelectric material such as zinc oxide (ZnO), indium nitride (InN), gallium nitride (GaN), and aluminum nitride . However, the cover layer 310 may not have piezoelectric properties. If the nanowire 210 does not have piezoelectric properties, the cover layer 310 has piezoelectric properties.

이에 의해, 본 실시예에 따른 나노와이어 구조체는 n 형의 나노와이어(210)와 p 형의 덮개층(310)이 이종 접합(hetero-junction), 예를 들어, P-N 접합하고 있다.Accordingly, in the nanowire structure according to the present embodiment, the n-type nanowire 210 and the p-type lid layer 310 are hetero-junctioned, for example, P-N junctions.

도시하지는 않았지만, 다른 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체는 n 형의 나노와이어(210)와 p 형의 덮개층(310)의 사이에 추가적인 반도체층을 포함할 수 있고, 추가적인 반도체층은 불순물 농도가 낮아 진성(intrinsic) 반도체층으로 기능할 수 있다. 이 실시예에서, 나노와이어 구조체는 n 형의 나노와이어(210)와 p 형의 덮개층(310)은 P-I-N 접합하고 있다.Although not shown, a nanowire structure according to another embodiment may include an additional semiconductor layer between the n-type nanowire 210 and the p-type cover layer 310, and the additional semiconductor layer may have an impurity concentration And can function as an intrinsic semiconductor layer. In this embodiment, the nanowire structure has P-I-N junctions between the n-type nanowire 210 and the p-type cover layer 310.

도시한 실시예에서, 나노와이어(210)의 높이가 서로 다른 A 영역과 B 영역으로 나누어지는데, 이는 예시적인 것으로서, 복수의 나노와이어(210)의 높이는 서로 다를 수도 있고, 서로 같을 수도 있다.In the illustrated embodiment, the heights of the nanowires 210 are divided into A and B regions, which are illustrative, and the heights of the plurality of nanowires 210 may be different from each other, or may be the same.

본 개시와 도면에 도시되어 있는 나노와이어(210)의 개수는 예시적인 것으로서, 나노와이어(210)의 개수 및 배치는 장치의 크기 및 용도에 따라 서로 다를 수 있음은 분명하다.It is to be appreciated that the number of nanowires 210 shown in the present disclosure and in the figures is exemplary and that the number and arrangement of the nanowires 210 may vary depending on the size and application of the device.

그러면, 도 2를 참고하여, 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기에 대하여 설명한다. 도 2는 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기의 단면도이다.Referring to FIG. 2, an electric device including a nanowire structure according to an embodiment will be described. 2 is a cross-sectional view of an electrical device including a nanowire structure according to one embodiment.

도 2를 참고하면, 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기는 서로 마주보는 하부 기판(100)과 상부 기판(200), 그리고, 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이에 배치되어 있는 나노와이어 구조체(300), 그리고 하부 기판(100)과 상부 기판(200)을 전기적으로 연결하는 연결부(401)와 연결부(401)에 연결되어 있는 저장부(402)를 포함한다. 나노와이어 구조체(300)는 하부 기판(100) 위에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, an electric device including a nanowire structure according to an embodiment includes a lower substrate 100 and an upper substrate 200 facing each other, and a lower substrate 100 between the lower substrate 100 and the upper substrate 200 And a storage unit 402 connected to the connection unit 401. The connection unit 401 is electrically connected to the lower substrate 100 and the upper substrate 200, The nanowire structure 300 may be formed on the lower substrate 100.

하부 기판(100)은 제1 기판(101), 제1 기판(101) 위에 형성되어 있는 제1 전극(102)을 포함하고, 상부 기판(200)은 제2 기판(201), 제2 기판 위에 형성되어 있는 제2 전극(202)을 포함한다. 제1 기판(101) 및 제2 기판(201)은 가요성(flexible)일 수 있고, 투명할 수 있다.The lower substrate 100 includes a first substrate 101 and a first electrode 102 formed on the first substrate 101. The upper substrate 200 includes a second substrate 201, And a second electrode 202 formed thereon. The first substrate 101 and the second substrate 201 may be flexible and transparent.

제1 기판(101) 및 제2 기판(201)은 플라스틱 등 가요성 물질을 포함할 수 있어서, 인가된 외부 응력에 의해 변형 가능하다.The first substrate 101 and the second substrate 201 may include a flexible material such as plastic, and are deformable by an applied external stress.

제1 전극(102)은 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 탄소나노튜브(CNT, Carbon nanotube), 그라핀(graphene), 투명 전도성 고분자(conductive polymer) 및 다른 적당한 물질 중 어느 하나 또는 이들의 둘 이상의 조합을 포함할 수 있다.The first electrode 102 may be formed of any one of indium tin oxide (ITO), carbon nanotube (CNT), graphene, a transparent conductive polymer, and other suitable materials. Or a combination of two or more of these.

제2 전극(202)은 금(Au), 금-팔라듐 합금(AuPd), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 또는 다른 적당한 금속 중 어느 하나 또는 이들의 둘 이상의 조합을 포함할 수 있다. 제1 전극(102) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나는 인가된 응력에 의해 변형 가능한 가요성(flexible) 전극으로 이루어질 수도 있다.The second electrode 202 includes any one or a combination of two or more of gold (Au), gold-palladium alloy (AuPd), palladium (Pd), platinum (Pt), ruthenium can do. At least one of the first electrode 102 and the second electrode 202 may be a flexible electrode deformable by an applied stress.

제1 전극(102)과 제2 전극(202)은 연결부(401)에 의해 서로 연결되어 있다. 연결부(401)는 도전성 물질로 이루어진다.The first electrode 102 and the second electrode 202 are connected to each other by a connection unit 401. The connection portion 401 is made of a conductive material.

나노와이어 구조체(300)는 무기물로 이루어진 복수의 나노와이어(301), 복수의 나노와이어(301)를 덮고 있는 덮개층(302), 나노와이어(301) 및 덮개층(302)과 제2 전극(202) 사이를 메우고 있는 도전층(303)을 포함한다.The nanowire structure 300 includes a plurality of nanowires 301 made of an inorganic material, a cover layer 302 covering a plurality of nanowires 301, a nanowire 301 and a cover layer 302, And a conductive layer (303) filling the space between the first conductive layer (202) and the second conductive layer (202).

나노와이어(301)는 압전 특성을 가지는 무기물로 이루어질 수 있고, 나노와이어(301)를 구성하는 압전 물질은 반도체 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 나노와이어(301)는 n형(n-type) 반도체 특성을 가지는 압전 물질로 이루어질 수 있다. 나노와이어(301)는 산화아연(ZnO), 질화인듐(InN), 질화갈륨(GaN), 또는 질화알루미늄(AlN) 및 다른 적당한 압전 물질 중 어느 하나 또는 이들의 둘 이상의 조합을 포함할 수 있다.The nanowire 301 may be made of an inorganic material having piezoelectric characteristics, and the piezoelectric material constituting the nanowire 301 may have a semiconductor characteristic. For example, the nanowire 301 may be formed of a piezoelectric material having an n-type semiconductor characteristic. The nanowire 301 may comprise any one or a combination of two or more of zinc oxide (ZnO), indium nitride (InN), gallium nitride (GaN), or aluminum nitride (AlN) and other suitable piezoelectric materials.

나노와이어(301)를 덮고 있는 덮개층(302)은 압전 특성을 가지는 p-형 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, 덮개층(302)은 P3HT{poly(3-hexylthiophene)}, PVDF{poly(vinylidene fluoride)}, PEGDE{poly(ethylene glycol) dimethyl ether} 및 이들의 유도체(derivatives) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 덮개층(302)은 무기 반도체 또는 압전 물질, 예를 들어, 산화아연(ZnO), 질화인듐(InN), 질화갈륨(GaN), 그리고 질화아루미늄(AlN) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 덮개층(302)은 광전 변환 특성을 가질 수 있는데, 덮개층(302)은 태양광 등의 광을 흡수함으로써 전자-정공 쌍(exiton)을 생성하는 p-형(p-type) 유기 반도체를 포함할 수 있다. 구체적으로, 덮개층(302)은 P3HT{poly(3-hexylthiophene)}를 포함할 수 있다.The cover layer 302 covering the nanowire 301 may include a p-type semiconductor having piezoelectric properties, for example, the cover layer 302 may be formed of P3HT {poly (3-hexylthiophene)}, PVDF { poly (vinylidene fluoride)}, PEGDE {poly (ethylene glycol) dimethyl ether}, and derivatives thereof. The cover layer 302 may also include at least one of an inorganic semiconductor or a piezoelectric material such as zinc oxide (ZnO), indium nitride (InN), gallium nitride (GaN), and aluminum nitride have. The cover layer 302 may have photoelectric conversion characteristics. The cover layer 302 may be a p-type organic semiconductor (e.g., a p-type organic semiconductor) that generates an electron- . ≪ / RTI > In particular, the cover layer 302 may comprise P3HT {poly (3-hexylthiophene)}.

도전층(303)은 투명하거나 반투명한 전도성 물질을 포함할 수 있고, 투명하거나 반투명한 압전성 중합체, BHT(bulk-heterojunction)을 포함할 수 있다.The conductive layer 303 may comprise a transparent or translucent conductive material and may include a transparent or translucent piezoelectric polymer, BHT (bulk-heterojunction).

나노와이어 구조체(300)는 n 형의 나노와이어(301)와 p 형의 덮개층(302)이 이종 접합(hetero-junction), 예를 들어, P-N 접합하고 있다.The nanowire structure 300 has hetero-junctions, for example, P-N junctions, between the n-type nanowire 301 and the p-type lid layer 302.

도시하지는 않았지만, 다른 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체(300)는 n 형의 나노와이어(301)와 p 형의 덮개층(302) 사이에 추가적인 반도체층을 포함할 수 있고, 추가적인 반도체층은 불순물 농도가 낮아 진성(intrinsic) 반도체층으로 기능할 수 있다. 이 실시예에서, 나노와이어 구조체는 n 형의 나노와이어(301)와 p 형의 덮개층(302)은 P-I-N 접합하게 된다.Although not shown, the nanowire structure 300 according to another embodiment may include an additional semiconductor layer between the n-type nanowire 301 and the p-type cover layer 302, and the additional semiconductor layer may include an impurity The concentration can be lowered to function as an intrinsic semiconductor layer. In this embodiment, the n-type nanowire 301 and the p-type cover layer 302 are P-I-N junctioned in the nanowire structure.

나노와이어 구조체(300)는 나노와이어(301)의 높이가 서로 다른 A 영역과 B 영역으로 나누어지는데, 상대적으로 나노와이어(301)의 높이가 높은 A영역은 나노와어이(301)를 덮고 있는 덮개층(302)이 직접 제2 전극(202)에 접할 수 있어 직접 전기적으로 연결된다. 또한, 상대적으로 나노와이어(301)의 높이가 낮은 B영역은 나노와어이(301)를 덮고 있는 덮개층(302)은 도전층(303)을 통해 제2 전극(202)에 전기적으로 연결된다. 도전층(303)은 제1 전극(102) 위에 배치되어 있는 나노와이어(301)와 제2 전극(202)의 전기적 연결을 강화하게 된다.The nanowire structure 300 is divided into an A region and a B region having different heights of the nanowires 301. The A region having a relatively high height of the nanowires 301 includes a cover covering the nano- The layer 302 can directly contact the second electrode 202 and is directly electrically connected. The cover layer 302 covering the nano-wire 301 is electrically connected to the second electrode 202 through the conductive layer 303. In the region B where the height of the nanowire 301 is relatively low, The conductive layer 303 enhances the electrical connection between the nanowire 301 disposed on the first electrode 102 and the second electrode 202.

본 개시와 도면에 도시되어 있는 나노와이어(301)의 개수는 예시적인 것으로서, 나노와이어(301)의 개수 및 배치는 장치의 크기 및 용도에 따라 서로 다를 수 있음은 분명하다.It is to be understood that the number of nanowires 301 shown in the present disclosure and in the figures is exemplary and that the number and arrangement of the nanowires 301 may be different depending on the size and application of the device.

그러면, 도 2에 도시한 실시예에 따른 전기 기기의 동작에 대하여 설명한다.The operation of the electric device according to the embodiment shown in Fig. 2 will now be described.

먼저, 도 2에 도시한 전기 기기에 응력이 인가된 경우에 대하여 설명한다.First, a case where stress is applied to the electric device shown in Fig. 2 will be described.

도 2에 도시한 전기 기기에 응력이 인가되면, 응력이 인가된 위치에서 제2 기판(201)과 제2 전극(202) 중 적어도 하나가 휘어질 수 있다. 제2 기판(201) 및 제2 전극(202)이 휘어짐에 따라, 제1 전극(102)과 제2 전극(202) 사이의 거리가 감소하게 되어, 응력이 인가된 위치에 배치되어 있는 나노와이어(301) 또는 덮개층(302)은 압축되어 변형될 수 있고, 변형된 나노와이어(301) 또는 덮개층(302)은 압전 효과(piezoelectric effect)를 나타낸다. 즉, 나노와이어(301) 또는 덮개층(302)의 각 부분은 인가된 압축 응력 또는 인장 응력에 따라 소정의 전위를 갖게 된다. When stress is applied to the electric device shown in FIG. 2, at least one of the second substrate 201 and the second electrode 202 may be bent at a position where the stress is applied. As the second substrate 201 and the second electrode 202 are warped, the distance between the first electrode 102 and the second electrode 202 decreases, and the nanowires The layer 301 or cover layer 302 can be compressed and deformed and the deformed nanowire 301 or cover layer 302 exhibits a piezoelectric effect. That is, each part of the nanowire 301 or the cover layer 302 has a predetermined potential in accordance with the applied compressive stress or tensile stress.

나노와이어(301) 또는 덮개층(302)의 압전 효과에 의해 발생된 전자는 제1 전극(102)으로 이동하고, 이에 따라 전기 에너지가 발생한다.Electrons generated by the piezoelectric effect of the nanowire 301 or the cover layer 302 move to the first electrode 102, thereby generating electrical energy.

이때, 나노와이어(301)와 덮개층(302)에 의해 발생되는 전기 에너지를 저장부(402)에 저장할 수 있고, 제1 전극(102)으로부터 제2 전극(202)으로 흐를 수도 있다. 도시하지는 않았지만, 제1 전극(102)과 제2 전극(202)은 연결부(401)는 직접 저장부(402)에 연결되지 않고, 스위치를 이용하여 저장부(402)에 연결될 수 있다. 이 경우, 나노와이어(301)에 의해 발생된 전기 에너지는 스위치를 통해 연결부(401)가 저장부(402)에 연결되어 저장부(402)에 저장되거나, 또는 스위치를 통해 연결부(401)가 저장부(402)에 연결되지 않고, 전기 기기 자체 내에서 이용할 수도 있다.At this time, the electric energy generated by the nanowire 301 and the cover layer 302 may be stored in the storage unit 402 and may flow from the first electrode 102 to the second electrode 202. Although not shown, the connection unit 401 of the first electrode 102 and the second electrode 202 may be connected to the storage unit 402 using a switch without being directly connected to the storage unit 402. In this case, the electric energy generated by the nanowire 301 is connected to the storage unit 402 through the switch and stored in the storage unit 402, or the connection unit 401 is stored May not be connected to the power supply unit 402 but may be used in the electric device itself.

저장부(402)는 충전 가능한 전지, 커패시터 또는 다른 적당한 전기 에너지 저장 수단, 예를 들어, 니켈-카드뮴 전지, 니켈-수소 전지, 리튬 이온 전지 또는 리튬 폴리머(polymer) 전지를 포함할 수 있다. 또한, 저장부(402)는 전압을 증폭하기 위한 증폭기(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다.The storage 402 may comprise a rechargeable battery, a capacitor or other suitable electrical energy storage means such as a nickel-cadmium battery, a nickel-hydrogen battery, a lithium ion battery or a lithium polymer battery. In addition, the storage unit 402 may further include an amplifier (not shown) for amplifying the voltage.

다음으로, 압전 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기가 태양광 등의 광을 흡수하는 경우에 대하여 설명한다.Next, the case where the electric device including the piezoelectric nanowire structure absorbs light such as sunlight will be described.

도 2의 전기 기기에 태양광 등의 광이 조사되면, 조사된 광의 일부 또는 전체가 나노와이어 구조체(300)에 도달할 수 있다. 나노와이어 구조체(300)에 포함되어 있는 전자들이 조사된 광으로부터 에너지를 흡수하면, 나노와이어(301)를 덮고 있는 덮개층(302)의 광전변환 특성으로, 여기 상태의 전자-정공 쌍(exiton)이 형성될 수 있다. 전자-전공 쌍은 p형의 덮개층(302)과 n형의 나노와이어(301) 사이의 계면에서 전자와 정공으로 분리될 수 있다. 분리된 전자는 n형의 나노와이어(301)를 따라 양극(anode), 즉 제1 전극(102) 쪽으로 이동하고, 정공은 덮개층(302)을 따라 음극(cathode), 즉 제2 전극(202) 쪽으로 이동한다.When the electric device of FIG. 2 is irradiated with light such as sunlight, a part or the whole of the irradiated light can reach the nanowire structure 300. When the electrons contained in the nanowire structure 300 absorb energy from the irradiated light, electrons and holes in the excited state (electrons) are excited by the photoelectric conversion characteristics of the cover layer 302 covering the nanowires 301, Can be formed. The electron-electron pair can be separated into electrons and holes at the interface between the p-type cap layer 302 and the n-type nanowire 301. The separated electrons travel along the n-type nanowire 301 toward the anode or first electrode 102 and the holes move along the cover layer 302 to the cathode or the second electrode 202 ).

이처럼 전자는 제1 전극(102)으로 이동하고, 정공은 제2 전극(202)으로 이동함에 따라서, 연결부(401)에 의해 서로 연결되어 있는 제1 전극(102)과 제2 전극(202), 나노와이어 구조체(300)로 이루어진 폐회로를 통하여 전류가 흐를 수 있다. 연결부(401)에는 저장부(402)가 전기적으로 연결되어 있어, 나노와이어 구조체(300)에 의해 발생된 전기 에너지를 저장부(402)에 저장할 수 있고, 전기 기기에서 직접 사용될 수도 있다.As the electrons move to the first electrode 102 and the holes move to the second electrode 202, the first electrode 102 and the second electrode 202, which are connected to each other by the connection unit 401, A current can flow through the closed circuit formed of the nanowire structure 300. [ The storage unit 402 is electrically connected to the connection unit 401 so that the electrical energy generated by the nanowire structure 300 can be stored in the storage unit 402 and used directly in the electrical equipment.

이와 같이, 나노와이어 구조체의 덮개층(302)은 광전 변환 특성을 가질 수 있다. 따라서, 압전 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 에너지 발생 장치는 압전 나노와이어에 응력을 가하여 압전 현상을 이용하여 전기 에너지를 발생할 수 있을 뿐만 아니라, 태양광 등의 광을 이용하여 전기 에너지를 발생할 수도 있다.As such, the cover layer 302 of the nanowire structure may have photoelectric conversion properties. Accordingly, the electric energy generating device including the piezoelectric nanowire structure not only can generate electric energy using the piezoelectric phenomenon by applying stress to the piezoelectric nanowire, but also generate electric energy using light such as sunlight.

다음으로, 압전 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기에 전기 에너지가 공급되는 경우에 대하여 설명한다.Next, the case where the electric energy is supplied to the electric device including the piezoelectric nanowire structure will be described.

도 2의 전기 기기에 전기 에너지가 공급되면, 나노와이어 구조체(300) 내에 배치되어 있는 n 형의 나노와이어(301)와 p 형의 덮개층(302) 사이의 P-N 접합에서 전기 에너지가 빛 에너지로 변환되어 빛이 방출된다.When electrical energy is supplied to the electric device of FIG. 2, electric energy is converted into light energy in the PN junction between the n-type nano wire 301 and the p-type cover layer 302 disposed in the nanowire structure 300 And the light is emitted.

나노와이어 구조체(300)가 P-I-N 접합하고 있는 경우에도, P-I-N 접합에서 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하여 빛이 방출되게 된다.Even when the nanowire structure 300 is P-I-N junction, electric energy is converted into light energy at the P-I-N junction and light is emitted.

이러한 빛 에너지 변환에 사용되는 전기 에너지는 외부에서 공급될 수도 있지만, 나노와이어 구조체(300)의 압전 효과에 의해 생성된 전기 에너지가 직접 이용될 수 있고, 나노와이어 구조체(300)의 광전 효과에 의해 생성된 전기 에너지가 직접 이용될 수도 있다.The electrical energy generated by the piezoelectric effect of the nanowire structure 300 can be directly used and the electrical energy generated by the photoelectric effect of the nanowire structure 300 can be used directly The generated electrical energy may be used directly.

이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기는 나노와이어 구조체에 응력을 가하여 압전 현상을 이용하여 전기 에너지를 발생할 수 있을 뿐만 아니라, 태양광 등의 광을 이용하여 전기 에너지를 발생할 수도 있으며, 이종 접합 다이오드로 작용하여, 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하여 빛을 발생할 수도 있다.As described above, the electric device including the nanowire structure according to the embodiment of the present invention not only can generate electric energy using the piezoelectric phenomenon by applying stress to the nanowire structure, but also uses electric energy such as sunlight to generate electric energy Or may act as a heterojunction diode to convert electrical energy into light energy to generate light.

그러면, 도 3을 참고하여, 다른 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 설명 한다. 도 3은 다른 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 도시한 단면도이다.Referring to FIG. 3, a nanowire structure according to another embodiment will now be described. 3 is a cross-sectional view illustrating a nanowire structure according to another embodiment.

도 3을 참고하면, 본 실시예에 따른 나노와이어 구조체는 도 1에 도시한 실시예에 따른 나노와이어 구조체와 유사하다.Referring to FIG. 3, the nanowire structure according to this embodiment is similar to the nanowire structure according to the embodiment shown in FIG.

나노와이어 구조체는 절연 기판 등으로 이루어진 베이스 기판(110), 베이스 기판(110) 위에 성장된 복수의 나노와이어(nanowire)(210a, 210b), 그리고 복수의 나노와이어(210a, 210b)를 덮고 있는 중합체층(410)을 포함한다.The nanowire structure includes a base substrate 110 made of an insulating substrate and the like, a plurality of nanowires 210a and 210b grown on the base substrate 110, and a polymer covering the plurality of nanowires 210a and 210b Layer 410 as shown in FIG.

나노와이어(210a, 210b)는 n-형 나노와이어(210a)와 p-형 나노와이어(210b)를 포함한다. 나노와이어(210a, 210b)는 압전 특성을 가질 수 있고, 산화아연(ZnO), 질화인듐(InN), 질화갈륨(GaN), 또는 질화알루미늄(AlN) 및 다른 적당한 압전 물질 중 어느 하나 또는 이들의 둘 이상의 조합을 포함할 수 있다.The nanowires 210a and 210b include an n-type nanowire 210a and a p-type nanowire 210b. The nanowires 210a and 210b may have piezoelectric properties and may be formed of any one of zinc oxide (ZnO), indium nitride (InN), gallium nitride (GaN), or aluminum nitride (AlN) And may include two or more combinations.

이에 의해, 본 실시예에 따른 나노와이어 구조체는 n 형의 나노와이어(210a)와 p 형의 나노와이어(210b)이 이종 접합(hetero-junction), 예를 들어, P-N 접합하고 있다. p 형의 나노와이어(210b)는 광전변환 특성을 가질 수도 있다.Accordingly, in the nanowire structure according to the present embodiment, the n-type nanowire 210a and the p-type nanowire 210b are hetero-junctioned, for example, P-N junctions. The p-type nanowire 210b may have photoelectric conversion characteristics.

도시하지는 않았지만, 다른 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체는 n 형의 나노와이어(210a)와 p 형의 나노와이어(210b) 사이에 추가적인 반도체층을 포함할 수 있고, 추가적인 반도체층은 불순물 농도가 낮아 진성(intrinsic) 반도체층으로 기능할 수 있다. 이 실시예에서, 나노와이어 구조체는 P-I-N 접합하고 있다.Although not shown, the nanowire structure according to another embodiment may include an additional semiconductor layer between the n-type nanowire 210a and the p-type nanowire 210b, and the additional semiconductor layer may have a low impurity concentration And can function as an intrinsic semiconductor layer. In this embodiment, the nanowire structure is P-I-N bonded.

도시하지는 않았지만, 다른 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체의 n 형의 나노와이어(210a)와 p 형의 나노와이어(210b)는 상하로 배치되지 않고, 좌우 수평 방향으로 접합하도록 형성될 수도 있다.Although not shown, the n-type nanowire 210a and the p-type nanowire 210b of the nanowire structure according to another embodiment may be formed so as not to be vertically arranged but to be joined horizontally in the left and right direction.

나노와이어(210a, 210b)의 표면을 덮고 있는 중합체층(410)은 p-형 반도체를 포함할 수 있다.Polymer layer 410 covering the surface of nanowires 210a and 210b may comprise a p-type semiconductor.

도시한 실시예에서, 나노와이어(210)의 높이가 서로 다른 A 영역과 B 영역으로 나누어지는데, 이는 예시적인 것으로서, 복수의 나노와이어(210)의 높이는 서로 다를 수도 있고, 서로 같을 수도 있다.In the illustrated embodiment, the heights of the nanowires 210 are divided into A and B regions, which are illustrative, and the heights of the plurality of nanowires 210 may be different from each other, or may be the same.

본 개시와 도면에 도시되어 있는 나노와이어(210)의 개수는 예시적인 것으로서, 나노와이어(210)의 개수 및 배치는 장치의 크기 및 용도에 따라 서로 다를 수 있음은 분명하다.It is to be appreciated that the number of nanowires 210 shown in the present disclosure and in the figures is exemplary and that the number and arrangement of the nanowires 210 may vary depending on the size and application of the device.

그러면, 도 4를 참고하여, 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기에 대하여 설명한다. 도 4는 다른 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기의 단면도이다.Referring to FIG. 4, an electric device including a nanowire structure according to an embodiment will be described. 4 is a cross-sectional view of an electrical device including a nanowire structure according to another embodiment.

도 2를 참고하면, 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기는 서로 마주보는 하부 기판(100)과 상부 기판(200), 그리고, 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이에 배치되어 있는 나노와이어 구조체(300), 그리고 하부 기판(100)과 상부 기판(200)을 전기적으로 연결하는 연결부(401)와 연결부(401)에 연결되어 있는 저장부(402)를 포함한다. 나노와이어 구조체(300)는 하부 기판(100) 위에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, an electric device including a nanowire structure according to an embodiment includes a lower substrate 100 and an upper substrate 200 facing each other, and a lower substrate 100 between the lower substrate 100 and the upper substrate 200 And a storage unit 402 connected to the connection unit 401. The connection unit 401 is electrically connected to the lower substrate 100 and the upper substrate 200, The nanowire structure 300 may be formed on the lower substrate 100.

하부 기판(100)은 제1 기판(101), 제1 기판(101) 위에 형성되어 있는 제1 전극(102)을 포함하고, 상부 기판(200)은 제2 기판(201), 제2 기판 위에 형성되어 있는 제2 전극(202)을 포함한다. 제1 기판(101) 및 제2 기판(201)은 가요 성(flexible)일 수 있고, 투명할 수 있다.The lower substrate 100 includes a first substrate 101 and a first electrode 102 formed on the first substrate 101. The upper substrate 200 includes a second substrate 201, And a second electrode 202 formed thereon. The first substrate 101 and the second substrate 201 may be flexible and transparent.

제1 기판(101) 및 제2 기판(201)은 플라스틱 등 가요성 물질을 포함할 수 있어서, 인가된 외부 응력에 의해 변형가능하다.The first substrate 101 and the second substrate 201 may include a flexible material such as plastic, and are deformable by an applied external stress.

제1 전극(102)은 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 탄소나노튜브(CNT, Carbon nanotube), 그라핀(graphene), 투명 전도성 고분자(conductive polymer) 및 다른 적당한 물질 중 어느 하나 또는 이들의 둘 이상의 조합을 포함할 수 있다.The first electrode 102 may be formed of any one of indium tin oxide (ITO), carbon nanotube (CNT), graphene, a transparent conductive polymer, and other suitable materials. Or a combination of two or more of these.

제2 전극(202)은 금(Au), 금-팔라듐 합금(AuPd), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 또는 다른 적당한 금속 중 어느 하나 또는 이들의 둘 이상의 조합을 포함할 수 있다. 제1 전극(102) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나는 인가된 응력에 의해 변형 가능한 가요성(flexible) 전극으로 이루어질 수도 있다.The second electrode 202 includes any one or a combination of two or more of gold (Au), gold-palladium alloy (AuPd), palladium (Pd), platinum (Pt), ruthenium can do. At least one of the first electrode 102 and the second electrode 202 may be a flexible electrode deformable by an applied stress.

제1 전극(102)과 제2 전극(202)은 연결부(401)에 의해 서로 연결되어 있다. 연결부(401)는 도전성 물질로 이루어진다.The first electrode 102 and the second electrode 202 are connected to each other by a connection unit 401. The connection portion 401 is made of a conductive material.

나노와이어 구조체(300)는 복수의 나노와이어(nanowire)(301a, 301b)와 복수의 나노와이어(301a, 301b)를 덮고 있는 중합체층(304), 그리고, 복수의 나노와이어(nanowire)(301a, 301b)와 제2 전극(202) 사이를 메우고 있는 도전층(303)을 포함한다.The nanowire structure 300 includes a polymer layer 304 covering a plurality of nanowires 301a and 301b and a plurality of nanowires 301a and 301b and a plurality of nanowires 301a and 301b, And a conductive layer 303 filling between the first electrode 301b and the second electrode 202.

나노와이어(301a, 301b)는 n-형 나노와이어(301a)와 p-형 나노와이어(301b)를 포함한다. 나노와이어(301a, 301b)는 산화아연(ZnO), 질화인듐(InN), 질화갈륨(GaN), 또는 질화알루미늄(AlN) 및 다른 적당한 압전 물질 중 어느 하나 또는 이들의 둘 이상의 조합을 포함할 수 있다.The nanowires 301a and 301b include an n-type nanowire 301a and a p-type nanowire 301b. The nanowires 301a and 301b may comprise any one or a combination of two or more of zinc oxide (ZnO), indium nitride (InN), gallium nitride (GaN), or aluminum nitride have.

이에 의해, 본 실시예에 따른 나노와이어 구조체는 n 형의 나노와이어(301a)와 p 형의 나노와이어(301b)가 이종 접합(hetero-junction), 예를 들어, P-N 접합하고 있다. p 형의 나노와이어(301b)는 광전변환 특성을 가질 수도 있다.Thus, in the nanowire structure according to the present embodiment, the n-type nanowire 301a and the p-type nanowire 301b are hetero-junctioned, for example, P-N junctions. The p-type nanowire 301b may have photoelectric conversion characteristics.

도시하지는 않았지만, 다른 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체는 n 형의 나노와이어(301a)와 p 형의 나노와이어(301b) 사이에 추가적인 반도체층을 포함할 수 있고, 추가적인 반도체층은 불순물 농도가 낮아 진성(intrinsic) 반도체층으로 기능할 수 있다. 이 실시예에서, 나노와이어 구조체는 P-I-N 접합하고 있다.Although not shown, the nanowire structure according to another embodiment may include an additional semiconductor layer between the n-type nanowire 301a and the p-type nanowire 301b, and the additional semiconductor layer may have a low impurity concentration And can function as an intrinsic semiconductor layer. In this embodiment, the nanowire structure is P-I-N bonded.

도시하지는 않았지만, 다른 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체의 n 형의 압전 나노와이어(301a)와 p 형의 나노와이어(302b)는 상하로 배치되지 않고, 좌우 수평 방향으로 접합하도록 형성될 수도 있다.Although not shown, the n-type piezoelectric nanowire 301a and the p-type nanowire 302b of the nanowire structure according to another embodiment may be formed so as not to be vertically arranged but to be joined horizontally in the left and right direction.

도전층(303)은 투명하거나 반투명한 전도성 물질을 포함할 수 있고, 투명하거나 반투명한 압전성 중합체, BHT(bulk-heterojunction)을 포함할 수 있다.The conductive layer 303 may comprise a transparent or translucent conductive material and may include a transparent or translucent piezoelectric polymer, BHT (bulk-heterojunction).

나노와이어(301a, 301b)의 표면을 덮고 있는 중합체층(304)은 p-형 반도체를 포함할 수 있다. 중합체층(304)은 나노와이어(301a, 301b)와 도전층(303) 사이의 쇼트(short)를 방지하는 역할을 한다.Polymer layer 304 covering the surface of nanowires 301a and 301b may comprise a p-type semiconductor. The polymer layer 304 serves to prevent a short between the nanowires 301a and 301b and the conductive layer 303. [

나노와이어 구조체(300)는 나노와이어(301a, 301b)의 높이가 서로 다른 A 영역과 B 영역으로 나누어지는데, 상대적으로 나노와이어(301a, 301b)의 높이가 높은 A영역은 나노와이어(301a, 301b)를 덮고 있는 중합체층(304)이 직접 제2 전극(202)에 접할 수 있어 직접 전기적으로 연결된다. 또한, 상대적으로 나노와이어(301a, 301b)의 높이가 낮은 B영역은 나노와이어(301a, 301b)를 덮고 있는 중합체층(304)이 도전층(303)을 통해 제2 전극(202)에 전기적으로 연결된다. 도전층(303)은 제1 전극(102) 위에 배치되어 있는 나노와이어(301a, 301b)와 제2 전극(202)의 전기적 연결을 강화하게 된다.The nanowire structure 300 is divided into A region and B region having different heights of the nanowires 301a and 301b. The A region having a relatively high height of the nanowires 301a and 301b is divided into nanowires 301a and 301b Can directly contact the second electrode 202 and are directly electrically connected to each other. In the region B where the nanowires 301a and 301b are relatively low in height, the polymer layer 304 covering the nanowires 301a and 301b is electrically connected to the second electrode 202 through the conductive layer 303 . The conductive layer 303 enhances the electrical connection between the nanowires 301a and 301b disposed on the first electrode 102 and the second electrode 202. [

본 개시와 도면에 도시되어 있는 나노와이어(301a, 301b)의 개수는 예시적인 것으로서, 나노와이어(301a, 301b)의 개수 및 배치는 장치의 크기 및 용도에 따라 서로 다를 수 있음은 분명하다.It is to be understood that the number of nanowires 301a, 301b shown in the present disclosure and in the figures is exemplary and that the number and arrangement of the nanowires 301a, 301b may be different depending on the size and application of the device.

그러면, 도 4에 도시한 실시예에 따른 전기 기기의 동작에 대하여 설명한다.The operation of the electric device according to the embodiment shown in Fig. 4 will now be described.

먼저, 도 2에 도시한 전기 기기에 응력이 인가된 경우에 대하여 설명한다.First, a case where stress is applied to the electric device shown in Fig. 2 will be described.

도 2에 도시한 전기 기기에 응력이 인가되면, 응력이 인가된 위치에서 제2 기판(201)과 제2 전극(202) 중 적어도 하나가 휘어질 수 있다. 제2 기판(201) 및 제2 전극(202)이 휘어짐에 따라, 제1 전극(102)과 제2 전극(202) 사이의 거리가 감소하게 되어, 응력이 인가된 위치에 배치되어 있는 나노와이어(301a, 301b)는 압축되어 변형될 수 있고, 변형된 나노와이어(301a, 301b)는 압전 효과(piezoelectric effect)를 나타낸다. 즉, 나노와이어(301a, 301b)의 각 부분은 인가된 압축 응력 또는 인장 응력에 따라 소정의 전위를 갖게 된다. When stress is applied to the electric device shown in FIG. 2, at least one of the second substrate 201 and the second electrode 202 may be bent at a position where the stress is applied. As the second substrate 201 and the second electrode 202 are warped, the distance between the first electrode 102 and the second electrode 202 decreases, and the nanowires (301a, 301b) can be compressed and deformed, and the deformed nanowires (301a, 301b) exhibit a piezoelectric effect. That is, each part of the nanowires 301a and 301b has a predetermined potential in accordance with the applied compressive stress or tensile stress.

나노와이어(301a, 301b)의 압전 효과에 의해 발생된 전자는 제1 전극(102)으로 이동하고, 이에 따라 전기 에너지가 발생한다.Electrons generated by the piezoelectric effect of the nanowires 301a and 301b move to the first electrode 102, thereby generating electrical energy.

이때, 나노와이어(301a, 301b)에 의해 발생되는 전기 에너지를 저장부(402)에 저장할 수 있고, 제1 전극(102)으로부터 제2 전극(202)으로 흐를 수도 있다. 도시하지는 않았지만, 제1 전극(102)과 제2 전극(202)은 연결부(401)는 직접 저장 부(402)에 연결되지 않고, 스위치를 이용하여 저장부(402)에 연결될 수 있다. 이 경우, 나노와이어(301)에 의해 발생된 전기 에너지는 스위치를 통해 연결부(401)가 저장부(402)에 연결되어 저장부(402)에 저장되거나, 또는 스위치를 통해 연결부(401)가 저장부(402)에 연결되지 않고, 전기 기기 자체 내에서 이용할 수도 있다.At this time, the electric energy generated by the nanowires 301a and 301b may be stored in the storage unit 402, and may flow from the first electrode 102 to the second electrode 202. Although not shown, the connection unit 401 of the first electrode 102 and the second electrode 202 may be connected to the storage unit 402 using a switch without being directly connected to the storage unit 402. In this case, the electric energy generated by the nanowire 301 is connected to the storage unit 402 through the switch and stored in the storage unit 402, or the connection unit 401 is stored May not be connected to the power supply unit 402 but may be used in the electric device itself.

다음으로, 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기가 태양광 등의 광을 흡수하는 경우에 대하여 설명한다.Next, the case where the electric device including the nanowire structure absorbs light such as sunlight will be described.

도 2의 전기 기기에 태양광 등의 광이 조사되면, 조사된 광의 일부 또는 전체가 나노와이어 구조체(300)에 도달할 수 있다. 나노와이어 구조체(300)에 포함되어 있는 전자들이 조사된 광으로부터 에너지를 흡수하면, 나노와이어(301a, 301b)의 광전변환 특성으로, 여기 상태의 전자-정공 쌍(exiton)이 형성될 수 있다. 전자-전공 쌍은 p형의 나노와이어(301b)와 n형의 나노와이어(301a) 사이의 계면에서 전자와 정공으로 분리될 수 있다. 분리된 전자는 n형의 나노와이어(301a)를 따라 양극(anode), 즉 제1 전극(102) 쪽으로 이동하고, 정공은 p형의 나노와이어(301b)을 따라 음극(cathode), 즉 제2 전극(202) 쪽으로 이동한다.When the electric device of FIG. 2 is irradiated with light such as sunlight, a part or the whole of the irradiated light can reach the nanowire structure 300. When the electrons contained in the nanowire structure 300 absorb energy from the irradiated light, an electron-hole pair (excitedon) in the excited state can be formed by photoelectric conversion characteristics of the nanowires 301a and 301b. Electron-electron pairs can be separated into electrons and holes at the interface between the p-type nanowire 301b and the n-type nanowire 301a. The separated electrons move along the n-type nanowire 301a toward the anode or the first electrode 102 and the holes move along the p-type nanowire 301b to the cathode, And moves to the electrode 202 side.

이처럼 전자는 제1 전극(102)으로 이동하고, 정공은 제2 전극(202)으로 이동함에 따라서, 연결부(401)에 의해 서로 연결되어 있는 제1 전극(102)과 제2 전극(202), 나노와이어 구조체(300)로 이루어진 폐회로를 통하여 전류가 흐를 수 있다. 연결부(401)에는 저장부(402)가 전기적으로 연결되어 있어, 나노와이어 구조체(300)에 의해 발생된 전기 에너지를 저장부(402)에 저장할 수 있다.As the electrons move to the first electrode 102 and the holes move to the second electrode 202, the first electrode 102 and the second electrode 202, which are connected to each other by the connection unit 401, A current can flow through the closed circuit formed of the nanowire structure 300. [ The storage unit 402 is electrically connected to the connection unit 401 so that the electrical energy generated by the nanowire structure 300 can be stored in the storage unit 402.

이와 같이, 나노와이어 구조체는 광전 변환 특성을 가질 수 있다. 따라서, 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 에너지 발생 장치는 나노와이어에 응력을 가하여 압전 현상을 이용하여 전기 에너지를 발생할 수 있을 뿐만 아니라, 태양광 등의 광을 이용하여 전기 에너지를 발생할 수도 있다.Thus, the nanowire structure can have photoelectric conversion properties. Accordingly, an electric energy generating device including a nanowire structure not only can generate electric energy using a piezoelectric effect by applying stress to the nanowire, but also generate electric energy using light such as sunlight.

다음으로, 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기에 전기 에너지가 공급되는 경우에 대하여 설명한다.Next, the case where the electric energy is supplied to the electric device including the nanowire structure will be described.

도 2의 전기 기기에 전기 에너지가 공급되면, 나노와이어 구조체(300) 내에 배치되어 있는 n 형의 나노와이어(301a)와 p 형의 나노와이어(301b) 사이의 P-N 접합에서 전기 에너지가 빛 에너지로 변환되어 빛이 방출된다.When electric energy is supplied to the electric device of FIG. 2, electric energy is converted into light energy at the PN junction between the n-type nano wire 301a and the p-type nano wire 301b disposed in the nanowire structure 300 And the light is emitted.

나노와이어 구조체(300)가 P-I-N 접합하고 있는 경우에도, P-I-N 접합에서 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하여 빛이 방출되게 된다.Even when the nanowire structure 300 is P-I-N junction, electric energy is converted into light energy at the P-I-N junction and light is emitted.

이러한 빛 에너지 변환에 사용되는 전기 에너지는 외부에서 공급될 수도 있지만, 나노와이어 구조체(300)의 압전 효과에 의해 생성된 전기 에너지가 직접 이용될 수 있고, 나노와이어 구조체(300)의 광전 효과에 의해 생성된 전기 에너지가 직접 이용될 수도 있다.The electrical energy generated by the piezoelectric effect of the nanowire structure 300 can be directly used and the electrical energy generated by the photoelectric effect of the nanowire structure 300 can be used directly The generated electrical energy may be used directly.

이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기는 나노와이어에 응력을 가하여 압전 현상을 이용하여 전기 에너지를 발생할 수 있을 뿐만 아니라, 태양광 등의 광을 이용하여 전기 에너지를 발생할 수도 있으며, 이종 접합 다이오드로 작용하여, 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하여 빛을 발생할 수도 있다.As described above, the electric device including the nanowire structure according to the embodiment of the present invention not only generates electric energy by using piezoelectric phenomenon by applying stress to the nanowire, but also generates electric energy by using light such as sunlight It can also act as a heterojunction diode, converting electrical energy into light energy to generate light.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

도 1은 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a nanowire structure according to one embodiment.

도 2는 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an electrical device including a nanowire structure according to one embodiment.

도 3은 다른 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a nanowire structure according to another embodiment.

도 4는 다른 한 실시예에 따른 나노와이어 구조체를 포함하는 전기 기기의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of an electrical device including a nanowire structure according to another embodiment.

Claims (15)

서로 이격되어 배치되되, 가요성을 갖는 제1 전극 및 제2 전극,A first electrode and a second electrode which are disposed apart from each other and have flexibility, 상기 제1 전극 위에 배치되어 있는 복수의 나노와이어, 그리고A plurality of nanowires disposed on the first electrode, and 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 있으며, 상기 복수의 나노와이어를 덮고 있는 덮개층을 포함하는 전기 기기로서,And a cover layer disposed between the first electrode and the second electrode and covering the plurality of nanowires, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 투명한 물질로 이루어지고,Wherein at least one of the first electrode and the second electrode is made of a transparent material, 상기 덮개층은 P3HT(poly(3-hexylthiophene)), 폴리아닐린(Polyaniline), 폴리피롤(Polypyrrole), PPV(Poly(p-phenylene vinylene)), 폴리비닐렌(Polyvinylene), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), 폴리타이펜(polythiphene) 및 이들의 유도체(derivatives) 중 적어도 하나를 포함하며,The cover layer may be formed of at least one of poly (3-hexylthiophene), polyaniline, polypyrrole, poly (p-phenylene vinylene), polyvinylene, polyacetylene, Polythiophene, and derivatives thereof, 상기 나노와이어는 n 형 반도체 특성을 가지고, 상기 덮개층은 p 형 반도체 특성을 가지고,Wherein the nanowire has an n-type semiconductor characteristic, the cover layer has a p-type semiconductor property, 상기 나노와이어와 상기 덮개층 중 적어도 하나는 광전 변환 특성을 가지며,Wherein at least one of the nanowire and the cover layer has photoelectric conversion characteristics, 상기 나노와이어와 상기 덮개층 중 적어도 하나는 압전 특성을 가지고,Wherein at least one of the nanowire and the cover layer has a piezoelectric property, 상기 전기 기기에 응력이 인가될 경우,When stress is applied to the electric device, 상기 나노와이어와 상기 덮개층 중 적어도 하나는 상기 인가된 응력에 의해 압축, 또는 인장되는 전기 기기.Wherein at least one of the nanowire and the cover layer is compressed or tensioned by the applied stress. 삭제delete 제1항에서,The method of claim 1, 상기 제1 전극에 연결된 제1 기판 및 상기 제2 전극에 연결된 제2 기판을 더 포함하고,A first substrate connected to the first electrode and a second substrate connected to the second electrode, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나는 상기 인가된 응력에 의하여 변형되는 가요성을 가지는 전기 기기.Wherein at least one of the first substrate and the second substrate has flexibility that is deformed by the applied stress. 삭제delete 삭제delete 제1항에서,The method of claim 1, 상기 나노와이어는 산화아연(ZnO), 납-지르코늄-티타늄산화물(PZT), 티탄산 바륨(BaTiO3), 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN), 또는 탄화실리콘(SiC)을 포함하는 전기 기기.The nanowires of zinc oxide (ZnO), lead-zirconium-titanium oxide (PZT), barium titanate (BaTiO 3), aluminum nitride (AlN), gallium nitride (GaN), or silicon carbide electric machine including a (SiC) . 삭제delete 제1항에서,The method of claim 1, 상기 나노와이어 및 상기 덮개층과 상기 제2 전극 사이를 메우고 있는 도전층을 더 포함하고,Further comprising a conductive layer filling the nanowire and the cover layer and the second electrode, 상기 도전층은 투명하거나 반투명한 전도성 물질, 투명하거나 반투명한 압전성 중합체, 및 BHT(bulk-heterojunction) 중 적어도 하나를 포함하는 전기 기기.Wherein the conductive layer comprises at least one of a transparent or translucent conductive material, a transparent or translucent piezoelectric polymer, and a bulk-heterojunction (BHT). 서로 이격되어 배치되되, 가요성을 갖는 제1 전극 및 제2 전극,A first electrode and a second electrode which are disposed apart from each other and have flexibility, 상기 제1 전극 위에 배치되어 있는 복수의 제1 나노와이어,A plurality of first nanowires disposed on the first electrode, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 있으며, 상기 복수의 제1 나노와이어와 접하고 있는 복수의 제2 나노와이어, A plurality of second nanowires disposed between the first electrode and the second electrode and in contact with the plurality of first nanowires, 상기 제1 나노와이어 및 상기 제2 나노와이어와 상기 제2 전극 사이를 메우고 있는 도전층, 그리고A conductive layer filling the first nanowire and the second nanowire and the second electrode, and 상기 제1 나노와이어와 상기 제2 나노와이어를 덮고 있으며, 상기 제1 나노와이어 및 상기 제2 나노와이어와 상기 도전층 사이에 배치되어 있는 중합체층을 포함하는 전기 기기로서,An electrical device comprising a polymer layer covering the first nanowire and the second nanowire and disposed between the first nanowire and the second nanowire and the conductive layer, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 투명한 물질로 이루어지며,Wherein at least one of the first electrode and the second electrode is made of a transparent material, 상기 제1 나노와이어는 n 형 반도체 특성을 가지고, 상기 제2 나노와이어는 p 형 반도체 특성을 가지고,Wherein the first nanowire has an n-type semiconductor characteristic, the second nanowire has a p-type semiconductor property, 상기 제1 나노와이어, 상기 제2 나노와이어, 및 상기 덮개층 중 적어도 하나는 광전 변환 특성을 가지고,Wherein at least one of the first nanowire, the second nanowire, and the cover layer has photoelectric conversion characteristics, 상기 제1 나노와이어와 상기 제2 나노와이어 중 적어도 하나는 압전 특성을 가지며,Wherein at least one of the first nanowire and the second nanowire has a piezoelectric property, 상기 전기 기기에 응력이 인가될 경우,When stress is applied to the electric device, 상기 제1 나노와이어, 상기 제2 나노와이어, 및 상기 덮개층 중 적어도 하나는 상기 인가된 응력에 의해 압축, 또는 인장되는 전기 기기.Wherein at least one of the first nanowire, the second nanowire, and the cover layer is compressed or tensioned by the applied stress. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제9항에서,The method of claim 9, 상기 제1 나노와이어와 상기 제2 나노와이어는 각각, 산화아연(ZnO), 납-지르코늄-티타늄산화물(PZT), 티탄산 바륨(BaTiO3), 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN), 또는 탄화실리콘(SiC)을 포함하는 전기 기기.The first nanowires with the second nanowires, respectively, zinc oxide (ZnO), lead-zirconium-titanium oxide (PZT), barium titanate (BaTiO 3), aluminum nitride (AlN), gallium nitride (GaN), or An electric appliance comprising silicon carbide (SiC). 제9항에서,The method of claim 9, 상기 도전층은 투명하거나 반투명한 전도성 물질, 투명하거나 반투명한 압전성 중합체, 및 BHT(bulk-heterojunction) 중 적어도 하나를 포함하는 전기 기기.Wherein the conductive layer comprises at least one of a transparent or translucent conductive material, a transparent or translucent piezoelectric polymer, and a bulk-heterojunction (BHT). 삭제delete
KR1020090102982A 2009-10-28 2009-10-28 Electric device KR101627131B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090102982A KR101627131B1 (en) 2009-10-28 2009-10-28 Electric device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090102982A KR101627131B1 (en) 2009-10-28 2009-10-28 Electric device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110046128A KR20110046128A (en) 2011-05-04
KR101627131B1 true KR101627131B1 (en) 2016-06-07

Family

ID=44241068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090102982A KR101627131B1 (en) 2009-10-28 2009-10-28 Electric device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101627131B1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101231569B1 (en) * 2011-02-28 2013-02-08 한국과학기술원 Energy Harvesting System Using Piezoelectric Nanorod Arrays and Method for Manufacturing the Same
KR101366396B1 (en) * 2011-07-11 2014-02-24 주식회사 두산 Transparent electrode comprising graphene and ito
KR102375889B1 (en) 2014-12-19 2022-03-16 삼성전자주식회사 Energy generating device, and method of manufacturing the same
CN114530465A (en) * 2020-11-23 2022-05-24 联华电子股份有限公司 Image sensing element and manufacturing method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007142386A (en) * 2005-11-16 2007-06-07 Sharp Corp Photovoltaic structure with conductive nanowire array electrode
WO2008140611A2 (en) * 2006-12-18 2008-11-20 The Regents Of The University Of California Nanowire array-based light emitting diodes and lasers

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7390438B2 (en) * 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
KR100647288B1 (en) * 2004-09-13 2006-11-23 삼성전자주식회사 Nanowire light emitting device and method of fabricating the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007142386A (en) * 2005-11-16 2007-06-07 Sharp Corp Photovoltaic structure with conductive nanowire array electrode
WO2008140611A2 (en) * 2006-12-18 2008-11-20 The Regents Of The University Of California Nanowire array-based light emitting diodes and lasers

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110046128A (en) 2011-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101647034B1 (en) Apparatus for generating electrical energy and method for manufacturing the same
US8640312B2 (en) Manufacturing method of apparatus for generating electrical energy
KR20110047860A (en) PIEZOELECTRIC NANOWIRE STRUCTURE AND ELECTRIC DEVICE INCLUDING tHE SAME
KR102375889B1 (en) Energy generating device, and method of manufacturing the same
KR101652406B1 (en) Electric energy generator
Hu et al. Optimizing the power output of a ZnO photocell by piezopotential
US10541358B2 (en) Hybrid generator using thermoelectric generation and piezoelectric generation
US8975805B2 (en) Electrical energy generator
KR101861148B1 (en) Nano-piezoelectric generator and method of manufacturing the same
KR101705705B1 (en) Organic solar cell
KR101627131B1 (en) Electric device
US8080824B2 (en) Suppressing recombination in an electronic device
KR101796176B1 (en) PIEZOELECTRIC NANOWIRE STRUCTURE AND ELECTRIC DEVICE INCLUDING tHE SAME
KR101199466B1 (en) Energy harvester for three-dimensional complex
JP4581386B2 (en) Photoelectric conversion element manufacturing method, electronic device manufacturing method, and light emitting element manufacturing method
CN106450003A (en) Method for connecting a flexible electronic device to an electrical wire
KR101261186B1 (en) Piezoelectric energy harvestor by passivation effect
KR20140075116A (en) Hybrid generator using photovoltaic generation and piezoelectric generation and method of manufacturing the same
KR101545000B1 (en) Vibration Mobile And Interior Mobile Using The Same
Mones et al. Photoresponse of zinc oxide-polyaniline junction at different light intensities
US20150380590A1 (en) Energy harvester
US9853174B2 (en) Photoelectric conversion element
KR102199990B1 (en) Light emitting device and light emitting system having the same
Maldonado-Rivera pn junction diodes fabricated using poly (3-hexylthiophene-2, 5-dyil) thin films and nanofibers
Qin High Performance Flexible Nanogenerators

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190422

Year of fee payment: 4