KR101625043B1 - Method for forming electrode for touch screen panel, method for manufacturing touch screen panel, touch screen panel, display panel and display device - Google Patents

Method for forming electrode for touch screen panel, method for manufacturing touch screen panel, touch screen panel, display panel and display device Download PDF

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Abstract

본 발명은 도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 형성된 상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계 및 열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계를 포함하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법, 터치스크린 패널의 제조방법, 터치스크린 패널, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a touch screen panel comprising a conductive paste, forming a mesh pattern on a substrate, heat treating the mesh pattern formed on the substrate, and pressing the heat-treated mesh pattern. A method of manufacturing the touch screen panel, a touch screen panel, a display panel, and a display device.

Description

터치스크린 패널용 전극 형성방법, 터치스크린 패널의 제조방법, 터치스크린 패널, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치{METHOD FOR FORMING ELECTRODE FOR TOUCH SCREEN PANEL, METHOD FOR MANUFACTURING TOUCH SCREEN PANEL, TOUCH SCREEN PANEL, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of forming an electrode for a touch screen panel, a method of manufacturing a touch screen panel, a touch screen panel, a display panel and a display device }

본 발명은 터치스크린 패널용 전극 형성방법, 터치스크린 패널의 제조방법, 터치스크린 패널, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a method of forming an electrode for a touch screen panel, a method of manufacturing a touch screen panel, a touch screen panel, a display panel, and a display device.

최근 스마트폰, 태블릿 컴퓨터와 같은 소형 디스플레이 장치가 구비된 전자기기, 특히 터치스크린 패널과 같은 입력수단이 구비된 전자기기가 널리 사용되고 있다. 2. Description of the Related Art Electronic apparatuses having a small-sized display apparatus such as a smart phone and a tablet computer have been widely used in recent years. In particular, electronic apparatuses having input means such as a touch screen panel are widely used.

터치스크린 패널은 손 또는 터치펜 등을 이용하여 전자기기를 제어하는 장치이다. 터치스크린 패널을 이용하면 사용자가 디스플레이되는 화면을 직접 누름으로써 전자기기를 제어할 수 있다. 이와 같은 터치스크린 패널은 구현 원리와 동작 방법에 따라 저항막 방식, 정전용량 방식, 적외선 방식과 초음파 방식 등으로 구분된다. 이 중 정전용량 방식의 터치스크린 패널은 터치 감도가 우수하고, 2개 이상의 손가락으로 신호를 입력하는 멀티 터치(multi touch)가 가능하여 활발한 연구가 진행되고 있다. The touch screen panel is a device for controlling an electronic device using a hand or a touch pen. The touch screen panel allows the user to control the electronic device by directly pressing the displayed screen. Such a touch screen panel can be classified into a resistance film type, a capacitive type, an infrared type, and an ultrasonic type according to the principle and operation method of the touch screen panel. Among these, capacitive touch screen panels have excellent touch sensitivity, and multi-touch inputting signals with two or more fingers is being actively studied.

일반적으로 터치스크린 패널은 윈도우 기판, 블랙매트릭스층, 투명전극층, 금속전극층, 프라이머층 등으로 구성된다. 이 중에서 투명전극층의 소재로서 인듐 틴 옥사이드(ITO)가 주로 사용된다. Generally, the touch screen panel is composed of a window substrate, a black matrix layer, a transparent electrode layer, a metal electrode layer, a primer layer, and the like. Among them, indium tin oxide (ITO) is mainly used as a material of the transparent electrode layer.

이러한 인듐 틴 옥사이드는 투과도나 전기적 특성은 우수하지만, 희토류 금속인 인듐(In)을 사용하기 때문에 수급이 원활하지 않고, 고가이다. 또한, 인듐 틴 옥사이드는 세라믹 재료로서 취성이 강하기 때문에 플렉서블 터치스크린 패널을 제작할 수 없는 문제가 있다. 또 인듐 틴 옥사이드 박막을 제작하기 위해서는 진공 상태에서 공정이 이루어져야 하므로 진공장비가 필요하고, 패턴을 형성하기 위해서는 식각 공정이 필요하므로 식각장비가 필요하다. 이러한 장비들은 고가이므로 인듐 틴 옥사이드 박막 제작비용 및 디스플레이 패널의 원가가 상승하는 문제가 발생하게 된다. 따라서 인듐 틴 옥사이드를 대체하기 위한 다양한 소재 및 다양한 방법이 연구되고 있다. 특히, 도전성 페이스트를 사용하여 형성되는 메탈메쉬에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. These indium tin oxides are excellent in permeability and electrical properties, but are inexpensive because they use indium (In), which is a rare earth metal. In addition, since indium tin oxide is a brittle material as a ceramic material, there is a problem that a flexible touch screen panel can not be manufactured. In order to fabricate the thin film of indium tin oxide, a vacuum apparatus is required because a vacuum process is required. In order to form a pattern, an etching process is necessary. Since these devices are expensive, there is a problem that the production cost of the indium tin oxide thin film and the cost of the display panel increase. Therefore, various materials and various methods for replacing indium tin oxide have been studied. In particular, studies on metal meshes formed using conductive pastes are actively under way.

한국 공개특허공보 10-2014-0072289Korean Patent Publication No. 10-2014-0072289 한국 등록특허공보 10-1422270Korean Patent Publication No. 10-1422270

본 발명의 일 측면은 전극의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 터치스크린 패널용 전극 형성방법, 터치스크린 패널의 제조방법, 터치스크린 패널, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치를 개시한다.One aspect of the present invention discloses a method of forming an electrode for a touch screen panel, a method of manufacturing the touch screen panel, a touch screen panel, a display panel, and a display device capable of improving the electrical characteristics of the electrode.

본 발명의 다른 측면은 열처리 온도를 낮추더라도 전극의 전기적 특성을 유지 또는 향상시킬 수 있는 터치스크린 패널용 전극 형성방법, 터치스크린 패널의 제조방법, 터치스크린 패널, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치를 개시한다.Another aspect of the present invention discloses a method of forming an electrode for a touch screen panel, a method of manufacturing the touch screen panel, a touch screen panel, a display panel, and a display device capable of maintaining or improving the electrical characteristics of the electrode even when the heat treatment temperature is lowered.

본 발명의 일 측면에 따른 터치스크린 패널용 전극 형성방법은 도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 형성된 상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계 및 열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming an electrode for a touch screen panel, the method including forming a mesh pattern on a substrate using a conductive paste, heat treating the mesh pattern formed on the substrate, Lt; / RTI >

열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는 상기 열처리된 메쉬 패턴을 0초 초과 10초 이하의 시간 동안 가압하는 것일 수 있다.Pressing the heat-treated mesh pattern may be to pressurize the heat-treated mesh pattern for greater than 0 seconds and less than 10 seconds.

열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는 상기 열처리된 메쉬 패턴을 0.1MPa 이상 20MPa 이하의 압력으로 가압하는 것일 수 있다.The step of pressurizing the heat-treated mesh pattern may be to pressurize the heat-treated mesh pattern at a pressure of 0.1 MPa or more and 20 MPa or less.

열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는 상기 메쉬 패턴을 상기 기판의 윗면과 수직한 축을 따라 가압하는 것일 수 있다. The step of pressing the heat-treated mesh pattern may be to press the mesh pattern along an axis perpendicular to the top surface of the substrate.

상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계는 열처리 온도가 50℃ 이상 250℃ 이하일 수 있다.In the step of heat-treating the mesh pattern, the heat treatment temperature may be 50 ° C or higher and 250 ° C or lower.

상기 도전성 페이스트는 은(Ag)과 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The conductive paste may include at least one of silver (Ag) and copper (Cu).

상기 도전성 페이스트는 분말 형태의 은(Ag)과 분말 형태의 금속합금을 포함하고, 상기 금속합금은 녹는점이 50℃ 이상 250℃ 이하일 수 있다.The conductive paste may include powdered silver (Ag) and a powdery metal alloy. The metal alloy may have a melting point of 50 ° C or higher and 250 ° C or lower.

상기 금속합금은 비스무트(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군으로부터 하나 또는 그 이상 선택되는 것일 수 있다.The metal alloy may be one or more selected from the group consisting of Bi, Sn, Zn, Pb, In, Ga, and Cd. have.

상기 금속합금은 비스무트(Bi)와 주석(Sn) 합금일 수 있다.The metal alloy may be a bismuth (Bi) alloy and a tin (Sn) alloy.

상기 금속합금은 58wt%의 비스무트(Bi)와 42wt%의 주석(Sn)을 포함할 수 있다.The metal alloy may include 58 wt% of bismuth (Bi) and 42 wt% of tin (Sn).

상기 금속합금은 도전성 페이스트 100 중량부에 대하여 0 중량부 초과 50 중량부 이하로 포함될 수 있다.The metal alloy may be contained in an amount of 0 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the conductive paste.

본 발명의 일 측면에 따른 터치스크린 패널의 제조방법은 도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 형성된 상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계 및 열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a touch screen panel according to an aspect of the present invention includes forming a mesh pattern on a substrate using a conductive paste, heat treating the mesh pattern formed on the substrate, And pressurizing.

열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는 상기 열처리된 메쉬 패턴을 0초 초과 10초 이하의 시간 동안 가압하는 것일 수 있다.Pressing the heat-treated mesh pattern may be to pressurize the heat-treated mesh pattern for greater than 0 seconds and less than 10 seconds.

열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는 상기 열처리된 메쉬 패턴을 0.1MPa 이상 20MPa 이하의 압력으로 가압하는 것일 수 있다.The step of pressurizing the heat-treated mesh pattern may be to pressurize the heat-treated mesh pattern at a pressure of 0.1 MPa or more and 20 MPa or less.

상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계는 열처리 온도가 50℃ 이상 250℃ 이하일 수 있다.In the step of heat-treating the mesh pattern, the heat treatment temperature may be 50 ° C or higher and 250 ° C or lower.

상기 도전성 페이스트는 은(Ag)과 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The conductive paste may include at least one of silver (Ag) and copper (Cu).

본 발명의 일 측면에 따른 터치스크린 패널은 본 발명의 일 측면에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 따라 제조될 수 있다. A touch screen panel according to an aspect of the present invention can be manufactured according to a method of manufacturing a touch screen panel according to an aspect of the present invention.

본 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 장치는 터치스크린 패널과, 터치스크린 패널에 결합된 디스플레이 패널을 포함할 수 있다.A display device according to an aspect of the present invention may include a touch screen panel and a display panel coupled to the touch screen panel.

본 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 패널은 터치스크린 패널을 포함할 수 있다.A display panel according to an aspect of the present invention may include a touch screen panel.

본 발명의 일 측면에 따르면, 메쉬(mesh) 패턴을 가압함에 따라 도전성 페이스트의 충전밀도(packing density) 및 연결성(connectivity)을 증가시켜 전극의 전기적 특성을 증가시킬 수 있다.According to one aspect of the present invention, the electrical characteristics of the electrode can be increased by increasing the packing density and connectivity of the conductive paste by pressing the mesh pattern.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 메쉬(mesh) 패턴을 가압함에 따라 전극 상부 표면의 표면 거칠기를 감소시켜 합선을 방지하여 전기적 특성을 안정화시킬 수 있다.According to another aspect of the present invention, as the mesh pattern is pressed, the surface roughness of the upper surface of the electrode may be reduced to prevent a short circuit, thereby stabilizing the electrical characteristics.

도 1 및 도 2는 메쉬 패턴을 가압하기 전의 메쉬 패턴의 미세구조를 나타낸 사진.
도 3 및 도 4는 메쉬 패턴을 가압한 후 메쉬 패턴의 미세구조를 나타낸 사진.
Figs. 1 and 2 are photographs showing the microstructure of the mesh pattern before pressurizing the mesh pattern. Fig.
FIGS. 3 and 4 are photographs showing the microstructure of the mesh pattern after pressurizing the mesh pattern. FIG.

이하에서는 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 이하에서 설명되는 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로 인해 본 발명의 보호범위가 한정되는 것을 의미하지는 않는다. 즉, 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각 개시된 실시예의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있다. 그리고 본 발명의 여러 실시예를 설명함에 있어서, 동일한 기술적 특징을 갖는 구성요소에 대하여는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 도면부호를 사용하기로 한다. 나아가, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도면에 도시된 바에 한정되지 않으며, 여러 부분 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대 또는 축소하여 나타내었다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments described below are merely intended to be illustrative of the present invention in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the present invention and thus the scope of protection of the present invention is limited Do not. That is, the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. In addition, the position or arrangement of the individual components of each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. In describing various embodiments of the present invention, elements having the same technical characteristics are denoted by the same reference numerals even though they are shown in different drawings. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. Respectively.

이하에서는 본 발명에 따른 터치스크린 패널용 전극 형성방법의 다양한 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, various embodiments of a method of forming an electrode for a touch screen panel according to the present invention will be described in detail.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널용 전극 형성방법은 먼저 도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성할 수 있다.A method of forming an electrode for a touch screen panel according to an exemplary embodiment of the present invention may first form a mesh pattern on a substrate using a conductive paste.

기판은 경성기판 또는 연성기판을 사용할 수 있으면, 재질로는 유리, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리에테르, 폴리에테르이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 아크릴 수지, 내열성 에폭시(Epoxy), 초산비닐수지(EVA), 부틸 고무수지, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 실리콘, 페라이트, 세라믹 및 FR-4 중에서 선택되는 어느 하나의 재료로서 구성될 수 있다. 바람직하게는 유리, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 내열성 에폭시, FR-4 중에서 선택될 수 있다.As the substrate, a hard substrate or a flexible substrate can be used. Examples of the substrate include glass, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyether, polyetherimide, polyethylene naphthalate, acrylic resin, May be composed of any one material selected from among vinyl acetate resin (EVA), butyl rubber resin, polyarylate, polyimide, silicone, ferrite, ceramic and FR-4. Preferably, it can be selected from glass, polyimide, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, heat-resistant epoxy, FR-4.

기판은 투명한 필름형태로 형성될 수 있다. 이 투명 기판 상에 전극이 형성된다. The substrate may be formed in the form of a transparent film. An electrode is formed on this transparent substrate.

도전성 페이스트는 은(Ag)과 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 도전성 페이스트를 통해 형성되는 전극의 전기적 특성을 고려할 때 은(Ag)을 포함하는 것이 더 바람직하다. 도전성 페이스트에 포함되는 은(Ag) 또는 구리(Cu)는 분말 형태일 수 있다. The conductive paste may include at least one of silver (Ag) and copper (Cu). However, it is more preferable to include silver (Ag) in consideration of the electrical characteristics of the electrode formed through the conductive paste. The silver (Ag) or copper (Cu) contained in the conductive paste may be in powder form.

도전성 페이스트는 은(Ag) 또는 구리(Cu)와 같은 금속 외에 고분자 바인더, 솔벤트, 분산제, 경화제와 소포제 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 예를 들어 도전성 페이스트는 은(Ag) 분말 50wt%, 바인더 6.1wt%, 솔벤트 42.4wt%, 분산제 1.5wt%를 포함할 수 있다. The conductive paste may further include at least one of a polymer binder, a solvent, a dispersant, a curing agent and a defoaming agent in addition to a metal such as silver (Ag) or copper (Cu). For example, the conductive paste may contain 50 wt% of silver (Ag) powder, 6.1 wt% of binder, 42.4 wt% of solvent, and 1.5 wt% of dispersant.

도전성 페이스트는 은(Ag) 또는 구리(Cu)와 같은 금속에 혼합되는 금속합금을 더 포함할 수도 있다. 금속합금은 녹는점이 50℃ 이상 250℃ 이하일 수 있다. 금속합금은 저온융점 금속합금일 수 있다. 금속합금은 분말형태일 수 있다.The conductive paste may further include a metal alloy mixed with a metal such as silver (Ag) or copper (Cu). The metal alloy may have a melting point of 50 ° C or more and 250 ° C or less. The metal alloy may be a low temperature melting point metal alloy. The metal alloy may be in powder form.

도전성 페이스트를 사용하여 형성된 메쉬 패턴에 열처리를 하면 전극이 형성된다.When the mesh pattern formed by using the conductive paste is heat-treated, an electrode is formed.

메쉬 패턴을 열처리하는 과정에서 금속합금은 용융되어서 은(Ag) 또는 구리(Cu) 입자의 바인더(binder) 역할을 한다. 금속합금은 열처리 과정에서 용융되어서 은(Ag) 또는 구리(Cu) 입자를 연결하는 기능을 한다. 금속합금은 열처리 과정에서 용융되어 모세관 작용으로 인해 은(Ag) 또는 구리(Cu) 입자 사이로 스며든다. 이와 같이 은(Ag) 또는 구리(Cu) 입자 사이로 스며든 금속합금은 은(Ag) 또는 구리(Cu) 입자 사이의 연결성(connectivity)을 향상시킨다. 결국, 금속합금은 열처리 과정에서 용융되어 전극의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. During the heat treatment of the mesh pattern, the metal alloy melts and acts as a binder for silver (Ag) or copper (Cu) particles. The metal alloy melts in the heat treatment process and functions to connect silver (Ag) or copper (Cu) particles. The metal alloy melts during the heat treatment process and seeps between the silver (Ag) or copper (Cu) particles due to capillary action. Such a metal alloy permeable between silver (Ag) or copper (Cu) particles improves the connectivity between silver (Ag) or copper (Cu) particles. As a result, the metal alloy can be melted in the heat treatment process to improve the electrical characteristics of the electrode.

따라서 금속합금을 포함한 도전성 페이스트를 사용하여 전극을 형성하면 기존과 동일한 온도에서 메쉬 패턴의 열처리를 수행하여도 전극의 전기적 특성이 더욱 향상될 수 있다. Therefore, when the electrode is formed using the conductive paste containing the metal alloy, the electrical characteristics of the electrode can be further improved even if the heat treatment of the mesh pattern is performed at the same temperature as the conventional one.

일반적으로 메쉬 패턴의 열처리 온도가 높아야 열처리 후 형성되는 전극의 전기적 특성이 높게 나타날 수 있다. 특히, 은(Ag)을 포함하는 도전성 페이스를 사용하여 형성된 메쉬 패턴의 경우 열처리 온도가 300℃ 이상이 되어야 은(Ag) 입자간 소결이 진행되어 전극의 전기적 특성(전기전도도)이 높게 나타난다. 그러나 금속합금을 포함한 도전성 페이스트를 사용하여 전극을 형성하면 열처리 온도가 이보다 낮아도 전극이 충분한 전기적 특성을 나타낼 수 있다. 다만, 열처리 온도는 금속합금의 융점과 동일하거나 높아야 한다. Generally, since the heat treatment temperature of the mesh pattern is high, the electrical characteristics of the electrode formed after the heat treatment may be high. Particularly, in the case of a mesh pattern formed using a conductive face containing silver (Ag), the sintering of silver (Ag) proceeds when the heat treatment temperature is 300 ° C or higher, and the electrical characteristics (electrical conductivity) of the electrode are high. However, when the electrode is formed using the conductive paste containing the metal alloy, the electrode can exhibit sufficient electrical characteristics even if the heat treatment temperature is lower than this. However, the heat treatment temperature should be the same as or higher than the melting point of the metal alloy.

결국, 금속합금을 포함한 도전성 페이스트를 사용하면, 열처리 온도가 금속합금의 융점과 동일하거나 높은 50℃ 이상 250℃ 이하라도 전극의 전기적 특성이 300℃ 이상의 온도에서 열처리한 것과 유사하거나 오히려 향상될 수 있다. 즉, 메쉬 패턴의 열처리 온도를 저하시켜 열처리에 드는 시간 및 비용을 감축할 수 있다. As a result, when the conductive paste containing the metal alloy is used, the electrical characteristics of the electrode can be improved or similar to that of the heat treatment at a temperature of 300 ° C or higher even if the heat treatment temperature is equal to or higher than the melting point of the metal alloy, . That is, the heat treatment temperature of the mesh pattern is lowered, and the time and cost for the heat treatment can be reduced.

금속합금은 비스무트(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군으로부터 하나 또는 그 이상 선택된 금속합금일 수 있다. 예를 들어, 금속합금은 92wt%의 주석(Sn)과 8wt%아연(Zn), 91t%의 주석(Sn)과 9wt%아연(Zn), 63wt%의 주석(Sn)과 37wt%아연(Zn), 62.2wt%의 주석(Sn)과 37.7wt%아연(Zn)으로 구성될 수 있다. 또는, 금속합금은 56.5wt%의 비스무트(Bi)와 43.5wt%의 납(Pb), 50.0wt%의 비스무트(Bi)와 28.0wt%의 납(Pb)과 22.0wt%의 주석(Sn)으로 구성될 수 있다. 위의 금속합금들은 예시적인 것으로서 융점이 저온(50℃ 이상 250℃ 이하)인 금속합금은 본 발명의 실시예에 모두 포함될 수 있다.The metal alloy may be one or more selected metal alloys selected from the group consisting of bismuth (Bi), tin (Sn), zinc (Zn), lead (Pb) and cadmium (Cd). For example, the metal alloy is composed of 92 wt% of tin (Sn), 8 wt% of zinc, 91 wt% of tin and 9 wt% of zinc, 63 wt% of tin and 37 wt% of zinc ), 62.2 wt% tin (Sn), and 37.7 wt% zinc (Zn). Alternatively, the metal alloy may be composed of 56.5 wt% of bismuth (Bi), 43.5 wt% of lead (Pb), 50.0 wt% of bismuth (Bi), 28.0 wt% of lead (Pb) and 22.0 wt% of tin Lt; / RTI > The above metal alloys are illustrative and metallic alloys having a low melting point (50 DEG C or more and 250 DEG C or less) can all be included in the embodiments of the present invention.

금속합금은 비스무트(bi)와 주석(Sn)으로 구성될 수 있다. 이러한 금속합금은 중금속인 납(Pb)이나 카드뮴(Cd)이 포함되어 있지 않아 안전하다. The metal alloy may be composed of bismuth (Sn) and bismuth (Bi). These metal alloys are safe because they do not contain heavy metals such as lead (Pb) or cadmium (Cd).

특히, 금속합금은 58wt%의 비스무트(Bi)와 42wt%의 주석(Sn)으로 구성될 수 있다. 즉, 금속합금은 Bi58-Sn42 합금일 수 있다. In particular, the metal alloy may be composed of 58 wt% of bismuth (Bi) and 42 wt% of tin (Sn). That is, the metal alloy may be a Bi58-Sn42 alloy.

도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 것은 그라비아 오프 셋(gravure off set), 리버스 오프 셋(reverse off set), 스크린(screen) 인쇄 및 그라비아(gravure) 인쇄 등 다양한 인쇄 방법 등을 통해 이루어질 수 있다.The formation of a mesh pattern on a substrate using a conductive paste may be performed by various printing methods such as gravure off set, reverse off set, screen printing, and gravure printing And the like.

그라비아 오프셋 인쇄는 패턴이 새겨진 요판에 도전성 페이스트를 채운 후 블랭킷(blanket)이라고 부르는 실리콘 고무로 1차 전사를 시키고, 블랭킷과 기판을 밀착시켜 2차 전사를 시키는 방식이다. Gravure offset printing is a method in which a conductive paste is filled in a patterned engraved plate, primary transfer is performed with a silicone rubber called a blanket, and the blanket and the substrate are brought into close contact with each other to perform secondary transfer.

리버스 오프셋 인쇄는 롤형 블랭킷에 도전성 페이스트를 도포한 후 이를 요철을 갖는 클리쉐와 밀착시켜 블랭킷 상에 목적하는 패턴을 형성하고, 이어서 블랭킷 상에 형성된 패턴을 기판에 전사시키는 방식이다.The reverse offset printing is a method in which a conductive paste is applied to a roll-type blanket and then adhered to a cliche having irregularities to form a desired pattern on the blanket, and then the pattern formed on the blanket is transferred to the substrate.

스크린 인쇄는 패턴이 있는 스크린 위에 도전성 페이스트를 위치시킨 후, 스퀴지를 밀면서 공간이 비워져 있는 스크린을 통하여 직접적으로 기판에 도전성 페이스트를 인쇄하는 방식이다. Screen printing is a method in which a conductive paste is placed on a screen having a pattern, and then a conductive paste is directly printed on a substrate through a screen in which a space is empty while pushing a squeegee.

그라비아 인쇄는 롤 위에 패턴이 새겨진 블랭킷을 감고 도전성 페이스트를 패턴 안에 채운 후, 도전성 막이 형성된 기판에 전사시키는 방식이다.Gravure printing is a method in which a blanket in which a pattern is formed is wound on a roll, the conductive paste is filled in the pattern, and then transferred onto the substrate on which the conductive film is formed.

다만, 도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 것은 위의 방법에 한정되는 것은 아니고 스퍼터링 증착(Sputtering Deposition) 또는 플라즈마 증착(Plasma Deposition) 방식으로 이루어질 수도 있다. However, the formation of the mesh pattern on the substrate using the conductive paste is not limited to the above method, but may be performed by a sputtering deposition method or a plasma deposition method.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널용 전극 형성방법은 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성한 다음 기판 상에 형성된 메쉬 패턴을 열처리하고, 열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 것을 포함할 수 있다.A method of forming an electrode for a touch screen panel according to an embodiment of the present invention may include forming a mesh pattern on a substrate, heat treating the mesh pattern formed on the substrate, and pressing the heat-treated mesh pattern .

메쉬 패턴을 열처리하는 것은 메쉬 패턴을 경화하기 위한 것이다. Heat treatment of the mesh pattern is for curing the mesh pattern.

열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 것은 메쉬 패턴에 형성된 기공을 감소시킴으로써, 전극의 전기적 특성을 향상시키기 위한 것이다. 메쉬 패턴을 열처리하는 과정에서 도전성 페이스트에 함유되어 있는 솔벤트, 바인더, 분산제와 같은 물질들이 휘발되면서 기공이 형성될 수 있다. 이러한 기공은 전극의 전기적 특성을 저하시키는 원인이 된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널용 전극 형성방법은 메쉬 패턴을 가압함으로써 열처리 과정에서 형성된 기공을 제거하고, 입자간 충전밀도(packing density)를 증가시킨다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널용 전극 형성방법에 의한 전극은 그 전기적 특성(전기전도도)이 크게 향상될 수 있다. 또한, 메쉬 패턴을 가압함으로써 메쉬 패턴 상부의 표면 거칠기를 감소시킬 수 있고, 이에 따라 상부전극과의 합선을 방지하는 등 전극의 전기적 특성을 안정화시킬 수 있다.Pressing the heat treated mesh pattern is intended to improve the electrical properties of the electrode by reducing pores formed in the mesh pattern. In the process of heat-treating the mesh pattern, pores may be formed as the solvent, the binder, and the dispersing agent contained in the conductive paste are volatilized. These pores cause the electrical properties of the electrode to deteriorate. The method of forming an electrode for a touch screen panel according to an embodiment of the present invention presses a mesh pattern to remove pores formed in a heat treatment process and increases packing density between particles. Accordingly, the electrode according to the method of forming an electrode for a touch screen panel according to an embodiment of the present invention can greatly improve its electrical characteristics (electric conductivity). In addition, by pressing the mesh pattern, the surface roughness of the upper portion of the mesh pattern can be reduced. Thus, the electrical characteristics of the electrode can be stabilized by preventing a short circuit with the upper electrode.

일반적으로 열처리 온도가 높을수록 기판 상에 형성된 전극의 전기적 특성이 향상된다. 따라서 기판 상에 형성된 메쉬 패턴을 열처리는 300℃ 이상의 고온에서 이루어지게 마련이다. 다만, 열처리 온도를 높이게 되면 가열하는데 시간이 많이 소모되고, 온도를 상승시키기 위해 많은 비용이 소모된다. 반대로, 열처리 온도를 낮추면 열처리에 소모되는 시간 및 비용을 절감할 수 있으나, 전극의 전기적 특성이 저하되는 문제가 있다. Generally, the higher the annealing temperature, the better the electrical properties of the electrode formed on the substrate. Therefore, the heat treatment of the mesh pattern formed on the substrate is performed at a high temperature of 300 DEG C or higher. However, if the heat treatment temperature is increased, it takes a lot of time to heat it, and a lot of cost is required to raise the temperature. On the other hand, if the heat treatment temperature is lowered, the time and cost consumed in the heat treatment can be reduced, but the electrical characteristics of the electrode are deteriorated.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널용 전극 형성방법에 따르면, 기판에 형성된 메쉬 패턴을 가압하는 단계를 포함하고 있어 전극의 전기적 특성을 향상시키게 된다. 이에 따라 열처리 온도를 낮추더라도 전극의 전기적 특성을 열처리 온도를 고온으로 할 때와 비슷하게 하거나 오히려 향상시킬 수 있다. According to the method of forming an electrode for a touch screen panel according to an embodiment of the present invention, the step of pressing the mesh pattern formed on the substrate may improve the electrical characteristics of the electrode. Accordingly, even if the heat treatment temperature is lowered, the electrical characteristics of the electrode can be improved or even improved compared to when the heat treatment temperature is set at a high temperature.

결국, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널용 전극 형성방법에 따르면, 50℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 기판 상에 형성된 메쉬 패턴을 열처리할 수 있다. 이와 같은 저온에서 열처리를 하여도 메쉬 패턴을 가압하게 되면 전극의 전기적 특성을 유지 또는 향상시킬 수 있다. As a result, according to the method for forming an electrode for a touch screen panel according to an embodiment of the present invention, a mesh pattern formed on a substrate can be heat-treated at a temperature of 50 ° C or more and 250 ° C or less. Even if the heat treatment is performed at such a low temperature, if the mesh pattern is pressed, the electrical characteristics of the electrode can be maintained or improved.

열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 것은 메쉬 패턴에 형성된 기공을 감소시키고 메쉬 패턴의 충전밀도(packing density), 즉 전극의 충전밀도(packing density)를 높이기 위한 것이다. Pressing the heat-treated mesh pattern is intended to reduce the pores formed in the mesh pattern and increase the packing density of the mesh pattern, that is, the packing density of the electrode.

도 1 및 도 2는 메쉬 패턴을 가압하기 전의 메쉬 패턴의 미세구조를 나타낸 사진이다. 반면, 도 3 및 도 4는 메쉬 패턴을 가압한 후 메쉬 패턴의 미세구조를 나타낸 사진이다. 1 and 2 are photographs showing the microstructure of the mesh pattern before pressurizing the mesh pattern. 3 and 4 are photographs showing the microstructure of the mesh pattern after pressing the mesh pattern.

도 1 및 도 2를 참조하면, 메쉬 패턴의 입자 사이에 기공이 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다. 반면, 도 3 및 도 4를 참조하면, 메쉬 패턴의 입자 사이의 기공이 감소 또는 제거되고, 메쉬 패턴이 조밀한 구조를 가지게 된 것을 확인할 수 있다. 메쉬 패턴의 충전밀도(packing density)가 향상된 것을 확인할 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2, it can be seen that pores are formed between the particles of the mesh pattern. On the other hand, referring to FIG. 3 and FIG. 4, it can be seen that the pores between the particles of the mesh pattern are reduced or eliminated, and the mesh pattern has a dense structure. It can be confirmed that the packing density of the mesh pattern is improved.

메쉬 패턴을 가압할 때 기판의 윗면과 수직한 축을 따라 가압할 수 있다. 즉, 기판 상에서 돌출되도록 형성된 메쉬 패턴을 기판의 면을 향해 가압할 수 있다. 이렇게 메쉬 패턴을 가압해야만 메쉬 패턴의 기공을 감소시키거나 제거할 수 있기 때문이다. 또한 이와 같이 가압해야 전극 상부의 표면 거칠기를 감소시킬 수 있다. When the mesh pattern is pressed, it can be pressed along an axis perpendicular to the upper surface of the substrate. That is, the mesh pattern formed to protrude from the substrate can be pressed toward the surface of the substrate. This is because the pores of the mesh pattern can be reduced or removed only by pressurizing the mesh pattern. In addition, the surface roughness of the upper portion of the electrode can be reduced by such pressing.

메쉬 패턴을 가압할 때 0초 초과 10초 이하의 시간 동안 가압할 수 있다. 메쉬 패턴을 10초 넘게 가압하는 경우, 10초 전에 이미 메쉬 패턴의 기공이 충분히 감소되었기 때문에 더 이상 감소 또는 제거될 기공이 없게 된다. 즉, 10초보다 길게 가압하여도 전극의 전기적 특성은 메쉬 패턴을 10초 동안 가압한 경우와 큰 차이가 없다. 결국, 메쉬 패턴을 10초가 초과되어 가압하는 것은 가압하는데 소모되는 비용 및 시간을 고려할 때 그 효율이 떨어진다. 또한, 10초 보다 길게 메쉬 패턴을 가압하면 기판 상에 형성된 메쉬 패턴에 크랙(crack)이 형성되면서 메쉬 패턴이 파손될 염려가 있다. When pressurizing the mesh pattern, it is possible to pressurize for more than 0 seconds and less than 10 seconds. When the mesh pattern is pressed for more than 10 seconds, since the pores of the mesh pattern have already been sufficiently reduced 10 seconds ago, there is no more pores to be reduced or eliminated. That is, even when the pressure is longer than 10 seconds, the electrical characteristics of the electrode are not significantly different from those in the case where the mesh pattern is pressed for 10 seconds. As a result, when the mesh pattern is pressed for more than 10 seconds, the efficiency is lowered considering the cost and time consumed for pressing. If the mesh pattern is pressed longer than 10 seconds, cracks may be formed on the mesh pattern formed on the substrate, and the mesh pattern may be damaged.

열처리된 메쉬 패턴은 0.1MPa 이상 20MPa 이하의 압력으로 가압할 수 있다. 메쉬 패턴을 0.1MPa보다 적은 가압할 경우, 메쉬 패턴의 기공을 충분히 감소시키거나 제거할 수 없다. 또한, 메쉬 패턴의 충전밀도(packing density)가 충분히 증가되지 않을 수 있다. 결국 기판 상에서 형성되는 전극의 전기적 특성이 충분히 향상되지 않을 수 있다. The heat-treated mesh pattern can be pressurized to a pressure of 0.1 MPa or more and 20 MPa or less. When the mesh pattern is pressurized to less than 0.1 MPa, the pores of the mesh pattern can not be sufficiently reduced or removed. In addition, the packing density of the mesh pattern may not be sufficiently increased. As a result, the electrical characteristics of the electrode formed on the substrate may not be sufficiently improved.

반면, 메쉬 패턴을 20MPa보다 큰 압력으로 가압하는 경우, 너무 큰 압력에 의해 메쉬 패턴에 크랙(crack)이 형성되면서 메쉬 패턴이 파손될 염려가 있다. 또한, 20MPa 정도의 압력으로 가압하면 이미 메쉬 패턴의 기공이 충분히 감소 도는 제거된다. 따라서 20MPa보다 큰 압력으로 가압하여도 더 이상 제거될 기공이 없게 된다. 결국, 20MPa보다 큰 압력으로 가압하는 것은 가압하는데 소모되는 비용 및 시간을 고려할 때 그 효율이 떨어진다.On the other hand, when the mesh pattern is pressurized with a pressure higher than 20 MPa, a crack is formed in the mesh pattern due to an excessively large pressure, and the mesh pattern may be damaged. Further, when the pressure is about 20 MPa, the pores of the mesh pattern are sufficiently reduced or removed. Therefore, even when the pressure is higher than 20 MPa, there is no pore to be removed. As a result, pressurizing at pressures greater than 20 MPa results in reduced efficiency when considering the cost and time consumed in pressurizing.

이하에서는 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조방법의 다양한 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, various embodiments of a manufacturing method of a touch screen panel according to the present invention will be described in detail.

먼저 도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬 패턴을 형성할 수 있다.First, a mesh pattern can be formed on a substrate using a conductive paste.

도전성 페이스트는 은(Ag)과 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도전성 페이스트에 포함되는 은(Ag) 또는 구리(Cu)는 분말 형태일 수 있다. The conductive paste may include at least one of silver (Ag) and copper (Cu). The silver (Ag) or copper (Cu) contained in the conductive paste may be in powder form.

도전성 페이스트는 은(Ag) 또는 구리(Cu)와 같은 금속 외에 고분자 바인더, 솔벤트, 분산제, 경화제와 소포제 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. The conductive paste may further include at least one of a polymer binder, a solvent, a dispersant, a curing agent and a defoaming agent in addition to a metal such as silver (Ag) or copper (Cu).

도전성 페이스트는 은(Ag) 또는 구리(Cu)와 같은 금속에 혼합되는 금속합금을 더 포함할 수 있다. 금속합금은 녹는점이 50℃ 이상 250℃ 이하일 수 있다. 금속합금은 저온융점 금속합금일 수 있다. 은(Ag) 또는 구리(Cu)와 같은 금속과 금속합금을 포함한 도전성 페이스트에 의해 형성된 메쉬 패턴 및 전극은 그 전기적 특성이 향상된다. 금속합금은 분말 형태일 수 있다.The conductive paste may further include a metal alloy mixed with a metal such as silver (Ag) or copper (Cu). The metal alloy may have a melting point of 50 ° C or more and 250 ° C or less. The metal alloy may be a low temperature melting point metal alloy. The electrical characteristics of the mesh pattern and the electrode formed by the conductive paste containing the metal such as silver (Ag) or copper (Cu) and the metal alloy are improved. The metal alloy may be in powder form.

금속합금은 비스무트(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군으로부터 하나 또는 그 이상 선택된 금속합금일 수 있다. 특히, 금속합금은 비스무트(bi)와 주석(Sn)으로 구성될 수 있다. 구체적으로 금속합금은 58wt%의 비스무트(Bi)와 42wt%의 주석(Sn)으로 구성될 수 있다. 즉, 금속합금은 Bi58-Sn42 합금일 수 있다. The metal alloy may be one or more selected metal alloys selected from the group consisting of bismuth (Bi), tin (Sn), zinc (Zn), lead (Pb) and cadmium (Cd). In particular, the metal alloy may be composed of bismuth (Bi) and tin (Sn). Specifically, the metal alloy may be composed of 58 wt% of bismuth (Bi) and 42 wt% of tin (Sn). That is, the metal alloy may be a Bi58-Sn42 alloy.

도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 것은 그라비아 오프 셋(gravure off set), 리버스 오프 셋(reverse off set), 스크린(screen) 인쇄 및 그라비아(gravure) 인쇄 등 다양한 인쇄 방법 등을 통해 이루어질 수 있다.The formation of a mesh pattern on a substrate using a conductive paste may be performed by various printing methods such as gravure off set, reverse off set, screen printing, and gravure printing And the like.

기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성한 다음 기판 상에 형성된 메쉬 패턴을 열처리할 수 있다. 메쉬 패턴을 열처리하는 것은 메쉬 패턴을 경화하기 위한 것이다. 50℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 기판 상에 형성된 메쉬 패턴을 열처리할 수 있다.A mesh pattern may be formed on the substrate, and then the mesh pattern formed on the substrate may be heat-treated. Heat treatment of the mesh pattern is for curing the mesh pattern. The mesh pattern formed on the substrate can be heat-treated at a temperature of 50 ° C to 250 ° C.

메쉬 패턴을 열처리한 다음 열처리된 메쉬 패턴을 가압할 수 있다. 열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 것은 열처리 과정에서 메쉬 패턴에 형성된 기공을 감소시킴으로써, 전극의 전기적 특성을 향상시키기 위한 것이다. 메쉬 패턴을 가압함으로써 기공을 제거하고, 입자간 충전밀도(packing density)를 증가시켜 입자간 연결성(connectivity)을 증가시킬 수 있다. 입자간 연결성(connectivity)이 증가되면 전극의 전기적 특성(전기전도도)이 증가되게 된다. 또한, 메쉬 패턴을 가압함으로써 메쉬 패턴 상부의 표면 거칠기를 감소시켜 전극의 전기적 특성을 안정화시킬 수 있다.After the heat treatment of the mesh pattern, the heat treated mesh pattern can be pressed. Pressing the heat-treated mesh pattern is intended to improve the electrical properties of the electrode by reducing pores formed in the mesh pattern during the heat treatment process. By pressurizing the mesh pattern, the pores can be removed, and the inter-particle packing density can be increased to increase the inter-particle connectivity. As the inter-particle connectivity increases, the electrical properties (electrical conductivity) of the electrodes increase. In addition, by pressing the mesh pattern, the surface roughness of the upper portion of the mesh pattern can be reduced, and the electrical characteristics of the electrode can be stabilized.

메쉬 패턴을 가압할 때 0초 초과 10초 이하의 시간 동안 가압할 수 있다. 또한, 열처리된 메쉬 패턴은 0.1MPa 이상 20MPa 이하의 압력으로 가압할 수 있다. When pressurizing the mesh pattern, it is possible to pressurize for more than 0 seconds and less than 10 seconds. Further, the heat-treated mesh pattern can be pressurized to a pressure of 0.1 MPa or more and 20 MPa or less.

이하에서는 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 다양한 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, various embodiments of the touch screen panel according to the present invention will be described in detail.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널은 기판과, 기판 상에 형성된 전극을 포함할 수 있다. A touch screen panel according to an embodiment of the present invention may include a substrate and electrodes formed on the substrate.

기판은 경성기판 또는 연성기판을 사용할 수 있으며, 재질로는 유리, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리에테르, 폴리에테르이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 아크릴 수지, 내열성 에폭시(Epoxy), 초산비닐수지(EVA), 부틸 고무수지, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 실리콘, 페라이트, 세라믹 및 FR-4 중에서 선택되는 어느 하나의 재료로서 구성될 수 있다. 바람직하게는 유리, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 내열성 에폭시, FR-4 중에서 선택될 수 있다.The substrate may be a hard substrate or a flexible substrate. Examples of the substrate include glass, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyether, polyetherimide, polyethylene naphthalate, acrylic resin, epoxy resin, May be composed of any one material selected from among vinyl acetate resin (EVA), butyl rubber resin, polyarylate, polyimide, silicone, ferrite, ceramic and FR-4. Preferably, it can be selected from glass, polyimide, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, heat-resistant epoxy, FR-4.

기판은 투명한 필름형태로 형성될 수 있다. 이 투명 기판 상에 전극이 형성된다. The substrate may be formed in the form of a transparent film. An electrode is formed on this transparent substrate.

전극은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널용 전극 형성방법에 의해 제조될 수 있다. 전극에 대한 설명은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널용 전극 형성방법에서 한 설명으로 대체한다. The electrode can be manufactured by the method for forming an electrode for a touch screen panel according to an embodiment of the present invention described above. The description of the electrode is replaced with an explanation of the electrode forming method for a touch screen panel according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 제조방법에 따라 제조될 수 있다. 따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널에 대한 설명은 앞의 설명으로 대체한다.The touch screen panel according to an embodiment of the present invention can be manufactured according to the method of manufacturing a touch screen according to the embodiment of the present invention described above. Therefore, the description of the touch screen panel according to an embodiment of the present invention is replaced with the above description.

이하에서는 본 발명에 따른 디스플레이 패널의 다양한 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, various embodiments of the display panel according to the present invention will be described in detail.

본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널은 하부 기판과 하부 기판에 대향 합착된 상부기판을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널은 터치스크린 패널을 더 포함할 수 있다. The display panel according to an exemplary embodiment of the present invention may include a lower substrate and an upper substrate that are bonded to the lower substrate. The display panel according to an embodiment of the present invention may further include a touch screen panel.

이와 같이 디스플레이 패널 내부에 터치스크린 패널이 포함된 것을 내장형(Embedded type)이라 한다.Such a display panel including a touch screen panel is referred to as an embedded type.

본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널에 따르면, 터치스크린 패널이 상부 기판에 결합될 수 있다.According to the display panel according to an embodiment of the present invention, the touch screen panel can be coupled to the upper substrate.

이와 같이 터치스크린 패널이 디스플레이 패널에 내장되어 있지만, 상부 기판과 하부 기판의 외부에 부착된 것을 온-셀(on-cell) 타입이라 한다.Although the touch screen panel is built in the display panel, the one attached to the outside of the upper and lower substrates is called an on-cell type.

본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 패널은 하부 기판과 하부 기판에 대향 합착된 상부기판을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널은 터치스크린 패널을 더 포함할 수 있다. 터치스크린 패널은 상부 기판과 하부 기판 사이에 위치할 수 있다.A display panel according to another embodiment of the present invention may include a lower substrate and an upper substrate which are adhered to the lower substrate. The display panel according to an embodiment of the present invention may further include a touch screen panel. The touch screen panel may be positioned between the upper substrate and the lower substrate.

이때 터치스크린 패널은 상부 기판과 하부 기판 사이에 위치하는 액정층과 같은 셀층과 일체로 형성될 수 있다. At this time, the touch screen panel may be formed integrally with a cell layer such as a liquid crystal layer located between the upper substrate and the lower substrate.

이와 같이 터치스크린 패널이 디스플레이 패널에 내장되어 있으며, 상부 기판과 하부 기판 사이에 위치하는 것을 인-셀(in-cell)타입이라 한다. In this manner, the touch screen panel is built in the display panel, and the one located between the upper substrate and the lower substrate is called an in-cell type.

터치스크린 패널 내지 셀층은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 따라 제조될 수 있다.The touch screen panel or cell layer may be manufactured according to the method of manufacturing a touch screen panel according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 다양한 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, various embodiments of the display device according to the present invention will be described in detail.

본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 디스플레이 패널을 포함할 수 있다. 디스플레이 패널은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널 및 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 패널이 사용될 수 있다. 즉, 디스플레이 패널은 온-셀 타입 또는 인-셀 타입일 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention may include a display panel. The display panel may be a display panel according to one embodiment of the present invention as described above and a display panel according to another embodiment of the present invention. That is, the display panel may be an on-cell type or an in-cell type.

본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치는 터치스크린 패널과, 터치스크린 패널에 결합된 디스플레이 패널을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치에 따르면, 터치스크린 패널의 디스플레이 패널의 외부에 부착된다. A display device according to another embodiment of the present invention may include a touch screen panel and a display panel coupled to the touch screen panel. According to a display device according to another embodiment of the present invention, it is attached to the exterior of a display panel of a touch screen panel.

이와 같이 디스플레이 패널 외부에 터치스크린 패널이 부착된 것을 외장형(Add-on type)이라 한다. The touch screen panel attached to the outside of the display panel is called an add-on type.

이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the appended claims. It will be understood that the present invention can be changed.

Claims (20)

터치스크린 패널용 전극 형성방법에 있어서,
도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 형성된 상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계; 및
열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계를 포함하되,
상기 도전성 페이스트는,
분말 형태의 은(Ag)과 분말 형태의 금속합금을 포함하고,
상기 금속합금은 녹는점이 50℃ 이상 250℃ 이하이며, 비스무트(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군으로부터 하나 또는 그 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.
A method of forming an electrode for a touch screen panel,
Forming a mesh pattern on the substrate using a conductive paste;
Heat treating the mesh pattern formed on the substrate; And
Pressing the heat-treated mesh pattern,
In the conductive paste,
(Ag) in powder form and a metal alloy in powder form,
The metal alloy has a melting point of not less than 50 ° C. and not more than 250 ° C. and is made of bismuth (Bi), tin (Sn), zinc (Zn), lead (Pb), indium (In), gallium Wherein at least one of the electrodes is selected from the group consisting of the electrodes.
제1항에 있어서,
열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,
상기 열처리된 메쉬 패턴을 0초 초과 10초 이하의 시간 동안 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.
The method according to claim 1,
The step of pressurizing the heat-treated mesh pattern comprises:
Wherein the heat-treated mesh pattern is pressurized for a period of time greater than 0 seconds and less than 10 seconds.
제1항에 있어서,
열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,
상기 열처리된 메쉬 패턴을 0.1MPa 이상 20MPa 이하의 압력으로 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.
The method according to claim 1,
The step of pressurizing the heat-treated mesh pattern comprises:
Wherein the heat-treated mesh pattern is pressed at a pressure of 0.1 MPa or more and 20 MPa or less.
제1항에 있어서,
열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,
상기 메쉬 패턴을 상기 기판의 윗면과 수직한 축을 따라 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.
The method according to claim 1,
The step of pressurizing the heat-treated mesh pattern comprises:
And pressing the mesh pattern along an axis perpendicular to the upper surface of the substrate.
제1항에 있어서,
상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계는,
열처리 온도가 50℃ 이상 250℃ 이하인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.
The method according to claim 1,
The step of heat-treating the mesh pattern may include:
And the heat treatment temperature is not less than 50 ° C and not more than 250 ° C.
제1항에 있어서,
상기 도전성 페이스트는 은(Ag)과 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive paste comprises at least one of silver (Ag) and copper (Cu).
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 금속합금은 비스무트(Bi)와 주석(Sn) 합금인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the metal alloy is a bismuth (Bi) alloy and a tin (Sn) alloy.
제1항에 있어서,
상기 금속합금은 58wt%의 비스무트(Bi)와 42wt%의 주석(Sn)을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the metal alloy comprises 58 wt% of bismuth (Bi) and 42 wt% of tin (Sn).
제10항에 있어서,
상기 금속합금은 도전성 페이스트 100 중량부에 대하여 0 중량부 초과 50 중량부 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the metal alloy is contained in an amount of 0 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the conductive paste.
도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 형성된 상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계; 및
열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계를 포함하되,
상기 도전성 페이스트는,
분말 형태의 은(Ag)과 분말 형태의 금속합금을 포함하고,
상기 금속합금은 녹는점이 50℃ 이상 250℃ 이하이며, 비스무트(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군으로부터 하나 또는 그 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법.
Forming a mesh pattern on the substrate using a conductive paste;
Heat treating the mesh pattern formed on the substrate; And
Pressing the heat-treated mesh pattern,
In the conductive paste,
(Ag) in powder form and a metal alloy in powder form,
The metal alloy has a melting point of not less than 50 ° C. and not more than 250 ° C. and is made of bismuth (Bi), tin (Sn), zinc (Zn), lead (Pb), indium (In), gallium One or more selected from the group consisting of:
제12항에 있어서,
열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,
상기 열처리된 메쉬 패턴을 0초 초과 10초 이하의 시간 동안 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법.
13. The method of claim 12,
The step of pressurizing the heat-treated mesh pattern comprises:
Wherein the heat-treated mesh pattern is pressurized for a period of time greater than 0 seconds and less than 10 seconds.
제12항에 있어서,
열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,
상기 열처리된 메쉬 패턴을 0.1MPa 이상 20MPa 이하의 압력으로 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법.
13. The method of claim 12,
The step of pressurizing the heat-treated mesh pattern comprises:
Wherein the heat-treated mesh pattern is pressed at a pressure of 0.1 MPa or more and 20 MPa or less.
제12항에 있어서,
상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계는,
열처리 온도가 50℃ 이상 250℃ 이하인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법.
13. The method of claim 12,
The step of heat-treating the mesh pattern may include:
Wherein the heat treatment temperature is not less than 50 ° C and not more than 250 ° C.
제12항에 있어서,
상기 도전성 페이스트는 은(Ag)과 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the conductive paste comprises at least one of silver (Ag) and copper (Cu).
제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 따라 제조된 터치스크린 패널.A touch screen panel manufactured according to any one of claims 12 to 16. 제17항에 따른 터치스크린 패널;
상기 터치스크린 패널에 결합된 디스플레이 패널을 포함하는 디스플레이 장치.
A touch screen panel according to claim 17;
And a display panel coupled to the touch screen panel.
제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 따라 제조된 터치스크린 패널을 포함하는 디스플레이 패널.A display panel comprising a touch screen panel manufactured according to the method of any one of claims 12 to 16. 제19항에 따른 디스플레이 패널을 포함하는 디스플레이 장치.A display device comprising a display panel according to claim 19.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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