KR101618262B1 - Mnz 메타 물질을 이용한 공진기 - Google Patents

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박정근
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광운대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명에 의한 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기가 개시된다. 본 발명에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기는 기판; 상기 기판 상에 사각형 형상을 갖는 헤어핀 공진기의 구조와 그 헤어핀 공진기의 양단에 인터디지털 커패시터의 구조를 결합하여 형성되는 제1 공진 패턴부; 및 상기 제1 공진 패턴부를 구성하는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 사이에 형성되는 공간 내에 배치되는 미엔더 라인 구조의 제2 공진 패턴부를 포함한다.

Description

MNZ 메타 물질을 이용한 공진기{RESONATOR USING MNZ METAMATERIAL}
본 발명은 공진기에 관한 것으로서, 특히, MNZ 메타 물질을 이용한 공진기에 관한 것이다.
오늘날 차량의 수가 급격하게 증가하면서 운전자를 위한 서비스용 이동통신 기술뿐만 아니라 안전을 위한 단속 시스템에 대한 기술이 발전하고 있다.
예컨대, 과속 차량을 단속하기 위한 X-밴드(band)에 해당하는 10 GHz의 주파수를 가진 스피드 건(speed gun)은 내부에 구성된 공진기의 높은 주파수 선택도(Quality Factor)와 집적화를 위한 평면구조, 그리고 작은 크기가 요구 되고 있다.
이러한 평면구조의 공진기는 Q 값이 상대적으로 낮은데 그 크기를 줄이게 되면 주파수가 변하기 때문에 이러한 문제를 해결하기 위해 다양한 연구가 진행 중에 있다.
따라서 이러한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 헤어핀 공진기의 구조에 인터디지털 커패시터, 미엔더 라인을 결합하되, 헤어핀 공진기의 양단에 인터디지털 커패시터를 결합하고 그 결합한 헤이핀 공진기와 인터디지털 커패시터 사이에 형성된 공간에 미엔더 라인을 배치하도록 한 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기를 제공하는데 있다.
그러나 본 발명의 목적은 상기에 언급된 사항으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 한 관점에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기는 기판; 상기 기판 상에 사각형 형상을 갖는 헤어핀 공진기의 구조와 그 헤어핀 공진기의 양단에 인터디지털 커패시터의 구조를 결합하여 형성되는 제1 공진 패턴부; 및 상기 제1 공진 패턴부를 구성하는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 사이에 형성되는 공간 내에 배치되는 미엔더 라인 구조의 제2 공진 패턴부를 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 제1 공진 패턴부는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 조절하여 공진 주파수가 조절되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제1 공진 패턴부는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 줄이게 되면 상기 공진 주파수의 값은 낮아지게 되고 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 높이게 되면 상기 공진 주파수는 높이지게 되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 공진 주파수는 공진기의 등가 회로에서 인덕턴스 L0와 커패시턴스 C0에 의해 결정되되, 여기서, 상기 인덕턴스 L0는 상기 헤어핀 공진기의 전체 길이에 상응하는 인덕턴스를 나타내고, 상기 커패시턴스 C0는 상기 인터디지털 커패시터에 상응하는 전체 커패시턴스를 나타내는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제2 공진 패턴부는 폭에 따라 대역 차단 특성이 조절되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제1 공진 패턴부는 상기 제1 공진 패턴부 내 상기 헤어핀 공진기의 수평 방향의 폭과 수직 방향의 폭에 따라 Q 값이 조절되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 한 관점에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기는 기판; 상기 기판 상에 사각형 형상을 갖는 헤어핀 공진기의 구조와 그 헤어핀 공진기의 양단에 인터디지털 커패시터의 구조를 결합하여 형성되는 제1 공진 패턴부; 상기 제1 공진 패턴부를 구성하는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 사이에 형성되는 공간 내에 배치되는 미엔더 라인 구조의 제2 공진 패턴부; 및 상기 기판에 기 설정된 거리만큼 이격되어 신호 및 전력을 전송하는 전력 라인을 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 제1 공진 패턴부는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 조절하여 공진 주파수가 조절되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제1 공진 패턴부는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 줄이게 되면 상기 공진 주파수의 값은 낮아지게 되고 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 높이게 되면 상기 공진 주파수는 높이지게 되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 공진 주파수는 공진기의 등가 회로에서 인덕턴스 L0와 커패시턴스 C0에 의해 결정되되, 여기서, 상기 인덕턴스 L0는 상기 헤어핀 공진기의 전체 길이에 상응하는 인덕턴스를 나타내고, 상기 커패시턴스 C0는 상기 인터디지털 커패시터에 상응하는 전체 커패시턴스를 나타내는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제2 공진 패턴부는 폭에 따라 대역 차단 특성이 조절되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제1 공진 패턴부 상기 제1 공진 패턴부 내 상기 헤어핀 공진기의 수평 방향의 폭과 수직 방향의 폭에 따라 Q 값이 조절되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 기판과 상기 전송 라인 사이에 형성되는 기 설정된 거리에 따라 공진기의 Q와 삽입 손실이 조절되는 것을 특징으로 한다.
이를 통해, 본 발명은 헤어핀 공진기의 구조에 인터디지털 커패시터, 미엔더 라인을 결합하되, 헤어핀 공진기의 양단에 인터디지털 커패시터를 결합하고 그 결합한 헤이핀 공진기와 인터디지털 커패시터 사이에 형성된 공간에 미엔더 라인을 배치하도록 함으로써, 집적화가 용이하고 Q 값이 높으며 크기를 자유롭게 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 헤어핀 공진기와 미엔더 라인 사이에서 높은 Q를 유도하는 강한 커플링 효과로 인해 예리한 대역 차단 특성을 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 MNZ 메타 물질을 이용하여 제로(0) 값에 근접한 고유 투과율의 크기 때문에 대역 저지 공진과 양의 위상 응답(+90°)을 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기의 등가회로를 나타내는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기의 종류를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기의 위상 응답을 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 도 5b는 0 값의 고유 투과율에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 공진기의 신호 파형에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 공진 주파수의 변화에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 공진기의 시뮬레이션과 측정 결과를 나타내는 도면이다.
이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명에 따른 동작 및 작용을 이해하는 데 필요한 부분을 중심으로 상세히 설명한다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 동일한 명칭의 구성 요소에 대하여 도면에 따라 다른 참조부호를 부여할 수도 있으며, 서로 다른 도면임에도 불구하고 동일한 참조부호를 부여할 수도 있다. 그러나, 이와 같은 경우라 하더라도 해당 구성 요소가 실시예에 따라 서로 다른 기능을 갖는다는 것을 의미하거나, 서로 다른 실시예에서 동일한 기능을 갖는다는 것을 의미하는 것은 아니며, 각각의 구성 요소의 기능은 해당 실시예에서의 각각의 구성 요소에 대한 설명에 기초하여 판단하여야 할 것이다.
본 발명에서는 헤어핀 공진기(hair-pin resonator)의 구조에 인터디지털 커패시터(interdigital capacity), 미엔더 라인(meander line)을 결합하되, 헤어핀 공진기의 양단에 인터디지털 커패시터를 결합하고 그 결합한 헤이핀 공진기와 인터디지털 커패시터 사이에 형성된 공간에 미엔더 라인을 배치하도록 한 공진기를 제안한다.
특히, 본 발명은 평면 구조에서 집적화가 용이하고 Q 값이 높으며 크기를 자유롭게 조절할 수 있도록 고유 투자율의 크기를 0 값에 접근하도록 하는 MNZ(Mu Near Zero) 메타 물질을 이용한 공진기를 제안한다.
여기서 메타 물질이라 함은 자연계에서 자연적으로 존재하는 일반 물질에서는 쉽게 볼 수 없는 전자기적 특성을 지닌 인공적인 구조물을 의미하는 것으로, 이러한 메타 물질의 특성은 물질 조성에서 얻어지기 보다는 공진기와 같은 구조적 요소에서 얻어지므로 메타 구조라고도 부를 수 있다. 즉, 본 발명에 있어서 메타 물질은 공진기의 구조, 위상의 굴절, 등기회로의 형태를 변경하면서 특성을 얻는다.
본 발명에 따른 공진기는 저위상 잡음 발진기(oscillator), 전압제어발진기(voltage controlled oscillator), 주파수 혼합기(mixer)를 위한 대역 통과 여파기, 듀플렉서(duplexer), 다이플렉서(diplexer), 안테나, 위상루프고정기(PLL), 주파수 합성기, 및 RF 시스템을 위한 증폭기 등에 적용이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기를 나타내는 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기는 기판(110), 제1 공진 패턴부(120), 및 제2 공진 패턴부(130)를 포함할 수 있다.
기판(110)은 소정의 유전율을 갖는 유전체 기판을 사용할 수 있다. 이러한 기판(110)은 예컨대, 테프론(Teflon) 기판, 글라스 에폭시 기판(FR-4) 등 전도성이 매우 낮은 즉, 절연체에 가까운 전기적인 특성을 만족하는 기판일 수 있다.
제1 공진 패턴부(120)는 사각형 형상을 갖는 헤어핀 공진기를 형성하는 제1 패턴과 헤어핀 공진기의 양단에 결합되는 인터디지털 커패시터를 형성하는 제2 패턴으로 이루어질 수 있다.
이때, 제2 패턴은 제1 패턴의 양단에 의해 형성된 갭(gap)에 결합될 수 있다.
제2 공진 패턴부(130)는 제1 공진 패턴부(120)에 형성된 공간 내에 형성될 수 있다.
이때, 제1 공진 패턴부(120)와 제2 공진 패턴부(130)는 금속도체패턴으로 형성될 수 있는데, 여기서 금속도체패턴은 인덕터의 역할을 하고 갭은 커패시터의 역할을 함으로써, 공진기에 입사되는 전자기적 신호의 공진을 유도할 수 있다.
여기서, l1, l2, l3은 헤어핀 공진기의 수평 방향 또는 수직 방향의 길이를 나타내고, l4는 인터디지털 커패시터의 길이를 나타내며, l5는 미엔더 선로의 길이를 나타낸다. w1, w2는 헤어핀 공진기의 폭을 나타내고, w3는 미엔더 선로의 폭을 나타내며, w4는 인터디지털 커패시터의 폭을 나타낸다. g1, g2는 인터디지털 커패시터의 커플링(coupling) 갭을 나타내고, ga, gb는 헤어핀 공진기와 미엔더 선로 사이의 갭을 나타낸다.
이때, l1, l2는 공진기의 크기를 조절할 수 있고, l4는 주파수를 낮을 수 있으며, w1, w2는 Q 값을 높여줄 수 있으며, w3은 대역 차단 특성을 조절할 수 있으며, g1, g2는 주파수를 높일 수 있고, ga, gb 는 삽입 손실을 낮출 수 있는 역할을 한다.
도 2는 도 1에 도시된 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기의 등가회로를 나타내는 도면이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기의 등가회로를 보여주고 있다. 여기서 L0는 헤어핀 공진기의 전체 길이에 상응하는 인덕턴스를 나타내고, L1은 미엔더 선로의 전체 길이에 상응하는 인덕턴스를 나타낸다. C0는 인터디지털 커패시터에 상응하는 전체 커패시턴스를 나타내고, Cc는 미엔더 선로의 전체 길이에 상응하는 커패시턴스를 나타내며, Ca, Cb는 헤어핀 공진기와 미엔더 선로 사이의 갭에 상응하는 커패시턴스를 나타낸다.
이때, 인덕턴스 L0와 커패시턴스 C0는 공진기의 등가회로에서 공진 주파수를 결정할 수 있는데, 이러한 공진 주파수 w0는 다음의 [수학식 1]과 같이 나타낸다.
[수학식 1]
Figure 112014083000268-pat00001
여기서, r0는 헤어핀 공진기의 평균 반경(average radius)을 나타낸다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기의 종류를 나타내는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 본 발명에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기의 종류를 보여주는데, 도 3a의 커패시티브 결합(capacitive coupling), 도 3b의 직접 급전(direct feeding), 도 3c의 인덕티브 결합(inductive coupling)으로 구분된다.
여기서, Z0는 특성 임피던스(characteristic impedance)를 나타낸다.
도 3a에서 s는 공진기의 신호 및 전력을 전송 라인에 보내주기 위한 결합 역할을 하는 영역이기도 하지만, Q와 삽입 손실을 2차 보정하는 역할을 할 수 있다. 이러한 용량 결합 구조를 나타내는 s가 작아지면 Q와 삽입 손실 특성이 더욱 향상될 수 있다.
도 3c에서 lm은 공진기와 전송 라인 사이를 연결하기 위한 라인을 나타낸다. 등가 회로에서 Lm은 유도 결합 구조를 나타내는 lm에 상응하는 인덕턴스이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 공진기의 위상 응답을 나타내는 도면이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기는 양의 위상 응답 +90°을 갖는 반면, 종래의 공진기는 음의 위상 응답 -90°를 갖는다.
도 5a 내지 도 5b는 0 값의 고유 투과율에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 5a를 참조하면, 본 발명에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기의 위상 응답으로, 공진 주파수의 양의 위상 응답(+90°)에 대한 시뮬레이션 결과를 보여주고 있다.
도 5b를 참조하면, 본 발명에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기의 음의 고유 투과율의 실수부(real)와 허수부(imaginary)에 대한 시뮬레이션 결과를 보여주고 있다.
여기서, wp는 마그네틱 플라즈마 주파수를 나타내고 wo는 공진 주파수를 나타낸다.
이러한 마그네틱 플라즈마 주파수는 음의 값부터 0까지의 고유 투과율의 지점을 나타낸다. 따라서 (wp- wo)의 주파수 범위는 고유 투과율 영역의 0 값이 된다.
이는 주파수 도메인의 고유 투과율이 0이 되기 때문에 네거티브 반사 현상을 갖는 것을 의미한다. 그래서, 주파수 범위는 0차 공진 또는 MNZ로 불려진다.
도 6은 본 발명에 따른 공진기의 신호 파형에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 메타 물질을 이용한 공진기의 신호 파형을 보여주는데, 종래의 전송 이론에서의 신호의 방향과 비교하면 신호가 반대 방향인 것을 알 수 있다.
따라서, 공진 주파수는 공진기의 사이즈가 감소할수록 더 낮은 값을 갖는다.
도 7은 본 발명에 따른 공진 주파수의 변화에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기의 갭 g1의 역할로서 공진 주파수의 변화에 대한 시뮬레이션 결과를 보여주고 있다.
아래의 [표 1]은 0.01m 값으로 증가하는 g1의 변화를 갖는 공진 주파수의 변화를 나타낸다.
[표 1]
Figure 112014083000268-pat00002
결과적으로, 공진기와 인터디지털 커패시터 간의 갭 g1의 넓이를 줄이게 되면 주파수 값은 낮아지게 되고 갭의 넓이를 높이게 되면 주파수는 높이지게 된다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 공진기의 시뮬레이션과 측정 결과를 나타내는 도면이다.
도 8에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기의 시뮬레이션과 측정 결과를 보여주는데, 중심 주파수(center frequency)에서 시뮬레이션 결과로 부하 Q 지수 QL 384와 측정 결과로 QL 167을 얻는다.
다음의 [표 2]는 제안된 공진기와 종래의 공진기의 크기와 QL의 비교 결과를 나타낸다.
[표 2]
Figure 112014083000268-pat00003
이를 통해, 공진기와 인터디지털 커패시터 구조 간의 최적화된 커플링 갭은 높은 QL을 유도하는 매우 강한 전자기적 커플링을 갖는다는 것을 알 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기는 상기 [표 2]에서 언급한 다른 공진기들과 비교하면 높은 QL과 더 작은 크기를 갖는 것을 알 수 있다.
이상에서 설명한 실시예들은 그 일 예로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 기판
120: 제1 공진 패턴부
130: 제2 공진 패턴부

Claims (13)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 사각형 형상을 갖는 헤어핀 공진기의 구조와 그 헤어핀 공진기의 양단에 인터디지털 커패시터의 구조를 결합하여 형성되는 제1 공진 패턴부; 및
    상기 제1 공진 패턴부를 구성하는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 사이에 형성되는 공간 내에 배치되는 미엔더 라인 구조의 제2 공진 패턴부;
    를 포함하되, 상기 제1 공진 패턴부는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 조절하여 공진 주파수가 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 공진 패턴부는,
    상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 줄이게 되면 상기 공진 주파수의 값은 낮아지게 되고
    상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 높이게 되면 상기 공진 주파수는 높이지게 되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 공진 주파수는,
    공진기의 등가 회로에서 인덕턴스 L0와 커패시턴스 C0에 의해 결정되되, 여기서, 상기 인덕턴스 L0는 상기 헤어핀 공진기의 전체 길이에 상응하는 인덕턴스를 나타내고, 상기 커패시턴스 C0는 상기 인터디지털 커패시터에 상응하는 전체 커패시턴스를 나타내는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 공진 패턴부는,
    폭에 따라 대역 차단 특성이 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 공진 패턴부는
    상기 제1 공진 패턴부 내 상기 헤어핀 공진기의 수평 방향의 폭과 수직 방향의 폭에 따라 Q 값이 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기.
  7. 기판;
    상기 기판 상에 사각형 형상을 갖는 헤어핀 공진기의 구조와 그 헤어핀 공진기의 양단에 인터디지털 커패시터의 구조를 결합하여 형성되는 제1 공진 패턴부;
    상기 제1 공진 패턴부를 구성하는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 사이에 형성되는 공간 내에 배치되는 미엔더 라인 구조의 제2 공진 패턴부; 및
    상기 기판에 이격되어 신호 및 전력을 전송하는 전력 라인;
    을 포함하되, 상기 제1 공진 패턴부는 상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 조절하여 공진 주파수가 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기.
  8. 삭제
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 공진 패턴부는,
    상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 줄이게 되면 상기 공진 주파수의 값은 낮아지게 되고
    상기 헤어핀 공진기와 상기 인터디지털 커패시터 간의 갭의 넓이를 높이게 되면 상기 공진 주파수는 높이지게 되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 공진 주파수는,
    공진기의 등가 회로에서 인덕턴스 L0와 커패시턴스 C0에 의해 결정되되, 여기서, 상기 인덕턴스 L0는 상기 헤어핀 공진기의 전체 길이에 상응하는 인덕턴스를 나타내고, 상기 커패시턴스 C0는 상기 인터디지털 커패시터에 상응하는 전체 커패시턴스를 나타내는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 제2 공진 패턴부는,
    폭에 따라 대역 차단 특성이 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기.
  12. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 공진 패턴부는
    상기 제1 공진 패턴부 내 상기 헤어핀 공진기의 수평 방향의 폭과 수직 방향의 폭에 따라 Q 값이 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기.
  13. 제7 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 전송 라인 사이의 거리에 따라 공진기의 Q와 삽입 손실이 조절되는 것을 특징으로 하는 MNZ 메타 물질을 이용한 공진기.
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