KR101614019B1 - Phosphor comprising zinc silicate-based nanoparticles and its preparation method - Google Patents

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Abstract

본 발명의 형광체는, Zn2SiO4:xTb3 +,yYb3 + (여기서, 상기 x는 0.01 ≤ x ≤ 0.1 인 실수이고, 상기 y는 0.01 ≤ y ≤ 0.3 인 실수이다.)와 같이 표시되는 것으로, Tb3+ 및 Yb3 +가 도핑되고, 크기가 20 내지 500 nm인 규산아연계 나노입자를 포함한다. 이러한 형광체를 제조하는 방법은, (a) 전구체용액을 준비하는 단계; (b) 침전제를 첨가하여 침전액을 형성하는 단계; (c) 수열처리 하는 단계; 및 (d) 소성처리 하여 규산아연계 나노입자를 제조하는 단계;를 포함한다. 이렇게 제조된 상기 형광체는 하향변환 특성을 갖고, 여기될 수 있는 파장의 범위가 넓으며, 이에 태양전지, 자외선 차단 및 변환제, 위조 및 변조 방지 소재 등의 다양한 분야로 적용할 수 있다.The phosphor of the present invention is represented by Zn 2 SiO 4 : xTb 3 + , yYb 3 + (where x is a real number of 0.01? X? 0.1 and y is a real number of 0.01? Y? 0.3) that, Tb 3+, and Yb + 3 is doped, and a linkage of the nanoparticles Oh silicate size of 20 to 500 nm. A method for producing such a phosphor includes the steps of: (a) preparing a precursor solution; (b) adding a precipitant to form a precipitate; (c) a hydrothermal treatment step; And (d) baking the nanoparticles to produce silicic acid-based nanoparticles. The phosphor prepared as described above has down conversion characteristics and has a wide range of wavelengths that can be excited, and thus can be applied to various fields such as solar cells, ultraviolet blocking and converting agents, and materials for preventing forgery and alteration.

Description

규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체 및 이의 제조방법{PHOSPHOR COMPRISING ZINC SILICATE-BASED NANOPARTICLES AND ITS PREPARATION METHOD}[0001] PHOSPHOR COMPRISING ZINC SILICATE-BASED NANOPARTICLES AND ITS PREPARATION METHOD [0002]

본 발명은 하향변환 (downconversion) 특성을 가진 규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a phosphor containing silicate-based nanoparticles having downconversion characteristics, and a method for producing the phosphor.

양자분리 (quantum cutting)란 에너지의 하향변환 (downconversion)을 통하여 높은 에너지를 갖는 1 개의 입사 광자 (photon)가 낮은 에너지를 갖는 2 개 이상의 광자로 분리되어 방출되는 현상을 말하는데, 양자분리 현상을 나타내는 발광물질은 100% 이상의 양자효율을 가지게 된다. Quantum cutting is a phenomenon in which a single incident photon with high energy is separated and emitted by two or more low-energy photons through downconversion of energy. The luminescent material has a quantum efficiency of 100% or more.

이러한 양자분리 현상을 나타내는 발광물질은 조명산업과 디스플레이 장치에 적용되어 매우 중요한 역할을 할 수 있다. 또한, 최근에는 태양전지의 효율을 극대화하기 위한 노력으로 결정성 실리콘 태양전지에 양자분리 형광체의 적용 가능성이 연구되어 왔다. The luminescent material exhibiting such a quantum separation phenomenon can be very importantly applied to the lighting industry and display devices. In addition, in recent years, the application of a quantum-separated phosphor to a crystalline silicon solar cell has been studied in an effort to maximize the efficiency of the solar cell.

결정성 실리콘 태양전지는 950 내지 1100 nm의 스펙트럼 영역에서 가장 효율적으로 작동하지만, 단파장의 태양광에 대해서는 매우 낮은 반응성을 보여준다. 따라서, 결정성 실리콘 태양전지에 높은 에너지를 갖는 자외선을 에너지 하향변환을 통하여 실리콘의 밴드갭 (E < 1.12 eV) 위에 위치한 1000 nm 근처의 근적외선 광으로 방출할 수 있는 양자분리 형광체를 적용한다면 실리콘 태양전지의 성능을 크게 향상 시킬 수 있다. Crystalline silicon solar cells operate most efficiently in the 950 to 1100 nm spectral range, but show very low reactivity for short wavelength sunlight. Therefore, if a quantum-separated fluorescent material capable of emitting ultraviolet light having a high energy to a crystalline silicon solar cell by near-infrared light near 1000 nm located on the bandgap of silicon (E <1.12 eV) through energy down conversion is applied, The performance of the battery can be greatly improved.

근적외선 양자분리는 여러 가지 Ln3+-Yb3+ (Ln = Tb, Tm, Pr, Er, Nd, Ho, Dy) 이온들이 도핑된 시스템에서 증명되어왔다. 문헌 [J. Appl. Phys., 2009, 105, 053521]에 기술된 바에 의하면, 졸겔법으로 제조된 Zn2SiO4:Tb3+, Yb3+ 박막 형광체가 실리콘 태양전지의 자외선 영역의 반응성을 증가시킬 수 있는 발광체로 제안되었는데, 상기 형광체를 350 내지 485 nm의 빛으로 여기 시켰을 때 900 내지 1100 nm 근처에서 강한 근적외선을 방출한다고 보고하고 있다. Near-infrared quantum separation has been demonstrated in systems doped with various Ln 3+ -Yb 3+ (Ln = Tb, Tm, Pr, Er, Nd, Ho, and Dy) ions. J. Appl. Phys., 2009, 105, 053521) disclose that Zn 2 SiO 4 : Tb 3+ and Yb 3+ thin film phosphors prepared by the sol-gel process can increase the reactivity of the ultraviolet region of a silicon solar cell It has been proposed that when the phosphor is excited with light of 350 to 485 nm, strong near infrared rays are emitted near 900 to 1100 nm.

하지만, 상기 졸겔법으로 제조된 Zn2SiO4:Tb3+,Yb3+ 박막 형광체는 주로 특정한 영역, 즉 485 nm 근처의 매우 좁은 영역에서만 여기가 이루어지고 350 내지 450 nm 영역의 자외선에서는 거의 반응하지 않는 단점이 있다. 이러한 낮은 여기 효율성 때문에 상기 형광체를 결정성 실리콘 태양전지에 적용하기에는 한계가 있다. However, the Zn 2 SiO 4 : Tb 3+ , Yb 3+ thin film phosphor prepared by the sol-gel method excites mainly only in a specific region, that is, in a very narrow region near 485 nm, and in the ultraviolet region of 350 to 450 nm, There is a disadvantage not to do. Due to such low excitation efficiency, there is a limit to applying the phosphor to a crystalline silicon solar cell.

따라서, 자외선과 가시광선을 포함하는 비교적 넓은 영역 (300 내지 500 nm)의 태양광을 하향변환하여 900 내지 1100 nm 근처의 광자를 방출할 수 있는 근적외선 양자분리 형광체를 제조하는 방법이 절실하게 요구되고 있다. Accordingly, there is a desperate need for a method for manufacturing a near-infrared ray quantum luminescent material capable of emitting a photon in the vicinity of 900 to 1100 nm by down-converting a relatively wide region (300 to 500 nm) of sunlight including ultraviolet rays and visible rays have.

X. Y. Huang and Q. Y. Zhang, ?fficient near-infrared down conversion in Zn2SiO4:Tb3+,Yb3+ thin-films, Journal of Applied Physics, 105, (2009), pp.053521-1 - 053521-4.X. Y. Huang and Q. Y. Zhang, "Near-infrared down conversion in Zn2SiO4: Tb3 +, Yb3 + thin-films, Journal of Applied Physics, 105, (2009), pp.053521-1 - 053521-4.

본 발명의 목적은 하향변환 특성을 갖는 규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체를 제조함에 있어서 수열처리를 이용하는 방법을 제공하고, 이에 흡수하는 빛의 파장의 범위가 넓은 형광체를 제공하여, 결정성 실리콘 태양전지의 효율을 향상시키고, 광컨버터, 위조 및 변조 방지 소재, 또는 자외선 차단제 등에 적용하기 위함이다.It is an object of the present invention to provide a method of using a hydrothermal treatment in the production of a phosphor containing silicate-based nanoparticles having down conversion characteristics and to provide a phosphor having a wide wavelength range of absorbed light, To improve the efficiency of solar cells and to apply them to optical converters, anti-counterfeiting and anti-tampering materials, or ultraviolet light blocking agents.

본 발명의 일 실시예에 따른 형광체는, 하기 화학식 1로 표시되고, Tb3 + 및 Yb3+가 도핑된 규산아연계 나노입자를 포함하고, 상기 규산아연계 나노입자는 그 크기가 20 내지 500 nm인 것이다.The phosphor according to an embodiment of the present invention includes zinc silicate nanoparticles represented by the following formula 1 and doped with Tb 3 + and Yb 3+ , and the zinc silicate nanoparticles have a size of 20 to 500 nm.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Zn2SiO4:xTb3 +,yYb3 + Zn 2 SiO 4 : xTb 3 + , yYb 3 +

상기 화학식 1에서, 상기 x는 0.01 ≤ x ≤ 0.1 인 실수이고, 상기 y는 0.01 ≤ y ≤ 0.3 인 실수이다.In the formula (1), x is a real number with 0.01? X? 0.1 and y is a real number with 0.01? Y? 0.3.

상기 규산아연계 나노입자는 하향변환(downconversion) 특성을 가질 수 있다.The silicic acid-based nanoparticles may have downconversion characteristics.

상기 규산아연계 나노입자는 파장의 범위가 300 내지 500 nm인 빛에 의해 여기 (excitation)될 수 있다.The silicic acid-based nanoparticles can be excited by light having a wavelength range of 300 to 500 nm.

상기 규산아연계 나노입자는 파장의 범위가 900 내지 1100 nm인 빛을 방출할 수 있다.The silicic acid-based nanoparticles may emit light having a wavelength in the range of 900 to 1100 nm.

본 발명의 다른 일 실시예에 따른 형광체의 제조방법은, (a) 아연(Zn) 전구체, 규소(Si) 전구체, 터븀(Tb) 전구체, 이터븀(Yb) 전구체 및 혼합용매를 포함하는 전구체용액을 준비하는 단계; (b) 상기 전구체용액에 침전제를 첨가하여 침전액을 형성하는 단계; (c) 상기 침전액을 100 내지 250℃의 온도에서 반응기에 봉인된 상태로 가열하는 수열처리를 수행하여 고체분말을 얻는 단계; 및 (d) 상기 고체분말을 소성처리 하여 규산아연계 나노입자를 제조하는 단계;를 포함하고, 상기 규산아연계 나노입자는 상기 화학식 1로 표시되고, Tb3 + 및 Yb3 +가 도핑된 것이며, 그 크기가 20 내지 500 nm인 것이다.A method of manufacturing a phosphor according to another embodiment of the present invention includes the steps of: (a) forming a precursor solution including a zinc (Zn) precursor, a silicon (Si) precursor, a terbium (Tb) precursor, a ytterbium (Yb) precursor, ; (b) adding a precipitant to the precursor solution to form a precipitate; (c) subjecting the precipitate to heat treatment in a sealed state in a reactor at a temperature of 100 to 250 ° C to obtain a solid powder; And (d) baking the solid powder to prepare zinc silicate nanoparticles, wherein the zinc silicate nanoparticles are represented by the above formula (1) and are doped with Tb 3 + and Yb 3 + , And the size thereof is 20 to 500 nm.

상기 아연 전구체는 아연 염화물, 아연 황화물, 아연 질산화물, 이들의 수화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있고, 상기 터븀 전구체는 터븀 염화물, 터븀 황화물, 터븀 질산화물, 이들의 수화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있으며, 상기 이터븀 전구체는 이터븀 염화물, 이터븀 황화물, 이터븀 질산화물, 이들의 수화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.The zinc precursor may be any one selected from the group consisting of zinc chloride, zinc sulfide, zinc oxide, hydrates thereof, and combinations thereof, and the terbium precursor may be at least one selected from the group consisting of a terbium chloride, a terbium sulfide, a terbium nitrate, And the ytterbium precursor may be any one selected from the group consisting of ytterbium chloride, ytterbium sulfide, ytterbium nitrate, hydrates thereof, and combinations thereof.

상기 규소 전구체는 분무 실리카 (fumed silica), 콜로이달 실리카, 유기규소 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.The silicon precursor may comprise any one selected from the group consisting of fumed silica, colloidal silica, organosilicon compounds, and combinations thereof.

상기 혼합용매는 물 및 알코올을 포함하고, 상기 알코올은 탄소수가 1 내지 3일 수 있다.The mixed solvent includes water and an alcohol, and the alcohol may have 1 to 3 carbon atoms.

아연 2몰 및 규소 1몰을 기준으로, 상기 터븀의 함량은 0.01 내지 0.1 몰일 수 있고, 상기 이터븀의 함량은 0.01 내지 0.3 몰일 수 있다.Based on 2 moles of zinc and 1 mole of silicon, the content of terbium may be 0.01 to 0.1 moles, and the content of ytterbium may be 0.01 to 0.3 moles.

상기 침전제는 암모니아수, 테트라알킬암모늄 하이드록사이드, 우레아, 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있고, 상기 테트라알킬암모늄의 알킬기는 탄소수가 1 내지 4일 수 있다.The precipitant may include any one selected from the group consisting of ammonia water, tetraalkylammonium hydroxide, urea, sodium hydroxide, potassium hydroxide, and combinations thereof. The alkyl group of the tetraalkylammonium may have 1 to 4 carbon atoms have.

상기 침전제는 상기 혼합용매 중량의 0.2 내지 2 배의 중량으로 첨가될 수 있다.The precipitant may be added at a weight of 0.2 to 2 times the weight of the mixed solvent.

상기 단계 (d)의 소성처리는 300 내지 1200℃의 온도로 가열하는 것일 수있고, 공기, 질소, 아르곤, 헬륨 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 기체를 포함하는 분위기에서 수행되는 것일 수 있다. The calcination treatment in the step (d) may be carried out at a temperature of 300 to 1200 ° C and may be carried out in an atmosphere containing any one gas selected from the group consisting of air, nitrogen, argon, helium and combinations thereof .

본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 결정성 실리콘 태양전지, 자외선 차단제, 광컨버터 및 위조 및 변조 방지 소재는 전술한 형광체를 포함한다.
The crystalline silicon solar cell, the ultraviolet ray blocking agent, the optical converter, and the anti-fake and anti-fake material according to another embodiment of the present invention include the above-described phosphor.

본 발명에서는 규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체 및 이의 제조방법을 제공하고자 하며, 이하에서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.The present invention provides a phosphor containing silicate-based nanoparticles and a method for producing the same, and the present invention will be described in more detail as follows.

본 발명의 규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체의 제조방법은, (a) 아연(Zn) 전구체, 규소(Si) 전구체, 터븀(Tb) 전구체, 이터븀(Yb) 전구체 및 혼합용매를 포함하는 전구체용액을 준비하는 단계; (b) 상기 전구체용액에 침전제를 첨가하여 침전액을 형성하는 단계; (c) 상기 침전액을 반응기에 봉인된 상태로 100 내지 250℃의 온도로 가열하는 수열처리 하여 고체분말을 얻는 단계; 그리고, (d) 상기 고체분말을 소성처리 하여 규산아연계 나노입자를 제조하는 단계;를 포함한다.The method for producing a phosphor containing silicate-based nanoparticles according to the present invention comprises the steps of: (a) preparing a phosphor comprising a zinc (Zn) precursor, a silicon (Si) precursor, a terbium (Tb) precursor, a ytterbium (Yb) precursor and a mixed solvent Preparing a precursor solution; (b) adding a precipitant to the precursor solution to form a precipitate; (c) hydrothermally treating the precipitated liquid in a sealed state in a reactor at a temperature of 100 to 250 ° C to obtain a solid powder; And (d) calcining the solid powder to prepare silicasulfide-based nanoparticles.

상기 규산아연계 나노입자는 하기 화학식 1로 표시되고, Tb3 + 및 Yb3 +가 도핑된 것이며, 그 크기가 20 내지 500 nm인 것이다.The silicic acid-based nanoparticles are represented by the following formula (1), doped with Tb 3 + and Yb 3 + , and have a size of 20 to 500 nm.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Zn2SiO4:xTb3 +,yYb3 + Zn 2 SiO 4 : xTb 3 + , yYb 3 +

상기 화학식 1에서, 상기 x는 0.01 ≤ x ≤ 0.1 인 실수이고, 상기 y는 0.01 ≤ y ≤ 0.3 인 실수이다.In the formula (1), x is a real number with 0.01? X? 0.1 and y is a real number with 0.01? Y? 0.3.

상기 단계 (a)는 각각의 원소들의 전구체를 혼합용매에 혼합한 후 충분한 교반을 통해 전구체가 거의 전부 용해된 전구체용액을 제조하는 단계일 수 있다.The step (a) may be a step of mixing a precursor of each element into a mixed solvent and then sufficiently stirring to prepare a precursor solution in which the precursor is almost completely dissolved.

최종적으로 생성되는 규산아연계 나노입자에서의 터븀과 이터븀의 함량은 매우 중요하므로, 상기 전구체용액을 제조함에 있어서 전구체의 함량을 조절하는 것은 상당히 중요할 수 있다.Since the content of the terbium and ytterbium in the finally produced silicic acid-based nanoparticles is very important, it may be important to control the precursor content in the preparation of the precursor solution.

상기 터븀의 함량은 아연 2몰 및 규소 1몰을 기준으로 0.01 내지 0.1 몰, 바람직하게는 0.02 내지 0.05 몰일 수 있다. 터븀의 함량이 0.01 몰 미만일 경우, 양이 너무 미미하여 의도하는 발광효과를 나타내지 못할 수 있고, 0.1 몰을 초과할 경우에는 농도 소광 효과로 인하여 발광강도가 낮아질 우려가 있다.The content of the terbium may be 0.01 to 0.1 mol, preferably 0.02 to 0.05 mol, based on 2 mol of zinc and 1 mol of silicon. When the content of the terbium is less than 0.01 mol, the amount is too small to exhibit the intended luminescent effect, and when it exceeds 0.1 mol, the emission intensity may be lowered due to the concentration quenching effect.

또한, 상기 이터븀의 함량은 아연 2몰 및 규소 1몰을 기준으로 0.01 내지 0.3 몰, 바람직하게는 0.05 내지 0.2 몰일 수 있다. 이터븀의 함량이 0.01 몰 미만일 경우, 낮은 함량으로 인해 발광강도가 낮아 발광효율이 저하될 우려가 있고, 0.3 몰을 초과할 경우에는, 초과량 첨가에 따른 발광강도의 향상이 없어 이터븀을 의미 없이 손실하는 결과를 초래할 수 있다.The ytterbium content may be 0.01 to 0.3 mol, preferably 0.05 to 0.2 mol, based on 2 mol of zinc and 1 mol of silicon. When the content of ytterbium is less than 0.01 mol, the emission efficiency may be lowered due to the low content of light due to the low content. If the ytterbium content is more than 0.3 mol, Can result in loss without.

상기 터븀 및 이터븀의 함량은 전술한 바와 같으며, 바람직한 경우로서 터븀과 이터븀의 몰비는 약 1:1 내지 1:5일 수 있다. The content of the terbium and ytterbium is as described above, and the molar ratio of the terbium to ytterbium may be about 1: 1 to 1: 5.

상기 아연 전구체는 아연 염화물, 아연 황화물, 아연 질산화물, 이들의 수화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있고, 예컨대, 염화아연(ZnCl2), 황화아연(ZnS), 질산아연(Zn(NO3)2), 염화아연 수화물, 황화아연 수화물, 질산아연 수화물 (여기서 수화물은 2, 4, 또는 6 수화물이다) 등이 적용될 수 있다.The zinc precursor may be any one selected from the group consisting of zinc chloride, zinc sulfide, zinc oxide, hydrates thereof, and combinations thereof. Examples of the zinc precursor include zinc chloride (ZnCl 2 ), zinc sulfide (ZnS) (NO 3 ) 2 ), zinc chloride hydrate, zinc sulfide hydrate, zinc nitrate hydrate (wherein the hydrate is 2, 4, or hexahydrate), and the like.

상기 터븀 전구체는 터븀 염화물, 터븀 황화물, 터븀 질산화물, 이들의 수화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있고, 예컨대, 염화터븀(TbCl3), 황화터븀(Tb2S3), 질산터븀(Tb(NO3)3), 염화터븀 수화물, 황화터븀 수화물, 질산터븀 수화물 (여기서 수화물은 2, 4, 또는 6 수화물이다) 등이 적용될 수 있다.The terbium precursor may be any one selected from the group consisting of a terbium chloride, a terbium sulfide, a terbium nitrate, a hydrate thereof and a combination thereof. Examples of the terbium precursor include terbium chloride (TbCl 3 ), terbium sulfide (Tb 2 S 3 ) terbium (Tb (NO 3) 3), terbium chloride hydrate, terbium sulfide hydrate, terbium nitrate hydrate (where baggage is 2, 4, or 6 hydrate) and the like can be applied.

상기 이터븀 전구체는 이터븀 염화물, 이터븀 황화물, 이터븀 질산화물, 이들의 수화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있고, 예컨대, 염화이터븀(YbCl3), 황화이터븀 (Yb2S3), 질산이터븀(Yb(NO3)3), 염화이터븀 수화물, 황화이터븀 수화물, 질산이터븀 수화물 (여기서 수화물은 2, 4, 또는 6 수화물이다) 등이 적용될 수 있다.The ytterbium precursor may be any one selected from the group consisting of ytterbium chloride, ytterbium sulphide, ytterbium nitrate, hydrates thereof, and combinations thereof. Examples of the ytterbium precursor include ytterbium chloride (YbCl 3 ), ytterbium 2 S 3 ), ytterbium nitrate (Yb (NO 3 ) 3 ), ytterbium chloride, ytterbium sulphide hydrate, ytterbium nitrate hydrate (wherein the hydrate is 2, 4, or 6 hydrate) and the like.

상기 규소 전구체는 예컨대, 분무 실리카 (fumed silica), 콜로이달 실리카, 유기규소 화합물 또는 이들의 혼합물 등이 적용될 수 있다.The silicon precursor may be, for example, fumed silica, colloidal silica, an organosilicon compound, or a mixture thereof.

다만, 전술한 아연 전구체, 터븀 전구체, 이터븀 전구체 및 규소 전구체는 예시를 한 것이며, 각각 아연, 터븀, 이터븀 및 규소를 제공할 수 있고, 터븀과 이터븀이 도핑된 규산아연계 나노입자를 생성할 수 있는 화합물이라면 상기 화합물들에 제한되지 않고 적용할 수 있다.However, the zinc precursor, the terbium precursor, the ytterbium precursor, and the silicon precursor described above are exemplified and can provide zinc, terbium, ytterbium, and silicon, respectively, It is not limited to these compounds and can be applied.

상기 혼합용매는 물 및 알코올을 포함할 수 있고, 상기 알코올은 탄소수가 1 내지 3인 것일 수 있다. 즉, 물에 메탄올, 에탄올 또는 프로판올을 혼합한 용매일 수 있고, 바람직하게는 물과 에탄올의 혼합용매일 수 있다. 또한, 상기 물은 증류수, 탈이온수 등 특별한 제한 없이 적용할 수 있으며, 혼합용매 역시 이에 한정되는 것은 아니고, 반응에 영향을 주지 않고, 전구체 물질들을 용해시킬 수 있는 용매라면 적용할 수 있다.The mixed solvent may include water and an alcohol, and the alcohol may have 1 to 3 carbon atoms. That is, water, methanol, ethanol or propanol may be mixed with water daily, preferably water and ethanol may be mixed daily. The water can be applied without particular limitation such as distilled water and deionized water. The mixed solvent is not limited thereto, and any solvent that can dissolve the precursor materials without affecting the reaction can be applied.

상기 단계 (b)는 준비된 전구체용액에 침전제를 서서히 첨가하면서, 약 2 내지 4 시간 동안 교반 하여 상기 전구체용액 내에서 침전액을 형성시키는 단계일 수 있다.The step (b) may be a step of slowly adding a precipitant to the prepared precursor solution and stirring for about 2 to 4 hours to form a precipitate in the precursor solution.

상기 침전제로는, 예컨대 암모니아수, 테트라알킬암모늄 하이드록사이드, 우레아, 수산화나트륨, 수산화칼륨 또는 이들의 혼합물 등이 적용될 수 있고, 상기 테트라알킬암모늄의 알킬기는 탄소수가 1 내지 4일 수 있지만, 바람직하게는 탄소수가 1인 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 또는 탄소수가 3인 테트라프로필암모늄 하이드록사이드가 적용될 수 있다.As the precipitating agent, for example, ammonia water, tetraalkylammonium hydroxide, urea, sodium hydroxide, potassium hydroxide or a mixture thereof may be applied, and the alkyl group of the tetraalkylammonium may have 1 to 4 carbon atoms, Tetramethylammonium hydroxide having a carbon number of 1 or tetrapropylammonium hydroxide having a carbon number of 3 may be applied.

상기 침전제는 상기 혼합용매의 중량에 따라 첨가량이 결정될 수 있고, 혼합용매 중량의 0.2 내지 2 배의 중량으로 첨가될 수 있다. 상기 침전제의 중량이 혼합용매 중량의 0.2 배 미만이면, 침전물의 양이 너무 적어 나노입자가 온전하게 형성되지 않을 수 있고, 2 배를 초과하더라도 그에 비례하여 침전물이 형성되는 것이 아니기 때문에, 침전제의 무의미한 과잉 사용일 수 있다.The amount of the precipitating agent to be added may be determined depending on the weight of the mixed solvent, and may be 0.2 to 2 times the weight of the mixed solvent. If the weight of the precipitant is less than 0.2 times the weight of the mixed solvent, the amount of the precipitate may be too small to form the nanoparticles intact, and even if the weight of the precipitant is more than 2 times the precipitant is not formed in proportion thereto, It can be over usage.

상기 단계 (c)는 상기 단계 (b)에서 침전제의 첨가에 따라 침전된 고체물질이 포함된 침전액을 소정의 반응기에 주입하고 밀봉한 후 가열 장치에서 가열되는 수열반응 하는 단계일 수 있고, 이 반응은 약 4 내지 72 시간 동안 수행될 수 있으며, 최종적으로는 수열처리 된 고체분말을 제조하는 것일 수 있다.The step (c) may be a hydrothermal reaction step in which the precipitating solution containing the precipitated solid material is injected into a predetermined reactor according to the addition of the precipitating agent in the step (b), sealed and heated in a heating device, The reaction may be carried out for about 4 to 72 hours, and finally, a hydrothermally treated solid powder may be produced.

상기 단계 (c)의 수열처리는 반응기에 봉인된 상태로 100 내지 250℃의 온도, 바람직하게 150 내지 200℃로 가열하는 것일 수 있다. 상기 가열 온도가 100℃ 미만인 경우에는 수열반응 속도가 과도하게 느리고, 수열처리로 얻을 수 있는 효과를 얻지 못할 수 있으며, 250℃를 초과하는 경우에는 자생압력이 과도하게 증가되어 안전상의 문제가 발생할 수 있다. The hydrothermal treatment of step (c) may be performed at a temperature of 100 to 250 ° C, preferably 150 to 200 ° C, while being sealed in the reactor. If the heating temperature is lower than 100 ° C, the hydrothermal reaction rate is excessively slow and the effect obtained by the hydrothermal treatment may not be obtained. If the heating temperature is higher than 250 ° C, the internal pressure is excessively increased, have.

상기 수열처리는 물을 용매로 하여, 반응기에 봉인하고 열처리하는 공정으로서, 반응기에 처리대상 물질이 봉인됨으로써 반응기 내에 자생압력이 발생할 수 있고, 이에 결과적으로 반응기 내에서 반응이 일어나는 처리대상 물질이 열과 압력에 의해 처리되는 것일 수 있기 때문에, 일반적으로 수행되는 열처리와는 다른 생성물이 형성될 수 있다.The hydrothermal treatment is a step of sealing and heat-treating the reactor using water as a solvent. As the material to be treated is sealed in the reactor, a self-generated pressure may be generated in the reactor. As a result, Since it may be processed by pressure, a product different from the heat treatment generally performed can be formed.

따라서, 상기와 같은 수열처리를 통해 형성되는 본 발명의 규산아연계 나노입자는 내부에 포함된 희토류 원소 주변 구조가, 졸겔법에 의한 경우와 국부적으로 상이할 수 있고, 이로써 졸겔법에 의해 제조된 규산아연계 물질과 구별되어, 본 발명의 규산아연계 나노입자가 여기 될 수 있는 파장이 특정한 어느 파장이 아니라, 광범위한 영역의 파장대일 수 있는 것이다.Therefore, the zinc silicate nanoparticles of the present invention formed through the hydrothermal treatment as described above may be locally different from the case of the sol-gel method by the surrounding structure of the rare earth element contained therein, The wavelength at which the silicate-based nanoparticles of the present invention can be excited is not a specific wavelength, but can be a broad range of wavelengths, as distinguished from silicic acid-based materials.

상기 수열반응은 고온 또는 고온/고압의 물이 존재하는 환경에서 이루어지는 반응으로서, 상기 반응기는 테플론 등의 강도가 큰 재질인 것이 바람직할 수 있고, 가열 장치는 전기 오븐이 바람직할 수 있다.The hydrothermal reaction is a reaction in an environment of high temperature or high temperature / high pressure water. The reactor may preferably be a material having a high strength such as Teflon, and an electric oven may be preferable as the heating apparatus.

상기 단계 (c)의 수열처리 이후에 제조된 고체분말은 수 회의 세척 및 건조가 수행될 수 있고, 상기 세척은 증류수로 이루어질 수 있고, 1 회만 수행하기 보다는 적어도 3 회 이상 수행하는 것이 불순물을 제거하는 데에 보다 효과적일 수 있으며, 상기 건조는 약 100 내지 130℃의 온도에서 이루어질 수 있다.The solid powder produced after the hydrothermal treatment in the step (c) may be washed and dried several times, and the washing may be made of distilled water. It is preferable that the washing is performed at least three times or more than one time, And the drying can be performed at a temperature of about 100 to 130 &lt; 0 &gt; C.

상기 단계 (d)는 고체분말을 소성처리 하는 단계로서, 300 내지 1200℃의 온도, 바람직하게는 500 내지 1000℃로 가열하여 규산아연계 나노입자를 제조하는 단계일 수 있다.The step (d) may be a step of calcining the solid powder, and may be a step of producing silicic acid-based nanoparticles by heating at a temperature of 300 to 1200 ° C, preferably 500 to 1000 ° C.

상기 소성 온도가 300℃ 미만이면, 최종적으로 제조된 나노입자의 안정성이 저하될 수 있고, 1200℃를 초과하면 상기 나노입자의 유리화가 발생함에 따라 희토류 이온이 응집되어 형광체의 발광효과를 저하시킬 수 있다.If the calcination temperature is less than 300 ° C., the stability of the finally prepared nanoparticles may deteriorate. If the calcination temperature exceeds 1200 ° C., vitrification of the nanoparticles may occur and rare-earth ions may aggregate to lower the emission efficiency of the phosphor have.

상기 소성처리는 공기 분위기 또는 불활성기체 분위기에서 수행될 수 있고, 상기 불활성기체 분위기는 예컨대, 질소, 아르곤, 헬륨 또는 이들의 혼합물 등으로 조성된 분위기일 수 있다.
The firing treatment may be performed in an air atmosphere or an inert gas atmosphere, and the inert gas atmosphere may be, for example, an atmosphere composed of nitrogen, argon, helium, or a mixture thereof.

본 발명의 다른 일 실시예에 따른 형광체는 하기 화학식 1로 표시되고, Tb3 + 및 Yb3 +가 도핑된 규산아연계 나노입자를 포함한다.The phosphor according to another embodiment of the present invention includes zinc silicate nanoparticles represented by the following formula 1 and doped with Tb 3 + and Yb 3 + .

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Zn2SiO4:xTb3 +,yYb3 + Zn 2 SiO 4 : xTb 3 + , yYb 3 +

상기 화학식 1에서, 상기 x는 0.01 ≤ x ≤ 0.1 인 실수이고, 상기 y는 0.01 ≤ y ≤ 0.3 인 실수이다.In the formula (1), x is a real number with 0.01? X? 0.1 and y is a real number with 0.01? Y? 0.3.

상기 터븀 및 이터븀의 함량에 관한 설명은 전술한 바와 중복되므로 그 기재를 생략한다.The description of the contents of the above-mentioned terbium and ytterbium is the same as the above description, so that the description thereof will be omitted.

상기 규산아연계 나노입자는 하향변환 (downconversion) 특성을 가질 수 있다. 하향변환은 높은 에너지를 갖는 단파장의 빛을 흡수하여 낮은 에너지를 갖는 장파장의 빛을 방출하는 특성으로 하향변환 특성을 갖는 형광체는 양자효율이 상당히 우수하여 디스플레이 장치, 태양전지 등의 전자 소재로의 적용이 유리할 수 있다.The silicic acid-based nanoparticles may have downconversion characteristics. Down conversion is a characteristic that absorbs light of a short wavelength having a high energy and emits light of a long wavelength having a low energy. The phosphor having a down conversion characteristic has a considerably high quantum efficiency and is applied to electronic materials such as display devices and solar cells Can be advantageous.

예를 들어, 장파장의 빛에서만 반응성을 보이는 결정성 실리콘 태양전지에 하향변환 특성을 갖는 형광체를 적용하여 단파장의 빛을 장파장으로 변환시키는 기능을 한번 더 수행하도록 설계하면, 태양전지의 효율을 크게 증진시킬 수 있다.For example, when a crystalline silicon solar cell that reacts only at long wavelengths of light is designed to perform a function of converting light of a short wavelength into long wavelength by applying a phosphor having a down conversion characteristic, the efficiency of the solar cell is greatly enhanced .

상기 규산아연계 나노입자는 상기 하향변환 특성을 가지므로, 단파장의 빛, 즉 자외선 또는 가시광선을 흡수하여 여기 (excitation)될 수 있으며, 파장의 범위는, 바람직하게 300 내지 500 nm일 수 있다. 이와 같이, 상기 규산아연계 나노입자는 어떠한 특정 파장에 국한되어 여기되는 것이 아니며, 광범위한 파장에 의해 여기될 수 있다.Since the silicic acid-based nanoparticles have the down conversion characteristics, they can be excited by absorbing light of a short wavelength, that is, ultraviolet rays or visible light, and the wavelength range is preferably 300 to 500 nm. As such, the zinc silicate nanoparticles are excited not limited to any particular wavelength and can be excited by a wide range of wavelengths.

또한, 상기 단파장의 빛을 흡수하여 여기될 경우, 입사된 하나의 광자가 2개 이상의 광자로 분리되어 장파장의 빛, 즉 근적외선을 방출할 수 있으며, 파장의 범위는, 바람직하게 900 내지 1100 nm일 수 있다.When the excited light is excited by absorbing the short wavelength light, the incident one photon can be separated into two or more photons to emit long wavelength light, i.e., near infrared rays. The wavelength range is preferably 900 to 1100 nm .

상기 규산아연계 나노입자는 그 크기가 20 내지 500 nm 일 수 있다. 상기 나노입자의 크기가 20 nm 보다 작은 경우에는 응집현상으로 인하여 2차 응용이 어려울 수 있고, 500 nm 보다 큰 경우에는 박막의 형태로 응용하는데 제한적일 수 있다.The silicic acid-based nanoparticles may have a size of 20 to 500 nm. When the size of the nanoparticles is smaller than 20 nm, secondary application may be difficult due to agglomeration. When the size of the nanoparticles is larger than 500 nm, the nanoparticles may be limited to thin film.

본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 결정성 실리콘 태양전지는 전술한 규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체를 포함한다. 결정성 실리콘 태양전지가 상기 형광체를 포함할 경우, 상기 규산아연계 나노입자가 가진 하향변환 특성으로 인하여 단파장의 빛을 장파장으로 변환시킬 수 있기 때문에 태양전지의 효율이 극대화될 수 있고 이에 따른 단가 저하 등의 기대효과도 가져올 수 있으며, 궁극적으로는 대체 에너지로서의 태양전지가 활성화 될 수 있다는 잠재효과를 얻을 수 있다.The crystalline silicon solar cell according to another embodiment of the present invention includes the above-described phosphor containing silicate-based nanoparticles. When the crystalline silicon solar cell includes the phosphor, the short wavelength light can be converted into a long wavelength due to the down conversion characteristics of the zinc silicate nanoparticles, so that the efficiency of the solar cell can be maximized, And ultimately, a potential effect that the solar cell as an alternative energy can be activated can be obtained.

또한, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 자외선 차단제는 전술한 규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체를 포함한다. 상기 형광체는 단파장의 빛을 흡수하여 장파장의 빛을 방출하기 때문에 자외선을 차단하는 역할을 할 수 있고, 이에 자외선 차단제, 즉 선크림과 같은 화장 제품에도 적용이 가능할 수 있다.In addition, the ultraviolet screening agent according to another embodiment of the present invention includes a phosphor including the above-described silicic acid-based nanoparticles. Since the phosphor absorbs light of a short wavelength and emits light of a long wavelength, it can block ultraviolet rays, and thus it can be applied to cosmetic products such as sunscreen.

나아가, 본 발명의 다른 실시예들인 광컨버터 또는 위조 및 변조 방지 소재도 전술한 형광체를 포함한다. 상기 형광체는 자외선을 근적외선으로 변환시켜 주기 때문에 광컨버터에 적용될 수 있고, 상기 위조 및 변조 방지 소재는 보안과 관련된 문서들의 인쇄시에 적용될 수 있는 것으로, 위조나 변조되더라도 자외선에 노출된 경우에는 최초의 형태가 보이도록 하는 원리를 이용하여 보안관련 문서에 적용될 수 있다.Furthermore, other embodiments of the present invention, optical converters or anti-counterfeiting and anti-tampering materials, include the above-described phosphors. The phosphor can be applied to an optical converter because ultraviolet rays are converted into near infrared rays. The anti-falsification and anti-falsification material can be applied when printing documents related to security. Even if fake or modulated, It can be applied to security related documents using the principle of making the form visible.

본 발명의 규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체의 제조방법과 같이 수열처리를 통해 제조할 경우에는 종래의 하향변환 특성을 가진 형광체에 비하여 흡수하는 빛의 파장 영역이 넓어져 넓은 범위의 태양광을 사용할 수 있어 발광 효율이 증진될 수 있다. In the case of manufacturing by the hydrothermal treatment as in the method of producing the phosphor including the silicic acid-based nanoparticles of the present invention, the wavelength range of the absorbed light is widened as compared with the phosphor having the conventional down conversion characteristic, So that the luminous efficiency can be improved.

이에 따라, 본 발명의 규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체는 결정성 실리콘 태양전지 등의 다양한 소재에 효율 향상을 위해 적용할 수 있고, 나노스케일의 입자 크기로 인해, 형광특성을 이용한 위조 및 변조 방지 재료로 적용할 수도 있다.Accordingly, the phosphor containing the silicic acid-based nanoparticles of the present invention can be applied for improving the efficiency of various materials such as crystalline silicon solar cells, and because of the nanoscale particle size, It may be applied as a preventive material.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 실시예 1에서 제조한 형광체의 X-선 회절 패턴 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 실시예 3에서 제조한 형광체의 X-선 회절 패턴 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조한 형광체의 여기 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조한 형광체의 발광 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
1 is a graph showing the results of X-ray diffraction pattern analysis of the phosphor prepared in Example 1 according to an embodiment of the present invention.
2 is a graph showing the results of X-ray diffraction pattern analysis of the phosphor prepared in Example 3 according to an embodiment of the present invention.
3 is a graph showing excitation spectra of the phosphors prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 according to an embodiment of the present invention.
4 is a graph showing emission spectra of the phosphors prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

실시예Example 1: 수열처리를 통한  1: Through water heat treatment ZnZn 22 SiOSiO 44 :0.05: 0.05 TbTb 33 ++ , 0.1, 0.1 YbYb 33 ++ 나노입자 제조Nanoparticle manufacturing

폴리에틸렌 용기 내에서 24.8 g의 Zn(NO3)3·6H2O를 20 g의 증류수에 용해시키고, 25 g의 에탄올과 8.32 g의 테트라에틸 오쏘실리케이트(tetraethyl orthosilicate, TEOS)를 넣어준다. 여기에 0.91 g의 Tb (NO3)3·6H2O, 1.87 g의 Yb(NO3)3·6H2O, 및 2 g의 0.1 M HCl를 첨가하고 2 시간 동안 교반 하였다. In a polyethylene container, 24.8 g of Zn (NO 3 ) 3 .6H 2 O is dissolved in 20 g of distilled water and 25 g of ethanol and 8.32 g of tetraethyl orthosilicate (TEOS) are added. To this was added 0.91 g of Tb (NO 3 ) 3 .6H 2 O, 1.87 g of Yb (NO 3 ) 3 .6H 2 O, and 2 g of 0.1 M HCl and stirred for 2 hours.

상기 용액에 침전제로서 50 g의 암모니아수를 서서히 가하여 4 시간 동안 교반한 다음, 테플론 반응기에 옮겨 스테인레스로 봉인한 후 150℃의 전기오븐에서 15 시간 동안 가열함으로써 수열처리 하였다. 수열반응 종료 후 생성된 고체분말은 증류수로 여러 번 세척하여 필터링 한 후 110℃에서 건조하였다. 50 g of ammonia water was slowly added as a precipitant to the solution, stirred for 4 hours, transferred to a Teflon reactor, sealed with stainless steel, and heat-treated by heating in an electric oven at 150 ° C for 15 hours. After the completion of the hydrothermal reaction, the solid powder was washed several times with distilled water, filtered and dried at 110 ° C.

최종적으로, 제조된 고체분말을 900℃에서 1 시간 동안 공기 분위기에서 소성하여 규산아연계 나노입자를 얻었고, 이를 X-선 회절 분석을 한 결과, 결정성 규산아연계 구조를 갖는 나노입자가 얻어졌음을 확인하였다.
Finally, the prepared solid powder was calcined at 900 ° C. for 1 hour in an air atmosphere to obtain silicic acid-based nanoparticles, which were subjected to X-ray diffraction analysis to obtain nanoparticles having a crystalline silicate-based structure Respectively.

실시예Example 2: 수열처리를 통한  2: Through water heat treatment ZnZn 22 SiOSiO 44 :0.05: 0.05 TbTb 33 ++ , 0.1, 0.1 YbYb 33 ++ 나노입자 제조Nanoparticle manufacturing

수열처리를 200℃의 전기오븐에서 15 시간 동안 수행한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 고체분말을 제조하였다. A solid powder was prepared in the same manner as in Example 1 except that the water heat treatment was conducted in an electric oven at 200 ° C for 15 hours.

최종적으로, 제조된 고체분말을 900℃에서 1 시간 동안 공기 분위기에서 소성하여 규산아연계 나노입자를 얻었고, 이를 X-선 회절 분석을 한 결과, 결정성 규산아연계 구조를 갖는 나노입자가 얻어졌음을 확인하였다.
Finally, the prepared solid powder was calcined at 900 ° C. for 1 hour in an air atmosphere to obtain silicic acid-based nanoparticles, which were subjected to X-ray diffraction analysis to obtain nanoparticles having a crystalline silicate-based structure Respectively.

실시예Example 3: 수열처리를 통한  3: Through water heat treatment ZnZn 22 SiOSiO 44 :0.05: 0.05 TbTb 33 ++ , 0.1, 0.1 YbYb 33 ++ 나노입자 제조Nanoparticle manufacturing

실시예 1에서 제조된 고체분말을 700℃에서 1 시간 동안 공기 분위기에서 소성하여 규산아연계 나노입자를 얻었고, 이를 X-선 회절 분석을 한 결과 비결정성 규산아연계 구조를 갖는 나노입자가 얻어졌음을 확인하였다.
The solid powder prepared in Example 1 was calcined at 700 ° C. for 1 hour in an air atmosphere to obtain silicic acid-based nanoparticles. X-ray diffraction analysis showed that the nanoparticles having an amorphous silicate-based structure were obtained Respectively.

실시예Example 4: 수열처리를 통한  4: Through hydrothermal treatment ZnZn 22 SiOSiO 44 :0.05: 0.05 TbTb 33 ++ , 0.1, 0.1 YbYb 33 ++ 나노입자 제조Nanoparticle manufacturing

실시예 2에서 제조된 고체분말을 700℃에서 1 시간 동안 공기 분위기에서 소성하여 규산아연계 나노입자를 얻었고, 이를 X-선 회절 분석을 한 결과 비결정성 규산아연계 구조를 갖는 나노입자가 얻어졌음을 확인하였다.
The solid powder prepared in Example 2 was calcined at 700 ° C for 1 hour in an air atmosphere to obtain silicic acid-based nanoparticles. The resultant was subjected to X-ray diffraction analysis to obtain nanoparticles having an amorphous silicate-based structure Respectively.

실시예Example 5: 수열처리를 통한  5: Through water heat treatment ZnZn 22 SiOSiO 44 :0.05: 0.05 TbTb 33 ++ , 0.05, 0.05 YbYb 33 ++ 나노입자 제조Nanoparticle manufacturing

0.94 g의 Yb(NO3)3·6H2O를 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 고체분말을 제조하였다. A solid powder was prepared in the same manner as in Example 1, except that 0.94 g of Yb (NO 3 ) 3 .6H 2 O was used.

최종적으로, 제조된 고체분말을 900℃에서 1 시간 동안 공기 분위기에서 소성하여 규산아연계 나노입자를 얻었고, 이를 X-선 회절 분석을 한 결과 결정성 규산아연계 구조를 갖는 나노입자가 얻어졌음을 확인하였다.
Finally, the prepared solid powder was calcined at 900 ° C. for 1 hour in an air atmosphere to obtain silicic acid-based nanoparticles, which were analyzed by X-ray diffraction and found that nanoparticles having crystalline silicate-based structure were obtained Respectively.

실시예Example 6: 수열처리를 통한  6: Through hydrothermal treatment ZnZn 22 SiOSiO 44 :0.05: 0.05 TbTb 33 ++ , 0.2, 0.2 YbYb 33 ++ 나노입자 제조Nanoparticle manufacturing

3.74 g의 Yb(NO3)3·6H2O를 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 고체분말을 제조하였다. A solid powder was prepared in the same manner as in Example 1 except that 3.74 g of Yb (NO 3 ) 3 .6H 2 O was used.

최종적으로, 제조된 고체분말을 900℃에서 1 시간 동안 공기 분위기에서 소성하여 규산아연계 나노입자를 얻었고, 이를 X-선 회절 분석을 한 결과 결정성 규산아연계 구조를 갖는 나노입자가 얻어졌음을 확인하였다.
Finally, the prepared solid powder was calcined at 900 ° C. for 1 hour in an air atmosphere to obtain silicic acid-based nanoparticles, which were analyzed by X-ray diffraction and found that nanoparticles having crystalline silicate-based structure were obtained Respectively.

실시예Example 7: 수열처리를 통한  7: Through hydrothermal treatment ZnZn 22 SiOSiO 44 :0.02: 0.02 TbTb 33 ++ , 0.1, 0.1 YbYb 33 ++ 나노입자 제조Nanoparticle manufacturing

0.36 g의 Tb(NO3)3·6H2O를 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 고체분말을 제조하였다. A solid powder was prepared in the same manner as in Example 1 except that 0.36 g of Tb (NO 3 ) 3 .6H 2 O was used.

최종적으로, 제조된 고체분말을 900℃에서 1 시간 동안 공기 분위기에서 소성하여 규산아연계 나노입자를 얻었고, 이를 X-선 회절 분석을 한 결과 결정성 규산아연계 구조를 갖는 나노입자가 얻어졌음을 확인하였다.
Finally, the prepared solid powder was calcined at 900 ° C. for 1 hour in an air atmosphere to obtain silicic acid-based nanoparticles, which were analyzed by X-ray diffraction and found that nanoparticles having crystalline silicate-based structure were obtained Respectively.

비교예Comparative Example 1:  One: 졸겔법을Sol-gel method 통한  through ZnZn 22 SiOSiO 44 :0.05: 0.05 TbTb 33 ++ , 0.1, 0.1 YbYb 33 ++ 나노입자 제조Nanoparticle manufacturing

상기 실시예 1에서 수열방법으로 제조한 형광체와 비교하기 위하여 실시예 1과 동일한 성분을 갖는 규산아연계 나노입자를 졸겔법을 통해 제조하였다. The zinc silicate nanoparticles having the same composition as in Example 1 were prepared by the sol-gel method for comparison with the phosphor prepared by the hydrothermal method in Example 1 above.

폴리에틸렌 용기 내에서 24.8 g의 Zn(NO3)3·6H2O를 20g의 증류수에 용해시키고, 25 g의 에탄올과 8.32 g의 TEOS를 넣어준다. 여기에 0.91 g의 Tb (NO3)3·6H2O, 1.87 g의 Yb(NO3)3·6H2O 및 2 g의 0.1 M HCl를 첨가하고, 2 시간 동안 교반한 다음, 110℃에서 15 시간 동안 건조하여 고체분말을 제조하였다. In a polyethylene container, 24.8 g of Zn (NO 3 ) 3 .6H 2 O is dissolved in 20 g of distilled water and 25 g of ethanol and 8.32 g of TEOS are added. To this was added 0.91 g of Tb (NO 3 ) 3 .6H 2 O, 1.87 g of Yb (NO 3 ) 3 .6H 2 O and 2 g of 0.1 M HCl, stirred for 2 hours, And dried for 15 hours to prepare a solid powder.

최종적으로, 제조된 고체분말을 900℃에서 1 시간 동안 공기 분위기에서 소성하여 규산아연계 나노입자를 얻었고, 이를 X-선 회절 분석을 한 결과 실시예 1과 동일한 결정성 규산아연계 구조를 갖는 나노입자가 얻어졌음을 확인하였다.
Finally, the prepared solid powder was calcined in an air atmosphere at 900 ° C. for 1 hour to obtain silicic acid-based nanoparticles. From the results of the X-ray diffraction analysis, it was found that the nanocrystals having the same crystalline silicate- It was confirmed that the particles were obtained.

하기 표 1에 상기 실시예 및 비교예의 반응 조건들을 정리하여 나타내었다.Table 1 summarizes the reaction conditions of the above Examples and Comparative Examples.

Tb:YbTb: Yb 수열처리
온도
Water heat treatment
Temperature
수열처리
시간
Water heat treatment
time
소성처리
온도
Calcination treatment
Temperature
소성처리
시간
Calcination treatment
time
결정여부Decision whether
실시예 1Example 1 0.05:0.10.05: 0.1 150150 1515 900900 1One 결정성Crystallinity 실시예 2Example 2 0.05:0.10.05: 0.1 200200 1515 900900 1One 결정성Crystallinity 실시예 3Example 3 0.05:0.10.05: 0.1 150150 1515 700700 1One 비결정성Amorphous 실시예 4Example 4 0.05:0.10.05: 0.1 200200 1515 700700 1One 비결정성Amorphous 실시예 5Example 5 0.05:0.050.05: 0.05 150150 1515 900900 1One 결정성Crystallinity 실시예 6Example 6 0.05:0.20.05: 0.2 150150 1515 900900 1One 결정성Crystallinity 실시예 7Example 7 0.02:0.10.02: 0.1 150150 1515 900900 1One 결정성Crystallinity 비교예 1Comparative Example 1 0.05:0.10.05: 0.1 졸겔법 적용Sol-gel application 900900 1One 결정성Crystallinity

X-선 X-ray 회절diffraction 패턴 분석 결과 Pattern analysis result

도 1 및 2는 각각 실시예 1 및 3의 X-선 회절 분석 결과를 나타낸 그래프로서, 실시예 1의 나노입자는 결정성이기 때문에 여러 피크가 다양한 위치에서 나타나고 있음을 도 1을 통해 확인할 수 있었고, 실시예 3의 나노입자는 비결정성이기 때문에 특별한 피크가 나타나지 않음을 확인할 수 있었다.1 and 2 are graphs showing the results of X-ray diffraction analysis of Examples 1 and 3, respectively. It can be seen from FIG. 1 that several peaks appear at various positions because the nanoparticles of Example 1 are crystalline, Since the nanoparticles of Example 3 were amorphous, no particular peak appeared.

즉, 상기 X-선 회절 분석의 결과를 통해, 나노입자가 결정성인 경우에는 도 1에 도시된 실시예 1과 같은 결과가 나타나고, 나노입자가 비결정성인 경우에는 도 2에 도시된 실시예 3과 같은 결과가 나타남을 확인할 수 있다.
That is, when the nanoparticles are crystalline, the same results as in Example 1 shown in FIG. 1 are obtained through the X-ray diffraction analysis. When the nanoparticles are amorphous, The same result can be seen.

규산아연계Silicic acid coupling 나노입자의 여기 및 발광 스펙트럼 분석 결과 Excitation and emission spectral analysis of nanoparticles

상기 실시예 1-7 및 비교예에서 얻어진 규산아연계 나노입자에 대한 발광 특성을 알아보기 위하여 형광분광광도계를 이용하여 여기 및 발광 스펙트럼을 측정하여 도 3 및 4에 나타내었다. Excitation and emission spectra of the zinc silicate nanoparticles obtained in Examples 1-7 and Comparative Examples were measured using a fluorescence spectrophotometer and shown in FIGS. 3 and 4.

도 3의 여기 스펙트럼을 보면 실시예 1 내지 3에서 제조된 규산아연계 나노입자는 300 내지 500 nm 파장의 영역에서 복수 개의 피크를 볼 수 있고, 이에 광범위한 영역에서 여기 되는 것을 확인할 수 있었다. 하지만, 비교예 1에서 제조된 규산아연계 나노입자는 485 nm 근처에서만 매우 작은 피크를 보여줄 뿐 그 이외의 영역에서는 뚜렷한 여기 피크를 나타내지 못하고 있음을 확인할 수 있었다. In the excitation spectrum of FIG. 3, it can be seen that the silicic acid-based nanoparticles prepared in Examples 1 to 3 can see a plurality of peaks in the region of 300 to 500 nm wavelength and are excited in a wide region. However, it was confirmed that the zinc silicate nanoparticles prepared in Comparative Example 1 exhibit a very small peak only at about 485 nm, but do not exhibit a distinct excitation peak in the other regions.

또한, 도 4의 근적외선 영역의 발광 스펙트럼은, 상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1의 나노입자가 파장이 360 nm인 광자에 의해 여기 된 후 측정된 발광 스펙트럼으로서, 비교예 1에서 제조된 규산아연계 나노입자는 전술한 바와 같이, 파장이 485 nm인 광자가 아닌 경우에는 여기 되지 못하기 때문에, 파장이 360 nm인 광자로 여기 된 후에 측정된 발광 스펙트럼에서 900 내지 1100 nm의 파장에서 발광 피크를 보여주지 못한 반면에, 실시예 1 내지 3에서 제조된 규산아연계 나노입자는 900 내지 1100 nm 파장 영역에서 우수한 발광 성능을 나타낸다는 것을 확인할 수 있었다.The emission spectrum of the near infrared region in FIG. 4 is the emission spectrum measured after the nanoparticles of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were excited by a photon with a wavelength of 360 nm, As described above, since the zinc-based nanoparticles can not be excited when the wavelength is not 485 nm, they can be excited by a photon with a wavelength of 360 nm and then emitted at an emission peak at a wavelength of 900 to 1100 nm , While the zinc silicate nanoparticles prepared in Examples 1 to 3 exhibited excellent luminescence performance in the 900 to 1100 nm wavelength region.

이를 통해, 비교예 1의 나노입자가 발광하기 위해서는 485 nm의 파장을 갖는 광자가 필요하지만, 실시예 1 내지 3의 나노입자가 발광하기 위해서는 485 nm 이외에도 360 nm 등의 300 내지 500 nm의 파장 범위를 가진 광자가 있으면 족하므로 광범위한 빛을 이용할 수 있다는 점을 확인할 수 있었다.
In order for the nanoparticles of Comparative Example 1 to emit light, a photon having a wavelength of 485 nm is required. However, in order for the nanoparticles of Examples 1 to 3 to emit light, a wavelength range of 300 to 500 nm It can be seen that a wide range of light can be used.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

Claims (18)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete (a) 아연(Zn) 전구체, 규소(Si) 전구체, 터븀(Tb) 전구체, 이터븀(Yb) 전구체 및 혼합용매를 포함하는 전구체용액을 준비하는 단계;
(b) 상기 전구체용액에 침전제를 첨가하여 침전액을 형성하는 단계;
(c) 상기 침전액을 100 내지 250℃의 온도에서 반응기에 봉인된 상태로 가열하는 수열처리를 수행하여 고체분말을 얻는 단계; 및
(d) 상기 고체분말을 소성처리 하여 규산아연계 나노입자를 제조하는 단계;를 포함하고,
상기 규산아연계 나노입자는 하기 화학식 1로 표시되고, Tb3+ 및 Yb3+가 도핑된 것이며, 그 크기가 20 내지 500 nm인 것이고, 상기 규산아연계 나노입자는 파장의 범위가 300 내지 500 nm인 빛에 의해 여기 (excitation)되고, 파장의 범위가 900 내지 1100 nm인 빛을 방출하는 것인 근적외선 양자 분리 형광체의 제조방법:
[화학식 1]
Zn2SiO4:xTb3+,yYb3+
상기 화학식 1에서, 상기 x는 0.01 ≤ x ≤ 0.1 인 실수이고, 상기 y는 0.01 ≤ y ≤ 0.3 인 실수이다.
(a) preparing a precursor solution comprising a zinc (Zn) precursor, a silicon (Si) precursor, a terbium (Tb) precursor, a ytterbium (Yb) precursor, and a mixed solvent;
(b) adding a precipitant to the precursor solution to form a precipitate;
(c) subjecting the precipitate to heat treatment in a sealed state in a reactor at a temperature of 100 to 250 ° C to obtain a solid powder; And
(d) calcining the solid powder to prepare a silicic acid-based nanoparticle,
The zinc silicate based nanoparticles are represented by the following formula 1 and are doped with Tb 3+ and Yb 3+ and have a size of 20 to 500 nm. The zinc silicate based nanoparticles have a wavelength range of 300 to 500 wherein the phosphor is excited by light having a wavelength of 900 to 1100 nm and emits light having a wavelength of 900 to 1100 nm.
[Chemical Formula 1]
Zn 2 SiO 4 : xTb 3+ , yYb 3+
In the formula (1), x is a real number with 0.01? X? 0.1 and y is a real number with 0.01? Y? 0.3.
제5항에 있어서,
상기 아연 전구체는 아연 염화물, 아연 황화물, 아연 질산화물, 이들의 수화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고,
상기 터븀 전구체는 터븀 염화물, 터븀 황화물, 터븀 질산화물, 이들의 수화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고,
상기 이터븀 전구체는 이터븀 염화물, 이터븀 황화물, 이터븀 질산화물, 이들의 수화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인 근적외선 양자 분리 형광체의 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the zinc precursor is any one selected from the group consisting of zinc chloride, zinc sulfide, zinc oxide, hydrates thereof, and combinations thereof,
Wherein the terbium precursor is any one selected from the group consisting of a terbium chloride, a terbium sulfide, a terbium oxide, a hydrate thereof, and combinations thereof,
Wherein the ytterbium precursor is any one selected from the group consisting of ytterbium chloride, ytterbium sulphide, ytterbium nitrate, hydrates thereof, and combinations thereof.
제5항에 있어서,
상기 규소 전구체는 분무 실리카 (fumed silica), 콜로이달 실리카, 유기규소 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인 근적외선 양자 분리 형광체의 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the silicon precursor comprises any one selected from the group consisting of fumed silica, colloidal silica, organosilicon compound, and combinations thereof.
제5항에 있어서,
상기 혼합용매는 물 및 알코올을 포함하고, 상기 알코올은 탄소수가 1 내지 3인 것인 근적외선 양자 분리 형광체의 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the mixed solvent comprises water and an alcohol, and the alcohol has 1 to 3 carbon atoms.
제5항에 있어서,
아연 2몰 및 규소 1몰을 기준으로, 상기 터븀의 함량은 0.01 내지 0.1 몰인 것인 근적외선 양자 분리 형광체의 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the content of the terbium is 0.01 to 0.1 mole based on 2 moles of zinc and 1 mole of silicon.
제5항에 있어서,
아연 2몰 및 규소 1몰을 기준으로, 상기 이터븀의 함량은 0.01 내지 0.3 몰인 것인 형광체의 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the content of ytterbium is 0.01 to 0.3 moles based on 2 moles of zinc and 1 mole of silicon.
제5항에 있어서,
상기 침전제는 암모니아수, 테트라알킬암모늄 하이드록사이드, 우레아, 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하고,
상기 테트라알킬암모늄의 알킬기는 탄소수가 1 내지 4인 것인 근적외선 양자 분리 형광체의 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the precipitating agent comprises any one selected from the group consisting of ammonia water, tetraalkylammonium hydroxide, urea, sodium hydroxide, potassium hydroxide, and combinations thereof,
Wherein the alkyl group of the tetraalkylammonium has 1 to 4 carbon atoms.
제5항에 있어서,
상기 침전제는 상기 혼합용매 중량의 0.2 내지 2 배의 중량으로 첨가되는 것인 근적외선 양자 분리 형광체의 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the precipitant is added at a weight of 0.2 to 2 times the weight of the mixed solvent.
제5항에 있어서,
상기 단계 (d)의 소성처리는 300 내지 1200℃의 온도로 가열하는 것인 근적외선 양자 분리 형광체의 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the calcination treatment in step (d) is carried out at a temperature of 300 to 1200 占 폚.
제5항에 있어서,
상기 단계 (d)의 소성처리는 공기, 질소, 아르곤, 헬륨 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 기체를 포함하는 분위기에서 수행되는 것인 근적외선 양자 분리 형광체의 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the calcination treatment in the step (d) is performed in an atmosphere containing air, nitrogen, argon, helium, and any one selected from the group consisting of combinations thereof.
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