KR101600416B1 - Detector and method of manufacturing the same - Google Patents

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    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof

Abstract

본 발명은 서로 대향하는 제1 및 2면을 갖는 반도체층과, 상기 반도체층의 제1면에 형성된 수광소자를 포함하는 어레이기판과; 서로 대향하는 제3 및 4면을 갖는 형광체층을 포함하며, 상기 형광체층의 제3면과 상기 반도체층의 제2면이 마주보도록 상기 반도체층과 결합하는 형광체패널을 포함하고, 상기 반도체층의 두께는 10~100um인 디텍터 제조방법을 제공한다.The present invention provides a semiconductor device comprising: an array substrate including a semiconductor layer having first and second surfaces facing each other, and a light receiving element formed on a first surface of the semiconductor layer; And a phosphor panel coupled to the semiconductor layer such that a third surface of the phosphor layer and a second surface of the semiconductor layer face each other, wherein the phosphor layer has third and fourth surfaces opposed to each other, And a thickness of 10 to 100 [mu] m.

Description

디텍터 및 이의 제조방법{Detector and method of manufacturing the same}DETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

본 발명은 디텍터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 플렉서블(flexible) 특성을 갖고 필팩터(fill factor)가 향상된 디텍터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a detector, and more particularly, to a detector having a flexible characteristic and improved fill factor and a method of manufacturing the same.

기존에는, 의료나 공업용 X선 촬영에서 필름과 스크린을 이용한 방식이 사용되었다. 이와 같은 경우에는, 촬영된 필름의 현상 및 보관상의 문제 등에 기인하여 비용 및 시간 측면에서 비효율적이었다.Previously, film and screen were used in medical and industrial X-ray photography. In such a case, it was inefficient in terms of cost and time owing to the problem of development and storage of the photographed film.

이를 개선하기 위해, 디지털(digital) 방식의 디텍터를 이용한 이미지 시스템에 대한 연구가 광범위하게 진행되어 왔다. In order to improve this, research on an image system using a digital type detector has been extensively conducted.

디텍터는 그 변환방식에 따라 직접 변환방식과 간접 변환방식으로 구분될 수 있다. 직접 변환방식은 광도전막 등을 이용하여 X선을 전기적 신호로 직접 변환하는 방식이며, 간접 변환방식은 X선을 형광체(scintillator)에 의하여 가시광선으로 변환하고, 변환된 가시광선을 광전변환소자 등을 이용하여 전기적 신호로 변환하는 방식이다.The detector can be classified into a direct conversion method and an indirect conversion method according to the conversion method. The direct conversion method is a method of directly converting an X-ray into an electrical signal using a photoconductive film or the like. In the indirect conversion method, an X-ray is converted into a visible light by a scintillator, and the converted visible light is converted into a photoelectric conversion element To convert the signal into an electrical signal.

직접 변환방식의 경우 고전압을 이용하여야 하므로 절연파괴 문제 및 이에 따른 신뢰성 저하의 문제가 있어, 간접 변환방식의 디텍터가 주로 이용되고 있다.In the case of the direct conversion method, since a high voltage is required to be used, there is a problem of insulation breakdown and lowering of the reliability of the direct conversion method, and thus an indirect conversion type detector is mainly used.

간접 변환방식의 디텍터는, 고체 상태의 딱딱한 기판 상에 수광 소자, 트랜지스터 등의 어레이소자를 형성하는 공정 특성 상, 그 형태가 굳어져 구부러지지 않는 특성을 갖게 된다.The detector of the indirect conversion system has a property that the shape hardens and does not bend due to a process characteristic of forming an array element such as a light receiving element and a transistor on a solid substrate having a solid state.

이와 같은 디텍터의 구조적 한계로 인해, 유연한 특성의 형광체를 사용하더라도 디텍터 자체는 플렉서블한 특성을 갖지 못하게 된다. 이에 따라, X선 투과 대상의 곡률과 다양한 형태 차이에 대한 대응에 어려움이 있다.Due to the structural limitations of such a detector, even if a fluorescent material having a flexible characteristic is used, the detector itself does not have a flexible characteristic. Accordingly, there is a difficulty in coping with the curvature of the X-ray transmitting object and various shape differences.

또한, 종래의 디텍터에서는 수광소자 전방 즉 가시광선이 입사되는 방향으로 트랜지스터 등의 구동소자와 신호배선이 형성되어 있다. 이에 따라, 수광소자의 광입사 유효 영역 즉 필팩터(fill factor)에 한계가 존재한다.
In the conventional detector, a driving element such as a transistor or the like and a signal wiring are formed in the forward direction of the light receiving element, that is, in the direction in which the visible light is incident. Accordingly, there is a limit to the light incidence effective area of the light receiving element, that is, the fill factor.

본 발명은, 플렉서블 특성을 가지며 필팩터를 향상시킬 수 있는 디텍터를 제공하는 데 과제가 있다.
The present invention has a problem to provide a detector having a flexible characteristic and capable of improving a fill factor.

전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 서로 대향하는 제1 및 2면을 갖는 반도체층과, 상기 반도체층의 제1면에 형성된 수광소자를 포함하는 어레이기판과; 서로 대향하는 제3 및 4면을 갖는 형광체층을 포함하며, 상기 형광체층의 제3면과 상기 반도체층의 제2면이 마주보도록 상기 반도체층과 결합하는 형광체패널을 포함하고, 상기 반도체층의 두께는 10~100um인 디텍터 제조방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: an array substrate including a semiconductor layer having first and second surfaces opposed to each other, and a light receiving element formed on a first surface of the semiconductor layer; And a phosphor panel coupled to the semiconductor layer such that a third surface of the phosphor layer and a second surface of the semiconductor layer face each other, wherein the phosphor layer has third and fourth surfaces opposed to each other, And a thickness of 10 to 100 [mu] m.

여기서, 상기 어레이기판은, 상기 수광소자 상에 형성된 구동소자층을 포함할 수 있다.Here, the array substrate may include a driving element layer formed on the light receiving element.

상기 어레이기판은, 상기 반도체층의 제1면 상에 제1접착층을 통해 부착된 제1폴리머층을 포함하고, 상기 형광체패널은, 상기 형광체층의 제4면에 제3접착층을 통해 부착된 제2폴리머층을 포함하고, 상기 어레이기판과 형광체패널을 결합하는 제2접착층을 포함할 수 있다.
Wherein the array substrate comprises a first polymer layer attached on a first side of the semiconductor layer through a first adhesive layer, the phosphor panel further comprising: a first adhesive layer on the fourth surface of the phosphor layer, 2 polymer layer, and a second adhesive layer joining the array substrate and the phosphor panel.

본 발명에 따르면, 디텍터 제조과정에서 어레이기판의 기저기판으로 사용되는 반도체기판을 제거하게 된다. 이에 따라, 어레이기판 및 디텍터는 플렉서블 특성을 갖게 되어, 곡률 등 다양한 형태를 갖는 투과 대상에 대해 효과적으로 대응할 수 있게 된다.According to the present invention, a semiconductor substrate used as a base substrate of an array substrate is removed in the process of manufacturing a detector. As a result, the array substrate and the detector have flexible characteristics, so that it is possible to effectively cope with a transmission object having various forms such as a curvature.

또한, 형광체는 구동소자층이 형성된 면과 반대되는 면 측에 배치된다. 이에 따라, 수광소자는 실질적으로 화소영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있게 되어 필팩터가 향상될 수 있게 된다.
Further, the phosphor is disposed on the surface side opposite to the surface on which the driving element layer is formed. Thus, the light receiving element can be formed substantially throughout the pixel region, so that the fill factor can be improved.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디텍터를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2a 내지 2d는 본 발명의 실시예에 따른 디텍터를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a detector according to an embodiment of the present invention;
2A to 2D are sectional views schematically showing a method of manufacturing a detector according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디텍터를 개략적으로 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a detector according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 디텍터(10)는 수광소자(130)가 형성된 어레이기판(100)과, 어레이기판(100)의 일면 상에 구성된 형광체패널(200)을 포함할 수 있다.1, a detector 10 according to an embodiment of the present invention includes an array substrate 100 on which a light receiving element 130 is formed and a phosphor panel 200 formed on one surface of the array substrate 100 .

어레이기판(100)은 반도체층(120)과, 수광소자(130)와, 구동소자층(140)과, 패드(150)를 포함할 수 있다.The array substrate 100 may include a semiconductor layer 120, a light receiving element 130, a driving element layer 140, and a pad 150.

반도체층(120)은, 어레이기판(100)의 제조 과정 중 기저기판으로 사용되는 반도체기판의 상면에 에피택셜 성장(epitaxial growth) 방법에 의해 형성된다. 이와 같은 반도체층(120)은 반도체기판과 동일한 도전 타입으로서, 예를 들면, 저농도의 P- 형으로 구성될 수 있다.The semiconductor layer 120 is formed on the upper surface of the semiconductor substrate used as a base substrate during the manufacturing process of the array substrate 100 by an epitaxial growth method. The semiconductor layer 120 may be of the same conductivity type as that of the semiconductor substrate, for example, a low concentration P-type.

여기서, 반도체기판은 반도체층(120) 형성 이후에 완전히 제거될 수 있다. 한편, 다른 예로서, 반도체기판은 일부가 제거된 상태로 남겨질 수도 있다. 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 반도체기판이 완전히 제거된 경우를 예로 든다. Here, the semiconductor substrate can be completely removed after the semiconductor layer 120 is formed. On the other hand, as another example, the semiconductor substrate may be left partially removed. In the embodiment of the present invention, for convenience of explanation, a case where the semiconductor substrate is completely removed will be described as an example.

반도체층(120)의 상면 즉 제1면 상에는 포토다이오드와 같은 수광소자(130)가 화소영역 별로 매트릭스 형태로 형성될 수 있다. 수광소자(130)는 가시광선을 입사받고, 이를 전기적 영상신호로 변환하게 된다.A light receiving element 130 such as a photodiode may be formed on the upper surface or the first surface of the semiconductor layer 120 in a matrix form for each pixel region. The light receiving element 130 receives visible light and converts it into an electrical image signal.

수광소자(130) 상부에는, 수광소자(130)를 구동하기 위한 트랜지스터 등의 구동소자가 구성된 구동소자층(140)이 형성될 수 있다. 여기서, 구동소자층(140)에는 적어도 하나의 절연막과 적어도 하나의 금속막이 구성될 수 있고, 또한 구동소자와 연결된 각종 신호배선이 형성될 수 있다. A driving element layer 140 constituted by a driving element such as a transistor for driving the light receiving element 130 may be formed on the light receiving element 130. Here, at least one insulating film and at least one metal film may be formed on the driving element layer 140, and various signal wirings connected to the driving elements may be formed.

한편, 구동소자층(140)의 가장자리에는 각 신호배선의 적어도 일끝단에 구성된 패드(150)가 형성될 수 있다. 이와 같은 패드(150)는 외부의 구동회로와 전기적으로 연결되어, 구동신호를 전달받고 영상신호를 출력할 수 있다.A pad 150 may be formed on the edge of the driving element layer 140 at least at one end of each signal line. The pad 150 may be electrically connected to an external driving circuit to receive a driving signal and output a video signal.

구동소자층(140) 상에는 플렉서블 특성을 갖는 폴리머층(160)이 구성될 수 있다. 여기서, 폴리머층(160)으로서, 예를 들면, 폴리이미드(polyimide)가 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.A polymer layer 160 having a flexible characteristic may be formed on the driving element layer 140. Here, as the polymer layer 160, for example, polyimide may be used, but the present invention is not limited thereto.

한편, 폴리머층(160)과 구동소자층(140) 사이에는 접착층(170)이 구성되며, 해당 접착층(170)을 통해 폴리머층(160)은 구동소자층(140)에 부착될 수 있게 된다. An adhesive layer 170 is formed between the polymer layer 160 and the driving device layer 140 so that the polymer layer 160 can be attached to the driving device layer 140 through the adhesive layer 170.

설명의 편의를 위해, 전술한 폴리머층(160)과 접착층(170)을 제1폴리머층(160)과 제1접착층(170)이라 한다. For convenience of explanation, the polymer layer 160 and the adhesive layer 170 are referred to as a first polymer layer 160 and a first adhesive layer 170.

한편, 어레이기판(100)의 제1폴리머층(160)에는 패드(150)를 외부로 노출하는 패드홀(310)이 형성될 수 있다. 그리고, 패드홀(310)을 통해 패드(150)와 접촉하는 단자전극(320)이 형성된다. 단자전극(320)은 어레이기판(100)의 바깥면 즉 X선의 입사면에 반대되는 면 상에 형성될 수 있다. 이와 같은 구조를 통해, 패드(150)는 외부의 구동회로와 전기적으로 연결될 수 있게 된다.
A pad hole 310 may be formed in the first polymer layer 160 of the array substrate 100 to expose the pad 150 to the outside. A terminal electrode 320 contacting the pad 150 is formed through the pad hole 310. The terminal electrode 320 may be formed on the outer surface of the array substrate 100, that is, on the surface opposite to the incident surface of the X-ray. Through such a structure, the pad 150 can be electrically connected to an external driving circuit.

전술한 바와 같은 어레이기판(100)의 하면으로서, 반도체층(120)의 하면인 제2면 상에는 형광체패널(200)이 구성된다. The phosphor panel 200 is formed on the second surface, which is the lower surface of the semiconductor layer 120, as the lower surface of the array substrate 100 as described above.

형광체패널(200)은 입사된 X선을 가시광선으로 변환하는 형광체층(210)과, 형광체층(210)의 하면 상에 구성된 폴리머층(220)을 포함할 수 있다. The phosphor panel 200 may include a phosphor layer 210 for converting incident X-rays into visible light and a polymer layer 220 formed on the lower surface of the phosphor layer 210.

여기서, 플렉서블한 특성을 갖는 형광체층(210)은 통상의 형광체(Scintillator)로 이루어질 수 있다. 폴리머층(220)으로서, 예를 들면, 폴리이미드(polyimide)가 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.Here, the phosphor layer 210 having a flexible characteristic may be made of a conventional phosphor. As the polymer layer 220, for example, polyimide may be used, but is not limited thereto.

한편, 형광체패널(200)에는, 형광체층(210)의 상면 및 하면으로서 제3면 및 제4면 각각에 형성된 접착층(230, 240)을 더욱 포함할 수 있다. 여기서, 제4면은 X선이 입사하는 면에 해당된다. The phosphor panel 200 may further include adhesive layers 230 and 240 formed on the third surface and the fourth surface, respectively, as upper and lower surfaces of the phosphor layer 210. Here, the fourth surface corresponds to the plane on which the X-ray is incident.

한편, 설명의 편의를 위해, 형광체패널(200)에 구성된 폴리머층(220)과 접착층(230, 240)을, 제2폴리머층(220)과 제2 및 3접착층(230, 240)이라 한다. The polymer layer 220 and the adhesive layers 230 and 240 formed on the phosphor panel 200 are referred to as a second polymer layer 220 and second and third adhesive layers 230 and 240 for convenience of explanation.

제2폴리머층(220)은 제3접착층(240)을 통해 형광체층(210)에 부착될 수 있다. 그리고, 형광체패널(200)은 제2접착층(230)을 통해 어레이기판(100)에 부착될 수 있다.The second polymer layer 220 may be attached to the phosphor layer 210 through the third adhesive layer 240. The phosphor panel 200 may be attached to the array substrate 100 through the second adhesive layer 230.

한편, 제2폴리머층(220)과 제3접착층(240)은 X선의 입사 경로 상에 위치하게 되는바, X선의 흡수율을 최소화할 수 있는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 이를 위해, 제2폴리머층(220)과 제3접착층(240)은 형광체층(210)보다 가벼운 원자 번호를 갖는 물질로 이루어질 수 있다. On the other hand, the second polymer layer 220 and the third adhesive layer 240 are located on the incident path of the X-ray, and it is preferable that the second polymer layer 220 and the third adhesive layer 240 are made of a material capable of minimizing the absorption rate of X-rays. For this, the second polymer layer 220 and the third adhesive layer 240 may be made of a material having a lower atomic number than the phosphor layer 210.

그리고, 형광체층(210)에서 발생되어 수광소자(130)로 입사되는 가시광선의 손실을 최소화하기 위해, 가시광선의 진행 경로 상에 위치하는 형광체층(210)과 제2접착층(230)과 반도체층(120)의 굴절률은 그 순서대로 굴절률이 증가하는 형태로 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 형광체층(210)과 제2접착층(230)과 반도체층(120)의 굴절률을 n1, n2, n3라고 하면, n1<n2<n3의 관계를 갖도록 구성하게 되고, 이에 따라 전반사를 방지할 수 있게 된다.
In order to minimize the loss of the visible light generated in the phosphor layer 210 and incident on the light receiving element 130, the phosphor layer 210, the second adhesive layer 230, and the semiconductor layer 120 are preferably formed in such a manner that the refractive index increases in that order. That is, when the refractive indexes of the phosphor layer 210, the second adhesive layer 230, and the semiconductor layer 120 are denoted by n1, n2, and n3, n1 <n2 <n3, .

전술한 바와 같이, 어레이기판(100)은 기저기판인 반도체기판을 제거함으로써 플렉서블한 특성을 갖게 된다. 그리고, 형광체패널(200)은 플렉서블한 특성의 형광체층(210)을 사용함에 따라 플렉서블한 특성을 갖게 된다. 따라서, 디텍터(10)는 전체적으로 플렉서블한 특성을 갖게 되어, 투사 대상의 형상에 부합하는 형태로 구부러질 수 있게 된다.As described above, the array substrate 100 has a flexible characteristic by removing the semiconductor substrate which is the base substrate. In addition, the phosphor panel 200 has a flexible characteristic by using the phosphor layer 210 having a flexible characteristic. Therefore, the detector 10 has a flexible characteristic as a whole, and can be bent in a shape conforming to the shape of the projection target.

그리고, 형광체패널(200)은 구동소자층(140)이 형성된 면과 반대되는 면 측에 배치된다. 이에 따라, 수광소자(130)는 실질적으로 화소영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있게 되어 필팩터가 향상될 수 있게 된다. The phosphor panel 200 is disposed on the surface side opposite to the surface on which the driving element layer 140 is formed. Accordingly, the light receiving element 130 can be formed substantially throughout the pixel region, so that the fill factor can be improved.

한편, 디텍터(10)의 최외측 면에는 플렉서플한 특성의 제1 및 2폴리머층(160, 220)이 구성되어 있는데, 이는 디텍터(10)의 구부러짐에 의한 피로 최소화를 위한 역할을 하게 된다.The first and second polymer layers 160 and 220 are formed on the outermost surface of the detector 10 and serve to minimize fatigue caused by bending of the detector 10.

한편, 전술한 디텍터(10)의 피로 최소화와 관련하여, 연성을 갖는 물체가 휘어지는 방향에 따라 상하부에는 응력과 장력을 받게 되는데, 이때의 응력과 장력의 합이 0이 되는 중립 평면(neutral plane)이 형성되며, 해당 중립 평면에서는 물리적인 피로가 최소화된다.In relation to the fatigue minimization of the detector 10 described above, stress and tensile force are applied to the upper and lower portions depending on the direction in which the flexible object is bent. The neutral plane, in which the sum of the stress and the tension is zero, And physical fatigue is minimized in the neutral plane.

이와 같은 측면에서, 디텍터(10)의 피로 최소화를 위한 중립 평면은 디텍터(10)의 두께에 의해 결정되는바, 접착층(170, 230, 240)과 폴리머층(160, 220)의 두께는, 이를 제외한 구성요소로서 형광체층(210)과 반도체층(120)과 구동소자층(140)의 두께를 고려하여 결정될 수 있다.
The neutral plane for minimizing the fatigue of the detector 10 is determined by the thickness of the detector 10 so that the thickness of the adhesive layers 170, 230 and 240 and the polymer layers 160 and 220 is The thicknesses of the phosphor layer 210, the semiconductor layer 120, and the driving element layer 140 may be determined.

이하, 전술한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 디텍터를 제조하는 방법을 도 2를 참조하여 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a detector according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 2a 내지 2d는 본 발명의 실시예에 따른 디텍터를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.2A to 2D are cross-sectional views schematically showing a method of manufacturing a detector according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 2a를 참조하면, t의 두께를 갖는 반도체기판(110)의 상면에 에피택셜 성장을 통해 반도체층(120)을 형성하고, 순차적으로 수광소자(130), 구동소자층(140), 패드(150)를 형성한다. 2A, a semiconductor layer 120 is formed on an upper surface of a semiconductor substrate 110 having a thickness of t through epitaxial growth, and a light receiving element 130, a driving element layer 140, The pad 150 is formed.

여기서, 반도체기판(110)의 두께(t)는 대략 725um~750um일 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. Here, the thickness t of the semiconductor substrate 110 may be approximately 725 μm to 750 μm, but is not limited thereto.

한편, 반도체층(120)의 두께는 대략 10um~100um일 수 있으며, 보다 바람직하게는 대략 30um~50um일 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. On the other hand, the thickness of the semiconductor layer 120 may be approximately 10 um to 100 um, and more preferably approximately 30 um to 50 um, but is not limited thereto.

다음으로, 도 2b에 도시한 바와 같이, 반도체기판(110)을 배면 즉 제2면 측으로부터 제거하여, 어레이기판(100)에서 삭제한다. 반도체기판(110)의 제거는 여러가지 방법으로 수행될 수 있는데, 예를 들면, 기판을 기계적으로 갈아내는 그라인딩(grinding) 방법, CMP(chemical mechanical polishing) 방법 등이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.Next, as shown in FIG. 2B, the semiconductor substrate 110 is removed from the back surface, that is, from the second surface side, and is removed from the array substrate 100. Next, as shown in FIG. The removal of the semiconductor substrate 110 can be performed by various methods, for example, a grinding method for mechanically grinding the substrate, a chemical mechanical polishing (CMP) method, and the like can be used, but the present invention is not limited thereto .

한편, 반도체기판(110)을 제거하는 과정에서, 반도체층(120) 또한 일부 제거되어 그 두께가 감소될 수 있다.On the other hand, in the process of removing the semiconductor substrate 110, the semiconductor layer 120 may be partially removed to reduce its thickness.

다음으로, 도 2c를 참조하면, 반도체기판(110)이 제거된 상태의 어레이기판(100)의 상면에 제1폴리머층(160)을 부착하게 된다. 제1폴리머층(160)은 제1접착층(170)을 통해 부착될 수 있다.Next, referring to FIG. 2C, the first polymer layer 160 is attached to the upper surface of the array substrate 100 in a state where the semiconductor substrate 110 is removed. The first polymer layer 160 may be attached through the first adhesive layer 170.

여기서, 제1폴리머층(160)은, 어레이기판(100)을 형광체패널(200)과의 부착을 위하여 운반하는 과정에서 발생할 수 있는 취급 상의 손상을 방지하는 보호층으로서의 기능 또한 수행하게 된다. Here, the first polymer layer 160 also functions as a protective layer for preventing handling damage that may occur during the transportation of the array substrate 100 for attachment to the phosphor panel 200.

다음으로, 도 2d를 참조하면, 제1폴리머층(160)이 부착된 어레이기판(100)과 형광체패널(200)을 결합하게 된다.Next, referring to FIG. 2D, the phosphor panel 200 is coupled with the array substrate 100 to which the first polymer layer 160 is attached.

여기서, 형광체패널(200)은 어레이기판(100)과 별도로 제조되는데, 예를 들면, 형광체층(210)을 형성한 후 제3면 및 제4면 각각에 제2접착층 및 제3접착층(230, 240)을 형성하고, 제2폴리머층(220)을 제3접착층(240)을 통해 부착하게 된다. Here, the phosphor panel 200 is manufactured separately from the array substrate 100. For example, after the phosphor layer 210 is formed, a second adhesive layer and a third adhesive layer 230 are formed on the third surface and the fourth surface, respectively. 240, and the second polymer layer 220 is attached through the third adhesive layer 240.

이와 같이 제조된 형광체패널(200)은 제2접착층(230)을 통해 어레이기판(100)에 부착될 수 있게 된다. The phosphor panel 200 thus manufactured can be attached to the array substrate 100 through the second adhesive layer 230.

다음으로, 패드(150)에 대응하는 어레이기판(100) 부분을 제거하여 패드(150)를 외부로 노출하는 패드홀(310)을 형성한다. 이와 관련하여 예를 들면, 레이저 조사를 통해 어레이기판(100)의 표면 즉 입사면과 반대되는 면으로부터 패드(150)의 표면까지 제거하여 패드홀(310)을 형성할 수 있다. 다른 예로서, 포토리소그래피 공정을 통해 식각을 진행함으로써 패드홀(310)을 형성할 수도 있다. Next, the array substrate 100 corresponding to the pad 150 is removed to form a pad hole 310 for exposing the pad 150 to the outside. In this regard, for example, the surface of the array substrate 100, that is, the surface opposite to the incident surface may be removed from the surface of the pad 150 through laser irradiation to form the pad hole 310. As another example, the pad hole 310 may be formed by performing the etching through the photolithography process.

다음으로, 패드홀(310)을 통해 패드(150)와 접촉하는 단자전극(320)을 형성한다. Next, the terminal electrode 320 contacting the pad 150 is formed through the pad hole 310.

전술한 바와 같은 과정을 통해 본 발명의 실시예에 따른 디텍터(10)를 제조할 수 있게 된다.
The detector 10 according to the embodiment of the present invention can be manufactured through the process as described above.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 디텍터 제조과정에서 어레이기판의 기저기판으로 사용되는 반도체기판을 제거하게 된다. 이에 따라, 어레이기판 및 디텍터는 플렉서블 특성을 갖게 되어, 곡률 등 다양한 형태를 갖는 투과 대상에 대해 효과적으로 대응할 수 있게 된다.As described above, according to the embodiment of the present invention, the semiconductor substrate used as the base substrate of the array substrate is removed in the process of manufacturing the detector. As a result, the array substrate and the detector have flexible characteristics, so that it is possible to effectively cope with a transmission object having various forms such as a curvature.

또한, 형광체는 구동소자층이 형성된 면과 반대되는 면 측에 배치된다. 이에 따라, 수광소자는 실질적으로 화소영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있게 되어 필팩터가 향상될 수 있게 된다.
Further, the phosphor is disposed on the surface side opposite to the surface on which the driving element layer is formed. Thus, the light receiving element can be formed substantially throughout the pixel region, so that the fill factor can be improved.

전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The embodiment of the present invention described above is an example of the present invention, and variations are possible within the spirit of the present invention. Accordingly, the invention includes modifications of the invention within the scope of the appended claims and equivalents thereof.

10: 디텍터 100: 어레이기판
110: 반도체기판 120: 반도체층
130: 수광소자 140: 구동소자층
150: 패드 160: 제1폴리머층
170: 제1접착층 200: 형광체패널
210: 형광체층 220: 제2폴리머층
230: 제2접착층 240: 제3접착층
310: 패드홀 320: 단자전극10: Detector 100: Array substrate
110: semiconductor substrate 120: semiconductor layer
130: light receiving element 140: driving element layer
150: pad 160: first polymer layer
170: first adhesive layer 200: phosphor panel
210: phosphor layer 220: second polymer layer
230: second adhesive layer 240: third adhesive layer
310: pad hole 320: terminal electrode

Claims (3)

서로 대향하는 제1 및 2면을 갖는 반도체층과, 상기 반도체층의 제1면에 형성된 수광소자와, 상기 수광소자를 구동하는 구동소자가 구성된 구동소자층을 포함하는 어레이기판과;
서로 대향하는 제3 및 4면을 갖는 형광체층을 포함하며, 상기 형광체층의 제3면과 상기 반도체층의 제2면이 마주보도록 상기 반도체층과 결합하는 형광체패널을 포함하고,
상기 반도체층의 두께는 10~100um이며,
X선은 상기 형광체패널로부터 상기 어레이기판 방향으로 입사되고,
상기 구동소자층은 상기 X선의 입사 방향을 기준으로 상기 수광소자 후방에 위치하며,
상기 반도체층의 제1면 상에 부착된 제1폴리머층과,
상기 형광체층의 제4면에 부착된 제2폴리머층을 포함하는
디텍터.
An array substrate including a semiconductor layer having first and second surfaces facing each other, a light receiving element formed on a first surface of the semiconductor layer, and a driving element layer constituted by a driving element for driving the light receiving element;
And a phosphor panel coupled to the semiconductor layer such that a third surface of the phosphor layer and a second surface of the semiconductor layer face each other, wherein the phosphor layer includes third and fourth surfaces opposed to each other,
The thickness of the semiconductor layer is 10 to 100 mu m,
X-rays are incident from the phosphor panel toward the array substrate,
Wherein the driving element layer is positioned behind the light receiving element with respect to an incident direction of the X-ray,
A first polymer layer deposited on a first side of the semiconductor layer,
And a second polymer layer attached to a fourth surface of the phosphor layer
Detector.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 어레이기판은, 상기 반도체층의 제1면 상에 제1접착층을 통해 부착된 상기 제1폴리머층을 포함하고,
상기 형광체패널은, 상기 형광체층의 제4면에 제3접착층을 통해 부착된 상기 제2폴리머층을 포함하고,
상기 어레이기판과 형광체패널을 결합하는 제2접착층을 포함하는
디텍터.The method according to claim 1,
The array substrate comprising the first polymer layer attached through a first adhesive layer on a first side of the semiconductor layer,
The phosphor panel includes the second polymer layer attached to the fourth surface of the phosphor layer through a third adhesive layer,
And a second adhesive layer for bonding the array substrate and the phosphor panel
Detector.
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