KR101599798B1 - Substrate support plate for plasma processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명의 플라즈마 처리장치의 기판 재치대는, 기판(W)의 상부면을 노출시키는 복수의 개구부가 형성되며, 각각 기판 상부면의 가장자리 부분과 중첩되는 내주면 상단의 제1 걸림턱(120) 및 상기 제1 걸림턱 아래에서 소정의 높이 차를 두고 확장되는 제2 걸림턱(130)을 가지는 복수의 기판 수납틀(110)을 구비하며, 가장자리 둘레부(140)가 아래방향으로 연장되는 상판(100); 가장자리 부분이 상기 제2 걸림턱에 대향하도록 상기 기판의 직경보다 크게 형성되며, 냉각가스를 기판(W)의 밑면으로 공급할 수 있는 하나 이상의 냉각가스공급홀(215)이 구비된 복수의 융기부(210)를 구비하며, 상기 복수의 융기부(210) 이외의 부위에 하나 이상의 제1 개구부(220, 230)가 형성되며, 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 내측으로 삽입되어 체결수단에 의해 상기 상판(100)의 밑면에 고정되는 하판(200)을 포함하며, 상기 하판(200)의 복수의 융기부(210)의 각각의 상면의 가장자리를 따라 립씰(283)이 설치되며, 상기 립씰의 내측의 제1 씰링립(283a)은 상기 기판(W)의 밑면에 접촉되고 외측의 제2 씰링립(283b)은 상기 상판의 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 접촉된다.The substrate holder of the plasma processing apparatus of the present invention includes a plurality of openings exposing the upper surface of the substrate W and each having a first stopping jaw 120 at the upper end of the inner circumferential surface overlapping with the edge of the upper surface of the substrate, (110) having a second locking protrusion (130) extending below a first locking protrusion at a predetermined height difference, and the edge portion (140) of the upper panel ); And a plurality of ridges (not shown) provided with at least one cooling gas supply hole 215 formed to have an edge portion larger than the diameter of the substrate so as to face the second stopping jaw and capable of supplying cooling gas to the bottom surface of the substrate W And at least one first opening portion 220 and 230 is formed at a portion other than the plurality of protruding portions 210 and inserted into the peripheral portion 140 of the upper plate 100, And a lower plate 200 fixed to the bottom surface of the upper plate 100 by means of means such that lip seals 283 are provided along the edges of the upper surfaces of the plurality of ridges 210 of the lower plate 200, The first sealing lip 283a on the inner side of the lip seal is in contact with the bottom surface of the substrate W and the second sealing lip 283b on the outer side is in contact with the second engaging jaw 130 of the substrate receiving frame 110 of the top plate, .

Description

플라즈마 처리장치의 기판재치대{SUBSTRATE SUPPORT PLATE FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a plasma processing apparatus,

본 발명은 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 재치대의 상판을 효율적으로 냉각할 수 있는 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate table of a plasma processing apparatus, and more particularly, to a substrate table of a plasma processing apparatus capable of efficiently cooling an upper plate of a substrate table.

일반적으로 반도체칩이나, LED, 평판 디스플레이 장치의 제조에 있어서, 기판(또는 기판) 위에 박막을 형성하거나 원하는 패턴을 가공하기 위하여 플라즈마를 이용한 표면처리공정이 수행된다. 플라즈마를 이용한 표면처리의 대표적인 예로서, 금속유기 화학기상증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD) 공정과 플라즈마 식각(Plasma Etching) 공정을 들 수 있다.Generally, in the manufacture of semiconductor chips, LEDs, and flat panel display devices, a surface treatment process using plasma is performed to form a thin film on a substrate (or substrate) or to process a desired pattern. As a representative example of the surface treatment using plasma, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process and a plasma etching process are exemplified.

이러한 플라즈마 표면처리공정을 수행하는 플라즈마 처리장치는 공정챔버 내에 플라즈마에 의한 표면처리 대상이 되는 기판을 고정하는 재치대가 마련되어 있으며, 특히 생산성 향상을 위하여 다수의 기판을 동시에 고정하여 표면처리하는 형태의 재치대가 이용되고 있다. A plasma processing apparatus for performing such a plasma surface treatment process is provided with a table for fixing a substrate to be surface-treated by plasma in a process chamber. Particularly, in order to improve productivity, Is being used.

이러한 플라즈마를 이용한 표면처리가 대략 150℃ 정도의 고온 상태의 공정챔버 내에서 수행되므로, 재치대에 재치된 기판은 플라즈마의 열에 온도가 상승하게 되며, 그 온도가 일정한 수준을 넘어서게 되면 공정 불량 등이 발생될 수 있다. Since the surface treatment using the plasma is performed in a process chamber at a high temperature of about 150 ° C, the temperature of the substrate placed on the table is raised to the plasma temperature. If the temperature exceeds a certain level, Lt; / RTI >

이와 같은 문제점을 감안하여, 도 1에 도시된 바와 같이, 한국 등록특허 제10-0734016호에서는 기판재치대에 유로(7a, 7b, 7c)를 형성하여 냉각가스를 공급함으로써 기판의 온도를 일정 범위 내에서 유지하는 구조를 개시하고 있다. 이때의 재치대는 척의 상부에 위치하는 하판(7)과 상기 하판의 상면에 결합되어 기판(W)의 상면을 노출시키며 상기 하판과는 이격되어 하판을 통해 공급되는 냉각 가스가 기판(W)의 저면에 공급될 수 있도록 하는 상판(8)이 마련되어 있다. 상기 상판과 하판은 볼트 등에 의해 서로 결합되며, 그 사이에 냉각가스의 공급을 제한하는 다수의 O-링(9)을 두고 있다. 다수의 O-링에 의해 상기 하판(7)의 유로(7a, 7b, 7c)를 통해 공급된 냉각가스가 기판(W)의 배면에 접하도록 공급될 수 있으나, 다수의 O-링에 의하여 상기 상판(8)의 하부로는 냉각가스가 공급될 수 없어서 상판(8)의 온도상승을 막을 수 없었다. 상기 상판의 온도 상승은 기판(W)의 상면(8)을 노출시키는 상판의 개구부(8a) 주변의 기판 온도를 불균일하게 만들게 되어, 플라즈마 에칭을 위해 기판에 형성한 포토레지스트 패턴의 불균일한 경화나 버닝(burning) 현상이 발생하게 되어 공정 불량을 유발할 수 있다.1, in Korean Patent No. 10-0734016, channels 7a, 7b, and 7c are formed on a substrate mounting table and a cooling gas is supplied to adjust the temperature of the substrate to a predetermined range In the case of the above-described structure. At this time, the mounting table is coupled to the upper surface of the lower plate 7 and the lower plate 7 located on the upper surface of the chuck so as to expose the upper surface of the substrate W. The cooling gas supplied through the lower plate, And the upper plate 8 is provided to be able to be supplied to the upper plate 8. The upper plate and the lower plate are coupled to each other by bolts or the like, and a plurality of O-rings 9 for restricting the supply of the cooling gas are disposed therebetween. The cooling gas supplied through the flow paths 7a, 7b and 7c of the lower plate 7 by a plurality of O-rings can be supplied so as to be in contact with the rear surface of the substrate W, The cooling gas could not be supplied to the lower portion of the upper plate 8, so that the temperature rise of the upper plate 8 could not be prevented. The temperature rise of the upper plate causes unevenness of the substrate temperature around the opening 8a of the upper plate 8 which exposes the upper surface 8 of the substrate W. This causes uneven curing of the photoresist pattern formed on the substrate for plasma etching Burning phenomenon may occur and process failure may be caused.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같은 한국 등록특허 제10-1228484호에서는 기판(W)이 상부에 재치되며, 척(10)을 통해 공급되는 냉각가스를 상기 기판의 배면측으로 공급하는 제1 냉각가스공급관(21)과 냉각가스를 상판(30)의 배면측으로 공급하는 제2 냉각가스공급관(22)을 구비하는 하판(20)과, 상기 하판의 배면측에서 수용하여 상기 기판의 상면을 노출시키는 개구부(33)가 마련되며, 상기 하판(20)의 측면과의 사이에서 상기 냉각가스가 공급되는 유로(31)를 형성하는 상판(30)과, 상기 하판(20)에 고정되어 상기 기판(W)과 상기 상판(30) 사이를 실링하는 실링부재(40)를 포함하는 플라즈마 처리장치용 기판 재치대를 개시하고 있다. 상기 한국 등록특허 제10-1228484호는 기판(W)이 실장되는 하판(20)과 기판을 고정하는 상판(30)의 사이에도 냉각가스가 공급되도록 하여 기판(W)의 온도 균일성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In order to solve such a problem, in Korean Patent No. 10-1228484 as shown in FIGS. 2 and 3, a substrate W is placed on the upper part, and a cooling gas supplied through the chuck 10 is supplied to the substrate A lower plate 20 having a first cooling gas supply pipe 21 for supplying the cooling gas to the back side and a second cooling gas supply pipe 22 for supplying the cooling gas to the back side of the upper plate 30; An upper plate 30 provided with an opening 33 for exposing an upper surface of the substrate and forming a flow path 31 through which the cooling gas is supplied between the lower plate 20 and the side surface of the lower plate 20, And a sealing member (40) fixed to the substrate (W) and sealing the space between the substrate (W) and the upper plate (30). Korean Patent No. 10-1228484 discloses an apparatus and method for supplying a cooling gas between a lower plate 20 on which a substrate W is mounted and an upper plate 30 for fixing the substrate to improve the temperature uniformity of the substrate W There is an effect that can be.

그러나, 상기 한국 등록특허 제10-1228484호의 플라즈마 처리장치용 기판 재치대에서는 하판(20)에 형성된 제2 냉각가스공급관(22)과 하판(20)의 측면과 상판(30) 사이에 형성된 유로(31)를 통하여 공급되는 냉각가스에 의해 상판을 냉각하고 있으나, 하판 위에 기판을 배치하고 상판을 결합하는 재치대의 구조상, 하판 측면과 상판 사이의 유로(31)는 크게 형성하기 어렵기 때문에 상판의 냉각 효율이 떨어지는 문제가 있다. 또한, 하판내에 형성된 제2 냉각가스공급관(22)을 크게 형성할 경우에는 상판(30)의 냉각효율이 증대될 수 있으나, 제2 냉각가스공급관(22)으로 유동되는 냉각가스량이 증대하여 O-링(40)에 과도한 가스압이 작용하여 냉각가스가 공정챔버내로 누출될 우려가 있다.However, in the substrate mounting table for a plasma processing apparatus of the Korean Patent No. 10-1228484, the second cooling gas supply pipe 22 formed on the lower plate 20, the flow path formed between the side surface of the lower plate 20 and the upper plate 30 31, the flow path 31 between the lower plate side and the upper plate is difficult to form largely due to the structure of the mounting table in which the substrate is disposed on the lower plate and the upper plate is coupled to the lower plate. There is a problem of inefficiency. When the second cooling gas supply pipe 22 formed in the lower plate is formed large, the cooling efficiency of the top plate 30 can be increased. However, the amount of the cooling gas flowing into the second cooling gas supply pipe 22 increases, There is a fear that excessive gas pressure acts on the ring 40 and the cooling gas leaks into the process chamber.

본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 냉각가스가 플라즈마 처리공정챔버내로 누출될 우려를 없애면서 상판을 냉각가스에 의해 효율적으로 냉각시킬 수 있는 플라즈마 처리장치의 기판 재치대를 제공하는 것에 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide a substrate mounting table of a plasma processing apparatus capable of efficiently cooling a top plate by a cooling gas while eliminating the risk of a cooling gas leaking into a plasma processing process chamber There is a purpose in.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대는, 기판의 상부면을 노출시키는 복수의 개구부가 형성되며, 각각 기판 상부면의 가장자리 부분과 중첩되는 내주면 상단의 제1 걸림턱 및 상기 제1 걸림턱 아래에서 소정의 높이 차를 두고 확장되는 제2 걸림턱을 가지는 복수의 기판 수납틀을 구비하며, 가장자리 둘레부가 아래방향으로 연장되는 상판; 가장자리 부분이 상기 제2 걸림턱에 대향하도록 상기 기판의 직경보다 크게 형성되며, 냉각가스를 기판의 밑면으로 공급할 수 있는 하나 이상의 냉각가스공급홀이 구비된 복수의 융기부를 구비하며, 상기 복수의 융기부 이외의 부위에 하나 이상의 제1 개구부가 형성되며, 상기 상판의 가장자리 둘레부의 내측으로 삽입되어 체결수단에 의해 상기 상판의 밑면에 고정되는 하판을 포함하며, 상기 하판의 복수의 융기부의 각각의 상면의 가장자리를 따라 립씰(Lip Seal)이 설치되며, 상기 립씰의 내측의 제1 씰링립은 상기 기판의 밑면에 접촉되고 외측의 제2 씰링립은 상기 상판의 기판 수납틀의 제2 걸림턱에 접촉된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising a substrate table having a plurality of openings exposing an upper surface of a substrate, An upper plate having a first latching jaw and a plurality of substrate holding frames having a second latching jaw extending under a predetermined height difference below the first latching jaw, the peripheral edge portion extending downward; And a plurality of ridges formed to be larger than the diameter of the substrate so that an edge portion thereof faces the second stopping jaw and having at least one cooling gas supply hole capable of supplying a cooling gas to the bottom surface of the substrate, And at least one first opening formed in a portion other than the base, and a lower plate inserted into the periphery of the upper edge of the upper plate and fixed to the lower surface of the upper plate by fastening means, Wherein the first sealing lip on the inner side of the lip seal is in contact with the bottom surface of the substrate and the second sealing lip on the outer side is in contact with the second latching jaw of the substrate receiving frame of the upper plate, do.

상기 본 발명의 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에서는, 상기 하판의 복수의 융기부의 각각의 상면의 가장자리에는 립씰을 장착하기 위한 립씰 수용홈이 구비될 수 있다.In the substrate mounting table of the plasma processing apparatus of the present invention, the lip seal receiving grooves for mounting the lip seal may be provided on the edge of the upper surface of each of the plurality of raised portions of the lower plate.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대는, 기판의 상부면을 노출시키는 복수의 개구부가 형성되며, 각각 기판 상부면의 가장자리 부분과 중첩되는 내주면 상단의 제1 걸림턱 및 상기 제1 걸림턱 아래에서 소정의 높이 차를 두고 확장되는 제2 걸림턱을 가지는 복수의 기판 수납틀을 구비하며, 가장자리 둘레부가 아래방향으로 연장되는 상판; 가장자리 부분이 상기 제2 걸림턱에 대향하도록 상기 기판의 직경보다 크게 형성되며, 냉각가스를 기판의 밑면으로 공급할 수 있는 하나 이상의 냉각가스공급홀이 구비된 복수의 융기부를 구비하며, 상기 복수의 융기부 이외의 부위에 하나 이상의 개구부가 형성되며, 상기 상판의 가장자리 둘레부의 내측으로 삽입되어 체결수단에 의해 상기 상판의 밑면에 고정되는 하판을 포함하며, 상기 하판의 복수의 융기부의 각각의 상면의 가장자리에는 서로 나란하게 형성되는 2개의 O-링 수용홈이 구비되며, 상기 2개의 O-링 수용홈에 각각 2개의 O-링이 장착된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate holder for a plasma processing apparatus, comprising: a plurality of openings exposing an upper surface of a substrate, each of the openings having a first engaging jaw at an upper end of an inner circumferential surface, An upper plate having a plurality of substrate holding frames each having a second latching jaw extending under a predetermined height difference below the first latching jaw, the peripheral edges extending downward; And a plurality of ridges formed to be larger than the diameter of the substrate so that an edge portion thereof faces the second stopping jaw and having at least one cooling gas supply hole capable of supplying a cooling gas to the bottom surface of the substrate, And at least one opening formed in a portion other than the base, the lower plate being inserted into the inner periphery of the upper edge of the upper plate and fixed to the lower surface of the upper plate by fastening means, wherein the edge of each upper surface of the plurality of raised portions Two O-ring receiving grooves formed in parallel with each other, and two O-rings are respectively mounted in the two O-ring receiving grooves.

상기 본 발명의 다른 살시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에서는, 상기 2개의 O-링 수용홈 중 내측의 O-링 수용홈은 상기 기판의 가장자리와 중첩되는 상기 제1 걸림턱과 대향하는 위치에 형성되고, 외측의 O-링 수용홈은 상기 제2 걸림턱과 대향하는 위치에 형성될 수 있다.In the substrate mounting table of the plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the inner O-ring receiving groove of the two O-ring receiving grooves is opposed to the first holding jaw which overlaps the edge of the substrate And the O-ring receiving groove on the outer side may be formed at a position facing the second stopping jaw.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대는, 기판의 상부면을 노출시키는 복수의 개구부가 형성되며, 각각 기판 상부면의 가장자리 부분과 중첩되는 내주면 상단의 제1 걸림턱 및 상기 제1 걸림턱 아래에서 소정의 높이 차를 두고 확장되는 제2 걸림턱을 가지는 복수의 기판 수납틀을 구비하며, 가장자리 둘레부가 아래방향으로 연장되는 상판; 가장자리 부분이 상기 제2 걸림턱에 대향하도록 상기 기판의 직경보다 크게 형성되며, 냉각가스를 기판의 밑면으로 공급할 수 있는 하나 이상의 냉각가스공급홀이 구비되며, 상면에 가장자리를 따라 립씰이 각각 설치되는 복수의 커버 플레이트; 및 상기 복수의 커버 플레이트에 대향하는 부위에는 복수의 제2 개구부가 형성되며, 상기 복수의 커버 플레이트에 대향하지 않는 부위에 하나 이상의 제1 개구부가 형성되며, 상기 상판의 가장자리 둘레부의 내측으로 삽입되어 체결수단에 의해 상기 상판의 밑면에 고정되는 하판을 포함하며, 상기 커버 플레이트의 상기 립씰의 내측의 제1 씰링립은 상기 기판의 밑면에 접촉되고 외측의 제2 씰링립은 상기 상판의 기판 수납틀의 제2 걸림턱에 접촉된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate mounting table for a plasma processing apparatus, comprising: a plurality of openings exposing an upper surface of a substrate; And a plurality of substrate holding frames each having a second locking protrusion extending under a predetermined height difference from the first locking protrusions, wherein the peripheral edge portion extends in a downward direction; Wherein at least one cooling gas supply hole is formed which is larger than the diameter of the substrate so that the edge portion faces the second stopping jaw and can supply the cooling gas to the bottom surface of the substrate, A plurality of cover plates; And a plurality of second openings formed in a portion opposed to the plurality of cover plates, wherein at least one first opening is formed in a portion not opposed to the plurality of cover plates, and inserted into an edge of the periphery of the top plate Wherein the first sealing lip on the inner side of the lip seal of the cover plate is in contact with the bottom surface of the substrate and the second sealing lip on the outer side of the cover plate is in contact with the bottom surface of the substrate holding frame As shown in Fig.

상기 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에서는, 상기 커버 플레이트의 상면의 가장자리에는 립씰을 장착하기 위한 립씰 수용홈이 구비될 수 있다.In the substrate mounting table of the plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention, a lip seal receiving groove for mounting the lip seal may be provided at an edge of the upper surface of the cover plate.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대는, 기판의 상부면을 노출시키는 복수의 개구부가 형성되며, 각각 기판 상부면의 가장자리 부분과 중첩되는 내주면 상단의 제1 걸림턱 및 상기 제1 걸림턱 아래에서 소정의 높이 차를 두고 확장되는 제2 걸림턱을 가지는 복수의 기판 수납틀을 구비하며, 가장자리 둘레부가 아래방향으로 연장되는 상판; 가장자리 부분이 상기 제2 걸림턱에 대향하도록 상기 기판의 직경보다 크게 형성되며, 냉각가스를 기판의 밑면으로 공급할 수 있는 하나 이상의 냉각가스공급홀이 구비되는 복수의 커버 플레이트; 및 상기 복수의 커버 플레이트에 대향하는 부위에는 복수의 제2 개구부가 형성되며, 상기 복수의 커버 플레이트에 대향하지 않는 부위에 하나 이상의 제1 개구부가 형성되며, 상기 상판의 가장자리 둘레부의 내측으로 삽입되어 체결수단에 의해 상기 상판의 밑면에 고정되는 하판을 포함하며, 상기 커버 플레이트의 각각의 상면의 가장자리에는 서로 나란하게 형성되는 2개의 O-링 수용홈이 구비되며, 상기 2개의 O-링 수용홈에 각각 2개의 O-링이 장착될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate mounting table for a plasma processing apparatus, comprising: a plurality of openings exposing an upper surface of a substrate; And a plurality of substrate holding frames each having a second locking protrusion extending under a predetermined height difference from the first locking protrusions, wherein the peripheral edge portion extends in a downward direction; A plurality of cover plates each having an edge portion larger than the diameter of the substrate so as to face the second stopping jaw and having at least one cooling gas supply hole capable of supplying a cooling gas to the bottom surface of the substrate; And a plurality of second openings formed in a portion opposed to the plurality of cover plates, wherein at least one first opening is formed in a portion not opposed to the plurality of cover plates, and inserted into an edge of the periphery of the top plate And a lower plate fixed to a bottom surface of the upper plate by fastening means, wherein two O-ring receiving grooves are formed at the edge of each upper surface of the cover plate so as to be parallel to each other, Two O-rings may be respectively mounted on the O-rings.

상기 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 재치대에서는, 상기 2개의 O-링 수용홈 중 내측의 O-링 수용홈은 상기 기판의 가장자리와 중첩되는 상기 제1 걸림턱과 대향하는 위치에 형성되고, 외측의 O-링 수용홈은 상기 제2 걸림턱과 대향하는 위치에 형성될 수 있다.In the substrate mounting table according to another embodiment of the present invention, the inner O-ring receiving groove of the two O-ring receiving grooves is formed at a position facing the first holding jaw to be overlapped with the edge of the substrate And the O-ring receiving groove on the outer side may be formed at a position facing the second engaging jaw.

상기한 바와 같은 본 발명에 의하면, 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 상판이 하판의 개구부를 통하여 노출되어 냉각가스에 의해 상판의 노출부가 직접 냉각되어 상판 전체를 용이하게 냉각시킬 수 있으므로, 상판의 냉각효율이 증대되어 기판의 온도 균일성이 향상되어 플라즈마 처리의 공정불량 발생이 방지될 수 있다.According to the present invention as described above, the upper plate of the substrate table of the plasma processing apparatus is exposed through the opening of the lower plate, and the exposed portion of the upper plate is directly cooled by the cooling gas to easily cool the entire upper plate. The temperature uniformity of the substrate is improved, and the occurrence of process defects in the plasma processing can be prevented.

또한, 본원 발명에서는 상판의 하부면에 냉각가스를 직접 공급하여 상판을 냉각하는 방식이 아니므로, 상판을 냉각시키는 냉각가스가 공정챔버내로 누출될 우려가 감소된다. Further, in the present invention, since the cooling gas is directly supplied to the lower surface of the upper plate to cool the upper plate, the possibility that the cooling gas for cooling the upper plate leaks into the process chamber is reduced.

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치용 재치대를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 종래의 다른 플라즈마 처리장치용 재치대를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 종래의 다른 플라즈마 처리장치용 재치대의 개략적인 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에 기판이 장착된 상태를 상부에서 바라본 사시도이다.
도 5는 도 4의 B-B선을 따라 플라즈마 처리장치의 기판 재치대를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 4의 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 상판의 저면 사시도이다.
도 7은 도 4는 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 하판의 상부 사시도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에 기판이 장착된 상태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에 기판이 장착된 상태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10은 도 9의 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 커버 플레이트의 분해 사시도이다.
도 11은 도 9의 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 하판의 상부 사시도이다.
도 10은 도 9의 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 커버 플레이트의 분해 사시도이다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에 기판이 장착된 상태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 13은 도 12의 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 커버 플레이트의 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a mount for a conventional plasma processing apparatus.
2 is a cross-sectional view schematically showing a mounting table for another conventional plasma processing apparatus.
Fig. 3 is a schematic exploded perspective view of a mounting table for another conventional plasma processing apparatus of Fig. 2; Fig.
FIG. 4 is a perspective view of the substrate mounting table of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention as viewed from above. FIG.
5 is a cross-sectional view schematically showing a substrate mounting table of the plasma processing apparatus along the line BB in Fig.
6 is a bottom perspective view of a top plate of a substrate mounting table of the plasma processing apparatus of FIG.
Fig. 7 is an upper perspective view of the lower plate of the substrate mounting table of the plasma processing apparatus. Fig.
8 is a cross-sectional view schematically showing a state where a substrate is mounted on a substrate table of a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view schematically showing a state where a substrate is mounted on a substrate table of a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
10 is an exploded perspective view of a cover plate of the substrate mounting table of the plasma processing apparatus of FIG.
11 is a top perspective view of the lower plate of the substrate mounting table of the plasma processing apparatus of Fig.
10 is an exploded perspective view of a cover plate of the substrate mounting table of the plasma processing apparatus of FIG.
12 is a cross-sectional view schematically showing a state where a substrate is mounted on a substrate table of a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
13 is an exploded perspective view of the cover plate of the substrate mounting table of the plasma processing apparatus of Fig.

상술한 본 발명의 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 실시 예를 통하여 보다 분명해질 것이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the present invention when taken in conjunction with the accompanying drawings.

이하의 특정한 구조 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서 또는 출원에 설명된 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.It is to be understood that the following specific structure or functional description is illustrative only for the purpose of describing an embodiment in accordance with the concepts of the present invention and that embodiments in accordance with the concepts of the present invention may be embodied in various forms, It should not be construed as limited to the embodiments.

본 발명의 개념에 따른 실시 예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정 실시 예들은 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태에 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments according to the concept of the present invention can make various changes and have various forms, so that specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in this specification or application. However, it should be understood that the embodiments according to the concept of the present invention are not intended to limit the present invention to specific modes of operation, but include all changes, equivalents and alternatives included in the spirit and scope of the present invention.

제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소는 제1 구성 요소로도 명명될 수 있다. The terms first and / or second etc. may be used to describe various components, but the components are not limited to these terms. The terms may be named for the purpose of distinguishing one element from another, for example, without departing from the scope of the right according to the concept of the present invention, the first element being referred to as the second element, The second component may also be referred to as a first component.

어떠한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어 있다"거나 "접속되어 있다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떠한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어 있다"거나 또는 "직접 접속되어 있다"고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하기 위한 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 인접하는"과 "∼에 직접 인접하는" 등의 표현도 마찬가지로 해석되어야 한다.Whenever an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but there may be other elements in between It should be understood. On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Other expressions for describing the relationship between components, such as "between" and "between" or "adjacent to" and "directly adjacent to" should also be interpreted.

본 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설명된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. It is to be understood that the terms such as " comprises "or" having "in this specification are intended to specify the presence of stated features, integers, But do not preclude the presence or addition of steps, operations, elements, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning of the context in the relevant art and, unless explicitly defined herein, are to be interpreted as ideal or overly formal Do not.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명하도록 한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

도 4에는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에 기판이 장착된 상태를 상부에서 바라본 사시도가 도시되어 있고, 도 5에는 도 4의 B-B선을 따라 도시한 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 개략적인 단면도가 도시되어 있고, 도 6 및 도 7에는 도 4의 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 상판의 저면 사시도 및 하판의 상부 사시도가 도시되어 있다.4 is a perspective view of the substrate mounting table of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention as viewed from above, and FIG. 5 is a sectional view of the plasma processing apparatus shown in FIG. 6 and 7 show a bottom perspective view and a top perspective view of the lower plate of the substrate table of the plasma processing apparatus of Fig. 4, respectively.

본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대는, 도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 복수의 기판 수납틀(110)을 구비하는 상판(100)과, 각각의 상판(100)의 기판 수납틀(110)에 수납된 기판(W)을 하부에서 상측으로 떠받치도록 위치되는 복수의 융기부(210)가 구비된 하판(200)을 포함하며, 하판(200)은 나사 또는 볼트와 같은 체결수단에 의해 상판(100)의 밑면에 고정된다.4 to 7, the substrate holder of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention includes an upper plate 100 having a plurality of substrate holding frames 110, And a lower plate 200 provided with a plurality of raised portions 210 positioned to hold the substrate W housed in the substrate holding frame 110 of the lower substrate 200 from the lower side to the upper side, And is fixed to the bottom surface of the upper plate 100 by fastening means such as bolts.

상판(100)에 구비되는 각각의 기판 수납틀(110)은 플라즈마 처리될 기판(W)의 형상에 대응하도록 형성되는 것으로서, 수납될 기판(W)의 형상에 따라 형상이 변경될 수 있으며, 기판(W)의 크기에 따라 하나의 상판(100)에 구비되는 기판 수납틀(110)의 수가 변경될 수 있다. 각각의 기판 수납틀(110)은 도 6에 도시된 바와 같이, 상판(100)을 상하로 관통하는 개구부가 형성되며, 각각 기판(W)의 상부면의 가장자리 부분과 중첩되는 내주면 상단의 제1 걸림턱(120) 및 상기 제1 걸림턱 아래에서 소정의 높이(대략 기판(W)의 두께) 차를 두고 바깥쪽으로 확장되는 제2 걸림턱(130)을 구비한다. 상기 제1 걸림턱(120)과 상기 제2 걸림턱(130)의 구조는 도 6의 C-C 단면도에 보다 명확히 도시되었다. 또한, 상판(100)은 그 가장자리 둘레부(140)가 아래방향으로 연장되는 형상으로 이루어진다.Each of the substrate housing frames 110 provided in the upper plate 100 is formed to correspond to the shape of the substrate W to be plasma processed and may be changed in shape depending on the shape of the substrate W to be housed, The number of substrate receiving frames 110 provided in one upper plate 100 can be changed according to the size of the wafer W. As shown in FIG. 6, each of the substrate holding frames 110 is provided with an opening passing through the upper plate 100 in the upper and lower directions, And a second latching jaw 130 extending outwardly with a predetermined height (a thickness of the substrate W) under the latching jaw 120 and below the first latching jaw. The structure of the first latching jaw 120 and the second latching jaw 130 is more clearly shown in the cross-sectional view taken along the line C-C of FIG. Also, the top plate 100 has a shape in which the peripheral edge portion 140 extends downward.

구체적으로, 제1 걸림턱(120)의 내측의 개구부의 직경이 기판(W)은 직경보다 작게 형성되고, 제1 걸림턱의 외측벽의 직경은 기판(W)의 직경보다 약간 크게 형성된다.Specifically, the diameter of the opening on the inner side of the first latching jaw 120 is smaller than the diameter of the substrate W, and the diameter of the outer wall of the first latching jaw is formed to be slightly larger than the diameter of the substrate W.

그리고, 기판(W)의 밑면을 상측으로 떠받치는 하판(200)의 융기부(210)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 가장자리 부분이 상기 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 중첩되도록 기판(W)의 직경보다 크게 형성되는 것으로서, 헬륨(He) 가스 등의 냉각가스를 기판(W)의 밑면으로 공급할 수 있는 하나 이상의 냉각가스공급홀(215)을 구비한다. 이에 따라, 척(400) 내에 형성된 냉각가스공급로(470)를 통해 공급되는 냉각가스가 상기 냉각가스공급홀(215)을 통하여 기판(W)의 밑면으로 공급되어 기판을 냉각하여 기판의 온도 균일성을 향상시키게 된다.7, the ridge portion 210 of the lower plate 200 supporting the lower surface of the substrate W upwardly contacts the second latching jaw 130 of the substrate storage frame 110 And one or more cooling gas supply holes 215 capable of supplying a cooling gas such as helium (He) gas to the bottom surface of the substrate W. The cooling gas supplied through the cooling gas supply path 470 formed in the chuck 400 is supplied to the bottom surface of the substrate W through the cooling gas supply hole 215 to cool the substrate, It improves the sex.

또한, 융기부(210)의 상면 가장자리에는 2개의 씰링립(283a, 283b)를 가진 립씰(283)이 설치된다. 상기 립씰(283)의 내측의 제1 씰링립(283a)은 기판(W)의 밑면에 접촉되고, 외측의 제2 씰링립(283b)은 상판(100)의 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 접촉된다. 따라서, 기판(W)의 밑면에 접촉되는 내측의 제1 씰링립(283a)은 기판(W)의 밑면과 융기부(210)의 상면 사이에서 냉각가스공급홀(215)을 통해 기판(W)의 밑면 측으로 공급되는 냉각가스가 과도하게 플라즈마 공정챔버내로 혼입되는 것을 방지하며, 상판(100)의 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 접촉되는 제2 씰링립(283b)은 융기부(210)의 측면과 기판 수납틀(110)의 내주면 사이의 틈을 통하여 유동하는 냉각가스가 과도하게 플라즈마 공정챔버내로 혼입되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 하판(200)의 융기부(210)의 측면과 기판 수납틀(110)의 내주면 사이를 통하여 흘러들어간 냉각가스가 상판(100)의 가장자리의 내측을 통하여 과도하게 플라즈마 공정챔버내로 혼입되는 것을 방지할 필요가 있다. 이를 위하여, 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)는 하판의 저면까지 연장되고, 기판(W)이수납된 재치대를 척(400) 위에 배치할 때 재치대와 척(400) 사이에 2중 립씰(480)을 설치하며, 상기 립씰의 내측의 제1 씰링립(480a)은 상기 하판(200)의 저면에 접촉되고 외측의 제2 씰링립(480b)은 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 하단부에 접촉된다. 상기 립씰(283, 480)은 내열성, 내화학성 및 내구성이 우수한 NBR, 실리콘, 우레탄, 테프론(Tefron) 등으로 제조될 수 있다.Further, a lip seal 283 having two sealing lips 283a and 283b is provided on the upper surface of the ridge 210. The first sealing lip 283a on the inner side of the lip seal 283 contacts the bottom surface of the substrate W and the outer second sealing lip 283b contacts the bottom surface of the second And is brought into contact with the stopping jaw 130. The inner first sealing lip 283a contacting the bottom surface of the substrate W is positioned between the bottom surface of the substrate W and the upper surface of the protrusion 210 through the cooling gas supply hole 215, The second sealing lip 283b that prevents the cooling gas supplied to the bottom side of the top plate 100 from being excessively mixed into the plasma processing chamber and contacts the second stopping jaw 130 of the substrate receiving frame 110 of the top plate 100 The cooling gas flowing through the gap between the side surface of the protrusion 210 and the inner circumferential surface of the substrate receiving frame 110 can be prevented from being excessively mixed into the plasma processing chamber. In addition, the cooling gas flowing through between the side surface of the protruding portion 210 of the lower plate 200 and the inner peripheral surface of the substrate receiving frame 110 is excessively mixed into the plasma processing chamber through the inside of the edge of the upper plate 100 It is necessary to prevent it. The peripheral edge portion 140 of the upper plate 100 extends to the bottom surface of the lower plate and is provided between the table 400 and the table 400 when the table on which the substrate W is accommodated is placed on the chuck 400. [ The first sealing lip 480a on the inner side of the lip seal is in contact with the bottom surface of the lower plate 200 and the second sealing lip 480b on the outer side is in contact with the peripheral edge of the upper plate 100, (140). The lip seals 283 and 480 may be made of NBR, silicone, urethane, or Teflon, which are excellent in heat resistance, chemical resistance, and durability.

또한, 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 하판(200)의 복수의 융기부(210)의 각각의 상면의 가장자리에는 립씰(283)을 안정되게 장착하기 위하여 립씰 수용홈(213)이 구비될 수 있다.5 and 7, in order to stably mount the lip seal 283 on the edge of each upper surface of the plurality of raised portions 210 of the lower plate 200 of the substrate table of the plasma processing apparatus, A lip seal receiving groove 213 may be provided.

본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에서는, 먼저 상판(100)의 밑면이 상측을 향하도록 뒤집은 상태로 준비한 다음에, 상판(100)의 복수의 기판 수납틀(110)에 복수의 기판(W)을 배열한다. 그 다음에, 하판(200)의 복수의 융기부(210)를 상판(100)의 복수의 기판 수납틀(110)에 맞춰서 삽입한 다음에(도 5 참조), 예를 들어, 복수의 나사 또는 볼트(미도시)를 상판의 암나사홀(151)에 체결하여 하판(200)을 상판(100)에 고정할 수 있다. 여기서, 하판(200)을 상판(100)에 고정하는 방법은 공지의 다른 방법들이 이용될 수 있으며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.The substrate mounting table of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention is prepared by first reversing the bottom plate of the top plate 100 so as to face upward, A plurality of substrates W are arranged. Next, a plurality of protruding portions 210 of the lower plate 200 are inserted into the plurality of substrate receiving frames 110 of the upper plate 100 (see FIG. 5), and then, for example, The lower plate 200 can be fixed to the upper plate 100 by fastening a bolt (not shown) to the female screw hole 151 of the upper plate. Here, other known methods may be used for fixing the lower plate 200 to the upper plate 100, and a detailed description thereof will be omitted.

이와 같이 상판의 복수의 기판 수납틀에 복수의 기판을 배열한 다음 하판을 상판에 조립한 재치대는 플라즈마 처리장치의 공정챔버내에서 척(400) 위에 배치된다. 이때, 냉각가스가 상판(100)의 가장자리의 내측을 통하여 과도하게 공정챔버내로 혼입되는 것을 방지하기 위하여, 재치대와 척(400) 사이에는 2중 립씰(480)을 설치한다. 상기 립씰의 내측의 제1 씰링립(480a)은 상기 하판(200)의 저면에 접촉되고, 외측의 제2 씰링립(480b)은 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 하단부에 접촉된다.A plurality of substrates are arranged on a plurality of substrate housing frames of the upper plate and the lower plate is assembled to the upper plate is placed on the chuck 400 in the process chamber of the plasma processing apparatus. At this time, a double lip seal 480 is provided between the mounting table and the chuck 400 to prevent the cooling gas from being excessively mixed into the process chamber through the inside of the edge of the top plate 100. The first sealing lip 480a on the inner side of the lip seal is in contact with the bottom surface of the lower plate 200 and the outer second sealing lip 480b is in contact with the lower end of the peripheral edge portion 140 of the upper plate 100 do.

다음에, 도 8을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치 재치대에 대하여 설명한다.Next, referring to Fig. 8, a description will be given of a plasma processing apparatus base according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제1 실시예에서는, 하판(200)의 복수의 융기부(210)의 각각의 상면과 기판(W)의 저면 및 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130) 사이를 실링하기 위하여 립씰(283)을 설치하지만, 도 8에 도시된 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에서는 복수의 O-링(280, 282)을 설치한다. 제2 실시예는 제1 실시예에서의 립씰(283) 대신에 복수의 O-링(280, 282)을 설치하는 것을 제외하고는, 나머지 다른 구성요소들은 제1 실시예와 동일하므로, 이하에서는 제2 실시예의 하판(200)의 복수의 융기부(210)의 각각의 상면과 기판(W)의 저면 및 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130) 사이를 실링하는 복수의 O-링(280, 282) 구조에 대하여만 설명한다.The upper surface of each of the plurality of raised portions 210 of the lower plate 200 and the lower surface of the substrate W and the second engaging jaw 130 of the substrate receiving frame 110 are sealed A plurality of O-rings 280 and 282 are provided in the substrate table of the plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. The second embodiment is the same as the first embodiment except that a plurality of O-rings 280 and 282 are provided in place of the lip seal 283 in the first embodiment, A plurality of O-rings sealing the upper surface of each of the plurality of protrusions 210 of the lower plate 200 of the second embodiment, the bottom surface of the substrate W, and the second stopping jaw 130 of the substrate storage frame 110, Only the structures of the rings 280 and 282 will be described.

본 발명의 제2 실시예의 기판 재치대의 융기부(210)의 상면 가장자리에는 서로 나란하게 형성되는 2개의 O-링 수용홈(211, 212)이 구비되며, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 2개의 O-링 수용홈 중 내측의 O-링 수용홈(212)은 기판(W)의 가장자리와 중첩되는 제1 걸림턱(120)과 대향하는 위치에 형성되고, 외측의 O-링 수용홈(211)은 제2 걸림턱(130)과 대향하는 위치에 형성될 수 있다. 상기 2개의 O-링 수용홈에 각각 2개의 O-링(280, 282)이 장착된다. 상기 2개의 O-링 중 내측의 O-링(282)은 기판(W)의 밑면에 접촉되고, 외측의 O-링(280)은 상판(100)의 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 접촉된다. 따라서, 기판(W)의 밑면에 접촉되는 내측의 O-링(282)은 기판(W)의 밑면과 융기부(210)의 상면 사이에서 냉각가스공급홀(215)을 통해 기판(W)의 밑면 측으로 공급되는 냉각가스가 과도하게 플라즈마 공정챔버내로 혼입되는 것을 방지하며, 상판(100)의 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 접촉되는 O-링(280)은 융기부(210)의 측면과 기판 수납틀(110)의 내주면 사이의 틈을 통하여 유동하는 냉각가스가 과도하게 플라즈마 공정챔버내로 혼입되는 것을 방지할 수 있게 된다. 상기 O-링은 내열성, 내화학성 및 내구성이 우수한 NBR, 실리콘, 우레탄, 테프론(Tefron) 등으로 제조될 수 있다.In the second embodiment of the present invention, two O-ring receiving grooves 211 and 212 are formed on the upper surface of the ridge portion 210 of the substrate mounting table, The O-ring receiving grooves 212 on the inner side of the O-ring receiving grooves are formed at positions opposite to the first holding jaws 120 overlapping the edge of the substrate W, and the O- 211 may be formed at positions opposite to the second stopping jaws 130. Two O-rings 280 and 282 are respectively fitted to the two O-ring receiving grooves. The inner O-ring 282 of the two O-rings contacts the bottom surface of the substrate W and the O-ring 280 at the outer side of the O- And comes into contact with the jaw 130. The inner O-ring 282 which is in contact with the bottom surface of the substrate W is positioned between the bottom surface of the substrate W and the upper surface of the protrusion 210 through the cooling gas supply hole 215, The O-ring 280, which prevents the cooling gas supplied to the bottom side from being excessively mixed into the plasma processing chamber and contacts the second holding jaw 130 of the substrate holding frame 110 of the top plate 100, It is possible to prevent the cooling gas flowing through the gap between the side surface of the substrate holding frame 110 and the inner circumferential surface of the substrate receiving frame 110 from being excessively mixed into the plasma processing chamber. The O-ring may be made of NBR, silicone, urethane or Teflon, which is excellent in heat resistance, chemical resistance and durability.

도 9에는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에 기판이 장착된 상태를 상부에서 바라본 사시도가 도시되어 있고, 도 10에는 도 9의 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 커버 플레이트의 분해사시도가 도시되어 있고, 도 11에는 도 9의 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 하판의 상부 사시도가 도시되어 있다.FIG. 9 is a perspective view of the substrate mounting table of the plasma processing apparatus according to the third embodiment of the present invention as viewed from above, and FIG. 10 is a perspective view of the substrate mounting table of the plasma processing apparatus of FIG. 11 is an exploded perspective view of the cover plate of the mounting table, and Fig. 11 is an upper perspective view of the lower plate of the substrate mounting table of the plasma processing apparatus of Fig.

본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대는, 도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 복수의 기판 수납틀(110)을 구비하는 상판(100)과, 각각의 상판(100)의 기판 수납틀(110)에 수납된 기판(W)을 하부에서 상측으로 떠받치는 커버 플레이트(300)와, 커버 플레이트(300)를 하부에서 상측으로 떠받치며 나사와 같은 체결수단에 의해 상판(100)의 밑면에 고정되는 하판(500)을 포함한다.9 to 11, the substrate mounting table of the plasma processing apparatus according to the third embodiment of the present invention includes an upper plate 100 having a plurality of substrate receiving frames 110, A cover plate 300 which holds the substrate W held in the substrate holding frame 110 of the cover plate 300 from the lower side to the upper side and a cover plate 300 which holds the cover plate 300 upward from below, And a lower plate 500 fixed to a bottom surface of the lower plate 500.

본 발명의 제3 실시예의 기판 재치대의 상판(100)은 전술한 제1 실시예의 기판 재치대의 상판(100)과 구성 및 기능이 동일하므로, 제3 실시예에 대하여는 상판(100)에 대한 설명은 생략하고, 커버 플레이트(300) 및 하판(500)에 대하여 설명한다.Since the top plate 100 of the substrate placement table of the third embodiment of the present invention is the same in structure and function as the top plate 100 of the substrate placement table of the first embodiment described above, And the cover plate 300 and the lower plate 500 will be described.

제 3 실시예에서, 기판(W)의 밑면을 상측으로 떠받치는 커버 플레이트(300)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 가장자리 부분이 상기 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 중첩되도록 기판(W)의 직경보다 크게 형성되는 것으로서, 헬륨(He) 가스 등의 냉각가스를 기판(W)의 밑면으로 공급할 수 있는 하나 이상의 냉각가스공급홀(315)을 구비한다. 이에 따라, 척(400) 내에 형성된 냉각가스공급로(470)를 통해 공급되는 냉각가스가 상기 냉각가스공급홀(315)을 통하여 기판(W)의 밑면으로 공급되어 기판을 냉각하여 기판의 온도 균일성을 향상시키게 된다.9, the edge portion of the cover plate 300, which holds the bottom surface of the substrate W upward, is connected to the second engaging jaw 130 of the substrate receiving frame 110, And at least one cooling gas supply hole 315 capable of supplying a cooling gas such as helium (He) gas to the bottom surface of the substrate W. The cooling gas supply hole 315 is formed to be larger than the diameter of the substrate W, The cooling gas supplied through the cooling gas supply path 470 formed in the chuck 400 is supplied to the bottom surface of the substrate W through the cooling gas supply hole 315 to cool the substrate, It improves the sex.

또한, 커버 플레이트(300)의 상면 가장자리에는 2개의 씰링립(383a, 383b)을 가진 립씰(383)이 설치된다. 상기 립씰(383)의 내측의 제1 씰링립(383a)은 기판(W)의 밑면에 접촉되고, 외측의 제2 씰링립(383b)은 상판(100)의 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 접촉된다. 따라서, 기판(W)의 밑면에 접촉되는 내측의 제1 씰링립(383a)은 기판(W)의 밑면과 커버 플레이트(300)의 상면 사이에서 냉각가스공급홀(315)을 통해 기판(W)의 밑면 측으로 공급되는 냉각가스가 과도하게 플라즈마 공정챔버내로 혼입되는 것을 방지하며, 상판(100)의 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 접촉되는 제2 씰링립(383b)은 커버 플레이트(300)의 측면과 기판 수납틀(110)의 내주면 사이의 틈을 통하여 유동하는 냉각가스가 과도하게 플라즈마 공정챔버내로 혼입되는 것을 방지할 수 있게 된다. 상기 립씰은 내열성, 내화학성 및 내구성이 우수한 NBR, 실리콘, 우레탄, 테프론(Tefron) 등으로 제조될 수 있다.Further, a lip seal 383 having two sealing lips 383a and 383b is provided on the upper surface of the cover plate 300. The first sealing lip 383a on the inner side of the lip seal 383 contacts the bottom surface of the substrate W and the outer second sealing lip 383b contacts the bottom surface of the substrate holding frame 110 And is brought into contact with the stopping jaw 130. The inner first sealing lip 383a contacting the bottom surface of the substrate W is positioned between the bottom surface of the substrate W and the top surface of the cover plate 300 through the cooling gas supply hole 315, The second sealing lip 383b that prevents the cooling gas supplied to the bottom side of the substrate holder 110 from being excessively mixed into the plasma processing chamber and contacts the second holding jaw 130 of the substrate holding frame 110 of the top plate 100 The cooling gas flowing through the gap between the side surface of the cover plate 300 and the inner circumferential surface of the substrate receiving frame 110 can be prevented from being excessively mixed into the plasma processing chamber. The lip seal may be made of NBR, silicone, urethane, or Teflon, which is excellent in heat resistance, chemical resistance, and durability.

또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 복수의 커버 플레이트(300)의 각각의 상면의 가장자리에는 립씰(383)을 안정되게 장착하기 위하여 립씰 수용홈(313)이 구비될 수 있다.10, a lip seal receiving groove 313 is provided at the edge of each upper surface of the plurality of cover plates 300 of the substrate table of the plasma processing apparatus to stably mount the lip seal 383 .

본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에서는, 먼저 상판(100)의 밑면이 상측을 향하도록 뒤집은 상태로 준비한 다음에, 상판(100)의 복수의 기판 수납틀(110)에 복수의 기판(W)을 배열한다. 그 다음에, 복수의 커버 플레이트(300)를 상판(100)의 복수의 기판 수납틀(110)에 삽입한 다음에(도 9 참조), 예를 들어, 복수의 나사 또는 볼트(미도시)를 상판의 암나사홀(151)에 체결하여 하판(500)을 상판(100)에 고정할 수 있다. 여기서, 하판(500)을 상판(100)에 고정하는 방법은 공지의 다른 방법들이 이용될 수 있으며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.The substrate table of the plasma processing apparatus according to the third embodiment of the present invention is prepared in such a manner that the bottom plate of the top plate 100 is turned upside down, A plurality of substrates W are arranged. Next, a plurality of cover plates 300 are inserted into the plurality of substrate housing frames 110 of the upper plate 100 (see FIG. 9), and then a plurality of screws or bolts (not shown) It is possible to fasten the lower plate 500 to the upper plate 100 by fastening it to the female screw hole 151 of the upper plate. Here, other known methods may be used for fixing the lower plate 500 to the upper plate 100, and a detailed description thereof will be omitted.

이와 같이 상판의 복수의 기판 수납틀에 복수의 기판을 배열한 다음 하판을 상판에 조립한 재치대는 플라즈마 처리장치의 공정챔버내에서 척(400) 위에 배치된다. 이때, 냉각가스가 상판(100)의 가장자리의 내측을 통하여 과도하게 공정챔버내로 혼입되는 것을 방지하기 위하여, 재치대와 척(400) 사이에는 2중 립씰(480)을 설치한다. 상기 립씰의 내측의 제1 씰링립(480a)은 상기 하판(500)의 저면에 접촉되고, 외측의 제2 씰링립(480b)은 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 하단부에 접촉된다.A plurality of substrates are arranged on a plurality of substrate housing frames of the upper plate and the lower plate is assembled to the upper plate is placed on the chuck 400 in the process chamber of the plasma processing apparatus. At this time, a double lip seal 480 is provided between the mounting table and the chuck 400 to prevent the cooling gas from being excessively mixed into the process chamber through the inside of the edge of the top plate 100. The first sealing lip 480a on the inner side of the lip seal contacts the bottom surface of the lower plate 500 and the outer second sealing lip 480b contacts the lower end of the peripheral edge portion 140 of the upper plate 100 do.

다음에, 도 12 및 도 13을 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라즈마 처리장치 재치대에 대하여 설명한다.Next, a plasma processing apparatus mounting table according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 12 and 13. Fig.

본 발명의 제3 실시예에서는, 복수의 커버 플레이트(300)의 각각의 상면과 기판(W)의 저면 및 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130) 사이를 실링하기 위하여 립씰(383)을 설치하지만, 도 12 및 도 13에 도시된 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에서는 복수의 O-링(380, 382)을 설치한다. 제4 실시예는 제3 실시예에서의 립씰(383) 대신에 복수의 O-링(380, 382)을 설치하는 것을 제외하고는, 나머지 다른 구성요소들은 제3 실시예와 동일하므로, 이하에서는 제4 실시예의 복수의 커버 플레이트(300)의 각각의 상면과 기판(W)의 저면 및 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130) 사이를 실링하는 복수의 O-링(380, 382) 구조에 대하여만 설명한다.In the third embodiment of the present invention a lip seal 383 is provided to seal between the upper surface of each of the plurality of cover plates 300 and the bottom surface of the substrate W and the second stopping jaw 130 of the substrate housing frame 110. [ However, in the substrate table of the plasma processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention shown in Figs. 12 and 13, a plurality of O-rings 380 and 382 are provided. The fourth embodiment is the same as the third embodiment except that a plurality of O-rings 380 and 382 are provided instead of the lip seal 383 in the third embodiment, A plurality of O-rings 380 and 382 sealing the upper surface of each of the plurality of cover plates 300 of the fourth embodiment, the bottom surface of the substrate W and the second stopping jaw 130 of the substrate storage frame 110 ) Structure.

본 발명의 제4 실시예의 커버 플레이트(300)의 상면 가장자리에는 서로 나란하게 형성되는 2개의 O-링 수용홈(311, 312)이 구비되며, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 2개의 O-링 수용홈 중 내측의 O-링 수용홈(312)은 기판(W)의 가장자리와 중첩되는 제1 걸림턱(120)과 대향하는 위치에 형성되고, 외측의 O-링 수용홈(311)은 제2 걸림턱(130)과 대향하는 위치에 형성될 수 있다. 상기 2개의 O-링 수용홈에 각각 2개의 O-링(380, 382)이 장착된다. 상기 2개의 O-링 중 내측의 O-링(382)은 기판(W)의 밑면에 접촉되고, 외측의 O-링(380)은 상판(100)의 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 접촉된다. 따라서, 기판(W)의 밑면에 접촉되는 내측의 O-링(382)은 기판(W)의 밑면과 커버 플레이트(300)의 상면 사이에서 냉각가스공급홀(315)을 통해 기판(W)의 밑면 측으로 공급되는 냉각가스가 과도하게 플라즈마 공정챔버내로 혼입되는 것을 방지하며, 상판(100)의 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 접촉되는 O-링(382)은 커버 플레이트(300)의 측면과 기판 수납틀(110)의 내주면 사이의 틈을 통하여 유동하는 냉각가스가 과도하게 플라즈마 공정챔버내로 혼입되는 것을 방지할 수 있게 된다. 상기 O-링은 내열성, 내화학성 및 내구성이 우수한 NBR, 실리콘, 우레탄, 테프론(Tefron) 등으로 제조될 수 있다.In the fourth embodiment of the present invention, two O-ring receiving grooves 311 and 312 are formed on the top edge of the cover plate 300, The inner O-ring receiving groove 312 of the O-ring receiving grooves is formed at a position opposite to the first receiving jaw 120 which overlaps the edge of the substrate W, and the O- 311 may be formed at a position opposite to the second stopping jaw 130. Two O-rings 380 and 382 are respectively mounted in the two O-ring receiving grooves. The inner O-ring 382 of the two O-rings is in contact with the bottom surface of the substrate W and the O-ring 380 on the outer side is in contact with the second engagement of the substrate holding frame 110 of the top plate 100 And comes into contact with the jaw 130. The inner O-ring 382 which is in contact with the bottom surface of the substrate W is positioned between the bottom surface of the substrate W and the top surface of the cover plate 300 through the cooling gas supply hole 315, The O-ring 382, which prevents the cooling gas supplied to the bottom side from being excessively mixed into the plasma processing chamber and is in contact with the second latching jaw 130 of the substrate receiving frame 110 of the top plate 100, It is possible to prevent the cooling gas flowing through the gap between the side surface of the substrate holding frame 110 and the inner circumferential surface of the substrate receiving frame 110 from being excessively mixed into the plasma processing chamber. The O-ring may be made of NBR, silicone, urethane or Teflon, which is excellent in heat resistance, chemical resistance and durability.

이어서, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대의 작용효과에 대하여 설명한다.Next, the effect of the substrate placement table of the plasma processing apparatus according to the present invention will be described.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 재치대에서는 상판(100)이 하판(200, 500)의 제1 개구부(220, 230, 520, 530) 및 제2 개구부(240, 540)를 통하여 노출되어 대략 -20℃ 정도의 헬륨(He) 등의 냉각가스에 의해 상판의 노출부가 직접 냉각되어 상판 전체를 용이하게 냉각시킬 수 있다. 이에 따라, 상판(100)의 냉각효율이 증대되어 기판(W)의 온도 균일성이 향상되어 플라즈마 처리의 공정불량 발생이 방지될 수 있다.In the substrate table of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention, the upper plate 100 is divided into the first openings 220, 230, 520, and 530 and the second openings 240 and 540 of the lower plates 200 and 500 And the exposed portion of the upper plate is directly cooled by a cooling gas of helium (He) or the like at about -20 ° C or so to facilitate the cooling of the entire upper plate. Accordingly, the cooling efficiency of the top plate 100 is increased, and the temperature uniformity of the substrate W is improved, thereby preventing the occurrence of process defects in plasma processing.

또한, 본원 발명에서는 상판(100)의 하부면에 냉각가스를 직접 공급하여 상판을 냉각하는 방식이 아니므로, 상판을 냉각시키는 냉각가스가 공정챔버내로 누출될 우려가 감소된다. In the present invention, since the cooling gas is directly supplied to the lower surface of the upper plate 100 to cool the upper plate, there is less fear that the cooling gas for cooling the upper plate leaks into the process chamber.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be apparent to those of ordinary skill in the art.

100 : 상판 110 : 개구부
120 : 제1 걸림턱 130 : 제2 걸림턱
140 : 상판의 가장자리 둘레부 151 : 암나사홀
200, 500 : 하판 210 : 융기부
211, 212, 311, 312 : O-링 수용홈 213, 313 : 립씰 수용홈
215, 315 : 냉각가스공급홀 220, 230, 520, 530 : 제1 개구부
240, 540 : 제2 개구부 251 : 나사구멍
280, 282, 380, 382, 480 : O-링 283, 383 : 립씰
300 : 커버 플레이트 400 : 척
470 : 냉각가스공급로 W : 기판100: upper plate 110: opening
120: first stopping jaw 130: second stopping jaw
140: edge circumference of the top plate 151: female thread hole
200, 500: lower plate 210: ridge
211, 212, 311, 312: O-ring receiving grooves 213, 313: Lip seal receiving groove
215, 315: cooling gas supply holes 220, 230, 520, 530:
240, 540: second opening 251: screw hole
280, 282, 380, 382, 480: O-ring 283, 383: lip seal
300: cover plate 400: chuck
470: cooling gas supply path W: substrate

Claims (8)

기판(W)의 상부면을 노출시키는 복수의 개구부가 형성되며, 각각 기판 상부면의 가장자리 부분과 중첩되는 내주면 상단의 제1 걸림턱(120) 및 상기 제1 걸림턱 아래에서 소정의 높이 차를 두고 확장되는 제2 걸림턱(130)을 가지는 복수의 기판 수납틀(110)을 구비하며, 가장자리 둘레부(140)가 아래방향으로 연장되는 상판(100);
가장자리 부분이 상기 제2 걸림턱에 대향하도록 상기 기판의 직경보다 크게 형성되며, 냉각가스를 기판(W)의 밑면으로 공급할 수 있는 하나 이상의 냉각가스공급홀(215)이 구비된 복수의 융기부(210)를 구비하며, 상기 복수의 융기부(210) 이외의 부위에 하나 이상의 제1 개구부(220, 230)가 형성되며, 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 내측으로 삽입되어 체결수단에 의해 상기 상판(100)의 밑면에 고정되는 하판(200)을 포함하며,
상기 하판(200)의 복수의 융기부(210)의 각각의 상면의 가장자리를 따라 립씰(283)이 설치되며, 상기 립씰의 내측의 제1 씰링립(283a)은 상기 기판(W)의 밑면에 접촉되고 외측의 제2 씰링립(283b)은 상기 상판(100)의 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 접촉되며;
상기 하판(200)의 저면의 가장자리와 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 하단부를 따라 립씰(480)이 설치되며, 상기 립씰(480)의 내측의 제1 씰링립(480a)은 상기 하판(200)의 저면의 가장자리에 접촉되고 외측의 제2 씰링립(480b)은 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 하단부에 접촉되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 재치대.A plurality of openings exposing the upper surface of the substrate W are formed and each of the first engaging jaws 120 at the upper end of the inner circumferential surface overlaps with the edge portion of the upper surface of the substrate and a predetermined height difference under the first engaging jaw A top plate (100) having a plurality of substrate receiving frames (110) having a second holding jaw (130) extending in a width direction and having a peripheral edge portion (140) extending downward;
And a plurality of ridges (not shown) provided with at least one cooling gas supply hole 215 formed to have an edge portion larger than the diameter of the substrate so as to face the second stopping jaw and capable of supplying cooling gas to the bottom surface of the substrate W And at least one first opening portion 220 and 230 is formed at a portion other than the plurality of protruding portions 210 and inserted into the peripheral portion 140 of the upper plate 100, And a lower plate (200) fixed to the bottom surface of the upper plate (100)
A lip seal 283 is provided along an edge of each upper surface of the plurality of protrusions 210 of the lower plate 200 and a first sealing lip 283a inside the lip seal is fixed to the bottom surface of the substrate W The second sealing lip 283b contacting the outer side is in contact with the second holding jaw 130 of the substrate receiving frame 110 of the upper plate 100;
A lip seal 480 is provided along the edge of the bottom surface of the lower plate 200 and the lower edge of the edge circumference 140 of the upper plate 100. The first sealing lip 480a on the inner side of the lip seal 480 Wherein the second sealing lip (480b) is in contact with the edge of the bottom surface of the lower plate (200) and is in contact with the lower end of the peripheral edge portion (140) of the upper plate (100) . 제 1 항에 있어서,
상기 하판(200)의 복수의 융기부(210)의 각각의 상면의 가장자리에는 립씰(283)을 장착하기 위한 립씰 수용홈(213)이 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 재치대.The method according to claim 1,
And a lip seal receiving groove (213) for attaching the lip seal (283) is provided on an edge of each upper surface of each of the plurality of ridges (210) of the lower plate (200). 기판(W)의 상부면을 노출시키는 복수의 개구부가 형성되며, 각각 기판 상부면의 가장자리 부분과 중첩되는 내주면 상단의 제1 걸림턱(120) 및 상기 제1 걸림턱 아래에서 소정의 높이 차를 두고 확장되는 제2 걸림턱(130)을 가지는 복수의 기판 수납틀(110)을 구비하며, 가장자리 둘레부(140)가 아래방향으로 연장되는 상판(100); 및
가장자리 부분이 상기 제2 걸림턱에 대향하도록 상기 기판의 직경보다 크게 형성되며, 냉각가스를 기판(W)의 밑면으로 공급할 수 있는 하나 이상의 냉각가스공급홀(215)이 구비된 복수의 융기부(210)를 구비하며, 상기 복수의 융기부(210) 이외의 부위에 하나 이상의 개구부(220, 230)가 형성되며, 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 내측으로 삽입되어 체결수단에 의해 상기 상판(100)의 밑면에 고정되는 하판(200)을 포함하며;
상기 하판(200)의 복수의 융기부(210)의 각각의 상면의 가장자리에는 서로 나란하게 형성되는 2개의 O-링 수용홈(211, 212)이 구비되며, 상기 2개의 O-링 수용홈에 각각 2개의 O-링(280, 282)이 장착되며;
상기 하판(200)의 저면의 가장자리와 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 하단부를 따라 립씰(480)이 설치되며, 상기 립씰(480)의 내측의 제1 씰링립(480a)은 상기 하판(200)의 저면의 가장자리에 접촉되고 외측의 제2 씰링립(480b)은 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 하단부에 접촉되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 재치대.A plurality of openings exposing the upper surface of the substrate W are formed and each of the first engaging jaws 120 at the upper end of the inner circumferential surface overlaps with the edge portion of the upper surface of the substrate and a predetermined height difference under the first engaging jaw A top plate (100) having a plurality of substrate receiving frames (110) having a second holding jaw (130) extending in a width direction and having a peripheral edge portion (140) extending downward; And
And a plurality of ridges (not shown) provided with at least one cooling gas supply hole 215 formed to have an edge portion larger than the diameter of the substrate so as to face the second stopping jaw and capable of supplying cooling gas to the bottom surface of the substrate W Wherein at least one opening 220 or 230 is formed at a portion other than the plurality of protrusions 210 and inserted into the peripheral edge portion 140 of the upper plate 100, And a lower plate (200) fixed to a bottom surface of the upper plate (100)
Two O-ring receiving grooves 211 and 212 are formed at the edges of the upper surfaces of the plurality of raised portions 210 of the lower plate 200 so as to be parallel to each other. Two O-rings 280 and 282, respectively;
A lip seal 480 is provided along the edge of the bottom surface of the lower plate 200 and the lower edge of the edge circumference 140 of the upper plate 100. The first sealing lip 480a on the inner side of the lip seal 480 Wherein the second sealing lip (480b) is in contact with the edge of the bottom surface of the lower plate (200) and is in contact with the lower end of the peripheral edge portion (140) of the upper plate (100) . 제 3 항에 있어서,
상기 2개의 O-링 수용홈 중 내측의 O-링 수용홈(212)은 상기 기판(W)의 가장자리와 중첩되는 상기 제1 걸림턱(120)과 대향하는 위치에 형성되고, 외측의 O-링 수용홈(211)은 상기 제2 걸림턱(130)과 대향하는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 재치대.The method of claim 3,
The inner O-ring receiving groove 212 of the two O-ring receiving grooves is formed at a position facing the first stopping jaw 120 overlapping the edge of the substrate W, and the O- And the ring receiving groove (211) is formed at a position facing the second stopping jaw (130). 기판(W)의 상부면을 노출시키는 복수의 개구부가 형성되며, 각각 기판 상부면의 가장자리 부분과 중첩되는 내주면 상단의 제1 걸림턱(120) 및 상기 제1 걸림턱 아래에서 소정의 높이 차를 두고 확장되는 제2 걸림턱(130)을 가지는 복수의 기판 수납틀(110)을 구비하며, 가장자리 둘레부(140)가 아래방향으로 연장되는 상판(100);
가장자리 부분이 상기 제2 걸림턱에 대향하도록 상기 기판의 직경보다 크게 형성되며, 냉각가스를 기판(W)의 밑면으로 공급할 수 있는 하나 이상의 냉각가스공급홀(315)이 구비되며, 상면에 가장자리를 따라 립씰(383)이 각각 설치되는 복수의 커버 플레이트(300); 및
상기 복수의 커버 플레이트(300)에 대향하는 부위에는 복수의 제2 개구부(240)가 형성되며, 상기 복수의 커버 플레이트(300)에 대향하지 않는 부위에 하나 이상의 제1 개구부(520, 530)가 형성되며, 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 내측으로 삽입되어 체결수단에 의해 상기 상판(100)의 밑면에 고정되는 하판(500)을 포함하며;
상기 커버 플레이트(300)의 상기 립씰(383)의 내측의 제1 씰링립(383a)은 상기 기판(W)의 밑면에 접촉되고 외측의 제2 씰링립(383b)은 상기 상판의 기판 수납틀(110)의 제2 걸림턱(130)에 접촉되며;
상기 하판(500)의 저면의 가장자리와 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 하단부를 따라 립씰(480)이 설치되며, 상기 립씰(480)의 내측의 제1 씰링립(480a)은 상기 하판(500)의 저면의 가장자리에 접촉되고 외측의 제2 씰링립(480b)은 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 하단부에 접촉되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 재치대.A plurality of openings exposing the upper surface of the substrate W are formed and each of the first engaging jaws 120 at the upper end of the inner circumferential surface overlaps with the edge portion of the upper surface of the substrate and a predetermined height difference under the first engaging jaw A top plate (100) having a plurality of substrate receiving frames (110) having a second holding jaw (130) extending in a width direction and having a peripheral edge portion (140) extending downward;
And at least one cooling gas supply hole (315) which is formed to be larger than the diameter of the substrate so as to face the second stopping jaw and to supply the cooling gas to the bottom surface of the substrate (W) A plurality of cover plates 300 on which lip seals 383 are respectively installed; And
A plurality of second openings 240 are formed in a portion opposed to the plurality of cover plates 300 and one or more first openings 520 and 530 are formed in portions not opposed to the plurality of cover plates 300 And a lower plate 500 inserted into the peripheral edge portion 140 of the upper plate 100 and fixed to the lower surface of the upper plate 100 by fastening means;
The first sealing lip 383a on the inner side of the lip seal 383 of the cover plate 300 contacts the bottom surface of the substrate W and the outer second sealing lip 383b contacts the bottom surface of the substrate holding frame 110) of the first and second fasteners (130, 130);
A lip seal 480 is provided along the edge of the bottom surface of the lower plate 500 and the lower edge of the edge circumference 140 of the upper plate 100. The first sealing lip 480a on the inner side of the lip seal 480 Wherein the second sealing lip 480b is in contact with the edge of the bottom surface of the lower plate 500 and contacts the lower end of the peripheral edge portion 140 of the upper plate 100. [ . 제 5 항에 있어서,
상기 커버 플레이트(300)의 상면의 가장자리에는 립씰(383)을 장착하기 위한 립씰 수용홈(313)이 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 재치대.6. The method of claim 5,
And a lip seal receiving groove (313) for mounting a lip seal (383) is provided on an edge of the upper surface of the cover plate (300). 기판(W)의 상부면을 노출시키는 복수의 개구부가 형성되며, 각각 기판 상부면의 가장자리 부분과 중첩되는 내주면 상단의 제1 걸림턱(120) 및 상기 제1 걸림턱 아래에서 소정의 높이 차를 두고 확장되는 제2 걸림턱(130)을 가지는 복수의 기판 수납틀(110)을 구비하며, 가장자리 둘레부(140)가 아래방향으로 연장되는 상판(100);
가장자리 부분이 상기 제2 걸림턱에 대향하도록 상기 기판의 직경보다 크게 형성되며, 냉각가스를 기판(W)의 밑면으로 공급할 수 있는 하나 이상의 냉각가스공급홀(315)이 구비되는 복수의 커버 플레이트(300); 및
상기 복수의 커버 플레이트(300)에 대향하는 부위에는 복수의 제2 개구부(240)가 형성되며, 상기 복수의 커버 플레이트(300)에 대향하지 않는 부위에 하나 이상의 제1 개구부(520, 530)가 형성되며, 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 내측으로 삽입되어 체결수단에 의해 상기 상판(100)의 밑면에 고정되는 하판(500)을 포함하며;
상기 커버 플레이트(300)의 각각의 상면의 가장자리에는 서로 나란하게 형성되는 2개의 O-링 수용홈(311, 312)이 구비되며, 상기 2개의 O-링 수용홈에 각각 2개의 O-링(380, 382)이 장착되며;
상기 하판(500)의 저면의 가장자리와 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 하단부를 따라 립씰(480)이 설치되며, 상기 립씰(480)의 내측의 제1 씰링립(480a)은 상기 하판(500)의 저면의 가장자리에 접촉되고 외측의 제2 씰링립(480b)은 상기 상판(100)의 가장자리 둘레부(140)의 하단부에 접촉되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 재치대.A plurality of openings exposing the upper surface of the substrate W are formed and each of the first engaging jaws 120 at the upper end of the inner circumferential surface overlaps with the edge portion of the upper surface of the substrate and a predetermined height difference under the first engaging jaw A top plate (100) having a plurality of substrate receiving frames (110) having a second holding jaw (130) extending in a width direction and having a peripheral edge portion (140) extending downward;
And a plurality of cover plates (314), each of which is formed to have an edge portion larger than the diameter of the substrate so as to face the second stopping jaw and provided with one or more cooling gas supply holes (315) capable of supplying cooling gas to the bottom surface of the substrate 300); And
A plurality of second openings 240 are formed in a portion opposed to the plurality of cover plates 300 and one or more first openings 520 and 530 are formed in portions not opposed to the plurality of cover plates 300 And a lower plate 500 inserted into the peripheral edge portion 140 of the upper plate 100 and fixed to the lower surface of the upper plate 100 by fastening means;
Two O-ring receiving grooves 311 and 312 are formed at the edges of the upper surface of the cover plate 300, and two O-rings (not shown) are formed in the two O- 380, 382) are mounted;
A lip seal 480 is provided along the edge of the bottom surface of the lower plate 500 and the lower edge of the edge circumference 140 of the upper plate 100. The first sealing lip 480a on the inner side of the lip seal 480 Wherein the second sealing lip 480b is in contact with the edge of the bottom surface of the lower plate 500 and contacts the lower end of the peripheral edge portion 140 of the upper plate 100. [ . 제 7 항에 있어서,
상기 2개의 O-링 수용홈 중 내측의 O-링 수용홈(312)은 상기 기판(W)의 가장자리와 중첩되는 상기 제1 걸림턱(120)과 대향하는 위치에 형성되고, 외측의 O-링 수용홈(311)은 상기 제2 걸림턱(130)과 대향하는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 기판 재치대.8. The method of claim 7,
The inner O-ring receiving groove 312 of the two O-ring receiving grooves is formed at a position facing the first stopping jaw 120 overlapping the edge of the substrate W, and the O- And the ring receiving groove (311) is formed at a position facing the second stopping jaw (130).
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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