KR101597727B1 - Power control circuit and power supplyer with the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전원 제어 회로 및 전원 장치에 관한 것으로, 상기 전원 제어 회로는, 제1 트랜스포머를 제어하는 제1 제어부와 전원 전압단 사이에 연결된 전원 스위치; 상기 전원 스위치의 동작을 제어하는 수광 트랜지스터와, 상기 수광 트랜지스터에 광을 보내는 발광 다이오드를 갖는 포토 커플러; 상기 발광 다이오드와 접지간의 메인 경로에 연결되고, 제어 전압에 따라 동작하는 제1 스위치 회로부; 상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결되어, 상기 제1 트랜스포머의 제1 출력전압이 기준전압보다 낮은 저전압일 때 스위칭 오프 상태로 되는 저전압 보호 회로부; 및 상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 시간까지의 구동 초기에 상기 발광 다이오드에 전류를 흐르게 하는 초기 경로 회로부; 를 포함할 수 있다.The power supply control circuit includes a first control unit for controlling the first transformer and a power switch connected between the power supply voltage terminals. A photocoupler having a light receiving transistor for controlling the operation of the power switch, and a light emitting diode for sending light to the light receiving transistor; A first switch circuit part connected to the main path between the light emitting diode and the ground and operated according to the control voltage; A low voltage protection circuit part connected in series with the first switch circuit part in the main path so as to be in a switching off state when a first output voltage of the first transformer is a low voltage lower than a reference voltage; And an initial path circuit unit for causing a current to flow to the light emitting diode at an initial stage of driving from a time point when the control voltage is supplied until a predetermined time; . ≪ / RTI >
Description
본 발명은, 2차측 전압보호 및 순간 도통 기능을 갖는 전원 제어 회로 및 전원 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a power supply control circuit and a power supply device having secondary voltage protection and instantaneous conduction function.
일반적으로, 전원 장치에서는 부하의 과전압 또는 과전류를 검출하여 보호 동작을 수행하는 보호 기능을 포함한다.Generally, the power supply apparatus includes a protection function for detecting overvoltage or overcurrent of a load to perform a protection operation.
또한, 사운드(Sound) 출력을 제어하는 AV(Audio & Video) 전원 장치에서도 보호 기능을 포함한다. AV 전원 장치에서는 실제 음원에 따라 순간적으로 높은 부하(예, Pulse성 전압, 1ms 이하)가 인가되게 되는 경우가 있고, 순간적인 출력 부하 상승 시, AV 전원 장치의 제어 IC에서 보호(Protection) 동작을 수행하지 않도록 하는 방지 회로가 추가될 수 있다.
The AV (Audio & Video) power supply that controls the sound output also includes a protection function. In AV power devices, instantaneous high load (eg, pulse-like voltage, 1ms or less) may be applied depending on the actual sound source, and when the instantaneous output load rises, the protection IC It is possible to add a preventive circuit that prevents the user from performing the operation.
한편, AV 전원 장치를 제작 과정에서 출력 전압단을 쇼트시키는 테스트 과정이 수행된다. On the other hand, a test process for short-circuiting the output voltage stage is performed during the manufacture of the AV power supply device.
그런데, 순간적인 출력 부하 상승시 보호 동작을 방지하는 회로에 의해, 상기의 출력 전압단의 쇼트(Short) 테스트시에도 제어 IC에서 보호 동작을 수행하지 않게 되는 문제점이 있다.However, there is a problem in that the protection IC is not performed in the control IC even in the short test of the output voltage stage by the circuit that prevents the protection operation in case of an instantaneous increase in the output load.
이러한 출력 전압단의 쇼트 테스트시에 제어 IC가 보호 동작을 수행하지 않게 되면, 오동작 및 PL(Product Liability)성 불량 사고가 발생될 위험이 있으므로, 출력 전압단의 쇼트 테스트시에는 보호 기능이 수행되도록 하는 기술이 필요하다.
If the control IC does not perform the protection operation during the short test of the output voltage stage, there is a risk of malfunction and PL (Product Liability) badness accident, so that the protection function is performed in the short test of the output voltage stage Technology is needed.
하기 선행기술문헌에 기재된 특허문헌 1은, 전원 제어 회로에 관한 것으로, 펄스성 전류에 의해 보호모드의 수행을 방지하는 기능을 갖는 전원 장치에서, 출력 전압단의 쇼트 테스트시에 제어 IC의 전원을 차단시키도록 하는 기술적 사항을 개시하고 있지 않다.
본 발명은, 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 출력 부하의 순간적 상승에 의해 나타나는 펄스성 전류에 의해 보호모드의 수행을 방지하는 기능을 갖는 전원 장치(예, AV 전원)에서, 출력 전압단의 쇼트 테스트시에 제어 IC의 전원 전압을 차단하는 2차측 전압보호 및 순간 도통 기능을 갖는 전원 제어 회로 및 전원 장치를 제공한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a power supply device (for example, an AV power source) having a function of preventing the protection mode from being performed by a pulsating current, And a power supply control circuit and a power supply device having a secondary voltage protection function and an instantaneous conduction function for shutting down the power supply voltage of the control IC during a short test of the output voltage stage.
본 발명의 제1 기술적인 측면으로써, 본 발명은, 제1 트랜스포머를 제어하는 제1 제어부와 전원 전압단 사이에 연결된 전원 스위치; 상기 전원 스위치의 동작을 제어하는 포토 커플러; 상기 포토 커플러와 접지간의 메인 경로에 연결되고, 제어 전압에 따라 동작하는 제1 스위치 회로부; 상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결되어, 상기 제1 트랜스포머의 제1 출력전압에 의해 스위칭 온되고, 상기 제1 출력전압이 기준전압보다 낮은 저전압일 때 스위칭 오프 상태로 되는 저전압 보호 회로부; 및 상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 시간까지의 구동 초기에 상기 저전압 보호 회로부에 제1 출력전압을 공급하기 위해 상기 포토 커플러를 동작시키는 초기 경로 회로부; 를 포함하는 전원 제어 회로를 제안한다.According to a first technical aspect of the present invention, there is provided a power converter comprising: a power switch connected between a first control unit for controlling a first transformer and a power voltage terminal; An optocoupler for controlling the operation of the power switch; A first switch circuit part connected to a main path between the photocoupler and ground and operated according to a control voltage; And a second switch circuit part connected in series with the first switch circuit part in the main path so as to be switched on by a first output voltage of the first transformer and to be in a switching off state when the first output voltage is lower than a reference voltage, A protection circuit part; And an initial path circuit portion for operating the photocoupler to supply a first output voltage to the low voltage protection circuit portion at an initial stage of driving from a time point when the control voltage is supplied until a predetermined time; And a power supply control circuit.
본 발명의 제1 기술적인 측면에서, 상기 저전압 보호 회로부는, 상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결된 제1 반도체 스위치; 및 상기 제1 출력전압이 상기 기준전압보다 높으면 상기 제1 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그렇지 않으면 상기 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 저전압 비교부; 를 포함할 수 있다.According to a first technical aspect of the present invention, the low-voltage protection circuit part includes: a first semiconductor switch connected in series with the first switch circuit part in the main path; And a low voltage comparison unit for controlling the first semiconductor switch to an on state if the first output voltage is higher than the reference voltage and controlling the semiconductor switch to an off state if the first output voltage is higher than the reference voltage. . ≪ / RTI >
상기 초기 경로 회로부는, 상기 포토 커플러와 접지간의 바이패스 경로에 연결된 제2 반도체 스위치; 및 상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 초기 시간 동안에 상기 제2 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그 이후에는 상기 제2 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 초기 시간 판단부; 를 포함할 수 있다.The initial path circuit unit includes: a second semiconductor switch connected to a bypass path between the photocoupler and ground; And an initial time determiner for controlling the second semiconductor switch to be in the on state for a predetermined initial time from the supply time of the control voltage, and thereafter controlling the second semiconductor switch to the off state; . ≪ / RTI >
상기 초기 시간 판단부는, 상기 제어 전압의 공급시 충전 동작을 수행하고, 이후 방전 동작을 수행하는 충방전 회로부를 포함하고, 상기 충방전 회로부는 상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 소스 사이에 연결된 저항; 및 상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 상기 제어 전압을 공급받는 단자 사이에 연결된 커패시터; 를 포함할 수 있다.
Wherein the initial time determination unit includes a charge and discharge circuit unit that performs a charge operation when the control voltage is supplied and then performs a discharge operation, the charge and discharge circuit unit includes a resistor connected between a gate and a source of the second semiconductor switch; And a capacitor connected between a gate of the second semiconductor switch and a terminal to which the control voltage is supplied; . ≪ / RTI >
본 발명의 제2 기술적인 측면으로써, 본 발명은, 제1 출력전압을 제공하는 제1 트랜스포머를 제어하는 제1 제어부와 전원 전압단 사이에 연결된 전원 스위치; 상기 전원 스위치의 동작을 제어하는 수광 트랜지스터와, 상기 수광 트랜지스터에 광을 보내는 발광 다이오드를 갖는 포토 커플러; 상기 발광 다이오드와 접지간의 메인 경로에 연결되고, 제어 전압에 따라 동작하는 제1 스위치 회로부; 상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결되어, 상기 제1 출력전압에 의해 스위칭 온되고, 상기 제1 출력 전압을 공급하는 단자가 쇼트 상태일 때 스위칭 오프 상태로 되는 저전압 보호 회로부; 및 상기 포토 커플러의 발광 다이오드와 접지간의 바이패스 경로에 연결되어, 상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 시간까지의 구동 초기에 상기 저전압 보호 회로부에 제1 출력전압을 공급하기 위해 상기 바이패스 경로를 연결하는 초기 경로 회로부; 를 포함하는 전원 제어 회로를 제안한다.According to a second technical aspect of the present invention, there is provided a power converter comprising: a first control unit for controlling a first transformer providing a first output voltage; A photocoupler having a light receiving transistor for controlling the operation of the power switch, and a light emitting diode for sending light to the light receiving transistor; A first switch circuit part connected to the main path between the light emitting diode and the ground and operated according to the control voltage; A low voltage protection circuit part connected in series with the first switch circuit part in the main path, the low voltage protection circuit part being switched on by the first output voltage and being in a switching off state when a terminal for supplying the first output voltage is in a short state; And a bypass circuit connected to a bypass path between the light emitting diode and the ground of the photocoupler, for supplying a first output voltage to the low voltage protection circuit portion at an initial stage of driving from a time point when the control voltage is supplied until a predetermined time, An initial path circuit portion for connecting the first path circuit portion and the second path portion; And a power supply control circuit.
본 발명의 제2 기술적인 측면에서, 상기 저전압 보호 회로부는, 상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결된 제1 반도체 스위치; 및 상기 제1 출력전압이 항복전압보다 높으면 상기 제1 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그렇지 않으면 상기 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 제너 다이오드를 갖는 저전압 비교부; 를 포함할 수 있다.According to a second technical aspect of the present invention, the low-voltage protection circuit portion includes: a first semiconductor switch connected in series with the first switch circuit portion in the main path; And a low voltage comparator having a zener diode for controlling the first semiconductor switch to an on state if the first output voltage is higher than a breakdown voltage and otherwise controlling the semiconductor switch to an off state; . ≪ / RTI >
상기 초기 경로 회로부는, 상기 포토 커플러의 발광 다이오드와 접지간의 바이패스 경로에 연결된 제2 반도체 스위치; 및 상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 초기 시간 동안에 상기 제2 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그 이후에는 상기 제2 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 초기 시간 판단부; 를 포함할 수 있다.The initial path circuit unit includes: a second semiconductor switch connected to a bypass path between the light emitting diode of the photocoupler and the ground; And an initial time determiner for controlling the second semiconductor switch to be in the on state for a predetermined initial time from the supply time of the control voltage, and thereafter controlling the second semiconductor switch to the off state; . ≪ / RTI >
상기 초기 시간 판단부는, 상기 제어 전압의 공급시 충전 동작을 수행하고, 이후 방전 동작을 수행하는 충방전 회로부를 포함하고, 상기 충방전 회로부는 상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 소스 사이에 연결된 저항; 및 상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 상기 제어 전압을 공급받는 단자 사이에 연결된 커패시터; 를 포함할 수 있다.
Wherein the initial time determination unit includes a charge and discharge circuit unit that performs a charge operation when the control voltage is supplied and then performs a discharge operation, the charge and discharge circuit unit includes a resistor connected between a gate and a source of the second semiconductor switch; And a capacitor connected between a gate of the second semiconductor switch and a terminal to which the control voltage is supplied; . ≪ / RTI >
본 발명의 제3 기술적인 측면으로써, 본 발명은, 정류부로부터의 전압을 제1 출력전압으로 변환하는 제1 트랜스포머; 상기 제1 트랜스포머의 동작을 제어하는 제1 제어부; 상기 정류부로부터의 전압을 제2 출력전압으로 변환하는 제2 트랜스포머; 상기 제2 트랜스포머의 동작을 제어하는 제2 제어부; 상기 제1 제어부와 전원 전압단 사이에 연결된 전원 스위치; 상기 전원 스위치의 동작을 제어하는 수광 트랜지스터와, 상기 수광 트랜지스터에 광을 보내는 발광 다이오드를 갖는 포토 커플러; 상기 발광 다이오드와 접지간의 메인 경로에 연결되고, 제어 전압에 따라 동작하는 제1 스위치 회로부; 상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결되어, 상기 제1 출력전압에 의해 스위칭 온되고, 상기 제1 출력 전압을 공급하는 단자가 쇼트 상태일 때 스위칭 오프 상태로 되는 저전압 보호 회로부; 및 상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 시간까지의 구동 초기에 상기 저전압 보호 회로부에 제1 출력전압을 공급하기 위해 상기 포토 커플러를 동작시키는 초기 경로 회로부; 를 포함하는 전원 장치를 제안한다.
As a third technical aspect of the present invention, the present invention provides a transformer comprising: a first transformer for converting a voltage from a rectification part to a first output voltage; A first control unit for controlling an operation of the first transformer; A second transformer for converting a voltage from the rectifying part into a second output voltage; A second controller for controlling operation of the second transformer; A power switch connected between the first control unit and the power voltage terminal; A photocoupler having a light receiving transistor for controlling the operation of the power switch, and a light emitting diode for sending light to the light receiving transistor; A first switch circuit part connected to the main path between the light emitting diode and the ground and operated according to the control voltage; A low voltage protection circuit part connected in series with the first switch circuit part in the main path, the low voltage protection circuit part being switched on by the first output voltage and being in a switching off state when a terminal for supplying the first output voltage is in a short state; And an initial path circuit portion for operating the photocoupler to supply a first output voltage to the low voltage protection circuit portion at an initial stage of driving from a time point when the control voltage is supplied until a predetermined time; To the power supply.
본 발명의 제3 기술적인 측면에서, 상기 제2 트랜스포머는, 상기 정류부로부터의 전압을 인가받는 1차 권선; 상기 1차 권선과 전자기 유도 결합하여 제2 출력전압을 제공하는 제1 2차 권선; 및 상기 1차 권선과 전자기 유도 결합하여 전원 전압을 제공하는 제2 2차 권선; 을 포함할 수 있다.In a third technical aspect of the present invention, the second transformer may include: a primary winding receiving a voltage from the rectifying section; A first secondary winding for inducing electromagnetic induction with the primary winding to provide a second output voltage; And a second secondary winding for providing a power supply voltage by electromagnetic induction coupling with the primary winding; . ≪ / RTI >
상기 저전압 보호 회로부는, 상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결된 제1 반도체 스위치; 및 상기 제1 출력전압이 기준전압보다 높으면 상기 제1 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그렇지 않으면 상기 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 저전압 비교부; 를 포함할 수 있다.The low voltage protection circuit unit includes: a first semiconductor switch connected in series with the first switch circuit unit in the main path; And a low voltage comparison unit for controlling the first semiconductor switch to an on state if the first output voltage is higher than a reference voltage and otherwise controlling the semiconductor switch to an off state; . ≪ / RTI >
상기 비교부는, 상기 기준전압으로써 항복전압을 갖는 제너 다이오드를 포함할 수 있다.The comparator may include a zener diode having a breakdown voltage as the reference voltage.
상기 초기 경로 회로부는, 상기 포토 커플러의 발광 다이오드와 접지간의 바이패스 경로에 연결된 제2 반도체 스위치; 및 상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 초기 시간 동안에 상기 제2 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그 이후에는 상기 제2 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 초기 시간 판단부; 를 포함할 수 있다.The initial path circuit unit includes: a second semiconductor switch connected to a bypass path between the light emitting diode of the photocoupler and the ground; And an initial time determiner for controlling the second semiconductor switch to be in the on state for a predetermined initial time from the supply time of the control voltage, and thereafter controlling the second semiconductor switch to the off state; . ≪ / RTI >
상기 초기 시간 판단부는, 상기 제어 전압의 공급시 충전 동작을 수행하고, 이후 방전 동작을 수행하는 충방전 회로부를 포함하고, 상기 충방전 회로부는 상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 소스 사이에 연결된 저항; 및 상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 상기 제어 전압을 공급받는 단자 사이에 연결된 커패시터; 를 포함할 수 있다.
Wherein the initial time determination unit includes a charge and discharge circuit unit that performs a charge operation when the control voltage is supplied and then performs a discharge operation, the charge and discharge circuit unit includes a resistor connected between a gate and a source of the second semiconductor switch; And a capacitor connected between a gate of the second semiconductor switch and a terminal to which the control voltage is supplied; . ≪ / RTI >
게다가, 본 발명의 제4 기술적인 측면으로써, 본 발명은, 정류부로부터의 전압을 제1 출력전압으로 변환하는 제1 트랜스포머; 제1 전원 전압을 공급받고, 상기 제1 트랜스포머의 동작을 제어하는 제1 제어부; 상기 정류부로부터의 전압을 제2 출력전압 및 전원 전압으로 변환하는 제2 트랜스포머; 상기 제2 트랜스포머의 동작을 제어하는 제2 제어부; 상기 제1 제어부와 전원 전압단 사이에 연결되어, 온 상태일 때 상기 전원 전압을 제1 전원 전압으로써 상기 제1 제어부에 제공하는 전원 스위치; 제1 동작 전압단과 접지 사이에 연결되어, 상기 전원 스위치의 동작을 제어하는 수광 트랜지스터와, 제2 동작 전압단에 연결되어 상기 수광 트랜지스터에 광을 보내는 발광 다이오드를 갖는 포토 커플러; 상기 발광 다이오드와 접지간의 메인 경로에 연결되고, 제어 전압에 따라 동작하는 제1 스위치 회로부; 상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결되어, 상기 제1 출력전압에 의해 스위칭 온되고, 상기 제1 출력 전압을 공급하는 단자가 쇼트 상태일 때 스위칭 오프 상태로 되는 저전압 보호 회로부; 및 상기 포토 커플러의 발광 다이오드와 접지간의 바이패스 경로에 연결되어, 상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 시간까지의 구동 초기에 상기 저전압 보호 회로부에 제1 출력전압을 공급하기 위해 바이패스 경로를 연결하는 초기 경로 회로부; 를 포함하는 전원 장치를 제안한다.
In addition, as a fourth technical aspect of the present invention, the present invention provides a transformer comprising: a first transformer for converting a voltage from a rectification part to a first output voltage; A first controller receiving a first power supply voltage and controlling an operation of the first transformer; A second transformer for converting a voltage from the rectifying part into a second output voltage and a power supply voltage; A second controller for controlling operation of the second transformer; A power switch connected between the first controller and the power voltage terminal to provide the power voltage as a first power voltage to the first controller when the power is on; A photocoupler connected between the first operating voltage terminal and ground and having a light receiving transistor for controlling operation of the power switch and a light emitting diode connected to the second operating voltage terminal for sending light to the light receiving transistor; A first switch circuit part connected to the main path between the light emitting diode and the ground and operated according to the control voltage; A low voltage protection circuit part connected in series with the first switch circuit part in the main path, the low voltage protection circuit part being switched on by the first output voltage and being in a switching off state when a terminal for supplying the first output voltage is in a short state; And a bypass path connected to a bypass path between the light emitting diode and the ground of the photocoupler for supplying a first output voltage to the low voltage protection circuit portion at an initial stage of driving from a time point of supplying the control voltage to a predetermined time, An initial path circuit part for connecting the first path circuit part; To the power supply.
본 발명에 의하면, 출력 부하의 순간적 상승에 의해 나타나는 펄스성 전류에 의해 보호모드의 수행을 방지하는 기능을 갖는 전원 장치(예, AV 전원)에서, 출력 전압단의 쇼트 테스트시에 제어 IC의 전원 전압을 차단시킴으로써, 쇼트 테스트에 의한 오동작에 의한 위험을 방지할 수 있다.
According to the present invention, in a power supply device (for example, an AV power supply) having a function of preventing the protection mode from being performed by a pulse current indicated by an instantaneous increase in the output load, By blocking the voltage, it is possible to prevent a danger due to a malfunction caused by the short test.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전원 제어 회로의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 전원 장치의 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 전원 제어 회로의 구현 예시도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 초기 경로 회로부의 동작 설명도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 저전압 보호 회로부의 제1 구현 예시도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 저전압 보호 회로부의 제2구현 예시도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 주요 전압 및 전류의 타이밍챠트이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 초기 경로 회로부에 의한 전류 흐름도이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 저전압 보호 회로부의 온 상태에서의 전류 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 저전압 보호 회로부의 오프 상태에서의 전류 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 저전압 보호 회로부의 오프 동작 설명도이다.1 is a block diagram of a power supply control circuit according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram of a power supply apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating an embodiment of a power control circuit according to an embodiment of the present invention.
4 is an operation explanatory diagram of an initial path circuit according to an embodiment of the present invention.
5 is a first embodiment of a low-voltage protection circuit according to an embodiment of the present invention.
6 is a second embodiment of a low-voltage protection circuit according to an embodiment of the present invention.
7 is a timing chart of main voltages and currents according to an embodiment of the present invention.
8 is a current flow diagram of an initial path circuit unit according to an embodiment of the present invention.
9 is a current flow diagram of the low voltage protection circuit portion in the on state according to the embodiment of the present invention.
10 is a current flow diagram of the low voltage protection circuit portion in the off state according to the embodiment of the present invention.
11 is an explanatory diagram illustrating an off operation of the low voltage protection circuit according to the embodiment of the present invention.
이하에서는, 본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.It should be understood that the present invention is not limited to the embodiments described and that various changes may be made without departing from the spirit and scope of the present invention.
또한, 본 발명의 각 실시 예에 있어서, 하나의 예로써 설명되는 구조, 형상 및 수치는 본 발명의 기술적 사항의 이해를 돕기 위한 예에 불과하므로, 이에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. In addition, in each embodiment of the present invention, the structure, shape, and numerical values described as an example are merely examples for helping understanding of the technical matters of the present invention, so that the spirit and scope of the present invention are not limited thereto. It should be understood that various changes may be made without departing from the spirit of the invention.
그리고, 본 발명에 참조된 도면에서 본 발명의 전반적인 내용에 비추어 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
In the drawings referred to in the present invention, components having substantially the same configuration and function as those of the present invention will be denoted by the same reference numerals.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위해서, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전원 제어 회로의 블록도이다.1 is a block diagram of a power supply control circuit according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 전원 제어 회로는, 전원 스위치(80), 포토 커플러(100), 제1 스위치 회로부(200), 저전압 보호 회로부(300) 및 초기 경로 회로부(400)를 포함할 수 있다.
1, a power supply control circuit according to an embodiment of the present invention includes a
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 전원 장치의 블록도이다. 2 is a block diagram of a power supply apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 전원 장치는, 제1 트랜스포머(20), 제1 제어부(30), 제2 트랜스포머(40), 제2 제어부(50), 전원 스위치(80), 포토 커플러(100), 제1 스위치 회로부(200), 저전압 보호 회로부(300) 및 초기 경로 회로부(400)를 포함할 수 있다.
2, a power supply apparatus according to an embodiment of the present invention includes a
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 트랜스포머(20)는, 제1 제어부(30)의 제어에 따라 정류부(10)로부터의 전압을 제1 출력전압(Vout1)으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 트랜스포머(20)는, 상기 정류부(10)로부터의 전압을 인가받는 1차 권선(21)과, 상기 1차 권선(21)과 전자기 유도 결합하여 제1 출력전압(Vout1)을 제공하는 2차 권선(22)을 포함할 수 있다.
Referring to FIGS. 1 and 2, the
상기 제1 제어부(30)는, 상기 제1 트랜스포머(20)의 동작을 제어할 수 있다. 일 예로, 상기 제1 제어부(30)는 전원 스위치(80)를 통해 제1 전원 전압(VCC1)을 공급받아서, 상기 제1 트랜스포머(20)의 제1 출력전압(Vout1)에 따라 상기 제1 트랜스포머(20)의 1차 권선(21) 및 2차 권선(22)간의 전압 변환비율을 펄스폭 변조 방식으로 제어할 수 있다.
The
상기 제2 트랜스포머(40)는, 상기 정류부(10)로부터의 전압을 제2 출력전압(Vout2)으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 트랜스포머(40)는, 상기 정류부(10)로부터의 전압을 인가받는 1차 권선(41)과, 상기 1차 권선(41)과 전자기 유도 결합하여 제2 출력전압(Vout2)을 제공하는 제1 2차 권선(42)과, 상기 1차 권선(41)과 전자기 유도 결합하여 전원 전압(VCC)을 제공하는 제2 2차 권선(43)을 포함할 수 있다.The
상기 제2 제어부(50)는, 상기 전원 전압(VCC)을 다이오드(D1)를 통해 동작 전압으로써 제공받을 수 있다. 상기 제2 제어부(50)는, 상기 제2 트랜스포머(40)의 동작을 제어할 수 있다. 일 예로, 상기 제2 제어부(50)는 상기 제2 트랜스포머(40)의 제2 출력전압(Vout2)에 따라 상기 제2 트랜스포머(40)의 1차 권선(41) 및 2차 권선(42)간의 전압 변환비율을 펄스폭 변조 방식으로 제어할 수 있다 The
여기서, 상기 다이오드(D1)는 역전류를 방지할 수 있다.
Here, the diode D1 can prevent a reverse current.
상기 전원 스위치(80)는, 상기 제1 제어부(30)와 전원 전압(VCC)단 사이에 연결되어 상기 포토 커플러(100)에 의해 온 상태 또는 오프 상태로 될 수 있다.The
예를 들어, 상기 전원 스위치(80)가 오프 상태로 되면, 상기 제1 전원 전압(VCC1)이 제1 제어부(30)에 공급되지 않으므로, 상기 제1 제어부(30)가 동작을 하지 않고, 이에 따라 제1 트랜스포머(20)에서 제1 출력전압(Vout1)이 제공되지 않는다.
For example, when the
상기 포토 커플러(100)는, 상기 전원 스위치(80)의 동작을 제어할 수 있다. 일 구현 예로, 상기 포토 커플러(100)는, 제1 동작 전압(VCC1)단과 접지 사이에 연결되어, 상기 전원 스위치(80)의 동작을 제어하는 수광 트랜지스터(PT)와, 제2 동작 전압(VCC2)단에 연결되어 상기 수광 트랜지스터(PT)에 광을 보내는 발광 다이오드(PD)를 포함할 수 있다.
The
상기 제1 스위치 회로부(200)는, 상기 발광 다이오드(PD)와 접지간의 메인 경로(MP)에 연결되고, 제어 전압(Vc)에 따라 동작할 수 있다. The first
여기서, 상기 제어 전압(Vc)은 리모콘의 동작 온시에 제공되는 제어전압이 될 수 있으며, 상기 제어 전압(Vc)는 동작 온 선택시 하이레벨을 갖고, 동작 오프 선택시 로우레벨을 갖는 제어전압이 될 수 있다.
Here, the control voltage Vc may be a control voltage provided when the remote controller is turned on. The control voltage Vc has a high level when the operation is on, and a control voltage having a low level when the operation is off .
상기 저전압 보호 회로부(300)는, 상기 메인 경로(MP)에서, 상기 제1 스위치 회로부(200)와 직렬로 연결되어, 상기 제1 트랜스포머(20)의 제1 출력전압(Vout1)에 의해 스위칭 온될 수 있고, 상기 제1 출력전압(Vout1)이 기준전압보다 낮은 저전압일 때 스위칭 오프 상태로 될 수 있다. The low voltage
일 예로, 상기 제1 출력전압(Vout1)이 저전압일 경우로는, 제1 트랜스포머(20)의 출력 전압단이 쇼트 상태일 때의 전압이 될 수 있다. 여기서, 쇼트 상태일 때의 전압은 접지 전위가 될 수 있다.
For example, when the first output voltage Vout1 is a low voltage, the output voltage terminal of the
그리고, 상기 초기 경로 회로부(400)는, 상기 제어 전압(Vc)의 공급시점부터 사전에 설정된 시간까지의 구동 초기에 저전압 보호 회로부에 제1 출력전압을 공급하기 위해 상기 발광 다이오드(PD)에 전류를 흐르게 할 수 있다.The initial
예를 들어, 초기 경로 회로부(400)는, 상기 포토 커플러(100)의 발광 다이오드(PD)와 접지간의 바이패스 경로(BP)에 연결되어, 상기 제어 전압(Vc)의 공급시점부터 사전에 설정된 시간까지의 구동 초기에 상기 바이패스 경로(BP)를 연결할 수 있다.For example, the initial
상기 바이패스 경로(BP)가 연결되면, 상기 포토 커플러(100)의 발광 다이오드(PD)에 전류가 흐르고, 이에 따라 제1 트랜스포머(20)에서 제1 출력전압(Vout1)이 출력되어 상기 저전압 보호 회로부(300)에 공급될 수 있다.
When the bypass path BP is connected, a current flows to the light emitting diode PD of the
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 전원 제어 회로의 구현 예시도이다. 3 is a diagram illustrating an embodiment of a power control circuit according to an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 전원 스위치(80)는, 상기 전원 전압(VCC)단에 연결된 소스, 상기 수광 트랜지스터(PT)에 연결된 게이트, 상기 제1 트랜스포머(20)에 연결된 드레인을 갖는 PMOS 트랜지스터(PMOS1)로 이루어질 수 있다. 1 to 3, the
이때, 상기 PMOS 트랜지스터(PMOS1)는 상기 포토 커플러(100)가 동작하는 경우에 온 상태로 되어 제1 전원 전압(VCC1)을 제공하고, 상기 포토 커플러(100)가 동작하지 않은 경우에는 오프 상태로 될 수 있다.
At this time, the PMOS transistor PMOS1 is turned on when the
상기 포토 커플러(100)의 수광 트랜지스터(PT)는 상기 전원 전압(VCC)단에 저항을 통해 연결되고 또한 상기 PMOS 트랜지스터(PMOS1)의 게이트에 연결된 컬렉터와, 상기 발광 다이오드(PD)로부터 수광하는 게이트와, 접지에 연결된 에미터를 포함할 수 있다.The light receiving transistor PT of the
또한, 포토 커플러(100)의 발광 다이오드(PD)는 제2 전원 전압(VCC2)에 연결된 애노드와, 서로 병렬 연결된 메인 경로(MP) 및 바이패스 경로(BP)간의 제1 접속노드(T1)에 연결된 캐소드를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 접속노드(T1)는 상기 발광 다이오드(PD)의 캐소드에 연결된 접속노드이다.The light emitting diode PD of the
이때, 상기 발광 다이오드(PD)에 메인 경로(MP) 또는 바이패스 경로(BP)를 통해서 전류가 흐르게 되면, 상기 수광 트랜지스터(PT)가 도통되고, 이어서 상기 PMOS 트랜지스터(PMOS1)가 온 상태로 되어, 결국 상기 PMOS 트랜지스터(PMOS1)를 통해 제1 전원 전압(VCC1)이 제공될 수 있다.At this time, when a current flows to the light emitting diode PD through the main path MP or the bypass path BP, the light receiving transistor PT is turned on, and then the PMOS transistor PMOS1 is turned on So that the first power supply voltage VCC1 may be provided through the PMOS transistor PMOS1.
이하, 상기 메인 경로(MP) 및 바이패스 경로(BP)를 제어하는 저전압 보호 회로부(300) 및 초기 경로 회로부(400)에 대해 설명한다.
Hereinafter, the low voltage
먼저, 도 3을 참조하면, 상기 초기 경로 회로부(400)는 제2 반도체 스위치(410)와 초기 시간 판단부(420)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the
상기 제2 반도체 스위치(410)는, 상기 발광 다이오드(PD)와 접지간의 바이패스 경로(BP)에 연결되어, 상기 초기 시간 판단부(420)에 의해 온 상태 또는 오프 상태로 될 수 있다.The
상기 초기 시간 판단부(420)는, 상기 제어 전압(Vc)의 공급시점부터 사전에 설정된 초기 시간 동안에 상기 제2 반도체 스위치(410)를 온 상태로 제어하고, 그 이후에는 상기 제2 반도체 스위치(410)를 오프 상태로 제어할 수 있다.
The initial
또한, 상기 저전압 보호 회로부(300)는 제1 반도체 스위치(310) 및 저전압 비교부(320)를 포함할 수 있다.The low voltage
상기 제1 반도체 스위치(310)는, 상기 메인 경로(MP)에서, 상기 제1 스위치 회로부(200)와 직렬로 연결되어, 상기 저전압 비교부(320)에 의해 온 상태 또는 오프 상태로 될 수 있다.The
상기 저전압 비교부(320)는, 상기 제1 출력전압(Vout1)이 상기 기준전압보다 높으면 상기 제1 반도체 스위치(310)를 온 상태로 제어하고, 그렇지 않으면 상기 반도체 스위치(310)를 오프 상태로 제어할 수 있다.If the first output voltage Vout1 is higher than the reference voltage, the
일 예로, 상기 제1 반도체 스위치(310) 및 제2 반도체 스위치(410)는 NMOS 트랜지스터로 이루어질 수 있다.
For example, the
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 초기 경로 회로부의 동작 설명도이다.4 is an operation explanatory diagram of an initial path circuit according to an embodiment of the present invention.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 초기 시간 판단부(420)는, 상기 제어 전압(Vc)의 공급시 충전 동작을 수행하고, 이후 방전 동작을 수행하는 충방전 회로부(421)를 포함할 수 있다.3 and 4, the initial
상기 충방전 회로부(421)는 상기 제2 반도체 스위치(410)의 게이트와 소스 사이에 연결된 저항(R11)과, 상기 제2 반도체 스위치(410)의 게이트와 상기 제어 전압(Vc)단 사이에 연결된 커패시터(C11)를 포함할 수 있다.The charge /
이 경우, 상기 커패시터(C11)에 순간적으로 충전되는 전압(V1)은, 상기 제어 전압(Vc)의 하이레벨로 공급되는 시점에서는 높은 전압으로 되고, 상기 저항(R11)과 커패시터(C11)의 시정수(time constant)에 따라 방전하게 되면서, 상기 커패시터(C11)에 충전된 전압(V1)은 점차적으로 낮아진다.
In this case, the voltage V1 instantaneously charged to the capacitor C11 becomes a high voltage at the time when the control voltage Vc is supplied to the high level, and the voltage V1 of the capacitor C11, As the discharge is performed according to the time constant, the voltage V1 charged in the capacitor C11 gradually decreases.
또한, 도 3을 참조하면, 상기 저전압 보호 회로부(300)는 제1 반도체 스위치(310) 및 저전압 비교부(320)를 포함할 수 있다. 상기 제1 반도체 스위치(310)는, 상기 저전압 비교부(320)에 의해 온 상태 또는 오프 상태로 될 수 있다. 이에 대한 구현 예를 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다.
3, the low-voltage
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 저전압 보호 회로부의 제1 구현 예시도이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 저전압 보호 회로부의 제2구현 예시도이다.
FIG. 5 is a first embodiment of a low-voltage protection circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a second embodiment of a low-voltage protection circuit according to an embodiment of the present invention.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 저전압 보호 회로부(300)의 제1 반도체 스위치(310)는, 상기 메인 경로(MP)에서, 상기 발광 다이오드(PD)의 캐소드에 연결된 제1 접속노드(T1)에 연결된 드레인과, 접지노드(TG)에 연결된 소스 및 상기 저전압 비교부(320)에 연결된 게이트를 갖는 NMOS 트랜지스터(NMOS1)를 포함할 수 있다.
5 and 6, the
도 5를 참조하면, 상기 저전압 비교부(320)는, 제1 출력전압(Vout1)을 입력받는 비반전 입력단과, 기준전압(Vref)을 입력받는 반전 입력단과, 상기 제1 출력전압(Vout1)과 기준전압(Vref)을 비교하여 비교 결과 레벨을 갖는 제2 전압(V2)을 상기 제1 반도체 스위치(310)에 제공하는 출력단을 갖는 연산증폭기(OP1)를 포함할 수 있다.5, the
상기 연산증폭기(OP1)는, 상기 제1 출력전압(Vout1)이 상기 기준전압보다 높으면 하이레벨을 갖는 제2 전압(V2)을 제1 반도체 스위치(310)에 제공하여 제1 반도체 스위치(310)를 온 상태로 제어하고, 그렇지 않으면 로우레벨을 갖는 제2 전압(V2)을 제1 반도체 스위치(310)에 제공하여 상기 반도체 스위치(310)를 오프 상태로 제어할 수 있다.
The operational amplifier OP1 supplies the first voltage V2 having the high level to the
도 6을 참조하면, 상기 저전압 비교부(320)는, 제1 출력전압(Vout1)을 입력받는 캐소드와, 상기 제1 반도체 스위치(310)의 게이트에 연결된 애노드를 갖는 제너 다이오드(ZD1)를 포함할 수 있다.6, the
상기 제너 다이오드(ZD1)는, 상기 제1 출력전압(Vout1)이 상기 기준전압보다 높으면 하이레벨을 갖는 제2 전압(V2)을 제1 반도체 스위치(310)에 제공하여 제1 반도체 스위치(310)를 온 상태로 제어하고, 그렇지 않으면 로우레벨을 갖는 제2 전압(V2)을 제1 반도체 스위치(310)에 제공하여 상기 반도체 스위치(310)를 오프 상태로 제어할 수 있다.The Zener diode ZD1 provides the first voltage V2 having the high level to the
상기 제너 다이오드(ZD1)는, 상기 제1 출력전압(Vout1)이 항복전압보다 높으면 온 상태로 되어 하이레벨을 갖는 제2 전압(V2)을 상기 제1 반도체 스위치(310)에 제공하여 상기 제1 반도체 스위치(310)를 온 상태로 제어할 수 있다. 그렇지 않고, 상기 제1 출력전압(Vout1)이 항복전압보다 높지 않으면 상기 제너 다이오드(ZD1)는 오프 상태로 되므로, 상기 반도체 스위치(310)도 오프 상태로 될 수 있다.
The Zener diode ZD1 is turned on when the first output voltage Vout1 is higher than the breakdown voltage and provides the second voltage V2 having a high level to the
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 주요 전압 및 전류의 타이밍챠트이다. 7 is a timing chart of main voltages and currents according to an embodiment of the present invention.
도 7에서, Vc는 제어 전압으로, 리모콘 등의 전원 제어에 따라 T1 시점에서 하이레벨로 될 수 있다. In Fig. 7, Vc is a control voltage and can be set to a high level at a time point T1 according to the power supply control of a remote controller or the like.
V1은 초기 시간 판단부(420)에서 제공되는 제1 전압으로, T1시점 이후 T2 시점에서 하이레벨이 되고, 이에 따라 제2 반도체 스위치(410)가 온 상태로 된다.V1 is a first voltage provided by the initial
Io는 상기 초기 경로 회로부(400)를 통해서 흐르는 전류로써, 상기 제2 반도체 스위치(410)가 온 상태로 되는 시점에서 흐른다.Io is a current flowing through the
VCC1은, 상기 포토 커플러(100)가 동작하여 전원 스위치(80)가 온 상태로 되어 상기 제1 제어부(30)에 공급되는 제1 전원전압이다. 제1 전원 전압(VCC1)은 상기 제2 반도체 스위치(410)가 온 상태로 되는 T2시점 이후 T3 시점에서 공급된다.VCC1 is a first power supply voltage supplied to the
Vout1은 상기 제1 트랜스포머(20)에서 제공되는 제1 출력전압이고, 이 제1 출력전압(Vout1)은 T3시점 이후 T4 시점에서 공급된다.Vout1 is a first output voltage provided by the
V2는 저전압 비교부(320)에서 제공되는 제2 전압(V2)이고, 제2 전압(V2)은 T4시점에서 하이레벨이 되어 제1 반도체 스위치(310)가 온 상태로 되고, 이때 제1 전류(I1)가 상기 제1 반도체 스위치(310) 및 제1 스위치 회로부(200)를 통해 흐른다.
V2 is the second voltage V2 provided by the
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 초기 경로 회로부에 의한 전류 흐름도이다. 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 저전압 보호 회로부의 온 상태에서의 전류 흐름도이다.
8 is a current flow diagram of an initial path circuit unit according to an embodiment of the present invention. 9 is a current flow diagram of the low voltage protection circuit portion in the on state according to the embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 바이패스 경로(BP)에 연결된 초기 경로 회로부(400)는 상기 제어 전압(Vc)의 공급시점(도 7의 T1)부터 사전에 설정된 초기 시간 동안(T1-T5)에 온 상태로 될 수 있다.8, the
이에 따라, 상기 포토 커플러(100)의 발광 다이오드(PD)에 전류가 흐르게 되고, 포토 커플러(100)가 동작하여 전원 스위치(80)가 온 상태로 되어, 제1 전원 전압(VCC1)이 제1 제어부(30)에 제공되면서 제1 트랜스포머(20)에서 제1 출력전압(Vout1)이 출력될 수 있다.As a result, current flows through the light emitting diode PD of the
전술한 바와 같이, 상기 제1 트랜스포머(20)에서 제1 출력전압(Vout1)이 출력되기 이전에는, 초기 경로 회로부(400)가 포토 커플러(100)를 동작시켜, 제1 제어부(30)에 제1 전원 전압(VCC1)을 공급하여, 상기 제1 트랜스포머(20)가 제1 출력전압(Vout1)을 제공할 수 있도록 할 수 있다.
As described above, before the first output voltage Vout1 is output from the
도 9를 참조하면, 전술한 바와 같이 초기 경로 회로부(400)에 의해 상기 제1 출력전압(Vout1)이 공급되면, 제1 출력전압(Vout1)에 의해서 상기 저전압 보호 회로부(300)가 온 상태로 될 수 있다.Referring to FIG. 9, when the first output voltage Vout1 is supplied by the
이에 따라, 포토 커플러(100)가 동작하고, 제1 제어부(30)에 제1 전원 전압(VCC1)이 공급되고, 상기 제1 트랜스포머(20)가 제1 출력전압(Vout1)을 제공할 수 있다.
Accordingly, the
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 저전압 보호 회로부의 오프 상태에서의 전류 흐름도이다. 그리고, 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 저전압 보호 회로부의 오프 동작 설명도이다.
10 is a current flow diagram of the low voltage protection circuit portion in the off state according to the embodiment of the present invention. 11 is an explanatory diagram of an off operation of the low voltage protection circuit according to the embodiment of the present invention.
도 11에 도시한 바와 같이, 상기 제1 트랜스포머(20)의 제1 출력전압(Vout1)단을 쇼트시키면, 도 10에 도시한 바와 같이 상기 저전압 보호 회로부(300)가 오프 상태로 되어, 상기 저전압 보호 회로부(300)에 의해 포토 커플러(100)가 동작하지 않게 되므로, 전원 스위치(80)가 오프 상태로 되면서 결국 상기 제1 제어부(30)에 제1 전원 전압(VCC1)이 공급되지 않게 된다.11, when the first output voltage Vout1 of the
이후, 제1 출력전압(Vout1)을 제공하는 출력단이 쇼트에서 정상 상태로 복귀되면, 상기 저전압 보호 회로부(300)가 온 상태로 되어, 상기 저전압 보호 회로부(300)에 의해 포토 커플러(100)가 동작하게 되어, 제1 제어부(30)의 보호 동작이 해제 될 수 있다.When the output terminal providing the first output voltage Vout1 is returned from the short to the steady state, the low voltage
전술한 바와 같이, 상기 제1 트랜스포머(20)의 제1 출력전압(Vout1)단을 쇼트시키면, 상기 제1 제어부(30)가 셧다운(shut down)되어 보호 기능이 수행될 수 있게 된다.
As described above, when the first output voltage Vout1 of the
10: 정류부
20: 제1 트랜스포머
30: 제1 제어부
40: 제2 트랜스포머
41: 1차 권선
42: 제1 2차 권선
43: 제2 2차 권선
50: 제2 제어부
80: 전원 스위치
100: 포토 커플러
200: 제1 스위치 회로부
300: 저전압 보호 회로부
310: 제1 반도체 스위치
320: 저전압 비교부
400: 초기 경로 회로부
410: 제2 반도체 스위치
420: 초기 시간 판단부
VCC: 전원 전압
PT: 수광 트랜지스터
PD: 발광 다이오드
MP: 메인 경로
Vc: 제어 전압
Vout1: 제1 출력전압10: rectification part
20: first transformer
30:
40: second transformer
41: primary winding
42: 1st primary winding
43: 2nd secondary winding
50:
80: Power switch
100: Photo coupler
200: first switch circuit part
300: Low-voltage protection circuit
310: first semiconductor switch
320: Low Voltage Comparator
400: initial path circuit section
410: second semiconductor switch
420: initial time determination unit
VCC: Power supply voltage
PT: light-receiving transistor
PD: Light emitting diode
MP: Main path
Vc: Control voltage
Vout1: first output voltage
Claims (15)
상기 전원 스위치의 동작을 제어하는 포토 커플러;
상기 포토 커플러와 접지간의 메인 경로에 연결되고, 제어 전압에 따라 동작하는 제1 스위치 회로부;
상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결되어, 상기 제1 트랜스포머의 제1 출력전압에 의해 스위칭 온되고, 상기 제1 출력전압이 기준전압보다 낮은 저전압일 때 스위칭 오프 상태로 되는 저전압 보호 회로부; 및
상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 시간까지의 구동 초기에 상기 저전압 보호 회로부에 제1 출력전압을 공급하기 위해 상기 포토 커플러를 동작시키는 초기 경로 회로부;
를 포함하는 전원 제어 회로.
A power switch connected between the first control unit for controlling the first transformer and the power voltage terminal;
An optocoupler for controlling the operation of the power switch;
A first switch circuit part connected to a main path between the photocoupler and ground and operated according to a control voltage;
And a second switch circuit part connected in series with the first switch circuit part in the main path so as to be switched on by a first output voltage of the first transformer and to be in a switching off state when the first output voltage is lower than a reference voltage, A protection circuit part; And
An initial path circuit portion for operating the photocoupler to supply a first output voltage to the low voltage protection circuit portion at an initial stage of driving from a time point when the control voltage is supplied until a predetermined time;
≪ / RTI >
상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결된 제1 반도체 스위치; 및
상기 제1 출력전압이 상기 기준전압보다 높으면 상기 제1 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그렇지 않으면 상기 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 저전압 비교부;
를 포함하는 전원 제어 회로.
The apparatus of claim 1, wherein the low-
A first semiconductor switch connected in series with the first switch circuit section in the main path; And
A low voltage comparison unit for controlling the first semiconductor switch to an on state if the first output voltage is higher than the reference voltage and controlling the semiconductor switch to an off state if the first output voltage is higher than the reference voltage;
≪ / RTI >
상기 포토 커플러와 접지간의 바이패스 경로에 연결된 제2 반도체 스위치; 및
상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 초기 시간 동안에 상기 제2 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그 이후에는 상기 제2 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 초기 시간 판단부;
를 포함하는 전원 제어 회로.
2. The apparatus according to claim 1,
A second semiconductor switch connected to a bypass path between the photocoupler and ground; And
An initial time determiner for controlling the second semiconductor switch to be in the on state for a predetermined initial time from the time of supplying the control voltage and thereafter controlling the second semiconductor switch to the off state;
≪ / RTI >
상기 제어 전압의 공급시 충전 동작을 수행하고, 이후 방전 동작을 수행하는 충방전 회로부를 포함하고,
상기 충방전 회로부는 상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 소스 사이에 연결된 저항; 및
상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 상기 제어 전압을 공급받는 단자 사이에 연결된 커패시터; 를 포함하는 전원 제어 회로.
[4] The apparatus of claim 3,
And a charge / discharge circuit unit performing a charge operation when the control voltage is supplied and then performing a discharge operation,
The charge / discharge circuit portion includes a resistor connected between the gate and the source of the second semiconductor switch; And
A capacitor connected between a gate of the second semiconductor switch and a terminal to which the control voltage is supplied; ≪ / RTI >
상기 전원 스위치의 동작을 제어하는 수광 트랜지스터와, 상기 수광 트랜지스터에 광을 보내는 발광 다이오드를 갖는 포토 커플러;
상기 발광 다이오드와 접지간의 메인 경로에 연결되고, 제어 전압에 따라 동작하는 제1 스위치 회로부;
상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결되어, 상기 제1 출력전압에 의해 스위칭 온되고, 상기 제1 출력 전압을 공급하는 단자가 쇼트 상태일 때 스위칭 오프 상태로 되는 저전압 보호 회로부; 및
상기 포토 커플러의 발광 다이오드와 접지간의 바이패스 경로에 연결되어, 상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 시간까지의 구동 초기에 상기 저전압 보호 회로부에 제1 출력전압을 공급하기 위해 상기 바이패스 경로를 연결하는 초기 경로 회로부;
를 포함하는 전원 제어 회로.
A power switch connected between a first power supply voltage terminal and a first controller for controlling a first transformer providing a first output voltage;
A photocoupler having a light receiving transistor for controlling the operation of the power switch, and a light emitting diode for sending light to the light receiving transistor;
A first switch circuit part connected to the main path between the light emitting diode and the ground and operated according to the control voltage;
A low voltage protection circuit part connected in series with the first switch circuit part in the main path, the low voltage protection circuit part being switched on by the first output voltage and being in a switching off state when a terminal for supplying the first output voltage is in a short state; And
And a bypass circuit connected to the bypass path between the light emitting diode of the photocoupler and the ground to supply the first output voltage to the low voltage protection circuit portion at the initial stage of driving the control voltage from the supply time point to a predetermined time, An initial path circuit part for connecting the first path circuit part;
≪ / RTI >
상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결된 제1 반도체 스위치; 및
상기 제1 출력전압이 항복전압보다 높으면 상기 제1 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그렇지 않으면 상기 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 제너 다이오드를 갖는 저전압 비교부;
를 포함하는 전원 제어 회로.
6. The apparatus of claim 5, wherein the low-
A first semiconductor switch connected in series with the first switch circuit section in the main path; And
A low voltage comparator having a zener diode for controlling the first semiconductor switch to the on state if the first output voltage is higher than the breakdown voltage and otherwise controlling the semiconductor switch to the off state;
≪ / RTI >
상기 포토 커플러의 발광 다이오드와 접지간의 바이패스 경로에 연결된 제2 반도체 스위치; 및
상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 초기 시간 동안에 상기 제2 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그 이후에는 상기 제2 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 초기 시간 판단부;
를 포함하는 전원 제어 회로.
6. The apparatus of claim 5, wherein the initial-
A second semiconductor switch connected to a bypass path between the light emitting diode of the photocoupler and the ground; And
An initial time determiner for controlling the second semiconductor switch to be in the on state for a predetermined initial time from the time of supplying the control voltage and thereafter controlling the second semiconductor switch to the off state;
≪ / RTI >
상기 제어 전압의 공급시 충전 동작을 수행하고, 이후 방전 동작을 수행하는 충방전 회로부를 포함하고,
상기 충방전 회로부는 상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 소스 사이에 연결된 저항; 및
상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 상기 제어 전압을 공급받는 단자 사이에 연결된 커패시터; 를 포함하는 전원 제어 회로.
8. The apparatus of claim 7,
And a charge / discharge circuit unit performing a charge operation when the control voltage is supplied and then performing a discharge operation,
The charge / discharge circuit portion includes a resistor connected between the gate and the source of the second semiconductor switch; And
A capacitor connected between a gate of the second semiconductor switch and a terminal to which the control voltage is supplied; ≪ / RTI >
상기 제1 트랜스포머의 동작을 제어하는 제1 제어부;
상기 정류부로부터의 전압을 제2 출력전압으로 변환하는 제2 트랜스포머;
상기 제2 트랜스포머의 동작을 제어하는 제2 제어부;
상기 제1 제어부와 전원 전압단 사이에 연결된 전원 스위치;
상기 전원 스위치의 동작을 제어하는 수광 트랜지스터와, 상기 수광 트랜지스터에 광을 보내는 발광 다이오드를 갖는 포토 커플러;
상기 발광 다이오드와 접지간의 메인 경로에 연결되고, 제어 전압에 따라 동작하는 제1 스위치 회로부;
상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결되어, 상기 제1 출력전압에 의해 스위칭 온되고, 상기 제1 출력 전압을 공급하는 단자가 쇼트 상태일 때 스위칭 오프 상태로 되는 저전압 보호 회로부; 및
상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 시간까지의 구동 초기에 상기 저전압 보호 회로부에 제1 출력전압을 공급하기 위해 상기 포토 커플러를 동작시키는 초기 경로 회로부;
를 포함하는 전원 장치.
A first transformer for converting a voltage from the rectifying part into a first output voltage;
A first control unit for controlling an operation of the first transformer;
A second transformer for converting a voltage from the rectifying part into a second output voltage;
A second controller for controlling operation of the second transformer;
A power switch connected between the first control unit and the power voltage terminal;
A photocoupler having a light receiving transistor for controlling the operation of the power switch, and a light emitting diode for sending light to the light receiving transistor;
A first switch circuit part connected to the main path between the light emitting diode and the ground and operated according to the control voltage;
A low voltage protection circuit part connected in series with the first switch circuit part in the main path, the low voltage protection circuit part being switched on by the first output voltage and being in a switching off state when a terminal for supplying the first output voltage is in a short state; And
An initial path circuit portion for operating the photocoupler to supply a first output voltage to the low voltage protection circuit portion at an initial stage of driving from a time point when the control voltage is supplied until a predetermined time;
≪ / RTI >
상기 정류부로부터의 전압을 인가받는 1차 권선;
상기 1차 권선과 전자기 유도 결합하여 제2 출력전압을 제공하는 제1 2차 권선; 및
상기 1차 권선과 전자기 유도 결합하여 전원 전압을 제공하는 제2 2차 권선;을 포함하는 전원 장치.
10. The transformer of claim 9, wherein the second transformer comprises:
A primary winding receiving a voltage from the rectifying unit;
A first secondary winding for inducing electromagnetic induction with the primary winding to provide a second output voltage; And
And a second secondary winding for inducing electromagnetic induction with the primary winding to provide a power supply voltage.
상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결된 제1 반도체 스위치; 및
상기 제1 출력전압이 기준전압보다 높으면 상기 제1 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그렇지 않으면 상기 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 저전압 비교부;
를 포함하는 전원 장치.
10. The apparatus of claim 9, wherein the low-
A first semiconductor switch connected in series with the first switch circuit section in the main path; And
A low voltage comparator for controlling the first semiconductor switch to an on state if the first output voltage is higher than a reference voltage and otherwise controlling the semiconductor switch to an off state;
≪ / RTI >
상기 기준전압으로써 항복전압을 갖는 제너 다이오드를 포함하는 전원 장치.
12. The image processing apparatus according to claim 11,
And a zener diode having a breakdown voltage as the reference voltage.
상기 포토 커플러의 발광 다이오드와 접지간의 바이패스 경로에 연결된 제2 반도체 스위치; 및
상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 초기 시간 동안에 상기 제2 반도체 스위치를 온 상태로 제어하고, 그 이후에는 상기 제2 반도체 스위치를 오프 상태로 제어하는 초기 시간 판단부;
를 포함하는 전원 장치.
12. The apparatus of claim 11, wherein the initial path circuit unit comprises:
A second semiconductor switch connected to a bypass path between the light emitting diode of the photocoupler and the ground; And
An initial time determiner for controlling the second semiconductor switch to be in the on state for a predetermined initial time from the time of supplying the control voltage and thereafter controlling the second semiconductor switch to the off state;
≪ / RTI >
상기 제어 전압의 공급시 충전 동작을 수행하고, 이후 방전 동작을 수행하는 충방전 회로부를 포함하고,
상기 충방전 회로부는 상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 소스 사이에 연결된 저항; 및
상기 제2 반도체 스위치의 게이트와 상기 제어 전압을 공급받는 단자 사이에 연결된 커패시터; 를 포함하는 전원 장치.
14. The apparatus of claim 13, wherein the initial-
And a charge / discharge circuit unit performing a charge operation when the control voltage is supplied and then performing a discharge operation,
The charge / discharge circuit portion includes a resistor connected between the gate and the source of the second semiconductor switch; And
A capacitor connected between a gate of the second semiconductor switch and a terminal to which the control voltage is supplied; ≪ / RTI >
제1 전원 전압을 공급받고, 상기 제1 트랜스포머의 동작을 제어하는 제1 제어부;
상기 정류부로부터의 전압을 제2 출력전압 및 전원 전압으로 변환하는 제2 트랜스포머;
상기 제2 트랜스포머의 동작을 제어하는 제2 제어부;
상기 제1 제어부와 전원 전압단 사이에 연결되어, 온 상태일 때 상기 전원 전압을 제1 전원 전압으로써 상기 제1 제어부에 제공하는 전원 스위치;
제1 동작 전압단과 접지 사이에 연결되어, 상기 전원 스위치의 동작을 제어하는 수광 트랜지스터와, 제2 동작 전압단에 연결되어 상기 수광 트랜지스터에 광을 보내는 발광 다이오드를 갖는 포토 커플러;
상기 발광 다이오드와 접지간의 메인 경로에 연결되고, 제어 전압에 따라 동작하는 제1 스위치 회로부;
상기 메인 경로에서, 상기 제1 스위치 회로부와 직렬로 연결되어, 상기 제1 출력전압에 의해 스위칭 온되고, 상기 제1 출력 전압을 공급하는 단자가 쇼트 상태일 때 스위칭 오프 상태로 되는 저전압 보호 회로부; 및
상기 발광 다이오드와 접지간의 바이패스 경로에 연결되어, 상기 제어 전압의 공급시점부터 사전에 설정된 시간까지의 구동 초기에 상기 저전압 보호 회로부에 제1 출력전압을 공급하기 위해 바이패스 경로를 연결하는 초기 경로 회로부;
를 포함하는 전원 장치.
A first transformer for converting a voltage from the rectifying part into a first output voltage;
A first controller receiving a first power supply voltage and controlling an operation of the first transformer;
A second transformer for converting a voltage from the rectifying part into a second output voltage and a power supply voltage;
A second controller for controlling operation of the second transformer;
A power switch connected between the first controller and the power voltage terminal to provide the power voltage as a first power voltage to the first controller when the power is on;
A photocoupler connected between the first operating voltage terminal and ground and having a light receiving transistor for controlling operation of the power switch and a light emitting diode connected to the second operating voltage terminal for sending light to the light receiving transistor;
A first switch circuit part connected to the main path between the light emitting diode and the ground and operated according to the control voltage;
A low voltage protection circuit part connected in series with the first switch circuit part in the main path, the low voltage protection circuit part being switched on by the first output voltage and being in a switching off state when a terminal for supplying the first output voltage is in a short state; And
An initial path for connecting a bypass path for supplying a first output voltage to the low voltage protection circuit portion at an initial stage of driving from a time point when the control voltage is supplied until a predetermined time, Circuitry;
≪ / RTI >
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JP2001298856A (en) | 2000-04-18 | 2001-10-26 | Sony Corp | Power source system |
JP2006204082A (en) | 2004-12-21 | 2006-08-03 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Semiconductor device for controlling switching power supply regulator, and circuit for controlling switching power supply regulator |
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JP2006204082A (en) | 2004-12-21 | 2006-08-03 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Semiconductor device for controlling switching power supply regulator, and circuit for controlling switching power supply regulator |
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