KR101595461B1 - Method of fabricating imprinting mold and method of fabricating liquid crystal display panel using the imprinting mold - Google Patents

Method of fabricating imprinting mold and method of fabricating liquid crystal display panel using the imprinting mold Download PDF

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Abstract

본 발명은 변형 방지, 두께 불균일 방지 및 수명을 향상시킬 수 있는 임프린트용 몰드의 제조 방법 및 그 임프린트용 몰드를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a method for manufacturing an imprint mold capable of preventing deformation, preventing thickness unevenness, and improving the service life, and a method of manufacturing a liquid crystal display panel using the imprint mold.

본 발명에 따른 임프린트용 몰드의 제조 방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 이용해 금속 패턴을 형성하는 단계와; 상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 기판을 1차 식각하는 단계와; 상기 기판을 상하 반전하는 단계와; 상기 상하 반전된 기판을 상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 2차 식각하는 단계와; 상기 기판 상의 상기 포토레지스 패턴 및 금속 패턴을 제거하는 단계와; 상기 2차 식각된 기판을 전면 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a mold for imprinting according to the present invention includes the steps of: forming a metal pattern on a substrate using a photoresist pattern; Etching the substrate using the metal pattern as a mask; Inverting the substrate up and down; Etching the substrate by using the metal pattern as a mask; Removing the photoresist pattern and the metal pattern on the substrate; And etching the second etched substrate by the front surface.

임프린트용 몰드, 유리, 기판, 식각, SAM Mold for imprint, glass, substrate, etching, SAM

Description

임프린트용 몰드의 제조 방법 및 그 임프린트용 몰드를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법{METHOD OF FABRICATING IMPRINTING MOLD AND METHOD OF FABRICATING LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL USING THE IMPRINTING MOLD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a mold for imprinting, and a method of manufacturing a liquid crystal display panel using the mold for imprinting.

본 발명은 변형 방지, 두께 불균일 방지 및 수명을 향상시킬 수 있는 임프린트용 몰드의 제조 방법 및 그 임프린트용 몰드를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an imprint mold capable of preventing deformation, preventing thickness unevenness, and improving the service life, and a method for manufacturing a liquid crystal display panel using the imprint mold.

최근 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 대두되고 있다. 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel) 및 일렉트로-루미네센스(Electro-Luminescence : EL) 표시 장치 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), are emerging. Examples of the flat panel display include a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, and an electro-luminescence (EL) display device .

이러한 평판 표시 장치는 증착(코팅) 공정, 노광 공정, 현상 공정 및 식각 공정 등을 포함하는 마스크 공정에 의해 형성되는 다수의 박막으로 이루어진다. 그러나, 마스크 공정은 제조 공정이 복잡하여 제조 단가를 상승시키는 문제점이 있다. 이에 따라, 최근에는 임프린트용 몰드를 이용한 패터닝 공정을 통해 박막을 형성할 수 있는 연구가 진행되고 있다.Such a flat panel display device is composed of a plurality of thin films formed by a mask process including a deposition (coating) process, an exposure process, a development process, and an etching process. However, the mask process has a problem in that the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is increased. Accordingly, in recent years, research has been conducted to form a thin film through a patterning process using an imprint mold.

이러한 패터닝 공정은 기판 상에 액상 수지를 도포한 후, 홈과 돌출부를 가지는 임프린트용 몰드와 액상 수지가 접촉하게 되면, 임프린트용 몰드의 홈과 돌출부가 액상 수지에 반전전사됨으로써 기판 상에 원하는 박막 패턴이 형성되는 공정이다.In this patterning step, after the liquid resin is coated on the substrate, the grooves and protrusions of the imprint mold are reversely transferred to the liquid resin when the imprint mold having the grooves and the protrusions come into contact with the liquid resin, .

여기서, 종래 임프린트용 몰드(10)는 도 1에 도시된 바와 같이 홈과 돌출부가 형성된 패턴부(14)와, 패턴부를 지지하는 백플레인(Back-plane,12)으로 이루어진다. 백플레인(12)은 일반적으로 유리 또는 석영으로 형성되며, 패턴부(14)는 폴리머로 형성된다.1, the conventional mold for imprint 10 includes a pattern part 14 having grooves and protrusions formed therein, and a back plane 12 supporting the pattern part. The backplane 12 is generally formed of glass or quartz, and the pattern portion 14 is formed of a polymer.

이와 같이, 백플레인(12)과 패턴부(14)가 서로 다른 재질로 형성되므로 각각의 열팽창 계수는 서로 다르다. 이 경우, 온도나 습도에 의해 백플레인(12)과 패턴부(14) 각각의 전체 피치(Pitch)가 달라지므로 뒤틀림 현상이 발생된다. 이러한 뒤틀림 현상이 발생되면 임프린트용 몰드(10)를 장시간 사용시 패턴부(14) 손상이 발생되는 문제점이 있다.As described above, since the backplane 12 and the pattern portion 14 are formed of different materials, their thermal expansion coefficients are different from each other. In this case, the total pitch of the backplane 12 and the pattern portion 14 varies depending on the temperature and the humidity, so that a distortion phenomenon occurs. If such a distortion occurs, the pattern portion 14 may be damaged when the imprint mold 10 is used for a long time.

또한, 패턴부(14)가 폴리머로 형성되므로 표면 균일도가 불균일해 임프린트용 몰드(10)의 수명이 단축됨과 아울러 패턴부(14)의 돌출부의 높이차로 인해 임프린트용 몰드(10)에 의해 패터닝되는 박막의 두께 산포가 불균일해지는 문제점이 있다.In addition, since the pattern portion 14 is formed of a polymer, the uniformity of the surface is uneven, the life of the imprint mold 10 is shortened, and the pattern is patterned by the imprint mold 10 due to the height difference of the protruding portions of the pattern portion 14 There is a problem that the scattering of the thickness of the thin film becomes uneven.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 변형 방지, 두께 불균일 방지 및 수명을 향상시킬 수 있는 임프린트용 몰드의 제조 방법 및 그 임프린트용 몰드를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method of manufacturing an imprint mold capable of preventing deformation, preventing thickness unevenness, and improving lifetime, and a method of manufacturing a liquid crystal display panel using the imprint mold.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 임프린트용 몰드의 제조 방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 이용해 금속 패턴을 형성하는 단계와; 상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 기판을 1차 식각하는 단계와; 상기 기판을 상하 반전하는 단계와; 상기 상하 반전된 기판을 상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 2차 식각하는 단계와; 상기 기판 상의 상기 포토레지스 패턴 및 금속 패턴을 제거하는 단계와; 상기 2차 식각된 기판을 전면 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a mold for imprinting, comprising: forming a metal pattern on a substrate using a photoresist pattern; Etching the substrate using the metal pattern as a mask; Inverting the substrate up and down; Etching the substrate by using the metal pattern as a mask; Removing the photoresist pattern and the metal pattern on the substrate; And etching the second etched substrate by the front surface.

상기 임프린트용 몰드의 제조 방법은 상기 전면 식각된 기판에 자외선을 조사하는 단계와; 상기 자외선이 조사된 기판을 자가 조립 물질과 반응시키는 단계와; 상기 자가 조립 물질과 반응한 기판을 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing an imprint mold may include irradiating ultraviolet light onto the front-side etched substrate; Reacting the ultraviolet-irradiated substrate with the self-assembled material; Further comprising the step of heat treating the substrate reacted with the self-assembled material.

상기 기판을 1차 및 2차 식각하는 단계는 상기 기판을 식각용기에 채워진 순수물과 HF가 1:8로 희석된 식각액에 침지시키는 단계인 것을 특징으로 한다.The step of performing the primary and secondary etching of the substrate is a step of immersing the substrate in pure water and an etching solution diluted with HF in a ratio of 1: 8.

상기 기판은 지면과 수직으로 정렬된 상태로 상기 식각액에 침지되는 것을 특징으로 한다.And the substrate is immersed in the etchant while being vertically aligned with the surface of the substrate.

상기 식각 용기에는 상기 식각액을 분사하는 분사기가 기판과 대면하도록 위치하는 것을 특징으로 한다.And an injector for injecting the etchant is disposed in the etching vessel so as to face the substrate.

상기 전면 식각된 기판에 자외선을 조사하는 단계는 상기 기판의 홈 및 돌출부 중 어느 하나와 포토마스크의 차단부가 마주보도록 정렬하는 단계와; 상기 포토마스크를 이용하여 상기 기판에 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The step of irradiating ultraviolet rays to the front-side etched substrate may include aligning the grooves and protrusions of the substrate so as to face the blocking portions of the photomask. And irradiating the substrate with ultraviolet light using the photomask.

상기 자외선이 조사된 기판을 자가 조립 물질과 반응시키는 단계는 상기 자외선이 조사된 기판을 N2분위기의 챔버에 투입한 후 상기 기판을 자가 조립 물질과 약 2시간~24시간 동안 반응시키는 단계인 것을 특징으로 한다.The step of reacting the ultraviolet ray-irradiated substrate with the self-assembled material is a step of putting the ultraviolet ray-irradiated substrate into a chamber of N 2 atmosphere and then reacting the substrate with the self-assembled material for about 2 to 24 hours .

상기 자가 조립 물질에 따라 기판의 홈 또는 돌출부의 표면은 친수성 또는 소수성을 가지는 것을 특징으로 한다.According to the self-assembled material, the surface of the groove or protrusion of the substrate is hydrophilic or hydrophobic.

상기 자가 조립 물질의 터미널 그룹이 -CL, -F, -I, -CH3기이면 상기 돌출부의 표면은 소수성이며, 상기 자가 조립 물질의 터미널 그룹이 -OH, -COOH, -COH기이면 상기 돌출부의 표면은 친수성인 것을 특징으로 한다.If the terminal group of the self-assembled material is a -CL, -F, -I, -CH3 group, the surface of the protrusion is hydrophobic and if the terminal group of the self-assembled material is -OH, -COOH, The surface is characterized by being hydrophilic.

상기 자가 조립 물질과 반응한 기판을 열처리하는 단계는 상기 기판을 30분~1시간 동안 130~150도에서 열처리하는 것을 특징으로 한다.The step of heat-treating the substrate reacted with the self-assembled material is characterized in that the substrate is thermally treated at 130 to 150 degrees for 30 minutes to 1 hour.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법은 상기 임프린트용 몰드를 마련하는 단계와; 액정 표시 패널의 기판 상에 박막을 형성하는 단계와; 상기 임프린트용 몰드와 상기 기판이 접촉함으로써 상기 액 정 표시 패널의 컬러 스페이서와 오버 코트층을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display panel, including: providing the imprint mold; Forming a thin film on a substrate of a liquid crystal display panel; And simultaneously forming the color spacer and the overcoat layer of the liquid crystal display panel by contacting the imprint mold and the substrate.

본 발명에 따른 임프린트용 몰드는 단일 재질로 형성되므로 종래 이종 재질로 형성된 임프린트용 몰드에 비해 전체 피치 변형을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 임프린트용 몰드의 재질인 유리 또는 석영은 종래 패턴부의 재질인 폴리머에 비해 표면 균일도가 균일하므로 두께 불균일로 인한 불량을 방지할 수 있으며 임프린트용 몰드의 수명을 향상시킬 수 있다.Since the imprint mold according to the present invention is formed of a single material, the overall pitch deformation can be prevented as compared with the mold for imprint which is conventionally formed of a different material. In addition, glass or quartz, which is a material of the imprint mold according to the present invention, has a uniform surface uniformity compared to a polymer which is a material of a conventional pattern portion, so that defects due to thickness unevenness can be prevented and the lifetime of the imprint mold can be improved.

이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments.

도 2는 본 발명에 따른 임프린트용 몰드를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a mold for imprinting according to the present invention.

도 2에 도시된 임프린트용 몰드(110)는 유리 또는 석영을 이용해 단일 재질 구조로 형성된다. 또한, 임프린트용 몰드(110)는 패터닝 공정을 위해 돌출부(114)와 홈(112)을 가지도록 형성된다.The imprint mold 110 shown in FIG. 2 is formed of a single material structure using glass or quartz. Further, the imprint mold 110 is formed to have the projecting portion 114 and the groove 112 for the patterning process.

이와 같이, 본 발명에 따른 임프린트용 몰드(110)는 단일 재질로 형성되므로 종래 이종 재질로 형성된 임프린트용 몰드에 비해 전체 피치 변형을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 임프린트용 몰드(110)의 재질인 유리 또는 석영은 종래 패턴부의 재질인 폴리머에 비해 표면 균일도가 균일하므로 두께 불균일로 인한 불량을 방지할 수 있으며 임프린트용 몰드의 수명을 향상시킬 수 있다.As described above, since the imprint mold 110 according to the present invention is formed of a single material, the entire pitch deformation can be prevented as compared with the mold for imprint which is conventionally made of a different material. In addition, glass or quartz, which is a material of the imprint mold 110 according to the present invention, has uniform surface uniformity compared to a polymer as a material of a conventional pattern portion, so that defects due to thickness irregularities can be prevented and lifetime of the imprint mold can be improved .

이러한 임프린트용 몰드(110)의 제조 방법을 도 3a 내지 도 3i를 결부하여 상세히 설명하기로 한다.A method of manufacturing such an imprint mold 110 will be described in detail with reference to FIGS. 3A to 3I.

도 3a에 도시된 바와 같이 기판(120) 상에 금속층이 형성된 후 그 금속층 상에 포토리소그래피 공정을 통해 포토레지스트 패턴(124)이 형성된다. 그 포토레지스트 패턴(124)을 이용하여 금속층이 식각됨으로써 기판(120) 상에 금속 패턴(122)이 형성된다.3A, a metal layer is formed on the substrate 120, and then a photoresist pattern 124 is formed on the metal layer through a photolithography process. And the metal pattern is etched using the photoresist pattern 124 to form the metal pattern 122 on the substrate 120.

도 3b에 도시된 바와 같이 포토레지스트 패턴(124) 및 금속 패턴(122)이 형성된 기판(120)은 식각 용기(128)에 채워져 있는 식각액(126)에 1차로 침지된다. 여기서, 식각용기(128)에는 순수물(DI Water)과 HF가 8:1의 비율로 희석된 식각액이 채워져 있으며, 기판(120)은 지면과 수직한 상태로 정렬된다. 식각액(126)에 침지된 기판(120)은 금속 패턴(122)을 마스크로 이용한 식각공정을 통해 기판(120)이 원하는 깊이(d)의 1/2 깊이만큼 식각됨으로써 원하는 깊이의 1/2의 깊이(d/2)를 가지는 홈(112) 및 원하는 높이의 1/2의 높이를 가지는 돌출부(114)가 형성된다. 여기서, 식각 깊이는 원하는 깊이의 1/2만큼 식각되는 것을 예로 들었으나 침지시간 및 식각액을 이용하여 조절할 수 있다.The substrate 120 on which the photoresist pattern 124 and the metal pattern 122 are formed is first immersed in the etchant 126 filled in the etch chamber 128 as shown in FIG. Here, the etching vessel 128 is filled with an etchant diluted with a ratio of DI water to HF of 8: 1, and the substrate 120 is aligned perpendicular to the ground. The substrate 120 immersed in the etching liquid 126 is etched by a half depth of the desired depth d through the etching process using the metal pattern 122 as a mask, A groove 112 having a depth d / 2 and a projection 114 having a height of 1/2 of a desired height are formed. Here, the etch depth is etched by 1/2 of the desired depth, but it can be adjusted by using the immersion time and the etchant.

또한, 식각 용기(128) 내에는 식각액 분사기(130)가 기판(120)과 대면하도록 위치한다. 이 식각액 분사기(130)는 1차 침지시 기판(120)의 영역마다 식각액과 접촉하는 시간이 달라 발생되는 얼룩을 방지하기 위해 기판(120) 전면에 식각액(126)이 골고루 분사되도록 한다. 또한, 식각액 분사기(130)는 식각액(126)에 의해 등방성 식각되는 기판(120)이 이방성 식각되도록 식각액(126)을 기판(120)에 분사한다.Also, in the etching vessel 128, the etching liquid injector 130 is positioned to face the substrate 120. The etchant injector 130 uniformly injects the etchant 126 onto the entire surface of the substrate 120 to prevent stains that may occur during contact with the etchant in each region of the substrate 120 during the first immersion. The etchant injector 130 injects the etchant 126 onto the substrate 120 so that the substrate 120 isotropically etched by the etchant 126 is anisotropically etched.

도 3c에 도시된 바와 같이 1차 식각된 기판(110)은 상하반전된 후 식각액(126)에 2차로 침지된다. 즉, 기판(120)은 기판(120)의 두께 편차 발생을 최소화하기 위해 1차 침지시 맨처음 침지된 기판(120)의 하측(DS)이 맨 나중에 침지되고 1차 침지시 맨 나중에 침지된 기판(120)의 상측(US)이 맨처음 침지도록 상하반전되어 식각액(126)에 2차 침지된다. 여기서, 식각 용기(128)에는 순수물(DI Water)과 HF가 8:1의 비율로 희석된 식각액(126)이 채워져 있으며, 기판(120)은 1차 침지시와 마찬가지로 지면과 수직한 상태로 정렬된다. 식각액(126)에 2차 침지된 기판(120)은 금속 패턴(122)을 마스크로 이용한 식각공정을 통해 기판(120)이 원하는 깊이(d)의 1/2 깊이만큼 식각됨으로써 원하는 깊이(d)를 가지는 홈(112) 및 원하는 높이를 가지는 돌출부(114)가 형성된다.As shown in FIG. 3C, the substrate 110, which is primarily etched, is vertically inverted and then immersed in the etching solution 126 by a second order. That is, in order to minimize the occurrence of a thickness variation of the substrate 120, the substrate 120 may be formed such that the lower side DS of the substrate 120 first immersed in the first immersion is immersed in the last, The upper side US of the etching solution 120 is vertically inverted to be firstly immersed and then immersed in the etching solution 126 for a second time. Here, the etching vessel 128 is filled with an etching solution 126 diluted with DI water and HF at a ratio of 8: 1, and the substrate 120 is in a state of being perpendicular to the surface of the substrate . The substrate 120 which is secondarily immersed in the etching solution 126 is etched by a half depth of the desired depth d through the etching process using the metal pattern 122 as a mask, A protrusion 114 having a desired height is formed.

또한, 식각 용기(128) 내에는 1차 식각시와 마찬가지로 식각액 분사기(130)가 기판(120)과 대면하도록 위치한다. Also, in the etching vessel 128, the etchant injector 130 is positioned to face the substrate 120 as in the first etching.

도 3d에 도시된 바와 같이 2차 식각된 기판(120) 상에 잔존하는 금속 패턴(122)과 포토레지스트패턴(124)은 스트립 공정을 통해 제거된다. 이 때, 기판(120)의 홈(112)은 1차 및 2차 식각시 등방성 식각됨으로써 역테이퍼 형태로 형성되어 돌출부(114)의 상측 폭(UW)이 중앙측 폭(CW)보다 크게 형성된다.As shown in FIG. 3D, the metal pattern 122 and the photoresist pattern 124 remaining on the secondary-etched substrate 120 are removed through the strip process. At this time, the groove 112 of the substrate 120 is formed in an inverted tapered shape by isotropic etching at the time of primary and secondary etching so that the upper width UW of the projection 114 is formed to be larger than the width CW of the center side .

도 3e에 도시된 바와 같이 기판(120)은 식각액이 담긴 식각 용기(132)에 침지됨으로써 전면 식각된다. 이 때, 기판(120)은 지면과 수직 또는 수평한 상태로 정렬된다. 이에 따라, 기판(120)의 전체 식각 깊이는 변하지 않은 상태로 기 판(120) 상에 잔존하는 역테이퍼를 제거된다. As shown in FIG. 3E, the substrate 120 is front-etched by being immersed in the etching container 132 containing the etching liquid. At this time, the substrate 120 is aligned vertically or horizontally with the ground. Thus, the reverse taper remaining on the substrate 120 is removed without changing the entire etch depth of the substrate 120.

도 3f에 도시된 바와 같이 전면 식각된 기판(120)은 자외선과 오존 등으로 세정됨으로써 원하는 깊이의 홈(112)과 원하는 높이의 돌출부(114)를 가지는 임프린트용 몰드(110)가 완성된다.As shown in FIG. 3F, the front substrate 120 is cleaned with ultraviolet rays and ozone to complete the imprint mold 110 having the grooves 112 having the desired depth and the protrusions 114 having the desired height.

도 3g에 도시된 바와 같이 임프린트용 몰드(110)는 포토마스크(140)를 이용한 노광 공정을 통해 표면 처리된다. 구체적으로, 임프린트용 몰드(110) 상에 포토마스크(140)가 정렬된다. 즉, 포토 마스크(140)의 차단부(138)는 임프린트용 몰드(110)의 홈(112)과 대응되도록 정렬된다. 이에 따라, 포토마스크(140)의 기판(136)을 통과한 광(예를 들어, UV)은 임프린트용 몰드(110)의 돌출부(114)의 표면 상에 조사된다. 이 때, 약 180~260nm의 파장을 가지지는 광은 약 10~20분간 돌출부(114)의 표면에 조사된다. 그러면, 임프린트용 몰드(110)의 돌출부(114)의 표면은 친수성을 가지게 된다.As shown in FIG. 3G, the imprint mold 110 is surface-treated through an exposure process using a photomask 140. Specifically, the photomask 140 is aligned on the mold 110 for imprinting. That is, the blocking portion 138 of the photomask 140 is aligned with the groove 112 of the imprint mold 110. Accordingly, the light (for example, UV) that has passed through the substrate 136 of the photomask 140 is irradiated onto the surface of the protrusion 114 of the imprint mold 110. At this time, light having a wavelength of about 180 to 260 nm is irradiated to the surface of the projection 114 for about 10 to 20 minutes. Then, the surface of the protrusion 114 of the imprint mold 110 becomes hydrophilic.

도 3h에 도시된 바와 같이, N2 분위기의 챔버(142) 내에 임프린트용 몰드(110)를 투입한 다음 친수성을 가지는 돌출부(114)의 표면과 자가 조립 물질(Self Assembly Materials; SAM)을 반응시킴으로써 돌출부(114)의 표면은 극소수화 또는 극친수화된다. 이러한 자가 조립 물질의 터미널 그룹에 따라 돌출부(114)의 표면이 극소수화 또는 극친수화된다. 예를 들어, 터미널 그룹이 -CL, -F, -I, -CH3기이면 돌출부(114)의 표면은 극소수화되며, 터미널 그룹이 -OH, -COOH, -COH기이면 돌출부의 표면은 극친수화된다. 이러한 돌출면을 가지는 돌출부(114)는 패터닝을 위해 접촉되는 박막과의 반발력이 커진다. 즉, 박막이 친수성이면 돌출 부(114)는 소수성을 가지고, 박막이 소수성이면 돌출부(114)는 친수성을 가지게 되므로 박막 패턴 불량이 최소화된다. 한편, 자가 조립 물질과 돌출부(114) 표면의 반응시간은 약 2~24시간으로, 이 반응시간이 길수록 표면 처리가 균일해진다. 3H, the imprint mold 110 is placed in the N2 atmosphere chamber 142, and then the surface of the protruding portion 114 having hydrophilic property is reacted with the self assembly materials (SAM) The surface of the substrate 114 is minimized or extreme hydrated. Depending on the terminal group of the self-assembled material, the surface of the protrusion 114 is minimized or extreme hydrophilized. For example, if the terminal group is -CL, -F, -I, or -CH3, the surface of the protrusion 114 is minimized and if the terminal group is -OH, -COOH, or -COH groups, do. The projecting portion 114 having such a projecting surface has a large repulsive force with the thin film to be contacted for patterning. That is, if the thin film is hydrophilic, the protruding portion 114 has hydrophobicity, and if the thin film is hydrophobic, the protruding portion 114 has hydrophilicity, so that defective thin film pattern is minimized. On the other hand, the reaction time of the surface of the self-assembled material and the projecting portion 114 is about 2 to 24 hours, and the longer the reaction time, the more uniform the surface treatment.

도 3g 및 도 3h에 기재된 임프린트용 몰드의 표면 처리 방법이외에도 마스크 사용없이 임프린트용 몰드(110)의 돌출부(114) 및 홈(112)의 표면 전체를 소수화시킬 수도 있다. 즉, 임프린트용 몰드(110)의 돌출부(114) 및 홈(112)에 자외선이 조사됨으로써 돌출부(114) 및 홈(112)의 표면 전체가 친수화된 다음 그 친수화된 표면 전체를 SAM과 반응시키면 소수화된다. 이 소수화된 임프린트용 몰드(110)를 이용하여 박막을 패터닝함으로써 박막 패턴이 형성된다. 박막 패턴 형성 후 임프린트용 몰드(110)와 박막 패턴의 분리시 소수화된 임프린트용 몰드(110)는 박막 패턴과의 반발력이 상대적으로 강해 분리가 용이해진다.The surface of the protruding portion 114 and the entire surface of the groove 112 of the imprint mold 110 may be made hydrophobic in addition to the surface treatment method of the imprint mold described in Figures 3G and 3H. That is, ultraviolet rays are irradiated to the protrusions 114 and the grooves 112 of the imprint mold 110 to hydrophilize the whole surfaces of the protrusions 114 and the grooves 112, . A thin film pattern is formed by patterning the thin film using the hydrophobic imprint mold 110. The hydrophobic imprint mold 110 when separating the imprint mold 110 and the thin film pattern after the formation of the thin film pattern has relatively strong repulsive force with respect to the thin film pattern, thereby facilitating the separation.

도 3i에 도시된 바와 같이, 극소수화 또는 극친수화된 돌출부(114)의 표면을 가지는 임프린트용 몰드(110)는 약 130~150도의 챔버(144) 내에서 약 30분~1시간 동안 열처리됨으로써 안정화된다.As shown in FIG. 3I, the imprint mold 110 having the surface of the protruding portion 114 having a minimized or extreme hydrophilicity is heat-treated in the chamber 144 of about 130 to 150 degrees for about 30 minutes to 1 hour, do.

상술한 바와 같은 제조 방법으로 형성된 임프린트용 몰드(110)는 박막 패터닝 공정에 적용된다. 이에 대해 도 4a 내지 도 4c를 결부하여 상세히 설명하기로 한다.The imprint mold 110 formed by the above-described manufacturing method is applied to the thin film patterning process. This will be described in detail with reference to Figs. 4A to 4C.

도 4a에 도시된 바와 같이 임프린트용 몰드(110)는 진공척(146)에 전면 흡착됨으로써 임프린트용 몰드(110)의 휨 현상을 방지할 수 있다. 그런 다음, 임프린트용 몰드(110)는 박막(158)이 형성된 평판 표시 소자의 기판(151)과 300㎛이하로 이격되게 정렬된다. 이 때, 임프린트용 몰드(110)의 크기(MW)는 평판 표시 소자의 기판(151)의 크기(SW)와 동일하게 형성된다. As shown in FIG. 4A, the imprint mold 110 is entirely attracted to the vacuum chuck 146, thereby preventing the imprint mold 110 from being warped. Then, the imprint mold 110 is aligned with the substrate 151 of the flat panel display element on which the thin film 158 is formed so as to be spaced apart by 300 mu m or less. At this time, the size MW of the imprint mold 110 is formed to be equal to the size SW of the substrate 151 of the flat panel display device.

도 4b에 도시된 바와 같이 임프린트용 몰드(110)는 평판 표시 소자의 기판(151) 상으로 낙하된다. 이에 따라, 임프린트용 몰드(110)는 기판(151) 상의 박막(158)과 접촉된다. 그러면, 임프린트용 몰드(110)의 홈(112) 내로 박막(158)이 이동하게 되므로 박막 패턴(154,156)이 형성된다. 박막 패턴(154,156)은 임프린트용 몰드(110)의 홈(112)과 반전 전사된 형태의 돌출 패턴(156)과, 임프린트용 몰드의 돌출부(114)와 반전 전사된 형태의 홈 패턴(154)을 가진다. 예를 들어, 박막 패턴(154,156)은 액정 표시 소자의 컬러 기판에 형성된 오버 코트층(154)과 컬럼 스페이서(156)로 형성된다. 즉, 컬럼 스페이서(156)는 박막 패턴의 돌출 패턴과 대응되며, 오버코트층(154)은 돌출 패턴을 제외한 나머지 영역과 대응된다.The imprint mold 110 is dropped onto the substrate 151 of the flat panel display device as shown in FIG. 4B. Accordingly, the imprint mold 110 is brought into contact with the thin film 158 on the substrate 151. Then, the thin film 158 is moved into the groove 112 of the imprint mold 110, so that the thin film patterns 154 and 156 are formed. The thin film patterns 154 and 156 are patterned in such a manner that the protruding pattern 156 invertedly transferred with the grooves 112 of the imprint mold 110 and the protruded portions 114 of the imprint mold and the inverted- I have. For example, the thin film patterns 154 and 156 are formed of the overcoat layer 154 and the column spacer 156 formed on the color substrate of the liquid crystal display element. That is, the column spacer 156 corresponds to the protruding pattern of the thin film pattern, and the overcoat layer 154 corresponds to the remaining area except the protruding pattern.

도 4c에 도시된 바와 같이 평판 표시 소자의 기판(151) 상에 형성된 박막 패턴(154,156)으로부터 임프린트용 몰드(110)는 분리된다.The imprint mold 110 is separated from the thin film patterns 154 and 156 formed on the substrate 151 of the flat panel display device as shown in FIG. 4C.

한편, 본 발명에 따른 임프린트용 몰드로 형성된 박막 패턴은 도 5에 도시된 액정 표시 패널에 적용된다. 구체적으로, 도 5에 도시된 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 액정층(182)을 사이에 두고 서로 대향하여 합착된 박막 트랜지스터 기판(180) 및 컬러 필터 기판(160)을 구비한다.The thin film pattern formed by the imprint mold according to the present invention is applied to the liquid crystal display panel shown in FIG. 5 includes a thin film transistor substrate 180 and a color filter substrate 160, which are bonded to each other with a liquid crystal layer 182 interposed therebetween.

컬러 필터 기판(160)은 상부기판(162) 상에 빛샘 방지를 위해 형성된 블랙매트릭스(164), 컬러 구현을 위한 컬러필터(166), 화소 전극과 전계를 형성하는 공통 전극(168), 평탄화를 위한 오버 코트층(184)과, 오버 코트층(184)과 일체화로 형성 되며 셀갭 유지를 위한 컬럼 스페이서(186)와, 컬럼 스페이서(186)와 이들을 덮는 상부 배향막(도시하지 않음)을 구비한다. The color filter substrate 160 includes a black matrix 164 formed on the upper substrate 162 for preventing light leakage, a color filter 166 for color implementation, a common electrode 168 for forming an electric field with the pixel electrodes, An overcoat layer 184 for covering the overcoat layer 184, a column spacer 186 formed integrally with the overcoat layer 184 for maintaining the cell gap, a column spacer 186, and an upper alignment film (not shown) covering these.

박막 트랜지스터 기판(180)은 하부 기판(172) 위에 서로 교차하게 형성된 게이트 라인(176) 및 데이터 라인(174)과, 그 교차부에 인접한 박막 트랜지스터(178)와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 형성된 화소 전극(170) 및 이들을 덮는 하부 배향막(도시하지 않음)을 구비한다. The thin film transistor substrate 180 includes a gate line 176 and a data line 174 formed on the lower substrate 172 so as to intersect with each other and a thin film transistor 178 adjacent to the intersection, And a pixel electrode 170 and a lower alignment film (not shown) covering the pixel electrode 170. [

이러한 액정 표시 패널의 컬러필터(166), 블랙 매트릭스(164) 및 컬럼 스페이서(186), 박막트랜지스터(178), 게이트 라인(176), 데이터 라인(174) 및 화소 전극(170) 등은 각각의 패턴과 대응하는 홈을 가지는 상술한 임프린트용 몰드를 이용한 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다.The color filter 166, the black matrix 164 and the column spacer 186, the thin film transistor 178, the gate line 176, the data line 174, the pixel electrode 170, And can be formed through a patterning process using the above-described imprint mold having grooves corresponding to the patterns.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

도 1은 종래 임프린트용 몰드를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a mold for a conventional imprint.

도 2는 본 발명에 따른 임프린트용 몰드를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a mold for imprinting according to the present invention.

도 3a 내지 도 3i는 도 2에 도시된 임프린트용 몰드의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.FIGS. 3A to 3I are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the imprint mold shown in FIG.

도 4a 내지 도 4c는 도 2에 도시된 임프린트용 몰드를 이용한 박막 패터닝 공정을 설명하기 위한 단면도들이다.4A to 4C are cross-sectional views illustrating a thin film patterning process using the imprint mold shown in FIG.

도 5는 도 4a 내지 도 4c의 제조 방법에 의해 형성된 박막 패턴을 가지는 액정 표시 패널을 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view showing a liquid crystal display panel having a thin film pattern formed by the manufacturing method of Figs. 4A to 4C.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >Description of the Related Art

110 : 임프린트용 몰드 112 : 홈110: mold for imprinting 112: groove

114 : 돌출부114: protrusion

Claims (11)

기판 상에 포토레지스트 패턴을 이용해 금속 패턴을 형성하는 단계와;Forming a metal pattern on the substrate using a photoresist pattern; 상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 기판을 1차 식각하는 단계와;Etching the substrate using the metal pattern as a mask; 상기 기판을 상하 반전하는 단계와;Inverting the substrate up and down; 상기 상하 반전된 기판을 상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 2차 식각하는 단계와;Etching the substrate by using the metal pattern as a mask; 상기 기판 상의 상기 포토레지스 패턴 및 금속 패턴을 제거하는 단계와;Removing the photoresist pattern and the metal pattern on the substrate; 상기 2차 식각된 기판을 전면 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.And etching the second etched substrate to form a front surface. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 전면 식각된 기판에 자외선을 조사하는 단계와;Irradiating the front etched substrate with ultraviolet light; 상기 자외선이 조사된 기판을 자가 조립 물질과 반응시키는 단계와;Reacting the ultraviolet-irradiated substrate with the self-assembled material; 상기 자가 조립 물질과 반응한 기판을 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.Further comprising the step of heat treating the substrate reacted with the self-assembled material. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 11. &lt; / RTI &gt; 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 기판을 1차 및 2차 식각하는 단계는The step of first and second etching the substrate 상기 기판을 식각용기에 채워진 순수물과 HF가 1:8로 희석된 식각액에 침지 시키는 단계인 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.Wherein the step of immersing the substrate in an etchant diluted with pure water and HF in a ratio of 1: 8 is carried out. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, 상기 기판은 지면과 수직으로 정렬된 상태로 상기 식각액에 침지되는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.Wherein the substrate is immersed in the etchant while being vertically aligned with the surface of the substrate. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, 상기 식각 용기에는 상기 식각액을 분사하는 분사기가 기판과 대면하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.Wherein an ejector for ejecting the etchant is disposed in the etching vessel so as to face the substrate. 제 2 항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 전면 식각된 기판에 자외선을 조사하는 단계는The step of irradiating ultraviolet rays to the front-side etched substrate 상기 기판의 홈 및 돌출부 중 어느 하나와 포토마스크의 차단부가 마주보도록 정렬하는 단계와;Aligning one of the groove and the protrusion of the substrate and the blocking portion of the photomask so as to face each other; 상기 포토마스크를 이용하여 상기 기판에 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.And irradiating the substrate with ultraviolet light using the photomask. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 11. &lt; / RTI &gt; 제 2 항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 자외선이 조사된 기판을 자가 조립 물질과 반응시키는 단계는The step of reacting the ultraviolet-irradiated substrate with the self- 상기 자외선이 조사된 기판을 N2분위기의 챔버에 투입한 후 상기 기판을 자 가 조립 물질과 2시간~24시간 동안 반응시키는 단계인 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.Wherein the step of introducing the ultraviolet-irradiated substrate into a chamber of an N 2 atmosphere is followed by reacting the substrate with the self-assembled material for 2 hours to 24 hours. 제 6 항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 자가 조립 물질에 따라 상기 기판의 홈 또는 돌출부의 표면은 친수성 또는 소수성을 가지는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.Wherein the surface of the groove or protrusion of the substrate has hydrophilicity or hydrophobicity according to the self-assembled material. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 자가 조립 물질의 터미널 그룹이 -CL, -F, -I, -CH3기이면 상기 돌출부의 표면은 소수성이며, 상기 자가 조립 물질의 터미널 그룹이 -OH, -COOH, -COH기이면 상기 돌출부의 표면은 친수성인 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.If the terminal group of the self-assembled material is a -CL, -F, -I, -CH3 group, the surface of the protrusion is hydrophobic and if the terminal group of the self-assembled material is -OH, -COOH, Wherein the surface is hydrophilic. 제 2 항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 자가 조립 물질과 반응한 기판을 열처리하는 단계는The step of heat treating the substrate reacted with the self-assembled material 상기 기판을 30분~1시간 동안 130~150도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.Wherein the substrate is thermally treated at 130 to 150 degrees for 30 minutes to 1 hour. 제 1 항 내지 제10 항 중 어느 한 항의 상기 임프린트용 몰드를 마련하는 단계와;11. A method of manufacturing an imprint mold, comprising the steps of: providing the mold for imprinting according to any one of claims 1 to 10; 액정 표시 패널의 기판 상에 박막을 형성하는 단계와;Forming a thin film on a substrate of a liquid crystal display panel; 상기 임프린트용 몰드와 상기 기판이 접촉함으로써 상기 액정 표시 패널의 컬러 스페이서와 오버 코트층을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.And simultaneously forming the color spacer and the overcoat layer of the liquid crystal display panel by contacting the imprint mold and the substrate.
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