KR101589587B1 - T-type dual band impedance matching circuit and the design method thereof - Google Patents

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전자부품연구원
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source

Abstract

본 발명은 T형 이중 대역 정합 회로 및 그 설계 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로는 일단이 입력단에 직렬 연결되고, 제1 인덕터와 제1 커패시터가 병렬 연결된 형태이며, 제1 저지대역에 공진주파수를 갖는 제1 LC 공진부, 상기 제1 LC 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되고, 제2 인덕터와 제2 커패시터가 직렬 연결된 형태이며, 제2 저지대역에 공진주파수를 갖는 제2 LC 공진부, 및 상기 제1 LC 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제1 LC 공진부와 직렬 연결되고, 제3 인덕터와 제3 커패시터가 병렬 연결된 형태이며, 제3 저지대역에 공진주파수를 갖는 제3 LC 공진부를 포함하며, 이를 통해 단일의 T형 회로를 이용하여 이중의 통과 대역을 가지는 회로를 제공할 수 있고, 필요에 따라 설정된 세 개의 저지대역에서 불필요한 고조파 및 혼변조 성분들이 제거된다.The present invention relates to a T-type dual band matching circuit and a method of designing the same, wherein a T-type dual band matching circuit of the present invention has one end connected in series to an input end, a first inductor and a first capacitor connected in parallel, A first LC resonance unit having a resonance frequency in a stop band, a second LC resonance unit connected in parallel to the input end by forming a shunt from the other end of the first LC resonance unit, a second inductor and a second capacitor connected in series, And a third LC resonance unit connected in series with the first LC resonance unit, the third inductor and the third capacitor being connected in parallel, the third LC resonance unit being located between the other end and the output end of the first LC resonance unit, And a third LC resonant portion having a resonant frequency in the band, thereby providing a circuit having a dual pass band using a single T-type circuit, Are unnecessary harmonic and intermodulation components are removed from the support band.

Description

T형 이중 대역 정합 회로 및 그 설계 방법 {T-type dual band impedance matching circuit and the design method thereof}The present invention relates to a T-type dual band matching circuit and a design method thereof,

본 발명은 정합(impedance matching) 회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 단일의 T형 회로를 이용하여 이중의 통과 대역을 가지는 T형 이중 대역 정합 회로 및 그 설계 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to impedance matching circuits, and more particularly, to a T-type dual band matching circuit having a dual pass band using a single T-type circuit and a method of designing the same.

현대의 통신 시스템은 일반적으로 다중 대역 동작을 위해 설계되며, 특히 무선 통신 시스템은 송신단에서 여러 종류의 정보를 서로 다른 주파수를 이용해서 전송한다.Modern communication systems are generally designed for multi-band operation, and in particular, wireless communication systems transmit different kinds of information at different frequencies using different frequencies.

따라서 이러한 다중 대역 시스템에서 최적 전력 소모 및 제작 비용, 장치의 물리적 크기를 고려하여 다중 대역 통신회로를 선호하게 된다.Therefore, in this multi-band system, a multi-band communication circuit is preferred in consideration of optimum power consumption, manufacturing cost, and physical size of the apparatus.

한편 전력증폭기(Power Amplifier: PA)는 다중 대역 시스템의 송신단에서 신호를 증폭시키는 중요한 장치로써, 이러한 전력증폭기는 인가되는 신호들을 증폭시킬 뿐만 아니라, 이득을 갖는 모든 주파수의 대역의 불요 신호뿐만 아니라 잡음도 증가시키는 문제가 있다.Meanwhile, a power amplifier (PA) is an important device for amplifying a signal in a transmission terminal of a multi-band system. In addition to amplifying signals to be applied, such a power amplifier amplifies not only unnecessary signals of all frequency bands having gain, There is also a problem of increasing.

따라서 다중 대역 전력증폭기는 통과 대역 이외의 주파수 대역에서 발생하는 이득을 효과적으로 억제하는 것이 통과대역 신호 증폭 뿐만 아니라 안정적인 회로 동작을 위해서 중요하다.Therefore, it is important for multi-band power amplifiers to effectively suppress the gain occurring in the frequency bands other than the pass band, in addition to the pass-band signal amplification, for stable circuit operation.

또한 전력증폭기는 트랜지스터의 비선형 동작에 의해 고조파 및 혼변조 왜곡 성분들을 발생시키며, 이중 대역 전력증폭기는 단일 대역 전력증폭기에 비해 더 많은 고조파 및 혼변조 성분들을 발생시키므로 설계에 더 많은 주의가 필요하다.Power amplifiers also generate harmonic and intermodulation distortion components due to the nonlinear operation of the transistors, and dual-band power amplifiers generate more harmonics and intermodulation components than single-band power amplifiers, requiring more attention to design.

이때 전력증폭기의 출력단 고조파 및 혼변조 왜곡 신호들의 전력은 전력증폭기의 출력을 기본파 신호 전력과 공유하므로, 전력증폭기의 출력 레벨과 효율을 증가시키기 위해서는 통과대역 외부의 고조파 성분과 혼변조 성분들을 억제하는 것이 중요하다.At this time, the power of the output stage harmonic and the intermodulation distortion signals of the power amplifier share the output of the power amplifier with the power of the fundamental wave signal. Therefore, in order to increase the output level and efficiency of the power amplifier, It is important to do.

임피던스 정합 회로의 주요 기능은 서로 다른 두 회로 간에 신호의 반사를 최소화하는 것으로써 비록 기존의 정합 회로가 통과 대역 주파수에서만 증폭기와 다른 회로간의 임피던스 정합을 제공하지만, 통과대역 이외의 대역에서는 정합 또는 의도적인 비정합 특성을 제공하지 못했었다.The main function of the impedance matching circuit is to minimize signal reflections between two different circuits so that the matching circuit provides impedance matching between the amplifier and other circuits only at the passband frequency, Lt; RTI ID = 0.0 > non-matching < / RTI >

또한 다중 대역에서 정합 특성을 제공하기 위해서는, 한국등록특허 제10-0437627호와 같이 각 통과대역에 따른 정합 회로를 별도로 구비하고, 해당 정합 회로의 출력 신호를 멀티플렉서를 이용해 조합하는 과정이 필요하여, 전체 시스템의 부피가 증가하고 제조비용이 증가하는 문제가 존재하였다.In order to provide matching characteristics in multiple bands, it is necessary to provide a matching circuit according to each pass band separately and to combine the output signals of the matching circuits using a multiplexer as in Korean Patent No. 10-0437627, There is a problem that the volume of the entire system is increased and the manufacturing cost is increased.

한국등록특허 제10-0437627호 "전력 증폭기용 임피던스 정합 회로" (2004년 06월 12일 공고)Korean Patent No. 10-0437627 "Impedance Matching Circuit for Power Amplifier" (published on June 12, 2004)

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 단일의 T형 회로를 이용하여 이중의 통과 대역을 가지면서 불필요한 고조파 및 혼변조 성분들을 감쇄할 수 있는 T형 이중 대역 정합 회로 및 그 설계 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a T-type dual band matching circuit capable of attenuating unnecessary harmonic and intermodulation components while having a double pass band by using a single T- .

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로는, 제1 통과대역을 갖는 제1 T형 단일 대역 정합 회로 및 제2 통과대역을 갖는 제2 T형 단일 대역 정합회로의 소자값을 기반으로, 상기 제1 통과대역 및 상기 제2 통과대역을 갖도록 각 소자값이 정해지는 T형 이중 대역 정합 회로에 관한 것으로서, 일단이 입력단에 직렬 연결되고, 제1 인덕터와 제1 커패시터가 병렬 연결된 형태이며, 제1 저지대역에 공진주파수를 갖는 제1 LC 공진부, 상기 제1 LC 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되고, 제2 인덕터와 제2 커패시터가 직렬 연결된 형태이며, 제2 저지대역에 공진주파수를 갖는 제2 LC 공진부, 및 상기 제1 LC 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제1 LC 공진부와 직렬 연결되고, 제3 인덕터와 제3 커패시터가 병렬 연결된 형태이며, 제3 저지대역에 공진주파수를 갖는 제3 LC 공진부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a T-type dual band matching circuit of the present invention comprises: a first T-type single band matching circuit having a first pass band and a second T-type single band matching circuit having a second pass band, Wherein a first end of the first inductor is connected in series to an input terminal of the T-type dual band matching circuit, and the first inductor and the first capacitor are connected in series, A first LC resonance unit having a resonance frequency in a first stop band and a parallel resonance unit connected in parallel with an input terminal by forming a shunt from the other end of the first LC resonance unit and having a second inductor and a second capacitor connected in series A second LC resonance unit having a resonance frequency in a second stop band, and a second LC resonance unit disposed between the other end and the output end of the first LC resonance unit and connected in series with the first LC resonance unit, And a third LC resonance part having a resonance frequency in a third stop band.

본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로에 있어서, 상기 제1 T형 단일 대역 정합 회로는, 상기 제1 통과대역 주파수에서 동작하도록, 일단이 입력단에 직렬 연결된 제11 공진부, 상기 제11 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되는 제21 공진부, 상기 제11 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제11 공진부와 직렬 연결된 제31 공진부를 포함하고, 상기 제2 T형 단일 대역 정합 회로는, 상기 제2 통과대역 주파수에서 동작하도록, 일단이 입력단에 직렬 연결된 제12 공진부, 상기 제12 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되는 제22 공진부, 상기 제12 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제12 공진부와 직렬 연결된 제32 공진부를 포함하고, 상기 제1 인덕터의 인덕턴스와 상기 제1 커패시터의 커패시턴스는 상기 제11 공진부의 리액턴스 및 상기 제12 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되고, 상기 제2 인덕터의 인덕턴스와 상기 제2 커패시터의 커패시턴스는 상기 제21 공진부의 리액턴스 및 상기 제22 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되고, 상기 제3 인덕터의 인덕턴스와 상기 제3 커패시터의 커패시턴스는 상기 제31 공진부의 리액턴스 및 상기 제32 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되는 것을 특징으로 한다.In the T-type dual band matching circuit of the present invention, the first T-type single band matching circuit may include: an 11th resonating part having one end connected in series to the input end so as to operate at the first pass band frequency; And a 31st resonator part connected in series to the 11th resonator part and positioned between the other end of the 11th resonator part and the output terminal, and a 31st resonator part connected in series with the 11th resonator part, Circuit includes a twelfth resonator portion having one end connected in series to the input end to operate at the second passband frequency, a twenty-second resonator portion formed in parallel with the input end by forming a shunt from the other end of the twelfth resonator, And a thirty-second resonance part located between the other end and the output terminal and connected in series with the twelfth resonance part, wherein the inductance of the first inductor and the capacitance of the first capacitor The inductance of the second inductor and the capacitance of the second capacitor are determined on the basis of the reactance of the twenty-first resonance part and the reactance of the twenty-second resonance part, and the inductance of the second inductor and the capacitance of the second capacitor are determined based on the reactance of the twelfth resonance part and the reactance of the twelfth resonance part. And the inductance of the third inductor and the capacitance of the third capacitor are determined based on the reactance of the 31st resonator and the reactance of the 32th resonator.

본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로에 있어서, 상기 제1 인덕터의 인덕턴스와 상기 제1 커패시터의 커패시턴스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 한다.In the T-type dual band matching circuit of the present invention, the inductance of the first inductor and the capacitance of the first capacitor are determined using the following equation.

Figure 112013117903278-pat00001
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Figure 112013117903278-pat00002
Figure 112013117903278-pat00002

이때, L1은 제1 인덕터의 인덕턴스, C1은 제1 커패시터의 커패시턴스, ω1은 제1 통과대역의 주파수, ω2는 제2 통과대역의 주파수, X11은 제11 공진부의 리액턴스, X12는 제12 공진부의 리액턴스이다.At this time, L 1 is the inductance, C 1 is the capacitance of the first capacitor, ω 1 is the frequency of the first pass band, ω 2 is the frequency of the second pass-band, X 11 is an eleventh resonance portion reactance, X of the first inductor And 12 is the reactance of the twelfth resonance part.

본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로에 있어서, 상기 제1 LC 공진부의 입력 임피던스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 한다.In the T-type dual band matching circuit of the present invention, the input impedance of the first LC resonance portion is determined using the following equation.

Figure 112013117903278-pat00003
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Figure 112013117903278-pat00004
Figure 112013117903278-pat00004

이때, Z1은 제1 LC 공진부의 입력 임피던스, L1은 제1 인덕터의 인덕턴스, C1은 제1 커패시터의 커패시턴스, ω1은 제1 LC 공진부의 공진주파수, ωk는 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수, k는 1 또는 2이다.In this case, Z 1 is the first LC resonator at the input impedance, L 1 is the inductance of the first inductor, C 1 is the capacitance, ω 1 of the first capacitor has a first resonant frequency, ω k LC resonant portion comprises a first pass-band Frequency or frequency of the second passband, k is 1 or 2.

본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로에 있어서, 상기 제2 인덕터의 인덕턴스와 상기 제2 커패시터의 커패시턴스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 한다.In the T-type dual band matching circuit of the present invention, the inductance of the second inductor and the capacitance of the second capacitor are determined using the following equation.

Figure 112013117903278-pat00005
Figure 112013117903278-pat00005

Figure 112013117903278-pat00006
Figure 112013117903278-pat00006

이때, L2는 제2 인덕터의 인덕턴스, C2는 제2 커패시터의 커패시턴스, ω1은 제1 통과대역의 주파수, ω2는 제2 통과대역의 주파수, B21은 제21 공진부의 서셉턴스, B22는 제22 공진부의 서셉턴스이다.At this time, the susceptance L 2 of the second inductance of the inductor, C 2 is the capacitance of the second capacitor, ω 1 is the frequency of the first pass band, ω 2 is the frequency of the second pass band, B 21 has 21 resonance portion, And B 22 is the susceptance of the twenty-second resonance part.

본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로에 있어서, 상기 제3 LC 공진부의 입력 임피던스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 한다.In the T-type dual band matching circuit of the present invention, the input impedance of the third LC resonance portion is determined using the following equation.

Figure 112013117903278-pat00007
Figure 112013117903278-pat00007

Figure 112013117903278-pat00008
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이때, Y2는 제2 LC 공진부의 입력 어드미턴스, L2는 제2 인덕터의 인덕턴스, C2는 제2 커패시터의 커패시턴스, ω2는 제2 LC 공진부의 공진주파수, ωk는 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수, k는 1 또는 2이다.At this time, Y 2 is the second LC resonator at the input admittance, L 2 is the inductance, C 2 is the capacitance of the second capacitor, ω 2 of the second resonance frequency, ω k LC resonance portion of the second inductor comprises a first pass-band Frequency or frequency of the second passband, k is 1 or 2.

본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로에 있어서, 상기 제3 인덕터의 인덕턴스와 상기 제3 커패시터의 커패시턴스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 한다.In the T-type dual band matching circuit of the present invention, the inductance of the third inductor and the capacitance of the third capacitor are determined using the following equation.

Figure 112013117903278-pat00009
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Figure 112013117903278-pat00010
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이때, L3는 제3 인덕터의 인덕턴스, C3은 제3 커패시터의 커패시턴스, ω1은 제1 통과대역의 주파수, ω2는 제2 통과대역의 주파수, X31은 제31 공진부의 리액턴스, X32는 제32 공진부의 리액턴스이다.In this case, L 3 is the inductance of the third inductor, C 3 is the capacitance of the third capacitor, ω 1 is the frequency of the first pass band, ω 2 is the frequency of the second pass band, X 31 is the reactance of the 31st resonator, 32 is the reactance of the thirty-second resonance part.

본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로에 있어서, 상기 제3 LC 공진부의 입력 임피던스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 한다.In the T-type dual band matching circuit of the present invention, the input impedance of the third LC resonance portion is determined using the following equation.

Figure 112013117903278-pat00011
Figure 112013117903278-pat00011

Figure 112013117903278-pat00012
Figure 112013117903278-pat00012

이때, Z3은 제3 LC 공진부의 입력 임피던스, L3은 제3 인덕터의 인덕턴스, C3은 제3 커패시터의 커패시턴스, ω3은 제3 LC 공진부의 공진주파수, ωk는 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수, k는 1 또는 2이다.In this case, Z 3 is the third LC resonator at the input impedance, L 3 is an inductance, C 3 of the third inductor is the capacitance, ω 3 of the third capacitor is a third LC resonator portion resonance frequency, ω k is a first pass-band Frequency or frequency of the second passband, k is 1 or 2.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로의 설계 방법은, 제1 통과대역을 갖도록, 일단이 입력단에 연결된 제11 공진부, 상기 제11 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되는 제21 공진부, 상기 제11 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제11 공진부와 직렬 연결된 제31 공진부를 포함하는 제1 T형 단일 대역 정합 회로를 설계하는 단계, 제2 통과대역을 갖도록, 일단이 입력단에 연결된 제11 공진부, 상기 제11 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되는 제21 공진부, 상기 제11 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제11 공진부와 직렬 연결된 제31 공진부를 포함하는 제2 T형 단일 대역 정합 회로를 설계하는 단계, 및 일단이 입력단에 직렬 연결되고, 제1 인덕터와 제1 커패시터가 병렬 연결된 형태이며, 제1 저지대역에 공진주파수를 갖는 제1 LC 공진부, 상기 제1 LC 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되고, 제2 인덕터와 제2 커패시터가 직렬 연결된 형태이며, 제2 저지대역에 공진주파수를 갖는 제2 LC 공진부, 상기 제1 LC 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제1 LC 공진부와 직렬 연결되고, 제3 인덕터와 제3 커패시터가 병렬 연결된 형태이며, 제3 저지대역에 공진주파수를 갖는 제3 LC 공진부를 포함하되, 상기 제1 인덕터의 인덕턴스와 상기 제1 커패시터의 커패시턴스는 상기 제11 공진부의 리액턴스 및 상기 제12 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되고, 상기 제2 인덕터의 인덕턴스와 상기 제2 커패시터의 커패시턴스는 상기 제21 공진부의 리액턴스 및 상기 제22 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되고, 상기 제3 인덕터의 인덕턴스와 상기 제3 커패시터의 커패시턴스는 상기 제31 공진부의 리액턴스 및 상기 제32 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되는 T형 이중 대역 정합 회로를 설계하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of designing a T-type dual band matching circuit, comprising: forming a first resonance part having one end connected to an input end and a shunt from the other end of the first resonance part, Designing a first T-type single-band matching circuit including a twenty-first resonance unit connected in parallel with an input terminal, and a thirty-first resonance unit positioned between the other end and an output end of the eleventh resonance unit and connected in series with the eleventh resonance unit; A second resonance part connected in parallel to the input end by forming a shunt from the other end of the eleventh resonance part, and a second resonance part located between the other end and the output end of the eleventh resonance part, A first T-type single-band matching circuit including a first resonator and a thirtieth resonator connected in series with the first resonator; A first LC resonator having a resonator frequency in a first stop band and a parallel resonator connected in parallel with the input of the first inductor and a second resonator in a form of a shunt from the other end of the first LC resonator, A second LC resonance unit having a resonance frequency in a second stop band and a second LC resonance unit connected in series with the first LC resonance unit and positioned between the other end and the output end of the first LC resonance unit, Wherein the inductance of the first inductor and the capacitance of the first capacitor are substantially equal to the reactance of the eleventh resonant part and the reactance of the twelfth resonant part and the third LC resonant part having a resonant frequency in the third stop band, Wherein the inductance of the second inductor and the capacitance of the second capacitor are determined based on the reactance of the twenty-first resonant portion and the reactance of the twenty-second resonant portion, And designing a T-type dual band matching circuit in which the inductance of the third inductor and the capacitance of the third capacitor are determined based on the reactance of the thirty-first resonance part and the reactance of the thirty-second resonance part .

본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로 및 그 설계 방법에 따르면 단일의 T형 회로를 이용하여 이중의 통과 대역을 가지는 회로를 제공할 수 있고, 필요에 따라 설정된 세 개의 저지대역에서 불필요한 고조파 및 혼변조 성분들이 제거된다. 이때, 단일의 T형 회로를 이용함으로써 전체 회로의 부피가 감소되고, 사용되는 소자의 개수가 절감되어 제조 단가를 현저히 낮출 수 있다.According to the T-type dual band matching circuit of the present invention and its designing method, it is possible to provide a circuit having a dual pass band by using a single T-type circuit, and it is possible to provide a circuit which has unnecessary harmonic and intermodulation The components are removed. At this time, by using a single T-shaped circuit, the volume of the entire circuit is reduced, and the number of devices used is reduced, so that the manufacturing cost can be remarkably reduced.

도 1은 종래의 실시예에 따른 제1 T형 단일 대역 정합 회로를 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 실시예에 따른 제2 T형 단일 대역 정합 회로를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 T형 이중 대역 정합 회로를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 LC 공진부와 등가회로를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 LC 공진부와 등가회로를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제3 LC 공진부와 등가회로를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a first T-type single band matching circuit according to a conventional embodiment.
2 shows a second T-type single band matching circuit according to a conventional embodiment.
FIG. 3 is a diagram illustrating a T-type dual band matching circuit according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a first LC resonance unit and an equivalent circuit according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing an equivalent circuit of a second LC resonance unit according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing an equivalent circuit of the third LC resonance unit according to an embodiment of the present invention.

하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.In the following description, only parts necessary for understanding the embodiments of the present invention will be described, and the description of other parts will be omitted so as not to obscure the gist of the present invention.

이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary meanings and the inventor is not limited to the meaning of the terms in order to describe his invention in the best way. It should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely preferred embodiments of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention, so that various equivalents And variations are possible.

본 발명은 정합(impedance matching) 회로와 관련한 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.The present invention relates to impedance matching circuits. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 실시예에 따른 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101)를 나타낸 도면이고, 도 2는 종래의 실시예에 따른 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)를 나타낸 도면이다. 그리고 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 T형 이중 대역 정합 회로(100)를 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 LC 공진부(10)와 등가회로를 나타낸 도면이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 LC 공진부(20)와 등가회로를 나타낸 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제3 LC 공진부(30)와 등가회로를 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a diagram showing a first T-type single band matching circuit 101 according to a conventional example, and FIG. 2 is a diagram showing a second T-type single band matching circuit 102 according to a conventional example. 3 is a view showing a T-type dual band matching circuit 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the first LC resonance portion 10 according to an embodiment of the present invention FIG. 5 is a diagram illustrating an equivalent circuit of the second LC resonator 20 according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a circuit diagram of a third LC resonator 30 and a third LC resonator 30 according to an embodiment of the present invention. Fig.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 도 1에 도시된 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101)는 일단이 입력단에 직렬 연결된 제11 공진부(11), 제11 공진부(11)의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되는 제21 공진부(21), 제11 공진부(11)의 타단과 부하(41)가 위치한 출력단 사이에 위치하여 제11 공진부(11)와 직렬 연결된 제31 공진부(31)를 포함하여 T형의 정합 회로를 이루도록 설계된다.1 to 6, the first T-type single-band matching circuit 101 shown in FIG. 1 includes an 11th resonance part 11 having one end connected in series to the input end, A twenty-first resonance part 21 connected in parallel to the input stage by forming a shunt and a third resonance part 21 connected between the other end of the eleventh resonance part 11 and the output stage where the load 41 is disposed, And is designed to form a T-type matching circuit including the resonator 31. [

이때 제11 공진부(11), 제21 공진부(21) 및 제31 공진부(31) 각각은 인덕터나 커패시터를 포함할 수 있으며, 해당 인덕터나 커패시터의 소자값은 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101)가 제1 통과대역(주파수 ω1)의 단일 통과 대역 주파수에서 동작하도록 결정된다.In this case, each of the 11th resonator 11, the 21st resonator 21 and the 31st resonator 31 may include an inductor or a capacitor, and the element values of the inductor and the capacitor may be a first T- The circuit 101 is determined to operate at a single passband frequency in the first passband (frequency? 1 ).

도 2에 도시된 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)는 일단이 입력단에 직렬 연결된 제12 공진부(12), 제12 공진부(12)의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되는 제22 공진부(22), 제12 공진부(12)의 타단과 부하(42)가 위치한 출력단 사이에 위치하여 제12 공진부(12)와 직렬 연결된 제32 공진부(32)를 포함하여 T형의 정합 회로를 이루도록 설계된다.The second T-type single band matching circuit 102 shown in FIG. 2 includes a twelfth resonance part 12 having one end connected in series to the input end, a second resonance part 12 formed in parallel with the input end by forming a shunt from the other end of the twelfth resonation part 12 The twenty-second resonance unit 22 includes a thirty-second resonance unit 32 disposed between the other end of the twelfth resonance unit 12 and the output end of the load 42 and connected in series with the twelfth resonance unit 12, Type matching circuit.

이때 제12 공진부(12), 제22 공진부(22) 및 제32 공진부(32) 각각은 인덕터나 커패시터를 포함할 수 있으며, 해당 인덕터나 커패시터의 소자값은 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)가 제2 통과대역(주파수 ω2)의 단일 통과 대역 주파수에서 동작하도록 결정된다.Each of the twelfth resonator 12, the twenty-second resonator 22, and the thirty-second resonator 32 may include an inductor or a capacitor, and the element value of the corresponding inductor or capacitor may be a second T- The circuit 102 is determined to operate at a single passband frequency in the second passband (frequency? 2 ).

그리고 이러한 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101)와 제2 T형 단일 대역 정합회로의 소자값을 기반으로, 도 3에 도시된 T형 이중 대역 정합 회로(100)의 각 소자값이 결정된다.Based on the values of the elements of the first T-type single-band matching circuit 101 and the second T-type single-band matching circuit, the respective element values of the T-type dual band matching circuit 100 shown in FIG. 3 are determined .

도 3 내지 도 6에서, 본 실시예의 T형 이중 대역 정합 회로(100)는 단일의 T형 정합 회로로 설계되며, 이때 T형 이중 대역 정합 회로(100)는 제1 통과대역 및 제2 통과대역의 이중 통과대역을 가지면서, 제1 저지대역, 제2 저지대역 및 제3 저지대역에서 불필요한 고조파 및 혼변조 성분들이 감쇄된 신호를 출력한다.3 to 6, the T-type dual band matching circuit 100 of the present embodiment is designed as a single T-type matching circuit, in which the T-type dual band matching circuit 100 has a first pass band and a second pass band And outputs a signal in which unnecessary harmonic and intermodulation components are attenuated in the first blocking band, the second blocking band, and the third blocking band.

도 3에서 T형 이중 대역 정합 회로(100)는 제1 LC 공진부(10), 제2 LC 공진부(20) 및 제3 LC 공진부(30)를 포함하여 구성된다. 이때, 제1 LC 공진부(10), 제2 LC 공진부(20) 및 제3 LC 공진부(30)에 포함된, 인덕터(L1, L2, L3) 및 커패시터(C1, C2, C3)의 소자값은, 제1 통과대역을 갖는 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101) 및 제2 통과대역을 갖는 제2 T형 단일 대역 정합회로에서 대응되는 위치의 소자값을 기반으로 결정된다.3, the T-type dual band matching circuit 100 includes a first LC resonator 10, a second LC resonator 20, and a third LC resonator 30. The inductors L 1 , L 2 and L 3 and the capacitors C 1 and C 3 included in the first LC resonator 10, the second LC resonator 20 and the third LC resonator 30, 2 , and C 3 ) of the first T-type single-band matching circuit 101 having the first pass band and the second T-type single-band matching circuit having the second pass band .

제1 LC 공진부(10)는 일단이 입력단에 직렬 연결되고, 제1 인덕터(L1)와 제1 커패시터(C1)가 병렬 연결된 형태로 이루어진다.One end of the first LC resonator unit 10 is connected in series to the input terminal, and the first inductor L 1 and the first capacitor C 1 are connected in parallel.

이때, T형 이중 대역 정합 회로(100)에서 제1 LC 공진부(10)의 위치는, 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101)의 제11 공진부(11) 및 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)의 제12 공진부(12)에 대응된다. 그리고 제1 인덕터(L1)의 인덕턴스와 제1 커패시터(C1)의 커패시턴스는, 제11 공진부(11)의 리액턴스 및 제12 공진부(12)의 리액턴스를 기반으로 결정된다.At this time, the position of the first LC resonant portion 10 in the T-type dual band matching circuit 100 is determined by the position of the 11th resonating portion 11 of the first T- And corresponds to the twelfth resonator portion 12 of the matching circuit 102. The inductance of the first inductor L 1 and the capacitance of the first capacitor C 1 are determined based on the reactance of the 11th resonator 11 and the reactance of the 12th resonator 12.

도 4에서 좌측에는 제1 LC 공진부(10)가 도시되었고, 우측에는 제1 LC 공진부(10)의 등가회로가 도시되었으며, 해당 등가회로의 리액턴스는 'X1k'와 같이 표현되었다. 이때 k는 1 또는 2의 값으로, k = 1일 때 'X11'은 제11 공진부(11)의 리액턴스를 나타내고, k = 2 일 때 'X12'는 제12 공진부(12)의 리액턴스를 나타낸다.In Fig. 4, the first LC resonator 10 is shown on the left side, and the equivalent circuit of the first LC resonator 10 is shown on the right side. The reactance of the equivalent circuit is expressed as X1k . In this case, k is a value of 1 or 2, and when k = 1, 'X 11 ' represents the reactance of the eleventh resonator unit 11, and when k = 2, 'X 12 ' represents the reactance of the twelfth resonator unit 12 Reactance.

이 경우 제1 LC 공진부(10)의 입력 임피던스는 다음의 수식과 같이 정해진다.In this case, the input impedance of the first LC resonator 10 is determined as follows.

Figure 112013117903278-pat00013
Figure 112013117903278-pat00013

Z1: 제1 LC 공진부의 입력 임피던스Z 1 : input impedance of the first LC resonance part

L1: 제1 인덕터의 인덕턴스L 1 : Inductance of the first inductor

C1: 제1 커패시터의 커패시턴스C 1 : capacitance of the first capacitor

ωk: 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수ω k : frequency of the first pass band or frequency of the second pass band

X1k: 제11 공진부의 리액턴스 또는 제12 공진부의 리액턴스X 1k : reactance of the eleventh resonating part or reactance of the twelfth resonating part

k: 1 또는 2k: 1 or 2

그리고 수학식 1을 기반으로 제1 인덕터(L1)의 인덕턴스와 제1 커패시터(C1)의 커패시턴스를 결정하면 다음의 수식과 같다.If the inductance of the first inductor L 1 and the capacitance of the first capacitor C 1 are determined based on Equation ( 1 ), the following equation is obtained.

Figure 112013117903278-pat00014
Figure 112013117903278-pat00014

Figure 112013117903278-pat00015
Figure 112013117903278-pat00015

L1: 제1 인덕터의 인덕턴스L 1 : Inductance of the first inductor

C1: 제1 커패시터의 커패시턴스C 1 : capacitance of the first capacitor

ω1: 제1 통과대역의 주파수ω 1 : frequency of the first pass band

ω2: 제2 통과대역의 주파수? 2 : frequency of the second pass band

X11: 제11 공진부의 리액턴스X 11 : reactance of the eleventh resonance part

X12: 제12 공진부의 리액턴스X 12 : Reactance of the twelfth resonant part

즉 수학식 2와 같이 제11 공진부(11)의 리액턴스와 제12 공진부(12)의 리액턴스를 기반으로, 제1 인덕터(L1)의 인덕턴스와 제1 커패시터(C1)의 커패시턴스를 결정할 수 있다.The inductance of the first inductor L 1 and the capacitance of the first capacitor C 1 are determined based on the reactance of the eleventh resonator 11 and the reactance of the twelfth resonator 12, .

또한 수학식 1에서 제1 LC 공진부(10)의 입력 임피던스(Z1) 식을 정리하면 다음의 수식과 같다.In Equation (1), the input impedance (Z 1 ) of the first LC resonance portion 10 is summarized as follows.

Figure 112013117903278-pat00016
Figure 112013117903278-pat00016

Figure 112013117903278-pat00017
Figure 112013117903278-pat00017

Z1: 제1 LC 공진부의 입력 임피던스Z 1 : input impedance of the first LC resonance part

L1: 제1 인덕터의 인덕턴스L 1 : Inductance of the first inductor

C1: 제1 커패시터의 커패시턴스C 1 : capacitance of the first capacitor

ω1: 제1 LC 공진부의 공진주파수ω 1 : resonance frequency of the first LC resonance part

ωk: 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수ω k : frequency of the first pass band or frequency of the second pass band

k: 1 또는 2k: 1 or 2

수학식 3에서 제1 LC 공진부(10)는 병렬 형태로 이루어진 제1 인덕터(L1)와 제1 커패시터(C1)의 공진주파수 인근에서 제1 저지대역을 갖게 되며, 해당 제1 저지대역에 위치한 신호가 감쇄된다.In Equation (3), the first LC resonator 10 has a first stop band near the resonance frequency of the first inductor L 1 and the first capacitor C 1 in parallel, and the first stop band Is attenuated.

정리하면, 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101)는 제1 통과대역을 갖도록 제11 공진부(11)에 포함된 인덕터나 커패시터의 소자값이 결정되고, 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)는 제2 통과대역을 갖도록 제12 공진부(12)에 포함된 인덕터나 커패시터의 소자값이 결정된다. 그리고 이를 기반으로 T형 이중 대역 정합 회로(100)의 제1 LC 공진부(10)에 포함된 제1 인덕터(L1)와 제1 커패시터(C1)의 소자값이 결정된다. 이때, 제1 인덕터(L1)와 제1 커패시터(C1)의 소자값에 따라 제1 LC 공진부(10)의 공진주파수가 결정됨으로서, 제1 저지대역을 결정할 수 있다.In summary, the element values of the inductors and capacitors included in the eleventh resonant portion 11 are determined so that the first T-type single band matching circuit 101 has the first pass band, and the second T-type single band matching circuit 102 are determined such that the inductance and the capacitor of the capacitor included in the twelfth resonator 12 have a second pass band. The element values of the first inductor L 1 and the first capacitor C 1 included in the first LC resonant portion 10 of the T-type dual band matching circuit 100 are determined based on this. At this time, the resonance frequency of the first LC resonance unit 10 is determined according to the element values of the first inductor L 1 and the first capacitor C 1 , so that the first stop band can be determined.

이는 필요에 따라 제11 공진부(11) 및 제12 공진부(12)에 포함된 인덕터나 커패시터의 소자값을 변경하여 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101) 및 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)를 설계하고, 이에 따라 제1 LC 공진부(10)에 포함된 제1 인덕터(L1)와 제1 커패시터(C1)의 소자값을 변경하여 T형 이중 대역 정합 회로(100)를 설계할 수 있으며, 그 결과에 따라 결정되는 제1 저지대역에 의해 해당 대역의 신호를 감쇄할 수 있음을 의미한다.The first T-type single-band matching circuit 101 and the second T-type single-band matching circuit 101 change the element values of the inductors and capacitors included in the eleventh resonance unit 11 and the twelfth resonance unit 12, The circuit 102 is designed so that the element values of the first inductor L 1 and the first capacitor C 1 included in the first LC resonance unit 10 are changed to form the T type dual band matching circuit 100 ), And it means that the signal of the corresponding band can be attenuated by the first stop band determined according to the result.

제2 LC 공진부(20)는 제1 LC 공진부(10)의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되고, 제2 인덕터(L2)와 제2 커패시터(C2)가 직렬 연결된 형태로 이루어진다.The second LC resonance unit 20 is connected in parallel to the input end by forming a shunt from the other end of the first LC resonance unit 10 and the second inductor L 2 and the second capacitor C 2 are connected in series .

이때, T형 이중 대역 정합 회로(100)에서 제2 LC 공진부(20)의 위치는, 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101)의 제21 공진부(21) 및 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)의 제22 공진부(22)에 대응된다. 그리고 제2 인덕터(L2)의 인덕턴스와 제2 커패시터(C2)의 커패시턴스는 위치의 제21 공진부(21)의 리액턴스 및 제22 공진부(22)의 리액턴스를 기반으로 결정된다.At this time, the position of the second LC resonator 20 in the T-type dual band matching circuit 100 is determined by the position of the twenty-first resonant portion 21 of the first T- And corresponds to the twenty-second resonance portion 22 of the matching circuit 102. [ The inductance of the second inductor L 2 and the capacitance of the second capacitor C 2 are determined based on the reactance of the twenty-first resonance part 21 and the reactance of the twenty-second resonance part 22 at the positions.

도 5에서 좌측에는 제2 LC 공진부(20)가 도시되었고, 우측에는 제2 LC 공진부(20)의 등가회로가 도시되었으며, 편의를 위해 해당 등가회로의 리액턴스를 변형한 서셉턴스를 이용해 계산을 진행하며, 해당 서셉턴스는 'B2k'와 같이 표현되었다. 이때 k는 1 또는 2의 값으로, k = 1일 때 'B21'은 제21 공진부(21)의 서셉턴스를 나타내고, k = 2 일 때 'B22'는 제22 공진부(22)의 서셉턴스를 나타낸다.In Fig. 5, the second LC resonator 20 is shown on the left side, and the equivalent circuit of the second LC resonator 20 is shown on the right side. For convenience, the reactance of the equivalent circuit is calculated using a susceptance , And the corresponding susceptance was expressed as 'B 2k '. In this case, k is a value of 1 or 2. When k = 1, 'B 21 ' represents the susceptance of the twenty-first resonator 21, 'B 22 ' .

이 경우 제2 LC 공진부(20)의 입력 어드미턴스는 다음의 수식과 같이 정해진다.In this case, the input admittance of the second LC resonator 20 is determined according to the following equation.

Figure 112013117903278-pat00018
Figure 112013117903278-pat00018

Y2: 제2 LC 공진부의 입력 어드미턴스Y 2 : input admittance of the second LC resonance part

L2: 제2 인덕터의 인덕턴스L 2 : Inductance of the second inductor

C2: 제2 커패시터의 커패시턴스C 2 : capacitance of the second capacitor

ωk: 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수ω k : frequency of the first pass band or frequency of the second pass band

B2k: 제21 공진부의 서셉턴스 또는 제22 공진부의 서셉턴스B 2k : susceptance of the twenty-first resonance portion or susceptance of the twenty-second resonance portion

k: 1 또는 2k: 1 or 2

그리고 수학식 4를 기반으로 제2 인덕터(L2)의 인덕턴스와 제2 커패시터(C2)의 커패시턴스를 계산하면 다음의 수식과 같다.The inductance of the second inductor L 2 and the capacitance of the second capacitor C 2 can be calculated based on Equation (4).

Figure 112013117903278-pat00019
Figure 112013117903278-pat00019

Figure 112013117903278-pat00020
Figure 112013117903278-pat00020

L2: 제2 인덕터의 인덕턴스L 2 : Inductance of the second inductor

C2: 제2 커패시터의 커패시턴스C 2 : capacitance of the second capacitor

ω1: 제1 통과대역의 주파수ω 1 : frequency of the first pass band

ω2: 제2 통과대역의 주파수? 2 : frequency of the second pass band

B21: 제21 공진부의 서셉턴스B 21 : susceptance of resonance part 21

B22: 제22 공진부의 서셉턴스B 22 : susceptance of the 22 < th >

수학식 5와 같이 제21 공진부(21)의 리액턴스(또는 서셉턴스)와 제22 공진부(22)의 리액턴스(또는 서셉턴스)를 기반으로, 제2 인덕터(L2)의 인덕턴스와 제2 커패시터(C2)의 커패시턴스를 결정할 수 있다.The inductance of the second inductor L 2 and the inductance of the second inductor L 2 are determined based on the reactance (or susceptance) of the twenty-first resonance part 21 and the reactance (or susceptance) The capacitance of the capacitor C 2 can be determined.

또한 수학식 4에서 제2 LC 공진부(20)의 입력 어드미턴스(Y2) 식을 정리하면 다음의 수식과 같다.In Equation (4), the input admittance (Y 2 ) of the second LC resonator 20 is summarized as the following equation.

Figure 112013117903278-pat00021
Figure 112013117903278-pat00021

Figure 112013117903278-pat00022
Figure 112013117903278-pat00022

Y2: 제2 LC 공진부의 입력 어드미턴스Y 2 : input admittance of the second LC resonance part

L2: 제2 인덕터의 인덕턴스L 2 : Inductance of the second inductor

C2: 제2 커패시터의 커패시턴스C 2 : capacitance of the second capacitor

ω2: 제2 LC 공진부의 공진주파수? 2 : resonance frequency of the second LC resonance part

ωk: 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수ω k : frequency of the first pass band or frequency of the second pass band

k: 1 또는 2k: 1 or 2

수학식 6에서 제2 LC 공진부(20)는 직렬 형태로 이루어진 제2 인덕터(L2)와 제2 커패시터(C2)의 공진주파수 인근에서 제2 저지대역을 갖게 되며, 해당 제2 저지대역에 위치한 신호가 감쇄된다. In Equation (6), the second LC resonator 20 has a second blocking band near the resonance frequency of the second inductor L 2 and the second capacitor C 2 in series, and the second blocking band Is attenuated.

정리하면, 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101)는 제1 통과대역을 갖도록 제21 공진부(21)에 포함된 인덕터나 커패시터의 소자값이 결정되고, 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)는 제2 통과대역을 갖도록 제22 공진부(22)에 포함된 인덕터나 커패시터의 소자값이 결정된다. 그리고 이를 기반으로 T형 이중 대역 정합 회로(100)의 제2 LC 공진부(20)에 포함된 제2 인덕터(L2)와 제2 커패시터(C2)의 소자값이 결정된다. 이때 제2 인덕터(L2)와 제2 커패시터(C2)의 소자값에 따라 제2 LC 공진부(20)의 공진주파수가 결정됨으로서, 제2 저지대역을 결정할 수 있다.In summary, the element values of the inductors and capacitors included in the twenty-first resonance portion 21 are determined so that the first T-type single band matching circuit 101 has the first pass band, and the second T-type single band matching circuit 102 are determined to have element values of inductors or capacitors included in the twenty-second resonator unit 22 so as to have a second pass band. The element values of the second inductor L 2 and the second capacitor C 2 included in the second LC resonator 20 of the T-type dual band matching circuit 100 are determined based on this. At this time, the resonance frequency of the second LC resonator 20 is determined according to the element values of the second inductor L 2 and the second capacitor C 2 , thereby determining the second stop band.

이는 필요에 따라 제21 공진부(21) 및 제22 공진부(22)에 포함된 인덕터나 커패시터의 소자값을 변경하여 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101) 및 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)를 설계하고, 이에 따라 제2 LC 공진부(20)에 포함된 제2 인덕터(L2)와 제2 커패시터(C2)의 소자값을 변경하여 T형 이중 대역 정합 회로(100)를 설계할 수 있으며, 그 결과에 따라 결정되는 제1 저지대역에 의해 해당 대역의 신호를 감쇄할 수 있음을 의미한다.The first T-type single-band matching circuit 101 and the second T-type single-band matching circuit 101 change the element values of inductors and capacitors included in the twenty-first resonance unit 21 and the twenty-second resonance unit 22, The circuit 102 is designed so that the element values of the second inductor L 2 and the second capacitor C 2 included in the second LC resonance unit 20 are changed to form the T- ), And it means that the signal of the corresponding band can be attenuated by the first stop band determined according to the result.

제3 LC 공진부(30)는 제1 LC 공진부(10)의 타단과 부하(40)가 위치한 출력단 사이에 위치하여 제1 LC 공진부(10)와 직렬 연결되고, 제3 인덕터(L3)와 제3 커패시터(C3)가 병렬 연결된 형태로 이루어진다.The third LC resonator unit 30 is connected between the other end of the first LC resonator unit 10 and the output end of the load 40 and is connected in series with the first LC resonator unit 10 and the third inductor L 3 ) And a third capacitor (C 3 ) are connected in parallel.

이때, T형 이중 대역 정합 회로(100)에서 제3 LC 공진부(30)의 위치는, 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101)의 제31 공진부(31) 및 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)의 제32 공진부(32)에 대응된다. 그리고 제3 인덕터(L3)의 인덕턴스와 제3 커패시터(C3)의 커패시턴스는 제31 공진부(31)의 리액턴스 및 제32 공진부(32)의 리액턴스를 기반으로 결정된다.At this time, the position of the third LC resonant portion 30 in the T-type dual band matching circuit 100 is determined by the position of the 31st resonating portion 31 of the first T- And corresponds to the thirty-second resonance portion 32 of the matching circuit 102. The inductance of the third inductor L 3 and the capacitance of the third capacitor C 3 are determined based on the reactance of the 31st resonator 31 and the reactance of the 32th resonator 32.

도 6에서 좌측에는 제3 LC 공진부(30)가 도시되었고, 우측에는 제3 LC 공진부(30)의 등가회로가 도시되었으며, 해당 등가회로의 리액턴스는 'X3k'와 같이 표현되었다. 이때 k는 1 또는 2의 값으로, k = 1일 때 'X31'은 제31 공진부(31)의 리액턴스를 나타내고, k = 2 일 때 'X32'는 제32 공진부(32)의 리액턴스를 나타낸다.In Fig. 6, the third LC resonance unit 30 is shown on the left side, and the equivalent circuit of the third LC resonance unit 30 is shown on the right side, and the reactance of the equivalent circuit is expressed as 'X 3k '. In this case, k is a value of 1 or 2, and 'X 31 ' represents reactance of the 31st resonator 31 when k = 1 and 'X 32 ' represents the reactance of the 32nd resonator 32 when k = Reactance.

이 경우 제3 LC 공진부(30)의 입력 임피던스는 다음의 수식과 같이 정해진다.In this case, the input impedance of the third LC resonator 30 is determined as follows.

Figure 112013117903278-pat00023
Figure 112013117903278-pat00023

Z3: 제3 LC 공진부의 입력 임피던스Z 3 : input impedance of the third LC resonance part

L3: 제3 인덕터의 인덕턴스L 3 : Inductance of the third inductor

C3: 제3 커패시터의 커패시턴스C 3 : Capacitance of the third capacitor

ωk: 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수ω k : frequency of the first pass band or frequency of the second pass band

X3k: 제31 공진부의 리액턴스 또는 제32 공진부의 리액턴스X 3k : reactance of the 31st resonating part or reactance of the 32st resonating part

k: 1 또는 2k: 1 or 2

그리고 수학식 7을 기반으로 제3 인덕터(L3)의 인덕턴스와 제3 커패시터(C3)의 커패시턴스를 계산하면 다음의 수식과 같다.The inductance of the third inductor L 3 and the capacitance of the third capacitor C 3 can be calculated based on Equation (7).

Figure 112013117903278-pat00024
Figure 112013117903278-pat00024

Figure 112013117903278-pat00025
Figure 112013117903278-pat00025

L3: 제3 인덕터의 인덕턴스L 3 : Inductance of the third inductor

C3: 제3 커패시터의 커패시턴스C 3 : Capacitance of the third capacitor

ω1: 제1 통과대역의 주파수ω 1 : frequency of the first pass band

ω2: 제2 통과대역의 주파수? 2 : frequency of the second pass band

X31: 제31 공진부의 리액턴스X 31 : Reactance of the 31st resonance part

X32: 제32 공진부의 리액턴스X 32 : reactance of the 32 th resonance part

즉 수학식 8과 같이 제31 공진부(31)의 리액턴스와 제32 공진부(32)의 리액턴스를 기반으로, 제3 인덕터(L3)의 인덕턴스와 제1 커패시터(C3)의 커패시턴스를 결정할 수 있다.The inductance of the third inductor L 3 and the capacitance of the first capacitor C 3 are determined based on the reactance of the 31st resonator 31 and the reactance of the 32th resonator 32, .

또한 수학식 7에서 제3 LC 공진부(30)의 입력 임피던스(Z3) 식을 정리하면 다음의 수식과 같다.Equation (7) summarizes the input impedance (Z 3 ) of the third LC resonator 30 as shown in the following equation.

Figure 112013117903278-pat00026
Figure 112013117903278-pat00026

Figure 112013117903278-pat00027
Figure 112013117903278-pat00027

Z3: 제3 LC 공진부의 입력 임피던스Z 3 : input impedance of the third LC resonance part

L3: 제3 인덕터의 인덕턴스L 3 : Inductance of the third inductor

C3: 제3 커패시터의 커패시턴스C 3 : Capacitance of the third capacitor

ω3: 제3 LC 공진부의 공진주파수? 3 : resonant frequency of the third LC resonance part

ωk: 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수ω k : frequency of the first pass band or frequency of the second pass band

k: 1 또는 2k: 1 or 2

수학식 9에서 제3 LC 공진부(30)는 병렬 형태로 이루어진 제3 인덕터(L3)와 제3 커패시터(C3)의 공진주파수 인근에서 제3 저지대역을 갖게 되며, 해당 제3 저지대역에 위치한 신호가 감쇄된다. In Equation 9, the third LC resonance unit 30 has a third stop band near the resonance frequency of the third inductor L 3 and the third capacitor C 3 in parallel, and the third stop band Is attenuated.

정리하면, 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101)는 제1 통과대역을 갖도록 제31 공진부(31)에 포함된 인덕터나 커패시터의 소자값이 결정되고, 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)는 제2 통과대역을 갖도록 제32 공진부(32)에 포함된 인덕터나 커패시터의 소자값이 결정된다. 그리고 이를 기반으로 T형 이중 대역 정합 회로(100)의 제3 LC 공진부(30)에 포함된 제3 인덕터(L3)와 제3 커패시터(C3)의 소자값이 결정된다. 이때 제3 인덕터(L3)와 제3 커패시터(C3)의 소자값에 따라 제3 LC 공진부(30)의 공진주파수가 결정됨으로서, 제3 저지대역을 결정할 수 있다.In summary, the element values of the inductors and capacitors included in the 31st resonator 31 are determined so that the first T-type single band matching circuit 101 has the first pass band, and the second T-type single band matching circuit 102 are determined to have element values of inductors or capacitors included in the thirty-second resonant portion 32 so as to have a second pass band. The element values of the third inductor L 3 and the third capacitor C 3 included in the third LC resonant portion 30 of the T-type dual band matching circuit 100 are determined based on this. At this time, the resonance frequency of the third LC resonance unit 30 is determined according to the element values of the third inductor L 3 and the third capacitor C 3 , thereby determining the third stop band.

이는 필요에 따라 제31 공진부(31) 및 제32 공진부(32)에 포함된 인덕터나 커패시터의 소자값을 변경하여 제1 T형 단일 대역 정합 회로(101) 및 제2 T형 단일 대역 정합 회로(102)를 설계하고, 이에 따라 제3 LC 공진부(30)에 포함된 제3 인덕터(L3)와 제3 커패시터(C3)의 소자값을 변경하여 T형 이중 대역 정합 회로(100)를 설계할 수 있으며, 그 결과에 따라 결정되는 제3 저지대역에 의해 해당 대역의 신호를 감쇄할 수 있음을 의미한다.The first T-type single-band matching circuit 101 and the second T-type single-band matching circuit 101 are formed by changing the element values of the inductor and the capacitor included in the 31st resonator 31 and the 32th resonator 32, The circuit 102 is designed so that the element values of the third inductor L 3 and the third capacitor C 3 included in the third LC resonance unit 30 are changed to form the T- ), And it means that the signal of the corresponding band can be attenuated by the third inhibition band determined according to the result.

이와 같이 본 발명의 T형 이중 대역 정합 회로(100)는 단일의 정합 회로임에도 제1 통과대역 및 제2 통과대역의 이중 통과대역을 가지며, 전체 회로를 소형화하고 제조 원가를 절감할 수 있다. 또한 필요에 따라 각 소자값을 변경하여 제1 저지대역, 제2 저지대역 및 제3 저지대역을 결정할 수 있어, 불필요한 고조파 및 혼변조 성분들을 감쇄시킬 수 있다.As described above, the T-type dual band matching circuit 100 of the present invention has a double pass band of the first pass band and the second pass band even in the single matching circuit, and the entire circuit can be miniaturized and the manufacturing cost can be reduced. In addition, the first, second, and third blocking bands can be determined by changing the values of the respective elements as necessary, thereby attenuating unnecessary harmonic and intermodulation components.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다. 또한, 본 명세서와 도면에서 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.It should be noted that the embodiments disclosed in the present specification and drawings are only illustrative of specific examples for the purpose of understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein. Furthermore, although specific terms are used in this specification and the drawings, they are used in a generic sense only to facilitate the description of the invention and to facilitate understanding of the invention, and are not intended to limit the scope of the invention.

10: 제1 LC 공진부 11: 제11 공진부
12: 제12 공진부 20: 제2 LC 공진부
21: 제21 공진부 22: 제22 공진부
30: 제3 LC 공진부 31: 제31 공진부
32: 제32 공진부 40, 41, 42: 부하
100: T형 이중 대역 정합 회로 101: 제1 T형 단일 대역 정합 회로
102: 제2 T형 단일 대역 정합 회로10: first LC resonance part 11: eleventh resonance part
12: twelfth resonator part 20: second LC resonator part
21: the twenty-first resonance part 22: the twenty-second resonance part
30: third LC resonance part 31: 31st resonance part
32: 32th resonance part 40, 41, 42: load
100: a T-type dual band matching circuit 101: a first T-type single band matching circuit
102: second T-type single band matching circuit

Claims (9)

제1 통과대역을 갖는 제1 T형 단일 대역 정합 회로 및 제2 통과대역을 갖는 제2 T형 단일 대역 정합회로의 소자값을 기반으로, 상기 제1 통과대역 및 상기 제2 통과대역을 갖도록 각 소자값이 정해지는 T형 이중 대역 정합 회로에 관한 것으로서,
일단이 입력단에 직렬 연결되고, 제1 인덕터와 제1 커패시터가 병렬 연결된 형태이며, 제1 저지대역에 공진주파수를 갖는 제1 LC 공진부;
상기 제1 LC 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되고, 제2 인덕터와 제2 커패시터가 직렬 연결된 형태이며, 제2 저지대역에 공진주파수를 갖는 제2 LC 공진부; 및
상기 제1 LC 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제1 LC 공진부와 직렬 연결되고, 제3 인덕터와 제3 커패시터가 병렬 연결된 형태이며, 제3 저지대역에 공진주파수를 갖는 제3 LC 공진부;
를 포함하고,
상기 제1 T형 단일 대역 정합 회로는, 상기 제1 통과대역 주파수에서 동작하도록, 일단이 입력단에 직렬 연결된 제11 공진부, 상기 제11 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되는 제21 공진부, 상기 제11 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제11 공진부와 직렬 연결된 제31 공진부를 포함하고,
상기 제2 T형 단일 대역 정합 회로는, 상기 제2 통과대역 주파수에서 동작하도록, 일단이 입력단에 직렬 연결된 제12 공진부, 상기 제12 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되는 제22 공진부, 상기 제12 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제12 공진부와 직렬 연결된 제32 공진부를 포함하고,
상기 제1 인덕터의 인덕턴스와 상기 제1 커패시터의 커패시턴스는 상기 제11 공진부의 리액턴스 및 상기 제12 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되고,
상기 제2 인덕터의 인덕턴스와 상기 제2 커패시터의 커패시턴스는 상기 제21 공진부의 리액턴스 및 상기 제22 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되고,
상기 제3 인덕터의 인덕턴스와 상기 제3 커패시터의 커패시턴스는 상기 제31 공진부의 리액턴스 및 상기 제32 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되는 것을 특징으로 하는 T형 이중 대역 정합 회로.Type first single-band matching circuit having a first pass band and a second T-type single-band matching circuit having a second pass band, the first pass band and the second pass band having the first pass band and the second pass band, The present invention relates to a T-type dual band matching circuit in which an element value is determined,
A first LC resonator having a first end connected in series to the input terminal, a first inductor and a first capacitor connected in parallel, and having a resonant frequency in a first stop band;
A second LC resonance unit connected in parallel to the input terminal by forming a shunt from the other end of the first LC resonance unit, the second LC resonance unit having a second inductor and a second capacitor connected in series and having a resonance frequency in a second stop band; And
A third LC resonance circuit having a resonance frequency in the third stop band and a third LC resonance circuit having a third inductor and a third capacitor connected in series and being connected in series with the first LC resonance part and located between the other end and the output end of the first LC resonance part, part;
Lt; / RTI >
The first T-type single band matching circuit includes an 11th resonator part having one end connected in series to the input end so as to operate at the first pass band frequency, a 21st resonator part forming a shunt from the other end of the 11th resonator part, And a 31st resonator part which is located between the other end and the output end of the 11th resonator part and is connected in series to the 11th resonator part,
The second T-type single band matching circuit comprises: a twelfth resonator having one end connected in series to the input end so as to operate at the second passband frequency; a twelfth resonator having a twenty- And a thirty-second resonance part located between the other end and the output end of the twelfth resonance part and connected in series with the twelfth resonance part,
The inductance of the first inductor and the capacitance of the first capacitor are determined based on the reactance of the 11th resonator and the reactance of the 12th resonator,
The inductance of the second inductor and the capacitance of the second capacitor are determined based on the reactance of the twenty-first resonant part and the reactance of the twenty-second resonant part,
Wherein the inductance of the third inductor and the capacitance of the third capacitor are determined based on the reactance of the 31st resonator and the reactance of the 32th resonator. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 인덕터의 인덕턴스와 상기 제1 커패시터의 커패시턴스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 하는 T형 이중 대역 정합 회로.
Figure 112015087171497-pat00028

Figure 112015087171497-pat00029

L1: 제1 인덕터의 인덕턴스
C1: 제1 커패시터의 커패시턴스
ω1: 제1 통과대역의 주파수
ω2: 제2 통과대역의 주파수
X11: 제11 공진부의 리액턴스
X12: 제12 공진부의 리액턴스The method according to claim 1,
Wherein the inductance of the first inductor and the capacitance of the first capacitor are determined using the following equation.
Figure 112015087171497-pat00028

Figure 112015087171497-pat00029

L 1 : Inductance of the first inductor
C 1 : capacitance of the first capacitor
ω 1 : frequency of the first pass band
? 2 : frequency of the second pass band
X 11 : reactance of the eleventh resonance part
X 12 : Reactance of the twelfth resonant part 제3항에 있어서,
상기 제1 LC 공진부의 입력 임피던스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 하는 T형 이중 대역 정합 회로.
Figure 112013117903278-pat00030

Figure 112013117903278-pat00031

Z1: 제1 LC 공진부의 입력 임피던스
L1: 제1 인덕터의 인덕턴스
C1: 제1 커패시터의 커패시턴스
ω1: 제1 LC 공진부의 공진주파수
ωk: 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수
k: 1 또는 2The method of claim 3,
Wherein the input impedance of the first LC resonant portion is determined using the following equation.
Figure 112013117903278-pat00030

Figure 112013117903278-pat00031

Z 1 : input impedance of the first LC resonance part
L 1 : Inductance of the first inductor
C 1 : capacitance of the first capacitor
ω 1 : resonance frequency of the first LC resonance part
ω k : frequency of the first pass band or frequency of the second pass band
k: 1 or 2 제1항에 있어서,
상기 제2 인덕터의 인덕턴스와 상기 제2 커패시터의 커패시턴스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 하는 T형 이중 대역 정합 회로.
Figure 112015087171497-pat00032

Figure 112015087171497-pat00033

L2: 제2 인덕터의 인덕턴스
C2: 제2 커패시터의 커패시턴스
ω1: 제1 통과대역의 주파수
ω2: 제2 통과대역의 주파수
B21: 제21 공진부의 서셉턴스
B22: 제22 공진부의 서셉턴스The method according to claim 1,
Wherein the inductance of the second inductor and the capacitance of the second capacitor are determined using the following equation.
Figure 112015087171497-pat00032

Figure 112015087171497-pat00033

L 2 : Inductance of the second inductor
C 2 : capacitance of the second capacitor
ω 1 : frequency of the first pass band
? 2 : frequency of the second pass band
B 21 : susceptance of resonance part 21
B 22 : susceptance of the 22 < th > 제5항에 있어서,
상기 제2 LC 공진부의 입력 어드미턴스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 하는 T형 이중 대역 정합 회로.
Figure 112015087171497-pat00034

Figure 112015087171497-pat00035

Y2: 제2 LC 공진부의 입력 어드미턴스
L2: 제2 인덕터의 인덕턴스
C2: 제2 커패시터의 커패시턴스
ω2: 제2 LC 공진부의 공진주파수
ωk: 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수
k: 1 또는 26. The method of claim 5,
And the input admittance of the second LC resonant portion is determined by using the following equation.
Figure 112015087171497-pat00034

Figure 112015087171497-pat00035

Y 2 : input admittance of the second LC resonance part
L 2 : Inductance of the second inductor
C 2 : capacitance of the second capacitor
? 2 : resonance frequency of the second LC resonance part
ω k : frequency of the first pass band or frequency of the second pass band
k: 1 or 2 제1항에 있어서,
상기 제3 인덕터의 인덕턴스와 상기 제3 커패시터의 커패시턴스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 하는 T형 이중 대역 정합 회로.
Figure 112015087171497-pat00036

Figure 112015087171497-pat00037

L3: 제3 인덕터의 인덕턴스
C3: 제3 커패시터의 커패시턴스
ω1: 제1 통과대역의 주파수
ω2: 제2 통과대역의 주파수
X31: 제31 공진부의 리액턴스
X32: 제32 공진부의 리액턴스The method according to claim 1,
Wherein the inductance of the third inductor and the capacitance of the third capacitor are determined using the following equation.
Figure 112015087171497-pat00036

Figure 112015087171497-pat00037

L 3 : Inductance of the third inductor
C 3 : Capacitance of the third capacitor
ω 1 : frequency of the first pass band
? 2 : frequency of the second pass band
X 31 : Reactance of the 31st resonance part
X 32 : reactance of the 32 th resonance part 제7항에 있어서,
상기 제3 LC 공진부의 입력 임피던스는 다음의 수식을 이용해 결정되는 것을 특징으로 하는 T형 이중 대역 정합 회로.
Figure 112013117903278-pat00038

Figure 112013117903278-pat00039

Z3: 제3 LC 공진부의 입력 임피던스
L3: 제3 인덕터의 인덕턴스
C3: 제3 커패시터의 커패시턴스
ω3: 제3 LC 공진부의 공진주파수
ωk: 제1 통과대역의 주파수 또는 제2 통과대역의 주파수
k: 1 또는 28. The method of claim 7,
Wherein the input impedance of the third LC resonant portion is determined using the following equation.
Figure 112013117903278-pat00038

Figure 112013117903278-pat00039

Z 3 : input impedance of the third LC resonance part
L 3 : Inductance of the third inductor
C 3 : Capacitance of the third capacitor
? 3 : resonant frequency of the third LC resonance part
ω k : frequency of the first pass band or frequency of the second pass band
k: 1 or 2 제1 통과대역을 갖도록, 일단이 입력단에 연결된 제11 공진부, 상기 제11 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되는 제21 공진부, 상기 제11 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제11 공진부와 직렬 연결된 제31 공진부를 포함하는 제1 T형 단일 대역 정합 회로를 설계하는 단계;
제2 통과대역을 갖도록, 일단이 입력단에 연결된 제12 공진부, 상기 제12 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되는 제22 공진부, 상기 제12 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제12 공진부와 직렬 연결된 제32 공진부를 포함하는 제2 T형 단일 대역 정합 회로를 설계하는 단계; 및
일단이 입력단에 직렬 연결되고, 제1 인덕터와 제1 커패시터가 병렬 연결된 형태이며, 제1 저지대역에 공진주파수를 갖는 제1 LC 공진부, 상기 제1 LC 공진부의 타단으로부터 분로를 형성하여 입력단과 병렬 연결되고, 제2 인덕터와 제2 커패시터가 직렬 연결된 형태이며, 제2 저지대역에 공진주파수를 갖는 제2 LC 공진부, 상기 제1 LC 공진부의 타단과 출력단 사이에 위치하여 상기 제1 LC 공진부와 직렬 연결되고, 제3 인덕터와 제3 커패시터가 병렬 연결된 형태이며, 제3 저지대역에 공진주파수를 갖는 제3 LC 공진부를 포함하되, 상기 제1 인덕터의 인덕턴스와 상기 제1 커패시터의 커패시턴스는 상기 제11 공진부의 리액턴스 및 상기 제12 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되고, 상기 제2 인덕터의 인덕턴스와 상기 제2 커패시터의 커패시턴스는 상기 제21 공진부의 리액턴스 및 상기 제22 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되고, 상기 제3 인덕터의 인덕턴스와 상기 제3 커패시터의 커패시턴스는 상기 제31 공진부의 리액턴스 및 상기 제32 공진부의 리액턴스를 기반으로 결정되는 T형 이중 대역 정합 회로를 설계하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 T형 이중 대역 정합 회로의 설계 방법.A twenty-first resonance portion formed in parallel with the input end by forming a shunt from the other end of the eleventh resonance portion, and a second resonance portion located between the other end and the output end of the eleventh resonance portion Designing a first T-type single-band matching circuit including a 31st resonator connected in series to the 11th resonator;
A twenty-second resonance portion formed in parallel with the input end by forming a shunt from the other end of the twelfth resonance portion, and a third resonance portion located between the other end and the output end of the twelfth resonance portion Designing a second T-type single band matching circuit including a twenty-fourth resonance portion connected in series with the twelfth resonance portion; And
A first LC resonance unit having one end coupled in series with the first inductor and a first capacitor connected in parallel and having a resonance frequency in a first stop band, a second LC resonance unit having a first LC resonance unit formed with a shunt from the other end of the first LC resonance unit, A second LC resonance part connected in parallel and having a second inductor and a second capacitor connected in series to each other and having a resonance frequency in a second stop band; a first LC resonance part located between the other end and the output end of the first LC resonance part, Wherein the inductance of the first inductor and the capacitance of the first capacitor are connected in series to each other, and the third inductor and the third capacitor are connected in parallel, and the third LC resonator has a resonance frequency in the third stop band. The inductance of the second inductor and the capacitance of the second capacitor are determined based on the reactance of the twelfth resonator and the reactance of the twelfth resonator, Wherein the inductance of the third inductor and the capacitance of the third capacitor are determined based on the reactance of the thirty-second resonant part and the reactance of the twenty-second resonant part, and the inductance of the third inductor and the capacitance of the third capacitor are determined based on the reactance of the thirty- Designing a band matching circuit;
Wherein the second T-band matching circuit comprises:
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