KR101567610B1 - New nitrogen-containing heterocyclic compounds and organic electronic device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 신규한 질소 함유 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.The present invention provides a novel nitrogen-containing heterocyclic compound and an organic electronic device using the same. The organic electronic device according to the present invention exhibits excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage and lifetime.

Description

신규한 질소 함유 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자{NEW NITROGEN-CONTAINING HETEROCYCLIC COMPOUNDS AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a novel nitrogen-containing heterocyclic compound and an organic electronic device using the same. BACKGROUND ART < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 신규한 질소 함유 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a novel nitrogen-containing heterocyclic compound and an organic electronic device using the same.

본 명세서에서, 유기 전자 소자란 유기 반도체 물질을 이용한 전자 소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자 소자이다.In the present specification, an organic electronic device is an electronic device using an organic semiconductor material, and requires the exchange of holes and / or electrons between the electrode and the organic semiconductor material. The organic electronic device can be roughly classified into two types according to the operating principle as described below. First, an exciton is formed in an organic material layer by a photon introduced into an element from an external light source. The exciton is separated into an electron and a hole, and the electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as a current source Type electronic device. The second type is an electronic device that injects holes and / or electrons into an organic semiconductor material layer that interfaces with an electrode by applying a voltage or current to two or more electrodes, and operates by injected electrons and holes.

유기 전자 소자의 예로는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 드럼, 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기 발광 소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자 소자들에서는 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질이 모두 유사한 원리로 작용한다.Examples of the organic electronic device include an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC) drum, and an organic transistor. These devices include an electron / hole injecting material, an electron / hole extracting material, Materials or luminescent materials. Hereinafter, the organic light emitting device will be described in detail, but in the organic electronic devices, the electron / hole injecting material, the electron / hole extracting material, the electron / hole transporting material, or the light emitting material all have a similar principle.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜 주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer may have a multi-layer structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. When a voltage is applied between two electrodes in the structure of such an organic light emitting device, holes are injected into the anode, electrons are injected into the organic layer, and excitons are formed when injected holes and electrons meet. When falling to the ground state, light is emitted. Such an organic light emitting device is known to have characteristics such as self-emission, high luminance, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, high contrast, and high speed response.

유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질, 발광 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공 주입 물질이나 정공 수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자 주입 물질이나 전자 수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.As materials used in organic light emitting devices, pure organic materials or complexes in which an organic material and a metal form a complex are mostly used. Depending on the application, a hole injecting material, a hole transporting material, an electron transporting material, an electron injecting material, . As the hole injecting material and the hole transporting material, an organic material having a p-type property, that is, an organic material that is easily oxidized and electrochemically stable at the time of oxidation is mainly used. On the other hand, as an electron injecting material or an electron transporting material, an organic material having an n-type property, that is, an organic material that is easily reduced and electrochemically stable when being reduced is mainly used. As the luminescent material, a material having both a p-type property and an n-type property, that is, a material having both a stable state in oxidation and in a reduced state is preferable, and a material having high luminescence efficiency, desirable.

위에서 언급한 외에, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 다음과 같은 성질을 추가적으로 갖는 것이 바람직하다.In addition to the above, it is preferable that the material used in the organic light emitting device further has the following properties.

저전압 구동 가능한 고효율의 유기 발광 소자를 얻기 위해서는 유기 발광 소자 내로 주입된 정공 또는 전자들이 원활하게 발광층으로 전달되는 동시에, 주입된 정공과 전자들이 발광층 밖으로 빠져나가지 않도록 하여야 한다. 이를 위해서 유기 발광 소자에 사용되는 물질은 적절한 밴드갭(band gap)과 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위를 가져야 한다. 현재 전자수송층 물질로 주로 사용되는 Alq3의 경우, 발광층 물질로 사용되는 유기물들의 HOMO 에너지 준위에 비하여 HOMO 에너지 준위가 높기 때문에 고효율 및 장수명의 특성을 갖는 유기 발광 소자의 제조에 어려움이 있다.In order to obtain a highly efficient organic light emitting device capable of driving at a low voltage, holes or electrons injected into the organic light emitting element must be smoothly transferred to the light emitting layer, and injected holes and electrons should not escape from the light emitting layer. For this purpose, the material used in the organic light emitting device should have an appropriate band gap and a HOMO or LUMO energy level. In the case of Alq 3 , which is mainly used as an electron transporting layer material, the HOMO energy level is higher than the HOMO energy level of organic materials used as a light emitting layer material, so that it is difficult to manufacture an organic light emitting device having high efficiency and long life characteristics.

이외에도 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 화학적 안정성, 전하이동도, 전극이나 인접한 층과의 계면 특성 등이 우수하여야 한다. 즉, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 수분이나 산소에 의한 물질의 변형이 적어야 한다. 또한, 적절한 정공 또는 전자 이동도를 가짐으로써 유기 발광 소자의 발광층에서 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루도록 하여 엑시톤 형성을 극대화할 수 있어야 한다. 그리고, 소자의 안정성을 위해 금속 또는 금속 산화물을 포함한 전극과의 계면을 좋게 할 수 있어야 한다.In addition, materials used in organic light emitting devices should have excellent chemical stability, charge mobility, and interface characteristics with electrodes or adjacent layers. That is, the material used in the organic light emitting device should have little deformation of the material due to moisture or oxygen. In addition, by having appropriate hole or electron mobility, it is necessary to maximize the formation of excitons by balancing the density of holes and electrons in the light emitting layer of the organic light emitting device. And, for the stability of the device, the interface with the electrode including the metal or the metal oxide should be good.

따라서, 유기 발광 소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 상기와 같은 요건을 갖춘 유기물의 개발이 요구되고 있으며, 이와 같은 물질 개발의 필요성은 전술한 다른 유기 전자 소자에서도 마찬가지이다.Therefore, in order for the organic light emitting device to fully exhibit the above-described excellent characteristics, development of organic materials having the above-mentioned requirements is required, and the necessity of developing such materials is the same in other organic electronic devices described above.

이에, 본 발명자들은 신규한 질소 함유 헤테로환 화합물을 밝혀내었다. 또한, 상기 신규한 질소 함유 헤테로환 화합물을 이용하여 유기 전자 소자의 유기물층을 형성하는 경우 소자의 효율 상승, 구동전압 향상, 수명 연장, 안정성 상승 등의 효과를 나타낼 수 있다는 사실을 밝혀내었다.Thus, the present inventors have revealed a novel nitrogen-containing heterocyclic compound. In addition, when the organic compound layer of the organic electronic device is formed using the novel nitrogen-containing heterocyclic compound, it has been found that the organic compound layer can exhibit the effects of increasing the efficiency of the device, improving the driving voltage, extending the service life, and increasing the stability.

이에 본 발명은 신규한 질소 함유 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a novel nitrogen-containing heterocyclic compound and an organic electronic device using the same.

본 발명은 하기 화학식 1의 화합물을 제공한다:The present invention provides compounds of formula 1:

Figure 112010072119588-pat00001
Figure 112010072119588-pat00001

상기 화학식 1에 있어서, In Formula 1,

R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 -50의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴기; 및 이종 원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2 -50의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R 1 and R 2 are the same or different and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; Alkyl substituted or unsubstituted C 1 -50; Cycloalkyl substituted or unsubstituted C 3 -50; A substituted or unsubstituted C 2 -50 alkenyl group; A substituted or unsubstituted C 6 -50 aryl group; And is selected from O, N, S or the hetero group, an aryl substituted or unsubstituted C 2 -50 with P as hetero atoms,

R3 내지 R6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 -50의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C6-50의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴기; 및 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2 -50의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R 3 to R 6 are the same or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; Alkyl substituted or unsubstituted C 1 -50; Cycloalkyl substituted or unsubstituted C 3 -50; Alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 1 -50; A substituted or unsubstituted C 1 -50 alkylthio group; A substituted or unsubstituted C 6 -50 aryloxy group; A substituted or unsubstituted C 2 -50 alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted fluorenyl group; A substituted or unsubstituted C 6-50 arylamine group; A substituted or unsubstituted C 6 -50 aryl group; And is selected from cattle heteroatom O, N, S or the hetero group, an aryl substituted or unsubstituted C 2 -50 with the P,

R7은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 -50의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 C13 -50의 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴기; 및 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2 -50의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R 7 is hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; Alkyl substituted or unsubstituted C 1 -50; Cycloalkyl substituted or unsubstituted C 3 -50; A substituted or unsubstituted C 2 -50 alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted C 13 -50 fluorenyl group; A substituted or unsubstituted C 6 -50 arylamine group; A substituted or unsubstituted C 6 -50 aryl group; And is selected from cattle heteroatom O, N, S or the hetero group, an aryl substituted or unsubstituted C 2 -50 with the P,

R1 내지 R7 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 로 표시되는 기이고, 여기서 p는 0 내지 10의 정수이고, q는 1 내지 10의 정수이고,At least one of R 1 to R 7 is a group represented by - (L) p- (Y) q, wherein p is an integer of 0 to 10, q is an integer of 1 to 10,

L은 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 C13 -50의 플루오레닐렌기; 및 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2 -50의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군으로부터 선택되고,L is a substituted or unsubstituted C 6 -50 arylene group; Substituted or unsubstituted alkenylene group of 2 -50 C ring; A substituted or unsubstituted C 13 -50 fluorenylene group; And is selected from cattle heteroatom O, N, heteroarylene group consisting of substituted or unsubstituted C 2 -50 having the S or P,

Y는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 -50의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 C13-50의 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴기; 및 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2 -50의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,Y is hydrogen; heavy hydrogen; A halogen group; A nitrile group; Alkyl substituted or unsubstituted C 1 -50; Cycloalkyl substituted or unsubstituted C 3 -50; Alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 1 -50; A substituted or unsubstituted C 1 -50 alkylthio group; A substituted or unsubstituted C 6 -50 aryloxy group; A substituted or unsubstituted C 2 -50 alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted C 13-50 fluorenyl group; A substituted or unsubstituted C 6 -50 arylamine group; A substituted or unsubstituted C 6 -50 aryl group; And is selected from cattle heteroatom O, N, S or the hetero group, an aryl substituted or unsubstituted C 2 -50 with the P,

L 또는 Y가 2 이상 존재하는 경우 이들은 서로 같거나 상이하며,When two or more L or Y are present, they are the same or different from each other,

R1과 R2, R3와 R4, R4와 R5 및 R5과 R6은 지방족, 방향족, 지방족헤테로 또는 방향족헤테로의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있다.R 1 and R 2 , R 3 and R 4 , R 4 and R 5 and R 5 and R 6 may form a fused ring of an aliphatic, aromatic, aliphatic hetero or aromatic hetero or may form a spiro bond.

또한, 본 발명은 제 1 전극, 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.Also, the present invention provides an organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic compound layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic compound layers is a compound represented by Formula 1 Wherein the organic electronic device is an organic electronic device.

본 발명에 따른 신규한 질소 함유 헤테로환 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자의 유기물층 재료로서 사용될 수 있고, 이를 이용한 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자는 효율 상승, 구동전압 하강, 수명 연장, 안정성 등에서 우수한 특성을 나타낸다.The novel nitrogen-containing heterocyclic compound according to the present invention can be used as an organic material layer of an organic electronic device including an organic light emitting device, and an organic electronic device including the organic light emitting device using the same can be improved in efficiency, driving voltage drop, And the like.

도 1은 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(3), 정공 수송층(4), 발광층(5), 전자 수송층(6) 및 음극(7)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 화합물 1-40의 질량 스펙트럼을 나타낸 것이다.
1 shows an example of an organic light emitting element comprising a substrate 1, a cathode 2, a hole injecting layer 3, a hole transporting layer 4, a light emitting layer 5, an electron transporting layer 6 and a cathode 7 It is.
2 shows the mass spectrum of Compound 1-40.

이하 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명에 따른 신규한 질소 함유 헤테로환 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 한다.The novel nitrogen-containing heterocyclic compound according to the present invention is characterized by being a compound represented by the above formula (1).

본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 표시되는 화합물로부터 선택되는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by Formula 1 according to the present invention is preferably selected from compounds represented by Chemical Formulas 2 to 4, but is not limited thereto.

Figure 112010072119588-pat00002
Figure 112010072119588-pat00002

Figure 112010072119588-pat00003
Figure 112010072119588-pat00003

Figure 112010072119588-pat00004
Figure 112010072119588-pat00004

상기 화학식 2 내지 화학식 4에 있어서,In the above Chemical Formulas 2 to 4,

R3내지 R7은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,R 3 to R 7 are the same as defined in Formula 1,

R8 내지 R12는 상기 화학식 1에서 R1 및 R2의 정의와 동일하며,R 8 to R 12 have the same definitions as R 1 and R 2 in Formula 1,

R3내지 R7 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 로 표시되는 기이며, 여기서 L, Y, p 및 q는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.At least one of R 3 to R 7 is a group represented by - (L) p- (Y) q, wherein L, Y, p and q are as defined in the above formula (1).

상기 화학식 1 내지 화학식 4의 치환기를 상세히 설명하면 다음과 같다.The substituents of the above formulas (1) to (4) will be described in detail.

상기 화학식 1 내지 화학식 4의 알킬기의 탄소수는 1 내지 50인 것이 바람직하고, 1 내지 30인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.The number of carbon atoms of the alkyl group represented by any one of Chemical Formulas 1 to 4 is preferably 1 to 50, more preferably 1 to 30, and specifically includes methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, A heptyl group, a hexyl group, a heptyl group and the like, but are not limited thereto.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 50인 것이 바람직하고, 3 내지 40인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.The number of carbon atoms of the cycloalkyl groups represented by the above formulas (1) to (4) is preferably 3 to 50, more preferably 3 to 40, and specifically includes, but is not limited to, cyclopentyl group or cyclohexyl group.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 알킬티옥시기 및 알콕시기의 탄소수는 1 내지 50인 것이 바람직하고, 1 내지 40인 것이 더욱 바람직하다.The number of carbon atoms of the alkylthio group and the alkoxy group of the general formulas (1) to (4) is preferably 1 to 50, more preferably 1 to 40.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 알케닐기의 탄소수는 2 내지 50인 것이 바람직하고, 2 내지 40인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl) 등의 아릴기가 치환된 알케닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.The alkenyl group of the above general formulas (1) to (4) preferably has 2 to 50 carbon atoms, more preferably 2 to 40 carbon atoms. Specifically, an aryl group such as a stilbenyl group or styrenyl group Substituted alkenyl groups, and the like, but are not limited thereto.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있고, 탄소수는 6 내지 50인 것이 바람직하고, 6 내지 40인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기의 예로는 페닐기, 바이페닐기 및 터페닐기 등이 있고, 다환식 아릴기의 예로는 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기 및 크라이세닐기 등이 있으나, 본 발명의 범위가 이들 예로만 한정되지는 않는다.In addition, the aryl group of the above-mentioned general formulas (1) to (4) may be monocyclic or polycyclic, and the number of carbon atoms is preferably 6 to 50, more preferably 6 to 40. Specific examples of the monocyclic aryl group include a phenyl group, a biphenyl group and a terphenyl group. Examples of the polycyclic aryl group include a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, However, the scope of the present invention is not limited to these examples.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 50인 것이 바람직하고, 2 내지 40인 것이 더욱 바람직하며, 이종원자로서 O, N, S 또는 P를 갖는 것이 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 옥사졸기, 벤조퀴놀린기, 피리딜기, 피라다진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀린기, 카바졸기, 벤조카바졸기, 아크리딜기 등이 있으며, 하기 구조식과 같은 화합물들이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The heteroaryl group of the above formulas (1) to (4) preferably has 2 to 50 carbon atoms, more preferably 2 to 40 carbon atoms, and O, N, S or P as a heteroatom. Examples of the heteroaryl group include a thiophene group, a furan group, a pyrrolyl group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, an oxazole group, a benzoquinoline group, a pyridyl group, a pyrazinyl group, , An isoquinoline group, a carbazole group, a benzocarbazole group, an acridyl group, and the like, but are not limited thereto.

Figure 112010072119588-pat00005
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또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.Examples of the halogen group of the above formulas (1) to (4) include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 아릴아민기의 탄소수는 6 내지 50인 것이 바람직하고, 6 내지 40인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 3-메틸-페닐아민기, 4-메틸-나프틸아민기, 2-메틸-비페닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸 아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기 및 트리페닐아민기 등이 있으나. 이들에 한정되는 것은 아니다.The number of carbon atoms of the arylamine group represented by any one of Chemical Formulas 1 to 4 is preferably 6 to 50, more preferably 6 to 40, and specifically includes a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, An amine group, a 3-methylphenylamine group, a 4-methyl-naphthylamine group, a 2-methyl-biphenylamine group, a 9-methyl-anthracenylamine group, a diphenylamine group, a phenylnaphthylamine group, A tolylamine group, a phenyltolylamine group, and a triphenylamine group. But are not limited thereto.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 플루오레닐기의 탄소수는 13 내지 50인 것이 바람직하고, 13 내지 40인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 하기 구조식의 화합물인 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The number of carbon atoms of the fluorenyl group of the above formulas (1) to (4) is preferably from 13 to 50, more preferably from 13 to 40, and is preferably a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.

Figure 112010072119588-pat00006
Figure 112010072119588-pat00006

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4에서 특별한 설명이 없는 경우, "치환 또는 비치환된"이라는 용어는 중수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 실릴기, 아릴알케닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 카바졸기, 아릴아민기, 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.The term "substituted or unsubstituted" refers to a group selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, a silyl group, an arylalkenyl group, an aryl group, a heteroaryl Means a group substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, a carbazole group, an arylamine group, a fluorenyl group substituted or unsubstituted with an aryl group, and a nitrile group, or has no substituent.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4에 있어서, R1 내지 R7 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 표시되는 기이고, 여기서 p와 q는 0이 아니고, L은 아릴렌기, 플루오레닐렌기, 알케닐렌기 또는 헤테로아릴렌기이고, Y는 중수소, 불소, 니트릴기, 알킬기, 시클로알킬기, 실릴기, 아릴기, 플로오레닐기 또는 헤테로아릴기인 것이 바람직하나, 이에 한정되지는 않는다.In the above Chemical Formulas 1 to 4, at least one of R 1 to R 7 is a group represented by - (L) p- (Y) q wherein p and q are not 0, L is an arylene group, Y is preferably a deuterium, a fluorine, a nitrile group, an alkyl group, a cycloalkyl group, a silyl group, an aryl group, a fluorenyl group or a heteroaryl group, but is not limited thereto.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 알케닐기의 탄소수는 2 내지 50인 것이 바람직하고, 2 내지 40인 것이 더욱 바람직하다.The number of carbon atoms of the alkenyl group of the above formulas (1) to (4) is preferably 2 to 50, more preferably 2 to 40.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 플루오레닐렌기의 탄소수는 13 내지 50인 것이 바람직하고, 13 내지 40인 것이 더욱 바람직하다.In addition, the number of carbon atoms of the fluorenylene group represented by any one of formulas (1) to (4) is preferably from 13 to 50, more preferably from 13 to 40.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 아릴렌기의 탄소수는 6 내지 50인 것이 바람직하고, 6 내지 40인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프탈렌닐기, 바이나프탈렌기, 안트라세닐렌기, 크라이세닐렌기, 페난트레닐렌 및 파이레닐렌기가 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The number of carbon atoms of the arylene group represented by any one of Chemical Formulas 1 to 4 is preferably 6 to 50, more preferably 6 to 40, and specifically, a phenylene group, a biphenylene group, a naphthalenylene group, a binaphthalene group, , A chlorenylene group, a phenanthrenylene group, and a pyrenylene group are preferable, but not limited thereto.

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 헤테로아릴렌기의 탄소수는 2 내지 50인 것이 바람직하고, 2 내지 40인 것이 더욱 바람직하며, 이종원자로서 O, N, S 또는 P를 갖는 것이 바람직하며, 구체적으로 이미다졸릴렌기, 옥사졸릴렌기, 티아졸릴렌기, 트리아질렌기, 피리딜렌기, 피리미딜렌기, 퀴놀릴렌기, 카바졸릴렌기, 인돌리질렌기 및 티오페닐렌기가 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The number of carbon atoms of the heteroarylene group of the above formulas (1) to (4) is preferably 2 to 50, more preferably 2 to 40, and O, N, S or P as a heteroatom is preferable. An imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, an imidazolylene group, a thiazolylene group, .

또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물은 하기 화합물들이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.The compounds represented by Chemical Formulas 1 to 4 include, but are not limited to, the following compounds.

Figure 112010072119588-pat00007
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Figure 112010072119588-pat00008
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본 발명에 따른 상기 화학식 1의 화합물은 화합물 내에 이미다졸(imidazole) 구조와 피라진(pyrazine)구조를 가짐으로써 전자 주입 및/또는 전자 수송을 할 수 있는 특징을 가지게 된다. 또한 전자에 대한 안정성 또한 갖게 된다. 이는 전자 주입층, 전자 수송층 및 발광층에서 전자 이송을 쉽게 할 수 있게 된다.The compound of formula (I) according to the present invention has an imidazole structure and pyrazine structure in the compound, so that it has a characteristic of being capable of electron injection and / or electron transport. It also has stability to electrons. This facilitates electron transport in the electron injection layer, the electron transport layer, and the light emitting layer.

또한, 아릴아민 등의 P-type 치환체를 추가로 갖게 되면, 정공 수송을 가능하게 하면서, 추가적으로 전자에 대한 안정성을 갖게 되어 정공 수송층에도 이용이 가능하다. 따라서, 이러한 구조의 화합물을 유기 전자 소자에 적용하여 소자의 효율, 구동전압 및 수명을 향상시킬 수 있다.Further, when a P-type substituent such as an arylamine is further added, hole transport can be performed, and further stability against electrons can be obtained, so that the hole transport layer can be used. Accordingly, by applying a compound having such a structure to an organic electronic device, the efficiency, driving voltage, and lifetime of the device can be improved.

이하, 상기 화학식 1의 화합물의 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method for producing the compound of Formula 1 will be described.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은According to one embodiment of the present invention, the compound represented by the formula (1)

1) K2CO3 또는 Cs2CO3 와 같은 염기(base)의 존재 하에서, 할로겐기와 NO2가 치환되어 있는 화합물 1-A과 이미다졸 화합물 1-B를 반응시켜, NO2가 치환되어 있는 화합물 1-C를 제조하는 단계,1) K 2 CO 3 or in the presence of a base (base) such as Cs 2 CO 3, by imidazole reacting the compound 1-B as a halogen group and NO compound 1-A in 2 is substituted, NO 2 is substituted Preparing compound 1-C,

2) 상기 1)단계에서 제조된 화합물 1-C를, Na2S2O4를 이용하여 환원시켜, NH2가 치환된 화합물 1-D를 제조하는 단계,2) reduction of compound 1-C prepared in the above step 1 with Na 2 S 2 O 4 to prepare NH 2 -substituted compound 1-D,

3) 상기 2)단계에서 제조된 화합물 1-D와 아실클로라이드(acyl chloride) 화합물(R7-COCl)을 반응시켜, 아마이드(amide)를 포함하는 화합물 1-E를 제조하는 단계, 및3) reacting the compound 1-D prepared in the above 2) with an acyl chloride compound (R 7 -COCl) to prepare a compound 1-E containing an amide, and

4) 상기 3)단계에서 제조된 화합물 1-E를, POCl3를 이용하여 화합물 1-F(화학식 1로 표시되는 화합물)로 제조하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조될 수 있다. 이와 같은 제조 방법은 하기 반응식 1로 표시될 수 있으나, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조 방법이 하기 반응식 1로만 한정되는 것은 아니다.4) Preparing the compound 1-E prepared in the above step 3) with Compound 1-F (compound represented by the formula 1) using POCl 3 . Such a preparation method can be represented by the following Reaction Scheme 1, but the production method of the compound represented by Formula 1 is not limited to Reaction Scheme 1 below.

[반응식 1][Reaction Scheme 1]

Figure 112010072119588-pat00021
Figure 112010072119588-pat00021

상기 반응식 1에서 R1 내지 R7은 상기 화학식 1에서 정의한 R1 내지 R7과 같다.In the above Reaction Scheme 1, R 1 to R 7 are the same as R 1 to R 7 defined in the above formula (1).

상기 일반적인 제조방법과 본 명세서의 하기 실시예를 참고하여 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조할 수 있다.The compound represented by the formula (1) can be prepared by referring to the general production method described above and the following examples.

또한, 본 발명은 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전기 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물들을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.The present invention also provides an organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, 4. ≪ / RTI >

본 발명의 유기 전자 소자는 전술한 화합물들을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 전자 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic electronic device of the present invention can be manufactured by a conventional method and material for producing an organic electronic device, except that one or more organic compound layers are formed using the above-described compounds.

이하에서는 유기 발광 소자에 대하여 예시한다.Hereinafter, the organic light emitting device will be described.

본 발명의 하나의 실시 상태에 있어서, 유기 발광 소자는 제 1 전극과 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있다. 본 발명의 유기 발광 소자 중 유기물층은 1층으로 이루어진 단층 구조일 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조일 수도 있다. 본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층이 다층 구조인 경우, 이는 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등이 적층된 구조일 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 도 1에 있어서, 도면부호 1은 기판, 2는 양극, 3은 정공 주입층, 4는 정공 수송층, 5는 유기 발광층, 6은 전자 수송층, 7은 음극을 각각 나타낸다. 도 1과 같은 구조의 유기 발광 소자를 통상 정방향 구조의 유기 발광 소자라고 하는데, 본 발명은 이에 한정되지 않고 역방향 구조의 유기 발광 소자도 포함한다. 즉, 본 발명의 유기 발광 소자는 기판, 음극, 전자 수송층, 유기 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층 및 양극이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the organic light emitting device may have a structure including a first electrode, a second electrode, and one or more organic layers disposed between the first electrode and the second electrode. In the organic light emitting device of the present invention, the organic layer may have a single layer structure or a multi-layer structure in which two or more organic layers are stacked. When the organic material layer of the organic light emitting diode of the present invention has a multilayer structure, it may have a structure in which, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are stacked. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include a smaller number of organic layers. For example, the structure of the organic light emitting device of the present invention may have a structure as shown in FIG. 1, but the present invention is not limited thereto. 1, reference numeral 1 denotes a substrate, 2 denotes an anode, 3 denotes a hole injecting layer, 4 denotes a hole transporting layer, 5 denotes an organic light emitting layer, 6 denotes an electron transporting layer and 7 denotes a cathode. The organic light emitting device having the structure as shown in FIG. 1 is generally referred to as an organic light emitting device having a normal structure. However, the present invention is not limited to this and includes an organic light emitting device having a reverse structure. That is, the organic light emitting device of the present invention may have a structure in which a substrate, a cathode, an electron transport layer, an organic light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and an anode are sequentially stacked.

본 발명에 따른 유기 발광 소자가 다층 구조의 유기물층을 갖는 경우, 상기 화학식 1의 화합물은 발광층, 정공 수송층, 정공 수송과 발광을 동시에 하는 층, 발광과 전자 수송을 동시에 하는 층, 전자 수송층, 전자 수송 및/또는 주입층 등에 포함될 수 있다. 본 발명에 있어서, 상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물은 특히 전자 주입 및/또는 수송층 또는 발광층에 포함되는 것이 바람직하다.In the case where the organic light emitting device according to the present invention has an organic layer having a multilayer structure, the compound of the general formula (1) includes a light emitting layer, a hole transporting layer, a layer simultaneously transporting and emitting light, a layer simultaneously emitting light and electron transporting, And / or an injection layer. In the present invention, the compounds represented by Chemical Formulas 1 to 4 are preferably included in the electron injecting and / or transporting layer or the light emitting layer.

특히, 본 발명에 따른 상기 화학식 1의 화합물이 전자 수송층에 포함되는 경우, 상기 전자 수송층은 알칼리금속, 알칼리금속 화합물, 알칼리토금속, 알칼리토금속 화합물 또는 이들의 조합물을 포함할 수 있고, Li, LiQ, LiF 등을 포함하는 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In particular, when the compound of Formula 1 according to the present invention is contained in an electron transport layer, the electron transport layer may include an alkali metal, an alkali metal compound, an alkaline earth metal, an alkaline earth metal compound, or a combination thereof. , LiF, and the like, but it is not limited thereto.

또한, 상기 유기물층은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하고, 이 정공 주입층 및 정공 수송층이 상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.The organic material layer may include a hole injecting layer and a hole transporting layer, and the hole injecting layer and the hole transporting layer may include the compounds represented by the above Chemical Formulas 1 to 4.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 전술한 화학식 1 내지 화학식 4의 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층 중 1층 이상에 사용한다는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 전술한 바와 같이 역방향 구조의 유기 발광 소자를 제작하기 위하여 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.The organic electroluminescent device according to the present invention can be manufactured using conventional organic electroluminescent device manufacturing methods and materials, except that the above-described compounds of the formulas (1) to (4) are used for one or more layers of the organic electroluminescent device organic layers . For example, the organic light emitting device according to the present invention may be formed by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation to form a metal oxide or a metal oxide having conductivity on the substrate, To form an anode, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer is formed on the anode, and a material which can be used as a cathode is deposited thereon. In addition to such a method, an organic light emitting device may be fabricated by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate in order to fabricate an organic light emitting device having a reverse structure as described above.

상기 화학식 1 내지 화학식 4의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The compounds of Chemical Formulas 1 to 4 may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum evaporation method in the production of an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is preferably used so that hole injection can be smoothly conducted into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but are not limited thereto.

상기 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole injecting material, it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injecting material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injecting material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic materials, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic materials, quinacridone-based organic materials, perylene , Anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but the present invention is not limited thereto.

상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 화합물; 카바졸 계열의 화합물; 안트라센 계열의 화합물; 파이렌 계열의 화합물; 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole transporting material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injecting layer to the light emitting layer and having high mobility to holes is suitable. Specific examples thereof include arylamine-based compounds; Carbazole-based compounds; Anthracene-based compounds; Pyrene-based compounds; A conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; 비스-메틸-8-히드록시퀴놀린 파라페닐페놀 알루미늄 착물(bAlq); 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 안트라센 계열의 화합물; 파이렌 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; Bis-methyl-8-hydroxyquinoline paraphenyl phenol aluminum complex (bAlq); 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Anthracene-based compounds; Pyrene-based compounds; Polymers of poly (p-phenylenevinylene) (PPV) series; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물; 안트라센 계열의 화합물; 파이렌 계열의 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 피리딜 계열의 화합물; 페난트롤린 계열의 화합물; 퀴놀린 계열의 화합물; 퀴나졸린 계열의 화합물 등이 있으며, 또한 이들의 화합물들이 금속 또는 금속 화합물과 도핑하여 전자 수송층을 형성할 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the electron transporting material, a material capable of transferring electrons from the cathode well into the light emitting layer, which is suitable for electrons, is suitable. Specific examples include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes; Anthracene-based compounds; Pyrene-based compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Pyridyl-based compounds; Phenanthroline compounds; Quinoline series compounds; Quinazoline-based compounds, and the like, and these compounds may be doped with a metal or a metal compound to form an electron transporting layer, but the present invention is not limited thereto.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.

본 발명에 따른 상기 화학식 1 내지 화학식 4의 화합물은 유기 태양 전지, 유기 인광 소자, 유기 감광체(OPC), 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.The compounds represented by Chemical Formulas 1 to 4 according to the present invention may act on a principle similar to that applied to organic light emitting devices in organic electronic devices including organic solar cells, organic phosphorescent devices, organic photoconductors (OPC), organic transistors and the like.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in order to facilitate understanding of the present invention. However, the following examples are intended to illustrate the present invention and do not limit the scope of the present invention.

<< 실시예Example >>

<< 제조예Manufacturing example 1> 하기 화합물 A-4의 제조 1> Preparation of the following compound A-4

Figure 112010072119588-pat00022
Figure 112010072119588-pat00022

1) 상기 화합물 A-1의 제조1) Preparation of the compound A-1

2-플루오로나이트로벤젠(2-Fluoronitrobenzene, 10g, 70.9mmol), 벤즈이미다졸(Benzimidazole, 9.2g, 77.9mmol) 및 Cs2CO3(53g, 163mmol)을 DMF(N,N-dimethylformamide, 150ml)에 분산시키고, 상온에서 24시간 동안 교반하였다. 생성된 반응 혼합액을 여과하여, 과량의 Cs2CO3 제거한 후, 여과액을 감압 농축시키고, 테트라하이드로퓨란(THF) : n-헥산(n-hexane) = 1 : 10을 전개 용매로 하여 컬럼 크로마토그래피(Column chromatography) 정제 후 건조하여 화합물 A-1(15.3g, 수율 90%)을 제조하였다.2-Fluoronitrobenzene (10 g, 70.9 mmol), benzimidazole (9.2 g, 77.9 mmol) and Cs 2 CO 3 (53 g, 163 mmol) were dissolved in DMF (N, ), And the mixture was stirred at room temperature for 24 hours. The resulting reaction mixture was filtered to remove excess Cs 2 CO 3 and the filtrate was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography using tetrahydrofuran (THF): n-hexane = 1: 10 as a developing solvent After purification by column chromatography, it was dried to obtain Compound A-1 (15.3 g, yield 90%).

MS: [M+H]+=240MS: [M + H] &lt; + &gt; = 240

2) 상기 화합물 A-2의 제조2) Preparation of compound A-2

상기 화합물 A-1(10g, 41.8mmol)을 THF(70mL)에 용해시키고, 질소 분위기하에서 실온에서 교반시키면서, Na2S2O4(29.1g, 167mmol)/물 100mL의 용액을 가하였다. 3시간 동안 교반 환류시키고, 상온으로 온도를 낮추고, K2CO3(23.1g, 167mmol)/물 40mL의 용액을 가하였다. 또한, 4-브로모벤조일클로라이드(4-Bromobenzoyl chloride, 9.2g, 41.8mmol)/THF 20mL의 용액을 적하하고, 8시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 유기층을 무수황산마그네슘(MgSO4)으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압 농축시키고 THF : n-헥산 = 1 : 10으로 컬럼하여 상기 화합물 A-2(11.5g, 수율 70%)을 제조하였다.The compound A-1 (10 g, 41.8 mmol) was dissolved in THF (70 mL) and a solution of Na 2 S 2 O 4 (29.1 g, 167 mmol) in 100 mL of water was added while stirring at room temperature under a nitrogen atmosphere. The mixture was refluxed for 3 hours, cooled to room temperature and a solution of K 2 CO 3 (23.1 g, 167 mmol) in 40 mL of water was added. Further, a solution of 4-bromobenzoyl chloride (9.2 g, 41.8 mmol) in THF (20 mL) was added dropwise, and the mixture was refluxed with stirring for 8 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, and the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate (MgSO 4 ) and then filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure, and the residue was subjected to column chromatography with THF: n-hexane = 1: 10 to prepare Compound A-2 (11.5 g, yield 70%).

MS: [M+H]+=393MS: [M + H] &lt; + &gt; = 393

3) 상기 화합물 A-3의 제조3) Preparation of Compound A-3

상기 화합물 A-2(7.5g, 19.1mmol)을 피리딘(Pyridine, 40mL)에 분산시키고, 질소 분위기하에서 0℃에서 교반시키면서, POCl3(2.7mL, 29 mmol)을 천천히 적하하였다. 5시간 동안 교반 환류시킨 후, 상온으로 온도를 낮추었다. 생성된 반응 혼합물을 과량의 얼음물에 부었다. 생성된 고체를 여과한 후, 클로로포름에 녹이고, 1M K2CO3 수용액 및 포화 식염수로 순차적으로 세정한 후, 무수황산마그네슘으로 건조시켰다. 용매를 감압 하에서 증류시켜 상기 화합물 A-3(5.15g, 수율 72%)을 제조하였다.The compound A-2 (7.5 g, 19.1 mmol) was dispersed in pyridine (40 mL), and POCl 3 (2.7 mL, 29 mmol) was slowly added dropwise while stirring at 0 ° C under a nitrogen atmosphere. After refluxing for 5 hours, the temperature was lowered to room temperature. The resulting reaction mixture was poured into excess ice water. The resulting solid was filtered, dissolved in chloroform, washed sequentially with 1M K 2 CO 3 aqueous solution and saturated brine, and then dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure to give the above compound A-3 (5.15 g, yield 72%).

MS: [M+H]+=375MS: [M + H] &lt; + &gt; = 375

4) 상기 화합물 A-4의 제조4) Preparation of compound A-4

상기 화합물 A-4(6.3g, 16.8mmol), 비스(피나콜라토)디보론(4.7g, 18.5mmol) 및 아세트산칼륨(KOAc, 4.96g, 50.5mmol)을 디옥산(1,4-Dioxane, 100mL)에 현탁시분산시키고, Pd(dba)2(0.29g, 3mol%)와 PCy3(0.28g, 6mol%)를 가하였다. 혼합물을 8시간 동안 교반 환류하고, 상온으로 온도를 낮추었다. 상기 혼합물을 물(100mL)로 희석하고 디클로로메탄(CH2Cl2, 3 × 50mL)으로 추출하였다. 유기 추출물을 무산황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압 농축시키고, 에틸에테르와 헥산으로 재결정하여 상기 화합물 A-4(5.66g, 80%)를 제조하였다.(4.3 g, 16.8 mmol), bis (pinacolato) diboron (4.7 g, 18.5 mmol) and potassium acetate (KOAc, 4.96 g, 50.5 mmol) were dissolved in dioxane 100 ml), and Pd (dba) 2 (0.29 g, 3 mol%) and PCy 3 (0.28 g, 6 mol%) were added thereto. The mixture was stirred at reflux for 8 hours and the temperature was lowered to room temperature. The mixture was diluted with water (100 mL) and extracted with dichloromethane (CH 2 Cl 2 , 3 x 50 mL). The organic extract was dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethyl ether and hexane to obtain Compound A-4 (5.66 g, 80%).

MS: [M+H]+=422MS: [M + H] &lt; + &gt; = 422

<< 제조예Manufacturing example 2> 하기 화합물 A-7의 제조 2> Preparation of the following compound A-7

Figure 112010072119588-pat00023
Figure 112010072119588-pat00023

1) 상기 화합물 A-5의 제조1) Preparation of compound A-5

상기 제조예 1의 2)의 화합물 A-2의 제조에 있어서, 4-브로모벤조일클로라이드 대신 6-브로모나프토일클로라이드(6-Bromonaphthoyl chloride, 11.3g, 41.8mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-5(13.9g, 수율 75%)을 제조하였다.Except that 6-bromonaphthoyl chloride (11.3 g, 41.8 mmol) was used instead of 4-bromobenzoyl chloride in the preparation of compound A-2 of 2) in Preparation Example 1 To obtain Compound A-5 (13.9 g, yield 75%).

MS: [M+H]+=443MS: [M + H] &lt; + &gt; = 443

2) 상기 화합물 A-6의 제조2) Preparation of the compound A-6

상기 제조예 1의 3)의 화합물 A-3의 제조에 있어서, 화합물 A-2 대신 화합물 A-5(8.4g, 19.1mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-6(5.27g, 수율 65%)을 제조하였다.Except that Compound A-5 (8.4 g, 19.1 mmol) was used in place of Compound A-2 in the preparation of Compound A-3 of Production Example 3, 3) g, yield 65%).

MS: [M+H]+=425MS: [M + H] &lt; + &gt; = 425

3) 상기 화합물 A-7의 제조3) Preparation of the compound A-7

상기 제조예 1의 4)의 화합물 A-4의 제조에 있어서, 화합물 A-3 대신 화합물 A-6(7.12g, 16.8mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-7(6.49g, 수율 82%)을 제조하였다.Compound A-7 (6.49 g, 16.8 mmol) was synthesized except that Compound A-6 (7.12 g, 16.8 mmol) was used instead of Compound A-3 in the preparation of Compound A- g, yield: 82%).

MS: [M+H]+=472MS: [M + H] &lt; + &gt; = 472

<< 제조예Manufacturing example 3> 하기 화합물 A-9의 제조 3> Preparation of the following compound A-9

Figure 112010072119588-pat00024
Figure 112010072119588-pat00024

1) 상기 화합물 A-8의 제조1) Preparation of compound A-8

상기 제조예 1의 2)의 화합물 A-2의 제조에 있어서, 4-브로모벤조일클로라이드 대신 6-브로모피코리노일클로라이드(6-Bromopicolinoyl chloride, 9.21g, 41.8mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-8(11.2g, 수율 68%)을 제조하였다.Except that 6-bromopicolinoyl chloride (9.21 g, 41.8 mmol) was used instead of 4-bromobenzoyl chloride in the preparation of compound A-2 of 2) in Preparation Example 1 To obtain Compound A-8 (11.2 g, yield 68%).

MS: [M+H]+=394MS: [M + H] &lt; + &gt; = 394

2) 상기 화합물 A-9의 제조2) Preparation of compound A-9

상기 제조예 1의 3)의 화합물 A-3의 제조에 있어서, 화합물 A-2 대신, 화합물 A-8(7.5g, 19.1mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-9(4.44g, 수율 62%)을 제조하였다.Compound A-9 was synthesized in the same manner as Compound A-3 of Production Example 1 except that Compound A-8 (7.5 g, 19.1 mmol) was used instead of Compound A-2 in the preparation of Compound A- 4.44 g, yield 62%).

MS: [M+H]+=376MS: [M + H] &lt; + &gt; = 376

<< 제조예Manufacturing example 4> 하기 화합물 A-13의 제조 4> Preparation of the following compound A-13

Figure 112010072119588-pat00025
Figure 112010072119588-pat00025

1) 상기 화합물 A-10의 제조1) Preparation of compound A-10

상기 제조예 1의 1)의 화합물 A-1의 제조에 있어서, 2-플루오로나이트로벤젠대신 2,5-디브로모나이트로벤젠(2,5-Dibromonitrobenzene, 19.9g, 70.9mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-10(18.7g, 수율 83%)을 제조하였다.(2,5-Dibromonitrobenzene, 19.9 g, 70.9 mmol) was used instead of 2-fluoronitrobenzene in the preparation of the compound A-1 of 1) in Production Example 1 , The compound A-10 (18.7 g, yield 83%) was prepared.

MS: [M+H]+=319MS: [M + H] &lt; + &gt; = 319

2) 상기 화합물 A-11의 제조2) Preparation of the compound A-11

상기 제조예 1의 2)의 화합물 A-2의 제조에 있어서, 4-브로모벤조일클로라이드 대신 벤조일클로라이드(Benzoylchloride, 5.87g, 41.8mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-11(11.6g, 수율 71%)을 제조하였다.Compound A-11 was synthesized in the same manner as Compound A-2 of Production Example 2, 2) except that benzoylchloride (Benzoylchloride, 5.87 g, 41.8 mmol) was used instead of 4-bromobenzoyl chloride. (11.6 g, yield 71%).

MS: [M+H]+=393MS: [M + H] &lt; + &gt; = 393

3) 상기 화합물 A-12의 제조3) Preparation of the above compound A-12

상기 제조예 1의 3)의 화합물 A-3의 제조에 있어서, 화합물 A-2 대신 화합물 A-11(7.49g, 19.1mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-12(4.65g, 수율 65%)을 제조하였다.Except that Compound A-11 (7.49 g, 19.1 mmol) was used instead of Compound A-2 in the preparation of Compound A-3 of Production Example 3, 3) g, yield 65%).

MS: [M+H]+=375MS: [M + H] &lt; + &gt; = 375

4) 상기 화합물 A-13의 제조4) Preparation of Compound A-13

상기 제조예 1의 4)의 화합물 A-4의 제조에 있어서, 화합물 A-3 대신 화합물 A-12(6.29g, 16.8mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-13(5.66g, 수율 80%)을 제조하였다.Compound A-13 (5.66 g, 16.8 mmol) was synthesized except that Compound A-12 (6.29 g, 16.8 mmol) was used instead of Compound A-3 in the preparation of Compound A- g, yield 80%).

MS: [M+H]+=422MS: [M + H] &lt; + &gt; = 422

<< 제조예Manufacturing example 5> 하기 화합물 A-17의 제조 5> Preparation of the following compound A-17

Figure 112010072119588-pat00026
Figure 112010072119588-pat00026

1) 상기 화합물 A-14의 제조1) Preparation of the compound A-14

상기 제조예 1의 1)의 화합물 A-1의 제조에 있어서, 벤즈이미다졸 대신 상기화합물 C-1(Benzoylchloride, 17.0g, 77.9mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-14(18.8g, 수율 78%)을 제조하였다.Compound A-14 was synthesized in the same manner as Compound A-1 of Production Example 1 except that benzoylchloride (17.0 g, 77.9 mmol) was used instead of benzimidazole in the preparation of Compound A-1 in Production Example 1 (18.8 g, yield 78%).

MS: [M+H]+=340MS: [M + H] &lt; + &gt; = 340

2) 상기 화합물 A-15의 제조2) Preparation of compound A-15

상기 제조예 1의 2)의 화합물 A-2의 제조에 있어서, 화합물 A-2 대신 화합물 A-14(14.2g, 41.8mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-15(14.4g, 수율 70%)을 제조하였다.Compound A-15 (14.4 g, 41.8 mmol) was synthesized in the same manner as Compound A-2 of Production Example 1 except that Compound A-14 (14.2 g, 41.8 mmol) g, 70% yield).

MS: [M+H]+=493MS: [M + H] &lt; + &gt; = 493

3) 상기 화합물 A-16의 제조3) Preparation of compound A-16

상기 제조예 1의 3)의 화합물 A-3의 제조에 있어서, 화합물 A-2 대신 화합물 A-15(9.4g, 19.1mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-16(6.16g, 수율 68%)을 제조하였다.Except that Compound A-15 (9.4 g, 19.1 mmol) was used instead of Compound A-2 in the preparation of Compound A-3 of Production Example 3, 3) g, yield 68%).

MS: [M+H]+=475MS: [M + H] &lt; + &gt; = 475

4) 상기 화합물 A-17의 제조4) Preparation of compound A-17

상기 제조예 1의 4)의 화합물 A-4의 제조에 있어서, 화합물 A-3 대신 화합물 A-16(7.97g, 16.8mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-17(7.01g, 수율 80%)을 제조하였다.Except that Compound A-16 (7.97 g, 16.8 mmol) was used instead of Compound A-3 in the preparation of Compound A-4 in Production Example 4-1) g, yield 80%).

MS: [M+H]+=522MS: [M + H] &lt; + &gt; = 522

<< 제조예Manufacturing example 6> 하기 화합물 A-21의 제조 6> Preparation of the following compound A-21

Figure 112010072119588-pat00027
Figure 112010072119588-pat00027

1) 상기 화합물 A-18의 제조1) Preparation of compound A-18

상기 제조예 1의 1)의 화합물 A-1의 제조에 있어서, 벤즈이미다졸 대신 4,5-다이페닐이미다졸(4,5-diphenylimidazole, 17.2g, 77.9mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-18(19.6g, 수율 81%)을 제조하였다.Except that 4,5-diphenylimidazole (17.2 g, 77.9 mmol) was used instead of benzimidazole in the preparation of Compound A-1 of 1) of Preparation Example 1, To obtain Compound A-18 (19.6 g, yield 81%).

MS: [M+H]+=342MS: [M + H] &lt; + &gt; = 342

2) 상기 화합물 A-19의 제조2) Preparation of compound A-19

상기 제조예 1의 2)의 화합물 A-2의 제조에 있어서, 화합물 A-2 대신 화합물 A-18(14.3g, 41.8mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-19(14.9g, 수율 72%)을 제조하였다.Compound A-19 (14.9 g, 41.8 mmol) was synthesized in the same manner as Compound A-2 of Preparation Example 1 except that Compound A-18 (14.3 g, 41.8 mmol) g, yield 72%).

MS: [M+H]+=495MS: [M + H] &lt; + &gt; = 495

3) 상기 화합물 A-20의 제조3) Preparation of Compound A-20

상기 제조예 1의 3)의 화합물 A-3의 제조에 있어서, 화합물 A-2 대신 화합물 A-19(9.4g, 19.1mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-20(5.91g, 수율 65%)을 제조하였다.Except that Compound A-19 (9.4 g, 19.1 mmol) was used instead of Compound A-2 in the preparation of Compound A-3 of Production Example 3 (3) g, yield 65%).

MS: [M+H]+=477MS: [M + H] &lt; + &gt; = 477

4) 상기 화합물 A-21의 제조4) Preparation of the above compound A-21

상기 제조예 1의 4)의 화합물 A-4의 제조에 있어서, 화합물 A-3 대신 화합물 A-20(8.00g, 16.8mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-21(7.30g, 수율 83%)을 제조하였다.Except that Compound A-20 (8.00 g, 16.8 mmol) was used instead of Compound A-3 in the preparation of Compound A-4 in Production Example 4-1) g, yield: 83%).

MS: [M+H]+=524MS: [M + H] &lt; + &gt; = 524

<< 제조예Manufacturing example 7> 하기 화합물 A-25의 제조 7> Preparation of the following compound A-25

Figure 112010072119588-pat00028
Figure 112010072119588-pat00028

1) 상기 화합물 A-22의 제조1) Preparation of compound A-22

상기 제조예 1의 1)의 화합물 A-1의 제조에 있어서, 벤즈이미다졸 대신 상기 4,5-다이-(2-피리딜)이미다졸(4,5-di-(2-pyridyl)imidazole, 17.3g, 77.9mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-22(18.3g, 수율 75%)을 제조하였다.(2-pyridyl) imidazole was used instead of benzimidazole in the preparation of Compound A-1 of 1) of Preparation Example 1, 17.3 g, 77.9 mmol) was used in place of the compound A-22 (18.3 g, yield 75%).

MS: [M+H]+=344MS: [M + H] &lt; + &gt; = 344

2) 상기 화합물 A-23의 제조2) Preparation of compound A-23

상기 제조예 1의 2)의 화합물 A-2의 제조에 있어서, 화합물 A-2 대신 화합물 A-22(14.4g, 41.8mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-23(13.5g, 수율 65%)을 제조하였다.Except that Compound A-22 (14.4 g, 41.8 mmol) was used instead of Compound A-2 in the preparation of Compound A-2 of Production Example 2-1) g, yield 65%).

MS: [M+H]+=497MS: [M + H] &lt; + &gt; = 497

3) 상기 화합물 A-24의 제조3) Preparation of compound A-24

상기 제조예 1의 3)의 화합물 A-3의 제조에 있어서, 화합물 A-2 대신 화합물 A-23(9.5g, 19.1mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-24(5.66g, 수율 62%)을 제조하였다.Except that Compound A-23 (9.5 g, 19.1 mmol) was used instead of Compound A-2 in the preparation of Compound A-3 in Production Example 3 (3) g, yield: 62%).

MS: [M+H]+=479MS: [M + H] &lt; + &gt; = 479

4) 상기 화합물 A-25의 제조4) Preparation of compound A-25

상기 제조예 1의 4)의 화합물 A-4의 제조에 있어서, 화합물 A-3 대신 화합물 A-24(8.04g, 16.8mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-25(6.36g, 수율 72%)을 제조하였다.Except that Compound A-24 (8.04 g, 16.8 mmol) was used in place of Compound A-3 in the preparation of Compound A-4 of Production Example 4, 4) g, yield 72%).

MS: [M+H]+=526MS: [M + H] &lt; + &gt; = 526

하기 제조예들은 상기 화학식 1의 화합물을 제조하기 위해 진행된 중간체들의 예이다.The following preparations are examples of intermediates which have been run to prepare the compounds of formula (1).

<< 제조예Manufacturing example 8> 하기 화합물 B-1, B-2, B-3의 제조 Preparation of the following compounds B-1, B-2 and B-3

Figure 112010072119588-pat00029
Figure 112010072119588-pat00029

1) 화합물 B-11) Compound B-1

상기 9-(2-나프틸)-안트라센(9-(2-naphthyl)-anthracene, 7.36g, 24.2mmol)을 클로로포름(150mL)에 녹이고, 아세트산(150mL)을 첨가한 후, 0? 하에서 Br2(1.3mL, 25.4mmol)을 적하하였다. 얻어진 혼합물을 상온으로 올려 5시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응액을 농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 B-1(6.49g, 수율 70%)을 제조하였다.After dissolving the above 9- (2-naphthyl) -anthracene (7.36 g, 24.2 mmol) in chloroform (150 mL), acetic acid (150 mL) , Br 2 (1.3 mL, 25.4 mmol) was added dropwise. The resulting mixture was warmed to room temperature and stirred for 5 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was concentrated and recrystallized from ethanol to obtain Compound B-1 (6.49 g, yield 70%).

MS: [M]+=383MS: [M] &lt; + & gt ; = 383

2) 화합물 B-22) Compound B-2

상기 화합물 B-1(6.86g, 17.9mmol)을 테트라하이드로퓨란(150mL)에 녹인 후, -78?로 온도를 낮추고 1.7M 터셔리-부틸리튬(t-BuLi)(10.5mL, 17.9mmol)을 천천히 가하였다. 동일 온도에서 한 시간 동안 교반한 후 트리메틸보레이트(B(OCH3)3, 3.72g, 35.8mmol)을 가하고, 상온으로 온도를 서서히 올리면서 3시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물에 2N 염산수용액(30mL)를 가하고 1.5시간 동안 상온에서 교반하였다. 생성된 침전물을 거르고 물과 에틸에테르로 차례로 씻은 후 진공 건조하였다. 건조 후 에틸에테르에 분산시켜 두 시간 동안 교반한 후 여과하고 건조하여 화합물 B-2(4.44g, 수율 71%)을 제조하였다.The compound B-1 (6.86 g, 17.9 mmol) was dissolved in tetrahydrofuran (150 mL), the temperature was lowered to -78 ° C and 1.7 M tert-butyllithium ( t- BuLi) (10.5 mL, 17.9 mmol) I went slowly. After stirring at the same temperature for one hour, trimethyl borate (B (OCH 3 ) 3 , 3.72 g, 35.8 mmol) was added and stirred for 3 hours while slowly raising the temperature to room temperature. To the reaction mixture was added a 2N aqueous hydrochloric acid solution (30 mL) and the mixture was stirred at room temperature for 1.5 hours. The resulting precipitate was filtered, washed sequentially with water and ethyl ether, and vacuum dried. Dried, dispersed in ethyl ether, stirred for 2 hours, filtered and dried to give Compound B-2 (4.44 g, yield 71%).

MS: [M+H]+= 349MS: [M + H] &lt; + &gt; = 349

3) 화합물 B-33) Compound B-3

상기 화합물 B-2(3.48g, 10.0mmol)와 1-브로모-4-요오드벤젠(1-bromo-4-iodobenzene, 3.4g, 12.0mmol) 을 테트라하이드로퓨란(100mL)에 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(20mL)을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(Pd(PPh3)4, 0.231g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름으로 녹이고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압 농축시키고, 테트라하이드로퓨란과 에탄올로 재결정하여 화합물 B-3(3.30g, 수율 72%)을 제조하였다.The compound B-2 (3.48 g, 10.0 mmol) and 1-bromo-4-iodobenzene (3.4 g, 12.0 mmol) were dissolved in tetrahydrofuran (100 mL) after adding an aqueous solution (20mL) and placed tetrakis triphenyl phosphino palladium (Pd (PPh 3) 4, 0.231g, 2mol%) it was stirred under reflux for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was dissolved in chloroform, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure, and recrystallized from tetrahydrofuran and ethanol to obtain Compound B-3 (3.30 g, yield 72%).

MS: [M+H]+= 460MS: [M + H] &lt; + &gt; = 460

<< 제조예Manufacturing example 9> 하기 화합물 B-4의 제조 Preparation of the following compound B-4

Figure 112010072119588-pat00030
Figure 112010072119588-pat00030

상기 제조예 8의 화합물 B-1의 제조에서 9-(2-나프틸)-안트라센(9-(2-naphthyl)-anthracene) 대신 9-(1-나프틸)-안트라센(9-(1-naphthyl)-anthracene) 을 사용한 것을 제외하고는, 상기 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 화합물 B-4(6.49g, 수율 70%)을 제조하였다.9- (1-naphthyl) -anthracene was used in place of 9- (2-naphthyl) -anthracene in the preparation of the compound B-1 of Production Example 8, Compound (B-4) (6.49 g, yield 70%) was prepared in the same manner as the compound B-1, except that naphthylamine was replaced by naphthylamine.

MS: [M]+= 383MS: [M] &lt; + & gt ; = 383

<< 제조예Manufacturing example 10> 하기 화합물 B-5, B-6의 제조 Preparation of the following compounds B-5 and B-6

Figure 112010072119588-pat00031
Figure 112010072119588-pat00031

1) 화합물 B-51) Compound B-5

9-브로모안트라센(8.2g, 31.9mmol), 바이페닐 보론산(7.6g, 38.4mmol) 및 Pd(PPh3)4(0.737g, 2mol%)을 2M K2CO3 수용액(300mL)과 테트라하이드로퓨란(300mL)에 넣고, 약 24시간 환류 교반시켰다. 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액에서 유기층을 층 분리하고 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압 농축시키고, 테트라하이드로퓨란과 에탄올로 재결정하여 화합물 B-5(8.5g, 수율 81%)을 제조하였다.9-bromo-anthracene (8.2g, 31.9mmol), biphenyl boronic acid (7.6g, 38.4mmol) and Pd (PPh 3) 4 (0.737g , 2mol%) the aqueous 2M K 2 CO 3 (300mL) and tetra (300 mL), and the mixture was stirred under reflux for about 24 hours. The mixture was cooled to room temperature, the organic layer was separated from the reaction mixture, and the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from tetrahydrofuran and ethanol to give Compound B-5 (8.5 g, yield 81%).

MS: [M]+=330MS: [M] &lt; + & gt ; = 330

2) 화합물 B-62) Compound B-6

상기 제조예 8의 화합물 B-1의 제조에서 9-(2-나프틸)-안트라센(9-(2-naphthyl)-anthracene) 대신 화합물 B-5을 사용한 것을 제외하고는, 상기 화합물 B-1의 제조방법과 동일한 방법으로 화합물 B-6(7.03g, 수율 71%)을 제조하였다.Except that Compound B-5 was used in place of 9- (2-naphthyl) -anthracene in the preparation of Compound B-1 of Preparation Example 8, the compound B-1 (7.03 g, yield 71%) was prepared in a similar manner to the preparation of Compound B-6.

MS: [M]+=409MS: [M] &lt; + & gt ; = 409

<< 제조예Manufacturing example 11> 화합물 B-7, B-8의 제조 11> Preparation of compounds B-7 and B-8

Figure 112010072119588-pat00032
Figure 112010072119588-pat00032

1) 화합물 B-71) Compound B-7

2-나프탈렌 보론산(2-naphthalene boronic acid, 10g, 58.1mmol)과 2-브로모-6-나프톨(2-bromo-6-naphthol, 10.8g, 48.4mmol)을 테트라하이드로퓨란(100mL)에 완전히 녹인 후 2M K2CO3 수용액(100mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(1.12g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압 농축시키고 헥산으로 재결정하여 화합물 B-7(8.5g, 수율 65%)을 제조하였다.2-naphthalene boronic acid (10 g, 58.1 mmol) and 2-bromo-6-naphthol (10.8 g, 48.4 mmol) were completely dissolved in tetrahydrofuran After dissolving, 2M aqueous K 2 CO 3 solution (100 mL) was added, Pd (PPh 3 ) 4 (1.12 g, 2 mol%) was added, and the mixture was refluxed for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried with anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized with hexane to obtain Compound B-7 (8.5 g, yield 65%).

MS: [M+H]+=271MS: [M + H] &lt; + &gt; = 271

2) 화합물 B-82) Compound B-8

화합물 B-7(7.2g, 26.7mmol)을 디클로로메탄에 녹인 후 트리에틸아민(7.47mL, 53.6mmol)을 첨가한 후 10분간 교반하였다. 0?로 온도를 낮춘 후 트리플루오로메탄술폰산 무수물((CF3SO2)2O)(6.76mL, 40.2mmol)을 천천히 첨가한 후 상온으로 온도를 올리고 1시간 동안 교반하였다. 탄산수소나트륨 수용액을 첨가한 후 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 수분을 제거하였다. 여과한 후 감압 농축하고 헥산으로 재결정하여 화합물 B-8(8.69g, 수율 81%)을 제조하였다.Compound B-7 (7.2 g, 26.7 mmol) was dissolved in dichloromethane, triethylamine (7.47 mL, 53.6 mmol) was added, and the mixture was stirred for 10 minutes. After the temperature was lowered to 0 ° C, trifluoromethanesulfonic anhydride ((CF 3 SO 2 ) 2 O) (6.76 mL, 40.2 mmol) was added slowly and the temperature was raised to room temperature and stirred for 1 hour. The aqueous sodium bicarbonate solution was added, the water layer was removed, and water was removed with anhydrous magnesium sulfate. Filtered, concentrated under reduced pressure and recrystallized with hexane to obtain Compound B-8 (8.69 g, yield 81%).

MS: [M+H]+=403MS: [M + H] &lt; + &gt; = 403

<< 제조예Manufacturing example 12> 하기 화합물 B-9, B-10의 제조 Preparation of the following compounds B-9 and B-10

Figure 112010072119588-pat00033
Figure 112010072119588-pat00033

1) 화합물 B-91) Compound B-9

1-브로모나프탈렌(1-bromo-naphthalene, 34.8g, 168mmol)을 테트라하이드로퓨란(170mL)에 녹인 후 -78℃로 온도를 낮추고 2.5M n-부틸리튬(67.3mL, 168mmol)을 천천히 첨가한 후 1시간 동안 교반하였다. 2-브로모안트라퀴논(21g, 73.1mmol)을 첨가하고 상온으로 온도를 올리고 3시간 동안 교반하였다. 포화염화암모늄수용액을 넣고 물층을 제거한 후 무수황산마그네슘으로 건조하고 여과한 후 감압 건조하였다. 에틸에테르로 재결정하여 화합물 B-9(32.5g, 수율 82%)을 제조하였다.After dissolving 1-bromo-naphthalene (34.8 g, 168 mmol) in tetrahydrofuran (170 mL), the temperature was lowered to -78 ° C and 2.5M n-butyl lithium (67.3 mL, 168 mmol) was added slowly Followed by stirring for 1 hour. 2-Bromoanthraquinone (21 g, 73.1 mmol) was added, the temperature was raised to room temperature and stirred for 3 hours. Saturated aqueous ammonium chloride solution was added to remove water layer, dried with anhydrous magnesium sulfate, filtered and dried under reduced pressure. Recrystallization from ethyl ether gave 32.5 g (yield 82%) of compound B-9.

MS: [M+H]+=544MS: [M + H] &lt; + &gt; = 544

2) 화합물 B-102) Compound B-10

상기 화합물 B-9(32.3g, 59.5mmol), 요오드화 칼륨(29.6g, 178.4mmol) 및 차아인산소다(38g, 256.8mmol)를 아세트산(100mL)에 넣고 3시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮춘 후, 생성된 침전물을 여과하고 물과 에탄올로 세정하여 화합물 B-10(25.4g, 수율 84%)을 제조하였다.The compound B-9 (32.3 g, 59.5 mmol), potassium iodide (29.6 g, 178.4 mmol) and sodium hypophosphite (38 g, 256.8 mmol) were added to acetic acid (100 mL) and the mixture was refluxed for 3 hours. After the temperature was lowered to room temperature, the resulting precipitate was filtered and washed with water and ethanol to obtain Compound B-10 (25.4 g, yield 84%).

MS: [M]+=509MS: [M] &lt; + & gt ; = 509

<< 제조예Manufacturing example 13> 하기 화합물 B-11, B-12, B-13의 제조 Preparation of the following compounds B-11, B-12 and B-13

Figure 112010072119588-pat00034
Figure 112010072119588-pat00034

1) 화합물 B-111) Compound B-11

상기 제조예 12의 화합물 B-9의 제조에서 1-브로모 나프탈렌 대신 2-브로모 나프탈렌을 사용한 것을 제외하고는, 상기 화합물 B-9의 제조방법과 동일한 방법으로 화합물 B-11(31.8g, 수율 80%)을 제조하였다.11 was prepared in the same manner as the compound B-9 except that 2-bromonaphthalene was used in place of 1-bromonaphthalene in the preparation of the compound B-9 of the above Production Example 12. The compound B-11 (31.8 g, Yield: 80%).

MS: [M+H]+=544MS: [M + H] &lt; + &gt; = 544

2) 화합물 B-122) Compound B-12

상기 제조예 12의 화합물 B-10의 제조에서 화합물 B-9 대신 화합물 B-11을 사용한 것을 제외하고는, 상기 화합물 B-10의 제조방법과 동일한 방법으로 화합물 B-12(25.4g, 수율 84%)을 제조하였다.Compound B-12 (25.4 g, yield 84%) was obtained in the same manner as in the production of Compound B-10, except that Compound B-11 was used in place of Compound B-9 in the preparation of Compound B- %).

MS: [M]+=509MS: [M] &lt; + & gt ; = 509

3) 화합물 B-133) Compound B-13

상기 제조예 4에서 화합물 A-4 대신 화합물 B-12을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 4과 동일한 방법으로 화합물 B-13(8.6g, 수율 92%)을 제조하였다.Compound B-13 (8.6 g, yield 92%) was prepared in the same manner as in Production Example 4, except that Compound B-12 was used instead of Compound A-4 in Production Example 4.

MS: [M+H]+=557MS: [M + H] &lt; + &gt; = 557

<< 제조예Manufacturing example 14> 하기 화합물 B-14의 제조 14> Preparation of the following compound B-14

[화합물 B-14][Compound B-14]

Figure 112010072119588-pat00035
Figure 112010072119588-pat00035

상기 제조예 8의 화합물 B-3의 제조에서 화합물 B-2 대신 화합물 B-13을 사용한 것을 제외하고는, 상기 화합물 B-3의 제조방법과 동일한 방법으로 화합물 B-14(4.45g, 수율 76%)을 제조하였다.Compound B-14 (4.45 g, Yield: 76%) was obtained in the same manner as the compound B-3, except that Compound B-13 was used in place of Compound B- %).

MS: [M+H]+=586MS: [M + H] &lt; + &gt; = 586

<< 제조예Manufacturing example 15> 하기 화합물 B-15의 제조 Preparation of the following compound B-15

[화합물 B-15][Compound B-15]

Figure 112010072119588-pat00036
Figure 112010072119588-pat00036

카바졸(3.34g, 20mmol), 1-브로모-4-요오드벤젠(6.79g, 24mmol), K2CO3(5.52g, 40mmol), 요오드화구리(CuI, 0.381g, 2mmol) 및 1,10-페난쓰롤린(1,10-phenanthroline, 0.360g, 2mmol)을 자일렌 (50mL)에 현탁시키고, 24시간 교반 환류하였다. 상온으로 냉각한 후, 상기 혼합물을 물(100mL)로 희석한 후, 에틸아세테이트로 추출하였다. 유기 추출물을 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고, 에틸에테르와 헥산으로 재결정하여 화합물 B-15(4.83g, 수율 75%)을 제조하였다.Carbazole (3.34g, 20mmol), 1- bromo-4-iodobenzene (6.79g, 24mmol), K 2 CO 3 (5.52g, 40mmol), copper iodide (CuI, 0.381g, 2mmol), and 1, 10 -Phenanthroline (0.360 g, 2 mmol) was suspended in xylene (50 mL) and refluxed with stirring for 24 hours. After cooling to room temperature, the mixture was diluted with water (100 mL) and extracted with ethyl acetate. The organic extract was dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethyl ether and hexane to obtain Compound B-15 (4.83 g, yield 75%).

MS: [M+H]+=322MS: [M + H] &lt; + &gt; = 322

<< 제조예Manufacturing example 16> 하기 화합물 B-16의 제조 16> Preparation of the following compound B-16

Figure 112010072119588-pat00037
Figure 112010072119588-pat00037

1-아미노-2-나프탈렌카바알데하이드(1-amino-2-naphthalenecarbaldehyde, 0.25g, 1.45mmol)와 4-브로모아세토페논(2.88g, 1.45mmol)을 에탄올(15mL)에 분산시키고, 에탄올에 KOH를 포화시켜 녹인 용액 0.5mL를 천천히 가한다. 얻어진 혼합물을 15시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 냉각한 후, 생성된 고체를 여과하고 에탄올로 세정한 후 진공 건조하여 화합물 B-16(0.290g, 수율 60%)을 제조하였다.To a solution of 1-amino-2-naphthalenecarbaldehyde (0.25 g, 1.45 mmol) and 4-bromoacetophenone (2.88 g, 1.45 mmol) in ethanol (15 mL) And 0.5 mL of the dissolved solution is added slowly. The resulting mixture was refluxed with stirring for 15 hours. After cooling to room temperature, the resulting solid was filtered, washed with ethanol, and dried in vacuo to give Compound B-16 (0.290 g, yield 60%).

MS: [M]+=334MS: [M] &lt; + & gt ; = 334

<< 제조예Manufacturing example 17> 하기 화합물 B-17의 제조 Preparation of the following compound B-17

Figure 112010072119588-pat00038
Figure 112010072119588-pat00038

1-브로모-4-아이오도벤젠(2.82g, 10mmol)과 2-페닐-5-싸이오펜보론산(2.04g, 10mmol)을 THF(30mL)에 녹인 후 2M K2CO3 수용액(20mL)을 첨가하고, Pd(PPh3)4(0.231g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압 농축시키고, 에틸에테르로 재결정하여 화합물 B-17(2.2g, 수율 70%)을 제조하였다.(2.82 g, 10 mmol) and 2-phenyl-5-thiopheneboronic acid (2.04 g, 10 mmol) were dissolved in THF (30 mL) and 2M aqueous K 2 CO 3 solution (20 mL) after the addition, insert a Pd (PPh 3) 4 (0.231g , 2mol%) was stirred under reflux for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, and the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized with ethyl ether to give Compound B-17 (2.2 g, yield 70%).

MS: [M]+=315MS: [M] &lt; + & gt ; = 315

<< 제조예Manufacturing example 18> 하기 화합물 B-18의 제조 Preparation of the following compound B-18

[화합물 B-18][Compound B-18]

Figure 112010072119588-pat00039
Figure 112010072119588-pat00039

6-브로모-2-나프토산(5.0g, 20mmol)에 티오닐클로라이드(SOCl2, 20mL) 및 디메틸포름아미드(DMF, 1mL)를 넣고 4시간 동안 교반 환류하였다. 과량의 티오닐클로라이드(SOCl2)를 진공증류로 제거한 후, 반응 혼합물에 N-메틸피롤리딘(NMP, 20 mL), N-페닐-1,2-디아미노 벤젠(3.7g, 20mmol)을 넣고 160?에서 12시간 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고, 과량의 물을 가하여 고체를 형성시켰다. 여과하고 물과 에탄올로 세정하고 건조시켜 화합물 B-18(6.2g, 수율 78%)을 제조하였다.Thionyl chloride (SOCl 2 , 20 mL) and dimethylformamide (DMF, 1 mL) were added to 6-bromo-2-naphthoic acid (5.0 g, 20 mmol) and the mixture was stirred and refluxed for 4 hours. After excess thionyl chloride (SOCl 2 ) was removed by vacuum distillation, N-methylpyrrolidine (NMP, 20 mL) and N-phenyl-1,2-diaminobenzene (3.7 g, 20 mmol) And the mixture was stirred at 160? For 12 hours. The temperature was lowered to room temperature, and excess water was added to form a solid. Filtered, washed with water and ethanol, and dried to give Compound B-18 (6.2 g, yield 78%).

MS: [M]+= 399MS: [M] &lt; + & gt ; = 399

<< 제조예Manufacturing example 19> 하기 화합물 B-19의 제조 Preparation of the following compound B-19

[화합물 B-19][Compound B-19]

Figure 112010072119588-pat00040
Figure 112010072119588-pat00040

상기 제조예 18에서 6-브로모-2-나프토산 대신 4-브로모벤조산을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 18과 동일한 방법으로 화합물 B-19(4.54g, 수율 65%)을 제조하였다.Compound B-19 (4.54 g, yield 65%) was prepared in the same manner as in PREPARATION 18, except that 4-bromobenzoic acid was used in Preparation 18 instead of 6-bromo-2-naphthoic acid.

MS:[M]+= 349MS: [M] &lt; + & gt ; = 349

<< 제조예Manufacturing example 20> 하기 화합물 B-20의 제조 Preparation of the following compound B-20

[화합물 B-20][Compound B-20]

Figure 112010072119588-pat00041
Figure 112010072119588-pat00041

상기 제조예 17에서 2-페닐-5-싸이오펜보론산 대신 2-나프탈렌보론산을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 17과 동일한 방법으로 화합물 B-20(2.12g, 수율 75%)을 제조하였다.Compound B-20 (2.12 g, yield 75%) was prepared in the same manner as in PREPARATION 17, except that 2-naphthaleneboronic acid was used instead of 2-phenyl-5-thiopheneboronic acid in PREPARATION 17 .

MS:[M]+=283MS: [M] &lt; + & gt ; = 283

<< 제조예Manufacturing example 21> 하기 화합물 B-21의 제조 Preparation of the following compound B-21

[화합물 B-21][Compound B-21]

Figure 112010072119588-pat00042
Figure 112010072119588-pat00042

상기 제조예 17에서 2-페닐-5-싸이오펜보론산 대신 9-페난쓰렌보론산을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 17과 동일한 방법으로 화합물 B-21(2.33g, 수율 70%)을 제조하였다.(2.33 g, yield 70%) was prepared in the same manner as in PREPARATION 17, except that 9-phenanthreneboronic acid was used instead of 2-phenyl-5-thiopheneboronic acid in PREPARATION 17 Respectively.

MS: [M]+=333MS: [M] &lt; + & gt ; = 333

<< 제조예Manufacturing example 22> 하기 화합물 B-22의 제조 Preparation of the following compound B-22

[화합물 B-22][Compound B-22]

Figure 112010072119588-pat00043
Figure 112010072119588-pat00043

상기 제조예 17에서 2-페닐-5-싸이오펜보론산 대신 1-파이렌보론산을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 17과 동일한 방법으로 화합물 B-22(2.14 g, 60%)을 제조하였다.Compound B-22 (2.14 g, 60%) was prepared in the same manner as in PREPARATION 17, except that 1-pyreneboronic acid was used instead of 2-phenyl-5-thiopheneboronic acid in PREPARATION 17.

MS: [M]+= 357MS: [M] &lt; + & gt ; = 357

<< 제조예Manufacturing example 23> 하기 화합물 B-23의 제조 Preparation of the following compound B-23

Figure 112010072119588-pat00044
Figure 112010072119588-pat00044

4-브로모-아닐린(4-bromo-aniline, 1.72g, 10mmol), 4-요오드바이페닐(4-iodobiphenyl, 6.72g, 24mmol), K2CO3(5.52g, 40mmol), 요오드화구리(CuI, 0.381g, 2mmol) 및 1,10-페난쓰롤린(1,10-phenanthroline, 0.360g, 2mmol)을 자일렌(50mL)에 현탁시키고, 24시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 냉각한 후, 상기 혼합물을 물(100mL)로 희석한 후, 에틸아세테이트로 추출하였다. 유기 추출물을 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압 농축시키고, 헥산으로 재결정하여 화합물 B-23(1.43g, 수율 30%)을 제조하였다.4-bromo-aniline (1.72 g, 10 mmol), 4-iodobiphenyl (6.72 g, 24 mmol), K 2 CO 3 (5.52 g, 40 mmol), copper iodide , 1,10-phenanthroline (0.360 g, 2 mmol) were suspended in xylene (50 mL), and the mixture was refluxed with stirring for 24 hours. After cooling to room temperature, the mixture was diluted with water (100 mL) and extracted with ethyl acetate. The organic extract was dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized with hexane to obtain Compound B-23 (1.43 g, yield 30%).

MS: [M]+=476MS: [M] &lt; + & gt ; = 476

<< 제조예Manufacturing example 24> 하기 화합물 B-24의 제조 Preparation of the following compound B-24

[화합물 B-24][Compound B-24]

Figure 112010072119588-pat00045
Figure 112010072119588-pat00045

상기 제조예 15에서 1-브로모-4-요오드벤젠 대신 1-브로모-3,5-다이요오드벤젠(1-bromo-3,5-diiodobenzene, 3.68g, 9.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 15와 동일한 방법으로 화합물 B-24(1.75g, 수율 40%)을 제조하였다.Except that 1-bromo-3,5-diiodobenzene (3.68 g, 9.0 mmol) was used instead of 1-bromo-4-iodobenzene in the above Production Example 15 , Compound B-24 (1.75 g, yield 40%) was prepared in the same manner as in Production Example 15.

MS:[M]+=487MS: [M] &lt; + & gt ; = 487

또한, 상기 화학식 1의 화합물을 제조하기 위해서는 하기 표 1의 시약 및 중간체들이 필요하며 이들은 상업적으로 쉽게 구입 가능하거나 기존의 알려진 방법대로 제조하였다.In order to prepare the compound of Formula 1, the reagents and intermediates shown in Table 1 below are required, and they are commercially available or prepared according to known methods.

[표 1][Table 1]

Figure 112010072119588-pat00046
Figure 112010072119588-pat00046

<< 실시예Example 1> 하기 화합물 1-1의 제조 1> Preparation of the following compound 1-1

Figure 112010072119588-pat00047
Figure 112010072119588-pat00047

화합물 A-4(4.21g, 10.0mmol)과 4-브로모바이페닐(4-bromobiphenyl, 2.33g, 10.0mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(20mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.231g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-1(3.58g, 수율 80%)을 제조하였다.Compound A-4 (4.21g, 10.0mmol) and 4-bromo-phenyl mobayi (4-bromobiphenyl, 2.33g, 10.0mmol ) of was dispersed in THF (100mL), 2M K 2 CO 3 After adding an aqueous solution (20mL) and insert the Pd (PPh 3) 4 (0.231g , 2mol%) it was stirred under reflux for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give Compound 1-1 (3.58 g, yield 80%).

MS: [M+H]+=448MS: [M + H] &lt; + &gt; = 448

<< 실시예Example 2> 하기 화합물 1-3의 제조 2> Preparation of the following compounds 1-3

Figure 112010072119588-pat00048
Figure 112010072119588-pat00048

화합물 A-4(4.21g, 10.0mmol)과 화합물 B-1(3.83g, 10.0mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(20mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.231g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-3(4.54g, 수율 76%)을 제조하였다.Compound A-4 (4.21 g, 10.0 mmol) and compound B-1 (3.83 g, 10.0 mmol) were dispersed in THF (100 mL) and 2M K 2 CO 3 After adding an aqueous solution (20mL) and insert the Pd (PPh 3) 4 (0.231g , 2mol%) it was stirred under reflux for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give Compound 1-3 (4.54 g, yield 76%).

MS: [M+H]+=598MS: [M + H] &lt; + &gt; = 598

<< 실시예Example 3> 하기 화합물 1-4의 제조 3> Preparation of the following compounds 1-4

Figure 112010072119588-pat00049
Figure 112010072119588-pat00049

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 B-4(3.83g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-4(4.72g, 수율 79%)을 제조하였다.The compound 1-4 was synthesized in the same manner as in the preparation of the compound 1-4 of Example 2, except that the compound B-4 (3.83 g, 10.0 mmol) was used instead of the compound B-1 to obtain the compound 1-4 (4.72 g, 79%).

MS: [M+H]+=598MS: [M + H] &lt; + &gt; = 598

<< 실시예Example 4> 하기 화합물 1-7의 제조 4> Preparation of the following compounds 1-7

Figure 112010072119588-pat00050
Figure 112010072119588-pat00050

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 B-12(5.09g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-7(5.93g, 수율 82%)을 제조하였다.The compound 1-4 was synthesized by the same method except that the compound B-12 (5.09 g, 10.0 mmol) was used in place of the compound B-1 in the preparation of the compound 1-4 in Example 2 to obtain Compound 1-7 (5.93 g, yield 82%).

MS: [M+H]+=724MS: [M + H] &lt; + &gt; = 724

<< 실시예Example 5> 하기 화합물 1-9의 제조 5> Preparation of the following compounds 1-9

Figure 112010072119588-pat00051
Figure 112010072119588-pat00051

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 B-15(3.22g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-9(4.07g, 수율 76%)을 제조하였다.The compound 1-4 was synthesized in the same manner as in the preparation of the compound 1-4 of Example 2 except that the compound B-15 (3.22 g, 10.0 mmol) was used in place of the compound B-1 to obtain Compound 1-9 (4.07 g, yield 76%).

MS: [M+H]+=537MS: [M + H] &lt; + &gt; = 537

<< 실시예Example 6> 하기 화합물 1-11의 제조 6> Preparation of the following compound 1-11

Figure 112010072119588-pat00052
Figure 112010072119588-pat00052

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 C-2(3.88g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-11(4.76g, 수율 79%)을 제조하였다.Except that Compound C-2 (3.88 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound B-1 in the preparation of Compound 1-4 in Example 2 to obtain Compound 1-11 (4.76 g, yield: 79%).

MS: [M+H]+=603MS: [M + H] &lt; + &gt; = 603

<< 실시예Example 7> 하기 화합물 1-14의 제조 Preparation of the following compounds 1-14

Figure 112010072119588-pat00053
Figure 112010072119588-pat00053

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 B-16(3.34g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-14(4.11g, 수율 75%)을 제조하였다.The compound 1-4 was synthesized in the same manner as in the preparation of the compound 1-4 of Example 2 except that the compound B-16 (3.34 g, 10.0 mmol) was used in place of the compound B-1 to obtain the compound 1-14 (4.11 g, 75%).

MS: [M+H]+=549MS: [M + H] &lt; + &gt; = 549

<< 실시예Example 8> 하기 화합물 1-16의 제조 Preparation of the following compounds 1-16

Figure 112010072119588-pat00054
Figure 112010072119588-pat00054

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 B-16(3.57g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-16(4.05g, 수율 71%)을 제조하였다.The compound 1-4 was synthesized in the same manner as in the preparation of the compound 1-4 of Example 2 except that the compound B-16 (3.57 g, 10.0 mmol) was used in place of the compound B-1 to obtain a compound 1-16 (4.05 g, yield 71%).

MS: [M+H]+=572MS: [M + H] &lt; + &gt; = 572

<< 실시예Example 9> 하기 화합물 1-22의 제조 Preparation of the following compounds 1-22

Figure 112010072119588-pat00055
Figure 112010072119588-pat00055

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 B-16(3.49g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-22(4.11g, 수율 73%)을 제조하였다.The compound 1-4 was synthesized by the same method except that the compound B-16 (3.49 g, 10.0 mmol) was used in place of the compound B-1 in the production of the compound 1-4 in Example 2 to obtain the compound 1-22 (4.11 g, yield 73%).

MS: [M+H]+=564MS: [M + H] &lt; + &gt; = 564

<< 실시예Example 10> 하기 화합물 1-27의 제조 Preparation of the following compounds 1-27

Figure 112010072119588-pat00056
Figure 112010072119588-pat00056

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 C-3(2.59g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-27(3.07g, 수율 65%)을 제조하였다.Compound 1-2 was synthesized by the same method as Compound C-3 (2.59 g, 10.0 mmol) instead of Compound B-1 in the preparation of Compound 1-4 of Example 2 to give Compound 1-27 (3.07 g, yield 65%).

MS: [M+H]+=474MS: [M + H] &lt; + &gt; = 474

<< 실시예Example 11> 하기 화합물 1-28의 제조 Preparation of the following compound 1-28

Figure 112010072119588-pat00057
Figure 112010072119588-pat00057

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 B-23(4.76g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-28(5.31g, 수율 77%)을 제조하였다.Compound 1-2 was synthesized by the same method except that Compound B-23 (4.76 g, 10.0 mmol) was used instead of Compound B-1 in the preparation of Compound 1-4 of Example 2 to obtain Compound 1-28 (5.31 g, yield 77%).

MS: [M+H]+=691MS: [M + H] &lt; + &gt; = 691

<< 실시예Example 12> 하기 화합물 1-30의 제조 Preparation of the following compound 1-30

Figure 112010072119588-pat00058
Figure 112010072119588-pat00058

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 C-4(4.73g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-30(5.08g, 수율 74%)을 제조하였다.Except that Compound C-4 (4.73 g, 10.0 mmol) was used instead of Compound B-1 in the preparation of Compound 1-4 of Example 2 to obtain Compound 1-30 (5.08 g, yield: 74%).

MS: [M+H]+=688MS: [M + H] &lt; + &gt; = 688

<< 실시예Example 13> 하기 화합물 1-32의 제조 Preparation of the following compound 1-32

Figure 112010072119588-pat00059
Figure 112010072119588-pat00059

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 C-5(5.25g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-32(5.84g, 수율 79%)을 제조하였다.Except that Compound C-5 (5.25 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound B-1 in the preparation of Compound 1-4 in Example 2 to obtain Compound 1-32 (5.84 g, yield: 79%).

MS: [M+H]+=740MS: [M + H] &lt; + &gt; = 740

<< 실시예Example 14> 하기 화합물 1-34의 제조 Preparation of the following compound 1-34

Figure 112010072119588-pat00060
Figure 112010072119588-pat00060

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 B-24(4.87g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-34(4.84g, 수율 69%)을 제조하였다.The compound 1-4 was synthesized by the same method except that the compound B-24 (4.87 g, 10.0 mmol) was used in place of the compound B-1 in the production of the compound 1-4 in Example 2 to obtain the compound 1-34 (4.84 g, yield 69%).

MS: [M+H]+=702MS: [M + H] &lt; + &gt; = 702

<< 실시예Example 15> 하기 화합물 1-35의 제조 Preparation of the following compound 1-35

Figure 112010072119588-pat00061
Figure 112010072119588-pat00061

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 A-4 대신 화합물 A-7(4.71g, 10.0mmol)을, 화합물 B-1 대신 화합물 C-6(2.32g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-35(3.32g, 수율 67%)을 제조하였다.Compound A-7 (4.71 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound A-4 and compound C-6 (2.32 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound B- , The compound 1-35 (3.32 g, yield 67%) was prepared.

MS: [M+H]+=497MS: [M + H] &lt; + &gt; = 497

<< 실시예Example 16> 하기 화합물 1-38의 제조 Preparation of the following compounds 1-38

Figure 112010072119588-pat00062
Figure 112010072119588-pat00062

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 A-4 대신 화합물 A-7(4.71g, 10.0mmol)을, 화합물 B-1 대신 화합물 C-7(2.57g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-38(3.86g, 수율 74%)을 제조하였다.Compound A-7 (4.71 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound A-4 and Compound C-7 (2.57 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound B- , The compound 1-38 (3.86 g, yield 74%) was prepared.

MS: [M+H]+=522MS: [M + H] &lt; + &gt; = 522

<< 실시예Example 17> 하기 화합물 1-40의 제조 Preparation of the following compound 1-40

Figure 112010072119588-pat00063
Figure 112010072119588-pat00063

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 A-4 대신 화합물 A-7(4.71g, 10.0mmol)을, 화합물 B-1 대신 화합물 B-8(4.02g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-40(4.66g, 수율 78%)을 제조하였다. 하기 도 2에 화합물 1-40의 질량스펙트럼을 나타내었다.Compound A-7 (4.71 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound A-4 and compound B-8 (4.02 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound B- , The compound 1-40 (4.66 g, yield 78%) was prepared. FIG. 2 shows the mass spectrum of Compound 1-40.

MS: [M+H]+=598MS: [M + H] &lt; + &gt; = 598

<< 실시예Example 18> 하기 화합물 1-48의 제조 Preparation of the following compounds 1-48

Figure 112010072119588-pat00064
Figure 112010072119588-pat00064

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 C-8(2.38g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-48(3.25g, 수율 72%)을 제조하였다.The compound 1-4 was synthesized by the same method except that the compound C-8 (2.38 g, 10.0 mmol) was used instead of the compound B-1 in the preparation of the compound 1-4 in Example 2 to obtain Compound 1-48 (3.25 g, yield 72%).

MS: [M+H]+=453MS: [M + H] &lt; + &gt; = 453

<< 실시예Example 19> 하기 화합물 1-42의 제조 Preparation of the following compounds 1-42

Figure 112010072119588-pat00065
Figure 112010072119588-pat00065

상기 실시예 2의 화합물 1-4의 제조에 있어서, 화합물 A-4 대신 화합물 A-9(3.75g, 10.0mmol)을, 화합물 B-1 대신 화합물 B-2(3.48g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 1-42(3.71g, 수율 62%)을 제조하였다.Compound A-9 (3.75 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound A-4 and compound B-2 (3.48 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound B- , The compound 1-42 (3.71 g, yield 62%) was prepared.

MS: [M+H]+=599MS: [M + H] &lt; + &gt; = 599

<< 실시예Example 20> 하기 화합물 2-2의 제조 Preparation of the following compound 2-2

Figure 112010072119588-pat00066
Figure 112010072119588-pat00066

화합물 A-13(4.21g, 10.0mmol)과 화합물 B-6(3.83g, 10.0mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(20mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.231g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 2-2(4.61g, 수율 74 %)을 제조하였다.Compound A-13 (4.21 g, 10.0 mmol) and compound B-6 (3.83 g, 10.0 mmol) were dispersed in THF (100 mL) and 2M K 2 CO 3 After adding an aqueous solution (20mL) and insert the Pd (PPh 3) 4 (0.231g , 2mol%) it was stirred under reflux for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give Compound 2-2 (4.61 g, yield 74%).

MS: [M+H]+=624MS: [M + H] &lt; + &gt; = 624

<< 실시예Example 21> 하기 화합물 2-5의 제조 Preparation of the following compound 2-5

Figure 112010072119588-pat00067
Figure 112010072119588-pat00067

상기 실시예 20의 화합물 2-2의 제조에 있어서, 화합물 B-6 대신 화합물 B-3(4.59g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-5(4.75g, 수율 71%)을 제조하였다.The compound 2-5 (4.75 g, yield: 82%) was synthesized in the same manner as in the preparation of the compound 2-2 of Example 20, except that the compound B-3 (4.59 g, 10.0 mmol) 71%).

MS: [M+H]+=674MS: [M + H] &lt; + &gt; = 674

<< 실시예Example 22> 하기 화합물 2-6의 제조 Preparation of the following compounds 2-6

Figure 112010072119588-pat00068
Figure 112010072119588-pat00068

상기 실시예 20의 화합물 2-2의 제조에 있어서, 화합물 B-6 대신 화합물 B-10(5.09g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-6(5.42g, 수율 75%)을 제조하였다.The compound 2-6 (5.42 g, yield: 82%) was synthesized in the same manner as the compound of Example 20, except that Compound B-10 (5.09 g, 10.0 mmol) 75%).

MS: [M+H]+=724MS: [M + H] &lt; + &gt; = 724

<< 실시예Example 23> 하기 화합물 2-11의 제조 Preparation of the following compounds 2-11

Figure 112010072119588-pat00069
Figure 112010072119588-pat00069

상기 실시예 20의 화합물 2-2의 제조에 있어서, 화합물 B-6 대신 화합물 C-9(4.15g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-11(4.21g, 수율 67%)을 제조하였다.Compound 2-11 (4.21 g, yield: 82%) was synthesized by the same method as Compound C-9 (4.15 g, 10.0 mmol) instead of Compound B-6 67%).

MS: [M+H]+=630MS: [M + H] &lt; + &gt; = 630

<< 실시예Example 24> 하기 화합물 2-24의 제조 Preparation of the following compound 2-24

Figure 112010072119588-pat00070
Figure 112010072119588-pat00070

상기 실시예 20의 화합물 2-2의 제조에 있어서, 화합물 B-6 대신 화합물 C-10(4.15g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-24(4.01g, 수율 71%)을 제조하였다.Compound 2-2-2 was synthesized in the same manner as in Example 20, except that Compound C-10 (4.15 g, 10.0 mmol) was used instead of Compound B-6 to obtain Compound 2-24 (4.01 g, yield 71%).

MS: [M+H]+=566MS: [M + H] &lt; + &gt; = 566

<< 실시예Example 25> 하기 화합물 2-27의 제조 Preparation of the following compound 2-27

Figure 112010072119588-pat00071
Figure 112010072119588-pat00071

상기 실시예 20의 화합물 2-2의 제조에 있어서, 화합물 B-6 대신 화합물 B-24(4.87g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-27(4.77g, 수율 68%)을 제조하였다.The compound 2-2-2 of Example 20 was synthesized in the same manner except that Compound B-24 (4.87 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound B-6 to obtain Compound 2-27 (4.77 g, yield 68%).

MS: [M+H]+=702MS: [M + H] &lt; + &gt; = 702

<< 실시예Example 26> 하기 화합물 2-31의 제조 Preparation of the following compound 2-31

Figure 112010072119588-pat00072
Figure 112010072119588-pat00072

상기 실시예 20의 화합물 2-2의 제조에 있어서, 화합물 B-6 대신 화합물 B-14(5.85g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-31(6.07g, 수율 76%)을 제조하였다.The compound 2-2 was synthesized in the same manner as in the preparation of the compound of Example 20, except that Compound B-14 (5.85 g, 10.0 mmol) was used instead of Compound B-6 to obtain Compound 2-31 (6.07 g, yield 76%).

MS: [M+H]+=800MS: [M + H] &lt; + &gt; = 800

<< 실시예Example 27> 하기 화합물 2-32의 제조 Preparation of the following compound 2-32

Figure 112010072119588-pat00073
Figure 112010072119588-pat00073

상기 실시예 20의 화합물 2-2의 제조에 있어서, 화합물 B-6 대신 화합물 B-17(3.15g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-32(3.70g, 수율 70%)을 제조하였다.Except that Compound B-17 (3.15 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound B-6 in the preparation of Compound 2-2 of Example 20 to obtain Compound 2-32 (3.70 g, yield 70%).

MS: [M+H]+=530MS: [M + H] &lt; + &gt; = 530

<< 실시예Example 28> 하기 화합물 2-33의 제조 Preparation of the following compound 2-33

Figure 112010072119588-pat00074
Figure 112010072119588-pat00074

상기 실시예 20의 화합물 2-2의 제조에 있어서, 화합물 B-6 대신 화합물 B-18(3.99g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 2-33(4.47g, 수율 73%)을 제조하였다.Compound 2-33 (4.47 g, yield: 97%) was synthesized in the same manner except that Compound B-18 (3.99 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound B- 73%).

MS: [M+H]+=614MS: [M + H] &lt; + &gt; = 614

<< 실시예Example 29> 하기 화합물 3-1의 제조 Preparation of the following compound 3-1

Figure 112010072119588-pat00075
Figure 112010072119588-pat00075

화합물 A-17(5.21g, 10.0mmol)과 화합물 B-21(3.33g, 10.0mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(20mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.231g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 3-1(5.11g, 수율 79 %)을 제조하였다.Compound A-17 (5.21 g, 10.0 mmol) and compound B-21 (3.33 g, 10.0 mmol) were dispersed in THF (100 mL) and 2M K 2 CO 3 After adding an aqueous solution (20mL) and insert the Pd (PPh 3) 4 (0.231g , 2mol%) it was stirred under reflux for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give Compound 3-1 (5.11 g, yield 79%).

MS: [M+H]+=648MS: [M + H] &lt; + &gt; = 648

<< 실시예Example 30> 하기 화합물 3-2의 제조 Preparation of the following compound 3-2

Figure 112010072119588-pat00076
Figure 112010072119588-pat00076

상기 실시예 29의 화합물 3-1의 제조에 있어서, 화합물 B-21 대신 화합물 B-20(2.83g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-2(4.34g, 수율 73%)을 제조하였다.Compound 3-2 was synthesized in the same manner as Compound 29-1 except that Compound B-20 (2.83 g, 10.0 mmol) was used instead of Compound B-21, 73%).

MS: [M+H]+=598MS: [M + H] &lt; + &gt; = 598

<< 실시예Example 31> 하기 화합물 3-13의 제조 Preparation of the following compounds 3-13

Figure 112010072119588-pat00077
Figure 112010072119588-pat00077

상기 실시예 29의 화합물 3-1의 제조에 있어서, 화합물 B-21 대신 화합물 C-11(3.35g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-13(4.54g, 수율 70%)을 제조하였다.Compound 3-1 (Example 4.5) was synthesized in the same manner as in the preparation of the compound of Example 29 except for using Compound C-11 (3.35 g, 10.0 mmol) instead of Compound B-21 to obtain Compound 3-13 70%).

MS: [M+H]+=650MS: [M + H] &lt; + &gt; = 650

<< 실시예Example 32> 하기 화합물 3-21의 제조 Preparation of the following compound 3-21

Figure 112010072119588-pat00078
Figure 112010072119588-pat00078

상기 실시예 29의 화합물 3-1의 제조에 있어서, 화합물 B-21 대신 화합물 C-12(4.51g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-21(5.05g, 수율 66%)을 제조하였다.Compound 3-1 (Example 5) was synthesized in the same manner as in Example 29, except that Compound C-12 (4.51 g, 10.0 mmol) was used instead of Compound B-21 to give Compound 3-21 66%).

MS: [M+H]+=766MS: [M + H] &lt; + &gt; = 766

<< 실시예Example 33> 하기 화합물 3-34의 제조 Preparation of the following compound 3-34

Figure 112010072119588-pat00079
Figure 112010072119588-pat00079

상기 실시예 29의 화합물 3-1의 제조에 있어서, 화합물 B-21 대신 화합물 B-24(4.87g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 3-34(5.69g, 수율 71%)을 제조하였다.Compound 3-3 (5.69 g, yield: 97%) was synthesized by the same method except that Compound B-24 (4.87 g, 10.0 mmol) was used instead of Compound B-21 in the preparation of Compound 3-1 of Example 29. 71%).

MS: [M+H]+=802MS: [M + H] &lt; + &gt; = 802

<< 실시예Example 34> 하기 화합물 4-3의 제조 Preparation of the following compound 4-3

Figure 112010072119588-pat00080
Figure 112010072119588-pat00080

화합물 A-21(5.23g, 10.0mmol)과 화합물 B-1(3.83g, 10.0mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(20mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.231g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 4-3(5.24g, 수율 75%)을 제조하였다.The compound A-21 (5.23g, 10.0mmol) and the compound B-1 (3.83g, 10.0mmol) was dispersed in THF (100mL), 2M K 2 CO 3 After adding an aqueous solution (20mL) and insert the Pd (PPh 3) 4 (0.231g , 2mol%) it was stirred under reflux for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature and the resulting solid was filtered. The filtered solid was recrystallized from chloroform and ethanol, filtered and dried to give compound 4-3 (5.24 g, yield 75%).

MS: [M+H]+=700MS: [M + H] &lt; + &gt; = 700

<< 실시예Example 35> 하기 화합물 4-6의 제조 Preparation of the following compounds 4-6

Figure 112010072119588-pat00081
Figure 112010072119588-pat00081

상기 실시예 34의 화합물 4-3의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 B-12(5.09g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-6(5.78g, 수율 70%)을 제조하였다.Synthesis was conducted in the same manner as in the preparation of Compound 4-3 of Example 34 except that Compound B-12 (5.09 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound B-1 to obtain Compound 4-6 (5.78 g, yield 70%).

MS: [M+H]+=827MS: [M + H] &lt; + &gt; = 827

<< 실시예Example 36> 하기 화합물 4-9의 제조 Preparation of the following compounds 4-9

Figure 112010072119588-pat00082
Figure 112010072119588-pat00082

상기 실시예 34의 화합물 4-3의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 C-2(3.88g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-9(5.07g, 수율 72%)을 제조하였다.The compound 4-9 (5.07 g, yield: 82%) was synthesized in the same manner as in the preparation of the compound 4-3 of Example 34 except that the compound C-2 (3.88 g, 10.0 mmol) was used in place of the compound B- 72%).

MS: [M+H]+=705MS: [M + H] &lt; + &gt; = 705

<< 실시예Example 37> 하기 화합물 4-19의 제조 Preparation of the following compound 4-19

Figure 112010072119588-pat00083
Figure 112010072119588-pat00083

상기 실시예 34의 화합물 4-3의 제조에 있어서, 화합물 B-1 대신 화합물 B-24(4.87g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-19(5.46g, 수율 68 %)을 제조하였다.Compound 4-1 was synthesized in the same manner as Compound 34 of Example 34 except for using Compound B-24 (4.87 g, 10.0 mmol) instead of Compound B-1 to obtain Compound 4-19 (5.46 g, yield 68%).

MS: [M+H]+=804MS: [M + H] &lt; + &gt; = 804

<< 실시예Example 38> 하기 화합물 4-22의 제조 Preparation of the following compound 4-22

Figure 112010072119588-pat00084
Figure 112010072119588-pat00084

상기 실시예 34의 화합물 4-3의 제조에 있어서, 화합물 A-21 대신 화합물 A-25(5.25g 10.0mmol)을, 화합물 B-1 대신 화합물 B-8(4.02g, 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-22(4.62g, 수율 71%)을 제조하였다.Compound A-25 (5.25 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound A-21 and compound B-8 (4.02 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound B-1 in the preparation of Compound 4- , The compound 4-22 (4.62 g, yield 71%) was prepared.

MS: [M+H]+=652MS: [M + H] &lt; + &gt; = 652

<< 실시예Example 39> 하기 화합물 4-25의 제조 Preparation of the following compound 4-25

Figure 112010072119588-pat00085
Figure 112010072119588-pat00085

상기 실시예 34의 화합물 4-3의 제조에 있어서, 화합물 A-21 대신 화합물 A-25(5.25g 10.0mmol)을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 화합물 4-25(4.77g, 수율 68%)을 제조하였다.Example 4 was repeated except that Compound A-25 (5.25 g, 10.0 mmol) was used in place of Compound A-21 in the preparation of Compound 4-3 to give Compound 4-25 (4.77 g, yield 68 %).

MS: [M+H]+=702MS: [M + H] &lt; + &gt; = 702

<< 실험예Experimental Example 1> 1>

ITO(indium tin oxide)가 500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) having a thickness of 500 Å was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. At this time, Fischer Co. product was used as a detergent, and distilled water filtered by a filter of Millipore Co. was used as distilled water. The ITO was washed for 30 minutes and then washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. Further, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene; HAT)를 100Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다.On this ITO transparent electrode, hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) of the following chemical formula was thermally vacuum deposited to a thickness of 100 Å to form a hole injection layer.

Figure 112010072119588-pat00086
Figure 112010072119588-pat00086

상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 상기 화학식의 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(1000Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.(1, naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) (1000 Å) of the above formula, which is a hole transporting material, was vacuum deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer .

이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 GH와 GD를 20 : 1의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, the following GH and GD were vacuum deposited on the hole transport layer at a weight ratio of 20: 1 at a thickness of 300 ANGSTROM to form a light emitting layer.

Figure 112010072119588-pat00087
Figure 112010072119588-pat00087

상기 발광층 위에 실시예 1에서 제조된 화합물 1-1을 200Å의 두께로 진공 증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성하였다.Compound 1-1 prepared in Example 1 was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 200 Å to form an electron injection and transport layer.

상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.Lithium fluoride (LiF) and aluminum were deposited to a thickness of 12 Å on the electron injection and transport layer sequentially to form a cathode.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 내지 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착 시 진공도는 2 × 10-7 내지 5 × 10-8 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å / sec, the deposition rate of lithium fluoride at the cathode was 0.3 Å / sec and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å / sec. by keeping the -7 to 5 × 10 -8 torr, an organic light emitting device was produced.

<< 비교예Comparative Example 1> 1>

상기 실험예 1에서, 화합물 1-1 대신 하기 화학식 ET-A1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Experimental Example 1, except that the compound of the following formula (ET-A1) was used instead of the compound 1-1.

[ET-A1][ET-A1]

Figure 112010072119588-pat00088
Figure 112010072119588-pat00088

<< 실험예Experimental Example 2 내지 30> 2 to 30>

상기 실험예 1에서, 화학식 1-1의 화합물 대신 하기 표 2에 나타낸 각각의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Experimental Example 1, except that the compounds shown in Table 2 were used instead of the compounds of Formula 1-1.

실험예 1 내지 30 및 비교예 1에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 하기 표 2에 나타난 결과들을 얻었다. 하기 표 2에 나타난 값들은 10 mA/cm2의 전류밀도에서 측정된 값이다.The results shown in the following Table 2 were obtained when current was applied to the organic light emitting device manufactured by Experimental Examples 1 to 30 and Comparative Example 1. [ The values shown in Table 2 below are values measured at a current density of 10 mA / cm &lt; 2 &gt;.

[표 2][Table 2]

Figure 112010072119588-pat00089
Figure 112010072119588-pat00089

Figure 112010072119588-pat00090
Figure 112010072119588-pat00090

상기 표 2의 결과로부터, 본 발명에 따른 상기 화학식 1의 화합물을 이용하여 유기 발광 소자의 유기물층을 형성하는 경우 효율 상승, 구동전압 하강, 안정성 상승 등에서 우수한 특성을 나타냄을 알 수 있었다.From the results of Table 2, it was found that when the organic compound layer of the organic light emitting diode is formed using the compound of Formula 1 according to the present invention, the organic EL device exhibits excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage drop and stability.

Claims (14)

삭제delete 하기 화학식 2 내지 화학식 4중 하나로 표시되는 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
[화학식 2]
Figure 112015058740745-pat00092

[화학식 3]
Figure 112015058740745-pat00093

[화학식 4]
Figure 112015058740745-pat00094

상기 화학식 2 내지 화학식 4에 있어서,
R3 내지 R7 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 로 표시되는 기이고, 나머지는 수소 또는 중수소이며, 여기서 p는 0 내지 10의 정수이고, q는 1 내지 10의 정수이고,
L은 C6-50의 아릴렌기; C13-50의 플루오레닐렌기; 또는 이종원소로 O, N 또는 S를 갖는 C2-50의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
Y는 수소; 수소; 중수소; 니트릴기; C6-50의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실릴기; C1-50의 알킬기 또는 C6-50의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C13-50의 플루오레닐기; C6-50의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C2-50의 알케닐기; 중수소, 니트릴, 불소, C6-50의 아릴아민기 또는 이종원소로 O, N 또는 S를 갖는 C2-50의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 C6-50의 아릴기; C6-50의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C6-50의 아릴아민기; 또는 이종원소로 O, N 또는 S를 갖는, 아릴기로 치환 또는 비치환된, C2-50의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
L 또는 Y가 2 이상 존재하는 경우 이들은 서로 같거나 상이하고,
R8 내지 R11은 수소 또는 중수소이다.
Is selected from the group consisting of the following formulas (2) to (4):
(2)
Figure 112015058740745-pat00092

(3)
Figure 112015058740745-pat00093

[Chemical Formula 4]
Figure 112015058740745-pat00094

In the above Chemical Formulas 2 to 4,
At least one of R3 to R7 is a group represented by - (L) p- (Y) q and the remainder is hydrogen or deuterium, wherein p is an integer of 0 to 10, q is an integer of 1 to 10,
L is a C 6-50 arylene group; A fluorenylene group of C 13-50 ; Or a C 2-50 heteroarylene group having heteroatoms O, N or S,
Y is hydrogen; Hydrogen; heavy hydrogen; A nitrile group; A silyl group substituted or unsubstituted with an aryl group of C 6-50 ; A C 13-50 fluorenyl group substituted or unsubstituted with a C 1-50 alkyl group or a C 6-50 aryl group; A C 2-50 alkenyl group substituted or unsubstituted with a C 6-50 aryl group; A C 6-50 aryl group substituted or unsubstituted with a C 2-50 heteroaryl group having O, N or S as an arylamine group or hetero atom of C 6-50 ; A C 6-50 arylamine group substituted or unsubstituted with an aryl group of C 6-50 ; Or a C 2-50 heteroaryl group substituted or unsubstituted with an aryl group having O, N or S as a hetero atom,
When two or more L or Y are present, they are the same or different from each other,
R8 to R11 are hydrogen or deuterium.
청구항 2에 있어서, 상기 헤테로아릴기는 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
Figure 112014119680688-pat00095
3. The compound of claim 2, wherein said heteroaryl group is selected from the group consisting of:
Figure 112014119680688-pat00095
청구항 2에 있어서, 상기 플루오레닐기는 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
Figure 112015058740745-pat00113
3. The compound of claim 2, wherein the fluorenyl group is selected from the group consisting of:
Figure 112015058740745-pat00113
청구항 2에 있어서, 상기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-1 내지 화합물 1-48로 표시되는 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
Figure 112014119680688-pat00097

Figure 112014119680688-pat00098

Figure 112014119680688-pat00099

Figure 112014119680688-pat00100
The compound according to claim 2, wherein the compound represented by any one of formulas (2) to (4) is selected from the group consisting of the following compounds 1-1 to 1-48:
Figure 112014119680688-pat00097

Figure 112014119680688-pat00098

Figure 112014119680688-pat00099

Figure 112014119680688-pat00100
청구항 2에 있어서, 상기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물은 하기 화합물 2-1 내지 화합물 2-33으로 표시되는 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
Figure 112014119680688-pat00101

Figure 112014119680688-pat00102

Figure 112014119680688-pat00103
The compound according to claim 2, wherein the compound represented by any one of formulas (2) to (4) is selected from the group consisting of the following compounds 2-1 to 2-33:
Figure 112014119680688-pat00101

Figure 112014119680688-pat00102

Figure 112014119680688-pat00103
청구항 2에 있어서, 상기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물은 하기 화합물 3-1 내지 화합물 3-48로 표시되는 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
Figure 112014119680688-pat00104

Figure 112014119680688-pat00105

Figure 112014119680688-pat00106

Figure 112014119680688-pat00107
The compound according to claim 2, wherein the compound represented by any one of Chemical Formulas 2 to 4 is selected from the group consisting of the following compounds 3-1 to 3-48:
Figure 112014119680688-pat00104

Figure 112014119680688-pat00105

Figure 112014119680688-pat00106

Figure 112014119680688-pat00107
청구항 2에 있어서, 상기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물은 하기 화합물 4-1 내지 화합물 4-30로 표시되는 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
Figure 112014119680688-pat00108

Figure 112014119680688-pat00109

Figure 112014119680688-pat00110
The compound according to claim 2, wherein the compound represented by any one of Chemical Formulas 2 to 4 is selected from the group consisting of the following compounds 4-1 to 4-30:
Figure 112014119680688-pat00108

Figure 112014119680688-pat00109

Figure 112014119680688-pat00110
제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 2 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.1. An organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers is provided in any one of claims 2 to 8 And the compound represented by any one of formulas (2) to (4) described above. 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층을 포함하고, 상기 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층이 상기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.[12] The organic electroluminescent device according to claim 9, wherein the organic layer includes at least one of an electron injection layer and an electron transport layer, and at least one of the electron injection layer and the electron transport layer includes a compound represented by any one of Chemical Formulas 2 to 4 . 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.[Claim 11] The organic electronic device according to claim 9, wherein the organic layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer comprises a compound represented by any one of Chemical Formulas 2 to 4. [ 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상의 층을 포함하고, 상기 층 중 하나의 층이 상기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.10. The organic electroluminescent device according to claim 9, wherein the organic material layer comprises at least one of a hole injecting layer, a hole transporting layer, and a layer simultaneously injecting holes and transporting holes, wherein one of the layers is represented by any one of Formulas 2 to 4 Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 1, &lt; / RTI &gt; 청구항 9에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.The organic electronic device according to claim 9, wherein the organic electronic device is selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic phosphor device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor. 청구항 9에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 전자 수송층을 포함하고, 이 전자 수송층은 알칼리 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 또는 알칼리 토금속 화합물, 또는 이들의 조합물을 추가로 포함하는 것인 유기 전자 소자.The organic electroluminescent device according to claim 9, wherein the organic material layer comprises an electron transporting layer containing a compound represented by any one of Chemical Formulas 2 to 4, and the electron transporting layer is an alkali metal, an alkali metal compound, an alkaline earth metal or an alkaline earth metal compound, Lt; RTI ID = 0.0 &gt; water. &Lt; / RTI &gt;
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