KR101557234B1 - 광투과율을 용이하게 조절할 수 있는 태양전지 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 태양전지. - Google Patents
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Abstract
본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 우수한 물성을 가지고 있는 유무기 복합 페로브스카이트 소재의 비젖음(Dewetting) 현상을 이용하여 원하는 형태로 가공함으로써, 태양광의 투과율을 용이하게 조절할 수 있는 태양전지 및 이를 이용하여 제조한 태양전지에 관한 것이다. 본 발명은 외부로부터 입사하는 광투과율을 용이하게 조절할 수 있는 투명 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 글라스 기판 위에 후면전극을 형성하는 단계, 상기 후면전극 위에 배치되고 상면에 다수의 홈이 정렬된 형태로 산화물 패턴층을 형성하는 단계, 상기 패턴층 위에 흡수층 물질을 도포하고 일정 온도로 열처리하여 응집시키는 단계; 패턴층 위에 홀 수송물질층(Hole Transport Layer)을 형성하고 상부 전극을 형성하는 단계로 이루어진 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법을 특징으로 하고 있는 것이다.
Description
본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 우수한 물성을 가지고 있는 유무기 복합 페로브스카이트 소재의 비젖음(Dewetting) 현상을 이용하여 원하는 형태로 가공함으로써, 태양광의 투과율을 용이하게 조절할 수 있는 태양전지 및 이를 이용하여 제조된 태양전지에 관한 것이다.
근래에 들어서 지구 환경과 화석에너지의 고갈, 원자력발전의 폐기물 처리 등의 문제로 인하여 친환경 에너지에 대한 관심이 높아지면서, 그 중에서도 무공해 에너지원 중의 하나인 태양광 발전 및 태양전지에 대한 연구개발이 국내외로 활발하게 진행되고 있다.
태양전지는 광 기전력효과(Photo Voltanic Effect)를 이용해 빛 에너지를 전기 에너지로 전환하는 반도체 소자로서, 전기 내부에서 태양광의 흡수로 인해 생성되는 전자(E)와 정공(H)의 이동에 의하여 발생되는 전압차를 이용하여 전류를 발생시키며, p형 반도체와 n형 반도체의 접합형태를 가지는 것으로서 그 기본구조는 다이오드와 동일하다.
전기적 성질이 서로 다른 p형의 반도체와 n형의 반도체를 접합시킨 구조를 갖는 태양전지에 태양광이 조사되면, 광 에너지에 의한 전자-정공쌍이 형성되고 전와 정공이 이동하여 n형 반도체층과 p형 반도체층을 가로질러 전류가 흐르게 되는 광기전력 효과(photovoltanic effect)에 의해 기전력이 발생하여 외부에 접속된 부하에 전류가 흐르게 된다.
태양전지는 재료에 따라 실리콘 태양전지와 화합물 태양전지로 구분되기도 하며, 기판 종류에 따라 벌크형과 박막형으로 나누기도 한다. 벌크형 태양전지는 다시 실리콘 결정 상태에 따라 다결정 실리콘 태양전지와 단결정 실리콘 태양전지로 구분된다. 현재 태양전지 시장은 벌크형 실리콘 태양전지가 전체시장의 90% 이상을 점유하고 있는 실정이다. 그러나 실리콘 사용으로 인한 고비용문제로 최근 원재료비 절감을 위해 실리콘 두께를 얇게 하는 박막화 방법과 유리, 플라스틱 등 저렴한 재료를 기판으로 사용하는 방법 등이 개발되고 있다.
이와 같이, 유리나 플라스틱 등 값싼 재료로 기판을 제조하고 그 위에 실리콘을 얇게 입히는 방식으로 실리콘 사용량을 1/100까지 줄일 수 있으나, 박막형의 경우 광흡수율이 상대적으로 떨어지는 단점이 있으며, 특히 간접 재결합을 하는 실리콘의 특성으로 인해 실리콘의 밴드갭(Band Gap)에 가까운 적색의 장파장대의 광흡수율이 낮다. 광흡수율을 높이기 위하여 표면에 요철을 만들어 광의 산란을 유도할 수 있으나, 표면에서 소수 운반자의 재결합을 높이게 되어 오히려 효율을 감소키는 단점이 있다.
이외에도 공개특허공보 2010-0018138호 (선행기술 1)는 기판상에 고분자층을 형성하고 고분자층에 비드를 도포한 다음 고분자층을 유리전이온도 이상으로 가열하여 비드의 일부를 고분자층에 침전시켜 광흡수율이 우수한 태양전지를 제공하고자 하고 있으며, 일본 공개특허공보 특개07-235378호 (선행기술 2)에는 분산매체가 되는 전하 수송막의 물성에 제약을 받는 일 없이 형광색소를 임의로 선택할 수 있는 방법으로 재결합 영역층 위에 형광색소를 도포 전개한 다음, 형광 색소를 가열하여 재결합 영역층 안으로 확산시켜 독립적인 발광층을 형성시킨 것에 대한 기재가 있으며, 공개특허공보 제2013-0014265호 (선행기술 3)에는 지지기판 상에 배치되는 후면전극층, 상기 후면전극층 상에 배치되며, 돌기패턴을 포함하는 광 경로변경층, 상기 광 경로변경층 사이 배치되는 광흡수층, 상기 광흡수층에 배치되는 전면전극층으로 되어 있는 태양전지에 대한 것이 있으며, 본인이 이전에 특허출원한 다수의 홈이 형성되는 요철 패턴을 고분자 물질에 형성시키고 위에 금속입자를 증착시키고 정렬시켜 광 에너지와 상호 작용하여 광 증폭전극 어셈블리를 적용한 태양전지를 제공하고자 하는 기술(공개특허공보 2012-0092440호) (선행기술 4)이 있다.
그러나 이러한 기술들은 광투과율을 조절하기 어려울 뿐만 아니라 그 효율이 감소하고 고융점의 금속입자를 증착하고 열처리하여야 하는 단점이 있음에 따라, 이를 극복할 수 있는 새로운 제조방법과 물질이 요구되고 있다.
본 발명은 기존 물질의 한계를 극복할 수 있는 새로운 물질로 무기물질의 우수한 물성과 자유스럽게 합성할 수 있는 유기물질의 장점을 결합한 유무기 복합 재료를 이용하여 태양광의 투과율을 용이하게 조절할 수 있는 태양전지를 제공할 뿐만 아니라, 유무기 복합물질의 용액을 이용하여 간단하게 도포함으로써 저비용으로 태양전지를 제조할 수 있는 것이다.
위에서 설명된 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 예시의 목적을 위하여 개시된 것이고, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능한 것으로 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않는다.
상기 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 실시예와 관련되는 태양전지는, 외부로부터 입사하는 태양광 투과율을 용이하게 조절할 수 있는 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 기판 위에 후면전극을 형성하는 단계, 상기 후면전극 위에 산화물 패턴층을 형성하고, 산화물 패턴층 상면에 정렬된 형태의 다수의 홈을 제조하는 단계, 상기 패턴층 위에 흡수층 물질을 코팅하고 일정한 온도로 열처리하여 흡수층 물질을 응집시키는 단계; 패턴층과 흡수층 물질 위에 정공 전달층(Hole Transport Layer)을 형성하고 정공 전달층 위에 상부 전극을 배치하는 단계;로 이루어진 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법을 특징으로 하고 있는 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 산화물은 TiO2인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
또한 구체적으로는 상기 흡수층 물질은 유무기 복합물질인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 유무기 복합물질은 페로브스카이트 구조를 갖는 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 열처리 온도는 100~500℃인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 응집시키는 단계는 흡수층 물질의 비젖음 현상을 이용한 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 홈을 제조하는 단계는 임프린트 기술을 이용하는 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 열처리 이전에 흡수층 물질을 건조시키는 단계를 더 포함하고 있는 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
이와 더불어, 외부로부터 입사하는 광투과율을 용이하게 조절할 수 있는 투명 태양전지에 있어서, 기판 위에 형성된 후면전극과, 상기 후면전극 위에 배치되고 상면에 다수의 홈이 정렬된 형태로 형성된 산화물의 패턴층, 상기 패턴층의 홈에 응집된 흡수층과; 패턴층과 흡수층 위에 형성된 정공 전달층(Hole Transport Layer)과, 전공 전달층 위에 배치된 상부 전극을 포함;하는 광투과율 조절이 용이한 태양전지를 특징으로 하고 있는 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 산화물 패턴층의 산화물은 TiO2를 포함하는 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지에 관한 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 상기 산화물 패턴층은 고분자와 TiO2가 혼합된 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지에 관한 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 흡수층의 물질은 유무기 복합물질인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지에 관한 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 유무기 복합물질은 페로브스카이트 구조를 갖는 물질인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지에 관한 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 후면전극은 금속으로 이루어진 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지에 관한 것이다.
또한 구체적으로는, 상기 후면전극은 FTO, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 또는 이들의 혼합물과 같은 투명전극인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지에 관한 것이다.
위에서 제시하고 있는 과제를 실현하기 위하여, 본 발명의 일 실시예와 관련된 태양전지는 기존 금속을 대체할 수 있는 금속물질의 한계를 극복할 수 있는 새로운 재료로서, 무기물질의 우수한 물성과 자유스럽게 합성할 수 있는 유기물질의 장점을 결합한 유무기 복합 재료를 이용하여 태양광의 투과율을 용이하게 조절할 수 있는 태양전지를 제공할 뿐만 아니라, 유무기 복합물질의 용액을 이용하여 저가의 비용으로 도포하여 낮은 가격으로 제조할 수 있는 것이다. 이와 더불어 유기물질과의 합성으로 만들어진 고상물질이라 잠재적 결함이 있음에도 불구하고 우수한 전자수송 효율을 가지고 있으며, 물질의 조합에 따라 TFT(Thin Film Transistor), Laser Diode 등에 새로운 분야에 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예와 관련된 유무기 복합물질을 이용한 태양전지의 개략적인 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 유무기 복합물질을 이용한 태양전지 제조의 공정순서 진행을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 요철패턴의 SEM 사진이다.
도 4의 (a)는 본 발명에서 광 흡수층으로 사용되는CH3NH3PbI3 의 원자구조이고, (b)는 CH3NH3PbI3를 광 흡수층으로 이용하는 페로브스카이트 태양전지 구조의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 유무기 복합물질을 이용한 태양전지 제조의 공정순서 진행을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 요철패턴의 SEM 사진이다.
도 4의 (a)는 본 발명에서 광 흡수층으로 사용되는CH3NH3PbI3 의 원자구조이고, (b)는 CH3NH3PbI3를 광 흡수층으로 이용하는 페로브스카이트 태양전지 구조의 모식도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. 도면들 중 동일한 구성요소들은 가능한 어느 곳에서든지 동일한 부호로 표시한다. 또한 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유무기 복합물질을 이용한 태양전지의 개략적인 구조를 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 유무기 복합물질을 이용한 태양전지 제조의 공정순서 진행을 나타낸 것이다. 도 1 및 2를 참조하여 본원발명에 대하여 설명하면, 태양전지(100)는, 후면전극(Bottom Electrode)(112)과 후면전극(112) 위에 피복된 홈이 형성된 이산화티탄 필름의 패턴층(113)과 상기 패턴층(113) 표면의 홈에 정렬된 유무기 복합물질(115)과 패턴층(113) 상단에 형성되는 정공 전달층(Hole Transport Layer)(117)과, 정공 전달층 위에 형성된 상부 전극(120)을 포함할 수 있다.
후면전극(112)을 피복하기 위한 기판(111)은 유리가 사용될 수 있으며, 이외에도 고분자 물질이나 플라스틱이 사용될 수도 있다. 이러한 기판(111) 위에 후면전극(112)을 배치한다. 통상적으로 후면전극은 회로가 인쇄된 백시트를 사용하거나 메탈페이스트를 사용한 스크린 프린팅을 이용하기도 한다. 이러한 후면전극은 빛을 가리기 위한 효율제한이 없을 수도 있기 때문에, 전극 도포량이나 그 두께를 두껍게 하여 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있다. 금속 페이스트를 사용한 스크린 프린트로 전극을 형성한 것은 다공성 전도층이 형성되어 전도성에 한계를 가지고 있으며, 고출력 태양전지의 비중이 증가할수록 저항손실에 의한 출력저하가 증가하기 때문에 저저항 전극재료와 도금공정에 대한 관심이 높아지고 있다. 한편, 후면전극은 위의 금속 등의 전극 이외에도 높은 온도에서 안정한 불소를 첨가한 SnO2(FTO), 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 또는 이들의 혼합물 등과 같은 투명전극을 사용하여 기판(111) 위에 증착할 수도 있다.
후면전극(112) 상부에는 약한 산성(HCl)의 에타놀(Ethalnol) 용액에 TiO2를 일정한 중량비(1:5~50)로 혼합한 TiO2 용액을 스핀코팅 방법으로 도포한 후 200~500℃의 오븐에서 건조시키며, 이러한 이산화티탄 용액이 반건조된 상태에서 상부에 도 3에 도시된 것과 같은 홈 형상의 규칙적인 패턴을 만들었다. 일정한 크기로 정렬된 패턴을 형성함으로써 Self-Align 측면에서 강점을 가지고 있는 것이어서, Cell 간의 효율 차이가 최소화되도록 공정을 진행할 수 있게 된다. 후면전극 상부에 위치한 패턴층의 두께는 50~100nm로 한다. 50nm 이하의 두께로 TiO2막을 제조하면, 임프린팅을 할 때 두께가 너무 얇아 홈을 형성하기 위하여 압력을 가하는 중에 관통될 수 있으며, 100nm를 초과하여 막을 제조하면 경제적으로 이익이 없고 임프린팅 방식으로 홈을 형성한 후에, 오븐에서 건조시킬 때 응고시간이 많이 소요되어 100nm 이하의 두께로 막을 제조하는 것이 바람직하다.
이산화티탄 분말을 코팅하기 위하여 이 분말들과 혼합하는 용액으로는 약한 산성의 에타놀 용액 이외에도, 고분자로 이루어진 물질로서 폴리에틸렌디옥시티오와 폴리스티렌설포네이트 이외에도, PAN계, PVdF계, pyridine계, PEO 등과 이들 용액들을 혼합한 고분자 용액 등이 사용될 수 있다.
도 3과 같이 홈이 형성된 이산화티탄 막에 선택적 비젖음(dewetting)으로 섬구조를 형성시키기 위하여는, 홈 형상과 반대로 양각된 임프린트 몰드(121)를 미리 준비하고, 이를 이용한 나노 임프린트 기술을 이용하여 요철이 형성된 패턴을 이산화티탄 막에 제조하였다. 나노 임프린트 기술은 임프린트 몰드(121)를 형성시키고, 형성된 임프린트 몰드(121)를 100~120℃ 온도에서 20분 동안 반고체 물질에 압착시킨 후 분리시켜 그 형태를 반고체 물질에 반전시키는 기술이다. 압착온도가 100℃ 미만이면 임프린트 몰드의 패턴이 유무기 복합물질에 충분히 반전되지 않아 스탬프에 선형된 형태의 요철 패턴이 형성되지 않을 수 있으며, 120℃를 초과하게 되면 유무기 복합물질이 과도하게 경화되어 임프린트 몰드(121)와 유무기 복합물질이 용이하게 분리되지 않을 수 있다.
도 3의 요철 패턴은 일정하게 정렬된 홈으로서, 그 깊이는 0.5~10㎛의 깊이로 형성될 수 있다. 홈의 깊이가 0.5㎛ 미만이면 피라미드의 형태가 선명하지 않을 수 있으며, 또한 홈의 깊이가 10㎛를 초과하면 유무기 복합물질이 과도하게 높은 피라미드 형태로 형성될 수 있고, 이산화티탄 막의 홈에 형성되는 유무기 복합물질의 간격조절이 용이하지 않다. 이러한 유무기 복합물질의 패턴 크기는 투과도의 정도에 따라 3~7㎛의 깊이로 형성하는 것이 더욱 바람직하며, 유무기 복합물질의 크기에 따라 홈의 깊이를 조절하여 사용하는 것이다.
유무기 복합물질은 요철패턴 상단에 유무기 복합물질을 박막으로 피복하는 단계와 피복된 유무기 복합물질의 박막이 피라미드 형태의 홈에 비젖음 현상을 이용하여 섬구조 형상의 규칙적 패턴으로 형성되도록 하는 단계로 이루어진다. 일정한 형태의 요철이 형성된 패턴층(113)위에 유무기 복합물질 용매를 스프레이나 도포, 침지 등의 방법을 이용하여 피복시킬 수 있다. 패턴층(113)의 상부에 피복하는 유무기 복합물질은 유무기 복합 페로브스카이트들 중 1종 또는 이들을 조합한 하나 이상의 물질일 수 있다. 이러한 유무기 복합물질의 피복두께는 요구되는 투명도에 따라 그 두께 및 패턴 형상을 조절할 수도 있다.
도 4의 (a)에 유무기 복합물질의 하나인 CH3NH3PbI3(Methylammonium Lead Iodide)의 입방체 원자구조를 도시하였다. 무기물로 널리 알려져 있는 ABX3 형태의 페로브스카이트 구조에서 A cation 위치에 CH3NH3와 같은 유기물을 치환하는 방식으로 만들어진 구조로 최근에는 Thin Film 형태의 태양전지 분야에서 활발하게 연구가 진행되어 있다. 연구가 활발하게 이루어지는 이유로는 특별한 어려움 없이 용액형태로 물질을 합성할 수 있고, 그 물성이 뛰어나기 때문이다. 용액형태라서 기존의 무기질 반도체 물질에 비해 상대적으로 많은 결함이 존재할 수 있으나, 자체적으로 전하를 축적하는 기능이 있어 전하 분리과정에서 발생되는 손실을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 이산화티타늄 이외에도 페로브스카이트 보다 에너지 준위가 높은 지르코니아, 알루미나는 물론 플라스틱이나 종이 등을 사용하여도 태양전지를 구동할 수 있다는 장점을 가지고 있는 것이다.
패턴층(113) 위에 유무기복합 페로브스카이트를 2.0㎛ 이하의 두께로 피복한 후에는, 100 내지 500℃로 가열하여 유무기 복합물질의 비젖음 현상을 이용한 피라미드 형태의 섬구조를 제조하게 된다. 유무기복합 페로브스카이트가 2.0㎛를 초과하면 이산화티타늄의 요철패턴 상단에 섬구조 형상의 규칙적 패턴를 형성하기 어려우며, 이러한 유무기복합 페로브스카이트는 0.5~1.5㎛의 두께로 피복하는 것이 더욱 바람직하다. 열처리 단계에서 일정한 온도를 유지하면 유무기 복합물질이 구형태의 입자로 응집되어 요철패턴의 홈에 형성시켜 피라미드와 같이 일정한 형태로 정열된 구조를 가질 수 있도록 할 수 있다. 열처리 온도는 유무기 복합물질의 종류에 따라 차이가 있으나 온도가 너무 낮거나 짧으면, 정렬이 불완전하게 일어날 수 있으며, 온도가 너무 높거나 시간이 길면 패턴층이 열에 의해 손상이 될 수 있다. 구체적으로 열처리 단계에서 유무기 복합물질로 섬구조를 제조하는 단계는 100~500℃의 온도에서 30~90분 동안 열처리하여 피라미드 형상의 유무기 복합물질을 형성시킬 수 있다.
패턴층(113)과 유무기 복합 페로브스카이트 상부에는 용매가 없는 정공 전달층(HTM)을 형성시키는데, HTM 층으로는 일반적으로 사용되는 spiro- MeOTAD를 사용할 수 있으며, 그 상부에는 상부전극을 계획된 위치에 적절한 표면적을 가지는 상부전극을 형성시킬 수 있다. 상부전극은 투명도 향상을 위하여 금속 나노와이어를 사용할 수 있으며, 금속재료로는 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 백금(Pt) 중 선택된 하나일 수 있다.
도 4의 (b)는 CH3NH3PbI3를 광 흡수층으로 이용하는 페로브스카이트 태양전지 구조를 개략적으로 표현한 모식도로, 유리기판 상부에 전극으로 불소를 함유한 산화주석(FTO)를 양극으로, 은 박막을 음극으로 하고 있다.
상기와 같은 광투과율을 용이하게 조절할 수 있는 태양전지 제조방법 및 이를 제조하는 방법들은 위에서 설명된 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 각 예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다.
110 : 태양전지
111 : 기판
112 : 후면전극
113 : 패턴층
115 : 유무기 복합물질
117 : 정공전달층
120 : 상부전극
121 : 임프린트 몰드
111 : 기판
112 : 후면전극
113 : 패턴층
115 : 유무기 복합물질
117 : 정공전달층
120 : 상부전극
121 : 임프린트 몰드
Claims (15)
- 외부로부터 입사하는 태양광 투과율을 용이하게 조절할 수 있는 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,
기판 위에 후면전극을 형성하는 단계,
상기 후면전극 위에 TiO2가 포함된 산화물과 고분자가 혼합된 산화물 패턴층을 형성하고, 산화물 패턴층 상면에 정렬된 형태의 다수의 홈을 제조하는 단계,
상기 패턴층 위에 흡수층 물질을 코팅하고 일정한 온도로 열처리하여 흡수층 물질을 응집시키는 단계;
패턴층과 흡수층 물질 위에 정공 전달층(Hole Transport Layer)을 형성하고 정공 전달층 위에 상부 전극을 배치하는 단계;로 이루어진 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 흡수층 물질은 유무기 복합물질인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법.
- 청구항 3에 있어서,
상기 유무기 복합물질은 유무기 복합 페로브스카이트 구조를 갖는 물질인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 열처리 시 온도는 100~500℃인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이
한 태양전지 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 응집시키는 단계는 흡수층 물질의 비젖음 현상을 이용한 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 홈을 제조하는 단계는 임프린트 기술을 이용하는 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 열처리 이전에 흡수층 물질을 건조시키는 단계를 더 포함하고 있는 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지 제조방법.
- 외부로부터 입사하는 광투과율을 용이하게 조절할 수 있는 투명 태양전지에 있어서,
기판 위에 형성된 후면전극과,
상기 후면전극 위에 배치되고 상면에 다수의 홈이 정렬된 형태로 형성되되, TiO2가 포함된 산화물과 고분자가 혼합된 산화물의 패턴층,
상기 패턴층의 홈에 응집된 흡수층과;
패턴층과 흡수층 위에 형성된 정공 전달층(Hole Transport Layer)과,
전공 전달층 위에 배치된 상부 전극을 포함;하는 광투과율 조절이 용이한 태양전지.
- 삭제
- 삭제
- 청구항 9에 있어서,
상기 흡수층의 물질은 유무기 복합물질인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지.
- 청구항 12에 있어서,
상기 유무기 복합물질은 페로브스카이트 구조를 갖는 물질인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지.
- 청구항 9에 있어서,
상기 후면전극은 금속으로 이루어진 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지.
- 청구항 9에 있어서,
상기 후면전극은 FTO, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 또는 이들의 혼합물과 같은 투명전극인 것에 특징이 있는 광투과율 조절이 용이한 태양전지.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140091952A KR101557234B1 (ko) | 2014-07-21 | 2014-07-21 | 광투과율을 용이하게 조절할 수 있는 태양전지 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 태양전지. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140091952A KR101557234B1 (ko) | 2014-07-21 | 2014-07-21 | 광투과율을 용이하게 조절할 수 있는 태양전지 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 태양전지. |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101557234B1 true KR101557234B1 (ko) | 2015-10-02 |
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ID=54341649
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140091952A KR101557234B1 (ko) | 2014-07-21 | 2014-07-21 | 광투과율을 용이하게 조절할 수 있는 태양전지 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 태양전지. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101557234B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112531046A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-03-19 | 桂林电子科技大学 | 一种基于陷光结构玻璃的高效钙钛矿太阳能电池的设计 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101310058B1 (ko) * | 2011-10-06 | 2013-09-24 | 전남대학교산학협력단 | 역구조 유기 태양전지 및 그 제조방법 |
-
2014
- 2014-07-21 KR KR1020140091952A patent/KR101557234B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101310058B1 (ko) * | 2011-10-06 | 2013-09-24 | 전남대학교산학협력단 | 역구조 유기 태양전지 및 그 제조방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112531046A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-03-19 | 桂林电子科技大学 | 一种基于陷光结构玻璃的高效钙钛矿太阳能电池的设计 |
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