KR101554699B1 - Running preparing using quartz - Google Patents

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Abstract

본 발명은 석영을 이용한 탕도 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 사용후 폐기된 석영제품 또는 석영을 세정하는 세정단계(S110); 세정된 석영을 파쇄하여 여러 종류의 입자 크기를 갖도록 파쇄 및 분쇄하는 파쇄 및 분쇄단계(S120); 상기 파쇄 및 분쇄단계(S120)에서 파쇄 및 분쇄된 서로 다른 크기의 입자들을 미리 정해진 혼합 비율로 혼합한 후 물과 혼합하여 교반하는 교반단계(S130); 교반된 석영을 탕도를 제조하기 위한 몰드 또는 성형틀을 이용해 성형하고 건조하는 성형단계(S140); 성형된 석영을 소성시키는 소성단계(S150); 및 소성된 탕도에 대하여 조직을 치밀화하기 위한 표면유리화단계(S160)를 포함하는 석영을 이용한 탕도 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a method of manufacturing a bath using quartz, and more particularly, to a method of manufacturing a bath using quartz, comprising: a washing step (S110) of washing quartz product or quartz after use; A crushing and crushing step (S120) of crushing the washed quartz to crush and crush the crushed quartz to have various particle sizes; A stirring step (S130) of mixing and crushing the crushed and ground particles of different sizes at a predetermined mixing ratio in the crushing and crushing step (S120), and mixing and stirring the crushed and ground particles with water; A forming step (S140) of forming and drying the agitated quartz using a mold or a molding die for producing a bath drawing; A firing step (S150) of firing the formed quartz; And a surface vitrification step (S160) for densifying the tissue with respect to the baked hot water.

Description

석영을 이용한 탕도 제조방법 {Running preparing using quartz}[0001] The present invention relates to a quartz-

본 발명은 석영을 이용한 탕도 제조방법으로 보다 상세하게는 여러 산업분야에서 사용된 석영제품의 수명이 다하거나 사용이 종료된 후 폐기하던 석영들을 세정 후 파쇄, 분쇄, 교반, 성형 및 소성을 거쳐 재생한 석영을 이용하여 탕도를 제조하는 제조방법에 관한 것이다.
More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a blanket using quartz, and more particularly, to a method of manufacturing a blanket using quartz, The present invention relates to a manufacturing method for producing a hot water bath using recycled quartz.

일반적으로 주조공정은 주형을 만들어 주형 내의 공간에 용탕을 주입하고 용탕이 응고된 후 주형을 해체하여 사상 작업 등을 거쳐 공정이 마무리 된다. 이때 주형을 만드는 재료인 주물사는 환경 또는 비용적 측면에서 재생장치를 설치하여 대부분 재생하여 재활용하고 있으며, 일반적으로는 주형 제조 시 탕도(용탕 통로)를 도관으로 구성하고 있다.In general, the casting process forms a mold, injects the molten metal into the mold, dismantles the mold after the molten metal solidifies, and finishes the process through finishing work. At this time, the molding material, which is the material for forming the mold, is recycled mostly by installing a regenerating device in terms of environment or cost. Generally, a conduit is used as a duct for manufacturing the mold.

이러한 탕도는 기본적으로 용강이 흐르면서 탕도를 침식하여 발생된 물질이 강괴에 남아서 강괴의 불량 원인이 되어 용강에 대한 내침식성과, 용강 주입시 용강의 온도가 주입시간이 지나면서 낮아질 수 있으며 탕도에서의 용도 하강을 최소화시킬 보온성, 용강 주입 후 용강이 응고되면서 용강과 탕도와의 반응으로 인하여 응착되는 현상이 발생되지 말아야 한다.These tundo are basically caused by the erosion of the hot water as the molten steel flows, and the material generated in the tundish remains as a cause of the failure of the steel ingot, so that the erosion resistance against the molten steel and the temperature of the molten steel when the molten steel is injected may be lowered over the injection time. It is necessary to prevent the phenomenon of adhesion due to the reaction between the molten steel and the hot water while solidifying the molten steel after the injection of the molten steel.

한편, 석영은 고순도(99%이상)이고 고온에서 잘 견디며 화학물질에 안정적인 물질로서 반도체설비 부품, 태양광 도가니, 광학용, 의료용으로 다양하게 사용되어지는 물질이다. 또한, 이를 이용하여 탕도를 제조할 수도 있다.On the other hand, quartz is a material that is highly used in semiconductor equipment parts, solar photovoltaics, optics, and medical applications because it has high purity (over 99%) and is resistant to high temperatures and stable to chemicals. In addition, a hot water bath can be produced by using this.

최근에는 앞에서 언급한 분야중 태양광과 반도체 제조분야에서 도가니 또는 설비부품으로 대다수가 사용되어지고 있다. 석영으로 만들어지는 제품은 수명이 다한 후에는 대부분이 폐기물로 버려지고 있어서 석영을 재활용하기 위한 석영 재생방법이 요구되어져 왔다.Recently, most of the above-mentioned fields have been used as crucibles or equipment parts in the field of photovoltaic and semiconductor manufacturing. Since products made of quartz are mostly disposed of as waste after the end of their life, quartz regeneration methods for recycling quartz have been demanded.

종래의 석영 재생기술로서 한국특허번호 2011-0013242호(2011.02.09) '석영 유리부재의 재생방법'이 알려져 있다. 이는 반도체 제조공정에 사용되어 소모 열화된 석영유리 부재에 대해 모재손상을 억제하는 방법으로 세정하여 재생한다는 것이다.As a conventional quartz regeneration technology, Korean Patent No. 2011-0013242 (Feb., 2011), a method of regenerating a quartz glass member is known. This means that the quartz glass member, which is used in the semiconductor manufacturing process and consumed and deteriorated, is cleaned and regenerated by a method of suppressing the damage of the base material.

또한 종래의 석영 재생기술로서 한국특허번호 2001-0070123호(2001.07.25) '석영 도가니의 재생방법'이 알려져 있다. 이는 단결정 실리콘을 제조하는데 사용한 후의 석영 도가니의 내면에 대해서 화학적 에칭처리, 기계적 연마 처리 및 고온 열처리 중 하나의 방법으로 내부를 복구처리하는 방법이다.Also, Korean Patent No. 2001-0070123 (July 25, 2001) 'Quartz Crucible Recycling Method' is known as a conventional quartz regeneration technique. This is a method in which the inner surface of the quartz crucible after being used for producing the single crystal silicon is subjected to a restoration treatment by one of chemical etching treatment, mechanical polishing treatment and high temperature heat treatment.

그러나, 상기와 같은 종래의 석영 재생기술은 석영 부재의 형태를 유지하는 상태에서 세정후 열처리나 고온 열처리등을 통해 유리를 충진시키는 등의 방법으로 재생하는 것으로서, 원부재 형상을 유지시켜 재생하는 방법으로서 재생에 사용되는 분야가 한정적이고, 원부재 형상을 유지한 상태로 세정 및 연마를 해야하므로 작업성이 떨어지고, 고순도 유지를 위한 재생 공정의 어려움이 많다.However, the above-described conventional quartz regeneration technique is to regenerate by retaining the shape of the quartz member, filling the glass through a heat treatment or a high-temperature heat treatment, etc., There is a limited field to be used for the regeneration, and since it is necessary to perform cleaning and polishing in the state of maintaining the original member shape, workability is deteriorated and the regeneration process for maintaining high purity is difficult.

또한, 석영을 이용하여 탕도를 제조하는 경우 탕도 자체의 크랙을 현저히 저하시키며 조직구성이 치밀한 탕도 제조의 개발이 소망되었다.
In addition, in the case of producing a bath by using quartz, it is desired to develop a bath which has a considerable deterioration in the crack of the bath itself and a dense structure.

상기 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 목적은 태양광 도가니나 반도체 설비 부품 등에서 폐기된 석영제품을 회수하여 세정, 분쇄, 교반, 성형 및 소성 등의 과정을 거쳐 탕도를 제조하는 제조공정을 제공하는 데 있다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a manufacturing process of recovering a quartz product that has been discarded in a solar photovoltaic device, a semiconductor equipment component, and the like, and manufacturing a bathtub through processes such as cleaning, crushing, stirring, molding, There is.

본 발명의 다른 목적은 석영을 이용하여 탕도를 제조하는 경우 탕도 자체의 크랙을 현저히 저하시키며 조직구성이 치밀한 탕도 제조방법을 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a hot-water bath which is remarkably deteriorated in the cracking of the hot-water bath itself and is dense in structure when the hot-water bath is produced using quartz.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 사용후 폐기된 석영제품 또는 석영을 세정하는 세정단계; 세정된 석영을 파쇄하여 여러 종류의 입자 크기를 갖도록 파쇄 및 분쇄하는 파쇄 및 분쇄단계; 상기 파쇄 및 분쇄단계에서 파쇄 및 분쇄된 서로 다른 크기의 입자들을 미리 정해진 혼합 비율로 혼합한 후 물과 혼합하여 교반하는 교반단계; 교반된 석영을 탕도를 제조하기 위한 몰드 또는 성형틀을 이용해 성형하고 건조하는 성형단계; 성형된 석영을 소성시키는 소성단계; 및 소성된 탕도에 대하여 조직을 치밀화하기 위한 표면유리화단계(S160)를 포함하는 석영을 이용한 탕도 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a cleaning method comprising: a cleaning step of cleaning a quartz product or quartz after use; Crushing and crushing the crushed quartz to crush and crush the crushed quartz so as to have various particle sizes; Mixing and stirring the crushed and pulverized particles of different sizes in the crushing and pulverizing step at a predetermined mixing ratio, mixing with water and stirring; A molding step of molding and drying the stirred quartz using a mold or a molding die for producing a bath; A calcining step of calcining the formed quartz; And a surface vitrification step (S160) for densifying the tissue with respect to the baked hot water.

또한 본 발명은 상기 세정단계(S110)는 석영에 돌출 부착된 석영 이외의 이물질을 물리적 제거방식으로 제거한 후, 표면에 부착된 이물질을 화학약품을 이용하여 에칭하고, 물의 pH 농도가 pH 6.0 ~ 8.0이 되도록 린스처리를 하며, 린스 후 배기 건조를 수행하여 세정하는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법을 제공한다.In the cleaning step (S110), the foreign substances other than quartz protruding from the quartz are removed by a physical removal method, the foreign substances adhered to the surface are etched by using chemicals, and the pH of the water is adjusted to pH 6.0 to 8.0 , Followed by rinsing and exhaust drying, followed by cleaning. The present invention also provides a method of manufacturing a bathtub using quartz.

또한 본 발명은 상기 파쇄 및 분쇄단계(S120)에서 200mesh 이하의 조분쇄 파쇄기로 입자 직경이 수mm의 크기가 되도록 파쇄하고, 2000mesh 이하의 미분쇄 분쇄기로 수 ~ 수십㎛의 입자 크기가 되도록 분쇄하는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법을 제공한다.Also, in the crushing and crushing step (S120), crushing is carried out with a crushing crusher having a size of 200mesh or less so that the particle diameter is several millimeters and crushed to a particle size of several to several tens of 탆 with a milling crusher having a size of 2000mesh or less The present invention also provides a method for manufacturing a bath using quartz.

또한 본 발명은 상기 파쇄 및 분쇄단계(S120)에서 볼밀(ball mill)을 이용하여 미분쇄된 슬립형태로 제조하는 것으로 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing a hot-water bath using quartz, characterized in that it is produced in the form of a slurry finely pulverized using a ball mill in the crushing and crushing step (S120).

또한 본 발명은 상기 교반단계(S130)는 파쇄 및 분쇄된 원료를 입자 크기별로 선별하여 선별된 입자를 일정 비율로 혼합하고, 상기 혼합된 입자에 물을 넣어 교반하는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법을 제공한다.In addition, in the stirring step (S130) of the present invention, the crushed and ground raw materials are sorted by particle size, the selected particles are mixed at a predetermined ratio, and water is added to the mixed particles and stirred. The present invention also provides a manufacturing method.

또한 본 발명은 상기 교반단계(S130)에서 교반되는 석영입자의 크기는 0.003mm ~ 0.035mm 입자 25~ 40 중량%, 0.035mm ~ 0.045mm 입자 15~30중량%, 0.045mm ~ 0.145mm 입자 15~30중량%, 0.145mm ~ 0.3mm 입자 1~30중량%, 0.3mm ~ 1.5mm 입자 10~40중량%로 교반하는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법을 제공한다.In the present invention, the size of the quartz particles agitated in the stirring step (S130) is in the range of 0.003 mm to 0.035 mm particles 25-40 wt%, 0.035 mm to 0.045 mm particles 15-30 wt%, 0.045 mm- Wherein the mixture is stirred in an amount of 1 to 30 wt%, 0.145 to 0.3 mm, 1 to 30 wt%, and 0.3 to 1.5 mm, and 10 to 40 wt%, respectively.

또한 본 발명은 상기 교반단계(S130)에서 석영, 물, 장석질 원료 및 분산제를 혼합하여 교반하되, 석영 45~90중량%, 물 7~50중량%, 장석질 원료 0~5중량%, 분산제 0~3중량%로 혼합하는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법을 제공한다.In the stirring step (S130), quartz, water, a feldspar raw material and a dispersing agent are mixed and agitated in the stirring step (S130), wherein 45 to 90% by weight of quartz, 7 to 50% by weight of water, 0 to 5% by weight of feldspar raw materials, 0 to 3% by weight based on the total weight of the quartz crucible.

또한 본 발명은 상기 소성단계(S150)는 예열단계, 고온소성단계, 냉각 단계를 순차 수행하되, 고온소성은 1100 ~ 1400℃의 고온로에서 소성하는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법을 제공한다.Further, in the present invention, the calcining step (S150) is a calcining step in which the preheating step, the high-temperature calcination step, and the cooling step are sequentially performed, and the high-temperature calcination is performed at a high temperature of 1100 to 1400 ° C. to provide.

또한 본 발명은 상기 표면유리화단계(S160) 1500 ~ 3000℃의 고온을 가함으로써 표면조직이 치밀해져 표면조도가 작게 되는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법을 제공한다.
Further, the present invention provides a method of manufacturing a hot-water bath using quartz, characterized in that the surface is vitrified by applying a high temperature of 1500 to 3000 ° C in the surface vitrification step (S160).

본 발명은 석영제품의 수명이 이후 폐기물이 된 석영을 고순도화하고 이를 재활용함으로서 자원 낭비를 줄이고 제조 원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of reducing the waste of resources and manufacturing cost by improving the purity of the quartz which is the waste of the quartz product and recycling it.

또한, 본 발명에 따른 석영을 이용한 탕도 제조방법은 재생된 석영제품을 다시 회수하여 세정 후 파쇄, 분쇄, 교반, 성형 및 소성을 진행함으로서 석영제품에 오염이 증가되지 않는 범위에서 재생을 반복하여 재활용할 수 있다.In addition, in the method of manufacturing the hot-rolled wastewater using quartz according to the present invention, the regenerated quartz product is recovered again, washed, crushed, pulverized, stirred, molded and fired to repeat the regeneration in such a range that the contamination is not increased in the quartz product It can be recycled.

또한, 본 발명에 따른 석영을 이용한 탕도 제조방법은 탕도 자체의 크랙을 현저히 저하시키며 조직구성이 치밀한 효과가 있다.
In addition, the method of manufacturing a bath with quartz according to the present invention significantly reduces the cracks in the bath, and has a compact structure.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 석영을 이용한 탕도 제조공정도를 나타낸 것이다.1 is a view illustrating a process of manufacturing a bathtub using quartz according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 우선, 도면들 중, 동일한 구성요소 또는 부품들은 가능한 한 동일한 참조부호를 나타내고 있음에 유의하여야 한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, it should be noted that, in the drawings, the same components or parts have the same reference numerals as much as possible. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted so as to avoid obscuring the subject matter of the present invention.

본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 “약”, “실질적으로” 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본 발명의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다.The terms " about ", " substantially ", etc. used to the extent that they are used herein are intended to be taken to mean an approximation of, or approximation to, the numerical values of manufacturing and material tolerances inherent in the meanings mentioned, Accurate or absolute numbers are used to help prevent unauthorized exploitation by unauthorized intruders of the referenced disclosure.

본 발명은 석영을 이용하여 탕도를 제조하는 것을 특징으로 하는 데, 본 발명에 따른 탕조 제조방법은 사용후 폐기된 석영제품 또는 석영을 세정하는 세정단계; 세정된 석영을 파쇄하여 여러 종류의 입자 크기를 갖도록 파쇄 및 분쇄하는 파쇄 및 분쇄단계; 상기 파쇄 및 분쇄 단계에서 파쇄 및 분쇄된 서로 다른 크기의 입자들을 미리 정해진 혼합 비율로 혼합한 후 물과 혼합하여 교반하는 교반단계; 교반된 석영을 탕도를 제조하기 위한 몰드 또는 성형틀을 이용해 성형하고 건조하는 성형단계; 성형된 석영을 소성시키는 소성단계; 및 소성된 탕도에 대하여 조직을 치밀화하기 위한 표면유리화단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
The present invention is characterized by manufacturing a bathtub using quartz, wherein the bathtub manufacturing method according to the present invention comprises: a washing step of washing the quartz product or quartz after use; Crushing and crushing the crushed quartz to crush and crush the crushed quartz so as to have various particle sizes; Mixing and stirring the crushed and pulverized particles of different sizes in the crushing and pulverizing step at a predetermined mixing ratio, mixing with water and stirring; A molding step of molding and drying the stirred quartz using a mold or a molding die for producing a bath; A calcining step of calcining the formed quartz; And a surface vitrification step for densifying the tissue against the baked hot water.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 석영을 이용한 탕도 제조공정도를 나타낸 것이다.1 is a view illustrating a process of manufacturing a bathtub using quartz according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다른 제품으로 사용된 석영을 재생하여 이용하거나 새로운 석영을 이용하여 세정단계(110), 파쇄 및 분쇄단계(S120), 교반단계(S130), 성형단계(S140), 소성단계(S150) 및 표면유리화단계(S160)를 거쳐 탕도를 제조하고, 추가적으로 검사단계(S170)를 거칠 수 있다.The present invention can be applied to a quartz process in which a quartz used as another product is recycled and used or a new quartz is used to perform a cleaning step 110, a crushing and grinding step S120, a stirring step S130, a forming step S140, And the surface vitrification step (S160), and further the inspection step (S170) may be performed.

본 발명에 있어서, 세정단계(S110)는 석영의 순도를 높이기 위해 이물질을 제거하는 것으로 이물질은 물리적 또는 화학적 방법으로 제거할 수 있다. 보다 구체적으로 석영에 부착된 석영 이외의 이물질을 물리적 제거방식으로 제거한 후, 화학약품을 이용하여 에칭하고, 린스 처리 후 건조시켜 세정하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the cleaning step (S110) removes foreign matter in order to increase the purity of the quartz so that the foreign matter can be removed by a physical or chemical method. More specifically, foreign matter other than quartz adhered to quartz is removed by a physical removal method, followed by etching using a chemical agent, rinsing, drying and cleaning.

물리적 세정방법은 커터와 연마기를 사용하여 이물질을 제거하는 하는 방법이고, 화학적 세정방법은 화학약품에 의한 에칭 후, 물의 pH 6.0 ~ 8.0이 되도록 린스, 린스후 배기 건조를 수행하여 세정하는 방법이다. 상기 세정단계는 물리적 세정방법 또는 화학적 세정방법 중 어느 하나를 실시하거나, 이 둘을 혼용처리에 의해 세정할 수 있다.The physical cleaning method is a method of removing foreign substances using a cutter and a polishing machine. The chemical cleaning method is a method of cleaning after rinsing and rinsing and exhaust drying so as to have a pH of 6.0 to 8.0 after etching with a chemical agent. The cleaning step may be performed by either a physical cleaning method or a chemical cleaning method, or both of them may be cleaned by a mixed treatment.

석영제품은 태양광, 반도체, 광학기기, 의료용 등 다양한 분야에서 사용되어지는데, 본 발명의 설명에서는 태양광과 반도체 분야에서 사용되어지는 석영의 재생에 대해 설명한다.The quartz products are used in various fields such as solar light, semiconductor, optical instruments, and medical applications. In the description of the present invention, the reproduction of quartz used in the field of solar light and semiconductor will be described.

태양광 도가니로 사용되어진 석영제품은 석영에 폴리 실리콘이 부착되어 있다. 태양광 분야에서 사용되는 석영은 폴리실리콘을 이용한 잉곳(Ingot)을 제조하는 도가니를 제작하는 용도로 사용되어지며, 석영에 폴리실리콘이 붙어있는 상태이다. 고순도의 석영을 얻기 위해서는 석영에서 폴리실리콘을 제거해야한다. 먼저 물리적인 방법으로 폴리실리콘을 석영에서 제거한다.The quartz products used as solar crucibles have polysilicon attached to quartz. Quartz used in the photovoltaic field is used to make crucibles for manufacturing ingots made of polysilicon, and the quartz is in a state where the polysilicon is attached. To obtain high-purity quartz, the polysilicon must be removed from the quartz. First, the polysilicon is removed from the quartz by a physical method.

폴리실리콘이 석영 도가니에서 용융된 상태이므로 폴리실리콘과 석영의 접착력은 아주 강하므로 날카로운 금속(예; 다이아몬드 커터기 사용)과 햄머를 이용하여 폴리실리콘을 석영에서 제거한다. 다음은 화학적인 방법으로 제거할 수 있는데 석영에 붙어있는 폴리실리콘을 에칭하는 방법을 택한다. 석영에 부착된 잔여 폴리실리콘을 화학약품에 의해 에칭하는데, 이는 통상 반도체 공정에서 사용되어지는 폴리실리콘 에칭약품을 사용할 수 있다.Because polysilicon is molten in a quartz crucible, the adhesion between polysilicon and quartz is so strong that it removes the polysilicon from the quartz with sharp metal (eg, using a diamond cutter) and a hammer. The following can be removed by a chemical method: etching the polysilicon attached to the quartz is chosen. The remaining polysilicon deposited on the quartz is etched by the chemical, which may be the polysilicon etch chemistry commonly used in semiconductor processes.

화학약품에 의한 에칭을 수행하면, 에칭 약품에 의해 오염된 상태이므로 이를 세정하여 린스 처리한다. 린스 처리에서 물의 pH농도가 pH 6.0 ~ 8.0이 될때까지 세정액과 물을 이용하여 린스처리한다.When etching with a chemical agent is performed, the substrate is contaminated with an etching agent, so that the substrate is cleaned and rinsed. Rinse treatment is carried out using a rinse solution and water until the pH of the water becomes pH 6.0 to 8.0 in the rinse treatment.

린스 처리후에는 수분에 의한 오염을 방지하기 위하여 100℃ 이상의 고온에서 배기상태로 강제 건조시킨다.After the rinsing treatment, forced drying is performed in an exhaust state at a high temperature of 100 DEG C or more to prevent contamination by moisture.

다음으로, 반도체 분야에서 반도체 설비 부품으로 사용되는 석영 제품은 다양한 공정에서 사용되어지므로 석영 위에 이물질도 다양하게 부착되어 오염될 수 있다. 여기서 반도체 설비 부품에 사용 되어진 석영제품은 태양광 도가니와는 달리 이물질 두께가 얇은 편이므로 물리적 제거방법을 사용하지 않고 화학적 에칭 방법만 사용하면 된다. 반도체 설비 부품에 사용되어진 석영제품의 오염된 이물질을 제거하기 위한 화학약품은 HF : HNO3 ; H2O를 1 : 3 : 4 내지 1 : 5 : 8 중량비율로 사용할 수 있으며(여기서, H2O는 D.I water) 10 ~ 30℃의 온도에서 표면의 이물질이 완전히 제거될때까지 에칭시킨다.Secondly, quartz products used as semiconductor equipment components in the semiconductor field are used in various processes, so foreign substances may be adhered on quartz and contaminated. Since quartz products used in semiconductor equipment components are thinner than solar photovoltaics, only the chemical etching method can be used without physical removal. Chemicals for the removal of contaminated contaminants from quartz products used in semiconductor equipment components are HF: HNO 3 ; H 2 O can be used in a weight ratio of 1: 3: 4 to 1: 5: 8 (where H 2 O is DI water) at a temperature of 10 to 30 ° C. until the foreign substances on the surface are completely removed.

마찬가지로 에칭 후 린스 처리하되, 린스 처리에서 물의 pH농도가 pH 6.0 ~ 8.0이 될때까지 세정액과 물을 이용하여 린스후 건조처리하여 세정단계(S110)를 완료할 수 있다.
Similarly, the cleaning step (S110) can be completed by rinsing with a rinse solution and water until the pH of the water becomes pH 6.0 to 8.0 in the rinse treatment after the etching treatment.

세정 단계(S110) 이후에는 벌크 형태의 석영소재를 원하는 입자의 크기, 분포, 형상을 갖도록 가공하는 파쇄 및 분쇄단계(S120)를 갖는다.After the cleaning step S110, there is a crushing and crushing step (S120) of processing the bulk quartz material to have a desired particle size, distribution and shape.

사용된 석영(Quartz)소재를 이용하거나 새로운 석영을 탕도의 재료로 이용하기 위해서는 일정크기 이하로 파쇄 또는 분쇄할 필요가 있다. 석영소재를 일정크기로 파쇄하여 용해하거나 분말형태의 슬립 캐스팅(Slip Casting)용 소재를 제조하기 위해서는 파쇄 및 분쇄하는 공정은 필수적이다.In order to use the quartz material or to use new quartz as the material of the bath, it is necessary to crush or crush the quartz to a certain size or less. The crushing and crushing process is indispensable for crushing the quartz material to a certain size and dissolving it or for producing slurry casting material in powder form.

상기 파쇄 및 분쇄단계는 200mesh 이하의 조분쇄 파쇄기로 입자 직경이 1 ~ 10 mm의 크기가 되도록 파쇄하고, 2000mesh 이하의 미분쇄 분쇄기로 수 ~ 수십㎛(예 1 ~ 99㎛)의 입자 크기가 되도록 분쇄하는 것을 특징으로 한다.The crushing and crushing step is a crushing crusher having a size of not more than 200 mesh and crushed to a particle size of 1 to 10 mm and a particle size of several to several tens of 탆 (e.g., 1 to 99 탆) And crushing.

파쇄단계는 1차 파쇄하여 수 ㎝ 크기로 파쇄하고, 이를 다시 2차 파쇄하여 수mm의 크기로 파쇄할 수 있다. 파쇄는, 일정 크기 이상의 재료를 수mm(예 1 ~ 10mm)단위까지 입자의 크기를 낮추는 과정으로 일반적으로 Jaw Crusher, Cone Crusher, Impact Crusher 등이 사용되는 것이 일반적이다. 석영을 용해하는 경우에는 파쇄 공정으로 만들어진 제품이 적합하다.The crushing step may be first crushed to a size of several centimeters, and further crushed to a size of several millimeters by secondary crushing. Crushing is a process of lowering the particle size to a few mm (eg, 1 to 10 mm) of a material having a predetermined size or larger. Generally, a jaw crusher, a cone crusher, or an impact crusher is generally used. In the case of dissolving quartz, a product made by a crushing process is suitable.

분쇄단계는 파쇄로 만들어진 조립의 입자를 수 ~ 수십㎛(예; 1 ~ 99㎛)의 크기가 되도록 분말 형태로 분쇄한다. 세라믹 소재의 경우는 분말형태로 응용되거나 소결재료로 활용한다. 파쇄한 원료를 분말 형태로 만들기 위해서는 Ball Mill, Attrition Mill, Vibratory Mill, Roll Mill 등을 이용할 수 있다.The pulverizing step is a step of pulverizing the granulated particles made by the pulverization into a powder form so as to have a size of several to several tens of 탆 (e.g., 1 to 99 탆). In case of ceramic material, it is applied in powder form or used as sintering material. Ball Mill, Attrition Mill, Vibratory Mill and Roll Mill can be used to make crushed raw materials into powder form.

또한, 상기 분쇄단계에서 습식으로 분쇄할 수도 있는 데, 이 경우 볼밀(Ball Mill)을 이용하여 미분쇄된 슬립형태로 제조할 수 있다. In addition, it may be pulverized in a wet state in the pulverization step. In this case, the pulverized slurry may be prepared using a ball mill.

분쇄 및 파쇄단계(S120) 이후에는 교반단계(S130)를 거치는 데, 상기 교반단계(S130)는 파쇄 및 분쇄된 석영 원료를 입자 크기별로 선별하고, 선별된 입자에 석영 원료를 일정비율로 혼합하고, 혼합된 석영 원료에 물을 넣어 교반하는 것을 특징으로 한다.After the crushing and crushing step (S120), the stirring step (S130) is performed. In the stirring step (S130), the crushed and ground quartz material is sorted by particle size, and the quartz raw material is mixed with the selected particles at a predetermined ratio , And water is added to the mixed quartz raw material and stirred.

실시예로서, 파쇄 및 분쇄된 원료를 선별하는데, 선별기를 이용하여 파쇄 및 분쇄된 석영을 선별하고, 이들을 적정 비율로 혼합하는 것이다.As an example, in order to select crushed and ground raw materials, crushed and pulverized quartz are selected using a separator, and these are mixed at a proper ratio.

교반시 서로다른 입자크기를 적정비율로 혼합하고, 혼합된 원료에 물을 7~50중량%의 중량비로 혼합하여 교반한다. 교반시간은 내용물이 충분히 교반 되어질때까지 진행한다. 이때 교반은 진공상태에서 진행하며 진공도는 10E(-2~-5)torr의 진공 교반기를 이용하여 교반단계(S130)을 수행한다.At the time of stirring, different particle sizes are mixed at an appropriate ratio, and the mixed raw materials are mixed with water at a weight ratio of 7 to 50% by weight and stirred. The stirring time is continued until the contents are sufficiently stirred. At this time, the stirring proceeds in a vacuum state and the degree of vacuum is performed in a stirring step (S130) using a vacuum stirrer of 10E (-2 to -5) torr.

교반되는 석영 입자의 크기에 따라 교반되는 비율은 다음과 같다.The stirring ratio of the quartz particles according to the size of the agitated quartz particles is as follows.

0.003mm ~ 0.035mm(0.003mm이상 0.035mm 미만) 입자 25~ 40 중량%, 0.035mm ~ 0.045mm 입자 15~30중량%, 0.045mm ~ 0.145mm 입자 15~30중량%, 0.145mm ~ 0.3mm 입자 1~30중량% 및 0.3mm ~ 1.5mm 입자 10~40중량%로 교반한다.25 to 40 wt% of particles of 0.003 mm to 0.035 mm (0.003 mm or more and less than 0.035 mm), 15 to 30 wt% of particles of 0.035 mm to 0.045 mm, 15 to 30 wt% of particles of 0.045 mm to 0.145 mm, 1 to 30% by weight and 0.3 to 1.5 mm particles 10 to 40% by weight.

교반되는 석영 입자가 상기의 비율로 배합되어 교반될 때, 이후 소성이 이루어질 때 크랙이 발생되지 않는다.When the agitated quartz particles are mixed and agitated at the above ratios, cracks are not generated when firing is performed thereafter.

또한, 입도의 분리를 막기 위해 소량의 분산제를 투입할 수 있으며, 소결온도를 낮추기 위해 장석질 원료를 소량 혼합할 수 있다. 즉, 석영, 물, 장석질 원료 및 분산제를 혼합하여 교반할 수 있는 데, 석영 45~90중량%, 물 7~50중량%, 장석질 원료 0~5중량%, 분산제 0~3중량%의 혼합이 가능하다.
Further, a small amount of dispersant can be added to prevent the separation of the particle size, and a small amount of the feldspar raw material can be mixed to lower the sintering temperature. That is, quartz, water, a feldspar raw material and a dispersing agent can be mixed and agitated, and it is possible to mix the quartz, the water, the feldspar raw material and the dispersing agent in an amount of 45 to 90 wt%, quartz 7 to 50 wt%, feldspar raw material 0 to 5 wt% Mixing is possible.

교반이 완료되면 성형틀에 교반이 완료된 묽은 분쇄물을 충전하여 성형하는 성형단계(S140)를 수행한다.After the stirring is completed, a molding step (S140) is performed in which the thin molding material filled with the stirring material is filled in the molding die and molded.

석고 등을 이용하여 석고형 틀을 제작한 후 교반이 완료된 물질을 충전할 수 있다. 이때 압력주입성형 또는 일반주입성형의 방법을 이용한다.Gypsum or the like to produce a gypsum mold and then charge the stirred material. At this time, a method of pressure injection molding or general injection molding is used.

탕도를 제조하는 성형틀에서 일정시간 성형이 진행되면 성형틀에서 모양이 갖춰진 제품을 분리한다. 너무 빨리 탈형하면 물기가 너무 많이 함유되어 쉽게 파손되어지며 너무 오랫동안 성형하면 크랙이 발생한 가능성이 크다. 탈형의 시점은 제품의 함수율이 5~20% 정도가 좋다. 탈형이 완료되면 건조실로 옮겨 건조한다. 건조는 저온이나 고온에서 진행하면 건조가 늦거나 크랙이 발생할 가능성이 높다.When the molding is performed for a certain time in the mold for manufacturing the mold, the molded product is separated from the mold. Dehydration too soon will cause too much moisture and breakage. If it is molded for too long, there is a high possibility of cracking. At the time of desorption, the water content of the product is preferably about 5 to 20%. When demoulding is complete, transfer to dry room and dry. Drying is likely to be delayed or cracked if it is carried out at low or high temperatures.

상기 성형과정은, 함수율 5 ~ 20% 범위에서 성형틀에서 탈형하고, 탈형된 성형품을 실온 ~ 200℃의 건조하는 것이 바람직하다.It is preferable that the molding step is performed in a molding die at a water content in the range of 5 to 20%, and the demolded molded article is dried at room temperature to 200 ° C.

성형단계(S140) 이후에는 소성단계(S150)을 진행한다. 상기 소성단계(S150)는, 예열단계, 고온소성단계, 냉각 단계를 순차 수행하되, 예열과 냉각은 약 100℃/분 정도로 수행하고, 고온소성은, 1100 ~ 1400℃의 고온로에서 소성하는 것이 바람직하며, 18 ~ 22시간 정도 소성을 진행한다.After the forming step S140, the firing step S150 is performed. The sintering step (S150) is performed by performing the preheating step, the high-temperature sintering step and the cooling step in sequence, the preheating and cooling are performed at about 100 ° C / min, and the high temperature sintering is performed at a high temperature of 1100 to 1400 ° C Preferably, firing is carried out for about 18 to 22 hours.

상기 소성단계(S150)는 가마 또는 터널로를 이용하여 소성을 실시한다.
The firing step (S150) is performed by using a kiln or a tunnel furnace.

소성단계(S150)가 완료되면 표면의 조직을 치밀하게 하는 표면유리화단계(S160)를 진행한다. When the firing step S150 is completed, the surface vitrification step S160 for making the surface of the surface finer is performed.

소성을 마친 탕도는 표면조도(거칠기)가 크고 조직간의 결합력이 작아 부스러지기 쉽다. 탕도는 내부에 비중이 크고 고온의 용융체가 흐르므로 표면의 결합력이 높아야 한다. 특히, 이물질이 작아야하는 제품일수록 용융체와 닿는 표면의 조직력은 좋아야 한다.After the baking, the surface roughness (toughness) is large and the bonding force between the tissues is small, so that it is easily broken. Since the molten metal has a high specific gravity and a high temperature, it has to have high bonding strength. Particularly, a product having a small foreign substance should have a good structure force on the surface contacting with the molten metal.

또한, 석영은 화학적으로 매우 안정된 물질이지만 고온에서는 반응하기 쉬운 물질과는 물리적인 Diffusion 또는 화학적 반응이 발생할 수 있기 때문에, 이를 방지하기 위해서 석영 표면이 고온에서 견딜 수 있는 표면처리를 할 필요가 있다. 이때 표면처리 물질은 치밀한 구성을 가져야하고 화학적으로 탕도 내부에 있는 물질과 반응이 일어나지 않아야 한다.In addition, quartz is chemically very stable, but it may require physical diffusion or chemical reaction with substances that are susceptible to reaction at high temperatures. To prevent this, quartz surfaces must be subjected to a surface treatment capable of withstanding high temperatures. At this time, the surface treatment substance should have a dense structure and chemically, the reaction should not occur with the substance inside the bath.

상기 표면유리화단계(S160)는 탕도 내부가 쇳물의 흡착 및 반응에 의한 부식 및 침윤을 방지하고자 하는 것이며, 이를 위해 Arc 발생 장치 등을 이용하여 고온(1500 ~ 3000℃)을 가함으로써 내부를 글래스(Glass)화 시킴으로써 표면조직이 치밀해져 표면조도를 작게 할 수 있다.The surface vitrification step (S160) is to prevent corrosion and infiltration due to adsorption and reaction of molten metal in the molten metal. For this purpose, by applying a high temperature (1500 to 3000 ° C) using an arc generator or the like, (Glass), the surface texture becomes dense and the surface roughness can be reduced.

따라서, 표면유리화단계(S160)로 인해 탕도 내부의 조직구성을 치밀하게 하고, 표면 조도를 작게 함으로써 이물질 발생의 소지를 최소화할 수 있게 된다.
Therefore, the surface vitrification step (S160) allows the internal structure of the bath to be dense and the surface roughness to be small, thereby minimizing the possibility of foreign matter generation.

상기 표면유리화단계(S160) 이후에는 제조된 탕도를 검사하는 검사단계(S170)를 추가적으로 실시할 수 있다.After the surface vitrification step (S160), an inspection step (S170) for inspecting the produced hot water may be additionally performed.

상기 검사결과 제조된 석영을 이용한 탕도는 압축강도가 400kg/㎠ 이상, 비중은 약 1.9 정도이며, 기공율은 6 ~ 12%인 것이 바람직하다.
As a result of the test, it is preferable that the bath temperature using the quartz produced has a compressive strength of 400 kg / cm 2 or more, a specific gravity of about 1.9, and a porosity of 6 to 12%.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be clear to those who have knowledge of.

Claims (9)

사용후 폐기된 석영제품 또는 석영을 세정하는 세정단계(S110);
세정된 석영을 파쇄하여 여러 종류의 입자 크기를 갖도록 파쇄 및 분쇄하는 파쇄 및 분쇄단계(S120);
상기 파쇄 및 분쇄단계(S120)에서 파쇄 및 분쇄된 서로 다른 크기의 입자들을 미리 정해진 혼합 비율로 혼합한 후 물과 혼합하여 교반하는 교반단계(S130);
교반된 석영을 탕도를 제조하기 위한 몰드 또는 성형틀을 이용해 성형하고 건조하는 성형단계(S140);
성형된 석영을 소성시키는 소성단계(S150); 및
소성된 탕도에 대하여 조직을 치밀화하기 위한 표면유리화단계(S160)를 포함하되,
상기 세정단계(S110)는 석영에 돌출 부착된 석영 이외의 이물질을 물리적 제거방식으로 제거한 후, 표면에 부착된 이물질을 화학약품을 이용하여 에칭하고, 물의 pH 농도가 pH 6.0 ~ 8.0이 되도록 린스처리를 하며, 린스 후 배기 건조를 수행하여 세정하며,
상기 교반단계(S130)에서 교반되는 석영입자의 크기는 0.003mm ~ 0.035mm 입자 25~ 40 중량%, 0.035mm ~ 0.045mm 입자 15~30중량%, 0.045mm ~ 0.145mm 입자 15~30중량%, 0.145mm ~ 0.3mm 입자 1~30중량%, 0.3mm ~ 1.5mm 입자 10~40중량%로 교반하는 것을 특징으로 하며,
상기 표면유리화단계(S160)는 탕도 내부가 쇳물의 흡착 및 반응에 의한 부식 및 침윤을 방지하고자 1500 ~ 3000℃의 고온을 가함으로써 표면조직이 치밀해져 표면조도가 작게 되는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법.
A cleaning step (S110) of cleaning the spent quartz product or quartz after use;
A crushing and crushing step (S120) of crushing the washed quartz to crush and crush the crushed quartz to have various particle sizes;
A stirring step (S130) of mixing and crushing the crushed and ground particles of different sizes at a predetermined mixing ratio in the crushing and crushing step (S120), and mixing and stirring the crushed and ground particles with water;
A forming step (S140) of forming and drying the agitated quartz using a mold or a molding die for producing a bath drawing;
A firing step (S150) of firing the formed quartz; And
And a surface vitrification step (S160) for densifying the tissue with respect to the baked hot water,
The cleaning step S110 removes foreign materials other than quartz protruding from the quartz by a physical removal method, etches the foreign substances adhered to the surface with chemicals, rinses the solution so that the pH of the water becomes pH 6.0 to 8.0 Followed by exhaust drying after rinsing to clean,
The size of the quartz particles agitated in the stirring step (S130) is 25 to 40% by weight, 0.005 to 20% 0.1 to 0.3 mm particles of 1 to 30% by weight and 0.3 to 1.5 mm of particles of 10 to 40% by weight,
In the surface vitrification step (S160), the surface texture is dense and the surface roughness is reduced by applying a high temperature of 1500 to 3000 占 폚 in order to prevent corrosion and infiltration due to adsorption and reaction of molten metal in the molten metal. Manufacturing method using hot water.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 파쇄 및 분쇄단계(S120)에서 200mesh 이하의 조분쇄 파쇄기로 입자 직경이 수mm의 크기가 되도록 파쇄하고, 2000mesh 이하의 미분쇄 분쇄기로 수 ~ 수십㎛의 입자 크기가 되도록 분쇄하는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법.
The method according to claim 1,
The crushing and crushing step (S120) is carried out by crushing the crushed material to a size of several millimeters with a coarsely crushing crusher having a size of 200 mesh or less, and pulverizing the crushed material to a particle size of several to several tens of micrometers with a milling crusher of 2,000 mesh or less A method for manufacturing a bath using quartz.
제1항에 있어서,
상기 파쇄 및 분쇄단계(S120)에서 볼밀(Ball Mill)을 이용하여 미분쇄된 슬립형태로 제조하는 것으로 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the slurry is pulverized in a pulverizing and grinding step (S120) using a ball mill.
제1항에 있어서,
상기 교반단계(S130)는 파쇄 및 분쇄된 원료를 입자 크기별로 선별하여 선별된 입자를 일정 비율로 혼합하고, 상기 혼합된 입자에 물을 넣어 교반하는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the stirring step (S130) comprises selecting the crushed and ground raw materials by particle size, mixing the selected particles at a predetermined ratio, and adding water to the mixed particles and stirring the mixture.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 교반단계(S130)에서 석영, 물, 장석질 원료 및 분산제를 혼합하여 교반하되, 석영 45~90중량%, 물 7~50중량%, 장석질 원료 0~5중량%, 분산제 0~3중량%로 혼합하는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the mixture is stirred while mixing the quartz, water, feldspar raw material and dispersant in the stirring step (S130), wherein the quartz, water, feldspar raw material and dispersant are mixed and stirred. By weight based on the total weight of the quartz.
제1항에 있어서,
상기 소성단계(S150)는 예열단계, 고온소성단계, 냉각 단계를 순차 수행하되, 고온소성은 1100 ~ 1400℃의 고온로에서 소성하는 것을 특징으로 하는 석영을 이용한 탕도 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the firing step (S150) is performed by sequentially performing a preheating step, a high-temperature firing step and a cooling step, and the high-temperature firing is performed at a high temperature of 1100 to 1400 ° C.
삭제delete
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JP2012116710A (en) * 2010-12-01 2012-06-21 Japan Siper Quarts Corp Method for manufacturing silica glass crucible, and silica glass crucible

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100748376B1 (en) 1999-10-05 2007-08-10 주식회사 사무코 Quartz crucible reproducing method
JP2012116708A (en) 2010-12-01 2012-06-21 Japan Siper Quarts Corp Method for manufacturing granulated silica, and method for manufacturing silica glass crucible
JP2012116710A (en) * 2010-12-01 2012-06-21 Japan Siper Quarts Corp Method for manufacturing silica glass crucible, and silica glass crucible

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